專(zhuān)利名稱(chēng)：顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及其中使用用作電流控制器件的有機(jī)EL (電致發(fā)光)器件的有源矩陣型
顯示裝置。
背景技術(shù)：
作為要被用于有源矩陣型有機(jī)EL顯示裝置的像素電路，根據(jù)要被顯示的灰度來(lái)設(shè)定輸入數(shù)據(jù)電壓的電壓編程像素電路是已知的。順便說(shuō)一句，像這樣的像素電路一般包含用于基于輸入數(shù)據(jù)電壓向有機(jī)EL器件供給電流的驅(qū)動(dòng)晶體管。這里，存在閾值電壓根據(jù)要使用的驅(qū)動(dòng)晶體管而改變的事實(shí)。出于這種原因，存在以下問(wèn)題:即，即使對(duì)于各像素電路設(shè)定相同的輸入數(shù)據(jù)電壓，有機(jī)EL器件的亮度也因此而改變。在這種情形下，日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)N0.2003-271095公開(kāi)了能夠消除驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的變化的影響的電壓編程像素電路作為解決以上問(wèn)題的方法。S卩，在日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)N0.2003-271095中公開(kāi)的包括兩個(gè)晶體管和兩個(gè)電容器的像素電路中，使得與電流控制器件并聯(lián)連接的寄生電容器CL的電容比連接于驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極和源電極之間的存儲(chǔ)電容器CS的電容大。因此，由于能夠減少輸入視頻信號(hào)的電平，因此，這種構(gòu)造在消耗的電力方面是有利的。但是，在上述的這種技術(shù)中，需要大的布局面積以形成電容大的電容器。此外，由于對(duì)于各像素電路設(shè)置寄生電容器CL，因此，在各像素電路中設(shè)置寄生電容器所需的區(qū)域變大，由此存在難以提供節(jié)距較精細(xì)(更精確)的像素電路的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是，在不使顯示質(zhì)量劣化并且不增加各像素電路所需的區(qū)域的情況下，提供可實(shí)現(xiàn)更精細(xì)節(jié)距和更精確電路構(gòu)造的顯示裝置。為了實(shí)現(xiàn)以上目的，根據(jù)本發(fā)明，提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括多個(gè)像素電路、被配置為向多個(gè)像素電路供給電壓的數(shù)據(jù)線(xiàn)、以及與數(shù)據(jù)線(xiàn)連接的控制電路，其中，多個(gè)像素電路中的每一個(gè)包含發(fā)光器件、被配置為向發(fā)光器件供給根據(jù)向其柵電極施加的電壓的電流的驅(qū)動(dòng)晶體管、一端與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極連接的第一電容器、被配置為控制驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極與數(shù)據(jù)線(xiàn)之間的導(dǎo)通的第一開(kāi)關(guān)晶體管、以及被配置為控制驅(qū)動(dòng)晶體管的漏電極與數(shù)據(jù)線(xiàn)之間的導(dǎo)通的第二開(kāi)關(guān)晶體管，并且，所述控制電路被布置在其中布置了多個(gè)像素電路的區(qū)域的外側(cè)，并且，所述控制電路包含輸入數(shù)據(jù)信號(hào)被供給到其一端的第二電容器、其輸入與第二電容器的另一端連接并且其輸出能夠與數(shù)據(jù)線(xiàn)連接的第一電壓跟隨器電路、以及其輸入與數(shù)據(jù)線(xiàn)連接并且其輸出能夠與第二電容器的另一端連接的第二電壓跟隨器電路。根據(jù)本發(fā)明，由于顯示裝置不受驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的變化影響，因此，能夠提供不使顯示質(zhì)量劣化的顯示裝置。此外，由于要對(duì)于各像素電路設(shè)置的電容器不變大，因此，能夠提供可在不擴(kuò)大各像素電路需要的區(qū)域的情況下實(shí)現(xiàn)節(jié)距較精細(xì)的構(gòu)造的顯示裝置。參照附圖閱讀示例性實(shí)施例的以下描述，本發(fā)明的其它特征將變得清晰。


圖1是示出應(yīng)用本發(fā)明的顯示裝置的總體構(gòu)造的示意性框圖。圖2是示出在本發(fā)明的第一實(shí)施例中使用的像素電路和控制電路的框圖。圖3是本發(fā)明的第一實(shí)施例中的與圖2的像素電路和控制電路對(duì)應(yīng)的時(shí)序圖。圖4是示出在本發(fā)明的第二實(shí)施例中使用的像素電路和控制電路的框圖。圖5是本發(fā)明的第二實(shí)施例中的與圖4的像素電路和控制電路對(duì)應(yīng)的時(shí)序圖。圖6示出在本發(fā)明的第三和第四實(shí)施例中使用的像素電路和控制電路的框圖。圖7是本發(fā)明的第三實(shí)施例中的與圖6的像素電路和控制電路對(duì)應(yīng)的時(shí)序圖。圖8是本發(fā)明的第四實(shí)施例中的與圖6的像素電路和控制電路對(duì)應(yīng)的時(shí)序圖。圖9示出在本發(fā)明的第五實(shí)施例中使用的像素電路和控制電路的框圖。圖10是本發(fā)明的第五實(shí)施例中的與圖9的像素電路和控制電路對(duì)應(yīng)的時(shí)序圖。圖11示出在本發(fā)明的第六實(shí)施例中使用的像素電路和控制電路的框圖。圖12是本發(fā)明 的第六實(shí)施例中的與圖11的像素電路和控制電路對(duì)應(yīng)的時(shí)序圖。圖13是示出使用根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)的總體構(gòu)造的框圖。
具體實(shí)施例方式以下，將參照附圖具體描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。這里，應(yīng)當(dāng)注意，以下的實(shí)施例中的每一個(gè)優(yōu)選被應(yīng)用于使用有機(jī)EL器件的有源矩陣型顯示裝置。圖1是示出應(yīng)用本發(fā)明的有源矩陣型有機(jī)EL顯示裝置的總體構(gòu)造的示意性框圖。如圖所示，在基板上形成顯示區(qū)域1，并且，在顯示區(qū)域I中設(shè)置矩陣狀布置的多個(gè)像素電路5。此外,像素電路5中的每一個(gè)包含發(fā)光器件,并且，作為發(fā)光器件，可以使用有機(jī)EL器件、無(wú)機(jī)EL器件和LED (發(fā)光二極管)等。輸入數(shù)據(jù)信號(hào)(視頻)從外部電路(未示出)通過(guò)多個(gè)視頻信號(hào)線(xiàn)被輸入到控制電路2 (以下，稱(chēng)為列控制電路2)。位于顯示區(qū)域I外部的列控制電路2響應(yīng)于從外部電路輸入的Ttl控制信號(hào)來(lái)控制對(duì)于多個(gè)數(shù)據(jù)線(xiàn)4的輸出電壓。柵極線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路3分別向用于對(duì)應(yīng)的行的多個(gè)像素電路5供給P控制信號(hào)線(xiàn)(P (I)、P (2)、…、P (11);“11”是自然數(shù))。在圖1所示的例子中，從外部電路供給輸入數(shù)據(jù)信號(hào)、Ttl控制信號(hào)和P控制信號(hào)。但是，本發(fā)明不限于這種構(gòu)造。即，例如，作為輸入數(shù)據(jù)信號(hào)和控制信號(hào)，可供給從通過(guò)COG (玻璃上芯片(chip on glass))方法安裝于同一基板上的控制器供給的輸出信號(hào)。[第一實(shí)施例]圖2是示出根據(jù)第一實(shí)施例的列控制電路2和顯示區(qū)域I內(nèi)的3列I行的像素電路5 (像素電路a、b、c)的構(gòu)造的框圖。對(duì)于各列布置列控制電路2中的一個(gè)塊，并且，該塊包含一個(gè)電容器(列控制電容器Cs)和一個(gè)晶體管(開(kāi)關(guān)晶體管SI)。視頻信號(hào)線(xiàn)Vdata與列控制電容器Cs (第二電容器)的一端連接，其中，通過(guò)所述視頻信號(hào)線(xiàn)Vdata供給輸入數(shù)據(jù)信號(hào)(輸入數(shù)據(jù)電壓)。開(kāi)關(guān)晶體管SI的源極和漏極中的一個(gè)與列控制電容器Cs的另一端和數(shù)據(jù)線(xiàn)(dataA、dataB、dataC)連接。開(kāi)關(guān)晶體管SI的柵極與PRE控制信號(hào)線(xiàn)連接。開(kāi)關(guān)晶體管SI的源極和漏極中的另一個(gè)與預(yù)充電電壓線(xiàn)VPRE連接。順便說(shuō)一句，應(yīng)當(dāng)注意，開(kāi)關(guān)晶體管SI作為本發(fā)明的構(gòu)成要素不是必需的。像素電路5中的每一個(gè)包含有機(jī)EL器件、驅(qū)動(dòng)晶體管Ml、存儲(chǔ)電容器Cp (第一電容器)、開(kāi)關(guān)晶體管M2 (第一開(kāi)關(guān)晶體管)和開(kāi)關(guān)晶體管M3 (第二開(kāi)關(guān)晶體管)。驅(qū)動(dòng)晶體管Ml向有機(jī)EL器件供給根據(jù)向柵電極施加的電壓的電流。一端與驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的柵電極連接的存儲(chǔ)電容器Cp存儲(chǔ)所述向柵電極施加的電壓。開(kāi)關(guān)晶體管M2控制驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的柵電極與數(shù)據(jù)線(xiàn)之間的導(dǎo)通，并且，開(kāi)關(guān)晶體管M3通過(guò)開(kāi)關(guān)晶體管M2控制驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的柵電極與漏電極之間的導(dǎo)通。驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的源極和漏極中的一個(gè)與電流供給線(xiàn)VOLED連接。驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的柵極與存儲(chǔ)電容器Cp的一端連接，并進(jìn)一步與開(kāi)關(guān)晶體管M2的源極和漏極中的一個(gè)連接，其中，所述存儲(chǔ)電容器Cp的另一端與電流供給線(xiàn)VOLED連接，所述開(kāi)關(guān)晶體管M2的源極和漏極中的另一個(gè)與數(shù)據(jù)線(xiàn)連接。驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的源極和漏極中的另一個(gè)與開(kāi)關(guān)晶體管M3的源極和漏極中的一個(gè)連接，所述開(kāi)關(guān)晶體管M3的源極和漏極中的另一個(gè)與數(shù)據(jù)線(xiàn)連接。驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的漏極進(jìn)一步與開(kāi)關(guān)晶體管M4的源極和漏極中的一個(gè)連接，所述開(kāi)關(guān)晶體管M4的源極和漏極 中的另一個(gè)與有機(jī)EL器件的陽(yáng)極連接。有機(jī)EL器件的陰極與對(duì)于所有的像素電路共同設(shè)置的共用電勢(shì)VOCOM連接。開(kāi)關(guān)晶體管M2的柵極與Pl控制信號(hào)線(xiàn)連接，開(kāi)關(guān)晶體管M3的柵極與P2控制信號(hào)線(xiàn)連接，并且，開(kāi)關(guān)晶體管M4的柵極與P3控制信號(hào)線(xiàn)連接。數(shù)據(jù)線(xiàn)被用于供給要向列控制電容器Cs的另一端施加的電壓。并且，數(shù)據(jù)線(xiàn)與數(shù)據(jù)線(xiàn)電容器Cd連接，數(shù)據(jù)線(xiàn)電容器Cd是由數(shù)據(jù)線(xiàn)與行控制線(xiàn)之間的交點(diǎn)和相鄰的布線(xiàn)等形成的。在本實(shí)施例中，NMOS (N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體)被用作構(gòu)成列控制電路2的晶體管，并且，PMOS (P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體)被用作構(gòu)成像素電路5的晶體管。但是，在本發(fā)明中，構(gòu)成列控制電路2和像素電路5的晶體管的極性不限于這些。即，可對(duì)于構(gòu)成列控制電路2和像素電路5的所有晶體管中的每一個(gè)使用諸如NMOS或PMOS的單溝道M0S。此外，可對(duì)于構(gòu)成列控制電路2和像素電路5的所有晶體管中的每一個(gè)使用包含NMOS和PMOS的混合構(gòu)造。以下，將參照?qǐng)D3所示的時(shí)序圖描述根據(jù)本實(shí)施例的具體的電路操作。這里，假定要被輸入到第一行中的像素電路的控制信號(hào)由Pl (1)、P2 (I)和P3 (I)控制信號(hào)代表，并且，要被輸入到第二行中的像素電路的控制信號(hào)由Pl (2)、P2 (2)和P3 (2)控制信號(hào)代表。首先，將描述第一行中的像素電路。在從時(shí)間t0到時(shí)間tl正前的時(shí)段中，Pl (I)控制信號(hào)和P2 (I)控制信號(hào)處于L (低)電平，P3 (I)控制信號(hào)處于H (高)電平。換句話(huà)說(shuō)，開(kāi)關(guān)晶體管M2和M3為接通，開(kāi)關(guān)晶體管M4為關(guān)斷。在列控制電路2中，用作輸入數(shù)據(jù)電壓的基準(zhǔn)電壓(Vref)被輸入到列控制電容器Cs的一端。并且，由于PRE控制信號(hào)線(xiàn)處于H電平并且開(kāi)關(guān)晶體管SI為接通，因此，列控制電容器Cs的另一端和數(shù)據(jù)線(xiàn)被設(shè)定為預(yù)充電電壓(VPRE)。此外，驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的柵極和漏極處于短路狀況(condition),并且通過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)被設(shè)定為預(yù)充電電壓(VPRE)。順便說(shuō)一句，內(nèi)部命名的(within-named)預(yù)充電電壓意味著將驅(qū)動(dòng)晶體管Ml設(shè)定為驅(qū)動(dòng)狀態(tài)的電壓。更具體而言，預(yù)充電電壓等效于使得驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的柵極-源極電壓充分地比驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的閾值電壓(Vth)高的電壓。此時(shí)，由于不向有機(jī)EL器件供給電流(其原因是開(kāi)關(guān)晶體管M4為關(guān)斷)，因此，有機(jī)EL器件不發(fā)光[預(yù)充電時(shí)段]。在從時(shí)間tl到時(shí)間t2正前的時(shí)段中，由于PRE控制信號(hào)從H電平變?yōu)長(zhǎng)電平，因此，開(kāi)關(guān)晶體管SI變?yōu)殛P(guān)斷。此時(shí)，根據(jù)柵極電壓在驅(qū)動(dòng)晶體管Ml中流動(dòng)的電流從驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的漏極流向柵極，由此，驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的柵極電壓和漏極電壓以及數(shù)據(jù)線(xiàn)電壓增大。隨著驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的柵極電勢(shì)的增大，在驅(qū)動(dòng)晶體管Ml中流動(dòng)的電流減小。在直到來(lái)自驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的電流幾乎不流動(dòng)的時(shí)間t2的時(shí)段期間，根據(jù)流入到驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的柵極中的電流的量，存儲(chǔ)電容器Cp、數(shù)據(jù)線(xiàn)電容器Cd和列控制電容器Cs被充電。然后，在時(shí)間t2，由于P2 (I)控制信號(hào)從L電平變?yōu)镠電平，因此，開(kāi)關(guān)晶體管M3變?yōu)殛P(guān)斷。因此，對(duì)于存儲(chǔ)電容器Cp和數(shù)據(jù)線(xiàn)電容器Cd設(shè)定電流不在驅(qū)動(dòng)晶體管Ml中流動(dòng)時(shí)的柵極電壓即閾值電壓(Vth)[自動(dòng)零時(shí)段]。在從時(shí)間t2到時(shí)間t3正前的時(shí)段中，輸入數(shù)據(jù)電壓從基準(zhǔn)電壓(Vref)變?yōu)橛米骰叶入妷旱腣a電壓(差值電壓AV = Va-Vref)。因此，以通過(guò)列控制電容器Cs、數(shù)據(jù)線(xiàn)電容器Cd和存儲(chǔ)電容器Cp的并聯(lián)電容的電容分割比，輸入數(shù)據(jù)電壓被寫(xiě)入到驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的柵極并被存儲(chǔ)于存儲(chǔ)電容器Cp中。順便說(shuō)一句，驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的柵極-源極電壓由Vgs={Cs/ (Cs+Cd+Cp)}.AV+Vth 給出[電壓編程時(shí)段]。然后，在時(shí)間t3，由于P3 (I)控制信號(hào)從H電平變?yōu)長(zhǎng)電平，因此，開(kāi)關(guān)晶體管M4變?yōu)榻油?。因此，?qū)動(dòng)晶體管Ml開(kāi)始向有機(jī)EL器件供給根據(jù)柵極-源極電壓的電流。換句話(huà)說(shuō)，有機(jī)EL器件開(kāi)始發(fā)光[發(fā)光時(shí)段]。在時(shí)間t4，由于P3 (I)控制信號(hào)從L電平變?yōu)镠電平，因此，開(kāi)關(guān)晶體管M4從接通變?yōu)殛P(guān)斷。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管Ml停止向有機(jī)EL器件供給電流，由此，有機(jī)EL器件進(jìn)入不發(fā)光的狀態(tài)[不發(fā)光時(shí)段]。換句話(huà)說(shuō)，有機(jī)EL器件從時(shí)間t3到時(shí)間t4正前處于發(fā)光狀態(tài)，然后在時(shí)間t4之后處于不發(fā)光狀態(tài)。因此，可通過(guò)任意地設(shè)定時(shí)間t4而適當(dāng)?shù)卦O(shè)定發(fā)光時(shí)段和不發(fā)光時(shí)段。在時(shí)間t5，由于Pl (I)控制信號(hào)和P2 (I)控制信號(hào)從H電平變?yōu)長(zhǎng)電平，因此，開(kāi)關(guān)晶體管M2和M3從關(guān)斷變?yōu)榻油?。因此，在列控制電?中，用作輸入數(shù)據(jù)電壓的基準(zhǔn)電壓(Vref)被輸入到列控制電容器Cs的一端。此外，由于PRE控制信號(hào)處于H電平并且開(kāi)關(guān)晶體管SI為接通，因此，列控制電容器Cs的另一端和數(shù)據(jù)線(xiàn)被設(shè)定為預(yù)充電電壓VPRE。此外，驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的柵極和漏極處于短路狀況，并且通過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)被設(shè)為預(yù)充電電壓(VPRE)，由此設(shè)定預(yù)充電時(shí)段。此后，依次重復(fù)自動(dòng)零時(shí)段、電壓編程時(shí)段、發(fā)光時(shí)段和不發(fā)光時(shí)段。下面，將描述第二行中的像素電路。在第一行中的像素電路開(kāi)始發(fā)光的時(shí)間t3，由于Pl (2)控制信號(hào)從H電平變?yōu)長(zhǎng)電平并且P2 (2)控制信號(hào)從H電平變?yōu)長(zhǎng)電平，因此，開(kāi)關(guān)晶體管M2和M3從關(guān)斷變?yōu)榻油?。S卩，驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的柵極和漏極處于短路狀況，并且通過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)被設(shè)為預(yù)充電電壓(VPRE)，由此設(shè)定預(yù)充電時(shí)段。此后，依次重復(fù)自動(dòng)零時(shí)段、電壓編程時(shí)段、發(fā)光時(shí)段和不發(fā)光時(shí)段。換句話(huà)說(shuō)，對(duì)于各行設(shè)定預(yù)充電時(shí)段、自動(dòng)零時(shí)段、電壓編程時(shí)段、發(fā)光時(shí)段和不發(fā)光時(shí)段。
根據(jù)本實(shí)施例，由于數(shù)據(jù)電壓在驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的閾值電壓被存儲(chǔ)于存儲(chǔ)電容器Cp中之后被寫(xiě)入到驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的柵電極，因此，裝置不受驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的閾值電壓的變化影響。出于這種原因，能夠提供不使顯示質(zhì)量劣化的顯示裝置。此外，由于在像素電路中設(shè)置的電容器僅是存儲(chǔ)電容器Cp，因此，對(duì)于各像素電路設(shè)置的電容器(電容)不變大。因此，能夠提供可在不放大各像素電路所需的區(qū)域的情況下實(shí)現(xiàn)更精細(xì)節(jié)距的構(gòu)造的顯示裝置。順便說(shuō)一句，這里要注意的點(diǎn)是，在同一行中連接的像素電路通過(guò)對(duì)于各行共同地使用列控制電路2執(zhí)行預(yù)充電操作、自動(dòng)零操作和電壓編程操作。在任何情況下，可能能夠采用多個(gè)像素電路的開(kāi)關(guān)晶體管M2與數(shù)據(jù)線(xiàn)共同連接的構(gòu)造，例如，像素電路的開(kāi)關(guān)晶體管M2與用于各列或各行的不同數(shù)據(jù)線(xiàn)連接的構(gòu)造。因此，能夠如由多個(gè)像素電路共同使用的電路器件的數(shù)量那樣多地減少各像素電路所需的電路器件的數(shù)量。換句話(huà)說(shuō)，由于可使得像素電路所需的區(qū)域小，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)具有更精細(xì)節(jié)距電路構(gòu)造的顯示裝置。順便說(shuō)一句，本實(shí)施例中的像素電路5的構(gòu)造不限于圖2所示的構(gòu)造。S卩，開(kāi)關(guān)晶體管M3的源極和漏極中的一個(gè)可與驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的柵極、存儲(chǔ)電容器Cp的另一端、以及開(kāi)關(guān)晶體管M2的源極和漏極中的另一個(gè)連接。[第二實(shí)施例]圖4是示出根據(jù)第二實(shí)施例的列控制電路2和顯示區(qū)域I內(nèi)的3列I行的像素電路5 (像素電路a、b、c)的構(gòu)造的框圖。對(duì)于各列布置列控制電路2中的一個(gè)塊，并且，該塊包含一個(gè)電容器(列控制電容器Cs)、三個(gè)晶體管(開(kāi)關(guān)晶體管S1、S2、S3)和兩個(gè)電壓跟隨器電路(B1、B2)。供給輸入數(shù)據(jù)信號(hào)的視頻信號(hào)線(xiàn)Vdata與開(kāi)關(guān)晶體管SI的源極和漏極中的一個(gè)以及列控制電容器Cs的一端連接。開(kāi)關(guān)晶體管SI的源極和漏極中的另一個(gè)與列控制電容器Cs的另一端、開(kāi)關(guān)晶體管S2的源極和漏極中的一個(gè)、以及電壓跟隨器電路BI的輸入端子連接。電壓跟隨器電路BI的輸出端子與開(kāi)關(guān)晶體管S3的源極和漏極中的一個(gè)連接。開(kāi)關(guān)晶體管S3的源極和漏極中的另一個(gè)與數(shù)據(jù)線(xiàn)和電壓跟隨器電路B2的輸入端子連接。電壓跟隨器電路B2的輸出端子與開(kāi)關(guān)晶體管S2的源極和漏極中的另一個(gè)連接。這里，應(yīng)當(dāng)注意，像素電路5具有與在第一實(shí)施例中描述的構(gòu)造相同的構(gòu)造。下面，將參照?qǐng)D5所示的時(shí)序圖描述根據(jù)本實(shí)施例的具體的電路操作。這里，將通過(guò)關(guān)注單個(gè)像素電路來(lái)描述電路操作。在從時(shí)間t0到時(shí)間tl正前的時(shí)段中，PRE控制信號(hào)線(xiàn)和SET控制信號(hào)線(xiàn)處于H電平，并且，CP控制信號(hào)線(xiàn)處于L電平。S卩，開(kāi)關(guān)晶體管SI和S3為接通，并且，開(kāi)關(guān)晶體管S2為關(guān)斷。在像素電路5中，Pl控制信號(hào)和P2控制信號(hào)處于L電平，并且，P3控制信號(hào)處于H電平。換句話(huà)說(shuō)，開(kāi)關(guān)晶體管M2和M3為接通，并且，開(kāi)關(guān)晶體管M4為關(guān)斷。此時(shí)，從視頻信號(hào)線(xiàn)Vdata供給預(yù)充電電壓(VPRE)。因此，列控制電容器Cs的兩端被復(fù)位，同時(shí)，通過(guò)開(kāi)關(guān)晶體管S1、電壓跟隨器電路B1、開(kāi)關(guān)晶體管S3和數(shù)據(jù)線(xiàn)對(duì)于驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的柵極和漏極設(shè)定預(yù)充電電壓。此時(shí)，由于開(kāi)關(guān)晶體管M4為關(guān)斷而導(dǎo)致不向有機(jī)EL器件供給電流，因此，有機(jī)EL器件不發(fā)光[預(yù)充電時(shí)段]。在從時(shí)間tl到時(shí)間t2正前的時(shí)段中，由于PRE控制信號(hào)線(xiàn)和SET控制信號(hào)線(xiàn)從H電平變?yōu)長(zhǎng)電平，因此，CP控制信號(hào)線(xiàn)從L電平變?yōu)镠電平。即，開(kāi)關(guān)晶體管SI和S3從接通變?yōu)殛P(guān)斷，并且，開(kāi)關(guān)晶體管S2從關(guān)斷變?yōu)榻油ā＞S持時(shí)間tO處的三個(gè)控制信號(hào)線(xiàn)(P1、P2、P3)的狀態(tài)。此時(shí)，存儲(chǔ)電容器Cp和數(shù)據(jù)線(xiàn)電容器Cd根據(jù)流向驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的柵極的電流的量被充電，直到來(lái)自驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的電流不流動(dòng)。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的柵極電勢(shì)和漏極電勢(shì)以及數(shù)據(jù)線(xiàn)電勢(shì)增大。然后，在時(shí)間t2，由于P2控制信號(hào)從L電平變?yōu)镠電平，因此，開(kāi)關(guān)晶體管M3從接通變?yōu)殛P(guān)斷。換句話(huà)說(shuō)，對(duì)于存儲(chǔ)電容器Cp和數(shù)據(jù)線(xiàn)電容器Cd設(shè)定驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的閾值電壓(Vth)。此外，該閾值電壓通過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)、電壓跟隨器電路B2和開(kāi)關(guān)晶體管S2被設(shè)定為列控制電容器Cs的另一端的電壓Vd (Vd = Vth)[自動(dòng)零時(shí)段]。在時(shí)間t2到時(shí)間t3正前的時(shí)段中，CP控制信號(hào)線(xiàn)從H電平變?yōu)長(zhǎng)電平，并且，SET控制信號(hào)線(xiàn)從L電平變?yōu)镠電平。維持時(shí)間tl處的PRE控制信號(hào)線(xiàn)的狀態(tài)。S卩，開(kāi)關(guān)晶體管SI和S2為關(guān)斷，并且，開(kāi)關(guān)晶體管S3為接通。在像素電路中，P2控制信號(hào)線(xiàn)從L電平變?yōu)镠電平，并且，維持時(shí)間tl處的Pl控制信號(hào)線(xiàn)和P3控制信號(hào)線(xiàn)的狀態(tài)。即，開(kāi)關(guān)晶體管M2為接通，并且，開(kāi)關(guān)晶體管M3和M4為關(guān)斷。此時(shí)，輸入數(shù)據(jù)電壓從VPRE電壓變?yōu)橛米骰叶入妷旱腣a電壓。因此，列控制電容器Cs的一端處的電壓從VPRE電壓變?yōu)楦鶕?jù)灰度的Va電壓，變化量為AV電壓(=Va — VPRE)。即，列控制電容器Cs的另一端具有通過(guò)在Vth電壓上加上M電壓獲得的電壓(Vd = Vth+Λ V)。然后，列控制電容器Cs的另一端的電壓Vd通過(guò)電壓跟隨器電路BI和數(shù)據(jù)線(xiàn)被寫(xiě)入驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的柵極，并進(jìn)一步被存儲(chǔ)于存儲(chǔ)電容器Cp中[電壓編程時(shí)段]。在時(shí)間t3，維持時(shí)間t2處的三個(gè)控制信號(hào)線(xiàn)(PRE、CP、SET)的狀態(tài)。在像素電路中，P3控制信號(hào)線(xiàn)從H電平變?yōu)長(zhǎng)電平，并且，Pl控制信號(hào)線(xiàn)從L電平變?yōu)镠電平，并且，維持時(shí)間t2處的P2控制信號(hào)線(xiàn)的狀態(tài)。即，開(kāi)關(guān)晶體管M2和M3為關(guān)斷，并且，開(kāi)關(guān)晶體管M4為接通。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管Ml開(kāi)始向有機(jī)EL器件供給根據(jù)柵極-源極電壓的電流。換句話(huà)說(shuō)，有機(jī)EL器件開(kāi)始發(fā)光[發(fā)光時(shí)段]。在時(shí)間t4，由于P3控制信號(hào)從L電平變?yōu)镠電平，因此，開(kāi)關(guān)晶體管M4從接通變?yōu)殛P(guān)斷。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管Ml停止向有機(jī)EL器件供給電流，由此有機(jī)EL器件進(jìn)入不發(fā)光的狀態(tài)[不發(fā)光時(shí)段]。以這種方式，對(duì)于各行設(shè)定預(yù)充電時(shí)段、自動(dòng)零時(shí)段、電壓編程時(shí)段、發(fā)光時(shí)段和不發(fā)光時(shí)段。 在本實(shí)施例中，通過(guò)上述的電路構(gòu)造和電路驅(qū)動(dòng)方法，能夠具有與第一實(shí)施例中的效果相同的效果。此外，在本實(shí)施例中，由于布置了電壓跟隨器電路BI，因此，可通過(guò)基于電壓跟隨器電路的輸出的向低阻抗的阻抗轉(zhuǎn)換來(lái)轉(zhuǎn)換電壓跟隨器電路BI的輸入側(cè)的阻抗。因此，與輸入數(shù)據(jù)電壓的變化量對(duì)應(yīng)的AV電壓(=Va-VPRE)在不被衰減的情況下被直接寫(xiě)入到驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的柵極和存儲(chǔ)電容器Cp。這一點(diǎn)與第一實(shí)施例不同。在任何情況下，通過(guò)這一點(diǎn)來(lái)降低供給輸入數(shù)據(jù)電壓的控制電路的電壓是有效的。此外，在本實(shí)施例中，與第一實(shí)施例相比，能夠減小在自動(dòng)零操作中充電的電容器的電容。更具體而言，在本實(shí)施例中，由于電壓跟隨器電路B2被布置為使得可通過(guò)電壓跟隨器電路B2直接對(duì)列控制電容器Cs的另一端設(shè)定保持在數(shù)據(jù)線(xiàn)電容器Cd中的驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的閾值電壓(Vth)，因此，變得不必在自動(dòng)零操作中對(duì)列控制電容器Cs充電。出于這種原因，由于可以減小在自動(dòng)零操作中充電的電容器的電容，因此，能夠縮短自動(dòng)零操作所需的時(shí)間。換句話(huà)說(shuō)，即使當(dāng)對(duì)于具有更精細(xì)節(jié)距電路構(gòu)造的顯示裝置中的一個(gè)行分配的時(shí)間減少時(shí)，也能夠確保足夠的自動(dòng)零時(shí)間。[第三實(shí)施例]圖6是示出根據(jù)第三實(shí)施例的列控制電路2和顯示區(qū)域I內(nèi)的3列I行的像素電路5 (像素電路a、b、c)的構(gòu)造的框圖。以下，將描述本實(shí)施例的與以上的實(shí)施例不同的點(diǎn)。即，本實(shí)施例與第一實(shí)施例不同的點(diǎn)在于，列控制電路2中的一個(gè)塊包含一個(gè)電容器、三個(gè)晶體管和兩個(gè)電壓跟隨器電路，并且通過(guò)三個(gè)數(shù)據(jù)線(xiàn)共同使用它們。此外，本實(shí)施例與第一實(shí)施例不同的點(diǎn)在于，在三個(gè)數(shù)據(jù)線(xiàn)與列控制電路2之間設(shè)置開(kāi)關(guān)電路6(開(kāi)關(guān)Ql、Q2、Q3)，并且，三個(gè)數(shù)據(jù)線(xiàn)中的一個(gè)被選擇并且與列控制電路2連接。在從時(shí)間tO到時(shí)間tl正前的時(shí)段中，SEL1、SEL2和SEL3控制信號(hào)線(xiàn)均處于H電平，并且，開(kāi)關(guān)Ql、Q2和Q3為接通，并且，建立列控制電路2與三個(gè)數(shù)據(jù)線(xiàn)dataA、dataB和dataC之間的導(dǎo)通。在這種狀態(tài)下，對(duì)于三個(gè)像素電路a、b和c同時(shí)執(zhí)行預(yù)充電操作。在從時(shí)間tl到時(shí)間t2正前的時(shí)段中，SELU SEL2和SEL3信號(hào)線(xiàn)均處于L電平，開(kāi)關(guān)Ql、Q2和Q3為關(guān)斷，并且，列控制電路2與數(shù)據(jù)線(xiàn)dataA、dataB和dataC分離。同時(shí)，在能夠與列控制電路2連接的三個(gè)像素電路a、b和c中，Pl和P2控制信號(hào)變?yōu)長(zhǎng)電平，開(kāi)關(guān)晶體管M2和M3變?yōu)榻油?，并且，在這些像素電路中同時(shí)執(zhí)行自動(dòng)零操作。然后，各像素電路的驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的閾值電壓(Vth)對(duì)于各像素電路的存儲(chǔ)電容器Cp和各數(shù)據(jù)線(xiàn)的數(shù)據(jù)線(xiàn)電容器Cd被設(shè)定并存儲(chǔ)于其中。在從時(shí)間t2到時(shí)間t4正前的時(shí)段中，SELl控制信號(hào)線(xiàn)處于H電平，并且，SEL2控制信號(hào)線(xiàn)和SEL3控制信號(hào)線(xiàn)處于L電平，由此，列控制電路2處于與數(shù)據(jù)線(xiàn)dataA連接的狀態(tài)中。因此，在從時(shí)間t2到時(shí)間t3正前的時(shí)段中，像素電路a的驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的閾值電壓通過(guò)電壓跟隨器電路B2被寫(xiě)入到列控制電容器Cs的另一端。然后，在從時(shí)間t3到時(shí)間t4正前的時(shí)段中，被寫(xiě)入到像素電路a的灰度電壓被供給到信號(hào)線(xiàn)VdataA，由此對(duì)于像素電路a執(zhí)行電壓編程操作。在從時(shí)間t4到時(shí)間t6正前的時(shí)段中，SEL2控制信號(hào)線(xiàn)處于H電平，并且，SELl控制信號(hào)線(xiàn)和SEL3控制信號(hào)線(xiàn)處于L電平，由此，列控制電路2處于與數(shù)據(jù)線(xiàn)dataB連接的狀態(tài)中。因此，在從時(shí)間t4到時(shí)間t5正前的時(shí)段中，像素電路b的驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的閾值電壓通過(guò)電壓跟隨器電路B2被寫(xiě)入到列控制電容器Cs的另一端。然后，在從時(shí)間t5到時(shí)間t6正前的時(shí)段中，被寫(xiě)入到像素電路b的灰度電壓被供給到信號(hào)線(xiàn)VdataA，由此對(duì)于像素電路b執(zhí)行電壓編程操作。在從時(shí)間t6到時(shí)間t8正前的時(shí)段中，SEL3控制信號(hào)線(xiàn)處于H電平，并且，SELl控制信號(hào)線(xiàn)和SEL2控制信號(hào)線(xiàn)處于L電平，由此，列控制電路處于與數(shù)據(jù)線(xiàn)dataC連接的狀態(tài)中。因此，在從時(shí)間t6到時(shí)間t7正前的時(shí)段中，像素電路c的驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的閾值電壓通過(guò)電壓跟隨器電路B2被寫(xiě)入到列控制電容器Cs的另一端。然后，在從時(shí)間t7到時(shí)間t8正前的時(shí)段中，被寫(xiě)入到像素電路c的灰度電壓被供給到信號(hào)線(xiàn)VdataA，由此對(duì)于像素電路c執(zhí)行電壓編程操作。在時(shí)間t8，列控制電路2與數(shù)據(jù)線(xiàn)dataA、dataB和dataC分離。因此，在三個(gè)像素電路a、b和c中，P3控制信號(hào)變?yōu)長(zhǎng)電平，并且，開(kāi)關(guān)晶體管M4變?yōu)榻油?。因此，三個(gè)像素電路中的有機(jī)EL器件分別發(fā)光，并且，根據(jù)相應(yīng)像素電路的驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的柵極電壓的電流繼續(xù)在有機(jī)EL器件中流動(dòng)。然后，在時(shí)間t9，P3控制信號(hào)變?yōu)镠電平，并且開(kāi)關(guān)晶體管M4變?yōu)殛P(guān)斷，由此，執(zhí)行停止發(fā)光的操作。各有機(jī)EL器件繼續(xù)發(fā)光，直到該操作。以這種方式，對(duì)于各行設(shè)定預(yù)充電時(shí)段、自動(dòng)零時(shí)段、電壓編程時(shí)段、發(fā)光時(shí)段和不發(fā)光時(shí)段。
在本實(shí)施例中，通過(guò)上述的電路構(gòu)造和電路驅(qū)動(dòng)方法，能夠具有與第一實(shí)施例中的效果相同的效果。此外，在本實(shí)施例中，由于電壓跟隨器電路B2被布置于列控制電路2中并且列控制電路2和數(shù)據(jù)線(xiàn)中的每一個(gè)通過(guò)開(kāi)關(guān)電路6相互連接，因此，能夠選擇性地將保持于數(shù)據(jù)線(xiàn)電容器Cd中的每一個(gè)中的每一個(gè)像素電路的驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的閾值電壓設(shè)定到列控制電容器Cs的另一端。如上所述，在從時(shí)間tl到時(shí)間t2正前的時(shí)段中，在開(kāi)關(guān)Ql、Q2和Q3為關(guān)斷的狀態(tài)中同時(shí)對(duì)于多個(gè)像素電路執(zhí)行自動(dòng)零操作，并且，像素電路中的每一個(gè)的驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的閾值電壓(Vth)被設(shè)定于像素電路中的每一個(gè)的存儲(chǔ)電容器Cp和數(shù)據(jù)線(xiàn)中的每一個(gè)的數(shù)據(jù)線(xiàn)電容器Cd并存儲(chǔ)于其中。此時(shí)，分別存儲(chǔ)于像素電路中的每一個(gè)的存儲(chǔ)電容器Cp和數(shù)據(jù)線(xiàn)中的每一個(gè)的數(shù)據(jù)線(xiàn)電容器Cd中的閾值電壓根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的特性而相互不同。此后，在從時(shí)間t2到時(shí)間t8正前的時(shí)段中，當(dāng)對(duì)于像素電路中的每一個(gè)執(zhí)行電壓編程操作時(shí)，閾值電壓通過(guò)電壓跟隨器電路B2被依次寫(xiě)入到列控制電容器Cs的另一端。在這種情況下，如果不在列控制電路2中設(shè)置電壓跟隨器電路B2，那么電壓受到在前面的時(shí)段中保持和存儲(chǔ)于列控制電容器Cs中的電荷的量和電容器Cs、Cp和Cd的電容分割影響，由此，對(duì)于列控制電容器Cs的另一端設(shè)定偏離原始閾值電壓的電壓。即，通過(guò)在列控制電路2中布置電壓跟隨器電路B2并通過(guò)開(kāi)關(guān)電路6連接列控制電路2與各數(shù)據(jù)線(xiàn)，能夠使得單個(gè)視頻信號(hào)線(xiàn)Vdata和列控制電路2對(duì)于三個(gè)數(shù)據(jù)線(xiàn)共同地操作。因此，能夠減少用于視頻信號(hào)線(xiàn)的布線(xiàn)的數(shù)量、設(shè)置在與視頻信號(hào)線(xiàn)的輸出端連接的面板外面的外部電路的尺寸、以及用于連接視頻信號(hào)線(xiàn)與面板中的驅(qū)動(dòng)器的焊盤(pán)的數(shù)量。此外，能夠減少列控制電路2中的塊的數(shù)量，由此本實(shí)施例對(duì)于使面板的框架變窄是有效的。順便說(shuō)一句，應(yīng)當(dāng)注意，本發(fā)明不限于單個(gè)視頻信號(hào)線(xiàn)Vdata和單個(gè)列控制電路2被三個(gè)數(shù)據(jù)線(xiàn)共享的構(gòu)造。即，視頻信號(hào)線(xiàn)和列控制電路可被兩個(gè)或更多個(gè)數(shù)據(jù)線(xiàn)共享。此外，在本實(shí)施例中，同時(shí)對(duì)于分別具有不同的數(shù)據(jù)線(xiàn)的三個(gè)像素電路執(zhí)行預(yù)充電和自動(dòng)零操作。因此，由于不必對(duì)于數(shù)據(jù)線(xiàn)中的每一個(gè)的像素電路執(zhí)行預(yù)充電操作和自動(dòng)零操作，因此，能夠確保更長(zhǎng)的預(yù)充電時(shí)間和自動(dòng)零時(shí)間。出于這種原因，即使對(duì)于具有更精細(xì)節(jié)距電路構(gòu)造的顯示裝置中的一個(gè)行分配的時(shí)間減少，也能夠確保足夠的預(yù)充電時(shí)間和自動(dòng)零時(shí)間。[第四實(shí)施例]圖8示出根據(jù)第四實(shí)施例的時(shí)序圖。這里，應(yīng)當(dāng)注意，根據(jù)第四實(shí)施例的列控制電路2和顯示區(qū)域I內(nèi)的3列I行的像素電路5的構(gòu)造與第三實(shí)施例(圖6)中的相同。以下，將描述本實(shí)施例的與以上的實(shí)施例不同的點(diǎn)。本實(shí)施例在以下的點(diǎn)與以上的實(shí)施例不同。即，當(dāng)灰度電壓Va作為輸入數(shù)據(jù)電壓被輸入時(shí)，一次執(zhí)行電壓編程，使得根據(jù)灰度電壓的電壓通過(guò)列控制電容器Cs和電壓跟隨器電路BI被寫(xiě)入到與列控制電路2的一個(gè)塊連接的數(shù)據(jù)線(xiàn)電容器Cd。此后，關(guān)于各行，根據(jù)灰度電壓的電壓從各數(shù)據(jù)線(xiàn)的數(shù)據(jù)線(xiàn)電容器Cd被寫(xiě)入到與各數(shù)據(jù)線(xiàn)連接的像素電路的驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的柵極和存儲(chǔ)電容器Cp。
在時(shí)間t2之前的時(shí)段中，執(zhí)行與在第三實(shí)施例中描述的操作相同的操作。在從時(shí)間t2到時(shí)間t4正前的時(shí)段中，列控制電路2與數(shù)據(jù)線(xiàn)dataA連接。在從時(shí)間t2到時(shí)間t3正前的時(shí)段中，像素電路a的驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的閾值電壓通過(guò)電壓跟隨器電路B2被寫(xiě)入列控制電容器Cs的另一端。然后，在從時(shí)間t3到時(shí)間t4正前的時(shí)段中，執(zhí)行電壓編程操作。此時(shí)，像素電路中的Pl控制信號(hào)線(xiàn)和P2控制信號(hào)線(xiàn)處于L電平，由此，開(kāi)關(guān)晶體管M2和M3為關(guān)斷。即，根據(jù)灰度電壓的電壓通過(guò)列控制電容器Cs和電壓跟隨器電路BI被寫(xiě)入到數(shù)據(jù)線(xiàn)dataA的數(shù)據(jù)線(xiàn)電容器Cd。在從時(shí)間t4到時(shí)間t6正前的時(shí)段中，列控制電路2與數(shù)據(jù)線(xiàn)dataB連接。在從時(shí)間t4到時(shí)間t5正前的時(shí)段中，像素電路b的驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的閾值電壓通過(guò)電壓跟隨器電路B2被寫(xiě)入到列控制電容器Cs的另一端。然后，在從時(shí)間t5到時(shí)間t6正前的時(shí)段中，根據(jù)灰度電壓的電壓通過(guò)列控制電容器Cs和電壓跟隨器電路BI被寫(xiě)入到數(shù)據(jù)線(xiàn)dataB的數(shù)據(jù)線(xiàn)電容器Cd。在從時(shí)間t6到時(shí)間t8正前的時(shí)段中，列控制電路2與數(shù)據(jù)線(xiàn)dataC連接。在從時(shí)間t6到時(shí)間t7正前的時(shí)段中，像素電路c的驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的閾值電壓通過(guò)電壓跟隨器電路B2被寫(xiě)入到列控制電容器Cs的另一端。然后，在從時(shí)間t7到時(shí)間t8正前的時(shí)段中，根據(jù)灰度電壓的電壓通過(guò)列控制電容器Cs和電壓跟隨器電路BI被寫(xiě)入到數(shù)據(jù)線(xiàn)dataC的數(shù)據(jù)線(xiàn)電容器Cd。在從時(shí)間t8到時(shí)間t9正前的時(shí)段中，像素電路的Pl控制信號(hào)線(xiàn)從H電平變?yōu)長(zhǎng)電平，并且，與Pl控制信號(hào)線(xiàn)連接的所有像素電路的開(kāi)關(guān)晶體管M2從關(guān)斷變?yōu)榻油?。因此，根?jù)灰度電壓的電壓從數(shù)據(jù)線(xiàn)中的每一個(gè)的數(shù)據(jù)線(xiàn)電容器Cd被寫(xiě)入到像素電路中的每一個(gè)的驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的柵極和存儲(chǔ)電容器Cp。同樣，在本實(shí)施例中，通過(guò)上述的電路構(gòu)造和電路驅(qū)動(dòng)方法，能夠具有與第三實(shí)施例中的效果相同的效果。[第五實(shí)施例]圖9是示出根據(jù)第五實(shí)施例的列控制電路2和顯示區(qū)域I內(nèi)的3列I行的像素電路5 (像素電路a、b、c)的構(gòu)造的框圖。此外，圖10是根據(jù)第五實(shí)施例的時(shí)序圖。以下，將描述本實(shí)施例的與以上的實(shí)施例不同的點(diǎn)。本實(shí)施例與以上的實(shí)施例的不同的點(diǎn)在于，以上的實(shí)施例中的Pl控制信號(hào)線(xiàn)被劃分成與相應(yīng)的列對(duì)應(yīng)的多個(gè)控制信號(hào)線(xiàn)(PU、P12和P13控制信號(hào)線(xiàn))。因此，列控制電路2的一個(gè)塊以可切換的方式與劃分的控制信號(hào)線(xiàn)中的一個(gè)連接。換句話(huà)說(shuō)，關(guān)于列控制電路2不被選擇的各列的像素電路的開(kāi)關(guān)晶體管M2被設(shè)定為關(guān)斷。以下，將通過(guò)關(guān)注像素電路a描述電路操作。在時(shí)間t2之前的時(shí)段中，與第三實(shí)施例同樣，對(duì)于三個(gè)像素電路a到C，同時(shí)執(zhí)行預(yù)充電操作和自動(dòng)零操作。在從時(shí)間t2到時(shí)間t4正前的時(shí)段中，列控制電路2與數(shù)據(jù)線(xiàn)dataA連接。在從時(shí)間t2到時(shí)間t3正前的時(shí)段中，像素電路a的驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的閾值電壓通過(guò)電壓跟隨器電路B2被寫(xiě)入到列控制電容器Cs的另一端。在從時(shí)間t3到時(shí)間t4正前的時(shí)段中，像素電路a的開(kāi)關(guān)晶體管M2為接通，并且，電壓編程操作被執(zhí)行。因此，根據(jù)灰度電壓的電壓通過(guò)列控制電容器Cs和電壓跟隨器電路BI被寫(xiě)入到驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的柵極和存儲(chǔ)電容器Cp。在從時(shí)間t4到時(shí)間t6正前的時(shí)段中，列控制電路2與數(shù)據(jù)線(xiàn)dataB連接。在從時(shí)間t4到時(shí)間t5正前的時(shí)段中，像素電路b的驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的閾值電壓通過(guò)電壓跟隨器電路B2被寫(xiě)入到列控制電容器Cs的另一端。在從時(shí)間t5到時(shí)間t6正前的時(shí)段中，關(guān)于與數(shù)據(jù)線(xiàn)dataB連接的像素電路執(zhí)行電壓編程操作，由此，根據(jù)灰度電壓的電壓通過(guò)列控制電容器Cs和電壓跟隨器電路BI被寫(xiě)入到驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的柵極和存儲(chǔ)電容器Cp。在從時(shí)間t6到時(shí)間t8正前的時(shí)段中，列控制電路2與數(shù)據(jù)線(xiàn)dataC連接。在從時(shí)間t6到時(shí)間t7正前的時(shí)段中，像素電路c的驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的閾值電壓通過(guò)電壓跟隨器電路B2被寫(xiě)入到列控制電容器Cs的另一端。在從時(shí)間t7到時(shí)間t8正前的時(shí)段中，關(guān)于與數(shù)據(jù)線(xiàn)dataC連接的像素電路執(zhí)行電壓編程操作，由此，根據(jù)灰度電壓的電壓通過(guò)列控制電容器Cs和電壓跟隨器電路BI被寫(xiě)入到驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的柵極和存儲(chǔ)電容器Cp。在與數(shù)據(jù)線(xiàn)dataA連接的像素電路a中，在時(shí)間t4，Pll控制信號(hào)線(xiàn)從L電平變?yōu)镠電平，并且，開(kāi)關(guān)晶體管M2為關(guān)斷。因此，進(jìn)行設(shè)定，使得只有被列控制電路2選擇并與列控制電路2連接的像素電路中的開(kāi)關(guān)晶體管M2為接通并且不被選擇的其它像素電路中的開(kāi)關(guān)晶體管M2為關(guān)斷。即，開(kāi)關(guān)晶體管M2在像素電路與列控制電路2連接并且根據(jù)灰度電壓的電壓通過(guò)列控制電容器Cs和電壓跟隨器電路BI被寫(xiě)入到驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的柵極和存儲(chǔ)電容器Cp的時(shí)段以外的時(shí)段中為關(guān)斷，由此，能夠精確地存儲(chǔ)和保持根據(jù)存儲(chǔ)電容器Cp中的灰度電壓的電壓。在本實(shí)施例中，通過(guò)上述的電路構(gòu)造和電路驅(qū)動(dòng)方法，能夠具有與第三實(shí)施例中的效果相同的效果。例如，當(dāng)在用于各列的像素電路中使用具有與其它發(fā)光器件不同的亮度效率的發(fā)光器件時(shí)，能夠通過(guò)設(shè)定當(dāng)自動(dòng)零操作根據(jù)各發(fā)光器件中的發(fā)光所需的電流終止時(shí)的電流來(lái)優(yōu)化顯示質(zhì)量。此時(shí)，通過(guò)控制該操作使得自動(dòng)零時(shí)間對(duì)于各列不同，能夠調(diào)整自動(dòng)零操作終止時(shí)的電流。[第六實(shí)施例]圖11是示出根據(jù)第六實(shí)施例的列控制電路2和顯示區(qū)域I內(nèi)的3列I行的像素電路5 (像素電路a、b、c)的構(gòu)造的框圖。此外，圖12是根據(jù)第六實(shí)施例的時(shí)序圖。以下，將描述本實(shí)施例的與以上的實(shí)施例不同的點(diǎn)。本實(shí)施例與以上的實(shí)施例的不同的點(diǎn)在于，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的柵極和漏極處于短路狀況時(shí)，執(zhí)行電壓編程操作。即，在本實(shí)施例中，能夠執(zhí)行用于消除驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的電流驅(qū)動(dòng)能力(β )的變化的操作[β校正操作]。更具體地，通過(guò)使用Pl控制信號(hào)線(xiàn)控制開(kāi)關(guān)晶體管M2和M3。在時(shí)間t8之前的時(shí)段中，執(zhí)行與第四實(shí)施例中的操作相同的操作，并且，要被寫(xiě)入到各像素電路的根據(jù)灰度電壓的電壓通過(guò)列控制電容器Cs和電壓跟隨器電路BI被寫(xiě)入到各數(shù)據(jù)線(xiàn)的數(shù)據(jù)線(xiàn)電容器Cd。在從時(shí)間t8到時(shí)間t9正前的時(shí)段中，Pl控制信號(hào)線(xiàn)從H電平變?yōu)長(zhǎng)電平，并且，開(kāi)關(guān)晶體管M2和M3從關(guān)斷變?yōu)榻油?。因此，?qū)動(dòng)晶體管Ml的柵極和漏極進(jìn)入短路狀況。此外，寫(xiě)入各數(shù)據(jù)線(xiàn)的數(shù)據(jù)線(xiàn)電容器Cd的根據(jù)數(shù)據(jù)電壓的電壓被寫(xiě)入到像素電路的驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的柵極。此時(shí)，柵極電壓和漏極電壓根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的電流驅(qū)動(dòng)能力(β )增大，直到時(shí)間t9正前。即，能夠消除驅(qū)動(dòng)晶體管的電流驅(qū)動(dòng)能力(β )的變化。同樣，在本實(shí)施例中，通過(guò)上述的電路構(gòu)造和電路驅(qū)動(dòng)方法，能夠具有與第四實(shí)施例中的效果相同的效果。此外，在本實(shí)施例中，由于可以消除驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的電流驅(qū)動(dòng)能力(β )的變化，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)與常規(guī)的顯示裝置相比顯示質(zhì)量較少劣化的優(yōu)質(zhì)的顯示裝置。順便說(shuō)一句，作為在以上的實(shí)施例中描述的晶體管，可以應(yīng)用非晶硅薄膜晶體管、多晶娃薄I吳晶體管和單晶娃晶體管等。此外，應(yīng)當(dāng)注意，本發(fā)明不限于上述的實(shí)施例。即，通過(guò)以適當(dāng)?shù)亟M合上述的實(shí)施例的方式獲得的實(shí)施例，能夠具有與上述的效果相同的效果。順便說(shuō)一句，可通過(guò)使用以上的顯示裝置構(gòu)造信息顯示裝置。以移動(dòng)電話(huà)、移動(dòng)計(jì)算機(jī)、數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)或攝影機(jī)的形式實(shí)現(xiàn)由此構(gòu)造的信息顯示裝置。此外，信息顯示裝置可以是可實(shí)現(xiàn)多個(gè)這樣的功能的裝置。圖13是示出使用根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)的例子的框圖。即，數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)系統(tǒng)7包括拍攝單元8、圖像信號(hào)處理電路9、根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置10、存儲(chǔ)器11、CPU 12和操作單元13。在該系統(tǒng)中，通過(guò)拍攝單元8拍攝的圖像或在存儲(chǔ)器11中記錄的圖像被傳送到圖像信號(hào)處理電路9，并經(jīng)受信號(hào)處理。然后，可在諸如顯示面板等的顯示裝置10上看到獲得的圖像。這里，控制器具有用于響應(yīng)于從操作單元13輸入的指令而控制拍攝單元8、存儲(chǔ)器11和圖像信號(hào)處理電路9等的CPU 12，由此，可以執(zhí)行適于情形的拍攝、記錄、再現(xiàn)和顯示。另外，顯示裝置10可被用作用于顯示各種類(lèi)型的電子裝置的顯示單元。雖然已參照示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但應(yīng)理解，本發(fā)明不限于公開(kāi)的示例性實(shí)施例。所附權(quán)利要求的范圍應(yīng)被賦予最寬的解釋以包含所有這樣的變更方式以及等同的結(jié)構(gòu)和功能。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括多個(gè)像素電路、被配置為向所述多個(gè)像素電路供給電壓的數(shù)據(jù)線(xiàn)、以及與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)連接的控制電路，其中， 所述多個(gè)像素電路中的每一個(gè)包含發(fā)光器件、驅(qū)動(dòng)晶體管、一端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極連接的第一電容器、被配置為控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)之間的導(dǎo)通的第一開(kāi)關(guān)晶體管、以及被配置為控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏電極與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)之間的導(dǎo)通的第二開(kāi)關(guān)晶體管，所述驅(qū)動(dòng)晶體管被配置為向所述發(fā)光器件供給根據(jù)向該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極施加的電壓的電流，以及 所述控制電路被布置于其中布置了所述多個(gè)像素電路的區(qū)域的外側(cè)，并且，所述控制電路包含第二電容器、第一電壓跟隨器電路、以及第二電壓跟隨器電路，其中，輸入數(shù)據(jù)信號(hào)被供給到第二電容器的一端，第一電壓跟隨器電路的輸入與第二電容器的另一端連接并且第一電壓跟隨器電路的輸出能夠與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)連接，第二電壓跟隨器電路的輸入與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)連接并且第二電壓跟隨器電路的輸出能夠與第二電容器的另一端連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示裝置，其中，所述數(shù)據(jù)線(xiàn)與包含于多個(gè)所述像素電路之中的預(yù)定的像素電路中的第一開(kāi)關(guān)晶體管共同連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示裝置，其中， 所述顯示裝置包含多個(gè)所述控制電路和多個(gè)所述數(shù)據(jù)線(xiàn)，以及 所述控制電路是對(duì)于每個(gè)數(shù)據(jù)線(xiàn)設(shè)置的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示裝置，其中， 所述控制電路是對(duì)于多個(gè)所述數(shù)據(jù)線(xiàn)設(shè)置的，以及 所述開(kāi)關(guān)電路被設(shè)置在所述控制電路與多個(gè)所述數(shù)據(jù)線(xiàn)之間，以選擇性地使所述控制電路和多個(gè)所述數(shù)據(jù)線(xiàn)中的一個(gè)所述數(shù)據(jù)線(xiàn)相互連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的顯示裝置，還包括柵極線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路，所述柵極線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路被配置為向與所述多個(gè)像素電路的第一開(kāi)關(guān)晶體管連接的控制信號(hào)線(xiàn)供給控制信號(hào)， 其中，所述多個(gè)像素電路沿行方向和列方向二維地布置， 所述數(shù)據(jù)線(xiàn)沿列方向布置，并且，所述控制信號(hào)線(xiàn)沿行方向布置，以及 所述控制信號(hào)線(xiàn)與包含于沿行方向布置的多個(gè)像素電路中的第一開(kāi)關(guān)晶體管共同連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的顯示裝置，其中，與包含于沿行方向布置的多個(gè)像素電路中的第一開(kāi)關(guān)晶體管共同連接的所述控制信號(hào)線(xiàn)也與包含于沿行方向布置的多個(gè)像素電路中的第二開(kāi)關(guān)晶體管共同連接。
全文摘要
本發(fā)明涉及顯示裝置。在不使顯示質(zhì)量劣化并且不增加各像素尺寸的情況下，提供具有更精細(xì)節(jié)距電路構(gòu)造的顯示裝置。在可通過(guò)使用控制電路抑制包含于各像素電路中的驅(qū)動(dòng)晶體管的特性變化的顯示裝置中，控制電路被布置于其中布置了多個(gè)像素電路的區(qū)域的外側(cè)，并且，存在輸入數(shù)據(jù)信號(hào)被供給到其一端的第二電容器、其輸入與第二電容器的另一端連接并且其輸出能夠與數(shù)據(jù)線(xiàn)連接的第一電壓跟隨器電路、以及其輸入與數(shù)據(jù)線(xiàn)連接并且其輸出能夠與第二電容器的另一端連接的第二電壓跟隨器電路。
文檔編號(hào)G09G3/32GK103177686SQ201210547789
公開(kāi)日2013年6月26日 申請(qǐng)日期2012年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月20日
發(fā)明者山下孝教, 井關(guān)正己, 川野藤雄, 鄉(xiāng)田達(dá)人 申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社