專利名稱：電光裝置及電子儀器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電光裝置及電子儀器具有的電光裝置。
背景技術(shù)：
近年來，針對在基板上具有多個薄膜晶體管(TFT)，和由該薄膜晶體管驅(qū)動、并且與該薄膜晶體管(TFT)對應(yīng)地配置的多個有機EL元件的。有機有源EL發(fā)光裝置，有在TFT和有機EL元件的下部電極之間配置平坦化的層間絕緣膜的結(jié)構(gòu)提案。
圖10所表示的是現(xiàn)有的有機有源發(fā)光裝置的一個例子。
符號148所表示的有機有源發(fā)光裝置由在基板149上形成的多個薄膜晶體15管(TFT)150，具有對置電極151、有機層152和下部電極153的有機EL元件154，以及層間絕緣膜155構(gòu)成。此外，TFT150的端子和有機EL元件154的下部電極153通過設(shè)置在層間絕緣膜155的連接孔156電連接，有機EL元件154由該TFT150驅(qū)動。
薄膜晶體管(TFT)150由圖11所示的第一晶體管(TFT1)157、第二晶體管(Tr2)158構(gòu)成，通過在掃描電極線(Yj～Yj+n)159、信號電極線(Xi～Xi+n)160、以及公共電極線(Ci～Ci+n)161中流動的電流驅(qū)動有機EL元件154的有機層152。
此外，公共電極線(Ci～Ci+n)161和第一晶體管(Tr1)157之間形成電容162，有電荷充電。層間絕緣膜155設(shè)置在薄膜晶體管(TFT)150的上方，并且該層間絕緣膜155和下部電極153的接合面平坦。
另外，作為其他的現(xiàn)有技術(shù)，有圖12所示的有源矩陣構(gòu)造的電光裝置的提案。
如圖12所示，這種現(xiàn)有的有源矩陣構(gòu)造的電光裝置170具有玻璃基板171，在該玻璃基板171的表面上形成作為能動層的第一多晶硅層172，使多晶硅層172熱氧化的柵極絕緣膜173，作為柵極電極的第二多晶硅層174，第一層間絕緣膜175，第二層間絕緣膜176，信號電極線178，第一連接孔179，第二連接孔180，第一象素電極181，第二象素電極182，以及絕緣膜183。
在有源矩陣構(gòu)造的電光裝置170中，絕緣膜183在層積了第一多晶硅層172、柵極絕緣膜173、第二多晶硅層174、第一層間絕緣膜175、第二層間絕緣膜176、以及信號電極線178以后形成，并且實現(xiàn)平坦化。
但是，上述現(xiàn)有的有機有源發(fā)光裝置148為了防止有機EL元件154的發(fā)光不良和電極形成工序中的缺陷，需要提高設(shè)置在層間絕緣膜155下方的掃描電極線159、信號電極線160、薄膜晶體管150與下部電極153之間的絕緣性，需要形成具有充分絕緣性的層間絕緣膜155。
而且，要使層間絕緣膜155高精度地平坦化并不容易，在無法獲得充分的絕緣性時，會出現(xiàn)有機EL元件的發(fā)光不良及電極形成工序中的缺陷的問題。
此外，在上述其他現(xiàn)有的有源矩陣結(jié)構(gòu)的電光裝置170中，絕緣膜183是在層積了第一象素電極181之后平坦化的。但由于第二層間絕緣膜176、第一象素電極181呈凹凸?fàn)?，所以存在著在象素電極181的上方制膜的絕緣膜183很難平坦化的問題。
本發(fā)明是為解決這些問題而提出的，其第一目的在于提供一種容易使層積于構(gòu)成電光裝置的開關(guān)元件、布線、絕緣膜上方的絕緣膜平坦化，并且開口率大的電光裝置。

發(fā)明內(nèi)容
為實現(xiàn)以上目的，本發(fā)明提供以下方案。
在具有基板，設(shè)置在該基板上的開關(guān)元件、布線，以及絕緣膜的電光裝置中，其特征為上述基板具有具有與上述開關(guān)元件、上述布線、以及上述絕緣膜中至少一個的位置對應(yīng)地形成的凹部。
根據(jù)這種電光裝置，由于上述基板具有與上述開關(guān)元件、上述布線、以及上述絕緣膜中至少一個的位置相對應(yīng)地形成的凹部，所以可容易地在上述凹部的內(nèi)部形成上述開關(guān)元件、上述布線、以及上述絕緣膜中的至少一個。
本發(fā)明的電光裝置的特征是，在以上記載的電光裝置中，在上述凹部中埋設(shè)有上述開關(guān)元件、上述布線、以及上述絕緣膜中的至少一個。
根據(jù)這種電光裝置，由于在上述凹部中埋設(shè)有上述開關(guān)元件、上述布線、以及上述絕緣膜中的至少一個，所以可容易地在上述凹部中埋設(shè)上述開關(guān)元件、上述布線、以及上述絕緣膜中的至少一個。
本發(fā)明的電光裝置的特征是，在以上記載的電光裝置中，在上述凹部中埋設(shè)有具有上述開關(guān)元件、上述布線、以及上述絕緣膜中的至少一個的層積體。
根據(jù)這種電光裝置，由于在上述凹部中埋設(shè)有具有上述開關(guān)元件、上述布線、以及上述絕緣膜中的至少一個的層積體，所以可容易地在上述凹部中埋設(shè)具有上述開關(guān)元件、上述布線、以及上述絕緣膜中的至少一個的層積體。
在上述凹部中埋設(shè)具有阻礙上述電光裝置發(fā)光的上述開關(guān)元件、上述布線、以及上述絕緣膜中的至少一個的層積體，上述電光裝置的發(fā)光面積增大，可以實現(xiàn)高開口率。
本發(fā)明的電光裝置的特征是，在以上記載的電光裝置中，上述基板的上表面與埋設(shè)在上述凹部中的上述開關(guān)元件、上述布線、以及上述絕緣膜中的至少一個的上表面相連接。
根據(jù)這種電光裝置，由于上述基板的上表面與埋設(shè)在上述凹部中的上述開關(guān)元件、上述布線、以及上述絕緣膜中的至少一個的上表面相連接，所以可在上述基板、上述開關(guān)元件、上述布線、以及上述絕緣膜中的至少一個的上表面上形成平坦的絕緣膜，可容易地進行該絕緣膜的平坦化，而且，可以省略上述絕緣膜的平坦化處理，另外，在上述絕緣膜的上表面上需要高精度的平坦面時，可容易地進行高精度的平坦化處理，并且可容易地使層積在上述絕緣膜上方的象素電極以及象素電極間的邊界絕緣膜平坦化。
另外，可以抑制上述絕緣膜的絕緣性差異，上述開關(guān)元件的開關(guān)特性差異。而且，可以充分確保上述絕緣膜的絕緣性，獲得穩(wěn)定的開關(guān)特性。
由于層積在上述絕緣膜上方的上述象素電極和上述象素電極之間的上述邊界絕緣膜容易平坦化，所以可容易地形成陣列(BANK)。并且，可以防止與該陣列相鄰的熒光體的發(fā)光不良和電極形成工序中的缺陷。
本發(fā)明的電光裝置的特征是，在以上記載的電光裝置中，在第一象素電極和與上述第一象素電極相鄰的第二象素電極之間形成邊界絕緣膜，上述象素電極的上表面和該邊界絕緣膜的上表面相連接。
根據(jù)這種電光裝置，由于在第一象素電極和與上述第一象素電極相鄰的第二象素電極之間形成邊界絕緣膜，上述象素電極的上表面和該邊界絕緣膜的上表面相連接，所以可在上述象素電極的上表面和上述邊界絕緣膜的上表面上形成平坦面，容易使上述象素電極的上表面平坦化，并且，可容易地在上述象素電極的上表面和上述邊界絕緣膜的上表面上形成上述陣列，并可以防止與上述陣列相鄰的熒光體的發(fā)光不良和電極形成工序中的缺陷，在上述象素電極的上表面上形成發(fā)光層時，可使發(fā)光層厚度一致，防止發(fā)光的色差。
另外，由于上述象素電極和與上述象素電極相鄰的象素電極之間形成上述邊界絕緣膜，所以可以使上述象素電極和與上述象素電極相鄰的象素電極之間電絕緣。
本發(fā)明的電光裝置的特征是，在以上記載的電光裝置中，上述象素電極上并列地形成多個向規(guī)定方向延伸的棒狀陣列，在上述棒狀陣列的兩端部上連接有向與上述棒狀陣列相交的方向延伸的端部陣列，在由棒狀陣列和端部陣列形成的空間內(nèi)設(shè)置有熒光體。
根據(jù)這種電光裝置，由于在上述象素電極上并列地形成向規(guī)定方向延伸的棒狀陣列，在上述棒狀陣列的兩端部上連接有向與上述棒狀陣列相交的方向延伸的端部陣列，在由棒狀陣列和端部陣列形成的空間內(nèi)設(shè)置有熒光體，所以通過由該棒狀陣列和該端部陣列包圍的熒光體形成同色的長方形狀的象素列，可以提高電光裝置的開口率。
設(shè)置在上述棒狀陣列下方的上述邊界絕緣膜的寬度不需要高精度的尺寸，可以更容易地制造電光裝置。
在采用液滴排出法，向由上述棒狀陣列和上述端部陣列形成的空間內(nèi)涂敷空穴注入材料或發(fā)光聚合物溶液時，在上述棒狀陣列的延伸方向上不需要高精度的調(diào)整，可以簡化工藝，提高成品率，防止出現(xiàn)象素缺陷，提高膜厚度的均一性。
本發(fā)明的電子儀器的特征為具備以上記載的電光裝置。
根據(jù)本發(fā)明，可以獲得具有所需性能的電子儀器。
按照以上說明，根據(jù)這種電光裝置，由于基板具有與上述開關(guān)元件、上述布線以及上述絕緣膜中的至少一個的位置對應(yīng)地形成的凹部，所以可在上述凹部的內(nèi)部形成上述開關(guān)元件、上述布線、以及上述絕緣膜中的至少一個，可以容易地在上述凹部的內(nèi)部形成上述開關(guān)元件、上述布線、以及上述絕緣膜中的至少一個。
由于在上述凹部內(nèi)埋設(shè)了上述開關(guān)元件、上述布線、以及上述絕緣膜中的至少一個，所以可容易地將上述開關(guān)元件、上述布線、以及上述絕緣膜中的至少一個埋設(shè)于上述凹部內(nèi)。
由于在上述凹部內(nèi)埋設(shè)了具有上述開關(guān)元件、上述布線、以及上述絕緣膜中的至少一個的層積體，所以容易地將具有上述開關(guān)元件、上述布線、以及上述絕緣膜中的至少一個的層積體埋設(shè)于上述凹部內(nèi)。
由于在上述凹部內(nèi)埋設(shè)了具有阻礙電光裝置發(fā)光的上述開關(guān)元件、上述布線、以及上述絕緣膜中的至少一個的層積體，所以上述電光裝置的發(fā)光面積增大，可以實現(xiàn)高開口率。
上述基板的上表面與埋設(shè)于上述凹部的上述開關(guān)元件、上述布線、以及上述絕緣膜中的至少一個的上表面相連接，所以可在上述基板上述開關(guān)元件、上述布線、以及上述絕緣膜中的至少一個的上表面上形成平坦的絕緣膜，可以容易地使該絕緣膜平坦化，而且，還可以省略上述絕緣膜的平坦化處理。上述絕緣膜的上表面需要高精度的平坦面時，可以容易地進行高精度的平坦化處理，并可以容易地使層積于上述絕緣膜上方的象素電極及象素電極間的邊界絕緣膜平坦化。
可以獲得抑制上述絕緣膜的絕緣性的差異，抑制上述開關(guān)元件的開關(guān)特性的差異的效果。
可以充分確保上述絕緣膜的絕緣性，獲得穩(wěn)定的開關(guān)特性。
由于可容易地使層積于上述絕緣膜上方的上述象素電極及上述象素電極間的上述邊界絕緣膜平坦化，所以可以容易地形成陣列?？梢苑乐古c該陣列相鄰的熒光體的發(fā)光不良及電極形成工序中的缺陷。
由于在第一象素電極和與上述第一象素電極相鄰的第二象素電極之間形成邊界絕緣膜，上述象素電極的上表面和該邊界絕緣膜的上表面相連，所以在上述邊界絕緣膜的上表面及上述象素電極的上表面上形成平坦面，可容易地使上述象素電極的上表面平坦化，另外，可在上述邊界絕緣膜的上表面及上述象素電極的上表面上容易地形成陣列，可以防止與陣列相鄰的熒光體的發(fā)光不良及電極形成工序中的缺陷，在上述象素電極的上表面上形成發(fā)光層時，發(fā)光層的厚度均一，可以防止發(fā)光的色差。
由于在上述象素電極和與上述象素電極相鄰的象素電極之間形成上述邊界絕緣膜，所以獲得可使上述象素電極和與上述象素電極相鄰的象素電極之間電絕緣的效果。
由于在上述象素電極上并列地形成多個向規(guī)定方向延伸的棒狀陣列，在上述棒狀陣列的兩端部上連接有向與上述棒狀陣列相交的方向延伸的端部陣列，在由棒狀陣列和端部陣列形成的空間內(nèi)設(shè)置熒光體，所以通過由該棒狀陣列和該端部陣列包圍的該熒光體形成同色的長方形象素列，獲得可以提高電光裝置的開口度的效果。
另外，設(shè)置在該棒狀陣列下方的上述邊界絕緣膜的寬度不需要高精度，可以容易地制造電光裝置。
在采用液滴排出法，將空穴注入材料或發(fā)光聚合物溶液涂敷到由上述棒狀陣列和上述端部陣列形成的空間內(nèi)時，在上述棒狀陣列的延長方向上不需要高精度的調(diào)整精度，使工藝簡單，獲得使成品率提高的效果，而且，獲得可以防止象素缺陷，提高膜厚度的均一性的效果。
并且，具有可以獲得具有以上所需性能的電子儀器的效果。


圖1是說明本發(fā)明一實施例的電光裝置主要部分的平面圖。
圖2是說明本發(fā)明一實施例的電光裝置主要部分的圖，是表示圖1的A-A斷面的側(cè)剖面圖。
圖3是說明本發(fā)明一實施例的電光裝置主要部分的制造工序的圖，是表示圖1的A-A斷面的側(cè)剖面圖。
圖4是說明本發(fā)明一實施例的電光裝置主要部分的制造工序的圖，是表示圖1的A-A斷面的側(cè)剖面圖。
圖5是說明本發(fā)明一實施例的電光裝置的平面圖。
圖6是說明本發(fā)明一實施例的電光裝置的圖，是表示圖5的B-B斷面的側(cè)剖面圖。
圖7是說明安裝有本發(fā)明的電光裝置的電子儀器的圖。
圖8是說明安裝有本發(fā)明的電光裝置的電子儀器的圖。
圖9是說明安裝有本發(fā)明的電光裝置的電子儀器的圖。
圖10是說明作為現(xiàn)有的有機有源發(fā)光裝置的示例表示的有機有源發(fā)光裝置主要部分的側(cè)剖面圖。
圖11是說明作為現(xiàn)有的有機有源發(fā)光裝置的示例表示的有機有源發(fā)光裝置主要部分的電路圖。
圖12是說明作為現(xiàn)有技術(shù)表示的有源矩陣構(gòu)造主要部分的側(cè)剖面圖。
具體實施例方式
下面，參照附圖對本發(fā)明的實施例加以說明。圖1～圖6是說明本發(fā)明一實施例的電光裝置的圖。圖1是表示電光裝置主要部分的平面圖。圖2是表示圖1的A-A斷面的側(cè)剖面圖。圖3、圖4是表示電光裝置的制造工序的圖1的A-A斷面的側(cè)剖面圖。圖5是電光裝置的平面圖。圖6是表示圖5的B-B斷面的側(cè)剖面圖。
本實施例的電光裝置1如圖1所示具有基板2，由設(shè)置在基板2上的第一及第二TFT3、4構(gòu)成的開關(guān)元件5，設(shè)置在保持圖像信號的保持電容6下方的下層電極7，設(shè)置在下層電極7上方的公共供電線8，以及與下層電極7電絕緣的第一層間絕緣膜9，基板2具有與開關(guān)元件5，下層電極7，以及第一層間絕緣膜9的位置對應(yīng)地形成的凹部10、11、12。
在凹部10、11、12中埋設(shè)有開關(guān)元件5，下層電極7，以及第一層間絕緣膜9。
埋設(shè)在上述凹部10、11中的開關(guān)元件5的源區(qū)15、16及漏區(qū)17、18的上表面和基板2的上表面相連接，埋設(shè)在上述凹部12中的下層電極7的上表面和與源區(qū)16相對應(yīng)的凹部10的底面相連接。
象素電極20如圖5所示設(shè)置呈格子狀，第一象素電極21(20)和與第一象素電極21(20)相鄰的第二象素電極22(20)之間形成邊界絕緣膜23、24，邊界絕緣膜23、24的上表面和第一象素電極21(20)的上表面以及第二象素電極22(20)的上表面相連接。
象素電極20上形成陣列26，并列地形成多個相對象素面27縱向延伸的棒狀的縱陣列28，縱陣列28的兩端部上連接有向與縱陣列28相交的方向延伸的橫陣列29，在由縱陣列28及橫陣列29形成的空間中，如圖6所示設(shè)置有熒光體30。
在上述第一TFT3上，向其柵極電極35提供來自布線(柵極線)36的掃描信號。
保持電容6保持通過與數(shù)據(jù)線37連接的第一TFT3的源區(qū)15、漏區(qū)17供給的圖像信號的電位。
由保持電容6保持的圖像信號提供給第二TFT4的柵極電極38。
由與公共供電線8連接的第二TFT4的源區(qū)16及漏區(qū)18提供的電流供給到象素電極20。
第一TFT3中，柵極電極35作為布線(柵極線)36的一部分形成，源區(qū)15通過數(shù)據(jù)線37和連接孔40電連接。此外，漏區(qū)17通過連接孔42和漏電極41電連接。
漏電極41和第二TFT4的柵極電極38、保持電容6的下層電極7電連接，第二TFT4的柵極電極38和設(shè)置在凹部12中的下層電極7形成一體，漏電極41和柵極電極38通過連接孔44電連接。
另外，第二TFT4中，公共供電線8通過連接孔45與源區(qū)16電連接。漏區(qū)18通過設(shè)置在連接孔46的、圖2所示的中轉(zhuǎn)電極49與象素電極20電連接。
以下，介紹電光裝置1的制造方法。
首先，在基板2上通過蝕刻形成凹部10，如圖3中的(a)。凹部10從基板2表面的深度與TFT3、4的源區(qū)15、16及漏區(qū)17、18的多晶硅51、52的厚度相同。此外，對基板2進行第二次蝕刻，形成第二段的凹部11，如圖3中的(b)。凹部11從基板2表面的深度為柵極電極35、38和其下面的多晶硅51、52的膜厚度的總和。然后，對基板2進行第3次蝕刻，形成第3段的凹部12，如圖3中的(c)。
凹部12從基板2表面的深度是源區(qū)16的多晶硅52和柵極絕緣膜55、下層電極7的膜厚度的總和。
根據(jù)需要，采用四乙氧基硅烷(TEOS)或氧氣等作為原料氣體，利用等離子CVD法，在蝕刻了的基板2上形成沒有圖示的基底保護膜。在此之上，利用等離子CVD法形成硅膜構(gòu)成的半導(dǎo)體膜以后，通過激光熱處理或固定成長法等結(jié)晶工序，使半導(dǎo)體膜結(jié)晶成多晶硅膜，使多晶硅膜形成圖案而形成作為TFT的多晶硅51、52，多晶硅51、52的上表面位置與基板2的上表面位置成為同一位置地形成平坦面，如圖3中的(d)。
多晶硅51、52成為上述源區(qū)15、16、漏區(qū)17、18。然后在其表面上以TEOS或氧氣等為原料氣體形成柵極絕緣膜55，如圖3中的(e)。
然后，采用陰極濺射沉積法形成以鋁、鉭、鉬、鈦、鎢等金屬膜形成的導(dǎo)電膜以后，使其形成圖案以形成柵極電極35、38及下層電極7。此時，同時形成如圖1所示布線(柵極線)36。在這種狀態(tài)下打入高濃度的磷離子，相對柵極電極35、38自整合地形成源、漏區(qū)，如圖3中的(f)。沒有引進不純物的柵極電極35、38的下方部分成為溝道區(qū)域。接著，在層積第一層絕緣膜9以后，形成連接孔40、42、45、46以后，如圖3中的(g)，采用陰極濺射沉積法形成由鋁、鉭、鉬、鈦、鎢等金屬膜形成的導(dǎo)電膜以后，使其形成圖案以形成數(shù)據(jù)線37、漏電極41、公共供電線8以及中轉(zhuǎn)電極49的下層部分57，如圖4中的(h)。
然后形成第二層間絕緣膜59，在相當(dāng)于中轉(zhuǎn)電極49的部分形成連接孔46，如圖4中的(i)。隨后，采用陰極濺射沉積法形成由鋁、鉭、鉬、鈦、鎢等金屬膜形成的導(dǎo)電膜以后，使其形成圖案以形成中轉(zhuǎn)電極49的上層部分61，形成平坦化層63，如圖4中的(j)。然后，在層積鋁、鉭、鉬、鈦、鎢等金屬膜及ITO后，使其形成圖案以形成象素電極20，如圖4中的(k)。接著，在與象素電極20相鄰的象素電極之間形成邊界絕緣膜23、24，該邊界絕緣膜23、24的上表面形成與象素電極20的上表面相同的高度，如圖4中的(l)。如此形成的邊界絕緣膜23、24的寬度為2μm。
如上所述形成電光裝置1的主要部分，在電光裝置1上形成象素面27。
然后，分離象素面27，形成間隔熒光體30的陣列26。
如圖5所示，陣列26呈格子狀。陣列26的材料為聚酰亞胺。陣列26的象素間隔76為4μm，與陣列26呈平行方向的象素間距77為127μm，陣列26的象素間距78為43μm，陣列26的高度85為1.7μm。
然后，對象素電極20的表面進行氧氣等離子處理，增大對空穴注入材料及發(fā)光聚合物等熒光材料的親和性(使接觸角度在20度以下)。通過氟利昂等離子處理，減弱對陣列26表面的空穴注入材料及發(fā)光聚合物等熒光材料的親和性(使接觸角度在50度以上)。
進而，采用液滴排出法，通過陣列26將空穴注入材料溶液涂敷在包圍象素電極20的長圓形的象素列66，通過加熱處理使其干燥，形成沒有圖示的空穴注入層。在該空穴注入層上，利用液滴排出法按每個象素列66區(qū)分涂敷紅、藍、綠的發(fā)光聚合物溶液，通過加熱處理或減壓處理使其干燥，形成發(fā)光層。
在形成發(fā)光層后，在大致整個顯示區(qū)域形成透明電極，完成電光裝置1。但是，在實物上為了抑制氧氣、水分等的影響，有時粘貼透明的塑料或玻璃板，或形成SiO2及有機薄膜。
從各部位的尺寸計算本實施例的電光裝置的開口率為，(43-4)×(127-2)/(127×43)＝89.3％，可以獲得非常大的開口率。
測定通過以上工序形成的空穴注入層及發(fā)光聚合物層的厚度后，不僅在和陣列26垂直的方向上，而且在和陣列26平行的方向上的膜厚度的均一性和原來的方法相比也有所提高。
如此構(gòu)成的電光裝置1如圖1所示，具有基板2，由設(shè)置在基板2上的第一及第二TFT3、4構(gòu)成的開關(guān)元件5，設(shè)置在保持圖像信號的保持電容6的下方的下層電極7，設(shè)置在下層電極7上方的公共供電線8，以及與下層電極7電絕緣的第一層間絕緣膜9，由于基板2具有與開關(guān)元件5，下層電極7，以及第一層間絕緣膜9的位置對應(yīng)地形成的凹部10、11、12，所以開關(guān)元件5、下層電極7、以及第一層間絕緣膜9在凹部10、11、12的內(nèi)部形成。
此外，由于在凹部10、11、12中埋設(shè)有開關(guān)元件5、下層電極7、以及第一層間絕緣膜9，所以開關(guān)元件5、下層電極7、以及第一層間絕緣膜9埋設(shè)于凹部10、11、12中。
進而，由于埋設(shè)于凹部10、11中的開關(guān)元件5的源區(qū)15、16及漏區(qū)17、18的上表面和基板2的上表面相連，同時埋設(shè)于凹部12中的下層電極7的上表面和對應(yīng)于源區(qū)16的凹部10的底面相連，所以在基板2、開關(guān)元件5、下層電極7、以及第一層間絕緣膜9的上表面形成平坦的第一層間絕緣膜9及柵極絕緣膜55。
此外，可以抑制第一層間絕緣膜9及柵極絕緣膜55的絕緣性的差異。同時充分確保第一層間絕緣膜9及柵極絕緣膜55的絕緣性。層積在第一層間絕緣膜9及柵極絕緣膜55上方的象素電極20及邊界絕緣膜23、24容易實現(xiàn)平坦化。
另外，象素電極20如圖5所示，設(shè)置成格子狀，在第一象素電極21(20)和與第一象素電極21(20)相鄰的第二象素電極22(20)之間形成邊界絕緣膜23、24。由于邊界絕緣膜23、24的上表面，第一象素電極21(20)的上表面，以及第二象素電極22(20)的上表面相連，所以在邊界絕緣膜23、24的上表面，第一象素電極21(20)的上表面，以及第二象素電極22(20)的上表面上形成平坦面。在第一象素電極21(20)和第二象素電極22(20)之間形成邊界絕緣膜23、24。
另外，在象素電極20上形成陣列26，并列地形成多個相對象素面27縱向延伸排列的棒狀縱陣列28，由于縱陣列28的兩端部上連接有向與縱陣列28相交的方向延伸的橫陣列29相連接，在由縱陣列28和橫陣列29形成的空間中如圖6所示設(shè)置有熒光體30，所以通過由縱陣列28和橫陣列29包圍的熒光體30形成同色的長方形象素列66。
設(shè)置在縱陣列28下方的邊界絕緣膜23的寬度不需要高精度的尺寸。
采用液滴排出法，將空穴注入材料溶液或發(fā)光聚合物溶液涂敷到由縱陣列28和橫陣列29形成的空間中時，在縱陣列28的延長方向上不需要高精度的調(diào)整精度。
如此構(gòu)成的電光裝置1具有基板2，由設(shè)置在基板2上的第一及第二TFT3、4構(gòu)成的開關(guān)元件5，設(shè)置在保持圖像信號的保持電容6下方的下層電極7，設(shè)置在下層電極7上方的公共供電線8，以及與下層電極7電絕緣的第一層間絕緣膜9，由于基板2具有與開關(guān)元件5，下層電極7，以及第一層間絕緣膜9的位置對應(yīng)地形成的凹部10、11、12，所以開關(guān)元件5、下層電極7、以及第一層間絕緣膜9在凹部10、11、12的內(nèi)部形成。
由于形成了凹部10、11、12，可以容易地在其中埋設(shè)開關(guān)元件5、下層電極7、以及第一層間絕緣膜9。
由于埋設(shè)于凹部10、11中的開關(guān)元件5的源區(qū)15、16及漏區(qū)17、18的上表面和基板2的上表面相連，同時埋設(shè)于凹部12中的下層電極7的上表面和對應(yīng)于源區(qū)16的凹部10的底面相連，所以在基板2、開關(guān)元件5、下層電極7、以及第一層間絕緣膜9的上表面上形成平坦的第一層間絕緣膜9及柵極絕緣膜55，可以容易地使第一層間絕緣膜9及柵極絕緣膜55平坦化?？梢允÷缘谝粚娱g絕緣膜9及柵極絕緣膜55的平坦化處理。同時，在第一層間絕緣膜9及柵極絕緣膜55的上表面需要高精度的平坦面時，可以容易地進行高精度的平坦化處理。層積在第一層間絕緣膜9及柵極絕緣膜55上方的象素電極20及邊界絕緣膜23、24容易實現(xiàn)平坦化。
此外，可以抑制第一層間絕緣膜9及柵極絕緣膜55的絕緣性的差異，可以抑制開關(guān)元件5的開關(guān)特性的差異。
可以充分確保第一層間絕緣膜9及柵極絕緣膜55的絕緣性，可以獲得開關(guān)元件5的穩(wěn)定的開關(guān)特性。
由于層積在第一層間絕緣膜9及柵極絕緣膜55上方的象素電極20及邊界絕緣膜23、24容易實現(xiàn)平坦化，所以可以容易地形成陣列26，同時，可以防止與陣列26相鄰的熒光體30的發(fā)光不良及電極形成工序中的缺陷。
象素電極20如圖5所示，設(shè)置成格子狀，由于在第一象素電極21(20)和與第一象素電極21(20)相鄰的第二象素電極22(20)之間形成邊界絕緣膜23、24，邊界絕緣膜23、24的上表面，第一象素電極21(20)的上表面，以及第二象素電極22(20)的上表面相連，所以在邊界絕緣膜23、24的上表面，第一象素電極21(20)的上表面，以及第二象素電極22(20)的上表面上形成平坦面，邊界絕緣膜23、24的上表面，第一象素電極21(20)的上表面，以及第二象素電極22(20)的上表面可以容易地實現(xiàn)平坦化。在邊界絕緣膜23、24的上表面，第一象素電極21(20)的上表面，以及第二象素電極22(20)的上表面上可容易地形成陣列26。可以防止與陣列26相鄰的熒光體30的發(fā)光不良及電極形成工序中的缺陷。在上述象素電極的上表面上形成發(fā)光層時，發(fā)光層的厚度均一，可以防止發(fā)光差異。
另外，由于在第一象素電極21(20)和第二象素電極22(20)之間形成邊界絕緣膜23、24，所以第一象素電極21(20)和第二象素電極22(20)可以電絕緣。
由于在象素電極20上形成陣列26，并列地形成多個相對象素面27向縱向延伸的棒狀的縱陣列28，在縱陣列28的兩端部上連接有向與縱陣列28相交的方向延伸的橫陣列29，在由縱陣列28和橫陣列29形成的空間中設(shè)置圖6所示的熒光體30，所以通過由縱陣列28和橫陣列29包圍的熒光體30形成同色的長方形象素列66，可以提高電光裝置1的開口度。
另外，設(shè)置在縱陣列28下方的邊界絕緣膜23的寬度不需要高精度，可以容易地制造電光裝置1。
采用液滴排出法，將空穴注入材料溶液或發(fā)光聚合物溶液涂敷到由縱陣列28和橫陣列29形成的空間內(nèi)時，在縱陣列28的延長方向上不需要高精度的調(diào)整精度，使工藝簡單，可以提高成品率，防止象素缺陷，提高膜厚度的均一性。
以下說明具備上述電光裝置的電子儀器的例子。
圖7是表示移動電話的一個示例的斜視圖。圖7中，符號210表示移動電話機身，符號211表示采用了上述有機EL電光裝置的顯示部。
圖8是表示手表型電子儀器的一個示例的斜視圖。圖8中，符號220表示手表機身，符號221表示采用了上述電光裝置的顯示部。
圖9是表示打字機、計算機等攜帶式信息處理裝置的一個示例的斜視圖。圖9中，符號230為信息處理裝置，符號231為鍵盤等輸入部，符號232為信息處理裝置機身，符號233為采用了上述電光裝置的顯示部。
由于圖7～圖9表示的電子儀器具備以上實施例的電光裝置1，所以可實現(xiàn)具備顯示質(zhì)量優(yōu)異、明亮的畫面顯示部的電子儀器。
在上述實施例中，對下述的電光裝置1進行了說明，所述電光裝置1具有基板2，由設(shè)置在基板2上的第一及第二TFT3、4構(gòu)成的開關(guān)元件5，設(shè)置在保持圖像信號的保持電容6的下方的下層電極7，設(shè)置在下層電極7上方的公共供電線8，以及與下層電極7電絕緣的第一層間絕緣膜9，基板2具有與開關(guān)元件5，下層電極7，以及第一層間絕緣膜9的位置對應(yīng)地形成的凹部10、11、12，但也可以在凹部10、11、12中埋設(shè)具有開關(guān)元件5、下層電極7、以及第一層間絕緣膜9中的至少一個的層積體。
按照以上結(jié)構(gòu)，由于凹部10、11、12中埋設(shè)有具有開關(guān)元件5、下層電極7、以及第一層間絕緣膜9中的至少一個的層積體，所以可將具有開關(guān)元件5、下層電極7、以及第一層間絕緣膜9中的至少一個的層積體置于凹部10、11、12中，可容易地將具有開關(guān)元件5、下層電極7及第一層間絕緣膜9中的至少一個的層積體埋設(shè)在凹部10、11、12內(nèi)。
此外，具有阻礙電光裝置1發(fā)光的開關(guān)元件5、下層電極7、以及第一層間絕緣膜9中的至少一個的層積體埋設(shè)在凹部10、11、12中，電光裝置1的發(fā)光面積增大，可以實現(xiàn)高開口率。
而且，電光裝置1中，在象素電極20上形成陣列26，并列地形成多個相對象素面27向縱向延伸的棒狀的縱陣列28，縱陣列28的兩端部上連接有向與縱陣列28相交的方向延伸的橫陣列29，在由縱陣列28和橫陣列29形成的空間內(nèi)如圖6所示地設(shè)置熒光體30，但根據(jù)電光裝置1的驅(qū)動方式，也可以在由相對象素面27向橫向延伸的多個棒狀陣列，和在該棒狀陣列的端部向縱向延伸的陣列形成的空間內(nèi)設(shè)置熒光體30。
在上述實施例中，圖5所示的陣列26的材料采用了聚酰亞胺，但不僅限于聚酰亞胺，只要是通過大氣壓下或減壓下的等離子處理實現(xiàn)氟化的不可以浸潤的材料都可以。
權(quán)利要求
1.一種電光裝置，包括基板和設(shè)置在基板上的開關(guān)元件、布線、以及絕緣膜，其特征在于，上述基板具有與上述開關(guān)元件、上述布線、以及上述絕緣膜中至少一個的位置對應(yīng)地形成的凹部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于，上述凹部中埋設(shè)有上述開關(guān)元件、上述布線、以及上述絕緣膜中的至少一個。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電光裝置，其特征在于，上述凹部中埋設(shè)有具有上述開關(guān)元件、上述布線、以及上述絕緣膜中的至少一個的層積體。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的電光裝置，其特征在于，上述基板的上表面與埋設(shè)在上述凹部中的上述開關(guān)元件、上述布線、以及上述絕緣膜中的至少一個的上表面相連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的電光裝置，其特征在于，在第一象素電極和與上述第一象素電極相鄰的第二象素電極之間形成邊界絕緣膜，上述象素電極的上表面和該邊界絕緣膜的上表面相連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項所述的電光裝置，其特征在于，在上述象素電極上并列地形成多個向規(guī)定方向延伸的棒狀陣列，上述棒狀陣列的兩端部上連接有向與上述棒狀陣列相交的方向延伸的端部陣列，在由棒狀陣列和端部陣列形成的空間內(nèi)設(shè)置有熒光體。
7.一種電子儀器，其特征在于，具備權(quán)利要求1～6中任一項所述的電光裝置。
全文摘要
提供一種容易使層積于構(gòu)成該電光裝置的開關(guān)元件、布線、絕緣膜上方的絕緣膜平坦化，并且開口率大的電光裝置。在具有基板(2)，設(shè)置在基板(2)上的開關(guān)元件(5)、布線(36)、以及絕緣膜(21、55)的電光裝置中，基板(2)具有與開關(guān)元件(5)，布線(36)，以及絕緣膜(21、55)中至少一個的位置對應(yīng)地形成的凹部(10、11、12)。
文檔編號G02F1/1333GK1461179SQ0313129
公開日2003年12月10日 申請日期2003年5月14日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月15日
發(fā)明者茅野祐治 申請人:精工愛普生株式會社