專利名稱：行波電極型零空隙定向耦合型光開關(guān)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種光開關(guān)。
目前，光開關(guān)(列陣)是采用集總電極型結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)依次為上電極、上限層、波導層、下限層、重摻雜層、下電極構(gòu)成。集總電極結(jié)構(gòu)光開關(guān)的開關(guān)速度和調(diào)制帶寬(一般為幾個GHz)受調(diào)制電極間電容的限制，使該光開關(guān)不適用于高速場合應用。
本實用新型的目的是提供一種適用于高速場合應用的行波電極型零空隙定向耦合型光開關(guān)。
本實用新型的目的是通過下述方案實現(xiàn)的包括上電極、上限層、波導層、下限層、下電極、重摻雜層，特征是所述重摻雜層的寬度大于下限層的寬度，在重摻雜層兩邊寬出部分的上面分別布置一條所述的下電極，在重摻雜層的下面設置一層半絕緣的襯底，重摻雜層的厚度小于襯底的厚度。
本實用新型由于采用了行波電極型和零空隙定向耦合型改變了光開關(guān)的結(jié)構(gòu)，從而提高了光開關(guān)的速度，實現(xiàn)了調(diào)制微波和光波的速度匹配，得到了大于20GHz的調(diào)制帶寬。
以下結(jié)合附圖對本實用新型作詳細說明。


圖1是本實用新型的橫截面結(jié)構(gòu)示意圖。
參照
圖1，行波電極型零空隙定向耦合型光開關(guān)，是由上電極1、上限層2、波導層3、下限層4、下電極5、重摻雜層6和襯底7構(gòu)成。上電極1為復合電極，依次是金、鎳、鋁，鋁層與波導層形成肖特基(Schottky)結(jié)構(gòu)，厚度為0.2μm。鎳層厚度為0.02μm，金層厚度為0.2μm。上限層2為外延生長層Ga07Al0.3As，摻雜為1×1017cm-3，厚度為1.5μm。2條下電極5為金鍺鎳合金(AuGeNi)，與外延片的重摻雜層6合金化，并成歐姆接觸。重摻雜層6為外延生長層GaAs，摻雜為1×1018cm-3，厚度為2.0μm。襯底7為半絕緣體SIGaAs，起支持作用，厚度是250μm。重摻雜層6和襯底7的寬度大于下限層4、波導層3、上限度2的寬度。2條下電極5分別在重摻雜層6寬出下限層4兩邊部分的上表面。
權(quán)利要求1.一種行波電極型零空隙定向耦合型光開關(guān)，包括上電極[1]、上限層[2]、波導層[3]、下限層[4]、下電極[5]、重摻雜層[6]，其特征在于所述重摻雜層[6]的寬度大于下限層[4]的寬度，在其兩邊寬出部分的上面分別布置一條所述的下電極[5]，在重摻雜層[6]的下面設置一層半絕緣的襯底[7]，重摻雜層[6]的厚度小于襯底[7]的厚度。
專利摘要一種行波電極型零空隙定向耦合型光開關(guān),由上電極、上限層、波導層、下限層、下電極、重摻雜層、襯底構(gòu)成,重摻雜層和襯底的寬度分別大于上面的上限層、波導層、下限層的寬度,2條下電極分別位于重摻雜層寬出下限層兩邊部分的上表面,襯底為半絕緣體,厚度比重摻雜層的厚度大得多,是起支持作用。本光開關(guān)的開關(guān)速度快,實現(xiàn)了調(diào)制微波和光波的速度匹配,得到了大于20GHz的調(diào)制帶寬。
文檔編號G02B6/35GK2479520SQ0124599
公開日2002年2月27日 申請日期2001年6月14日 優(yōu)先權(quán)日2001年6月14日
發(fā)明者王明華, 江曉清, 黃旭濤, 李錫華, 周強 申請人:浙江大學