專利名稱：光刻裝置、器件制造方法以及由此制造的器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻投影裝置，包括用于提供輻射投影光束的輻射系統(tǒng)；包括多個(gè)限定突起結(jié)構(gòu)以提供支撐平表面的突起的物體固定器，用于支撐放置在輻射的所述投影光束的光束路徑中的基本上的平坦物體，物體固定器包括用于產(chǎn)生靜電夾持力的至少一個(gè)夾持電極，其用于相對(duì)于物體固定器夾持物體。
背景技術(shù)：
這里使用的術(shù)語“構(gòu)圖裝置”應(yīng)廣義地解釋為能夠給入射的輻射光束賦予帶圖案的截面的裝置，其中所述圖案與要在基底的目標(biāo)部分上形成的圖案一致；本文中也使用術(shù)語“光閥”。一般地，所述圖案與在目標(biāo)部分中形成的器件如集成電路或者其它器件的特定功能層相對(duì)應(yīng)(如下文)。這種構(gòu)圖裝置的示例包括掩模。掩模的概念在光刻中是公知的。它包括如二進(jìn)制型、交替相移型、和衰減相移型的掩模類型，以及各種混合掩模類型。這種掩模在輻射光束中的布置使入射到掩模上的輻射能夠根據(jù)掩模上的圖案而選擇性地被透射(在透射掩模的情況下)或者被反射(在反射掩模的情況下)。在使用掩模的情況下，支撐結(jié)構(gòu)一般是一個(gè)掩模臺(tái)，它能夠保證掩模被保持在入射光束中的所需位置，并且如果需要該臺(tái)會(huì)相對(duì)光束移動(dòng)。
可編程反射鏡陣列。這種裝置的一個(gè)例子是具有一粘彈性控制層和一反射表面的矩陣可尋址表面。這種裝置的基本原理是(例如)反射表面的已尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷錇檠苌涔?，而未尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷錇榉茄苌涔?。用一個(gè)適當(dāng)?shù)臑V光器，從反射的光束中濾除所述非衍射光，只保留衍射光；按照這種方式，光束根據(jù)矩陣可尋址表面的定址圖案而產(chǎn)生圖案。可編程反射鏡陣列的另一實(shí)施方案利用微小反射鏡鏡的矩陣排列，通過使用適當(dāng)?shù)木植侩妶?chǎng)，或者通過使用壓電致動(dòng)器裝置，使得每個(gè)反射鏡能夠獨(dú)立地關(guān)于一軸傾斜。再者，反射鏡是矩陣可尋址的，由此已尋址反射鏡以與未尋址反射鏡不同的方向?qū)⑷肷涞妮椛涔馐瓷?；按照這種方式，根據(jù)矩陣可尋址反射鏡的定址圖案對(duì)反射光束進(jìn)行構(gòu)圖?？梢杂眠m當(dāng)?shù)碾娮友b置進(jìn)行該所需的矩陣定址。在上述兩種情況中，構(gòu)圖裝置可包括一個(gè)或者多個(gè)可編程反射鏡陣列。反射鏡陣列的更多信息可以從例如美國(guó)專利US5,296,891、美國(guó)專利US5,523,193、PCT專利申請(qǐng)WO 98/38597和WO 98/33096中獲得，這些文獻(xiàn)在這里引入作為參照。在可編程反射鏡陣列的情況中，所述支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或者工作臺(tái)，例如所述結(jié)構(gòu)根據(jù)需要可以是固定的或者是可移動(dòng)的。
可編程LCD陣列，例如由美國(guó)專利US 5,229,872給出的這種結(jié)構(gòu)，它在這里引入作為參照。如上所述，在這種情況下支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或者工作臺(tái)，例如所述結(jié)構(gòu)根據(jù)需要可以是固定的或者是可移動(dòng)的。
為簡(jiǎn)單起見，本文的其余部分在一定的情況下具體以掩模和掩模臺(tái)為例；可是，在這樣的例子中所討論的一般原理應(yīng)適用于上述更寬范圍的構(gòu)圖裝置。
光刻投影裝置可以用于例如集成電路(IC)的制造。在這種情況下，構(gòu)圖裝置可產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于IC一個(gè)單獨(dú)層的電路圖案，該圖案可以成像在已涂敷輻射敏感材料(抗蝕劑)層的基底(硅晶片)的目標(biāo)部分上(例如包括一個(gè)或者多個(gè)管芯(die))。一般的，單一的晶片將包含相鄰目標(biāo)部分的整個(gè)網(wǎng)格，該相鄰目標(biāo)部分由投影系統(tǒng)逐個(gè)相繼輻射。在目前采用掩模臺(tái)上的掩模進(jìn)行構(gòu)圖的裝置中，有兩種不同類型的機(jī)器。一類光刻投影裝置是，通過將全部掩模圖案一次曝光在目標(biāo)部分上而輻射每一目標(biāo)部分；這種裝置通常稱作晶片步進(jìn)器或步進(jìn)-重復(fù)裝置。在通常被稱作步進(jìn)-掃描裝置的可替代裝置中，通過在投影光束下沿給定的參考方向(“掃描”方向)依次掃描掩模圖案、并同時(shí)沿與該方向平行或者反平行的方向同步掃描基底臺(tái)來輻射每一目標(biāo)部分；因?yàn)橐话銇碚f，投影系統(tǒng)有一個(gè)放大系數(shù)M(通常＜1)，因此對(duì)基底臺(tái)的掃描速度V是對(duì)掩模臺(tái)掃描速度的M倍。關(guān)于如這里描述的光刻裝置的更多信息可以從例如美國(guó)專利US6,046,792中獲得，該文獻(xiàn)這里作為參考引入。
在采用光刻投影裝置的制造過程中，(例如在掩模中的)圖案成像在至少部分由一層輻射敏感材料(抗蝕劑)覆蓋的基底上。在這種成像步驟之前，可以對(duì)基底進(jìn)行各種處理，如打底，涂敷抗蝕劑和弱烘烤。在曝光后，可以對(duì)基底進(jìn)行其它的處理，如曝光后烘烤(PEB)，顯影，強(qiáng)烘烤和測(cè)量/檢查成像特征。以這一系列工藝為基礎(chǔ)，對(duì)例如IC的器件的單層形成圖案。這種圖案層然后可進(jìn)行各種不同的處理，如蝕刻、離子注入(摻雜)、鍍金屬、氧化、化學(xué)-機(jī)械拋光等完成一單層所需的所有處理。如果需要多層，那么對(duì)每一新層重復(fù)全部步驟或者其變化。最終，在基底(晶片)上出現(xiàn)器件陣列。然后采用例如切割或者鋸割等技術(shù)將這些器件彼此分開，單個(gè)器件可以安裝在載體上，與管腳等連接。關(guān)于這些處理的進(jìn)一步信息可從例如Peter van Zant的“微芯片制造半導(dǎo)體加工實(shí)踐入門(Microchip FabricationA Practical Guideto Semiconductor Processing)”一書(第三版，McGraw Hill PublishingCo.，1997，ISBN 0-07-067250-4)中獲得，這里作為參考引入。
為了簡(jiǎn)單起見，投影系統(tǒng)在下文稱為“鏡頭”；可是，該術(shù)語應(yīng)廣義地解釋為包含各種類型的投影系統(tǒng)，包括例如折射光學(xué)裝置，反射光學(xué)裝置，和反折射系統(tǒng)。輻射系統(tǒng)還可以包括根據(jù)這些設(shè)計(jì)類型中任一設(shè)計(jì)的操作部件，該操作部件用于引導(dǎo)、整形或者控制輻射投影光束，這種部件在下文還可共同地或者單獨(dú)地稱作“鏡頭”。另外，光刻裝置可以具有兩個(gè)或者多個(gè)基底臺(tái)(和/或兩個(gè)或者多個(gè)掩模臺(tái))。在這種“多級(jí)式”裝置中，可以并行使用這些附加臺(tái)，或者可以在一個(gè)或者多個(gè)臺(tái)上進(jìn)行準(zhǔn)備步驟，而一個(gè)或者多個(gè)其它臺(tái)用于曝光。例如在美國(guó)專利US5,969,441和WO98/40791中描述的二級(jí)光刻裝置，這里作為參考引入。
在本申請(qǐng)中，本發(fā)明具體結(jié)合該裝置在制造IC中的應(yīng)用，但是應(yīng)該明確理解這些裝置可能具有其它應(yīng)用。例如，它可用于制造集成光學(xué)系統(tǒng)、用于磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案、液晶顯示板、薄膜磁頭等等。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，在這種可替換的用途范圍中，在說明書中任何術(shù)語“分劃板”，“晶片”或者“管芯(die)”的使用應(yīng)認(rèn)為分別可以由更普通的術(shù)語“掩模”，“基底”和“目標(biāo)部分”代替。
在本文件中，使用的術(shù)語“輻射”和“光束”包含所有類型的電磁輻射，包括紫外輻射(例如具有365，248，193，157或者126nm的波長(zhǎng))和遠(yuǎn)紫外(EUV)輻射(例如具有5-20nm的波長(zhǎng)范圍)和粒子束，如離子束或者電子束。
此外，在該申請(qǐng)的上下文中，所述“物體”可是上面提到的任何術(shù)語晶片、中間掩模版、掩模或基底，更具體的術(shù)語為比如在采用光刻投影技術(shù)制造器件中被處理的基底；或者在光刻投影裝置中的光刻投影掩模或掩模坯，比如掩模檢查或清洗裝置等掩模處理裝置、或掩模制造裝置或夾持在輻射系統(tǒng)的光路中的其它任何物體或光學(xué)元件。
在上面給出的光刻裝置中，通過夾持電極將物體固定于物體固定器。例如在真空環(huán)境中處理基底時(shí)可以使用這種靜電夾持。在用于光刻處理的這種類型的照射是在(軟)x射線區(qū)域中時(shí)出現(xiàn)的這種類型的處理，也將其稱為遠(yuǎn)紫外(EUV)輻射區(qū)域。靜電夾持利用了物體固定器和物體之間的電場(chǎng)。以這種方式，為了提供夾持壓力，采用了靜電力，因?yàn)樵谖矬w固定器和物體的(局部)區(qū)域中存在電荷差。當(dāng)用于物體固定器中的電極充電時(shí)并且例如物體是接地時(shí)出現(xiàn)這種電荷差。此外，在物體固定器中，可以存在多個(gè)相反電壓的電極，其引入了物體中同樣的相反電荷分布，在物體中沒有留下多余電荷。
歐洲專利申請(qǐng)EP0947884中描述了具有物體固定器的光刻裝置，其中設(shè)置突起以改進(jìn)物體的平面。這些突起具有0.5mm的通常直徑，并通常以3mm的距離彼此遠(yuǎn)離，并因此形成支撐物體的支撐元件座。突起的典型高度是5μm?？墒?，對(duì)于靜電夾持結(jié)構(gòu)，由于在邊界邊緣附近的支撐末端，晶片會(huì)被不均勻的支撐，特別是在突起結(jié)構(gòu)的邊界附近。這會(huì)引起晶片的向上舉起或向下“下垂”，這會(huì)導(dǎo)致不被接受的成像質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種如前序部分所述的光刻裝置，其中解決了物體固定器的晶片支撐的不均一問題，并且以可控制的方式使物體對(duì)準(zhǔn)。
為了實(shí)現(xiàn)所述目的，根據(jù)權(quán)利要求1描述的特征設(shè)置本發(fā)明的光刻裝置。根據(jù)權(quán)利要求14描述的特征設(shè)置本發(fā)明的另一方面的光刻裝置。在另一個(gè)方面，本發(fā)明提供了依照權(quán)利要求14的特征的物體固定器。
通過提供具有穿孔的夾持電極的物體固定器和/或通過提供夾持電極，其中所述夾持電極包括邊界邊緣，該邊界邊緣可在臨近至少一個(gè)突起的至少一個(gè)邊界邊緣線段之內(nèi)改變多次，由于可以局部減小靜電夾持壓力，可以避免由于不均勻夾持壓力引起的物體局部高度變化。在實(shí)踐中，由于邊界效應(yīng)，靜電力非常難以進(jìn)行準(zhǔn)確預(yù)測(cè)。因此，在一個(gè)方面，在反復(fù)測(cè)量處理中可以提供這些穿孔和/或輪廓改變，其中測(cè)量晶片的局部高度改變，為了改進(jìn)被測(cè)物體平面度因此增加邊界邊緣的微穿孔或微波動(dòng)。在這方面，需要指出，對(duì)由臨近突起跨越的面積(微)來說穿孔是小的，也就是說，穿孔的面積基本上是由臨近突起形成的平均面積的0.01到50％。在另一個(gè)方面中，需要指出在臨近于至少一個(gè)突起的邊界邊緣線段之內(nèi)通過多次改變所述邊界邊緣，至少可以知道其具有在兩個(gè)突起之間形成微波動(dòng)或彎曲的局部彎曲形狀，該彎曲形狀的變化至少是大于電極邊界邊緣全部彎曲的5％，優(yōu)選是大于電極邊界邊緣的全部彎曲的20％。此外，該限定不會(huì)受彎曲形狀的限制，而且其包含具有尖的邊緣形狀，比如之字形狀。
在優(yōu)選實(shí)施方案中，所述穿孔通常是圓形的。在另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，所述穿孔通常是縫隙形狀的。
穿孔和/或縫隙可以是范圍從0.1mm到0.5mm的尺寸。
通過以這種方式提供穿孔，所述夾持電極可以是單獨(dú)的片，其通過單獨(dú)的控制電壓控制。


現(xiàn)在僅通過參照所附的示意圖舉例描述本發(fā)明的實(shí)施方案，其中相應(yīng)的參考標(biāo)記表示相應(yīng)的部分，并且其中圖1示出了依照本發(fā)明的實(shí)施方案的光刻投影裝置；圖2示出了在圖1中給出的物體固定器的平面圖；圖3示出了本發(fā)明的光刻投影裝置的物體固定器的第一實(shí)施方案；圖4示出了本發(fā)明的光刻投影裝置的物體固定器的第二實(shí)施方案；圖5詳細(xì)示出了圖3的實(shí)施方案；圖6詳細(xì)示出了圖4的實(shí)施方案；圖7示出了本發(fā)明的光刻投影裝置的物體固定器的第三實(shí)施方案；圖8示出了本發(fā)明的光刻投影裝置的物體固定器的第四實(shí)施方案；圖9a和9b示出了依照本發(fā)明改進(jìn)的夾持電極邊界邊緣的詳細(xì)平面圖；以及圖10示述了表示本發(fā)明的第五實(shí)施方案的物體固定裝置的測(cè)視圖。
具體實(shí)施例方式
圖1示意性地表示了本發(fā)明一具體實(shí)施方案的一光刻投影裝置。該裝置包括輻射系統(tǒng)Ex、IL，用于提供輻射投影光束PB(例如在深紫外區(qū)域中的光)。在這種特定情況下，輻射系統(tǒng)也包括輻射源LA；第一目標(biāo)臺(tái)(掩模臺(tái))MT，設(shè)有用于保持掩模MA(例如分劃板)的掩模保持器，并與用于將該掩模相對(duì)于物體PL精確定位的第一定位裝置連接；第二目標(biāo)臺(tái)(基底臺(tái))WT，設(shè)有用于保持基底W(例如涂敷抗蝕劑的硅晶片)的基底保持器，并與用于將基底相對(duì)于物體PL精確定位的第二定位裝置連接；投影系統(tǒng)(“鏡頭”)PL，用于將掩模MA的受輻射部分成像在基底W的目標(biāo)部分C(例如包括一個(gè)或多個(gè)管芯(die))上。
如這里指出的，該裝置屬于透射型(例如具有透射掩模)?？墒牵话銇碚f，它還可以是例如反射型的，例如(具有反射掩模)。可替代的，該裝置可以利用其它種類的構(gòu)圖裝置，如上述涉及的可編程反射鏡陣列型。
輻射源LA(例如受激準(zhǔn)分子激光器源)產(chǎn)生輻射光束。該光束直接或在橫穿過如擴(kuò)束器Ex等調(diào)節(jié)裝置后，饋送到照射系統(tǒng)(照射器)IL上。照射器IL包括調(diào)節(jié)裝置AM，用于設(shè)定光束強(qiáng)度分布的外和/或內(nèi)徑向量(通常分別稱為s-外和s-內(nèi))。另外，它一般包括各種其它部件，如積分器IN和聚光器CO。按照這種方式，照射到掩模MA上的光束PB在其橫截面具有所需的均勻度和強(qiáng)度分布。
應(yīng)該注意，圖1中的輻射源LA可以置于光刻投影裝置的殼體中(例如當(dāng)輻射源LA是汞燈時(shí)經(jīng)常是這種情況)，但也可以遠(yuǎn)離光刻投影裝置，其產(chǎn)生的輻射光束被(例如通過合適的定向反射鏡的幫助)引導(dǎo)至該裝置中；當(dāng)光源LA是準(zhǔn)分子激光器時(shí)通常是后面的那種情況。本發(fā)明和權(quán)利要求包含這兩種方案。
光束PB然后與保持在掩模臺(tái)MT上的掩模MA相交。橫向穿過掩模MA后，光束PB通過鏡頭PL，該鏡頭將光束PB聚焦在基底W的目標(biāo)部分C上。在第二定位裝置(和干涉測(cè)量裝置IF)的輔助下，基底臺(tái)WT可以精確地移動(dòng)，例如在光束PB的光路中定位不同的目標(biāo)部分C。類似的，例如在從掩模庫(kù)中機(jī)械取出掩模MA后或在掃描期間，可以使用第一定位裝置PM將掩模MA相對(duì)光束PB的光路進(jìn)行精確定位。一般地，用圖1中未明確顯示的長(zhǎng)行程模塊(粗略定位)和短行程模塊(精確定位)，可以實(shí)現(xiàn)目標(biāo)臺(tái)MT、WT的移動(dòng)?？墒牵诰竭M(jìn)器中(與步進(jìn)-掃描裝置相對(duì))，掩模臺(tái)MT可與短行程致動(dòng)裝置連接，或者固定。掩模MA與基底W可以使用掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M1、M2和基底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記P1、P2進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。
所示的裝置可以按照二種不同模式使用1.在步進(jìn)模式中，掩模臺(tái)MT基本保持不動(dòng)，整個(gè)掩模圖像被一次投影(即單“閃”)到目標(biāo)部分C上。然后基底臺(tái)WT沿x和/或y方向移動(dòng)，以使不同的目標(biāo)部分C能夠由光束PB照射；以及2.在掃描模式中，基本為相同的情況，但是給定的目標(biāo)部分C沒有暴露在單“閃”中。取而代之的是，掩模臺(tái)MT沿給定的方向(所謂的“掃描方向，例如y方向”)以速度v移動(dòng)，以使投影光束PB在掩模圖像上掃描；同時(shí)，基底臺(tái)WT沿相同或者相反的方向以速度V＝Mv同時(shí)移動(dòng)，其中M是鏡頭PL的放大率(通常M＝1/4或1/5)。以這種方式，可以曝光相當(dāng)大的目標(biāo)部分C，而沒有犧牲分辨率。
在圖2中，示出了依照本發(fā)明的物體固定器1的示意平面圖，在該圖中，通過虛線勾劃出了多個(gè)突起2，該突起基本上以同心圓定向。為了提高可理解性，在該圖中僅涉及少量突起。這些突起具有0.5mm的一般直徑并通常以3mm的距離彼此遠(yuǎn)離，從而形成支撐比如晶片或中間掩模版等物體的支撐結(jié)構(gòu)的座。此外，通過參考數(shù)字3表示夾持電極。夾持電極3可以是一個(gè)埋置于支持著所述突起的物體固定器的基板中的導(dǎo)電層。當(dāng)充電時(shí)，夾持電極3產(chǎn)生靜電夾持力，從而相對(duì)于突起2的遠(yuǎn)端吸引物體。在圖2中，還示出了優(yōu)選以等腰三角形的形式對(duì)稱設(shè)置的多個(gè)通孔4。通孔4可以用于容納彈射銷(未示出)，該銷用于在已實(shí)施光刻處理之后從物體固定器排出物體。另外，在該物體固定器中，可以存在通孔以容納用于將回填氣體供給物體固定器的供給裝置。
可以使用這些回填氣體填充在突起2、形成底層的用于支撐突起的基板和物體的背部之間形成的空間，比如通過物體固定器夾持晶片或中間掩模版。這種回填氣體增強(qiáng)了從物體到物體固定器的熱傳遞能力。
現(xiàn)在回到圖3，其詳細(xì)示出了在通孔4附近的物體固定器1。盡管在該描述中本發(fā)明表示在這種通孔4附近，但是本發(fā)明可以非常好的應(yīng)用于其它區(qū)域，比如鄰近物體固定器(在領(lǐng)域中已知為“凹槽”)的周邊的不平整的附近。本發(fā)明甚至也可以應(yīng)用于不平整邊界形狀范圍之外，這是由于它可以用于解決由于總體突起分布引起的突起結(jié)構(gòu)中的局部壓力峰值?？墒牵?的存在是可以改變物體固定器上的物體的局部支撐的很好例子，因?yàn)橥滓肓烁采w通孔的物體的不被支撐的區(qū)域，并且其很臨近于通孔。因此，基于支撐的特征和不被支撐區(qū)域的大小，可使物體變形成甚至不可接受的比例，從而使聚焦誤差或覆蓋誤差在預(yù)計(jì)之外。為了避免這種情況，依據(jù)本發(fā)明，夾持電極3包括用于局部減小所述靜電夾持力的穿孔5。以這種方式，可以避免由于不均夾持壓力引起的晶片的局部高度變化，這是因?yàn)榭梢跃植繙p小靜電夾持壓力，因此可以更加均勻地支撐物體，產(chǎn)生減小的覆蓋誤差或聚焦誤差。
在圖4中，示出了替代實(shí)施例，其中可以更加均勻地控制靜電夾持力。在這里，此外，夾持電極3包括在至少一些邊界突起2周圍局部彎曲的邊界邊緣6。通常可將這種彎曲看作多個(gè)重疊圓形，每個(gè)關(guān)于突起同軸定向。甚至也可以結(jié)合非重疊圓形實(shí)施本發(fā)明?？墒?，重疊圓形提供了單件靜電夾具的優(yōu)點(diǎn)，可通過單獨(dú)的控制電壓對(duì)其進(jìn)行控制。
圖5詳細(xì)示出了圖3的結(jié)構(gòu)。在圖5中，不依據(jù)特定的邊界構(gòu)造給出突起2。在這里，示出的穿孔5存在于通過三個(gè)近鄰?fù)黄鹦纬傻娜切蔚闹行膮^(qū)域。在該區(qū)域中，由于缺乏支撐，容易力量過大地夾持物體，從而增大物體“下垂”和聚焦和覆蓋誤差。由于穿孔，可以避免這種下垂，這樣就減小了聚焦和覆蓋誤差。
圖6示出了圖4的詳細(xì)描述。邊界6是局部彎曲的，其具有近似以邊界到下個(gè)突起2的距離大小的半徑曲率。以這種方式，通過局部變形夾持電極3的邊界邊緣6可以控制電場(chǎng)的局部變化和使電場(chǎng)均勻。
圖7和8描述了用于EUV系統(tǒng)中的中間掩模版固定器的平面示意圖，具體的，中間掩模版是反射類型的。這些中間掩模版固定器一般在形狀上是正方形的，并通過多個(gè)突起對(duì)其支撐。對(duì)于這種正方形，基礎(chǔ)構(gòu)造可以是正方形(圖7)或三角形(圖8)的，后者在臨近節(jié)點(diǎn)之間的跨度上具有相對(duì)小的變化。依據(jù)本發(fā)明，夾持電極包括邊界邊緣6，該邊界邊緣依照連接臨近邊緣突起的周線成形。在圖7中，這將產(chǎn)生直線，其中該改進(jìn)是將邊界邊緣6的距離稍微減小到兩個(gè)臨近突起的半跨度寬度。通過這種優(yōu)選邊緣，可對(duì)晶片減小懸伸作用，例如電極可以以突起距離的一半延伸。在圖8中，示出了用于反射正方形中間掩模版8的物體固定器，其中突起結(jié)構(gòu)是三角形的。在該設(shè)置中，通過依據(jù)連接臨近邊界突起2的圓周線9成形邊緣6，最佳化邊界邊緣6。
最后，圖9a和圖9b示出了依照本發(fā)明改進(jìn)的夾持電極邊界邊緣6的詳細(xì)平面圖。在該圖中，通過陰影區(qū)域10表示夾持電極。此外，劃十字的圓11表示用于支撐物體的突起。進(jìn)一步的，為了獲得更好的物體平坦度，白色的包圍區(qū)域12是用于局部減小所述靜電夾持力的穿孔。從圖中，很明顯，區(qū)域可以具有與理想的圓形不同的形狀。此外，很明顯，可以改變穿孔區(qū)域，更具體的，其是以通過在圖2中的臨近突起2示意性給出來的一般區(qū)域13的一部分的級(jí)數(shù)。
此外，從圖9中很明顯的，可在臨近至少一個(gè)突起的至少一個(gè)邊界邊緣線段之內(nèi)多次改變邊界邊緣6。這種線段通過在圖中以參考數(shù)字14表示，而且其具有在兩個(gè)臨近突起之間從0.1到10倍平均跨度的長(zhǎng)度范圍。進(jìn)一步的，示意性的，切線15表示到所述邊界邊緣6的切線。示出來的圖9揭示了與所述邊界邊緣相切的切線，其在方向上可以改變，從而符合通過在至少一些邊界突起2周圍由周線形成的局部輪廓。
圖10給出了本發(fā)明的第五實(shí)施例，其中局部地改變電場(chǎng)以用于使物體的局部高度變化平坦，在這種情況下，其可以是用于夾持基準(zhǔn)17的夾具16，基準(zhǔn)17用于校準(zhǔn)被構(gòu)圖的基底。在這種情況下，可以提供絕緣層和/或接地帶18，其可以局部地覆蓋電極。在接地帶的情況下，為了提供接地的局部導(dǎo)電層并覆蓋電夾具，通過蝕刻或局部注入可以容易地提供這種結(jié)構(gòu)。接地帶阻止了電場(chǎng)的傳播，這引起了局部電場(chǎng)減弱，這類似于在夾具中提供孔。此外，該帶可以是電介質(zhì)層，其增加施加到基準(zhǔn)上的電力。在該例中，圖10的基準(zhǔn)16包括上部ULE層19，其中設(shè)置突起10以提供平坦支撐。同樣，底部ULE層20也具有突起21，其位于支撐部分22之上，例如是一運(yùn)動(dòng)臺(tái)。夾具進(jìn)一步具有中心Zerodur微晶玻璃層23，通過作為夾持電極的鋁連接層24，其連接至ULE層19和20。
在上面已經(jīng)給出了本發(fā)明的具體實(shí)施例的同時(shí)，可以認(rèn)識(shí)到可以與上述不同的方式實(shí)施本發(fā)明。這些描述不會(huì)限制本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.光刻投影裝置包括用于提供輻射投影光束的輻射系統(tǒng)；物體固定器，包括限定了突起結(jié)構(gòu)的多個(gè)突起，以提供用于支撐設(shè)置在所述輻射投影光束的光束路徑中的基本上平坦物體的支撐平坦平面，物體固定器包括用于產(chǎn)生靜電夾持力的至少一個(gè)夾持電極，其用于相對(duì)于物體固定器夾持物體，其特征在于所述至少一個(gè)夾持電極包括用于局部改變所述靜電夾持力的電場(chǎng)改變結(jié)構(gòu)，其用于使所述基底的局部高度變化平坦。
2.依照權(quán)利要求1的光刻投影裝置，其中所述電場(chǎng)改變結(jié)構(gòu)包括在夾持電極中的至少一個(gè)穿孔。
3.依照權(quán)利要求1或2的光刻投影裝置，其中所述電場(chǎng)改變結(jié)構(gòu)包括覆蓋所述夾持電極的電介質(zhì)層和/或接地層。
4.依照權(quán)利要求1-3的光刻投影裝置，其中所述電場(chǎng)改變結(jié)構(gòu)包括在臨近于至少一個(gè)突起的邊界邊緣線段內(nèi)部多次改變的邊界邊緣。
5.依照前述任一權(quán)利要求所述的光刻投影裝置，其中所述夾持電極包括依照連接臨近邊界突起的周線成形的邊界邊緣。
6.依照前述任一權(quán)利要求所述的光刻投影裝置，其中在至少一些邊界突起周圍局部彎曲所述邊界邊緣。
7.依照前述任一權(quán)利要求所述的光刻投影裝置，其中所述穿孔一般是圓形。
8.依照前述任一權(quán)利要求所述的光刻投影裝置，其中所述穿孔一般是縫隙形狀。
9.依照前述任一權(quán)利要求所述的光刻投影裝置，其中所述穿孔具有在兩個(gè)臨近突起之間的平均跨越的部分尺寸。
10.依照權(quán)利要求9的光刻投影裝置，其中所述穿孔的范圍是從0.1到0.5mm。
11.依照前述任一權(quán)利要求所述的光刻投影裝置，其中所述穿孔位于通過三個(gè)突起形成的三角形的中央。
12.依照前述任一權(quán)利要求所述的光刻投影裝置，其中所述夾持電極是一個(gè)單獨(dú)部件，它通過一個(gè)單獨(dú)的控制電壓對(duì)其控制。
13.依照前述任一權(quán)利要求所述的光刻投影裝置，其中一般以固柱形形成所述突起。
14.用于依照前述任一權(quán)利要求所述的光刻投影裝置的物體固定器，包括限定了突起結(jié)構(gòu)的多個(gè)突起，以提供用于支撐基本上平坦物體的支撐平坦平面，物體固定器包括用于產(chǎn)生靜電夾持力的至少一個(gè)夾持電極，其用于相對(duì)于物體固定器夾持物體；其特征在于所述至少一個(gè)夾持電極包括用于局部改變所述靜電夾持力的電場(chǎng)改變結(jié)構(gòu)，其用于使所述基底的局部高度變化平坦。
全文摘要
光刻投影裝置包括用于提供輻射投影光述的輻射系統(tǒng)；物體固定器，包括限定了突起結(jié)構(gòu)的多個(gè)突起，以提供用于支撐設(shè)置在所述輻射投影光束的光束路徑中的基本上平坦物體的支撐平坦平面，物體固定器包括用于產(chǎn)生靜電夾持力的至少一個(gè)夾持電極，其用于相對(duì)于物體固定器夾持物體。依照本發(fā)明，所述至少一個(gè)夾持電極包括用于局部改變所述靜電夾持力的電場(chǎng)改變結(jié)構(gòu)，其用于使所述基底的局部高度變化平坦。
文檔編號(hào)G03F7/20GK1577095SQ20041005455
公開日2005年2月9日 申請(qǐng)日期2004年7月23日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月23日
發(fā)明者K·J·J·M·扎亞爾, T·A·R·范埃佩, J·J·奧坦斯, J·霍普曼 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司