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液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)方法

文檔序號(hào):2583696閱讀:154來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是有關(guān)于一種驅(qū)動(dòng)方法,且特別是有關(guān)于一種液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)
請(qǐng)參照?qǐng)D1,圖1為現(xiàn)有的液晶顯示器的剖面示意圖。目前液晶顯示器都采用交流的電壓來(lái)進(jìn)行驅(qū)動(dòng),所以在液晶層兩端會(huì)有兩個(gè)電極,一邊為共電極100,一邊為像素電極 200,液晶內(nèi)部會(huì)存在正負(fù)的雜質(zhì)離子10。請(qǐng)參照?qǐng)D2,圖2為現(xiàn)有交流驅(qū)動(dòng)時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓波型圖。在固定的畫(huà)面時(shí),通過(guò)在像素電極200加入不同的像素電壓Vp 1及Vp2,使得共電極100的電壓VCOM與像素電極200 在不同的幀時(shí),形成相反且電壓差相等的電場(chǎng),來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)液晶的交流電壓驅(qū)動(dòng)。請(qǐng)參照?qǐng)D3 及圖4,圖3為加入Vpl時(shí)的雜質(zhì)離子移動(dòng)示意圖、圖4為加入Vp2時(shí)的雜質(zhì)離子移動(dòng)示意圖。當(dāng)加入Vpl的電壓時(shí),即Vpl <VC0M,正負(fù)離子移動(dòng)的距離為d。當(dāng)加如Vd2時(shí),即Vp2 > VC0M,正負(fù)的雜質(zhì)離子也會(huì)再反向移動(dòng)d的距離,因此內(nèi)部的雜質(zhì)離子10不會(huì)發(fā)生聚集。一般來(lái)說(shuō),共電極100為固定不變的電壓,然而也有為了實(shí)現(xiàn)某些畫(huà)質(zhì)的改善或?qū)崿F(xiàn)其他的驅(qū)動(dòng)架構(gòu),而將共電極設(shè)為變動(dòng)的。但無(wú)論是哪種情況,都要求在某一灰階時(shí), 夾在電極兩端的壓差的絕對(duì)值要盡量相等。請(qǐng)參照?qǐng)D5及圖6,圖5為兩端的壓差不等的驅(qū)動(dòng)電壓波型圖、圖6為加入圖5所示的電壓的雜質(zhì)離子移動(dòng)示意圖。當(dāng)Vpl、Vp2與VCOM 的絕對(duì)值差不相等,造成正負(fù)離子移動(dòng)的距離dl、d2不相等,則會(huì)導(dǎo)致液晶層內(nèi)的雜質(zhì)離子向兩邊聚集(也叫電荷殘留),如圖6所示。當(dāng)有較多的正負(fù)雜質(zhì)離子10分別附著到共電極100及像素電極200上的配向膜上(未圖示)時(shí),就會(huì)形成的一個(gè)內(nèi)建電壓Vi。據(jù)此,當(dāng)提供某一灰階對(duì)應(yīng)的Vpl及Vp2 時(shí),Vpl及Vp2與VCOM的差值就會(huì)受到Vi的影響,液晶分子的傾斜角度在就會(huì)有變化。因此會(huì)產(chǎn)生畫(huà)面閃爍(Flicker)或是顏色有偏差的問(wèn)題。而且雜質(zhì)離子附著后會(huì)一直貼在配向膜上,無(wú)法恢復(fù),所以這樣的異常通常是不可恢復(fù),不可維修的,即我們所說(shuō)的液晶極化的問(wèn)題。所以,為了保證液晶不被極化,我們需要一個(gè)穩(wěn)定的共電極電壓,來(lái)與像素電壓形成相等的絕對(duì)值壓差,然而對(duì)于整個(gè)面板而言,很難做到每個(gè)區(qū)域的共電極是一致的。所以目前有技術(shù)解決方式均是在去減少這種電荷累積造成的問(wèn)題,但在長(zhǎng)時(shí)間的使用后,還是會(huì)出現(xiàn)上述問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)方法,其故意制造出電荷殘留,再通過(guò)調(diào)整驅(qū)動(dòng)電壓,解決了前述電荷殘留的問(wèn)題。為達(dá)上述的目的,本發(fā)明采取以下技術(shù)方案。一種液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)方法,所述液晶顯示器包括一共電極、一像素電極、一液晶層,位于所述共電極及所述像素電極之間,且具有若干個(gè)雜質(zhì)離子、及一像素,用于顯示一灰階。所述驅(qū)動(dòng)方法包括分離所述若干雜質(zhì)離子至所述共電極及像素電極,以于所述液晶層形成一內(nèi)部電場(chǎng);及根據(jù)所述灰階在所述共電極提供一共電壓,及在所述像素電極提供一第一補(bǔ)償電壓及一第二補(bǔ)償電壓,所述第一補(bǔ)償電壓及第二補(bǔ)償電壓用于補(bǔ)償所述內(nèi)部電場(chǎng),使得所述第一補(bǔ)償電壓及第二補(bǔ)償電壓相對(duì)于所述共電壓的差值相等。優(yōu)選地,分離所述若干雜質(zhì)離子是在所述共電極提供一偏移共電壓,及在所述像素電極提供一第一電壓及一第二電壓,使得所述第一電壓及第二電壓相對(duì)于所述偏移共電壓的差值不相等。具體來(lái)說(shuō),所述第二電壓大于所述第一電壓,且所述偏移共電壓介于所述第一電壓及所述第二電壓之間。優(yōu)選地,所述偏移共電壓與所述第一電壓的差值大于所述偏移共電壓與所述第二電壓的差值。所述內(nèi)部電場(chǎng)的方向?yàn)閺乃鱿袼仉姌O朝向所述共電極。此外,所述第一補(bǔ)償電壓為一第一像素電壓減掉所述內(nèi)部電場(chǎng)的電壓值,所述第二補(bǔ)償電壓為一第二像素電壓減掉所述內(nèi)部電場(chǎng)的電壓值。優(yōu)選地,所述偏移共電壓與所述第一電壓的差值小于所述偏移共電壓與所述第二電壓的差值。所述內(nèi)部電場(chǎng)的方向?yàn)閺乃龉搽姌O朝向所述像素電極。此外,所述第一補(bǔ)償電壓為一第一像素電壓加上所述內(nèi)部電場(chǎng)的電壓值,所述第二補(bǔ)償電壓為一第二像素電壓加上所述內(nèi)部電場(chǎng)的電壓值。值得一提的是,所述第一補(bǔ)償電壓及第二補(bǔ)償電壓是通過(guò)電阻或數(shù)模轉(zhuǎn)換集成電路進(jìn)行調(diào)整。相較于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明從反相來(lái)解決這上述問(wèn)題,其通過(guò)故意制造出電荷累積, 再通過(guò)提供第一補(bǔ)償電壓及第二補(bǔ)償電壓,實(shí)現(xiàn)畫(huà)面的正確顯示。據(jù)此,一方面消除電荷殘留對(duì)影像的影響,另一方面即使共電極及像素電極的電壓差有一些偏差,也不會(huì)再有移動(dòng)的雜質(zhì)離子的累積加大偏差所導(dǎo)致的影響,導(dǎo)致畫(huà)面的異常顯示。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂,下文特舉優(yōu)選實(shí)施例,幷配合所附圖式,作詳細(xì)說(shuō)明如下


圖1為現(xiàn)有的液晶顯示器的剖面示意圖。圖2為現(xiàn)有交流驅(qū)動(dòng)時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓波型圖。圖3為加入Vpl時(shí)的雜質(zhì)離子移動(dòng)示意圖。圖4為加入Vp2時(shí)的雜質(zhì)離子移動(dòng)示意圖。圖5為兩端的壓差不等的驅(qū)動(dòng)電壓波型圖。圖6為加入圖5所示的電壓的雜質(zhì)離子移動(dòng)示意圖。圖7為本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例的液晶顯示器示意圖。圖8為本發(fā)明的液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)方法的流程圖。圖9為第一實(shí)施例提供的驅(qū)動(dòng)電壓波型圖。圖10為第二實(shí)施例提供的驅(qū)動(dòng)電壓波型圖。圖11為第二優(yōu)選實(shí)施例的液晶顯示器示意圖。圖12為第一實(shí)施例中的第一補(bǔ)償電壓及第二補(bǔ)償電壓的波型圖。圖13為第二實(shí)施例中的第一補(bǔ)償電壓及第二補(bǔ)償電壓的波型圖。
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參照?qǐng)D7及圖8,圖7為本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例的液晶顯示器示意圖、圖8為本發(fā)明的液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)方法的流程圖。所述液晶顯示器包括若干個(gè)像素單元1000、若干個(gè)共電極100、若干個(gè)像素電極200、一液晶層150。為清楚表示,圖7僅繪示出單一像素 1000、單一共電極100及單一像素電極200。共電極100及像素電極200面對(duì)液晶層150的表面均有一層配向膜120。液晶層150位于所述共電極100及所述像素電極200之間,且具有若干個(gè)雜質(zhì)離子10。所述像素1000用于顯示一灰階。如圖8所示,所述驅(qū)動(dòng)方法包括步驟SlO及S20。在步驟SlO中,分離所述若干雜質(zhì)離子10至所述共電極100及像素電極200,以于所述液晶層150形成一內(nèi)部電場(chǎng)Vi。請(qǐng)參照?qǐng)D9,圖9為第一實(shí)施例提供的驅(qū)動(dòng)電壓波型圖。在此第一優(yōu)選實(shí)施例中,分離所述若干雜質(zhì)離子10是通過(guò)在所述共電極100提供一偏移共電壓VC0M’,及在所述像素電極200提供一第一電壓Va及一第二電壓Vb,使得所述第一電壓Va及第二電壓Vb相對(duì)于所述偏移共電壓VC0M’的差值不相等。具體來(lái)說(shuō),所述第二電壓Vb大于所述第一電壓Va,且所述偏移共電壓VC0M’介于所述第一電壓Va及所述第二電壓Vb之間。具體而言,即可通過(guò)公之的閘極驅(qū)動(dòng)器及源極驅(qū)動(dòng)器并配合電阻或數(shù)模轉(zhuǎn)換(DAC)集成電路進(jìn)行調(diào)整,然而本發(fā)明不限于此種方式實(shí)施。在第一優(yōu)選實(shí)施例中,所述偏移共電壓VC0M’與所述第一電壓Va的差值大于所述偏移共電壓VC0M’與所述第二電壓Vb的差值。即偏移共電壓VC0M’靠近所述第二電壓Vb, 這將使得正負(fù)的雜質(zhì)離子10逐漸聚集到共電極100及像素電極200上的配向膜120,如圖 7所示。由于偏移共電壓VC0M’十分靠近第二電壓Vb,因此正的雜質(zhì)離子10皆往像素電極 200聚集、而負(fù)的雜質(zhì)離子10皆往共電極100聚集,在聚集的過(guò)程中雜質(zhì)離子10建立了內(nèi)部電場(chǎng)Ei,并逐漸達(dá)到了最大值,即形成了電荷殘留。因此所述內(nèi)部電場(chǎng)Ei變成了一個(gè)定值。所述內(nèi)部電場(chǎng)Ei的方向?yàn)閺乃鱿袼仉姌O200朝向所述共電極100。值得一提的是, 所述內(nèi)部電場(chǎng)Ei乘上液晶層150的厚度D則為內(nèi)部電場(chǎng)Ei在共電極100及像素電極200 兩端建立的內(nèi)建電壓Vi。同樣地,所述內(nèi)建電壓Vi也成為一個(gè)定值。請(qǐng)參照?qǐng)D10及圖11,圖10為第二實(shí)施例提供的驅(qū)動(dòng)電壓波型圖、圖11為第二優(yōu)選實(shí)施例的液晶顯示器示意圖。同樣地,在第二優(yōu)選實(shí)施例中,所述偏移共電壓VC0M’與所述第一電壓Va的差值小于所述偏移共電壓VC0M’與所述第二電壓Vb的差值。即偏移共電壓VC0M’靠近所述第一電壓Va,這將使得正負(fù)的雜質(zhì)離子10逐漸聚集到共電極100及像素電極200上的配向膜120,如圖11所示。由于偏移共電壓VC0M’十分靠近第一電壓Va,因此正的雜質(zhì)離子10皆往共電極100聚集、而負(fù)的雜質(zhì)離子10皆往像素電極200聚集,在聚集的過(guò)程中雜質(zhì)離子10建立了內(nèi)部電場(chǎng)Ei,并逐漸達(dá)到了最大值,即形成了電荷殘留。因此所述內(nèi)部電場(chǎng)Ei變成了一個(gè)定值。所述內(nèi)部電場(chǎng)Ei的方向?yàn)閺乃龉搽姌O100朝向所述像素電極200。值得一提的是,所述內(nèi)部電場(chǎng)Ei乘上液晶層150的厚度D則為內(nèi)部電場(chǎng) Ei在共電極100及像素電極200兩端建立的內(nèi)建電壓Vi。同樣地,所述內(nèi)建電壓Vi也成為一個(gè)定值。在步驟S20中,根據(jù)所述灰階在所述共電極100提供一共電壓VC0M,及在所述像素電極200提供一第一補(bǔ)償電壓Vcl及一第二補(bǔ)償電壓Vc2,所述第一補(bǔ)償電壓Vcl及第二補(bǔ)償電壓Vc2用于補(bǔ)償所述內(nèi)部電場(chǎng)Ei,使得所述第一補(bǔ)償電壓Vcl及第二補(bǔ)償電壓Vc2相對(duì)于所述共電壓VCOM的差值相等。請(qǐng)參考圖12,圖12為第一實(shí)施例中的第一補(bǔ)償電壓Vcl及第二補(bǔ)償電壓Vc2的波型圖。在第一實(shí)施例中,如果該畫(huà)素1000顯示該灰階所需提供的畫(huà)素電壓為第一像素電壓 Vpl及第二像素電壓Vp2,且Vpl與Vp2相對(duì)于共電壓VCOM的差值相等。請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D7,當(dāng)畫(huà)素1000被提供第一像素電壓Vpl時(shí),所形成的外部電場(chǎng)El與內(nèi)部電場(chǎng)Ei反向,如此使得實(shí)際的第一像素電壓Vpl靠近共電壓VC0M。當(dāng)畫(huà)素1000被提供第二像素電壓Vp2時(shí), 所形成的外部電場(chǎng)E2與內(nèi)部電場(chǎng)Ei同向,如此使得實(shí)際的第二像素電壓Vp2遠(yuǎn)離共電壓 VC0M。因此,為了補(bǔ)償內(nèi)建電壓Vi,所述第一補(bǔ)償電壓Vcl為第一像素電壓Vpl減掉所述內(nèi)部電場(chǎng)Ei的電壓值(即Vpl-Vi),所述第二補(bǔ)償電壓Vc2為第二像素電壓Vp2減掉所述內(nèi)部電場(chǎng)Ei的電壓值(即Vp2-Vi)。請(qǐng)參考圖13,圖13為第二實(shí)施例中的第一補(bǔ)償電壓Vcl及第二補(bǔ)償電壓Vc2的波型圖。同樣地,在第二實(shí)施例中,由于內(nèi)部電場(chǎng)Ei’與第一實(shí)施例的內(nèi)部電場(chǎng)Ei方向相反。請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D11,當(dāng)畫(huà)素1000被提供第一像素電壓Vpl時(shí),所形成的外部電場(chǎng)El與內(nèi)部電場(chǎng)Ei’同向,如此使得實(shí)際的第一像素電壓Vpl遠(yuǎn)離共電壓VC0M。當(dāng)畫(huà)素1000被提供第二像素電壓Vp2時(shí),所形成的外部電場(chǎng)E2與內(nèi)部電場(chǎng)Ei反向,如此使得實(shí)際的第二像素電壓Vp2靠近共電壓VC0M。因此,為了補(bǔ)償內(nèi)建電壓Vi,所述第一補(bǔ)償電壓Vcl為第一像素電壓Vpl加上所述內(nèi)部電場(chǎng)Ei的電壓值(即Vpl+Vi),所述第二補(bǔ)償電壓Vc2為第二像素電壓Vp2加上所述內(nèi)部電場(chǎng)Ei的電壓值(即Vp2+Vi)。除了上述調(diào)整方式之外,還可通過(guò)調(diào)整共電壓VCOM使得實(shí)際的第一像素電壓與實(shí)際的第二像素電壓相對(duì)于所述共電壓VCOM的差值相等。即在上述步驟S20中,修改成根據(jù)所述灰階在所述共電極100提供一補(bǔ)償共電壓VcCOM,及在所述像素電極提供第一像素電壓Vpl及第二像素電壓Vp2,所述補(bǔ)償共電壓VcCOM用于補(bǔ)償所述內(nèi)部電場(chǎng),使得所述第一像素電壓Vpl及第二像素電壓Vp2相對(duì)于所述補(bǔ)償共電壓VcCOM的差值相等。請(qǐng)?jiān)偃紙D12,在第一實(shí)施例中,所述補(bǔ)償共電壓VcCOM為共電壓VCOM加上內(nèi)建電壓Vi。請(qǐng)?jiān)偃紙D13,在第二實(shí)施例中,所述補(bǔ)償共電壓VcCOM為共電壓VCOM減掉內(nèi)建電壓Vi。然而,本發(fā)明并不限于上述兩種調(diào)整方式,亦可同時(shí)調(diào)整第一像素電壓Vpl、第二像素電壓Vp2及共電壓VCOM。值得一提的是,上述第一補(bǔ)償電壓Vcl、第二補(bǔ)償電壓Vc2及補(bǔ)償共電壓VcCOM可通過(guò)公之的閘極驅(qū)動(dòng)器及源極驅(qū)動(dòng)器并配合電阻或數(shù)模轉(zhuǎn)換(DAC)集成電路進(jìn)行調(diào)整,然而本發(fā)明不限于此種方式實(shí)施。綜上所述,本發(fā)明從反相來(lái)解決這上述問(wèn)題,其通過(guò)故意制造出電荷累積,再通過(guò)調(diào)整第一像素電壓Vp 1及第二像素電壓Vp2成為第一補(bǔ)償電壓Vc 1及第二補(bǔ)償電壓Vc2,以實(shí)現(xiàn)畫(huà)面的正確顯示。據(jù)此,一方面消除電荷殘留對(duì)影像的影響,另一方面即使共電極VCOM 及像素電極200的電壓差有一些偏差,也不會(huì)再有移動(dòng)的雜質(zhì)離子10的累積加大偏差所導(dǎo)致的影響,導(dǎo)致畫(huà)面的異常顯示。雖然本發(fā)明已用優(yōu)選實(shí)施例揭露如上,然其并非用以限定本發(fā)明,本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾,因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求書(shū)所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)方法,所述液晶顯示器包括一共電極、一像素電極、一液晶層,位于所述共電極及所述像素電極之間,且具有若干個(gè)雜質(zhì)離子、及一像素,用于顯示一灰階,所述驅(qū)動(dòng)方法其特征在于,包括分離所述若干雜質(zhì)離子至所述共電極及像素電極,以于所述液晶層形成一內(nèi)部電場(chǎng);及根據(jù)所述灰階在所述共電極提供一共電壓,及在所述像素電極提供一第一補(bǔ)償電壓及一第二補(bǔ)償電壓,所述第一補(bǔ)償電壓及第二補(bǔ)償電壓用于補(bǔ)償所述內(nèi)部電場(chǎng),使得所述第一補(bǔ)償電壓及第二補(bǔ)償電壓相對(duì)于所述共電壓的差值相等。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)方法,其特征在于分離所述若干雜質(zhì)離子是在所述共電極提供一偏移共電壓,及在所述像素電極提供一第一電壓及一第二電壓, 使得所述第一電壓及第二電壓相對(duì)于所述偏移共電壓的差值不相等。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)方法,其特征在于,所述第二電壓大于所述第一電壓,且所述偏移共電壓介于所述第一電壓及所述第二電壓之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)方法,其特征在于,所述偏移共電壓與所述第一電壓的差值大于所述偏移共電壓與所述第二電壓的差值。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)方法,其特征在于,所述內(nèi)部電場(chǎng)的方向?yàn)閺乃鱿袼仉姌O朝向所述共電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)方法,其特征在于,所述第一補(bǔ)償電壓為一第一像素電壓減掉所述內(nèi)部電場(chǎng)的電壓值,所述第二補(bǔ)償電壓為一第二像素電壓減掉所述內(nèi)部電場(chǎng)的電壓值。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)方法,其特征在于,所述偏移共電壓與所述第一電壓的差值小于所述偏移共電壓與所述第二電壓的差值。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)方法,其特征在于,所述內(nèi)部電場(chǎng)的方向?yàn)閺乃龉搽姌O朝向所述像素電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)方法,其特征在于,所述第一補(bǔ)償電壓為一第一像素電壓加上所述內(nèi)部電場(chǎng)的電壓值,所述第二補(bǔ)償電壓為一第二像素電壓加上所述內(nèi)部電場(chǎng)的電壓值。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)方法,其特征在于所述第一補(bǔ)償電壓及第二補(bǔ)償電壓是通過(guò)電阻或數(shù)模轉(zhuǎn)換集成電路進(jìn)行調(diào)整。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)方法,所述液晶顯示器包括一共電極、一像素電極、一液晶層,位于所述共電極及所述像素電極之間,且具有若干個(gè)雜質(zhì)離子、及一像素,用于顯示一灰階。所述驅(qū)動(dòng)方法包括分離所述若干雜質(zhì)離子至所述共電極及像素電極,以于所述液晶層形成一內(nèi)部電場(chǎng);及根據(jù)所述灰階在所述共電極提供一共電壓,及在所述像素電極提供一第一補(bǔ)償電壓及一第二補(bǔ)償電壓,所述第一補(bǔ)償電壓及第二補(bǔ)償電壓用于補(bǔ)償所述內(nèi)部電場(chǎng),使得所述第一補(bǔ)償電壓及第二補(bǔ)償電壓相對(duì)于所述共電壓的差值相等。本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)方法故意制造出電荷累積,再通過(guò)提供第一補(bǔ)償電壓及第二補(bǔ)償電壓,實(shí)現(xiàn)畫(huà)面的正確顯示。
文檔編號(hào)G09G3/36GK102411912SQ20111010656
公開(kāi)日2012年4月11日 申請(qǐng)日期2011年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月27日
發(fā)明者郭東勝 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司
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