本發(fā)明例如涉及能夠降低伴隨數(shù)據(jù)線電位變動的畫質惡化的電光裝置以及電子設備。

背景技術：
近些年，提出各種使用了有機發(fā)光二極管（OrganicLightEmittingDiode，以下稱“OLED”）元件等發(fā)光元件的電光裝置。在該電光裝置中，一般構成為與掃描線和數(shù)據(jù)線的交叉對應地，并且與應顯示的圖像的像素對應地設置包括上述發(fā)光元件、晶體管等的像素電路。使用了OLED的像素電路一般具備：寫入晶體管，其決定能否輸入經(jīng)由數(shù)據(jù)線供給的數(shù)據(jù)信號；驅動晶體管，其基于數(shù)據(jù)信號決定向OLED供給的電流量；和保持電容，其保持從數(shù)據(jù)線供給的數(shù)據(jù)信號。并且，有以高畫質化為目的，而利用了更多元件的技術（例如參照專利文獻1）。專利文獻1：日本特開2002-341790號公報然而，若以上述那樣的像素電路的構成進行實際驅動，則會由于數(shù)據(jù)線的電位變動而產(chǎn)生噪聲。向OLED供給的電流由驅動晶體管的柵極/源極間的電壓而決定，所以若該噪聲給驅動晶體管的柵極節(jié)點帶來影響，則無法顯示準確的亮度，從而產(chǎn)生不均等。尤其是在無法使與柵極節(jié)點連接的保持電容增大的情況下，會成為嚴重的問題。在現(xiàn)有的構造中，數(shù)據(jù)線的噪聲經(jīng)由寄生電容侵入驅動晶體管的柵極節(jié)點。由此，積蓄于保持電容的數(shù)據(jù)信號變化，經(jīng)由驅動晶體管向OLED元件供給的電流也同樣變化。該變化量被視覺識別為亮度不均，導致顯示品質降低。

技術實現(xiàn)要素：
本發(fā)明是鑒于上述的情況而完成的，將降低數(shù)據(jù)線的電位變動引起的畫質惡化作為解決課題之一。為了解決上述課題，本發(fā)明的電光裝置的特征在于，具有：相互交叉的掃描線以及數(shù)據(jù)線；與上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線的交叉對應地設置的像素電路；和供給規(guī)定的電位的電源布線，上述像素電路具備發(fā)光元件和對流過上述發(fā)光元件的電流進行控制的驅動晶體管，上述驅動晶體管的柵極電極經(jīng)由第1中繼電極與規(guī)定的節(jié)點電連接，上述第1中繼電極與上述電源布線以及上述數(shù)據(jù)線形成于同一層，并且述第1中繼電極的至少三側被上述電源布線包圍。為了解決上述課題，本發(fā)明的電光裝置的特征在于，具有：相互交叉的多條掃描線以及多條數(shù)據(jù)線；多個像素電路，其被設置成與上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線的交叉對應；和電源布線，其被設置成與上述多個像素電路分別對應，并且供給規(guī)定的電位，上述多個像素電路分別具備發(fā)光元件和對流過上述發(fā)光元件的電流進行控制的驅動晶體管，上述驅動晶體管的柵極電極經(jīng)由第1中繼電極與規(guī)定的節(jié)點電連接，上述第1中繼電極與上述電源線以及上述數(shù)據(jù)線形成于同一層，并且上述第1中繼電極的至少三側被上述電源布線包圍。根據(jù)本發(fā)明，使驅動晶體管的柵極電極與規(guī)定的節(jié)點電連接的多個中繼電極中與數(shù)據(jù)線形成于同一層的第1中繼電極的至少三側被電源布線包圍，所以降低噪聲從數(shù)據(jù)線向驅動晶體管柵極電極的連接部的侵入。其結果，驅動晶體管的柵極電極的電位變動被抑制，經(jīng)由驅動晶體管向發(fā)光元件供給的電流也不產(chǎn)生變化，可進行準確的亮度顯示。在上述的電光裝置中，上述電源布線可以使用初始化用的電源布線或者電源的低電位側的電源布線。由于這些電源布線與在掃描線驅動電路或者數(shù)據(jù)線驅動電路等中使用的電源布線相比為低阻抗，所以屏蔽效果進一步提高。在上述的電光裝置中，優(yōu)選形成為上述電源布線位于上述第1中繼電極和上述數(shù)據(jù)線之間，通過該電源布線包圍上述第1中繼電極。由于包圍上述第1中繼電極的上述電源布線位于上述第1中繼電極和上述數(shù)據(jù)線之間，所以從數(shù)據(jù)線輻射出的噪聲被電源布線屏蔽。由此，抑制噪聲從數(shù)據(jù)線向驅動晶體管柵極電極的連接部的侵入，能夠提高顯示品質。在上述的電光裝置中，優(yōu)選上述第1中繼電極的四側被形成于上述電源布線的開口部包圍。第1中繼電極形成于開口部，四側被包圍，所以屏蔽效果進一步提高。在上述的電光裝置中，優(yōu)選具有第2中繼電極，該第2中繼電極形成于與上述第1中繼電極不同的層，將上述驅動晶體管的柵極電極和上述規(guī)定的節(jié)點電連接起來，上述第2中繼電極的至少三側被與上述第2中繼電極形成于同一層的電源的高電位側的電源布線包圍。根據(jù)該發(fā)明，第2中繼電極的三側被高電位側的電源布線包圍，所以得到高屏蔽效果。此外，本發(fā)明除了涉及電光裝置外，還能夠涉及電光裝置的驅動方法、具有該電光裝置的電子設備。作為電子設備，典型地可列舉頭戴式顯示器（HMD）、電子取景器等顯示裝置。附圖說明圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式的電光裝置的構成的立體圖。圖2是表示該電光裝置的構成的框圖。圖3是表示該電光裝置的像素電路的圖。圖4是表示該電光裝置的動作的時序圖。圖5是表示該電光裝置的像素電路的構成的俯視圖。圖6是表示該電光裝置的像素電路的構成的俯視圖。圖7是表示該電光裝置的像素電路的構成的俯視圖。圖8是表示圖5～圖7中沿A－A’線剖開的構成的局部剖視圖。圖9是表示圖5～圖7中沿B－B’線剖開的構成的局部剖視圖。圖10是表示使用了實施方式等所涉及的電光裝置的HMD的立體圖。圖11是表示HMD的光學構成的圖。具體實施方式以下，參照附圖對用于實施本發(fā)明的方式進行說明。<實施方式>圖1是表示本發(fā)明的實施方式的電光裝置10的構成的立體圖。電光裝置10例如是在頭戴式顯示器中顯示圖像的微型顯示器(microdisplay)。后面敘述電光裝置10的詳細內容，但是多個像素電路、驅動該像素電路的驅動電路等例如是形成于硅基板的有機EL裝置，可作為發(fā)光元件的一個例子的OLED用于像素電路。電光裝置10被收納于在顯示部開口的框狀的殼體72，并且與FPC（FlexiblePrintedCircuits：柔性印刷電路板）基板74的一端連接。通過COF（ChipOnFilm：覆晶薄膜）技術在FPC基板74上安裝半導體芯片的控制電路5，且設置有多個端子76，與圖示省略的上位電路連接。從該上位電路經(jīng)由多個端子76與同步信號同步地供給圖像數(shù)據(jù)。同步信號包括垂直同步信號、水平同步信號、點時鐘信號。另外，圖像數(shù)據(jù)例如以8位規(guī)定應顯示的圖像的像素的灰度等級?？刂齐娐?兼具電光裝置10的電源電路和數(shù)據(jù)信號輸出電路的功能。即，控制電路5除了將根據(jù)同步信號生成的各種控制信號、各種電位供給至電光裝置10之外，還將數(shù)字圖像數(shù)據(jù)轉換為模擬數(shù)據(jù)信號，供給至電光裝置10。圖2是表示實施方式的電光裝置10的構成的圖。如該圖所示，電光裝置10大致被分為掃描線驅動電路20、數(shù)據(jù)線驅動電路30、顯示部100。其中，在顯示部100上矩陣狀地排列有與應顯示的圖像的像素對應的像素電路110。詳細而言，在顯示部100中，將m行掃描線12設置成在圖中沿橫向延伸，另外，將n列數(shù)據(jù)線14設置成在圖中沿縱向延伸，并且與各掃描線12相互保持電絕緣。而且，與m行掃描線12和n列數(shù)據(jù)線14的交叉部對應地設置有像素電路110。因此，在本實施方式中，將像素電路110以縱m行×橫n列排列成矩陣狀。這里，m、n均是自然數(shù)。為了區(qū)別掃描線12以及像素電路110的矩陣中的行（low），有時在圖中從上到下按順序稱作1、2、3、…、（m－1）、m行。同樣，為了區(qū)別數(shù)據(jù)線14以及像素電路110的矩陣的列（Column），有時在圖中從左向右按順序稱作1、2、3、…、n－1、n列。在本實施方式中，沿數(shù)據(jù)線14分別按照每列設置有初始化用的電源線16。向各電源線16共通地供給作為初始化用的復位電位的電位Vorst。然后，通過控制電路5將以下這樣的控制信號供給至電光裝置10。詳細而言，向電光裝置10供給用于控制掃描線驅動電路20的控制信號Ctr1、和用于控制數(shù)據(jù)線驅動電路30的控制信號Ctr2。掃描線驅動電路20根據(jù)控制信號Ctr1生成用于在整個幀期間針對各行按照順序掃描掃描線12的掃描信號。這里，將分別向第1、2、3、…、（m－1）、m行的掃描線12供給的掃描信號記作Gwr（1）、Gwr（2）、Gwr（3）、…、Gwr（m-1）、Gwr（m）。此外，掃描線驅動電路20除了生成掃描信號Gwr（1）～Gwr（m）之外，還按照每行生成與該掃描信號同步的各種控制信號，并供給至顯示部100，但在圖2中省略圖示。另外，所謂幀期間是指電光裝置10顯示與1個鏡頭（畫面）對應的圖像所需要的期間，例如若同步信號所包含的垂直同步信號的頻率為120Hz，則是與該1個周期對應的8.3毫秒的期間。另外，數(shù)據(jù)線驅動電路30通過控制電路5針對位于被掃描線驅動電路20選擇出的行的像素電路110，將與該像素電路110的灰度數(shù)據(jù)對應的電位的數(shù)據(jù)信號Vd（1）、Vd（2）、…、Vd（n）供給至第1、2、…、n列數(shù)據(jù)線14。參照圖3，對像素電路110進行說明。此外，圖3示出與第i行掃描線12和第j列數(shù)據(jù)線14的交叉對應的1個像素的像素電路110。這里，i是一般性表示像素電路110所排列的行時的符號，為1以上m以下的整數(shù)。同樣，j是一般性表示像素電路110所排列的列時的符號，是1以上n以下的整數(shù)。如圖3所示，像素電路110包括P溝道型的晶體管121～125、OLED130以及保持電容132。各像素電路110彼此構成相同，所以以位于i行j列的像素電路為代表進行說明。在i行j列的像素電路110中，晶體管122作為寫入晶體管發(fā)揮功能，其柵極節(jié)點與第i行掃描線12連接，其漏極或者源極節(jié)點的一方與第j列數(shù)據(jù)線14連接，另一方與晶體管121的柵極節(jié)點g、保持電容132的一端和晶體管123的漏極節(jié)點分別連接。這里，為了與其他節(jié)點進行區(qū)別，將晶體管121的柵極節(jié)點記作g。向第i行掃描線12，換句話說向晶體管122的柵極節(jié)點供給掃描信號Gwr（i）。晶體管121作為驅動晶體管發(fā)揮功能，其源極節(jié)點與高位側電源線160連接，其漏極節(jié)點與晶體管123的源極節(jié)點和晶體管124的源極節(jié)點分別連接。這里，向高位側電源線160供給在像素電路110中成為電源的高位側的基板電位Vel。晶體管123作為補償用晶體管發(fā)揮功能，其柵極節(jié)點被供給控制信號Gcmp（i）。晶體管124作為發(fā)光控制晶體管發(fā)揮功能，其柵極節(jié)點被供給控制信號Gel（i），其漏極節(jié)點與晶體管125的源極節(jié)點和OLED130的陽極分別連接。晶體管125作為初始化用晶體管發(fā)揮功能，其柵極節(jié)點被供給控制信號Gorst（i），其漏極節(jié)點與和第j列對應的初始化用的電源線16連接，被保持于電位Vorst。保持電容132的另一端與高位側電源160連接。因此，保持電容132對晶體管121的源極、漏極間的電壓進行保持。此外，作為保持電容132，也可以使用寄生于晶體管121的柵極節(jié)點g的電容，還可以使用由相互不同的導電層夾持絕緣層而形成的電容。在本實施方式中，電光裝置10形成于硅基板，所以將晶體管121～125的基板電位設為電位Vel。OLED130的陽極是按照每個像素電路110分別獨立地設置的像素電極。與此相對，OLED130的陰極是在全部像素電路110中共用地設置的共用電極118，被保持于在像素電路110中成為電源的低位側的電位Vct。OLED130是在上述硅基板中由陽極和具有透光性的陰極夾持產(chǎn)生白色光的有機EL層而成的元件。而且，在OLED130的射出側（陰極側）重疊有與RGB的任意一個對應的彩色濾光片。在這樣的OLED130中，若電流從陽極流向陰極，則從陽極注入的空穴和從陰極注入的電子在有機EL層再次結合而生成激子，產(chǎn)生白色光。構成為此時產(chǎn)生的白色光透過與硅基板側（陽極）相反的一側的陰極，經(jīng)由基于彩色濾光片的著色，在觀察者側被視覺識別。<電光裝置的動作>接下來，參照圖4對電光裝置10的動作進行說明。圖4是用于說明電光裝置10的各部的動作的時序圖。如該圖所示，依次將掃描信號Gwr（1）～Gwr（m）切換為L電平(level)，在1個幀期間，針對每個水平掃描期間（H）按照順序掃描第1～m行掃描線12。在1個水平掃描期間（H）的動作在各行的像素電路110中共用。因此以下，著眼于水平掃描第i行的掃描期間，尤其是著眼于i行j列的像素電路110來對動作進行說明。在本實施方式中第i行掃描期間被大致區(qū)分為，圖4中以（b）所表示的初始化期間、以（c）所表示的補償期間和以（d）所表示的寫入期間。而且，在（d）的寫入期間后，間隔一段時間成為以（a）所表示的發(fā)光期間，經(jīng)過1個幀的期間后再次至第i行掃描期間。因此，若按時間順序來說，則成為（發(fā)光期間）→初始化期間→補償期間→寫入期間→（發(fā)光期間）這樣的周期的反復。<發(fā)光期間>為便于說明，從成為初始化期間的前提的發(fā)光期間進行說明。如圖4所示，在第i行發(fā)光期間，掃描信號Gwr（i）是H電平，控制信號Gel（i）是L電平。另外，在作為邏輯信號的控制信號Gel（i）、Gcmp（i）、Gorst（i）中，控制信號Gel（i）為L電平，控制信號Gcmp（i）、Gorst（i）是H電平。因此，在圖3所示的i行j列的像素電路110中，晶體管124導通，另一方面，晶體管122、123、125截止。因此，晶體管121將與柵極、源極間的電壓Vgs對應的電流Ids供給至OLED130。如后所述，在本實施方式中，在發(fā)光期間的電壓Vgs是根據(jù)數(shù)據(jù)信號的電位從晶體管121的閾值電壓電平移位后的值。因此，在補償了晶體管121的閾值電壓的狀態(tài)下，將與灰度等級對應的電流供給至OLED130。此外，第i行發(fā)光期間是水平掃描第i行以外的期間，所以數(shù)據(jù)線14的電位適當?shù)刈儎?。其中，在第i行像素電路110中，晶體管122截止，所以這里不考慮數(shù)據(jù)線14的電位變動。<初始化期間>接下來，若進入第i行掃描期間，則首先開始作為第1期間（b）的初始化期間。在初始化期間中，與發(fā)光期間進行比較，控制信號Gel（i）變?yōu)镠電平，控制信號Gorst（i）變?yōu)長電平。因此，在圖3所示的i行j列像素電路110中，晶體管124截止，晶體管125導通。由此，向OLED130供給的電流的路徑被切斷，并且，OLED130的陽極被復位為電位Vorst。如上所述，OLED130是由陽極和陰極夾持有機EL層而成的構成，所以在陽極、陰極間電容并列地寄生。在發(fā)光期間，在電流流過OLED130時，該OLED130的陽極、陰極間的兩端電壓被該電容保持，但該保持電壓因晶體管125的導通而被復位。因此，在本實施方式中，在后面的發(fā)光期間中，在電流再次流過OLED130時，不易受到被該電容保持的電壓的影響。詳細而言，例如若是在從高亮度的顯示狀態(tài)轉為低亮度的顯示狀態(tài)時是不進行復位的構成，則在亮度高（流過大電流）時的高電壓被保持，所以接下來，即便流過小電流，也流過過剩的電流，不能使其為低亮度的顯示狀態(tài)。與此相對，在本實施方式中，OLED130的陽極的電位因晶體管125的導通而被復位，所以低亮度側的再現(xiàn)性被提高。此外，在本實施方式中，將電位Vorst設定為該電位Vorst和共用電極118的電位Vct的差低于OLED130的發(fā)光閾值電壓。因此，在初始化期間（接下來進行說明的補償期間以及寫入期間）中，OLED130是截止（非發(fā)光）狀態(tài)。<補償期間>在第i行掃描期間中，接下來為第2期間成為（c）的補償期間。在補償期間，與初始化期間進行比較，掃描信號Gwr（i）以及控制信號Gcmp（i）成為L電平。另一方面，在補償期間，在控制信號Gref被維持在H電平的狀態(tài)下，控制信號／Gini成為H電平。在補償期間，晶體管123導通，所以晶體管121成為二極管連接。因此，漏極電流流過晶體管121，對柵極節(jié)點g以及數(shù)據(jù)線14進行充電。詳細而言，電流按照高位側電源線160→晶體管121→晶體管123→晶體管122→第j列的數(shù)據(jù)線14這樣的路徑流過。因此，因晶體管121的導通而處于相互連接狀態(tài)的數(shù)據(jù)線14以及柵極節(jié)點g的電位上升。但若將晶體管121的閾值電壓設為｜Vth｜，則流過上述路徑的電流隨著柵極節(jié)點g接近電位（Vel－｜Vth｜）而變得不易流動，所以在到達補償期間的結束之前，數(shù)據(jù)線14以及柵極節(jié)點g在電位（Vel－｜Vth｜）飽和。因此，保持電容132在到達補償期間的結束之前，保持晶體管121的閾值電壓｜Vth｜。<寫入期間>在補償期間后，為第3期間進入（d）的寫入期間。在寫入期間中，控制信號Gcmp（i）成為H電平，所以晶體管121的二極管連接被解除。從第j列數(shù)據(jù)線14至到達i行j列的像素電路110的柵極節(jié)點g的路徑的電位被保持電容132維持在（Vel－｜Vth｜）。<發(fā)光期間>在第i行寫入期間結束后，間隔1個水平掃描期間的時間到達發(fā)光期間。在該發(fā)光期間中，如上述那樣，控制信號Gel（i）成為L電平，所以在i行j列像素電路110中，晶體管124導通。在補償了晶體管121的閾值電壓的狀態(tài)下，將與灰度等級對應的電流供給至OLED130。在第i行掃描期間中，在第j列像素電路110以外的第i行其他的像素電路110中也在時間上并列地執(zhí)行這樣的動作。并且，實際在1個幀期間中，按照第1、2、3、…、（m－1）、m行的順序執(zhí)行這樣的第i行的動作，并且按照每個幀反復進行。在以上的像素電路110中，在數(shù)據(jù)線14與像素電路110中的柵極節(jié)點g之間會實際上寄生寄生電容。因此，若數(shù)據(jù)線14的電位變化幅度大，則經(jīng)由該寄生電容傳遞至柵極節(jié)點g，產(chǎn)生所謂的串擾、不均等，使顯示品質降低。該寄生電容的影響在像素電路110被微細化時顯著展現(xiàn)。然而，在本實施方式中，如后所述，晶體管121的柵極電極和其他晶體管或保持電容的連接部的四側被初始化用的電源線16包圍，所以即便因數(shù)據(jù)線14的電位變動等而產(chǎn)生噪聲，晶體管121的柵極電極和其他晶體管或保持電容的連接部也不會受到噪聲的影響，抑制了晶體管121的柵極電極的電位變動。其結果，實現(xiàn)良好的顯示品質。后面進行詳細敘述。根據(jù)本實施方式，作為使晶體管125導通的期間，即作為OLED130的復位期間，能夠確保比掃描期間長的期間，例如能夠確保2個水平掃描期間，所以在發(fā)光期間中，能夠充分初始化OLED130的寄生電容所保持的電壓。另外，根據(jù)本實施方式，由晶體管121向OLED130供給的電流Ids抵消閾值電壓的影響。因此，根據(jù)本實施方式，即便晶體管121的閾值電壓按照每個像素電路110產(chǎn)生偏差，也能補償該偏差，向OLED130供給與灰度等級對應的電流，所以抑制損壞顯示畫面的同樣性這樣的顯示不均的產(chǎn)生，其結果是能夠進行高品質的顯示。并且，根據(jù)本實施方式，晶體管121的柵極電極和其他晶體管或保持電容之間的連接部的四側被初始化用的電源線16包圍，所以即便因數(shù)據(jù)線14的電位變動等而產(chǎn)生噪聲，晶體管121的柵極電極和其他晶體管或保持電容的連接部也不會受到噪聲的影響，抑制了晶體管121的柵極電極的電位變動。其結果，能夠降低顯示不均等顯示不良。<像素電路的構造>接下來，參照圖5至圖9對該像素電路110的構造進行說明。圖5是表示從一個像素電路110的基板至第2層間絕緣膜的構成的俯視圖，圖6是表示從一個像素電路110的基板至第3層間絕緣膜的構成的俯視圖。另外，圖7是表示在圖6的第3層間絕緣膜上形成了電源線的狀態(tài)的構成的俯視圖。圖8是圖5～圖7中以A－A’線剖開的局部剖視圖，圖9是圖5～圖7中以B－B’線剖開的局部剖視圖。此外，圖5示出從觀察側俯視頂部發(fā)光的像素電路110時的布線構造，為使簡單化，省略與供給基板電位Vel的電源線相比形成于上層的構造體。另外，在以下的各圖中，為了使各層、各部件、各區(qū)域等成為可識別的大小，而改變了比例尺。首先，如圖5所示，設置有成為基礎的基板2。將基板2設置成平板狀，但在圖5中，為了能夠容易理解各晶體管的位置，表示成島狀。在基板2上設置有用于形成晶體管的能動區(qū)域143。這里，所謂能動區(qū)域是用于形成MOS型晶體管的區(qū)域，相當于源極/漏極區(qū)域。能動區(qū)域143構成晶體管124。另外，與該能動區(qū)域143相同，如圖5所示，在基板2上設置有能動區(qū)域140、141、142。能動區(qū)域140構成晶體管122以及晶體管123，能動區(qū)域141構成晶體管121，能動區(qū)域142構成晶體管125。如圖8所示，以覆蓋能動區(qū)域140的整個面的方式設置有柵極絕緣膜17。如圖5所示，該能動區(qū)域140是晶體管122以及晶體管123的源極或者漏極，在與該能動區(qū)域140同一層上形成有作為晶體管121的源極或者漏極的能動區(qū)域141、作為晶體管124的源極或者漏極的能動區(qū)域143以及作為晶體管125的源極或者漏極的能動區(qū)域142。而且，以覆蓋能動區(qū)域141～143的幾乎整個面的方式設置有圖8所示的柵極絕緣膜17。在柵極絕緣膜17的表面設置鋁、多晶硅等柵極布線層，并且例如如圖8所示，通過圖案化該柵極布線層而設置有柵極電極144。柵極電極144是晶體管121的柵極電極，如圖5所示，在與該柵極電極144同一層上設置有晶體管122的柵極電極145、晶體管123的柵極電極146、晶體管124的柵極電極148、晶體管125的柵極電極147。在圖8中，以覆蓋柵極電極144或者柵極絕緣膜17的方式形成有第1層間絕緣膜18。在第1層間絕緣膜18的表面成膜有導電性的布線層，并且通過該布線層的圖案化形成有中繼電極41。如圖5所示，在與該中繼電極41同一層上分別形成有中繼電極42、43、44、45、46。其中，中繼電極41經(jīng)由對第1層間絕緣膜18進行開孔的接觸孔31與晶體管121的柵極電極144連接。另外，中繼電極41經(jīng)由分別對第1層間絕緣膜18以及柵極絕緣膜17進行開孔的接觸孔32與晶體管122以及晶體管123的能動區(qū)域140連接。此外，在圖5中，在不同種類的布線層彼此重合的部分中，在“□”標記上附加了“×”標記的部分是接觸孔。在圖5中，中繼電極42的一端經(jīng)由對第1層間絕緣膜18進行開孔的接觸孔33與晶體管122的能動區(qū)域140連接，另一方面，中繼電極42的另一端經(jīng)由對后述的第2層間絕緣膜19進行開孔的接觸孔34與數(shù)據(jù)線14連接。中繼電極43的一端經(jīng)由分別對第1層間絕緣膜18以及柵極絕緣膜17進行開孔的接觸孔36與晶體管123的能動區(qū)域140連接，另一方面，中繼電極43的另一端經(jīng)由對第1層間絕緣膜18以及柵極絕緣膜17進行開孔的接觸孔35與晶體管121的能動區(qū)域141連接。中繼電極44的一端經(jīng)由分別對第1層間絕緣膜18以及柵極絕緣膜17進行開孔的接觸孔37與晶體管125的能動區(qū)域142連接，另一方面，中繼電極44的另一端經(jīng)由對后述的第2層間絕緣膜19進行開孔的接觸孔38與初始化用的電源線16連接。中繼電極45的一端經(jīng)由分別對第1層間絕緣膜18以及柵極絕緣膜17進行開孔的接觸孔39與晶體管124的能動區(qū)域143連接，另一方面，中繼電極45的另一端經(jīng)由分別對第1層間絕緣膜18以及柵極絕緣膜17進行開孔的接觸孔50與晶體管125的能動區(qū)域142連接。中繼電極46的一端經(jīng)由分別對第1層間絕緣膜18以及柵極絕緣膜17進行開孔的接觸孔40與晶體管124的能動區(qū)域143連接，另一方面，中繼電極46的另一端經(jīng)由分別對第1層間絕緣膜18以及柵極絕緣膜17進行開孔的接觸孔35與晶體管121的能動區(qū)域141連接。另外，如圖5所示，在與上述的中繼電極41、42、43、44、45、46同一層上形成有掃描線12、控制線114、115、118、中繼電極116、以及屏蔽布線117。掃描線12經(jīng)由對第1層間絕緣膜18進行開孔的接觸孔51與晶體管122的柵極電極145連接?？刂凭€118經(jīng)由對第1層間絕緣膜18進行開孔的接觸孔52與晶體管123的柵極電極146連接?？刂凭€114經(jīng)由對第1層間絕緣膜18進行開孔的接觸孔54與晶體管125的柵極電極147連接?？刂凭€115經(jīng)由對第1層間絕緣膜18進行開孔的接觸孔53與晶體管124的柵極電極148連接。中繼電極116經(jīng)由對后述的第2層間絕緣膜19以及第3層間絕緣膜15進行開孔的接觸孔57與后述的高位側電源線160連接。并且，將屏蔽布線117從俯視時的、圖5所示的像素的右鄰像素中的初始化用的電源線16的下方延伸配置至到圖5所示的像素的數(shù)據(jù)線14（在圖6中示出數(shù)據(jù)線14）的下方位置，如圖5所示，形成為數(shù)據(jù)線14在長度方向的寬度也變寬。將在圖5所示的晶體管121的柵極電極144上所示出的屏蔽布線117延伸配置至圖5所示的像素的左鄰像素的數(shù)據(jù)線14。如圖8所示，屏蔽布線117經(jīng)由對后述的第2層間絕緣膜19進行開孔的接觸孔55與初始化用的電源線16連接。如圖8所示，以覆蓋中繼電極41、42、43、44、45、46以及掃描線12、控制線118、114、115、中繼電極116、屏蔽布線117或者第1層間絕緣膜18的方式形成有第2層間絕緣膜19。在第2層間絕緣膜19的表面成膜導電性的布線層，并且，通過該布線層的圖案化分別形成有數(shù)據(jù)線14以及初始化用的電源線16。圖6是俯視在第2層間絕緣膜19的表面形成了數(shù)據(jù)線14以及初始化用的電源線16的狀態(tài)的圖。如圖6所示，以覆蓋晶體管121以及晶體管124的整個面的方式形成初始化用的電源線16，但在初始化用的電源線16上形成有開口部170，構成為包圍從晶體管121的柵極電極144到接觸孔31以及中繼電極41的連接部的四側。此外，在圖6中省略圖示，如圖8以及圖9所示，在從晶體管121的柵極電極144到接觸孔31以及中繼電極41的連接部的上層位置經(jīng)由對第2層間絕緣膜19進行開孔的接觸孔60形成有中繼電極61。初始化用的電源線16經(jīng)由對第2層間絕緣膜19進行開孔的接觸孔38與中繼電極44連接，經(jīng)由中繼電極44與晶體管124的能動區(qū)域142連接。另外，如圖8所示，初始化用的電源線16經(jīng)由對第2層間絕緣膜19進行開孔的接觸孔55與屏蔽布線117連接。并且，在本實施方式中，在初始化用的電源線16上形成有開口部171，構成為包圍從晶體管124的能動區(qū)域143與上層連接的連接部的周圍。在該連接部上，且在上層連接有OLED130的陽極。在與初始化用的電源線16相同的層上形成有數(shù)據(jù)線14，數(shù)據(jù)線14經(jīng)由對第2層間絕緣膜19進行開孔的接觸孔34與中繼電極42連接。在使像素間距變窄的情況下，如圖6所示，數(shù)據(jù)線14和晶體管121向柵極電極144上層連接的連接部靠近，如上所述，該連接部的四側被初始化用的電源線16包圍，所以柵極電極144向上層的連接部不會受到數(shù)據(jù)線14的電位變動引起的噪聲的影響。如圖8以及圖9所示，以覆蓋初始化用的電源線16、數(shù)據(jù)線14以及中繼電極61的整個面的方式形成第3層間絕緣層15。如圖8以及圖9所示，在第3層間絕緣層15的表面形成高電位電源線160。圖7是俯視在第3層間絕緣膜15的表面形成了高電位電源線160的狀態(tài)的圖。如圖7所示，以覆蓋像素整體的方式形成高電位電源線160，但在高電位電源線160上形成有開口部172，構成為包圍從晶體管121的柵極電極144至接觸孔31以及中繼電極41，進而至接觸孔60以及中繼電極61的連接部的四側。此外，在圖7中省略圖示，但如圖8以及圖9所示，在從晶體管121的柵極電極144至接觸孔31以及中繼電極41，進而至接觸孔60以及中繼電極61的連接部的上層位置經(jīng)由對第3層間絕緣膜15進行開孔的接觸孔62形成有中繼電極63。另外，在本實施方式中，在高電位電源線160上形成有開口部173，構成為包圍從晶體管124的能動區(qū)域143與上層連接的連接部的周圍。在該連接部，且在上層連接OLED130的陽極。并且，高電位電源線160經(jīng)由對第2層間絕緣膜19以及第3層間絕緣膜15進行開孔的接觸孔57與中繼電極116連接。通過該連接線（line）向晶體管121的源極節(jié)點或者漏極節(jié)點供給基板電位Vel。此外，圖示省略作為電光裝置10的以后的構造，但在通過初始化用的電源線16的開口部171以及高電位電源線160的開口部173將OLED130的陽極連接至連接部，其中，該連接部被初始化用的電源線16和高電位電源線160包圍并且從晶體管124的能動區(qū)域143與上層連接，在該陽極上按照每個像素電路110層疊有由有機EL材料構成的發(fā)光層，且在各像素電路110整體上設有共用的透明電極作為兼任陰極的共用電極118。由此，發(fā)光元件150成為由相互對置的陽極和陰極夾持發(fā)光層而成的OLED，以與從陽極流向陰極的電流對應的亮度發(fā)光，朝向與基板2相反的方向被觀察（頂部發(fā)光構造）。除此而外，設置用于將發(fā)光層從大氣隔離的密封玻璃等，但省略說明。另外，在從晶體管121的柵極電極144至接觸孔31以及中繼電極41，接觸孔60以及中繼電極61，進而至接觸孔62以及中繼電極63的連接部的上層形成柵極節(jié)點電極，在該柵極節(jié)點電極的下層和高電位電源線160之間形成圖3所示的保持電容132。但為使簡單化，省略圖8以及圖9中的圖示。如以上所述，從晶體管121的柵極電極144至上層部的柵極節(jié)點電極的連接部中，形成于與數(shù)據(jù)線14同一層的中繼電極61的四側被初始化用的電源線16的開口部170包圍。另外，上述連接部中，形成于中繼電極61的上層的中繼電極63的四側被高電位電源線160的開口部172包圍。因此，即便因數(shù)據(jù)線14的電位變動而產(chǎn)生噪聲，也通過初始化用的電源線16以及高電位電源線160防止數(shù)據(jù)線14的噪聲侵入作為驅動晶體管發(fā)揮功能的晶體管121的柵極電極的連接部。其結果，積蓄于保持電容的數(shù)據(jù)信號不會發(fā)生變化，經(jīng)由作為驅動晶體管發(fā)揮功能的晶體管121向OLED130供給的電流也不會發(fā)生變化，進行基于準確亮度的顯示。并且，在本實施方式中，與OLED130的陽極連接的連接部的四側也被初始化用的電源線16以及高電位電源線160包圍，所以數(shù)據(jù)線14的電位變動引起的噪聲不會侵入OLED130的陽極，進一步可靠地進行基于準確亮度的顯示。并且，在本實施方式中，將與相鄰像素中的初始化用的電源線16連接的屏蔽布線117延伸配置至與該像素的數(shù)據(jù)線14交叉的位置，在該交叉部形成有并行平板電容。通過該并行平板電容，從數(shù)據(jù)線14向晶體管121的柵極布線的電場強度減弱，寄生電容被大幅度削減。其結果，能夠進一步抑制數(shù)據(jù)線14的噪聲給晶體管121的柵極布線帶來的影響。另外，雖產(chǎn)生對屏蔽布線117自身的噪聲施加，但由于從接下來寫入映像信號的相鄰的像素延伸配置屏蔽圖案117，所以對自身像素的顯示品質沒有影響。另外，即便相鄰的像素受到噪聲引起的變動，由于在下一定時寫入正規(guī)的映像信號，所以不影響顯示品質。應用/變形例本發(fā)明不限于上述實施方式、應用例等實施方式等，例如能夠進行下述各種變形。另外，也能夠對任意地選擇出的一個或者多個下述的變形方式進行適當?shù)亟M合。<控制電路>在實施方式中，將供給數(shù)據(jù)信號的控制電路5與電光裝置10獨立設置，但也可以將控制電路5與掃描線驅動電路20、多路輸出選擇器(demultiplexer)30、電平移位電路40一起集成在硅基板上。<基板>在實施方式中，為將電光裝置10集成于硅基板的構成，但也可以為集成于其他半導體基板的構成。另外，也可以應用多晶硅加工工藝形成于玻璃基板等上。無論哪一種，都在對像素電路110進行微細化，在晶體管121中針對柵極電壓Vgs的變化，使漏極電流按照指數(shù)函數(shù)大幅變化的構成中有效。<控制信號Gcmp（i）>在實施方式等中，若以第i行來說，在寫入期間將控制信號Gcmp（i）設為H電平，但也可以設為L電平。即，也可以為并行執(zhí)行使晶體管123導通帶來的閾值補償和對節(jié)點柵極g的寫入的構成。<晶體管的溝道型>在上述的實施方式等中，以P溝道型統(tǒng)一了像素電路110中的晶體管121～125，但也可以以N溝道型進行統(tǒng)一。另外，也可以適當?shù)亟M合P溝道型以及N溝道型。<驅動晶體管的柵極電極的連接部中的屏蔽>在上述的實施方式中，對處于與數(shù)據(jù)線14同一層的中繼電極61，即從作為驅動晶體管發(fā)揮功能的晶體管121的柵極電極144向上層的連接部中，以初始化用的電源線16包圍與數(shù)據(jù)線14處于同一層的連接部的四側的構成的例子進行了說明，但本發(fā)明并不局限于這樣的構成。包圍連接部的布線也可以是被保持在成為電源的低位側的電位Vct的布線。這些布線與在掃描線驅動電路20或者數(shù)據(jù)線驅動電路30等中使用的電源布線相比均為低阻抗，在作為屏蔽線進行使用的情況下，屏蔽效果進一步提高。另外，在上述的實施方式中，不僅利用初始化用的電源線16包圍與數(shù)據(jù)線14處于同一層的連接部的四側，還利用高位側電源線160包圍從晶體管121的柵極電極144向上層的連接部中的、與高位側電源線160處于同層的中繼電極63的四側，但也可以利用初始化用的電源線16或者高位側電源線160的任意一方包圍連接部。另外，在上述的實施方式中，對利用電源布線包圍從晶體管121的柵極電極144向上層的連接部的四側的例子進行了說明，但本發(fā)明并不局限于這樣的構成，包圍至少三側即可。例如，即便與圖6所示的開口部170或者開口部171，或圖7所示的開口部172或者開口部173連續(xù)的狹縫形成于初始化用的電源線16或者高位側電源線160，若從晶體管121的柵極電極144向上層的連接部的大部分被初始化用的電源線16或者高位側電源線160包圍，就能夠得到所希望的屏蔽效果。<其他>在實施方式等中，作為電光元件例示了作為發(fā)光元件的OLED，但例如是無機發(fā)光二極管、LED（LightEmittingDiode：發(fā)光二極管）等以與電流對應的亮度發(fā)光的元件即可。<電子設備>接下來，對應用了實施方式等、應用例所涉及的電光裝置10的電子設備進行說明。電光裝置10面向像素為小尺寸且高精細的顯示的用途。因此，作為電子設備以頭戴式顯示器為例進行說明。圖10是表示頭戴式顯示器的外觀的圖，圖11是表示其光學構成的圖。首先，如圖10所示，頭戴式顯示器300在外觀上與一般的眼鏡一樣，具有眼鏡腿310、鼻架320、鏡片301L、301R。另外，如圖11所示，在頭戴式顯示器300中，在鼻架320附近且在鏡片301L、301R的內側（在圖中下側）設置有左眼用的電光裝置10L和右眼用的電光裝置10R。將電光裝置10L的圖像顯示面配置為在圖11中為左側。由此，基于電光裝置10L的顯示圖像經(jīng)由光學透鏡302L在圖中向9點的方向射出。半反射鏡303L使基于電光裝置10L的顯示圖像向6點的方向反射，另一方面，使從12點的方向入射的光透過。將電光裝置10R的圖像顯示面配置為與電光裝置10L相反的右側。由此，基于電光裝置10R的顯示圖像經(jīng)由光學透鏡302R在圖中向3點的方向射出。半反射鏡303R使基于電光裝置10R的顯示圖像向6點方向反射，另一方面，使從12點方向入射的光透過。在該構成中，頭戴式顯示器300的佩戴者能夠在與外面的狀況重疊的透視狀態(tài)下觀察基于電光裝置10L、10R的顯示圖像。另外，在該頭戴式顯示器300中，若使伴有視差的兩眼圖像中左眼用圖像顯示于電光裝置10L，使右眼用圖像顯示于電光裝置10R，則能夠使佩戴者感覺顯示的圖像具有縱深感、立體感（3D顯示）。此外，除了將電光裝置10應用于頭戴式顯示器300之外，還能夠應用于攝像機、透鏡交換式的數(shù)碼照相機等中的電子式取景器。附圖標記說明10…電光裝置，12…掃描線，14…數(shù)據(jù)線，16…初始化用的電源線，20…掃描線驅動電路，30…數(shù)據(jù)線驅動電路，30～39…接觸孔，41～46…中繼電極，50～56…接觸孔，60、62…接觸孔，62、63…中繼電極，100…顯示部，110…像素電路，114、115…控制線供電線，116…供電線，117…屏蔽布線，118…控制線，121～125…晶體管，130…OLED，132…保持電容，140～143…能動區(qū)域，144～148…柵極電極，160…高位側電源線，170～173…開口部，300…頭戴式顯示器。