有機(jī)發(fā)光二極管像素電路和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種有機(jī)發(fā)光二極管像素電路和顯示裝置，屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，可解決現(xiàn)有技術(shù)中內(nèi)置型觸摸屏的控制電路和制造工藝較為復(fù)雜的問題。本實(shí)用新型的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路的第一控制單元用于將電源信號(hào)導(dǎo)入數(shù)據(jù)寫入單元和將有機(jī)發(fā)光二極管和驅(qū)動(dòng)單元導(dǎo)通；數(shù)據(jù)寫入單元用于導(dǎo)入電源電壓信號(hào)和導(dǎo)入數(shù)據(jù)線電壓信號(hào)，同時(shí)還用于為驅(qū)動(dòng)單元提供電壓；觸摸偵測單元用于感受觸摸，并產(chǎn)生偵測信號(hào)；驅(qū)動(dòng)單元用于將所述偵測信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)橛|控輸出信號(hào)，并經(jīng)觸摸偵測單元將觸控輸出信號(hào)輸出到驅(qū)動(dòng)集成電路，同時(shí)驅(qū)動(dòng)單元還用于為有機(jī)發(fā)光二極管提供驅(qū)動(dòng)電流；第二控制單元用于將驅(qū)動(dòng)單元與接地電平導(dǎo)通。本實(shí)用新型可使觸摸顯示裝置更薄更輕。
【專利說明】有機(jī)發(fā)光二極管像素電路和顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于觸摸顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管像素電路和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]觸摸屏(touch screen panel)是目前最簡單、方便、自然的一種人機(jī)交互的設(shè)備，已經(jīng)在各種各樣的電子產(chǎn)品中得到了廣泛應(yīng)用，如手機(jī)，筆記本電腦，數(shù)碼相機(jī)等。觸摸屏按照技術(shù)可以分為兩類:外置型(external)觸摸屏和內(nèi)置型(in-cell)觸摸屏。外置型觸摸屏是在顯示面板上面設(shè)置一個(gè)觸摸裝置，觸摸裝置一般包括觸摸板和保護(hù)層(如金剛玻璃)，觸摸板設(shè)置在顯示面板之上，觸摸屏靠觸摸板感知光線或壓力的變化來工作。
[0003]內(nèi)置型觸摸屏技術(shù)是將觸摸板感知信號(hào)的功能嵌入到像素電路中，通過加載控制電路，使得顯示屏具備感知觸摸信號(hào)的能力。
[0004]發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問題:對(duì)于內(nèi)置型觸摸屏，把觸摸板感知信號(hào)的功能嵌入到像素電路中，其控制電路較為復(fù)雜，制造工藝也較為復(fù)雜，不利于產(chǎn)品良率和生產(chǎn)效率的提高。另外，對(duì)于內(nèi)置型觸摸屏，其像素的開口率會(huì)降低，進(jìn)而導(dǎo)致顯示屏顯示品質(zhì)下降。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題包括，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中內(nèi)置型觸摸屏的控制電路和制造工藝較為復(fù)雜從而不利于提聞廣品良率和生廣效率的問題，提供一種控制電路和制造工藝都較為簡單的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路和顯示裝置。
[0006]解決本實(shí)用新型技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種有機(jī)發(fā)光二極管像素電路包括數(shù)據(jù)寫入單元、驅(qū)動(dòng)單元、有機(jī)發(fā)光二極管、第一控制單元、第二控制單元和觸摸偵測單元；其中:
[0007]所述第一控制單元用于在觸摸偵測階段和有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光階段在掃描線的控制下將電源電壓信號(hào)導(dǎo)入數(shù)據(jù)寫入單元，并在有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光階段將有機(jī)發(fā)光二極管和驅(qū)動(dòng)單元導(dǎo)通；
[0008]所述數(shù)據(jù)寫入單元用于在觸摸偵測階段和有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光階段在第一發(fā)光控制線控制下導(dǎo)入電源電壓信號(hào)，并在掃描線及第二發(fā)光控制線的控制下導(dǎo)入數(shù)據(jù)線電壓信號(hào)，同時(shí)還用于為所述驅(qū)動(dòng)單元提供電壓；
[0009]所述觸摸偵測單元用于在觸摸偵測階段在觸摸信號(hào)電平控制線控制下感受觸摸，并產(chǎn)生偵測信號(hào)；
[0010]所述驅(qū)動(dòng)單元用于在觸摸偵測階段在觸摸電平信號(hào)控制線的控制下將所述偵測信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)橛|控輸出信號(hào)，并經(jīng)觸摸偵測單元將觸控輸出信號(hào)輸出到驅(qū)動(dòng)集成電路，同時(shí)驅(qū)動(dòng)單元還用于在有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光階段為所述有機(jī)發(fā)光二極管提供驅(qū)動(dòng)電流；
[0011]所述第二控制單元用于在第三發(fā)光控制線的控制下在有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光階段將所述驅(qū)動(dòng)單元與接地電平導(dǎo)通。
[0012]優(yōu)選的是，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽極與電源連接。
[0013]優(yōu)選的是，所述數(shù)據(jù)寫入單元包括:第一薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、存儲(chǔ)電容和第一電容；其中，
[0014]所述第一薄膜晶體管的柵極與第一發(fā)光控制線連接，所述第一薄膜晶體管的漏極與所述存儲(chǔ)電容的第二端連接；
[0015]所述第三薄膜晶體管的柵極與掃描信號(hào)線連接，所述第三薄膜晶體管的源極與數(shù)據(jù)信號(hào)線連接，所述第三薄膜晶體管的漏極連接所述存儲(chǔ)電容的第一端；
[0016]所述第五薄膜晶體管的柵極與第二發(fā)光控制線連接，所述第五薄膜晶體管的源極與所述第三薄膜晶體管的漏極連接，所述第五薄膜晶體管的漏極與所述驅(qū)動(dòng)單元連接；
[0017]所述第一電容的第一端與存儲(chǔ)電容的第一端連接，所述第一電容的第二端接地。
[0018]優(yōu)選的是，所述第一控制單元包括第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管的柵極與掃描信號(hào)線連接，源極與所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極連接，漏極與所述數(shù)據(jù)寫入單元中的第一薄膜晶體管的源極連接。
[0019]優(yōu)選的是，所述驅(qū)動(dòng)單元包括第四薄膜晶體管，所述第四薄膜晶體管的柵極與所述存儲(chǔ)電容第二端和所述數(shù)據(jù)寫入單元的第一薄膜晶體管的漏極連接，所述第四薄膜晶體管的源極與所述第二薄膜晶體管的漏極連接。
[0020]優(yōu)選的是，所述第二控制單元包括第六薄膜晶體管，第六薄膜晶體管的漏極接地，第六薄膜晶體管的柵極與第三發(fā)光控制線連接，第六薄膜晶體管的源極與所述數(shù)據(jù)寫入單元中的所述第五薄膜晶體管的漏極連接。
[0021]優(yōu)選的是，所述觸摸偵測單元包括光電二極管、第七薄膜晶體管、第八薄膜晶體管和第九薄膜晶體管，其中:
[0022]所述光電二極管的陰極與所述第四薄膜晶體管的柵極連接，同時(shí)與所述數(shù)據(jù)寫入單元中的所述存儲(chǔ)電容的第二端的連接，所述光電二極管的陽極與所述第七薄膜晶體管的源極連接；
[0023]所述第七薄膜晶體管的漏極接地，所述第七薄膜晶體管的柵極與觸摸電平信號(hào)控制線連接；
[0024]所述第八薄膜晶體管的源極與所述第四薄膜晶體管的漏極連接，所述第八薄膜晶體管的漏極與傳感器線連接，所述第八薄膜晶體管的柵極與觸摸電平信號(hào)控制線連接；
[0025]所述第九薄膜晶體管的源極與電源信號(hào)線連接，所述第九薄膜晶體管的漏極與所述數(shù)據(jù)寫入單元中的所述第一薄膜晶體管的源極連接，所述第九薄膜晶體管的柵極與所述觸摸電平信號(hào)控制線連接。
[0026]優(yōu)選的是，所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管是P型薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管、第七薄膜晶體管、第八薄膜晶體管、第九薄膜晶體管是N型薄膜晶體管；
[0027]或所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和第四薄膜晶體管是N型薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管、第七薄膜晶體管、第八薄膜晶體管、第九薄膜晶體管是P型薄膜晶體管。
[0028]優(yōu)選的是，所述第一至第九薄膜晶體管為多晶硅薄膜晶體管、單晶硅薄膜晶體管、氧化物薄膜晶體管、有機(jī)薄膜晶體管中的任意一種。
[0029]優(yōu)選的是，所述有機(jī)發(fā)光二極管為上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管。
[0030]本實(shí)用新型的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路包括光電二極管，其使得顯示屏具有能夠直接感知觸摸所產(chǎn)生的信號(hào)的能力，從而使得像素的控制電路更為簡單，工藝步驟得到簡化，進(jìn)而提高了生產(chǎn)效率以及產(chǎn)品良率，最重要是有利于降低生產(chǎn)成本。同時(shí)，本實(shí)用新型的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路能夠補(bǔ)償薄膜晶體管的閾值電壓的非均勻性，從而能夠提高有機(jī)發(fā)光顯示器的畫面均勻性。另外，生產(chǎn)工藝上減少了兩層氧化銦錫薄膜能有效提高光透過率，從而能提升顯示屏的顯示品質(zhì)。
[0031]本實(shí)用新型還提供一種顯示裝置，其包括上述的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路。
[0032]本實(shí)用新型的顯示裝置由于包括上述的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路，因此顯示裝置的整體厚度更薄，重量更輕，生產(chǎn)成本也會(huì)進(jìn)一步降低。通過在每個(gè)亞像素中設(shè)置上述電路可以明顯地提高顯示屏感受觸摸的靈敏度，而且由于光電二極管是通過感受光線變化來工作的，所以能夠在顯示屏幕上實(shí)現(xiàn)浮動(dòng)觸摸。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]圖1和圖3為本實(shí)用新型的實(shí)施例1的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路圖；
[0034]圖2和圖4為本實(shí)用新型的實(shí)施例1的驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管像素電路的時(shí)序圖；
[0035]圖5為本實(shí)用新型的實(shí)施例1的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路的觸摸偵測階段的初始化階段的等效電路圖；
[0036]圖6為本實(shí)用新型的實(shí)施例1的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路的觸摸偵測階段的數(shù)據(jù)電壓信號(hào)寫入階段的等效電路圖；
[0037]圖7為本實(shí)用新型的實(shí)施例1的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路的觸摸偵測階段的偵測觸摸產(chǎn)生的信號(hào)階段的等效電路圖；
[0038]圖8為本實(shí)用新型的實(shí)施例1的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路的有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光階段的初始化階段的等效電路圖；
[0039]圖9為本實(shí)用新型的實(shí)施例1的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路的有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光階段的數(shù)據(jù)電壓信號(hào)寫入階段的等效電路圖；
[0040]圖10為本實(shí)用新型的實(shí)施例1的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路的有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光階段的等效電路圖；
[0041]其中附圖標(biāo)記為:T1:第一薄膜晶體管；T2:第二薄膜晶體管；Τ3:第三薄膜晶體管；Τ4:第四薄膜晶體管；Τ5:第五薄膜晶體管；Τ6:第六薄膜晶體管；Τ7:第七薄膜晶體管；Τ8:第八薄膜晶體管；Τ9:第九薄膜晶體管；PD:光電二極管；0LED:有機(jī)發(fā)光二極管；DD:電源信號(hào)線；EM1:第一發(fā)光控制線；EM2:第二發(fā)光控制線；EM3:第三發(fā)光控制線；scan:掃描信號(hào)線；data:數(shù)據(jù)信號(hào)線select:觸摸信號(hào)電平控制線；Cst:存儲(chǔ)電容；C1:第一電容；sensor line:傳感器線。
【具體實(shí)施方式】
[0042]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。[0043]實(shí)施例1:
[0044]本實(shí)施例提供一種有機(jī)發(fā)光二極管像素電路，其包括:
[0045]數(shù)據(jù)寫入單元、驅(qū)動(dòng)單元、有機(jī)發(fā)光二極管、第一控制單元、第二控制單元和觸摸偵測單元；其中:
[0046]所述第一控制單元用于在觸摸偵測階段和有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光階段在掃描線的控制下將電源電壓信號(hào)導(dǎo)入數(shù)據(jù)寫入單元，并在有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光階段將有機(jī)發(fā)光二極管和驅(qū)動(dòng)單元導(dǎo)通；
[0047]所述數(shù)據(jù)寫入單元用于在觸摸偵測階段和有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光階段在第一發(fā)光控制線控制下導(dǎo)入電源電壓信號(hào)，并在掃描線及第二發(fā)光控制線的控制下導(dǎo)入數(shù)據(jù)線電壓信號(hào)，同時(shí)還用于為所述驅(qū)動(dòng)單元提供電壓；
[0048]所述觸摸偵測單元用于在觸摸偵測階段在觸摸信號(hào)電平控制線控制下感受觸摸，并產(chǎn)生偵測信號(hào)；
[0049]所述驅(qū)動(dòng)單元用于在觸摸偵測階段在觸摸電平信號(hào)控制線的控制下將所述偵測信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)橛|控輸出信號(hào)，并經(jīng)觸摸偵測單元將觸控輸出信號(hào)輸出到驅(qū)動(dòng)集成電路，同時(shí)驅(qū)動(dòng)單元還用于在有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光階段為所述有機(jī)發(fā)光二極管提供驅(qū)動(dòng)電流；
[0050]所述第二控制單元用于在第三發(fā)光控制線的控制下在有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光階段將所述驅(qū)動(dòng)單元與接地電平導(dǎo)通。
[0051]本實(shí)施例中，如圖1所示，優(yōu)選的，數(shù)據(jù)寫入單元包括第一薄膜晶體管Tl、第三薄膜晶體管T3、第五薄膜晶體管T5、存儲(chǔ)電容Cst和第一電容Cl ;驅(qū)動(dòng)單元包括第四薄膜晶體管T4 ;第一控制單元包括第二薄膜晶體管T2 ;第二控制單元包括第六薄膜晶體管T6 ;觸摸偵測單元包括光電二極管PD、第七薄膜晶體管T7、第八薄膜晶體管T8和第九薄膜晶體管T9。
[0052]具體地，有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽極與電源信號(hào)線DD連接。進(jìn)一步優(yōu)選的，有機(jī)發(fā)光二極管OLED為上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管；
[0053]存儲(chǔ)電容Cst的第一端與第一電容Cl的第一端連接,第一電容Cl的第二端接地；
[0054]第一薄膜晶體管Tl的柵極與第一發(fā)光控制線EMl連接，第一薄膜晶體管Tl的漏極與存儲(chǔ)電容Cst的第二端連接；
[0055]第二薄膜晶體管T2的柵極與掃描信號(hào)線scan連接，第二薄膜晶體管T2的源極與有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陰極連接，第二薄膜晶體管T2的漏極與第一薄膜晶體管Tl的源極連接；
[0056]第三薄膜晶體管T3的柵極與掃描信號(hào)線scan連接，第三薄膜晶體管T3的源極與數(shù)據(jù)信號(hào)線data連接，第三薄膜晶體管T3的漏極連接存儲(chǔ)電容Cst的第一端，同時(shí)連接第一電容Cl的第一端；
[0057]第四薄膜晶體管T4的柵極與存儲(chǔ)電容Cst第二端連接，同時(shí)與第一薄膜晶體管Tl的漏極連接，第四薄膜晶體管T4的源極與第二薄膜晶體管T2的漏極連接；
[0058]第五薄膜晶體管T5的柵極與第二發(fā)光控制線EM2連接，第五薄膜晶體管T5的源極與第三薄膜晶體管T3的漏極連接，第五薄膜晶體管T5的漏極與第四薄膜晶體管T4的源極；
[0059]第六薄膜晶體管T6的漏極接地，第六薄膜晶體管T6的柵極與第三發(fā)光控制線EM3連接，第六薄膜晶體管T6的源極與第五薄膜晶體管Τ5的漏極連接，同時(shí)連接第四薄膜晶體管Τ4的源極；
[0060]光電二極管ro的陰極與第四薄膜晶體管T4的柵極連接，同時(shí)與存儲(chǔ)電容Cst的第二端連接，陽極與第七薄膜晶體管T7的源極連接；
[0061]第七薄膜晶體管T7的漏極接地，第七薄膜晶體管T7的柵極與觸摸信號(hào)電平控制線select連接；
[0062]第八薄膜晶體管T8的源極與第四薄膜晶體管T4的漏極連接，第八薄膜晶體管T8的漏極與傳感器線sensor line連接，第八薄膜晶體管T8的柵極與觸摸信號(hào)電平控制線select 連接；
[0063]第九薄膜晶體管T9的源極與電源信號(hào)線DD連接，第九薄膜晶體管T9的漏極與第一薄膜晶體管Tl的源極連接，第九薄膜晶體管T9的柵極與觸摸信號(hào)電平控制線select連接。
[0064]在本實(shí)施例中，第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管優(yōu)選為P型薄膜晶體管，第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管、第七薄膜晶體管、第八薄膜晶體管、第九薄膜晶體管優(yōu)選為N型薄膜晶體管。
[0065]需要說明的是，在本實(shí)施例中也可以把第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和第四薄膜晶體管選定為N型薄膜晶體管，第三薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管、第七薄膜晶體管、第八薄膜晶體管、第九薄膜晶體管選定為P型薄膜晶體管，此時(shí)其像素電路圖如圖3所示,相應(yīng)地其時(shí)序圖如圖4所示。
[0066]顯然，為了實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管的導(dǎo)通或關(guān)斷的功能，可以通過改變?cè)摫∧ぞw管的控制電平的高低和相應(yīng)地改變?cè)摫∧ぞw管的類型來實(shí)現(xiàn)。如第五薄膜晶體管為N型時(shí)在高電平控制下導(dǎo)通，也可以把其改變?yōu)镻型管而在低電平控制下導(dǎo)通。遵照此思路也可以改變本實(shí)施例中某個(gè)單元中的受同一個(gè)電平控制信號(hào)控制的各薄膜晶體管的類型，只要保證該單元實(shí)現(xiàn)其原有的功能及不影響其他器件發(fā)揮其原有功能即可，在這種情況下也可以實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的目的。
[0067]優(yōu)選的，各薄膜晶體管為多晶硅薄膜晶體管、單晶硅薄膜晶體管、氧化物薄膜晶體管、有機(jī)薄膜晶體管中的任意一種。
[0068]本實(shí)用新型的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路包括光電二極管，其使得顯示屏具有能夠直接感知觸摸所產(chǎn)生的信號(hào)的能力，從而使得像素的控制電路更為簡單，工藝步驟得到簡化，進(jìn)而提高了生產(chǎn)效率以及產(chǎn)品良率，最重要是有利于降低生產(chǎn)成本。同時(shí)，本實(shí)用新型的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路能夠補(bǔ)償薄膜晶體管的閾值電壓的非均勻性，從而能夠提高有機(jī)發(fā)光顯示器的畫面均勻性。另外，采用上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管有利于提高像素的開口率以及生產(chǎn)工藝上減少了兩層氧化銦錫薄膜能有效提高光透過率，從而提升了顯示屏的顯不品質(zhì)。
[0069]結(jié)合圖1，有機(jī)發(fā)光二極管像素電路的驅(qū)動(dòng)方法包括觸摸信號(hào)偵測階段和驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)光階段，如圖2所示，其工作過程如下:
[0070]階段1:觸摸信號(hào)偵測階段，其具體包括:
[0071]階段101:初始化階段，其等效電路圖如圖5所示，其中掃描信號(hào)線scan為低電平，控制第二薄膜晶體管T2導(dǎo)通及第三薄膜晶體管T3截止；第一發(fā)光控制線EMl為低電平，控制第一薄膜晶體管Tl導(dǎo)通；第二發(fā)光控制線EM2為低電平，控制第五薄膜晶體管T5截止；第三發(fā)光控制線EM3為低電平，控制第六薄膜晶體管T6截止；觸摸信號(hào)電平控制線select控制觸摸信號(hào)偵測模塊關(guān)閉。
[0072]從而，電源信號(hào)經(jīng)由有機(jī)發(fā)光二極管0LED，第二薄膜晶體管T2，第一薄膜晶體管Tl傳輸給存儲(chǔ)電容Cst第二端，對(duì)存儲(chǔ)電容Cst進(jìn)行充電，B點(diǎn)電壓為VDD-Vtholed，VDD為電源信號(hào)線電壓，Vtholed為有機(jī)發(fā)光二極管OLED的開啟電壓。
[0073]階段102:數(shù)據(jù)電壓信號(hào)寫入階段，其等效電路圖如圖6所示，其中掃描信號(hào)線scan為高電平，控制第二薄膜晶體管T2截止及第三薄膜晶體管T3打開；觸摸信號(hào)電平控制線select為低電平，控制觸摸信號(hào)偵測模塊關(guān)閉；第一發(fā)光控制線EMl為高電平，控制第一薄膜晶體管Tl截止；第二發(fā)光控制線EM2為低電平，控制第五薄膜晶體管T5截止；第三發(fā)光控制線EM3為低電平，控制第六薄膜晶體管T6截止。B點(diǎn)懸空，數(shù)據(jù)電壓信號(hào)經(jīng)由第三薄膜晶體管T3寫入A點(diǎn)，數(shù)據(jù)線電壓信號(hào)傳輸給存儲(chǔ)電容Cst第一端，B點(diǎn)電壓升高到Vdata+VDD-VthoIed, Vdata為數(shù)據(jù)信號(hào)線電壓。
[0074]階段103:偵測觸摸產(chǎn)生的信號(hào)階段，其等效電路圖如圖7所示，其中掃描信號(hào)線scan為低電平，控制第二薄膜晶體管T2導(dǎo)通及第三薄膜晶體管T3截止；觸摸信號(hào)電平控制線select為高電平，控制觸摸信號(hào)偵測模塊導(dǎo)通；第一發(fā)光控制線EMl為高電平，控制第一薄膜晶體管Tl截止；第二發(fā)光控制線EM2為低電平，控制第五薄膜晶體管T5截止；第三發(fā)光控制線EM3為低電平，控制第六薄膜晶體管T6截止。
[0075]從而，電源信號(hào)經(jīng)由第九薄膜晶體管T9管寫入C點(diǎn)，第四薄膜晶體管T4的漏極與C點(diǎn)連接，其電壓為VDD，B點(diǎn)電壓為Vdata+VDD-Vtholed。此時(shí)，如果光電二極管H)處于光照下，存儲(chǔ)電容Cst上的電荷由于光電二極管ro受光照所產(chǎn)生的漏電流而大幅減少，導(dǎo)致B點(diǎn)電壓大幅下降，B點(diǎn)電壓下降會(huì)導(dǎo)致流經(jīng)第四薄膜晶體管T4的電流減小。如果光電二極管ro處于觸摸(此時(shí)光線減弱或無光照)之下，相對(duì)于上述光電二極管處在光照下的情況，其會(huì)產(chǎn)生較小的漏電流或者沒有漏電流(即產(chǎn)生偵測信號(hào))產(chǎn)生，相應(yīng)地，流經(jīng)第四薄膜晶體管T4的電流會(huì)小幅變小或者不發(fā)生變化。上述流經(jīng)第四薄膜晶體管T4的電流(也即觸控輸出信號(hào))經(jīng)第八薄膜晶體管T8并由傳感器線sensor line傳輸?shù)津?qū)動(dòng)集成電路(圖1中未示出)進(jìn)行偵測解析。
[0076]階段2:驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)光階段
[0077]在該階段內(nèi)，觸摸信號(hào)電平控制線select控制觸摸信號(hào)偵測模塊關(guān)閉，該階段具體包括:
[0078]階段201:預(yù)充電階段，其等效電路圖如圖8所示，其中掃描信號(hào)線scan為低電平，控制第二薄膜晶體管T2導(dǎo)通及第三薄膜晶體管T3截止；第一發(fā)光控制線EMl為低電平，控制第一薄膜晶體管Tl導(dǎo)通；第二發(fā)光控制線EM2為低電平，控制第五薄膜晶體管T5截止；第三發(fā)光控制線EM3為低電平，控制第六薄膜晶體管T6截止。第四薄膜晶體管T4進(jìn)入飽和狀態(tài)，實(shí)為一個(gè)二極體。
[0079]階段202:數(shù)據(jù)電壓信號(hào)寫入階段，其等效電路圖如圖9所示，其中掃描信號(hào)線scan為高電平，控制第二薄膜晶體管T2截止及第三薄膜晶體管T3導(dǎo)通；第一發(fā)光控制線EMl為低電平，控制第一薄膜晶體管Tl導(dǎo)通；第二發(fā)光控制線EM2為高電平，控制第五薄膜晶體管T5導(dǎo)通；第三發(fā)光控制線EM3為低電平，控制第六薄膜晶體管T6截止。此時(shí)由于第四薄膜晶體管T4為已進(jìn)入飽和狀態(tài)的二極體，數(shù)據(jù)電壓信號(hào)傳輸給存儲(chǔ)電容Cst第一端，存儲(chǔ)電容Cst的壓降為第四薄膜晶體管的閾值電壓Vth4，第四薄膜晶體管T4的柵極電壓為Vdata+Vth4,源極與存儲(chǔ)電容容Cst第一端相連接，其電壓為數(shù)據(jù)信號(hào)電壓Vdata。
[0080]階段203:有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光階段，其等效電路圖如圖10所示，其中掃描信號(hào)線scan為低電平，控制第二薄膜晶體管T2導(dǎo)通及第三薄膜晶體管T3截止；第一發(fā)光控制線EMl為高電平，控制第一薄膜晶體管Tl截止；第二發(fā)光控制線EM2為低電平，控制第五薄膜晶體管T5截止；第三發(fā)光控制線EM3為高電平，控制第六薄膜晶體管T6導(dǎo)通。此時(shí)第四薄膜晶體管T4的源極接地,其柵極電壓仍為Vdata+Vth4,即柵源電壓Vgs=Vdata+Vth4,同時(shí)，流經(jīng)第四薄膜晶體管T4的電流也是流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管OLED的電流，該電流可表示為:[0081 ] I=K (Vgs~Vth4) 2=K (Vdata+Vth4~Vth4) 2=K (Vdata)2
[0082]由上式可知，該電流與第四薄膜晶體管Τ4的閾值電壓Vth4和有機(jī)發(fā)光二極管OLED兩端的電壓無關(guān)，基本消除了閾值電壓非均勻性、漂移以及有機(jī)發(fā)光二極管OLED電氣性能非均勻性的影響，因此流經(jīng)第四薄膜晶體管T4的電流具有均勻性，從而流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管OLED電流也具有均勻性，而有機(jī)發(fā)光二極管是電流型發(fā)光器件，由此有機(jī)發(fā)光二極管的亮度具有均勻性，進(jìn)而提高了有機(jī)發(fā)光顯示屏的畫面的亮度均勻性。
[0083]需要說明的是，在階段202數(shù)據(jù)信號(hào)線電壓可以是一個(gè)范圍，即在一定范圍內(nèi)的數(shù)據(jù)信號(hào)線電壓均能使第四薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光。
[0084]還需要說明的是，在有機(jī)發(fā)光二極管像素電路工作過程中，由于像素電路對(duì)輸入信號(hào)的反應(yīng)十分迅速，因此上述階段I和階段2之間的切換時(shí)間是極其短暫的，即偵測觸摸產(chǎn)生的信號(hào)與驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光從而顯示所需內(nèi)容是在極短的時(shí)間內(nèi)完成的。
[0085]上述有機(jī)發(fā)光二極管像素電路的驅(qū)動(dòng)方法控制信號(hào)少，時(shí)序簡單，電路容易實(shí)現(xiàn)，方便實(shí)用。
[0086]實(shí)施例2:
[0087]本實(shí)施例提供一種顯示裝置，其包括上述的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路，當(dāng)然還包括如基板等已知的結(jié)構(gòu)。所述顯示裝置可以為OLED顯示裝置或者使用OLED顯示技術(shù)的手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0088]本實(shí)施例的顯示裝置由于包括上述的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路，因此顯示裝置的整體厚度更薄，重量更輕，生產(chǎn)成本也會(huì)進(jìn)一步降低。通過在每個(gè)亞像素中設(shè)置上述電路可以明顯地提高顯示屏感受觸摸的靈敏度，而且由于光電二極管是通過感受光線變化來工作的，所以能夠在顯示屏幕上實(shí)現(xiàn)浮動(dòng)觸摸。
[0089]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本實(shí)用新型的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本實(shí)用新型并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本實(shí)用新型的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管像素電路，其特征在于，包括數(shù)據(jù)寫入單元、驅(qū)動(dòng)單元、有機(jī)發(fā)光二極管、第一控制單元、第二控制單元和觸摸偵測單元；其中: 所述第一控制單元用于在觸摸偵測階段和有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光階段在掃描線的控制下將電源電壓信號(hào)導(dǎo)入數(shù)據(jù)寫入單元，并在有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光階段將有機(jī)發(fā)光二極管和驅(qū)動(dòng)單元導(dǎo)通； 所述數(shù)據(jù)寫入單元用于在觸摸偵測階段和有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光階段在第一發(fā)光控制線控制下導(dǎo)入電源電壓信號(hào)，并在掃描線及第二發(fā)光控制線的控制下導(dǎo)入數(shù)據(jù)線電壓信號(hào)，同時(shí)還用于為所述驅(qū)動(dòng)單元提供電壓； 所述觸摸偵測單元用于在觸摸偵測階段在觸摸信號(hào)電平控制線控制下感受觸摸，并產(chǎn)生偵測信號(hào)； 所述驅(qū)動(dòng)單元用于在觸摸偵測階段在觸摸電平信號(hào)控制線的控制下將所述偵測信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)橛|控輸出信號(hào)，并經(jīng)觸摸偵測單元將觸控輸出信號(hào)輸出到驅(qū)動(dòng)集成電路，同時(shí)驅(qū)動(dòng)單元還用于在有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光階段為所述有機(jī)發(fā)光二極管提供驅(qū)動(dòng)電流； 所述第二控制單元用于在第三發(fā)光控制線的控制下在有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光階段將所述驅(qū)動(dòng)單元與接地電平導(dǎo)通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽極與電源連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路，其特征在于，所述數(shù)據(jù)寫入單元包括:第一薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、存儲(chǔ)電容和第一電容；其中， 所述第一薄膜晶體管的柵極與第一發(fā)光控制線連接，所述第一薄膜晶體管的漏極與所述存儲(chǔ)電容的第二端連接； 所述第三薄膜晶體管的柵極與掃描信號(hào)線連接，所述第三薄膜晶體管的源極與數(shù)據(jù)信號(hào)線連接，所述第三薄膜晶體管的漏極連接所述存儲(chǔ)電容的第一端； 所述第五薄膜晶體管的柵極與第二發(fā)光控制線連接，所述第五薄膜晶體管的源極與所述第三薄膜晶體管的漏極連接，所述第五薄膜晶體管的漏極與所述驅(qū)動(dòng)單元連接； 所述第一電容的第一端與存儲(chǔ)電容的第一端連接，所述第一電容的第二端接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路，其特征在于，所述第一控制單元包括第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管的柵極與掃描信號(hào)線連接，源極與所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極連接，漏極與所述數(shù)據(jù)寫入單元中的第一薄膜晶體管的源極連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)單元包括第四薄膜晶體管，所述第四薄膜晶體管的柵極與所述存儲(chǔ)電容第二端和所述數(shù)據(jù)寫入單元的第一薄膜晶體管的漏極連接，所述第四薄膜晶體管的源極與所述第二薄膜晶體管的漏極連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路，其特征在于，所述第二控制單元包括第六薄膜晶體管，第六薄膜晶體管的漏極接地，第六薄膜晶體管的柵極與第三發(fā)光控制線連接，第六薄膜晶體管的源極與所述數(shù)據(jù)寫入單元中的所述第五薄膜晶體管的漏極連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路，其特征在于，所述觸摸偵測單元包括光電二極管、第七薄膜晶體管、第八薄膜晶體管和第九薄膜晶體管，其中:所述光電二極管的陰極與所述第四薄膜晶體管的柵極連接，同時(shí)與所述數(shù)據(jù)寫入單元中的所述存儲(chǔ)電容的第二端的連接，所述光電二極管的陽極與所述第七薄膜晶體管的源極連接； 所述第七薄膜晶體管的漏極接地，所述第七薄膜晶體管的柵極與觸摸電平信號(hào)控制線連接； 所述第八薄膜晶體管的源極與所述第四薄膜晶體管的漏極連接，所述第八薄膜晶體管的漏極與傳感器線連接，所述第八薄膜晶體管的柵極與觸摸電平信號(hào)控制線連接； 所述第九薄膜晶體管的源極與電源信號(hào)線連接，所述第九薄膜晶體管的漏極與所述數(shù)據(jù)寫入單元中的所述第一薄膜晶體管的源極連接，所述第九薄膜晶體管的柵極與所述觸摸電平信號(hào)控制線連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管像素的電路，其特征在于，所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管是P型薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管、第七薄膜晶體管、第八薄膜晶體管、第九薄膜晶體管是N型薄膜晶體管； 或所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和第四薄膜晶體管是N型薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管、第七薄膜晶體管、第八薄膜晶體管、第九薄膜晶體管是P型薄膜晶體管。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的 有機(jī)發(fā)光二極管像素電路，其特征在于，所述第一至第九薄膜晶體管為多晶硅薄膜晶體管、單晶硅薄膜晶體管、氧化物薄膜晶體管、有機(jī)薄膜晶體管中的任意一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光二極管為上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管。
11.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1至10任意一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路。
【文檔編號(hào)】G09G3/32GK203502926SQ201320464987
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年7月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月31日
【發(fā)明者】周全國, 祁小敬 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司