專利名稱：液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器。
背景技術(shù)：
采用主動矩陣陣列的液晶顯示器一般包括多個由柵極線與源極線相互交叉形成的像素區(qū)域和多個設(shè)置在柵極線與源極線交叉處的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)，其中，每一像素具有一像素電極，該薄膜晶體管用于控制該像素電極的開關(guān)切換。
當一信號被加載到薄膜晶體管時，像素區(qū)域被激活，影像信號被施加到該像素電極上。為達到高質(zhì)量的顯示效果，施加在像素電極上的電壓必須保持某一常值至下一信號被接收時。然而，像素電極上用以維持電壓的電荷通常會快速泄漏，導致像素電極上的電壓過早降低，從而降低液晶顯示器的顯示效果，因此通常液晶顯示器的每一像素使用一存儲電容來保持其像素電極的電壓在預定時間內(nèi)穩(wěn)定不變。
2001年3月29日公開的中國臺灣專利第493101號公開了一種現(xiàn)有技術(shù)的存儲電容，如圖1和圖2所示。圖1是一主動矩陣基板的像素區(qū)域平面圖，圖2是圖1中沿II-II線的剖視圖。其中，該像素區(qū)域1包括多條橫向延伸的柵極線12、多條縱向延伸的數(shù)據(jù)線11以及像素電極13，每個像素區(qū)域1均由某一區(qū)域的數(shù)據(jù)線11與柵極線12相互交叉形成。
其中，柵極線12位于基板10上方，像素區(qū)域1包含多個存儲電極14，該多個存儲電極14上方依次覆蓋有絕緣層17及保護層18，該保護層18上對應存儲電極14的部分鏤空，露出對應部分的絕緣層17；像素電極13位于絕緣層17和保護層18上方。多個存儲電極14呈長條狀，依次平行排列，與絕緣層17及像素電極13共同形成一存儲電容。
在該像素區(qū)域1中，在柵極線12上設(shè)置多個長條狀存儲電極14，增加存儲電極14的總面積，可增大存儲電容的電容值，從而能夠存儲更多電荷，在較長時間內(nèi)保持像素電極的電壓不變，獲得高質(zhì)量的顯示效果。但是在柵極線11上設(shè)置多個長條狀存儲電極14會同時會增加柵極線11的負載。

發(fā)明內(nèi)容為克服現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示器在增加存儲電容的同時會增加柵極線負載的缺陷，本發(fā)明提供一種具有存儲電容而且不會增加柵極線負載的液晶顯示器。
本發(fā)明解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一種液晶顯示器，其一基板包括一絕緣基底、位于該絕緣基底上的公共線、一與該公共線相連接的公共電極、一像素電極和一位于該公共線與該像素電極之間的介電層，其中該公共線上具有多個凸塊，該多個凸塊與位于其上方的像素電極以及二者之間的介電層形成一存儲電容。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，該像素區(qū)域中，由于形成存儲電容的多個凸塊位于公共線上，該多個凸塊與像素電極以及二者之間的介電層共同形成存儲電容。但公共線通常僅提供參考電壓給公共電極，該液晶顯示器具有存儲電容，其顯示質(zhì)量得以改善，同時不會增加驅(qū)動電路的負載和功耗。

圖1是一種現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示器的像素區(qū)域平面圖。
圖2是圖1中沿II-II線的剖視圖。
圖3是本發(fā)明液晶顯示器的像素區(qū)域平面圖。
圖4是圖3中沿IV-IV線的剖視圖。
具體實施方式
本發(fā)明液晶顯示器的一像素區(qū)域如圖3和圖4所示，圖3是本發(fā)明液晶顯示顯示器的一像素區(qū)域的平面圖，圖4是圖3中沿IV-IV線的剖視圖。
請參閱圖3，該像素區(qū)域3包括一橫向延伸的柵極線32、一縱向延伸的數(shù)據(jù)線31、一位于該柵極線32與該數(shù)據(jù)線31的交叉點的薄膜晶體管35、一基本上平行于該柵極線32的公共線(CommonLine)36和像素電極33，相鄰的兩條數(shù)據(jù)線31與兩條柵極線32相互交叉形成像素區(qū)域3。
其中，該薄膜晶體管35包括柵極350、漏極351與源極352。柵極線32與柵極350電連接并向其提供控制信號，而數(shù)據(jù)線31與薄膜晶體管35的漏極351電連接并通過其提供像素信號給像素電極33，公共線36位于像素區(qū)域3內(nèi)，提供一驅(qū)動液晶層的參考電壓給與該公共線36相連接的公共電極(Common Electrode)360；該公共電極360與該像素電極33部分重疊，像素電極33與公共線36的重疊部分330用作存儲電容50的上存儲電極。其中該公共線36上設(shè)置有多個相互分離的凸塊34，該多個凸塊34作為該存儲電容50的下存儲電極，分別與重疊部分330以及二者之間的介電層(圖未示)共同構(gòu)成多個子存儲電容。該多個子存儲電容并聯(lián)構(gòu)成存儲電容50。
請一起參閱圖4，柵極350、公共電極360和公共線36均設(shè)置在一絕緣基底30上，其中柵極350與公共電極360、公共線36間隔設(shè)置，公共電極360與公共線36相連接；其上方覆蓋有柵極絕緣膜37，在柵極350與公共線36正上方依次設(shè)置有主動層39及歐姆連接層41，在具有上述組件的絕緣基底30上形成一導體層，該導體層經(jīng)蝕刻處理后，公共電極360上方的導體層被移除，從而形成薄膜晶體管35的漏極351、源極352和像素電極33。在漏極351、源極352、像素電極33和柵極絕緣膜37上方設(shè)置一鈍化膜38。其中像素電極33與漏極351電連接，像素電極33與公共線36部分重疊，像素電極33與柵極絕緣膜37以及公共線36上的多個凸塊34共同形成一存儲電容50，其中該像素電極33與公共線36重疊的部分330用作該存儲電容50的上存儲電極，柵極絕緣膜37用作該存儲電容50的介電層。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，該像素區(qū)域3中，由于形成存儲電容50的多個下存儲電極(即多個凸塊)34位于公共線36上，該多個凸塊34與像素電極33以及柵極絕緣膜37共同形成存儲電容50。但公共線36通常僅提供參考電壓給公共電極，采用該設(shè)計的液晶顯示器，具有存儲電容50，同時不增加柵極線32的負載，從而并不增加驅(qū)動電路的負載和功耗。
其中，該多個凸塊34可以是矩形凸塊，即長條狀凸塊，也可以是梯形凸塊或者三角形凸塊。在像素電極33與公共線36的重疊部分330與該多個凸塊34上還可以設(shè)置多個孔洞，利用該多個孔洞的邊緣效應進一步增大存儲電容50的電容值。
該公共線36、柵極350和公共電極360可以是單層結(jié)構(gòu)、雙層結(jié)構(gòu)或三層結(jié)構(gòu)。若該公共線36、柵極350和公共電極360為單層結(jié)構(gòu)，可采用鋁、鉻、鈮鋁合金、鉬鎢合金或鉬鈮合金等導電材料制成；若該公共線36、柵極350及公共電極360為雙層結(jié)構(gòu)，其雙層的材料可采用如下材料組合鉬/釹鋁合金或釹鋁合金/鉻；若該公共線36、柵極350及公共電極360為三層結(jié)構(gòu)，其三層的材料可采用如下材料組合鈦/鋁/鈦或鉬/鋁/鉬。另外，鋁可以取代上述鋁合金，如釹鋁合金、鈮鋁合金等。
另外，該像素電極33可采用氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)或氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide，IZO)等透明導電材料制成，用作介電層的柵極絕緣膜37可采用氮化硅、氧化硅、苯丙環(huán)丁烯(Benzocyclobutene)或壓克力(Acryl)等介電材料制成。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器，其一基板包括一絕緣基底、位于該絕緣基底上的公共線、一與該公共線相連接的公共電極、一像素電極和一位于該公共線與該像素電極之間的介電層，其特征是該公共線上具有多個凸塊，該多個凸塊與位于其上方的像素電極以及二者之間的介電層形成一存儲電容。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其特征是該凸塊是如下三種凸塊中的至少一種矩形凸塊、梯形凸塊與三角形凸塊。
3.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其特征是該凸塊上設(shè)置有多個孔洞。
4.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其特征是該凸塊上方的像素電極部分設(shè)置有多個孔洞。
5.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其特征是該公共線是單層結(jié)構(gòu)，而且其材料是如下材料組成的群組中至少一種鋁、鉻、鈮鋁合金、鉬鎢合金與鉬鈮合金。
6.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其特征是該公共線為雙層結(jié)構(gòu)，而且該雙層結(jié)構(gòu)的材料是如下材料組合之一鉬/釹鋁合金與釹鋁合金/鉻。
7.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其特征是該公共線為三層結(jié)構(gòu)，而且該三層結(jié)構(gòu)的材料是如下材料組合之一鈦/鋁/鈦與鉬/鋁/鉬。
8.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其特征是該公共電極為單層結(jié)構(gòu)，而且其材料選自如下材料組成的群組中至少一種鋁、鉻、鈮鋁合金、鉬鎢合金與鉬鈮合金。
9.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其特征是該公共電極為雙層結(jié)構(gòu)，而且該雙層結(jié)構(gòu)的材料是如下材料組合之一鉬/釹鋁合金與釹鋁合金/鉻。
10.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其特征是該公共電極為三層結(jié)構(gòu)，而且該三層結(jié)構(gòu)的材料是如下材料組合之一鈦/鋁/鈦與鉬/鋁/鉬。
11.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其特征是該介電層是選自以下材料組成的群組中的至少一種氮化硅、氧化硅、苯丙環(huán)丁烯與壓克力材料。
12.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其特征是該像素電極采用透明導電材料制成。
13.如權(quán)利要求12所述的液晶顯示器，其特征是該透明導電材料是氧化銦鋅或氧化銦錫。
14.一種液晶顯示器，其薄膜晶體管基板包括一絕緣基底，一柵極線，一基本上平行于該柵極線的公共線，一數(shù)據(jù)線，其與該柵極線及公共線相互交叉形成一像素區(qū)域；一位于柵極線與數(shù)據(jù)線交叉點的薄膜晶體管；一位于像素區(qū)域并與該公共線相連接的公共電極；一與該薄膜晶體管相連接的像素電極；一位于該公共線與該像素電極之間的介電層；其特征是該公共線上具有多個凸塊，該多個凸塊與位于其上方的像素電極以及二者之間的介電層形成一存儲電容。
15.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示器，其特征是該凸塊是以下三種凸塊中至少一種矩形凸塊、梯形凸塊與三角形凸塊。
16.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示器，其特征是該凸塊上設(shè)置有多個孔洞。
17.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示器，其特征是該凸塊上方的像素電極部分設(shè)置有多個孔洞。
18.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示器，其特征是該公共線為單層結(jié)構(gòu)，而且其材料為如下材料組成的群組中至少一種鋁、鉻、鈮鋁合金、鉬鎢合金與鉬鈮合金。
19.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示器，其特征是該公共線為雙層結(jié)構(gòu)，而且該雙層結(jié)構(gòu)的材料是如下材料組合之一鉬/釹鋁合金與釹鋁合金/鉻。
20.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示器，其特征是該公共線為三層結(jié)構(gòu)，而且該三層結(jié)構(gòu)的材料是如下材料組合之一鈦/鋁/鈦與鉬/鋁/鉬。
21.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示器，其特征是該柵極線為單層結(jié)構(gòu)，而且其材料為如下材料組成的群組中至少一種鋁、鉻、鈮鋁合金、鉬鎢合金與鉬鈮合金。
22.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示器，其特征是該柵極線為雙層結(jié)構(gòu)，而且該雙層結(jié)構(gòu)的材料是如下材料組合之一鉬/釹鋁合金與釹鋁合金/鉻。
23.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示器，其特征是該柵極線為三層結(jié)構(gòu)，而且該三層結(jié)構(gòu)的材料是如下材料組合之一鈦/鋁/鈦與鉬/鋁/鉬。
24.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示器，其特征是該公共電極為單層結(jié)構(gòu)，而且其材料為如下材料組成的群組中至少一種鋁、鉻、鈮鋁合金、鉬鎢合金與鉬鈮合金。
25.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示器，其特征是該公共電極為雙層結(jié)構(gòu)，而且該雙層結(jié)構(gòu)的材料是如下材料組合之一鉬/釹鋁合金與釹鋁合金/鉻。
26.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示器，其特征是該公共電極為三層結(jié)構(gòu)，而且該三層結(jié)構(gòu)的材料是如下材料組合之一鈦/鋁/鈦與鉬/鋁/鉬。
27.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示器，其特征是該介電層選自以下材料組成的群組中至少一種氮化硅、氧化硅、苯丙環(huán)丁烯與壓克力材料。
28.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示器，其特征是該像素電極采用透明導電材料制成。
29.如權(quán)利要求28所述的液晶顯示器，其特征是該透明導電材料是氧化銦鋅或氧化銦錫。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種液晶顯示器，其一基板包括一絕緣基底、一位于該絕緣基底上的公共線、一與該公共線相連接的公共電極、一像素電極和一位于該公共線與該像素電極之間的介電層，其中該公共線上具有多個凸塊，該多個凸塊與位于其上方的像素電極以及二者之間的介電層形成一存儲電容。在該液晶顯示器中，具有存儲電容的同時不會增加驅(qū)動電路的負載和功耗。
文檔編號G02F1/133GK1782825SQ20041007722
公開日2006年6月7日 申請日期2004年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月1日
發(fā)明者洪肇逸, 陳弘育 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 群創(chuàng)光電股份有限公司