像素結(jié)構及顯示裝置制造方法
【專利摘要】一種像素結(jié)構，包括一第一晶體管、一發(fā)光元件、一第二晶體管、一開關單元、一耦合單元以及一補償單元。第一晶體管將一數(shù)據(jù)信號傳送至一第一節(jié)點。第二晶體管耦接第一至第三節(jié)點。開關單元與發(fā)光元件及第二晶體管串聯(lián)于第一與第二操作電壓之間。耦合單元耦接于第一與第二節(jié)點之間。補償單元耦接于第二與第三節(jié)點之間。在一補償期間，第二節(jié)點的電壓等于第三節(jié)點的電壓。在一重置期間，第三節(jié)點的電壓等于一固定電壓。重置期間早于數(shù)據(jù)寫入期間，并位于補償期間與數(shù)據(jù)寫入期間之間。
【專利說明】像素結(jié)構及顯示裝置

【技術領域】
[0001]本發(fā)明是有關于一種像素結(jié)構，特別是有關于一種顯示裝置的像素結(jié)構。

【背景技術】
[0002]依照背板制程技術，有源式有機發(fā)光顯示器(Active Matrix Organic LightEmitting Display ；AM0LED)的像素結(jié)構可分成P型及N型驅(qū)動型式。P型驅(qū)動型式多應用在低溫多晶娃(Low Temperature Poly-Silicon ；LTPS)的背板技術中。N型驅(qū)動型式多應用在非晶娃(a-si)及氧化銦錠鋅(Indium Gallium Zinc Oxide ；IGZ0)背板技術中。
[0003]圖7A為已知P型驅(qū)動型式的像素示意圖。驅(qū)動晶體管PTFT2為P型，其柵-源極電壓為數(shù)據(jù)電壓Dm與操作電壓PVDD間的壓差。有機發(fā)光二極管710為一般有機發(fā)光二極管(normal 0LED)。圖7B為已知N型驅(qū)動形式的像素示意圖。驅(qū)動晶體管NTFT2為N型，其柵-源極電壓為數(shù)據(jù)電壓Dm與操作電壓PVEE間的壓差。有機發(fā)光二極管720為一反相有機發(fā)光二極管(inverted 0LED)。
[0004]然而，反相有機發(fā)光二極管較不易制做。為解決此問題，已知技術提供另一像素結(jié)構。如圖8所示，有機發(fā)光二極管810為一般有機發(fā)光二極管，并且驅(qū)動晶體管NTFT2為N型。有機發(fā)光二極管810的陽極耦接驅(qū)動晶體管NTFT2的源極。當有機發(fā)光二極管810的跨壓因元件老化而增加時，增加的跨壓將影響晶體管NTFT2的柵-源極電壓，進而降低晶體管NTFT2所產(chǎn)生的驅(qū)動電流，而產(chǎn)生烙印。
[0005]再者，提供操作電壓PVEE的金屬膜是蒸鍍在玻璃基板上，其所產(chǎn)生的壓降將通過有機發(fā)光二極管810反映在驅(qū)動晶體管NTFT2的源極電壓，因而影響晶體管NTFT2的柵-源極電壓，使得畫面的亮度不均。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明提供一種像素結(jié)構，包括一第一晶體管、一發(fā)光元件、一第二晶體管、一開關單元、一耦合單元以及一補償單元。第一晶體管具有一第一柵極、一第一端以及一第二端，并在一數(shù)據(jù)寫入期間，將一數(shù)據(jù)信號傳送至一第一節(jié)點。第二晶體管具有一第二柵極、一第三端以及一第四端。第二柵極耦接一第二節(jié)點。第三端耦接一第三節(jié)點。第四端耦接一第四節(jié)點。開關單元與發(fā)光元件及第二晶體管串聯(lián)于一第一操作電壓與一第二操作電壓之間。耦合單元耦接于第一與第二節(jié)點之間。補償單元耦接于第二與第三節(jié)點之間。在一補償期間，第二節(jié)點的電壓等于第三節(jié)點的電壓。在一重置期間，第三節(jié)點的電壓等于一固定電壓。重置期間早于數(shù)據(jù)寫入期間，并位于補償期間與數(shù)據(jù)寫入期間之間。
[0007]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括一掃描驅(qū)動器、一數(shù)據(jù)驅(qū)動器以及至少一像素。掃描驅(qū)動器提供至少一掃描信號。數(shù)據(jù)驅(qū)動器提供至少一數(shù)據(jù)信號。像素包括一第一晶體管、一發(fā)光元件、一第二晶體管、一開關單元、一耦合單元以及一補償單元。第一晶體管具有一第一柵極、一第一端以及一第二端，并在一數(shù)據(jù)寫入期間，根據(jù)掃描信號，將數(shù)據(jù)信號傳送至一第一節(jié)點。第二晶體管具有一第二柵極、一第三端以及一第四端。第二柵極耦接一第二節(jié)點。第三端耦接一第三節(jié)點。第四端耦接一第四節(jié)點。開關單元與發(fā)光元件及第二晶體管串聯(lián)于一第一操作電壓與一第二操作電壓之間。耦合單元耦接于第一與第二節(jié)點之間。補償單元耦接于第二與第三節(jié)點之間。在一補償期間，第二節(jié)點的電壓等于第三節(jié)點的電壓。在一重置期間，第三節(jié)點的電壓等于一固定電壓。重置期間早于數(shù)據(jù)寫入期間，并位于補償期間與數(shù)據(jù)寫入期間之間。
[0008]為讓本發(fā)明的特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1為本發(fā)明的顯示裝置的示意圖。
[0010]圖2為本發(fā)明的像素的結(jié)構示意圖。
[0011]圖3為本發(fā)明的像素的控制時序圖。
[0012]圖4為節(jié)點N、S、D、G的電壓(VN、VS、VD、VG)以及晶體管TN2的柵-源極電壓(Vgs)。
[0013]圖5為本發(fā)明的像素的另一結(jié)構示意圖。
[0014]圖6為圖5的像素結(jié)構的控制時序圖。
[0015]圖7A為已知P型驅(qū)動型式的像素示意圖。
[0016]圖7B及圖8為已知N型驅(qū)動型式的像素示意圖。
[0017][標號說明]
[0018]100:顯示裝置；110:掃描驅(qū)動器；
[0019]120:數(shù)據(jù)驅(qū)動器；210、510:開關單元；
[0020]220,520:補償單元；230、530:耦合單元；
[0021]240、540:發(fā)光元件；310:起始期間；
[0022]250、260、550:設定單元；320:補償期間；
[0023]330:重置期間；340:數(shù)據(jù)寫入期間；
[0024]350:發(fā)光期間；P11?Pmn:像素；
[0025]C1、C2:電容；N、G、S、D:節(jié)點；
[0026]REF:參考電壓；SN1?SNn、Sn:掃描信號；
[0027]DATA1 ?DATAm、Dm:數(shù)據(jù)信號；
[0028]241、541、710、720、810:有機發(fā)光二極管；
[0029]TNl ?TN6、TPl ?TP5、PTFT2、NTFTl、NTFT2:晶體管；
[0030]ELVDD、ELVSS、PVDD、PVEE:操作電壓；
[0031]ENB、C0M、RST:控制信號；VN、Vs、VD、VG、Vgs:電壓。

【具體實施方式】
[0032]圖1為本發(fā)明的顯示裝置的示意圖。如圖所示，顯示裝置100包括一掃描驅(qū)動器110、一數(shù)據(jù)驅(qū)動器120以及像素P11?Ρ?。掃描驅(qū)動器110提供掃描信號SN1?SNn。數(shù)據(jù)驅(qū)動器120提供數(shù)據(jù)信號DATA1?DATAm。像素P11?Pnm的每一者接收一相對應的掃描信號及數(shù)據(jù)信號。
[0033]以像素Pij為例，像素Pij根據(jù)掃描信號SNj,接收數(shù)據(jù)信號DATAi,并根據(jù)數(shù)據(jù)信號DATAi呈現(xiàn)相對應的亮度。本發(fā)明并不限定m、n、1、j的大小。在一可能實施例中及η為超過2的任意正整數(shù)。另外，i及j亦為任意正整數(shù)，并且l〈i〈m、l〈j〈n。
[0034]圖2為本發(fā)明的像素的結(jié)構示意圖。如圖所示，像素Pij包括晶體管TN1、TN2、一開關單元210、一補償單元220、一耦合單元230以及一發(fā)光元件240。晶體管TNl根據(jù)掃描信號S%，將數(shù)據(jù)信號DATAi提供予節(jié)點N。在本實施例中，晶體管TNl的柵極接收掃描信號SNj,其漏極接收數(shù)據(jù)信號DATAi,其源極耦接節(jié)點N。
[0035]開關單元210與發(fā)光元件240及晶體管TN2串聯(lián)于操作電壓ELVDD與ELVSS之間。在本實施例中，操作電壓ELVDD大于ELVSS。開關單元210根據(jù)控制信號ENB，將操作電壓ELVDD傳送至節(jié)點D，其中節(jié)點D耦接晶體管TN2的漏極。
[0036]在本實施例中，晶體管TN2耦接于開關單元210與發(fā)光元件240之間。本發(fā)明并不限開關單元210的內(nèi)部架構。在一可能實施例中，開關單元210為一晶體管TM。晶體管TM的柵極接收控制信號ENB，其漏極接收操作電壓ELVDD，其源極耦接節(jié)點D。
[0037]補償單元220耦接于節(jié)點G與D之間，并根據(jù)一控制信號C0M，將晶體管TN2的柵極與漏極耦接在一起。在本實施例中，節(jié)點G及D分別耦接晶體管TN2的柵極與漏極。本發(fā)明并不限定補償單元220的內(nèi)部架構。在一可能實施例中，補償單元220為一晶體管TN3。晶體管TN3的柵極接收控制信號C0M，其漏極耦接節(jié)點D，其源極耦接節(jié)點G。
[0038]耦合單元230耦接于節(jié)點N與G之間，用以根據(jù)節(jié)點N的電平，將節(jié)點G及S的電平耦合至一適當?shù)碾娖?。本發(fā)明并不限定耦合單元230的內(nèi)部架構。在一可能實施例中，耦合單元230包括電容Cl及C2。電容Cl耦接于節(jié)點N與G之間，用以根據(jù)節(jié)點N的電壓，將節(jié)點G的電壓耦合至一適當?shù)碾娖?。電容C2耦接于節(jié)點N與S之間，用以根據(jù)節(jié)點N的電壓，將節(jié)點S的電壓耦合至一適當?shù)碾娖?。在本實施例中，?jié)點S耦接晶體管TN2的源極。
[0039]發(fā)光元件240耦接節(jié)點S，并接收操作電壓ELVSS。本發(fā)明并不限定發(fā)光元件240的種類。只要能夠根據(jù)一驅(qū)動電流而發(fā)光的元件，均可作為發(fā)光元件240。在本實施例中，發(fā)光元件240為一有機發(fā)光二極管(organic light-emitting d1de ;0LED) 241。有機發(fā)光二極管241的陽極耦接節(jié)點S，其陰極接收操作電壓ELVSS。
[0040]在一補償期間，節(jié)點G的電壓等于節(jié)點D的電壓。在一重置期間，節(jié)點D的電壓等于一固定電壓。在一可能實施例中，該固定電壓等于操作電壓ELVDD。在一數(shù)據(jù)寫入期間，晶體管TNl將數(shù)據(jù)信號DATAi傳送至節(jié)點N。在本實施例中，重置期間早于數(shù)據(jù)寫入期間，并位于補償期間與數(shù)據(jù)寫入期間之間。稍后將會說明像素Pu的動作方式。
[0041]在其它實施例中，像素Pu還包括設定單元250及260。設定單元250可根據(jù)控制信號RST或C0M，令節(jié)點N的電壓等于一參考電壓REF。在一可能實施例中，參考電壓REF為一低電壓電平。在另一可能實施例中，參考電壓REF等于掃描信號SN-」。本發(fā)明并不限定設定單元250的電路架構。在本實施例中，設定單元250為一晶體管TN5。晶體管TN5的柵極接收控制信號RST，其漏極接收參考電壓REF，其源極耦接節(jié)點N。
[0042]同樣地，設定單元260亦根據(jù)控制信號RST或C0M，令節(jié)點S的電壓等于參考電壓REF或掃描信號SN」。本發(fā)明亦不限定設定單元260的電路架構。在本實施例中，設定單元260為一晶體管TN6。晶體管TN6的柵極接收控制信號RST或C0M，其漏極參考電壓REF或掃描信號S%，其源極耦接節(jié)點S。
[0043]在上述實施例中，晶體管TNl?TN6均為N型，但并非用以限制本發(fā)明。在其它實施例中，像素Pu內(nèi)的晶體管均為P型，或可部分為P型，部分為N型。另外，在其它實施例中，為了降低元件成本，可省略設定單元250或260，或是同時省略設定單元250及260。
[0044]圖3為圖2的像素的控制時序圖。圖4為圖2的節(jié)點N、S、D、G的電壓(VN、VS、VD、Vg)以及晶體管TN2的柵-源極電壓(Vgs)。
[0045]在一起始期間310，掃描信號SNj及控制信號COM為低電平。因此，晶體管TNl及TN3不導通。由于控制信號RST為高電平，故導通晶體管TN5，并且節(jié)點N的電壓等于參考電壓REF。此時，電容Cl將節(jié)點G f禹合(coupling)至一低電位。在一可能實施例中，節(jié)點G的電壓Ve=Vx+f2* (REF-Vn)，其中，Vx為前一發(fā)光期間的節(jié)點G的電壓；f2=Cl/Cl+Cg_paras，其中Cl為電容Cl的容值，Cg_paras為晶體管TN2的柵極相關的旁路電容，其包含其它串或并聯(lián)的雜散電容，如晶體管TN2的柵-源極Cgs間的寄生電容、晶體管TN2的柵-漏極間的寄生電容Cgd、晶體管TN2的基極電容Cox、Vn為前一發(fā)光期間的節(jié)點N的電壓。
[0046]由于節(jié)點G為低電壓，故不導通晶體管TN2。此時，晶體管TN6被導通，因此，節(jié)點S的電壓等于參考電壓REF。由于控制信號ENB為高電平，故導通晶體管TM。此時，節(jié)點D的電壓等于操作電壓EVLDD。
[0047]在補償期間320，由于控制信號RST為高電平，因此，晶體管TN5及TN6分別將參考電壓REF寫入節(jié)點N及S。此時，由于控制信號COM為高電平，故導通晶體管TN3。節(jié)點G通過晶體管TN3連接節(jié)點D。由于控制信號ENB為低電平，因此，晶體管TM不導通。此時，節(jié)點D的電荷對節(jié)點G充電。節(jié)點G與D的電平將為REF+Vt，其中REF為參考電壓，Vt為晶體管TN2的臨界電壓(threshold voltage)。在此期間，可檢測晶體管TN2的臨界電壓Vt，并儲存于電容Cl。
[0048]在重置期間330，掃描信號SN」、控制信號COM及RST均為低電平，因此，晶體管TN1、TN3、TN5及TN6不導通，并且節(jié)點N的電壓Vn、節(jié)點S的電壓Vs、節(jié)點G的電壓Ve保持不變。此時，晶體管TN2不導通，故有機發(fā)光二極管241 (即發(fā)光元件240)不發(fā)光。由于控制信號ENB為高電平，因而導通晶體管TM，故節(jié)點D的電壓VD_等于操作電壓ELVDD。
[0049]在數(shù)據(jù)寫入期間340，掃描信號SNj為高電平，因此，晶體管TNl將數(shù)據(jù)信號DATAi傳送至節(jié)點N。由于電容Cl的耦合效應，節(jié)點G的電壓Ve=REF+Vt+f2* (DATA1-REF)。另外，通過C2的耦合效應，節(jié)點S的電壓Vs會被耦合至一與數(shù)據(jù)信號DATAi相關的電平。在一可能實施例中，節(jié)點S的電壓Vs等于REF+(DATA1-REFhfl,其中f l=C2/C2+Cs_paras，C2為電容C2的容值、Cs_paras為晶體管TN2的源極相關的旁路電容，包括有機發(fā)光二極管241的等效容值及其它并聯(lián)的雜散電容，如晶體管TN2的柵-源極間的寄生電容與門-漏極間的寄生電容。
[0050]在數(shù)據(jù)寫入期間340，需使晶體管TN2處于一開啟狀態(tài)，而有機發(fā)光二極管241不能被開啟，因此，電壓Vs需小于ELVSS+Voled，其中Volde為有機發(fā)光二極管241的導通電壓。另外，晶體管TN2的柵-源極電壓Vgs需大于臨界電壓Vt。電壓Vs如式⑴所示，而電壓Vgs如式(2)所示:
[0051]Vs=REF+fI* (DATA1-REF)蘭 ELVSS+Volde…(I)
[0052]Vgs=Vc-Vs ^ Vt
[0053]=f2* (DATA1-REF)+REF+Vt-REF-fI* (DATA1-REF) ^ Vt
[0054]=(f2-fl) (DATA1-REF) +Vt ^ Vt...............(2)
[0055]由式⑴可得下式:
[0056]fl ^ (ELVSS+Volde-REF) / (DATA1-REF)......(3)
[0057]由式⑵可得下式:
[0058](f2-fl) (DATA1-REF) ^ 0........................(4)
[0059]此時，晶體管TN2導通，節(jié)點D的電荷對節(jié)點S充電，但因節(jié)點D的電荷量少并且為固定電平，因此，節(jié)點S的電壓Vs只會有些微的變化，并且與臨界電壓Vt無關。
[0060]在發(fā)光期間350，控制信號ENB為高電平，使得晶體管TM導通。此時，節(jié)點D的電壓Vd等于操作電壓ELVDD，且可使晶體管T2操作在飽和區(qū)。另外，在發(fā)光期間350，由于掃描信號SN」、控制信號COM及RST均為低電平，因此，晶體管TN1、TN3、TN5及TN6均不導通。此時，節(jié)點N為一浮接狀態(tài)。節(jié)點S的電壓Vs=Voled+ELVSS。節(jié)點G的電壓被電容C2耦合至一與Voled相關的電平，其值為:
[0061 ] VG=REF+f2* (DATA1-REF) +Vt+f3* [Voled+ELVSS-
[0062][REF+f I* (DATA1-REF) ] =REF [1-f2-f3+f l*f3] +
[0063]ΟΑΤΑ^Ε?^---Φ?^+?^ΦνοΙθ?Ι+ν?+?^ΦΕΙ^ΒΒ…(5)
[0064]晶體管TN2的柵-源極電壓Vgs如下:
[0065]Vgs=Vc-Vs
[0066]=REF[l-f2-f3+fl*f3] +DATAi* [f2_fl*f3] +
[0067](f3-l) * (Voled+ELVSS) +Vt..................(6)

(C\'^C2)
r(Cl + Cl)
[0068]/J=(C1*C2) ^............................(7)
--卜 Ce paras
(C1 + C2)
[0069]晶體管TN2所產(chǎn)生的驅(qū)動電流I如下:
[0070]I=Kp* (Vgs-Vt)2.......................................(8)
[0071]其中Kp=l/2uCoX*W/L，其中u為載子移動率、Cox為晶體管T2的單位面積電容、W/L為晶體管T2的通道寬長比。
[0072]將式(7)帶入式⑶后，可得下式:
[0073]I=Kp*{REF[1-f2-f3+fl*f3]+
[0074]DATAi* [f2-fl*f3] + (f3_l) * (Voled+ELVSS) +Vt-Vt}2............(9)
[0075]假設電容Cl與C2的容值遠大于電路各節(jié)點的寄生電容時，則可得下式:
[0076]I=Kp* {[DATA1-REF]2..................(10)
[0077]由式(10)可知，在發(fā)光期間350，晶體管TN2所產(chǎn)生的驅(qū)動電流I與晶體管TN2的臨界電壓Vt無關。由于發(fā)光元件240是根據(jù)驅(qū)動電流I而發(fā)光，因此，當不同像素里的晶體管TN2具有不同的臨界電壓時，發(fā)光元件240的亮度并不會受到影響。另外，晶體管TN2所產(chǎn)生的驅(qū)動電流I也不會受到操作電壓ELVDD變化的影響。
[0078]在本實施例中，不論是在重置期間330、數(shù)據(jù)寫入期間340或是發(fā)光期間350，節(jié)點D的電壓Vd均與臨界電壓Vt無關。因此，當節(jié)點D的電荷對節(jié)點S充電，或是節(jié)點D的電壓耦合至節(jié)點G時，電壓Vgs的變化均與臨界電壓Vt無關，因此，并不會造成額外的誤差。
[0079]另外，在本實施例中，不論是在起始期間310、補償期間320、重置期間330及數(shù)據(jù)寫入期間340，有機發(fā)光二極管241均不發(fā)光。只有在發(fā)光期間350中，有機發(fā)光二極管241才會發(fā)光，因此，本發(fā)明的像素具有高對比的顯示質(zhì)量。
[0080]另外，亦可增加電容Cl及C2的容值，使f3趨近于I，亦可將式(9)中的電壓Voled的影響降到最低。在本實施例中，在起始期間310，不導通晶體管TN2，因此，不會產(chǎn)生大電流經(jīng)晶體管TN2流入有機發(fā)光二極管241，而使得有機發(fā)光二極管241發(fā)光。在此期間，若有機發(fā)光二極管241發(fā)光，將使得像素的暗態(tài)不夠暗，進而大幅降低對比度。
[0081]另外，補償期間320的長短可依需求而調(diào)整，并不限于單一數(shù)據(jù)的寫入時間，因此，可使高分辨率面板更為容易實現(xiàn)。再者，重置期間330時，節(jié)點D的電壓為固定電壓，故可減少補償期間后的節(jié)點G的電壓偏移，進而可減少補償誤差，使得像素呈現(xiàn)更佳的亮度。
[0082]圖5為本發(fā)明的像素的另一結(jié)構示意圖。如圖所示，像素Pij包括晶體管TP1、TP2、一開關單兀510、一補償單兀520、一稱合單兀530、一發(fā)光兀件540以及一設定單兀550。晶體管TPl的柵極接收掃描信號SN」，其源極接收數(shù)據(jù)信號DATAi,其漏極耦接節(jié)點N。
[0083]開關單元510耦接于晶體管TP2與發(fā)光元件540之間，并根據(jù)控制信號ENB而動作。如圖所示，開關單元510包括一晶體管TP4。晶體管TP4的柵極接收控制信號ENB，其漏極耦接發(fā)光元件540，其源極耦接節(jié)點D，其中節(jié)點D耦接晶體管TP2的漏極。晶體管TP2的源極耦接節(jié)點S，并接收操作電壓PVDD。
[0084]耦合單元530僅具有電容Cl，并耦接于節(jié)點N與G之間，其中節(jié)點G為晶體管TP2的柵極。發(fā)光兀件540包括一有機發(fā)光二極管541。有機發(fā)光二極管541的陽極稱接晶體管TP4的漏極，其陰極接收操作電壓PVEE。在本實施例中，操作電壓PVEE小于PVDD。
[0085]設定單元550根據(jù)控制信號RST，令節(jié)點N的電平等于參考電壓REF。在一可能實施例中，參考電壓REF為一低電壓或是等于掃描信號SN」。在另一可能實施例中，設定單兀550根據(jù)控制信號C0M，令節(jié)點N的電平等于參考電壓REF。在本實施例中，設定單元550包括一晶體管TP5。晶體管TP5的柵極接收控制信號RST，其源極接收參考電壓REF，其漏極耦接節(jié)點N。
[0086]在本實施例中，晶體管TPl?TP5均為P型晶體管。另外，在其它實施例中，可省略設定單元550。圖6為圖5的像素結(jié)構的控制時序圖。由于圖6的操作原理與圖3相似，故不再贅述。
[0087]除非另作定義，在此所有詞匯(包含技術與科學詞匯)均屬本發(fā)明所屬【技術領域】中具有通常知識者的一般理解。此外，除非明白表示，詞匯于一般字典中的定義應解釋為與其相關【技術領域】的文章中意義一致，而不應解釋為理想狀態(tài)或過分正式的語態(tài)。
[0088]雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬【技術領域】中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視所附的權利要求范圍所界定者為準。
【權利要求】
1.一種像素結(jié)構，包括: 一第一晶體管，具有一第一柵極、一第一端以及一第二端，并在一數(shù)據(jù)寫入期間，將一數(shù)據(jù)信號傳送至一第一節(jié)點； 一發(fā)光兀件； 一第二晶體管，具有一第二柵極、一第三端以及一第四端，該第二柵極耦接一第二節(jié)點，該第三端耦接一第三節(jié)點，該第四端耦接一第四節(jié)點； 一開關單元，與該發(fā)光元件及該第二晶體管串聯(lián)于一第一操作電壓與一第二操作電壓之間；以及 一補償單元，耦接于該第二與該第三節(jié)點之間； 其中在一補償期間，該第二節(jié)點的電壓等于該第三節(jié)點的電壓，在一重置期間，該第三節(jié)點的電壓等于一固定電壓，該重置期間位于該補償期間與該數(shù)據(jù)寫入期間之間。
2.根據(jù)權利要求1所述的像素結(jié)構，還包括: 一第一設定單元，用于使該第一節(jié)點的電壓等于一參考電壓。
3.根據(jù)權利要求1所述的像素結(jié)構，還包含: 一耦合單元，包括第一電容，該第一電容耦接于該第一與第二節(jié)點之間。
4.根據(jù)權利要求3所述的像素結(jié)構，其中該耦合單元還包括一第二電容，該第二電容耦接于該第一與第四節(jié)點之間。
5.根據(jù)權利要求1所述的像素結(jié)構，還包括: 一第二設定單元，用于使該第四節(jié)點的電壓等于該參考電壓。
6.根據(jù)權利要求1所述的像素結(jié)構，其中: 該第一柵極接收一掃描信號，該第一端接收該數(shù)據(jù)信號，該第二端耦接該第一節(jié)點； 該補償單元為一第三晶體管，該第三晶體管具有一第三柵極、一第五端以及一第六端，該第三柵極接收一第一控制信號，該第五端耦接該第三節(jié)點，該第六端耦接該第二節(jié)點； 該開關單元為一第四晶體管，該第四晶體管具有一第四柵極、一第七端以及一第八端，該第四柵極接收一第二控制信號，該第七端接收該第一操作電壓，該第八端耦接該第三節(jié)占.該第一設定單兀為一第五晶體管，該第五晶體管具有一第五柵極、一第九端以及一第十端，該第五柵極接收一第三控制信號或是該第一控制信號，該第九端接收該參考電壓，該第十端耦接該第一節(jié)點； 該第二設定單元為一第六晶體管，該第六晶體管具有一第六柵極、一第十一端以及一第十二端，該第六柵極接收該第三控制信號或是該第一控制信號，該第十一端接收該參考電壓，該第十二端耦接該第四節(jié)點。
7.根據(jù)權利要求6所述的像素結(jié)構，其中在一起始期間，該第四晶體管導通，并且該第一、第二及第三晶體管不導通；在該補償期間，該第二及第三晶體管導通，并且該第一及第四晶體管不導通；在該重置期間，該第四晶體管導通，并且該第一、第二及第三晶體管不導通；在該數(shù)據(jù)寫入期間，該第一及第二晶體管導通，并且該第三及第四晶體管不導通；在一發(fā)光期間，該第二及第四晶體管導通，并且該第一及第三晶體管不導通。
8.根據(jù)權利要求1所述的像素結(jié)構，其中在該重置期間，該第二晶體管不導通。
9.根據(jù)權利要求1所述的像素結(jié)構，其中在該重置期間，該發(fā)光元件不發(fā)光。
10.一種顯示裝置，包括: 一掃描驅(qū)動器，提供至少一掃描信號； 一數(shù)據(jù)驅(qū)動器，提供至少一數(shù)據(jù)信號；以及 至少一像素，該像素包括: 一第一晶體管，具有一第一柵極、一第一端以及一第二端，并根據(jù)該掃描信號，在一數(shù)據(jù)寫入期間，將該數(shù)據(jù)信號傳送至一第一節(jié)點； 一發(fā)光兀件； 一第二晶體管，具有一第二柵極、一第三端以及一第四端，該第二柵極耦接一第二節(jié)點，該第三端耦接一第三節(jié)點，該第四端耦接一第四節(jié)點； 一開關單元，與該發(fā)光元件及該第二晶體管串聯(lián)于一第一操作電壓與一第二操作電壓之間；以及 一補償單元，耦接于該第二與第三節(jié)點之間； 其中在一補償期間，該第二節(jié)點的電壓等于該第三節(jié)點的電壓，在一重置期間，該第三節(jié)點的電壓等于一固定電壓，該重置期間位于該補償期間與該數(shù)據(jù)寫入期間之間。
【文檔編號】G09G3/32GK104240634SQ201310238330
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2013年6月17日 優(yōu)先權日:2013年6月17日
【發(fā)明者】郭拱辰, 曾名駿 申請人:群創(chuàng)光電股份有限公司