專利名稱：導光板模仁的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種導光板模仁的制造方法。
背景技術(shù)：
隨著科技的發(fā)展，液晶顯示器的重要性日益突顯，因液晶顯示器中的液晶層自身不能發(fā)光，為其提供亮度高及均勻度好的光照的前光系統(tǒng)或背光系統(tǒng)的重要性也不可忽視。
目前，背光系統(tǒng)主要由燈管、導光板、位于導光板底面一側(cè)的反射片、位于導光板出光面一側(cè)的擴散膜及棱鏡片構(gòu)成，其中作為液晶顯示器關(guān)鍵部件的導光板的性能優(yōu)劣直接影響液晶顯示器畫面質(zhì)量，其可將點光源(如LED)或線光源(如CCFL)所發(fā)出的光線轉(zhuǎn)變?yōu)榉植季鶆虻拿婀庠春鬄橐壕姘逄峁┱彰?。為?jié)約成本，可將導光板與具有聚光功能的棱鏡片整合為一體，即在導光板的出光面設(shè)置V形槽結(jié)構(gòu)，使導光板在增加顯示亮度的同時，減少棱鏡片的使用，降低背光系統(tǒng)的成本。
現(xiàn)有具V形槽結(jié)構(gòu)的導光板可采用射出成型法制得，因而一般需先制得與上述導光板形狀相對應(yīng)的導光板模仁，而模仁成型表面的V形槽一般采用機械方式如精密機械加工法進行，其主要利用昂貴的鉆石超精密加工機在模具上進行V形凹槽處理，用此種方法制得的導光板模仁精度差，模仁上的V形槽通常具有線缺陷(LineDefect)或點缺陷(Point Defect)，從而導致使用該模仁制得的導光板表面V形槽精度差，且該機械方式制得的導光板模仁良率較低。

發(fā)明內(nèi)容為克服現(xiàn)有技術(shù)導光板模仁制造方法所制得的導光板模仁精度低且良率較低的缺陷，本發(fā)明提供一種可制造精度高且良品率高的導光板模仁制造方法。
本發(fā)明解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一導光板模仁基板；在基板上涂布一層光阻劑層；對上述基板利用預先繪制有圖案的光罩進行曝光；顯影；蝕刻，在基板表面形成多個的U形槽；在上述具U形槽的基板上涂布一光阻劑層；采用另一與上述光罩圖案一致且透光部分尺寸較小的光罩對該基板進行曝光；顯影；蝕刻，即得到具多個V形槽的導光板模仁。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是由于本發(fā)明導光板模仁的制造方法采用半導體制程進行，且采用二次曝光、顯影及蝕刻因而該方法所制得的具有V形槽的模仁及采用該導光板模仁所制得的導光板精度高，良品率高。

圖1是本發(fā)明導光板模仁制造方法的流程圖。
圖2是本發(fā)明導光板模仁制造方法的涂布光阻劑層示意圖。
圖3是本發(fā)明導光板模仁制造方法的第一次曝光示意圖。
圖4是本發(fā)明導光板模仁制造方法的第一次顯影示意圖。
圖5是本發(fā)明導光板模仁制造方法的第一次蝕刻示意圖。
圖6是本發(fā)明導光板模仁制造方法的第一次去除余留光阻劑層后的導光板模仁示意圖。
圖7是本發(fā)明導光板模仁制造方法的第二次涂布光阻劑層示意圖。
圖8是本發(fā)明導光板模仁制造方法的第二次曝光示意圖。
圖9是本發(fā)明導光板模仁制造方法的第二次顯影示意圖。
圖10是本發(fā)明導光板模仁的制造方法的第二次蝕刻示意圖。
圖11是本發(fā)明導光板模仁制造方法的第二次去除余留光阻劑層后的導光板模仁示意圖。
圖12是采用本發(fā)明方法制得的導光板模仁的立體圖。
具體實施方式
請參照圖1，本發(fā)明導光板模仁制造方法包括以下步驟提供一導光板模仁基板；在基板上涂布一層光阻劑層；對上述基板利用預先繪制有圖案的光罩進行曝光；顯影；蝕刻，在基板表面形成多個的U形槽；在上述具U形槽的基板上涂布一光阻劑層；采用另一與上述光罩圖案一致且透光部分尺寸較小的光罩對該基板進行曝光；顯影；蝕刻，即得到具多個V形槽的導光板模仁。
請參照圖2，首先提供一模仁基板20，基板20的材質(zhì)可采用金屬或者樹脂。將基板20洗凈后置于光阻涂布機(圖未示)上，以轉(zhuǎn)速4000轉(zhuǎn)/分、旋轉(zhuǎn)25秒均勻涂布一層厚度約為20微米的光阻劑層22。該光阻劑層22的材料可使用正型光阻劑，也可使用負型光阻劑。圖示中以使用正型光阻劑為例進行介紹。
請參照圖3，將預先繪制有圖案的光罩24架設(shè)于上述基板20的涂布光阻劑層22一側(cè)的上方，采用黃光光源對光阻劑層22進行曝光。通過曝光過程，光阻劑層22形成硬化區(qū)221與可溶解區(qū)222，其中硬化區(qū)221與光罩24的不透光部分241相對應(yīng)，而可溶解區(qū)222與光罩24的透光部分242相對應(yīng)。
請參照圖4，對于曝光后的光阻劑層22進行顯影。利用顯影液進行濕式腐蝕法顯影，通過控制顯影液濃度及顯影時間，將可溶解區(qū)222精確去除，使得余留硬化區(qū)221所組成的圖案與上述光罩24的圖案一致，如此光罩24的圖案即轉(zhuǎn)寫到光阻劑層22上。
請參照圖5，是將經(jīng)過上述步驟后具有光阻劑層22硬化區(qū)221的基板20進行蝕刻。其采用濕法化學蝕刻，即使用化學溶液使其與基板20的裸露表面發(fā)生化學反應(yīng)，由于化學溶液的腐蝕特性，則基板20上形成多個平行排列的U形槽26，此U型槽26開口較硬化區(qū)221的間距大。
請參照圖6，去除余留硬化區(qū)221，即得到具有多個U型槽26的基板20。
請參照圖7，在上述具有多個U型槽26的基板20上，涂布正型光阻劑層22′，其中正型光阻劑填滿上述多個U型槽26，且正型光阻劑層22′表面平坦。
請參照圖8，在上述涂布正型光阻劑層22′的基板20上方架設(shè)光罩24′，使光罩24′的透光部分242′與基板20上U型槽26位置相對應(yīng)，其中此光罩24′的圖案與光罩24的圖案一致，且透光部分242′尺寸比光罩24的透光部分242尺寸小。經(jīng)黃光曝光后，光阻劑層22′形成硬化區(qū)221′與可溶解區(qū)222′，其中硬化區(qū)221′與光罩24′的不透光部分241′相對應(yīng)，而可溶解區(qū)222′與光罩24′的透光部分242′相對應(yīng)。
請參照圖9，對曝光后的光阻劑層22′進行顯影，精確去除可溶解區(qū)222′，余留硬化區(qū)221′所組成的圖案與上述光罩24′的圖案一致。
請參照圖10，對具有硬化區(qū)221′的基板20進行濕法化學蝕刻，從而在基板20上形成多個比上述U型槽26更細小的U形槽26′。
請參照圖11及圖12，是去除余留的硬化區(qū)221′后的基板20，其上具有多個在U型槽26基礎(chǔ)上進一步形成U型槽26′后所得到的V型槽27，如此即得到具有多個V形槽27的導光板模仁2，其中V形槽27的頂角在75度到115度范圍內(nèi)，V形槽27的節(jié)距L為10微米到100微米，V形槽27的高度H為5微米到100微米。
為了增加導光板模仁2V型槽27的精度，可重復上述U型槽形成過程，每次所用的光罩圖案均一致，但光罩的透光部分尺寸均比上次光罩透光部分尺寸小。
權(quán)利要求
1.一種導光板模仁的制造方法，包括以下步驟提供一導光板模仁基板；在基板上涂布一層光阻劑層；對上述基板利用預先繪制有圖案的光罩進行曝光；顯影；蝕刻，在基板表面形成多個的U形槽；在上述具U形槽的基板上涂布光阻劑層；采用另一與上述光罩圖案一致且透光部分尺寸較小的光罩對上述基板進行曝光；顯影；蝕刻，即得到具多個V形槽的導光板模仁。
2.如權(quán)利要求1所述的導光板模仁的制造方法，其特征在于上述多個U形槽為平行排列。
3.如權(quán)利要求1所述的導光板模仁的制造方法，其特征在于上述多個V形槽為平行排列。
4.如權(quán)利要求1所述的導光板模仁的制造方法，其特征在于該光阻劑層材料為正型光阻劑。
5.如權(quán)利要求1所述的導光板模仁的制造方法，其特征在于該光阻劑層材料為負型光阻劑。
6.如權(quán)利要求1所述的導光板模仁的制造方法，其特征在于該光阻劑層的涂布是采用光阻涂布機。
7.如權(quán)利要求1所述的導光板模仁的制造方法，其特征在于該曝光光源為黃光。
8.如權(quán)利要求1所述的導光板模仁的制造方法，其特征在于該V形槽頂角大小范圍在75度到115度。
9.如權(quán)利要求1所述的導光板模仁的制造方法，其特征在于該V形槽節(jié)距為10微米到100微米。
10.如權(quán)利要求1所述的導光板模仁的制造方法，其特征在于該V形槽高度范圍為5微米到100微米。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種導光板模仁的制造方法，包括以下步驟提供一導光板模仁基板；在基板上涂布一光阻劑層；對上述基板利用預先繪制有圖案的光罩采用黃光進行曝光；顯影；蝕刻，在基板表面形成多個的U形槽；在上述具U形槽的基板上涂布一光阻劑層；采用另一與上述光罩圖案一致且透光部分尺寸較小的光罩對該基板進行曝光；顯影；蝕刻，即得到具多個V形槽的導光板模仁。
文檔編號G02B5/02GK1548990SQ0312661
公開日2004年11月24日 申請日期2003年5月17日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月17日
發(fā)明者陳杰良 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司