專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是關(guān)于一種液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
由于液晶顯示裝置具有輕、薄、耗電小等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用在筆記本計(jì)算機(jī)、行動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理等現(xiàn)代化信息設(shè)備。但因液晶顯示裝置的液晶本身不具有發(fā)光特性，因此，為達(dá)到顯示效果，須給液晶顯示裝置提供一面光源裝置，如背光模塊，其功能在于向液晶顯示裝置提供亮度充分且分布均勻的面光源。
請(qǐng)參閱圖1，是一種現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示裝置結(jié)構(gòu)示意圖。該液晶顯示裝置1包括兩相對(duì)設(shè)置的透明下基板10與上基板20、一液晶層30分布在該下基板10與上基板20之間；該下基板10的內(nèi)側(cè)設(shè)置有薄膜晶體管11、像素電極12、存儲(chǔ)電容下電極13，該薄膜晶體管11包括柵電極14、源電極15、漏電極16，其中該像素電極12與漏電極16相連，該存儲(chǔ)電容下電極13與像素電極12之間設(shè)有柵電極絕緣層18、鈍化層17；該上基板20的內(nèi)側(cè)依次設(shè)置有彩色濾光片21、公共電極22，該彩色濾光片21包括著色部分24及黑矩陣部分25，其中該黑色矩陣部分25與下基板10的薄膜晶體管11、存儲(chǔ)電容下電極13的位置對(duì)應(yīng)，以防止外界入射光入射至該薄膜晶體管11、存儲(chǔ)電容下電極13。該液晶顯示裝置1工作時(shí)，存儲(chǔ)電容下電極13與像素電極12之間形成存儲(chǔ)電容以維持像素電極12的電壓，像素電極12與公共電極22之間形成電場(chǎng)以驅(qū)動(dòng)液晶分子旋轉(zhuǎn)。
由于該液晶顯示裝置1本身不具發(fā)光特性，因此需在液晶顯示裝置1下基板10的外側(cè)設(shè)置一背光模塊(圖未示)，背光模塊發(fā)出的光線入射至液晶層30，通過(guò)電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)液晶分子的旋轉(zhuǎn)以實(shí)現(xiàn)顯示功能，但背光模塊是一高耗能裝置，其功耗通常超過(guò)液晶顯示裝置1的功耗，且當(dāng)該液晶顯示裝置1置于外界光較強(qiáng)的環(huán)境中，液晶顯示裝置1的相對(duì)亮度及對(duì)比度必然降低，因此該液晶顯示裝置1的顯示質(zhì)量受外界環(huán)境影響較大，為了保持液晶顯示裝置1的相對(duì)亮度及對(duì)比度，則必須提高背光模塊的功率，其功耗也隨之增加。

實(shí)用新型內(nèi)容為了克服現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示裝置耗能高的缺陷，本實(shí)用新型提供一種節(jié)能的液晶顯示裝置。
本實(shí)用新型的液晶顯示裝置包括第一基板、第二基板、一液晶層、一存儲(chǔ)電容電極，該第一基板和第二基板相對(duì)設(shè)置，該液晶層位于該第一基板和第二基板之間，該存儲(chǔ)電容電極設(shè)置在該第一基板上，其包括一存儲(chǔ)電容下電極及一存儲(chǔ)電容上電極，其中第一基板上還設(shè)置有一半穿透半反射膜，該存儲(chǔ)電容電極為反射電極。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型液晶顯示裝置的存儲(chǔ)電容上電極或存儲(chǔ)電容下電極為反射電極，其用于反射顯示。可將外界光反射回液晶層，實(shí)現(xiàn)反射顯示功能；該半穿透半反射膜既可穿透背光模塊所發(fā)出的光線，又可反射外界環(huán)境入射的光線，因此同時(shí)實(shí)現(xiàn)反射和穿透功能，因此該液晶顯示裝置可實(shí)現(xiàn)穿透與反射顯示，在外界光較強(qiáng)或弱的環(huán)境中使用其顯示相對(duì)亮度及對(duì)比度均較高，其可通過(guò)該存儲(chǔ)電容區(qū)域有效地利用外界光，因此可相應(yīng)降低背光模塊的功率，以達(dá)到節(jié)能的目的。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本實(shí)用新型液晶顯示裝置第一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是本實(shí)用新型液晶顯示裝置第二實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4是本實(shí)用新型液晶顯示裝置第三實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5是本實(shí)用新型液晶顯示裝置第四實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖6是本實(shí)用新型液晶顯示裝置第五實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖7是本實(shí)用新型液晶顯示裝置第六實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖8是本實(shí)用新型液晶顯示裝置第七實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖9是本實(shí)用新型液晶顯示裝置第八實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖10是本實(shí)用新型液晶顯示裝置第九實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式請(qǐng)參閱圖2，是本實(shí)用新型液晶顯示裝置第一實(shí)施方式的示意圖。該液晶顯示裝置100包括兩相對(duì)的透明下基板110與上基板120、一液晶層130位于該下基板110與上基板120之間；該下基板110的內(nèi)側(cè)設(shè)置有薄膜晶體管111、像素電極112、存儲(chǔ)電容下電極113、存儲(chǔ)電容上電極118、半穿透半反射膜119；該上基板120的內(nèi)側(cè)設(shè)置有彩色濾光片121、公共電極122。
該薄膜晶體管111包括柵電極114、源電極115、漏電極116，其中該像素電極112與漏電極116相連，該像素電極112由透明導(dǎo)電材料制成，如氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)或氧化銦鋅(IndiumZinc Oxide，IZO)等。該存儲(chǔ)電容下電極113與像素電極112之間設(shè)置一鈍化層117。
該半穿透半反射膜119及高反射率的存儲(chǔ)電容上電極118設(shè)置在該鈍化層117與像素電極112之間。該存儲(chǔ)電容上電極118的大小及位置與存儲(chǔ)電容下電極113的大小及位置對(duì)應(yīng)，其材料為金屬鋁、銀、釹鋁合金或釔鋁合金等高反射率導(dǎo)電材料，該存儲(chǔ)電容上電極118與存儲(chǔ)電容下電極113形成一存儲(chǔ)電容區(qū)域。該半穿透半反射膜119由不同折射率的兩種或兩種以上的金屬氧化物或非金屬氧化物壓著而成，為多層結(jié)構(gòu)，該金屬氧化物可以是二氧化鈦(TiO2)、氧化釹(Nb2O5)或氧化鋅(ZnO2)，該非金屬氧化物可以是二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)，由于該金屬氧化物或非金屬氧化物均為透明材質(zhì)，并分別具有不同的折射率，此特性使該半穿透半反射膜119既可穿透背光模塊所發(fā)出的光線，又可反射外界環(huán)境入射的光線，因此同時(shí)具有反射和穿透功能，該半穿透半反射膜119的反射率依據(jù)其膜厚及組成結(jié)構(gòu)的不同而改變。
該彩色濾光片121包括著色部分124及黑矩陣部分125，其中該黑色矩陣部分125與下基板110的薄膜晶體管111的位置對(duì)應(yīng)，以防止外界入射光入射至該薄膜晶體管111。
該液晶顯示裝置100工作時(shí)，該像素電極112與存儲(chǔ)電容上電極118之間電性連接，存儲(chǔ)電容下電極113與存儲(chǔ)電容上電極118之間形成存儲(chǔ)電容，因此可維持像素電極112的電壓，像素電極112與公共電極122之間形成電場(chǎng)以驅(qū)動(dòng)液晶分子的旋轉(zhuǎn)。
由于該存儲(chǔ)電容上電極118由金屬鋁、銀、釹鋁合金或釔鋁合金等高反射率導(dǎo)電材料制成，其可充當(dāng)一反射電極將外界光反射回液晶層130，因此在存儲(chǔ)電容區(qū)域中實(shí)現(xiàn)反射顯示。該半穿透半反射膜119既可穿透背光模塊所發(fā)出的光線，又可反射外界環(huán)境入射的光線，因此同時(shí)實(shí)現(xiàn)反射和穿透功能，因此該液晶顯示裝置100可實(shí)現(xiàn)穿透與反射顯示，在外界光較強(qiáng)或弱的環(huán)境中使用其顯示相對(duì)亮度及對(duì)比度均較高，其可通過(guò)該存儲(chǔ)電容上電極118可有效地利用外界光，因此可相應(yīng)降低背光模塊的功率，以達(dá)到節(jié)能的目的。
并且，該存儲(chǔ)電容上電極118可利用外界光實(shí)現(xiàn)反射顯示，因此減少彩色濾光片121的黑矩陣部分125的面積，僅使該黑色矩陣部分125的位置與下基板110的薄膜晶體管111的位置對(duì)應(yīng)，從而增大液晶顯示裝置100的開(kāi)口率。
請(qǐng)參閱圖3，是本實(shí)用新型液晶顯示裝置第二實(shí)施方式的示意圖。該液晶顯示裝置200與液晶顯示裝置100結(jié)構(gòu)大致相同，其與液晶顯示裝置100的區(qū)別在于像素電極212與存儲(chǔ)電容下電極213之間形成存儲(chǔ)電容，以維持像素電極212的電壓；一反射板218設(shè)置在像素電極212上，其位置及大小與存儲(chǔ)電容下電極213的位置及大小對(duì)應(yīng)。該反射板218可由高反射率導(dǎo)電材料或介電材料制成，如金屬鋁、銀、釹鋁合金、釔鋁合金或樹(shù)脂反射膜等。該像素電極212的一部分及反射板218充當(dāng)存儲(chǔ)電容上電極，其與存儲(chǔ)電容下電極213產(chǎn)生存儲(chǔ)電容，且實(shí)現(xiàn)反射顯示作用。該半穿透半反射膜219由不同折射率的兩種或兩種以上的金屬氧化物或非金屬氧化物壓著而成，為多層結(jié)構(gòu)，其同時(shí)具有反射和穿透功能。
請(qǐng)參閱圖4，是本實(shí)用新型液晶顯示裝置第三實(shí)施方式的示意圖。該液晶顯示裝置300與液晶顯示裝置100結(jié)構(gòu)大致相同，其與液晶顯示裝置100的區(qū)別在于透明像素電極312的一部分充當(dāng)存儲(chǔ)電容上電極，其與存儲(chǔ)電容下電極313之間形成存儲(chǔ)電容，以維持像素電極312的電壓；該存儲(chǔ)電容下電極313由高反射率導(dǎo)電材料制成，如金屬鋁、銀、釹鋁合金或釔鋁合金等。該半穿透半反射膜319由不同折射率的兩種或兩種以上的金屬氧化物或非金屬氧化物壓著而成，為多層結(jié)構(gòu)，其同時(shí)具有反射和穿透功能。
請(qǐng)參閱圖5，是本實(shí)用新型液晶顯示裝置第四實(shí)施方式的示意圖。該液晶顯示裝置400與液晶顯示裝置300結(jié)構(gòu)大致相同，其與液晶顯示裝置300的區(qū)別在于該存儲(chǔ)電容上電極418為透明電極，其與透明像素電極412相連接，并與存儲(chǔ)電容下電極413之間形成存儲(chǔ)電容，以維持像素電極412的電壓。該存儲(chǔ)電容下電極413由高反射率導(dǎo)電材料制成，如金屬鋁、銀、釹鋁合金或釔鋁合金等。該半穿透半反射膜419由不同折射率的兩種或兩種以上的金屬氧化物或非金屬氧化物壓著而成，為多層結(jié)構(gòu)，其同時(shí)具有反射和穿透功能。
請(qǐng)參閱圖6，是本實(shí)用新型液晶顯示裝置第五實(shí)施方式的示意圖。該液晶顯示裝置500與液晶顯示裝置100結(jié)構(gòu)大致相同，其與液晶顯示裝置100的區(qū)別在于存儲(chǔ)電容上電極518表面上設(shè)置多個(gè)突起520。該存儲(chǔ)電容上電極518由高反射率導(dǎo)電材料制成，如金屬鋁、銀、釹鋁合金或釔鋁合金等。該多個(gè)突起520的作用在于外界入射光經(jīng)存儲(chǔ)電容上電極518反射后可均勻出射。該半穿透半反射膜519由不同折射率的兩種或兩種以上的金屬氧化物或非金屬氧化物壓著而成，為多層結(jié)構(gòu)，其同時(shí)具有反射和穿透功能。
請(qǐng)參閱圖7，是本實(shí)用新型液晶顯示裝置第六實(shí)施方式的示意圖。該液晶顯示裝置600與液晶顯示裝置100結(jié)構(gòu)大致相同，其與液晶顯示裝置100的區(qū)別在于半穿透半反射膜619設(shè)置在存儲(chǔ)電容下電極613與鈍化層617之間。該半穿透半反射膜619為一介電膜，由不同折射率的兩種或兩種以上的金屬氧化物或非金屬氧化物壓著而成，為多層結(jié)構(gòu)，其同時(shí)具有反射和穿透功能。
請(qǐng)參閱圖8，是本實(shí)用新型液晶顯示裝置第七實(shí)施方式的示意圖。該液晶顯示裝置700與液晶顯示裝置100結(jié)構(gòu)大致相同，其與液晶顯示裝置100的區(qū)別在于半穿透半反射膜719設(shè)置在下基板710的外側(cè)。該半穿透半反射膜719由不同折射率的兩種或兩種以上的金屬氧化物或非金屬氧化物壓著而成，為多層結(jié)構(gòu)，其同時(shí)具有反射和穿透功能。
請(qǐng)參閱圖9，是本實(shí)用新型液晶顯示裝置第八實(shí)施方式的示意圖。該液晶顯示裝置800與液晶顯示裝置100結(jié)構(gòu)大致相同，其與液晶顯示裝置100的區(qū)別在于半穿透半反射膜819設(shè)置在柵電極絕緣層808與像素電極812之間。該半穿透半反射膜819為一介電膜，由不同折射率的兩種或兩種以上的金屬氧化物或非金屬氧化物層疊構(gòu)成，為多層結(jié)構(gòu)，其同時(shí)具有反射和穿透功能及絕緣作用。本實(shí)施方式中，該半穿透半反射膜819既充當(dāng)鈍化層的作用，同時(shí)實(shí)現(xiàn)反射和穿透功能。
請(qǐng)參閱圖10，是本實(shí)用新型液晶顯示裝置第九實(shí)施方式的示意圖。該液晶顯示裝置900與液晶顯示裝置100結(jié)構(gòu)大致相同，其與液晶顯示裝置100的區(qū)別在于半穿透半反射膜919設(shè)置在柵電極絕緣層908、存儲(chǔ)電容下電極913、柵電極914在下基板910之間。該半穿透半反射膜919為一介電膜，由不同折射率的兩種或兩種以上的金屬氧化物或非金屬氧化物層疊構(gòu)成，為多層結(jié)構(gòu)，其同時(shí)具有反射和穿透功能及絕緣作用。
本實(shí)用新型第二實(shí)施方式液晶顯示裝置中，可在被反射板218覆蓋的像素電極212上設(shè)置多個(gè)突起；第三實(shí)施方式中，亦可在存儲(chǔ)電容下電極313上設(shè)置多個(gè)突起；本實(shí)用新型第一、二、三、四、五、七實(shí)施方式中，該半穿透半反射膜亦可使用設(shè)有開(kāi)口的高反射率的金屬薄膜制成。本實(shí)用新型各實(shí)施方式中，可在上基板的外側(cè)設(shè)置一擴(kuò)散片以擴(kuò)大液晶顯示裝置的視角。
本實(shí)用新型中，穿透顯示區(qū)域與反射顯示區(qū)域的面積大小可依據(jù)不同需要調(diào)整液晶顯示裝置通常用于外界光較強(qiáng)的環(huán)境下，反射顯示區(qū)域的面積可大于穿透顯示區(qū)域的面積；液晶顯示裝置通常用于外界光較弱的環(huán)境下，穿透顯示區(qū)域的面積可大于反射顯示區(qū)域的面積；當(dāng)然，穿透顯示區(qū)域與反射顯示區(qū)域的面積亦可大小相同。
本實(shí)用新型中，由于存儲(chǔ)電容上電極、反射板或存儲(chǔ)電容下電極可將外界光反射回液晶層，因此在存儲(chǔ)電容區(qū)域中實(shí)現(xiàn)反射顯示，該半穿透半反射膜既可穿透背光模塊所發(fā)出的光線，又可反射外界環(huán)境入射的光線，因此同時(shí)實(shí)現(xiàn)反射和穿透功能，因此該液晶顯示裝置可實(shí)現(xiàn)穿透與反射顯示，在外界光較強(qiáng)或弱的環(huán)境中使用其顯示相對(duì)亮度及對(duì)比度均較高，可有效地利用外界光，相應(yīng)降低背光模塊的功率，達(dá)到節(jié)能的目的。
權(quán)利要求1.一種液晶顯示裝置，其包括第一基板、第二基板、一液晶層和一存儲(chǔ)電容電極，該第一基板和第二基板相對(duì)設(shè)置，該液晶層位于該第一基板和第二基板之間，該存儲(chǔ)電容電極設(shè)置在該第一基板上，其包括一存儲(chǔ)電容下電極及一存儲(chǔ)電容上電極，其特征在于第一基板上還設(shè)置有一半穿透半反射膜；該存儲(chǔ)電容電極為反射電極。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于該半穿透半反射膜設(shè)置于第一基板之內(nèi)側(cè)或外側(cè)。
3.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于該半穿透半反射膜為一介電膜，其由兩種或兩種以上不同折射率的金屬氧化物或非金屬氧化物組成。
4.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于該半穿透半反射膜為設(shè)有開(kāi)口的高反射率的金屬薄膜。
5.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于該存儲(chǔ)電容上電極為反射電極。
6.如權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置，其特征在于該存儲(chǔ)電容上電極包括透明電極及反射板，該反射板覆蓋該透明電極。
7.如權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置，其特征在于該存儲(chǔ)電容上電極表面設(shè)置多個(gè)突起。
8.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于該存儲(chǔ)電容下電極為反射電極。
9.如權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置，其特征在于該存儲(chǔ)電容上電極為透明電極。
10.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，其特征在于該存儲(chǔ)電容下電極表面設(shè)置多個(gè)突起。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種液晶顯示裝置，其包括第一基板、第二基板、一液晶層、一存儲(chǔ)電容電極，該第一基板和第二基板相對(duì)設(shè)置，該液晶層位于該第一基板和第二基板之間，該存儲(chǔ)電容電極設(shè)置在該第一基板上，其包括一存儲(chǔ)電容下電極及一存儲(chǔ)電容上電極，其中第一基板上還設(shè)置有一半穿透半反射膜，該存儲(chǔ)電容電極為反射電極。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK2784971SQ20042010354
公開(kāi)日2006年5月31日 申請(qǐng)日期2004年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月29日
發(fā)明者賴建廷 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 群創(chuàng)光電股份有限公司