專利名稱：像素驅(qū)動(dòng)電路及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及平板顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種像素驅(qū)動(dòng)電路及顯示裝置。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的OLED (Organic Light-Emitting Diode,有機(jī)發(fā)光二極管)像素驅(qū)動(dòng)電路如圖1所示，包括晶體管TH、晶體管T12、發(fā)光器件Dll及電容CU。晶體管Tll的柵極連接信號(hào)掃描線SCAN，源極連接數(shù)據(jù)線DATA，漏極連接晶體管的T12的柵極；晶體管T12的漏極連接電源線VDD，源極通過(guò)發(fā)光器件Dl I連接公共接地端VSS ;電容Cl I連接在晶體管T12的柵極和源極之間。 圖1所示OLED像素驅(qū)動(dòng)電路的工作過(guò)程包括配置階段，當(dāng)信號(hào)掃描線SCAN為高電平時(shí)，晶體管Tll導(dǎo)通并將數(shù)據(jù)線DATA上輸出的配置電壓輸送至晶體管T12的柵極，此配置電壓為晶體管T12的閾值電壓，使晶體管T12進(jìn)入飽和電流區(qū)；顯示階段，數(shù)據(jù)線DATA上輸出發(fā)光器件Dll要顯示時(shí)對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓VDATA，以對(duì)電容Cll進(jìn)行充電，此階段為主要充電階段，之后，使信號(hào)掃描線SCAN為低電平，晶體管Tll截止，但電容Cll上保持的數(shù)據(jù)仍可使晶體管T12處于飽和電流區(qū)，VDD繼續(xù)為發(fā)光器件Dll提供電壓，直到下一個(gè)配置階段到來(lái)，如此循環(huán)。在使用圖1所示的像素驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，由于在前一個(gè)顯示階段和后一個(gè)配置階段之間，沒有對(duì)該像素驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行初始化，電容Cll上儲(chǔ)存的剩余電荷無(wú)法釋放，因此會(huì)出現(xiàn)相鄰兩個(gè)數(shù)據(jù)電壓疊加而影響發(fā)光器件Dll顯示效果的現(xiàn)象；另外，由于現(xiàn)有的集成電路制作工藝無(wú)法保證制作大尺寸顯示器件時(shí)所有晶體管的電學(xué)一致性，而且晶體管在長(zhǎng)時(shí)間使用后閾值電壓也會(huì)發(fā)生變化，因此晶體管Tll輸出的配置電壓有可能不能使晶體管T12進(jìn)入飽和電流區(qū)，導(dǎo)致發(fā)光器件Dll顯示異常；而且，由于發(fā)光器件Dll為薄膜器件，持續(xù)使它處于正向偏置狀態(tài)，會(huì)導(dǎo)致該發(fā)光器件Dl I上積累電荷，從而影響該發(fā)光器件Dl I的使用壽命和發(fā)光效率。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種像素驅(qū)動(dòng)電路及顯示裝置，解決了使用現(xiàn)有像素驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，發(fā)光器件顯示效果差，會(huì)發(fā)生顯示異常現(xiàn)象，以及使用壽命短、發(fā)光效率低的問(wèn)題。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案—種像素驅(qū)動(dòng)電路，包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、電容以及發(fā)光器件；所述第一晶體管的柵極連接信號(hào)掃描線，漏極連接數(shù)據(jù)線；所述第三晶體管的柵極連接初始化信號(hào)線，源極連接公共接地端；所述電容連接在所述第二晶體管的柵極與源極間，所述第二晶體管的漏極連接電源線；所述第四晶體管的柵極及漏極與所述第二晶體管的漏極連接，源極與所述第二晶體管的柵極、所述第一晶體管的源極以及所述第三晶體管的漏極連接；所述發(fā)光器件的正極與所述第二晶體管的源極連接，負(fù)極與所述公共接地端連接。優(yōu)選的，所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管、所述第四晶體管為N溝道薄膜晶體管。其中，所述電容的電容值等于所述第一晶體管源漏寄生電容的電容值的兩倍。并進(jìn)一步的，所述像素驅(qū)動(dòng)電路還包括數(shù)模變換電路，用于向所述電源線供給基準(zhǔn)電壓。一種顯示裝置，包括上述任一的像素驅(qū)動(dòng)電路。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)電路及顯示裝置中，由于第三晶體管在初始化階段的開啟能使得存儲(chǔ)在電容上的剩余電荷被釋放，在后續(xù)的顯示階段就會(huì)避免出現(xiàn)存在的剩余電荷影響本幀圖像顯示效果的問(wèn)題；由于第一晶體管與電容的配合或者第一晶體管、第四晶體管與電容的配合，使得在數(shù)據(jù)寫入階段流過(guò)發(fā)光器件的電流只與數(shù)據(jù)電壓有關(guān)，因此防止了晶體管閾值漂移導(dǎo)致的發(fā)光器件顯示異常的問(wèn)題；另外，由于第三晶體管在初始化階段能使發(fā)光器件反向偏置，消除了積累電荷，從而使得該發(fā)光器件具有較高的使用壽命和較好的發(fā)光效率。

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為傳統(tǒng)像素驅(qū)動(dòng)電路的示意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)電路的示意圖；圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種像素驅(qū)動(dòng)方法的信號(hào)時(shí)序圖；圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的數(shù)模轉(zhuǎn)換電路的示意圖；圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一種像素驅(qū)動(dòng)方法的信號(hào)時(shí)序圖；圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種像素驅(qū)動(dòng)方法的流程圖；圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一種像素驅(qū)動(dòng)方法的流程圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種像素驅(qū)動(dòng)電路，如圖2所示，包括第一晶體管T21、第二晶體管T22、第三晶體管T23、第四晶體管T24、電容C21以及發(fā)光器件D21。第一晶體管T21的柵極連接信號(hào)掃描線SCAN，漏極連接數(shù)據(jù)線DATA ;第三晶體管T23的柵極連接初始化信號(hào)線INIT，源極連接公共接地端VSS ;電容C21連接在第二晶體管T22的柵極與源極間，第二晶體管T22的漏極連接正極電壓VDD ;第四晶體管T24的柵極與漏極和第二晶體管T22的漏極連接，源極與第二晶體管T22的柵極、第一晶體管T21的源極以及第三晶體管T23的漏極連接；發(fā)光器件D21的正極與第二晶體管T22的源極連接，負(fù)極與公共接地端VSS連接。下面借助圖3對(duì)上述像素驅(qū)動(dòng)電路的工作過(guò)程進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。為了更好地說(shuō)明像素驅(qū)動(dòng)電路的工作過(guò)程，此處定義電容C21、第一晶體管T21的漏極及第二晶體管T22的柵極的連接點(diǎn)為A ；電容C21、第二晶體管T22的源極及發(fā)光器件D21的正極的連接點(diǎn)為B ;電容兩端電壓表示為VAB。第二晶體管源極與漏極之間的電壓表示為Vds，第二晶體管柵極與源極之間的電壓表示為Vgs ;第二晶體管的閾值電壓表示為Vth ;發(fā)光器件D21正極與負(fù)極之間的電壓表示為VOLED ;數(shù)據(jù)線上的輸出的電壓表示為VDATA ;信號(hào)掃描線提供的信號(hào)表不為SCAN ;初始化信號(hào)線提供的信號(hào)表不為INIT ;以下實(shí)施例以晶體管均為N溝道薄膜晶體管進(jìn)行介紹，但不局限于此類型。如圖3所示，初始化階段為tl到t2的時(shí)間段。此階段中，信號(hào)掃描線SCAN線上、電源線VDD上、數(shù)據(jù)線DATA上電位均為低電平，從而使第一晶體管T21和第四晶體管T24關(guān)斷。在tl時(shí)刻，電容C21兩端電壓VAB為顯示上一幀圖像時(shí)存儲(chǔ)的電壓V12。在tl時(shí)亥丨J，初始化信號(hào)線INIT的高電平信號(hào)使第三晶體管T23打開，A點(diǎn)與公共接地端VSS連接，使得A點(diǎn)電位為0，從而使B點(diǎn)電位變?yōu)?V12，進(jìn)而使得發(fā)光器件D21正、負(fù)極間電壓VOLED為負(fù)，發(fā)光器件D21反向偏置。此時(shí)，第二晶體管T22漏源電壓Vds為V12，柵源電壓Vgs為V12，從而使第二晶體管T22導(dǎo)通，在tl至t2的時(shí)間段內(nèi)，B點(diǎn)電位因?yàn)橛械诙w管T22的充電而上升，最終穩(wěn)定在O電位。此處需要說(shuō)明的是發(fā)光器件D21為薄膜型器件，正、負(fù)極兩端存在寄生電容，如果總是處于正向偏置狀態(tài)，會(huì)在該寄生電容兩端積累電荷，形成一定的正向壓降，從而使發(fā)光器件D21的跨壓上升，耗散功率上升，進(jìn)而影響發(fā)光效率。而在上述初始化階段中，由于初始化信號(hào)線INIT的高電平信號(hào)能使發(fā)光器件D21反向偏置，因此，發(fā)光器件D21正、負(fù)極間積累的電荷會(huì)被消除，從而能保證發(fā)光器件D21具有較長(zhǎng)的使用壽命和較好的發(fā)光效率。如圖3所示，閾值補(bǔ)償階段為t2到t3的時(shí)間段。此階段中，信號(hào)掃描線SCAN為低電平，從而第一晶體管T21處于關(guān)斷狀態(tài)，電源線VDD上施加第一電源信號(hào)VDDl (例如2V-5V)，使第四晶體管T24處于飽和電流區(qū)，使A點(diǎn)因充電而電位逐步上升。由于第四晶體管T24導(dǎo)通時(shí)漏源間電阻可忽略不計(jì)，因此當(dāng)A點(diǎn)電位上升至VDDl時(shí)，第二晶體管T22處于飽和電流區(qū)，從而使B點(diǎn)因充電而電位逐步上升。因流過(guò)第二晶體管T22的電流與第二晶體管T22的(Vgs-Vth)2成比例，因此電容電壓逐步下降最終穩(wěn)定于第二晶體管T22的閾值電壓Vth。當(dāng)然，此處可以通過(guò)選擇適當(dāng)?shù)碾娙軨21及第二晶體管T22的尺寸以及第一電源信號(hào)VDDl的大小，使得B點(diǎn)電位升高時(shí)不會(huì)使發(fā)光器件D21導(dǎo)通。優(yōu)選的，此處選擇電容C21的大小盡可能小，第二晶體管T22的的寄生電容盡可能小，電容C21與第二晶體管T22之間的關(guān)系為C21*Rds22 <= Tframe，其中Rds22為第二晶體管T22導(dǎo)通時(shí)的漏源電阻，Tframe為刷新一巾貞所用的時(shí)間。進(jìn)一步的，優(yōu)選第一電源信號(hào)VDDl的大小可以在2V至5V之間，使得B點(diǎn)電位升高時(shí)不會(huì)使發(fā)光器件D21導(dǎo)通。如圖3所示，數(shù)據(jù)寫入階段為t3到t6的時(shí)間段。其中，t3至t4時(shí)間段和t5至t6時(shí)間段均表示信號(hào)掃描線SCAN和數(shù)據(jù)線DATA的輸出先后順序，即數(shù)據(jù)線DATA先有變化，信號(hào)掃描線SCAN后有變化；t4至t5時(shí)間段為實(shí)際數(shù)據(jù)寫入階段。在t4至t5時(shí)間段中，數(shù)據(jù)線DATA線上輸出相應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)VDATA，初始化信號(hào)線INIT及電源線VDD上電位均為低電平，因此第二至第四晶體管(T22-T24)均關(guān)斷。在t4到t5的時(shí)間段內(nèi)信號(hào)掃描SCAN線上輸出高電平，從而使第一晶體管T21打開，因其導(dǎo)通后阻抗很小，所以可以近似認(rèn)為A點(diǎn)充電后的電位與數(shù)據(jù)線DATA線上送入的數(shù)據(jù)信號(hào)VDATA的電位一致。又由于電源線VDD上在此階段為低電平，發(fā)光器件D21處于關(guān)閉狀態(tài)，同時(shí)由于第二晶體管T22處于截止?fàn)顟B(tài)，流過(guò)第二晶體管T22的漏電流很小，因此B點(diǎn)基本沒有充電。通過(guò)合理地選擇第一晶體管T21、第二晶體管T22及電容C21的尺寸，能使A、B點(diǎn)之間的電壓VAB在此階段結(jié)束時(shí)最終穩(wěn)定在Vth+VDATA。如圖3所示，顯示階段為t6至t7的時(shí)間段。電源線VDD上提供第二電源信號(hào)VDD2，初始化信號(hào)線INIT、信號(hào)掃描線SCAN線及數(shù)據(jù)線DATA上電位均為低電平，使得第一晶體管T21及第三晶體管T23關(guān)斷。第二電源信號(hào)VDD2使第二晶體管T22處于飽和電流區(qū)。由于關(guān)斷的第一晶體管T21、第三晶體管T23存在漏電流，從而使A點(diǎn)電位逐漸下降，而第四晶體管T24流過(guò)的電流又能使A點(diǎn)電位上升，因此通過(guò)適當(dāng)選擇第一晶體管T21、第三晶體管T23及第四晶體管T24的尺寸，可以使A點(diǎn)電位保持不變。于是，流過(guò)發(fā)光器件D21的電流與第二晶體管T22的(Vgs-Vth)2成比例。由于Vgs = VDATA+Vth，因此，流過(guò)發(fā)光器件D21的電流與VDATA2成比例，即與第二晶體管T22的閾值電壓無(wú)關(guān)，所以在第二晶體管T22閾值發(fā)生漂移的情況下，發(fā)光器件D21的顯示始終不受影響。此時(shí)，發(fā)光器件D21正、負(fù)極間的電壓VOLED為(VDD2_Vds)，該電壓大于或等于發(fā)光器件D21的開啟電壓。通過(guò)適當(dāng)?shù)剡x擇各器件的尺寸，可以使上述的初始化階段和閾值補(bǔ)償階段合并為一個(gè)初始化階段，下面結(jié)合圖5對(duì)各步驟進(jìn)行詳細(xì)描述。如圖5所示，初始化階段為t51到t52的時(shí)間段。此階段中，信號(hào)掃描線SCAN線上、電源線VDD上、數(shù)據(jù)線DATA上電位均為低電平，從而使第一晶體管T21和第四晶體管T24關(guān)斷。在t51時(shí)刻，電容C21兩端電壓VAB為顯示上一幀圖像時(shí)存儲(chǔ)的電壓V34。在t51時(shí)刻，初始化信號(hào)線INIT上的高電平信號(hào)使第三晶體管T23打開，A點(diǎn)與公共接地端VSS連接，使得A點(diǎn)電位為0，從而使B點(diǎn)電位變?yōu)?V34，進(jìn)而使發(fā)光器件D21正、負(fù)極間電壓VOLED為負(fù)，發(fā)光器件D21反向偏置。此時(shí)，第二晶體管T22漏源電壓Vds為V34，柵源電壓Vgs為V34，從而第二晶體管T22導(dǎo)通，在t51到t52的時(shí)間段內(nèi)，B點(diǎn)電位因?yàn)橛械诙w管T22的充電而上升，通過(guò)適當(dāng)?shù)剡x擇第二晶體管T22及電容C21的尺寸，可以使t52時(shí)刻到來(lái)時(shí)，B點(diǎn)電位最終穩(wěn)定在-Vth。如圖5所示，數(shù)據(jù)寫入階段為t52到t55的時(shí)間段。此階段與圖3中t3到t6的數(shù)據(jù)寫入階段完全相同，在t53至t54時(shí)間段中，數(shù)據(jù)線DATA上輸出相應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)VDATA，初始化信號(hào)線INIT及電源線VDD上電位均為低電平，因此第二至第四晶體管(T22-T24)均關(guān)斷。在t53到t54的時(shí)間段內(nèi)信號(hào)掃描線SCAN上輸出高電平，從而使第一晶體管T21打開，因其導(dǎo)通后阻抗很小，所以可以近似認(rèn)為A點(diǎn)充電后的電位與數(shù)據(jù)線DATA線上送入的數(shù)據(jù)信號(hào)VDATA的電位一致。又由于電源線VDD上在此階段為低電平，發(fā)光器件D21處于關(guān)閉狀態(tài)，同時(shí)由于第二晶體管T22處于截止?fàn)顟B(tài)，流過(guò)第二晶體管T22的漏電流很小，因此B點(diǎn)基本沒有充電。通過(guò)適當(dāng)?shù)剡x擇第一晶體管T21、第二晶體管T22及電容C21的尺寸，能使A、B點(diǎn)之間的電壓VAB在此階段結(jié)束時(shí)最終穩(wěn)定在Vth+VDATA。如圖5所示，顯示階段為t55_t56的時(shí)間段。電源線VDD上提供電源電壓VDD3，其中VDD3彡Vth+VDATA，此電壓使第二晶體管T22處于飽和電流區(qū)。初始化信號(hào)線INIT、信號(hào)掃描線SCAN線及數(shù)據(jù)線DATA上電位均為低電平，使得第一晶體管T21及第三晶體管T23關(guān)斷。由于關(guān)斷的第一晶體管T21、第三晶體管T23存在漏電流，使A點(diǎn)電位下降，而第四晶體管T24流過(guò)的電流又能使A點(diǎn)電位上升，因此通過(guò)適當(dāng)選擇第一晶體管T21、第三晶體管T23及第四晶體管T24的尺寸，可以使A點(diǎn)電位保持不變，于是流過(guò)發(fā)光器件D21的電流與第二晶體管T22的(Vgs-Vth)2成比例。由于Vgs = VDATA+Vth,當(dāng)然，此處可以通過(guò)選擇適當(dāng)?shù)碾娙軨21及第二晶體管T22的尺寸以及第一電源信號(hào)VDDl的大小，使得B點(diǎn)電位升高時(shí)不會(huì)使發(fā)光器件D21導(dǎo)通。 優(yōu)選的，此處選擇電容C21的大小盡可能小，第二晶體管T22的的寄生電容盡可能小，電容C21與第二晶體管T22之間的關(guān)系為C21*Rds22 <= Tframe，其中Rds22為第二晶體管T22導(dǎo)通時(shí)的漏源電阻，Tframe為刷新一幀所用的時(shí)間。進(jìn)一步的，優(yōu)選第一電源信號(hào)VDDl的大小可以在2V至5V之間，使得B點(diǎn)電位升高時(shí)不會(huì)使發(fā)光器件D21導(dǎo)通。此時(shí)，發(fā)光器件D21正、負(fù)極間的電壓VOLED為(VDD2_Vds)，該電壓大于或等于發(fā)光器件D21的開啟電壓。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)電路中，由于第三晶體管在初始化階段的開啟能使得存儲(chǔ)在電容上的剩余電荷被釋放，在后續(xù)的顯示階段就會(huì)避免出現(xiàn)存在的剩余電荷影響本幀圖像顯示效果的問(wèn)題；由于第一晶體管與電容的配合或者第一晶體管、第四晶體管與電容的配合，使得在數(shù)據(jù)寫入階段流過(guò)發(fā)光器件的電流只與數(shù)據(jù)電壓有關(guān)，因此防止了晶體管閾值漂移導(dǎo)致的發(fā)光器件顯示異常的問(wèn)題；另外，由于第三晶體管在初始化階段能使發(fā)光器件反向偏置，消除了積累電荷，從而使得該發(fā)光器件具有較高的使用壽命和較好的發(fā)光效率。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)電路中，第一晶體管T21、第二晶體管T22、第三晶體管T23、第四晶體管T24可以為N溝道薄膜晶體管，或是其它能實(shí)現(xiàn)可控開關(guān)作用的器件。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)電路中，電容C21的電容值可以等于所述第一晶體管T21源漏寄生電容的電容值的兩倍。在圖3所示的工作過(guò)程中的數(shù)據(jù)寫入階段(t3至t6)，第二晶體管T22、第三晶體管T23、第四晶體管T24關(guān)斷，此時(shí)B點(diǎn)電位不變。在第一晶體管T21源漏極間有寄生電容Cl。因?yàn)樵跀?shù)據(jù)寫入階段電荷守恒，電容C21上增加的電荷等于在第一晶體管T21漏源間寄生電容減少的電荷，即(VDATA-Vth) *CI+Vth*C =V，* (C-Cl)，為了使 V’ = Vth+VDATA，當(dāng) C = 2C1 時(shí)能滿足要求。上述實(shí)施例中，還包括數(shù)模變換電路，用于向所述電源線供給基準(zhǔn)電壓。數(shù)模變換電路可以為如圖4所示的電路，包括第五晶體管T45、第六晶體管T46、第七晶體管T47、電阻R41和放大器A41。第五晶體管T45的源極、第六晶體管T46的漏極及第七晶體管T47的漏極連接；第五晶體管T45的柵極與第六晶體管T46的柵極連接形成第一控制端；第七晶體管T47的柵極作為第二控制端；第七晶體管T47的源極、電阻R41的一端及放大器A41的正向輸入端連接；電阻R41的另一端接地；放大器A41的反向輸入端與放大器A41的輸出端連接；第五晶體管T45的漏極用于輸入第二電源信號(hào)；第六晶體管T46的源極用于輸入第一電源信號(hào)；放大器A41的輸出端用于向圖1中的電源線VDD或公共電壓端VSS輸出電源信號(hào)。上述實(shí)施例中提供的數(shù)模變換電路，其工作過(guò)程如下當(dāng)b0為邏輯O且bl為邏輯O時(shí)，第五晶體管T45截止，但第六晶體管T46與第七晶體管T47為P溝道薄膜晶體管，從而導(dǎo)通，使VDD = VDDl ;當(dāng)b0為邏輯O且bl為邏輯I時(shí)，第五晶體管T45導(dǎo)通，第六晶體管T46與第七晶體管T47為P溝道薄膜晶體管，從而第六晶體管T46截止、第七晶體管T47導(dǎo)通，使VDD = VDD2 ;當(dāng)b0為邏輯I時(shí)，第七晶體管T47截止，使VDD = O。從而通過(guò)數(shù)模轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)了不同電壓的輸出。需要說(shuō)明的是，圖4所示的數(shù)模轉(zhuǎn)換電路中的晶體管可以為N溝道薄膜晶體管或者P溝道薄膜晶體管，電源線VDD上的電壓與晶體管的類型無(wú)關(guān)。本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種像素驅(qū)動(dòng)方法，如圖6所示，該方法包括如下步驟。601、初始化階段，信號(hào)掃描線為低電平，使第一晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)，電源線電壓為零，使第二晶體管、第四晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)，數(shù)據(jù)線電壓為零，初始化信號(hào)線為高電平，使第三晶體管開啟，以清除電容上殘留的電荷，并使發(fā)光器件反向偏置。602、閾值補(bǔ)償階段，信號(hào)掃描線為低電平，使第一晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)，初始化信號(hào)線為低電平，使第三晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)，數(shù)據(jù)線電壓為零，電源線提供第一電源信號(hào)，使第二晶體管、第四晶體管開啟以使第二晶體管柵極與源極之間的電壓等于第二晶體管的閾值電壓。603、數(shù)據(jù)寫入階段，電源線電壓為零，使第四晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)，初始化信號(hào)線為低電平，使第三晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)，信號(hào)掃描線為高電平，使第一晶體管開啟，數(shù)據(jù)線提供數(shù)據(jù)電壓，以使第二晶體管柵極與源極之間的電壓等于數(shù)據(jù)電壓與第二晶體管的閾值電壓之和。604、顯示階段，信號(hào)掃描線為低電平，使第一晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)，初始化信號(hào)線為低電平，使第三晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)，數(shù)據(jù)線電壓為零，電源線提供第二電源信號(hào)，使第四晶體管處于飽和狀態(tài)，以使第二晶體管的柵極電壓穩(wěn)定，并使發(fā)光器件工作。該方法已在上述實(shí)施例對(duì)像素驅(qū)動(dòng)電路工作過(guò)程的描述中進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，在此不再贅述。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)方法中，由于第三晶體管在初始化階段的開啟能使得存儲(chǔ)在電容上的剩余電荷被釋放，在后續(xù)的顯示階段就會(huì)避免出現(xiàn)存在的剩余電荷影響本幀圖像顯示效果的問(wèn)題；由于第一晶體管與電容的配合或者第一晶體管、第四晶體管與電容的配合，使得在數(shù)據(jù)寫入階段流過(guò)發(fā)光器件的電流只與數(shù)據(jù)電壓有關(guān)，因此防止了晶體管閾值漂移導(dǎo)致的發(fā)光器件顯示異常的問(wèn)題；另外，由于第三晶體管在初始化階段能使發(fā)光器件反向偏置，消除了積累電荷，從而使得該發(fā)光器件具有較高的使用壽命和較好的發(fā)光效率。本實(shí)用新型實(shí)施例又提供一種像素驅(qū)動(dòng)方法，如圖7所示，該方法包括如下步驟。701、初始化階段，使信號(hào)掃描線為低電平，使第一晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)，電源線電壓為零，使第四晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)，數(shù)據(jù)線電壓為零，初始化信號(hào)線為高電平，使第三晶體管開啟，以清除電容上殘留的電荷，使發(fā)光器件反向偏置，并使第二晶體管柵極與源極之間的電壓等于第二晶體管的閾值電壓。702、數(shù)據(jù)寫入階段，電源線電壓為零，使第四晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)，初始化信號(hào)線為低電平，使第三晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)，信號(hào)掃描線為高電平，使第一晶體管開啟，數(shù)據(jù)線提供數(shù)據(jù)電壓，以使第二晶體管柵極與源極之間的電壓等于數(shù)據(jù)電壓與第二晶體管的閾值電壓之和。703、顯示階段，信號(hào)掃描線為低電平，使第一晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)，初始化信號(hào)線為低電平，使第三晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)，數(shù)據(jù)線電壓為零，電源線提供第二電源信號(hào)，使第四晶體管處于飽和狀態(tài)，以使第二晶體管的柵極電壓穩(wěn)定，并使發(fā)光器件工作。該方法已在上述實(shí)施例對(duì)像素驅(qū)動(dòng)電路工作過(guò)程的描述中進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，在此不再贅述。需要說(shuō)明的是，上述晶體管的源極s和漏極g的制作工藝相同，名稱上是可以互換的，其可根據(jù)電壓的方向在名稱上改變。而且，同一像素電路中各個(gè)晶體管的類型可以相同，也可以不同，只需根據(jù)其自身閾值電壓特點(diǎn)調(diào)整相應(yīng)的時(shí)序高低電平即可。當(dāng)然，優(yōu)選的方式為，需要的柵極開啟信號(hào)源相同的晶體管，其類型相同。更為優(yōu)選的，同一像素電路中，所有晶體管的類型相同，比如均為N溝道薄膜晶體管或P溝道薄膜晶體管。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)方法中，由于第三晶體管在初始化階段的開啟能使得存儲(chǔ)在電容上的剩余電荷被釋放，在后續(xù)的顯示階段就會(huì)避免出現(xiàn)存在的剩余電荷影響本幀圖像顯示效果的問(wèn)題；由于第一晶體管與電容的配合或者第一晶體管、第四晶體管與電容的配合，使得在數(shù)據(jù)寫入階段流過(guò)發(fā)光器件的電流只與數(shù)據(jù)電壓有關(guān)，因此防止了晶體管閾值漂移導(dǎo)致的發(fā)光器件顯示異常的問(wèn)題；另外，由于第三晶體管在初始化階段能使發(fā)光器件反向偏置，消除了積累電荷，從而使得該發(fā)光器件具有較高的使用壽命和較好的發(fā)光效率。本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括多個(gè)上述實(shí)施例所描述的像素驅(qū)動(dòng)電路。顯示裝置中，像素驅(qū)動(dòng)電路形成于陣列基板上。陣列基板上縱橫交叉設(shè)置多條掃描線和數(shù)據(jù)線，并由該多條掃描線和數(shù)據(jù)線限定了多個(gè)上述像素驅(qū)動(dòng)電路。陣列基板還包括用于為驅(qū)動(dòng)像素驅(qū)動(dòng)電路提供信號(hào)的行驅(qū)動(dòng)芯片和列驅(qū)動(dòng)芯片、用于向所述行、列驅(qū)動(dòng)芯片提供時(shí)序控制信號(hào)的芯片組以及電壓、電流源。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的顯示裝置中，由于使用了上述實(shí)施例描述的像素驅(qū)動(dòng)電路，能顯著提高發(fā)光器件的顯示效果，能避免發(fā)生顯示異?，F(xiàn)象，并能使發(fā)光器件的使用壽命和發(fā)光效率提高。本實(shí)用新型實(shí)施例之一適用在OLED面板中。以上所述，僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、電容以及發(fā)光器件；所述第一晶體管的柵極連接信號(hào)掃描線，漏極連接數(shù)據(jù)線；所述第三晶體管的柵極連接初始化信號(hào)線，源極連接公共接地端；所述電容連接在所述第二晶體管的柵極與源極間， 所述第二晶體管的漏極連接電源線；所述第四晶體管的柵極及漏極與所述第二晶體管的漏極連接，源極與所述第二晶體管的柵極、所述第一晶體管的源極以及所述第三晶體管的漏極連接；所述發(fā)光器件的正極與所述第二晶體管的源極連接，負(fù)極與所述公共接地端連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管、所述第四晶體管為N溝道薄膜晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述電容的電容值等于所述第一晶體管源漏寄生電容的電容值的兩倍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，還包括數(shù)模變換電路，用于向所述電源線供給基準(zhǔn)電壓。
5.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的像素驅(qū)動(dòng)電路。
專利摘要本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種像素驅(qū)動(dòng)電路及顯示裝置，涉及平板顯示技術(shù)領(lǐng)域，解決了使用現(xiàn)有像素驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，發(fā)光器件顯示效果差，會(huì)發(fā)生顯示異?，F(xiàn)象，以及使用壽命短、發(fā)光效率低的問(wèn)題。本實(shí)用新型實(shí)施例中，由于第三晶體管在初始化階段的開啟使存儲(chǔ)在電容上的剩余電荷釋放，在顯示階段就會(huì)避免出現(xiàn)剩余電荷影響本幀圖像顯示效果的問(wèn)題；由于第一晶體管與電容的配合或第一晶體管、第四晶體管與電容的配合，使在數(shù)據(jù)寫入階段流過(guò)發(fā)光器件的電流只與數(shù)據(jù)電壓有關(guān)，防止了晶體管閾值漂移的問(wèn)題；由于第三晶體管在初始化階段使發(fā)光器件反向偏置，消除積累電荷，使發(fā)光器件具有較高使用壽命和較好的發(fā)光效率。
文檔編號(hào)G09G3/32GK202838917SQ20122054556
公開日2013年3月27日 申請(qǐng)日期2012年10月23日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月23日
發(fā)明者郭瑞 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司