專(zhuān)利名稱(chēng)：液晶顯示裝置的陣列面板及其制造方法
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通常，液晶顯示(LCD)裝置具有上基板和下基板，彼此有一定間隔和互相正對(duì)。形成在兩個(gè)基板上的多個(gè)電極相互正對(duì)。液晶夾在上基板和下基板之間。電壓通過(guò)每個(gè)基板上的電極作用到液晶上，然后根據(jù)所作用的電壓改變液晶分子的排列從而顯示圖像。因?yàn)槿缟纤鲆壕э@示裝置不發(fā)射光，它需要光源來(lái)顯示圖像。因此，液晶顯示裝置具有位于液晶面板后面作為光源的背光源。根據(jù)液晶分子的排列控制從背光源入射的光量從而顯示圖像。
由于高清晰度和快速移動(dòng)的圖像，具有矩陣類(lèi)型的像素的有源矩陣LCD裝置已經(jīng)廣泛地使用。有源矩陣LCD裝置的陣列面板包括多個(gè)薄膜晶體管(TFTs)和多個(gè)像素電極，每個(gè)像素電極都與一個(gè)TFT連接。
在下文中，將參照

圖1和圖2詳細(xì)描述傳統(tǒng)有源矩陣液晶顯示裝置的陣列面板。
圖1是傳統(tǒng)LCD裝置的陣列面板的平面圖，而圖2是沿著圖1中II-II線的剖面圖。在圖1和圖2中，陣列面板包括透明基板10，和形成在基板10上的柵極線21和柵極22。柵極線21水平地延伸并且柵極22與柵極線21連接。柵絕緣層30覆蓋柵極線21和柵極22。在柵絕緣層30上順序形成有源層41和歐姆接觸層51和52。數(shù)據(jù)線61、源極62和漏極63形成在歐姆接觸層51和52上。同樣地，由與數(shù)據(jù)線61相同的材料制成的電容電極65形成在柵絕緣器30上。數(shù)據(jù)線61與柵極線21垂直，源極62與數(shù)據(jù)線61連接。源極62和漏極63在柵極22上彼此相隔一段間距。電容電極65與部分柵極線21重疊，然后通過(guò)形成電容電極65和重疊的柵極線21得到儲(chǔ)能電容器。
鈍化層70覆蓋數(shù)據(jù)線61、源極62、漏極63和電容電極65。鈍化層70具有分別使得漏極63和電容電極65暴露的第一接觸孔71和第二接觸孔72。
像素電極81形成在鈍化層70上。像素電極81布置在柵極線21與數(shù)據(jù)線61相互交叉的像素區(qū)域中。同樣地，像素電極81通過(guò)第一和第二接觸孔71、72分別與漏極62和電容電極65連接。
圖3A至3E表示制造傳統(tǒng)的LCD裝置的陣列面板的制造步驟，并且是對(duì)應(yīng)于圖1中II-II線的剖面圖。
圖3A表示制造傳統(tǒng)的LCD裝置的陣列面板的第一個(gè)步驟。在圖3A中，通過(guò)將金屬材料鋪設(shè)在基板10上和通過(guò)第一掩模使得金屬材料形成圖形，在基板10上形成柵極線21和柵極22。
圖3B表示制造傳統(tǒng)的LCD裝置的陣列面板的下一個(gè)步驟。在圖3B中，柵絕緣層30、非晶硅層和摻雜質(zhì)的非晶硅層鋪設(shè)在包括柵極線21的基板10上。利用第二掩模在光刻處理過(guò)程中蝕刻非晶硅層和摻雜質(zhì)的非晶硅層。然后，有源層41和摻雜質(zhì)的半導(dǎo)體層53形成在上面。
圖3C表示形成傳統(tǒng)的LCD裝置的陣列面板的數(shù)據(jù)線的步驟。在圖3C中，金屬層鋪設(shè)在包括有源層41和摻雜質(zhì)的半導(dǎo)體層53的基板10上，并且通過(guò)第三掩模形成圖案。因此，數(shù)據(jù)線61(圖1中所示)、源極62、漏極63和電容電極65形成在上面。接下來(lái)，蝕刻在源極62與漏極63之間暴露的摻雜質(zhì)的半導(dǎo)體層53。然后在該步驟中完成歐姆接觸層51和52。
圖3D表示形成傳統(tǒng)的LCD裝置的陣列面板的鈍化層的步驟。在圖3D中，形成鈍化層70來(lái)覆蓋數(shù)據(jù)線61、源極62、漏極63和電容電極65。并且，利用第四掩模蝕刻鈍化層70。因此，鈍化層70具有第一接觸孔71和第二接觸孔72。第一接觸孔71和第二接觸孔72分別暴露漏極63和電容電極65。
圖3E表示形成傳統(tǒng)的LCD裝置的陣列面板的像素電極的步驟。在圖3E中，透明導(dǎo)電材料鋪設(shè)在鈍化層70上并且利用第五掩模進(jìn)行蝕刻，然后形成像素電極81。像素電極81通過(guò)第一和第二接觸孔71、72分別與漏極63和電容電極65接觸。
如上所述，利用五個(gè)掩模通過(guò)光刻法處理制造傳統(tǒng)的LCD裝置的陣列面板。光刻法處理包括清洗、涂敷光敏抗蝕劑層、通過(guò)掩模暴露、使得光敏抗蝕劑層顯影和蝕刻幾個(gè)步驟。因此，通過(guò)減少光刻法步驟的數(shù)量可以降低制造時(shí)間、成本和故障。
本發(fā)明的另一個(gè)目的在于，提供一種低成本短時(shí)間內(nèi)制造的液晶顯示裝置的陣列面板。
本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種面板陣列的制造方法，由于較短的處理時(shí)間和較低的成本而提高生產(chǎn)率。
將在下面的說(shuō)明中給出本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)，將從下面的說(shuō)明中更清楚，或者可以從本發(fā)明的實(shí)踐中了解到。通過(guò)具體在書(shū)面的說(shuō)明書(shū)、權(quán)利要求書(shū)以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)和達(dá)到本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)。
為了實(shí)現(xiàn)這些和其他優(yōu)點(diǎn)并且與本發(fā)明的目的一致，如在這里具體化和廣泛描述的，一種液晶顯示裝置的陣列面板包括基板、位于基板上的柵極線和柵極，其中柵極線與柵極連接；位于柵極線和柵極上的柵絕緣層、位于柵絕緣層上的有源層、位于有源層上的歐姆接觸層、位于歐姆接觸層上的數(shù)據(jù)線、源極和漏極，其中數(shù)據(jù)線、源極和漏極由鉬形成；位于數(shù)據(jù)線、源極和漏極上的鈍化層，和位于鈍化層上的像素電極，其中歐姆接觸層具有與數(shù)據(jù)線、源極和漏極相同的形狀，而除了位于源極與漏極之間的溝道區(qū)域以外，有源層具有與數(shù)據(jù)線、源極、漏極相同的形狀，該溝道區(qū)域具有“U”形。
在本發(fā)明的另一部分中，制造液晶顯示裝置的陣列面板的方法包括在基板上形成柵極線和柵極，在柵極線和柵極上形成柵絕緣層，在柵絕緣層上形成有源層，在有源層上形成歐姆接觸層，在歐姆接觸層上形成數(shù)據(jù)線、源極和漏極，其中數(shù)據(jù)線、源極和漏極由鉬形成，在數(shù)據(jù)線、源極和漏極上形成鈍化層，和在鈍化層上形成像素電極，其中歐姆接觸層具有與數(shù)據(jù)線、源極和漏極相同的形狀，除了位于源極與漏極之間的溝道區(qū)域以外，有源層具有與數(shù)據(jù)線、源極和漏極相同的形狀，該溝道區(qū)域具有“U”形。
在本發(fā)明的另一部分中，制造液晶顯示裝置的陣列面板的方法包括步驟利用第一掩模在基板上形成柵極線和柵極；按順序在基板上形成柵絕緣層、非晶硅層、摻雜質(zhì)的非晶硅層和金屬層；利用第二掩模形成有源層、歐姆接觸層、數(shù)據(jù)線、源極和漏極；利用第三掩模形成鈍化層；和利用第四掩模在鈍化層上形成像素電極，其中位于源極和漏極之間的溝道區(qū)域具有“U”形。
將會(huì)理解前面給出的概述性的描述和下面示范性地和說(shuō)明性地給出的詳細(xì)描述，并且準(zhǔn)備給出如權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的更詳細(xì)的解釋。
在附圖中圖1是表示傳統(tǒng)液晶顯示裝置的陣列面板的平面圖；圖2是沿圖1中II-II線的剖面圖；圖3A-3E是表示傳統(tǒng)的液晶顯示裝置的陣列面板的制造步驟的剖面圖；圖4是表示根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的陣列面板的平面圖；圖5是沿圖4中V-V線的剖面圖；圖6A和6B，圖7A至7E，和圖8A和8B表示根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的陣列面板的制造步驟；和圖9表示根據(jù)本發(fā)明的掩模的形狀。
具體實(shí)施例現(xiàn)在將詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，在所附附圖中給出了它們的例子。在盡可能的情況下，在所有的附圖中采用同樣的附圖標(biāo)記指代相同或相似的部分。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的陣列面板的平面圖，而圖5是沿著圖4中V-V線的剖面圖。
如圖4和5中所示，柵極線121、柵極122、第一屏蔽圖案124和第二屏蔽圖案125形成在基板110上。柵極線121水平地延伸，并且柵極122與柵極線121連接。第一和第二屏蔽圖案124、125在柵極線121之間垂直延伸。第一屏蔽圖案124與其他部分隔離而第二屏蔽圖案125與柵極線121連接。第一屏蔽圖案124在其兩端具有朝向第二屏蔽圖案125的兩個(gè)突出部分。柵極線121還在對(duì)應(yīng)于柵極122的區(qū)域中具有凹入部分。
形成柵絕緣層130來(lái)覆蓋柵極線121、柵極122、第一屏蔽圖案124和第二屏蔽圖案125。
在柵絕緣層130上形成有源層141和在柵極122上鋪設(shè)有源層141。接下來(lái)，在有源層141上形成歐姆接觸層151和152。
通過(guò)鋪設(shè)和刻劃例如鉬層(Mo)，在歐姆接觸層151、152上形成數(shù)據(jù)線161、源極162和漏極163。數(shù)據(jù)線161垂直地延伸并且通過(guò)橫斷柵極線122限定像素區(qū)域“P”。源極162與數(shù)據(jù)線161連接并且是“U”形的?！癠”形基本上是完全對(duì)稱(chēng)的。漏極163與源極162分離并且具有第一和第二部分。第一部分水平地延伸，與此同時(shí)第二部分從第一部分伸出，并且面向像素區(qū)域“P”。第一部分的一端受到源極162的包圍，并且因此薄膜晶體管的溝道具有“U”形，作為設(shè)置在源極162與漏極163之間的有源層141。
同時(shí)，漏極162的第二部分具有伸出部分，從而將接觸的面積延伸到后面形成的像素電極處。同樣地，數(shù)據(jù)線161重疊在第一屏蔽圖案124的突出部分上。當(dāng)數(shù)據(jù)線161斷開(kāi)時(shí)，通過(guò)激光束將數(shù)據(jù)線161與第一屏蔽圖案124的突出部分短路。因此，即使數(shù)據(jù)線161斷開(kāi)，通過(guò)第一屏蔽圖案124可以發(fā)射信號(hào)。
這里，歐姆接觸層151、152與數(shù)據(jù)線161、源極162和漏極163具有相同的形狀；而除了溝道區(qū)域以外，有源層141與數(shù)據(jù)線161、源極162和漏極163具有同樣的形狀。
接下來(lái)，形成鈍化層170來(lái)覆蓋數(shù)據(jù)線161、源極162和漏極163。鈍化層170具有暴露柵絕緣層130中的漏極163的接觸孔171。接觸孔171還暴露漏極163的一個(gè)側(cè)壁。
像素電極181形成在鈍化層170上。像素電極181鋪設(shè)在像素區(qū)域“P”中并且由透明導(dǎo)電材料制成。像素電極181通過(guò)接觸孔171與漏極163連接，并且重疊在前面的柵極線121上來(lái)形成儲(chǔ)能電容器。同樣地，像素電極181重疊在第一屏蔽圖案124、第二屏蔽圖案125和漏極163的第一部分上。由于該結(jié)構(gòu)，放大了對(duì)齊的邊緣，并且因此有效地阻礙光泄漏。
利用四個(gè)掩模制造根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的陣列面板。至此以下，將參照?qǐng)D6A和6B、圖7A至7E、圖8A和8B以及圖4和5詳細(xì)說(shuō)明陣列面板的制造步驟。
圖6A和6B表示根據(jù)本發(fā)明的陣列面板的制造方法。圖6A是表示陣列面板的制造步驟的平面圖，而圖6B是沿著圖6A中VIB-VIB線的剖面圖。
在圖6A和6B中，通過(guò)鋪設(shè)金屬材料和利用第一掩模在金屬材料上形成圖案，在基板110上形成柵極線121、柵極122、第一屏蔽圖案124和第二屏蔽圖案125?；?10由例如玻璃基板等透明基板制成和金屬材料由低阻抗的材料制成。例如，金屬材料包括鉻(Cr)或鋁(Al)，并且因此柵極線121可以由鉻、鋁或鉻和鋁的合金制成。
這里，柵極線121水平延伸和柵極122從柵極線121申出。第一和第二屏蔽圖案124、125形成在垂直方向中，第二屏蔽圖案125與柵極線121連接。第一屏蔽圖案124在兩端具有朝向第二屏蔽圖案125的兩個(gè)突出部分。柵極線121在與柵極122對(duì)應(yīng)的區(qū)域中具有凹入部分。
圖7A至7E表示制造根據(jù)本發(fā)明的陣列面板的其他步驟。圖7A是制造根據(jù)本發(fā)明的陣列面板的步驟的平面圖，而圖7B至7E是沿著圖7A中VIIE-VIIE線的剖面圖。
在圖7B中，柵絕緣層130、非晶硅層140和摻雜質(zhì)的非晶硅層順序鋪設(shè)在包括柵極122和第一屏蔽圖案124的基板110上。通過(guò)真空噴鍍法在摻雜質(zhì)的非晶硅層150上形成金屬層160。然后通過(guò)涂敷光敏抗蝕劑層和使得光敏抗蝕劑層暴露和顯影，在金屬層160上形成光敏抗蝕劑圖案191和192。第一光敏抗蝕劑圖案191鋪設(shè)在稍后將形成源極和漏極的第一區(qū)域上。第二光敏抗蝕劑圖案192鋪設(shè)在第二區(qū)域上，在此準(zhǔn)備形成位于源極和漏極之間的溝道。第一光敏抗蝕劑圖案191具有大于第二光敏抗蝕劑圖案192的厚度。除了第一和第二區(qū)域以外沒(méi)有形成光敏抗蝕劑圖案。
如圖7B中所示，為了一次形成具有不同厚度的光敏抗蝕劑圖案，需要具有精確圖案的掩模。圖9表示根據(jù)本發(fā)明的第二掩模的一部分。
在圖9中，第二掩模200包括阻塞圖案261、262和263和精確圖案264。阻塞圖案261、262和263對(duì)應(yīng)于后面形成的數(shù)據(jù)線、源極和漏極。精確圖案264對(duì)應(yīng)于后面形成的溝道。精確圖案264和阻塞圖案形成為在溝道區(qū)域上具有內(nèi)縫和外縫265a和265b。精確圖案264和狹縫265a、265b具有比暴露劑的分辨率更窄的寬度。
因此，在圖7B中的對(duì)應(yīng)于狹縫265a和265b的第二區(qū)域中和圖9中的掩模200的精確圖案264中，因?yàn)楸┞兜墓庥捎谘苌涠哂休^低的能量密度，第二光敏抗蝕劑圖案192的厚度變成比第一光敏抗蝕劑圖案191的小。通過(guò)狹縫265a、265b發(fā)射的光具有球面波的形狀。因此，為了圖案的再現(xiàn)性，精確圖案264和狹縫265a、265b基本上以“U”型形狀。圖案的“U”型基本上是完全對(duì)稱(chēng)的。
在圖9中，精確圖案264的寬度“b”和“e”是1.5μm，而狹縫265a、265b的寬度“a”、“c”和“d”是1.3μm。在此時(shí)，與漏極相鄰的狹縫265b的拐角寬度“f”是1.1μm，比位于“a”、“c”和“d”處的狹縫窄，使得溝道的寬度變成恒定的。
如圖7C中所示，通過(guò)蝕刻圖7B中的金屬層160、摻雜質(zhì)的非晶硅層150和沒(méi)有受到光敏抗蝕劑圖案191和192覆蓋的非晶硅層140，形成導(dǎo)電層165、摻雜質(zhì)的半導(dǎo)體層155和半導(dǎo)體層141。這里，半導(dǎo)體層141變成有源層。
在圖7D中，通過(guò)利用氧氣(O2)的灰化法除去圖7C中的第二光敏抗蝕劑圖案192。在該步驟中，還除去第一光敏抗蝕劑圖案191。因此，可以減小光敏抗蝕劑圖案191的厚度。
在圖7E中，通過(guò)蝕刻圖7D中的暴露后的導(dǎo)電層165和位于暴露后的導(dǎo)電層165下面的摻雜質(zhì)的半導(dǎo)體層155，形成數(shù)據(jù)線161、源極162、漏極163和歐姆接觸層151、152。除去圖7D中的剩余的第一光敏抗蝕劑圖案191。例如，數(shù)據(jù)線161、源極162和漏極163可以由鉬(Mo)形成。
圖8A和8B表示形成根據(jù)本發(fā)明的陣列面板的鈍化層的其他步驟。圖8A是表示形成根據(jù)本發(fā)明的陣列面板的鈍化層的步驟的平面圖，而圖8B是沿著圖8A中VIIIB-VIIIB線的剖面圖。
如圖8A和8B中所示，利用第三掩模鋪設(shè)和刻劃絕緣層，使得形成具有接觸孔171的鈍化層170。鈍化層170覆蓋數(shù)據(jù)線161、源極162和漏極163。并且接觸孔171使得漏極163的第二部分的一部分暴露。鈍化層170可以由無(wú)機(jī)材料例如氧化硅和氮化硅制成，或者有機(jī)材料例如環(huán)丁烯苯(BCB)制成。
接下來(lái)，如圖4和5中所示，通過(guò)利用第四掩模的光刻法鋪設(shè)和刻劃透明導(dǎo)電材料。然后在鈍化層170上形成像素電極181。像素電極181可以由例如氧化銦錫(ITO)等透明導(dǎo)電材料制成。像素電極181通過(guò)接觸孔171與漏極163連接。像素電極181重疊在柵極線121上。因此，像素電極181與柵極線121形成儲(chǔ)能電容器。同樣地，像素電極181重疊在第一屏蔽圖案124、第二屏蔽圖案125和漏極163的第一部分上。
本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)清楚，在沒(méi)有脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，能夠?qū)Ρ景l(fā)明的液晶顯示裝置的陣列面板及其制造方法作出多種改進(jìn)和變化。因此，準(zhǔn)備使得本發(fā)明覆蓋通過(guò)所附權(quán)利要求和它們的相等物的范圍提供的本發(fā)明的改進(jìn)和變形。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置的陣列面板，包括基板；位于基板上的柵極線和柵極，其中柵極線與柵極連接；位于柵極線和柵極上的柵絕緣層；位于柵絕緣層上的有源層；位于有源層上的歐姆接觸層；位于歐姆接觸層上的數(shù)據(jù)線、源極和漏極，其中數(shù)據(jù)線、源極和漏極由鉬形成；位于數(shù)據(jù)線、源極和漏極上的鈍化層；和位于鈍化層上的像素電極，其中歐姆接觸層具有與數(shù)據(jù)線、源極和漏極相同的形狀，而除了位于源極與漏極之間的溝道區(qū)域以外，有源層具有與數(shù)據(jù)線、源極、漏極相同的形狀，該溝道區(qū)域具有“U”形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的面板，還包括第一屏蔽圖案，由與柵極線相同的材料制成并且與數(shù)據(jù)線平行。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的面板，其中第一屏蔽圖案覆蓋至少一部分像素電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的面板，其中第一屏蔽圖案在兩端具有多個(gè)覆蓋數(shù)據(jù)線的突出部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求2的面板，還包括與第一屏蔽圖案平行的第二屏蔽圖案。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的面板，其中第二屏蔽圖案覆蓋至少一部分像素電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求5的面板，其中第二屏蔽圖案與柵極線連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的面板，其中漏極包括與柵極線平行的第一部分和從第一部分伸出的第二部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的面板，其中第一部分覆蓋至少一部分像素電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的面板，其中第二部分具有多個(gè)凸起并且通過(guò)接觸孔暴露。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的面板，其中像素電極覆蓋至少一部分柵極。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的面板，其中“U”形是基本上完全對(duì)稱(chēng)的。
13.一種液晶顯示裝置的陣列面板的制造方法，包括在基板上形成柵極線和柵極；在柵極線和柵極上形成柵絕緣層；在柵絕緣層上形成有源層；在有源層上形成歐姆接觸層；在歐姆接觸層上形成數(shù)據(jù)線、源極和漏極，其中數(shù)據(jù)線、源極和漏極由鉬形成；在數(shù)據(jù)線、源極和漏極上形成鈍化層；和在鈍化層上形成像素電極，其中歐姆接觸層具有與數(shù)據(jù)線、源極和漏極相同的形狀，除了位于源極與漏極之間的溝道區(qū)域以外，有源層具有與數(shù)據(jù)線、源極和漏極相同的形狀，該溝道區(qū)域具有“U”形。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中形成柵極線包括形成第一屏蔽圖案，由與柵極線相同的材料制成并且與柵極線平行。
15.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中第一屏蔽圖案覆蓋至少一部分像素電極。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中第一屏蔽圖案在兩端具有多個(gè)覆蓋數(shù)據(jù)線的突出部分。
17.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中形成柵極線包括形成與第一屏蔽圖案平行的第二屏蔽圖案。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其中第二屏蔽圖案覆蓋至少一部分像素電極。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中第二屏蔽圖案與柵極線連接。
20.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中漏極包括與柵極線平行的第一部分和從第一部分伸出的第二部分。
21.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中漏極的第一部分覆蓋至少一部分像素電極。
22.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中第二部分具有多個(gè)凸起并且通過(guò)接觸孔暴露。
23.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中像素電極覆蓋至少一部分柵極。
24.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中“U”形是基本上完全對(duì)稱(chēng)的。
25.一種制造液晶顯示裝置的陣列面板的方法，包括利用第一掩模在基板上形成柵極線和柵極；按順序在基板上形成柵絕緣層、非晶硅層、摻雜質(zhì)的非晶硅層和金屬層；利用第二掩模形成有源層、歐姆接觸層、數(shù)據(jù)線、源極和漏極；利用第三掩模形成鈍化層；和利用第四掩模在鈍化層上形成像素電極，其中位于源極和漏極之間的溝道區(qū)域具有“U”形。
26.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，其中形成有源層、歐姆接觸層、數(shù)據(jù)線、源極和漏極包括形成光敏抗蝕劑圖案，其具有對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)線、源極和漏極的第一圖案，和對(duì)應(yīng)于溝道區(qū)域的第二圖案。
27.根據(jù)權(quán)利要求26的方法，其中第一圖案的厚度大于第二圖案。
28.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，其中第二掩模包括多個(gè)阻塞圖案和精確圖案，阻塞圖案對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)線、源極和漏極，而精確圖案對(duì)應(yīng)于溝道區(qū)域，并且阻塞圖案和精確圖案形成第一和第二狹縫。
29.根據(jù)權(quán)利要求28的方法，其中精確圖案具有1.5μm的寬度。
30.根據(jù)權(quán)利要求28的方法，其中第一和第二狹縫具有1.1μm至1.3μm的寬度范圍。
31.根據(jù)權(quán)利要求28的方法，其中與漏極相鄰的狹縫具有1.1μm的拐角寬度。
32.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，其中“U”形是基本上完全對(duì)稱(chēng)的。
全文摘要
一種液晶顯示裝置的陣列面板，包括基板；位于基板上的柵極線和柵極，其中柵極線與柵極連接；位于柵極線和柵極上的柵絕緣層；位于柵絕緣層上的有源層；位于有源層上的歐姆接觸層；位于歐姆接觸層上的數(shù)據(jù)線、源極和漏極，其中數(shù)據(jù)線、源極和漏極由鉬形成；位于數(shù)據(jù)線、源極和漏極上的鈍化層；和位于鈍化層上的像素電極，其中歐姆接觸層具有與數(shù)據(jù)線、源極和漏極相同的形狀，而除了位于源極與漏極之間的溝道區(qū)域以外，有源層具有與數(shù)據(jù)線、源極、漏極相同的形狀，該溝道區(qū)域具有“U”形。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK1414422SQ0212097
公開(kāi)日2003年4月30日 申請(qǐng)日期2002年6月6日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月25日
發(fā)明者金容完, 樸東振 申請(qǐng)人:Lg.菲利浦Lcd株式會(huì)社