專利名稱：Led背光驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到LED驅(qū)動(dòng)電路技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及到一種LED背光驅(qū)動(dòng)電路。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)的LED背光驅(qū)動(dòng)電路中，通常使用Boost電路(the boost converter或者St印-up converter,開關(guān)直流升壓電路)為LED供電。參照圖1，上述Boost電路包括第一電感L0、第二電感L、二極管D、第一電容CO、 第二電容C、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(Metal-Oxide-kmiconductor Field-Effect Transistor, M0SFET)Q以及電阻R，其中金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管簡稱為MOS管；該第一電感L0、第二電感L、二極管D以及第一電容CO依次串聯(lián)連接后，與該第二電容C并聯(lián)；該 M0S管Q與電阻R串聯(lián)后，一端接在第一電感LO以及第二電感L之間，另一端接在第一電容 CO以及第二電容C之間。該Boost電路通過該第二電容C濾波后輸入穩(wěn)定直流電壓，由第一電感LO以及第二電感L將第一電容CO的電壓升高，并通過方波驅(qū)動(dòng)電路對MOS管Q進(jìn)行控制，在MOS管Q導(dǎo)通時(shí)該第一電容CO可為LED提供電壓。當(dāng)LED顆數(shù)增多負(fù)載變大時(shí)，需要使用多組Boost電路代替單組Boost電路對LED 供電，則加大了成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的為提供一種LED背光驅(qū)動(dòng)電路，提升了電路的升壓效率，降低了成本。本發(fā)明提出一種LED背光驅(qū)動(dòng)電路，為LED背光模組供電，包括穩(wěn)壓電路，接收輸入電壓，對所述輸入電壓進(jìn)行濾波，輸出穩(wěn)壓直流電；第一升壓電路以及第二升壓電路，分別與所述穩(wěn)壓電路連接，接收所述穩(wěn)壓直流電，進(jìn)行升壓后輸出至LED背光模組；選擇控制電路，交替選擇所述第一升壓電路以及第二升壓電路，為所述LED背光模組供電。優(yōu)選地，所述第一升壓電路包括依次串聯(lián)的第一電感Li、第二電感L2、二極管D2，以及漏極連接于第一電感Ll以及第二電感L2之間的MOS管Q2 ；所述MOS管Q2的柵極與所述選擇控制電路連接，源極接地；所述MOS管Q2為P溝道MOS管；所述第二升壓電路包括依次串聯(lián)的第一電感L3、第二電感L4、二極管D1，以及漏極連接于第一電感L3以及第二電感L4之間的MOS管Ql ；所述MOS管Ql的柵極與所述選擇控制電路連接，源極接地；所述MOS管Ql為N溝道MOS管。優(yōu)選地，所述選擇控制電路包括推挽電路，分別與所述MOS管Ql以及MOS管Q2連接，選擇所述MOS管Ql或MOS管Q2導(dǎo)通；隔直電路，與所述推挽電路連接，為推挽電路提供隔直電壓；PWM芯片，與所述隔直電路連接，通過所述隔直電路以及推挽電路，控制所述MOS 管Ql以及MOS管Q2交替導(dǎo)通。優(yōu)選地，所述推挽電路包括第一三極管Q3以及第二三極管Q4 ；所述第一三極管Q3以及第二三極管Q4的發(fā)射極相連，所述第一三極管Q3以及第二三極管Q4的基極并聯(lián)接至所述隔直電路，所述第一三極管Q3的集電極接電源，所述第二三極管Q4的集電極接地；所述第一三極管Q3為PNP型， 所述第二三極管Q4為NPN型。優(yōu)選地，所述隔直電路為隔直電容Cl。優(yōu)選地，所述PWM芯片還通過對輸出電壓進(jìn)行采樣，將采樣的輸出電壓與基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較，并根據(jù)所述比較結(jié)果調(diào)節(jié)第一升壓電路以及第二升壓電路的導(dǎo)通時(shí)間，以控制輸出電壓的恒定。優(yōu)選地，所述穩(wěn)壓電路包括兩電容，分別接入至所述第一升壓電路以及第二升壓電路。優(yōu)選地，所述兩電容的一端分別接至第一升壓電路以及第二升壓電路，另一端相連后接地。本發(fā)明的LED背光驅(qū)動(dòng)電路，通過設(shè)置第一升壓電路和第二升壓電路交替對LED 背光模組進(jìn)行供電，使得該第一升壓電路和第二升壓電路中無需設(shè)置用于輸出穩(wěn)壓的電容，提升了電路的升壓效率，降低了成本，而且占空比也不會(huì)增加，具有較好的實(shí)用性。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)中升壓電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明LED背光驅(qū)動(dòng)電路一實(shí)施例中的整體結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明LED背光驅(qū)動(dòng)電路一實(shí)施例中的電路結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例，參照附圖做進(jìn)一步說明。
具體實(shí)施例方式應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。參照圖2，本發(fā)明提出一種LED背光驅(qū)動(dòng)電路10的一實(shí)施例。該LED背光驅(qū)動(dòng)電路 10為LED背光模組供電(圖未示出)，其包括穩(wěn)壓電路11、第一升壓電路12、第二升壓電路13以及選擇控制電路14;該穩(wěn)壓電路11，接收輸入電壓，對所述輸入電壓進(jìn)行濾波，輸出穩(wěn)壓直流電；該第一升壓電路12，接收所述穩(wěn)壓直流電，進(jìn)行升壓后輸出至LED背光模組； 該第二升壓電路13，接收所述穩(wěn)壓直流電，進(jìn)行升壓后輸出至LED背光模組；該選擇控制電路14，交替選擇所述第一升壓電路12以及第二升壓電路13，為所述LED背光模組供電。本發(fā)明LED背光驅(qū)動(dòng)電路10可以解決使用單個(gè)現(xiàn)有Boost電路進(jìn)行升壓中，可能出現(xiàn)的增大占空比以及降低效率等(當(dāng)升壓較高時(shí))問題；該LED背光驅(qū)動(dòng)電路10，通過設(shè)置第一升壓電路12和第二升壓電路13交替對LED背光模組進(jìn)行供電，使得該第一升壓電路12和第二升壓電路13中無需設(shè)置用于輸出穩(wěn)壓的電容，因而在將電壓升高至較高(比如400V)時(shí)，并不會(huì)降低電路的效率，而且占空比也不會(huì)增加，具有較好的實(shí)用性。參照圖3，在一具體實(shí)例中，上述穩(wěn)壓電路11包括兩電容C2和C3，分別并聯(lián)接入至上述第一升壓電路12以及第二升壓電路13 ；分別為該第一升壓電路12以及第二升壓電路13提供穩(wěn)定電壓。該兩電容C2和C3的一端分別接至第一升壓電路12以及第二升壓電路13，另一端相連后接地。在一具體實(shí)例中，上述第一升壓電路12包括依次串聯(lián)的第一電感Li、第二電感 L2、二極管D2，以及漏極連接于第一電感Ll以及第二電感L2之間的MOS管Q2 ；所述MOS管 Q2的柵極與所述選擇控制電路連接，源極接地；上述MOS管Q2為P溝道MOS管。上述第二升壓電路13包括依次串聯(lián)的第一電感L3、第二電感L4、二極管D1，以及漏極連接于第一電感L3以及第二電感L4之間的MOS管Ql ；所述MOS管Ql的柵極與所述選擇控制電路連接，源極接地；上述MOS管Ql為N溝道MOS管。由于是通過該選擇控制電路14控制該第一升壓模塊以及第二升壓模塊交替進(jìn)行升壓，可相當(dāng)于現(xiàn)有技術(shù)中兩組Boost電路交底供電，且該第一升壓模塊以及第二升壓模塊中無需設(shè)置輸出穩(wěn)壓的電容，因此，相對應(yīng)現(xiàn)有技術(shù)的一組Boost電路，解決了升壓效率(發(fā)熱)的問題；相對于多組Boost電路的組合(減少電容、PWM芯片40等)，則降低了成本。在一具體實(shí)例中，上述選擇控制電路14包括推挽電路、隔直電路以及PWM(Pulse Width Modulation，脈沖寬度調(diào)制技術(shù))芯片40 ；該推挽電路，分別與上述MOS管Ql以及 MOS管Q2連接，選擇上述MOS管Ql或MOS管Q2導(dǎo)通；該隔直電路，與所述推挽電路連接， 為推挽電路提供隔直電壓；該P(yáng)WM芯片40，與上述隔直電路連接，通過上述隔直電路以及推挽電路，控制上述MOS管Ql以及MOS管Q2交替導(dǎo)通。該P(yáng)WM芯片40的控制還包括該MOS 管Ql以及MOS管Q2的導(dǎo)通時(shí)間控制。上述推挽電路包括兩三極管，分別為第一三極管Q3以及第二三極管Q4 ；所述第一三極管Q3以及第二三極管Q4的發(fā)射極相連，所述第一三極管Q3以及第二三極管Q4的基極并聯(lián)接至所述隔直電路，所述第一三極管Q3的集電極接電源，所述第二三極管Q4的集電極接地；上述第一三極管Q3為PNP型，上述第二三極管Q4為NPN型。上述隔直電路為隔直電容Cl。以下結(jié)合具體實(shí)例對上述LED背光驅(qū)動(dòng)電路10進(jìn)行詳細(xì)說明。該LED背光驅(qū)動(dòng)電路10連接有LED背光模組20以及用于恒定LED背光模組20電流的恒流模塊30。(參照圖3)上述第一升壓電路12以及第二升壓電路13，分別通過第一電感Ll和第二電感L2 組成一組耦合電感，以及第三電感L3和第四電感L4組成另一組耦合電感；利用耦合電感的匝比可以使輸出電壓升高。同時(shí)上述P麗芯片(IC) 40通過一個(gè)隔直電容Cl和一組推挽(PUSH-PULL)電路， 驅(qū)動(dòng)N溝道MOS管Ql和P溝道MOS管Q2，使兩MOS管可在不同時(shí)間導(dǎo)通，且可設(shè)置兩MOS 管的導(dǎo)通時(shí)間。當(dāng)該P(yáng)WM芯片40輸出高電平時(shí)，該推挽電路的第一三極管Q3導(dǎo)通，第二升壓電路 13中的MOS管Ql導(dǎo)通，對第三電感L3充電；此時(shí)推挽電路的第二三極管Q4截至，第一升壓電路12中的MOS管Q2截止，第一電感Ll以及第二電感L2放電，為該LED背光模組20供 H1^ ο
當(dāng)該P(yáng)WM芯片40輸出低電平時(shí)，該推挽電路的第二三極管Q4導(dǎo)通，第一升壓電路 12的MOS管Q2導(dǎo)通，對第一電感Ll充電；此時(shí)推挽電路的第一三極管Q3截止，第二升壓電路13中的MOS管Ql截止，第三電感L3以及第四電感L4放電，為該LED背光模組20供 H1^ ο上述PWM芯片40還可對輸出電壓進(jìn)行采樣，將采樣的輸出電壓與基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較，并根據(jù)所述比較結(jié)果調(diào)節(jié)第一升壓電路12以及第二升壓電路13的導(dǎo)通時(shí)間，以控制輸出電壓的恒定；此處屬于閉環(huán)控制。其中，PWM芯片包括一個(gè)引腳(PIN)用于反饋輸出電壓，輸出電壓通過電阻(圖未示出)分壓連接到該P(yáng)IN。該P(yáng)IN的電壓(即輸出電壓)會(huì)和 PWM芯片內(nèi)部的基準(zhǔn)電壓做比較，如果該P(yáng)IN的電壓高于基準(zhǔn)電壓，PWM芯片通過減少導(dǎo)通時(shí)間減小輸出的占空比(DUTY，導(dǎo)通時(shí)間/周期)，降低輸出電壓，反之會(huì)增大DUTY，增大輸出電壓；如此便可以控制輸出電壓的恒定。上述LED背光驅(qū)動(dòng)電路10通過耦合電感(Li與L2耦合，L3與L4耦合)，實(shí)現(xiàn)高升壓比；該升壓比具體可根據(jù)兩耦合電感的匝數(shù)比以及升壓電路的導(dǎo)通時(shí)間確定。由于解決了電路發(fā)熱的問題，該LED背光驅(qū)動(dòng)電路10可具有較高的升壓比(比如輸入MV，輸出 240V，升壓比為10)。由于LED背光模組20是恒流控制，則LED的排列方式有2種即多串少并或少串多并；多串少并需要的輸出電壓高，少串多并需要的平衡芯片(Balance IC)多；當(dāng)電壓升至較高位置時(shí)，可使LED背光模組20中多串接LED，減少LED并聯(lián)的數(shù)量，以減少平衡芯片 (Balance IC)的數(shù)量。同時(shí)，由于LED背光模組20是恒流控制，并接的不同串LED之間的電壓差不同，因此提高LED串聯(lián)數(shù)量，可以減少LED的電壓差(由于導(dǎo)通電壓為正態(tài)分布)， 有利于光學(xué)設(shè)計(jì)。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種LED背光驅(qū)動(dòng)電路，為LED背光模組供電，其特征在于，包括 穩(wěn)壓電路，接收輸入電壓，對所述輸入電壓進(jìn)行濾波，輸出穩(wěn)壓直流電；第一升壓電路以及第二升壓電路，分別與所述穩(wěn)壓電路連接，接收所述穩(wěn)壓直流電，進(jìn)行升壓后輸出至LED背光模組；選擇控制電路，交替選擇所述第一升壓電路以及第二升壓電路，為所述LED背光模組 {共 ο
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED背光驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第一升壓電路包括 依次串聯(lián)的第一電感Li、第二電感L2、二極管D2，以及漏極連接于第一電感Ll以及第二電感L2之間的MOS管Q2 ；所述MOS管Q2的柵極與所述選擇控制電路連接，源極接地；所述MOS管Q2為P溝道MOS管； 所述第二升壓電路包括依次串聯(lián)的第一電感L3、第二電感L4、二極管D1，以及漏極連接于第一電感L3以及第二電感L4之間的MOS管Ql ；所述MOS管Ql的柵極與所述選擇控制電路連接，源極接地；所述MOS管Ql為N溝道MOS管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED背光驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述選擇控制電路包括 推挽電路，分別與所述MOS管Ql以及MOS管Q2連接，選擇所述MOS管Ql或MOS管Q2導(dǎo)通；隔直電路，與所述推挽電路連接，為推挽電路提供隔直電壓；PWM芯片，與所述隔直電路連接，通過所述隔直電路以及推挽電路，控制所述MOS管Ql 以及MOS管Q2交替導(dǎo)通。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED背光驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述推挽電路包括第一三極管Q3以及第二三極管Q4 ；所述第一三極管Q3以及第二三極管Q4的發(fā)射極相連，所述第一三極管Q3以及第二三極管Q4的基極并聯(lián)接至所述隔直電路，所述第一三極管Q3的集電極接電源，所述第二三極管Q4的集電極接地；所述第一三極管Q3為PNP型，所述第二三極管Q4為NPN型。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的LED背光驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述隔直電路為隔直電容Cl。
6.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的LED背光驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述PWM芯片還通過對輸出電壓進(jìn)行采樣，將采樣的輸出電壓與基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較，并根據(jù)所述比較結(jié)果調(diào)節(jié)第一升壓電路以及第二升壓電路的導(dǎo)通時(shí)間，以控制輸出電壓的恒定。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的LED背光驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述穩(wěn)壓電路包括兩電容，分別接入至所述第一升壓電路以及第二升壓電路。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED背光驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述兩電容的一端分別接至第一升壓電路以及第二升壓電路，另一端相連后接地。
全文摘要
本發(fā)明揭示了一種LED背光驅(qū)動(dòng)電路。該LED背光驅(qū)動(dòng)電路可為LED背光模組供電，其包括穩(wěn)壓電路，接收輸入電壓，對所述輸入電壓進(jìn)行濾波，輸出穩(wěn)壓直流電；第一升壓電路以及第二升壓電路，分別與所述穩(wěn)壓電路連接，接收所述穩(wěn)壓直流電，進(jìn)行升壓后輸出至LED背光模組；選擇控制電路，交替選擇所述第一升壓電路以及第二升壓電路，為所述LED背光模組供電。本發(fā)明的LED背光驅(qū)動(dòng)電路，提升了電路的升壓效率，降低了成本，具有較好的實(shí)用性。
文檔編號G09G3/32GK102290030SQ201110184078
公開日2011年12月21日 申請日期2011年7月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月1日
發(fā)明者楊翔, 高新明 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司