專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
背景技術(shù)：
1.發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種具有包括薄膜晶體管(以后就稱為TFT)構(gòu)成的電子線路的半導(dǎo)體器件及其制造方法。例如，本發(fā)明涉及一種以液晶顯示板為代表的電光器件和其上安裝有這種電光器件作部件的電子設(shè)備。
注意，半導(dǎo)體器件，如象在通篇本說(shuō)明中所使用的那樣，是表示利用半導(dǎo)體特性起作用的一般器件；而電光器件、半導(dǎo)體線路、及電子設(shè)備都是半導(dǎo)體器件。
2.相關(guān)技術(shù)利用在一具有絕緣表面的基片上形成一半導(dǎo)體薄膜(具有大約幾個(gè)到幾百納米的厚度)的方法來(lái)構(gòu)造薄膜晶體管的技術(shù)，近些年來(lái)已成為關(guān)注的亮點(diǎn)。薄膜晶體管被廣泛應(yīng)用于如象IC或電光器件之類的電子器件，特別是，作為液晶顯示器件的開關(guān)元件TFT的開發(fā)正迅速進(jìn)行中。
為了在液晶顯示器件中獲得高品質(zhì)的圖像，一種有源陣列液晶顯示器件正引起極大的注意，該器件使用TFT作開關(guān)元件來(lái)與按陣列安置的相應(yīng)的像素電極連接為了在該有源陣列液晶顯示器件中實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)顯示，必須在與TFT相連的每一像素電極中將圖像信號(hào)的電位保持到下一次寫入為止。一般來(lái)說(shuō)，在每一像素中都提供有一存儲(chǔ)電容(Cs)來(lái)保持該圖像信號(hào)的電位。
對(duì)于上述存儲(chǔ)電容(Cs)的構(gòu)造和形成方法已提出了各種各樣的方案。但是，從制造過(guò)程的可靠性和簡(jiǎn)易性的觀點(diǎn)來(lái)看，最好是，在用來(lái)構(gòu)造像素的那些絕緣膜之中，使用一種TFT的柵絕緣膜來(lái)作存儲(chǔ)電容(Cs)的介電質(zhì)，因?yàn)樗且环N具有最好質(zhì)量的絕緣膜。慣常來(lái)說(shuō)，如圖9所示，成為上電極的電容導(dǎo)線首先利用掃描線來(lái)形成，然后利用這上電極(電容導(dǎo)線)，介電層(柵絕緣膜)，和下電極(半導(dǎo)體膜)來(lái)形成該存儲(chǔ)電容。
此外，從顯示性能的觀點(diǎn)來(lái)看，就需要提供具有較大存儲(chǔ)電容的像素，同時(shí)還需要使該像素的孔徑比較大。如果每一像素都具有一大的孔徑比，則背后照明光(backlight)的有效利用就會(huì)被改善。因此，用來(lái)獲得預(yù)定顯示照明的背后照明光的量可被限制，因而就可得到節(jié)省能源、尺寸又小的顯示器件。而且，通過(guò)在每一像素上提供一存儲(chǔ)電容的方法，將會(huì)使像素在保持顯示數(shù)據(jù)方面的特性得到改善，因此顯示品質(zhì)也會(huì)得到改善。此外，對(duì)于該顯示器件的點(diǎn)連續(xù)驅(qū)動(dòng)情形，在每根信號(hào)線的驅(qū)動(dòng)線路一側(cè)還需要一信號(hào)存儲(chǔ)電容(取樣保持電容)。但是，如果在每像素中提供有一大存儲(chǔ)電容，則就可使得被該取樣保持電容占據(jù)的表面面積變得較小，因而也就可使該顯示器件變得較小。
在將各顯示像素的間距做得微小的進(jìn)程中，這些要求就會(huì)成為問(wèn)題，伴隨上述進(jìn)程的是將液晶顯示器件做得更小，清晰度更高(增加像素的數(shù)目)。
由于在上述慣常像素結(jié)構(gòu)中很難使大孔徑比和大存儲(chǔ)電容彼此相容，因而又會(huì)出現(xiàn)另外的問(wèn)題。
一個(gè)例子示于圖9中，在該例子中慣常的像素結(jié)構(gòu)具有的像素尺寸，按照表1的設(shè)計(jì)規(guī)則為19.2μm。
表1Si層最小尺寸＝0.8μm，最小間距＝1.5μm柵電極最小尺寸＝1.0μm，最小間距＝1.5μm掃描線最小尺寸＝1.5μm，最小間距＝1.5μm信號(hào)線與Si層之間的接觸孔最小尺寸＝1μm□接觸孔與Si層之間的間距1.0μm接觸孔與掃描線(柵電極)之間的距離最小間距＝1.3μm掃描線最小尺寸＝1.5μm，最小間距＝1.5μm接觸孔與信號(hào)線之間的間距1.3μm像素尺寸19.2μm□像素TFTL-1.5μm，W＝0.8μm，單柵掃描線導(dǎo)線寬的最小尺寸＝1.0μm掃描線在Si層重疊著的部分導(dǎo)線寬，最小尺寸＝1.5μm電容線最小尺寸＝2.0μm慣常像素結(jié)構(gòu)的特征是，使兩種導(dǎo)線(掃描線和電容線)彼此平行排列，以便連續(xù)地形成兩種導(dǎo)線，即掃描線和電容線的每一條。在圖9中，標(biāo)號(hào)10表示半導(dǎo)體薄膜，11表示掃描線，12表示信號(hào)線，13表示電極，14表示電容導(dǎo)線。注意，圖9是一簡(jiǎn)化的像素頂視圖，因而與電極13連接的像素電極和伸到電極13的接觸孔在圖中均未畫出。
這樣，在構(gòu)造具有上電極(電容線)、介電層(柵絕緣膜)、和下電極(半導(dǎo)體薄膜)的存儲(chǔ)電容的情形中，構(gòu)造像素線路所需的所有線路元件(像素TFT，存儲(chǔ)電容、接觸孔等)都變成與柵絕緣膜相關(guān)的元件。因此這些元件基本上都是平面地安置在每一像素中。
因此，至關(guān)重要的是，對(duì)那些構(gòu)造像素線路所需要的線路元件進(jìn)行有效的平面布局，以便在規(guī)定的像素尺寸內(nèi)對(duì)每一像素都能獲得高孔徑比和大的存儲(chǔ)電容。換句話說(shuō)，根據(jù)所有的線路元件都是與柵絕緣膜相連的事實(shí)，一般可認(rèn)為，必須改善柵絕緣膜的利用效率。
這樣，根據(jù)上面的觀點(diǎn)，圖9的像素線路結(jié)構(gòu)例子的有效平面布局表示在

圖10中。在圖10中，標(biāo)號(hào)21表示一單個(gè)的像素區(qū)，22表示一像素的開孔(pixel opening region)區(qū)，23表示一存儲(chǔ)電容區(qū)，24表示一A區(qū)，以及25表示該TFT和接觸區(qū)的一部分。
就圖10所示的面積為216.7μm2(開孔率為58.8％)的像素開孔區(qū)22來(lái)說(shuō)，它包括大小為64.2μm2的存儲(chǔ)電容23的面積、面積為42.2μm2的TFT和接觸區(qū)的一部分25，以及面積為34.1μm2的A區(qū)24。
該A區(qū)24是一位于掃描線和電容線之間的間隔區(qū)，從下述事實(shí)，即將作為TFT的柵極、掃描線、以及電容線的區(qū)域互連起來(lái)的導(dǎo)線部分應(yīng)彼此平行安置來(lái)看，這間隔區(qū)是必須的。該A區(qū)的柵絕緣膜并沒(méi)表現(xiàn)出它的本來(lái)功能，反而成為減小平面敷設(shè)效率的原因。
另外，在上述結(jié)構(gòu)的情形中，還有一個(gè)問(wèn)題，那是由于對(duì)電容電阻的要求已很精密而引起的。
在通常的液晶顯示器件的驅(qū)動(dòng)中，將圖像信號(hào)電位寫入一些與掃描線相連的像素的過(guò)程是連續(xù)不斷的在該掃描線的方向(在點(diǎn)連續(xù)驅(qū)動(dòng)的情形)或同時(shí)在所有掃描線的方向(在線連續(xù)驅(qū)動(dòng)的情形)進(jìn)行的。
通過(guò)將電容線和掃描線彼此平行安置于上述像素結(jié)構(gòu)中，很多與相應(yīng)掃描線相連的像素就被連接到一公共的電容線上。因而，很多像素的與該像素寫入電流相應(yīng)的反向電流就順序地或同時(shí)地流進(jìn)該公共電容線。為了避免由該電容線的電位起伏所引起的顯示品質(zhì)的下降，就需充分降低該電容線的電阻。
但是，加寬該導(dǎo)線的寬度來(lái)降低該電容線的電阻就意味著存儲(chǔ)電容的表面積被加大，同時(shí)像素的孔徑比卻被減小。
發(fā)明概述鑒于上述問(wèn)題提出了本發(fā)明來(lái)作為設(shè)計(jì)方面的一種解決方法，因而其目的是提供一種如液晶顯示器件那樣的具有高顯示品質(zhì)的顯示器件，具有高的孔徑比而又確保有一足夠的存儲(chǔ)電容(Cs)，同時(shí)還可通過(guò)將電容線的負(fù)荷(像素的寫入電流)及時(shí)地分散開以便有效地減小該負(fù)荷。
根據(jù)本發(fā)明公諸于本說(shuō)明的一個(gè)方面來(lái)看，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件，它包括形成于一絕緣表面上的半導(dǎo)體膜；形成于該半導(dǎo)體膜上的第一絕緣膜(柵絕緣膜)；形成于該第一絕緣膜上的柵電極和第一導(dǎo)線(電容線)；形成于該柵電極和該第一導(dǎo)線上的第二絕緣膜；形成于該第二絕緣膜上并與該柵電極相連的第二導(dǎo)線(掃描線)；以及形成于該第二導(dǎo)線上的第三絕緣膜，其中該半導(dǎo)體器件的特征在于，該第一導(dǎo)線通過(guò)該第二絕緣膜和第二導(dǎo)線重疊，而且存儲(chǔ)電容是以該第二絕緣膜作為介電質(zhì)，形成于該第一導(dǎo)線通過(guò)第二絕緣膜和第二導(dǎo)線重疊的區(qū)域內(nèi)。
根據(jù)本發(fā)明的另一結(jié)構(gòu)，又提供了一種半導(dǎo)體器件，它包括形成于一絕緣表面上的半導(dǎo)體膜；
形成于該半導(dǎo)體膜上的第一絕緣膜(柵絕緣膜)；形成于該第一絕緣膜上的柵電極和第一導(dǎo)線(電容線)；形成于該柵電極和第一導(dǎo)線上的第二絕緣膜；與該柵電極相連，形成于該第二絕緣膜上的第二導(dǎo)線(掃描線)；以及形成于該第二導(dǎo)線上的第三絕緣膜；其中該半導(dǎo)體器件的特征在于，該第一導(dǎo)線通過(guò)該第一絕緣膜和半導(dǎo)體膜重疊，而且具有該第二絕緣膜作為介電質(zhì)的存儲(chǔ)電容形成于該第一導(dǎo)線通過(guò)該第一絕緣膜和半導(dǎo)體膜重疊的區(qū)域內(nèi)。
而且，在本發(fā)明的上述結(jié)構(gòu)中，該半導(dǎo)體器件的特征在于，該第一導(dǎo)線通過(guò)該第二絕緣膜和第二導(dǎo)線重疊，而且存儲(chǔ)電容是用該第二絕緣膜作為介電質(zhì)，形成于該第一導(dǎo)線通過(guò)該第二絕緣膜和第二導(dǎo)線重疊的區(qū)域內(nèi)。
另外，在本發(fā)明的上述的各結(jié)構(gòu)中，該半導(dǎo)體器件的特征在于，在該半導(dǎo)體膜中產(chǎn)生p-型或n-型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素被摻入第一導(dǎo)線通過(guò)該第一絕緣膜與之重疊的區(qū)域中。
另外，在本發(fā)明的上述的各結(jié)構(gòu)中，該半導(dǎo)體器件的特征在于，該第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線都是排列在彼此相交的方向上。
另外，在本發(fā)明的上述的各結(jié)構(gòu)中，該半導(dǎo)體器件的特征在于，與該半導(dǎo)體膜相連的第三導(dǎo)線(信號(hào)線)被設(shè)置在第三絕緣膜上，特征還在于，在該半導(dǎo)體膜中與第三導(dǎo)線相連接的區(qū)域是一源區(qū)或一漏區(qū)。
另外，在本發(fā)明的上述的各結(jié)構(gòu)中，該半導(dǎo)體器件的特征在于，提供有用來(lái)與該半導(dǎo)體膜電連接的像素電極。
另外，在本發(fā)明的上述的各結(jié)構(gòu)中，該半導(dǎo)體器件的特征在于，該第一導(dǎo)線是安置在與第三導(dǎo)線平行的方向上。
另外，在本發(fā)明的上述的各結(jié)構(gòu)中，該半導(dǎo)體器件的特征在于，該柵電極是形成在一與掃描線不同的層上。
另外，在本發(fā)明的上述的各結(jié)構(gòu)中，該半導(dǎo)體器件的特征在于，該柵電極被做成一島形。
另外，本發(fā)明用來(lái)獲得上述半導(dǎo)體器件的一個(gè)方面是一種制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于它包括下述步驟
在基片上形成一島形的半導(dǎo)體膜；在該島形的半導(dǎo)體膜上形成第一絕緣膜(柵絕緣膜)；形成島形的柵電極和電容線；形成覆蓋該柵電極和電容線的第二絕緣膜；用對(duì)該第二絕緣膜進(jìn)行選擇性蝕刻的方法形成一伸到柵電極的第一接觸孔；在該第二絕緣膜上形成與柵電極相連的掃描線；在該掃描線上形成第三絕緣膜；用對(duì)該第三絕緣膜進(jìn)行選擇性蝕刻的方法形成一伸到該半導(dǎo)體膜的第二接觸孔；形成與該半導(dǎo)體膜電連接的信號(hào)線。
在本發(fā)明的上述制造方法中，最好是，在該半導(dǎo)體膜上形成第一絕緣膜后，再將覆蓋該掃描線的第二絕緣膜部分地減薄。
另外，本發(fā)明的另一方面是，形成存儲(chǔ)電容的那些導(dǎo)線都沿與數(shù)據(jù)信號(hào)線平行的方向和沿與該柵(掃描)線垂直的方向伸展。這種特點(diǎn)是有益的，因?yàn)橛蛇@些掃描線的電位變化所引起的影響可以被抑制。
附圖簡(jiǎn)述在附圖中圖1是一說(shuō)明有源陣列液晶顯示器件的橫截面結(jié)構(gòu)圖解；圖2是一表示TFT的線路結(jié)構(gòu)的圖；圖3A和圖3B分別是表示像素和像素開孔區(qū)的頂視圖；圖4A和圖4B是表示該像素的橫切面視圖；圖5A和圖5B分別是表示像素的頂視圖和像素的橫截面視圖(實(shí)施例2)；圖6是表示一AM-LCD的外貌的視圖；圖7A-7F是表示電子設(shè)備的一些例子的圖解；圖8A-8D是表示電子設(shè)備的一些例子的圖解；圖9是常規(guī)像素的頂視圖；以及圖10是表示常規(guī)的像素開孔區(qū)的視圖。
優(yōu)選實(shí)施例詳述下面就來(lái)描述本發(fā)明的一些優(yōu)選實(shí)施例。
本發(fā)明的特征在于，掃描線是形成于一與柵電極不同的層上，其特征還在于，為了增大孔徑比和增大存儲(chǔ)電容，存儲(chǔ)電容是用掃描線作上電極形成的。
按照本發(fā)明的這個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，通過(guò)形成于該第二絕緣膜中的接觸孔，將按布局圖案做成小島形狀的柵電極與形成于第二絕緣膜上的掃描線連接起來(lái)。
在本發(fā)明中，存儲(chǔ)電容由包括作為下電極的半導(dǎo)體膜，作為介電質(zhì)的第一絕緣膜(柵絕緣膜)，以及作為上電極的電容線等構(gòu)成。與源區(qū)或漏區(qū)類似，最好是，將電容線通過(guò)第一絕緣膜與之重疊的區(qū)域做成低電阻。此外，可通過(guò)局部減薄第一絕緣膜上與電容線接觸并與之重疊的部分來(lái)增大該存儲(chǔ)電容。
另外，按照本發(fā)明，如圖1所示，掃描線107形成于柵電極104之上的上層中，因此就可由與該柵電極接觸并作為介電質(zhì)的第二絕緣膜106形成電容。這種電容是由當(dāng)作下電極的電容線105、當(dāng)作介電質(zhì)的第二絕緣膜106、和當(dāng)作上電極的掃描線107構(gòu)成。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)是不同的(在現(xiàn)有技術(shù)中該電容線與掃描線平行安置)，因?yàn)楸景l(fā)明的電容線105安置成與信號(hào)線109和111平行，如圖3A所示。于是，由于避免了由于鄰近像素的寫入電流所引起的電容線的電位起伏，因而可以獲得良好的圖像顯示，這是因?yàn)槊總€(gè)像素都是與每個(gè)獨(dú)立的電容線相連的結(jié)果，即使對(duì)于與每條掃描線相應(yīng)的像素在該驅(qū)動(dòng)方法下連續(xù)寫入圖像信號(hào)也是如此。
此外，由于與上述相同的原因，電容線的電阻性能要求也被減輕，因而在設(shè)計(jì)該布局上、尺寸上、以及電容線的膜厚上都有較多的自由度。而且，因?yàn)樵鰧捔穗娙菥€的材料選擇范圍，因而涉及和制造的復(fù)雜程度就變小了，這就導(dǎo)致了高生產(chǎn)率的實(shí)現(xiàn)。
關(guān)于包括上述方面的本發(fā)明，將就下面的一些實(shí)施例來(lái)進(jìn)行詳細(xì)描述。
實(shí)施例1在下面，將以投影儀式的液晶顯示器件的點(diǎn)連續(xù)驅(qū)動(dòng)為例子來(lái)描述本發(fā)明的一些實(shí)施例。
一種利用TFT作開關(guān)元件的有源陣列液晶顯示器件是由一基片(TFT基片)和一對(duì)置的基片構(gòu)成，前一基片具有一些按陣列安置的像素電極，后一基片通過(guò)液晶層正對(duì)著該TFT基片并具有一些形成于該基片上的對(duì)置電極(opposing electrode)。兩基片的間距通過(guò)隔離層等被控制在預(yù)定的間隔，而且在圍繞該顯示區(qū)的外圍部分使用密封材料，將該液晶層封閉起來(lái)。
圖1是一示意表示本發(fā)明的液晶顯示器件的橫截面結(jié)構(gòu)視圖。在圖1中，標(biāo)號(hào)101表示基片(TFT的基片)，102表示半導(dǎo)體膜，103表示柵絕緣膜(第一絕緣膜)，104表示柵電極，105表示電容線，106表示第二絕緣膜，107表示掃描線，108表示第三絕緣膜，以及109和111表示信號(hào)線或從該信號(hào)線分出的電極。標(biāo)號(hào)110表示一種與像素電極相連的電極。
值得注意的是，在整篇說(shuō)明中，術(shù)語(yǔ)電極都是指該導(dǎo)線的一部分，而且它表示與其它導(dǎo)線進(jìn)行電連接的地方和表示與半導(dǎo)體層相交的地方。這樣，使用術(shù)語(yǔ)導(dǎo)線和電極都是為了說(shuō)明方便，但術(shù)語(yǔ)導(dǎo)線總是被包括在電極的意義中。
注意，由標(biāo)號(hào)102到110所表示的部分在通篇說(shuō)明中都被定義為TFT(開關(guān)元件)。此外，標(biāo)號(hào)109和110可以是從一條導(dǎo)線分出的一電極，也可就是一條導(dǎo)線。
此外，標(biāo)號(hào)112表示覆蓋TFT的第四絕緣膜，113表示一種用來(lái)使TFT免受光的損害的遮光膜，114表示一第五絕緣膜，115表示一與該上述像素電極連接的一像素電極，以及116表示一種取向薄膜，用來(lái)使液晶層117取向。
而且在圖1中，對(duì)置電極119和取向膜118都設(shè)置在對(duì)置的基片120上，此外，當(dāng)需要時(shí)還可設(shè)置遮光膜和濾色器。雖然在圖中未畫出，但是，把驅(qū)動(dòng)線路的薄膜晶體管同時(shí)制得象像素的薄膜晶體管一樣將是有益的。
如圖2所示，該基片(TFT的基片)101包括顯示區(qū)201和做在顯示區(qū)周圍的掃描線驅(qū)動(dòng)線路202與信號(hào)線驅(qū)動(dòng)線路203。
該掃描線驅(qū)動(dòng)線路202主要由一些移位寄存器構(gòu)成，該寄存器用于連續(xù)地傳遞掃描信號(hào)。該信號(hào)線驅(qū)動(dòng)線路203主要由一些取樣保持線路構(gòu)成，該線路在對(duì)移位寄存器和圖像信號(hào)取樣后用來(lái)保持圖像信號(hào)和驅(qū)動(dòng)信號(hào)線，該圖像信號(hào)是根據(jù)該移位寄存器的輸出來(lái)輸入的。
在上述顯示區(qū)201中，有一些與上述掃描線驅(qū)動(dòng)線路202相連并彼此以預(yù)定間隔平行安置的掃描線(柵線)207和一些與信號(hào)線驅(qū)動(dòng)線路203相連并以預(yù)定間隔彼此平行安置的信號(hào)線208。這些掃描線207與這些信號(hào)線208彼此相交。與安置在每一交叉點(diǎn)上的TFT一起，將一些像素電極安置在由那些掃描線和信號(hào)線劃分的各個(gè)區(qū)域內(nèi)。這樣每個(gè)像素電極都被安置在從這種結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的陣列中。此外，設(shè)置一些與GND(地)或固定電位相連接并與信號(hào)線208平行的電容線209。值得注意的是，為了簡(jiǎn)化，在圖2中只畫出了這些信號(hào)線，掃描線和電容線中的幾條。
下面，參考圖3A和3B以及圖4來(lái)對(duì)圖1中的半導(dǎo)體器件的簡(jiǎn)化制作過(guò)程加以描述。
首先，除了玻璃基片可用作基片101外，還可使用石英基片和塑料基片。在利用玻璃基片的情形中，可預(yù)先在比玻璃的扭變點(diǎn)低大約10-20℃的溫度上進(jìn)行熱處理。而且，一種帶基薄膜(base film)形成于該基片101的表面，該TFT將形成于該帶基薄膜上以便防止來(lái)自基片101的雜質(zhì)擴(kuò)散。該帶基薄膜是用絕緣膜，如氧化硅膜、氮化硅膜、或硅氮氧膜制成。
隨后用已知的方法，如等離子體CVD或?yàn)R射的方法形成半導(dǎo)體膜103，并使其達(dá)到25～80nm的厚度(最好為30～60nm)，然后做成希望的形狀。在這個(gè)實(shí)施例中，用等離子體CVD將無(wú)定形硅膜做成大約50 nm的厚度。用已知的結(jié)晶方法完成結(jié)晶過(guò)程，以便從該無(wú)定形硅膜形成結(jié)晶硅膜[多晶Si(poly-Si)]。然后在這結(jié)晶硅膜上繪制布局圖案，以便將該膜做成島形。盡管本實(shí)施例使用的是結(jié)晶硅膜(多晶Si)，但只要它是半導(dǎo)體膜就行了，不會(huì)再設(shè)特別的限制。
注意，在通篇說(shuō)明中，術(shù)語(yǔ)半導(dǎo)體膜表示的是單晶半導(dǎo)體膜、結(jié)晶半導(dǎo)體膜(如多晶Si)、無(wú)定形半導(dǎo)體膜(如α-Si)、或微晶半導(dǎo)體膜。此外，作為半導(dǎo)體膜，還包括如象硅鍺膜之類的化合物半導(dǎo)體膜。
一種用等離子體CVD或?yàn)R射之類的方法形成的含硅的絕緣膜，或用加熱氧化的方法由一半導(dǎo)體膜(如硅膜)形成的氧化物膜都可被用來(lái)形成上述第一絕緣膜(柵絕緣膜)柵絕緣膜103。需要時(shí)，該第一絕緣膜103可以是一由幾層，如兩層或三層構(gòu)成的層狀結(jié)構(gòu)。
緊接著在該第一絕緣膜103上形成一導(dǎo)電膜。然后設(shè)計(jì)布線圖案以便形成柵電極104和電容線105。該柵電極104和電容線105是用如多晶硅之類的導(dǎo)電材料和該導(dǎo)電材料的層狀結(jié)構(gòu)形成，厚度大約為300nm，在這導(dǎo)電材料中摻入了產(chǎn)生導(dǎo)電類型的雜質(zhì)元素，Wsix(x＝2.0～2.8)，Al，Ta，W，Cr，Mo。另外，對(duì)于柵電極104和電容線105來(lái)說(shuō)，可做成單層，但在需要時(shí)，也可做成由幾層，如兩層或三層構(gòu)成的層狀結(jié)構(gòu)。
此后，為了構(gòu)造用作圖像信號(hào)寫入開關(guān)的TFT，如果利用相應(yīng)的島形半導(dǎo)體膜104，就可使用已知的技術(shù)來(lái)選擇性地在島形半導(dǎo)體膜104中摻入一種產(chǎn)生p-型或n-型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素(如磷或硼)，由此形成一低電阻的源區(qū)和漏區(qū)，并進(jìn)而形成一低電阻區(qū)。這種低電阻區(qū)與漏區(qū)類似，因?yàn)樗鼡饺肓穗s質(zhì)元素(典型地是磷和硼)而且是被制成的低電阻的該半導(dǎo)體膜的一部分。注意，選擇性地?fù)饺腚s質(zhì)元素的過(guò)程順序并沒(méi)有特別的限制。例如，這雜質(zhì)元素的摻入可以是在第一絕緣膜和柵電極形成之前，也可是在該柵電極形成之后。此外，還可以形成一種LDD區(qū)或偏移區(qū)(offsetregion)來(lái)反應(yīng)該線路結(jié)構(gòu)。值得注意的是，為了簡(jiǎn)化在圖中并沒(méi)畫出該相應(yīng)區(qū)域。
這樣，通道形成區(qū)形成在該半導(dǎo)體膜104的源區(qū)和漏區(qū)之間。該島形柵電極104就設(shè)置在遍及第一絕緣膜102的各像素的通道形成區(qū)上。另外，那些電容線被設(shè)置在該低電阻區(qū)上。這些電容線還沿信號(hào)線的方向連續(xù)設(shè)置到各像素上，并在該顯示區(qū)之外與地或與固定電位相連接。注意，該存儲(chǔ)電容可以通過(guò)增加下述一下述過(guò)程而增大將電容線與第一絕緣膜102重疊的區(qū)域的膜局部減薄。
接著形成第二絕緣膜106，以覆蓋柵電極和電容線。采用如等離子體CVD或?yàn)R射之類的方法形成的含硅絕緣膜就被用做第二絕緣膜106。此外，該第二絕緣膜106可由氧化硅膜、氮氧化硅膜、氮化硅膜、或由這些膜的組合構(gòu)成的分層膜來(lái)形成。
接著，在該第二絕緣膜上進(jìn)行選擇性蝕刻，以便由此形成伸到島形柵電極的第一接觸孔。
接著，在該第二絕緣膜106上形成一導(dǎo)電膜，然后進(jìn)行布線圖案設(shè)計(jì)，以便由此形成掃描線107。該掃描線107通過(guò)第一接觸孔與每個(gè)島形柵電極相連接，該第一接觸孔形成于第二絕緣膜106上，而且布置得使通道形成區(qū)的四周是能遮光的。該掃描線107可利用具有遮光特性的導(dǎo)電材料膜，如Wsix、W、Cr、Al等，或由100nm厚的Wsix/多晶Si的分層結(jié)構(gòu)來(lái)形成。該掃描線107與該掃描線的驅(qū)動(dòng)線路相連接。
接著形成該第三絕緣膜108以覆蓋上述掃描線。該第三絕緣膜可用如象有機(jī)絕緣材料膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜、氮化硅膜之類的膜、或由這些膜的組合構(gòu)成的分層膜來(lái)形成。
接著在該第一絕緣膜103、第二絕緣膜106和第三絕緣膜上進(jìn)行選擇性蝕刻，以便由此形成伸到半導(dǎo)體膜(源區(qū)或漏區(qū))的第二接觸孔。
具有Al、W、Ti、和TiN作它的主成分的膜，或具有由這些元素構(gòu)成的分層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電膜(膜厚500μm)，緊接著形成在該第三絕緣膜108上。然后繪制布線圖案，由此形成信號(hào)線109、111和島形電極110，用來(lái)與后來(lái)形成的像素電極連接。通過(guò)伸到半導(dǎo)體膜的第二接觸孔，這些信號(hào)線109不是與上述源區(qū)相連就是與上述漏區(qū)相連。同樣，通過(guò)伸到半導(dǎo)體膜的第二接觸孔，該島形電極110不是與上述源區(qū)相連就是與上述漏區(qū)相連。而且，該島形電極110與信號(hào)線109和111隔離設(shè)置。但是，該信號(hào)線109與該島形電極兩者都不與源區(qū)連在一起。同樣，該信號(hào)線109與該島形電極兩者都不與漏區(qū)連在一起。
這一階段的像素頂視圖與圖3相當(dāng)，而沿圖3A的A-A剖線截取的橫截面結(jié)構(gòu)和沿B-B剖線截取的橫截面結(jié)構(gòu)的示意圖分別與圖4圖A和圖4B相應(yīng)。各圖中的相同部分都用同一標(biāo)記表示。
緊接著形成第四絕緣膜，以覆蓋該信號(hào)線和島形電極。該第四絕緣膜112可用如象有機(jī)絕緣材料膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜、氮化硅膜、或由這些膜的組合構(gòu)成的分層膜來(lái)形成。
隨后，由如Ti，Al，W，Cr或黑色樹脂之類材料構(gòu)成的具有遮光特性的膜形成在上述第四絕緣膜112上，然后將其做成希望的布線圖案，由此形成遮光膜(light shielding film)113。將這遮光膜安置成網(wǎng)狀，使得除了像素的開孔部分外，其它的面積都是遮光的。
在實(shí)施例1中，雖然該遮光膜113變成電浮動(dòng)的，但如果選擇低電阻膜來(lái)作遮光膜的材料，則就可能在該顯示區(qū)的外面將這遮光膜控制到一可任選的電位上。
接著在該遮光膜113上形成第五絕緣膜114。用有機(jī)絕緣材料膜來(lái)形成該第五絕緣膜114是適宜的。采用有機(jī)材料來(lái)形成第五絕緣膜就可使表面變得充分平坦。此外，由于有機(jī)樹脂材料一般來(lái)說(shuō)電解常數(shù)都很低所以還可使寄生電容減小。但是，因?yàn)橛袡C(jī)樹脂材料是吸濕的，它們不能很好地用作保護(hù)膜。這樣，該第五絕緣膜114可以是一種用氧化硅膜、氮氧化硅膜、和氮化硅膜的組合構(gòu)成的分層膜。
接著，在第四絕緣膜112上和第五絕緣膜114上進(jìn)行選擇性蝕刻，以便由此形成伸到島形電極110的第三接觸孔。
接著形成一透明的導(dǎo)電膜，如ITO膜，然后作出布線圖案以便由此形成該像素電極115。通過(guò)該第三接觸孔將該像素電極115與該島形電極連接起來(lái)。各像素電極被獨(dú)立安置，使得能將每個(gè)像素的開孔部分覆蓋起來(lái)。
通過(guò)使用上述制造步驟和按照表1所列之設(shè)計(jì)規(guī)則與像素規(guī)則，安排各種導(dǎo)線，半導(dǎo)體膜以及接觸孔等，就可獲得表面積為226.8μm2的像素開孔區(qū)(開孔率61.5％)和表面積為83.4μm2的存儲(chǔ)電容區(qū)301a和301b。像素電極和第三接觸孔的配置表示在圖3B中。
該TFT部分和該接觸區(qū)302的表面積與慣常例子的情形是很相同的。通常被無(wú)益地用作掃描/信號(hào)線的分隔區(qū)或TFT的柵連接導(dǎo)線區(qū)的表面積(A區(qū))可被轉(zhuǎn)變成這種構(gòu)造的像素開孔部分和存儲(chǔ)電容部分。
這樣有效地利用該有限的像素部分就使得有可能將高開孔率與寬的存儲(chǔ)電容面積兼容起來(lái)。
因此可獲得良好的顯示圖像，這是由于避免了由鄰近像素的寫入電流所引起的電容線的電位變化的結(jié)果，之所以這樣是因?yàn)槊總€(gè)像素都與由相應(yīng)的獨(dú)立電容線構(gòu)成的存儲(chǔ)電容相連的原故，即使在該驅(qū)動(dòng)方法下連續(xù)地將圖像信號(hào)寫入這些與各掃描線相應(yīng)的像素，情況也是如此。
此外，因?yàn)榕c上述同樣的理由，對(duì)該電容線的電阻特性要求已被降低，因而在設(shè)計(jì)布置，尺寸，以及電容線的膜厚上都有較多的自由度。而且，由于電容線材料的選擇范圍變寬了，涉及和制造方面的復(fù)雜程度就減小了，因而可能獲得較高的產(chǎn)率。
在實(shí)施例1中，盡管為了方便起見(jiàn)提供了遮光膜，但卻可將制造步驟簡(jiǎn)化成沒(méi)有該遮光膜的結(jié)構(gòu)那樣，因?yàn)槌讼袼氐拈_孔區(qū)或島形Si膜的通道形成區(qū)需要遮光外，其它的區(qū)域都被掃描線和信號(hào)線及具有高遮避效果的涂敷材料完全將光遮住。
實(shí)施例2在實(shí)施例2中，島形電極(第二電極)是在上述實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)中的第一絕緣膜上形成掃描線的過(guò)程中，同時(shí)用與掃描線分開的導(dǎo)線在相應(yīng)的像素上另外形成的。圖5A表示實(shí)施例2的像素的頂視圖，圖5B表示沿圖5A的虛線C-C’截取的橫截面圖。注意，實(shí)施例2只是在形成第二電極方面與實(shí)施例1有無(wú)差異，因而可使用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同的部件。
如圖5A和5B所示，第二電極501是通過(guò)開在該第一絕緣膜上的接觸孔與形成在島形Si膜102中的源區(qū)電連接的。而且，該第二電極501被如此安置使得它能與電容線重疊。
通過(guò)形成這樣的結(jié)構(gòu)，就可形成第二存儲(chǔ)電容，該第二電極501可用作上電極、該第一絕緣膜用作介電質(zhì)、以及該電容線用作下電極，由此形成上述的第二電容。這樣，圖像的保持特性可以得到改善。此外，制作較小的顯示器件也可取得進(jìn)展。
另外，按照實(shí)施例2形成的該第二電極501和該電容線重疊的區(qū)域又與在平表面上的該第一電容電極重疊。因?yàn)樯斓綅u形Si膜的接觸孔區(qū)可以如此設(shè)置，使得在該平表面上它和將像素電極線與該源區(qū)連接起來(lái)的接觸孔區(qū)相重疊，在開孔率上沒(méi)有減小。
對(duì)于這樣的結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)，與實(shí)施例1類似，可以獲得面積為226.8μm2的像素開孔部分(開孔率為61.5％)和面積為83.4μm2的第一存儲(chǔ)電容，實(shí)施例2中的第二存儲(chǔ)電容的附加面積為45.0μm2。
實(shí)施例3這里將參照?qǐng)D6將示于實(shí)施例1中的有源陣列液晶顯示器件的結(jié)構(gòu)描述于實(shí)施例3中。注意，與實(shí)施例1中的標(biāo)號(hào)相應(yīng)的那些部件將被賦予相同的標(biāo)號(hào)。
在圖6中，陣列基片是由像素部分801、掃描線驅(qū)動(dòng)線路802、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)線路803、以及形成在基片101上的其它的信號(hào)處理線路組成。像素TFT 800、第一存儲(chǔ)電容200、和連接在像素電極115上的第二存儲(chǔ)電容201都被提供在該像素部分中，而且提供在像素部分四周的上述驅(qū)動(dòng)線路都是以CMOS線路為基礎(chǔ)構(gòu)造的。
再有，該電容線是朝與信號(hào)線平行的方向敷設(shè)的，它起著第一存儲(chǔ)電容200的上電極的作用或第二存儲(chǔ)電容201的下電極的作用。該電容線還被接地，也可與一固定電位相連。
該掃描線102和該信號(hào)線109分別是從該掃描線驅(qū)動(dòng)線路802和信號(hào)線驅(qū)動(dòng)線路803延伸到該像素部分并與該像素的TFT 800相連接。另外，一FPC(軟性印刷電路)804被連接到外面的輸入端子805上以便用來(lái)輸入信號(hào)，如圖像信號(hào)。該FPC 804用增強(qiáng)型樹脂牢固地固定。然后將連接線806和807連接到相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)線路上。雖然在圖中沒(méi)有畫出，但在對(duì)置的基片808上卻提供有一種遮光膜和一種透明電極。
再有，實(shí)施例3的結(jié)構(gòu)可以與實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)相組合。
實(shí)施例4通過(guò)實(shí)施本發(fā)明所形成的上述CMOS線路和像素陣列線路都可用于電光器件中(有源陣列型液晶顯示器件、有源陣列EL顯示器件、和有源陣列EC顯示器件)。這就是說(shuō)，本發(fā)明可以實(shí)施于所有包含電光器件作顯示部件的設(shè)備中。
象這樣的電子設(shè)備可以列舉于下攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、投影儀(后型或前型)、頭戴式顯示器(head mount display)[眼鏡式顯示器(goggle type display)]、汽車導(dǎo)航系統(tǒng)、個(gè)人計(jì)算機(jī)、便攜式信息終端(如便攜式計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話、和電子圖書)等。這些例子中的一些以表示于圖7A-7F和圖8A-8D中。
圖7A表示一個(gè)個(gè)人計(jì)算機(jī)，它包括有一主體2001、一圖像輸入部分2002、一顯示部分2003、和一鍵盤2004。本發(fā)明可應(yīng)用于該顯示部分2003。
圖7B表示一攝像機(jī)，它包括一主體2101、一顯示部分2102、一音頻輸入部分2103、幾個(gè)操作開關(guān)2104、一個(gè)電池2105、以及一圖像接收部分2106。本發(fā)明可應(yīng)用于該顯示部分2102。
圖7C表示一便攜式計(jì)算機(jī)(mobile computer)，它包括一主體2201、一攝像機(jī)部分2202、一圖像接收部分2203，操作開關(guān)2204、以及顯示部分2205。本發(fā)明可應(yīng)用于該顯示部分2205。
圖7D表示一眼鏡式顯示器，它包括一主體2301、顯示部分2302，以及臂部分2303。本發(fā)明可應(yīng)用于該顯示部分2302。
圖7E表示一種視頻播放機(jī)(player)，它利用一種其中存儲(chǔ)有節(jié)目的記錄介質(zhì)(以下就稱為記錄介質(zhì))，該機(jī)包括一主體2401、一顯示部分2402、揚(yáng)聲器部分2403、記錄介質(zhì)2404、以及幾個(gè)操作開關(guān)2405。DVD(數(shù)字化視頻光盤)、光盤(CD)等等都被用作該記錄介質(zhì)來(lái)使該機(jī)運(yùn)行以便欣賞音樂(lè)和電影，玩視頻游戲或互連網(wǎng)。本發(fā)明可應(yīng)用于該顯示部分2402。
圖7F表示一數(shù)碼相機(jī)，它包括一主體2501、一顯示部分2502、目視鏡部分2503、幾個(gè)操作開關(guān)2504、以及圖像接收部分(圖中未畫出)。本發(fā)明可應(yīng)用于該顯示部分2502。
圖8A表示一前式投影儀，它包括一投影單元2601、一個(gè)屏幕2602等。本發(fā)明可應(yīng)用于該投影單元的液晶顯示器件，該液晶顯示器件是構(gòu)成該單元的一個(gè)部件。
圖8B表示一后式投影儀，它包括一主體2701、一投影單元2702、一反射鏡2703、一屏幕2704等等。本發(fā)明可應(yīng)用于該投影單元的液晶顯示器件，該液晶顯示器件是構(gòu)成該單元的一個(gè)部件。
在圖8C中表示的是分別示于圖8A和8B的投影單元2601和2702的結(jié)構(gòu)例子。投影單元2601和2702每個(gè)都包含有一個(gè)光源的光學(xué)系統(tǒng)2801、反射鏡2802和2804-2806、分光鏡2803、一個(gè)棱鏡2807、和液晶顯示器件2808、一些相差板2809、以及投影光學(xué)系統(tǒng)2810。該投影光學(xué)系統(tǒng)2810是由包含一些透鏡的光學(xué)系統(tǒng)構(gòu)成。在實(shí)施例4中表示一個(gè)三片系統(tǒng)的例子，但卻并沒(méi)有特別的限制。例如單片的光學(xué)系統(tǒng)也是可接受的。另外，在圖8C中箭頭表示的光程之內(nèi)，操作者還可適當(dāng)設(shè)定一些光學(xué)系統(tǒng)，如象一些光學(xué)透鏡，偏振片、相差調(diào)節(jié)膜片、以及IR膜片等。
此外，圖8D表示出圖8C的一個(gè)光源光學(xué)系統(tǒng)2801的結(jié)構(gòu)例子。在這實(shí)施例中，該光源光學(xué)系統(tǒng)2801包括一反射器2811、一個(gè)光源2812、2813、和2814、一個(gè)偏振變換元件2815、以及一聚光透鏡2816。注意，圖8D中表示的光源光學(xué)系統(tǒng)只是一個(gè)例子，它并不限制于這種圖示的結(jié)構(gòu)上。例如，操作者可適當(dāng)設(shè)定一些光學(xué)系統(tǒng)，如象一些光學(xué)透鏡，偏振片、相差調(diào)節(jié)膜片、以及IR膜等。
這樣本發(fā)明的應(yīng)用范圍是非常寬闊的，它可應(yīng)用到一切領(lǐng)域的電子設(shè)備中。另外，這個(gè)實(shí)施例的電子設(shè)備還可由使用實(shí)施例1-3的組合結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)。
如上所述，本發(fā)明的應(yīng)用范圍是非常寬闊的，它可應(yīng)用到一切領(lǐng)域的電子設(shè)備中。另外，實(shí)施例4的電子設(shè)備也可由使用實(shí)施例1-3的組合結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)。
按照本發(fā)明，在掃描線和掃描線/電容線的分隔區(qū)內(nèi)，慣常被用作導(dǎo)線區(qū)的區(qū)域(與圖10中A區(qū)相應(yīng)的那個(gè)區(qū)域)可以被用作該存儲(chǔ)電容。另外，由于該結(jié)構(gòu)的很多像素與相應(yīng)掃描線這樣相連，以致使得它們與各獨(dú)立的電容線相連，因而在對(duì)各個(gè)像素和相鄰像素連續(xù)或同時(shí)進(jìn)行信號(hào)寫入時(shí)，各個(gè)像素并不會(huì)受相鄰像素的寫入電流的影響。此外，各電容線的電負(fù)載還可及時(shí)被分散，因此減小了有效荷載。
因此，按照使用本發(fā)明的液晶顯示器件，就可獲得具有高開孔率和相應(yīng)像素的液晶顯示基元，該基元中具有一些能保持充分顯示信號(hào)電位的存儲(chǔ)電容。從而，在獲得小尺寸和節(jié)能的器件的同時(shí)還可獲得滿意的圖像顯示。
權(quán)利要求
1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括下述步驟在基片上形成島形半導(dǎo)體膜；在該島形半導(dǎo)體膜上形成第一絕緣膜；形成島形柵電極和電容線；形成覆蓋上述柵電極和電容線的第二絕緣膜；通過(guò)對(duì)上述第二絕緣膜進(jìn)行選擇性蝕刻，形成第一接觸孔以到達(dá)柵電極；在第二絕緣膜上形成與該柵電極相連的掃描線；在該掃描線上形成第三絕緣膜；通過(guò)對(duì)上述第三絕緣膜進(jìn)行選擇性蝕刻，形成第二接觸孔以到達(dá)半導(dǎo)體膜；形成與該半導(dǎo)體膜電連接的信號(hào)線。
2.按照權(quán)利要求1所述的方法，其中在半導(dǎo)體膜上形成第一絕緣膜后，與掃描線重疊的第二絕緣膜被局部減薄。
3.按照權(quán)利要求1所述的方法，其中所述的第一絕緣膜是柵絕緣膜。
4.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括形成至少一個(gè)半導(dǎo)體島；在半導(dǎo)體島上形成第一絕緣膜；在第一絕緣膜上形成第一導(dǎo)電膜；將第一導(dǎo)電膜構(gòu)圖為柵電極，其中所述柵電極成形為島形；將雜質(zhì)引入半導(dǎo)體島的選中區(qū)域中，以在其中形成至少一個(gè)源和漏區(qū)，其中溝道區(qū)形成在源和漏區(qū)之間；在柵電極之上形成第二絕緣膜；在第二絕緣膜中形成第一接觸孔以到達(dá)柵電極；在第二絕緣膜上形成第二導(dǎo)電膜；以及構(gòu)圖第二導(dǎo)電膜以形成掃描線，其中掃描線通過(guò)第一接觸孔電連接至柵電極；在掃描線上形成第三絕緣膜；在第三絕緣膜上形成第三絕緣膜；以及構(gòu)圖第三絕緣膜以形成信號(hào)線，其中信號(hào)線電連接至半導(dǎo)體島，其中信號(hào)線通過(guò)插入其間的至少所述第三絕緣膜而與掃描線隔離。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中所述第一導(dǎo)電膜包括選自包含摻雜的多晶硅、WSix(x＝2.0～2.8)、Al、Ta、W、Cr和Mo的材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中所述第二導(dǎo)電膜包括選自包含硅化鎢、W、Cr和Al的材料。
7.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括形成至少一個(gè)半導(dǎo)體島；在半導(dǎo)體島上形成第一絕緣膜；在第一絕緣膜上形成第一導(dǎo)電膜；將第一導(dǎo)電膜構(gòu)圖為柵電極和電容線，其中所述柵電極成形為島狀；在柵電極和電容線之上形成第二絕緣膜；在第二絕緣膜中形成第一接觸孔以到達(dá)柵電極；在第二絕緣膜上形成第二導(dǎo)電膜；以及構(gòu)圖第二導(dǎo)電膜以形成掃描線，其中掃描線通過(guò)第一接觸孔電連接至柵電極；在掃描線上形成第三絕緣膜；在第三絕緣膜上形成第三導(dǎo)電膜；構(gòu)圖第三導(dǎo)電膜以形成信號(hào)線，其中信號(hào)線電連接至半導(dǎo)體島，其中信號(hào)線以正交方向延伸至掃描線，并通過(guò)插入其間的至少所述第三絕緣膜而與其隔離。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中所述第一導(dǎo)電膜包括選自包含摻雜的多晶硅、WSix(x＝2.0～2.8)、Al、Ta、W、Cr和Mo的材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中所述第二導(dǎo)電膜包括選自包含硅化鎢、W、Cr和Al的材料。
10.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括形成至少一個(gè)半導(dǎo)體島；在半導(dǎo)體島上形成第一絕緣膜；在第一絕緣膜上形成第一導(dǎo)電膜；將第一導(dǎo)電膜構(gòu)圖為柵電極和電容線，其中所述柵電極成形為島狀；在柵電極和電容線之上形成第二絕緣膜；在第二絕緣膜中形成第一接觸孔以到達(dá)柵電極；在第二絕緣膜上形成第二導(dǎo)電膜；以及構(gòu)圖第二導(dǎo)電膜以形成掃描線，其中掃描線通過(guò)第一接觸孔電連接至柵電極；在掃描線上形成第三絕緣膜；在第三絕緣膜上形成第三絕緣膜；構(gòu)圖第三絕緣膜以形成信號(hào)線，其中信號(hào)線通過(guò)第二接觸孔電連接至半導(dǎo)體島，其中信號(hào)線與所述電容線平行延伸。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中所述第一導(dǎo)電膜包括選自包含摻雜的多晶硅、WSix(x＝2.0～2.8)、Al、Ta、W、Cr和Mo的材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中所述第二導(dǎo)電膜包括選自包含硅化鎢、W、Cr和Al的材料。
13.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括形成至少一個(gè)半導(dǎo)體島；在半導(dǎo)體島上形成第一絕緣膜；在第一絕緣膜上形成第一導(dǎo)電膜；將第一導(dǎo)電膜構(gòu)圖為柵電極和電容線，其中所述柵電極成形為島狀；在柵電極和電容線之上形成第二絕緣膜；在第二絕緣膜中形成第一接觸孔以到達(dá)柵電極；在第二絕緣膜上形成掃描線，其中掃描線通過(guò)第一接觸孔電連接至柵電極，并以正交于電容線的方向延伸；在掃描線上形成第三絕緣膜；在第三絕緣膜上形成信號(hào)線，其中信號(hào)線電連接至半導(dǎo)體島，其中信號(hào)線與所述電容線平行延伸并與所述電容線重疊。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中所述第一導(dǎo)電膜包括選自包含摻雜的多晶硅、WSix(x＝2.0～2.8)、Al、Ta、W、Cr和Mo的材料。
15.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中所述第二導(dǎo)電膜包括選自包含硅化鎢、W、Cr和Al的材料。
全文摘要
提供一種具有高顯示品質(zhì)的液晶顯示器件，它具有高的孔徑比而又確保有足夠的存儲(chǔ)電容(Cs)，同時(shí)還可通過(guò)將電容線的負(fù)荷(像素的寫入電流)及時(shí)地分散開以便有效地減小該負(fù)荷。掃描線形成在與柵電極不同的層上，以便將電容線安置得與信號(hào)線平行。每個(gè)像素都通過(guò)介電質(zhì)與各獨(dú)立的電容線相連接。因而，由鄰近像素的寫入電流所引起的電容線的電位變化就可避免，由此可獲得滿意的顯示圖像。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK1540716SQ200410044699
公開日2004年10月27日 申請(qǐng)日期2000年9月26日 優(yōu)先權(quán)日1999年9月27日
發(fā)明者柴田寬, 磯部敦生, 生 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所