專(zhuān)利名稱(chēng)：光纖、光纖模塊和喇曼放大器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及適合于高速光通信的光纖、光纖模塊和喇曼放大器。
背景技術(shù)：
近年來(lái)喇曼放大器可以在希望的波長(zhǎng)帶寬放大，而且作為在100nm的寬的波長(zhǎng)帶區(qū)域也能實(shí)現(xiàn)增益的放大器被關(guān)注。在這種喇曼放大器的放大介質(zhì)中使用的光纖是石英基體的無(wú)論何種光纖都能適用，但作為集中型喇曼放大器一般是使用喇曼增益效率(GR/Aeff＝喇曼增益系數(shù)/有效芯斷面積)6.5以上的光纖，用500mW左右的激勵(lì)光得到20dB以上的增益。
但該現(xiàn)有的光纖盡管用500mW左右的激勵(lì)光得到20dB以上的放大，但同時(shí)也產(chǎn)生大的非線(xiàn)性相移，有由于信號(hào)光的波形惡化而通信質(zhì)量降低的問(wèn)題，是阻礙高速光通訊的的一主要因素。
在此，長(zhǎng)度L的光纖中信號(hào)光的非線(xiàn)性相移用下式表示。
ΔΦNL(L)=2πn2λSAeff∫0LPS(z)dz]]>Ps是信號(hào)光功率，λs是信號(hào)光波長(zhǎng)，n2是光纖的非線(xiàn)性折射率，Aeff是光纖的有效芯斷面積，(2π/λs)·(n2/Aeff)是光纖的非線(xiàn)性參數(shù)γ。非線(xiàn)性光學(xué)現(xiàn)象的自身相位調(diào)制和相互相位調(diào)制等根據(jù)上式是光纖的非線(xiàn)性參數(shù)γ越大越容易發(fā)生。非線(xiàn)性參數(shù)γ((2π/λs)·(n2/Aeff))對(duì)喇曼增益效率(GR/Aeff)是成比例地變大，所以當(dāng)為了提高喇曼放大器的效率而增大高非線(xiàn)性光纖的喇曼增益效率時(shí)，非線(xiàn)性參數(shù)γ也增大，就發(fā)生大的非線(xiàn)性相移。
換言之，非線(xiàn)性相移是模場(chǎng)直徑MFD(Aeff)越小越容易發(fā)生，而且是光纖中心芯的鍺濃度越高越容易發(fā)生，喇曼放大大的光纖一般地非線(xiàn)性折射率n2大，所以在得到大的喇曼放大的同時(shí)也發(fā)生大的非線(xiàn)性相移。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述而開(kāi)發(fā)的，其目的在于提供一種在抑制非線(xiàn)性相移的同時(shí)能得到足夠喇曼放大的光纖、光纖模塊和喇曼放大器。
為達(dá)到所述目的，本發(fā)明的光纖其喇曼增益系數(shù)對(duì)有效芯斷面積的比，即喇曼增益效率是4以上，非線(xiàn)性參數(shù)γ對(duì)所述喇曼增益效率的比是3以下。
本發(fā)明的光纖在所述發(fā)明中其波長(zhǎng)1550nm的有效芯斷面積對(duì)波長(zhǎng)1450nm的有效芯斷面積的比是1.2以上。
本發(fā)明的光纖在所述發(fā)明中其波長(zhǎng)1450nm的有效芯斷面積是9.0μm2以下，且其波長(zhǎng)1550nm的有效芯斷面積是11.0μm2以上。
本發(fā)明的光纖在所述發(fā)明中其喇曼增益效率是6.5以上，其非線(xiàn)性參數(shù)的值是20以下。
本發(fā)明的光纖在所述發(fā)明中其模場(chǎng)直徑大致在10μm以上，且其具備設(shè)置在連接于該光纖上的單模光纖與該光纖的輸入端和/或輸出端之間進(jìn)行變換模場(chǎng)直徑的連接裝置。
本發(fā)明的光纖模塊具備所述光纖。
本發(fā)明的喇曼放大器具備所述光纖模塊。


圖1是表示本發(fā)明實(shí)施例喇曼放大器結(jié)構(gòu)的方塊圖；圖2是表示圖1所示的喇曼放大器中使用的放大用光纖折射率曲線(xiàn)圖；圖3是表示圖1所示的喇曼放大器中使用的放大用光纖的一例和現(xiàn)有放大用光纖特性的圖；圖4是表示傳播折射率的比與有效芯斷面積的比的關(guān)系的圖；圖5是表示傳播折射率與有效芯斷面積的芯徑依賴(lài)性的圖；圖6是表示傳播折射率的比的芯徑依賴(lài)性的圖；圖7是表示圖1所示的喇曼放大器中使用的放大用光纖其他折射率曲線(xiàn)圖；圖8是表示圖7所示的放大用光纖特性的圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照

本發(fā)明的實(shí)施例。圖1是表示本發(fā)明實(shí)施例喇曼放大器結(jié)構(gòu)的方塊圖。該喇曼放大器1是集中型的喇曼放大器，其具有光纖模塊2。信號(hào)光輸入端子Tin通過(guò)光連接器3a和隔離器4a連接在光纖模塊2上。光纖模塊2通過(guò)隔離器4b和光連接器3b把放大了的信號(hào)光連接在輸出端子Tout上。光連接器3b與激勵(lì)激光器5連接，并把來(lái)自該激勵(lì)激光器5激勵(lì)光輸出到光纖模塊2一側(cè)。
光纖模塊2具有卷繞在骨架上的后述的放大用光纖2a，并且在各隔離器4a、4b側(cè)的單模光纖(SMF)光纖2b與放大用光纖2a之間具有進(jìn)行變換模場(chǎng)直徑用的變換部2c。單模光纖的模場(chǎng)直徑是約10μm左右，放大用光纖2a的模場(chǎng)直徑是約4μm左右。
從端子Tin輸入的信號(hào)光通過(guò)光連接器3a和隔離器4a輸入到光纖模塊2內(nèi)的放大用光纖2a。放大用光纖2a通過(guò)從激勵(lì)激光器5輸入的激勵(lì)光把放大用光纖2a內(nèi)變成能放大的狀態(tài)，并把輸入的信號(hào)光放大，然后通過(guò)隔離器4b和光連接器3b從端子Tout輸出。
圖2表示放大用光纖2a的折射率曲線(xiàn)圖。該放大用光纖2a具有所謂的W型曲線(xiàn)圖，在中心部具有α型的折射率分布，具有比包層高的折射率的第一芯區(qū)域，在其外周具有比包層低的折射率的第二芯區(qū)域。第一芯區(qū)域的徑是“a”，第二芯區(qū)域的徑是“b”。包層區(qū)域與第一芯區(qū)域折射率的差是“Δ1”，包層區(qū)域與第二芯區(qū)域折射率的差是“Δ2”。包層一般來(lái)說(shuō)實(shí)際上是由純石英構(gòu)成，但也可以摻雜氟。
圖3是表示各種放大用光纖2a特性的圖，“A”～“D”的放大用光纖是該實(shí)施例的光纖，“E”和“F”的放大用光纖是用于比較的現(xiàn)有光纖。圖3中表示了對(duì)各放大用光纖“A”～“F”的折射率差Δ1、Δ2，第一芯徑a對(duì)第二芯徑b的比a/b，波長(zhǎng)1550nm的傳送損失，截止波長(zhǎng)λc，喇曼增益效率(GR/Aeff)，非線(xiàn)性參數(shù)γ(＝(2π/λs)·(n2/Aeff))，1550nm(信號(hào)光)和1450nm(激勵(lì)光)中的有效芯斷面積Aeff，波長(zhǎng)1550nm的有效芯斷面積Aeff對(duì)1450nm的有效芯斷面積Aeff的比，和對(duì)喇曼增益效率(GR/Aeff)的非線(xiàn)性參數(shù)γ，的各值。
在此，所說(shuō)的截止波長(zhǎng)λc是指ITU-T(國(guó)際電氣通信聯(lián)合會(huì))G.650中定義的光纖截止波長(zhǎng)λc。另外，本說(shuō)明書(shū)中沒(méi)有特別定義的用語(yǔ)則依從ITU-T G.650.1中的定義和測(cè)量方法。
這些光纖所有的包層實(shí)際上是由純石英構(gòu)成的。
如圖3所示，該實(shí)施例的放大用光纖“A”～“D”其各自的喇曼增益效率(GR/Aeff)在4(m/W)以上，非線(xiàn)性參數(shù)γ對(duì)喇曼增益效率(GR/Aeff)的比在3以下。波長(zhǎng)1550nm的有效芯斷面積Aeff對(duì)1450nm的有效芯斷面積Aeff的比在1.2以上。波長(zhǎng)1450nm的有效芯斷面積Aeff是9.0μm2以下，波長(zhǎng)1550nm的有效芯斷面積Aeff是11.0μm2以上。
現(xiàn)有的放大用光纖“E”的喇曼增益效率(GR/Aeff)與放大用光纖“A”～“D”的喇曼增益效率(GR/Aeff)相比雖然大，但是隨著該增大的部分，放大用光纖“E”的非線(xiàn)性參數(shù)γ的值也大，成為非線(xiàn)性相移容易發(fā)生的狀態(tài)。與此相反，放大用光纖“A”～“D”抑制了喇曼增益效率(GR/Aeff)，非線(xiàn)性參數(shù)γ變小，抑制了非線(xiàn)性相移的發(fā)生。
實(shí)際上是把放大用光纖“D”作為放大用光纖2a使用來(lái)構(gòu)成圖1所示的喇曼放大器。能實(shí)現(xiàn)把500mW的1450nm激勵(lì)光射入時(shí)可得到約20dB網(wǎng)增益的喇曼放大器。通過(guò)把由變換部2c引起的連接損失抑制在0.1dB，能提高喇曼放大器1整體的特性。
在此，由使用了放大用光纖“D”的喇曼放大器1產(chǎn)生的20dB網(wǎng)增益一般來(lái)說(shuō)對(duì)彌補(bǔ)80km傳送路的損失是足夠的增益。相反地，使用了現(xiàn)有放大用光纖“E”的喇曼放大器的情況是用440mW的激勵(lì)光能確認(rèn)有足夠的增益，但信號(hào)光的非線(xiàn)性失真大。使用了放大用光纖“D”時(shí)的非線(xiàn)性失真與使用了放大用光纖“E”時(shí)的非線(xiàn)性失真相比減少了15％。這是具有足夠喇曼增益效率(GR/Aeff)的同時(shí)還能降低非線(xiàn)性參數(shù)γ的效果。相對(duì)于非線(xiàn)性參數(shù)γ依賴(lài)于信號(hào)帶的有效芯斷面積Aeff來(lái)說(shuō)，喇曼增益效率(GR/Aeff)依賴(lài)于信號(hào)帶的有效芯斷面積Aeff與激勵(lì)帶的有效芯斷面積Aeff的相互作用。即之所以能得到上述那樣的效果是只有把信號(hào)帶的有效芯斷面積Aeff對(duì)激勵(lì)帶的有效芯斷面積Aeff的比設(shè)定在1.2倍以上的緣故。
放大用光纖“A”～“C”的喇曼增益效率(GR/Aeff)不到6.5，為了得到20dB的網(wǎng)增益就需要700mW的大功率激勵(lì)。但非線(xiàn)性相移量與放大用光纖“D”是同等的，只要能實(shí)現(xiàn)便宜的大功率激光器，其就是十分現(xiàn)實(shí)的。相反，現(xiàn)有的放大用光纖“F”其原來(lái)的非線(xiàn)性參數(shù)γ就大，所以即使進(jìn)行大功率激勵(lì)，非線(xiàn)性相移也大，使用困難。
在此匯總一下所述實(shí)施例的考慮方法。首先，非線(xiàn)性相移取決于信號(hào)帶的非線(xiàn)性折射率n2和有效芯斷面積Aeff，喇曼放大取決于喇曼增益效率(GR/Aeff)。激勵(lì)光輸出能通過(guò)提高激勵(lì)激光器而變大。但超過(guò)1W的，在安全性上有問(wèn)題，不能作為分布喇曼放大的用途使用。集中喇曼放大中激勵(lì)光不向喇曼放大器1的模塊外部泄露，所以考慮不太有問(wèn)題。但在分布喇曼放大中不使用的大功率激勵(lì)激光器考慮其有特殊用途，在現(xiàn)時(shí)刻不能預(yù)見(jiàn)其成本降低。因此作為集中喇曼放大器1的放大用光纖2a就希望用800mW左右的激勵(lì)光能得到足夠放大的喇曼增益效率。為了構(gòu)成得到20dB放大的集中喇曼放大器，就必須有4(m/W)的喇曼增益效率。
如上所述，作為喇曼放大器中的問(wèn)題是非線(xiàn)性相移。非線(xiàn)性相移和喇曼增益效率都是有關(guān)非線(xiàn)性現(xiàn)象的參數(shù)，一般來(lái)說(shuō)，要增大喇曼增益效率時(shí)非線(xiàn)性相移也變大?，F(xiàn)有的光纖要得到4(m/W)的喇曼增益效率時(shí)則非線(xiàn)性參數(shù)(γ)就是其3倍以上。
為了避開(kāi)這點(diǎn)，如上所述，通過(guò)增大1450nm與1550nm的有效芯斷面積Aeff的差就能避開(kāi)?，F(xiàn)有喇曼放大用的放大用光纖為了把喇曼放大變成最大，其目標(biāo)是縮小1450nm與1550nm的有效芯斷面積Aeff的差而高效地把1450nm的功率遷移到1550nm上。
這是由于把1450nm的功率遷移到1550nm上時(shí)，當(dāng)1450nm的激勵(lì)光與1550nm的信號(hào)光的有效芯斷面積Aeff的值相近，則各波長(zhǎng)的光能容易相互影響的緣故。即目標(biāo)是通過(guò)縮小1450nm與1550nm的各有效芯斷面積Aeff的值或縮小兩者的差來(lái)提高喇曼增益效率。
但作為與信號(hào)帶的有效芯斷面積Aeff變小和喇曼放大變大的交換，是非線(xiàn)性參數(shù)γ也變大。因此還是信號(hào)帶的有效芯斷面積Aeff增大有利。若是謀求一邊擴(kuò)大信號(hào)帶的有效芯斷面積Aeff一邊縮小激勵(lì)帶的有效芯斷面積Aeff的話(huà)，則就避開(kāi)了信號(hào)帶中的非線(xiàn)性相移，并且至少能使激勵(lì)帶的功率集中，所以能維持喇曼放大。
圖7表示與放大用光纖2a的圖2所示的折射率曲線(xiàn)圖不同的其他的折射率曲線(xiàn)圖。該放大用光纖2a具有所謂的W弓型曲線(xiàn)圖，在中心部具有α型的折射率分布，具有比包層高的折射率的第一芯區(qū)域，在其外周具有比包層低的折射率的第二芯區(qū)域，而且在第二芯區(qū)域的外周具有第三芯區(qū)域，該第三芯區(qū)域具有比第一芯區(qū)域低但比包層高的折射率。第一芯區(qū)域的徑是“a”，第二芯區(qū)域的徑是“b”，第三芯區(qū)域的徑是“c”。包層區(qū)域與第一芯區(qū)域的折射率的差是“Δ1”，包層區(qū)域與第二芯區(qū)域的折射率的差是“Δ2”，與第三芯區(qū)域的折射率的差是“Δ3”。包層一般來(lái)說(shuō)實(shí)際上是由純石英構(gòu)成，但也可以摻雜氟。
圖4表示具有W弓型曲線(xiàn)圖的放大用光纖中在定為Δ1＝2.8％，Δ2＝0.25％，Δ3＝0.4％，a/b＝0.45，c/b＝1.3時(shí)的1550nm對(duì)1450nm傳播折射率的比與1550nm對(duì)1450nm有效芯斷面積Aeff的關(guān)系。如圖4所示，放大用光纖的1450nm和1550nm各有效芯斷面積Aeff的比在1.1左右表示出下限。該值隨折射率曲線(xiàn)圖的形狀等的變化而變化，但作為放大用光纖在具有合適特性的光纖中一般是在1.1左右成為下限。
有助于喇曼增益的有效芯斷面積Aeff由于對(duì)信號(hào)帶和激勵(lì)帶這兩者給予影響，所以能通過(guò)縮小激勵(lì)帶的有效芯斷面積Aeff，不太縮小信號(hào)帶有效芯斷面積Aeff而得到有效的增益。即通過(guò)一邊保持喇曼增益效率在4以上，一邊使該有效芯斷面積Aeff的比成為1.2以上，就能構(gòu)成一邊完成降低非線(xiàn)性效果一邊能得到足夠喇曼放大的集中喇曼放大器。
如圖4所示，放大用光纖的1450nm和1550nm的各有效芯斷面積Aeff的比，通過(guò)增大1450nm與1550nm的各傳導(dǎo)折射率的比的增大而增大。該曲線(xiàn)圖中通過(guò)使傳導(dǎo)折射率的比成為0.9982以上就能使所述有效芯斷面積Aeff的比成為1.2以上。
圖5表示傳導(dǎo)折射率與有效芯斷面積的芯徑依賴(lài)性。在此芯徑是指第二芯區(qū)域的徑“b”。當(dāng)放大用光纖的芯徑變小，則傳導(dǎo)折射率變小，當(dāng)傳導(dǎo)折射率與包層的折射率一致時(shí)則芯變得不能關(guān)閉光，作為光纖的功能消失。一般來(lái)說(shuō)，傳導(dǎo)折射率變小則有效芯斷面積Aeff如圖5那樣急劇地變大。傳導(dǎo)折射率具有波長(zhǎng)依賴(lài)性，所以能用兩個(gè)波長(zhǎng)附加有效芯斷面積Aeff的差。如圖6所示，一般來(lái)說(shuō)芯徑為小的時(shí)，兩波長(zhǎng)的傳導(dǎo)折射率的差就小。
圖8表示具有圖7所示折射率曲線(xiàn)圖的放大用光纖的特性。這些光纖所有的包層實(shí)際上是由純石英構(gòu)成的。如圖8所示，該實(shí)施例的放大用光纖“G”～“I”其各自的喇曼增益效率(GR/Aeff)在4(m/W)以上，非線(xiàn)性參數(shù)γ對(duì)喇曼增益效率(GR/Aeff)的比在3以下。波長(zhǎng)1550nm的有效芯斷面積Aeff對(duì)波長(zhǎng)1450nm的有效芯斷面積Aeff的比在1.2以上。波長(zhǎng)1450nm的有效芯斷面積Aeff是9.0μm2以下，波長(zhǎng)1550nm的有效芯斷面積Aeff是11.0μm2以上。
因此具有圖7所示的折射率曲線(xiàn)圖的放大用光纖也與圖2所示放大用光纖同樣地在得到足夠的喇曼增益效率的同時(shí)能降低非線(xiàn)性相移。
權(quán)利要求
1.一種光纖，其特征在于，喇曼增益系數(shù)對(duì)有效芯斷面積的比的喇曼增益效率是4以上，非線(xiàn)性參數(shù)對(duì)所述喇曼增益效率的比是3以下。
2.如權(quán)利要求1所述的光纖，其特征在于，波長(zhǎng)1550nm的有效芯斷面積對(duì)波長(zhǎng)1450nm的有效芯斷面積的比是1.2以上。
3.如權(quán)利要求1所述的光纖，其特征在于，波長(zhǎng)1450nm的有效芯斷面積是9.0μm2以下，且其波長(zhǎng)1550nm的有效芯斷面積是11.0μm2以上。
4.如權(quán)利要求2所述的光纖，其特征在于，波長(zhǎng)1450nm的有效芯斷面積是9.0μm2以下，且其波長(zhǎng)1550nm的有效芯斷面積是11.0μm2以上。
5.如權(quán)利要求1所述的光纖，其特征在于，喇曼增益效率是6.5以上，非線(xiàn)性參數(shù)的值是20以下。
6.如權(quán)利要求1所述的光纖，其特征在于，模場(chǎng)直徑大致在10μm以上，且具備連接裝置，其設(shè)置在連接于該光纖上的單模光纖與該光纖的輸入端和/或輸出端之間進(jìn)行變換模場(chǎng)直徑。
7.如權(quán)利要求2所述的光纖，其特征在于，模場(chǎng)直徑大致在10μm以上，且具備連接裝置，其設(shè)置在連接于該光纖上的單模光纖與該光纖的輸入端和/或輸出端之間進(jìn)行變換模場(chǎng)直徑。
8.一種光纖模塊，其特征在于，喇曼增益系數(shù)對(duì)有效芯斷面積的比的喇曼增益效率是4以上，非線(xiàn)性參數(shù)對(duì)所述喇曼增益效率的比是3以下。
9.如權(quán)利要求8所述的光纖模塊，其特征在于，所述光纖其波長(zhǎng)1550nm的有效芯斷面積對(duì)波長(zhǎng)1450nm的有效芯斷面積的比是1.2以上。
10.如權(quán)利要求8所述的光纖模塊，其特征在于，所述光纖的波長(zhǎng)1450nm的有效芯斷面積是9.0μm2以下，且波長(zhǎng)1550nm的有效芯斷面積是11.0μm2以上。
11.如權(quán)利要求9所述的光纖模塊，其特征在于，所述光纖的波長(zhǎng)1450nm的有效芯斷面積是9.0μm2以下，且波長(zhǎng)1550nm的有效芯斷面積是11.0μm2以上。
12.如權(quán)利要求8所述的光纖模塊，其特征在于，所述光纖的喇曼增益效率是6.5以上，非線(xiàn)性參數(shù)的值是20以下。
13.如權(quán)利要求8所述的光纖模塊，其特征在于，模場(chǎng)直徑大致在10μm以上，且具備連接裝置，其設(shè)置在連接于該光纖上的單模光纖與該光纖的輸入端和/或輸出端之間進(jìn)行變換模場(chǎng)直徑。
14.如權(quán)利要求9所述的光纖模塊，其特征在于，模場(chǎng)直徑大致在10μm以上，且具備連接裝置，其設(shè)置在連接于該光纖上的單模光纖與該光纖的輸入端和/或輸出端之間進(jìn)行變換模場(chǎng)直徑。
15.一種喇曼放大器，其特征在于，喇曼增益系數(shù)對(duì)有效芯斷面積的比的喇曼增益效率是4以上，把激勵(lì)光輸入到非線(xiàn)性參數(shù)對(duì)所述喇曼增益效率的比是3以下的光纖，以把信號(hào)光進(jìn)行喇曼放大。
16.如權(quán)利要求15所述的喇曼放大器，其特征在于，所述光纖的波長(zhǎng)1550nm的有效芯斷面積對(duì)波長(zhǎng)1450nm的有效芯斷面積的比是1.2以上。
17.如權(quán)利要求15所述的喇曼放大器，其特征在于，所述光纖的波長(zhǎng)1450nm的有效芯斷面積是9.0μm2以下，且波長(zhǎng)1550nm的有效芯斷面積是11.0μm2以上。
18.如權(quán)利要求16所述的喇曼放大器，其特征在于，所述光纖的波長(zhǎng)1450nm的有效芯斷面積是9.0μm2以下，且波長(zhǎng)1550nm的有效芯斷面積是11.0μm2以上。
19.如權(quán)利要求15所述的喇曼放大器，其特征在于，所述光纖的喇曼增益效率是6.5以上，非線(xiàn)性參數(shù)的值是20以下。
20.如權(quán)利要求15所述的喇曼放大器，其特征在于，模場(chǎng)直徑大致在10μm以上，且具備連接裝置，其設(shè)置在連接于該光纖上的單模光纖與該光纖的輸入端和/或輸出端之間進(jìn)行變換模場(chǎng)直徑。
21.如權(quán)利要求16所述的喇曼放大器，其特征在于，模場(chǎng)直徑大致在10μm以上，且具備連接裝置，其設(shè)置在連接于該光纖上的單模光纖與該光纖的輸入端和/或輸出端之間進(jìn)行變換模場(chǎng)直徑。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種在抑制非線(xiàn)性相移的同時(shí)能得到足夠喇曼放大的光纖、光纖模塊和喇曼放大器。放大用光纖(2a)其喇曼增益系數(shù)GR對(duì)有效芯斷面積Aeff的比，即喇曼增益效率(GR/Aeff)是4(m/W)以上，非線(xiàn)性參數(shù)γ對(duì)喇曼增益效率(GR/Aeff)的比是3以下。
文檔編號(hào)G02B6/02GK1573375SQ20041005936
公開(kāi)日2005年2月2日 申請(qǐng)日期2004年6月18日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月19日
發(fā)明者杉崎隆一, 谷口友規(guī), 八木健 申請(qǐng)人:古河電氣工業(yè)株式會(huì)社