專利名稱：液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器，具體涉及一種通過消除水平電場型液晶顯示板內(nèi)的殘留DC成分而提高圖像質(zhì)量的液晶顯示器。
背景技術(shù)：
一般來說，液晶顯示器利用薄膜晶體管TFT作為開關(guān)裝置而顯示自然的運(yùn)動(dòng)圖像。這種液晶顯示器相比于陰極射線管CRT可以制成較小的尺寸，而且已被用于制造便攜式電視、筆記本電腦和個(gè)人計(jì)算機(jī)的顯示器。
液晶顯示器以像素矩陣或像元矩陣(其中像素位于選通線和數(shù)據(jù)線的各個(gè)交叉部位)的形式顯示與電視信號(hào)之類的視頻信號(hào)相對(duì)應(yīng)的圖像。每個(gè)像素包含一個(gè)根據(jù)數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓電平來控制透射光量的液晶單元。TFT安裝在選通線和數(shù)據(jù)線的交叉部位，響應(yīng)于掃描信號(hào)，即從選通線傳來的選通脈沖，切換要傳送到液晶單元的數(shù)據(jù)信號(hào)。
根據(jù)驅(qū)動(dòng)液晶的電場的方向，可以把這種液晶顯示器分為垂直電場型液晶顯示器和水平電場型液晶顯示器，其中垂直電場型液晶顯示器施加垂直方向的電場，水平電場型液晶顯示器施加水平方向的電場，這樣視角更寬。
水平電場型液晶顯示器與垂直電場型液晶顯示器不同，其像素單元內(nèi)的液晶在水平電場下在水平方向上旋轉(zhuǎn)，這樣就具有視角寬的優(yōu)點(diǎn)。
圖1顯示了現(xiàn)有技術(shù)的水平電場型液晶顯示器的信號(hào)線。
參考圖1，具有TFT陣列的下基板2包括多個(gè)公共線(common line)CL1至CLm，以向公共電極施加公共電壓Vcom；多個(gè)選通線GL1至GLm，向柵極施加選通電壓；多個(gè)數(shù)據(jù)線DL1至DLn，向像素電極施加數(shù)據(jù)電壓。
公共線CL1至CLm是m個(gè)與選通線GL1至GLm平行的線。
選通線GL1至GLm是m個(gè)與公共線CL1至CLm交錯(cuò)并平行的線，向TFT的柵極施加選通電壓。
數(shù)據(jù)線DL1至DLn是n個(gè)垂直于選通線GL1至GLm的線。數(shù)據(jù)線DL1至DLn通過TFT的漏極向像素電極施加數(shù)據(jù)信號(hào)。像素區(qū)域位于公共線CL和選通線GL與數(shù)據(jù)線DL交叉的部位處。薄膜晶體管也位于數(shù)據(jù)線DL和選通線GL的交叉部位。
供電線SL位于下基板2的兩側(cè)，至少垂直于選通線GL1至GLm。供電線SL向公共線CL施加公共電壓。防靜電電路4和8安裝在供電線SL和信號(hào)線(包括選通線GL、數(shù)據(jù)線DL和公共線CL)之間。
現(xiàn)有技術(shù)的水平電場型液晶顯示器的選通線GL1至GLm和數(shù)據(jù)線DL1至DLn經(jīng)常會(huì)由于制造誤差和操作錯(cuò)誤而斷裂。當(dāng)選通線GL1至GLm斷裂時(shí)，一些TFT就得不到驅(qū)動(dòng)。當(dāng)數(shù)據(jù)線DL1至DLn斷裂時(shí)，數(shù)據(jù)信號(hào)就不能傳送到一些TFT。為了確定選通線GL1至GLm和數(shù)據(jù)線DL1至DLn中是否有斷線，要用測試電路(未示出)檢查TFT陣列基板。完成測試后，液晶顯示板內(nèi)的殘留DC成分通過供電線SL疏通并消除。
另一方面，為了檢測TFT的工作情況，向選通短接條12和數(shù)據(jù)短接條10分別施加電壓，獲得輸出電壓值，從而檢測TFT是否正常工作。
選通短接條12至少與選通線GL和公共線CL中的任何一個(gè)相連，數(shù)據(jù)短接條10與數(shù)據(jù)線DL相連。與選通短接條12相連的選通線GL和公共線GL中任何一個(gè)通過防靜電電路4與供電線SL相連，與數(shù)據(jù)短接條10相連的數(shù)據(jù)線DL通過防靜電電路4與供電線SL相連。供電線SL環(huán)繞下基板2的顯示區(qū)，并與位于每個(gè)數(shù)據(jù)線DL、選通線GL和公共線CL兩端的防靜電電路4和8相連。
這樣，現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示板具有通過供電線SL形成的旁通環(huán)路(bypass loop)。留在液晶顯示板內(nèi)的DC成分和斷電信號(hào)通過旁通環(huán)路疏通而自然地釋放。
但是，如果旁通環(huán)路和信號(hào)線之間接觸不良或者如果旁通環(huán)路有缺陷，那么殘留DC成分就會(huì)施加到液晶顯示板的顯示區(qū)上，造成液晶顯示板內(nèi)的污染，從而降低顯示區(qū)的圖像質(zhì)量。特別是，在液晶注入孔(未示出)周圍尤其容易出現(xiàn)污跡，造成圖像質(zhì)量的下降。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種液晶顯示器，其充分地消除了由現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺點(diǎn)所引起的一個(gè)或多個(gè)問題。
因此，本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是提供了一種通過消除水平電場型液晶顯示板內(nèi)的殘留DC成分而提高圖像質(zhì)量的LCD。
為實(shí)現(xiàn)這些以及其它優(yōu)點(diǎn)，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種液晶顯示器，包括劃分為顯示部分和非顯示部分的基板；位于基板上的選通線；與選通線平行的公共線；與選通線和公共線相交同時(shí)與之絕緣從而限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線；位于非顯示部分內(nèi)的至少一個(gè)電容器，其與選通線、公共線和數(shù)據(jù)線中的至少一個(gè)相連以存儲(chǔ)顯示部分的殘留成分并消除所存儲(chǔ)的成分。
該液晶顯示器還包括位于基板的顯示部分內(nèi)的公共電極，其與公共線相連；位于選通線和數(shù)據(jù)線的交叉部位的薄膜晶體管；位于選通線和數(shù)據(jù)線之間的選通絕緣膜(gate insulating film)；選通絕緣膜上的保護(hù)膜，用于保護(hù)薄膜晶體管；與薄膜晶體管相連的像素電極，用于與公共電極形成水平電場。
所述的電容器包括與選通線和公共線中的至少一個(gè)相連的第一電容器和與數(shù)據(jù)線相連的第二電容器。
該液晶顯示器還包括位于基板的非顯示部分內(nèi)并與第一電容器相連的第一防靜電裝置；位于基板的非顯示部分內(nèi)并與第二電容器相連的第二防靜電裝置。
第一電容器包括與第一防靜電裝置相連的第一短接條；第一短接條上的至少一層絕緣膜；在所述至少一層絕緣膜上覆蓋第一短接條的第一虛線(dummy line)。
在此，第一短接條由與選通線和數(shù)據(jù)線中任何一個(gè)同樣的金屬制成。
在此，第一虛線由與像素電極相同的金屬制成。
在此，所述的至少一層絕緣膜是選通絕緣膜和保護(hù)膜。
在此，所述的至少一層絕緣膜是保護(hù)膜。
第二電容器包括與第二防靜電裝置相連的第二短接條；位于第二短接條上的至少一層絕緣膜；在所述至少一層絕緣膜上覆蓋第二短接條的第二虛線。
在此，第二短接條由與選通線及數(shù)據(jù)線中任何一個(gè)同樣的金屬制成。
在此，第二虛線由與像素電極同樣的金屬制成。
在此，所述的至少一層絕緣膜是選通絕緣膜和保護(hù)膜。
在此，所述的至少一層絕緣膜是保護(hù)膜。
可以理解，前面的概述和下面的詳細(xì)描述都是示例性和說明性的，旨在為權(quán)利要求所限定的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。


附圖幫助更好地理解本發(fā)明，并構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，附圖顯示了本發(fā)明的實(shí)施例，并與說明書一起解釋本發(fā)明的原理。
其中圖1是現(xiàn)有技術(shù)的水平電場型液晶顯示器的平面圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的水平電場型液晶顯示器的平面圖；圖3是圖2所示的形成于下基板上選通線和數(shù)據(jù)線交叉部位處的像素的平面圖；圖4是如圖3所示的沿I-I’線的像素剖面圖；圖5是上基板上圖2所示的像素的剖面圖；圖6A和6B是圖2所示的第一和第二旁通電容(bypass capacitor)的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
以下對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明，附圖中示出了其示例。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的平面切換(In-Plane Switching，IPS)模式液晶顯示器的平面圖。
參考圖2，根據(jù)本發(fā)明的IPS模式液晶顯示器包括多個(gè)公共線CL1至CLm，向公共電極施加公共電壓Vcom；多個(gè)選通線GL1至GLm，向TFT的柵極施加選通電壓；多個(gè)數(shù)據(jù)線DL1至DLn，通過TFT的漏極向像素電極施加數(shù)據(jù)電壓；位于數(shù)據(jù)線DL1至DLn一端的第一旁通電容C1，位于選通線GL1至GLm一端的第二旁通電容C2。在此，公共線CL、選通線GL和數(shù)據(jù)線DL位于顯示部分62內(nèi)，第一和第二旁通電容C1和C2位于不包括顯示部分62的非顯示部分內(nèi)。
公共線CL1至CLm是m個(gè)與選通線GL1至GLm大致平行的線。向公共線CL1至CLm施加公共電壓的供電線SL位于下基板32的兩側(cè)，大致垂直于選通線GL1至GLm。公共線CL直接與第二短接條42相連或與第三防靜電電路相連，第三防靜電電路與第二短接條42相連。
選通線GL1至GLm是m個(gè)與公共線CL1至CLm交錯(cuò)并大致平行的線，向TFT的柵極施加選通電壓。選通線GL分別與第三防靜電電路38相連，或直接與第二短接條42相連。
數(shù)據(jù)線DL1至DLn是n個(gè)大致垂直于選通線GL1至GLm的線，通過TFT的漏極將數(shù)據(jù)信號(hào)施加給像素電極。在數(shù)據(jù)線DL中，奇數(shù)數(shù)據(jù)線DL1、DL3、…，DL(n-3)、DL(n-1)與第一短接條40相連。另外，可以在第一連接線44和奇數(shù)數(shù)據(jù)線DL1、DL3、…、DL(n-3)、DL(n-1)之間提供第一防靜電電路34。在數(shù)據(jù)線DL中，偶數(shù)數(shù)據(jù)線DL2、DL4、…、D(n-2)、DLn與第一短接條40相連。另外，可以在第二連接線46和偶數(shù)數(shù)據(jù)線DL2、DL4、…，D(n-2)、DLn之間提供第二防靜電電路36。
這樣，如圖3和4所示，TFT位于下基板32上的選通線GL和數(shù)據(jù)線DL的交叉部位，像素電極72以矩陣的形式排列在由數(shù)據(jù)線DL、選通線GL和公共線CL限定的像素區(qū)域內(nèi)。另外，條狀的公共電極76在像素區(qū)域中與像素電極72交錯(cuò)并且形成水平電場。
TFT包括與選通線GL相連的柵極66、與數(shù)據(jù)線DL相連的源極68、穿過接觸孔74與像素電極72相連的漏極70。另外，TFT包括半導(dǎo)體層78和80，通過向柵極66施加選通電壓而在源極68和漏極70之間形成導(dǎo)電通道。半導(dǎo)體層78和80形成于選通絕緣膜82上。這種TFT響應(yīng)于從選通線GL傳來的選通信號(hào)而有選擇地將從數(shù)據(jù)線DL傳來的數(shù)據(jù)信號(hào)傳到像素電極72。
像素電極72位于數(shù)據(jù)線DL和選通線GL限定的像素區(qū)域內(nèi)，是由透光率高的透明導(dǎo)電材料制成的。像素電極72形成于下基板32整個(gè)表面上的保護(hù)層84上，并且穿過從保護(hù)層84通過的接觸孔74與漏極70相連。
公共電極76和像素電極72交錯(cuò)地位于數(shù)據(jù)線DL和選通線GL限定的像素區(qū)域內(nèi)。公共電極76位于下基板32上，由與選通線GL、數(shù)據(jù)線DL及像素電極72中至少一個(gè)相同的金屬制成。
這樣，如圖5所示，形成有TFT、像素電極72、公共電極76及下對(duì)準(zhǔn)膜(未示出)的下基板32正對(duì)著形成有黑色矩陣54、濾色器56、平整層58及上對(duì)準(zhǔn)膜(未示出)的上基板31。
黑色矩陣54以矩陣的形式形成于上基板31上，將上基板31的表面分成多個(gè)單元區(qū)域，濾色器56就處于這些單元中，同時(shí)起到防止相鄰單元之間光互相干擾的作用。三原色紅、綠、籃濾色器56位于被黑色矩陣54分成多個(gè)單元的上基板31上。濾色器56由含有色素的丙烯酸樹脂或聚酰亞胺樹脂制成，并且在黑色矩陣上相互分隔開。各種顏色的濾色器可以分別形成，以防止制造過程中顏色混合。用于平整上基板31的平整層58位于濾色器56表面上。平整層是用于防止濾色器56被污染，并補(bǔ)償分別形成的紅、綠、籃濾色器56之間的階梯差(step difference)。
在液晶顯示器中，如果向TFT的柵極66施加了選通高脈沖，則在源極68和漏極70之間形成一個(gè)通道，在掃描周期中，在像素電極72和公共電極76之間施加了對(duì)應(yīng)于視頻數(shù)據(jù)電壓與公共電壓之間電壓差的水平電場。水平電場引起液晶層60的液晶被驅(qū)動(dòng)，從而控制了背光燈的入射光量。
根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器具有位于非顯示部分的第一旁通電容C1，其與數(shù)據(jù)線DL的端部相連。如圖6A所示，第一旁通電容C1包括第一短接條40和第一虛線52，之間有選通絕緣膜82和保護(hù)膜84。如圖6B所示，第一旁通電容C1包括位于選通絕緣膜上的第一短接條40、覆蓋在第一短接條40上的第一虛線52、以及保護(hù)膜84。也就是說，第一短接條40可以用與柵極66相同的柵極金屬制成，第一短接條40和柵極可以同時(shí)形成?；蛘?，第一短接條40可以與源極、漏極68及70使用同樣的數(shù)據(jù)金屬制成，且第一短接條40和源極、漏極68及70可以同時(shí)形成。第一虛線52可以與像素電極72一樣由相同的透明導(dǎo)電金屬制成，并且它們可以同時(shí)形成。第一虛線52可以、也可以不施加特定的電場。在此，透明導(dǎo)電金屬可以包括氧化銦錫ITO、氧化銦鋅IZO或氧化銦錫鋅ITZO。
如果第一短接條40由柵極金屬制成，則第一旁通電容C1包含第一短接條40和第一虛線52，選通絕緣膜82和保護(hù)膜84位于其間。如果第一短接條40由數(shù)據(jù)金屬制成，則第一旁通電容C1包含第一短接條40和第一虛線52，保護(hù)膜位于其間。
第二旁通電容C2位于非顯示部分中，與選通線GL的端部相連。包含第二短接條42和第二虛線50的第二旁通電容C2具有保護(hù)膜84，或者具有選通絕緣膜82和保護(hù)膜84。如圖6B所示，第二旁通電容C2包括位于選通絕緣膜82上的第二短接條42、以及覆蓋短接條42和保護(hù)膜84的第二虛線50，短接條42和保護(hù)膜84位于中間。也就是說，第二短接條42可以與柵極66使用同樣的柵極金屬制成，并且第二短接條42和柵極可以同時(shí)形成。或者，第二短接條42可以與源極和漏極68及70使用同樣的數(shù)據(jù)金屬制成，并且第二短接條42、源極和漏極68及70可以同時(shí)形成。第二虛線50與像素電極72使用同樣的透明導(dǎo)電金屬制成，并且它們可以同時(shí)形成。第二虛線50可以，也可以不施加指定的電場。
如果第二短接條42是由柵極金屬制成的，則第二旁通電容C2包含第二短接條42和第二虛線50，選通絕緣膜82和保護(hù)膜84位于其間。如果第二短接條42是由數(shù)據(jù)金屬制成的，則第二旁通電容包含第二短接條42和第二虛線50，保護(hù)膜84位于其間。
當(dāng)由與數(shù)據(jù)線DL相連的第一短接條40、與等電位的選通線GL及公共線CL相連的第二短接條42構(gòu)成的旁通環(huán)路斷開時(shí)，第一和第二旁通電容C1和C2存儲(chǔ)液晶顯示板內(nèi)的殘留成分，并慢慢釋放所存儲(chǔ)的殘留成分。這樣，即使旁通環(huán)路斷開了，留在液晶顯示板內(nèi)的DC成分或斷電信號(hào)仍存儲(chǔ)在第一和第二旁通電容C1和C2中，從而使液晶顯示板的損壞達(dá)到最小，改善了圖像的質(zhì)量。
如前面所述，根據(jù)本發(fā)明的LCD具有旁通電容，用以消除由液晶顯示板內(nèi)的信號(hào)線接觸不良或旁通環(huán)路斷開而引起的殘留DC成分。旁通電容是由之間具有選通絕緣膜和/或保護(hù)膜的短接條和虛線形成的。因?yàn)榕酝娙荽鎯?chǔ)了殘留DC成分，可以防止由殘留DC成分引起的液晶顯示板顯示部分的圖像質(zhì)量下降。
對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員，很明顯，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，能對(duì)本發(fā)明進(jìn)行多種改進(jìn)和變化。因此，如果這些改進(jìn)和變化落在所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)，則本發(fā)明涵蓋這些改進(jìn)和變化。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器，包括具有顯示部分和非顯示部分的基板；基板上的選通線；與選通線大致平行的公共線；與選通線和公共線交叉并與其保持絕緣，從而限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線；以及至少一個(gè)電容器，位于非顯示部分中，與選通線、公共線和數(shù)據(jù)線中的至少一個(gè)相連，用以存儲(chǔ)顯示部分中的殘留成分，并消除所存儲(chǔ)的成分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，還包括公共電極，位于基板的顯示部分中，并與公共線相連；薄膜晶體管，位于選通線和數(shù)據(jù)線的交叉部位；選通絕緣膜，位于選通線和數(shù)據(jù)線之間；保護(hù)膜，位于選通絕緣膜上，用以保護(hù)薄膜晶體管；以及像素電極，與薄膜晶體管相連，與公共電極形成水平電場。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，其中，所述的電容器包括第一電容器，其與選通線和公共線中的至少一個(gè)相連；以及第二電容器，其與數(shù)據(jù)線相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示器，還包括第一防靜電裝置，位于基板的非顯示部分中，并與第一電容器相連；以及第二防靜電裝置，位于基板的非顯示部分中，并與第二電容器相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示器，其中，所述的第一電容器包括第一短接條，與第一防靜電裝置相連；第一短接條上的至少一層絕緣膜；以及在所述至少一層絕緣膜上覆蓋所述第一短接條的第一虛線。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示器，其中，所述的第一短接條包含與選通線及數(shù)據(jù)線中任何一個(gè)相同的金屬。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示器，其中，所述的第一虛線包含與像素電極相同的金屬。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示器，其中，所述的至少一層絕緣膜是選通絕緣膜和保護(hù)膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示器，其中，所述的至少一層絕緣膜是保護(hù)膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示器，其中，所述的第二電容器包括第二短接條，其與第二防靜電裝置相連；第二短接條上的至少一層絕緣膜；以及在所述至少一層絕緣膜上覆蓋所述第二短接條的第二虛線。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示器，其中，所述的第二短接條包含與選通線及數(shù)據(jù)線中任何一個(gè)相同的金屬。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示器，其中，所述的第二虛線包含與像素電極相同的金屬。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示器，其中，所述的至少一層絕緣膜是選通絕緣膜和保護(hù)膜。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示器，其中，所述的至少一層絕緣膜是保護(hù)膜。
15.一種制造液晶顯示器的方法，包括提供具有顯示部分和非顯示部分的基板；在基板上形成選通線；形成與選通線大致平行的公共線；形成與選通線和公共線交叉并與之絕緣的數(shù)據(jù)線，以限定像素區(qū)域；以及在非顯示部分中形成與選通線、公共線和數(shù)據(jù)線中至少一個(gè)相連接的至少一個(gè)電容器，以存儲(chǔ)顯示部分中的殘留成分并消除所存儲(chǔ)的成分。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造液晶顯示器的方法，還包括在基板的顯示部分中形成公共電極，并與公共線相連；在選通線和數(shù)據(jù)線的交叉部位上形成薄膜晶體管；在選通線和數(shù)據(jù)線之間形成選通絕緣膜；在選通絕緣膜上形成保護(hù)膜以保護(hù)薄膜晶體管；以及形成與薄膜晶體管相連的像素電極，以與公共電極形成水平電場。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造液晶顯示器的方法，其中所述的電容器包括第一電容器，其與選通線和公共線中的至少一個(gè)相連；以及第二電容器，其與數(shù)據(jù)線相連。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制造液晶顯示器的方法，還包括在基板的非顯示部分中提供第一防靜電裝置，并與第一電容器相連；以及在基板的非顯示部分中提供第二防靜電裝置，并與第二電容器相連；
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制造液晶顯示器的方法，其中所述的第一電容器包括第一短接條，其與第一防靜電裝置相連；第一短接條上的至少一層絕緣膜；以及在所述至少一層絕緣膜上覆蓋所述第一短接條的第一虛線。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的制造液晶顯示器的方法，其中所述的第一短接條包含與選通線及數(shù)據(jù)線中任何一個(gè)相同的金屬。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的制造液晶顯示器的方法，其中所述的第一虛線包含與像素電極相同的金屬。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的制造液晶顯示器的方法，其中所述的至少一層絕緣膜是選通絕緣膜和保護(hù)膜。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的制造液晶顯示器的方法，其中所述的至少一層絕緣膜是保護(hù)膜。
24.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制造液晶顯示器的方法，其中所述的第二電容器包括第二短接條，其與第二防靜電裝置相連；第二短接條上的至少一層絕緣膜；以及在所述至少一層絕緣膜上覆蓋所述第二短接條的第二虛線。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的制造液晶顯示器的方法，其中所述的第二短接條包含與選通線及數(shù)據(jù)線中任何一個(gè)相同的金屬。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的制造液晶顯示器的方法，其中所述的第二虛線包含與像素電極相同的金屬。
27.根據(jù)權(quán)利要求24所述的制造液晶顯示器的方法，其中所述的至少一層絕緣膜是選通絕緣膜和保護(hù)膜。
28.根據(jù)權(quán)利要求24所述的制造液晶顯示器的方法，其中所述的至少一層絕緣膜是保護(hù)膜。
全文摘要
揭示了一種液晶顯示器，它通過消除水平電場型液晶顯示板中的殘留DC成分而提高圖像質(zhì)量。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器包括具有顯示部分和非顯示部分的基板；基板上的選通線；與選通線大致平行的公共線；與選通線和公共線交叉并與其保持絕緣，從而限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線；以及至少一個(gè)電容器，位于非顯示部分中，與選通線、公共線和數(shù)據(jù)線中的至少一個(gè)相連，用以存儲(chǔ)顯示部分的殘留成分，并消除所存儲(chǔ)的成分。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK1514294SQ20031010309
公開日2004年7月21日 申請(qǐng)日期2003年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月31日
發(fā)明者樸巡英, 李德遠(yuǎn) 申請(qǐng)人:Lg.飛利浦Lcd有限公司