顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提出一種顯示面板,其包括移位寄存器。在移位寄存器內(nèi)依序串接的多個(gè)移位寄存單元的每一者中,對于第一開關(guān)而言,其控制與輸出端分別耦接第一節(jié)點(diǎn)與輸出節(jié)點(diǎn),且其輸入端接收第一時(shí)脈信號。對于第二開關(guān)而言,其輸入與輸出端分別耦接第二開關(guān)的控制端以及第一節(jié)點(diǎn)。對于第三開關(guān)而言,其控制端耦接第一節(jié)點(diǎn),且其輸入端接收時(shí)脈信號。第一電容器耦接第三開關(guān)的輸出端與第一節(jié)點(diǎn)之間。對于第四開關(guān)而言,其輸入端耦接第一節(jié)點(diǎn),且其輸出端耦接低電壓端。對于一當(dāng)前移位寄存單元而言,第二開關(guān)的控制端接收由先前移位寄存單元所產(chǎn)生的輸出信號。
【專利說明】顯示面板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種移位寄存器,特別是有關(guān)于一種移位寄存器,用于顯示面板的柵極驅(qū)動器。
【背景技術(shù)】
[0002]一般而言,在有源式陣列顯示裝置中,用來驅(qū)動像素陣列的柵極驅(qū)動器包括移位寄存器。移位寄存器包括多個(gè)移位寄存單元以產(chǎn)生多個(gè)輸出信號,而這些輸出信號分別通過柵極線來驅(qū)動像素陣列。對于每一輸出信號而言,當(dāng)輸出信號的脈波的下降緣具有較快的轉(zhuǎn)態(tài)速度時(shí),可能會引起人眼可見的閃爍。尤其是在較高解析度的顯示下,由于在柵極線的遠(yuǎn)端與近端之間電壓下降速度具有顯著的不平衡,使得上述閃爍狀況變?yōu)楦訃?yán)重。而上述在柵極線的遠(yuǎn)端與近端之間電壓下降速度的差異是由較大的時(shí)間常數(shù)所引起(包括在柵極線上的寄生電阻以及寄生電容)。
[0003]因此,期望提供一種移位寄存器,其能產(chǎn)生具有適當(dāng)轉(zhuǎn)態(tài)速度的多個(gè)輸出信號,以便最小化在柵極線的遠(yuǎn)端與近端之間電壓下降速度的不平衡。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示面板。此顯示面板包括多個(gè)源極線、多個(gè)柵極線、多個(gè)像素單元、源極驅(qū)動器、以及柵極驅(qū)動器。這些柵極線與這些源極線交錯(cuò)。這些像素單元配置形成顯示陣列。每一像素單元對應(yīng)一組交錯(cuò)的源極線以及漏極線。源極驅(qū)動器耦接這些源極線,用以通過這些源極線提供多個(gè)數(shù)據(jù)信號至顯示陣列。柵極驅(qū)動器耦接這些柵極線。柵極驅(qū)動器具有至少一移位寄存器,用以產(chǎn)生多個(gè)輸出信號,且通過這些柵極線將輸出信號提供至該顯示陣列。移位寄存器包括依序串接的多個(gè)移位寄存單元。每一移位寄存單元由第一時(shí)脈信號以于輸出節(jié)點(diǎn)上產(chǎn)生輸出信號。串接的這些移位寄存單元所產(chǎn)生的多個(gè)輸出信號依序地被致能。這些移位寄存單元的每一者包括第一開關(guān)、第二開關(guān)、第三看關(guān)、第一電容器、第四開關(guān)、以及第二電容器。第一開關(guān)具有耦接第一節(jié)點(diǎn)的控制端、接收第一時(shí)脈信號的輸入端、以及耦接輸出節(jié)點(diǎn)的輸出端。第二開關(guān)具有控制端、耦接第二開關(guān)的控制端的輸入端、以及耦接第一節(jié)點(diǎn)的輸出端。第三開關(guān)具有耦接第一節(jié)點(diǎn)的控制端、接收第一時(shí)脈信號的輸入端、以及輸出端。第一電容器耦接第三開關(guān)的輸出端與第一節(jié)點(diǎn)之間。第四開關(guān)具有控制端、耦接第一節(jié)點(diǎn)的輸入端、以及耦接低電壓端的輸出端。第二電容器耦接于輸出節(jié)點(diǎn)與接地端之間。對于這些移位寄存單元中的一當(dāng)前移位寄存單元而言,第二開關(guān)的控制端接收由在當(dāng)前移位寄存單元先前的移位寄存單元所產(chǎn)生的輸出信號。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0005]圖1表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的移位寄存器;
[0006]圖2表示圖1的移位寄存器中,多個(gè)移位寄存單元的示范例子;
[0007]圖3表示關(guān)于圖2的移位寄存單元的時(shí)脈信號以及輸出信號的時(shí)序以及電壓信號的波形;
[0008]圖4表不在圖1的移位寄存器中一移位寄存單兀的一不范實(shí)施例;
[0009]圖5表示在圖4的移位寄存單元中放電電路的一示范實(shí)施例;
[0010]圖6表不在圖1的移位寄存器中另一移位寄存單兀的一不范實(shí)施例;
[0011]圖7表示在圖4的移位寄存單元中放電電路的另一示范實(shí)施例;
[0012]圖8表示在圖4的移位寄存單元中放電電路的又一示范實(shí)施例;
[0013]圖9表示在圖4的移位寄存單元中放電電路的另一示范實(shí)施例;
[0014]圖10表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例而使用圖1的移位寄存器的顯示面板;
[0015]圖11表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例而使用圖10的顯示面板的顯示裝置;以及
[0016]圖12表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例而使用圖11的顯示裝置的電子裝置。
[0017]圖中元件標(biāo)號說明:
[0018]I~移位寄存器;
[0019]10 (I)...10 (N-1)、10 (N)、10 (N+1)、…10 (M)~移位寄存單元;
[0020]11~顯示裝置;12~電子裝置;
[0021]30…34~時(shí)間點(diǎn);40~放電電路;
[0022]41~低電壓端;70~高電壓端;
[0023]100~顯示面板;101~源極驅(qū)動器;
[0024]102~柵極驅(qū)動器;103~顯示陣列;
[0025]104 (I)...104 (X)~源極線;105 (I)...105 (M)~柵極線;
[0026]10~控制器;120~輸入單元;
[0027]1030~像素單元;Cl、C2、CL~電容器;
[0028]CLK1、CLK2~時(shí)脈信號;GND~接地電壓;
[0029]N1、N2~節(jié)點(diǎn);OUT(N)~輸出節(jié)點(diǎn);
[0030]R⑴…R(N-2)、R(N_1)、R(N)、R(N+1)…R(M)~輸出信號;
[0031]Tl、T2、T3、T4、T5、T5,、T6、T7、T8a、T8a,、T8b、T9、TlO ~晶體管;
[0032]VGH~高電壓電位;VGL~低電壓電位;
[0033]V(N)~電壓信號;Vth~臨界電壓;
[0034]AVG~電壓差。
【具體實(shí)施方式】
[0035]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉一較佳實(shí)施例,并配合附圖,作詳細(xì)說明如下。
[0036]圖1表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的移位寄存器。參閱圖1,移位寄存器I包括多個(gè)移位寄存單元10 (I)~10 (M),且根據(jù)至少一時(shí)脈信號CLKl而操作,其中,M為一正整數(shù)。移位寄存單元10⑴~IO(M)依序地串接,且分別產(chǎn)生輸出信號R(I)~R(M)。輸出信號R(I)~R(M)依序地被致能。圖2是表示在移位寄存器I的移位寄存單元10(1)~IO(M)中的三個(gè)示范移位寄存單元。參閱圖2,移位寄存單元10(1)~10 (M)中第(N-1)個(gè)至第(N+1)個(gè)移位寄存單元IO(N-1)~10(N+1)的每一者接收時(shí)脈信號CLK1、由先前移位寄存單元所產(chǎn)生的輸出信號、以及由后續(xù)移位寄存單元所產(chǎn)生的輸出信號,以產(chǎn)生對應(yīng)的輸出信號,其中,N為一正整數(shù)且3 ^ N ^ M-2。舉例來說,第N個(gè)移位寄存單元IO(N)接收時(shí)脈信號CLK1、由第(N-1)個(gè)移位寄存單元IO(N-1)所產(chǎn)生的傳遞信號R(N-1)、以及由第(N+1)個(gè)移位寄存單元10(N+1)所產(chǎn)生的傳遞信號R (N+1),并產(chǎn)生輸出信號R (N)。由第N個(gè)移位寄存單元IO(N)所產(chǎn)生的輸出信號R(N)則提供至(N+1)個(gè)移位寄存單元10 (N+1)。根據(jù)圖2的實(shí)施例中由第N個(gè)移位寄存單元IO(N)所呈現(xiàn)的時(shí)脈信號以及傳遞信號的接收規(guī)則,由移位寄存單元10(1)~IO(M)中的第I個(gè)移位寄存單元10(1)所接收的先前輸出信號,可能是由移位寄存單元10(1)~IO(M)中的第M個(gè)移位寄存單元IO(M)所產(chǎn)生,或者可能由移位寄存器I中的其他電路所產(chǎn)生;由移位寄存單元10(1)~IO(M)中的第M個(gè)移位寄存單元IO(M)所接收之后續(xù)輸出,可能是由移位寄存單元10(1)~IO(M)中的第I個(gè)移位寄存單元10(1)所產(chǎn)生,或者可能由移位寄存器I中的其他電路所產(chǎn)生。移位寄存器I可以非晶娃(amorphous silicon)技術(shù)、低溫多晶娃(low temperature poly-silicon)技術(shù)、或是氧化薄膜晶體管(oxide thin film transistor)技術(shù)等等來制程處理。
[0037]圖3是表不時(shí)脈信號CLKl的時(shí)序、時(shí)脈信號CLK2的時(shí)序、輸出信號R(N-1)~R(N+1)的時(shí)序、以及由移位寄存單元10(1)~IO(M)中的第N個(gè)移位寄存單元IO(N)所產(chǎn)生的電壓信號V(N)的波形。時(shí)脈信號CLKl與CLK2的每一者都在高電壓電位VGH與第一電壓電位VGL之間切換。如圖3所示,時(shí)脈信號CLK2與時(shí)脈信號CLKl彼此互補(bǔ)。輸出信號R(N-1)~R(N+1)依序地被致能(高電壓電位VGH)。
[0038]于下文中,以第N個(gè)移位寄存單元IO(N)為例來說明本發(fā)明的技術(shù)方案。
[0039]圖4表示第N個(gè)移位寄存單元10 (N)的一示范實(shí)施例。參閱圖4,第N個(gè)移位寄存單元10 (N)包括開關(guān)Tl~T4、兩個(gè)電容器Cl與CL、以及放電電路40。開關(guān)Tl~T4的每一者都具有一控制端、一輸入端、以及一輸出端。在圖4中,開關(guān)Tl~T4是以N型晶體管來實(shí)施。對于開關(guān)Tl~T4的每一者而言,控制端、輸入端、以及輸出端分別對應(yīng)N型晶體管的柵極、漏極、以及源極。如圖4所示,晶體管Tl的柵極耦接節(jié)點(diǎn)NI,其漏極接收時(shí)脈信號CLKl,且其源極耦接輸出信號R(N)所產(chǎn)生之處,即耦接輸出節(jié)點(diǎn)OUT (N)。電容器CL耦接于輸出節(jié)點(diǎn)OUT(N)與接地端GND之間。晶體管T2的柵極以及漏極接收由接收由第(N-1)個(gè)移位寄存單元IO(N-1)所產(chǎn)生的輸出信號R(N-1),且其源極耦接節(jié)點(diǎn)NI。根據(jù)晶體管T2的連接架構(gòu),晶體管T2的動作如同一`個(gè)二極管。晶體管T3柵極耦接節(jié)點(diǎn)NI,且其漏極接收時(shí)脈信號CLKl。電容器Cl耦接于晶體管T3的源極與節(jié)點(diǎn)NI之間。晶體管T4的柵極接收由第(N+1)個(gè)移位寄存單元10(N+1)所產(chǎn)生的輸出信號S (N+1),其漏極耦接節(jié)點(diǎn)NI,且其源極耦接低電壓端41。放電電路40接于低電壓端41與輸出節(jié)點(diǎn)OUT(N)之間。在此實(shí)施例中,低電壓端41提供具有低電壓電位VGL的電壓。電壓信號V(N)產(chǎn)生于節(jié)點(diǎn)NI。
[0040]第(N)個(gè)移位寄存單元10 (N)的操作將參照圖3與圖4來說明。在時(shí)間點(diǎn)30,晶體管T2由輸出信號R(N-1)所導(dǎo)通。具有高電壓電位VGH的輸出信號R(N-1通過導(dǎo)通的晶體管T2而傳送至節(jié)點(diǎn)NI。如上所述,晶體管T2的動作如同一個(gè)二極管。因此,在時(shí)間點(diǎn)30至?xí)r間點(diǎn)31的期間中,在節(jié)點(diǎn)NI上的輸出信號V (N)的電壓電位增加至電壓電位(VGH-Vth),以導(dǎo)通晶體管Tl,其中,Vth表示晶體管T2的臨界電壓。此外,晶體管Tl由具有電壓電位(VGH-Vth)的電壓信號V(N)導(dǎo)通。由于時(shí)脈信號CLK處于低電壓電位VGL,輸出信號R(N)處于低電壓電位VGL (即輸出信號R(N)處于一禁能狀態(tài))。
[0041]在時(shí)間點(diǎn)31,時(shí)脈信號CLKl切換至高電壓電位VGH。在時(shí)間點(diǎn)31至?xí)r間點(diǎn)32的期間中,通過電容器Cl的饋通效應(yīng),電壓信號V (N)快速地以高電壓電位VGH與低電壓電位VGL之間的電壓差A(yù)VG ( Λ VG=VGH-VGL)來增加,換句話說,電壓信號V(N)的電壓電位增加至(VGH-Vth+AVG)。由于電壓信號V(N)的上升緣具有較快的轉(zhuǎn)態(tài)速度,因此晶體管Tl的溝道電阻較小。此時(shí),晶體管Tl的溝道電阻以及電容器CL的電容所決定的時(shí)間常數(shù)較小。因此,電容器CL快速地充電,使得輸出信號R(N)隨著時(shí)脈信號CLK的切換而快速地增加至高電壓電位VGH (致能狀態(tài)),即是輸出信號R(N)的上升緣具有較快的轉(zhuǎn)態(tài)速度。
[0042]在時(shí)間點(diǎn)32,時(shí)脈信號CLKl開始切換為低電壓電位VGL。在時(shí)間點(diǎn)32至?xí)r間點(diǎn)33的期間中,通過電容器Cl的饋通效應(yīng),電壓信號V(N)快速地減少至電壓電位(VGH-Vth)。由于電壓信號V(N)的下降緣具有較快的轉(zhuǎn)態(tài)速度,因此晶體管Tl的溝道電阻較小。此時(shí),晶體管Tl的溝道電阻以及電容器CL的電容所決定的時(shí)間常數(shù)較小。因此,電容器CL緩慢地放電,使得輸出信號R(N)隨著時(shí)脈信號CLK的切換而緩慢地減少至低電壓電位VGL (禁能狀態(tài)),即是輸出信號R(N)的下降緣具有較慢的轉(zhuǎn)態(tài)速度。
[0043]在時(shí)間點(diǎn)33,輸出信號R(N+1)開始切換為高電壓電位VGH以導(dǎo)通晶體管T4。因此,電壓信號V(N)的電壓電位開始減少至低電壓電位VGL。在時(shí)間點(diǎn)33之后,放電電路40將輸出節(jié)點(diǎn)OUT(N)耦接至低電壓端41 (VGL)。如此一來,可以避免由溝道漏電流所以起在輸出端OUT(N)上的額外脈波,使得當(dāng)輸出信號R(N)于時(shí)間點(diǎn)32后被禁能時(shí),輸出信號R(N)可以維持在低電壓電位VGL。
[0044]其他移位寄存單元具有與第N個(gè)移位寄存單元IO(N)相同的電路架構(gòu),且根據(jù)各自的時(shí)脈信號以及接收到的輸出信號來操作。在第(N-1)個(gè)移位寄存單元中IO(N-1)中,晶體管T2的柵極接收由第(N-2)個(gè)移位寄存單元中10(N-2)所產(chǎn)生的輸出信號R(N-2),且晶體管T4的柵極接收由第(N)個(gè)移位寄存單元中IO(N)所產(chǎn)生的輸出信號R(N)。在第(N+1)個(gè)移位寄存單元中10(N+1)中,晶體管T2的柵極接收由第(N)個(gè)移位寄存單元中IO(N)所產(chǎn)生的輸出信號R(N),且晶體管T4的柵極接收由第(N+2)個(gè)移位寄存單元中10(N+2)所產(chǎn)生的輸出信號R(N+1),根據(jù)圖4的移位寄存單元的電路架構(gòu),晶體管Tl的柵極上的電壓信號V(N)的上升緣以及下降緣具有較快的轉(zhuǎn)態(tài)速度。因此,輸出信號R(N)的上升緣的轉(zhuǎn)態(tài)速度較快,而輸出信號R(N)的下降緣的轉(zhuǎn)態(tài)速度較慢。當(dāng)移位寄存器I應(yīng)用時(shí)顯示裝置的柵極驅(qū)動砌石,由于輸出信號R(I)?R(M)的下降緣具有較慢的轉(zhuǎn)態(tài)速度,因此減少了人眼可見的閃爍現(xiàn)象。
[0045]圖5表示在每一移位寄存單元中放電電路40的一示范實(shí)施例。將以移位寄存單元IO(N)為例來說明。參閱圖5,放電電路40包括開關(guān)T5。開關(guān)T5具有一控制端、一輸入端、以及一輸出端。在圖5中,開關(guān)T5是以N型晶體管來實(shí)施。對于開關(guān)T5而言,控制端、輸入端、以及輸出端分別對應(yīng)N型晶體管的柵極、漏極、以及源極。如圖5所示,晶體管T5的柵極接收輸出信號R(N+2),其漏極耦接輸出節(jié)點(diǎn)OUT(N),且其源極耦接低電壓端41(VGL)。參閱圖3與圖5,在時(shí)間點(diǎn)33與時(shí)間點(diǎn)34之間的期間中,輸出信號R(N+1)處于高電壓電位VGH以導(dǎo)通晶體管T5,使得輸出節(jié)點(diǎn)OUT(N)耦接低電壓端41 (VGL)。
[0046]在圖5的實(shí)施例中,第IO(N)個(gè)移位寄存單元IO(N)可更包括一電容器C2。如圖6所示,電容器C2的一端接收時(shí)脈信號CLK,且其另一端耦接節(jié)點(diǎn)NI。時(shí)脈信號CLK2與時(shí)脈信號CLKl彼此互補(bǔ)。如此一來,當(dāng)輸出信號R(N)于時(shí)間點(diǎn)32后處于禁能狀態(tài)時(shí),時(shí)脈信號CLK2通過電容器C2耦接節(jié)點(diǎn)NI,以抑制具有高電壓電位VGH的時(shí)脈信號CLKl所引起的脈波跳動。
[0047]圖7是表不在每一移位寄存單兀中放電電路40的另一不范實(shí)施例。將以移位寄存單元IO(N)為例來說明。參閱圖7,放電電路40包括兩開關(guān)T5’、T6、T7、與T8a。開關(guān)T5’、T6、T7、與T8a的每一者都具有一控制端、一輸入端、以及一輸出端。在圖7中,開關(guān)T5’、T6、Τ7、與T8a是以N型晶體管來實(shí)施。對于開關(guān)T5’、T6、T7、與T8a的每一者而言,控制端、輸入端、以及輸出端分別對應(yīng)N型晶體管的柵極、漏極、以及源極。如圖7所示,晶體管T5’的柵極耦接節(jié)點(diǎn)N2,其漏極耦接輸出節(jié)點(diǎn)OUT (N),且其源極耦接低電壓端41 (VGL)。晶體管T6的柵極接收后續(xù)移位寄存單元所產(chǎn)生的輸出信號。在此實(shí)施例中,晶體管T6的柵極接收來自第(N+1)個(gè)移位寄存單元10 (N+1)的輸出信號R(N+1)。此外,晶體管T6的漏極耦接節(jié)點(diǎn)NI,且其源極耦接低電壓端41 (VGL)。晶體管T7的柵極耦接節(jié)點(diǎn)NI,其漏極耦接節(jié)點(diǎn)N2,且其源極耦接低電壓端41 (VGL)。晶體管TSa的柵極以及漏極耦接高電壓端70,且其源極耦接節(jié)點(diǎn)N2。在此實(shí)施例中,高電壓端70提供具有高電壓電位VGH的電壓。如此一來,晶體管TSa總是被導(dǎo)通。需注意,在圖7的實(shí)施例中,晶體管T4的柵極是改為耦接節(jié)點(diǎn)N2,而不是如同圖4的實(shí)施例般接收輸出信號R(N+1)。參閱圖3與圖7,在時(shí)間點(diǎn)33至?xí)r間點(diǎn)34的期間中,輸出信號R(N+1)處于高電壓電位VGH以導(dǎo)通晶體管T6,且在節(jié)點(diǎn)NI上的傳遞信號S(N)的電壓電位減小以關(guān)閉晶體管T7。此時(shí),在節(jié)點(diǎn)N2上的電壓電位通過導(dǎo)通的晶體管TSa并根據(jù)高電壓電位VGH而處于高電位,以導(dǎo)通晶體管T4與T5’,因此,節(jié)點(diǎn)NI以及輸出節(jié)點(diǎn)OUT(N)耦接低電壓端41 (VGL)。如此一來,可抑制具有高電壓電位VGH的時(shí)脈信號CLKl所引起的脈波跳動,且可避免由溝道漏電流所以起在輸出端OUT(N)上的額外脈波。此外,根據(jù)晶體管T8a的連接架構(gòu),晶體管T8a的動作如同一個(gè)二極管。二極管TSa的陽極以及陰極分別耦接高電壓電位VGH以及節(jié)點(diǎn)N2。二極管87a提供負(fù)臨界值偏移給節(jié)點(diǎn)N2,使得當(dāng)節(jié)點(diǎn)NI以及輸出節(jié)點(diǎn)OUT(N)在時(shí)間點(diǎn)33之后通過晶體管T4與T5’而持續(xù)地耦接低電壓端41 (VGL)時(shí),能增加對高環(huán)境溫度的容忍度。
[0048]圖8表示在每一移位寄存單元中放電電路40的又一示范實(shí)施例。將以移位寄存單元IO(N)為例來說明。參閱圖8,放電電路40包括兩開關(guān)了5’、了6、了7、了8&’、與了813。開關(guān)丁5’36、與了7的連接架構(gòu)與操作已敘述于圖7的實(shí)施例中,因此省略相關(guān)說明。開關(guān)T8a’與T8b的每一者都具有一控制端、一輸入端、以及一輸出端。在圖8的實(shí)施例中,開關(guān)T8a’與T8b是以N型晶體管來實(shí)施。對于開關(guān)T8a’與TSb的每一者而言,控制端、輸入端、以及輸出端分別對應(yīng)N型晶體管的柵極、漏極、以及源極。如圖8所示,晶體管T8a’的柵極以及漏極接收時(shí)脈信號CLK2,且其源極耦接節(jié)點(diǎn)N2。晶體管T8b的漏極耦接時(shí)脈信號CLK2,且其柵極以及源極耦接節(jié)點(diǎn)N2。根據(jù)晶體管T7a’與T8b的連接架構(gòu),晶體管T8a’與T8b的每一者的動作如同一個(gè)二極管。二極管T8a’與TSb并聯(lián)耦接。詳細(xì)來說,二極管T8a’的陽極以及陰極分別耦接二極管TSb的陰極以及陽極。注意到,在高電壓電位VGH以及低電壓電位VGL之間切換的時(shí)脈信號CLK2被提供至二極管T8a’的陽極以及二極管TSb的陰極。參閱圖3與圖8,在時(shí)間點(diǎn)33之后,當(dāng)時(shí)脈信號CLK2處于高電壓電位VGH時(shí),二極管T8a’提供負(fù)臨界值偏移給節(jié)點(diǎn)N2。在時(shí)間點(diǎn)33之后,當(dāng)時(shí)脈信號CLK2處于低電壓電位VGL時(shí),二極管TSb的臨界值則用來補(bǔ)償由二極管T8a’所提供的負(fù)臨界值偏移。
[0049]圖9表示在每一移位寄存單元中放電電路40的一示范實(shí)施例。將以移位寄存單元IO(N)為例來說明。參閱圖9,放電電路40包括開關(guān)T5’、T6、T7、T8a’、T8b、T9、與T10。開關(guān)T5’、T6、T7、T8a’、與T8b的連接架構(gòu)與操作已敘述于圖7與圖8的實(shí)施例中,因此省略相關(guān)說明。開關(guān)T9與TlO的每一者都具有一控制端、一輸入端、以及一輸出端。在圖9中,開關(guān)T9與TlO是以N型晶體管來實(shí)施。對于開關(guān)T9與TlO的每一者而言,控制端、輸入端、以及輸出端分別對應(yīng)N型晶體管的柵極、漏極、以及源極。如圖9所示,晶體管T9的柵極耦接晶體管T2的柵極,其漏極耦接節(jié)點(diǎn)N2,且其源極耦接低電壓端41 (VGL)。晶體管TlO的柵極耦接晶體管T6的柵極,其源極接收時(shí)脈信號CLK2,且其源極耦接節(jié)點(diǎn)N2。根據(jù)晶體管T9與TlO的柵極的連接,晶體管T9的柵極接收來自第(N-1)個(gè)移位寄存單元IO(N-1)的輸出信號R(N-1),且晶體管TlO的柵極接收來自第(N+1)個(gè)移位寄存單元10(N+1)的輸出信號R(N+1)。晶體管T9與TlO用來控制節(jié)點(diǎn)N2的電壓電位以改變晶體管T4與T5’的狀態(tài),借此改善輸出信號R(N)的轉(zhuǎn)態(tài)速度。
[0050]圖10表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示面板。如圖10所示,顯示面板100包括源極驅(qū)動器101、柵極驅(qū)動器102、顯示陣列103、多個(gè)源極線104(1)?104(X)、以及多個(gè)柵極線105 (I)?105 (M),其中X為正整數(shù)。柵極線105 (I)?105 (M)與源極線104 (I)?104 (X)交錯(cuò)。顯示陣列103包括配置成一陣列的多個(gè)像素單元1030,且每一像素單元對應(yīng)一組交錯(cuò)的源極線與柵極線。源極驅(qū)動器101耦接源極線104(1)?104 (X),且用來通過源極線104(1)?104(X)提供數(shù)據(jù)信號至顯示陣列103。柵極驅(qū)動器102耦接?xùn)艠O線105(1)?105(M)。參閱圖10,柵極驅(qū)動器102包括圖1的移位寄存器I。移位寄存器I產(chǎn)生輸出信號R(I)?R(M),且輸出信號R(I)?R(M)分別通過柵極線105(1)?105 (M)而提供至顯示陣列103。在此實(shí)施例中,顯示面板100為一液晶顯示面板。
[0051]圖11表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例而使用上述揭露的顯示面板100的顯示裝置。一般而言,顯示裝置11包括控制器110、圖10所示的顯示面板100等等。控制器110操作性地耦接顯示面板100,且提供控制信號,例如時(shí)脈信號、起始信號、或影像數(shù)據(jù)等等,至顯示面板 100。
[0052]圖12表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例而使用上述描述的顯示裝置11的電子裝置。本發(fā)明的電子裝置12可以是攜帶式裝置,例如個(gè)人數(shù)字助理(personal digital assistant,PDA)、數(shù)碼相機(jī)、顯示監(jiān)控器、筆記本電腦、臺式電腦、移動電話等等類似裝置。一般而言,電子裝置12包括輸入單元120、圖11所示的顯示裝置11等等。此外,輸入單元120操作性地耦接顯示裝置11,且提供輸入信號(例如影像信號)至顯示裝置11。顯示裝置11的控制器110則根據(jù)這些輸入信號來提供控制信號至顯示面板100。
[0053]雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上,然其并非用以限定本發(fā)明,任何本領(lǐng)域技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),當(dāng)可作些許的修改和完善,因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種顯不面板,包括: 多個(gè)源極線; 多個(gè)柵極線,與該多個(gè)源極線交錯(cuò); 多個(gè)像素單元,配置形成一顯示陣列,其中,每一該像素單元對應(yīng)一組交錯(cuò)的源極線和漏極線; 一源極驅(qū)動器,耦接該多個(gè)源極線,用以通過該多個(gè)源極線提供多個(gè)數(shù)據(jù)信號至該顯示陣列;以及 一柵極驅(qū)動器,耦接該多個(gè)柵極線并具有至少一移位寄存器,用以產(chǎn)生多個(gè)輸出信號,且通過該多個(gè)柵極線將該多個(gè)輸出信號提供至該顯示陣列,其中,該移位寄存器包括: 多個(gè)移位寄存單元,該多個(gè)移位寄存單元依序串接,且每一該移位寄存單元由一第一時(shí)脈信號以于一輸出節(jié)點(diǎn)上產(chǎn)生一輸出信號; 其中,串接的該多個(gè)移位寄存單元所產(chǎn)生的該多個(gè)輸出信號依序地被致能,且該多個(gè)移位寄存單元的每一者包括: 一第一開關(guān),具有耦接一第一節(jié)點(diǎn)的控制端、接收該第一時(shí)脈信號的輸入端、以及耦接該輸出節(jié)點(diǎn)的輸出端; 一第二開關(guān),具有控制端、耦接該第二開關(guān)的控制端的輸入端、以及耦接該第一節(jié)點(diǎn)的輸出端; 一第三開關(guān),具有耦接該第一節(jié)點(diǎn)的控制端、接收該第一時(shí)脈信號的輸入端、以及輸出端; 一第一電容器,耦接于該第三開關(guān)的輸出端與該第一節(jié)點(diǎn)之間; 一第四開關(guān),具有控制端、耦接該第一節(jié)點(diǎn)的輸入端、以及耦接一低電壓端的輸出端;以及 一第二電容器,耦接于該輸出節(jié)點(diǎn)與一接地端之間; 其中,對于該多個(gè)移位寄存單元中的一當(dāng)前移位寄存單元而言,該第二開關(guān)的控制端接收由在該當(dāng)前移位寄存單元先前的移位寄存單元所產(chǎn)生的輸出信號。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,對于該當(dāng)前移位寄存單元而言,由該第二開關(guān)的控制端接收由前一個(gè)移位寄存單元所產(chǎn)生的輸出信號,且該第四開關(guān)的控制端接收由后一個(gè)移位寄存單元所產(chǎn)生的輸出信號。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,該多個(gè)移位寄存單元的每一者還包括: 一放電電路,耦接該輸出節(jié)點(diǎn),用以將該第一節(jié)點(diǎn)至該低電壓端; 一第三電容器,具有接收一第二時(shí)脈信號的一第一端以及稱接該第一節(jié)點(diǎn)的一第二端; 其中,該第二時(shí)脈信號與該第一時(shí)脈信號彼此互補(bǔ)。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示面板,其特征在于,對于該當(dāng)前移位寄存單元而言,由該第二開關(guān)的控制端接收由前一個(gè)移位寄存單元所產(chǎn)生的輸出信號,且該第四開關(guān)的控制端接收由后一個(gè)移位寄存單元所產(chǎn)生的輸出信號。
5.如權(quán)利要求3所述的顯示面板,其特征在于,該多個(gè)移位寄存單元的每一者的放電電路包括: 一第五開關(guān),具有耦接該第四開關(guān)的控制端的控制端、耦接該輸出節(jié)點(diǎn)的輸入端、以及耦接該低電壓端的輸出端。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示面板,其特征在于,對于該當(dāng)前移位寄存單元而言,由該第二開關(guān)的控制端接收由前一個(gè)移位寄存單元所產(chǎn)生的輸出信號,且該第四開關(guān)的控制端接收由后一個(gè)移位寄存單元所產(chǎn)生的輸出信號。
7.如權(quán)利要求3所述的顯示面板,其特征在于,該多個(gè)移位寄存單元的每一者的放電電路包括: 一第五開關(guān),具有耦接該第四開關(guān)的控制端于一第二節(jié)點(diǎn)的控制端、耦接該輸出節(jié)點(diǎn)的輸入端、以及耦接該低電壓端的輸出端; 一第六開關(guān),具有控制端、耦接該第一節(jié)點(diǎn)的輸入端、以及耦接該低電壓端的輸出端;一第七開關(guān),具有耦接該第一節(jié)點(diǎn)的控制端、耦接該第二節(jié)點(diǎn)的輸入端、以及耦接該低電壓端的輸出端;以及 一第八開關(guān),具有耦接一高電壓端的控制端、耦接該第八開關(guān)的控制端的輸入端、耦接該第二節(jié)點(diǎn)的輸出端; 其中,對于該當(dāng)前移位寄存單元而言,該第六開關(guān)的柵極接收由在該當(dāng)前移位寄存單元后續(xù)的移位寄存單元所產(chǎn)生的輸出信號。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示面板,其特征在于,對于該當(dāng)前移位寄存單元而言,由該第二開關(guān)的控制端接收由前一個(gè)移位寄存單元所產(chǎn)生的輸出信號,且該第六開關(guān)的控制端接收由后一個(gè)移位寄存單元所產(chǎn)生的輸出信號。
9.如權(quán)利要求3所述的顯示面板,其特征在于,該多個(gè)移位寄存單元的每一者的放電電路包括: 一第五開關(guān),具有耦接該第四開關(guān)`的控制端于一第二節(jié)點(diǎn)的控制端、耦接該輸出節(jié)點(diǎn)的輸入端、以及耦接該低電壓端的輸出端; 一第六開關(guān),具有控制端、耦接該第一節(jié)點(diǎn)的輸入端、以及耦接該低電壓端的輸出端;一第七開關(guān),具有耦接該第一節(jié)點(diǎn)的控制端、耦接該第二節(jié)點(diǎn)的輸入端、以及耦接該低電壓端的輸出端; 一第八開關(guān),具有接收一第二時(shí)脈信號的控制端、耦接該第八開關(guān)的控制端的輸入端、耦接該第二節(jié)點(diǎn)的輸出端;以及 一第九開關(guān),具有耦接該第二節(jié)點(diǎn)的控制端、接收該第二時(shí)脈信號的輸入端、耦接該第九開關(guān)的控制端的輸出端; 其中,對于該當(dāng)前移位寄存單元而言,該第六開關(guān)的柵極接收由該當(dāng)前移位寄存單元后續(xù)的移位寄存單元所產(chǎn)生的輸出信號;以及 其中,該第二時(shí)脈信號與該第一時(shí)脈信號彼此互補(bǔ),而該第二開關(guān)的控制端接收由前一個(gè)移位寄存單元所產(chǎn)生的輸出信號,且該第六開關(guān)的控制端接收由后一個(gè)移位寄存單元所產(chǎn)生的輸出信號。
10.如權(quán)利要求9所述的顯示面板,其特征在于,該多個(gè)移位寄存單元的每一者的放電電路還包括: 一第十開關(guān),具有耦接該第二開關(guān)的控制端的控制端、耦接該第二節(jié)點(diǎn)的輸入端、以及耦接該低電壓端的輸出端;以及 一第十一開關(guān),具有耦接該第六開關(guān)的控制端的控制端、接收該第二時(shí)脈信號的輸入端、以及耦接該第二節(jié)點(diǎn)的輸出端;其中,對于該當(dāng)前移位寄存單元而言,由該第二開關(guān)的控制端接收由前一個(gè)移位寄存單元所產(chǎn)生的輸出信 ,且該第六開關(guān)的控制端接收由后一個(gè)移位寄存單元所產(chǎn)生的輸出信號。
【文檔編號】G09G3/36GK103632644SQ201310369722
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年8月22日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月23日
【發(fā)明者】山下佳大朗 申請人:群康科技(深圳)有限公司, 群創(chuàng)光電股份有限公司