像素電路、顯示面板和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種像素電路，包括電源端、電源傳導(dǎo)晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、發(fā)光件、重置模塊、存儲(chǔ)電容和補(bǔ)償模塊。補(bǔ)償模塊的第一端與像素電路的數(shù)據(jù)寫入端相連，補(bǔ)償模塊的第二端與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極相連，補(bǔ)償模塊的第三端與驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極相連，補(bǔ)償模塊的第四端與驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極相連，且存儲(chǔ)電容的第二端通過補(bǔ)償模塊與驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極相連，補(bǔ)償模塊能夠在像素電路的重置階段結(jié)束后，在補(bǔ)償模塊的第四端輸出數(shù)據(jù)寫入端輸入的數(shù)據(jù)電壓，并利用數(shù)據(jù)電壓對(duì)存儲(chǔ)電容進(jìn)行充電，以補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓。本實(shí)用新型還提供一種顯示面板和一種顯示裝置。顯示面板在顯示時(shí)亮度均勻。
【專利說明】
像素電路、顯示面板和顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及有機(jī)發(fā)光二極管顯示領(lǐng)域，具體地，涉及一種像素電路、一種包括所述像素電路的顯示面板和一種包括該顯示面板的顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光顯示器是當(dāng)今平板顯示器研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)之一，與液晶顯示器相比，有機(jī)發(fā)光二極管具有低能耗、生產(chǎn)成本低、自發(fā)光、寬視角及響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，目前，在手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)等顯示領(lǐng)域，已經(jīng)開始采用有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板取代傳統(tǒng)的液晶顯示面板。像素驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)是有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板(AMOLED)核心技術(shù)內(nèi)容，具有重要的研究意義。
[0003]與液晶面板中利用穩(wěn)定的電壓控制亮度不同，有機(jī)發(fā)光二極管屬于電流驅(qū)動(dòng)，需要穩(wěn)定的電流來控制發(fā)光。
[0004]圖1中所示的是一種常用的2T1C像素電路，該像素電路包括存儲(chǔ)電容C、驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT和開關(guān)晶體管TC。當(dāng)掃描線掃描一行像素時(shí)，開關(guān)晶體管TO導(dǎo)通，數(shù)據(jù)寫入信號(hào)(此處，數(shù)據(jù)寫入信號(hào)為電壓)寫入存儲(chǔ)電容C，該行掃描結(jié)束時(shí)，開關(guān)晶體管TO關(guān)閉，存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容C中的電壓驅(qū)動(dòng)所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT，使其產(chǎn)生電路驅(qū)動(dòng)發(fā)光件0LED，保證發(fā)光件在一幀內(nèi)持續(xù)發(fā)光。驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的飽和電流為Imd = K(Ves-Vth)2。其中，1led為驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的飽和電流，Ves為驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵源電壓，Vth為驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓。
[0005]由于工藝制程和器件老化等原因，各像素點(diǎn)的驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓存在不均勻性，這樣就導(dǎo)致了流過每個(gè)像素點(diǎn)中有機(jī)發(fā)光二極管的電流發(fā)生變化使得顯示亮度不均，從而影響整個(gè)圖像的顯示效果。
[0006]因此，如何提高顯示面板的亮度均勻性成為本領(lǐng)域亟待解決的技術(shù)問題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0007]本實(shí)用新型的目的在于提供一種像素電路、一種包括所述像素電路的顯示面板和一種包括所述顯示面板的顯示裝置。包括所述像素電路的顯示面板顯示亮度均勻。
[0008]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，作為本實(shí)用新型的一個(gè)方面，提供一種像素電路，所述像素電路包括電源端、電源傳導(dǎo)晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、發(fā)光件、重置模塊、存儲(chǔ)電容和補(bǔ)償模塊，
[0009]所述存儲(chǔ)電容的第一端與所述電源端相連，所述存儲(chǔ)電容的第二端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極相連；
[0010]所述電源傳導(dǎo)晶體管的第一極與所述電源端相連，且所述電源傳導(dǎo)晶體管能夠在所述像素電路的發(fā)光階段導(dǎo)通；
[0011]所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極與所述電源傳導(dǎo)晶體管的第二極相連；
[0012]所述重置模塊與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極相連，以在所述像素電路的重置階段將所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓重置；
[0013]所述補(bǔ)償模塊的第一端與所述像素電路的數(shù)據(jù)寫入端相連，所述補(bǔ)償模塊的第二端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極相連，所述補(bǔ)償模塊的第三端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極相連，所述補(bǔ)償模塊的第四端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極相連，且所述存儲(chǔ)電容的第二端通過所述補(bǔ)償模塊與驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極相連，所述補(bǔ)償模塊能夠在所述像素電路的重置階段結(jié)束后，在所述補(bǔ)償模塊的第四端輸出所述數(shù)據(jù)寫入端輸入的數(shù)據(jù)電壓，并利用所述數(shù)據(jù)電壓對(duì)所述存儲(chǔ)電容進(jìn)行充電，以補(bǔ)償所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓。
[0014]優(yōu)選地，所述補(bǔ)償模塊包括第一補(bǔ)償晶體管和第二補(bǔ)償晶體管，所述第一補(bǔ)償晶體管的第一極與所述存儲(chǔ)電容的第二端相連，所述第一補(bǔ)償晶體管的第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極相連，所述第二補(bǔ)償晶體管的第一極與所述像素電路的數(shù)據(jù)寫入端相連，所述第二補(bǔ)償晶體管的第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極相連，所述第一補(bǔ)償晶體管能夠在所述補(bǔ)償階段導(dǎo)通，并在所述重置階段和所述發(fā)光階段關(guān)閉，且所述第二補(bǔ)償晶體管能夠在所述補(bǔ)償階段導(dǎo)通，并在所述重置階段和所述發(fā)光階段關(guān)閉。
[0015]優(yōu)選地，所述像素電路包括第一掃描信號(hào)端，所述第一補(bǔ)償晶體管的柵極以及所述第二補(bǔ)償晶體管的柵極均與所述第一掃描信號(hào)端相連，所述第一補(bǔ)償晶體管和所述第二補(bǔ)償晶體管的類型相同。
[0016]優(yōu)選地，所述重置模塊還包括重置晶體管和重置電壓端，所述重置晶體管的第一極與所述重置電壓端相連，所述重置晶體管的第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極相連，所述重置晶體管能夠在所述像素電路的重置階段導(dǎo)通，并且在所述像素電路的補(bǔ)償階段和發(fā)光階段關(guān)閉。
[0017]優(yōu)選地，所述像素電路包括第二掃描信號(hào)端，所述第二掃描信號(hào)端與所述重置晶體管的柵極相連。
[0018]優(yōu)選地，所述像素電路還包括發(fā)光件控制晶體管，所述發(fā)光件控制晶體管的第一極與所述發(fā)光件的陽極相連，所述發(fā)光件控制晶體管的第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極相連，所述發(fā)光件控制晶體管能夠在所述像素電路的重置階段和補(bǔ)償階段關(guān)閉，并且在所述像素電路的發(fā)光階段導(dǎo)通。
[0019]優(yōu)選地，所述像素電路還包括發(fā)光掃描信號(hào)端，所述電源傳導(dǎo)晶體管的柵極以及所述發(fā)光件控制晶體管的柵極均與所述發(fā)光掃描信號(hào)端相連，所述電源傳導(dǎo)晶體管的類型與所述發(fā)光件控制晶體管的類型相同。
[0020]優(yōu)選地，所述電源傳導(dǎo)晶體管、所述驅(qū)動(dòng)晶體管、所述第一補(bǔ)償晶體管和所述第二補(bǔ)償晶體管均為P型晶體管。
[0021]作為本實(shí)用新型的另一個(gè)方面，提供一種顯示面板，所述顯示面板包括像素電路，其中，所述像素電路為本實(shí)用新型所提供的上述像素電路。
[0022]作為本實(shí)用新型的還一個(gè)方面，提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括本實(shí)用新型所提供的上述顯示面板。
[0023]在本實(shí)用新型所提供的像素電路中，消除了驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓漂移對(duì)流過發(fā)光件的電流的影響，可以提高包括所述像素電路的顯示面板的亮度均勻性，并且使得所述顯示面板在顯示時(shí)不會(huì)產(chǎn)生殘影等顯示缺陷，進(jìn)而優(yōu)化顯示面板的顯示效果。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0024]附圖是用來提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的【具體實(shí)施方式】一起用于解釋本實(shí)用新型，但并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的限制。在附圖中:
[0025]圖1是現(xiàn)有的2T1C像素電路的電路圖；
[0026]圖2是本實(shí)用新型所提供的像素電路的模塊示意圖；
[0027]圖3是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式所提供的像素電路的示意圖；
[0028]圖4是驅(qū)動(dòng)本實(shí)用新型所提供的像素電路時(shí)，各信號(hào)的時(shí)序圖；
[0029]圖5是圖3中所示的像素電路在重置階段的等效電路圖；
[0030]圖6是圖3中所示的像素電路在補(bǔ)償階段的等效電路圖；
[0031]圖7是圖3中所示的像素電路在發(fā)光階段的等效電路圖。
[0032]附圖標(biāo)記說明
[0033]Tl:電源傳導(dǎo)晶體管T2:第一補(bǔ)償晶體管
[0034]T3:復(fù)位晶體管T4:第二補(bǔ)償晶體管
[0035]T5:發(fā)光件控制晶體管C:存儲(chǔ)電容
[0036]DTFT:驅(qū)動(dòng)晶體管OLED:發(fā)光件
[0037]Em:發(fā)光掃描信號(hào)端Scan[l]:第一掃描線
[0038]Scan [2]:第二掃描線Vdd:電源端
[0039]TO:開關(guān)晶體管
【具體實(shí)施方式】
[0040]以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的【具體實(shí)施方式】僅用于說明和解釋本實(shí)用新型，并不用于限制本實(shí)用新型。
[0041]如圖2所示，作為本實(shí)用新型的一個(gè)方面，提供一種像素電路，所述像素電路包括電源端vdd、電源傳導(dǎo)晶體管Tl、驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT、發(fā)光件0LED、存儲(chǔ)電容C和重置模塊。
[0042]存儲(chǔ)電容C的第一端與電源端Vdd相連，存儲(chǔ)電容C的第二端與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極相連。電源傳導(dǎo)晶體管Tl的第一極與電源端Vdd相連，且電源傳導(dǎo)晶體管Tl能夠在所述像素電路的發(fā)光階段(圖4中的階段3)導(dǎo)通，且在所述像素電路的重置階段(圖4中的階段I)和補(bǔ)償階段(圖4中的階段2)關(guān)閉。驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第一極與電源傳導(dǎo)晶體管Tl的第二極相連。
[0043]所述重置模塊與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極相連，以在所述像素電路的重置階段將所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓重置。
[0044]所述像素電路還包括補(bǔ)償模塊，所述補(bǔ)償模塊的第一端I與所述像素電路的數(shù)據(jù)寫入端相連，所述補(bǔ)償模塊的第二端2與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極相連，所述補(bǔ)償模塊的第三端3與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第一極相連，所述補(bǔ)償模塊的第四端4與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第二極相連。如圖2所示，存儲(chǔ)電容C的第二端與所述補(bǔ)償模塊的第二端2相連，存儲(chǔ)電容C的第二端通過所述補(bǔ)償模塊與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第二極相連相連，使得所述補(bǔ)償模塊能夠在所述像素電路的重置階段結(jié)束后，在所述補(bǔ)償模塊的第四端輸出所述數(shù)據(jù)寫入端輸入的數(shù)據(jù)電壓Vdata,并利用所述數(shù)據(jù)電壓Vdata對(duì)存儲(chǔ)電容C進(jìn)行充電，以補(bǔ)償所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓。
[0045]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的源極和漏極并不是固定不變的。驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第一極既可以是該驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的源極，也可以是該驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的漏極，相應(yīng)地，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第二極既可以是該驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的漏極，也可以是該驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的源極。在通電狀態(tài)下，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第一極和第二極中接入高電平的一者為驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的源極，接入低電平的一者為驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的漏極。
[0046]具體地，如果驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第一極接入高電平，而驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第二極接入低電平，那么驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第一極為驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的源極，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第二極為該驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的漏極。反之，如果驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第一極接入低電平，而驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第二極接入高電平，那么驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第一極為驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的漏極，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第二極為該驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的源極。
[0047]本實(shí)用新型中，其他晶體管(包括上文中的電源傳導(dǎo)晶體管Tl和下文中將要描述的第一補(bǔ)償晶體管T2、第二補(bǔ)償晶體管T4、重置晶體管T3和發(fā)光件控制晶體管T5)的第一極和第二極的含義與驅(qū)動(dòng)晶體管第一極和第二極的含義類似。
[0048]容易理解的是，在重置階段，對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極電壓信號(hào)進(jìn)行重置，在驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極的電平設(shè)置為該驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的開啟電平。此處，開啟電平的意思是，在驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第一極和第二極中的一者接入高電平另一者接入低電平的情況下，能夠使得驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT導(dǎo)通的電平。
[0049]重置階段結(jié)束后，所述像素電路進(jìn)入補(bǔ)償階段，在該補(bǔ)償階段，將數(shù)據(jù)電壓通過補(bǔ)償模塊寫入像素電路。在此階段，所述補(bǔ)償模塊的第四端輸出數(shù)據(jù)電壓Vdata,即所述數(shù)據(jù)寫入端通過所述補(bǔ)償模塊的第四端將驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第二極的電位始終維持在Vdata，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第一極與存儲(chǔ)電容C的第二端相連，對(duì)存儲(chǔ)電容進(jìn)行充電。由于驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極與存儲(chǔ)電容C的第二端相連，因此，所述數(shù)據(jù)輸入端對(duì)存儲(chǔ)電容C進(jìn)行充電的同時(shí)，還對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極進(jìn)行充電，當(dāng)將驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極的電位拉高至Vdata-Vth時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極和第二極之間的電位差為Vth，即，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵源電壓VGS為Vth，此時(shí)處于驅(qū)動(dòng)晶體管的臨界狀態(tài)，繼續(xù)充電時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極電位稍有升高則會(huì)使得驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT斷開，充電完畢，而存儲(chǔ)電容C會(huì)將驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極電壓維持在Vdata-Vth。
[0050]在所述像素電路的補(bǔ)償階段結(jié)束后，所述像素電路進(jìn)入發(fā)光階段，電源傳導(dǎo)晶體管Tl導(dǎo)通，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT導(dǎo)通，以形成通過發(fā)光件OLED的電流。此時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管DTF的柵極電壓為Vdata-Vth,而驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT第一極電壓為Vdd，因此，在發(fā)光階段，驅(qū)動(dòng)晶體管 DTFT 的柵源電壓 Ves = Vdd-(Vdata-Vth)。
[0051]通過下述公式(I)計(jì)算通過發(fā)光件OLED的電流:
[0052]1led = K(Vcs-Vth)2(I)
[0053]= K [Vdd-(V data-V th) -V th]2
[0054]= K (Vdd-Vdata)2
[0055]其中，Ves為驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵源電壓，Vth為驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓。
[0056]由上式可知，流過發(fā)光件OLED的電流大小只與電源端提供的電壓Vdd以及數(shù)據(jù)端輸入的電壓Vdata有關(guān)，不再受到驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓Vth的影響。
[0057]由此可知，即便驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓發(fā)生漂移，流過發(fā)光件OLED的電流也不會(huì)發(fā)生改變。即，在本實(shí)用新型所提供的像素電路中，消除了驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓漂移對(duì)流過發(fā)光件OLED的電流的影響，從而可以提高包括所述像素電路的顯示面板的亮度均勻性，并且使得所述顯示面板在顯示時(shí)不會(huì)產(chǎn)生殘影等顯示缺陷，進(jìn)而優(yōu)化顯示面板的顯示效果。
[0058]作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選實(shí)施方式，如圖3所示，所述補(bǔ)償模塊可以包括第一補(bǔ)償晶體管T2和第二補(bǔ)償晶體管T4，第一補(bǔ)償晶體管T2的第一極(相當(dāng)于所述補(bǔ)償模塊的第二端)與存儲(chǔ)電容C的第二端相連，第一補(bǔ)償晶體管T2的第二極(相當(dāng)于所述補(bǔ)償模塊的第三端)與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第一極相連，第二補(bǔ)償晶體管T4的第一極(相當(dāng)于所述補(bǔ)償模塊的第一端)與所述像素電路的數(shù)據(jù)寫入端相連，第二補(bǔ)償晶體管T4的第二極(相當(dāng)于所述補(bǔ)償模塊的第四端)與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第二極相連，第一補(bǔ)償晶體管T2能夠在所述像素電路的補(bǔ)償階段導(dǎo)通，并在所述重置階段和所述發(fā)光階段關(guān)閉，且第二補(bǔ)償晶體管T4能夠在所述補(bǔ)償階段導(dǎo)通，并在所述重置階段和所述發(fā)光階段關(guān)閉。
[0059]具體地，在補(bǔ)償階段，第一補(bǔ)償晶體管T2和第二補(bǔ)償晶體管T4導(dǎo)通，此時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第二極的電位始終是Vdata,數(shù)據(jù)輸入端對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT進(jìn)行充電，當(dāng)將驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極的電位拉高至Vdata-Vth時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極和第二極之間的電位差為Vth，充電完畢，存儲(chǔ)電容C會(huì)將驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極電壓維持在Vdata-Vth。
[0060]在本實(shí)用新型中，可以分別在第一補(bǔ)償晶體管T2的柵極和第二補(bǔ)償晶體管T4的柵極設(shè)置控制端，以通過分別向第一補(bǔ)償晶體管T2的柵極和第二補(bǔ)償晶體管T4的柵極提供控制信號(hào)實(shí)現(xiàn)第一補(bǔ)償晶體管T2以及第二補(bǔ)償晶體管T4在重置階段和發(fā)光階段關(guān)閉，并且在補(bǔ)償階段導(dǎo)通。
[0061]由上文中的描述可知，第一補(bǔ)償晶體管T2和第二補(bǔ)償晶體管T4的開啟和關(guān)閉時(shí)同步的，為了簡(jiǎn)化像素電路的結(jié)構(gòu)，優(yōu)選地，所述像素電路包括第一掃描信號(hào)端，所述第一補(bǔ)償晶體管的柵極以及所述第二補(bǔ)償晶體管的柵極均與所述第一掃描信號(hào)端相連，在這種實(shí)施方式中，第一補(bǔ)償晶體管T2和第二補(bǔ)償晶體管T4的類型相同。即，第一補(bǔ)償晶體管T2和第二補(bǔ)償晶體管T4同為N型晶體管，或者同為P型晶體管。
[0062]為了實(shí)現(xiàn)在重置階段向驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT提供重置電平，優(yōu)選地，所述像素電路還包括重置晶體管T3和重置電壓端V?！?，所述重置晶體管T3的第一極與重置電壓端V.相連，重置晶體管T3的第二極與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極相連，重置晶體管T3能夠在所述像素電路的重置階段導(dǎo)通，并且能夠在所述像素電路的補(bǔ)償階段和發(fā)光階段關(guān)閉。
[0063]為了實(shí)現(xiàn)重置晶體管T3能夠在所述像素電路的重置階段導(dǎo)通，并且能夠在所述像素電路的補(bǔ)償階段和發(fā)光階段關(guān)閉，優(yōu)選地，所述像素電路可以包括第二掃描信號(hào)端，所述第二掃描信號(hào)端與重置晶體管T3的柵極相連。
[0064]作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選實(shí)施方式，如圖3中所示，所述像素電路還可以包括發(fā)光件控制晶體管T5，該發(fā)光件控制晶體管T5的第一極與發(fā)光件OLED的陽極相連，發(fā)光件控制晶體管T5的第二極與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第二極相連，發(fā)光件控制晶體管T5能夠在像素電路的重置階段和補(bǔ)償階段關(guān)閉，并且在所述像素電路的發(fā)光階段導(dǎo)通。
[0065]由于發(fā)光件控制晶體管T5在像素電路的重置階段和補(bǔ)償階段關(guān)閉，從而可以防止在重置階段和補(bǔ)償階段有電流通過發(fā)光件0LED，從而延長了發(fā)光件OLED的使用壽命。
[0066]如上文中所述，電源傳導(dǎo)晶體管Tl在所述像素電路的發(fā)光階段導(dǎo)通，在像素電路的重置階段和補(bǔ)償階段均關(guān)閉。由此可知，電源傳導(dǎo)晶體管Tl的導(dǎo)通和關(guān)閉時(shí)序與發(fā)光件控制晶體管T5的導(dǎo)通和關(guān)閉時(shí)序是同步的。
[0067]在本實(shí)用新型中，為了以簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)電源傳導(dǎo)晶體管Tl和發(fā)光件控制晶體管T5的同步控制，優(yōu)選地，所述像素電路還可以包括發(fā)光掃描信號(hào)端，電源傳導(dǎo)晶體管Tl的柵極以及發(fā)光件控制晶體管T5的柵極均與所述發(fā)光掃描信號(hào)端相連，在這種實(shí)施方式中，電源傳導(dǎo)晶體管Tl和發(fā)光件控制晶體管T5的類型相同。S卩，電源傳導(dǎo)晶體管Tl和發(fā)光件控制晶體管T5可以同為N型晶體管或者同為P型晶體管。
[0068]在本實(shí)用新型中，對(duì)各個(gè)晶體管的具體形式并沒有特殊的限定。例如，作為本實(shí)用新型的一種【具體實(shí)施方式】，電源傳導(dǎo)晶體管Tl、驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT、第一補(bǔ)償晶體管T2和第二補(bǔ)償晶體管T4均可以為P型晶體管，進(jìn)一步地，復(fù)位晶體管T3和發(fā)光件控制晶體管T5也是P型晶體管。
[0069]下面介紹本實(shí)用新型所提供的上述像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，所述驅(qū)動(dòng)方法包括:
[0070]重置步驟:在所述像素電路的重置階段(圖4中的階段I)，利用所述重置模塊向所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極輸出重置電壓；
[0071]在所述重置步驟結(jié)束后進(jìn)行的補(bǔ)償步驟:在補(bǔ)償階段(圖4中的階段2)，數(shù)據(jù)寫入信號(hào)和掃描信號(hào)有效，通過所述補(bǔ)償模塊將所述數(shù)據(jù)寫入端輸入的數(shù)據(jù)寫入信號(hào)對(duì)所述存儲(chǔ)電容進(jìn)行充電，以補(bǔ)償所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓；
[0072]發(fā)光步驟:在發(fā)光階段(圖4中的階段3)，發(fā)光控制信號(hào)有效，所述電源傳導(dǎo)晶體管和所述驅(qū)動(dòng)晶體管開啟從而驅(qū)動(dòng)發(fā)光件發(fā)光。
[0073]在驅(qū)動(dòng)本實(shí)用新型所提供的像素電路中，消除了驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓漂移對(duì)流過發(fā)光件OLED的電流的影響，從而使得所述顯示面板在顯示時(shí)不會(huì)產(chǎn)生殘影等顯示缺陷，進(jìn)而優(yōu)化顯示面板的顯示效果。
[0074]在所述補(bǔ)償步驟中，通過數(shù)據(jù)寫入信號(hào)對(duì)存儲(chǔ)電容進(jìn)行充電，以補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓，不需要引入其他的補(bǔ)償信號(hào)，因此，本實(shí)用新型所提供的像素驅(qū)動(dòng)方法較為簡(jiǎn)單。
[0075]如上文中所述，為了簡(jiǎn)化像素電路的結(jié)構(gòu)，所述像素電路包括第一掃描信號(hào)端，第一補(bǔ)償晶體管T2的柵極以及第二補(bǔ)償晶體管T4的柵極均與所述第一掃描信號(hào)端相連，第一補(bǔ)償晶體管T2與第二補(bǔ)償晶體管T4的類型相同。相應(yīng)地，包括所述像素電路的顯示面板包括第一掃描線Scan [I],該第一掃描線Scan [I]與所述第一掃描信號(hào)端相連，以向所述第一掃描信號(hào)端輸入第一掃描信號(hào)。
[0076]因此，所述驅(qū)動(dòng)方法包括:在所述補(bǔ)償步驟中，通過第一掃描線Scan [I]向第一掃描信號(hào)端提供第一掃描信號(hào)，以控制第一補(bǔ)償晶體管T2和第二補(bǔ)償晶體管T4同步地導(dǎo)通或關(guān)閉。作為本實(shí)用新型的一種實(shí)施方式，第一補(bǔ)償晶體管T2和第二補(bǔ)償晶體管T4均為P型晶體管，因此，如圖4中所示，第一掃描線Scan[l]可以在重置階段以及發(fā)光階段輸出高電平信號(hào)，控制第一補(bǔ)償晶體管T2和第二補(bǔ)償晶體管T4關(guān)閉，并且第一掃描線Scan[l]可以在補(bǔ)償階段輸出低電平信號(hào)，控制第一補(bǔ)償晶體管T2和第二補(bǔ)償晶體管T4導(dǎo)通。
[0077]如上文中所述，為了便于控制所述像素電路進(jìn)行重置，優(yōu)選地，所述重置模塊可以包括重置晶體管T3和重置電壓端，重置晶體管T3的第一極與所述重置電壓端相連，重置晶體管T3的第二極與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極相連，重置晶體管T3的柵極與第二掃描信號(hào)端相連。相應(yīng)地，所述驅(qū)動(dòng)方法包括:在所述重置步驟中，向重置晶體管T3的柵極輸入第二掃描信號(hào)，控制重置晶體管T3在所述像素電路的重置階段導(dǎo)通，并且控制重置晶體管T3在所述像素電路的補(bǔ)償階段和發(fā)光階段關(guān)閉。
[0078]為了實(shí)現(xiàn)所述像素電路的重置，像素電路包括第二掃描信號(hào)端，所述第二掃描信號(hào)端與重置晶體管T3的柵極相連，相應(yīng)地，包括所述像素電路的顯示面板還包括第二掃描線Scan [2]，該第二掃描線Scan [2]與所述第二掃描信號(hào)端相連，以為所述第二掃描信號(hào)端提供第二掃描信號(hào)。因此，所述驅(qū)動(dòng)方法包括:在所述重置步驟中，向所述重置電壓端輸入第二掃描信號(hào)，以控制重置晶體管在所述像素電路的重置階段導(dǎo)通。
[0079]通過第二掃描線Scan[2]向所述第二掃描信號(hào)端提供信號(hào)控制重置晶體管T3的導(dǎo)通和關(guān)閉。在本實(shí)用新型所提供的實(shí)施方式中，重置晶體管T3可以為P型晶體管，因此，第二掃描線Scan [2]在重置階段提供使重置晶體管T3導(dǎo)通的低電平，在補(bǔ)償階段和發(fā)光階段輸出使重置晶體管T3關(guān)閉的高電平。
[0080]作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述像素電路還包括發(fā)光件控制晶體管T5，該發(fā)光件控制晶體管T5的第一極與發(fā)光件OLED的陽極相連，發(fā)光件控制晶體管T5的第二極與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第二極相連，發(fā)光件控制晶體管T5能夠在所述像素電路的重置階段和補(bǔ)償階段關(guān)閉，并且在所述像素電路的發(fā)光階段關(guān)閉。
[0081]相應(yīng)地，所述驅(qū)動(dòng)方法可以包括:在所述發(fā)光步驟中，向所述發(fā)光掃描信號(hào)端輸入發(fā)光掃描信號(hào)，以控制所述發(fā)光件控制晶體管在所述像素電路的重置階段和補(bǔ)償階段關(guān)閉，并且在所述像素電路的發(fā)光階段導(dǎo)通。
[0082]為了簡(jiǎn)化像素電路的結(jié)構(gòu)，優(yōu)選地，所述像素電路還包括發(fā)光掃描信號(hào)端，電源傳導(dǎo)晶體管Tl的柵極以及發(fā)光件控制晶體管T5的柵極均與所述發(fā)光掃描信號(hào)端相連，在這種情況中，電源傳導(dǎo)晶體管Tl與發(fā)光件控制晶體管T5的類型相同。相應(yīng)地，每組所述掃描線還包括發(fā)光掃描信號(hào)線Em，發(fā)光掃描信號(hào)線Em與所述發(fā)光掃描信號(hào)端相連。通過發(fā)光掃描線Em向所述發(fā)光掃描信號(hào)端輸出發(fā)光掃描信號(hào)，控制電源傳導(dǎo)晶體管Tl和發(fā)光件控制晶體管T5的開啟和關(guān)閉。
[0083]在本實(shí)用新型的實(shí)施方式中，電源傳導(dǎo)晶體管Tl和發(fā)光件控制晶體管T5均為P型晶體管，因此，發(fā)光掃描線Em在重置階段和補(bǔ)償階段輸出低電平信號(hào)，在發(fā)光階段輸出聞電平?目號(hào)。
[0084]如上文中所述，電源傳導(dǎo)晶體管Tl、驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT、第一補(bǔ)償晶體管Τ2和第二補(bǔ)償晶體管Τ4均可以為P型晶體管，進(jìn)一步地，復(fù)位晶體管Τ3和發(fā)光件控制晶體管Τ5也是P型晶體管。
[0085]下面結(jié)合圖3至圖7介紹包括本實(shí)用新型所提供的優(yōu)選實(shí)施方式的像素電路的顯示基板的驅(qū)動(dòng)方法。
[0086]在圖3中所示的像素電路為5T1C像素電路，這種像素電路中僅使用了 5個(gè)晶體管和一個(gè)電容，因此，可以有效地提高像素電路的開口率。并且，在圖3中所示的像素電路中，所使用的晶體管均為低電平導(dǎo)通的P型晶體管。圖5至圖7中箭頭所示的是電流的流動(dòng)方向，虛線表示的部分為沒有電流通過的部分。
[0087]重置步驟:在圖5中所示的重置階段，第二掃描線Scan[2]向所述第二控制端輸出低電平信號(hào)，控制重置晶體管T3導(dǎo)通，從而向驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極寫入重置電壓V.。在此階段，第一掃描線Scan [I]和發(fā)光掃描信號(hào)線Em均輸出高電平，因此，電源傳導(dǎo)晶體管Tl、發(fā)光控制晶體管T5、第一補(bǔ)償晶體管T2和第二補(bǔ)償晶體管T4均關(guān)閉。
[0088]補(bǔ)償步驟:在圖6中所示的補(bǔ)償階段，數(shù)據(jù)線寫入數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata，第一掃描線Scan[l]輸出低電平信號(hào)控制第一補(bǔ)償晶體管T2和第二補(bǔ)償晶體管T4導(dǎo)通，由于驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極為重置階段寫入的重置電壓V。》，因此，此時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT也是導(dǎo)通的，此時(shí)，可以將驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極電壓改變?yōu)閂data-Vth。在此階段，第二掃描線Scan[2]和發(fā)光掃描信號(hào)線Em均輸出高電平，因此，電源傳導(dǎo)晶體管Tl、發(fā)光控制晶體管T5和重置晶體管T3均關(guān)閉。
[0089]發(fā)光步驟:在圖7中所示的發(fā)光階段，發(fā)光掃描信號(hào)線Em輸出低電平，使電源傳導(dǎo)晶體管Tl和發(fā)光控制晶體管T5開啟，因此,發(fā)光件OLED可以發(fā)光。此時(shí),第一掃描線Scan[l]和第二掃描線Scan[2]均輸出高電平，因此，第一補(bǔ)償晶體管T2、第二補(bǔ)償晶體管T4和重置晶體管T3均關(guān)閉。如上文中所述，流過發(fā)光件OLED的電流I_D可以通過如下公式計(jì)算:
[0090]1led — K (VGS_Vth)
[0091 ]= K [Vdd-(V data-V th) -V th]2
[0092]= K(Vdd-Vdata)2
[0093]由上述公式可知，流過發(fā)光件OLED的電流大小只與電源端提供的電壓Vdd以及數(shù)據(jù)端輸入的電壓Vdata有關(guān)，不再受到驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓Vth的影響。
[0094]作為本實(shí)用新型的再一個(gè)方面，提供一種顯示面板，所述顯示面板包括像素電路，其中，所述像素電路為本實(shí)用新型所提供的上述像素電路。
[0095]所述顯示面板發(fā)光亮度均勻，并且不存在殘影等顯示缺陷，可以顯示高質(zhì)量的圖像。
[0096]作為本實(shí)用新型的還一個(gè)方面，提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括本實(shí)用新型所提供的上述顯示面板。本實(shí)用新型的顯示裝置可以為電視、電腦顯示屏、手機(jī)等中。
[0097]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本實(shí)用新型的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本實(shí)用新型并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本實(shí)用新型的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種像素電路，其特征在于，所述像素電路包括電源端、電源傳導(dǎo)晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、發(fā)光件、重置模塊、存儲(chǔ)電容和補(bǔ)償模塊， 所述存儲(chǔ)電容的第一端與所述電源端相連，所述存儲(chǔ)電容的第二端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極相連； 所述電源傳導(dǎo)晶體管的第一極與所述電源端相連，且所述電源傳導(dǎo)晶體管能夠在所述像素電路的發(fā)光階段導(dǎo)通； 所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極與所述電源傳導(dǎo)晶體管的第二極相連； 所述重置模塊與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極相連，以在所述像素電路的重置階段將所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓重置； 所述補(bǔ)償模塊的第一端與所述像素電路的數(shù)據(jù)寫入端相連，所述補(bǔ)償模塊的第二端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極相連，所述補(bǔ)償模塊的第三端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極相連，所述補(bǔ)償模塊的第四端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極相連，且所述存儲(chǔ)電容的第二端通過所述補(bǔ)償模塊與驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極相連，所述補(bǔ)償模塊能夠在所述像素電路的重置階段結(jié)束后，在所述補(bǔ)償模塊的第四端輸出所述數(shù)據(jù)寫入端輸入的數(shù)據(jù)電壓，并利用所述數(shù)據(jù)電壓對(duì)所述存儲(chǔ)電容進(jìn)行充電，以補(bǔ)償所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述補(bǔ)償模塊包括第一補(bǔ)償晶體管和第二補(bǔ)償晶體管，所述第一補(bǔ)償晶體管的第一極與所述存儲(chǔ)電容的第二端相連，所述第一補(bǔ)償晶體管的第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極相連，所述第二補(bǔ)償晶體管的第一極與所述像素電路的數(shù)據(jù)寫入端相連，所述第二補(bǔ)償晶體管的第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極相連，所述第一補(bǔ)償晶體管能夠在所述補(bǔ)償階段導(dǎo)通，并在所述重置階段和所述發(fā)光階段關(guān)閉，且所述第二補(bǔ)償晶體管能夠在所述補(bǔ)償階段導(dǎo)通，并在所述重置階段和所述發(fā)光階段關(guān)閉。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素電路，其特征在于，所述像素電路包括第一掃描信號(hào)端，所述第一補(bǔ)償晶體管的柵極以及所述第二補(bǔ)償晶體管的柵極均與所述第一掃描信號(hào)端相連，所述第一補(bǔ)償晶體管和所述第二補(bǔ)償晶體管的類型相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的像素電路，其特征在于，所述重置模塊包括重置晶體管和重置電壓端，所述重置晶體管的第一極與所述重置電壓端相連，所述重置晶體管的第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極相連，所述重置晶體管能夠在所述像素電路的重置階段導(dǎo)通，并且在所述像素電路的補(bǔ)償階段和發(fā)光階段關(guān)閉。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素電路，其特征在于，所述像素電路包括第二掃描信號(hào)端，所述第二掃描信號(hào)端與所述重置晶體管的柵極相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的像素電路，其特征在于，所述像素電路還包括發(fā)光件控制晶體管，所述發(fā)光件控制晶體管的第一極與所述發(fā)光件的陽極相連，所述發(fā)光件控制晶體管的第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極相連，所述發(fā)光件控制晶體管能夠在所述像素電路的重置階段和補(bǔ)償階段關(guān)閉，并且在所述像素電路的發(fā)光階段導(dǎo)通。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的像素電路，其特征在于，所述像素電路還包括發(fā)光掃描信號(hào)端，所述電源傳導(dǎo)晶體管的柵極以及所述發(fā)光件控制晶體管的柵極均與所述發(fā)光掃描信號(hào)端相連，所述電源傳導(dǎo)晶體管的類型與所述發(fā)光件控制晶體管的類型相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的像素電路，其特征在于，所述電源傳導(dǎo)晶體管、所述驅(qū)動(dòng)晶體管、所述第一補(bǔ)償晶體管和所述第二補(bǔ)償晶體管均為P型晶體管。
9.一種顯示面板，所述顯示面板包括像素電路，其特征在于，所述像素電路為權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的像素電路。
10.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括顯示面板，其特征在于，所述顯示面板為權(quán)利要求9所述的顯示面板。
【文檔編號(hào)】G09G3/32GK204066686SQ201420556227
【公開日】2014年12月31日 申請(qǐng)日期:2014年9月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月25日
【發(fā)明者】楊盛際 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司