顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明在于提供一種適于防止端子間短路的具有新型構造的顯示面板。本發(fā)明的顯示面板是具有有源矩陣基板、對置基板和密封件的顯示面板，上述有源矩陣基板在顯示區(qū)域外具有多個端子，多個端子的下部由與柵極配線或源極配線相同的材料形成，多個端子的上部由與像素電極相同的材料形成，具有從顯示區(qū)域內形成至顯示區(qū)域外的多個絕緣膜，上述多個絕緣膜包括無機絕緣膜和比上述無機絕緣膜厚的有機絕緣膜，上述無機絕緣膜和上述有機絕緣膜配置于上述像素電極與上述柵極配線或上述源極配線之間，上述有機絕緣膜的端部位于比配置有上述密封件的區(qū)域更靠外側且與配置有上述端子的區(qū)域分離的位置，上述無機絕緣膜的端部位于上述多個配線與上述多個端子的邊界。
【專利說明】顯示面板

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示面板。更詳細而言，涉及以有源矩陣方式驅動的液晶顯示裝置所 適用的顯示面板。

【背景技術】
[0002] 作為液晶顯示裝置等的顯示裝置的驅動方式，已知有有源矩陣方式。例如，有源矩 陣方式的液晶顯示裝置中，相互正交的柵極配線（也稱為"柵極匯流線"）和源極配線（也 稱為"源極匯流線"）設置為格子狀，在通過柵極配線和源極配線劃分為矩陣狀的各區(qū)域配 置薄膜晶體管。接著，當對薄膜晶體管的柵極電極通過柵極配線輸入掃描信號時，作為開關 元件的薄膜晶體管成為導通狀態(tài)。薄膜晶體管為導通狀態(tài)時，源極配線中流通的圖像信號 從薄膜晶體管的源極電極傳達到漏極電極，進一步傳達到像素電極。輸入到各像素電極的 圖像信號對應于各像素中對應設置的像素電極與在全部像素共用的共用電極之間施加的 電壓，換而言之，對應于向各像素的液晶施加的電壓。這樣，根據向液晶施加的電壓，使液晶 的取向狀態(tài)發(fā)生變化，由此在每個像素控制能夠透射液晶的光的量，從而，能夠顯示高精細 的畫面。這樣的有源矩陣方式，一般在通過多個像素進行顯示的電視、監(jiān)視器等中使用。
[0003] 在顯示裝置中，柵極配線、源極配線、薄膜晶體管等多個部件配置于有源矩陣基板 上的顯示區(qū)域。另一方面，在有源矩陣基板上的外周區(qū)域配置與柵極配線或源極配線電連 接的端子，通過該端子，從外部的電路向有源矩陣基板輸入掃描信號、圖像信號等顯示信 號。公開了該端子結構的文獻大量已知（例如，參照專利文獻1?3)。
[0004] 現有技術文獻
[0005] 專利文獻
[0006] 專利文獻1 :(日本）特開2002-303889號公報
[0007] 專利文獻2 :(日本）特開2009-128761號公報
[0008] 專利文獻3 :(日本）特開2011-100041號公報


【發(fā)明內容】

[0009] 發(fā)明所要解決的技術問題
[0010] 有源矩陣基板由于具備多個配線和電極，為了確保配線和電極間的絕緣，一般使 用絕緣膜。另外，絕緣膜有時也為了使基板面內的凹凸平坦化而設置，例如，作為像素電極 的基底，有時配置由有機材料構成的層間絕緣膜。這樣的絕緣膜有時幾乎在基板的整個面 形成，例如，為了使與柵極配線或源極配線連接的端子露出，有時在基板的外周區(qū)域除去絕 緣膜。
[0011] 柵極配線或源極配線中所使用的一般材料，由于容易腐蝕，不適合在基板的外周 區(qū)域露出。因此，有時利用位于比柵極配線或源極配線更上層的像素電極中使用的材料來 覆蓋端子的表面。
[0012] 作為在利用像素電極中使用的材料來覆蓋端子的表面的情況下可能產生的問題， 可以列舉在端子彼此的距離接近時產生端子間短路。這如專利文獻1和2中所說明的，是 因為在使用光刻印刷將導電膜圖案化而形成像素電極和端子的表層時，由于在層間絕緣膜 的端部形成的段差而引起端子間的應該除去的導電膜的一部分（以下，稱為"殘膜"）殘留 的緣故。
[0013] 以下，參照附圖，詳細說明端子間的導電膜不被除去而殘留的理由。圖1是表示現 有的有源矩陣基板的一例的平面示意圖。圖1的有源矩陣基板中，在基板的下部和右端部， 設置配置端子的外周區(qū)域60。圖2是將圖1中的基板的右端部的顯示區(qū)域50和外周區(qū)域 60的邊界放大得到的平面示意圖。圖2中所示的柵極配線11中的位于靠近顯示區(qū)域50的 一側的左半部分被絕緣膜31覆蓋，右半部分從絕緣膜31露出。該從絕緣膜31露出的部分 是作為端子21發(fā)揮功能的部分。圖2中，由于端子21間因為導電膜的殘膜32d而短路，因 此，不能進行所期望的顯示。
[0014] 這里，基于沿圖2中的A-B線的剖面圖，說明形成導電膜的殘膜32d的工序。沿圖 2中的A-B線的區(qū)域是位于端子21間的區(qū)域，是本來應該除去導電膜32的區(qū)域，但是，如圖 2所示，在端子21間形成導電膜的殘膜32d。
[0015] 形成導電膜的殘膜32d的理由與利用光刻印刷來進行的導電膜32的圖案化工序 有關。對于導電膜的圖案化工序，如圖3?圖5所示，在以下進行說明。圖3是沿圖2中的 A-B線的剖面圖，表示在端子形成用的導電膜32之上，形成有抗蝕劑膜33的狀態(tài)。圖3的 端子形成用的導電膜32用于形成像素電極和端子21的表層。圖3中，光刻印刷用的抗蝕 劑膜33形成于導電膜32上?？刮g劑膜33由于因導電膜32下的絕緣膜31形成的段差，接 近段差的區(qū)域的厚度D1厚于其它區(qū)域的厚度D2。在光刻印刷中，對圖3的抗蝕劑膜33曝 光，在此后進行顯影。
[0016] 但是，如圖3所示，接近段差的區(qū)域中，由于抗蝕劑膜33厚，曝光不充分，在顯影之 后，如圖4所示，抗蝕劑膜的一部分不被除去，作為抗蝕劑膜的殘膜33d殘留。因此，使用顯 影后的抗蝕劑膜進行導電膜32的圖案化時，如圖5所示，在沿圖2中的A-B線的區(qū)域中，形 成導電膜的殘膜32d。因此，隔著沿圖2中的A-B線的區(qū)域相鄰的端子21彼此因為該導電 膜的殘膜32d而短路。
[0017] 如上所述，現有的結構中，由于形成于絕緣膜31的端部的段差，端子21間的應該 除去的導電膜32的一部分容易殘留，對該問題存在解決的余地。因此，尋求與專利文獻1 和2中所公開的防止端子短路的方法不同的新方法。
[0018] 本發(fā)明是鑒于上述現狀而作出的，目的在于提供一種適于防止端子間短路的具有 新型結構的顯示面板。
[0019] 用于解決問題的技術手段
[0020] 本發(fā)明的發(fā)明人對于以有源矩陣方式驅動的顯示面板中的適于防止端子間短路 的結構進行了各種研究，著眼于形成在端子附近的絕緣膜中的膜厚大的有機絕緣膜。并且， 本發(fā)明的發(fā)明人通過將有機絕緣膜的端部配置于比配置有密封件的區(qū)域更靠外側且與配 置有端子的區(qū)域分離的位置，并且將無機絕緣膜的端部配置于配線與端子的邊界，由此，能 夠良好地解決上述問題，從而到達本發(fā)明。
[0021] 即，本發(fā)明為一種顯示面板，其具有：有源矩陣基板；與上述有源矩陣基板相對的 對置基板；和設置在上述有源矩陣基板與上述對置基板相對的顯示區(qū)域的周圍，將上述有 源矩陣基板與上述對置基板粘接的密封件，其中，上述有源矩陣基板在上述顯示區(qū)域內具 有柵極配線、源極配線和像素電極，在上述顯示區(qū)域外具有排列配置的多個配線和分別與 上述多個配線連接的多個端子，上述多個配線和上述多個端子的下部由與上述柵極配線或 上述源極配線相同的材料形成，上述多個端子的上部由與上述像素電極相同的材料形成， 具有從上述顯示區(qū)域內形成到上述顯示區(qū)域外的多個絕緣膜，上述多個絕緣膜包括無機絕 緣膜和比上述無機絕緣膜厚的有機絕緣膜，上述無機絕緣膜和上述有機絕緣膜配置于上述 像素電極與上述柵極配線或上述源極配線之間，上述有機絕緣膜的端部位于比配置有上述 密封件的區(qū)域更靠外側且與配置有上述端子的區(qū)域分離的位置，上述無機絕緣膜的端部位 于上述多個配線與上述多個端子的邊界。
[0022] 這里，上述多個配線和上述多個端子的下部由與上述柵極配線或上述源極配線相 同的材料形成。因此，上述多個配線和上述多個端子的下部例如能夠使用光刻印刷通過與 上述柵極配線或上述源極配線相同的工序形成。另外，上述多個配線和上述多個端子的下 部可以與上述柵極配線或上述源極配線連續(xù)地形成，也可以不與上述柵極配線或上述源極 配線連續(xù)地形成。例如，上述多個配線與上述柵極配線或上述源極配線也可以經由其它的 配線連接。
[0023] 上述多個端子的上部由與像素電極相同的材料形成。因此，上述多個端子的上部 例如能夠使用光刻印刷通過與上述像素電極相同的工序形成。上述柵極配線或上述源極配 線的材料容易腐蝕，因此，利用難以腐蝕的像素電極材料來覆蓋，從而能夠更可靠地維持端 子與外部電路的電連接。
[0024] 上述多個絕緣膜包括無機絕緣膜和比上述無機絕緣膜厚的有機絕緣膜。無機絕緣 膜通過?賤射法、CVD (Chemical Vapor Deposition,化學氣相沉積）法形成，相對于此，有機 絕緣膜能夠通過旋涂法等涂布形成，形成得比無機絕緣膜厚。因此，在絕緣膜表面的平坦 化、降低位于絕緣膜的上層的配線或電極與位于該絕緣膜的下層的配線或電極之間的寄生 電容的方面，優(yōu)選使用有機絕緣膜。另一方面，如上所述，在端子附近，由于期望絕緣膜的厚 度小，因此，優(yōu)選上述有機絕緣膜的端部位于比配置端子的區(qū)域更靠內側（基板的中央側） 的位置。另外，在除去比配置有密封件的區(qū)域更靠內側的有機絕緣膜的情況下，考慮與位于 其下的層的配置關系和與對置基板的濾色片的貼合，需要確保成為余量（margin)的區(qū)域， 因此，為了防止開口率降低，優(yōu)選上述有機絕緣膜的端部位于比配置有密封件的區(qū)域更靠 外側的位置。因此，上述有機絕緣膜的端部位于比配置有上述密封件的區(qū)域更靠外側且與 配置有上述端子的區(qū)域分離的位置。
[0025] 上述無機絕緣膜的端部位于上述多個配線與上述多個端子的邊界。即，上述多個 配線被無機絕緣膜覆蓋，另一方面上述多個端子不被無機絕緣膜覆蓋。因此，在端子的下部 之上配置由與像素電極相同的材料形成的層，防止端子腐蝕。此外，在上述像素電極與上述 柵極配線或上述源極配線之間配置多個無機絕緣膜的情況下，至少一個無機絕緣膜的端部 位于上述多個配線與上述多個端子的邊界即可，也可以全部無機絕緣膜的端部位于上述多 個配線與上述多個端子的邊界。
[0026] 上述無機絕緣膜和上述有機絕緣膜配置于上述像素電極與上述柵極配線或上述 源極配線之間。作為上述無機絕緣膜，例如，可以列舉構成配置于柵極配線與半導體層之間 的柵極絕緣膜、配置于源極配線與像素電極之間的層間絕緣膜的絕緣膜中的一者。作為上 述有機絕緣膜，例如可以列舉構成層間絕緣膜的絕緣膜中的一者。
[0027] 本發(fā)明的顯示面板例如能夠適用于液晶面板。具備這樣的液晶面板的液晶顯示裝 置也是本發(fā)明的一個實施方式。
[0028] 發(fā)明的效果
[0029] 根據本發(fā)明，能夠提供適于防止端子間短路的具有新型結構的顯示面板。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0030] 圖1是表示現有的有源矩陣基板的一例的平面示意圖。
[0031] 圖2是將圖1中的基板的右端部中顯示區(qū)域50與外周區(qū)域60的邊界放大得到的 平面示意圖。
[0032] 圖3是沿圖2中的A-B線的剖面圖，表示在端子形成用的導電膜上形成抗蝕劑膜 時的狀態(tài)。
[0033] 圖4是沿圖2中的A-B線的剖面圖，表示將圖3的抗蝕劑膜曝光后進行蝕刻時的 狀態(tài)。
[0034] 圖5是沿圖2中的A-B線的剖面圖，表示使用圖4的抗蝕劑膜對導電膜進行蝕刻 時的狀態(tài)。
[0035] 圖6是表示實施方式1的有源矩陣基板的平面示意圖。
[0036] 圖7是表示實施方式1的有源矩陣基板的端子附近的平面示意圖。
[0037] 圖8是沿圖7的C-D線的剖面圖。
[0038] 圖9是沿圖7的E-F線的剖面圖。
[0039] 圖10是將構成實施方式1的端子附近的各部件分解表示的平面示意圖。
[0040] 圖11是將構成實施方式1的像素的各部件分解表示的平面示意圖。
[0041] 圖12是表示實施方式1的液晶面板和背光源的結構的分解立體示意圖。
[0042] 圖13是表示具備圖12所示的液晶面板的液晶顯示裝置的結構的分解立體示意 圖。
[0043] 圖14是表示實施方式2的有源矩陣基板的端子附近的剖面示意圖。
[0044] 圖15是表示實施方式3的有源矩陣基板的端子附近的剖面示意圖。

【具體實施方式】
[0045] 以下，列舉實施方式，參照附圖，對本發(fā)明更詳細地進行說明，本發(fā)明不限定于這 些實施方式。
[0046] 實施方式1
[0047] 圖6是表示實施方式1的有源矩陣基板的平面示意圖。如圖6所示，本實施方式 的有源矩陣基板100中設置有：呈矩陣狀地配置有多個像素的顯示區(qū)域；和位于該顯示區(qū) 域外周，配置有多個端子21的外周區(qū)域。顯示區(qū)域中，按每個像素配置有像素電極20。向 各像素電極20輸入的顯示信號由薄膜晶體管控制。在薄膜晶體管的柵極電極連接傳達掃 描信號的柵極配線21，在薄膜晶體管的源極電極連接傳達向像素電極20輸入的像素信號 的源極配線15。柵極配線11和源極配線15延伸至外周區(qū)域，與端子21連接。
[0048] 另外，上述有源矩陣基板100通過密封件40與對置基板貼合，形成本實施方式的 顯示面板。顯示面板中，密封件40配置于顯示區(qū)域的周圍。固化前的密封件40可以配置 于有源矩陣基板100上，也可以配置與對置基板上。
[0049] 圖7是表示實施方式1的有源矩陣基板的端子附近的平面示意圖。圖8是沿圖7 中的C-D線的剖面圖，表示配置有端子21的區(qū)域的剖面。圖9是沿圖7中的E-F線的剖面 圖，表示端子21間的區(qū)域的剖面。如圖9所示，本實施方式中，構成圖8所示的端子21的 最上層的透明導電膜20e不存在于相鄰的端子21之間，相鄰的端子21彼此絕緣。
[0050] 此外，在實施方式1的有源矩陣基板100中，如圖6所示，在基板100的右端配置 分別與相互平行延伸的多個柵極配線11連接的多個端子21，在基板的上端配置分別與相 互平行延伸的多個源極配線15連接的多個端子21，圖7和圖8表示與柵極配線11連接的 端子21。
[0051] 如圖7和8所示，本實施方式的有源矩陣基板100的端子21，層疊柵極金屬lie、 源極金屬15e和透明導電膜20e而形成。上述柵極金屬lie是指通過與上述柵極配線11 相同的工序形成的部件或其材料。另外，上述源極金屬15e是指通過與上述源極配線15相 同的工序形成的部件或其材料。構成柵極金屬lie的各部件，例如為將單一的導電膜圖案 化并分離而得到的各部分，或從功能的觀點區(qū)分的各部件，對構成源極金屬15e的各部件 也同樣。構成柵極金屬lie的各部件由與上述柵極配線11相同的材料形成，構成源極金 屬15e的各部件由與上述源極配線15相同的材料構成。作為上述柵極金屬lie，除了端子 21的最下層以外，例如，可以列舉薄膜晶體管的柵極電極、柵極配線11。作為上述源極金屬 15e，除了端子的中央層以外，例如，可以列舉薄膜晶體管的源極電極和漏極電極、源極配線 15。構成端子21的透明導電膜20e通過與像素電極20相同的工序形成，由與上述像素電 極20相同的材料形成。這樣，端子21能夠利用顯示區(qū)域內的部件的形成工序來形成。
[0052] 端子21的中央層的源極金屬15e和端子21的最上層的透明導電膜20e形成為島 狀，端子21的最下層的柵極金屬lie是將柵極配線11從顯示區(qū)域內引出而得到的，在第一 絕緣膜12下也延伸。上述柵極金屬lie和源極金屬15e由容易腐蝕的材料形成。另一方 面，上述透明導電膜20e由難以腐蝕的材料形成。作為端子21的最上層，通過配置上述透 明導電膜20e，能夠防止端子21的腐蝕。其結果，能夠更可靠地維持端子21與外部電路的 電連接。
[0053] 此外，與源極配線15連接的端子21具有以下結構：端子21的最下層的柵極金屬 lie和端子21的最上層的透明導電膜20e形成為島狀，端子21的中央層的源極金屬15e是 將源極配線15從顯示區(qū)域內引出而得的。
[0054] 作為上述柵極金屬lie的材料，例如，可以列舉以Ta、Ti、W、Mo、A1等元素為主要 成分的金屬。具體而言，例如，優(yōu)選使用鎢膜和氮化鉭的層疊膜（W/TaN)、鑰膜（Mo)、鑰鎢合 金膜（MoW)、鈦膜和鋁膜的層疊膜（Ti/Al)。
[0055] 作為上述源極金屬15e的材料，例如可以列舉以Ta、Ti、W、Mo、Al等元素為主要成 分的金屬。具體而言，例如，優(yōu)選使用鈦膜、鋁膜和鈦膜的層疊膜（Ti/Al/Ti)、鈦膜和鋁膜 的層疊膜（Ti/Al)、氮化鈦、鋁膜和氮化鈦的層疊膜（TiN/Al/TiN)、鑰膜、鋁一釹膜和鑰膜 的層疊膜（Mo/Al - Nd/Mo)、鑰膜、鋁膜和鑰膜的層疊膜（Mo/Al/Mo)。這些膜能夠通過濺射 法、真空蒸鍍法形成。
[0056] 作為上述透明導電膜20e的材料，可以列舉氧化銦錫（ΙΤ0)、氧化銦鋅（ΙΖ0)等。
[0057] 另外，如圖8和9所示，實施方式1的有源矩陣基板100層疊多個導電性部件和絕 緣性部件而形成。圖10是將構成實施方式1的端子21附近的各部件分解表示的平面示 意圖，圖11是將構成實施方式1的像素的各部分分解表示的平面示意圖。如圖11所示， 像素中，在絕緣性基板10上層疊有柵極金屬lie、第一絕緣膜（柵極絕緣膜）12、半導體層 13、第二絕緣膜14、源極金屬15e、第三絕緣膜16、第四絕緣膜17、第一透明導電膜（共用電 極）18、第五絕緣膜19和第二透明導電膜（像素電極）20。如圖10所示，在端子21附近，在 絕緣性基板10上層疊有柵極金屬lie、第一絕緣膜（柵極絕緣膜）12、第二絕緣膜14、源極 金屬15e、第三絕緣膜16、第四絕緣膜17、第五絕緣膜19和第二透明導電膜（像素電極）20， 不形成半導體層13和第一透明導電膜（共用電極）18。
[0058] 第一?第五絕緣膜12、14、16、17和19均從顯示區(qū)域內形成至比顯示區(qū)域外的配 置有密封件40的區(qū)域更靠外側的位置。但是，第一?第三和第五絕緣膜12、14、16和19形 成至端子21與柵極配線11或源極配線15的邊界，與此不同地，第四絕緣膜17在與配置有 端子21的區(qū)域分離的位置截止。這是由于第一、第二、第三和第五絕緣膜12、14、16和19 為由無機材料形成的無機絕緣膜，與此不同地，第四絕緣膜17為由有機材料形成的有機絕 緣膜，具有比無機絕緣膜大的厚度，因此，通過將第四絕緣膜17從端子21的附近除去，來降 低端子21附近的段差。如上所述，如果端子21附近的段差變大，則導致端子21的最上層 使用的第二透明導電膜20e在端子21間殘留，因此，有可能發(fā)生端子21間短路。但是，本 實施方式中，在端子21附近沒有有機絕緣膜，因此，可以防止在進行由像素電極20的材料 構成的透明導電膜的形成、由感光性樹脂構成的抗蝕劑膜的形成、向抗蝕劑膜的曝光和抗 蝕劑膜的蝕刻（顯影）之后在端子21間發(fā)生抗蝕劑膜的殘留。因此，在抗蝕劑膜的蝕刻之 后對透明導電膜進行蝕刻時，透明導電膜20e在端子21間也不殘留。
[0059] 作為上述無機絕緣膜的材料，例如，可以列舉氧化硅（Si02)、氮化硅（SiN x)、氮氧 化硅（SiNO)。作為上述有機絕緣膜的材料，例如可以列舉丙烯酸樹脂，優(yōu)選感光性丙烯酸樹 脂。
[0060] 作為上述導體層13的材料，例如，可以列舉不定型硅（非晶質硅）、單晶硅、 多晶硅、連續(xù)晶界結晶硅、氧化物半導體。作為氧化物半導體，例如，可以列舉銦、鎵、 鋅復合氧化物（IGZO)、 ISZO(In-Si-Zn-O)、 IAZO(In-Al-Zn-O)、 INiZO(In-Ni-Zn-O)、 ICuZO(In-Cu-Zn-O)、IHfZO(In-Hf-Zn-O)、IZO(In-Zn-O)。
[0061] 本實施方式的顯示面板是組裝于液晶顯示裝置中的液晶面板，在通過密封件40 貼合的有源矩陣基板110與對置基板之間封入液晶材料。
[0062] 如圖11所示，本實施方式的有源矩陣基板100中，在同一基板上設置像素電極20 和共用電極18,根據在像素電極20與共用電極18之間施加的電壓，能夠在與基板平行的面 內控制液晶分子的取向。另外，在像素電極20與共用電極18之間設置有第五絕緣層19。 具有這樣的結構的液晶面板為作為水平電場模式的一種的邊緣場開關（FFS)模式的液晶 面板。
[0063] 圖12是表示實施方式1的液晶面板和背光源的結構的分解立體圖。如圖12所 示，有源矩陣基板100和對置基板72夾持液晶層73。另外，有源矩陣基本100和對置基板 72由一對偏振板71和74夾持。在液晶面板200的背面配置背光源單元75。另外，根據需 要，在背光源單元75與液晶面板200之間，例如配置各種光學膜，在液晶面板200的前面?zhèn)?(顯示畫面?zhèn)龋缗渲酶鞣N光學膜、觸摸面板。
[0064] 從背光源單元75發(fā)出的光通過偏振板74、有源矩陣基板100、液晶層73、對置基板 72和偏振板71之后，到達顯示畫面。通過控制液晶層73中的液晶分子的取向來控制透射 液晶面板200的光量。
[0065] 本實施方式涉及透射型的液晶顯示裝置，但本發(fā)明的顯示面板也可以適用于透射 型、反射型和半透射型（透射反射兩用型）中的任一種的液晶顯示裝置。透射型的液晶顯 示裝置中，在液晶面板的背面?zhèn)仍O置背光源，在液晶面板的顯示側和背面?zhèn)鹊拿娣謩e設置 偏振板，相對于此，反射型的液晶顯示裝置在比液晶面板的液晶層更靠背面?zhèn)鹊奈恢迷O置 反射膜，在液晶面板的顯示側的面設置圓偏振板。上述反射膜可以是在液晶層側具備反射 面的像素電極（反射電極），在像素電極為透射電極時，像素電極可以單獨設置。作為反射 型的液晶顯示裝置，可以列舉作為顯示光除了使用外光以外，在比液晶層更靠顯示面?zhèn)仍O 置前光源的液晶顯示裝置。半透射型的液晶顯示裝置具有在像素內設置進行透射顯示的透 射區(qū)域和進行反射顯示的反射區(qū)域方式、和在像素內設置半透射膜的方式。透射區(qū)域設置 透射電極，反射區(qū)域設置反射電極或者透射電極和反射膜的層疊體。另外，半透射型的液晶 顯示裝置，為了進行透射顯示，與透射型的液晶顯示裝置同樣地，在液晶面板的背面?zhèn)仍O置 背光源，在液晶面板的顯示側和背面?zhèn)鹊拿娣謩e設置偏振板。另外，為了進行反射顯示，至 少在顯示側的偏振板添設λ /4相位差板，構成圓偏振板。
[0066] 本實施方式涉及FFS模式的液晶面板，但是本發(fā)明的顯示面板能夠適用于各種顯 不模式，例如，能夠適用于面內開關（IPS)模式、垂直取向（VA)模式、扭轉向列（ΤΝ)模式、 0CB模式。此外，FFS模式是水平取向模式的一種，包括于廣義的IPS模式中。
[0067] 圖13是表示具備圖12所示的液晶面板的液晶顯示裝置的結構的分解立體圖。如 圖13所示，液晶面板200固定于固定面板400上，由前部殼體300和后部殼體500封住。接 著，后部殼體500和上部支架700經由五金件600固定。此外上部支架700和下部支架800 嵌合。另外，在液晶面板200的端子連接驅動用的外部電路。
[0068] 實施方式2和3
[0069] 實施方式1中，形成于柵極金屬lie與第二透明導電膜20e之間的全部無機絕緣 膜（第一?第三和第五絕緣膜）12、14、16、17和19形成至端子21與柵極配線11或源極配 線15的邊界，但是第一?第三和第五絕緣膜12、14、16和19中的任一個形成至柵極配線11 或源極配線15和端子21的邊界即可。作為無機絕緣膜的配置方式，例如，可以列舉圖14 所示的方式（實施方式2)、圖15所示的方式（實施方式3)。實施方式2中比有機絕緣膜 (第四絕緣膜）17更靠下層的無機絕緣膜（第一?第三絕緣膜）12、14和16形成至端子21 與柵極配線11或源極配線15的邊界，比有機絕緣膜（第四絕緣膜）17更靠上層的無機絕 緣膜（第五絕緣膜）19不形成至端子21與柵極配線11或源極配線15的邊界。另外，實施 方式3中比有機絕緣膜（第四絕緣膜）17更靠下層的無機絕緣膜（第一?第三絕緣膜）12、 14和16不形成至端子21與柵極配線11或源極配線15的邊界，比有機絕緣膜（第四絕緣 膜）17更靠上層的無機絕緣膜（第五絕緣膜）19覆蓋有機絕緣膜17,形成至端子21與柵極 配線11或源極配線15的邊界。
[0070] 上述個實施方式可以在不超出本發(fā)明的技術思想的范圍實施各種變更，例如，可 以將特定實施方式中記載的結構的一部分用其它實施方式中記載的結構的一部分來替換， 也可以組合各實施方式彼此。另外，上述實施方式涉及液晶顯示裝置，但是本發(fā)明的顯示面 板例如也能夠適用于EL顯示裝置。上述EL顯示裝置可以是有機EL顯示裝置，也可以是無 機EL顯示裝置。
[0071] 符號說明
[0072] 10 絕緣性基板
[0073] 11 柵極配線
[0074] lie 柵極金屬
[0075] 12 第一絕緣膜（柵極絕緣膜）
[0076] 13 半導體層
[0077] 14 第二絕緣膜
[0078] 15 源極配線
[0079] 15e 源極金屬
[0080] 16 第三絕緣膜
[0081] 17 第四絕緣膜
[0082] 18 共用電極
[0083] 19 第五絕緣膜
[0084] 20 像素電極
[0085] 20e 透明導電膜
[0086] 21 端子
[0087] 31 絕緣膜
[0088] 32 導電膜
[0089] 32d 導電膜的殘膜
[0090] 33 抗蝕劑膜
[0091] 33d 抗蝕劑膜的殘膜
[0092] 40 密封件
[0093] 50 顯示區(qū)域
[0094] 60 外周區(qū)域
[0095] 71 偏振板
[0096] 72 對置電極
[0097] 73 液晶層
[0098] 74 偏振板
[0099] 75 背光源單元
[0100] 100 有源矩陣基板
[0101] 200 液晶面板
[0102] 300 前部殼體
[0103] 400 固定面板
[0104] 500 后部殼體
[0105] 600 五金件
[0106] 700 上部支架
[0107] 800 下部支架
[0108] 900 液晶顯示裝置
【權利要求】
1. 一種顯示面板，其具有：有源矩陣基板；與所述有源矩陣基板相對的對置基板；和設 置在所述有源矩陣基板與所述對置基板相對的顯示區(qū)域的周圍，將所述有源矩陣基板與所 述對置基板粘接的密封件，該顯示面板的特征在于： 所述有源矩陣基板在所述顯示區(qū)域內具有柵極配線、源極配線和像素電極，在所述顯 示區(qū)域外具有排列配置的多個配線和分別與所述多個配線連接的多個端子， 所述多個配線和所述多個端子的下部由與所述柵極配線或所述源極配線相同的材料 形成，所述多個端子的上部由與所述像素電極相同的材料形成， 具有從所述顯示區(qū)域內形成到所述顯示區(qū)域外的多個絕緣膜， 所述多個絕緣膜包括無機絕緣膜和比所述無機絕緣膜厚的有機絕緣膜， 所述無機絕緣膜和所述有機絕緣膜配置于所述像素電極與所述柵極配線或所述源極 配線之間， 所述有機絕緣膜的端部位于比配置有所述密封件的區(qū)域更靠外側且與配置有所述端 子的區(qū)域分離的位置， 所述無機絕緣膜的端部位于所述多個配線與所述多個端子的邊界。
【文檔編號】G09F9/30GK104160327SQ201380014021
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2013年3月6日 優(yōu)先權日:2012年3月12日
【發(fā)明者】齊藤貴翁, 種隼也, 小峰佑紀, 沼田和也 申請人:夏普株式會社