專利名稱：熱顯影方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及熱顯影方法和裝置，其用于通過加熱光敏光熱圖像記錄材料(photosensitive photothermographic recording material)，從記錄在光敏光熱圖像記錄材料的成像層上的潛像產(chǎn)生圖像。
背景技術(shù)：
稱為例如醫(yī)學(xué)成像儀的成像裝置產(chǎn)生具有可見圖像的印刷物，該圖像來自通過醫(yī)學(xué)測量機器如CT或MRI裝置捕獲的圖像。該成像裝置使用光敏光熱圖像記錄材料(也稱為“記錄材料”)，其通過在諸如PET膠片等的載體上形成光熱圖像成像層生產(chǎn)。將該光敏光熱圖像記錄材料曝露于光束由此記錄潛像，所述光束已經(jīng)按照來自圖像數(shù)據(jù)供應(yīng)源如MRI裝置的圖像數(shù)據(jù)調(diào)節(jié)。隨后，曝光的光敏光熱圖像記錄材料進行熱顯影由此產(chǎn)生顏色和輸出復(fù)印件，所述熱顯影通過內(nèi)置的熱顯影部件進行。
圖8顯示裝備有相關(guān)技術(shù)的熱顯影裝置的成像層(參見JP-A-11-218894(圖1))。
以記錄材料A輸送方向(以下稱為“記錄材料A的輸送方向”)的順序，成像裝置1基本上包含記錄材料進料部分3，圖像曝光部分5，和熱顯影部分7。記錄材料進料部分3，從機器9取一張記錄材料A并以供應(yīng)記錄材料A于輸送方向的下游。圖像曝光部分5是將記錄材料A曝光于光束掃描以記錄圖像的部分，并且包含曝光裝置11和和輔助掃描(sub-scan)輸送裝置13。
通過一對輸送輥15和17將其上通過圖像曝光部分5記錄潛像的記錄材料A向上輸送至熱顯影部分7。熱顯影部分7是通過使用用作加熱單元的加熱轉(zhuǎn)鼓19加熱記錄材料A，由此通過熱顯影使?jié)撓窨梢姷牟糠?，并且包含環(huán)形帶21，分離爪23，和用于支撐環(huán)形帶21的支承輥25a-25d。
傳送至熱顯影部分7的記錄材料A通過加熱轉(zhuǎn)鼓19的轉(zhuǎn)動被輸送至加熱轉(zhuǎn)鼓19和環(huán)形帶21之間。在與加熱轉(zhuǎn)鼓19保持緊密接觸的同時輸送記錄材料A并進行通過加熱轉(zhuǎn)鼓19的熱量實施的熱顯影，由此通過曝光記錄的潛像變得可見。在該情形中，熱記錄材料A僅單面被加熱轉(zhuǎn)鼓19加熱。當(dāng)如此熱顯影的記錄材料A的末端已經(jīng)到達分離爪23的附近時，分離爪23與加熱轉(zhuǎn)鼓19接觸并引入加熱轉(zhuǎn)鼓19和記錄材料A之間，于是記錄材料A從加熱轉(zhuǎn)鼓19脫落并輸出到卸料盤27。
具體地，在夾在加熱轉(zhuǎn)鼓和環(huán)形帶之間和通過加熱轉(zhuǎn)鼓的熱量進行熱顯影的同時，輸送加載于熱顯影部分的記錄材料，由此記錄的潛像通過曝光變得可見。即，記錄材料通過加熱轉(zhuǎn)鼓僅從單面加熱。

發(fā)明內(nèi)容
順便提及，在其單面提供成像層的記錄材料(即，單面感光膠片)通常用于通過將記錄材料曝光于光束的記錄潛像的方法中，所述光束已經(jīng)按照來自圖像數(shù)據(jù)供應(yīng)源如MRI裝置的圖像數(shù)據(jù)調(diào)節(jié)。因此，如結(jié)合相關(guān)技術(shù)實施例所述，僅僅其上提供成像層的記錄材料的單面是加熱目標(biāo)。即使在熱顯影部分(熱顯影裝置)的情形中，其使用該類型的單面感光膠片，可能存在其中感光膠片無成像層的單面被加熱的情形(即，在感光膠片無成像層的單面提供輔助熱源)?？刂戚o助熱源的溫度是意欲以輔助的方式控制僅在感光膠片的單面提供的成像層的加熱；加熱感光膠片的兩個表面是不可避免的。
將在其雙面提供成像層的記錄材料(即，雙面感光膠片)用于將對象(subject)插入X-射線和記錄材料之間的方法，由此通過使用已經(jīng)穿過對象的X-射線將潛像記錄在記錄材料上。在攝影時將雙面感光膠片保存在盒中，而在膠片的兩個表面提供熒光增強屏(在一些情形中未提供增強屏)。當(dāng)X-射線與熒光增強屏碰撞時，誘導(dǎo)激發(fā)，由此產(chǎn)生熒光。雙面感光膠片被熒光敏化。
然而，當(dāng)將相關(guān)技術(shù)僅加熱記錄材料單面的熱顯影裝置用于膠片的兩側(cè)上都提供成像層的記錄材料時，向非熱成像層的熱傳遞產(chǎn)生滯后。顯影的這種滯后導(dǎo)致色調(diào)偏移(displacement)；即成像層的顏色銹蝕。此外，當(dāng)足夠的熱未能傳遞至非加熱成像層，顯影不充分，這樣導(dǎo)致密度變化，如密度減小。在通過加熱記錄材料無成像層的表面，以輔助方式控制僅單面提供的成像層的加熱的熱顯影裝置中，在記錄材料的各面提供的成像層都不是加熱目標(biāo)。因此，在兩個表面的顯影過程中出現(xiàn)差異。這也誘導(dǎo)色調(diào)偏移和密度變化。此外，當(dāng)將兩側(cè)都提供成像層的記錄材料進行急劇加熱時，產(chǎn)生記錄材料發(fā)生卷邊的問題。
一些熱顯影圖像形成裝置輸送光敏材料(其上已經(jīng)通過圖像曝光形成潛像)，同時將光敏材料重疊在圖像接收材料上；通過將重疊在圖像接收材料上的光敏材料進行加熱并擠壓，由此將顯影圖像轉(zhuǎn)移至圖像接收材料；并且光敏材料從圖像接收材料上脫落。該熱顯影圖像形成裝置通過將涂布在具有圖像的光敏材料上的光敏元件曝光形成潛像；將光敏材料疊加在圖像接收材料上；將疊加在圖像接收材料上的光敏材料進行加熱和擠壓，同時通過壓力將其夾在轉(zhuǎn)鼓和轉(zhuǎn)鼓傳送的環(huán)形帶之間；導(dǎo)致對應(yīng)于圖像的光敏材料部分發(fā)射可擴散色素，由此將圖像轉(zhuǎn)移在圖像接收材料上；并且將光敏材料從圖像接收材料上脫落，由此在圖像接收材料上形成彩色圖像(參見JP-A-3-23449(圖2)和JP-A-3-77945(圖1))。
如圖17所示，在該熱顯影成像裝置中提供的熱顯影轉(zhuǎn)移部分12包含一對環(huán)形帶95，95，其分別被驅(qū)動輥93，93驅(qū)動，并垂直安置彼此相對。多個加熱和擠壓輥7位于環(huán)形帶95，95之間，并且用熱顯影轉(zhuǎn)移部分91的絕熱箱99覆蓋。用作加熱單元的加熱器911被結(jié)合到每個加熱和擠壓輥97中。溫度傳感器913位于輸送通路附近，由此獲得關(guān)于加熱器911被驅(qū)動的溫度的信息。安置加熱和擠壓輥97以使彼此垂直相對的兩個輥形成一對。通過彈簧915將加熱和擠壓輥97對中的一個推動到另一加熱和擠壓輥97。在疊加在圖像接收材料919上和夾在一對環(huán)形帶95，95之間時，輸送光敏材料917(其上已經(jīng)通過圖像曝光形成潛像)。換句話說，通過一對環(huán)形帶95，95從其兩側(cè)加熱光敏材料917和圖像接收材料919。
不打算將圖17所示熱顯影裝置用于加熱在記錄材料兩面提供的成像層，所述熱顯影裝置具有通過加熱記錄材料的無成像層的一側(cè)，控制加熱僅在記錄材料單面提供的成像層的輔助功能。因此，在各面提供的加熱單元之間在接觸面積和熱導(dǎo)率方面存在差異，因此顯影效率不同。因為這些原因，記錄材料的兩個表面未能均勻加熱，由此導(dǎo)致溫度差異。這導(dǎo)致顯影進度差異，其又阻礙兩表面的均勻熱顯影。因此，存在出現(xiàn)密度差異的問題，或者光敏光熱圖像記錄材料的卷邊量變得不均勻。
鑒于這些情形已經(jīng)構(gòu)思本發(fā)明，旨在提供熱顯影方法和裝置，其能夠防止卷邊出現(xiàn)和能夠?qū)⒂涗洸牧系膬蓚?cè)進行均勻熱顯影，以及能夠防止色調(diào)偏移和密度差異的出現(xiàn)。
針對上述情形已經(jīng)構(gòu)思本發(fā)明并旨在提供熱顯影方法和裝置，其即使當(dāng)加熱光敏光熱圖像記錄材料正面和背面的加熱單元之間存在差異時能夠均勻地加熱兩個表面，由此防止記錄材料正面和背面之間的密度差異的出現(xiàn)和使卷邊的量均勻。
按照本發(fā)明的第一方面，提供熱顯影方法，其通過加熱光敏光熱圖像記錄材料，從記錄在光敏光熱圖像記錄材料的成像層上的潛像產(chǎn)生圖像，該方法包含加熱第一表面和第二表面，所述第一表面是光敏光熱圖像記錄材料的一個表面，所述第二表面是光敏光熱圖像記錄材料的另一個表面；和在等于和高于顯影反應(yīng)溫度的溫度下，當(dāng)將施加于第一表面的第一總熱量當(dāng)作100時控制施加于第二表面的第二總熱量以使使其落入100±30的范圍內(nèi)，其中第一和第二總熱量分別是從第一和第二表面施加于成像層的總熱量。
按照本發(fā)明的第二方面，提供如第一方面所述的熱顯影方法，其中在光敏光熱圖像記錄材料的輸送方向的不同位置加熱所述第一表面和第二表面。
按照本發(fā)明的第二方面，光敏光熱圖像記錄材料的第一表面和第二表面是交替加熱的，換句話說，在光敏光熱圖像記錄材料的輸送方向的不同位置加熱，由此防止光敏光熱圖像記錄材料溫度的急劇升高。另外，當(dāng)將施加于第一表面的總熱量當(dāng)作100時，將施加于第二表面的總熱量設(shè)定為落入100±30的范圍。即使當(dāng)?shù)谝缓偷诙砻姹唤惶婕訜?，兩個表面可以均勻加熱。結(jié)果，即使在其兩面都提供成像層的光敏光熱圖像記錄材料的情形中，防止了卷邊，色調(diào)偏移，和密度差異的出現(xiàn)，由此使兩面能夠均勻熱顯影。
按照本發(fā)明的第三方面，提供如第二方面所述的熱顯影方法，其中第一和第二熱總量是從溫度和時間測定的積分，所述溫度等于和高于顯影反應(yīng)溫度，所述時間是從達到顯影反應(yīng)溫度以后經(jīng)過的時間。
按照該熱顯影方法，從一定溫度和時間測定的積分測定施加于第一和第二表面并且等于和高于顯影反應(yīng)溫度的總熱量，所述溫度等于和高于顯影反應(yīng)溫度，所述時間是從達到顯影反應(yīng)溫度以后經(jīng)過的時間。通過參數(shù)即溫度和時間可以控制總熱量。促進施加于光敏光熱圖像記錄材料的兩個表面的總熱量平衡。
按照本發(fā)明的第四方面，提供如本發(fā)明第二方面所述的熱顯影方法，其中包含光敏材料的成像層在光敏光熱圖像記錄材料的雙面上形成。
按照該熱顯影方法，光敏光熱圖像記錄材料可以用于直接攝影。當(dāng)其雙面提供熒光增強屏的光敏光熱圖像記錄材料已經(jīng)攝影時，通過從熒光增強屏發(fā)射的熒光增強在第一表面一側(cè)的成像層和第二表面一側(cè)的成像層的感光靈敏度。結(jié)果，在光敏光熱圖像記錄材料的雙面成像層上形成的潛像均勻地進行熱顯影。
按照本發(fā)明的第五方面，提供如本發(fā)明第二方面所述的熱顯影方法，其中在輸送方向的上游位置加熱第一和第二表面中的一個，在輸送方向的下游位置加熱第一和第二表面中的另一個，將上游和下游位置的加熱溫度各自設(shè)定為等于或高于光敏光熱圖像記錄材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，并且上游位置的加熱溫度低于下游位置的加熱溫度。
按照該熱顯影方法，即使當(dāng)待加熱的光敏光熱圖像記錄材料的表面從第一表面轉(zhuǎn)移至第二表面時，第二表面的溫度升高至玻璃化轉(zhuǎn)變溫度或更高，與第一表面的加熱相比第二表面的加熱受抑制。結(jié)果，可以防止光敏光熱圖像記錄材料溫度的急劇升高，否則其將因為第一加熱單元的加熱而導(dǎo)致。通過第一加熱單元的加熱將光敏光熱圖像記錄材料保持為軟化狀態(tài)，由此防止卷邊的發(fā)生。
按照本發(fā)明的第六方面，提供如本發(fā)明第一方面所述的熱顯影方法，其中在光敏光熱圖像記錄材料的輸送方向在相同位置加熱第一表面和第二表面。
按照該熱顯影方法，同時加熱光敏光熱圖像記錄材料的第一和第二表面，換句話說，在光敏光熱圖像記錄材料的輸送方向的相同位置加熱。另外，當(dāng)將施加于第一表面的總熱量當(dāng)作100時，將施加于第二表面的總熱量設(shè)定落入100±30的范圍。可以在短時期內(nèi)和均勻的方式加熱光敏光熱圖像記錄材料的兩個表面。結(jié)果，即使在其雙面都提供成像層的光敏光熱圖像記錄材料的情形中，防止色調(diào)偏移和密度差異的發(fā)生以使雙面的均勻熱顯影成為可能。
按照本發(fā)明的第七方面，提供如本發(fā)明第六方面所述的熱顯影方法，其中第一和第二熱總量是從溫度和時間測定的積分，所述溫度等于和高于顯影反應(yīng)溫度，所述時間是從達到顯影反應(yīng)溫度以后經(jīng)過的時間。
按照該熱顯影方法，從一定溫度和時間測定的積分測定施加于第一和第二表面并且等于和高于顯影反應(yīng)溫度的總熱量，所述溫度等于和高于顯影反應(yīng)溫度，所述時間是從達到顯影反應(yīng)溫度以后經(jīng)過的時間。通過參數(shù)即溫度和時間可以控制總熱量。促進施加于光敏光熱圖像記錄材料的兩個表面的總熱量平衡。
按照本發(fā)明的第八方面，提供如本發(fā)明第六方面所述的熱顯影方法，其中在光敏光熱圖像記錄材料的雙面形成包含光敏材料的成像層。
該熱顯影方法允許使用由雙面感光膠片形成的光敏光熱圖像記錄材料，其中在光敏光熱圖像記錄材料的第一和第二表面雙面都提供熒光增強屏。相對于在其第一和第二表面雙面都提供熒光增強屏的光敏光熱圖像記錄材料，通過從熒光增強屏發(fā)射的熒光增強在第一表面一側(cè)形成的成像層和在第二表面一側(cè)形成的成像層的感光靈敏度。均勻地加熱光敏光熱圖像記錄材料的兩個表面，由此在第一和第二表面的各側(cè)的成像層上形成的潛像均勻地進行熱顯影。
按照本發(fā)明的第九方面，提供熱顯影方法，其通過加熱光敏光熱圖像記錄材料的兩個表面，從記錄在光敏光熱圖像記錄材料的成像層上的潛像產(chǎn)生圖像，該方法包含通過第一加熱單元加熱光敏光熱圖像記錄材料的一個表面-第一表面，和通過第二加熱單元加熱光敏光熱圖像記錄材料的另一個表面-第二表面，其中第一和第二加熱單元包含共同材料并且其中第一表面和第一加熱單元之間的接觸面積不同于第二表面和第二加熱單元之間的接觸面積，其中當(dāng)將施加于具有較小接觸面積的另一表面的第一熱量當(dāng)作100時，控制施加于第一和第二表面中具有較大接觸面積的第二總熱量以使其為80或更小的值，其中第一和第二總熱量分別是從第一和第二表面施加于成像層的總熱量，第一和第二總熱量中的每一個是從以下各項測定的積分(i)溫度，其等于和高于成像層的顯影反應(yīng)溫度，和(ii)從達到顯影反應(yīng)溫度以后經(jīng)過的時間。
按照該熱顯影方法，減小來源于具有較大接觸面積的加熱單元的熱量以變得小于來源于具有較小接觸面積的加熱單元的熱量，由此獲得相等的顯影效率。因此，兩個表面的均勻加熱成為可能，消除溫度差異。結(jié)果，即使在其雙面都提供成像層的光敏光熱圖像記錄材料的情形中，獲得成像層顯影的相同進度，由此使兩個表面能夠均勻熱顯影，防止密度差異的出現(xiàn)，和使卷邊的量均勻。
按照本發(fā)明的第十方面，提供熱顯影方法，其通過加熱光敏光熱圖像記錄材料的兩個表面，從記錄在光敏光熱圖像記錄材料的成像層上的潛像產(chǎn)生圖像，該方法包含通過第一加熱單元加熱光敏光熱圖像記錄材料的一個表面-第一表面，和通過第二加熱單元加熱光敏光熱圖像記錄材料的剩余表面-第二表面，其中第一和第二加熱單元具有不同的熱導(dǎo)率和其中第一表面和第一加熱單元之間的接觸面積與第二表面和第二加熱單元之間的接觸面積基本上相同，其中當(dāng)將施加于第一和第二加熱單元中具有較小熱導(dǎo)率的另一單元一側(cè)的另一表面的第一熱量當(dāng)作100時，控制施加于第一和第二表面中的一個表面，即第一和第二加熱單元中具有較高熱導(dǎo)率的一個單元一側(cè)的一個表面的第二總熱量以使其為80或更小的值，其中第一和第二總熱量分別是從第一和第二表面施加于成像層的總熱量，第一和第二總熱量中的每一個是從以下各項測定的積分(i)溫度，其等于和高于成像層的顯影反應(yīng)溫度，和(ii)從達到顯影反應(yīng)溫度以后經(jīng)過的時間。
按照該熱顯影方法，減小來源于具有較高熱導(dǎo)率的加熱單元的熱量以變得小于來源于具有較低熱導(dǎo)率的加熱單元的熱量，由此獲得相等的顯影效率。因此，兩個表面的均勻加熱成為可能，消除溫度差異。結(jié)果，即使在其雙面都提供成像層的光敏光熱圖像記錄材料的情形中，獲得成像層顯影的相同進度，由此使兩個表面能夠均勻熱顯影，防止密度差異的出現(xiàn)，和使卷邊的量均勻。
按照本發(fā)明的第十一方面，提供如本發(fā)明第九或第十方面闡述的熱顯影方法，其中在光敏光熱圖像記錄材料的雙面形成包含光敏材料的成像層。
該熱顯影方法能夠使用由雙面感光膠片形成的光敏光熱圖像記錄材料，其中在光敏光熱圖像記錄材料的雙面提供熒光增強屏。當(dāng)在光敏光熱圖像記錄材料其雙面提供熒光增強屏?xí)r，通過從熒光增強屏發(fā)射的熒光增強在一側(cè)形成的成像層和在另一側(cè)形成的成像層的感光靈敏度。因為光敏光熱圖像記錄材料的兩個表面已經(jīng)被均勻加熱，在第一和第二表面的成像層上形成的潛像進行均勻熱顯影。
按照本發(fā)明的第十二方面，提供熱顯影裝置，其通過加熱光敏光熱圖像記錄材料，從記錄在光敏光熱圖像記錄材料的成像層上的潛像產(chǎn)生圖像，成像層由載體兩個表面上的光敏材料組成，該熱顯影裝置包含加熱第一表面的第一加熱單元，所述第一表面是光敏光熱圖像記錄材料的一個表面；和加熱第二表面的第二加熱單元，所述第二表面是光敏光熱圖像記錄材料的另一表面，其中在等于和高于成像層顯影反應(yīng)溫度的溫度下，當(dāng)將施加于第一表面的第一總熱量當(dāng)作100時，控制施加于第二表面的第二總熱量以使其落入100±30的范圍，其中第一和第二總熱量分別是從第一和第二表面施加于成像層的總熱量，按照本發(fā)明的第十三方面，提供如本發(fā)明第十二方面闡述的熱顯影方法，其中第一和第二加熱單元交替安置橫過光敏光熱圖像記錄材料的通道，輸送通道被夾在第一和第二加熱單元之間。
按照本發(fā)明的第十三方面，首先加熱光敏光熱圖像記錄材料的第一表面，然后加熱其第二表面。將光敏光熱圖像記錄材料的兩個表面熱顯影，同時防止光敏光熱圖像記錄材料溫度的急劇升高的出現(xiàn)。參照施加于第一表面的總熱量，設(shè)定施加于第二表面的總熱量以落入預(yù)定的范圍內(nèi)。施加于光敏光熱圖像記錄材料兩個表面的總熱量變得基本上相等，由此使兩個表面能夠均勻熱顯影。
按照本發(fā)明的第十四方面，提供如本發(fā)明第十三方面闡明的熱顯影裝置，其中第一和第二總熱量中的每一個是由下列各項測定的積分溫度，其等于和高于顯影反應(yīng)溫度，和從達到顯影反應(yīng)溫度以后經(jīng)過的時間。
在該熱顯影裝置中，等于和高于顯影反應(yīng)溫度的施加于第一和第二表面的總熱量是由下列各項測定的積分測定溫度，其等于和高于顯影反應(yīng)溫度，和從達到顯影反應(yīng)溫度以后經(jīng)過的時間。通過第一和第二加熱單元的特定參數(shù)，即溫度和時間可以控制總熱量。因此，促進施加于光敏光熱圖像記錄材料的兩個表面總熱量平衡。
按照本發(fā)明的第十五方面，提供如本發(fā)明第十三方面所闡明的熱顯影裝置，其中第一和第二加熱單元之間的間隙是100mm或更小。
在該熱顯影裝置中，因為間隙設(shè)定為100mm或更小，當(dāng)將其第一表面已經(jīng)通過第一加熱單元加熱的光敏光熱圖像記錄材料被輸送至加熱第二表面的第二加熱單元時，可以防止被第一加熱單元加熱的光敏光熱圖像記錄材料溫度降低。結(jié)果，即使當(dāng)將加熱的光敏光熱圖像記錄材料的表面從前面轉(zhuǎn)至后面，加熱表面保持在預(yù)定溫度或更高，由此連續(xù)促進顯影反應(yīng)。
按照本發(fā)明的第十六方面，提供如本發(fā)明第十三方面所闡明的熱顯影裝置，其中設(shè)定下列各項中的至少一項，以使當(dāng)將施加于第一表面的第一總熱量當(dāng)作100時，施加于第二表面的第二總熱量落入100±30的范圍內(nèi)(i)第一和第二加熱單元的加熱溫度和(ii)第一及第二加熱單元和光敏光熱圖像記錄材料之間的接觸長度。
在該熱顯影裝置中，通過特定參數(shù)，即第一加熱單元的溫度，第二加熱單元的溫度，光敏光熱圖像記錄材料在第一加熱單元上的接觸長度，光敏光熱圖像記錄材料在第二加熱單元上的接觸長度，可以控制總熱量。促進施加于光敏光熱圖像記錄材料的兩個表面總熱量平衡。
按照本發(fā)明的第十七方面，提供如本發(fā)明第十三方面所闡明的熱顯影裝置，其中第一和第二加熱單元中的每一個包含板；在將光敏光熱圖像記錄材料壓在板上時旋轉(zhuǎn)的壓輥，其中將用作熱源的加熱器結(jié)合到板和壓輥中的至少一個。
在該熱顯影裝置中，例如，通過第一加熱單元將光敏光熱圖像記錄材料的第二表面壓在壓輥上以將它的第一表面壓在板上，然后將光敏光熱圖像記錄材料輸送至第二加熱單元。隨后，將第一表面壓在壓輥上以將第二表面壓在板上。由此，光敏光熱圖像記錄材料的第一和第二表面被交替加熱。結(jié)果，防止了光敏光熱圖像記錄材料溫度的急劇升高的出現(xiàn)，兩個表面都能均勻加熱。通過該配置，僅壓輥旋轉(zhuǎn)，因此活動元件數(shù)量的減少和裝置結(jié)構(gòu)的簡化成為可能。
按照本發(fā)明的第十八方面，提供如本發(fā)明第十三方面所闡明的熱顯影裝置，其中第一和第二加熱單元中的每一個包含圓筒形滾筒；和在將光敏光熱圖像記錄材料壓在滾筒的圓周面時旋轉(zhuǎn)的壓輥，其中將用作熱源的加熱器結(jié)合到圓筒形滾筒和壓輥中的至少一個。
在該熱顯影裝置中，例如，通過第一加熱單元將光敏光熱圖像記錄材料的第二表面壓在壓輥上以將它的第一表面壓在滾筒上，然后將光敏光熱圖像記錄材料輸送至第二加熱單元。隨后，將第一表面壓在壓輥上以將第二表面壓在滾筒上。由此，光敏光熱圖像記錄材料的第一和第二表面被交替加熱。結(jié)果，防止了光敏光熱圖像記錄材料溫度的急劇升高的出現(xiàn)，兩個表面都能均勻加熱。此外，在該配置中，滾筒和壓輥與光敏光熱圖像記錄材料的輸送同步旋轉(zhuǎn)，加熱單元和光敏光熱圖像記錄材料之間無摩擦產(chǎn)生，因此沒有造成對成像層的損傷。
按照本發(fā)明的第十九方面，提供如本發(fā)明第十三方面所闡明的熱顯影裝置，其中第一和第二加熱單元中的每一個包含其中已經(jīng)結(jié)合加熱器以用作熱源的支座(support)；提供以便環(huán)繞支座的環(huán)形帶；和使環(huán)形帶以下列方式旋轉(zhuǎn)的壓輥，其在將環(huán)形帶壓在支座上時旋轉(zhuǎn)。
在該熱顯影裝置中，例如，通過第一加熱單元將光敏光熱圖像記錄材料的第二表面壓在壓輥上以通過環(huán)形帶將它的第一表面壓在支座上，然后將光敏光熱圖像記錄材料輸送至第二加熱單元。隨后，將第一表面壓在壓輥上以通過環(huán)形帶將第二表面壓在支座上。由此，光敏光熱圖像記錄材料的第一和第二表面被交替加熱。結(jié)果，防止了光敏光熱圖像記錄材料溫度的急劇升高的出現(xiàn)，兩個表面都能均勻加熱。在該配置中，提供以便圍繞支座的環(huán)形帶與光敏光熱圖像記錄材料的輸送同步移動，加熱單元和光敏光熱圖像記錄材料之間無摩擦產(chǎn)生，因此沒有造成對成像層的損傷。
按照本發(fā)明的第二十方面，提供如本發(fā)明第十三方面所闡明的熱顯影裝置，其中沿著光敏光熱圖像記錄材料的輸送通道提供多組裝置，每組包括第一和第二加熱單元。
在該熱顯影裝置中，在光敏光熱圖像記錄材料的第一和第二表面已經(jīng)交替地被包含第一和第二加熱單元的第一加熱單元組加熱以后，將光敏光熱圖像記錄材料輸送至包含第一和第二加熱單元的第二加熱單元組，其中第一和第二表面再次被交替加熱。以與提供的加熱單元組相同的數(shù)量重復(fù)該交替加熱。該逐步加熱防止光敏光熱圖像記錄材料溫度急劇升高的出現(xiàn)，由此均勻地加熱兩個表面。
按照本發(fā)明的第二十一方面，提供如本發(fā)明第二十方面所闡明的熱顯影裝置，其中以橫過光敏光熱圖像記錄材料輸送通道的交錯安置模式提供第一和第二加熱單元，所述輸送通道夾在第一和第二加熱單元之間。
在該熱顯影裝置中，沿著輸送通道以交錯安置模式提供多個加熱單元組，每組包含第一和第二加熱單元。在輸送通道的一側(cè)提供的多個第一加熱單元和在輸送通道的另一側(cè)提供的多個第二加熱單元伸入相鄰加熱單元限定的空間，由此提供具有接觸角的加熱單元和形成波形輸送通道。結(jié)果，增加了光敏光熱圖像記錄材料和加熱單元之間的接觸面積，由此提高熱傳遞效率。
按照本發(fā)明的第二十二方面，提供如本發(fā)明第十二方面所闡明的熱顯影裝置，其中安置第一和第二加熱單元以使其橫過光敏光熱圖像記錄材料的輸送通道彼此相對，輸送通道夾在第一和第二加熱單元之間。
在該熱顯影裝置中，同時加熱光敏光熱圖像記錄材料的第一和第二表面。參照施加于第一表面的總熱量，設(shè)定施加于第二表面的總熱量以落入預(yù)定范圍內(nèi)。因此，施加于光敏光熱圖像記錄材料的兩個表面的總熱量變得基本上相等，由此使在短時期內(nèi)兩個表面能夠均勻熱顯影。
按照本發(fā)明的第二十三方面，提供如本發(fā)明第二十二方面所闡明的熱顯影裝置，其中第一和第二總熱量中的每一個是由下列各項測定的積分溫度，其等于和高于顯影反應(yīng)溫度，和從達到顯影反應(yīng)溫度以后經(jīng)過的時間。
在該熱顯影裝置中，從一定溫度和時間測定的積分確定施加于第一和第二表面并且等于和高于顯影反應(yīng)溫度的總熱量，所述溫度等于和高于顯影反應(yīng)溫度，所述時間是從達到顯影反應(yīng)溫度以后經(jīng)過的時間。通過第一和第二加熱單元的特定參數(shù)，即溫度和時間可以控制總熱量。因此，促進施加于光敏光熱圖像記錄材料的兩個表面的總熱量平衡。
按照本發(fā)明的第二十四方面，提供如本發(fā)明第二十二方面所闡明的熱顯影裝置，其中第一和第二加熱單元中的每一個包含圓筒形滾筒；和在將光敏光熱圖像記錄材料壓在滾筒的圓周面時旋轉(zhuǎn)的壓輥，其中將用作熱源的加熱器結(jié)合到滾筒和壓輥中。
在該熱顯影裝置中，在被夾在滾筒和壓輥之間時輸送光敏光熱圖像記錄材料，以使光敏光熱圖像記錄材料的第一和第二表面被同時加熱。由此，在短時期內(nèi)可以均勻加熱光敏光熱圖像記錄材料的兩個表面。另外，在該配置中，滾筒和壓輥與光敏光熱圖像記錄材料的輸送同步旋轉(zhuǎn)，加熱單元和光敏光熱圖像記錄材料之間沒有產(chǎn)生摩擦。
按照本發(fā)明的第二十五方面，提供如本發(fā)明第二十二方面所闡明的熱顯影裝置，其中第一和第二加熱單元中的每一個包含圓筒形滾筒；和環(huán)形帶，其在將光敏光熱圖像記錄材料壓在滾筒的圓周面時旋轉(zhuǎn)，其中用作熱源的加熱器結(jié)合于環(huán)形帶的圓周環(huán)路的內(nèi)部深處。
在該熱顯影裝置中，在被夾在滾筒和壓輥之間同時輸送光敏光熱圖像記錄材料，以使光敏光熱圖像記錄材料的第一和第二表面被同時加熱。由此，在短時期內(nèi)可以均勻加熱光敏光熱圖像記錄材料的兩個表面。另外，在該配置中，滾筒和壓輥與光敏光熱圖像記錄材料的輸送同步旋轉(zhuǎn)，加熱單元和光敏光熱圖像記錄材料之間沒有產(chǎn)生摩擦。
按照本發(fā)明的第二十六方面，提供如本發(fā)明第二十二方面所闡明的熱顯影裝置，其中第一和第二加熱單元中的每一個包含多個輥對，將其安置以便橫過光敏光熱圖像記錄材料的輸送通道彼此相對，輸送通道被夾在第一和第二加熱單元之間，其中用作熱源的加熱器結(jié)合在輥對中的每一個中。
在該熱顯影裝置中，在被夾在多個輥對之間時輸送光敏光熱圖像記錄材料，以使光敏光熱圖像記錄材料的第一和第二表面被同時加熱。由此，在短時期內(nèi)可以均勻加熱光敏光熱圖像記錄材料的兩個表面。另外，在該配置中，輥對與光敏光熱圖像記錄材料的輸送同步旋轉(zhuǎn)，加熱單元和光敏光熱圖像記錄材料之間沒有產(chǎn)生摩擦。
按照本發(fā)明的第二十七方面，提供如本發(fā)明第二十二方面所闡明的熱顯影裝置，其中第一和第二加熱單元中的每一個包含一對環(huán)形帶，將其安置以便橫過光敏光熱圖像記錄材料的輸送通道彼此相對，輸送通道被夾在第一和第二加熱單元之間，用作熱源的加熱器結(jié)合于每個環(huán)形帶的圓周環(huán)路的內(nèi)部深處。
在該熱顯影裝置中，在被夾在一對環(huán)形帶之間時輸送光敏光熱圖像記錄材料，以使光敏光熱圖像記錄材料的第一和第二表面被同時加熱。由此，在短時期內(nèi)可以均勻加熱光敏光熱圖像記錄材料的兩個表面。另外，在該配置中，該對環(huán)形帶與光敏光熱圖像記錄材料的輸送同步旋轉(zhuǎn)，加熱單元和光敏光熱圖像記錄材料之間沒有產(chǎn)生摩擦。
按照本發(fā)明的第二十八方面，提供如本發(fā)明第二十二方面所闡明的熱顯影裝置，其中第一和第二加熱單元中的每一個包含板；在將光敏光熱圖像記錄材料壓在板上時旋轉(zhuǎn)的滾筒，其中將用作熱源的加熱器結(jié)合到板和滾筒中。
在該熱顯影裝置中，在被夾在板和滾筒之間同時輸送光敏光熱圖像記錄材料，以使光敏光熱圖像記錄材料的第一和第二表面被同時加熱。由此，在短時期內(nèi)可以均勻加熱光敏光熱圖像記錄材料的兩個表面。另外，在該配置中，僅滾筒旋轉(zhuǎn)，由此使活動部分的數(shù)量減少和熱顯影裝置結(jié)構(gòu)的簡化。
按照本發(fā)明的第二十九方面，提供如本發(fā)明第二十二方面所闡明的熱顯影裝置，其中第一和第二加熱單元中的每一個包含圍繞一對轉(zhuǎn)輥的環(huán)形帶；和多個壓輥，其在將光敏光熱圖像記錄材料壓在環(huán)形帶上時旋轉(zhuǎn)，其中將用作熱源的加熱器結(jié)合到環(huán)形帶圓周環(huán)路的內(nèi)部深處，并且用作熱源的加熱器結(jié)合于每個壓輥中。
在該熱顯影裝置中，在被夾在環(huán)形帶和壓輥之間時輸送光敏光熱圖像記錄材料，以使光敏光熱圖像記錄材料的第一和第二表面被同時加熱。由此，在短時期內(nèi)可以均勻加熱光敏光熱圖像記錄材料的兩個表面。另外，在該配置中，環(huán)形帶和壓輥與光敏光熱圖像記錄材料的輸送同步旋轉(zhuǎn)，加熱單元和光敏光熱圖像記錄材料之間沒有產(chǎn)生摩擦。
按照本發(fā)明的第三十方面，提供熱顯影裝置，其通過加熱光敏光熱圖像記錄材料的兩個表面，從記錄在光敏光熱圖像記錄材料的成像層上的潛像產(chǎn)生圖像，該裝置包含第一加熱單元，其加熱光敏光熱圖像記錄材料的一個表面-第一表面；和第二加熱單元，其加熱光敏光熱圖像記錄材料的另一表面-第二表面，其中第一和第二加熱單元具有共同的材料；其中第一表面和第一加熱單元之間的接觸面積不同于第二表面和第二加熱單元之間的接觸面積；其中安置第一和第二加熱單元以使其橫過光敏光熱圖像記錄材料的輸送通道彼此相對，輸送通道被夾在第一和第二加熱單元之間；其中當(dāng)將施加于具有較小接觸面積的另一表面的第一熱量當(dāng)作100時，將施加于第一和第二表面中的具有較大接觸面積的一個表面的第二總熱量設(shè)定為80或更小的值，其中第一和第二總熱量分別是從第一和第二表面施加于成像層的總熱量，第一和第二總熱量中的每一個是從以下各項測定的積分(i)溫度，其等于和高于成像層的顯影反應(yīng)溫度，和(ii)從達到顯影反應(yīng)溫度以后經(jīng)過的時間。
按照該熱顯影裝置，減小來源于具有較大接觸面積的加熱單元的熱量以使其變得小于來源于具有較小接觸面積的加熱單元的熱量，由此獲得相等的顯影效率。因此，消除溫度差異，兩個表面的均勻加熱成為可能。結(jié)果，即使在其雙面都提供成像層的光敏光熱圖像記錄材料的情形中，獲得成像層顯影的相同進度，由此使兩個表面能夠均勻熱顯影，防止密度差異的出現(xiàn)，和使卷邊的量均勻。
按照本發(fā)明的第三十一方面，提供熱顯影裝置，其通過加熱光敏光熱圖像記錄材料的兩個表面，從記錄在光敏光熱圖像記錄材料的成像層上的潛像產(chǎn)生圖像，該裝置包含第一加熱單元，其加熱光敏光熱圖像記錄材料的一個表面-第一表面；和第二加熱單元，其加熱光敏光熱圖像記錄材料的另一表面-第二表面，其中第一和第二加熱單元具有不同的熱導(dǎo)率；其中第一表面和第一加熱單元之間的接觸面積與第二表面和第二加熱單元之間的接觸面積基本上相同；其中安置第一和第二加熱單元以使其橫過光敏光熱圖像記錄材料的輸送通道彼此相對，輸送通道被夾在第一和第二加熱單元之間；其中當(dāng)將施加于第一和第二加熱單元中具有較小熱導(dǎo)率的另一單元一側(cè)的另一表面的第一熱量當(dāng)作100時，控制施加于第一和第二表面中的一個表面，第一和第二加熱單元中具有較高熱導(dǎo)率的一個單元一側(cè)的一個表面的第二總熱量以使值為80或更小，其中第一和第二總熱量分別是從第一和第二表面施加于成像層的總熱量，第一和第二總熱量中的每一個是從以下各項測定的積分(i)溫度，其等于和高于成像層的顯影反應(yīng)溫度，和(ii)從達到顯影反應(yīng)溫度以后經(jīng)過的時間。
按照該熱顯影裝置，減小來源于具有較高熱導(dǎo)率的加熱單元的熱量以使其變得小于來源于具有較低熱導(dǎo)率的加熱單元的熱量，由此獲得相等的顯影效率。因此，兩個表面的均勻加熱成為可能，消除溫度差異。結(jié)果，即使在其雙面都提供成像層的光敏光熱圖像記錄材料的情形中，獲得成像層顯影的相同進度，由此使兩個表面能夠均勻熱顯影，防止密度差異的出現(xiàn)，和使卷邊的量均勻。
按照本發(fā)明的第三十二方面，提供如本發(fā)明第三十方面所闡明的熱顯影裝置，其中第一和第二加熱單元中的每一個包含圓筒形滾筒；和壓輥，其在將光敏光熱圖像記錄材料壓在滾筒圓周面的同時旋轉(zhuǎn)，并且其中用作熱源的加熱器結(jié)合于滾筒和壓輥中。
在該熱顯影裝置中，在被夾在滾筒和壓輥之間同時輸送光敏光熱圖像記錄材料，抑制來源于滾筒的熱量以使其變得小于來源于壓輥的熱量，由此獲得相同的顯影效率。因此，兩個表面的均勻加熱成為可能，消除溫度差異。通過該配置，滾筒和壓輥與光敏光熱圖像記錄材料的輸送同步旋轉(zhuǎn)，因此加熱單元和光敏光熱圖像記錄材料之間沒有產(chǎn)生摩擦。
按照本發(fā)明的第三十三方面，提供如本發(fā)明第三十方面所闡明的熱顯影裝置，其中第一和第二加熱單元中的每一個包含板；滾筒，其在將光敏光熱圖像記錄材料壓在板上的同時旋轉(zhuǎn)，并且其中用作熱源的加熱器結(jié)合于板和滾筒中。
在該熱顯影裝置中，在被夾在滾筒和壓輥之間同時輸送光敏光熱圖像記錄材料，抑制來源于滾筒的熱量以使其變得小于來源于壓輥的熱量，由此獲得相同的顯影效率。因此，兩個表面的均勻加熱成為可能，消除溫度差異。通過該配置，僅壓輥旋轉(zhuǎn)，因此活動組件的數(shù)量可以減少，由此簡化熱顯影裝置的結(jié)構(gòu)。
按照本發(fā)明的第三十四方面，提供如本發(fā)明第三十方面所闡明的熱顯影裝置，其中第一和第二加熱單元中的每一個包含圍繞一對轉(zhuǎn)輥的環(huán)形帶；多個壓輥，其在將光敏光熱圖像記錄材料壓在環(huán)形帶上的同時旋轉(zhuǎn)，并且其中用作熱源的加熱器結(jié)合于環(huán)形帶圓周環(huán)路的內(nèi)部深處，并且用作熱源的加熱器結(jié)合于每個壓輥中。
在該熱顯影裝置中，在被夾在滾筒和壓輥之間同時輸送光敏光熱圖像記錄材料，抑制來源于滾筒的熱量以使其變得小于來源于壓輥的熱量，由此獲得相同的顯影效率。因此，兩個表面的均勻加熱成為可能，消除溫度差異。通過該配置，滾筒和壓輥與光敏光熱圖像記錄材料的輸送同步旋轉(zhuǎn)，因此加熱單元和光敏光熱圖像記錄材料之間沒有產(chǎn)生摩擦。
按照本發(fā)明的第三十五方面，提供如本發(fā)明第三十一方面所闡明的熱顯影裝置，其中第一和第二加熱單元中的每一個包含多個輥對，將其安置以橫過光敏光熱圖像記錄材料的輸送通道彼此相對，輸送通道夾在第一和第二加熱單元之間，其中用作熱源的加熱器結(jié)合于每個輥對中。
在該熱顯影裝置中，在被夾在多個輥對之間同時輸送光敏光熱圖像記錄材料，所述多個輥對沿著光敏光熱圖像記錄材料輸送通道(以下稱為“光敏光熱圖像記錄材料的輸送通道”)安置。抑制來源于具有較高熱導(dǎo)率的輥的熱量以使其變得小于來源于具有較低熱導(dǎo)率的其它輥的熱量，由此獲得相同的顯影效率。因此，兩個表面的均勻加熱成為可能，消除溫度差異。通過該配置，輥對與光敏光熱圖像記錄材料的輸送同步旋轉(zhuǎn)，因此加熱單元和光敏光熱圖像記錄材料之間沒有產(chǎn)生摩擦。
按照本發(fā)明的第三十六方面，提供如本發(fā)明第三十一方面所闡明的熱顯影裝置，其中第一和第二加熱單元中的每一個包含一對環(huán)形帶，將其安置以橫過光敏光熱圖像記錄材料的輸送通道彼此相對，輸送通道夾在第一和第二加熱單元之間；其中將用作熱源的加熱器結(jié)合到每個環(huán)形帶圓周環(huán)路的內(nèi)部深處。
在該熱顯影裝置中，在被夾在沿著光敏光熱圖像記錄材料的輸送通道安置的一對環(huán)形帶之間同時輸送光敏光熱圖像記錄材料。抑制來源于具有較高熱導(dǎo)率的環(huán)形帶的熱量以使其變得小于來源于具有較低熱導(dǎo)率的剩余環(huán)形帶的熱量，由此獲得相同的顯影效率。因此，兩個表面的均勻加熱成為可能，消除溫度差異。通過該配置，該對環(huán)形帶與光敏光熱圖像記錄材料的輸送同步旋轉(zhuǎn)，因此加熱單元和光敏光熱圖像記錄材料之間沒有產(chǎn)生摩擦。


圖1是顯示按照本發(fā)明的熱顯影裝置的實施方案1-1的方框圖；圖2是光敏光熱圖像記錄材料的截面圖；圖3是描述性的圖，其顯示通過第一和第二加熱單元交替加熱的記錄材料前面和后面的溫度和時間之間的相關(guān)；圖4是控制裝置的方框圖；圖5是第二個實施方案的方框圖，其顯示具有滾筒和壓輥的熱顯影裝置的主截面；圖6是方框圖，其顯示具有支座，環(huán)形帶，和壓輥的熱顯影裝置的主截面；圖7是方框圖，其顯示具有多個加熱單元組的熱顯影裝置的主截面，每組包含第一和第二加熱單元；圖8是顯示按照本發(fā)明的熱顯影裝置的實施方案2-1的方框圖；圖9是描述性的圖，其顯示通過第一和第二加熱單元同時加熱的記錄材料前面和后面的溫度和時間之間的相關(guān)；圖10是實施方案2-2的方框圖，其顯示具有滾筒和環(huán)形帶的熱顯影裝置的主截面；圖11是其上固定橡膠加熱器的環(huán)形帶的透視圖；圖12是實施方案2-3的方框圖，其顯示具有多個輥對的熱顯影裝置的主截面；圖13是實施方案2-4的方框圖，其顯示具有多個環(huán)形帶的熱顯影裝置的主截面；圖14是實施方案2-5的方框圖，其顯示具有多個環(huán)形帶的熱顯影裝置的主截面；圖15是實施方案2-6的方框圖，其顯示具有環(huán)形帶和壓輥的熱顯影裝置的主截面；圖16是裝備有相關(guān)技術(shù)熱顯影裝置的成像裝置的方框圖；和圖17是顯示相關(guān)技術(shù)熱顯影裝置的主截面的方框圖。
發(fā)明詳述通過參考附圖將詳述按照本發(fā)明熱顯影方法和裝置的優(yōu)選實施方案。
(實施方案1-1)圖1是顯示按照本發(fā)明的熱顯影裝置的實施方案1-1的方框圖；圖2是光敏光熱圖像記錄材料的截面圖；圖3是描述性的圖，其顯示通過第一和第二加熱單元交替加熱的記錄材料前面和后面的溫度和時間之間的相關(guān)；圖4是控制裝置的方框圖；本實施方案的熱顯影裝置100加熱光敏光熱圖像記錄材料(記錄材料)A，由此使記錄在成像層上的潛像明顯。熱顯影裝置100使用的記錄材料A具有如圖2所示的支座31。分別在支座31的一個表面-第一表面33a和它另一個表面-第二表面33b上提供由光敏材料制成的成像層35，35。
熱顯影裝置100可以將記錄材料A用于直接攝影，其中在記錄材料A的第一表面33a和第二表面33b上提供未表示的熒光增強屏。經(jīng)曝光于X-射線以后熒光增強屏發(fā)射熒光。在第一和第二表面33a，33b提供的成像層35，35依靠從熒光增強屏發(fā)射的熒光，由小劑量的X-射線敏化。將詳述該記錄材料A。
通常將在其上提供的成像層35上具有潛像的記錄材料A裝載在盒37中，一次一張。將盒37本身提供給熱顯影裝置100。打開提供給熱顯影裝置100的盒37的開/合蓋39，通過使用吸盤41的取出裝置一次一張從盒中取出保存的記錄材料A。
在熱顯影裝置100中可以具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中將未表示的用于集中保存多張記錄材料A的暗盒裝載到熱顯影裝置中，所述記錄材料A其上形成潛像。在該情形中，在暗室等中從盒37中取出其上形成潛像的記錄材料A并疊加和封裝在暗盒(magazine)中。通過通過吸盤41一次一張從暗盒中取出疊加和保存在暗盒中的記錄材料A。備選地，可以使用撿拾輥代替吸盤41。
通過輸送輥對43和傳遞導(dǎo)向器45將如此獲取的記錄材料A輸送至位于輸送方向下游的熱顯影部分47。在輸送輥對43和熱顯影部分47之間還可以提供寬度調(diào)整部分以將取出的記錄材料A與輸送方向的正交方向?qū)R，并且將記錄材料A與下游熱顯影部分47對齊。
在熱顯影部分47中，將用于加熱記錄材料A的第一表面33a的第一加熱單元49a和記錄材料A的第二表面33b的第二加熱單元49b與通道C交替安置，通過通道C輸送被夾在其中的記錄材料A。在實施方案中，第一加熱單元49a和第二加熱單元49b中的每一個是由板51，和多個壓輥53組成，該壓輥將記錄材料壓在板51上并旋轉(zhuǎn)?；疽笫怯米鳠嵩吹募訜崞骺梢越Y(jié)合到板51或壓輥53中。
在本發(fā)明中，用作熱源的加熱器結(jié)合到板51中。因此，在第一加熱單元49a中，將板51相對記錄材料A的第一表面33a安置。在第二加熱器49b中，將板51相對記錄材料A的第二表面33b安置。結(jié)果，記錄材料A的第一和第二表面33a，33b被交替加熱。此處使用的表達“交替加熱”包括其中在加熱第一表面33a以后加熱第二表面33b和然后加熱操作完成的情形；即，其中記錄材料A的前面和后面順序被分別加熱一次的情形。
板51具有圓弧曲面形狀，在板51的內(nèi)表面提供壓輥53。記錄材料A被輸送至由板51和壓輥53之間的間隙形成的輸送通道C中。在通過壓輥53壓在板51上的同時，輸送記錄材料A并通過板51的加熱進行熱顯影。
對板51的熱源未施加限制。例如，可以使用已知的使用加熱元件的加熱單元，如鎳鉻合金線等，使用鹵素?zé)舻鹊募訜釂卧屯ㄟ^使用熱鼓風(fēng)進行加熱的加熱單元。
可以將金屬輥，耐熱樹脂輥，耐熱橡膠輥等用作壓輥53。優(yōu)選將多個壓輥安置在板51的整個區(qū)域。
在熱顯影部分47中，在第一加熱單元49a中通過壓輥53擠壓記錄材料A的第二表面33b。在將第一表面33a壓在板51上以后，將記錄材料A輸送給第二加熱單元49b。接下來，將第一表面33a壓在壓輥53上，將第二表面33b壓在板51上。將記錄材料A的第一表面33a和第二表面33b交替加熱。結(jié)果，防止記錄材料A的急劇升高的出現(xiàn)，記錄材料A的兩個表面可以均勻地加熱。在該構(gòu)型中，僅壓輥53旋轉(zhuǎn)，因此活動組件的數(shù)量減少和裝置結(jié)構(gòu)的簡化成為可能。
然而，熱顯影部分47設(shè)定從第一和第二表面33a，33b施加于成像層35，并且等于和高于顯影反應(yīng)溫度的各自總熱量，以使當(dāng)將施加于第一表面33a的總熱量當(dāng)作100時，施加于第二表面33b的總熱量落入100±30的范圍。
設(shè)定第一和第二加熱單元49a，49b的溫度以使其變得等于或高于記錄材料A的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。設(shè)定安置在記錄材料A的輸送方向上游的加熱單元(第二加熱單元49a)的溫度以使其變得小于位于輸送方向下游的加熱單元(第一加熱單元49b)的溫度。
作為從一定溫度和時間測定的積分可以測定總熱量，所述溫度等于和高于顯影反應(yīng)溫度，所述時間是從達到顯影反應(yīng)溫度以后經(jīng)過的時間。具體地，在圖3所示圖中，作為夾在顯示顯影反應(yīng)溫度T的線段To和顯示第一表面33a溫度變化的曲線K1之間的面積S1，獲得施加于第一表面33a的總熱量。作為夾在顯示顯影反應(yīng)溫度T的線段To和顯示第二表面33b溫度變化的曲線K2之間的面積S2，如上所述，作為從溫度和時間測定的積分值，測定施加于第一和第二表面33a，33b的總熱量(S1，S2)。因此，通過特定參數(shù)即第一加熱單元49a加熱的溫度和時間和第二加熱單元49b加熱的溫度和時間可以控制總熱量。促進施加于光敏光熱圖像記錄材料兩個表面的總熱量平衡。
在將第一加熱單元49a的加熱溫度，第二加熱單元49b的加熱溫度，在第一加熱單元49a的光敏光熱圖像記錄材料的接觸長度L1，在第二加熱單元49b的光敏光熱圖像記錄材料的接觸長度L2當(dāng)作參數(shù)時，假定將施加于第一表面的總熱量當(dāng)作100，可以設(shè)定總熱量以使施加于第二表面的總熱量落入100±30的范圍。即使在該情形中，通過特定參數(shù)即溫度和接觸長度L1，L2可以控制總熱量。促進施加于光敏光熱圖像記錄材料兩個表面的總熱量平衡。
通過前述配置，即使當(dāng)加熱的目標(biāo)表面是第一表面33a時，將記錄材料A保持在玻璃化轉(zhuǎn)變溫度或更高。即使當(dāng)加熱的目標(biāo)表面已經(jīng)從第一表面33a轉(zhuǎn)至第二表面33b時，將記錄材料A保持在玻璃化轉(zhuǎn)變溫度或更高。結(jié)果，防止卷邊的出現(xiàn)，其否則將因為壓輥53擠壓記錄材料A而導(dǎo)致。另外，因為第一加熱單元49a的加熱溫度被設(shè)定為變得低于第一加熱單元49b的加熱溫度，可以防止在加熱操作初始階段出現(xiàn)施加于第一表面33a的熱急劇增加。結(jié)果，也防止了卷邊的出現(xiàn)，其否則將因為記錄材料A的急劇熱膨脹而導(dǎo)致。
在熱顯影部分47中，將第一加熱單元49a和第二加熱單元49b之間的間隙δ設(shè)定為100mm或更小。因此，當(dāng)將其表面33a已經(jīng)被第一加熱單元49a加熱的記錄材料A傳遞到加熱第二表面33b的第二加熱單元49b時，間隙δ采取100mm或更小的值，由此最小化通過第一加熱單元49a加熱的記錄材料A溫度的降低。因此，即使當(dāng)加熱的表面從正面轉(zhuǎn)至背面，記錄材料A保持在預(yù)定溫度或更高，如圖3所示。連續(xù)促進顯影反應(yīng)而無任何延遲。
將已經(jīng)完成經(jīng)歷熱顯影部分47實施的顯影的記錄材料A供應(yīng)給如圖1所示位于輸送方向下游的緩冷部分61。緩冷部分61由多個冷卻輥對63組成并且具有逐漸冷卻記錄材料A的功能。通過出料輥對65和67，將已經(jīng)通過緩冷部分61逐漸冷卻的記錄材料A輸送至輸送方向的下游。
熱顯影裝置100具有第一加熱單元49a，第二加熱單元49b，和用于控制記錄材料A的輸送速度的控制部分71。如圖4所示，控制部分71通過第一溫度設(shè)定部分73控制第一加熱單元49a和通過第二溫度設(shè)定部分75控制第二加熱單元49b。此外，控制部分71通過輸送速度設(shè)定部分77控制輸送驅(qū)動部分79，如輸送電動機?？刂撇糠?1通過設(shè)定作為參數(shù)的溫度和輸送速度進行控制操作，以使施加于第一和第二表面33a，33b的總熱量落入預(yù)定范圍內(nèi)。
因此，按照熱顯影裝置100，首先加熱記錄材料A的第一表面33a，然后加熱第二表面33b，由此將記錄材料A的兩個表面熱顯影，同時防止記錄材料A溫度急劇增加的出現(xiàn)。此外，因為參照施加于第一表面33a的總熱量，將施加于第二表面33b的總熱量設(shè)定為在預(yù)定范圍內(nèi)，施加于記錄材料A的兩個表面的總熱量變得基本上相等。結(jié)果，還可以防止出現(xiàn)卷邊，其否則將由于記錄材料A的急劇熱膨脹而導(dǎo)致，兩個表面均勻進行熱顯影。
根據(jù)使用熱顯影裝置100的熱顯影方法，記錄材料A的第一表面33a和第二表面33b被交替加熱。設(shè)定從第一和第二表面33a，33b施加于成像層35并且等于和高于顯影反應(yīng)溫度的各自總熱量，以使當(dāng)將施加于第一表面33a的總熱量當(dāng)作100時施加于第二表面33b的總熱量屬于100±30的范圍。記錄材料A的兩個表面被均勻加熱和顯影。另外，第一和第二表面33a，33b被交替加熱，防止溫度急劇增加的出現(xiàn)，由此使兩個表面能夠均勻加熱。結(jié)果，即使在其兩個表面提供成像層35的記錄材料A的情形中，也可以防止卷邊的出現(xiàn)，其否則將由于記錄材料A的急劇熱膨脹而導(dǎo)致，兩個表面可以均勻地進行熱顯影。因此，可以將記錄材料A裝載到熱顯影裝置中并且可以進行記錄材料A的顯影而不擔(dān)心記錄材料A的正面和背面的定向。
現(xiàn)在將描述按照本發(fā)明的熱顯影裝置的其它實施方案。
在下列實施方案中，僅顯示熱顯影裝置的主截面(即熱顯影部分)。在任何熱顯影部分中，記錄材料的第一和第二表面33a，33b被第一和第二加熱單元交替加熱。另外，當(dāng)將施加于第一表面33a的總熱量當(dāng)作100時，施加于第二表面33b的總熱量落入100±30的范圍。
(實施方案1-2)圖5是實施方案1-2的方框圖，其顯示具有滾筒和壓輥的熱顯影裝置的主截面；在熱顯影裝置200中，第一和第二加熱單元81a，81b中的每一個具有被旋轉(zhuǎn)驅(qū)動的圓筒形滾筒83，和多個用于將記錄材料A壓在滾筒83的圓周面上的壓輥。用作熱源的加熱器被結(jié)合到滾筒83或壓輥85中。在本發(fā)明實施方案中，用作熱源的加熱器結(jié)合于滾筒83中。
將第一和第二加熱單元81a，81b彼此接近安置。第一加熱單元81a的滾筒83和第二加熱單元81b的滾筒83以相反方向旋轉(zhuǎn)。因此，第一加熱單元81a和第二加熱單元81b構(gòu)成S-形的輸送通道C。即使在本發(fā)明實施方案的熱顯影裝置200中，在記錄材料A的第一表面33b被第一加熱單元81a加熱以后，它的第二表面33b被第二加熱單元81b加熱。
滾筒83和壓輥85夾住和輸送被輸送至第一加熱單元81的記錄材料A。輸送記錄材料A，同時第一表面33a保持與滾筒83緊密接觸，通過滾筒83的熱來熱顯影，由此使曝光的潛像可見。接下來，將其第一表面33a已經(jīng)被加熱的記錄材料A輸送至第二加熱單元81b。類似地，滾筒83和壓輥85夾住和輸送記錄材料A。輸送記錄材料A，同時第二表面33b保持與滾筒83緊密接觸，通過滾筒83的熱來熱顯影。
在熱顯影裝置200中，在第一加熱單元81a中將記錄材料A的第一表面33a壓在滾筒83上以后，通過第二加熱單元81b將第二表面33b壓在滾筒83上。記錄材料A的第一和第二表面33a，33b被交替加熱。結(jié)果，防止出現(xiàn)記錄材料A溫度的急劇增加，兩個表面可以均勻地加熱。在該配置中，滾筒83和壓輥85與記錄材料A的輸送同步移動，在加熱單元和記錄材料A之間沒有產(chǎn)生摩擦，因此沒有對成像層造成損傷。
(實施方案1-3)現(xiàn)在將描述按照本發(fā)明的熱顯影裝置的實施方案1-3。
圖6是方框圖，其顯示具有支座，環(huán)形帶，和壓輥的熱顯影裝置的主截面；在熱顯影裝置300中，第一加熱單元91a和第二加熱單元91b中的每一個具有其中已經(jīng)結(jié)合用作熱源的加熱器H的管形支座93，提供以便圍繞支座93的環(huán)形帶95，和壓輥97，其通過將環(huán)形帶95壓在支座93上使環(huán)形帶95隨動和旋轉(zhuǎn)。除了由具有足夠熱傳導(dǎo)的材料如樹脂形成以外，環(huán)形帶95也可以由橡膠加熱器等形成。只要調(diào)整各個加熱單元的熱量以使記錄材料A的兩個表面均勻加熱，不要求等量提供第一加熱單元91a和第二加熱單元91b。
按照熱顯影裝置300，例如，在附圖左邊提供的第一加熱單元91a中，將記錄材料A的第二表面33b壓在壓輥97上，通過環(huán)形帶95將第一表面33a壓在支座93上。隨后，將記錄材料A輸送至第二加熱單元91b。接下來，將第一表面33a壓在壓輥97上，通過環(huán)形帶95將第二表面33b壓在支座93上。記錄材料的第一和第二表面33a，33b被交替加熱。結(jié)果，記錄材料A的兩個表面可以均勻加熱。通過使用多個加熱單元，通過逐步加熱記錄材料A也可以防止溫度急劇增加的出現(xiàn)。在該配置中，將提供以便圍繞支座93的環(huán)形帶95與記錄材料A的輸送同步，加熱單元和記錄材料A之間沒有產(chǎn)生摩擦，因此對成像層沒有造成損傷。
(實施方案1-4)現(xiàn)在將描述本發(fā)明熱顯影裝置的實施方案1-4。
圖7是方框圖，其顯示具有多個加熱單元組的熱顯影裝置的主截面，每組包含第一和第二加熱單元。
熱顯影裝置400具有沿著記錄材料A的輸送通道C安置的多個加熱單元組，其中每組包含由熱輥101組成的第一加熱單元101a，和由類似的熱輥101組成的第二加熱單元101b。熱輥101包含圓筒形加熱元件103和熱源105，如鹵素加熱器，用于從其內(nèi)部加熱加熱元件103。
特別地，在本發(fā)明實施方案中，以交錯模式安置第一和第二加熱單元101a，101b，記錄材料A的輸送通道C插入其間。
因此，按照熱顯影裝置400，記錄材料A的第一和第二表面33a，33b被包含第一加熱單元101a和第二加熱單元101b的第一組交錯加熱。隨后，當(dāng)記錄材料A被輸送到包含第二加熱單元101a和第二加熱單元101b的第二組時，第一和第二表面33a，33b再次被交替加熱。以對應(yīng)于加熱單元組數(shù)量的數(shù)量重復(fù)交替加熱。結(jié)果，防止記錄材料A溫度急劇升高的出現(xiàn)，可以均勻地加熱兩個表面。因此，逐漸的溫度增加成為可能，記錄材料兩個表面的均勻加熱成為可能。
在熱顯影裝置400中，將多個加熱單元組沿著輸送通道C安置，其中每個加熱單元組包含第一加熱單元101a和第二加熱單元101b。因此，安置在輸送通道C的一側(cè)的多個第一加熱單元101a和安置在輸送通道C的另一側(cè)的多個第二加熱單元101b交替伸入相鄰加熱單元之間限定的間隙，由此給各個加熱單元提供接觸角。因此，輸送通道C成為波形，由此記錄材料A和加熱單元之間的接觸面積增加，向記錄材料A傳遞熱的效率提高。
在第二個實施方案中，通過后附它或?qū)?yīng)的數(shù)字參考號以解釋本實施方案，可以省略在第一個實施方案中已經(jīng)解釋的關(guān)于構(gòu)件等的解釋。
(實施方案2-1)圖8是顯示按照本發(fā)明熱顯影裝置的實施方案2-1的方框圖；圖9是描述性的圖，其顯示通過第一和第二加熱單元同時加熱的記錄材料前面和后面的溫度和時間之間的相關(guān)。
如在第一個實施方案中，本實施方案的熱顯影裝置500加熱光敏光熱圖像記錄材料(記錄材料)A，如圖8所示由此從記錄在成像層上的潛像形成圖像。
在本實施方案中，通過輸送輥對43和傳遞導(dǎo)向器45將記錄材料A輸送至位于輸送方向下游的熱顯影部分147。在輸送輥對43和熱顯影部分147之間也可以提供寬度調(diào)整部分，以便將取出的記錄材料A對齊與輸送方向正交的方向，由此進一步將記錄材料A對齊下游熱顯影部分147。
在熱顯影部分147中，安置用于加熱記錄材料A的第一表面33a的第一加熱單元149a和用于加熱記錄材料A的第二表面33b的第二加熱單元149b以使彼此相對，輸送記錄材料A的通道C夾在其中。在該實施方案中，第一加熱單元149a由圓筒形滾筒151組成。第二加熱單元149b由多個壓輥153組成，這些壓輥在將記錄材料A壓在滾筒151的圓周面上的同時旋轉(zhuǎn)。用作熱源的加熱器H結(jié)合于滾筒151和壓輥153中的每一個。
在本實施方案中，安置其中結(jié)合加熱器H的滾筒151和每個之中已經(jīng)結(jié)合加熱器H的壓輥153，以使彼此相對，輸送通道C插入其中。結(jié)果，記錄材料A的第一和第二表面33a，33b被同時加熱。更具體地，將記錄材料A輸送至由滾筒151和壓輥153之間存在的間隙形成的輸送通道C；在夾在滾筒151和壓輥153之間的同時輸送；并通過滾筒151和壓輥153的熱來熱顯影。
對用作滾筒151熱源的加熱器H沒有施加具體限制。例如，可以使用已知的使用加熱元件的加熱單元，如鎳鉻合金線等；使用鹵素?zé)舻鹊募訜釂卧?；和通過使用熱鼓風(fēng)進行加熱的加熱單元。
可以將金屬輥，樹脂輥，橡膠輥等用作壓輥153。優(yōu)選將壓輥安置在滾筒151其軸向的整個區(qū)域。此外，對用作壓輥153熱源的加熱器H沒有施加具體限制，可以使用已知的使用加熱元件的加熱單元，如鎳鉻合金線等。
在熱顯影部分147中，當(dāng)已經(jīng)將記錄材料A輸送至輸送通道C，通過壓輥153擠壓第一表面33a，因此將第二表面33b也壓在滾筒151上，記錄材料A的第一表面33a和第二表面33b被同時加熱。結(jié)果，記錄材料A的兩個表面能夠在短時期內(nèi)均勻加熱。此外，滾筒151和壓輥153與輸送速度同步旋轉(zhuǎn)。因此，在加熱單元和記錄材料A之間沒有產(chǎn)生相對位置位移，記錄材料A中沒有產(chǎn)生摩擦。
順便提及，熱顯影部分147設(shè)定從第一和第二表面33a，33b施加于成像層35并且等于顯影反應(yīng)溫度和更高的各個總熱量，以使當(dāng)將施加于第一表面33a的總熱量當(dāng)作100時，施加于第二表面33b的總熱量落入100±30的范圍。
作為從溫度和時間測定的積分可以測定總熱量，所述溫度等于顯影反應(yīng)溫度和更高，所述時間是從達到顯影反應(yīng)溫度以后經(jīng)過的時間。具體地，參照圖9A所示圖，作為夾在顯示顯影反應(yīng)溫度T的線段To和顯示第一表面33a溫度變化的曲線K1之間的面積S1，獲得施加于第一表面33a的總熱量。參照圖9B所示圖，作為夾在顯示顯影反應(yīng)溫度T的線段To和顯示第二表面33b溫度變化的曲線K2之間的面積S2。如上所述，作為從溫度和時間測定的積分值，測定施加于第一和第二表面33a，33b的總熱量S1，S2。因此，通過特定參數(shù)即第一加熱單元149a要求的溫度和時間和第二加熱單元149b要求的溫度和時間可以控制總熱量。促進施加于光敏光熱圖像記錄材料A的各個表面的總熱量平衡。
將已經(jīng)完成經(jīng)歷熱顯影部分147實施的顯影的記錄材料A供應(yīng)給位于輸送方向下游的緩冷部分61。緩冷部分61由多個冷卻輥對63組成并且具有逐漸冷卻加熱和顯影的記錄材料A的功能。因此，將緩冷部分61設(shè)定為高于未加熱構(gòu)件溫度但低于熱顯影溫度的溫度。通過出料輥對65和67，將已經(jīng)通過緩冷部分61逐漸冷卻的記錄材料A輸送至輸送方向的下游并輸出到盤69。
熱顯影裝置100具有第一加熱單元149a，第二加熱單元149b，和用于控制記錄材料A的輸送速度的控制部分71。如圖4所示，控制部分71通過第一溫度設(shè)定部分73控制第一加熱單元149a和通過第二溫度設(shè)定部分75控制第二加熱單元149b。此外，控制部分71通過輸送速度設(shè)定部分77控制輸送驅(qū)動部分79，如輸送電動機?？刂撇糠?1通過設(shè)定作為參數(shù)的溫度和輸送速度進行控制操作，以使施加于第一和第二表面33a，33b的總熱量落入預(yù)定范圍內(nèi)。
因此，在熱顯影裝置500中，記錄材料A的第一表面33a和第二表面33b被同時加熱。此外，因為根據(jù)施加于第一表面33a的總熱量將施加于第二表面33b的總熱量設(shè)定為在預(yù)定范圍內(nèi)，施加于光敏光熱圖像記錄材料的各個表面的總熱量變得基本上相等。結(jié)果，記錄材料的兩個表面可以在短時期內(nèi)均勻地?zé)犸@影。
根據(jù)使用熱顯影裝置500的熱顯影方法，記錄材料A的第一表面33a和第二表面33b被同時加熱。設(shè)定從第一和第二表面33a，33b施加于成像層35并且等于顯影反應(yīng)溫度和更高的各自總熱量，以使當(dāng)將施加于第一表面33a的總熱量當(dāng)作100時施加于第二表面33b的總熱量落入100±30的范圍。記錄材料A的第一和第二表面33a，33b被同時加熱。另外，第一和第二表面33a，33b之間的溫度差異達到恒定水平或更小，因此記錄材料的兩個表面可以在短時期內(nèi)均勻加熱。
結(jié)果，即使在其兩個表面提供成像層35的記錄材料A的情形中，防止色調(diào)偏移或密度差異的出現(xiàn)，兩個表面的均勻熱顯影成為可能。因此，可以進行記錄材料A的顯影而不擔(dān)心記錄材料A的正面和背面的定向。
現(xiàn)在將描述本發(fā)明熱顯影裝置的其它實施方案。
在下列實施方案中，僅顯示熱顯影裝置的主截面(即熱顯影部分)。配置任何熱顯影部分以使記錄材料的第一和第二表面33a，33b被第一和第二加熱單元同時加熱，和使得當(dāng)將施加于第一表面33a的總熱量當(dāng)作100時，施加于第二表面33b的總熱量落入100±30的范圍。
(實施方案2-2)圖10是實施方案2-2的方框圖，其顯示具有滾筒和環(huán)形帶的熱顯影裝置的主截面，圖11是其上固定橡膠加熱器的環(huán)形帶的透視圖。
在熱顯影裝置600中，第一加熱單元249a由圓筒形滾筒251組成。第二加熱單元249b由環(huán)形帶81組成，該環(huán)形帶當(dāng)將記錄材料A壓在滾筒251的圓周面上時旋轉(zhuǎn)。用作熱源的加熱器H結(jié)合于環(huán)形帶81圓周環(huán)路的內(nèi)部深處。作為第二加熱單元249b的熱源，除了在環(huán)形帶81圓周環(huán)路的內(nèi)部深處提供的加熱器H以外，如例如圖11所示，可以將橡膠加熱器83固定在環(huán)形帶81上。支承輥85a，85b，和85c可以配置為熱輥。
支承環(huán)形帶81并在支承輥85a，85b，和85c之間拉伸并擠壓以使環(huán)形帶圍繞滾筒251。環(huán)形帶81旋轉(zhuǎn)同步于或以使?jié)L筒51隨動，由此以夾擠的方式與滾筒251一起輸送記錄材料A。
在熱顯影裝置600中，在夾在滾筒251和環(huán)形帶81之間的同時輸送記錄材料A，由此記錄材料A的第一表面33a和第二表面33b被同時加熱。結(jié)果，記錄材料A的兩個表面可以在短時期內(nèi)均勻加熱。此外，通過該構(gòu)型，滾筒251和環(huán)形帶81與記錄材料A的輸送同步旋轉(zhuǎn)，由此防止加熱單元和記錄材料A之間發(fā)生摩擦。
(實施方案2-3)現(xiàn)在將描述按照本發(fā)明的熱顯影裝置的實施方案2-3。
圖12是實施方案2-3的方框圖，其顯示具有多個輥對的熱顯影裝置的主截面。
在熱顯影裝置700中，第一加熱單元349a由輸送通道C的一側(cè)的多個輥191a組成，第二加熱單元349b由輸送通道C的另一側(cè)的多個輥191b組成。沿著記錄材料A的輸送方向提供多個輥對191a，191b，安置其以使彼此相對，輸送C通道插入其間。用作熱源的加熱器H結(jié)合到輥對191a，191b中的每一個。
在熱顯影裝置700中，在夾在沿著輸送通道C安置的多個輥對191a，191b之間同時輸送記錄材料A，由此記錄材料A的第一和第二表面33a，33b被同時加熱。由此，記錄材料A的兩個表面可以在短時期內(nèi)均勻加熱。通過該配置，輥對191a，191b與記錄材料A的輸送同步旋轉(zhuǎn)，由此防止加熱單元和記錄材料A之間產(chǎn)生摩擦。
(實施方案2-4)現(xiàn)在將描述按照本發(fā)明的熱顯影裝置的實施方案2-4。
圖13是實施方案2-4的方框圖，其顯示具有多個環(huán)形帶的熱顯影裝置的主截面；在熱顯影裝置800中，第一加熱單元449a由一對環(huán)形帶101a組成，第二加熱單元449b由一對環(huán)形帶101b組成，其中安置環(huán)形帶101a和101b以使彼此相對，記錄材料A的輸送通道C插入其間。
將用作熱源的加熱器H布置在每個環(huán)形帶101a，101b的圓周環(huán)路的內(nèi)部深處。除了在各自圓周環(huán)路內(nèi)部深處結(jié)合加熱器H的環(huán)形帶101a，101b以外，轉(zhuǎn)輥103也可以結(jié)合加熱器H。
在該熱顯影裝置800中，在夾在該對環(huán)形帶101a，101b之間同時輸送記錄材料A，由此記錄材料A的第一和第二表面33a，33b被同時加熱。由此，記錄材料A的兩個表面可以在短時期內(nèi)均勻加熱。此外，通過該配置，該對環(huán)形帶101a，101b與記錄材料A的輸送同步旋轉(zhuǎn)，由此防止加熱單元和記錄材料A之間產(chǎn)生摩擦。
(實施方案2-5)現(xiàn)在將描述按照本發(fā)明的熱顯影裝置的實施方案2-5。
圖14是實施方案2-5的方框圖，其顯示具有多個環(huán)形帶的熱顯影裝置的主截面；在熱顯影裝置900中，第一加熱單元549a由旋轉(zhuǎn)滾筒251組成，第二加熱單元549b由板111組成，該板通過滾筒251壓在記錄材料A上。將用作熱源的加熱器H結(jié)合到滾筒251和板111中。
板111具有圓弧曲面形狀，在板111的內(nèi)表面提供滾筒251。記錄材料A被輸送至由板111和滾筒251之間的間隔形成的輸送通道C中。在被壓在板111上和保持與它滑動接觸同時輸送記錄材料A，并通過從板111和滾筒251傳遞的熱來熱顯影。
輸送記錄材料A以使記錄材料的末端壓在板111上。因此，可以防止記錄材料A起皺的出現(xiàn)，這是優(yōu)選的。對曲板111的曲率半徑未施加具體限制，基本要求是按照記錄材料A的大小和熱顯影時間適當(dāng)?shù)卦O(shè)定曲率半徑。此外，板111不必為完美的圓弧，如果需要可以稍微變形。
在熱顯影裝置900中，在夾在板111和滾筒251之間的同時輸送記錄材料A，記錄材料A的第一和第二表面33a，33b被同時加熱。結(jié)果，記錄材料A的兩個表面可以在短時期內(nèi)均勻加熱。此外，在該配置中，僅滾筒251旋轉(zhuǎn)，因此活動部件的數(shù)量減少和熱顯影裝置結(jié)構(gòu)的簡化成為可能。
(實施方案2-6)現(xiàn)在將描述本發(fā)明的熱顯影裝置的實施方案2-6。
圖15是實施方案2-6的方框圖，其顯示具有環(huán)形帶和壓輥的熱顯影裝置的主截面；在熱顯影裝置910中，第一加熱單元649a由圍繞一對轉(zhuǎn)輥120，120的環(huán)形帶121組成。第二加熱單元649b由多個壓輥123組成，這些壓輥在將記錄材料A壓在環(huán)形帶121的同時旋轉(zhuǎn)。將用作熱源的加熱器H結(jié)合在環(huán)形帶121的圓周環(huán)路的內(nèi)部深處。此外，用作熱源的加熱器H也結(jié)合于壓輥121中。
除了包含結(jié)合于圓周環(huán)路內(nèi)部深處的加熱器H的環(huán)形帶121以外，轉(zhuǎn)輥120，120也可以結(jié)合加熱器H。除了結(jié)合加熱器H的壓輥123以外，可以使結(jié)合加熱器H的輔助輥125隨動一對相鄰的壓輥123，123。在該情形中，壓輥123可以賦予空載結(jié)構(gòu)和使隨動與驅(qū)動源連接的輔助輥125。通過該結(jié)構(gòu)，可以用少量驅(qū)動源驅(qū)動結(jié)合熱源的多個壓輥123，由此簡化熱顯影裝置的結(jié)構(gòu)。
在該熱顯影裝置910中，在夾在環(huán)形帶121和多個壓輥123之間同時輸送記錄材料A，由此記錄材料A的第一和第二表面33a，33b被同時加熱。通過該配置，環(huán)形帶121和壓輥123與記錄材料A的輸送同步旋轉(zhuǎn)，由此防止加熱單元和記錄材料A之間產(chǎn)生摩擦。
在第三個實施方案中，通過后附它或?qū)?yīng)的數(shù)字參考號以解釋本實施方案，可以省略在第一個或第二個實施方案中已經(jīng)解釋的關(guān)于構(gòu)件等的解釋。
(實施方案3-1)如在第二個實施方案中，本實施方案的熱顯影裝置920加熱光敏光熱圖像記錄材料(記錄材料)A，如圖8所示由此從記錄在成像層上的潛像形成圖像。
在本實施方案中，熱顯影部分147加熱記錄材料A具有不同接觸面積的第一和第二表面33a，33b。具體地，滾筒的接觸是涉及大接觸面積的表面接觸。與此對比，壓輥153上的接觸是涉及小接觸面積的線接觸。施加于第一和第二表面33a，33b的熱量是作為來源于溫度和時間的積分值測定的，所述溫度等于光敏光熱圖像記錄材料的顯影反應(yīng)溫度和更高，所述時間是自從達到顯影反應(yīng)溫度或更高以后經(jīng)過的時間。當(dāng)將施加于具有較小接觸面積的表面(即第二表面33b)的熱量假定當(dāng)作值100時，施加于具有較大接觸面積的表面(即第一表面33a)的熱量落入80或更小的值的范圍內(nèi)。在該情形中，滾筒151和壓輥153由相同材料形成。
參照圖9A所示圖，作為夾在顯示顯影反應(yīng)溫度T的線段To和顯示第一表面33a溫度變化的曲線K1之間的面積S1，獲得來源于第一表面33a的溫度和時間的積分值。參照圖9B所示圖，作為夾在顯示顯影反應(yīng)溫度T的線段To和顯示第二表面33b溫度變化的曲線K2之間的面積S2，獲得來源于第二表面33b的溫度和時間的積分值。設(shè)定施加于第一和第二表面33a，33b的S1，S2的量，以使表達式0.8Ss≥S2成立。如上所述，作為各自來源于溫度和時間的積分值，測定施加于第一和第二表面33a，33b的總熱量S1，S2。因此，通過特定參數(shù)即第一加熱單元149a所需的溫度和時間和第二加熱單元149b所需的溫度和時間可以控制總熱量。促進施加于光敏光熱圖像記錄材料A的各個表面的總熱量平衡。
在熱顯影裝置920中，減小來源于具有大量熱傳導(dǎo)的滾筒151的熱量以使其變得小于來源于具有少量熱傳導(dǎo)的壓輥153的熱量，由此獲得相等的顯影效率。因此，兩個表面的均勻加熱成為可能，消除溫度差異。結(jié)果，即使在其雙面都提供成像層35，35的光敏光熱圖像記錄材料的情形中，兩個表面的顯影進度變得相同，由此使兩個表面能夠均勻熱顯影，防止密度差異的出現(xiàn)，和使卷邊的量均勻。
按照使用熱顯影裝置920的熱顯影方法，當(dāng)通過具有不同接觸面積和由相同材料形成的各自第一和第二加熱單元149a，149b加熱記錄材料A的第一和第二表面33a，33b時，作為積分值之間的比率測定施加于第一和第二表面33a，33b的熱量，所述積分值來源于等于光敏光熱圖像記錄材料的顯影反應(yīng)溫度或更高的溫度和自從達到顯影反應(yīng)溫度或更高以后經(jīng)過的時間，以使當(dāng)將施加于具有較小接觸面積的表面(即第二表面33b)的熱量取值當(dāng)作100時，施加于具有較大接觸面積(即第一表面33a)的表面的熱量取值為80或更小。減小來源于具有大量熱傳導(dǎo)的滾筒151的熱量以使其變得小于來源于具有少量熱傳導(dǎo)的壓輥153的熱量，由此獲得相等的顯影效率。因此，兩個表面的均勻加熱成為可能，消除溫度差異。結(jié)果，即使在其雙面都提供成像層35，35的光敏光熱圖像記錄材料的情形中，兩個表面的顯影進度變得相同，由此使兩個表面能夠均勻熱顯影，防止密度差異的出現(xiàn)，和使卷邊的量均勻。
現(xiàn)在將描述本發(fā)明熱顯影裝置的其它實施方案。
以下提供的各個實施方案僅顯示熱顯影裝置的主截面圖(即熱顯影截面)。
(實施方案3-2)圖14是實施方案3-2的方框圖，其顯示具有板和滾筒的熱顯影裝置的主截面。
如圖14所示，在該熱顯影裝置930中，第一加熱單元549a由旋轉(zhuǎn)滾筒251組成。第二加熱單元549b由板111組成，通過滾筒251將記錄材料壓在板上。將用作熱源的加熱器H結(jié)合到滾筒251和板111中。
板111具有圓弧曲面形狀，滾筒251位于板111的內(nèi)表面。將記錄材料A輸送至板111和滾筒251之間的間隔形成的輸送通道C中。在被壓在板111上和保持與它滑動接觸的同時輸送記錄材料A，并通過從板111和滾筒251傳遞的熱來熱顯影。
輸送記錄材料A以使記錄材料的末端壓在板111上。因此，可以防止記錄材料A起皺的出現(xiàn)，這是優(yōu)選的。對曲板111的曲率半徑未施加具體限制，基本要求是按照記錄材料A的大小和熱顯影時間適當(dāng)?shù)卦O(shè)定曲率半徑。此外，板111不必為完美的圓弧，如果需要可以稍微變形。
作為積分值之間的比率測定施加于記錄材料A的第一和第二表面33a，33b的熱量，所述積分值來源于等于光敏光熱圖像記錄材料的顯影反應(yīng)溫度或更高的溫度和自從達到顯影反應(yīng)溫度或更高以后經(jīng)過的時間，以使當(dāng)將施加于具有較小接觸面積的表面(即第二表面33b)的熱量取值當(dāng)作100時，施加于具有較大接觸面積(即第一表面33a)的表面的熱量取值為80或更小。
在熱顯影裝置930中，在夾在板111和滾筒251之間的同時輸送記錄材料A，減小來源于滾筒251的熱量以使其變得小于來源于板111的熱量，由此獲得相等的顯影效率。因此，兩個表面的均勻加熱成為可能，消除溫度差異。通過該配置，僅滾筒251旋轉(zhuǎn)，因此活動部件的數(shù)量減少，由此簡化熱顯影裝置結(jié)構(gòu)。
(實施方案3-3)現(xiàn)在將描述本發(fā)明熱顯影裝置的實施方案3-3。
圖15是實施方案3-3的方框圖，其顯示具有環(huán)形帶和壓輥的熱顯影裝置的主截面。
在熱顯影裝置940中，第一加熱單元649a由圍繞一對轉(zhuǎn)輥120，120的環(huán)形帶121組成。第二加熱單元649b由多個壓輥123組成，這些壓輥在將記錄材料A壓在環(huán)形帶121的同時旋轉(zhuǎn)。用作熱源的加熱器H結(jié)合于環(huán)形帶121的圓周環(huán)路的內(nèi)部深處。此外，用作熱源的加熱器H也結(jié)合于壓輥123中。
除了包含結(jié)合于環(huán)形帶121的圓周環(huán)路的內(nèi)部深處的加熱器H的環(huán)形帶121以外，轉(zhuǎn)輥120，120也可以結(jié)合加熱器H。除了結(jié)合加熱器H的壓輥123以外，可以與結(jié)合加熱器H的輔助輥123一起操作一對相鄰的壓輥123，123。在該情形中，壓輥123可以賦予空載結(jié)構(gòu)和使隨動與驅(qū)動源連接的輔助輥125。通過該結(jié)構(gòu)，可以用少量驅(qū)動源驅(qū)動結(jié)合熱源的多個壓輥123，由此簡化熱顯影裝置的結(jié)構(gòu)。
環(huán)形帶121與記錄材料A的第一表面33a接觸，壓輥123與第二表面33b接觸。施加于記錄材料A的第一和第二表面33a，33b的熱量設(shè)定為積分值之間的比率，所述積分值來源于等于光敏光熱圖像記錄材料的顯影反應(yīng)溫度或更高的溫度和自從達到顯影反應(yīng)溫度或更高以后經(jīng)過的時間，以使當(dāng)將施加于具有較小接觸面積的表面(即第二表面33b)的熱量取值當(dāng)作100時，施加于具有較大接觸面積(即第一表面33a)的表面的熱量取值為80或更小。
在熱顯影裝置300中，在夾在環(huán)形帶121和壓輥123之間的同時輸送記錄材料A，減小來源于環(huán)形帶121的熱量以使其變得小于來源于壓輥123的熱量，由此獲得相等的顯影效率。因此，兩個表面的均勻加熱成為可能，消除溫度差異。通過該配置，環(huán)形帶121和壓輥123與記錄材料A的輸送同步旋轉(zhuǎn)，因此在加熱單元和記錄材料A之間不產(chǎn)生摩擦。
(實施方案3-4)現(xiàn)在將描述本發(fā)明熱顯影裝置的實施方案3-4。
圖12是實施方案3-4的方框圖，其顯示具有多個輥對的熱顯影裝置的主截面。
在熱顯影裝置950中，第一加熱單元349a是由相對于輸送通道C的一側(cè)安置的多個輥191a組成，第二個加熱單元349b是由安置在輸送通道C的另一側(cè)的多個輥191b組成。具體地，將多個輥對-安置其而使輸送通道C插入其間并且每個由輥191a，191b組成-安置在記錄材料A的輸送方向。每個由輥191a，191b組成的輥對結(jié)合作為熱源的加熱器H。
因此，形成與記錄材料A的第一表面33a接觸的輥191a外圓周面的構(gòu)件由金屬形成。形成與記錄材料A的第一表面33b接觸的輥191b外圓周面的構(gòu)件由橡膠形成。具體地，第一和第二加熱單元349a，349b具有不同的熱導(dǎo)率。例如，金屬采用熱導(dǎo)率(W·m-1·K-1)；具體地，銅取約400的熱導(dǎo)率；鋁取約236的熱導(dǎo)率；銅取約48的熱導(dǎo)率。橡膠取約1.3-4.2的熱導(dǎo)率。
作為積分值的比率設(shè)定通過每個由輥191a，191b組成的輥對給予第一和第二表面33a，33b的熱量，所述積分值來源于等于光敏光熱圖像記錄材料的顯影反應(yīng)溫度或更高的溫度和自從達到顯影反應(yīng)溫度或更高以后經(jīng)過的時間，以使當(dāng)將施加于具有較小接觸面積的表面(即第二表面33b)的熱量取值當(dāng)作100時，施加于具有較大接觸面積(即第一表面33a)的表面的熱量取值為80或更小。
在熱顯影裝置950中，在夾在沿著記錄材料的輸送通道C安置的多個輥對191a，191b之間的同時輸送記錄材料A。減小來源于具有較大熱導(dǎo)率的輥191a的熱量以使其變得小于來源于具有較小熱導(dǎo)率的輥191b的熱量，由此獲得相等的顯影效率。因此，兩個表面的均勻加熱成為可能，消除溫度差異。通過該配置，每個由輥191a，191b組成的輥對與記錄材料A的輸送同步旋轉(zhuǎn)，因此在加熱單元和記錄材料A之間不產(chǎn)生摩擦。
(實施方案3-5)現(xiàn)在將描述本發(fā)明熱顯影裝置的實施方案3-5。
圖13是第五個實施方案的方框圖，其顯示具有多個環(huán)形帶的熱顯影裝置的主截面。
在熱顯影裝置960中，第一加熱單元449a由一對環(huán)形帶101a，101b組成，該對環(huán)形帶彼此相對安置而輸送通道C插入其間。具體地，用作熱源的加熱器H結(jié)合在環(huán)形帶101a，101b圓周環(huán)路的內(nèi)部深處。除了結(jié)合位于內(nèi)部深處的加熱器H的環(huán)形帶101a，101b以外，轉(zhuǎn)輥103也可以結(jié)合加熱器H。
這里，接觸記錄材料A的第一表面33a的環(huán)形帶101a由金屬形成，接觸第二表面33b的環(huán)形帶101b由橡膠形成。特別是，第一和第二加熱單元449a，449b具有不同熱導(dǎo)率。
將來源于環(huán)形帶101a，101b的熱量設(shè)定作為積分值之間的比率，所述積分值來源于給予第一和第二表面33a，33b的溫度和給予熱期間的時間，以使當(dāng)將施加于具有較小接觸面積的表面(即第二表面33b)的熱量取值當(dāng)作100時，施加于具有較大接觸面積(即第一表面33a)的表面的熱量取值為80或更小。
在熱顯影裝置960中，在夾在沿著記錄材料的輸送通道C安置的該對環(huán)形帶之間的同時輸送記錄材料A。減小來源于具有較大熱導(dǎo)率的環(huán)形帶101a的熱量以使其變得小于來源于具有較小熱導(dǎo)率的環(huán)形帶101b的熱量，由此獲得相等的顯影效率。因此，兩個表面的均勻加熱成為可能，消除溫度差異。通過該配置，該環(huán)形帶101a，101b與記錄材料A的輸送同步旋轉(zhuǎn)，因此在加熱單元和記錄材料A之間不產(chǎn)生摩擦。
以下將詳述在本發(fā)明熱顯影記錄裝置的第一個至第三個實施方案中任何一個使用的光熱圖像材料。
用于本發(fā)明實施方案的攝影光敏材料不是其中通過激光束等掃描寫圖像信息的材料，而是其中通過在焦平面曝光記錄圖像的材料。
通常，該膠片已經(jīng)常規(guī)用于濕系統(tǒng)光敏材料領(lǐng)域，已知的實例包括醫(yī)用膠片，直接或間接X-光膠片和乳房X線攝影膠片等；各種印刷板膠片；工業(yè)記錄膠片；或普通攝影膠片。具體實例包括雙面涂層(coating)類型的X-線裝置使用的光熱圖像材料，其使用藍色熒光增強屏(例如參見日本專利出版物3229344)，使用片狀碘化銀晶粒的光熱圖像材料(例如參見JP-A-59-142539)，或醫(yī)用光敏材料，其中載體的兩面都涂布具有高含量氯化銀的片狀晶粒，其具有(100)主平面(例如JP-A-10-282606)。另外，用于雙面涂層的光熱圖像材料的材料也在其它專利文獻中公開(例如，參見JP-A-2000-227642，JP-A-2001-22027，JP-A-2001-109101，JP-A-2002-90941)。盡管按照這些已知實例使用0.1μm或更小的鹵化銀細粒的材料未顯示惡化的模糊度，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)該材料不足以實際使用，因為靈敏度低。同時，鑒于由于剩余鹵化銀導(dǎo)致的模糊度和印出中的惡化導(dǎo)致圖像質(zhì)量的嚴(yán)重惡化，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)使用0.3μm或更大的鹵化銀細粒的材料不足以實際使用。
使用片狀碘化銀晶粒作為鹵化銀晶粒的光敏材料在濕顯影領(lǐng)域已知(例如參見JP-A-59-119344和JP-A-59-119350)，然而，沒有將它應(yīng)用于光熱圖像材料的先例。這原因是該材料如上所述具有低靈敏度，并且缺乏有效的敏化方法。另一個原因是在將該材料應(yīng)用于熱顯影中存在更有挑戰(zhàn)性的技術(shù)障礙。
為了適于用作該攝影光敏材料，要求光熱圖像材料具有進一步增強的敏感性，鑒于在獲得的圖像中的模糊度等要求具有更高水平的圖像質(zhì)量。
下面是滿足上述要求的熱顯影光敏材料的有效組分。
1.熱顯影光敏材料本實施方案的光熱圖像材料在載體的至少一面具有成像層，光敏鹵化銀，非光敏有機銀鹽，還原劑，和粘合劑。優(yōu)選地，光熱圖像還可以具有在成像層或背層上提供的表面保護層或在成像層反面提供的背面保護層。
下面將詳述這些層的結(jié)構(gòu)和優(yōu)選成分。
(顯著減少由于光敏鹵化銀導(dǎo)致的可見光吸收的化合物)在該實施方案中，優(yōu)選加入與熱顯影之前相比顯示顯著減少熱顯影后的可見光吸收的化合物。由于光敏鹵化銀，碘化銀絡(luò)合物形成劑被特別優(yōu)選用作在熱顯影后顯著減少的可見光吸收的化合物。
(碘化銀-絡(luò)合物-形成劑)按照本實施方案的碘化銀-絡(luò)合物-形成劑可以有助于路易斯酸堿反應(yīng)，在該反應(yīng)中化合物的氮原子和硫原子中至少一個將它們的電子供給作為配體原子的銀離子(電子供體路易斯堿)。絡(luò)合物的穩(wěn)定性可以通過逐級穩(wěn)定常數(shù)或總穩(wěn)定常數(shù)定義；然而，定義取決于銀離子，碘離子，及其銀絡(luò)合物形成劑的結(jié)合。通常，通過以下方法可以獲得高穩(wěn)定常數(shù)在分子中形成螯合環(huán)，由此獲得螯合效應(yīng)；和提高配體的酸堿離解常數(shù)。
本實施方案中碘化銀-絡(luò)合物-形成劑的作用機理還未闡明；然而，可以推測通過形成穩(wěn)定絡(luò)合物增溶碘化銀，所述絡(luò)合物包含包括碘離子的至少三個組分。用于本實施方案的碘化銀-絡(luò)合物-形成劑顯示差的增溶溴化銀或氯化銀的能力，盡管它特異性地作用于碘化銀。
用于本實施方案的碘化銀-絡(luò)合物-形成劑改善圖像保存穩(wěn)定性的機理細節(jié)還未闡明。然而，可以推測在熱顯影期間至少一部分光敏鹵化銀和用于本實施方案的碘化銀-絡(luò)合物-形成劑反應(yīng)，形成絡(luò)合物，由此減少或消除光敏性，并且又改善光照射條件下的保存穩(wěn)定性。除了上面以外，碘化銀-絡(luò)合物-形成劑的區(qū)別性特征在于可以獲得清楚和高質(zhì)量的圖像，因為也減少了膠片上由鹵化銀導(dǎo)致的模糊。通過在光譜吸收譜中測量紫外-可見光吸收可以檢查膠片上的模糊度。
在該實施方案中，通過透射法或反射法可以測量光敏鹵化銀的紫外-可見光吸收光譜。在其中由于光熱圖像材料中其它添加化合物導(dǎo)致的吸收與光敏鹵化銀的吸收重疊的情形中，可能的對策包括使用不同光譜，通過使用溶劑及其組合去除另一種化合物。這些對策允許觀察光敏鹵化銀的紫外-可見光吸收光譜。
用于本實施方案的銀-碘化銀-絡(luò)合物-形成劑不同于常規(guī)的銀-離子-絡(luò)合物-形成劑，因為碘化物離子對于形成穩(wěn)定的絡(luò)合物是不可缺少的。常規(guī)銀-離子-絡(luò)合物-形成劑作用在包含銀離子的鹽上并增溶它們。該鹽的實例包括有機絡(luò)合物鹽如溴化銀，氯化銀，和山崳酸銀。與此對比，用于本實施方案的銀-碘化銀-絡(luò)合物-形成劑其特征在于它僅在碘化銀的存在下作用。
用于本實施方案的銀-碘化銀-絡(luò)合物-形成劑的具體化合物包括在以下各項中詳述的那些日本專利申請?zhí)?002-367661，日本專利申請?zhí)?002-367662，和日本專利申請?zhí)?002-367663。另外，在這些專利申請中所述的化合物的具體實例也可以作為本實施方案化合物的具體實例參考。
在本實施方案中，為了改善圖像的保存穩(wěn)定性，特別是在很大程度上改善在光輻射下的保存穩(wěn)定性，光敏鹵化銀在熱顯影后的紫外-可見光吸收光譜的強度優(yōu)選為熱顯影之前的80％或更小，更優(yōu)選40％或更小，特別優(yōu)選20％或更小，最優(yōu)選10％或更小。
用于本實施方案的銀-碘化銀-絡(luò)合物-形成劑可以摻入涂漬溶液中和由此以任何形式如溶液，乳化分散體，或固體細粒分散體于光敏材料中。公知的乳化分散方法的實例包括通過使用油或輔助溶劑進行溶解和用機械形成乳化分散體的方法，所述油如鄰苯二甲酸二丁酯，磷酸三甲苯酯，甘油三乙酸酯，或鄰苯二甲酸二乙酯，所述輔助溶劑如乙酸乙酯或環(huán)己酮。
(光敏鹵化銀的描述)1)鹵素組合物用于本實施方案的光敏鹵化銀必須具有40-100mol％的高碘化銀含量。對其它組分未施加具體限制，這些組合可以選自鹵化銀如氯化銀和溴化銀；和有機銀鹽如硫氰酸銀和磷酸銀；然而，特別優(yōu)選氯化銀和溴化銀。具有該高碘化銀含量的鹵化銀的使用使能夠設(shè)計優(yōu)選的光熱圖像材料，其在顯影后顯示極好的保存穩(wěn)定性；特別是，模糊度相當(dāng)小的增加，其否則將由于曝光導(dǎo)致。
此外，從對處理后用光輻射的圖像的保存穩(wěn)定性的觀點來看，光敏鹵化銀的碘化銀含量優(yōu)選為70-100mol％，更優(yōu)選80-100mol％，特別優(yōu)選90-100mol％。
鹵素組合物在晶粒內(nèi)的分布可以是均勻的，或者可以逐步或連續(xù)改變鹵素組合物。另外，優(yōu)選使用具有核/殼結(jié)構(gòu)的鹵化銀晶粒。優(yōu)選結(jié)構(gòu)是雙重至五重結(jié)構(gòu)，更優(yōu)選具有雙重至四重結(jié)構(gòu)的核/殼晶粒。還優(yōu)選富含碘化銀的核結(jié)構(gòu)，其在核部分具有高含量的碘化銀，或富含碘化銀的殼結(jié)構(gòu)，其在殼部分具有高含量的碘化銀。優(yōu)選使用將溴化銀或碘化銀定位于晶粒表面作為外延部分的技術(shù)。
對本實施方案碘化物絡(luò)合物的β相對γ相的比率沒有施加具體限制。術(shù)語“β-相”是指富含碘化銀的結(jié)構(gòu)，其具有六角纖鋅礦結(jié)構(gòu)，“γ-相”是指富含碘化銀的結(jié)構(gòu)，其具有立方摻鋅(zinc-blend)結(jié)構(gòu)。術(shù)語“γ-相含量比率”在此是指通過C.R.Berry建議的方法測定的比率。該方法用于測定γ-相含量比率，其基于獲自X-射線粉末衍射的碘化銀的β-相(100)，(101)，(002)與γ-相(111)的峰比率。關(guān)于該方法的細節(jié)，參考例如Physical Review，Volume 161，No.3，P.848-851(1967)。
2)粒度對于用于本實施方案的富含銀-碘化物的鹵化銀，可以選擇大小足夠大以獲得高光敏性的晶粒。在本實施方案中，鹵化銀的平均等效球直徑優(yōu)選為0.3-5.0μm，更優(yōu)選0.5-3.0μm。術(shù)語“等效球直徑(sphere-equivalentdiameter)”在此是指與一個鹵化銀晶粒具有相同體積的球的直徑?？梢匀缦芦@得等效球直徑從在電子顯微鏡下觀察的投影面積和厚度計算晶粒體積；然后，將體積轉(zhuǎn)換為具有相同體積的球。
3)涂布的量通常，不管增強敏感性的要求，已經(jīng)將即使在熱顯影后鹵化銀剩余的光熱圖像材料的涂布量限制為少量。該限制的原因如下當(dāng)鹵化銀的涂布量增加時，膠片的透明度降低，這對于圖像是不希望的。然而，在本實施方案中，因為熱顯影可以減少由于鹵化銀導(dǎo)致的膠片模糊，可以增加鹵化銀的涂布量。在本實施方案中每摩爾非光敏有機銀鹽的涂布量優(yōu)選為0.5-100mol％，更優(yōu)選5-50mol％。
4)晶粒形成的方法形成光敏鹵化銀的方法在本領(lǐng)域公知，例如，可以使用在ResearchDisclosure，No.17029(1978年6月)和美國專利號3,700,458中描述的方法。特別地，使用通過加入提供銀化合物和提供鹵素化合物的明膠或其它聚合物溶液，并將鹵化銀與有機銀鹽混合制備光敏鹵化銀的方法。另外，還優(yōu)選在JP-A-11-119374，JP-A-11-352627，和JP-A-2000-347335的段落號0217-0224中描述的方法。
相對于形成片狀鹵化銀晶粒的方法，優(yōu)選使用在JP-A-59-119350和JP-A-59-119344中描述的方法。
5)晶粒形狀優(yōu)選用于本發(fā)明的鹵化銀晶粒采取片狀。更具體地，在側(cè)面的結(jié)構(gòu)方面，片狀晶粒包括片狀-八面體晶粒，片狀-十四面體晶粒，和片狀-二十面體晶粒。在這些之中，優(yōu)選片狀-八面體晶粒和片狀-十四面體晶粒。術(shù)語“片狀-八面體晶粒”在此是指具有{0001}，{1(-1)00}平面的晶粒或具有{0001}，{1(-2)10}，{(-1)2(-1)0}平面的晶粒；術(shù)語“片狀-十四面體晶?！笔侵妇哂衶0001}，{1(-1)00}，{1(-1)01}平面的晶粒，具有{0001}，{1(-2)10}，{(-1)2(-1)0)，{1(-2)11}}，{(-1)2(-1)1}平面的晶粒，具有{0001}，{1(-1)00}，{1(-1)0(-1)}平面的晶粒，具有{0001}，{1(-1)00}，{1(-1)0(-1)}平面的晶粒，或具有{0001}，{1(-2)10}，{(-1)2(-1)0}，{1(-2)1(-1)}，{(-1)2(-1)(-1)}平面的晶粒；術(shù)語“片狀-二十面體晶?！笔侵妇哂衶0001}，{1(-1)00}，{1(-1)01}，{1(-1)0(-1)平面的晶粒，或具有{0001}，{1(-2)10}，{(-1)2(-1)0}，{1(-2)11}，{(-1)2(-1)1}，{1(-2)1(-1)}，{-1}2(-1)(-1)}平面的晶粒。上面的符號“{0001}”表示與{0001}平面具有相等平面指數(shù)的晶面組。還優(yōu)選具有除了上述以外的形狀的其它片狀晶粒。
通過參考JP-A-2002-080120，JP-A-2003-287835，或JP-A-2003-287836可以制備碘化銀的十二面體，十四面體，和八面體。
在本發(fā)明中，采取片狀晶粒形式的鹵化銀的投影面積等效直徑優(yōu)選落在0.4-8.0μm，更優(yōu)選0.5-3μm的范圍內(nèi)。本文所用“投影面積等效直徑(projected-area-equivalent diameter)”是指與單個鹵化銀晶粒的投影面積具有相同面積的環(huán)的直徑。通過將單個晶體的投影面積-其已經(jīng)通過用電子顯微鏡觀察晶粒獲得-轉(zhuǎn)化為相同面積的環(huán)的直徑，可以測量投影面積等效直徑。
用于本發(fā)明的光敏鹵化銀的晶粒厚度優(yōu)選為0.3μm或更低，更優(yōu)選0.2μm或更低，進一步優(yōu)選為0.15μm或更低。光敏鹵化銀的長寬比優(yōu)選為2-100，更優(yōu)選5-50。
本實施方案的富含碘化銀的鹵化銀可以具有復(fù)雜形狀。優(yōu)選使用如R.L.JENKINS等，J.of Photo.Sci.，28(1980)，第164頁，圖1所示的結(jié)合(joint)晶粒。還優(yōu)選在相同圖1中顯示的該扁平晶粒。還優(yōu)選具有圓角的鹵化銀晶粒。對光敏鹵化銀晶粒外表面的平面指數(shù)(米勒指數(shù))沒有施加具體限制；然而，優(yōu)選經(jīng)吸收光譜增感染料后大比例的[100]平面顯示高光譜增感效率。比例優(yōu)選為50％或更大，更優(yōu)選65％或更大，仍更優(yōu)選80％或更大。通過在T.Tani，J.Imaging Sci，29，165(1985)中描述的方法可以測定米勒指數(shù)為[100]的平面的比例，該方法基于在[111]和[100]平面之間增感染料吸收的平面依賴性。
6)重金屬用于本實施方案的光敏鹵化銀晶?？梢园芷诒?顯示I族至XVIII族)的III族至XIV族的金屬或其金屬復(fù)合體。優(yōu)選地，周期表VIII族至X族的金屬或金屬絡(luò)合物的中心金屬優(yōu)選為銠，釕，或銥。這些金屬絡(luò)合物可以單獨使用，或者兩種或多種相同金屬或不同金屬的絡(luò)合物結(jié)合使用。金屬絡(luò)合物含量優(yōu)選為1×10-9-1×10-3摩爾/摩爾銀。這些金屬和金屬絡(luò)合物以及它們的添加方法在JP-A-7-225449，JP-A-11-65021的段落號0018-0024，和JP-A-11-119374的段落號0227-0240中描述。
在本實施方案中，優(yōu)選包含六氰金屬絡(luò)合物的鹵化銀晶粒。六氰金屬絡(luò)合物包括[Fe(CN)6]4-，[Fe(CN)6]3-，[Ru(CN)6]4-，[Os(CN)6]4-，[Co(CN6)]3-，[Rh(CN)6]3-，[Ir(CN)6]3-，[Cr(CN)6]3-，和[Re(CN)6]3-。
除了通過與水混合以外，可以通過與適當(dāng)?shù)呐c水混溶的有機溶劑混合或通過混合在明膠中加入六氰金屬絡(luò)合物。
六氰金屬絡(luò)合物的量優(yōu)選為1×10-8-1×10-2mol/mol銀，更優(yōu)選1×10-7-1×10-3mol。
可以包含在用于本實施方案鹵化銀晶粒中的金屬原子(例如，[Fe(CN)6]4-)，以及鹵化銀乳狀液脫鹽和化學(xué)敏化的方法在JP-A-11-84574段落號0046-0050，JP-A-11-65021段落號0025-0031，和JP-A-11-119374段落號0242-0250中描述。
7)明膠多種明膠可以用作包含在用于本實施方案的光敏鹵化銀乳狀液中的明膠。為了保持光敏鹵化銀乳狀液在包含有機銀鹽的涂漬溶液中的良好分散，優(yōu)選使用分子量為500-60,000的低分子量明膠。這些低分子量明膠可以在晶粒形成期間或脫鹽過程后的分散期間使用；然而優(yōu)選在脫氧過程后的分散期間使用。
8)化學(xué)敏化可以使用本實施方案中的光敏鹵化銀而不化學(xué)敏化，但優(yōu)選通過下列至少一種方法進行化學(xué)敏化硫?qū)僭孛艋椒?，金敏化方法，和還原敏化。硫?qū)倜艋椒ò蛎艋椒ǎ艋椒?，和碲敏化方法?br> 對于硫敏化，可以使用非易變硫化合物。這些非易變硫化合物在P.Grafkides，Chemie et Pysique Photographique(Paul Momtel，1987，5thedition)，Research Disclosure(Vol.307，No.307105)等中描述。
特別是，可以使用已知的硫化合物如硫代硫酸鹽(例如硫代硫酸鈉)；硫脲(例如二苯基硫脲，三乙基硫脲，N-乙基-N’-(4-甲基-2-噻唑基)硫脲，和羧甲基三甲基硫脲)；硫代酰胺(例如硫代乙酰胺)；繞丹寧(例如二乙基繞丹寧，5-亞芐基-N-乙基繞丹寧)；硫化膦(例如三甲基硫化膦)；乙內(nèi)酰硫脲；4-氧代-噁唑烷-2-硫酮衍生物；二硫化物或多硫化物(例如二硫化二嗎啉，胱氨酸，hexathiocan-硫酮)；連多硫酸鹽；元素硫；和活性明膠。這些之中，特別優(yōu)選硫代硫酸鹽，硫脲，和繞丹寧。
在硒敏化中，可以使用不穩(wěn)定的硒化合物?？梢允褂玫牟环€(wěn)定的硒化合物包括在以下各項中描述的那些JP-B-43-13489和JP-B-44-15748，JP-A-4-25832，JP-A-4-109340，JP-A-4-271341，JP-A-5-40324，JP-A-5-11385，日本專利申請?zhí)?-202415，日本專利申請?zhí)?-330495，日本專利申請?zhí)?-333030，日本專利申請?zhí)?-4203，日本專利申請?zhí)?-4204，日本專利申請?zhí)?-106977，日本專利申請?zhí)?-236538，日本專利申請?zhí)?-241642，日本專利申請?zhí)?-286916等。
特別地，可以使用膠態(tài)金屬硒；硒脲(例如N，N-二甲基硒脲，三氟甲基羰基-三甲基硒脲，和乙?；?三甲基硒脲)；硒代酰胺(例如硒代酰胺和N，N-二乙基苯基硒代酰胺)；硒代膦(例如三苯硒代膦和五氟苯基-三苯硒代膦)；硒代磷酸鹽(例如三對甲苯基硒代磷酸鹽和三正丁基硒代磷酸鹽)；硒酮(例如硒代二苯甲酮)；異硒氰酸鹽；硒代羧酸；硒酯；和二酰基硒化物。另外，也可以使用在JP-B-46-4553和JP-B-52-34492中描述的非易變硒化合物如亞硒酸，硒氰酸，硒唑，和硒化物。特別是，優(yōu)選硒化膦，硒脲，和硒氰酸的鹽。
在碲敏化中，使用不穩(wěn)定的碲化合物。可用的碲敏化劑包括在以下各項中描述的不穩(wěn)定的碲化合物JP-A-4-224595，JP-A-4-271341，JP-A-4-333043，JP-A-5-303157，JP-A-6-27573，JP-A-6-175258，JP-A-6-180478，JP-A-6-208186，JP-A-6-208184，JP-A-6-317867，JP-A-7-140579，JP-A-7-301879，JP-A-7-301880等。
具體地，可以使用碲化膦(例如丁基-二異丙基碲化膦，三丁基碲化膦，三丁氧基碲化膦，和乙氧基-二苯基碲化膦)；二?；?二)碲化物(例如雙(二苯基氨基甲酰基)二碲化物，雙(N-苯基-N-甲基氨基甲?；?二碲化物，雙(N-苯基-N-甲基氨基甲?；?二碲化物，雙(N-苯基-N-甲基氨基甲酰基)二碲化物，雙(N-苯基-N-芐基氨基甲?；?碲化物，和雙(乙氧基氨基甲?；?碲化物)；碲脲(例如N，N’-二甲基亞乙基碲脲和N，N’-二苯基亞乙基碲脲)；碲代酰胺；碲酯等。這些之中，特別優(yōu)選二酰基(二)碲化物和碲化膦。仍更優(yōu)選在JP-A-11-65021的段落號0030中描述的化合物和由JP-A No.5-313284的通式(II)，(III)，和(IV)表示的化合物。
硒敏化和碲敏化是硫?qū)倜艋膬?yōu)選實例，更優(yōu)選碲敏化。
在金敏化中，可以使用在P.Grafkides，Chemie et PysiquePhotographique(Paul Momtel，1987，第五版)和Research Disclosure(Vol.307，No.307105)中描述的金敏化劑。具體地，可以使用氯金酸，氯金酸鉀，金硫氰酸鉀，硫化金，硒化金等。還可以使用除了金以外的金屬如鉑，鈀，和銥的其它貴金屬鹽，其在P.Grafkides，Chemie et Pysique Photographique(Paul Momtel，1987，5th ed.，)和Research Disclosure(Vol.307，No.307,105)中描述。
金敏化可以獨立使用；然而，優(yōu)選結(jié)合前述硫?qū)倜艋褂?。這些結(jié)合的具體實例包括金-硫敏化(金加上硫敏化)，金-硒敏化，金-碲敏化，金-硫-碲敏化，金-硒-碲敏化，和金-硫-硒-碲敏化。
在本實施方案中，可以在任何時刻使用化學(xué)敏化，只要它在晶粒形成之后和涂布之前。該脫鹽后的時刻包括(1)在光譜敏化前，(2)與光譜敏化同時，(3)在光譜敏化后，和(4)剛好在涂布前。
用于本實施方案的硫?qū)倜艋瘎┑牧靠梢愿鶕?jù)所用鹵化銀晶粒，化學(xué)熟成條件等而變化，以約10-8-10-1mol/mol鹵化銀，優(yōu)選10-7-10-2mol的量使用硫?qū)倜艋瘎?br> 類似地，用于本實施方案的金敏化劑的加入量可以根據(jù)不同條件而變化，并且通常約為10-7-10-2mol，優(yōu)選10-6-5×10-3mol/mol鹵化銀。對化學(xué)敏化乳狀液的條件未施加具體限制。然而，pAg為8或更小，優(yōu)選7.0或更小，更優(yōu)選6.5或更小，特別優(yōu)選6.0或更小；pAg為1.5或更小，優(yōu)選2.0或更小，特別優(yōu)選2.5或更??；pH為3-10，優(yōu)選4-9；溫度屬于約20-95℃，優(yōu)選25-80℃的范圍內(nèi)。
在本實施方案中，還原敏化也可以與硫?qū)倜艋蚪鹈艋Y(jié)合使用。具體地，還原敏化優(yōu)選與硫?qū)倜艋Y(jié)合使用。優(yōu)選用于還原敏化的還原敏化劑的具體實例包括抗壞血酸，二氧化硫脲，和二甲胺硼烷，以及氯化亞錫，氨基亞氨基甲磺酸，肼衍生物，硼烷化合物，硅烷化合物，和多胺化合物。還原敏化劑可以在光敏乳狀液生產(chǎn)過程中從晶體生長至剛好涂布前的制備步驟的任何階段加入。另外，在將乳狀液的pH保持在8或更高和pAg保持在4或更低同時，優(yōu)選通過熟成進行還原敏化。此外，優(yōu)選通過在晶體形成期間引入單次加入部分的銀離子進行還原敏化。
加入的還原敏化劑的量可以根據(jù)各種條件而變化，通常為約10-7-10-1mol，優(yōu)選10-6-5×10-2mol/mol鹵化銀。
在用于本實施方案的鹵化銀乳狀液中，通過EP No.293,917所述方法可以加入硫代磺酸化合物。
優(yōu)選通過金敏化方法和硫?qū)倜艋椒ㄖ械闹辽僖环N將本實施方案的光敏鹵化銀晶?；瘜W(xué)敏化，以便設(shè)計高光敏光熱圖像材料。
9)能夠進行單電子氧化由此形成其單電子氧化產(chǎn)物的化合物，其中所述單電子氧化產(chǎn)物能夠釋放一個或多個電子。
按照本實施方案的光熱圖像材料優(yōu)選含有能夠進行單電子氧化由此形成其單電子氧化產(chǎn)物的化合物，其中所述單電子氧化產(chǎn)物能夠釋放一個或多個電子。通過獨立地或結(jié)合前述各種化學(xué)敏化劑使用，該化合物可以增加鹵化銀的靈敏度。
包含在本實施方案的光熱圖像中并且能夠進行單電子氧化由此形成其單電子氧化產(chǎn)物的的化合物是以下類型1至5的一個組分，其中所述單電子氧化產(chǎn)物能夠釋放一個或多個電子。
(類型1)能夠進行單電子氧化由此形成其單電子氧化產(chǎn)物的化合物，其中伴隨后來的鍵裂反應(yīng)，所述單電子氧化產(chǎn)物能夠進一步釋放兩個或多個電子；(類型2)能夠進行單電子氧化由此形成其單電子氧化產(chǎn)物的化合物，其中伴隨后來的碳-碳鍵裂反應(yīng)，所述單電子氧化產(chǎn)物能夠進一步釋放一個電子，并且化合物在它分子中含有兩個或多個吸附鹵化銀的基團；(類型3)能夠進行單電子氧化由此形成其單電子氧化產(chǎn)物的化合物，其中在經(jīng)過隨后的成鍵過程以后，所述單電子氧化產(chǎn)物能夠進一步釋放一個或多個電子；(類型4)能夠進行單電子氧化由此形成其單電子氧化產(chǎn)物的化合物，其中在經(jīng)過隨后的分子內(nèi)環(huán)之破裂反應(yīng)以后，所述單電子氧化產(chǎn)物能夠進一步釋放一個或多個電子；和(類型5)由X-Y表示的化合物，其中X表示還原基團，Y表示分裂基團，其通過單電子氧化由X表示的還原基團產(chǎn)生的單電子氧化產(chǎn)物能夠離去Y以產(chǎn)生伴隨隨后X-Y鍵裂解反應(yīng)的X自由基，并且能夠釋放另一電子。
在類型1，和類型3至5的化合物中，優(yōu)選“各自在其分子中含有作用于鹵化銀的吸附基團的化合物”或“各自在其分子中含有敏化染料部分結(jié)構(gòu)的化合物”，更優(yōu)選“各自在其分子中含有作用于鹵化銀的吸附基團的化合物”。類型1至4的化合物更優(yōu)選“含有作為吸附基團的兩個或多個巰基取代的含氮雜環(huán)基的化合物”。
本實施方案的類型1至4的化合物與下列各項中詳述的那些相同JP-A-2003-114487，JP-A-2003-114486，JP-A-2003-140287，JP-A-2003-75950，JP-A-2003-114488，日本專利申請?zhí)?003-25886和日本專利申請?zhí)?003-33446。在這些專利申請中描述的具體化合物也是本實施方案類型1至4的化合物的實例。本實施方案類型1至4的化合物的合成實施例也與在這些專利中公開的那些相同。
本實施方案類型5的化合物的具體實例是命名為“一光子兩電子敏化劑”或“去質(zhì)子化供電敏化劑”的化合物，如在JP-A-9-211769(在28-32頁表E和F中描述的化合物PMT-1至S-37)，JP-A-9-211774，JP-A-11-95355(化合物INV1-36)，JP-T-2001-500996(在此使用的術(shù)語“JP-T”是指公開的PCT專利申請的日文翻譯)(化合物1-74，80-87，和92-122)，美國專利5,747,235和美國專利5,747,236，EP No.786692A1(化合物INV 1-35)，EP-A-893732A1，和美國專利號6,054,260和美國專利號5,994,051中描述的那些。
可以在乳狀液制備期間和光敏材料制備步驟中的任何時間使用類型1至5的化合物。時間實例包括晶粒形成期間，脫鹽步驟期間，化學(xué)敏化時，和涂布前?；衔镆部梢栽诓襟E中多份分開加入。優(yōu)選加入時間是從晶體形成完成到脫鹽步驟之前，化學(xué)敏化時(在化學(xué)敏化開始前即刻到其完成后即刻)，或在涂布前。更優(yōu)選的加入時間是在化學(xué)敏化時或在與非光敏有機銀鹽混合前。
優(yōu)選作為水或水溶性溶劑中的溶液加入類型1至5的化合物，所述水溶性溶劑如甲醇，乙醇，或這些溶劑的混合物。當(dāng)將化合物溶解在水中時，關(guān)于溶解度隨pH升高或降低而增加的化合物，可以提高或降低它的pH加入溶液。
類型1至5的化合物優(yōu)選用于包含光敏鹵化銀和非光敏有機銀鹽的乳化層；然而，化合物可以加入與包含光敏鹵化銀和非光敏有機銀鹽的乳化層一起的保護層或中間層。本實施方案化合物的加入時間可以是敏化染料加入之前或之后。各種化合物優(yōu)選以1×10-9-5×10-1mol/mol鹵化銀，更優(yōu)選1×10-8-5×10-2mol的量包含在鹵化銀乳化層中。
10)含有吸附基團和還原基團的吸附氧化還原化合物。
在本實施方案中，優(yōu)選結(jié)合含有吸附基團和還原基團的吸附氧化還原化合物，其作用于分子中的鹵化銀。優(yōu)選地，吸附化合物可以由下式(I)表示。
式(I)A-(W)n-B[在式(I)中，A表示吸附在鹵化銀上的基團](以下稱為吸附基團)，W表示二價連接基團，“n”為0或1，B表示還原基團]。
式(I)中由A表示的吸附基團是指直接吸附在鹵化銀上的基團或促進吸附在鹵化銀上的基團。吸附基團的具體實例包括巰基(或其鹽)；硫酮基團(-C(＝S)-)；包含選自氮原子，硫原子，硒原子，和碲原子中的至少一個的雜環(huán)基團；硫化物基團；二硫化物基團；陽離子基團；和乙炔基。
術(shù)語用作吸收基團的“巰基(或其鹽)”不僅是指巰基(或其鹽)本身，而且優(yōu)選被至少一個巰基(或其鹽)取代的雜環(huán)基，芳基，或烷基。這里，雜環(huán)基是指5-7元單環(huán)或稠環(huán)，芳族，或非芳族雜環(huán)。雜環(huán)基的實例包括咪唑環(huán)基，噻唑環(huán)基，噁唑環(huán)基，苯并咪唑環(huán)基，苯并噻唑環(huán)基，苯并噁唑環(huán)基，三唑環(huán)基，噻二唑環(huán)基，噁二唑環(huán)基，四唑環(huán)基，嘌呤環(huán)基，吡啶環(huán)基，喹啉環(huán)基，異喹啉環(huán)基，嘧啶環(huán)基團，和三嗪環(huán)基。雜環(huán)基可以包含季氮原子，其可以因為取代巰基的離解變?yōu)榻殡x子。當(dāng)巰基成鹽時，其抗衡離子的實例包括堿金屬，堿土金屬，或重金屬的陽離子(例如Li+，Na+，K+，Mg2+，Ag+，或Zn2+)；銨離子；含有季氮原子的雜環(huán)基團；和鏻離子。
用作吸附基團的巰基可以進一步被互變成硫酮基團。
用作吸附基團的硫酮基團的實例也包括直鏈或環(huán)狀硫代酰氨基，硫脲基，硫代尿烷基，和二硫代氨基甲酸酯基團。
用作吸附基團的包含選自氮原子，硫原子，硒原子，和碲原子的至少一個原子的雜環(huán)基團是含氮雜環(huán)基，其含有能夠形成作為雜環(huán)部分結(jié)構(gòu)的亞氨基銀(＞NAg)的-NH-基團，或含有能夠通過作為雜環(huán)部分結(jié)構(gòu)的配位鍵與銀離子配位的“-S-”基團，“-Se-”基團，“-Te-”基團，或“＝N-”基團的雜環(huán)基。前者的雜環(huán)基可以是例如苯并三唑基，三唑基，吲唑基，吡唑基，四唑基，苯并咪唑基，咪唑基，或嘌呤基。后者的雜環(huán)基可以是例如噻吩基，噻唑基，噁唑基，苯并噻唑基，苯并噁唑基，噻二唑基，噁二唑基，三嗪基，硒代吡咯基，苯并硒代吡咯基，碲代吡咯基，或苯并碲代吡咯基。
用作吸附基團的硫化物的實例包括所有包含“-S-”或“-S-S-”的部分結(jié)構(gòu)的基團。
用作吸附基團的陽離子基團是指包含季氮原子的基團；具體地，含有氨基的基團，或含有季氮原子的含氮雜環(huán)基團。含有季氮原子的含氮雜環(huán)基團可以是例如吡啶(pyridinio)基團，喹啉(quinolinio)基團，異喹啉(isoquinolinio)基團，和咪唑(imidazolio)基團。
用作吸附基團的乙炔基是指-C≡CH基團，其氫原子可以被取代。
上述吸收基團可以含有任意取代基。
另外，吸收基團的具體實例包括在JP-A-11-95355的第4-7頁列出的那些。
由式(I)的A表示的吸附基團優(yōu)選為被巰基取代的含氮雜環(huán)基(例如2-巰基噻二唑基，2-巰基-1，2，4-三唑基，5-巰基四唑基，2-巰基-1，3，4-噁二唑基，2-巰基苯并噁唑基，2-巰基苯并噻唑基，1，5-二甲基-1，2，4-triazorium-3-硫醇鹽基團，2，4-二巰基巰基嘧啶基，2，4-三唑，3，5-二甲基巰基-1，2，4-三唑基，或2，5-二巰基-1，3-噻唑基)，或含有能夠形成作為雜環(huán)部分結(jié)構(gòu)的亞氨基銀(＞NAg)的-NH-基團的含氮雜環(huán)基(例如苯并三唑基，苯并咪唑基，或吲唑基)，更優(yōu)選2-巰基苯并咪唑基，或3，5-二巰基-1，2，4-三唑基。
在式(I)中，W表示二價連接基團?？梢允褂萌魏味r連接基團，只要它對攝影性能無不利影響。例如，可以使用包含碳原子，氫原子，氧原子，氮原子，和硫原子的二價連接基團。二價連接基團的具體實例包括含有1-20個碳原子的亞烴基，(例如，亞甲基，亞乙基，三亞甲基，四亞甲基，或六亞甲基)，含有2-20個碳原子的亞鏈烯基，含有6-20個碳原子的亞芳基(例如亞苯基或亞萘基)，-CO-，-SO2-，-O-，-S-，-NR1-，和這些二價連接基團的結(jié)合。R1這里是指氫原子，烷基，雜環(huán)基，或芳基。表示為W的二價連接基團含有任意的取代基。
在式(I)中，由B表示的還原基團表示能夠還原銀離子的基團。B的具體實例包括甲?；?，氨基，包括乙炔基或丙炔基的三鍵基團，或從下列基團去除氫原子獲得的殘基巰基，羥胺基，異羥肟酸，羥基脲，羥基脲氨基，還原酮類(包括還原酮衍生物)，苯胺，酚類(包括苯并二氫呋喃-6-醇，2，3-二羥苯并呋喃-5-醇，氨基苯酚，亞磺酰氨基苯酚，和多酚如氫醌，兒茶酚，間苯二酚，benzentriols，和雙酚)，酰肼，氨基甲酰肼，3-吡唑烷酮等。照例，這些基團可以含有任意取代基。
通過使用在“DENKIKAGAKU SOKUTEIHOU”，第150-208頁，GIHODO SHUPPAN Co.Ltd.和Chemical Society of Japan，Maruzen Co.，Ltd編寫的“JIKKEN KAGAKU KOUZA Experimental chemical Course，”第4版，Vol.9，第282-344頁中描述的方法，可以測量由式(I)的B表示的還原性化合物各自的氧化電勢。例如，可以使用轉(zhuǎn)盤伏安法。具體地，將樣品以10％-90％(體積％)的比例溶解在甲醇和Britton-Robinson緩沖液(pH6.5)的溶液中，并通過氮氣10分鐘。然后，通過下列電極用作工作電極的玻璃碳制成的轉(zhuǎn)盤電極(RDE)；用作對電極的鉑絲；和用作參比電極的飽和甘汞電極，在25℃，掃描速率1000轉(zhuǎn)/分鐘，和20mV/s下測量樣品的氧化電勢。從獲得的伏安圖可以測定半波電勢(E1/2)。
當(dāng)通過上述方法測量時，本實施方案由B表示的還原性化合物的氧化電勢優(yōu)選為約-0.3至1.0V，更優(yōu)選約-0.1至0.8V，特別優(yōu)選約0-0.7V。
在式(I)中，由B表示的還原性基團優(yōu)選是從以下基團去除氫原子獲得的殘基羥胺，異羥肟酸，羥基脲，羥基脲氨基，還原酮，酚，酰肼，氨基甲酰肼，3-吡唑烷酮等。
以下列出由B表示的還原性基團的具體實例；然而，本實施方案不限于這些。此處，符號“*”表示還原性基團在式(I)中與A或W結(jié)合的位點。
由實施方案式(I)表示的化合物可以結(jié)合通常用作圖像固定添加劑如成色劑(coupler)的壓載(ballast)基團或聚合物基團。該聚合物的實例包括在例如JP-A-1-100530中描述的那些。
由本實施方案式(I)表示的化合物可以是二型(bis-form)或三型(tris-form)的化合物。由本實施方案式(I)表示的化合物的分子量優(yōu)選為100-10,000，更優(yōu)選120-1,000，仍更優(yōu)選150-500。
在本實施方案中，含有作用于鹵化銀的吸附基團和還原基團的吸附氧化還原化合物與在日本專利申請2002-328531和日本專利申請2002-379884中詳述的相同。在這些專利申請中描述的具體化合物也是含有作用于鹵化銀的吸附基團和還原基團的吸附氧化還原化合物的實例。
通過使用來自已知方法的實例可以容易地合成本實施方案的化合物。
由式(I)表示的化合物可以單獨使用；然而，優(yōu)選將它們兩個或多個結(jié)合使用。當(dāng)兩種或多種化合物結(jié)合使用時，將它們加入單層或不同層。此外，通過不同加入方法可以將它們加入各種化合物。
優(yōu)選其鹵化銀乳狀液的制備期間，優(yōu)選將通過本實施方案式(I)表示的化合物加入鹵化銀乳化層。當(dāng)在乳狀液制備期間加入時，可以在過程中的任何步驟加入化合物；例如在晶粒形成期間，在脫鹽步驟之前，在脫鹽步驟期間，在化學(xué)熟成步驟之前，在化學(xué)熟成步驟期間，或在調(diào)整完成的乳狀液之前的過程中。在步驟中可以分開多次加入化合物?；衔飪?yōu)選用于乳化層中，然而，化合物可以加入與乳化層一起的保護層或中間層，由此使化合物在涂布期間擴散。
加入的優(yōu)選量高度依賴于加入方法或上述加入化合物的類型。通常，加入量為1×10-6-1mol/mol鹵化銀，優(yōu)選1×10-5-5×10-1mol，更優(yōu)選1×10-4-1×10-1mol。
通過溶解在水或水溶性溶劑如甲醇，乙醇，或這些溶劑的混合物中，可以加入式(I)表示的化合物。當(dāng)溶解在水或水溶劑中時，如果適當(dāng)，可以用酸或堿調(diào)整它的pH。也可以存在表面活性劑。另外，通過溶解在用作乳化分散體的高沸點溶劑中可以加入化合物。它也可以作為固體分散體加入。
11)增感染料從可以在鹵化銀晶粒吸收后在期望波長范圍內(nèi)光譜敏化鹵化銀晶粒和光譜靈敏度適合曝光源的光譜特性的那些，可以有利地選擇可以用于本實施方案的增感染料。優(yōu)選敏化本實施方案的光熱圖像以便具有600nm至900nm，或300nm至500nm的光譜靈敏度。關(guān)于增感染料和它們的加入方法的描述可以在以下各項中發(fā)現(xiàn)JP-A-10-186572的段落號0103-0109的通式(II)表示的化合物，JP-A-11-119374和的通式(I)表示的染料，JP-A-11-119374的段落號0106，美國專利號5,510,236，美國專利號3,871,887的實施方案5，在JP-A-2-96131和JP-A-59-48753中公開的染料，EP No.0803764A1(第19頁第38行至第20頁第35行)，日本專利申請?zhí)?000-86865，日本專利申請?zhí)?000-102560，日本專利申請?zhí)?000-205399等。這些增感染料可以單獨或兩種或多種結(jié)合使用。
增感染料的量可以按照要求如靈敏度或成霧性能測定；然而，優(yōu)選成像層(光敏層)中10-6-1mol/mol鹵化銀，更優(yōu)選10-4-10-1mol。
在本實施方案中，可以使用超增感劑以便提高光譜敏化效率?？梢杂糜诒緦嵤┓桨傅某龈袆┑膶嵗ㄔ贓P No.587,338，U.S.Pat.No.3,877,943，U.S.Pat.No.4,873,184，JP-A-5-341432，JP-A-11-109547，和JP-A-10-111543中描述的化合物。
12)鹵化銀的結(jié)合使用在用于本實施方案的光敏材料中，存在僅使用一種光敏鹵化銀乳狀液的情形，或者兩種或多種乳狀液(例如，平均粒度不同的乳狀液，鹵素組合物，晶體慣態(tài)，或化學(xué)敏化條件)可以結(jié)合使用。在其中使用多個不同靈敏度的光敏鹵化銀的情形中，可以控制層次(gradation)。相關(guān)技術(shù)可以包括例如在JP-A-57-119341，JP-A-53-106125，JP-A-47-3929，JP-A-48-55730，JP-A-46-5187，JP-A-50-73627，和JP-A-57-150841中描述的那些。優(yōu)選地，乳劑顯示0.2log E或更大的靈敏度差異。
13)鹵化銀和有機銀鹽的混合特別優(yōu)選在不存在非光敏有機銀鹽的情形下，形成光敏鹵化銀晶粒并進行化學(xué)敏化。這是因為通過將鹵化劑加入有機銀鹽形成鹵化銀的方法有時未能產(chǎn)生足夠的靈敏度。
混合鹵化銀和有機銀鹽的方法的實例包括，通過高速攪拌器，球磨機，砂磨機，膠體磨，振動磨，或均化器混合分開制備的光敏鹵化銀和有機銀鹽，并且混合光敏鹵化銀(已制備完成)和有機銀鹽(在制備中以制備有機銀鹽)。通過上述方法中的任何一種可以獲得實施方案的效果。
14)混合鹵化銀于涂漬液中在本實施方案中，將鹵化銀加入成像層的涂漬液的優(yōu)選時間是涂布前180分鐘至涂布前即刻，優(yōu)選60分鐘至涂布前10秒。對混合方法和混合條件未施加具體限制，只要本實施方案的效果可以滿意地獲得?；旌戏椒ǖ木唧w實例包括混合到槽中，其中控制通過加入的流速和對涂布機的進料速度計算的平均停留時間以產(chǎn)生期望時間，并通過使用如N.Hamby，M.F.Edwards，A.W.Nienow(Koji Takahashi翻譯)“液體混合技術(shù)”(NikkanKogyo Shinbun，1989)的第8章等所述的靜止混合器混合。
(有機銀鹽的描述)用于本實施方案的非光敏有機銀鹽是在曝露于光下較穩(wěn)定但是在曝光管敏鹵化銀和還原劑的存在下當(dāng)加熱至80℃或更高時可以形成銀像的銀鹽。有機銀鹽可以是包含能夠還原銀離子源的任何有機材料。該非光敏有機銀鹽在JP-A-10-62899的段落0048-0049中，在EP No.0803764A1(18頁第24行至19頁第37行)，EP No.0962812A1，JP-A-11-349591，JP-A-2000-7683，和JP-A-2000-78711中描述。有機銀鹽優(yōu)選為有機酸的銀鹽，更優(yōu)選長鏈脂族羧酸(含有10-30個碳原子，特別優(yōu)選15-28個碳原子)的銀鹽。優(yōu)選有機銀鹽包括山崳酸銀，花生四烯酸銀，硬脂酸銀，油酸銀，月桂酸銀，己酸銀，肉豆蔻酸銀，棕櫚酸銀，及其混合物。在這些有機酸鹽中，將其山崳酸銀含量為50-100mol％的有機酸的銀鹽用于本實施方案。特別優(yōu)選，山崳酸銀含量為75-98mol％。
對可以用于本實施方案的有機銀鹽的形式未施加具體限制，形式可以是針狀，條狀，片狀，或鱗狀。
在本實施方案中，優(yōu)選鱗狀的有機銀鹽。在本實施方案中，鱗狀有機銀鹽定義如下。當(dāng)在電子顯微鏡下觀察有機銀鹽時，有機銀鹽晶粒近似為長方體，其邊命名如下最短的邊為“a”；中間長度的邊為“b”；最長的邊為“c”(“c”可以等于“b”)。如下從使用“a”和“b”中的較短值計算確定“x”x＝b/a在該方法中，從約200個晶粒計算“x”，平均“x”稱為“x(平均)”。當(dāng)“x(平均)”滿足“x(平均)”等于或大于1.5的關(guān)系時，晶粒定義為鱗狀晶粒?！皒(平均)”優(yōu)選為1.5-30，更優(yōu)選1.5-15。順便提及，當(dāng)“x(平均)”為1或更大和小于1.5時，晶粒具有針形。
在鱗狀晶粒中，值“a”可以被認(rèn)為是片狀晶粒的厚度，“b”和“c”作為主平面的邊。“a”的平均值優(yōu)選為0.01-0.3μm，更優(yōu)選0.1-0.23μm。c/b的平均值優(yōu)選為1-6，更優(yōu)選1-4，仍更優(yōu)選1-3，特別優(yōu)選1-2。
有機銀鹽的粒度分布優(yōu)選為單分散性的。術(shù)語“單分散性”此處含義是指通過將短軸長度的標(biāo)準(zhǔn)偏差除以短軸長度獲得的值(百分比)，或者通過將長軸長度的標(biāo)準(zhǔn)偏差除以長軸長度獲得的值(百分比)優(yōu)選為100％或更小，更優(yōu)選80％或更小，還更優(yōu)選50％或更小。有機銀鹽的形狀可以從有機銀鹽分散體在透射型電子顯微鏡下的圖像測定。另一測定單分散性的方法是測定有機銀鹽的容重平均直徑(volume weighted average diameter)的標(biāo)準(zhǔn)偏差的方法。通過將容重平均直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差除以容重平均直徑的百分比(變異系數(shù))優(yōu)選為100％或更小，更優(yōu)選80％或更小，仍更優(yōu)選50％或更小。測量步驟包括將激光束輻射在分散在溶液中的有機銀鹽上以測定關(guān)于散射光依賴于時間的波動的自相關(guān)函數(shù)，由此獲得粒度(容重平均直徑)。
可以將已知方法應(yīng)用于在本實施方案中可用的有機銀鹽及其分散體的制備。為了參考參見例如JP-A-10-62899，EP No.0803763A1，EP No.0962812A1，JP-A-11-349591，JP-A-2000-7683，JP-A-2000-72711，JP-A-2001-163827，JP-A-2001-163889，JP-A-2001-163890，JP-A-11-203413，JP-A-2001-188313，JP-A-2001-83652，JP-A-2002-6442，JP-A-2002-31870，和JP-A-2001-107868。
在本實施方案中，通過混合有機銀鹽水分散體和光敏銀鹽水分散體可以制備光敏材料。將混合兩種或多種有機銀鹽水分散體和兩種或多種光敏銀鹽水分散體的方法優(yōu)選用于控制攝影性能。
在本實施方案中，可以使用期望量的銀鹽；然而，關(guān)于銀含量的量優(yōu)選為0.1-5g/m2，更優(yōu)選1-3g/m2，特別優(yōu)選1.2-2.5g/m2。
(成核劑)本發(fā)明光熱圖像材料優(yōu)選包含成核劑。
按照本發(fā)明的“成核劑”是指可以產(chǎn)生化合物的化合物，該所產(chǎn)生的化合物能夠通過與作為初始顯影的結(jié)果在顯影過程中已經(jīng)獲得的產(chǎn)物反應(yīng)誘導(dǎo)另外顯影的。常規(guī)已知在適合于印刷板使用的超高對比度的光敏材料中使用成核劑。超高對比度的光敏材料，其灰度(gradation)為10或更高，不適合作為普通照相的光敏材料，特別是不適合于要求高診斷能力的醫(yī)用。此外，因為它的低粒度核缺乏銳度，超高對比度的光敏材料已經(jīng)完全不適合醫(yī)用。按照本發(fā)明的成核劑發(fā)揮完全不同于相關(guān)技術(shù)超高對比度光敏材料的那些的作用。按照本發(fā)明的成核劑不提高對比度。按照本發(fā)明的成核劑是即使當(dāng)光敏鹵化銀晶粒的數(shù)量大大小于非光敏鹵化銀的量時能夠?qū)е鲁浞诛@影的化合物。其機理還未闡明；然而，已經(jīng)闡明當(dāng)通過使用按照本發(fā)明的成核劑時，顯影的銀晶粒的量大于在最大密度區(qū)域的光敏鹵化銀晶粒的量。因此，可以推測按照本發(fā)明的成核劑在不存在鹵化銀晶粒的點建立另外的顯影點(即顯影中心)。
用于本發(fā)明的成核劑是與在日本專利申請?zhí)?004-136053中詳述的那些相同的化合物。在該專利申請中描述的化合物的具體實例也可以稱為本實施方案的成核劑的具體實例。
下面列出在上述成核劑中的化合物的具體實例，但成核劑不限于此。
關(guān)于加入方法，成核劑可以以任意形式，如溶液，乳化分散體，或固體細粒分散體摻入涂漬液中，由此摻入光敏材料中。
公知的乳化分散方法的實例包括將成核劑溶解在油或輔助溶劑中，并隨后通過加入表面活性劑用機械形成乳化分散體的方法，所述油如鄰苯二甲酸二丁酯，磷酸三甲苯酯，癸二酸二辛酯，三(2-乙基己基)磷酸酯，所述輔助溶劑如乙酸乙酯或環(huán)己酮；所述表面活性劑如十二烷基苯磺酸鈉，油酰-N-甲基牛磺酸鈉，或二(2-乙基己基)磺基丁二酸鈉。此時，優(yōu)選為了調(diào)節(jié)折射率油滴粘度加入聚合物如α-甲基苯乙烯低聚物或聚(叔丁基丙烯酰胺)。
固體細粒分散體的實例包括通過使用球磨機，膠體磨，振動磨，砂磨機，噴磨機，或軋制機，或通過超聲波將成核劑以粉末形式分散在適當(dāng)溶劑如水中，由此制備固體分散體的方法。此時，可以使用保護膠體(例如，聚乙烯醇)或表面活性劑(例如陰離子表面活性劑如三異丙基萘磺酸鈉(三種異丙基取代位置不同的物質(zhì)的混合物))。在使用上述磨機時，常規(guī)使用球珠如氧化鋯作為分散介質(zhì)。存在其中從這些球珠上洗脫的Zr等混合在分散體中的情形。取決于分散條件，洗脫成分通常以1-1,000ppm的量混合。為了實用，光敏材料的Zr含量必須不大于0.5mg/g銀。
優(yōu)選將防腐劑(例如苯并異噻唑啉酮鈉鹽)加入水分散體。
對于分散成核劑，特別優(yōu)選固體細粒分散方法，其中將成核劑以顆粒的形式加入，該顆粒平均粒度為0.01-10μm，優(yōu)選0.05-5μm，更優(yōu)選0.1-2μm。在本發(fā)明中，優(yōu)選使用它們的粒度在上述范圍內(nèi)的其它固體分散體。
可以將本發(fā)明的成核劑加入成像層或其相鄰層；然而，優(yōu)選將成核劑加入成像層。成核劑的加入量為每mol銀10-5-1mol，優(yōu)選10-4-5×10-1mol。成核劑可以單獨或兩種或多種結(jié)合使用。
本發(fā)明的光熱圖像材料可以包括兩個或多個包含光敏鹵化銀的成像層。在其中包括兩個或多個成像層的情形中，成核劑可以包含在任意的成像層中。優(yōu)選地，包括至少兩個成像層；一個包含成核劑的成像層，和另一個不包含成核劑的成像層。
(還原劑)1)傳染(infectious)顯影還原劑本發(fā)明的光熱圖像材料優(yōu)選含有傳染顯影還原劑。
傳染顯影還原劑可以是任何還原劑，只要它能夠進行傳染顯影。
優(yōu)選用于本發(fā)明的傳染顯影還原劑是由下列通式(R1)表示的化合物。
通式(R1)
在通式(R1)中，R11和R11’各自獨立地表示含有3-20個碳原子的仲或叔烷基。R12和R12’各自獨立地表示通過氫原子，氮原子，氧原子，磷原子，或硫原子連接的基團。R13表示氫原子或含有1-20個碳原子的烷基。
用于本發(fā)明的傳染顯影還原劑與日本專利申請?zhí)?004-136052詳述的那些是相同的化合物。在該專利申請中描述的化合物的具體實例也可以稱為本實施方案成核劑的具體實例。
以下顯示由本發(fā)明通式(R1)表示的化合物的具體實例；然而，本發(fā)明不限于此。



由通式(R1)表示的還原劑的加入量優(yōu)選為0.01-5.0g/m2，更優(yōu)選0.1-3.0g/m2。在提供成像層的一面優(yōu)選以每mol銀5-50mol％，更優(yōu)選10-40mol％的量包含還原劑。
由通式(R1)表示的還原劑優(yōu)選包含在成像層中。
特別是，由通式(R1)表示的還原劑優(yōu)選包含在成像層中，該成像層包含低光敏性的鹵化銀乳狀液。
2)還原劑在本發(fā)明中，其它還原劑可以與通式(R1)表示的還原劑結(jié)合使用。可以與通式(R1)表示的還原劑結(jié)合使用的還原劑包括能夠?qū)y還原成元素銀的任何物質(zhì)(優(yōu)選有機物質(zhì))。還原劑的實例在JP-A-11-65021的段落號0043-0045和EP-A No.0803764(第7頁第34行至第8頁第12行)中描述。
在本實施方案中，還原劑優(yōu)選為所謂的受阻酚還原劑或雙酚試劑，其在酚羥基的鄰位含有取代基。特別優(yōu)選由下列通式(R)表示的化合物。式(R) 在通式(R)中，R11和R11’各自獨立地表示含有1-20個碳原子的烷基。R12和R12’各自獨立地表示能夠取代氫原子或苯環(huán)的取代基。L表示-S-基團或-CHR13-基團。R13表示氫原子或含有1-20個碳原子的烷基。X1和X1’各自表示能夠取代氫原子或苯環(huán)的基團。
以下將詳述各個取代基。
1)R11和R11’R11和R11’各自獨立地表示可以被取代的含有1-20個碳原子的烷基。對烷基的取代基未施加具體限制；然而，優(yōu)選實例包括芳基，羥基，烷氧基，芳氧基，烷硫基，芳硫基，酰氨基，磺酰胺基，磺?；?，磷酰基，?；?，氨基甲?；?，酯基，和鹵原子。
2)R12和R12’，X1和X1’R12和R12’各自獨立地表示能夠取代氫原子或苯環(huán)的基團。
X1和X1’各自獨立地表示能夠取代氫原子或苯環(huán)的基團。能夠取代苯環(huán)的各個基團的實例包括烷基，芳基，鹵原子，烷氧基，和酰氨基。
3)L
L表示-S-基團或-CHR13-基團。R13表示氫原子或含有1-20個碳原子的烷基，其中烷基可以含有取代基。
R13的非取代烷基的具體實例包括甲基，乙基，丙基，丁基，庚基，十一烷基，異丙基，1-乙基戊基，和2，4，4-三甲基戊基。
至于R11的取代基的情形，烷基取代基的實例包括鹵原子，烷氧基，烷硫基，芳氧基，芳硫基，酰氨基，磺酰胺基，磺酰基，磷?；趸驶?，氨基甲酰基，和氨磺?；?br> 4)優(yōu)選的取代基優(yōu)選地，R11和R11’各自為含有3-15個碳原子的仲或叔烷基。具體實例包括異丙基，異丁基，叔丁基，叔戊基，叔辛基，環(huán)己基，環(huán)戊基，1-甲基環(huán)己基，和1-甲基環(huán)丙基。更優(yōu)選地，R11和R11’各自為含有4-12個碳原子的叔烷基，特別優(yōu)選叔丁基，叔戊基，或1-甲基環(huán)己基，最優(yōu)選叔丁基。
優(yōu)選地，R12和R12’各自為含有1-20個碳原子的烷基。其具體實例包括甲基，乙基，丙基，丁基，異丙基，叔丁基，叔戊基，環(huán)己基，1-甲基環(huán)己基，芐基，甲氧基甲基，和甲氧基乙基。這些之中，更優(yōu)選的實例是甲基，乙基，丙基，異丙基，和叔丁基。
優(yōu)選地，X1和X1’各自為氫原子，鹵原子，或烷基，更優(yōu)選氫原子。
L優(yōu)選為-CHR13-基團。
R13優(yōu)選為氫原子或含有1-15個碳原子的烷基。烷基的優(yōu)選實例包括甲基，乙基，丙基，異丙基，和2，4，4-三甲基戊基。特別優(yōu)選地，R13是氫原子，甲基，丙基，或異丙基。
當(dāng)R13是氫原子時，R12和R12’各自優(yōu)選為含有2-5個碳原子的烷基，更優(yōu)選乙基或丙基，最優(yōu)選乙基。
當(dāng)R13是含有1-8個碳原子的伯或仲烷基時，R12和R12’各自優(yōu)選為甲基。R13為含有1-8個碳原子的伯或仲烷基，更優(yōu)選為甲基，乙基，丙基，或異丙基，仍更優(yōu)選甲基，乙基，或丙基。
在R11，R11’和R12，R12’各自為甲基時，R13優(yōu)選為仲烷基。在該情形中，R13為仲烷基，優(yōu)選為異丙基，異丁基，或1-乙基戊基，更優(yōu)選異丙基。
上述還原劑顯示各種不同的熱顯影性能，其取決于R11，R11’和R12，R12’，以及R13的組合。通過使用兩種或多種不同混合比率的還原劑可以控制熱顯影性能。因此，優(yōu)選地，取決于目的，組合使用兩種或多種還原劑。
以下列出由本實施方案通式(R)表示的化合物的具體實例，但本實施方案的化合物不限于此。


特別優(yōu)選的實例是由(R-1)至(R-20)表示的化合物。
本實施方案中還原劑的量優(yōu)選為0.01-5.0g/m2，更優(yōu)選0.1-3.0g/m2。在其中提供成像層的一面，包含還原劑的量優(yōu)選為5-50mol％，更優(yōu)選10-40mol％，基于每mol其上存在的銀。
在本實施方案中，可以將還原劑加入包含有機銀鹽或光敏鹵化銀的成像層，或其鄰層；然而，還原劑優(yōu)選摻入成像層。
在本實施方案中，還原劑優(yōu)選以任何形式摻入涂漬液。例如，它可以以溶液，乳化分散體，或固體細粒分散體的形式摻入，以使產(chǎn)生的涂漬溶液摻入光敏材料。
公知的乳化分散方法的實例包括通過使用油或輔助溶劑進行溶解和用機械形成乳化分散體的方法，所述油如鄰苯二甲酸二丁酯，磷酸三甲苯酯，甘油三乙酸酯，或鄰苯二甲酸二乙酯，所述輔助溶劑如乙酸乙酯或環(huán)己酮。
固體細粒分散法的實例包括通過使用球磨機，膠體磨，振動磨，砂磨機，噴磨機，軋制機，或超聲波將還原劑分散在適當(dāng)溶劑如水中，由此制備固體分散體的方法。優(yōu)選方法是使用砂磨的分散方法。經(jīng)分散后，可以使用保護膠體(例如，聚乙烯醇)或表面活性劑(例如陰離子表面活性劑如三異丙基萘磺酸鈉(三種異丙基取代位置不同的物質(zhì)的混合物))。優(yōu)選地，將防腐劑(例如苯并異噻唑啉酮鈉鹽)加入水分散體。
特別優(yōu)選還原劑的固體顆粒分散方法，其中將還原劑以細粒的形式加入，該細粒的平均粒度為0.01μm-10μm；優(yōu)選0.05μm-5μm；更優(yōu)選0.1μm-1μm。在本專利申請中，還優(yōu)選以屬于上述范圍內(nèi)的粒度分散其它固體分散體。
(顯影促進劑的描述)在本實施方案的光熱圖像材料中，將下列各項優(yōu)選用作顯影促進劑由JP-A-2000-267222或JP-A-2000-330234的通式(A)表示的磺胺酚化合物；由JP-A-2001-92075的通式(II)表示的受阻酚化合物；由JP-A-10-62895或JP-A-11-15116的通式(I)或由日本專利申請?zhí)?001-074278的通式(1)表示的肼化合物；或由日本專利申請?zhí)?000-76240的通式(2)表示的酚或萘酚化合物。這些顯影促進劑的用量為相對于還原劑的0.1-20mol％，優(yōu)選0.5-10mol％，更優(yōu)選1-5mol％?？梢詫㈩愃朴谶€原劑所用的方法應(yīng)用于將顯影促進劑引入光敏材料；然而，特別優(yōu)選其中以固體分散體或乳化分散體的形式加入顯影促進劑的方法。在其中以乳化分散體的形式加入顯影促進劑的情形中，優(yōu)選方法為其中通過使用在室溫下為固態(tài)的具有高沸點和具有低沸點的輔助溶劑，以分散在混合物中的乳化分散體的形式加入顯影促進劑的方法；或其中以所謂的油乳化分散體的形式加入顯影促進劑的方法，其不需要高沸點溶劑。
在該實施方案中，在上面所述的顯影促進劑中，更優(yōu)選地是，使用由在日本專利申請No.2001-074278中的通式(1)表示的肼化合物或日本專利申請No.2000-76240中的通式(2)表示的苯酚或萘酚化合物。
該實施方案的顯影促進劑的優(yōu)選實施如下所示，但是，該實施方案不限于此 (氫鍵結(jié)合化合物的描述)在該實施方案中，優(yōu)選使用含有能夠與還原劑的芳族羥基(-OH)，或在存在氨基的情況下，與還原劑的氨基形成氫鍵的基團的非還原性化合物。
能夠形成氫鍵的基團實例包括磷?；?、亞砜基、磺?；?、羰基、酰胺、酯基、氨基甲酸乙酯基、脲基、叔氨基和含氮的芳族基團。這些中，優(yōu)選的是含有下列基團的化合物磷?；?、亞砜基、酰胺基(前提條件是它不含有＞N-H基但以＞N-Ra(其中Ra為H之外的取代基)方式被閉塞了)，氨基甲酸乙酯基(前提條件是它不含有＞N-H基但以＞N-Ra(其中Ra為H之外的取代基)方式被閉塞了)，或脲基(前提條件是它不含有＞N-H基但以＞N-Ra(其中Ra為H之外的取代基)方式被閉塞了)。
該實施方案中特別優(yōu)選的氫鍵結(jié)合化合物是由下面的通式(D)表示的那些通式(D) 在通式(D)中，R21至R23各自獨立地表示可以被取代的烷基、芳基、烷氧基，芳氧基、氨基或雜環(huán)基。
當(dāng)R21至R23分別含有取代基時，取代基的實例包括鹵原子、烷基、芳基、烷氧基，芳氧基、氨基、?；Ⅴ０被?、烷硫基、芳硫基、亞磺酰氨基、酰氧基、氧基羰基、氨基甲?；?、氨磺酰基、磺?；?、磷?；?。這些中，優(yōu)選的取代基是烷基和芳基，例如甲基、乙基、異丙基、叔丁基、叔辛基、苯基、4-烷氧苯基、4-酰氧苯基等。
分別由R21至R23表示的烷基的具體實例包括甲基、乙基、丙基、丁基、辛基、十二烷基、異丙基、叔丁基、叔戊基、叔辛基、環(huán)己基、1-甲基環(huán)己基、芐基、苯乙基和2-苯氧基丙基。
芳基的實例包括苯基、羥甲苯基(cresyl)、二甲苯基、萘基、4-叔丁基苯基、4-叔辛基苯基、4-甲氧苯氨基(anisidyl)和3，5-二氯苯基。
烷氧基的實例包括甲氧基、乙氧基、丁氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、3，5，5-三甲基己氧基、十二烷氧基、環(huán)己氧基、4-甲基環(huán)己氧基和芐氧基。
芳氧基的實例包括苯氧基、甲苯氧基、異丙基苯氧基、4-叔丁基苯氧基、萘氧基、和聯(lián)苯氧基。
氨基的實例包括二甲氧基、二乙氨基、二丁氨基、二辛氨基、N-甲基-N-己氨基、二環(huán)己氨基、二苯氨基和N-甲基-N-苯氨基。
優(yōu)選R21至R23分別為烷基、芳基、烷氧基或芳氧基?？紤]到本實施方案的效果，優(yōu)選R21至R23中的一個或多個為烷基或芳基，并且更優(yōu)選它們中的兩個或多個為烷基或芳基?？紤]到低成本下的可獲得性，優(yōu)選R21至R23為相同的基團。
根據(jù)該實施方案，包括由通式(D)表示的那些的氫鍵結(jié)合化合物如下所示，但是，該實施方案不限于此

除了上面所述的那些外，氫鍵結(jié)合化合物的具體實例包括在日本專利申請No.2000-192191和日本專利申請No.2000-194811中所述的那些。
根據(jù)該實施方案的氫鍵結(jié)合化合物可以例如還原劑，其以溶液、乳化的分散體、或固體微粒分散體的形式摻入在涂布溶液中，以便將得到的涂布溶液摻入光敏材料中。當(dāng)處于溶液狀態(tài)時，該實施方案的化合物與含有酚式羥基的化合物形成氫鍵鍵合的絡(luò)合物?？梢詫⑦€原劑和由式(A)表示的化合物的這些組合中的某些作為晶體狀態(tài)的絡(luò)合物離析出來。
特別優(yōu)選使用處于固體微粒分散體形式的由此離析的晶體粉末，原因在于達到穩(wěn)定的性能。備選地，優(yōu)選使用分別以粉末形式混合還原劑和氫鍵結(jié)合化合物，并且通過使用適宜的分散劑，在砂磨機中分散得到的混合物，由此形成絡(luò)合物。
優(yōu)選在相對于還原劑的1至200摩爾％，更優(yōu)選10至150摩爾％，最更優(yōu)選30至100摩爾％的范圍內(nèi)使用由通式(D)表示的化合物。
(粘合劑的描述)該實施方案用于含有機銀鹽的層的粘合劑可以是任何的聚合物，并且適宜的粘合劑是透明的或半透明的，且通常是無色的。其實例包括天然樹脂；聚合物和共聚物；合成樹脂，聚合物和共聚物；和成膜介質(zhì)；例如明膠，橡膠，聚(乙烯醇)，羥乙基纖維素，乙酸纖維素，乙酸丁酸纖維素，聚(乙烯吡咯烷酮)，酪蛋白，淀粉，聚(丙烯酸)，聚(甲基丙烯酸甲酯)，聚(氯乙烯)，聚(甲基丙烯酸)，苯乙烯-馬來酸酐共聚物，苯乙烯-丙烯腈共聚物，苯乙烯-丁二烯共聚物，聚(乙烯醇縮醛)(例如，聚(乙烯醇縮甲醛)，聚(乙烯醇縮丁醛))，聚(酯)，聚(氨酯)，苯氧基樹脂，聚(偏1，1-二氯乙烯)，聚(環(huán)氧化合物)，聚(碳酸酯，聚(乙酸乙烯酯))，聚(烯烴)，纖維素酯和聚(酰胺)。還可以由水、有機物質(zhì)或乳液通過涂布形成粘合劑。
在該實施方案中，優(yōu)選用于含有機銀鹽的層的粘合劑的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)為10至80℃，更優(yōu)選為20至70℃，并且再更優(yōu)選為23至65℃。
在本說明書中，Tg由下面的等式計算1/Tg＝∑(Xi/Tgi)其中聚合物是通過共聚n種(從i＝1至i＝n)單體化合物得到的，Xi為第i種單體的重量分?jǐn)?shù)(∑Xi＝1)，并且Tgi是第i種單體的均聚物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(絕對溫度)，其中∑表示i＝1至i＝n的總和。
對于提及的每一種單體的均聚物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tgi)的值得自于J.Brandrup和E.H.Immergut，“聚合物Handbook”(3rd edition，Wiley-Interscience(1989))。
可以單獨使用作為粘合劑的聚合物，或者根據(jù)需要，作為其兩種或多種的混合物使用?？梢詫⒁环N玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為20℃或以上的聚合物與另一種玻璃化轉(zhuǎn)變溫度低于20℃的聚合物組合使用。當(dāng)混合使用兩種或多種聚合物時，優(yōu)選其重均Tg在上面所述的范圍內(nèi)。
在該實施方案中，在下面的情況下將會提高性能通過涂布和干燥其溶劑含有30重量％或以上的水的涂布溶液而形成含有機銀鹽的層的情況下；進一步，在含有機銀鹽的層的粘合劑可以溶解或分解在水性溶劑(水溶劑)中的情況下；且特別是在粘合劑是由其在25℃和60％RH下的平衡水分含量為20質(zhì)量％或以上的聚合物膠乳組成的情況下。
在最優(yōu)選的實施方案中，制備含有機銀鹽的層，以便顯示的離子電導(dǎo)率為2.5mS/cm或更低。這種制備方法的實例包括在合成聚合物后，使用分離官能膜的精制處理。
術(shù)語“聚合可以溶解或分散的水性溶劑”此處是指水、或水與70重量％或更少的水混溶性有機溶劑的混合物。
水混溶性有機溶劑的實例包括醇溶劑如甲醇、乙醇和丙醇；溶纖劑如甲基溶纖劑、乙基溶纖劑和丁基溶纖劑；乙酸乙酯；和二甲基甲酰胺。
術(shù)語“在25℃和60％RH下的平衡水分含量”可以表示如下，按聚合物在25℃和60％RH的氣氛中的濕度平衡時的重量W1和聚合物于25℃的烘箱干燥狀態(tài)時的重量W0在25℃和60％RH下的平衡水分含量＝[(W1-W0)/W0]×100(質(zhì)量％)對于水分含量的定義和測量方法，可以參考例如″Kobunshi KogakuKoza 14，Kobunshi Zairyo Shiken Hou，″(edited by Kobunshi Gakkai，ChijinShokan)。
在該實施方案中，粘合劑聚合物于25℃和60％RH下的平衡水分含量優(yōu)選為2質(zhì)量％或以下，更優(yōu)選為0.01至1.5質(zhì)量％，再更優(yōu)選為0.02至1質(zhì)量％。
在該實施方案中，特別優(yōu)選粘合劑為一種可以分散在水性溶劑中的聚合物。分散狀態(tài)的實例包括水不溶性疏水聚合物的微粒以膠乳形式分散的狀態(tài)，和聚合物分子以分子狀態(tài)或通過形成膠束分散的狀態(tài)；這些狀態(tài)的任何一種都是優(yōu)選的。
優(yōu)選分散顆粒的平均顆粒尺寸為約1至50,000nm，更優(yōu)選為約5至1,000nm。對于分散顆粒的顆粒尺寸分布不施加特別限制，其可以是寬的顆粒尺寸分布或單分散性的顆粒尺寸分布。
在該實施方案中，可分散在水性溶劑中的聚合物的優(yōu)選實例包括疏水性聚合物，如丙烯酸聚合物，聚(酯)，橡膠(例如，SBR橡膠)，聚(氨酯)，聚(乙烯醇)，聚(乙烯醇縮醛)，聚(偏1，1-二氯乙烯)和聚(烯烴)。這些聚合物可以是線性聚合物，支化聚合物或交聯(lián)聚合物。它們還可以是單種單體聚合的所謂均聚物，或兩種或多種聚合物聚合的共聚物。共聚物可以是無規(guī)共聚物或嵌段共聚物。
這些聚合物的數(shù)均分子量為5,000至1,000,000，優(yōu)選為10,000至200,000。分子量太低的聚合物提供乳液層不足夠的動態(tài)強度，反之分子量太低的聚合物提供不良的沉積性能，因而是不優(yōu)選的。
聚合物膠乳的優(yōu)選實例包括下列，其中膠乳由開始的單體表示，質(zhì)量％由括號內(nèi)的數(shù)值表示，并且將數(shù)均分子量表示為分子量。在使用多官能單體的情況下，形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)；因此，不能向其應(yīng)用分子量的概念。這種膠乳表示為″交聯(lián)″，且省略其分子量。Tg表示玻璃轉(zhuǎn)變溫度。
P-1-MMA(70)-EA(27)-MAA(3)-膠乳(分子量37,000；Tg 61℃)P-2-MMA(70)-2EHA(20)-St(5)-AA(5)-膠乳(分子量40,000；Tg 59℃)P-3-St(50)-Bu(47)-MAA(3)-膠乳(交聯(lián)；Tg-17℃)P-4-St(68)-Bu(29)-AA(3)-膠乳(交聯(lián)；Tg 17℃)P-5-St(71)-Bu(26)-AA(3)-膠乳(交聯(lián)；Tg 24℃)P-6-St(70)-Bu(27)-IA(3)-膠乳(交聯(lián))P-7-St(75)-Bu(24)-AA(1)-膠乳(交聯(lián)；Tg 29℃)P-8-St(60)-Bu(35)-DVB-(3)-MAA(2)-膠乳(交聯(lián))P-9-St(70)-Bu(25)-DVB-(2)-AA(3)-膠乳(交聯(lián))P-10-VC(50)-MMA(20)-EA(20)-AN(5)-AA(5)-膠乳(分子量80,000)P-11-VDC(85)-MMA(5)-EA(5)-MAA(5)-膠乳(分子量67,000)P-12-Et(90)-MAA(10)-膠乳(分子量12,000)P-13-St(70)-2EHA(27)-AA(3)-膠乳(分子量130,000；Tg 43℃)P-14-MMA(63)-EA(35)-AA(2)-膠乳(分子量33,000；Tg 47℃)
P-15-St(70.5)-Bu(26.5)-AA(3)-膠乳(交聯(lián)；Tg 23℃)P-16-St(69.5)-Bu(27.5)-AA(3)膠乳(交聯(lián)；Tg 20.5℃)P-17；-St(61.3)-異戊二烯(35.5)-AA(3)-膠乳(交聯(lián)；Tg 17℃)P-18；-St(67)-異戊二烯(28)-Bu(2)-AA(3)-膠乳(交聯(lián)；Tg 27℃)用于上述結(jié)構(gòu)的縮寫表示下面的單體MMA；甲基丙烯酸甲酯，EA；丙烯酸乙酯，MAA；甲基丙烯酸，2EHA；丙烯酸2-乙基己酯，St；苯乙烯，Bu；丁二烯，AA；丙烯酸，DVB；二乙烯基苯，VC；氯乙烯，AN；丙烯腈，VDC；偏1，1-二氯乙烯，Et；乙烯，和IA；衣康酸。
上面所述的聚合物膠乳也是可商購的，并且它們中，可以使用下面的聚合物。丙烯酸聚合物的實例包括CEBIANA-4635，4718和4601(都是由Dicel Chemical Industry Co.Ltd.制備的)，和Nipol Lx 811，814，821，820和857(都是由Nippon Zeon Co.制備的)。聚(酯)聚合物的實例包括FINETEX ES 650，611，675和850(都是由Dainippon Ink Chemical Co.制備的)，和WD-size和WMS(都是由Eastman Chemical Co.制備的)。聚(氨酯)的實例包括HYDRAN AP 10，20，30和40(都是由Dai Nippon InkChemical Co.制備的)。橡膠的實例包括LACSTAR 7310K，3307B，4700H和7132C(都是由Dainippon Ink Chemical Co.制備的)，和Nipol Lx 416，410，438C和2507(都是由Nippon Zeon Co.制備的)。聚(氯乙烯)的實例包括G 351和G576(都是由Nippon Zeon Co.制備的)。聚(偏1，1-二氯乙烯)的實例包括L502和L513(都是由Asahi Kasei Industry Co.制備的)。聚(烯烴)的實例包括CHEMIPAL S120和SA100(都是由Mitsui Petrochemical Co.制備的)。
可以單獨使用這些聚合物膠乳，或根據(jù)需要，可以使用其兩種或多種的混合物。
特別優(yōu)選用于該實施方案的聚合物膠乳為苯乙烯-丁二烯共聚物或苯乙烯-異戊二烯共聚物的膠乳。在苯乙烯-丁二烯共聚物中，苯乙烯單體單元與丁二烯單體單元的重量比優(yōu)選為40∶60至95∶5。此外，優(yōu)選苯乙烯單體單元與丁二烯單體單元占聚合物的60至99質(zhì)量％。分子量的優(yōu)選范圍同上述。
用于本發(fā)明的聚合物膠乳優(yōu)選含有丙烯酸或甲基丙烯酸，優(yōu)選其量相對于苯乙烯和丁二烯之和為1至6質(zhì)量％，更優(yōu)選為2至5質(zhì)量％。
優(yōu)選用于本發(fā)明的聚合物膠乳含有丙烯酸。單體含量的優(yōu)選范圍同上述。在苯乙烯-異戊二烯中的共聚物比率等與在苯乙烯-丁二烯共聚物情況下的那些相同。
優(yōu)選用于該實施方案的苯乙烯-丁二烯共聚物膠乳的實例包括上面所述的P-3至P-9，和P-15，和商購的膠乳，如LACSTAR-3307B，7132C，和Nipol Lx416。苯乙烯-異戊二烯共聚物的實例包括上面所述的P-17和P-18。
該實施方案的光熱圖像材料的含有機銀鹽的層可以根據(jù)需要含有親水性聚合物，如明膠，聚乙烯醇，甲基纖維素，羥丙基纖維素和羧甲基纖維素。
優(yōu)選這些親水性聚合物的加入量為結(jié)合在含有機銀鹽的層的粘合劑的總量的30質(zhì)量％或以下，更優(yōu)選20質(zhì)量％或以下。
優(yōu)選通過使用聚合物膠乳作為粘合劑來形成該實施方案的含有機銀鹽的層(即，圖像形成層)。層的粘合劑總量與有機銀鹽的重量比優(yōu)選為1/10至10/1，更優(yōu)選為1/5至4/1。
通常使含有機銀鹽的層加倍作為含光敏鹵化銀的光敏層(乳劑層)。在這種情況下，層的粘合劑總量與鹵化銀鹽的重量比優(yōu)選為400至5，更優(yōu)選為200至10。
在該實施方案中的圖像形成層中的粘合劑的總量為0.2至30g/m2，優(yōu)選為1至15g/m2?？梢栽谠搶嵤┓桨钢械膱D像形成層中加入用于交聯(lián)的交聯(lián)劑，用于改善涂布性能的表面活性劑等。
在該實施方案中，用于有機銀鹽層的涂布溶液的溶劑(為了簡單起見，此處所指的“溶劑”包括分散介質(zhì)在內(nèi))優(yōu)選為含有比例至少為30重量％水的水性溶劑。除水外的溶劑可以任意地選自水混溶的有機溶劑，如甲醇，乙醇，異丙醇，甲基溶纖劑，乙基溶纖劑，二甲基甲酰胺和乙酸乙酯。溶劑的水含量優(yōu)選為50質(zhì)量％或以上，更優(yōu)選為70質(zhì)量％或以上。
優(yōu)選的溶劑組成(所給出的比率為重量比率)包括水100，水/甲醇＝90/10，水/甲醇＝70/30，水/甲醇/二甲基甲酰胺＝80/15/5，水/甲醇/乙基溶纖劑＝85/10/5，和水/甲醇/異丙醇＝85/10/5。
(防霧劑的描述)在該實施方案中，優(yōu)選包括由下面的通式(H)表示的化合物作為防霧劑通式(H)Q-(Y)n-C(Z1)(Z2)X通式(H)中，Q表示烷基，芳基或雜環(huán)基；Y表示二價連接基團；n為0或1；Z1和Z2各自表示鹵原子；且X表示氫原子或受電子基團。
Q表示被受電子基團取代的苯基，優(yōu)選受電子基團的哈米特(Hammett)取代基常數(shù)σp為正值。哈米特取代基常數(shù)描述于例如Journal of MedicinalChemistry，1207-1216，Vol.16，No.11，(1973)。
這種受電子基團的實例包括鹵原子(氟(σp0.06)，氯(σp0.23)，溴(σp0.23)，碘(σp0.18))，三鹵代甲基(三溴甲基((σp0.29)，三氯甲基((σp0.33)，三氟甲基((σp0.54))，氰基((σp0.66)，硝基((σp0.78)，脂族-芳基或雜環(huán)磺?；?例如，甲磺?；?(σp0.72))，脂族-芳基或雜環(huán)酰基(例如，乙酰基((σp0.50)，苯甲?；?(σp0.43))，炔基(例如，C≡CH(σp0.23))，脂族-芳基或雜環(huán)酰基氧羰基(例如，甲氧羰基(σp0.45)，苯氧羰基(σp0.44))，氨基甲酰基(σp0.36)，氨磺?；?σp0.57)，亞砜基，雜環(huán)基，和磷酰基。
優(yōu)選σp值在0.2至2.0范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0.4至1范圍內(nèi)。
受電子基團的優(yōu)選實例包括氨基甲?；?，烷氧羰基，烷基磺?；?，烷基磷?；然?，烷基或芳基羰基，和烷基磷酰基。這些中，特別優(yōu)選氨基甲?；?，，烷氧羰基，烷基磺?；屯榛柞；?，并且最優(yōu)選氨基甲?；?。
X優(yōu)選為受電子基團，更優(yōu)選為鹵原子，脂族-芳基或雜環(huán)磺?；?，脂族-芳基或雜環(huán)?；?，脂族-芳基或雜環(huán)氧羰基，氨基甲?；虬被酋；⑶姨貏e優(yōu)選為鹵原子。
在鹵原子中，優(yōu)選氯、溴和碘，更優(yōu)選其中的氯和溴，并且特別優(yōu)選溴。
Y優(yōu)選表示-C(＝O)-，-SO-，或-SO2-，更優(yōu)選-C(＝O)-or-SO2-，且特別優(yōu)選-SO2-。″n″為0或1，優(yōu)選為1。
由該實施方案的通式(H)表示的化合物的具體實例如下所示，但該實施方案不限此
優(yōu)選圖像形成中每摩爾的非光敏有機銀鹽，由通式(H)表示的化合物的使用量為10-4至0.8摩爾，更優(yōu)選10-3至0.1摩爾，并更優(yōu)選5×10-3至0.05摩爾。
特別是當(dāng)在高含量下使用含有碘化銀的該實施方案的鹵化銀乳劑時，由通式(H)表示的化合物的加入量是獲得滿意的防霧效果的重要因素。因此，最優(yōu)選在5×10-3至0.03摩爾的范圍內(nèi)使用該化合物。
在該實施方案中，將由通式(H)表示的化合物結(jié)合入光敏材料的方法可以在迄今為止涉及結(jié)合還原劑的方法中找到。
由通式(H)表示的化合物的熔點優(yōu)選為200℃或以下，更優(yōu)選170℃或以下。
用于該實施方案的有機多鹵化物的其它實例包括在JP-A-11-65021第0111和0112段中所述的那些。特別優(yōu)選的是由JP-A-11-87297中的式(P)表示的有機鹵化合物，JP-A-10-339934中的通式(II)表示的有機多鹵化合物，和在日本專利申請No.11-205330中所述的有機多鹵化合物。
(其它防霧劑)防霧劑的其它實例包括JP-A-11-65021的第0113段中所述的汞(II)鹽，JP-A-11-65021的第0114段中所述的苯甲酸類，JP-A-2000-206642中所述的水楊酸衍生物，由JP-A-2000-221634的式(S)表示的甲醛清除劑化合物，JP-A-11-352624的權(quán)利要求9所述的三嗪化合物，由JP-A-6-11791的通式(II)表示的化合物，和4-羥基-6-甲基-1，3，3a，7-四氮雜茚(tetrazaindene)。
可以用于該實施方案的防霧劑、穩(wěn)定劑和穩(wěn)定劑前體包括在JP-A-10-62899的第0070段和EP No.0803764A1(第20頁第57行至第21頁第7行)中所述的那些，和在JP-A-9-281637和JP-A-9-329864中所述的那些。
為了防止成霧，該實施方案的光熱圖像材料可以含有吡咯鎓(azolium)鹽。吡咯鎓鹽的實例包括由JP-A-59-193447的式(XI)表示的化合物，JP-A-55-12581中所述的化合物和由JP-A-60-153039的式(II)表示的化合物?？梢詫⑦量╂f鹽加入至光敏材料的任何部分中。但是，優(yōu)選將其加入至具有光敏層的表面上的層中，更優(yōu)選加入至含有機銀鹽的層中。
可以在制備涂布溶液的過程中的任何階段加入吡咯鎓鹽。在向含有機銀鹽的層中加入的情況下，可以在制備有機銀鹽至制備涂布溶液的任何階段加入吡咯鎓鹽，。它們中，優(yōu)選在制備有機銀鹽之后和直接在涂布之前加入?？梢砸匀魏涡问?，包括粉末、溶液和微粒分散體的形式加入吡咯鎓鹽。還可以含有其它添加劑如敏化染料、還原劑或調(diào)色劑的混合溶液的形式加入吡咯鎓鹽。
在該實施方案中，可以以任何量加入吡咯鎓鹽；但是，優(yōu)選以1×10-6至2摩爾/摩爾的銀，更優(yōu)選1×10-3至0.5摩爾/摩爾的銀的量將其加入。
(其它添加劑)1)巰基、二硫化物和硫酮化合物在該實施方案中，可以加入巰基化合物、二硫化物化合物和硫酮化合物，以通過抑制或加強顯影來控制顯影，為了改善光譜敏化效率，或為了改善顯影之前或之后的貯藏穩(wěn)定性。這些化合物的實例包括在JP-A-10-62899第0067至0069段中所述的那些，由JP-A-10-186572的通式(I)表示的化合物和JP-A-10-186572的第0033至0052段中那些為其具體實例，EP No.0803764A1(第20頁第36至56行)的日本專利申請No.11-273670中的化合物。這些中，最優(yōu)選巰基取代的雜芳族化合物。
2)調(diào)色劑(color tone)在該實施方案的光熱圖像材料中，優(yōu)選加入調(diào)色劑。調(diào)色劑的實例包括在JP-A-10-62899的第0054至0055段、EP No.0803764A1(第21頁第23至48行)、JP-A-2000-356317和日本專利申請No.2000-187298中所述的那些。特別優(yōu)選的是酞嗪酮類(phthalazinones)(酞嗪酮、酞嗪酮衍生物及其金屬鹽)；例如，4-(1-萘基)酞嗪酮，6-氯酞嗪酮，5，7-二甲氧基酞嗪酮，和2，3-二氫-1，4-酞嗪二酮)；酞嗪酮和鄰苯二甲酸類(例如，鄰苯二甲酸，4-甲基鄰苯二甲酸，4-硝基鄰苯二甲酸，鄰苯二甲酸二銨，鄰苯二甲酸鈉，鄰苯二甲酸鉀，和四氯鄰苯二甲酸酐)的組合；酞嗪類(酞嗪，酞嗪衍生物及其金屬鹽；例如，4-(1-萘基)酞嗪，6-異丙基酞嗪，6-叔丁基酞嗪，6-氯酞嗪，5，7-二甲氧基酞嗪，和2，3-二氫酞嗪)。當(dāng)與富碘化銀的鹵化銀組合使用時，特別優(yōu)選酞嗪類和鄰苯二甲酸類的組合。
按摩爾的有機銀鹽計，酞嗪類的量為0.01至0.3摩爾，優(yōu)選0.02至0.2摩爾，特別優(yōu)選0.02至0.1摩爾。上面所述的加入量對于顯影加速是一個重要因素，顯影加速是涉及富碘化銀的鹵化銀的問題。因此，當(dāng)選擇適宜的量時，可以達到滿意的顯影性能和低的成霧性。
3)增塑劑和潤滑劑可以用于該實施方案的增塑劑和潤滑劑描述于JP-A-11-65021的第0117段中。潤滑劑描述于JP-A-11-84573的第0061至0064段和JP-A-11-106881的第0049至0062段中。
4)染料(dies)，顏料在該實施方案中，光敏層可以含有多種染料或顏料(例如，CI.顏料藍60，CI顏料藍64，CI.顏料藍15:6)，以改善色調(diào)，抑制通過激光曝光的干涉條紋和防止輻射?？梢栽赪O-98-36322，JP-A-10-268465和JP-A-11-338098等中找到其詳細描述。
5)超高對比度促進劑為了形成適宜用于印刷版的超高對比度的圖像，優(yōu)選在圖像形成層中加入超高對比度促進劑。超高對比度促進劑的描述、它們的加入方法及加入量可以發(fā)現(xiàn)于JP-A-11-223898的第0118段和第0136至0193段中的式(H)，(1)至(3)，(A)和(B)表示的化合物說明，JP-A-11-91652中的式(III)至(V)表示的化合物(具體化合物化學(xué)品第21號至化學(xué)品第24號)的說明。超高對比度促進劑的說明可以在JP-A-11-65021的第0102段、JP-A-11-223898的第0194至0195段中找到。
在將甲酸或甲酸鹽用作強成霧劑的情況下，優(yōu)選將該成霧劑結(jié)合入在具有含光敏鹵化銀的圖像形成層的膠片側(cè)，其量按每摩爾銀計為5毫摩爾或以下，優(yōu)選為1毫摩爾或以下。
在該實施方案的光熱圖像材料包括超高對比度提供劑的情況下，優(yōu)選將該提供劑與通過水合五氯化二磷得到的酸或其鹽組合使用。通過水合五氯化二磷得到的酸及其鹽包括偏磷酸(及其鹽)，焦磷酸(及其鹽)，正磷酸(及其鹽)，三磷酸(及其鹽)，四磷酸(及其鹽)，和六偏磷酸(及其鹽)。作為鹽特別提及的有正磷酸鈉，正磷酸二氫鈉，六偏磷酸鈉和六偏磷酸銨等。
可以根據(jù)敏性和成霧性加入適宜量(即，每m2光敏材料的涂布量)的酸，所述的酸是通過水合五氯化二磷或其鹽得到的；但是，該量優(yōu)選為0.1至500mg/m2，更優(yōu)選0.5至100mg/m2。
(涂布溶液的制備和涂布)在該實施方案中，優(yōu)選為形成圖像形成層制備的涂布溶液的溫度為30至65℃，更優(yōu)選35℃或以上且低于60℃，且特別優(yōu)選35至55℃。在加入聚合物膠乳后，優(yōu)選將圖像形成層涂布溶液保持在30至65℃。
2.層結(jié)構(gòu)和其它組分除光敏層外，該實施方案中的光熱圖像材料還可以具有一層或多層非光敏層。根據(jù)層的安排，可以將非光敏層分類為(a)在圖像形成層上(在離載體更遠的側(cè)上)提供的表面保護層，(b)在多個圖像形成層之間或圖像形成層和保護層之間提供的中間層，(c)在載體和圖像形成層之間提供的底涂層，和(d)在圖像形成層相對側(cè)提供的背面層。
還可以將作為濾光器的層提供作為上面所述的層(a)或(b)。可以在光敏材料上將抗暈層提供作為層(c)或(d)。
1)表面保護層該實施方案的光熱圖像材料可以具有表面保護層，以防止圖像形成層的粘附。表面保護層可以是單層或多層的。表面保護層的說明可以在JP-A-11-65021的第0119至0120段和日本專利申請No.2000-171936中發(fā)現(xiàn)。
在該實施方案中，優(yōu)選將明膠用作表面保護層的粘合劑；但是，也優(yōu)選采用聚乙烯醇(PVA)，單獨或與明膠組合?？梢允褂玫拿髂z實例包括惰性明膠(例如，″Nitta明膠750″)和鄰苯二甲酸化的明膠(例如，″Nitta明膠801″)PVA的實例包括在JP-A-2000-171936的第0009至0020段中所述的那些，并且其優(yōu)選實例包括完全皂化的產(chǎn)品″PVA-105″，部分皂化的產(chǎn)品″PVA-205″和″PVA-335″，和改性聚乙烯醇″MP-203″(商品名，來自KurarayCo.，Ltd.)。
在保護層(每層)中的聚乙烯醇的涂布量(每m2載體)優(yōu)選為0.3至4.0g/m2，更優(yōu)選0.3至2.0g/m2。
在表面保護層中的所有粘合劑(包括水溶性聚合物和膠乳聚合物)的涂布量(每m2載體)優(yōu)選為0.3至5.0g/m2，更優(yōu)選0.3至2.0g/m2。
2)抗暈層該實施方案的光熱圖像材料可以在相對于光敏層的光源對側(cè)上提供抗暈層。抗暈層的說明可以發(fā)現(xiàn)于JP-A-11-65021的第0123至0124段，和JP-A-11-223898，JP-A-9-230531，JP-A-10-36695，JP-A-10-104779，JP-A-11-231457，JP-A-11-352625，JP-A-11-352626等中。
抗暈層含有在曝光波長下具有吸收作用的染料。在曝光波長落在紅外區(qū)域的情況下，可以使用紅外吸收染料，并且在這種情況下，優(yōu)選在可見光區(qū)域沒有吸收作用的染料。
當(dāng)采用在可見光區(qū)域具有吸收作用的染料來防止暈光時，優(yōu)選染料的顏色在圖像形成后基本上不保留。為此，優(yōu)選采用由熱顯影的熱量來脫色的方法，且特別優(yōu)選向非光敏層中加入可熱脫色染料和堿性前體，以賦予作為抗暈層的官能。這些技術(shù)描述于JP-A-11-231457等中。
在為了采用染料的基礎(chǔ)上，確定可脫色染料的量。通常，以這樣的量使用可脫色染料，以便在適宜的波長測量時光密度(吸光率)超過1.0。優(yōu)選光密度為0.2至2。為了達到這樣的光密度，染料量通常為約0.001至1g/m2。
通常染料的脫色，可以將熱顯影后得到的光密度降低至0.1或以下?？梢詫煞N或多種可脫色染料組合使用用于可熱脫色記錄材料或光熱圖像材料中。同樣，可以組合使用兩種或多種堿性前體。
在使用這種可熱脫色染料和堿性前體的熱脫色方法中，考慮到熱脫色性等，優(yōu)選使用如JP-A-11-352626中所公開的物質(zhì)(例如，二苯砜，4-氯苯基(苯基)砜等)，當(dāng)與堿性前體混合時，其可以降低堿性前體的熔點不低于3℃或更多。
3)背層可以用于該實施方案的背層描述于JP-A-11-65021的第0128至0130段中。
在該實施方案中，可以加入吸收峰在300至450nm處的著色劑，以改善銀色調(diào)或圖像隨時間的變化。這種著色劑的實例包括在JP-A-62-210458，JP-A-63-104046，JP-A-63-103235，JP-A-63-208846，JP-A-63-306436，JP-A-63-314535，JP-A-01-61745和日本專利申請No.11-276751中所述的那些。
4)消光劑在該實施方案中，優(yōu)選消光劑在保護層和背層的表面上，以改善運輸。消光劑的說明可以在JP-A-11-65021的第0126至0127中發(fā)現(xiàn)。
按每m2光敏材料的涂布量計，消光劑的量優(yōu)選為1至400mg/m2，且更優(yōu)選為5至300mg/m2。
在乳劑表面上的消光度可以是任何值，只要不發(fā)生星形缺陷(stellatefailures)即可；但是，按貝克(Beck)光滑度計，消光度為30至2,000秒，更優(yōu)選40至1,500秒。可以容易地根據(jù)日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(JIS)P8119，″Paper andboard-Determination of smoothness by Beck method″和TAPPI StandardMethod T479測量貝克光滑度。
在該實施方案中，按貝克(Beck)光滑度計，優(yōu)選背層的消光度為10至1,200秒，更優(yōu)選為20至800秒，且再更優(yōu)選為40至500秒。
在該實施方案中，優(yōu)選將消光劑結(jié)合入最外面的表面層，作為最外面表面層的層，或靠近外表面層的層中，或者優(yōu)選結(jié)合入所謂的保護層的層中。
5)聚合物膠乳在該實施方案中，可以將聚合物膠乳加入至表面保護層或背層中。
聚合物膠乳的說明可以發(fā)現(xiàn)于“Synthetic Resin Emulsion”(由TairaOkuda和Hiroshi Inagaki編輯和由Kobunshi Kankokai出版，1978)；“Application of Syntehic Latex”(由Takaaki Sugimura，Yasuo Kataoka，SoichiSuzuki和Keishi Kasahara編輯和由Kobunshi Kankokai出版，1993)；和“Chemistry of Synthetic Latex”(由Soichi Muroi編輯和由KobunshiKankokai出版，1970)。聚合物膠乳的具體實例包括甲基丙烯酸甲酯(33.5質(zhì)量％)/丙烯酸乙酯(50質(zhì)量％)/甲基丙烯酸(16.5質(zhì)量％)的膠乳共聚物，甲基丙烯酸甲酯(47.5質(zhì)量％)/丁二烯(47.5質(zhì)量％)/衣康酸(5質(zhì)量％)的膠乳聚合物，丙烯酸乙酯/甲基丙烯酸的膠乳共聚合物，甲基丙烯酸甲酯(58.9質(zhì)量％)/丙烯酸2-乙基己酯(25.4質(zhì)量％)/苯乙烯(8.6質(zhì)量％)/甲基丙烯酸2-羥乙酯(5.1質(zhì)量％)/丙烯酸(2.0質(zhì)量％)的膠乳共聚合物，和甲基丙烯酸甲酯(64.0質(zhì)量％)/苯乙烯(9.0質(zhì)量％)丙烯酸丁酯(20.0質(zhì)量％)/甲基丙烯酸2-羥乙酯(5.0質(zhì)量％)/丙烯酸(2.0質(zhì)量％)的膠乳共聚合物。
聚合物膠乳的量優(yōu)選為表面保護層或背層的所有粘合劑(包括水溶性聚合物膠乳聚合物)的10至90質(zhì)量％，且特別優(yōu)選為20至80質(zhì)量％。
6)層表面pH在熱顯影前，該實施方案的光熱圖像材料層表面的pH優(yōu)選為7.0或更低，更優(yōu)選為6.6或更低。對于下限值不施加特別限制，但下限值大約為3。最優(yōu)選的pH為4至6.2。
優(yōu)選將不揮發(fā)的酸如有機酸(例如，鄰苯二甲酸衍生物)或硫酸，或揮發(fā)性堿如氨用調(diào)節(jié)層表面上的pH，以便降低表面上的pH。特別優(yōu)選揮發(fā)性的且在涂布工序或熱顯影前可以除去的氨用來達到表面上低的pH。也優(yōu)選將氨與不揮發(fā)的堿如氫氧化鈉、氫氧化鉀或氫氧化鋰組合使用。測量層表面上的pH方法描述于日本專利申請No.11-87297第0123段中。
7)硬化劑在該實施方案中，可以將硬化劑用于光敏層、保護層和背層中的每一層中。
優(yōu)選硬化劑的說明包括涉及在由T.H.James著的“The Theory of thePhotographic Process”(且Macmillan Publishing Co.，Inc出版，第四版，第77-87頁，1977)中描述的各種方法的那些。除了鉻明礬，優(yōu)選使用2，4-二氯-6-羥基-s-三嗪鈉鹽，N，N-亞乙基-二(乙烯砜乙酰胺)或N，N-亞丙基二(乙烯砜乙酰胺)，在同上第78頁中所述的多價金屬離子；美國專利No.4,281,060和JP-A-6-208193中所述的聚異氰酸酯；美國專利No.4,791,042中所述的環(huán)氧化合物，和JP-A-62-89048中所述的乙烯砜基化合物。
以溶液的形式加入硬化劑。向用于保護層的涂布溶液加入該溶液的時間選擇為涂布前180分鐘至剛好涂布之前，優(yōu)選涂布前60分鐘至10秒。對于混合方法和混合條件不施加特別限制，只要滿意地帶來該實施方案的效果即可。
混合方法的具體實例包括在貯槽中混合鹵化銀和溶液的方法，所述的貯槽是設(shè)計來得到所需要的平均停留時間的，平均停留時間是由加入的流量和涂布器的進料量計算的，或根據(jù)N.Hamby，F(xiàn).Edwards，and A.W.Nienow(由Koji Takahashi翻譯)，″Ekitai Kongo Gijutsu″，Nikkan KogyoShinbun(1989)第8章中所述的使用靜態(tài)混合器的方法。
8)表面活性劑可以用于該實施方案的表面活性劑描述于JP-A-11-65021的第0132段中。
在該實施方案中，優(yōu)選使用氟表面活性劑。氟表面活性劑的具體實例包括描述于JP-A-10-197985，JP-A-2000-19680和JP-A-2000-214554中的化合物。也優(yōu)選描述于JP-A-9-281636中的聚合物氟表面活性劑。在該實施方案中，特別優(yōu)選使用描述于JP-A-2000-206560中的氟表面活性劑。
9)抗靜電劑在該實施方案中，可以采用含有各種已知類型的金屬氧化物或?qū)щ娋酆衔??？轨o電層可以作為底涂層，背表面保護層等。它也可以單獨提供。對于抗靜電層，可以采用的技術(shù)包括在JP-A-11-65021的第0135段，JP-A-56-143430，JP-A-56-143431，JP-A-58-62646，JP-A-56-120519，JP-A-11-84573的第0040至005 1段，美國專利No.5,575,957和JP-A-11-223898的第0078至0084段中所述的那些。
10)載體透明載體優(yōu)選為聚酯，特別優(yōu)選對聚對苯二甲酸乙二醇酯，在其中已經(jīng)施用了在130至185℃溫度范圍內(nèi)的熱處理，以便釋放在雙軸拉伸期間在薄膜中的殘余內(nèi)畸變，由此消除在熱顯影期間產(chǎn)生的熱收縮畸變。
優(yōu)選將聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)用作光熱圖像材料的載體，光熱圖像材料與紫外光發(fā)射屏組合使用，但載體不限于此。根據(jù)該實施方案的聚2，6-萘二甲酸乙二醇酯是指基本上由2，6-萘二甲酸乙二醇酯單元組成的那些。即，在該實施方案中的聚2，6-萘二甲酸乙二醇酯不僅包含未共聚的聚2，6-萘二甲酸乙二醇酯，而且包含由5％或更少的其它組分改性的其它共聚物，和與其它聚合物的混合物或組合物。
可以通過在催化劑的存在下，在適宜的反應(yīng)條件下，聚合萘-2，6-二羧酸或其官能衍生物，和1，2-亞乙基二醇或其官能衍生物來合成聚2，6-萘二甲酸乙二醇酯。但是，根據(jù)該實施方案的聚2，6-萘二甲酸乙二醇酯可以包括在完成聚2，6-萘二甲酸乙二醇酯之前已經(jīng)加入的一種或多種適宜的第三組分(改性劑)以形成共聚物或混合聚酯的那些。適宜的第三組分包括含有兩個酯形成基團的化合物；例如，草酸；己二酸；鄰苯二甲酸；對苯二甲酸；萘-2，7-二羧酸；琥珀酸酯；二羧酸如二苯基醚二羧酸或其低級烷基酯；對-羥苯甲酸；氧羧酸如對-氧乙氧基苯甲酸或其低級烷基酯；二元醇化合物如丙二醇和亞丙基二醇。聚2，6-萘二甲酸乙二醇酯共聚物可以是其羧基或羧基端基被官能化合物所封閉的那些，官能化合物如苯甲酸，苯甲酰苯甲酸，苯偶酰氧基苯甲酸，或甲氧基多亞烷基二醇。另外，它可以通過極少量的三官能或四官能酯形成化合物如甘油(glycelin)或季戊四醇改性的那些中的一種，在此范圍內(nèi)，可以得到基本上線性的共聚物。
在醫(yī)用的光熱圖像材料的情況下，透明載體可以用藍色染料(例如，JP-A-8-240877的實施例中所述的染料1)著色或者是無色的。
載體的具體實例描述于JP-A-11-65021的第0134段中。
向載體上，可以采用底涂技術(shù)，如JP-A-11-84574中所述的水溶液性聚酯，JP-A-10-186565中所述的苯乙烯-丁二烯共聚物，或JP-A-2000-39684和JP-A-11-106881的第0063至0080段中所述的偏1，1-二氯乙烯共聚物。
11)其它添加劑光熱圖像材料可以進一步含有抗氧化劑，穩(wěn)定劑，增塑劑，紫外光吸收劑和涂布助劑。還可以加入JP-A-11-65021的第0133段中所述的溶劑?？梢韵蚬饷魧踊蚍枪饷魧又屑尤脒@些各種添加劑。其詳細描述可以發(fā)現(xiàn)于WO-98-36322，EP-A No.803764A1，JP-A-10-186567，JP-A-10-18568等中。
12)涂布方法在該實施方案中，可以通過任何方法涂布光熱圖像材料。更具體而言，可以使用種種類型的涂布操作中的任何一種，包括擠壓涂布，滑動涂布，幕涂，浸涂，刮涂，和美國專利No.2,681,294中所述使用料斗類型的擠壓涂布。優(yōu)選使用在Stephen F.Kistler，和Peter M.Shweizer，″LIQUID FILMCOATING″，第399至536頁(Chapman & Hall，1997)中所述的擠壓涂布，并且最優(yōu)選使用滑動涂布。
用于滑動涂布的滑動涂布器的形狀實例示于上面所述文獻的第427頁的圖11b.1中。如果需要，可以通過在上面所述文獻的第399至536頁、美國專利No.2,761,791和英國專利No.837,095中所述的方法同時涂布兩層或多層。
根據(jù)該實施方案的含有機銀鹽的層的涂布溶液優(yōu)選為所謂的觸變流體。對于該技術(shù)，可以參考JP-A-11-52509。
優(yōu)選根據(jù)該實施方案有機銀鹽的層的涂布溶液的粘度在0.1S-1剪切速度下為400至100,000mPa.s，更優(yōu)選500至20,000mpa.s。
而且，優(yōu)選粘度在1000S-1剪切速度下為1至200mPa.s，且更優(yōu)選為5至80mPa.s。
13)包裝材料為了抑制在使用前貯存期間照相性能的改變或防止材料在卷攏狀態(tài)下貯存時發(fā)現(xiàn)卷曲或纏繞的趨勢，優(yōu)選用包裝材料將該實施方案的光熱圖像材料以氣密形式包裝，所述的包裝材料顯示低的氧滲透性和/或水分滲透性。優(yōu)選于25℃的氧滲透性為50ml/atm/m2·天或以下，更優(yōu)選為10ml/atm/m2·天或以下，且再更優(yōu)選1.0ml/atm/m2·天或以下。優(yōu)選水滲透性為10g/atm/m2·天或以下，更優(yōu)選為5g/atm/m2·天或以下，且再更優(yōu)選為1g/atm/m2·天或以下。顯示低的氧滲透性和/或水滲透性的包裝材料包括在JP-A-8-254793和JP-A-2000-206653中所述的那些。
14)其它可應(yīng)用的技術(shù)可以用于該實施方案的光熱圖像材料的技術(shù)實例包括在下列專利中所述的那些EP No.803764A1，EP No.883022A1，WO-98-36322，JP-A-56-62648，JP-A-58-62644，JP-A-9-43766，JP-A-9-281637，JP-A-9-297367，JP-A-9-304869，JP-A-9-311405，JP-A-9-329865，JP-A-10-10669，JP-A-10-62899，JP-A-10-69023，JP-A-10-186568，JP-A-10-90823，JP-A-10-171063，JP-A-10-186565，JP-A-10-186567，JP-A-10-186569，JP-A-10-186570，JP-A-10-186571，JP-A-10-186572，JP-A-10-197974，JP-A-10-197982，JP-A-10-197983，JP-A-10-197985，JP-A-10-197986，JP-A-10-197987，JP-A-10-207001，JP-A-10-207004，JP-A-10-221807，JP-A-10-282601，JP-A-10-288823，JP-A-10-288824，JP-A-10-307365，JP-A-10-312038，JP-A-10-339934，JP-A-11-7100，JP-A-11-15105，JP-A-11-24200，JP-A-11-24201，JP-A-11-30832，JP-A-11-84574，JP-A-11-65021，JP-A-11-109547，JP-A-11-125880，JP-A-11-129629，JP-A-11-133536，JP-A-11-133537，JP-A-11-133538，JP-A-11-133539，JP-A-11-133542，JP-A-11-133543，JP-A-11-223898，JP-A-11-352627，JP-A-11-305377，JP-A-11-305378，JP-A-11-305384，JP-A-11-305380，JP-A-11-316435，JP-A-11-327076，JP-A-11-338096，JP-A-11-338098，JP-A-11-338099，JP-A-11-343420，JP-A-2000-187298，JP-A-2001-200414，JP-A-2001-234635，JP-A-2002-20699，JP-A-2001-275471，JP-A-2001-275461，JP-A-2000-313204，JP-A-2001-292844，JP-A-2000-324888，JP-A-2001-293864和JP-A-2001-348546。
15)彩色圖像形成在多色光熱圖像材料的結(jié)構(gòu)中，對于每一種顏色，可以提供兩種層的組合。備選地，如美國專利No.4,708,928所述，可以將所有的組分包含于單一的層中。
在多色光熱圖像材料的情況下，如美國專利No.4,460,681所述，通過功能或非功能阻擋層保持各自的乳劑層彼此分開。
3.圖像形成方法3-1.曝光根據(jù)該實施方案的光熱圖像材料可以是其中圖像形成層只提供在載體一側(cè)上的″單面型″，或其中圖像形成層提供在載體兩側(cè)上的″雙面型″。
(雙面光熱圖像材料)可以優(yōu)選將該實施方案的光熱圖像材料用于使用X-射線增強屏的圖像形成方法。
圖像形成方法優(yōu)選采用其光敏度需要1×10-6至1×10-3瓦.sec/m2，優(yōu)選6×10-6至6×10-4瓦.sec/m2的曝光量的光熱圖像材料，以在將光熱圖像材料曝光至單色光，所述的單色光與輻射增強屏的主發(fā)光峰具有相同的波長且半峰寬度為15±5nm；進行熱顯影；并且除去在曝光對側(cè)上的圖像形成層時，為圖像提供最小密度加0.5的密度。
通過使用光熱圖像材料來形成圖像的圖像形成方法包括以下步驟(a)將光熱圖像材料放置在一對X-射線增強屏之間，以便得到圖像形成組合的步驟；(b)在組合和X-射線發(fā)生器之間放置物體的步驟；(c)向物體上照射X-射線的步驟，X-射線的能級為25至125kVp；(d)從組合中提取光熱圖像材料的步驟；和(e)在90至180℃的范圍內(nèi)加熱提取的光熱圖像材料的步驟。
優(yōu)選制備用于該實施方案組合的鹵化銀照相材料，以便得自于通過圖像階梯式曝光至X-射線和熱顯影得到的圖像顯示下面的特征曲線，涉及的特征曲線規(guī)定于具有光密度(D)和曝光量(log E)的正交坐標(biāo)中，光密度(D)和曝光量(log E)上坐標(biāo)軸中按單位長度計是彼此相等的。具體而言，規(guī)定特征曲線，以便由最小密度(Dmin)加上0.1密度的點和最小密度(Dmin)加上0.5密度的點確定的平均灰度(γ)為0.5至0.9，并且以便由最小密度(Dmin)加上1.2密度的點和最小密度(Dmin)加上1.6密度的點確定的平均灰度(γ)為3.2至4.0。當(dāng)將具有這種特征曲線的光熱圖像材料用于該實施方案的射線照相系統(tǒng)時，可以得到具有極長引線(leg)部分的優(yōu)異特征和在中間密度區(qū)域中高灰度的射線照相圖像。照相特征是有利的，原因在于增強了低密度區(qū)域的描繪性能，如包括低X-射線透光度的縱隔部分和主要的陰影。即使在涉及高X-射線透光度的肺狀區(qū)域的圖像情況下，實現(xiàn)了提高可見度的密度以及良好的對比度。
可以容易地通過例如其中圖像形成層的每一側(cè)包含具有不同敏感性的兩層或多層鹵化銀乳劑層的方法制備具有這種優(yōu)選特征曲線的光熱圖像材料。特別優(yōu)選通過使用在上層的高敏感性乳劑和在下面的低敏感性和高對比度的乳劑來形成圖像形成層。在使用這種包含兩層的圖像形成層的情況下，一層的敏感度為另一層的1.5-至20-倍，優(yōu)選為2-至15-倍。由敏感度的差異和應(yīng)用的乳劑的覆蓋能力確定在每一層中使用的乳劑量之比。通常，所使用的高敏感性乳劑的量隨著敏感度差異的增加而降低。例如，如果一種乳劑是另一種乳劑敏感度的兩倍且它們的覆蓋能力相同，則高敏感性乳劑與低敏感性乳劑之比按銀量計為1∶20至1∶5。
作為減少交叉(對于雙面光敏材料而言)和抗暈(對于單面光敏材料而言)的技術(shù)，可以使用在JP-A-2-68539(第13頁左下欄第1行至第14頁左下欄第9行)中所述的染料和媒染劑。
下面，將詳細描述根據(jù)該實施方案的熒光增強屏(輻射增強屏)。輻射增強屏基本上由載體和在其一側(cè)上形成的熒光體(phosphor)層組成。熒光體層是一種含有分散在粘合劑中的熒光體的層。此外，通常在熒光體層的表面上(載體的對側(cè)上)提供透明保護層，以保護熒光體層不被化學(xué)改性或物理撞擊。
在該實施方案中的優(yōu)選熒光體的具體實例包括下列鎢酸鹽鹽型熒光體(例如，CaWO4，MgWO4，CaWO4:Pb)，鋱活化的稀土金屬硫氧化物型熒光體[例如，Y2O2S:Tb，Gd2O2S:Tb，La2O2S:Tb，(Y，Gd)2O2S:Tb，(Y，Gd)2O2S:Tb，Tm]，鋱活化的稀土元素磷酸鹽型熒光體(例如，YPO4:Tb，GdPo4:Tb，LaPo4:Tb)，鋱活化的稀土元素鹵氧化物型熒光體[例如，LaOBr:Tb，LaOBr:Tb，Tm，LaOCl:Tb，LaOCl:Tb，Tm，LaOBr:Tb，GdOBr:Tb，GdOCl:Tb]，銩活化的稀土元素鹵氧化物型熒光體[例如，LaOBr:Tm，LaOCl:Tm]，硫酸鋇型熒光體[例如，BaSO4:Pb，BaSO4:Eu2+，(Ba，Sr)SO4:Eu2+]，二價銪活化的稀土元素磷酸鹽型熒光體[例如，(Ba2PO4)2:Eu2+，(BaPO4)2:Eu2+]，二價銪活化的堿土金屬鹵化物型熒光體[例如，BaFCl:Eu2+，BaFBr:Eu2+，BaFCl:Eu2+，Tb，BaFBr:Eu2+，Tb，BaF2·BaCl·KCl:Eu2+，(Ba，Mg)F2·BaCl·KCl:Eu2+]，碘化物型熒光體(例如，CsI:Na，CsI:Tl，NaI，KI:Tl)，硫化物型熒光體[例如，ZnS:Ag(Zn，Cd)S:Ag，(Zn，Cd)S:Cu，(Zn，Cd)S:Cu，Al]，磷酸鉿型熒光體(例如，HfP2O7:Cu)，和YTaO4以及已經(jīng)作為發(fā)光中心加入的各種活化劑的那些。但是，用于該實施方案的熒光體不限于此，并且可以使用任何熒光體，只要其在可見光或近紫外區(qū)域通過照射可以顯示光發(fā)射即可。
優(yōu)選用于本發(fā)明的輻射熒光增強屏發(fā)射這樣的光，以便50％或以上的光線的波長為350至420nm。特別地，在輻射熒光增強屏中含有的熒光體優(yōu)選為二價Eu活化的熒光體，更優(yōu)選為二價Eu活化的鹵化鋇熒光體。優(yōu)選發(fā)光波長區(qū)域為360至420nm，更優(yōu)選為370至420nm。此外，更優(yōu)選熒光屏在該區(qū)域發(fā)射70％或以上，且再優(yōu)選85％或以上的光線。
發(fā)射的光線的比率計算如下。通過獲得在相同間隔的反對數(shù)的橫軸上的發(fā)光波長，和在縱軸上的發(fā)射的光子計數(shù)，測量發(fā)射光譜。將通過在由此得到的圖中350至420nm的面積除去整個發(fā)射光譜的面積得到值，規(guī)定為在350至420nm的波長區(qū)域具有光發(fā)射的比率。當(dāng)在該波長下發(fā)射光和使用本發(fā)明的光熱圖像材料，可以獲得高的光敏感性。
由熒光體發(fā)射的大多數(shù)光落入在上面所述的波長范圍內(nèi)。因此，優(yōu)選發(fā)射光的半帶寬窄。該半帶寬優(yōu)選為1至70nm，更優(yōu)選為5至50nm，進一步優(yōu)選為10至40nm。
對于用于本發(fā)明的熒光體不施加特別限制，只要得到上面所述的光發(fā)射即可。但是，優(yōu)選熒光體為其發(fā)射中心為二價Eu的Eu活化的熒光體，以達到改善光敏感性的目的，這是本發(fā)明的目的之一。
這種熒光體的具體實例如下所示，但本發(fā)明不限于此BaFCl:Eu，BaFBr:Eu，BaFI:Eu，及其鹵素組合物，BaSO4:Eu，SrFBr:Eu，SrFCl:Eu，SrFI:Eu，(Sr，Ba)Al2Si2O8:Eu，SrB4O7F:Eu，SrMgP2O7:Eu，Sr3(PO4)2:Eu，Sr4P2O7:Eu等。
更優(yōu)選的熒光體是由通式MX1X2:Eu表示的二價Eu活化的鹵化鋇熒光體，其中Ba是主組分M；但是，可以優(yōu)選含有少量諸如Mg，Ca和Sr的其它化合物。X1和X2可以任意選自F，Cl，Br和I中的鹵原子。優(yōu)選X1為氟。X2可以選自Cl，Br，和I，還可以優(yōu)選使用這些鹵素組合物多于一種的混合物。進一步優(yōu)選X為Br。優(yōu)選作為發(fā)光中心的Eu以相對于Ba10-7至0.1的比例含有。更優(yōu)選，該含量為10-4至0.05。還優(yōu)選混合少量的其它化合物。最優(yōu)選的熒光體包括BaFCl:Eu，BaFBr:Eu和BaFBrl-XIX:EU。
<熒光增強屏>
優(yōu)選熒光增強屏由載體、提供在載體上的底涂層，熒光體層和表面保護層構(gòu)成。
可以如下形成熒光體通過將上面所述的熒光體顆粒分散于含有粘合劑樹脂的溶劑中制備分散體；接著，將分散體直接涂布在載體上(在提供底涂層如光反射層的情況上，在底涂層上)；和干燥涂布的分散體?？梢圆捎孟旅娴膫溥x方法在通過涂布上面所述的分散體并且干燥所涂布的分散體，在單獨制備的臨時載體上形成熒光體薄板；接著，從臨時的載體上剝離熒光體薄板；和通過使用膠粘劑在載體上提供熒光體薄板。
對熒光體顆粒的顆粒尺寸不施加特別限制，其通常為約1至15μm，優(yōu)選為2至10μm。熒光體在熒光體中的體積裝料比率優(yōu)選更高，并且通常為60至85％，優(yōu)選為65至80％，特別優(yōu)選68至75％。(在熒光體中的熒光體顆粒的比率通常為80質(zhì)量％或更高，優(yōu)選為90質(zhì)量％或更高，特別優(yōu)選為95質(zhì)量％或更高)。各種已知的參考文獻描述了用于形成熒光體層的粘合劑樹脂、有機溶劑和各種可任意采用的添加劑。熒光體層的厚度可以根據(jù)目標(biāo)敏感性而適宜地設(shè)置；但是，優(yōu)選在正面的屏幕厚度為70至150μm，且在背面的屏幕厚度為80至400μm。注意，由熒光體顆粒的涂布量決定熒光體層的X-射線吸收率。
熒光體層可以是單層，或兩層或多層，并且優(yōu)選形成一至3層，更優(yōu)選一至兩層。例如，可以層壓含有各種顆粒尺寸和相對窄顆粒尺寸分布的熒光體顆粒的層。在這種情況下，可以采用這樣的安排，以便層靠近載體越近，層的顆粒直徑越小。特別優(yōu)選用大的熒光體顆粒涂布表面保護層側(cè)，且用小的熒光體顆粒涂布載體側(cè)。優(yōu)選小的熒光體顆粒的尺寸為0.5至2.0μm，且優(yōu)選大的熒光體顆粒的尺寸為10至30μm。備選地，可以通過混合不同的顆粒尺寸，來形成熒光體層，或者如JP-A-55-33560(第3頁，左欄第3行至第4頁右欄第39行)所述，可以是具有對于熒光體顆粒具有梯度顆粒尺寸分布的熒光體層。熒光體的顆粒尺寸分布的變異系數(shù)為30至50％；但是，還可以優(yōu)選采用其變異系數(shù)為30％或更低的單分散熒光體顆粒。
對于通過干燥熒光體層來得到對發(fā)光波長優(yōu)選的清晰度進行了嘗試。但是，優(yōu)選設(shè)計該層，以便采用盡可能少的干燥。優(yōu)選熒光體層的吸收長度為100μm或以上，更優(yōu)選為1,000μm或以上。
優(yōu)選設(shè)計散射長度以便為0.1至100μm，更優(yōu)選1至100μm?？梢酝ㄟ^由Kubeluka-Munk理論導(dǎo)出的表達式來計算散射長度和吸收長度，該理論將在后面描述。
可以適宜地根據(jù)目的，從用于已知的輻射增強屏來選擇所采用的載體。例如，優(yōu)選采用含有白色顏料如二氧化鈦或黑色顏料如炭黑的聚合物薄膜?？梢栽谳d體的表面上(在提供熒光體側(cè)的表面上)提供底涂層，如含有光反射材料的光反射層。還優(yōu)選在JP-A-2001-124898中所述的光反射層。尤其是，優(yōu)選采用JP-A-2001-124898的第一和第四實施方案中所述的采用氧化釔的光反射層。至于優(yōu)選的光反射層，參考JP-A-2001-124898(第3部分右欄第15行至第四部分右欄第23行)中的描述。
優(yōu)選在熒光體的表面上提供表面保護層。優(yōu)選在熒光體的主發(fā)光波長下測得的散射波長為5至80μm，更優(yōu)選為10至70μm，特別優(yōu)選為10至60μm。此處所稱的術(shù)語“散射長度”是指光線真是直到其散射時直線傳播的平均距離；其中散射長度越短，光散射越多。吸收長度—其表示光被吸收時傳播的平均空隙(free distance)—是任意的。但是，考慮到屏幕的敏感性，優(yōu)選表面保護層不吸收光線，原因在于這導(dǎo)致光敏性的下降。但是，作為散射不足的補償措施，可以提供具有相當(dāng)?shù)臀章实谋砻姹Ｗo層。優(yōu)選吸收長度為800μm或更長，特別優(yōu)選1,200或更長。通過使用根據(jù)下面的程序得到的測量值，可以通過由Kubeluka-Munk理論導(dǎo)出的表達式來計算散射長度和吸收長度首先，得到具有與目標(biāo)表面保護層相同組成但具有不同厚度的三種或更多種薄膜樣品。接著，測量各自樣品的厚度(μm)和漫透射因數(shù)(％)。漫透射因數(shù)可以通過配備有圓球的分光光度計來測量。本發(fā)明中，通過使用由配備有150(150-0901)的圓球的自動記錄分光光度計(U-3210型；由HITACHI Ltd.制備)來進行測量。在測量中，波長必須與在其上提供目標(biāo)表面保護層的熒光體中含有的熒光體的主發(fā)光波長相一致。接著，將上面的測量中得到的薄膜厚度(μm)和漫透射率(％)代入由Kubeluka-Munk理論導(dǎo)出的下面的等式(A)中。由″Keikotai Handbook，″第403頁，Ohm Publishing，1987所述的等式5.1.12至5.1.15，在給出漫透射率T(％)的邊界條件下，可以容易地導(dǎo)出等式(A)T/100＝4β/[(1+β)2·exp(αd)-(1-β)2·exp(-αd)]...(等式A)，其中T表示漫透射因數(shù)(％)，″d″表示薄膜厚度(μm)，且α和β分別由下面的等式定義α＝[K·(K+2S)]1/2，和β＝[K/(K+2S)1/2.
將三種或更多種薄膜的測量的T(漫透射因數(shù)％)和″d″(薄膜厚度μm)代入上面的等式(A)，由此確定滿足等式(A)的K和S的值。由1/S定義散射長度(μm)，且由1/K定義吸收長度(μm)。
優(yōu)選這樣配置表面保護層，以便光散射顆粒以分散的狀態(tài)包含于樹脂材料中。
光散射顆粒的折射系數(shù)通常為1.6或以上，更優(yōu)選為1.9或以上。光散射顆粒的顆粒尺寸通常為0.1至1.0μm。這種光散射顆粒的實例包括下列的微粒氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、硫化鋅、二氧化鈦、氧化鈮、硫化鋇、碳酸鉛、氧化硅、聚甲基丙烯酸甲酯、苯乙烯和三聚氰胺。
對于用于形成表面保護層的樹脂材料未施加特別限制；但是，優(yōu)選采用聚對苯二甲酸乙二醇酯，聚萘二甲酸乙二醇酯，聚酰胺，芳族聚酰胺(aramid)，氟碳樹脂，聚酯等。表面保護層可以形成如下通過將上面所述的光散射顆粒分散在含有樹脂材料(粘合劑樹脂)的有機溶劑溶液中，制備分散體；接著，將分散體直接涂布在熒光體層上(備選地，通過任意的輔助層)；和干燥涂布的分散體，以便得到表面保護層。備選地，通過膠粘劑的居介，可以在熒光體上提供分開形成的保護層薄膜。表面保護層的厚度通常為2至12μm，優(yōu)選為3.5至10μm。
在下面的專利中給出了用于制備輻射增強屏及其材料的優(yōu)選制備方法的詳細描述JP-A-9-21899(第6頁左欄第47行至第8頁左欄第5行)，和JP-A-6-347598(第2頁右欄第17行至第3頁左欄第33行)和(第3頁左欄第42行至第4頁左欄第22行)。
優(yōu)選用于該實施方案的熒光增強屏包埋具有梯度顆粒結(jié)構(gòu)的熒光體。特別優(yōu)選保護層的表面?zhèn)韧坎加写箢w粒且載體側(cè)涂布有小尺寸顆粒。小顆粒的優(yōu)選尺寸為0.5至2.0μm，且大顆粒的優(yōu)選尺寸為10至30μm。
(單面光熱圖像材料)特別優(yōu)選將該實施方案的單面光熱圖像材料用作X-射線乳房造影術(shù)的光敏材料。
設(shè)計用于上面所述目的的光熱圖像材料特別重要，以便提供具有適宜對比度范圍的圖像。
對于用于X-射線乳房造影術(shù)的光敏材料的優(yōu)選組分要求，可以參考在JP-A-5-45807，JP-A-10-62881，JP-A-10-54900和JP-A-11-109564中的描述。
(與紫外熒光屏的組合)使用該實施方案中的光熱圖像材料的圖像形成方法包括通過與其在400nm或以下具有主峰的熒光體組合使用形成圖像的優(yōu)選方法。更優(yōu)選的方法是通過與其在380nm或以下具有主峰的熒光體組合使用形成實際圖像?？梢詫㈦p面光敏材料或單面材料用作組件。還可以將在JP-A-6-11804和WO-93-01521中所述的屏幕用作其在400nm或以下具有主峰的屏幕；但是，這種屏幕不限于此。作為減少交叉(對于雙面光敏材料而言)和抗暈(對于單面光敏材料而言)的技術(shù)，可以使用在JP-8-78307中所述的技術(shù)。特別優(yōu)選將日本專利申請No.2000-320809所述的染料用作紫外吸收染料。
3-2.熱顯影可以通過任何方法顯影該實施方案的光熱圖像材料，并且一般而言，通過升高成影像曝光的光熱圖像材料的溫度來形成顯影。顯影溫度優(yōu)選為80至250℃，更優(yōu)選100至140℃。
顯影時間優(yōu)選為1至60秒，更優(yōu)選5至30秒，且特別優(yōu)選5至20秒。
除了根據(jù)該實施方案的熱顯影系統(tǒng)外，也可以將板式加熱器方法用作熱顯影系統(tǒng)。在涉及使用板式加熱系統(tǒng)的熱顯影系統(tǒng)中，優(yōu)選JP-A-11-133572中所公開的方法。尤其是，使用一種熱顯影裝置，其中使形成有潛像的光熱圖像材料與加熱單元在熱顯影部分接觸，由此得到可見圖像。熱顯影裝置包括作為加熱單元的板式加熱器和沿著板式加熱器的一個表面安置并且面對板式加熱器的多個擠壓輥，以便通過使光熱圖像材料從壓輥和板式加器之間通過而進行熱顯影。將板式加熱器分為用作加熱階段的二至六個部分，并且優(yōu)選基本上降低尖端部分的溫度約1至10℃。
這種方法還描述于JP-A-54-30032，其中將包含于光熱圖像材料中的水分和有機溶劑排放至系統(tǒng)外面，并且可以防止光熱圖像材料的載體被迅速加熱和變形。
3-3.系統(tǒng)對于配備有曝光單元和熱顯影單元的醫(yī)用激光圖像機(imager)，可以提及Fuji Medical Dry Image型FM-DPL。這種系統(tǒng)的詳細資料描述于FujiMedical Review，No.8，第39至55頁并且可以使用其技術(shù)。此外，可以將該實施方案的光熱圖像材料用作在″AD network″中的激光圖像機中使用的光熱圖像材料，其是由Fuji Medical System作為符合DICOM標(biāo)準(zhǔn)的網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)所提出的。
4.該實施方案的用途根據(jù)該實施方案的光熱圖像材料形成單色銀圖像，因此優(yōu)選用作在醫(yī)療診斷、工業(yè)攝影、印刷和COM(計算機輸出顯微膠片)中使用的光熱圖像材料。
迄今為止描述的光熱圖像材料將由實施例來詳細描述；但是，該光熱圖像材料不限于此。
1.PET載體和底涂層的制備
1-1.薄膜形成由對苯二甲酸和1，1-亞乙基二醇，以通常的方法制備特性粘度(根據(jù)于25℃在苯酚/四氯乙烷＝6/4中測得的)為0.66的PET。將得到的PET造粒，于130℃干燥4小時，用藍色染料(1，4-雙-(2，6-二乙基苯胺蒽醌))染成藍色，從T-模具中擠出并且快速冷卻，因此制備未拉伸的薄膜。
通過使用滾筒在不同的旋轉(zhuǎn)速度下在縱向方向(機器方向)將得到的薄膜拉伸至3.3倍，然后通過使用拉幅機在橫向方向(橫向)拉伸至4.5倍。縱向拉伸和橫向拉伸的溫度分別為110℃至130℃。然后，于240℃將薄膜熱定型20秒，并且在相同的溫度下在橫向松施4％。然后，在釋放拉幅機的卡盤后，將薄膜的兩邊壓花，并且在4kg/cm2的壓力下將薄膜卷起，由此制備厚度為175μm的成卷薄膜。
1-2.表面電暈處理通過使用固態(tài)的電暈放電系統(tǒng)Model 6KVA(由Pillar Technologies制備)，在溫和20m/min的速度下，對載體的兩個表面進行電暈處理。由此時從系統(tǒng)讀出的電流和電壓值，發(fā)現(xiàn)載體已在0.375kV·A·min/m2下經(jīng)過處理。處理的頻率為9.6kHz，并且電極和介電輥之間的間隙為1.6mm。
1-3.底涂布的載體的制備(1)用于底涂層的涂布溶液的制備配方(1)(用于光敏層側(cè)上的底涂層)SnO2/SbO(SnO2∶SbO＝9∶1(按質(zhì)量計)；平均顆粒尺寸0.5μm)17質(zhì)量％分散體84gPesuresin A-520(由TAKAMATSU OIL & FAT Co.，Ltd制備)30質(zhì)量％溶液46.8gVYLONAL MD-1200(由TOYOBO.Co.Ltd.制備)10.4g聚乙二醇單壬基苯基醚(平均環(huán)氧乙烷數(shù)＝8.5)1摩爾％溶液11.0gMP-1000(PMMA聚合物微粒；由Soken Chemical & Engineering Co.，Ltd.制備；平均顆粒尺寸0.4μm)0.91g蒸餾水847ml在以上面所述相同的方式對雙軸拉伸的聚對苯二甲酸乙二醇載體(厚度175μm)的兩個表面進行電暈處理之后，通過使用線棒的其一側(cè)上涂布底涂層的涂布溶液(配方(1))，然后于180℃干燥5分鐘，以提供6.6ml/m2(每個表面)的濕涂布量。然后，對另一側(cè)進行相同的處理，由此制備底涂布的載體。
2.涂層材料的制備1)鹵化銀乳劑(鹵化銀乳劑A的制備)向1421ml蒸餾水中，加入4.3ml的質(zhì)量％碘化鉀，接著再加入3.5ml濃度為0.5摩爾/L的硫酸、36.5g鄰苯二甲酸化(phthalized)的明膠和160ml的5質(zhì)量％2，2′-亞乙基二硫代(ethylenediethio)二乙醇的甲醇溶液。在不銹鋼反應(yīng)器中，攪拌下加熱得到的溶液至75℃的液體溫度，并且在16分鐘內(nèi)，在恒定流速下向其中加入溶液A的全部，溶液A中已經(jīng)用蒸餾水將22.22g的硝酸銀稀釋至218ml，并且在將pAg保持在10.2的同時，通過受控的雙噴嘴方法加入溶液B，溶液B中已經(jīng)用蒸餾水將36.6g碘化鉀稀釋至366ml。接著，加入10ml的3.5質(zhì)量％的過氧化氫水溶液，并且再加入10.8ml的10質(zhì)量％苯并咪唑水溶液。此外，在80分鐘內(nèi)，在恒定速度下加入溶液C，溶液C中已經(jīng)用蒸餾水將51.86g的硝酸銀稀釋至508.2ml。同時，在將pAg保持在10.2的同時，通過受控的雙噴嘴方法加入溶液D，溶液D中已經(jīng)用蒸餾水將63.9g碘化鉀稀釋至639ml。在從加入溶液C和D開始的10分鐘后，加入六氯銥(III)酸鉀(potassiumhexachloroiriddate(III))，以便達到的濃度為1×10-4摩爾/摩爾銀。此外，在完成溶液C的加入5秒鐘之后，加入六氰鐵(II)酸鉀的水溶液，以便達到的濃度為3×10-4摩爾/摩爾銀。然后，用0.5摩爾/L的硫酸調(diào)節(jié)pH至3.8，并且在攪拌停止后，將該溶液進行沉淀/脫鹽水洗步驟。此外，用1摩爾/L的氫氧化鈉調(diào)節(jié)pH至5.9，由此制備pAg為11.0的鹵化銀分散體。
鹵化銀乳劑A由純的碘化銀顆粒組成，其中片狀顆粒投影面積的平均直徑為0.93μm，投影面積直徑的變異系數(shù)為17.7％，平均厚度為0.057μm，且16.3平均縱橫比占總投影面積的80％或以上。當(dāng)量球直徑為0.42μm。X-射線粉末衍射分析顯示30％或以上的碘化銀以γ相結(jié)構(gòu)的形式存在。
《鹵化銀乳劑B的制備》將1摩爾根據(jù)在(鹵化銀乳劑A的制備)中所述制備的片狀顆粒碘化銀乳劑放置于反應(yīng)器中。于38℃測得的pAg為10.2。接著，在20分鐘內(nèi)，以10ml/分鐘的速度加入0.5摩爾/L KBr溶液和0.5摩爾/L AgNO3溶液，由此在AgI基質(zhì)乳劑上基本上取向附生地沉積10摩爾％溴化銀溶液。在操作過程中，將pAg保持在10.2。然后，用0.5摩爾/L的硫酸調(diào)節(jié)pH至3.8，并且在攪拌停止后，將該溶液進行沉淀/脫鹽水洗步驟。此外，用1摩爾/L的氫氧化鈉調(diào)節(jié)pH至5.9，由此制備pAg為11.0的鹵化銀分散體。
在攪拌下保持鹵化銀分散體于38℃時，向其中加入5ml的0.34質(zhì)量％的1，2-苯并異噻唑啉-3-酮的甲醇溶液，并且在40分鐘后，將混合物加熱至47℃。在從進行加熱開始過去20分鐘后，以7.6×10-5/摩爾銀的量加入苯硫代磺酸鈉的甲醇溶液。5分鐘后，以2.9×10-5摩爾/摩爾銀的量加入碲敏化劑C的甲醇溶液，接著熟化91分鐘。然后，加入1.3ml的0.8質(zhì)量％N，N′-二羥基-N″-二乙基三聚氰胺，且在4分鐘后，以4.8×10-3摩爾/摩爾銀的量加入5-甲基-2-巰基苯并咪唑的甲醇溶液、以5.4×10-3摩爾/摩爾銀的量加入1-苯基-2-庚基-5-巰基-1，3，4-三唑的甲醇溶液，和以8.5×10-3摩爾/摩爾銀的量加入1-(3-甲脲基苯基)-5-巰基四唑的水溶液，由此制備鹵化銀乳劑B。
《鹵化銀乳劑B的制備C》向1421ml蒸餾水中，加入8ml的質(zhì)量％碘化鉀，接著再加入4.6g鄰苯二甲酸化的明膠和160ml的5質(zhì)量％2，2′-亞乙基二硫代(ethylenediethio)二乙醇的甲醇溶液。在不銹鋼反應(yīng)器中，攪拌下加熱得到的溶液至75℃的液體溫度，并且在15分鐘22秒內(nèi)，在恒定流速下向其中加入溶液A的全部，溶液A中已經(jīng)用蒸餾水將22.7g的硝酸銀稀釋至223ml，并且在將pAg保持在9.96的同時，通過受控的雙噴嘴方法加入溶液B，溶液B中已經(jīng)用蒸餾水將36.6g碘化鉀稀釋至366ml。接著，加入10ml的3.5質(zhì)量％的過氧化氫水溶液，并且再加入0.8ml的10質(zhì)量％苯并咪唑水溶液。此外，在80分鐘內(nèi)，在恒定速度下加入溶液C，溶液C中已經(jīng)用蒸餾水將53.1g的硝酸銀稀釋至520.2ml。同時，在將pAg保持在9.96的同時，通過受控的雙噴嘴方法加入溶液D，溶液D中已經(jīng)用蒸餾水將63.9g碘化鉀稀釋至639ml。在從加入溶液C和D開始的10分鐘后，立即加入六氯銥(III)酸鉀，以便達到的濃度為1×10-4摩爾/摩爾銀。此外，在完成溶液C的加入5秒鐘之后，加入六氰鐵(II)酸鉀的水溶液，以便達到的濃度為3×10-4摩爾/摩爾銀。然后，用0.5摩爾/L的硫酸調(diào)節(jié)pH至3.8，并且停止攪拌。將該溶液進行沉淀/脫鹽水洗步驟。此外，用1摩爾/L的氫氧化鈉調(diào)節(jié)pH至5.9，由此制備pAg為11.0的鹵化銀分散體。
由此得到的基質(zhì)顆粒為純的碘化銀乳劑，其中片狀顆粒投影面積的平均直徑為1.36μm，投影面積直徑的變異系數(shù)為17.7％，平均厚度為0.113μm，且縱橫比12.0的占總投影面積的80％或以上。當(dāng)量球直徑為0.68μm。X-射線粉末衍射分析顯示15％或以上的碘化銀以γ相結(jié)構(gòu)的形式存在。
<鹵化銀乳劑D的制備>
將1摩爾上面所述的AgI基質(zhì)顆粒放置于反應(yīng)器中。于40℃測得的pAg為9.1。接著，在31分鐘內(nèi)，以28.7ml/分鐘的速度加入含0.88摩爾/LKBr和0.38摩爾/LNaCl的鹵素溶液和0.125摩爾/L的AgNO3溶液，由此在AgI基質(zhì)乳劑的六個角點上基本上取向附生地沉積銀總量為10摩爾％的氯溴化銀溶液。在操作過程中，將pAg保持在7.13。
然后，用0.5摩爾/L的硫酸調(diào)節(jié)pH至3.8，并且在攪拌停止后，將該溶液進行沉淀/脫鹽水洗步驟。此外，用1摩爾/L的氫氧化鈉調(diào)節(jié)pH至5.9，由此制備pAg為11.0的鹵化銀分散體。
取向部分的平均鹵素組成，其是通過在場發(fā)射型分析電子顯微鏡上施用鹵化銀顆粒的取向附生部分的超薄片得到的，如下溴80摩爾％，氯17摩爾％和碘3摩爾％。
在攪拌下保持鹵化銀分散體于38℃時，向其中加入5ml的0.34質(zhì)量％的1，2-苯并異噻唑啉-3-酮的甲醇溶液，并且在40分鐘后，將混合物加熱至60℃。在從進行加熱開始過去20分鐘后，以7.6×10-5/摩爾銀的量加入苯硫代磺酸鈉的甲醇溶液。5分鐘后，以2.9×10-5摩爾/摩爾銀的量加入碲敏化劑C的甲醇溶液，接著熟化91分鐘。然后，加入1.3ml的0.8質(zhì)量％N，N′-二羥基-N″-二乙基三聚氰胺，且在4分鐘后，以4.8×10-3摩爾/摩爾銀的量加入5-甲基-2-巰基苯并咪唑的甲醇溶液、以5.4×10-3摩爾/摩爾銀的量加入1-苯基-2-庚基-5-巰基-1，3，4-三唑的甲醇溶液，和以8.5×10-3摩爾/摩爾銀的量加入1-(3-甲脲基苯基)-5-巰基四唑的水溶液，由此制備具有取向附生鍵(epitaxial bond)的鹵化銀乳劑D。
《用于涂層的乳劑混合物的制備》按銀摩爾比計，將鹵化銀乳劑B和鹵化銀乳劑D以5比1的比例溶化。向其中加入1質(zhì)量％碘化苯并噻唑鎓溶液，以達到7×10-3摩爾/摩爾銀的濃度。
此外，加入可以進行單電子氧化的化合物1、2和3，由此形成其單電子氧化產(chǎn)物，其中單電子氧化產(chǎn)物可以釋放一個或多個電子，以便分別達到2×10-3摩爾/摩爾銀的濃度。
此外，加入具有吸附基團和還原基團的化合物1、2和3，以便分別達到8×10-3摩爾/摩爾銀的濃度。
此外，加入水，以便達到最終的鹵化銀濃度按銀計為15.6g/升涂布用的乳劑混合物。
2)脂肪族酸銀分散體的制備<重結(jié)晶山崳酸的制備>
將100公斤的山崳酸(產(chǎn)品名Edenor C22-85R由Henkel Corp.制備)與1,200kg的異丙醇混合，在通過10μm的過濾器過濾后于50℃溶解，并且冷卻至30℃，由此再結(jié)晶。將再結(jié)晶的冷卻速率控制為30℃/hr。通過離心過濾處理得到的顆粒，通過倒入100kg的異丙醇清洗，然后干燥。當(dāng)將得到的顆粒酯化并且進行GC-FID測量時，發(fā)現(xiàn)山崳酸的含量為96質(zhì)量％，此外，發(fā)現(xiàn)二十四酸的含量為2％，發(fā)現(xiàn)花生酸的的含量為2％，且發(fā)現(xiàn)芥酸的含量0.001％。
<脂肪族酸銀分散體的制備>
混合88kg的重結(jié)晶山崳酸、442L的蒸餾水、49.2L的5摩爾/L濃度的氫氧化鈉水溶液和120L的叔丁醇，然后于75℃攪拌1小時，以引起反應(yīng)，由此提供山崳酸鈉的溶液B。分開地，制備并且于10℃保持206.2L的40.4kg硝酸銀的水溶液(pH4.0)。于30℃保持含有635L蒸餾水和30L叔丁醇的反應(yīng)器，并且在完全攪拌的條件下，在恒定的速度下，在93分鐘15秒的時長和90分鐘的時長內(nèi)，分別向其中加入全部量的山崳酸鈉溶液和全部量的硝酸銀溶液。在該過程中，在開始加入硝酸銀水溶液后的第一個11分鐘時長，只加入硝酸銀水溶液。然后，開始加入山崳酸鈉溶液，并且在硝酸銀水溶液的加入完成之后的14分鐘15秒只加入山崳酸鈉溶液。在該過程期間，控制外面的溫度，以便將反應(yīng)器內(nèi)部的溫度控制在30℃。通過在雙層管的外部中循環(huán)熱水保持進料山崳酸鈉溶液系統(tǒng)的管道溫?zé)?，由此將要進料噴嘴終端的出口液體溫度調(diào)節(jié)至75℃。同時，通過在雙層管的外部中循環(huán)熱水保持進料硝酸銀水溶液系統(tǒng)的管道溫?zé)帷０才偶尤肷綅Ｋ徕c溶液和硝酸銀水溶液的位置相對于攪拌軸對稱。還將該位置安排在避免與反應(yīng)溶液接觸的高度。
在加入山崳酸鈉溶液完成之后，在攪拌下，在該溫度下將混合物攪拌放置20分鐘。然后在30分鐘內(nèi)將反應(yīng)混合物加熱至35℃，接著熟化210分鐘。熟化完成之后，立即通過離心過濾濾掉固體物質(zhì)，并且用水洗滌，直到濾出液的導(dǎo)電率達到30μS/cm。如此，得到脂肪酸銀鹽。不干燥得到的固體物質(zhì)，而作為濕餅貯藏。
通過電子顯微照相術(shù)分析由此得到的山崳酸銀顆粒的形狀。顆粒為具有下面平均尺寸的晶體a＝0.21μm，b＝0.4μm，和＝0.4μm，具有的平均縱橫比為2.1，且平均球當(dāng)量變異系數(shù)為11％(在本說明書中先前定義了a、b和c)。
向與260kg固體等量的濕餅中，加入19.3kg的聚乙烯醇(產(chǎn)品名PVA-217)和水，使總和為1000kg，并且通過使用溶解器的葉片將得到的混合物形成為漿液，并且通過管道混合器(PM-10型由Mizuho KogyouKabushiki Kaisha制造)，進行初步的分散操作。
然后，在將分散器(產(chǎn)品名；Micro-Fluidzer M-610由MicrofluidexInternational Corporation制造，并且具有Z型互作用腔)的壓力調(diào)節(jié)至1,150kg/cm2的同時，將初步分散的貯備溶液處理三次，由此得到山崳酸銀分散體。在冷卻操作中，在互作用腔之前和之后，提供環(huán)形噴熱換熱器。因而，通過調(diào)節(jié)冷卻劑的溫度，將分散體的溫度設(shè)置為18℃。
3)還原劑分散體的制備《還原劑-1分散體的制備》將10kg的水加入至10kg的還原劑-1(1，1-二(2-羥基-3，5-二甲基苯基)-3，5，5-三甲基己烷)和16kg的10摩爾質(zhì)量％的改性聚乙烯醇(PovalMP203由Kuraray Co.，Ltd.制備)的溶液中，并且將得到的混合物強力攪拌，得到漿液。得到的漿液由隔膜泵輸送，并且在裝有平均直徑為0.5mm的氧化鋯珠粒的臥式砂磨機(UVM-2由Aimex，Ltd.制造)中分散，并且在其中處理3小時。然后，加入0.2g的苯并噻唑啉酮鈉鹽和水，以便還原劑的濃度為25質(zhì)量％。將分散體于60℃加熱5小時，由此得到還原劑-1分散體。在由此得到的還原劑分散體中含有的還原劑顆粒的中值粒徑為0.40μm，且最大顆粒直徑為1.4μm或以下。通過孔直徑為3.0μm的聚丙烯過濾器過濾得到的還原劑分散體，以除去雜質(zhì)如灰塵，然后貯藏。
4)氫鍵形成化合物分散體的制備《氫鍵形成化合物-1分散體的制備》將10kg的水加入至10kg氫鍵形成化合物-1(三(4-叔丁基苯基)氧化膦)和16kg的10摩爾質(zhì)量％的改性聚乙烯醇(Poval MP203由Kuraray Co.，Ltd.制備)的溶液中，并且將得到的混合物強力攪拌，得到漿液。得到的漿液由隔膜泵輸送，并且在裝有平均直徑為0.5mm的氧化鋯珠粒的臥式砂磨機(UVM-2由Aimex，Ltd.制造)中分散，并且在其中處理4小時。然后，加入0.2g的苯并噻唑啉酮鈉鹽和水，以便氫鍵形成化合物的濃度為25質(zhì)量％。將分散體于40℃加熱1小時，接著于80℃加熱1小時，得到氫鍵形成化合物-1分散體。在由此得到的氫鍵形成化合物分散體中含有的氫鍵形成化合物顆粒的中值粒徑為0.45μm，且最大顆粒直徑為1.3μm或以下。通過孔直徑為3.0μm的聚丙烯過濾器過濾得到的氫鍵形成化合物分散體，以除去雜質(zhì)如灰塵，然后貯藏。
5)顯影促進劑分散體和色調(diào)控制劑分散體的制備《顯影促進劑-1分散體的制備》將10kg的水加入至10kg顯影促進劑-1和20kg的10摩爾質(zhì)量％的改性聚乙烯醇(Poval MP203由Kuraray Co.，Ltd.制備)的溶液中，并且將得到的混合物強力攪拌，得到漿液。得到的漿液由隔膜泵輸送，并且在裝有平均直徑為0.5mm的氧化鋯珠粒的臥式砂磨機(UVM-2由Aimex，Ltd.制造)中分散，并且在其中處理3小時30分鐘。然后，加入0.2g的苯并噻唑啉酮鈉鹽和水，以便顯影促進劑的濃度為20質(zhì)量％。由此得到顯影促進劑-1分散體。在由此得到的顯影促進劑分散體中含有的顯影促進劑顆粒的中值粒徑為0.48μm，且最大顆粒直徑為1.4μm或以下。通過孔直徑為3.0kg的聚丙烯過濾器過濾得到的顯影促進分散體，以除去雜質(zhì)如灰塵，然后貯藏。
以類似于顯影促進劑-1所采用的方法，得到顯影促進劑2和色調(diào)控制劑-1的分散體，由此分別得到20質(zhì)量％的分散體和15質(zhì)量％的分散體。
6)多鹵化合物分散體的制備《有機多鹵化合物-1分散體的制備》將10kg的有機多鹵化合物-1(三溴甲烷磺酰苯)、10kg的20質(zhì)量％的改性聚乙烯醇(Poval MP203由Kuraray Co.，Ltd.制備)的水溶液、0.4kg的20質(zhì)量％三異丙基萘磺酸鈉的水溶液和14kg的水混合，并且將得到的混合物強力攪拌，得到漿液。得到的漿液由隔膜泵輸送，并且在裝有平均直徑為0.5mm的氧化鋯珠粒的臥式砂磨機(UVM-2由Aimex，Ltd.制造)中分散，并且在其中處理5小時。然后，加入0.2g的苯并噻唑啉酮鈉鹽和水，以便有機多鹵化合物的濃度為30質(zhì)量％，由此得到多鹵化合物-1分散體。在由此得到的有機多鹵化合物分散體中含有的有機多鹵化合物顆粒的中值粒徑為0.41μm，且最大顆粒直徑為2.0μm或以下。通過孔直徑為10.0μm的聚丙烯過濾器過濾得到的有機多鹵化合物分散體，以除去雜質(zhì)如灰塵，然后貯藏。
《有機多鹵化合物-2分散體的制備》將10kg的有機多鹵化合物-2(N-丁基-3-三溴甲烷磺酰苯甲酰胺)、20kg的10質(zhì)量％的改性聚乙烯醇(Poval MP203由Kuraray Co.，Ltd.制備)的水溶液和0.4kg的20質(zhì)量％三異丙基萘磺酸鈉的水溶液混合，并且將得到的混合物強力攪拌，得到漿液。得到的漿液由隔膜泵輸送，并且在裝有平均直徑為0.5mm的氧化鋯珠粒的臥式砂磨機(UVM-2由Aimex，Ltd.制造)中分散，并且在其中處理5小時。然后，加入0.2g的苯并噻唑啉酮鈉鹽和水，以便有機多鹵化合物的濃度為30質(zhì)量％，由此得到多鹵化合物-2分散體。在由此得到的有機多鹵化合物分散體中含有的有機多鹵化合物顆粒的中值粒徑為0.4μm，且最大顆粒直徑為1.3μm或以下。通過孔直徑為3.0μm的聚丙烯過濾器過濾得到的有機多鹵化合物分散體，以除去雜質(zhì)如灰塵，然后貯藏。
7)碘化銀絡(luò)合物形成劑的制備將8kg的改性聚乙烯醇″MP203″加入至174.57kg的水中，接著加入3.15kg的20摩爾質(zhì)量％的三異丙基萘磺酸鈉的水溶液和14.28kg的70摩爾質(zhì)量％的6-異丙基2，3-二氮雜萘的水溶液，由此得到5質(zhì)量％碘化銀絡(luò)合物形成劑化合物的溶液。
8)巰基化合物的制備(巰基化合物的制備)《巰基化合物-1水溶液的制備》將7g的巰基化合物-1(1-(3-磺苯基)-5-巰基四唑鈉鹽)溶解于993g的水中，以制備0.7質(zhì)量％的水溶液。
《巰基化合物-2水溶液的制備》將20g的巰基化合物-2(1-(3-甲基酰脲)-5-巰基四唑鈉鹽)溶解于980g的水中，以制備2.0質(zhì)量％的水溶液。
9-1)SBR膠乳溶液的制備如下制備SBR膠乳溶液(TP-1)向氣體單體反應(yīng)器(TAS-2J型由Taiatu Techno Corp.制造)的聚合釜中，加入287g的蒸餾水、7.73g的表面活性劑(Pionin A-43-S由Takemotooil&fat Co.，Ltd.制備)、14.06ml的1mol/L氫氧化鈉水溶液、0.15g的乙二胺四乙酸鈉、255g的苯乙烯、11.25g的丙烯酸和3.0g的叔十二烷硫醇，然后，以氣密的方式密封反應(yīng)器，并且于200rpm攪拌混合物。通過真空泵抽真空，并且用氮氣沖洗數(shù)次之后，向反應(yīng)器中加入108.75g的1，3-丁二烯，同時將內(nèi)部的溫度升高至60℃。在連續(xù)攪拌5小時下，向混合物中加入在50ml的水中溶解的1.875g過硫酸銨的溶液。在攪拌3小時下，進一步將內(nèi)部的溫度升高至90℃。反應(yīng)完成后，將內(nèi)部溫度降低至室溫，然后用1mol/L的LiOH溶液調(diào)節(jié)pH至8.4。然后，通過孔直徑為1.0μm的聚丙烯過濾器過濾溶液，以除去雜質(zhì)如灰塵，然后貯藏，由此得到774.7g的SBR膠乳TP-1。通常離子色譜測量鹵離子的濃度表明氯離子的濃度為3ppm。通過高速液相色譜測量螯合劑的濃度，發(fā)現(xiàn)為145ppm。
膠乳的平均顆粒直徑為90nm，Tg為17℃，固體濃度為44質(zhì)量％，且在25℃和60％RH下的平衡水分含量為0.6質(zhì)量％，離子導(dǎo)電率為4.80mS/cm(離子導(dǎo)電率是用Toa Denpa Kogyo Co.制造的電導(dǎo)計CM-30S于25℃測量的)。
9-2)異戊二烯膠乳溶液的制備如下制備異戊二烯膠乳溶液(TP-2)向氣體單體反應(yīng)器(TAS-2J型由Taiatu Techno Corp.制造)的聚合釜中，加入1,500g的蒸餾水、并且將水于90℃加熱3小時，由此在聚合釜和不銹鋼攪拌器構(gòu)件的不銹鋼表面上施加鈍化涂層。向進行上述處理的聚合釜中，加入582.28g已經(jīng)用氮氣鼓泡1小時的蒸餾水、9.49g的表面活性劑(Pionin A-43-S由Takemoto oil&fat Co.，Ltd.制備)、19.56ml的1mol/L氫氧化鈉水溶液、0.20g的乙二胺四乙酸鈉、314.99g的苯乙烯、190.87g的異戊二烯、10.43g的丙烯酸和2.09g的叔十二烷硫醇，然后，以氣密的方式密封反應(yīng)器，并且于225rpm攪拌混合物。在連續(xù)攪拌6小時下，向混合物中加入在40ml的水中溶解的2.61g過硫酸銨的溶液。測量固體含量證實，單體對聚合物的轉(zhuǎn)化率此時為90％。此時，加入在46.98ml的水中溶解的5.22g丙烯酸溶液，接著加入10g的水，并且進一步加入在50.7ml的水中溶解的1.30g過硫酸銨的溶液。加入完成后，將混合物加熱至90℃，接著攪拌3小時。反應(yīng)完成后，將內(nèi)部溫度降低至室溫，然后用1mol/L的LiOH溶液調(diào)節(jié)pH至8.4。然后，通過孔直徑為1.0μm的聚丙烯過濾器過濾溶液，以除去雜質(zhì)如灰塵，然后貯藏，由此得到1,248g的異戊二烯膠乳TP-1。通常離子色譜測量鹵離子的濃度表明氯離子的濃度為3ppm。通過高速液相色譜測量螯合劑的濃度，發(fā)現(xiàn)為142ppm。
膠乳的平均顆粒直徑為113nm，Tg為15℃，固體濃度為41.3質(zhì)量％，且在25℃和60％RH下的平衡水分含量為0.4質(zhì)量％，離子導(dǎo)電率為5.23mS/cm(離子導(dǎo)電率是用Toa Denpa Kogyo Co.制造的電導(dǎo)計CM-30S于25℃測量的)。
10)成核劑分散體的制備向10g作為成核劑的化合物No.SH-7中，加入2.5g的聚乙烯醇(PVA-217由Kuraray Co.，Ltd.制備)和87.5g的水，并且完全混合得到的混合物，并且作為漿液放置3小時。接著，將得到的漿液和240g直徑為0.5mm的氧化鋯珠粒放入容器中，并且在分散機(1/4G砂研磨機由AIMEX Corp.制造)中分散10小時，由此制備成核劑的固體微粒分散體。80質(zhì)量％顆粒的顆粒尺寸為0.1μm至1.0μm，且平均顆粒尺寸為0.5μm。
1-3-2.涂布溶液的制備1)用于乳劑層(光敏層)-1的涂布溶液的制備向根據(jù)上面所述制備的1,000g脂肪酸銀分散體和276ml水的混合物中，順序加入有機多鹵化合物-1分散體，有機多鹵化合物-2分散體，2，3-二氮雜萘化合物-1溶液，SBR膠乳(TP-1)溶液，異戊二烯膠乳(TP-2)溶液，還原劑-1分散體，成核劑分散體，氫鍵形成化合物-1分散體，顯影促進劑-1分散體，顯影促進劑-2分散體，顯影促進劑-3分散體，色調(diào)控制劑-1分散體和巰基化合物-2水溶液，接著加入碘化銀絡(luò)合物形成劑。直接在涂布前，加入鹵化銀混合物乳劑，以便按銀量計的濃度為0.22摩爾/摩爾的脂肪酸銀，并且完全攪拌得到的混合物。將得到的用于乳劑層的涂布溶液原樣送至混合物涂布模具，并且用于涂布。
在使用由Tokyo Keiki Kogyo K.K.制造的布氏(Brookfield)粘度計(1號轉(zhuǎn)子，60rpm)的測量中，用于乳劑層的涂布溶液顯示的粘度于40℃為25[mPa·s]。
使用RFS Field Spectrometer(由Rheometrics Far East K.K.制造)于25℃測得的涂布溶液的粘度在0.1、1、10、100和1,000[1/秒]的剪切速率分別為242、65、48、26和20[mPa·s]。
在涂布溶液中的鋯含量為0.52mg/g銀。
2)在乳劑層表面上的夾層涂布溶液的制備向1,000g的聚乙烯醇VA-205(由Kuraray Corp.制備)和4,200ml的19質(zhì)量％的甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯/丙烯酸丁酯/甲基丙烯酸羥乙酯/丙烯酸共聚物(按質(zhì)量計的共聚比＝64/9/20/5/2)膠乳溶液的混合物中，加入27ml的5質(zhì)量％Aerosol OT(由American Cyanamid Company制備)的水溶液、135ml的20質(zhì)量％鄰苯二甲酸二銨的水溶液和水，以制備總計10,000g，同時通過加入NaOH調(diào)節(jié)pH，由此得到夾層涂布溶液。在9.1ml/m2下將得到的涂布溶液送至涂布模具。
用布氏粘度計(1號轉(zhuǎn)子，60rpm)于40℃測得的涂布組合物的粘度為58mPa·s。
3)用于第一保護層涂布溶液的制備將64g的惰性明膠溶解在水中，向其中加入112g的19.0質(zhì)量％的甲基丙烯酸甲/苯乙烯/丙烯酸丁酯/甲基丙烯酸羥乙酯/丙烯酸共聚物(按質(zhì)量計的共聚比＝64/9/20/5/2)膠乳溶液、30ml的15質(zhì)量％鄰苯二甲酸的甲醇溶液、23ml的10質(zhì)量％4-甲基鄰苯二甲酸的水溶液、5ml的5質(zhì)量％Aerosol OT(由American Cyanamid Company制備)的水溶液、0.5g的苯氧基乙醇、0.1g的苯并噻唑啉酮和水，以制備總計750g，由此得到涂布溶液。通過使用靜態(tài)混合器，將得到的涂布溶液與26ml的4質(zhì)量％的鉻明礬直接在使用之前混合。在18.6ml/m2下將得到的涂布溶液送至涂布模具。
用布氏粘度計(1號轉(zhuǎn)子，60rpm)于40℃測得的涂布組合物的粘度為20mPa·s。
4)用于第二保護層涂布溶液的制備將80g的惰性明膠溶解在水中，向其中加入102g的27.5質(zhì)量％的甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯/丙烯酸丁酯/甲基丙烯酸羥乙酯/丙烯酸共聚物(按質(zhì)量計的共聚比＝64/9/20/5/2)膠乳溶液、5.4ml的2質(zhì)量％的氟化表面活性劑(F-1)溶液、5.4ml的2質(zhì)量％的氟化表面活性劑(F-2)溶液、23ml的5質(zhì)量％Aerosol OT(由American Cyanamid Company制備)的水溶液、0.4g的聚甲基丙烯酸甲酯微粒(平均顆粒直徑0.7μm，體積加權(quán)平均分布30％)、1.6g的4-甲基鄰苯二甲酸、4.8g的鄰苯二甲酸、44ml的0.5mol/L濃度的硫酸、10mg的苯并噻唑啉酮和水，以制備總計650g，接著進一步加入含0.67質(zhì)量％鄰苯二甲酸的水溶液，然后直接在涂布之前，通過使用靜態(tài)混合器混合，由此制備保護層的涂布溶液。在8.3ml/m2下將得到的涂布溶液送至涂布模具。
用布氏粘度計(1號轉(zhuǎn)子，60rpm)于40℃測得的涂布組合物的粘度為19mPa·s。
1-4.光熱圖像材料-1的制備在載體的兩側(cè)上，通過滑動珠粒涂布，從底涂面表面給定的名稱，同時涂布圖像形成層、夾層、第一表面保護層和第二表面保護層，由此制備光熱圖像材料樣品1至7。在上面所述的步驟期間，將圖像形成層和夾層的溫度調(diào)節(jié)至31℃，將第一表面保護層的溫度調(diào)節(jié)至36℃，和將第二表面保護層的溫度調(diào)節(jié)至37℃。載體一側(cè)的涂布銀的量，按每一側(cè)載體的脂肪族銀和鹵化銀的總量計，為0.861g/m2；按兩側(cè)計，即整個圖像形成層計，為1.72g/m2。
圖像形成層每一側(cè)的每一種化合物的總涂布量(g/m2)臺下所示脂肪族銀(基于銀)0.686多鹵化合物-10.028多鹵化合物-20.094碘化銀絡(luò)合物形成劑0.46SBR膠乳5.20SBR膠乳(TP-1)2.09異戊二烯膠乳(TP-2)3.13還原劑0.46成核劑-10.036氫鍵形成化合物-10.15顯影促進劑-10.005顯影促進劑-20.035色調(diào)控制劑-10.002巰基化合物-10.001巰基化合物-20.003鹵化銀(基于銀)0.175涂布和干燥的條件如下。
在涂布前，通過離子風(fēng)，使載體去靜電(destatized)。在160m/分速度下進行涂布。將每一種樣品的涂布和干燥條件調(diào)節(jié)至下面的范圍內(nèi)，以便得到最穩(wěn)定的表面條件。
-涂布模具的末端與載體之間的距離設(shè)置為0.10至0.30mm；-將減壓室的壓力設(shè)置為低于大氣壓196至882Pa；-在隨后的急冷區(qū)，用干球溫度為10至20℃的風(fēng)冷卻薄膜；-在無接觸下輸送薄膜，并且用干球溫度為23至45℃和濕球溫度為15至21℃的干燥風(fēng)干燥；-干燥后，在40至60％RH和25℃下調(diào)節(jié)薄膜的水分；-接著，加熱薄膜，以便薄膜表面的溫度為70至90℃，加熱后，將薄膜表面冷卻至25℃。
由此制備的光熱圖像材料的消光度，按貝克光滑度計，為250秒。此外，測量表明，在光敏層側(cè)的層表面中的pH為6.0。
該實施方案實施例中的化合物的化學(xué)結(jié)構(gòu)如下所示碲敏化劑C 能夠進行單電子氧化由此形成其單電子氧化產(chǎn)物的化合物1，其中單電子氧化產(chǎn)物能夠釋放一個或多個電子 能夠進行單電子氧化由此形成其單電子氧化產(chǎn)物的化合物2，其中單電子氧化產(chǎn)物能夠釋放一個或多個電子 能夠進行單電子氧化由此形成其單電子氧化產(chǎn)物的化合物3，其中單電子氧化產(chǎn)物能夠釋放一個或多個電子
含有吸附基團和還原基團的化合物1 含有吸附基團和還原基團的化合物2 含有吸附基團和還原基團的化合物3
(還原劑-1) (氫鍵形成化合物-1) (多鹵化合物-1)
(多鹵化合物-2) (巰基化合物-1) (巰基化合物-2)
(碘化銀絡(luò)合物形成劑) (顯影促進劑-1) (顯影促進劑-2) (色調(diào)控制劑-1)
(照相性能的評估)將得到的樣品切為兩半大小，在25℃和50％RH的環(huán)境下，用下面的包裝材料包裝，并且于室溫貯藏2周。貯藏后，將樣品進行下面的評估。
(包裝材料)碳含量為3％的PET(10μm)/PE(12μm)/鋁箔(9μm)/Ny(15μm)聚乙烯(50μm)，氧滲透率0.02mL/atm·m2·25℃·天，水分滲透率0.10g/atm·m2·25℃·天。
如下評估由此制備的雙面涂布的光敏材料在樣品夾在如下所述的熒光增強屏的中間，由此制選用于圖像形成的組合。通過使用含有鎢靶的X-射線系統(tǒng)DRX-3724HD(由TOSHIBACORPORATION制造)，將該組合進行X-射線照射0.05秒，以進行X-射線感光度測定。允許通過三相脈沖發(fā)生器向裝置施加80kVp的電勢而發(fā)射的X-射線通過其吸收作用約等于人體的7cm厚的水濾光器。將由此得到的X-射線用作光源。通過由距離方法改變X-射線的曝光量，用″log E＝0.15″的步長進行成影像曝光。曝光后，通過本發(fā)明的熱顯影裝置，將該材料進行熱顯影處理。用光密度計評估由此得到的圖像。
<熒光增強屏A的制備>
(1)底涂層的制備以與JP-A-2001-124898中的實施例4中相同的方法，在250μm-厚的聚對苯二甲酸乙二醇酯(即，載體)上形成光反射層，其厚度干燥后為50μm且其是由氧化鋁粉末制成的。
(2)熒光體薄片的制備通過下面的方法制備粘度為25PS(于25℃)的用于形成熒光體層的涂布溶液將250g的BaFbr:Eu熒光體(平均顆粒尺寸3.5μm)；8g的聚氨酯粘合劑樹脂(Pandex T5265M，由DAINIPPON INK ANDCHEMICALS，Inc.制備)；2g的環(huán)氧粘合劑樹脂(Epikote 1001，由JapanEpoxy Resins Co.，Ltd.制備)；和0.5g的異氰酸酯化合物(Colonate HX，由NIPPON POLYURETHANE INDUSTRY Co.，Ltd.制備)加入至甲基乙基酮中，并且通過使用推進式混合器混合。向臨時載體(其上預(yù)選涂布有硅釋放劑的聚對苯二甲酸乙二醇酯)上涂布涂布溶液，并且干燥形成熒光體層。將熒光體從臨時載體剝離，由此得到熒光體薄片。
(3)向光反射層上固定熒光體薄片將根據(jù)上面所述制備的熒光體薄片放置在具有上面的工序(1)中制備的光反射層的載體上，并且于80℃通過砑光輥(calendar roll)在400kgw/cm2的壓力下擠壓，由此將熒光體薄片固定在光反射層上。得到的熒光體層的厚度為125μm，并且在熒光體層中的熒光體的體積裝料比率為68％。
(4)表面保護層的制備在6μm-厚的聚對苯二甲酸乙二醇酯的一側(cè)上涂布聚酯粘合劑，由此以層疊的方式在熒光體上提供表面保護層。因而，如上所述得到由載體、光反射層、熒光體層和表面保護層形成的熒光增強屏A。
(5)發(fā)光特性圖4所示為用X-射線在40kVp下測量熒光增強屏A的發(fā)光光譜。熒光增強屏A顯示光發(fā)射在390nm具有其峰值的窄半帶寬。
同時，在與至今所述的相同條件下，使用兩片X-射線的規(guī)整屏幕HI-SCREEN B3(光發(fā)射峰值波長425nm；將CaWO4和作熒光體)(由FujiPhoto Film Co.，Ltd.制備)，將用于濕式顯影方法的常規(guī)光敏材料RX-U(由Fuji Photo Film Co.，Ltd.制備)進行曝光，然后通過具有處理溶液CE-D1的Auto Processor CEPROS M2(由Fuji Photo Film Co.，Ltd.制造)處理45秒。
將通過使用根據(jù)該實施方案的光熱圖像材料得到照相性能與通過使用濕式顯影方法得到的那些相等比較，發(fā)現(xiàn)具有類似優(yōu)選的性能。
根據(jù)本發(fā)明的熱顯影方法，當(dāng)交替地加熱光敏光熱圖像記錄材料的第一表面和第二表面時，假定將施加給第一表面的總熱量當(dāng)作100，將施加給第二表面的總熱量設(shè)定在100±30的范圍內(nèi)。因此，可以均勻地加熱第一和第二表面。此外，作為交替加熱兩個表面的結(jié)果，可以防止發(fā)生溫度的急劇升高。結(jié)果，即使在其兩面都提供成像層的光敏光熱圖像記錄材料的情形下，防止了卷邊，色調(diào)偏移，和密度差異的出現(xiàn)，由此使兩面能夠均勻熱顯影。因而，可以在使記錄材料的前面和后面之間沒有區(qū)別的條件下，進行光敏光熱圖像記錄材料的顯影。
在本發(fā)明的熱顯影記錄裝置中，交替地提供加熱光敏光熱圖像記錄材料的第一表面的第一加熱單元；和加熱光敏光熱圖像記錄材料的第二表面的第二加熱單元，其中光敏光熱圖像記錄材料的輸送通道插入其間。在從第一和第二表面施加給圖像形成層且等于和高于成像層顯影反應(yīng)溫度的各自總熱量方面，當(dāng)將施加給第一表面的總熱量當(dāng)作100時，將施加給第二表面的總熱量設(shè)置在100±30的范圍內(nèi)。因此，首先加熱光敏光熱圖像記錄材料的第一表面，然后加熱其第二表面。此外，將施加給第二表面的總熱量設(shè)置在相對于施加給第一表面的總熱量的預(yù)定范圍內(nèi)。因此，可以使施加給兩個表面的總熱量基本相等，以便加熱光敏光熱圖像記錄材料的兩個表面可以均勻地進行熱顯影。
根據(jù)本發(fā)明的熱顯影方法，同時加熱光敏光熱圖像記錄材料的第一表面和第二表面。此外，當(dāng)將施加給第一表面的總熱量當(dāng)作100，將施加給第二表面的總熱量設(shè)定在100±30的范圍內(nèi)。可以在短時期內(nèi)和以均勻的方式加熱光敏光熱圖像記錄材料的兩個表面。結(jié)果，即使在其兩面都提供成像層的光敏光熱圖像記錄材料的情形下，防止了色調(diào)偏移和密度差異的出現(xiàn)，所以在兩側(cè)進行均勻的熱顯影成為可能。因而，可以在不關(guān)注光敏光熱記錄材料的前面和后面的條件下，進行光敏光熱圖像記錄材料的顯影。
根據(jù)本發(fā)明的熱顯影裝置，安排加熱為光敏光熱圖像記錄材料一個表面的第一表面的第一加熱單元；和加熱為光敏光熱圖像記錄材料另一表面的第二表面的第二加熱單元，使它們彼此面對，其中光敏光熱圖像記錄材料的輸送通道夾在中間。在從第一和第二表面施加給圖像形成層且等于和高于成像層顯影反應(yīng)溫度的各自總熱量方面，當(dāng)將施加給第一表面的總熱量當(dāng)作100時，將施加給第二表面的總熱量設(shè)置在100±30的范圍內(nèi)。因此，同時加熱光敏光熱圖像記錄材料的第一和第二表面。此外，將施加給第二表面的總熱量設(shè)置在相對于施加給第一表面的總熱量的預(yù)定范圍內(nèi)。因此，可以使施加給光敏光熱圖像記錄材料的兩個表面的總熱量基本相等，由此可以在短時期內(nèi)對兩個表面進行均勻熱顯影。
根據(jù)本發(fā)明的熱顯影方法，當(dāng)通過具有不同接觸面積和由均勻材料形成的各自的加熱單元加熱光敏光熱圖像記錄材料的第一和第二表面時，將施加至第一和第二表面的熱量確定為整數(shù)值之間的比率，該熱量是由對應(yīng)于光敏光熱圖像記錄材料的的顯影反應(yīng)溫度且以上的溫度，和自從達到顯影反應(yīng)溫度或以上所經(jīng)過的時間所導(dǎo)出的，以便當(dāng)將施加于具有較小接觸面積的另一表面的熱量當(dāng)作100時，施加給具有較大接觸面積的表面的熱量假定為80或以下的值。因此，即使當(dāng)由具有不同接觸面積的加熱單元加熱記錄材料的前面和后表面時，可以均勻地加熱兩個表面，由此消除溫度差，并且可以實現(xiàn)相同的顯影效率。結(jié)果，即使在其兩側(cè)上提供有圖像形成層的光敏光熱圖像記錄材料的情況下，在兩個表面上進行均勻的熱顯影成為可能，由此防止了密度差異的出現(xiàn)，并且使卷邊量均勻。
根據(jù)本發(fā)明的熱顯影裝置，安排加熱為光敏光熱圖像記錄材料一個表面的第一表面的第一加熱單元；和加熱為其另一表面的第二表面的第二加熱單元，使它們彼此面對，其中光敏光熱圖像記錄材料的輸送通道插入其間。第二加熱單元的接觸面積與第一加熱單元的不同，但是由均質(zhì)材料形成的。將施加至第一和第二表面的熱量確定為整數(shù)值之間的比率，該熱量是由對應(yīng)于光敏光熱圖像記錄材料的顯影反應(yīng)溫度且以上的溫度，和自從達到顯影反應(yīng)溫度或以上所經(jīng)過的時間所導(dǎo)出的，以便當(dāng)將施加于具有較小接觸面積的另一表面的熱量當(dāng)作100時，施加給具有較大接觸面積的表面的熱量假定為80或以下的值。因此，降低來自于具有大接觸面積的加熱單元的熱量，以便使其小于來自于具有小接觸面積的加熱單元的熱量，由此實現(xiàn)相等的顯影效率。因此，消除溫度差異，兩個表面的均勻加熱稱為可能。結(jié)果，即使在其兩面都提供成像層的光敏光熱圖像記錄材料的情形下，使兩個表面可以均勻熱顯影，防止密度差異的出現(xiàn)并使卷邊量均勻。
在本申請中已經(jīng)要求外國優(yōu)先權(quán)利益的每個外國專利申請的全部公開內(nèi)容結(jié)合于此作為參考，如同其全文列出一樣。
權(quán)利要求
1.一種熱顯影方法，其通過加熱光敏光熱圖像記錄材料，從記錄在所述光敏光熱圖像記錄材料的成像層上的潛像產(chǎn)生圖像，該方法包含加熱第一表面和第二表面，所述第一表面是光敏光熱圖像記錄材料的一個表面，所述第二表面是光敏光熱圖像記錄材料的另一個表面；和在等于和高于所述成像層的顯影反應(yīng)溫度的溫度下，當(dāng)將施加于所述第一表面的第一總熱量當(dāng)作100時，控制施加于所述第二表面的第二總熱量以使其落入100±30的范圍內(nèi)，其中所述第一和第二總熱量分別是從所述第一和第二表面施加于所述成像層的總熱量。
2.按照權(quán)利要求1的熱顯影方法，其中在所述光敏光熱圖像記錄材料的輸送方向的不同位置加熱所述第一表面和第二表面。
3.按照權(quán)利要求2的熱顯影方法，其中所述第一和第二熱總量是從溫度和時間測定的積分，所述溫度等于和高于顯影反應(yīng)溫度，所述時間是從達到顯影反應(yīng)溫度以后經(jīng)過的時間。
4.按照權(quán)利要求2的熱顯影方法，其中包含光敏材料的成像層在所述光敏光熱圖像記錄材料的雙面上形成。
5.按照權(quán)利要求2的熱顯影方法，其中在所述輸送方向的上游位置加熱所述第一和第二表面中的一個，在所述輸送方向的下游位置加熱所述第一和第二表面中的另一個，將上游和下游位置的加熱溫度各自設(shè)定為等于或高于所述光敏光熱圖像記錄材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，并且上游位置的加熱溫度低于下游位置的加熱溫度。
6.按照權(quán)利要求1的熱顯影方法，其中在所述光敏光熱圖像記錄材料的輸送方向在相同位置加熱所述第一表面和第二表面。
7.按照權(quán)利要求6的熱顯影方法，其中所述第一和第二熱總量各自是從溫度和時間測定的積分，所述溫度等于和高于顯影反應(yīng)溫度，所述時間是從達到顯影反應(yīng)溫度以后經(jīng)過的時間。
8.按照權(quán)利要求6的熱顯影方法，其中包含光敏材料的成像層在所述光敏光熱圖像記錄材料的雙面上形成。
9.一種熱顯影方法，其通過加熱光敏光熱圖像記錄材料的兩個表面，從記錄在所述光敏光熱圖像記錄材料的成像層上的潛像產(chǎn)生圖像，該方法包含通過第一加熱單元加熱第一表面，其是光敏光熱圖像記錄材料的一個表面，和通過第二加熱單元加熱第二表面，其是光敏光熱圖像記錄材料的另一個表面，其中第一和第二加熱單元包含共同材料并且其中第一表面和第一加熱單元之間的接觸面積不同于第二表面和第二加熱單元之間的接觸面積，其中當(dāng)將施加于具有較小接觸面積的另一表面的第一熱量當(dāng)作100時，控制施加于第一和第二表面中具有較大接觸面積的一個表面的第二總熱量以使其為80或更小的值，其中第一和第二總熱量分別是從第一和第二表面施加于成像層的總熱量，第一和第二總熱量中的每一個是從以下各項測定的積分(i)溫度，其等于和高于成像層的顯影反應(yīng)溫度，和(ii)從達到顯影反應(yīng)溫度以后經(jīng)過的時間。
10.按照權(quán)利要求9的熱顯影方法，其中包含光敏材料的成像層在所述光敏光熱圖像記錄材料的雙面上形成。
11.一種熱顯影方法，其通過加熱光敏光熱圖像記錄材料的兩個表面，從記錄在光敏光熱圖像記錄材料的成像層上的潛像產(chǎn)生圖像，該方法包含通過第一加熱單元加熱第一表面，其是光敏光熱圖像記錄材料的一個表面，和通過第二加熱單元加熱第二表面，其是光敏光熱圖像記錄材料的另一個表面，其中所述第一和第二加熱單元具有不同的熱導(dǎo)率，且其中第一表面和第一加熱單元之間的接觸面積與第二表面和第二加熱單元之間的接觸面積基本上相同，其中當(dāng)將施加于第一和第二加熱單元中具有較小熱導(dǎo)率的另一單元一側(cè)的另一表面的第一熱量當(dāng)作100時，控制施加于第一和第二表面中的一個表面，即第一和第二加熱單元中具有較高熱導(dǎo)率的一個單元一側(cè)的一個表面的第二總熱量以使其為80或更小的值，其中第一和第二總熱量分別是從第一和第二表面施加于成像層的總熱量，第一和第二總熱量中的每一個是從以下各項測定的積分(i)溫度，其等于和高于成像層的顯影反應(yīng)溫度，和(ii)從達到顯影反應(yīng)溫度以后經(jīng)過的時間。
12.按照權(quán)利要求11的熱顯影方法，其中在所述光敏光熱圖像記錄材料的雙面形成包含光敏材料的成像層。
13.一種熱顯影裝置，其通過加熱光敏光熱圖像記錄材料，從記錄在所述光敏光熱圖像記錄材料的成像層上的潛像產(chǎn)生圖像，成像層由載體兩個表面上的光敏材料組成，該熱顯影裝置包含加熱第一表面的第一加熱單元，所述第一表面是光敏光熱圖像記錄材料的一個表面；和加熱第二表面的第二加熱單元，所述第二表面是光敏光熱圖像記錄材料的另一表面，其中在等于和高于所述成像層顯影反應(yīng)溫度的溫度下，當(dāng)將施加于第一表面的第一總熱量當(dāng)作100時，控制施加于第二表面的第二總熱量以使其落入100±30的范圍，其中所述第一和第二總熱量分別是從第一和第二表面施加于成像層的總熱量。
14.按照權(quán)利要求13的熱顯影裝置，其中所述第一和第二加熱單元交替安置橫過所述光敏光熱圖像記錄材料的通道，所述輸送通道被夾在第一和第二加熱單元之間。
15.按照權(quán)利要求14的熱顯影裝置，其中第一和第二總熱量中的每一個是由下列各項測定的積分溫度，其等于和高于顯影反應(yīng)溫度，和從達到顯影反應(yīng)溫度以后經(jīng)過的時間。
16.按照權(quán)利要求14的熱顯影裝置，其中所述第一和第二加熱單元之間的間隙是100mm或更小。
17.按照權(quán)利要求14的熱顯影裝置，其中設(shè)定下列各項中的至少一項，以使當(dāng)將施加于第一表面的第一總熱量當(dāng)作100時，施加于第二表面的第二總熱量落入100±30的范圍內(nèi)(i)第一和第二加熱單元的加熱溫度和(ii)第一及第二加熱單元和光敏光熱圖像記錄材料之間的接觸長度。
18.按照權(quán)利要求14的熱顯影裝置，其中所述第一和第二加熱單元中的每一個包含板；在將光敏光熱圖像記錄材料壓在板上時旋轉(zhuǎn)的壓輥，并且其中將用作熱源的加熱器結(jié)合到板和壓輥中的至少一個。
19.按照權(quán)利要求14的熱顯影裝置，其中所述第一和第二加熱單元中的每一個包含圓筒形滾筒；和在將光敏光熱圖像記錄材料壓在滾筒的圓周面時旋轉(zhuǎn)的壓輥，其中將用作熱源的加熱器結(jié)合到圓筒形滾筒和壓輥中的至少一個。
20.按照權(quán)利要求14的熱顯影裝置，其中所述第一和第二加熱單元中的每一個包含其中已經(jīng)結(jié)合加熱器以用作熱源的支座；提供以便環(huán)繞支座的環(huán)形帶；和使環(huán)形帶以下列方式旋轉(zhuǎn)的壓輥，其在將環(huán)形帶壓在支座上時旋轉(zhuǎn)。
21.按照權(quán)利要求14的熱顯影裝置，其中沿著光敏光熱圖像記錄材料的輸送通道提供多組裝置，每組包括第一和第二加熱單元。
22.按照權(quán)利要求21的熱顯影裝置，其中以橫過光敏光熱圖像記錄材料輸送通道的交錯安置模式提供所述第一和第二加熱單元，所述輸送通道夾在第一和第二加熱單元之間。
23.按照權(quán)利要求13的熱顯影裝置，其中安置所述第一和第二加熱單元以使其橫過光敏光熱圖像記錄材料的輸送通道彼此相對，所述輸送通道夾在第一和第二加熱單元之間。
24.按照權(quán)利要求23的熱顯影裝置，其中所述第一和第二總熱量中的每一個是由下列各項測定的積分溫度，其等于和高于顯影反應(yīng)溫度，和從達到顯影反應(yīng)溫度以后經(jīng)過的時間。
25.按照權(quán)利要求23的熱顯影裝置，其中所述第一和第二加熱單元中的每一個包含圓筒形滾筒；和在將光敏光熱圖像記錄材料壓在滾筒的圓周面時旋轉(zhuǎn)的壓輥，其中將用作熱源的加熱器結(jié)合到滾筒和壓輥中。
26.按照權(quán)利要求23的熱顯影裝置，其中所述第一和第二加熱單元中的每一個包含圓筒形滾筒；和環(huán)形帶，其在將光敏光熱圖像記錄材料壓在滾筒的圓周面時旋轉(zhuǎn)，其中用作熱源的加熱器結(jié)合在滾筒中；并且用作熱源的加熱器結(jié)合于環(huán)形帶的圓周環(huán)路的內(nèi)部深處。
27.按照權(quán)利要求23的熱顯影裝置，其中所述第一和第二加熱單元中的每一個包含多個輥對，將其安置以便橫過光敏光熱圖像記錄材料的輸送通道彼此相對，所述輸送通道被夾在第一和第二加熱單元之間，其中用作熱源的加熱器結(jié)合在輥對中的每一個中。
28.按照權(quán)利要求23的熱顯影裝置，其中所述第一和第二加熱單元中的每一個包含一對環(huán)形帶，將其安置以便橫過光敏光熱圖像記錄材料的輸送通道彼此相對，所述輸送通道被夾在第一和第二加熱單元之間，用作熱源的加熱器結(jié)合于每個環(huán)形帶的圓周環(huán)路的內(nèi)部深處。
29.按照權(quán)利要求23的熱顯影裝置，其中所述第一和第二加熱單元中的每一個包含板；在將光敏光熱圖像記錄材料壓在板上時旋轉(zhuǎn)的滾筒，其中將用作熱源的加熱器結(jié)合到板和滾筒中。
30.按照權(quán)利要求23的熱顯影裝置，其中所述第一和第二加熱單元中的每一個包含圍繞一對轉(zhuǎn)輥的環(huán)形帶；和多個壓輥，其在將光敏光熱圖像記錄材料壓在環(huán)形帶上時旋轉(zhuǎn)，其中將用作熱源的加熱器結(jié)合到環(huán)形帶圓周環(huán)路的內(nèi)部深處，并且用作熱源的加熱器結(jié)合于每個壓輥中。
31.一種熱顯影裝置，其通過加熱光敏光熱圖像記錄材料的兩個表面，從記錄在光敏光熱圖像記錄材料的成像層上的潛像產(chǎn)生圖像，該裝置包含加熱第一表面的第一加熱單元，所述第一表面是光敏光熱圖像記錄材料的一個表面；和加熱第二表面的第二加熱單元，所述第二表面是光敏光熱圖像記錄材料的另一表面，其中所述第一和第二加熱單元包含共同材料；其中第一表面和第一加熱單元之間的接觸面積不同于第二表面和第二加熱單元之間的接觸面積；其中安置第一和第二加熱單元以使其橫過光敏光熱圖像記錄材料的輸送通道彼此相對，所述輸送通道被夾在第一和第二加熱單元之間；和其中當(dāng)將施加于具有較小接觸面積的另一表面的第一熱量當(dāng)作100時，將施加于第一和第二表面中的具有較大接觸面積的一個表面的第二總熱量設(shè)定為80或更小的值，其中第一和第二總熱量分別是從第一和第二表面施加于成像層的總熱量，第一和第二總熱量中的每一個是從以下各項測定的積分(i)溫度，其等于和高于成像層的顯影反應(yīng)溫度，和(ii)從達到顯影反應(yīng)溫度以后經(jīng)過的時間。
32.一種熱顯影裝置，其通過加熱光敏光熱圖像記錄材料的兩個表面，從記錄在光敏光熱圖像記錄材料的成像層上的潛像產(chǎn)生圖像，該裝置包含加熱第一表面的第一加熱單元，所述第一表面是光敏光熱圖像記錄材料的一個表面；和加熱第二表面的第二加熱單元，所述第二表面是光敏光熱圖像記錄材料的另一表面，其中第一和第二加熱單元具有不同的熱導(dǎo)率；其中第一表面和第一加熱單元之間的接觸面積與第二表面和第二加熱單元之間的接觸面積基本上相同；其中安置第一和第二加熱單元以使其橫過光敏光熱圖像記錄材料的輸送通道彼此相對，輸送通道被夾在第一和第二加熱單元之間；和其中當(dāng)將施加于第一和第二加熱單元中具有較小熱導(dǎo)率的另一單元一側(cè)的另一表面的第一熱量當(dāng)作100時，控制施加于第一和第二表面中的一個表面，即第一和第二加熱單元中具有較高熱導(dǎo)率的一個單元一側(cè)的一個表面的第二總熱量以使其為80或更小的值，其中第一和第二總熱量分別是從第一和第二表面施加于成像層的總熱量，第一和第二總熱量中的每一個是從以下各項測定的積分(i)溫度，其等于和高于成像層的顯影反應(yīng)溫度，和(ii)從達到顯影反應(yīng)溫度以后經(jīng)過的時間。
33.按照權(quán)利要求31的熱顯影裝置，其中所述第一和第二加熱單元中的每一個包含圓筒形滾筒；和壓輥，其在將光敏光熱圖像記錄材料壓在滾筒圓周面的同時旋轉(zhuǎn)，并且其中用作熱源的加熱器結(jié)合于滾筒和壓輥中。
34.按照權(quán)利要求31的熱顯影裝置，其中所述第一和第二加熱單元中的每一個包含板；滾筒，其在將光敏光熱圖像記錄材料壓在板上的同時旋轉(zhuǎn)，并且其中用作熱源的加熱器結(jié)合于板和滾筒中。
35.按照權(quán)利要求31的熱顯影裝置，其中所述第一和第二加熱單元中的每一個包含圍繞一對轉(zhuǎn)輥的環(huán)形帶；多個壓輥，其在將光敏光熱圖像記錄材料壓在環(huán)形帶上的同時旋轉(zhuǎn)，并且其中用作熱源的加熱器結(jié)合于環(huán)形帶圓周環(huán)路的內(nèi)部深處，并且用作熱源的加熱器結(jié)合于每個壓輥中。
36.按照權(quán)利要求32的熱顯影裝置，其中所述第一和第二加熱單元中的每一個包含多個輥對，將其安置以橫過光敏光熱圖像記錄材料的輸送通道彼此相對，所述輸送通道夾在第一和第二加熱單元之間，其中用作熱源的加熱器結(jié)合于每個輥對中。
37.按照權(quán)利要求32的熱顯影裝置，其中所述第一和第二加熱單元中的每一個包含一對環(huán)形帶，將其安置以橫過光敏光熱圖像記錄材料的輸送通道彼此相對，所述輸送通道夾在第一和第二加熱單元之間；其中將用作熱源的加熱器結(jié)合到每個環(huán)形帶圓周環(huán)路的內(nèi)部深處。
全文摘要
在通過加熱光敏光熱圖像記錄材料，從記錄在光敏光熱圖像記錄材料的成像層上的潛像產(chǎn)生圖像的熱顯影方法中，加熱第一表面(其是光敏光熱圖像記錄材料A的一個表面)和第二表面(其是它另一個表面)；并且關(guān)于從第一和第二表面施加于成像層的各自總熱量，當(dāng)將施加于第一表面的總熱量當(dāng)作100時，控制施加于第二表面的總熱量以使其落入100±30的范圍內(nèi)，并且等于和高于顯影反應(yīng)溫度。
文檔編號G03G15/06GK1591224SQ20041007483
公開日2005年3月9日 申請日期2004年8月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月29日
發(fā)明者岡田宏一 申請人:富士膠片株式會社