像素驅(qū)動(dòng)電路、驅(qū)動(dòng)方法、陣列基板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，公開了一種像素驅(qū)動(dòng)電路，包括：數(shù)據(jù)線、第一掃描線、第二掃描線、使能控制線、電源線、發(fā)光器件、驅(qū)動(dòng)晶體管、存儲(chǔ)電容、復(fù)位單元、數(shù)據(jù)寫入單元及發(fā)光控制單元。還公開了一種像素驅(qū)動(dòng)方法、陣列基板及顯示裝置。本發(fā)明的像素驅(qū)動(dòng)電路采用補(bǔ)償方式解決了像素點(diǎn)驅(qū)動(dòng)晶體管由于工藝制程及長時(shí)間的操作造成閾值電壓不均一的問題，使得流過每個(gè)像素點(diǎn)發(fā)光器件的電流不受閾值電壓的影響，最終保證了圖像顯示的均勻性。
【專利說明】像素驅(qū)動(dòng)電路、驅(qū)動(dòng)方法、陣列基板及顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種像素驅(qū)動(dòng)電路、驅(qū)動(dòng)方法、陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光顯示器(AMOLED)是當(dāng)今平板顯示器研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)之一，與液晶顯示器相比，OLED具有低能耗、生產(chǎn)成本低、自發(fā)光、寬視角及響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)。目前，在手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)等顯示領(lǐng)域OLED已經(jīng)開始取代傳統(tǒng)的IXD顯示屏。像素驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)是AMOLED顯示器核心技術(shù)內(nèi)容，具有重要的研究意義。
[0003]與薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-1XD)利用穩(wěn)定的電壓控制亮度不同，OLED屬于電流驅(qū)動(dòng)，需要穩(wěn)定的電流來控制發(fā)光。圖1為傳統(tǒng)的2T1C的像素驅(qū)動(dòng)電路，該電路只有I個(gè)驅(qū)動(dòng)TFT，一個(gè)開關(guān)TFT和一個(gè)存儲(chǔ)電容Cs組成，當(dāng)掃描線選擇某一行時(shí)，Vscan為低，Tl導(dǎo)通，數(shù)據(jù)電壓Vdata寫入存儲(chǔ)電容Cs，當(dāng)該行掃描結(jié)束后，Vs_變高，Tl關(guān)斷，存儲(chǔ)在Cs上的柵極電壓驅(qū)動(dòng)T2管，使其產(chǎn)生電流來驅(qū)動(dòng)OLED，保證OLED在一幀內(nèi)持續(xù)發(fā)光，TFT飽和電流公式為1_ = K(Vgs - Vth)20由于工藝制程和器件老化等原因，各像素點(diǎn)的驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓(Vth)會(huì)漂移，這樣就導(dǎo)致了流過每個(gè)像素點(diǎn)OLED的電流因Vth的變化而變化，從而影響整個(gè)圖像的顯示效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004](一 )要解決的技術(shù)問題
[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是:如何使流過每個(gè)像素的OLED的電流保持一致。
[0006]( 二 )技術(shù)方案
[0007]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種像素驅(qū)動(dòng)電路，包括:數(shù)據(jù)線、第一掃描線、第二掃描線、使能控制線、電源線、發(fā)光器件、驅(qū)動(dòng)晶體管、存儲(chǔ)電容、復(fù)位單元、數(shù)據(jù)寫入單元及發(fā)光控制單元；
[0008]所述復(fù)位單元連接所述使能控制線和存儲(chǔ)電容的第一端，用于在所述使能控制線的控制下復(fù)位所述存儲(chǔ)電容第一端的電壓為低電壓；
[0009]數(shù)據(jù)寫入單元連接所述存儲(chǔ)電容的第二端、第一掃描線和驅(qū)動(dòng)晶體管，用于在第一掃描線的控制下將包括所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓和數(shù)據(jù)線電壓的信息寫入所述存儲(chǔ)電容的第二端；
[0010]所述發(fā)光控制單元連接第二掃描線、數(shù)據(jù)線、電源線、存儲(chǔ)電容的第一端、驅(qū)動(dòng)晶體管和發(fā)光器件，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接所述存儲(chǔ)電容的第二端，源極和漏極連接所述發(fā)光控制單元，所述發(fā)光控制單元用于在第二掃描線的控制下使存儲(chǔ)電容的第一端為數(shù)據(jù)線電壓，且使存儲(chǔ)電容兩端保持壓差，并使驅(qū)動(dòng)晶體管連接電源線，以驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件發(fā)光。
[0011]其中，所述復(fù)位單元包括第一晶體管，所述第一晶體管的柵極連接所述使能控制線，源極連接所述存儲(chǔ)電容的第一端，漏極接地；所述第一晶體管用于在所述使能控制線的控制下使所述存儲(chǔ)電容的第一端接地，以設(shè)置所述存儲(chǔ)電容的第一端為低電壓。
[0012]其中，所述數(shù)據(jù)寫入單元包括:第二晶體管和第三晶體管，所述第二晶體管的柵極連接第一掃描線，源極連接數(shù)據(jù)線，漏極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極；所述第三晶體管的柵極連接所述第一掃描線，源極連接驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極，漏極連接所述存儲(chǔ)電容的第二端；所述第二晶體管和第三晶體管用于在所述第一掃描線的控制下形成通路，以將包括所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓和數(shù)據(jù)線電壓的信息寫入所述存儲(chǔ)電容的第二端。
[0013]其中，所述發(fā)光控制單元包括:第四晶體管、第五晶體管和第六晶體管；所述第四晶體管的柵極連接所述第二掃描線，源極連接電源線，漏極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極；所述第五晶體管的柵極連接所述第二掃描線，源極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極，漏極連接所述發(fā)光器件；所述第六晶體管的柵極連接所述第二掃描線，源極連接所述數(shù)據(jù)線，漏極連接所述存儲(chǔ)電容的第一端；所述第六晶體管用于在所述第二掃描線的控制下寫入數(shù)據(jù)線電壓至存儲(chǔ)電容的第一端，且使所述存儲(chǔ)電容兩端保持壓差，所述第四晶體管和第五晶體管用于在所述第二掃描線的控制下形成通路，使所述驅(qū)動(dòng)晶體管連接電源線，以驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件發(fā)光。
[0014]其中，所述發(fā)光器件為有機(jī)發(fā)光二極管，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽極連接所述發(fā)光控制單元，陰極接地。
[0015]本發(fā)明還提供了一種上述任一項(xiàng)所述的像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法，包括以下過程:
[0016]對(duì)使能控制線施加使能信號(hào)，以使所述復(fù)位單元將所述存儲(chǔ)電容的第一端復(fù)位至低電壓；
[0017]對(duì)第一掃描線施加第一掃描有效信號(hào)，以使所述數(shù)據(jù)寫入單元將包括所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓和數(shù)據(jù)線電壓的信息寫入所述存儲(chǔ)電容的第二端；
[0018]對(duì)第二掃描線施加第二掃描有效信號(hào)，以使所述發(fā)光控制單元將數(shù)據(jù)線電壓寫入存儲(chǔ)電容的第一端，且使存儲(chǔ)電容兩端保持壓差，并使驅(qū)動(dòng)晶體管連接電源線，以驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件發(fā)光。
[0019]其中，所述數(shù)據(jù)寫入單元包括:第二晶體管和第三晶體管，所述第二晶體管的柵極連接第一掃描線，源極連接數(shù)據(jù)線，漏極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極；所述第三晶體管的柵極連接所述第一掃描線，源極連接驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極，漏極連接所述存儲(chǔ)電容的第二端；
[0020]所述對(duì)第一掃描線施加第一掃描有效信號(hào)，以使所述數(shù)據(jù)寫入單元將包括所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓和數(shù)據(jù)線電壓的信息寫入所述存儲(chǔ)電容的第二端的步驟具體包括:
[0021]對(duì)第一掃描線施加第一掃描有效信號(hào)，使第二晶體管和第三晶體管打開，形成通路，以將包括所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓和數(shù)據(jù)線電壓的信息寫入所述存儲(chǔ)電容的第二端。
[0022]其中，所述發(fā)光控制單元包括:第四晶體管、第五晶體管和第六晶體管；所述第四晶體管的柵極連接所述第二掃描線，源極連接電源線，漏極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極；所述第五晶體管的柵極連接所述第二掃描線，源極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極，漏極連接所述發(fā)光器件；所述第六晶體管的柵極連接所述第二掃描線，源極連接所述數(shù)據(jù)線，漏極連接所述存儲(chǔ)電容的第一端；[0023]所述對(duì)第二掃描線施加第二掃描有效信號(hào)，以使所述發(fā)光控制單元將數(shù)據(jù)線電壓寫入存儲(chǔ)電容的第一端，且使存儲(chǔ)電容保持兩端壓差，并使驅(qū)動(dòng)晶體管連接電源線，以驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件發(fā)光的具體步驟包括:
[0024]對(duì)第二掃描線施加第二掃描有效信號(hào)，所述第六晶體管打開，寫入數(shù)據(jù)線電壓至存儲(chǔ)電容的第一端，且使所述存儲(chǔ)電容兩端保持壓差，且第四晶體管和第五晶體管打開，形成通路，使所述驅(qū)動(dòng)晶體管連接電源線，以驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件發(fā)光。
[0025]本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括上述任一項(xiàng)所述的像素驅(qū)動(dòng)電路。
[0026]本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0027](三)有益效果
[0028]本發(fā)明的像素驅(qū)動(dòng)電路及其驅(qū)動(dòng)方法中，數(shù)據(jù)寫入單元將驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓和數(shù)據(jù)線電壓的信息寫入存儲(chǔ)電容，發(fā)光控制單元在控制發(fā)光時(shí)，寫入存儲(chǔ)電容的驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓信息對(duì)發(fā)光時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償，解決了像素點(diǎn)驅(qū)動(dòng)晶體管由于工藝制程及長時(shí)間的操作造成閾值電壓不均一的問題，使得流過每個(gè)像素點(diǎn)發(fā)光器件的電流不受閾值電壓的影響，最終保證了圖像顯示的均勻性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]圖1是傳統(tǒng)的2T1C像素驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖2是本發(fā)明實(shí)施例的一種像素驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖3是圖2中像素驅(qū)動(dòng)電路在復(fù)位階段的工作示意圖；
[0032]圖4是圖2中像素驅(qū)動(dòng)電路在復(fù)位階段的時(shí)序圖，對(duì)應(yīng)時(shí)序階段I ;
[0033]圖5是圖2中像素驅(qū)動(dòng)電路在充電階段的工作示意圖；
[0034]圖6是圖2中像素驅(qū)動(dòng)電路在充電階段的時(shí)序圖，對(duì)應(yīng)時(shí)序階段2 ；
[0035]圖7是圖2中像素驅(qū)動(dòng)電路在補(bǔ)償、發(fā)光階段的工作示意圖；
[0036]圖8是圖2中像素驅(qū)動(dòng)電路在補(bǔ)償、發(fā)光階段的時(shí)序圖，對(duì)應(yīng)時(shí)序階段3。
【具體實(shí)施方式】
[0037]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0038]本實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路如圖2所示，包括:數(shù)據(jù)線Date、第一掃描線Scan [I]、第二掃描線Scan [2]、使能控制線Em、電源線S、發(fā)光器件D、驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT、存儲(chǔ)電容C、復(fù)位單元1、數(shù)據(jù)寫入單元2及發(fā)光控制單元3。
[0039]復(fù)位單元I連接使能控制線Em和存儲(chǔ)電容C的第一端(即B點(diǎn))，用于在使能控制線Em的控制下復(fù)位存儲(chǔ)電容C第一端的電壓為低電壓。
[0040]數(shù)據(jù)寫入單元2連接存儲(chǔ)電容C的第二端(即A點(diǎn))、第一掃描線Scan[l]和驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT，用于在第一掃描線Scan[l]的控制下將包括驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓Vth和數(shù)據(jù)線Data的電壓Vdata的信息寫入存儲(chǔ)電容C的第二端，即此時(shí)A點(diǎn)電壓為Vdata — Vtho
[0041]所述發(fā)光控制單元3連接第二掃描線Scan [2]、數(shù)據(jù)線Data、電源線S、存儲(chǔ)電容C的第一端、驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT和發(fā)光器件D，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極連接存儲(chǔ)電容C的第二端，源極和漏極連接發(fā)光控制單元。發(fā)光控制單元用于在第二掃描線Scan[2]的控制下使存儲(chǔ)電容C的第一端為數(shù)據(jù)線Data的電壓Vdata，且使存儲(chǔ)電容C兩端保持壓差，并使驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT連接電源線S，以驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件D發(fā)光。
[0042]本實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路中，數(shù)據(jù)寫入單元將驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓和數(shù)據(jù)線電壓的信息寫入存儲(chǔ)電容，發(fā)光控制單元在控制發(fā)光時(shí)，寫入存儲(chǔ)電容的驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓信息對(duì)發(fā)光時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償，解決了像素點(diǎn)驅(qū)動(dòng)晶體管由于工藝制程及長時(shí)間的操作造成閾值電壓不均一的問題，使得流過每個(gè)像素點(diǎn)發(fā)光器件的電流不受閾值電壓的影響，最終保證了圖像顯示的均勻性。
[0043]本實(shí)施例中，復(fù)位單元I包括:第一晶體管Tl。第一晶體管Tl的柵極連接使能控制線Em，源極連接存儲(chǔ)電容C的第一端，漏極接地。第一晶體管Tl用于在使能控制線Em的控制下使存儲(chǔ)電容C的第一端接地，以設(shè)置存儲(chǔ)電容C的第一端為低電壓。即當(dāng)Em為有效信號(hào)時(shí)，Tl將C的第一端接地，B點(diǎn)電壓為O。
[0044]本實(shí)施例中，數(shù)據(jù)寫入單元2包括:第二晶體管T2和第三晶體管T3。第二晶體管T2的柵極連接第一掃描線Scan [I]，源極連接數(shù)據(jù)線Data，漏極連接驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的源極。第三晶體管T3的柵極連接第一掃描線Scan[l]，源極連接驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的漏極，漏極連接存儲(chǔ)電容C的第二端。第二晶體管DTFT和第三晶體管DTFT用于在第一掃描線Scan[l]的控制下形成通路，以將包括驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓和數(shù)據(jù)線電壓的信息寫入存儲(chǔ)電容C的第二端。
[0045]具體如圖2所示，數(shù)據(jù)寫入單元2包括:第二晶體管T2和第三晶體管T3。第二晶體管T2的柵極連接第一掃描線Scan [I]，源極連接數(shù)據(jù)線Data，漏極連接驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的源極。第三晶體管T3的柵極連接第一掃描線Scan [I]，源極連接驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的漏極，漏極連接存儲(chǔ)電容C的第二端。當(dāng)?shù)谝粧呙杈€Scan[l]有效時(shí)，T2和T3打開，形成通路T2 — DTFT — T3，Vdata信號(hào)通過T2 — DTFT — T3開始對(duì)A點(diǎn)進(jìn)行充電，一直將A點(diǎn)充電到Vdata - Vth為止(滿足DTFT柵源兩極之間的壓差為Vth)，此時(shí)存儲(chǔ)電容C兩端的電壓也為Vdata - Vtho另外由于T5的關(guān)閉，使得T2 — DTFT — T3通路中的電流不會(huì)通過發(fā)光器件，間接降低了發(fā)光器件的壽命損耗。
[0046]本實(shí)施例中，發(fā)光控制單元3包括:第四晶體管T4、第五晶體管T5和第六晶體管T6。第四晶體管T4的柵極連接第二掃描線Scan[2]，源極連接電源線S，漏極連接驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的源極。第五晶體管T5的柵極連接第二掃描線Scan[2]，源極連接驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的漏極，漏極連接發(fā)光器件D。第六晶體管T6的柵極連接第二掃描線Scan [2]，源極連接數(shù)據(jù)線Data，漏極連接存儲(chǔ)電容C的第一端。第六晶體管T6用于在第二掃描線Scan[2]的控制下寫入數(shù)據(jù)線電壓至存儲(chǔ)電容C的第一端，且使存儲(chǔ)電容C兩端保持壓差。第四晶體管T4和第五晶體管T5用于在第二掃描線Scan [2]的控制下形成通路，使驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT連接電源線S，以驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件D發(fā)光。
[0047]具體如圖2所示，發(fā)光控制單元3包括:第四晶體管T4、第五晶體管T5和第六晶體管T6。第四晶體管T4的柵極連接第二掃描線Scan [2]，源極連接電源線S，漏極連接驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的源極。第五晶體管T5的柵極連接第二掃描線Scan [2]，源極連接驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的漏極，漏極連接發(fā)光器件D。第六晶體管T6的柵極連接第二掃描線Scan [2]，源極連接數(shù)據(jù)線Data，漏極連接存儲(chǔ)電容C的第一端。當(dāng)?shù)诙呙杈€Scan[2]有效時(shí)，T4、T5和Τ6打開。此時(shí)B點(diǎn)電壓由原來的OV變?yōu)閂data,而A點(diǎn)為浮接狀態(tài)，因此要維持Α、Β兩點(diǎn)原來的壓差(Vdata - Vth)，DTFT的柵極A點(diǎn)電壓會(huì)發(fā)生等壓跳變，A點(diǎn)電壓跳變?yōu)?Vdata —Vtho且此時(shí)T4、驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT和T5形成通路T4 — DTFT — T5，將驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的源極接入電源線S，電壓為Vdd，電流通過T4 — DTFT — T5使得發(fā)光器件D開始發(fā)光。
[0048]由驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT飽和電流公式可以得到(其中，Ves為DTFT的柵源電壓):
[0049]Id = K (Vgs — Vth)2 = K [Vdd — (2Vdata — Vth) — Vth]2 = K (Vdd — 2Vdata)2
W
[0050]K ^ μ-Cm-
[0051]其中，μ為載流子遷移率，Cox為柵氧化層電容，W/L為驅(qū)動(dòng)晶體管的寬長比。
[0052]有上述公式可看出，工作電流Id已經(jīng)不受Vth的影響，只與Vdata有關(guān)。徹底解決了驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT由于工藝制程及長時(shí)間的操作造成閾值電壓(Vth)漂移的問題，消除其對(duì)驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件的電流Id的影響，保證發(fā)光器件的正常工作。
[0053]本實(shí)施例中 發(fā)光器件D可以為有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)，有機(jī)發(fā)光二極管的陽極連接發(fā)光控制單元，具體連接第五晶體管Τ5的漏極，陰極接地。
[0054]本實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路采用補(bǔ)償方式解決了驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth變化帶來的影響。同時(shí)該設(shè)計(jì)保證了在電路進(jìn)行補(bǔ)償階段和緩沖階段時(shí)無電流通過發(fā)光器件(OLED)，還間接提高了(OLED)的使用壽命。
[0055]本發(fā)明還提供了一種上述像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法，包括步驟:
[0056]對(duì)使能控制線Em施加使能信號(hào)，以使復(fù)位單元I將存儲(chǔ)電容C的第一端復(fù)位至低電壓。
[0057]對(duì)第一掃描線Scan[l]施加第一掃描有效信號(hào)，以使數(shù)據(jù)寫入單元2將包括驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓和數(shù)據(jù)線電壓的信息寫入所述存儲(chǔ)電容C的第二端。
[0058]對(duì)第二掃描線Scan[2]施加第二掃描有效信號(hào)，以使發(fā)光控制單元3將數(shù)據(jù)線電壓寫入存儲(chǔ)電容C的第一端，且使存儲(chǔ)電容C兩端保持壓差，并使驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT連接電源線，以驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件D發(fā)光。
[0059]具體地，數(shù)據(jù)寫入單元2包括:第二晶體管T2和第三晶體管T3。第二晶體管T2的柵極連接第一掃描線Scan [I]，源極連接數(shù)據(jù)線Data，漏極連接驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的源極。第三晶體管T3的柵極連接第一掃描線Scan[l]，源極連接驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的漏極，漏極連接存儲(chǔ)電容C的第二端。
[0060]所述對(duì)第一掃描線Scan[l]施加第一掃描有效信號(hào)，以使數(shù)據(jù)寫入單元2將包括驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓和數(shù)據(jù)線電壓的信息寫入存儲(chǔ)電容C的第二端的步驟具體包括:
[0061]對(duì)第一掃描線Scan[l]施加第一掃描有效信號(hào)，使第二晶體管T2和第三晶體管T3打開，形成通路，以將包括驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓和數(shù)據(jù)線電壓的信息寫入存儲(chǔ)電容C的第二端。
[0062]具體地，所述發(fā)光控制單元3包括:第四晶體管T4、第五晶體管T5和第六晶體管T6。第四晶體管T4的柵極連接第二掃描線Scan[2]，源極連接電源線S，漏極連接驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的源極。第五晶體管T5的柵極連接第二掃描線Scan[2]，源極連接驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的漏極，漏極連接發(fā)光器件D。第六晶體管T6的柵極連接第二掃描線Scan [2]，源極連接數(shù)據(jù)線Data，漏極連接存儲(chǔ)電容C的第一端。[0063]所述對(duì)第二掃描線Scan[2]施加第二掃描有效信號(hào)，以使發(fā)光控制單元3將數(shù)據(jù)線電壓寫入存儲(chǔ)電容C的第一端，且使存儲(chǔ)電容C保持兩端壓差，并使驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT連接電源線，以驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件D發(fā)光的具體步驟包括:
[0064]對(duì)第二掃描線Scan[2]施加第二掃描有效信號(hào)，第六晶體管T6打開，寫入數(shù)據(jù)線電壓至存儲(chǔ)電容C的第一端，且使存儲(chǔ)電容C兩端保持壓差，且第四晶體管T4和第五晶體管T5打開，形成通路，使驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT連接電源線S，以驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件D發(fā)光。
[0065]下面以圖2的像素驅(qū)動(dòng)電路中的晶體管全部為P型晶體管，發(fā)光器件為OLED為例對(duì)驅(qū)動(dòng)方法進(jìn)行具體說明，包括三個(gè)階段。
[0066]如圖3和4所示，時(shí)序圖階段I為復(fù)位階段，此時(shí)Em有效，Tl導(dǎo)通(如圖3中虛線框所示)，了2、了3、了4、了5、了6斷開，此過程將B點(diǎn)復(fù)位接地，即存儲(chǔ)電容C的第一端接地(存儲(chǔ)電容C的第一端與地的電流通路如圖3中虛線箭頭所示)，電壓為0V，將之前的電壓信號(hào)進(jìn)行復(fù)位。
[0067]如圖5和6所示，時(shí)序圖階段2為充電階段，此時(shí)T2、T3導(dǎo)通(如圖5中虛線框所示)，Τ1、Τ4、Τ5、Τ6斷開。數(shù)據(jù)線Data的Vdata信號(hào)通過電流通路T2 — DTFT — T3(如圖5中虛線箭頭所示)開始對(duì)A點(diǎn)進(jìn)行充電，一直將A點(diǎn)充電到Vdata - Vth為止(滿足DTFT柵源兩極之間的壓差為Vth)。該過程中，由于B點(diǎn)接地電位始終為0，所以當(dāng)充電完畢以后，A點(diǎn)的電壓會(huì)一直維持在Vdata - Vtho另外由于Τ5的關(guān)閉使得電流不會(huì)通過0LED，間接降低了 OLED的壽命損耗。
[0068]如圖7和8所示，時(shí)序圖階段3為OLED像素補(bǔ)償、發(fā)光階段，此時(shí)Τ4、Τ5、Τ6導(dǎo)通(如圖7中虛線框所示)，Τ2、Τ3、Τ1斷開。此時(shí)B點(diǎn)電壓由原來的OV變?yōu)閂data，而A點(diǎn)為浮接狀態(tài)，因此要維持Α、Β兩點(diǎn)原來的壓差(Vdata - Vth)，DTFT的柵極A點(diǎn)電壓會(huì)發(fā)生等壓跳變，A點(diǎn)電壓跳變?yōu)?Vdata - Vth,此時(shí)T4、驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT和T5形成通路T4 — DTFT — T5 (如圖7中虛線箭頭所示)，將驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的源極連接電源線S，接入電源線S的電壓Vdd，電流通過T4 — DTFT — T5使得OLED開始發(fā)光。
[0069]由驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT飽和電流公式可以得到(其中，Ves為DTFT的柵源電壓):
[0070]1led = K (Vgs — Vth)2 = K [Vdd — (2Vdata — Vth) — Vth]2 = K (Vdd — 2Vdata)2
W
[0071]K =μ. 0:( —
[0072]其中，μ為載流子遷移率，Cox為柵氧化層電容，W/L為驅(qū)動(dòng)晶體管的寬長比。
[0073]由上式中可以看到此時(shí)工作電流1_的最終表達(dá)式中Vth已被抵消。即在階段2中，A點(diǎn)的電壓會(huì)一直維持在Vdata - Vth,其中的Vth在階段3中對(duì)DTFT產(chǎn)生的Vth進(jìn)行了補(bǔ)償，使I_D不受Vth的影響，只與Vdata有關(guān)。因此，徹底解決了驅(qū)動(dòng)TFT由于工藝制程及長時(shí)間的操作造成閾值電壓(Vth)漂移的問題，消除其對(duì)1_的影響，保證OLED的正常工作。
[0074]本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括上述的像素驅(qū)動(dòng)電路。
[0075]本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。該顯示裝置可以為=AMOLED面板、電視、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0076]以上實(shí)施方式僅用于說明本發(fā)明，而并非對(duì)本發(fā)明的限制，有關(guān)【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
【權(quán)利要求】
1.一種像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括:數(shù)據(jù)線、第一掃描線、第二掃描線、使能控制線、電源線、發(fā)光器件、驅(qū)動(dòng)晶體管、存儲(chǔ)電容、復(fù)位單元、數(shù)據(jù)寫入單元及發(fā)光控制單元； 所述復(fù)位單元連接所述使能控制線和存儲(chǔ)電容的第一端，用于在所述使能控制線的控制下復(fù)位所述存儲(chǔ)電容第一端的電壓為低電壓； 數(shù)據(jù)寫入單元連接所述存儲(chǔ)電容的第二端、第一掃描線和驅(qū)動(dòng)晶體管，用于在第一掃描線的控制下將包括所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓和數(shù)據(jù)線電壓的信息寫入所述存儲(chǔ)電容的第二端； 所述發(fā)光控制單元連接第二掃描線、數(shù)據(jù)線、電源線、存儲(chǔ)電容的第一端、驅(qū)動(dòng)晶體管和發(fā)光器件，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接所述存儲(chǔ)電容的第二端，源極和漏極連接所述發(fā)光控制單元，所述發(fā)光控制單元用于在第二掃描線的控制下使存儲(chǔ)電容的第一端為數(shù)據(jù)線電壓，且使存儲(chǔ)電容兩端保持壓差，并使驅(qū)動(dòng)晶體管連接電源線，以驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件發(fā)光。
2.如權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述復(fù)位單元包括第一晶體管，所述第一晶體管的柵極連接所述使能控制線，源極連接所述存儲(chǔ)電容的第一端，漏極接地；所述第一晶體管用于在所述使能控制線的控制下使所述存儲(chǔ)電容的第一端接地，以設(shè)置所述存儲(chǔ)電容的第一端為低電壓。
3.如權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述數(shù)據(jù)寫入單元包括:第二晶體管和第三晶體管，所述第二晶體管的柵極連接第一掃描線，源極連接數(shù)據(jù)線，漏極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極；所 述第三晶體管的柵極連接所述第一掃描線，源極連接驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極，漏極連接所述存儲(chǔ)電容的第二端；所述第二晶體管和第三晶體管用于在所述第一掃描線的控制下形成通路，以將包括所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓和數(shù)據(jù)線電壓的信息寫入所述存儲(chǔ)電容的第二端。
4.如權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述發(fā)光控制單元包括:第四晶體管、第五晶體管和第六晶體管；所述第四晶體管的柵極連接所述第二掃描線，源極連接電源線，漏極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極；所述第五晶體管的柵極連接所述第二掃描線，源極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極，漏極連接所述發(fā)光器件；所述第六晶體管的柵極連接所述第二掃描線，源極連接所述數(shù)據(jù)線，漏極連接所述存儲(chǔ)電容的第一端；所述第六晶體管用于在所述第二掃描線的控制下寫入數(shù)據(jù)線電壓至存儲(chǔ)電容的第一端，且使所述存儲(chǔ)電容兩端保持壓差，所述第四晶體管和第五晶體管用于在所述第二掃描線的控制下形成通路，使所述驅(qū)動(dòng)晶體管連接電源線，以驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件發(fā)光。
5.如權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述發(fā)光器件為有機(jī)發(fā)光二極管，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽極連接所述發(fā)光控制單元，陰極接地。
6.—種如權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，包括以下過程: 對(duì)使能控制線施加使能信號(hào)，以使所述復(fù)位單元將所述存儲(chǔ)電容的第一端復(fù)位至低電壓； 對(duì)第一掃描線施加第一掃描有效信號(hào)，以使所述數(shù)據(jù)寫入單元將包括所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓和數(shù)據(jù)線電壓的信息寫入所述存儲(chǔ)電容的第二端； 對(duì)第二掃描線施加第二掃描有效信號(hào)，以使所述發(fā)光控制單元將數(shù)據(jù)線電壓寫入存儲(chǔ)電容的第一端，且使存儲(chǔ)電容兩端保持壓差，并使驅(qū)動(dòng)晶體管連接電源線，以驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件發(fā)光。
7.如權(quán)利要求6所述的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)寫入單元包括:第二晶體管和第三晶體管，所述第二晶體管的柵極連接第一掃描線，源極連接數(shù)據(jù)線，漏極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極；所述第三晶體管的柵極連接所述第一掃描線，源極連接驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極，漏極連接所述存儲(chǔ)電容的第二端； 所述對(duì)第一掃描線施加第一掃描有效信號(hào)，以使所述數(shù)據(jù)寫入單元將包括所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓和數(shù)據(jù)線電壓的信息寫入所述存儲(chǔ)電容的第二端的步驟具體包括: 對(duì)第一掃描線施加第一掃描有效信號(hào)，使第二晶體管和第三晶體管打開，形成通路，以將包括所述驅(qū)動(dòng)晶體管 的閾值電壓和數(shù)據(jù)線電壓的信息寫入所述存儲(chǔ)電容的第二端。
8.如權(quán)利要求6所述的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述發(fā)光控制單元包括:第四晶體管、第五晶體管和第六晶體管；所述第四晶體管的柵極連接所述第二掃描線，源極連接電源線，漏極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極；所述第五晶體管的柵極連接所述第二掃描線，源極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極，漏極連接所述發(fā)光器件；所述第六晶體管的柵極連接所述第二掃描線，源極連接所述數(shù)據(jù)線，漏極連接所述存儲(chǔ)電容的第一端； 所述對(duì)第二掃描線施加第二掃描有效信號(hào)，以使所述發(fā)光控制單元將數(shù)據(jù)線電壓寫入存儲(chǔ)電容的第一端，且使存儲(chǔ)電容保持兩端壓差，并使驅(qū)動(dòng)晶體管連接電源線，以驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件發(fā)光的具體步驟包括: 對(duì)第二掃描線施加第二掃描有效信號(hào)，所述第六晶體管打開，寫入數(shù)據(jù)線電壓至存儲(chǔ)電容的第一端，且使所述存儲(chǔ)電容兩端保持壓差，且第四晶體管和第五晶體管打開，形成通路，使所述驅(qū)動(dòng)晶體管連接電源線，以驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件發(fā)光。
9.一種陣列基板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的像素驅(qū)動(dòng)電路。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求9所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】G09G3/32GK103971638SQ201410184466
【公開日】2014年8月6日 申請(qǐng)日期:2014年5月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月4日
【發(fā)明者】楊盛際 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司