有機發(fā)光二極管像素補償電路及其顯示面板、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種OLED像素補償電路，包括第一至第七晶體管、存儲電容。第一晶體管的柵極接掃描信號，第一極接數(shù)據(jù)信號，第二極接第五晶體管的柵極；第二晶體管的柵極接掃描信號，第一極接電源電壓，第二極接存儲電容的第二極；第三晶體管的柵極接第一發(fā)光信號，第一極接電源電壓，第二極接第五晶體管的第一極；第四晶體管的柵極接掃描信號，第一極接第五晶體管的柵極，第二極接第五晶體管的第一極；第五晶體管的第二極接第七晶體管的第一極；第六晶體管的柵極接第一發(fā)光信號，第一極接第五晶體管的柵極，第二極接存儲電容的第二極；第七晶體管的柵極接第二發(fā)光信號，第二極接有機發(fā)光二極管的陽極；存儲電容的第一極接第七晶體管的第一極。
【專利說明】有機發(fā)光二極管像素補償電路及其顯示面板、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機發(fā)光二極管領(lǐng)域，尤其涉及一種有機發(fā)光二極管的像素補償電路 及包含該電路的顯示面板、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 當前，在有機發(fā)光二極管（organic light emitting diode, 0LED)的像素驅(qū)動電 路中，如圖1所示，通常包含晶體管T11、晶體管T12,存儲電容C11，以及各種驅(qū)動信號，用以 驅(qū)動有機發(fā)光二極管。具體的電路連接參閱圖1。該像素驅(qū)動電路的工作過程包括：
[0003] 信號寫入階段：當掃描信號Scan為高電平時，晶體管T12導通，將數(shù)據(jù)信號Data 通過晶體管T12輸入至晶體管T11的柵極，使得晶體管T11導通，同時對電容C11進行充 電；
[0004] 發(fā)光階段：使得掃描信號Scan為低電平，晶體管T12截止，電容C11的放電使得晶 體管T11仍然處于導通狀態(tài)。電源電壓PVDD持續(xù)為有機發(fā)光二極管0LED提供電壓，直到 下一個階段到來，如此循環(huán)。
[0005] 可是，由于工藝水平的限制，在制作0LED顯示器的晶體管電路時，常常因驅(qū)動晶 體管存在的閾值電壓導致0LED顯示器的驅(qū)動電流偏離，面板顯示異常。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006] 有鑒于此，本發(fā)明提供了一種有機發(fā)光二極管的像素補償電路及包含該電路的顯 示面板、顯示裝置。
[0007] 本發(fā)明實施例提供的一種有機發(fā)光二極管像素補償電路，用于驅(qū)動有機發(fā)光二極 管進行發(fā)光，其中，所述有機發(fā)光二極管像素補償電路包括：第一晶體管、第二晶體管、第三 晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、第七晶體管以及存儲電容。所述第一晶體管 的柵極耦接掃描信號，第一極耦接數(shù)據(jù)信號，第二極耦接所述第五晶體管的柵極；所述第二 晶體管的柵極耦接所述掃描信號，第一極耦接電源電壓，第二極耦接所述存儲電容的第二 極；所述第三晶體管的柵極耦接第一發(fā)光信號，第一極耦接所述電源電壓，第二極耦接所述 第五晶體管的第一極；所述第四晶體管的柵極耦接所述掃描信號，第一極耦接所述第五晶 體管的柵極，第二極耦接所述第五晶體管的第一極；所述第五晶體管的第二極耦接所述第 七晶體管的第一極；所述第六晶體管的柵極耦接所述第一發(fā)光信號，第一極耦接所述第五 晶體管的柵極，第二極耦接所述存儲電容的第二極；所述第七晶體管的柵極耦接第二發(fā)光 信號，第二極耦接所述有機發(fā)光二極管的第一極；所述存儲電容的第一極耦接所述第七晶 體管的第一極；所述有機發(fā)光二極管的第二極耦接低電平信號，并且相應于所述第五晶體 管生成的驅(qū)動電流進行發(fā)光。
[0008] 本發(fā)明實施例提供的一種顯示面板，包含上述有機發(fā)光二極管像素補償電路。
[0009] 本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置，包含上述有機發(fā)光二極管像素補償電路，或 者包含上述顯示面板。
[0010] 采用本發(fā)明提供的有機發(fā)光二極管像素補償電路及其顯示面板、顯示裝置，能改 善0LED驅(qū)動電路中因驅(qū)動晶體管存在閾值電壓而導致的0LED顯示器的驅(qū)動電流偏離，使 得0LED面板顯示趨于正常。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0011] 圖1是現(xiàn)有技術(shù)中0LED像素的驅(qū)動電路；
[0012] 圖2a是本發(fā)明一實施例所述的0LED像素補償電路；
[0013] 圖2b是圖2a所示電路的工作時序圖；
[0014] 圖3a是本發(fā)明一實施例所述的0LED像素補償電路；
[0015] 圖3b是圖3a所示電路的工作時序圖；
[0016] 圖4a是本發(fā)明一實施例所述的0LED像素補償電路；
[0017] 圖4b是圖4a所示電路的工作時序圖；
[0018] 圖5a是本發(fā)明一實施例所述的0LED像素補償電路；
[0019] 圖5b是圖5a所示電路的工作時序圖。
【具體實施方式】
[0020] 為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明 的【具體實施方式】做詳細的說明。
[0021] 在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以 采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限 制。
[0022] 實施例一
[0023] 參閱圖2a和圖2b。圖2a為本發(fā)明一實施例提供的一種有機發(fā)光二極管（0LED) 像素補償電路，用于驅(qū)動有機發(fā)光二極管進行發(fā)光。所述有機發(fā)光二極管像素補償電路包 括第一晶體管T1、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4、第五晶體管T5、第六晶體 管T6、第七晶體管T7以及存儲電容Cst。第一晶體管T1的柵極耦接掃描信號Scan，第一極 耦接數(shù)據(jù)信號Data，第二極耦接第五晶體管T5的柵極；第二晶體管T2的柵極耦接掃描信 號Scan，第一極耦接電源電壓PVDD，第二極耦接存儲電容Cst的第二極；第三晶體管T3的 柵極耦接第一發(fā)光信號Emitl，第一極耦接電源電壓PVDD，第二極耦接第五晶體管T5的第 一極；第四晶體管T4的柵極耦接掃描信號Scan，第一極耦接第五晶體管T5的柵極，第二極 耦接第五晶體管T5的第一極；第五晶體管T5的第二極耦接第七晶體管T7的第一極；第六 晶體管T6的柵極耦接第一發(fā)光信號Emitl，第一極耦接第五晶體管T5的柵極，第二極耦接 存儲電容Cst的第二極；第七晶體管T7的柵極耦接第二發(fā)光信號Emit2,第二極耦接所述 有機發(fā)光二極管的第一極；存儲電容Cst的第一極耦接第七晶體管T7的第一極；其中，所 述有機發(fā)光二極管的第二極耦接低電平信號VSS，并且相應于第五晶體管T5生成的驅(qū)動電 流進行發(fā)光。
[0024] 可選的，這里所述的有機發(fā)光二極管的第一極可以是所述有機發(fā)光二極管的陽 極；所述有機發(fā)光二極管的第二極可以是所述有機發(fā)光二極管的陰極。并且，這里所述的 "耦接"，可以為直接連接，也可以為間接連接。
[0025] 其中，第一晶體管T1，用于在掃描信號Scan的控制下，將數(shù)據(jù)信號Data傳送至第 五晶體管T5的柵極；第二晶體管T2,用于在掃描信號Scan的控制下，將電源電壓PVDD傳 送至存儲電容Cst的第二極；第三晶體管T3,用于在第一發(fā)光信號Emitl的控制下，將自身 第一極接收到的電源電壓PVDD傳送至自身的第二極；第四晶體管T4,用于在掃描信號Scan 的控制下，將自身第一極接收到的數(shù)據(jù)信號Data傳送至第五晶體管T5的第一極；第五晶體 管T5,用于生成驅(qū)動所述有機二極管發(fā)光的驅(qū)動電流；第六晶體管T6,用于在第一發(fā)光信 號Emitl的控制下，使自身的第一極和第二極導通；第七晶體管，用于使第五晶體管T5生成 的驅(qū)動電流驅(qū)動所述有機發(fā)光二極管發(fā)光；存儲電容Cst，用于存儲接收到的電壓（其第一 極接收到的電壓或者其第二極接收到的電壓），并將自身的第二極上的電壓的變化值耦合 到自身的第一極上，或者將自身的第一極上的電壓的變化值耦合到自身的第二極上。
[0026] 下面對具體的工作過程及工作原理進行闡述：
[0027] 參見圖2a、圖2b，所述0LED像素補償電路中的所有晶體管都是NM0S管，因此第一 極可以是漏極，第二極可以是源極。所述0LED像素補償電路的驅(qū)動可以包括第一階段、第 二階段、第三階段，其中第一階段為所述電路的重置階段，用于初始化所述電路。
[0028] 具體地，在第一階段，因為Emitl輸出為低電平信號，因此第三晶體管T3、第六晶 體管T6截止。因為掃描信號Scan輸出為高電平信號，因此第一晶體管T1、第二晶體管T2、 第四晶體管T4導通，數(shù)據(jù)信號Data可以被寫入至N1節(jié)點（N1節(jié)點是第一晶體管T1的第 二極、第四晶體管T4的第一極、第五晶體管T5的柵極、第六晶體管T6的第一極交匯的節(jié) 點），也即V N1 = Vdata (數(shù)據(jù)信號Data的電壓）。此時，因為數(shù)據(jù)信號Data是高電平信號， 在高電位Vdata的控制下，第五晶體管T5導通；因為第二發(fā)光信號Emit2輸出也為高電平 信號，因此第七晶體管T7導通，所述有機發(fā)光二極管0LED被短暫地點亮，且N3點的電位為 VSS+Vo,其中Vo為所述有機發(fā)光二極管上的壓降。
[0029] 第二階段為所述電路中驅(qū)動晶體管（本實施例中為第五晶體管T5)的閾值補償階 段，用于抓取所述第五晶體管的閾值電壓Vth。具體地，在第二階段，第一發(fā)光信號Emitl、 第二發(fā)光信號Emit2輸出為低電平信號，因此第三晶體管T3、第六晶體管T6、第七晶體管T7 截止。因為掃描信號Scan輸出為高電平信號，因此第一晶體管T1、第二晶體管T2、第四晶 體管T4導通，數(shù)據(jù)信號Data被寫入至N1節(jié)點，也即V N1 = Vdata ;N2節(jié)點（N2節(jié)點是第二 晶體管T2的第二極、第六晶體管T6的第二極、存儲電容Cst的第二極的交匯點）為電源電 壓PVDD。在第二階段，數(shù)據(jù)信號Data為高電平信號，在高電位的Vdata的控制下，第五晶體 管T5導通，數(shù)據(jù)信號Data對存儲電容Cst的第一極對存儲電容Cst充電。這個充電過程 將一直持續(xù)，直到N3節(jié)點（N3節(jié)點是第五晶體管T5的第二極、第七晶體管T7的第一極、存 儲電容Cst的第一極的交匯點）的電位為Vdata-Vth時,不再滿足第五晶體管T5導通的條 件（Vg-Vs大于Vth ;其中Vg是第五晶體管T5的柵極電壓，Vs是第五晶體管T5的第二極電 壓，Vth是第五晶體管T5的閾值電壓）時，第五晶體管T5截止，此階段結(jié)束。此時，存儲電 容Cst兩端的電壓之差為PVDD-Vdata+Vth。
[0030] 第三階段為所述電路的發(fā)光階段，用于驅(qū)動所述有機發(fā)光二極管發(fā)光。具體地，在 第三階段內(nèi)，掃描信號Scan輸出為低電平信號，因此第一晶體管T1、第二晶體管T2、第四 晶體管T4關(guān)閉。因為第一發(fā)光信號Emitl、第二發(fā)光信號Emit2輸出為高電平信號，因此 第三晶體管T3、第六晶體管T6、第七晶體管T7導通，存儲電容Cst的兩端連接至第五晶體 管T5的柵極和第二極之間，以保持第五晶體管T5 (作為驅(qū)動晶體管）的柵源電壓Vgs (也 即第五晶體管T5的柵極和第二極之間的電壓）有足夠壓差，使其處于導通狀態(tài)。由于此 時，存儲電容Cst存儲的電荷守恒保持不變，因此第五晶體管T5導通。隨著所述有機發(fā) 光二極管OLED的驅(qū)動電流趨于穩(wěn)定，N3節(jié)點的電壓將變?yōu)閂 〇led(V〇led為所述有機發(fā)光 二極管上的壓降，此時假設(shè)低電平信號VSS為0)。此時由于存儲電容Cst的自舉作用，也 即存儲電容Cst兩端的壓差保持不變，存儲電容Cst的另一端N2、N1節(jié)點的電壓將因此 變?yōu)镻VDD-Vdata+Vth+Voled，那么根據(jù)所述有機發(fā)光二極管生成的驅(qū)動電流的公式，流過 第五晶體管T5的、用于驅(qū)動0LED發(fā)光的驅(qū)動電流Ioled將與第五晶體管T5的柵源電壓 (柵極與第二極間電壓）與其閾值電壓的差值的平方成正比，也即I〇led〇c (Vgs-Vth)2 = (Vg-Vs-Vth)2= ((PVDD-Vdata+Vth+Voled)-Voled-Vth)2= (PVDD-Vdata)2。因此，所述有 機發(fā)光二極管OLED的驅(qū)動電流Ioled與其閾值電壓Vth無關(guān)，實現(xiàn)了對驅(qū)動晶體管（此處 為第五晶體管T5)閾值電壓的補償。
[0031] 由此可知，采用了本實施例提供的一種有機發(fā)光二極管（0LED)像素補償電路，能 夠抵消驅(qū)動晶體管（第五晶體管T5)的閾值電壓對生成的驅(qū)動電流的影響，對閾值電壓進 行了補償，從而使得所述驅(qū)動晶體管生成的驅(qū)動電流不發(fā)生偏離，使得所述有機發(fā)光二極 管面板顯示趨于正常。
[0032] 實施例二
[0033] 本實施例是在實施例一的基礎(chǔ)上得到的，參閱圖3a、3b。本實施例與實施例一的 區(qū)別在于，本實施例中，第一晶體管T1、第二晶體管T2、第四晶體管T4為PM0S管，因此這些 PM0S管的第一極為源極，第二極為漏極。相應的，所述0LED像素驅(qū)動電路在驅(qū)動過程中包 括的三個階段的電平也相應的為：
[0034] 第一階段（重置階段）中，掃描信號Scan為低電平信號，第一發(fā)光信號Emitl為 低電平信號，第二發(fā)光信號Emit2為高電平信號，數(shù)據(jù)信號Data為高電平信號；
[0035] 第二階段（閾值補償階段）中，掃描信號Scan包括低電平信號，第一發(fā)光信號 Emitl為低電平信號，第二發(fā)光信號Emit2為低電平信號，數(shù)據(jù)信號Data包括高電平信號；
[0036] 第三階段（發(fā)光階段）中，掃描信號Scan為高電平信號，第一發(fā)光信號Emitl為 高電平信號，第二發(fā)光信號Emit2為高電平信號。需要說明的是，此階段的數(shù)據(jù)信號Data 可以是商電平?目號也可以是低電平?目號。
[0037] 本實施例中具體的實現(xiàn)過程和工作原理與實施例一相似，只是由于第一晶體管 Τ1、第二晶體管Τ2、第四晶體管Τ4的管子類型從NM0S管變?yōu)镻M0S管了，因此相應的驅(qū)動信 號（掃描信號Scan)的電平也跟著翻轉(zhuǎn)。由于不涉及其他信號及電路結(jié)構(gòu)的變動或影響， 因此本實施例不再贅述三個階段的具體工作模式細節(jié)，請參考實施例一理解。
[0038] 實施例三
[0039] 本實施例也是在實施例一的基礎(chǔ)上得到的，參閱圖4a、4b。本實施例與實施例一的 區(qū)別在于，本實施例中，第三晶體管T3、第六晶體管T6為PM0S管，因此這些PM0S管的第一 極為源極，第二極為漏極。相應的，所述0LED像素驅(qū)動電路在驅(qū)動過程中包括的三個階段 的電平也相應的為：
[0040] 第一階段（重置階段）中，掃描信號Scan為高電平信號，第一發(fā)光信號Emitl為 高電平信號，第二發(fā)光信號Emit2為高電平信號，數(shù)據(jù)信號Data為高電平信號；
[0041] 第二階段（閾值補償階段）中，掃描信號Scan包括高電平信號，第一發(fā)光信號 Emitl為高電平信號，第二發(fā)光信號Emit2為低電平信號，數(shù)據(jù)信號Data包括高電平信號；
[0042] 第三階段（發(fā)光階段）中，掃描信號Scan為低電平信號，第一發(fā)光信號Emitl為 低電平信號，第二發(fā)光信號Emit2為高電平信號。需要說明的是，此階段的數(shù)據(jù)信號Data 可以是商電平?目號也可以是低電平?目號。
[0043] 本實施例中具體的實現(xiàn)過程和工作原理與實施例一相似，只是由于第三晶體管 Τ3、第六晶體管Τ6的管子類型從NM0S管變?yōu)镻M0S管了，因此相應的驅(qū)動信號（第一發(fā)光 信號Emitl)的電平也跟著翻轉(zhuǎn)。由于不涉及其他信號及電路結(jié)構(gòu)的變動或影響，因此本實 施例不再贅述三個階段的具體工作模式細節(jié)，請參考實施例一理解。
[0044] 實施例四
[0045] 本實施例也是在實施例一的基礎(chǔ)上得到的，參閱圖5a、5b。本實施例與實施例一 的區(qū)別在于，本實施例中，第一晶體管T1、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4以 及第六晶體管T6都為PM0S管，只有第五晶體管T5和第七晶體管T7為NM0S管。因此這些 PM0S管的第一極為源極，第二極為漏極。相應的，所述0LED像素驅(qū)動電路在驅(qū)動過程中包 括的三個階段的電平也相應的為：
[0046] 第一階段（重置階段）中，掃描信號Scan為低電平信號，第一發(fā)光信號Emitl為 高電平信號，第二發(fā)光信號Emit2為高電平信號，數(shù)據(jù)信號Data為高電平信號；
[0047] 第二階段（閾值補償階段）中，掃描信號Scan包括低電平信號，第一發(fā)光信號 Emitl為高電平信號，第二發(fā)光信號Emit2為低電平信號，數(shù)據(jù)信號Data包括高電平信號；
[0048] 第三階段（發(fā)光階段）中，掃描信號Scan為高電平信號，第一發(fā)光信號Emitl為 低電平信號，第二發(fā)光信號Emit2為高電平信號。需要說明的是，此階段的數(shù)據(jù)信號Data 可以是商電平?目號也可以是低電平?目號。
[0049] 本實施例中具體的實現(xiàn)過程和工作原理與實施例一相似，只是由于第一晶體管 Τ1、第二晶體管Τ2、第三晶體管Τ3、第四晶體管Τ4以及第六晶體管Τ6的管子類型都從NM0S 管變?yōu)镻M0S管了，因此相應的驅(qū)動信號（掃描信號Scan以及第一發(fā)光信號Emitl)的電平 也跟著翻轉(zhuǎn)。由于不涉及其他信號及電路結(jié)構(gòu)的變動或影響，因此本實施例不再贅述三個 階段的具體工作模式細節(jié)，請參考實施例一理解。
[0050] 實施例二至實施例五中任一實施例提供的一種有機發(fā)光二極管（0LED)像素補償 電路，能夠抵消驅(qū)動晶體管（第五晶體管T5)的閾值電壓對生成的驅(qū)動電流的影響，對閾值 電壓進行了補償，從而使得所述驅(qū)動晶體管生成的驅(qū)動電流不發(fā)生偏離，使得所述有機發(fā) 光二極管面板顯示趨于正常。
[0051] 此外，以上所有實施例中第七晶體管T7都是以NM0S管為例進行說明的，但當?shù)诙?發(fā)光信號Emit2的電平翻轉(zhuǎn)時，第七晶體管T7也可以用PM0S管來代替。
[0052] 本發(fā)明還提供了一種顯示面板，包括上述任一實施例所述的有機發(fā)光二極管像素 補償電路。
[0053] 本發(fā)明還相應地提供了一種顯示裝置，包括上述任一實施例所述的有機發(fā)光二極 管像素補償電路，或者包括了上述顯示面板。
[0054] 所述顯示面板或者顯示裝置，因為包括了上述實施例提供的一種有機發(fā)光二極管 (0LED)像素補償電路，能夠抵消驅(qū)動晶體管（第五晶體管T5)的閾值電壓對生成的驅(qū)動電 流的影響，對閾值電壓進行了補償，從而使得所述驅(qū)動晶體管生成的驅(qū)動電流不發(fā)生偏離， 使得所述有機發(fā)光二極管面板顯示趨于正常。
[0055] 需要說明的是，以上實施例可以互相借鑒、綜合使用。本發(fā)明雖然已以較佳實施例 公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范 圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動和修改， 因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任 何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種有機發(fā)光二極管像素補償電路，用于驅(qū)動有機發(fā)光二極管進行發(fā)光，其中，所述 有機發(fā)光二極管像素補償電路包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第 五晶體管、第六晶體管、第七晶體管以及存儲電容； 所述第一晶體管的柵極耦接掃描信號，第一極耦接數(shù)據(jù)信號，第二極耦接所述第五晶 體管的柵極； 所述第二晶體管的柵極耦接所述掃描信號，第一極耦接電源電壓，第二極耦接所述存 儲電容的第二極； 所述第三晶體管的柵極耦接第一發(fā)光信號，第一極耦接所述電源電壓，第二極耦接所 述第五晶體管的第一極； 所述第四晶體管的柵極耦接所述掃描信號，第一極耦接所述第五晶體管的柵極，第二 極耦接所述第五晶體管的第一極； 所述第五晶體管的第二極耦接所述第七晶體管的第一極； 所述第六晶體管的柵極耦接所述第一發(fā)光信號，第一極耦接所述第五晶體管的柵極， 第二極耦接所述存儲電容的第二極； 所述第七晶體管的柵極耦接第二發(fā)光信號，第二極耦接所述有機發(fā)光二極管的第一 極； 所述存儲電容的第一極耦接所述第七晶體管的第一極； 其中，所述有機發(fā)光二極管的第二極耦接低電平信號，并且相應于所述第五晶體管生 成的驅(qū)動電流進行發(fā)光。
2. 如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述第一晶體管，用于在所述掃描信號的控 制下，將所述數(shù)據(jù)信號傳送至所述第五晶體管的柵極； 所述第二晶體管，用于在所述掃描信號的控制下，將所述電源電壓傳送至所述存儲電 容的第二極； 所述第三晶體管，用于在所述第一發(fā)光信號的控制下，將自身第一極接收到的所述電 源電壓傳送至自身的第二極； 所述第四晶體管，用于在所述掃描信號的控制下，將自身第一極接收到的所述數(shù)據(jù)信 號傳送至所述第五晶體管的第一極； 所述第五晶體管，用于生成驅(qū)動所述有機二極管發(fā)光的驅(qū)動電流； 所述第六晶體管，用于在所述第一發(fā)光信號的控制下，使自身的第一極和第二極導 通； 所述第七晶體管，用于使所述第五晶體管生成的驅(qū)動電流驅(qū)動所述有機發(fā)光二極管發(fā) 光； 所述存儲電容，用于存儲接收到的電壓，并將自身的第二極上的電壓的變化值耦合到 自身的第一極上，或者將自身的第一極上的電壓的變化值耦合到自身的第二極上。
3. 如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述第五晶體管和第七晶體管均為NMOS晶 體管。
4. 如權(quán)利要求3所述的電路，其特征在于，所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第 四晶體管為NMOS晶體管。
5. 如權(quán)利要求4所述的電路，其特征在于，所述第三晶體管和所述第六晶體管為NMOS 晶體管或者為PMOS晶體管。
6. 如權(quán)利要求3所述的電路，其特征在于，所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第 四晶體管為PM0S晶體管。
7. 如權(quán)利要求6所述的電路，其特征在于，所述第三晶體管和所述第六晶體管為NM0S 晶體管或者為PM0S晶體管。
8. 如權(quán)利要求5所述的電路，其特征在于，當所述第三晶體管和所述第六晶體管為 NM0S晶體管時，所述電路的驅(qū)動包括第一階段、第二階段、第三階段，其中： 第一階段中，所述掃描信號為高電平信號，所述第一發(fā)光信號為低電平信號，所述第二 發(fā)光信號為高電平信號，所述數(shù)據(jù)信號為高電平信號； 第二階段中，所述掃描信號包括高電平信號，所述第一發(fā)光信號為低電平信號，所述第 二發(fā)光信號為低電平信號，所述數(shù)據(jù)信號包括高電平信號； 第三階段中，所述掃描信號為低電平信號，所述第一發(fā)光信號為高電平信號，所述第二 發(fā)光信號為高電平信號。
9. 如權(quán)利要求5所述的電路，其特征在于，當所述第三晶體管和所述第六晶體管為 PM0S晶體管時，所述電路的驅(qū)動包括第一階段、第二階段、第三階段，其中： 第一階段中，所述掃描信號為高電平信號，所述第一發(fā)光信號為高電平信號，所述第二 發(fā)光信號為高電平信號，所述數(shù)據(jù)信號為高電平信號； 第二階段中，所述掃描信號包括高電平信號，所述第一發(fā)光信號為高電平信號，所述第 二發(fā)光信號為低電平信號，所述數(shù)據(jù)信號包括高電平信號； 第三階段中，所述掃描信號為低電平信號，所述第一發(fā)光信號為低電平信號，所述第二 發(fā)光信號為高電平信號。
10. 如權(quán)利要求7所述的電路，其特征在于，當所述第三晶體管和所述第六晶體管為 NM0S晶體管時，所述電路的驅(qū)動包括第一階段、第二階段、第三階段，其中： 第一階段中，所述掃描信號為低電平信號，所述第一發(fā)光信號為低電平信號，所述第二 發(fā)光信號為高電平信號，所述數(shù)據(jù)信號為高電平信號； 第二階段中，所述掃描信號包括低電平信號，所述第一發(fā)光信號為低電平信號，所述第 二發(fā)光信號為低電平信號，所述數(shù)據(jù)信號包括高電平信號； 第三階段中，所述掃描信號為高電平信號，所述第一發(fā)光信號為高電平信號，所述第二 發(fā)光信號為高電平信號。
11. 如權(quán)利要求7所述的電路，其特征在于，當所述第三晶體管和所述第六晶體管為 PM0S晶體管時，所述電路的驅(qū)動包括第一階段、第二階段、第三階段，其中： 第一階段中，所述掃描信號為低電平信號，所述第一發(fā)光信號為高電平信號，所述第二 發(fā)光信號為高電平信號，所述數(shù)據(jù)信號為高電平信號； 第二階段中，所述掃描信號包括低電平信號，所述第一發(fā)光信號為高電平信號，所述第 二發(fā)光信號為低電平信號，所述數(shù)據(jù)信號包括高電平信號； 第三階段中，所述掃描信號為高電平信號，所述第一發(fā)光信號為低電平信號，所述第二 發(fā)光信號為高電平信號。
12. 如權(quán)利要求8-11中任一所述的電路，其特征在于，所述第一階段為所述電路的重 置階段，用于初始化所述電路。
13. 如權(quán)利要求8-11中任一所述的電路，其特征在于，所述第二階段為所述電路中第 五晶體管的閾值補償階段，用于抓取所述第五晶體管的閾值電壓。
14. 如權(quán)利要求8-11中任一所述的電路，其特征在于，所述第三階段為所述電路的發(fā) 光階段，用于驅(qū)動所述有機發(fā)光二極管發(fā)光。
15. -種顯示面板，包括權(quán)利要求1-11中任一所述的有機發(fā)光二極管像素補償電路。
16. -種顯示裝置，包括權(quán)利要求1-11中任一所述的有機發(fā)光二極管像素補償電路。
【文檔編號】G09G3/32GK104091560SQ201410283835
【公開日】2014年10月8日 申請日期:2014年6月23日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月23日
【發(fā)明者】陳丹, 錢棟 申請人:上海天馬有機發(fā)光顯示技術(shù)有限公司, 天馬微電子股份有限公司