顯示設(shè)備的制作方法
【專利摘要】一種顯示設(shè)備，包括：像素單元，包含多個(gè)像素，該多個(gè)像素與多條控制線和多條電力線耦接以共同接收相同的控制信號(hào)和電源；多個(gè)入口焊盤，位于像素單元的外部，該多個(gè)入口焊盤被配置為向多條電力線提供電源；焊盤條，與多個(gè)入口焊盤電耦接；以及多個(gè)耦接圖案，與多條電力線的末端部分接觸并且與焊盤條的末端部分對(duì)應(yīng)，該多個(gè)耦接圖案將多條電力線與所述焊盤條電連接，并且焊盤條的末端部分與多條電力線的末端部分中的一個(gè)或多個(gè)與所述多個(gè)耦接圖案具有不同的接觸面積。
【專利說明】顯設(shè)備
[0001] 對(duì)相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002] 通過引用而將于2013年5月31日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的題目為"Display Device (顯示設(shè)備）"、韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2013-0062659號(hào)的內(nèi)容整體合并于此。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003] 實(shí)施例的一個(gè)方面涉及一種顯示設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0004] 在顯示設(shè)備當(dāng)中，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備使用通過電子與空穴的重組而發(fā)光的有機(jī)發(fā) 光二極管來顯示圖像。有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備具有較快的響應(yīng)速度并且以低功耗來驅(qū)動(dòng)。因此， 有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備已作為下一代顯示設(shè)備而成為關(guān)注焦點(diǎn)。
[0005] 通常，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括：像素單元，被配置為包括多個(gè)像素；驅(qū)動(dòng)電路，被 配置為向像素單元提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)；控制電路，被配置為向像素單元提供控制信號(hào)；以及電 源電路，被配置為向像素單元提供電力。當(dāng)掃描信號(hào)被提供給每個(gè)像素時(shí)，每個(gè)像素利用與 數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的亮度來發(fā)光，該數(shù)據(jù)信號(hào)是與掃描信號(hào)同步提供的。因此，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè) 備顯示預(yù)定圖像。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006] 根據(jù)實(shí)施例，提供一種顯示設(shè)備，包括：像素單元，包含多個(gè)像素，該多個(gè)像素與多 條控制線和多條電力線耦接以共同接收相同的控制信號(hào)和電源；多個(gè)入口焊盤（pad)，位 于像素單元的外部，該多個(gè)入口焊盤被配置為向多條電力線提供電源；焊盤條，與多個(gè)入口 焊盤電耦接；以及多個(gè)耦接圖案，與多條電力線的末端部分以及焊盤條的對(duì)應(yīng)末端部分接 觸，該多個(gè)耦接圖案將多條電力線與所述焊盤條電連接，并且焊盤條的末端部分與多條電 力線的末端部分中的一個(gè)或多個(gè)與所述多個(gè)耦接圖案具有不同的接觸面積。
[0007] 接觸面積可以在距入口焊盤最近的耦接圖案中被形成為最小。隨著耦接圖案靠近 入口焊盤時(shí),接觸面積可以變小。
[0008] 接觸面積可以在距入口焊盤最遠(yuǎn)的耦接圖案中被形成為最大。隨著耦接圖案遠(yuǎn)離 入口焊盤時(shí)，接觸面積可以變大。
[0009] 可以由具有比焊盤條和電力線的電阻更大的電阻的材料來形成耦接圖案。形成耦 接圖案的材料可以是摻雜型半導(dǎo)體。
[0010] 可以以步進(jìn)形狀來形成分別與耦接圖案接觸的焊盤條的末端部分和多條電力線 的末端部分中的一個(gè)或多個(gè)，在步進(jìn)形狀中，接觸面積從距入口焊盤最近的地帶起至距入 口焊盤最遠(yuǎn)的地帶逐漸增加。
[0011] 電源可以是被共同施加到多個(gè)像素的初始化電源。
[0012] 顯示設(shè)備可以包括：位于像素單元之外的多個(gè)入口焊盤，以分別向多條控制線施 加控制信號(hào)；被配置為允許入口焊盤通過其來耦接的焊盤條；以及多個(gè)耦接圖案，分別與 焊盤條的末端部分和多條控制線的末端部分接觸以允許入口焊盤和控制線通過其被電耦 接，其中，分別與耦接圖案接觸的焊盤條的末端部分和多條控制線的末端部分中的一個(gè)或 多個(gè)對(duì)于多個(gè)圖案中的每個(gè)具有不同的接觸面積。
[0013] 可以由具有比焊盤條和控制線的電阻更大的電阻的材料來形成耦接圖案。可以以 步進(jìn)形狀來形成分別與耦接圖案接觸的焊盤條的末端部分和多條控制線的末端部分中的 一個(gè)或多個(gè)，在步進(jìn)形狀中，接觸面積從距入口焊盤近的地帶起至距入口焊盤遠(yuǎn)的地帶逐 漸增加。
[0014] 像素可以包括：有機(jī)發(fā)光二極管，被配置為具有耦接到第二電源的陰極；第一晶 體管，耦接在數(shù)據(jù)線和第一節(jié)點(diǎn)之間，當(dāng)掃描信號(hào)被提供到掃描線時(shí)該第一晶體管導(dǎo)通；第 一電容器，耦接在第一節(jié)點(diǎn)和初始化電源之間；以及像素電路，被配置為與施加到第一節(jié)點(diǎn) 的電壓相對(duì)應(yīng)地控制經(jīng)由有機(jī)發(fā)光二極管從第一電源流到第二電源的電流的量。
[0015] 像素電路可以包括：第三晶體管，耦接在第一節(jié)點(diǎn)和第三節(jié)點(diǎn)之間，該第三晶體管 具有與第一晶體管的導(dǎo)通時(shí)段不重疊的導(dǎo)通時(shí)段；第二晶體管，被配置為與施加到第二節(jié) 點(diǎn)的電壓相對(duì)應(yīng)地控制從經(jīng)由第三節(jié)點(diǎn)耦接的第一電源流到經(jīng)由第四節(jié)點(diǎn)耦接的有機(jī)發(fā) 光二極管的電流的量；第四晶體管，耦接在第二節(jié)點(diǎn)和第四節(jié)點(diǎn)之間，該第四晶體管與第三 晶體管同時(shí)被導(dǎo)通或截止；以及存儲(chǔ)電容器，耦接在第二節(jié)點(diǎn)和第一電源之間。
[0016] 像素電路還可以包括：第五晶體管耦接在第二節(jié)點(diǎn)和初始化電源之間，該第五晶 體管具有與第一晶體管和第三晶體管的導(dǎo)通時(shí)段不重疊的導(dǎo)通時(shí)段；第六晶體管，耦接在 第三節(jié)點(diǎn)和第一電源之間，該第六晶體管與第五晶體管同時(shí)被導(dǎo)通或截止；第七晶體管，與 第六晶體管并聯(lián)耦接在第三節(jié)點(diǎn)和第一電源之間，該第七晶體管具有與第一晶體管的導(dǎo)通 時(shí)段重疊的導(dǎo)通時(shí)段；以及第八晶體管，耦接在第四節(jié)點(diǎn)和有機(jī)發(fā)光二極管之間，該第八晶 體管與第七晶體管同時(shí)被導(dǎo)通或截止。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0017] 通過參照附圖詳細(xì)描述示范性實(shí)施例，特征對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說將變得 顯而易見，其中：
[0018] 圖1圖示根據(jù)實(shí)施例的顯示設(shè)備的框圖；
[0019] 圖2圖示在圖1中示出的像素的結(jié)構(gòu)的電路圖；
[0020] 圖3圖示在圖2中示出的像素的驅(qū)動(dòng)方法的波形圖；
[0021] 圖4A和圖4B圖示用于向在圖1中示出的像素和電耦接到入口焊盤的多條電力線 共同施加初始化電源的入口焊盤的示意性平面圖；
[0022] 圖5圖示圖4A的特定地帶A和B的截面圖；以及
[0023] 圖6圖示在圖4A的特定地帶C中的電阻的曲線。
【具體實(shí)施方式】
[0024] 此后將參照附圖更全面地描述示例實(shí)施例；然而，可以以不同的形式來具體化示 例實(shí)施例，并且它們不應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為是局限于這里所闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例， 以使得本公開將是全面的和完備的并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員全面?zhèn)鬟_(dá)示范性實(shí)施例。
[0025] 在附圖中，為了圖示清晰，層和區(qū)域的尺度可能被放大。應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)一個(gè)元素被 稱為在兩個(gè)元素"之間"時(shí)，其可以是兩個(gè)元素之間的唯一元素，或者也可以存在一個(gè)或多 個(gè)中間元素。同樣，當(dāng)一個(gè)元素被稱為"耦接到"另一個(gè)元素時(shí)，其不僅可以被直接耦接到 另一個(gè)元素，而且可以經(jīng)由中間元素而被間接耦接到另一個(gè)元素。此外，為了簡(jiǎn)明起見省略 了全面理解實(shí)施例所不必要的一些元素。另外，通篇中類似的參考數(shù)字指代類似的元素。
[0026] 圖1圖示根據(jù)實(shí)施例的顯示設(shè)備的框圖。
[0027] 參照?qǐng)D1，根據(jù)實(shí)施例的顯示設(shè)備可以包括：像素單元140,被配置為包含位于由 掃描線S1至Sn和數(shù)據(jù)線D1至Dm限定的區(qū)域中的像素142 ;掃描驅(qū)動(dòng)器110,被配置為驅(qū) 動(dòng)掃描線S1至Sn ;控制驅(qū)動(dòng)器120,被配置為驅(qū)動(dòng)共同耦接到像素142的、作為發(fā)射控制線 的第一控制線al至an、第二控制線bl至bn和第三控制線cl至cn ;數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器130,被配 置為驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線D1至Dm ;以及定時(shí)控制器150,被配置為控制驅(qū)動(dòng)器110、120和130。
[0028] 在此情況下，第一控制信號(hào)CL1被共同施加到第一控制線al至an，并且第二控制 信號(hào)CL2被共同施加到第二控制線bl至bn。此外，第三控制信號(hào)CL3被共同施加到第三控 制線cl至cn。
[0029] 向像素142施加作為像素電源的第一電源ELVDD和第二電源ELVSS以及用于初始 化每個(gè)像素142中的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極的初始化電源Vint。在此情況下，初始化電源 Vint通過多條初始化電力線pi至pm被共同分別施加到像素142。第一電源ELVDD被設(shè)置 為高電平電壓，并且第二電源ELVSS被設(shè)置為低電平電壓。
[0030] 例如，第一電源ELVDD可以具有15V的正電壓電平，且第二電源ELVSS可以具 有-5V的負(fù)電壓電平或0V的地電壓電平。初始化電源Vint可以具有作為比數(shù)據(jù)信號(hào)的電 壓更低的電壓的0V的地電壓電平。
[0031] 在該實(shí)施例中，掃描驅(qū)動(dòng)器110在一幀的第三時(shí)段（圖3的T3)期間向掃描線S1 至Sn逐行提供掃描信號(hào)。如果向掃描線S1至Sn逐行提供掃描信號(hào)，則為每條水平線選擇 像素142。
[0032] 控制驅(qū)動(dòng)器120或掃描驅(qū)動(dòng)器110在一幀中除了第三時(shí)段T3之外的第一時(shí)段和 第二時(shí)段（圖3的T1和T2)期間向第三控制線cl至cn、即發(fā)射控制線提供發(fā)射控制信號(hào)。
[0033] 這里，掃描信號(hào)被設(shè)置為包括在像素142中的晶體管能夠被導(dǎo)通的電壓，并且作 為發(fā)射控制信號(hào)的第三控制信號(hào)CL3被設(shè)置為包括在像素142中的晶體管能夠被截止的電 壓。因而，在第一時(shí)段和第二時(shí)段期間，即當(dāng)發(fā)射控制信號(hào)被提供給第三控制線cl至cn時(shí)， 像素142被設(shè)置為處于非發(fā)射狀態(tài)。也就是說，在其中晶體管被實(shí)施為P型晶體管的實(shí)施 例中，掃描信號(hào)被設(shè)置為低電平電壓并且發(fā)射控制信號(hào)被設(shè)置為高電平電壓。
[0034] 數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器130與掃描信號(hào)同步地向數(shù)據(jù)線D1至Dm提供數(shù)據(jù)信號(hào)。然后，數(shù)據(jù) 信號(hào)被提供給由掃描信號(hào)所選擇的像素142。
[0035] 如上所述，控制驅(qū)動(dòng)器120在一幀中除了第三時(shí)段T3之外的第一時(shí)段T1和第二 時(shí)段T2期間向作為發(fā)射控制線的第三控制線cl至cn提供發(fā)射控制信號(hào)。此外，控制驅(qū) 動(dòng)器120在一幀的第一時(shí)段T1期間向第一控制線al至an提供第一控制信號(hào)CL1，并在一 幀的第二時(shí)段T2期間向第二控制線bl至bn提供第二控制信號(hào)CL2。這里，第一控制信號(hào) CL1和第二控制信號(hào)CL2被設(shè)置為包括在像素142中的晶體管能夠被導(dǎo)通的電壓。也就是 說，在其中晶體管被實(shí)施為P型晶體管的實(shí)施例中，第一控制信號(hào)CL1和第二控制信號(hào)CL2 被設(shè)置為低電平電壓。
[0036] 像素142位于掃描線S1至Sn與數(shù)據(jù)線D1至Dm的交叉部分。在一幀中的第一時(shí) 段T1期間像素142被初始化，并且在一幀中的第二時(shí)段T2期間其補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值 電壓。在第三時(shí)段T3期間，像素142在發(fā)光的同時(shí)利用與數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓被充電。
[0037] 這里，在第二時(shí)段T2期間，在像素單元140中包括的所有像素142同時(shí)補(bǔ)償驅(qū)動(dòng) 晶體管的閾值電壓。在其中像素142如上所述同時(shí)補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體的閾值電壓的情況下，能 夠充分確保第二時(shí)段T2,并且因此可以穩(wěn)定地補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓。也就是說，在其 中以120Hz或更高的速度來驅(qū)動(dòng)像素單元140的情況下，也能夠充分確保第二時(shí)段T2,從而 穩(wěn)定地補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓。
[0038] 此后，將參照?qǐng)D2和圖3來詳細(xì)描述在圖1中示出的像素142的實(shí)施例和像素142 的驅(qū)動(dòng)方法。
[0039] 圖2圖示像素142的電路圖。參照?qǐng)D2,根據(jù)該實(shí)施例的像素142可以包括第一晶 體管Ml、第一電容器C1、像素電路144和有機(jī)發(fā)光二極管0LED。
[0040] 有機(jī)發(fā)光二極管0LED的陽(yáng)極耦接到像素電路144,并且有機(jī)發(fā)光二極管0LED的陰 極耦接到第二電源ELVSS。有機(jī)發(fā)光二極管0LED利用與從像素電路144提供的電流的量對(duì) 應(yīng)的預(yù)定亮度來發(fā)光。
[0041] 第一晶體管Ml的第一極耦接到數(shù)據(jù)線Dm，并且第一晶體管Ml的第二極耦接到與 像素電路144耦接的第一節(jié)點(diǎn)N1。第一晶體管Ml的柵極電極耦接到掃描線Sn。當(dāng)掃描信 號(hào)被提供給掃描線Sn時(shí)，第一晶體管Ml導(dǎo)通。
[0042] 第一電容器C1耦接在第一節(jié)點(diǎn)和初始化電源Vint之間。利用與數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的 電壓對(duì)第一電容器C1充電。這里，初始化電源Vint通過多條初始化電力線pi至pm被共 同分別施加到像素142,并且可以被設(shè)置為比數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓更低的電壓（例如0V)。
[0043] 像素電路144充滿從第一電容器C1提供的電壓，即與數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓對(duì)應(yīng)的預(yù)定 電壓。像素電路144與所充電的電壓相對(duì)應(yīng)地來控制從第一電源ELVDD提供到有機(jī)發(fā)光二 極管0LED的電流的量。
[0044] 在該實(shí)施例中，像素142可以包括第二晶體管M2至第八晶體管M8以及存儲(chǔ)電容 器 Cst。
[0045] 作為驅(qū)動(dòng)晶體管的第二晶體管M2的第一極耦接到第三節(jié)點(diǎn)N3,并且第二晶體管 M2的第二極耦接到第四節(jié)點(diǎn)N4。第二晶體管M2的柵極電極耦接到第二節(jié)點(diǎn)N2。第二晶體 管M2與施加到第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓相對(duì)應(yīng)地控制提供給有機(jī)發(fā)光二極管0LED的電流的量。
[0046] 第三晶體管M3的第一極耦接到第一節(jié)點(diǎn)N1，并且第三晶體管M3的第二極耦接到 第三節(jié)點(diǎn)N3。第三晶體管M3的柵極電極耦接到第二控制線，使得第二控制信號(hào)CL2被施加 到第二控制線。當(dāng)?shù)诙刂菩盘?hào)CL2被提供給第二控制線時(shí)，第三晶體管M3導(dǎo)通，以允許 第一節(jié)點(diǎn)N1和第三節(jié)點(diǎn)N3彼此電耦接。
[0047] 第四晶體管M4的第一極耦接到第四節(jié)點(diǎn)N4,并且第四晶體管M4的第二極耦接到 第二節(jié)點(diǎn)N2。第四晶體管M4的柵極電極耦接到第二控制線，使得第二控制信號(hào)CL2被施加 到第二控制線。當(dāng)?shù)诙刂菩盘?hào)CL2被提供給第二控制線時(shí)，第四晶體管M4導(dǎo)通，以允許 第二節(jié)點(diǎn)N2和第四節(jié)點(diǎn)Μ彼此電耦接。如果第二節(jié)點(diǎn)N2和第四節(jié)點(diǎn)Μ彼此電耦接，則 第二晶體管M2處于二極管連接方式。
[0048] 第五晶體管Μ5的第一極耦接到第二節(jié)點(diǎn)Ν2,并且第五晶體管Μ5的第二極耦接到 初始化電源Vint。第五晶體管M5的柵極電極耦接到第一控制線，使得第一控制信號(hào)CL2被 施加到第一控制線。當(dāng)?shù)谝豢刂菩盘?hào)CL1被提供給第一控制線時(shí)，第五晶體管M5導(dǎo)通，以 向第二節(jié)點(diǎn)N2提供初始化電源Vint的電壓。
[0049] 第六晶體管M6的第一極耦接到第一電源ELVDD，并且第六晶體管M6的第二極耦接 到第三節(jié)點(diǎn)N3。第六晶體管M6的柵極電極耦接到第一控制線，使得第一控制信號(hào)CL1被施 加到第一控制線。當(dāng)?shù)谝豢刂菩盘?hào)CL1被提供給第一控制線時(shí)，第六晶體管M6導(dǎo)通，以將 第一電源ELVDD的電壓提供給第三節(jié)點(diǎn)N3。
[0050] 第七晶體管M7的第一極耦接到第一電源ELVDD，并且第七晶體管M7的第二極耦接 到第三節(jié)點(diǎn)N3。第七晶體管M7的柵極電極耦接到作為發(fā)射控制線的第三控制線，使得第三 控制信號(hào)CL3被施加到第三控制線。當(dāng)作為發(fā)射控制信號(hào)的第三控制信號(hào)CL3被提供給第 三控制線時(shí)第七晶體管M7截止，并且當(dāng)不提供發(fā)射控制信號(hào)時(shí)第七晶體管M7導(dǎo)通。
[0051] 第八晶體管M8的第一極耦接到第四節(jié)點(diǎn)N4,并且第八晶體管M8的第二極耦接到 有機(jī)發(fā)光二極管0LED的陽(yáng)極。第八晶體管M8的柵極電極耦接到第三控制線，使得第三控 制信號(hào)CL3被施加到第三控制線。當(dāng)發(fā)射控制信號(hào)CL3被提供給第三控制線時(shí)第八晶體管 M8截止，并且當(dāng)不提供發(fā)射控制信號(hào)CL3時(shí)第八晶體管M8導(dǎo)通。
[0052] 存儲(chǔ)電容器Cst耦接在第一電源ELVDD和第二節(jié)點(diǎn)N2之間。存儲(chǔ)電容器Cst與 在第一電容器C1和第二電容器C2中充電的電壓相對(duì)應(yīng)地充電與數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓和第 二晶體管M2的閾值電壓。
[0053] 圖3圖示像素142的驅(qū)動(dòng)方法的波形圖。參照?qǐng)D3,根據(jù)該實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法中的 一幀被劃分為第一時(shí)段T1、第二時(shí)段T2和第三時(shí)段T3。
[0054] 第一時(shí)段T1是初始化時(shí)段，其中初始化電源的電壓被提供給第二節(jié)點(diǎn)N2、即驅(qū)動(dòng) 晶體管M2的柵極電極。第二時(shí)段T2是補(bǔ)償時(shí)段，其中補(bǔ)償?shù)诙w管M2的閾值電壓。第 三時(shí)段T3是發(fā)射和數(shù)據(jù)寫入時(shí)段，其中在第一電容器C1和第二電容器C2中充電與數(shù)據(jù)信 號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓，并且同時(shí)，有機(jī)發(fā)光二極管0LED利用預(yù)定亮度發(fā)光。
[0055] 首先，發(fā)射控制信號(hào)CL3在第一時(shí)段T1和第二時(shí)段T2期間被提供給第三控制線， 并且在第三時(shí)段T3不提供。如果發(fā)射控制信號(hào)CL3在第一時(shí)段T1和第二時(shí)段T2期間被 提供給第三控制線，則第七晶體管M7和第八晶體管M8導(dǎo)通。然后，第二晶體管M2和有機(jī) 發(fā)光二極管0LED彼此去電耦接。并且因此有機(jī)發(fā)光二極管0LED在第一時(shí)段T1和第二時(shí) 段T2期間被設(shè)置為處于非發(fā)射狀態(tài)。
[0056] 在第一時(shí)段T1期間第一控制信號(hào)CL1被提供給第一控制線。如果第一控制信號(hào) CL1被提供給第一控制線，則第五晶體管M5和第六晶體管M6導(dǎo)通。如果第五晶體管M5導(dǎo) 通，則初始化電源Vint的電壓被提供給第二節(jié)點(diǎn)N2。如果第六晶體管M6導(dǎo)通，則第一電源 ELVDD的電壓被提供給第三節(jié)點(diǎn)N3。這里，初始化電源Vint被設(shè)置為比數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓更 低的電壓，并且因此第一晶體管Ml在第一時(shí)段T1期間被設(shè)置為處于導(dǎo)通偏置（on-bias) 狀態(tài)。
[0057] 在第二時(shí)段T2期間第二控制信號(hào)CL2被施加到第二控制線。如果第二控制信號(hào) CL2被施加到第二控制線，則第三晶體管M3和第四晶體管M4導(dǎo)通。
[0058] 如果第四晶體管M4導(dǎo)通，則第二晶體管M2被以二極管方式耦接。如果第三晶體 管M3導(dǎo)通，則存儲(chǔ)在第一電容器C1中的數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓被提供給第三節(jié)點(diǎn)N3。在此情況 下，施加到第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓被初始化為低于數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓的初始化電源Vint的電壓， 因此第二晶體管M2導(dǎo)通。如果第二晶體管M2導(dǎo)通，則施加到第三節(jié)點(diǎn)N3的電壓經(jīng)由以二 極管方式耦接的第二晶體管M2被提供給第二節(jié)點(diǎn)N2。在這樣的情況下，存儲(chǔ)電容器Cst存 儲(chǔ)與數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓和第二晶體管M2的閾值電壓。
[0059] 在第三時(shí)段T3期間停止將發(fā)射控制信號(hào)CL3提供到第三控制線。如果停止將發(fā) 射控制信號(hào)CL3提供到第三控制線，則第七晶體管M7和第八晶體管M8導(dǎo)通。如果第七晶 體管M7導(dǎo)通，則第一電源ELVDD和第三節(jié)點(diǎn)N3彼此電耦接。如果第八晶體管M8導(dǎo)通，則 第四節(jié)點(diǎn)N4被電耦接到有機(jī)發(fā)光二極管0LED。然后，第二晶體管M2與施加到第二節(jié)點(diǎn)N2 的電壓相對(duì)應(yīng)地來控制經(jīng)由有機(jī)發(fā)光二極管0LED從第一電源ELVDD流到第二電源ELVSS 的電流的量。在這種情況下，有機(jī)發(fā)光二極管0LED與施加到其的電流的量對(duì)應(yīng)地產(chǎn)生具有 預(yù)定亮度的光。
[0060] 同時(shí)，在第三時(shí)段T3期間掃描信號(hào)[S1]至[Sn]被逐行地提供給掃描線S1至Sn。 如果掃描信號(hào)被逐行提供給掃描線S1至Sn，則包括在位于每個(gè)水平線上的每個(gè)像素142中 的第一晶體管Ml導(dǎo)通。如果第一晶體管Ml導(dǎo)通，則來自數(shù)據(jù)線（數(shù)據(jù)線D1至Dm中的任 何一個(gè)）的數(shù)據(jù)信號(hào)[Dm]被提供給包括在每個(gè)像素142中的第一節(jié)點(diǎn)N1。在此情況下，第 一電容器C1充電與數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓。實(shí)際上，在實(shí)施例中，通過重復(fù)上述過程而顯示 預(yù)定圖像。
[0061] 同時(shí)，雖然為了便于說明參照P型晶體管來描述實(shí)施例，但是實(shí)施例不限于此。換 句話說，晶體管可以被形成為N型晶體管。
[0062] 在實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光二極管0LED可以產(chǎn)生與從驅(qū)動(dòng)晶體管M2提供的電流的量 對(duì)應(yīng)的紅、綠和藍(lán)光。然而，實(shí)施例不限于此。例如，有機(jī)發(fā)光二極管0LED可以產(chǎn)生與從驅(qū) 動(dòng)晶體管提供的電流的量對(duì)應(yīng)的白光。在這種情況下，使用分離濾色器等來實(shí)現(xiàn)彩色圖像。
[0063] 在根據(jù)參照?qǐng)D1至圖3描述的該實(shí)施例的顯示設(shè)備中，第一控制線al至an、第二 控制線bl至bn、第三控制線cl至cn以及具有施加到其的初始化電源Vint的初始化電力 線pi至pm被共同耦接到像素142。因此，同樣的第一控制信號(hào)CL1至第三控制信號(hào)CL3以 及同樣的初始化電源被共同施加到每個(gè)像素142。也就是說，為了通過像素顯示具有均勻 圖像質(zhì)量的圖像，有必要向每個(gè)像素提供具有相同電壓的第一至第三控制信號(hào)和初始化電 源。
[0064] 然而，可能發(fā)生壓降（IR壓降），其中施加到每個(gè)像素的第一至第三控制信號(hào)以 及初始化電源的電壓由于各個(gè)電壓輸入的入口焊盤之間的長(zhǎng)度差異以及第一控制線al至 an、第二控制線bl至bn、第三控制線cl至cn和初始化電力線pi至pm之間的長(zhǎng)度差異而 變得彼此不同。在壓降中，當(dāng)像素單元的面積變大時(shí)，線的長(zhǎng)度增加，并且因此像素之間的 亮度變化可能增加。
[0065] 具體而言，在該實(shí)施例中，如圖2中所示，初始化電源Vint被施加到在每個(gè)像素中 提供的第一電容器C1的一端。在這種情況下，針對(duì)每一巾貞，第一電容器C1充電與施加到每 個(gè)像素的數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓。這里，如果初始化電源Vint沒有被穩(wěn)定地施加到所有像 素，則可能由于每個(gè)像素的亮度變化而發(fā)生Mura(不均）類型的缺陷。
[0066] 因此，在該實(shí)施例中，在初始化電源和/或控制信號(hào)中，電耦接至向其施加初始化 電源和/或控制信號(hào)的每個(gè)入口焊盤的多個(gè)初始化電力線和/或控制線之間的電阻差異被 最小化。因此，可以減少亮度的不均勻性。
[0067] 此后，將參照?qǐng)D4A至圖6來詳細(xì)描述通過其能夠克服亮度變化的問題的、根據(jù)一 個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)。為了便于說明，將在圖4至圖6中示出的實(shí)施例中描述被共同耦接到像 素142的初始化電力線pi至pm以及用于向初始化電力線提供初始化電源Vint的入口焊 盤的結(jié)構(gòu)和耦接關(guān)系。也就是說，第一至第三控制線以及用于分別向第一至第三控制線提 供控制信號(hào)的入口焊盤的耦接結(jié)構(gòu)可以與在圖4至圖6中示出的結(jié)構(gòu)基本相同。
[0068] 圖4A和圖4B圖示示意性地示出用于共同向像素142施加初始化電源Vint的入 口焊盤以及電耦接到入口焊盤的多條電力線pl至pm的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖5圖示圖4A的 特定地帶A和B的截面圖。圖6圖示示出圖4A的特定地帶C中的電阻的曲線。
[0069] 首先，參照?qǐng)D4A，根據(jù)實(shí)施例的顯示設(shè)備可以進(jìn)一步包括在像素單元140 (圖1)的 外部區(qū)域中的多個(gè)入口焊盤410和焊盤條420。初始化電源Vint被施加到多個(gè)入口焊盤 410,并且焊盤條420沿公共耦接至入口焊盤410的第一方向延伸。
[0070] 如圖4A中所示，入口焊盤410和焊盤條420可以被集成地形成。例如，可以由低 電阻金屬材料來形成入口焊盤410和焊盤條420。
[0071] 多條初始化電力線440、即初始化電力線pl至pm的位置與焊盤條420間隔開，例 如，初始化電力線440可以沿與第一方向垂直的第二方向與焊盤條420間隔開。多條初始 化電力線440沿朝向像素單元140的第二方向延伸，以向像素142提供初始電源。
[0072] 初始化電力線440被布置為向所有像素142共同提供相同的初始化電源。根據(jù)在 圖1中示出的實(shí)施例，可以與各個(gè)數(shù)據(jù)線D1至Dm并行地布置初始化電力線pl至pm。例 如，焊盤條420可以不斷延伸以沿著所有電力線400延伸。
[0073] 此外，形成分別與初始化電力線440接觸的島嶼形狀的耦接圖案430,以將初始化 電力線440電耦接到焊盤條420。也就是說，耦接圖案430被形成為分別與初始化電力線 440的末端部分和焊盤條420的末端部分接觸，使得初始化電力線440與焊盤條420通過耦 接圖案430而彼此電耦接。
[0074] 在這種情況下，耦接圖案430由具有比焊盤條420和初始化電力線440的電阻更 高的電阻的材料形成，焊盤條420是由低電阻金屬材料形成的。例如，耦接圖案430可以由 高濃度摻雜的半導(dǎo)體形成。
[0075] 通過圖4A示出的配置，施加到入口焊盤410的初始化電源Vint通過焊盤條420 和耦接圖案430被施加到初始化電力線440。
[0076] 當(dāng)將距入口焊盤410最近的地帶A與距入口焊盤410最遠(yuǎn)的地帶B、即兩個(gè)相鄰入 口焊盤410之間的中央部分進(jìn)行比較時(shí)，可能由于通過其施加初始化電源Vint的電流路徑 之間的長(zhǎng)度差異而存在電阻差異。也就是說，距入口焊盤410最近的地帶A中的電阻小于 距入口焊盤410最遠(yuǎn)的地帶B中的電阻。
[0077] 為了最小化在電耦接至入口焊盤410的多條初始化電力線440中的電阻差異，在 距入口焊盤410最近的地帶A中增加電阻并且在距入口焊盤410遠(yuǎn)的地帶B中減少電阻。 也就是說，為了最小化電阻差異，如圖4A中所示來控制與耦接圖案430接觸的初始化電力 線440和焊盤條420的末端部分的形狀、例如長(zhǎng)度。
[0078] 具體而言，參照?qǐng)D4A，耦接圖案430被形成為使得在地帶A、即其電阻最小的地帶 中初始化電力線440a以及與耦接圖案430重疊的焊盤條420的末端部分的面積被最小化。 此外，耦接圖案430被形成為使得在地帶B、即其電阻最大的地帶中初始化電力線440b以及 與耦接圖案430重疊的焊盤條420的末端部分的面積被最大化。也就是說，與每個(gè)耦接圖 案430接觸的初始化電力線440和焊盤條420的末端部分的接觸面積在地帶A中被形成為 最小并且在地帶B中被形成為最大。
[0079] 例如，可以以步進(jìn)形狀來形成與耦接圖案430重疊的初始化電力線440中的每一 個(gè)的末端部分，并且可以以步進(jìn)形狀、例如步進(jìn)圖案來形成與耦接圖案430重疊的焊盤條 420的邊緣420a的部分。例如，可以通過耦接圖案430與對(duì)應(yīng)初始化電力線440以及焊盤 條420之間的重疊面積來限定初始化電力線440的末端部分和焊盤條420的邊緣420a的 部分的步進(jìn)形狀，并且該步進(jìn)形狀可以被調(diào)整為在距相應(yīng)入口焊盤410最遠(yuǎn)的地帶而不是 距相應(yīng)入口焊盤410最近的地帶中具有更大的步進(jìn)形狀，例如步進(jìn)更大面積的圖案。例如， 初始化電力線440的重疊的末端部分以及焊盤條420的邊緣420a的部分的面積從距入口 焊盤410最近的地帶A至距入口焊盤410最遠(yuǎn)的地帶B逐漸增加，如圖4A所示。例如，當(dāng) 從耦接圖案430至對(duì)應(yīng)的最近入口焊盤410的距離增加時(shí)，每個(gè)耦接圖案430與對(duì)應(yīng)初始 化電力線440以及焊盤條420之間的接觸面積增加，因此耦接圖案430與對(duì)應(yīng)初始化電力 線440以及焊盤條420之間的接觸面積在與對(duì)應(yīng)的最近入口焊盤410直接相鄰、例如與其 對(duì)齊的耦接圖案430處最小，并且在距對(duì)應(yīng)的最近入口焊盤410最遠(yuǎn)、例如兩個(gè)相鄰入口焊 盤410之間的中央部分的耦接圖案430處最大。
[0080] 也就是說，參考圖5的截面圖，在位于地帶A中的耦接圖案430中，不與初始化電 力線440a和焊盤條420重疊的地帶的長(zhǎng)度Da比在地帶B中不與初始化電力線440b和焊 盤條420重疊的地帶的長(zhǎng)度Db更長(zhǎng)。因而，在地帶A中耦接圖案430的重疊地帶比地帶B 中的更小，即焊盤條420的邊緣與對(duì)應(yīng)初始化電力線440a/440b的相對(duì)邊緣之間的非重疊 長(zhǎng)度Da大于非重疊長(zhǎng)度Db，所以位于地帶A中的耦接圖案430的電阻大于地帶B中的電 阻。這是因?yàn)轳罱訄D案430的材料的電阻大于初始化電力線440a以及焊盤條420的電阻 并且其長(zhǎng)度在地帶A中更大。
[0081] 圖6圖示示出在圖4A的特定地帶C中的電阻的曲線。地帶C反映出耦接到圖4A 中的焊盤條420以及多條初始化電力線440的耦接圖案430的電阻，多條初始化電力線440 分別耦接到耦接圖案430。
[0082] 參照?qǐng)D6,在距入口焊盤410最近的地帶A中的耦接圖案430的電阻（大約800Ω) 最大，并且在距入口焊盤410最遠(yuǎn)的地帶B中的耦接圖案430的電阻（大約10Ω)最小。因 此，根據(jù)本實(shí)施例，依據(jù)因通過焊盤條420的電流路徑的不同長(zhǎng)度而導(dǎo)致的不同電阻來改 變耦接圖案430的電阻可以控制初始化電力線440的電阻，從而最小化電耦接至各個(gè)入口 焊盤410的多條初始化電力線440之間的電阻差異，并且由此降低亮度的非均勻性。
[0083] 根據(jù)另一實(shí)施例，初始化電力線440和焊盤條420中僅一個(gè)的末端部分可以是步 進(jìn)形狀的，以控制電阻，如將參照?qǐng)D4B詳細(xì)描述的。除了焊盤條420'的結(jié)構(gòu)與焊盤條420 的結(jié)構(gòu)不同之外，圖4B的實(shí)施例的配置和操作與圖4A的實(shí)施例的那些基本相同。因此，通 過類似的參考數(shù)字來指示與圖4A的實(shí)施例相同的組件，并且將省略對(duì)它們的詳細(xì)描述。
[0084] 參照?qǐng)D4B，與圖4A的實(shí)施例不同，不以步進(jìn)形狀來形成而是以直線形狀來形成與 多個(gè)耦接圖案430重疊的焊盤條420'的末端部分420a'。在這種情況下，與焊盤條420'的 末端部分420a'重疊的耦接圖案430的面積彼此相等。
[0085] 然而，與圖4A的實(shí)施例類似的，以步進(jìn)形狀來形成分別耦接至多個(gè)耦接圖案430 的初始化電力線440的末端部分，其中重疊的末端部分的面積從距入口焊盤410最近的地 帶A至距入口焊盤410最遠(yuǎn)的地帶B逐漸增加。因而，根據(jù)圖4B的實(shí)施例，距入口焊盤410 最近的地帶A的電阻最大，并且距入口焊盤410最遠(yuǎn)的地帶B的電阻最小。
[0086] 雖然這些圖中未示出，但是作為另一個(gè)實(shí)施例，分別與多個(gè)耦接圖案430重疊的 初始化電力線440的末端部分可以具有相同的長(zhǎng)度，但是可以以步進(jìn)形狀來形成與耦接圖 案430重疊的焊盤條420的末端部分。在這種情況下，距入口焊盤410最近的地帶A的電 阻最大，并且距入口焊盤410最遠(yuǎn)的地帶B的電阻最小。
[0087] 通過歸納和回顧的方式，在有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中，可以通過施加到像素的控制信 號(hào)和/或電源的電壓電平來影響每個(gè)像素的發(fā)光亮度。也就是說，控制信號(hào)和/或電源變 為確定像素的發(fā)光亮度的除了數(shù)據(jù)信號(hào)之外的首要因素。因此，為了顯示具有均勻圖像質(zhì) 量的圖像，具有相同電壓的控制信號(hào)和/或電源有必要被提供給每個(gè)像素。
[0088] 然而，可能發(fā)生壓降（IR壓降），其中施加到各個(gè)像素的電壓由于耦接到各個(gè)像素 的線之間的長(zhǎng)度差異而變得彼此不同。例如，當(dāng)顯示設(shè)備的顯示面板變得更大時(shí)，線的長(zhǎng)度 被加長(zhǎng)，并且因此像素之間的亮度變化可能根據(jù)像素距接收控制信號(hào)和/或電源的焊盤的 距離而增加。
[0089] 因此，根據(jù)示范性實(shí)施例的顯示設(shè)備，在共同施加到像素的電源和/或控制信號(hào) 中，電耦接到向其施加電源和/或控制信號(hào)的每個(gè)入口焊盤的多條電力線和/或控制線之 間的電阻差異被最小化，從而降低了顯示面板的局部亮度不均勻性。
[0090] 這里已經(jīng)公開了示例實(shí)施例，并且雖然采用了特定術(shù)語，但是它們被用于并且應(yīng) 被解釋為僅僅是一般性的和描述性的意義，而并非用于限制的目的。在一些例子中，如對(duì) 于本申請(qǐng)要提交的領(lǐng)域中的一名普通技術(shù)人員來說明顯的是，結(jié)合特定實(shí)施例所描述的特 性、特征和/或元素可以單獨(dú)使用，或者可以與結(jié)合其他實(shí)施例所描述的特性、特征和/或 元素結(jié)合使用，除非明確指出并非如此。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，可以在不脫離本 發(fā)明的精神和范圍的情況下做出形式上和細(xì)節(jié)上的各種改變，在下面的權(quán)利要求中闡述本 方面的范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種顯示設(shè)備，包括： 像素單元，包含多個(gè)像素，該多個(gè)像素與多條控制線和多條電力線耦接以共同接收相 同的控制信號(hào)和電源； 至少一個(gè)入口焊盤，位于像素單元的外部，該至少一個(gè)入口焊盤被配置為向多條電力 線提供電源； 焊盤條，與至少一個(gè)入口焊盤電耦接；以及 多個(gè)耦接圖案，與多條電力線的末端部分以及焊盤條的對(duì)應(yīng)末端部分接觸，該多個(gè)耦 接圖案與多條電力線和所述焊盤條電連接，并且焊盤條的末端部分與多條電力線的末端部 分中的一個(gè)或多個(gè)與所述多個(gè)耦接圖案具有不同的接觸面積。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，接觸面積在距至少一個(gè)入口焊盤中的每個(gè) 入口焊盤最近的耦接圖案中最小。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，當(dāng)耦接圖案與對(duì)應(yīng)入口焊盤之間的距離減 小時(shí)，接觸面積減小。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，接觸面積在距至少一個(gè)入口焊盤中的每個(gè) 入口焊盤最遠(yuǎn)的耦接圖案中最大。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，當(dāng)耦接圖案與對(duì)應(yīng)入口焊盤之間的距離增 加時(shí)，接觸面積增加。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，多個(gè)耦接圖案包括具有比焊盤條和多條電 力線的電阻更大的電阻的材料。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示設(shè)備，其中，多個(gè)耦接圖案包括摻雜型半導(dǎo)體。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，焊盤條的末端部分和多條電力線的末端部 分中的一個(gè)或多個(gè)具有步進(jìn)形狀，并且在步進(jìn)形狀中，接觸面積從距至少一個(gè)入口焊盤中 的一個(gè)入口焊盤近的地帶起至距至少一個(gè)入口焊盤中的該入口焊盤遠(yuǎn)的地帶逐漸增加。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，電源是被配置為共同施加到多個(gè)像素的初 始化電源。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，還包括： 位于像素單元之外的多個(gè)第二入口焊盤，多個(gè)第二入口焊盤被配置為向多條控制線施 加控制信號(hào)； 第二焊盤條，電耦接至多個(gè)第二入口焊盤；以及 多個(gè)第二耦接圖案，與多條控制線的末端部分和第二焊盤條的對(duì)應(yīng)末端部分接觸，多 個(gè)第二耦接圖案將多個(gè)控制線和第二焊盤條電連接，并且第二焊盤條的末端部分和多條控 制線的末端部分中的一個(gè)或多個(gè)與多個(gè)第二耦接圖案具有不同的接觸面積。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示設(shè)備，其中，第二耦接圖案包括具有比第二焊盤條和 控制線的電阻更大的電阻的材料。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示設(shè)備，其中，第二焊盤條的末端部分和多條控制線的 末端部分中的一個(gè)或多個(gè)具有步進(jìn)形狀，并且在步進(jìn)形狀中，接觸面積從距多個(gè)第二入口 焊盤中的一個(gè)入口焊盤近的地帶起至距多個(gè)第二入口焊盤中的該入口焊盤遠(yuǎn)的地帶逐漸 增加。
13. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示設(shè)備，其中，每個(gè)像素包括： 有機(jī)發(fā)光二極管，具有耦接到第二電源的陰極； 第一晶體管，耦接在數(shù)據(jù)線和第一節(jié)點(diǎn)之間，當(dāng)掃描信號(hào)被提供到掃描線時(shí)該第一晶 體管導(dǎo)通； 第一電容器，耦接在第一節(jié)點(diǎn)和初始化電源之間；以及 像素電路，被配置為依據(jù)施加到第一節(jié)點(diǎn)的電壓來控制經(jīng)由有機(jī)發(fā)光二極管從第一電 源流到第二電源的電流的量。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示設(shè)備，其中，像素電路還包括： 第三晶體管，耦接在第一節(jié)點(diǎn)和第三節(jié)點(diǎn)之間，該第三晶體管具有與第一晶體管的導(dǎo) 通時(shí)段不重疊的導(dǎo)通時(shí)段； 第二晶體管，被配置為依據(jù)施加到第二節(jié)點(diǎn)的電壓來控制從經(jīng)由第三節(jié)點(diǎn)耦接的第一 電源流到經(jīng)由第四節(jié)點(diǎn)耦接的有機(jī)發(fā)光二極管的電流的量； 第四晶體管，耦接在第二節(jié)點(diǎn)和第四節(jié)點(diǎn)之間，該第四晶體管與第三晶體管同時(shí)被導(dǎo) 通或截止；以及 存儲(chǔ)電容器，耦接在第二節(jié)點(diǎn)和第一電源之間。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示設(shè)備，其中，像素電路還包括： 第五晶體管，耦接在第二節(jié)點(diǎn)和初始化電源之間，該第五晶體管具有與第一晶體管和 第三晶體管的導(dǎo)通時(shí)段不重疊的導(dǎo)通時(shí)段； 第六晶體管，耦接在第三節(jié)點(diǎn)和第一電源之間，該第六晶體管與第五晶體管同時(shí)被導(dǎo) 通或截止； 第七晶體管，與第六晶體管并聯(lián)耦接在第三節(jié)點(diǎn)和第一電源之間，該第七晶體管具有 與第一晶體管的導(dǎo)通時(shí)段重疊的導(dǎo)通時(shí)段；以及 第八晶體管，耦接在第四節(jié)點(diǎn)和有機(jī)發(fā)光二極管之間，該第八晶體管與第七晶體管同 時(shí)被導(dǎo)通或截止。
【文檔編號(hào)】G09F9/33GK104217656SQ201410241850
【公開日】2014年12月17日 申請(qǐng)日期:2014年6月3日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月31日
【發(fā)明者】樸慶泰, 金東奎, 文盛載 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司