專利名稱：薄膜晶體管、開關(guān)電路以及場效應(yīng)晶體管的制作方法
薄膜晶體管、開關(guān)電路以及場效應(yīng)晶體管相關(guān)申請的交叉引用本申請要求于2010年1月12日向日本專利局提交的，申請?zhí)枮镴P2010-003575 的日本專利申請的優(yōu)先權(quán)，其整體內(nèi)容通過引用方式結(jié)合于此。
背景技術(shù)：
本申請涉及一種顯示裝置、開關(guān)電路以及場效應(yīng)晶體管，優(yōu)選地，適用于，例如，液 晶顯示裝置或有機電致發(fā)光(EL)顯示裝置。液晶顯示裝置廣泛用作平板顯示器。在一些液晶顯示裝置中，薄膜晶體管(TFT) 作為一種場效應(yīng)晶體管而用于開關(guān)電路中以驅(qū)動像素。作為相關(guān)技術(shù)的實例，已知一種使 用薄膜晶體管的液晶顯示裝置——平面開關(guān)(In Plane Switching, IPS)模式或邊緣場開 關(guān)(Fringe Field Switching, FFS)模式的有源矩陣驅(qū)動液晶顯示裝置。圖17和18顯示 了這種液晶顯示裝置的一種形式。在此，圖17為該液晶顯示裝置的剖視圖，圖18為該液晶 顯示裝置的平面圖。如圖17和18所示，在該液晶顯示裝置中，TFT基板100和相對基板200被設(shè)置成 通過位于其間的液晶(未顯示)彼此相對，兩者間的距離由設(shè)置在相對基板200上的墊片 (spacer，間隔件)300調(diào)整。在TFT基板100中，柵極線路102和從柵極線路102分支出的柵電極102a、102b設(shè) 置在透明玻璃基板101上。設(shè)置柵極絕緣膜103以覆蓋柵極線路102和柵電極10h、102b。 柵極絕緣膜103包括兩層下部絕緣膜103a和上部絕緣膜10北。具有特定形狀的硅薄膜 104形成溝道，該硅薄膜104設(shè)置在柵極絕緣膜103上，并在柵電極102a、102b上延伸。除 了溝道部分l(Ma、104b的位于柵電極102a、102b上方的部分之外，硅薄膜104中均摻雜有 雜質(zhì)。在硅薄膜104—端側(cè)上的雜質(zhì)摻雜區(qū)形成源極區(qū)105，而在另一端側(cè)上的雜質(zhì)摻雜 區(qū)形成漏極區(qū)106。附圖標記l(Mc表示雜質(zhì)摻雜區(qū)。用于驅(qū)動像素的開關(guān)電路的薄膜晶 體管T’具有一種結(jié)構(gòu)(或雙柵極結(jié)構(gòu))，其中，兩個薄膜晶體管互相電串聯(lián)，該薄膜晶體管 包括柵電極10加、102b、柵極絕緣膜103、源極區(qū)105和漏極區(qū)106。圖19為該薄膜晶體管 T’的一部分的平面圖。如圖19所示，形成薄膜晶體管T’的溝道的硅薄膜104沿溝道長度 方向具有一個恒定寬度wl。層間絕緣膜107、108設(shè)置為覆蓋硅薄膜104。接觸孔109設(shè)置在層間絕緣膜107、 108的位于源極區(qū)105上的部分中。此外，接觸孔110設(shè)置在層間絕緣膜107、108的位于 漏極區(qū)106上的部分中。數(shù)據(jù)線111通過接觸孔109與源極區(qū)105接觸。此外，引線電極 112通過接觸孔110與漏極區(qū)106接觸。阻擋金屬膜113設(shè)置于數(shù)據(jù)線111和引線電極112 上。層間絕緣膜114設(shè)置為覆蓋數(shù)據(jù)線111和引線電極112。接觸孔11 設(shè)置在層間絕 緣膜114位于引線電極112上的部分。層間絕緣膜114的表面除了接觸孔11 的部分以 外均平整。公共電極115設(shè)置在平整表面上。該公共電極115具有位于引線電極112上的 部分中的開口 115a，其大于接觸孔lHa。層間絕緣膜116被設(shè)置成覆蓋公共電極115。接 觸孔116a設(shè)置于層間絕緣膜116位于引線電極112上的部分中。像素電極117設(shè)置在層間絕緣膜116上。像素電極117通過接觸孔116a與阻擋金屬膜113和引線電極112連接， 并通過引線電極112與薄膜晶體管T’的漏極區(qū)106連接。在構(gòu)成保持電容元件C’的結(jié)構(gòu) 中，像素電極117和公共電極115之間夾持層間絕緣膜116。像素電極117具有狹縫形開 口 117a。當(dāng)電壓施加在像素電極117和公共電極115之間時，在開口 117a中，由像素電極 117和公共電極115之間產(chǎn)生的電場來驅(qū)動液晶(未顯示)。另一方面，在相對基板200，濾色器202、203以部件互相重疊的方式設(shè)置在透明玻 璃基板201上。平整層204設(shè)置于這些濾色器202、203上。墊片300設(shè)置在平整層的平整 表面上。在上述液晶顯示裝置中，必要的是，用于像素驅(qū)動的薄膜晶體管T’具有足夠高的 工作(ON)電流特性使像素電勢可以被寫入，并具有足夠抑制的斷開(OFF)電流特性以保持 寫入電勢。但是，隨著液晶顯示裝置清晰度的改良和光學(xué)標準所要求特性的提升，背光亮度 更高，非常強烈的入射光從背光照射到薄膜晶體管T’。因此，薄膜晶體管T’的光泄漏電流 增加，斷開電流特性變差，液晶顯示裝置的對比度降低，并且由于閃爍和條紋狀不均勻而導(dǎo) 致畫面質(zhì)量變差。在薄膜晶體管T’中，光敏的硅薄膜104用作元件區(qū)。當(dāng)光照射到硅薄膜 104的漏極區(qū)106的一端時，由光激勵引起的載流子產(chǎn)生于溝道部分，由此，薄膜晶體管T’ 發(fā)生光泄漏，而液晶顯示裝置的畫面質(zhì)量也受到嚴重影響。到目前為止，為了降低薄膜晶體管T’的光泄漏電流，如圖20所示，作為溝道的硅 薄膜104的寬度在溝道長度方向上變得均勻地窄，并且寬度w2小于wl。

發(fā)明內(nèi)容
但是，如圖20所示的方法中，薄膜晶體管T’的硅薄膜104的寬度在溝道長度方向 上變得均勻地窄，以降低薄膜晶體管τ’的光泄漏電流，但是抑制了 OFF電流特性，但工作 (ON)電流特性也降低了。因此，出現(xiàn)的情況是當(dāng)寫入像素電勢時性能上存在麻煩，這是有問 題的見JP-A-5-121439和日本專利No. 3551952(專利文件1、2)。因此，很希望提供一種顯示裝置，其中，在用于驅(qū)動像素的開關(guān)電路中使用的場效 應(yīng)晶體管的斷開電流特性的抑制以及工作(ON)電流特性的增強能同時實現(xiàn)，并且開關(guān)電 路的性能和畫面質(zhì)量均能提高。也很希望提供一種開關(guān)電路，其中，構(gòu)成開關(guān)電路的場效應(yīng)晶體管的斷開(OFF) 電流特性的抑制和工作(ON)電流特性的增強能同時實現(xiàn)，并且其性能能夠得到提高。也希望提供一種場效應(yīng)晶體管，其中，斷開電流特性的抑制和工作電流特性的增 強能同時實現(xiàn)，并且其性能能夠得到提高。在一個實施例中，提供了一種薄膜晶體管。該薄膜晶體管包括具有源極區(qū)、漏極區(qū) 和溝道區(qū)的半導(dǎo)體層，其中，溝道區(qū)設(shè)置在源極區(qū)和漏極區(qū)之間；柵電極與溝道區(qū)交疊，其 中該溝道區(qū)包括被配置為在長度方向上連續(xù)減小和連續(xù)增加中的至少一種的至少一部分 溝道寬度。在一個實施例中，溝道寬度的至少第一部分配置為在長度方向上連續(xù)增大，溝道 寬度的至少第二部分配置為在長度方向上連續(xù)減小。在一個實施例中，至少一部分溝道寬度被設(shè)置為在長度方向上線性減小和線性增 加中的至少一種。
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在一個實施例中，溝道區(qū)包括多個溝道區(qū)。在一個實施例中，多個溝道區(qū)包括具有第一溝道寬度的第一溝道區(qū)和具有第二溝 道寬度的第二溝道區(qū)，并且其中，第一溝道寬度和第二溝道寬度設(shè)置為在長度方向上連續(xù) 減小和連續(xù)增大中的至少一種。在一個實施例中，多個溝道區(qū)包括具有第三溝道寬度的第三溝道區(qū)，該第三溝道 寬度在長度方向上尺寸均勻。 在一個實施例中，第三溝道區(qū)設(shè)置在第一和第二溝道區(qū)之間。在一個實施例中，多個溝道區(qū)中的至少兩個具有不同溝道長度。在一個實施例中，溝道寬度包括一個指向源極區(qū)的源極溝道寬度部分和一個指向 漏極區(qū)的漏極溝道寬度部分，并且其中，與漏極溝道寬度部分相比，源極溝道寬度部分在尺 寸上較大。在一個實施例中，溝道寬度包括一個指向源極區(qū)的源極溝道寬度部分和一個指向 漏極區(qū)的漏極溝道寬度部分，并且其中，與漏極溝道寬度部分相比，源極溝道寬度部分在尺 寸上較小。在一個實施例中，溝道寬度包括一個指向源極區(qū)的源極溝道寬度部分和一個指向 漏極區(qū)的漏極溝道寬度部分，并且其中，源極溝道寬度部分和漏極溝道寬度部分在尺寸上 相等。在另一個實施例中，提供了開關(guān)電路。該開關(guān)電路包括薄膜晶體管，該薄膜晶體管 包括具有源極區(qū)、漏極區(qū)和溝道區(qū)的半導(dǎo)體層，其中，溝道區(qū)設(shè)置在源極區(qū)和漏極區(qū)之間； 柵電極與溝道區(qū)交疊，其中，該溝道區(qū)包括至少溝道寬度部分，其配置為在長度方向上連續(xù) 減小和連續(xù)增大中的至少一種。在一個實施例中，溝道區(qū)設(shè)置為與數(shù)據(jù)線和像素電極電連接。在一個實施例中，開關(guān)電路設(shè)置為增強工作電流特性并抑制斷開電流特性。在另一個實施例中，提供了一種顯示裝置。該顯示裝置包括薄膜晶體管，該薄膜晶 體管包括具有源極區(qū)、漏極區(qū)和溝道區(qū)的半導(dǎo)體層，其中，溝道區(qū)設(shè)置在源極區(qū)和漏極區(qū)之 間；柵電極與溝道區(qū)交疊，其中，該溝道區(qū)包括溝道寬度，其配置為在長度方向上連續(xù)減小 和連續(xù)增大中的至少一種。在一個實施例中，該顯示裝置包括具有薄膜晶體管的開關(guān)電路，并且其中，溝道區(qū) 與數(shù)據(jù)線和像素電極電連接。在一個實施例中，顯示裝置設(shè)置為增強工作電流特性并抑制斷開電流特性。在另一個實施例中，提供了一種生產(chǎn)薄膜晶體管的方法。該方法包括形成具有源 極區(qū)、漏極區(qū)和溝道區(qū)的半導(dǎo)體層，其中，溝道區(qū)設(shè)置在源極區(qū)和漏極區(qū)之間；柵電極與溝 道區(qū)交疊，其中，該溝道區(qū)包括溝道寬度部其配置為在長度方向上連續(xù)減小和連續(xù)增大中 的至少一種。在各實施例中，漏極側(cè)上的至少一個場效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體層的寬度與源極側(cè)上 的寬度彼此不同，或者漏極側(cè)上的至少一個場效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體層的寬度與源極側(cè)上的 寬度彼此相等，并且，在溝道長度方向上的中間區(qū)可以較大。在此，漏極側(cè)表示這樣的端子 側(cè)，即，在相關(guān)場效應(yīng)晶體管中在操作期間被施加有高電場的端子側(cè)，而源極側(cè)表示這樣的 端子側(cè)，即，在相關(guān)場效應(yīng)晶體管中在操作中被施加有低電場的端子側(cè)。在典型實例的情況下(其中，漏極側(cè)上的至少一個場效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體層的寬度與在源極側(cè)上的不同)，漏 極側(cè)上的至少一個場效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體層的寬度小于在源極側(cè)上的寬度。此外，多個場 效應(yīng)晶體管中的源極側(cè)端場效應(yīng)晶體管的在漏極側(cè)的半導(dǎo)體層的寬度小于在源極側(cè)上的 寬度?？商鎿Q地，多個場效應(yīng)晶體管中的漏極側(cè)端場效應(yīng)晶體管在漏極側(cè)的半導(dǎo)體層的寬 度小于在源極側(cè)上的寬度。另有一種情況，多個場效應(yīng)晶體管中的至少一個場效應(yīng)晶體管 的溝道長度與另一個場效應(yīng)晶體管的溝道長度不同。在場效應(yīng)晶體管中，柵電極通過柵極 絕緣膜設(shè)置在半導(dǎo)體層上，并且施加于柵電極上的電壓變化，從而在半導(dǎo)體層中設(shè)置的源 極區(qū)和漏極區(qū)之間流動的電流得以控制。場效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體層基本上可為任意形狀， 只要半導(dǎo)體層具有光敏性即可，最典型的層是硅層。例如，雖然顯示裝置為液晶顯示裝置或 有機電致發(fā)光顯示裝置，但是不被限制于此。此外，該液晶顯示裝置可以是平面開關(guān)或邊緣 場開關(guān)模式裝置之外的裝置。根據(jù)如上述內(nèi)容構(gòu)造的實施例，例如，形成至少一個場效應(yīng)晶體管的溝道的半導(dǎo) 體層的寬度在漏極側(cè)上變窄，因此能夠抑制光照射時泄漏電流的上升，也就是說，斷開電流 的上升可得到抑制。進一步地，源極側(cè)的寬度比漏極側(cè)上的寬度更大，因此工作電流能夠增強。根據(jù)一個實施例，用于驅(qū)動像素的開關(guān)電路中使用的場效應(yīng)晶體管的斷開電流特 性的抑制和工作電流特性的增強可同時實現(xiàn)，顯示裝置的畫面質(zhì)量也可通過開關(guān)電路性能 的增強而改進。此外，場效應(yīng)晶體管的斷開電流特性的抑制和工作電流特性的增強可同時實現(xiàn)， 并且開關(guān)電路性能的增強也可實現(xiàn)。此外，場效應(yīng)晶體管的斷開電流特性的抑制和工作電流特性的增強可同時實現(xiàn)。下面將結(jié)合詳細說明和附圖來描述另外的特征和優(yōu)勢，并且這些特征和優(yōu)勢從該 詳細說明和附圖中變得顯而易見。


圖1為示出了第一實施例的液晶顯示裝置的剖視圖。圖2為示出了第二實施例的液晶顯示裝置的平面圖。圖3為示出了第一實施例的液晶顯示裝置的像素驅(qū)動薄膜晶體管部分的平面圖。圖4為第二實施例的液晶顯示裝置的像素驅(qū)動薄膜晶體管部分的平面圖。圖5為第三實施例的液晶顯示裝置的像素驅(qū)動薄膜晶體管部分的平面圖。圖6為第四實施例的液晶顯示裝置的像素驅(qū)動薄膜晶體管部分的平面圖。圖7為第五實施例的液晶顯示裝置的像素驅(qū)動薄膜晶體管部分的平面圖。圖8為第六實施例的液晶顯示裝置的像素驅(qū)動薄膜晶體管部分的平面圖。圖9為第七實施例的液晶顯示裝置的像素驅(qū)動薄膜晶體管部分的平面圖。圖10為第八實施例的液晶顯示裝置的像素驅(qū)動薄膜晶體管部分的平面圖。圖11為第九實施例的液晶顯示裝置的像素驅(qū)動薄膜晶體管部分的平面圖。圖12為第十實施例的液晶顯示裝置的像素驅(qū)動薄膜晶體管部分的平面圖。圖13為第十一實施例的液晶顯示裝置的像素驅(qū)動薄膜晶體管部分的平面圖。圖14為第十二實施例的液晶顯示裝置的像素驅(qū)動薄膜晶體管部分的平面圖。
圖15為第十三實施例的液晶顯示裝置的剖視圖。圖16為第十三實施例的液晶顯示裝置的平面圖。圖17為相關(guān)技術(shù)液晶顯示裝置的剖視圖。圖18為相關(guān)技術(shù)液晶顯示裝置的平面圖。圖19為圖17和圖18所示的相關(guān)技術(shù)薄膜晶體管的像素驅(qū)動薄膜晶體管部分的 平面圖。圖20為圖17和圖18所示的相關(guān)技術(shù)薄膜晶體管的像素驅(qū)動薄膜晶體管部分的 平面圖。
具體實施例方式下面將結(jié)合附圖來詳細描述本申請的實施例。按照下列順序說明1.第一實施例(液晶顯示裝置)2.第二實施例(液晶顯示裝置)3.第三實施例(液晶顯示裝置)4.第四實施例(液晶顯示裝置)5.第五實施例(液晶顯示裝置)6.第六實施例(液晶顯示裝置)7.第七實施例(液晶顯示裝置)8.第八實施例(液晶顯示裝置)9.第九實施例(液晶顯示裝置)10.第十實施例(液晶顯示裝置)11.第十一實施例(液晶顯示裝置)12.第十二實施例(液晶顯示裝置)13.第十三實施例(液晶顯示裝置)1.第一實施例液晶顯示裝置圖1和圖2顯示了第一實施例的液晶顯示裝置。該液晶顯示裝置是IPS模式或 FFS模式的有源矩陣驅(qū)動液晶顯示裝置。在此，圖1為該液晶顯示裝置的剖視圖，圖2為該 液晶顯示裝置的平面圖。如圖1和圖2所示，在該液晶顯示裝置中，TFT基板10和相對基板30被設(shè)置成通 過位于其間的液晶(并未顯示)彼此相對，并且兩者間的距離由設(shè)置在相對基板30上的墊 片40調(diào)整。在TFT基板10中，柵極線路12和從柵極線路12分支出的柵電極12a、12b設(shè)置在 透明基板11上，如透明玻璃基板。雖然柵極線路12和柵電極12a、12b由金屬制成，如鉻 (Cr)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、鎢(W)或鈦(Ti)，但是對此并無限制。柵極絕緣膜13被設(shè) 置成覆蓋柵極線路12和柵電極12a、12b。柵極絕緣膜13包括兩層下部絕緣膜13a和上 部絕緣膜13b。例如，氮化硅薄膜(SiN薄膜)用作下部絕緣膜13a，并且例如，二氧化硅薄 膜(SiO2薄膜)用作上部絕緣膜13b。但是，對此并無限制。具有特定形狀的半導(dǎo)體薄膜14 設(shè)置在柵極絕緣膜13上，并在柵電極12a、12b上延伸。雖然該半導(dǎo)體薄膜14典型地為硅薄膜，例如，多晶硅薄膜或非晶硅薄膜，但是對此并無限制。半導(dǎo)體薄膜14除了柵電極12a、 12b上的溝道部分14a、14b之外均摻雜有雜質(zhì)。在半導(dǎo)體薄膜14 一端側(cè)上的雜質(zhì)摻雜區(qū) 形成源極區(qū)15，而在另一端側(cè)上的雜質(zhì)摻雜區(qū)形成漏極區(qū)16。附圖標記Hc表示雜質(zhì)摻雜 區(qū)。用于驅(qū)動像素的開關(guān)電路的薄膜晶體管T具有一種結(jié)構(gòu)(或雙柵極結(jié)構(gòu))，其中，兩個 薄膜晶體管互相電串聯(lián)。該薄膜晶體管包括柵電極12a、12b、柵極絕緣膜13和半導(dǎo)體薄膜 14，其中，形成源極區(qū)15、漏極區(qū)16和溝道部分14a、14b。該薄膜晶體管T具有一種底部柵 極結(jié)構(gòu)，其中，柵電極12a、12b設(shè)置在半導(dǎo)體薄膜14之下。當(dāng)薄膜晶體管T具有η溝道，η 型雜質(zhì)如磷(P)或砷(As)用作源極區(qū)15和漏極區(qū)16的雜質(zhì)。當(dāng)薄膜晶體管T具有ρ溝 道時，P型雜質(zhì)如硼(B)用作源極區(qū)15和漏極區(qū)16的雜質(zhì)。層間絕緣層17、18被設(shè)置成覆蓋半導(dǎo)體薄膜14。例如，氮化硅薄膜用作層間絕緣 層17，并且例如，二氧化硅薄膜用作層間絕緣層18，但是對此并無限制。接觸孔19設(shè)在層 間絕緣層17、18位于源極區(qū)15上的部分中。此外，接觸孔20設(shè)在層間絕緣層17、18位于 漏極區(qū)16上的部分中。數(shù)據(jù)線21通過接觸孔19與源極區(qū)15接觸；引線電極22通過接觸 孔20與漏極區(qū)16接觸。雖然數(shù)據(jù)線21和引線電極22由金屬制成，如Cr、Α1、Μο、Ta、W 或Ti，但對此并無限制。阻擋金屬膜23設(shè)在數(shù)據(jù)線21和引線電極22上。層間絕緣膜M 被設(shè)置成覆蓋數(shù)據(jù)線21和引線電極22。雖然，例如，光敏丙烯酸樹脂之類可用作層間絕緣 膜對，但對此并無限制。接觸孔2 設(shè)置在層間絕緣膜M位于引線電極22上的部分中。 層間絕緣膜M的表面除了接觸孔2 的部分以外均為平整的。公共電極25設(shè)在平整表面 上。公共電極25由透明傳導(dǎo)性材料(如銦錫氧化物(ITO))制成。該公共電極25具有位 于引線電極22上的部分且大于接觸孔Ma的開口 25a。層間絕緣層沈設(shè)置成覆蓋公共電 極25。雖然，例如，二氧化硅(SiO2)薄膜用作層間絕緣膜沈，但是對此并無限制。接觸孔 26a設(shè)在層間絕緣膜沈位于引線電極22上的部分中。雖然，例如，二氧化硅薄膜或氮化硅 薄膜用作該層間絕緣膜26，但對此并無限制。像素電極27設(shè)置在層間絕緣膜沈上。例如， 該像素電極27由透明傳導(dǎo)性材料(如ΙΤ0)制成。該像素電極27通過接觸孔^a與阻擋 金屬膜23和引線電極22接觸，并通過引線電極22與薄膜晶體管T的漏極區(qū)16連接。保 持電容元件C包括這樣的結(jié)構(gòu)，其中像素電極27和公共電極25夾持層間絕緣膜26。像素 電極27具有狹縫形開口 27a。在開口 27a中，當(dāng)電壓施用在像素電極27和公共電極25之 間時，在像素電極27和公共電極25之間產(chǎn)生的電場驅(qū)動液晶(未顯示)。另一方面，在相對基板30中，紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)濾色器(圖1中僅顯 示了兩個濾色器32、3；3)以部件互相重疊的方式設(shè)置在透明基板31上，如透明玻璃基板。平 整層；34設(shè)置于濾色器32、33上。墊片40設(shè)置在平整層34的平整表面上。圖3為液晶顯示裝置中薄膜晶體管T的部分的平面圖。如圖3所示，在這種情況 下，形成薄膜晶體管T的溝道的半導(dǎo)體薄膜14的寬度在溝道長度方向上變化。也就是說， 半導(dǎo)體薄膜14的寬度以下列方式從源極區(qū)15的一端開始變化即，在長度L1時，寬度為W1 ； 在長度L2時，寬度是小于W1的W2 ；在長度L3時，寬度是大于W2的W3 ；在長度L4時，寬度線性 地從W3減小到W4 ；在長度L5時，寬度為W4 ；在長度L6時，寬度是大于W4的W5 ；在長度L7時， 寬度線性地從W5減小到W6 ；在長度L8時，寬度為W6 ；并且在長度L9時，寬度是大于W6的W7, 直到漏極區(qū)16側(cè)的一端。具體地說，在半導(dǎo)體薄膜14中大體上與柵電極1 交疊的溝道 部分14a中，寬度線性地從源極區(qū)15側(cè)上的W3減小到W4，其他部分具有恒定的寬度W4。同樣地，在半導(dǎo)體薄膜14中大體上與柵電極12b交疊的溝道部分14b中，寬度線性地從源極 區(qū)15側(cè)上的W5減小到W6，其他部分具有恒定的寬度W6。根據(jù)薄膜晶體管T所需的性能要 求，適當(dāng)?shù)卦O(shè)計寬度W1到W7和長度L1到L90例如，當(dāng)W4和W6為0. 5到3. 5 μ m時，W3和W5 被選擇為是3. 5到10. 5 μ m。一個典型實例為，當(dāng)W4和W6為2. 0 μ m時，W3和W5為6. 0 μ m。 寬度W4和W6可彼此不同，例如，如圖3所示的點劃線所示，W4可比W6短。此外，寬度W3和W5 也可彼此不同。此外，例如，W1被選擇為是3.0到15.0 μ Ii^W2被選擇為是0.5到10. 0 μ m ； 一個典型實例為，W1 = 8. 0 μ m ;W2 = 2. 0 μ m。如圖3所示，當(dāng)長度為L4時，溝道寬度線性地從W3減小到W4,當(dāng)長度為L7時，溝道 寬度線性地從W5減小到W6。但是應(yīng)理解，溝道寬度上的增加和/或減小并不限于線性結(jié)構(gòu)， 也可包括在長度方向上以任何合適的連續(xù)方式增加和/或減小，包括以適合的方式從線性 結(jié)構(gòu)中偏離出的非線性結(jié)構(gòu)。例如，應(yīng)理解，不同于線性結(jié)構(gòu)的這種偏差可由加工期間溝道 部分的一部分的移除所導(dǎo)致。因此，例如，導(dǎo)致了不同于線性結(jié)構(gòu)的漸進且微小的偏差，這 包括以彎曲、倒圓和/或其他方式產(chǎn)生溝道寬度的增加和/或減小。下面將描述該液晶顯示裝置的制造方法。首先，如圖1和圖2所示，例如通過濺射方法，使由鉻、鋁、鉬、鉭、鎢或鈦金屬制成 的金屬膜在透明基板11上形成，如透明玻璃基板。然后，通過光刻法和蝕刻法使金屬膜被 圖案化成特定形狀，并且形成柵極線路12和柵電極12a、12b。接著，以例如等離子體化學(xué) 蒸汽沉積法(plasma CVD)，順序地在整個表面上形成絕緣膜13a (如氮化硅薄膜)和絕緣 膜1 (如二氧化硅薄膜)，以形成柵極絕緣膜13，從而覆蓋柵極線路12和柵電極12a、12b。 然后，例如通過等離子體化學(xué)蒸汽沉積法，在柵極絕緣膜13上形成非晶硅薄膜。接著，利用 了使用準分子激光器或半導(dǎo)體激光器的激光退火或利用了燈加熱退火，來使非晶硅薄膜結(jié) 晶。通過這種方法，形成多晶硅薄膜制成的半導(dǎo)體薄膜14。然后，當(dāng)利用光刻法使具有特定 形狀的抗蝕圖(未顯示)在半導(dǎo)體薄膜14上形成之后，在抗蝕圖案用作掩模的同時，通過 離子注入法或類似方法將雜質(zhì)摻雜到半導(dǎo)體薄膜的特定部分。然后，在移除該抗蝕圖案后， 通過光刻法和蝕刻法將半導(dǎo)體薄膜14圖案化成圖3中所示的形狀。然后，例如通過等離子體化學(xué)蒸汽沉積法在整個表面上順序地形成層間絕緣膜 17、18，以覆蓋半導(dǎo)體薄膜14。接著，通過光刻法和蝕刻法來蝕刻移除層間絕緣膜17、18的 特定部分，并且形成接觸孔19、20。接著，例如通過濺射法，在整個表面順序地形成由鉻、鋁、 鉬、鉭、鎢或鈦金屬制成的金屬膜和阻擋金屬膜。接著，通過光刻法和蝕刻法，在金屬膜和阻 擋金屬膜上形成圖案，并且形成在最上部分具有阻擋金屬層23的數(shù)據(jù)線21和引線電極22。接著，例如使用等離子體化學(xué)蒸汽沉積法將光敏丙烯酸樹脂施加于整個表面，以 覆蓋數(shù)據(jù)線21和引線電極22。然后，通過光刻法執(zhí)行丙烯酸樹脂的暴露和顯影。通過顯 影法將丙烯酸樹脂的暴露部分移除。通過這樣的方法，形成層間絕緣膜對，其具有接觸孔 Ma，其表面除了接觸孔Ma的部分之外均為平整的。然后，例如通過濺射法在層間絕緣膜 M上形成層銦錫氧化物(ITO)薄膜。接著，通過光刻法和蝕刻法在銦錫氧化物薄膜上形成 圖案，以形成公共電極25。然后，例如通過濺射法在整個表面形成層間絕緣膜沈以覆蓋公 共電極25。接著，通過光刻法和蝕刻法蝕刻移除層間絕緣膜沈的特定部分，并且形成接觸 孔^^。然后，例如通過濺射法在層間絕緣膜沈上形成例如銦錫氧化物(ITO)薄膜。接著， 通過光刻法和蝕刻法在銦錫氧化物薄膜上形成圖案，并且形成像素電極27。
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另一方面，在透明基板31 (如透明玻璃基板)上形成紅色、綠色和藍色的濾色器 32、33。具體地說，例如，為形成例如紅色濾色器，使用例如一種由負性抗蝕劑制成的紅色抗 蝕劑，然后，通過光刻法執(zhí)行暴露和顯影，以將抗蝕圖案保留在紅色濾色器將要形成所在的 位置。同樣地，能夠形成綠色濾色器和藍色濾色器。然后，形成平整層34以整平在各個濾 色器的重疊部分上形成的粗糙。接著，在平整層34形成墊片40。為形成墊片40，例如使用 了一種正性抗蝕劑，然后，通過光刻法對該正性抗蝕劑進行暴露和顯影。在以上述方法形成薄膜晶體管基板10和相對基板30之后，將薄膜晶體管基板10 和相對基板30粘合，并且在將液晶(未顯示)注入到兩者之間的空間之后，薄膜晶體管基 板10和相對基板30的周邊由密封材料(未顯示)密封。目標液晶顯示裝置由上述方式制成。根據(jù)第一實施例，可取得以下各種優(yōu)勢。也就是說，由于半導(dǎo)體薄膜14的位于薄 膜晶體管T的溝道部分14a、14b中的寬度(溝道寬度)被設(shè)置成使得漏極區(qū)16側(cè)的寬度 小于源極區(qū)15側(cè)的寬度，因此當(dāng)光照射的時候，可抑制泄漏電流的上升，也就是斷開電流 的上升。進一步地，由于半導(dǎo)體薄膜14的在源極區(qū)15側(cè)的寬度大于半導(dǎo)體薄膜14的在漏 極區(qū)16側(cè)的寬度，所以當(dāng)半導(dǎo)體薄膜14的在源極區(qū)15側(cè)上的寬度足夠大時，可增強工作 電流。也就是說，根據(jù)第一實施例，薄膜晶體管T的斷開電流的抑制和工作電流的增強可同 時實現(xiàn)。此外，由于半導(dǎo)體薄膜14的寬度在溝道長度方向上連續(xù)地變化，所以當(dāng)通過光刻 法和蝕刻法形成半導(dǎo)體薄膜14時，可極好地完成抗蝕圖案和蝕刻的形成。因此，其可以避 免在抗蝕圖案形成時和蝕刻半導(dǎo)體薄膜14時的殘渣的出現(xiàn)，并且，相鄰半導(dǎo)體薄膜14的圖 案之間的距離根據(jù)設(shè)計而保持一定的距離。這樣，可降低半導(dǎo)體薄膜14之間發(fā)生短路的風(fēng) 險，能夠提高液晶顯示裝置的產(chǎn)量。此外，因為半導(dǎo)體薄膜14的寬度在溝道長度方向上連 續(xù)變化，所以不同于半導(dǎo)體薄膜14的寬度不連續(xù)地變化的情況，連續(xù)變化的情況不會導(dǎo)致 電場聚集到不連續(xù)部分的問題，也不會有由于這個部分的焦耳熱或熱載流而產(chǎn)生熱進而出 現(xiàn)損害的問題。也就是說，由于可釋放聚集在半導(dǎo)體薄膜14的電場聚集，因此能夠防止薄 膜晶體管T的變差，并且能夠延長薄膜晶體管T的使用壽命。因此，也就延長了液晶顯示裝 置的使用壽命。2.第二實施例液晶顯示裝置在此第二實施例中，薄膜晶體管T的半導(dǎo)體薄膜14的圖案與第一實施例的圖案不 同。具體地說，如圖4所示，半導(dǎo)體薄膜14的寬度以如下方式從源極區(qū)15側(cè)的一端開始變 化即，在長度L10時，寬度為W8 ；在長度L11時，寬度為小于W8的W9 ；在長度L12時，寬度線性 地從W9增加到W10 ；在長度L13時，寬度為W10 ；在長度L14時，寬度線性地從W10減小到W11 ；在 長度L15時，寬度為W11 ；在長度L16時，寬度為大于W11的W12，直到漏極區(qū)16側(cè)的一端。具體 地說，在半導(dǎo)體薄膜14中的大體上與柵電極1 交疊的溝道部分Ha中，在源極區(qū)15側(cè)上 的部分具有恒定的寬度W9，其他部分的寬度線性地從W9增加到W1(l。此外，在半導(dǎo)體薄膜14 中的大體上與柵電極12b交疊的溝道部分14b中，在源極區(qū)15側(cè)上的寬度線性地從Wltl減 小到W11,其他部分具有恒定的寬度Wn。根據(jù)薄膜晶體管T所需的性能要求，適當(dāng)?shù)卦O(shè)計寬 度W8到W12和長度L10到L160例如，當(dāng)W9和W11為0. 5至IJ 3. 5 μ m時，W10選擇為是從3. 5到 10. 5 μ m。一個典型實例為，當(dāng)W9和W11為2. 0 μ m時，Wltl為6. 0 μ m。寬度W9和W11可彼此不同。此夕卜，例如，W8選擇為是3.0到15. Oym…選擇為是0.5到10. 0 μ m ；—個典型實例 是，W8 = 8· Ομπι ;W9 = 2· Ομ 。除了上述之外，該液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)與第一實施例中液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)相 同。此外，該液晶顯示裝置的制造方法也與第一實施例中液晶顯示裝置的制造方法相 同。根據(jù)第二實施例，可取得與第一實施例相同的優(yōu)勢。3.第三實施例液晶顯示裝置第三實施例與第一實施例的不同之處在于薄膜晶體管T包括三個互相電串聯(lián)的 薄膜晶體管。具體地說，如圖5所示，半導(dǎo)體薄膜14設(shè)置成在三個柵電極12a、12b和12c 上延伸。附圖標記14d表示與雜質(zhì)摻雜區(qū)Hc相似的雜質(zhì)摻雜區(qū)。半導(dǎo)體薄膜14的寬度 以如下方式從源極區(qū)15側(cè)的一端開始變化即，在長度L17時，寬度為W13 ；在長度L18時，寬 度為小于W13的W14 ；在L19時，寬度為大于W14的W15 ；在長度L20時，寬度線性地從W15減小到 W16 ；在長度L21時，寬度為W16 ；在長度L22時，寬度為大于W16的W17 ；在長度L23時，寬度線性 地從W17減小到W18 ；在長度L24時，寬度為W18 ；在長度L25時，寬度為大于W18的W19 ；在長度 L26時，寬度線性地從W19減小到W2tl ；在長度L27時，寬度為W2tl ；在長度L28時，寬度為大于W2tl 的W21，直到漏極區(qū)16側(cè)的一端。具體地說，在半導(dǎo)體薄膜14中的大體上與柵電極1 交 疊的溝道部分14a中，在源極區(qū)15側(cè)上的部分的寬度線性地從W15減小到W16，其他部分具 有恒定的寬度W16。同樣地，在半導(dǎo)體薄膜14中大體上與柵電極12b交疊的溝道部分14b 中，在源極區(qū)15側(cè)上的部分的寬度線性地從W17減小到W18，其他部分具有恒定的寬度W18。 同樣地，在半導(dǎo)體薄膜14中的大體上與柵電極12c交疊的溝道部分He中，在源極區(qū)15側(cè) 上的部分的寬度線性地從W19減小到W2tl，其他部分具有恒定的寬度W2(l。根據(jù)薄膜晶體管T 所需的性能要求，適當(dāng)?shù)卦O(shè)計寬度W13到W21和長度L17到L2go例如，當(dāng)W16、W18和W20為0. 5 到3. 5 μ m時，W15^ff17和W19選擇為是3. 5到10. 5 μ m。一個典型實例為，當(dāng)W16、Ww和W2tl為 2. Ομπι時，W15、W17和W19為6.0 μ m。寬度W16、W18和W^1可彼此不同。此外，寬度W15、W17和 W19也可彼此不同。此夕卜，例如，W13選擇為是3.0到15. 0ym;W14選擇為是0. 5到10. 0 μ m ； 一個典型實例為，W13 = 8. 0 μ m ；W14 = 2. 0 μ m。除了上述之外，該液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)與第一實施例中液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)相 同。此外，該液晶顯示裝置的制造方法也與第一實施例中液晶顯示裝置的制造方法相 同。 根據(jù)第三實施例，可取得與第一實施例相同的優(yōu)勢。4.第四實施例液晶顯示裝置第四實施例與第一實施例不同之處在于薄膜晶體管T包括三個互相電串聯(lián)的薄 膜晶體管。具體地說，如圖6所示，半導(dǎo)體薄膜14被設(shè)置成在三個柵電極12a、12b和12c上 延伸。附圖標記14d表示與雜質(zhì)摻雜區(qū)Hc相似的雜質(zhì)摻雜區(qū)。半導(dǎo)體薄膜14的寬度以 如下方式從源極區(qū)15側(cè)的一端開始變化即，在長度L29時，寬度為W22 ；在長度L3tl時，寬度為小于W22的W23 ；在長度L31時，寬度線性地從W23增加到W24 ；在長度L32時，寬度為W24 ；在長 度L33時，寬度線性地從W24減小到W25 ；在長度L34時，寬度為W25 ；在長度L36時，寬度為大于 W25的W26。具體地說，在半導(dǎo)體薄膜14中的大體上與柵電極1 交疊的溝道部分1 中，在 源極區(qū)15側(cè)的部分的寬度線性地從Wm增加到W24，其他部分具有恒定的寬度W24。此外，在 半導(dǎo)體薄膜14中的大體上與柵電極12b交疊的溝道部分14b中，半導(dǎo)體薄膜14具有恒定 寬度W24。此外，在半導(dǎo)體薄膜14中的大體上與柵電極12c交疊的溝道部分14e中，在源極 區(qū)15側(cè)的部分的寬度線性地從Wm減小到W25，其他部分具有恒定的寬度W25。根據(jù)薄膜晶體 管T所需的性能要求，適當(dāng)?shù)卦O(shè)計寬度W22到W26和長度L29到L350例如，當(dāng)W23和W25為0. 5 到3. 5 μ m時，W24選擇為是3. 5到10. 5 μ m。一個典型實例為，當(dāng)和W25為2. 0 μ m時，W24 為6.0 μ m。寬度Wm和Wm可彼此不同。此夕卜，例如，^選擇為是3. 0到15. 0ym;W23選擇 為是從 0. 5 到 10. 0 μ m ；—個典型實例為，W22 = 8. 0 μ m ；W23 = 2. 0 μ m。除了上述之外，該液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)與第一實施例中液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)相 同。此外，該液晶顯示裝置的制造方法也與第一實施例中液晶顯示裝置的制造方法相 同。根據(jù)第四實施例所述，可取得與第一實施例相同的優(yōu)勢。5.第五實施例液晶顯示裝置在此第五實施例中，在溝道長度方向上，薄膜晶體管T的柵電極12a、12b的寬度彼 此不同，并且薄膜晶體管14的圖案與第一實施例中的圖案不同。也就是說，如圖7所示，在 這種情況下，柵電極12b在溝道長度方向上的寬度大于柵電極1 在溝道長度方向上的寬 度。此外，半導(dǎo)體薄膜14的寬度以如下方式從源極區(qū)15側(cè)的一端開始變化S卩，在長度L36 時，寬度為W27 ；在長度L37時，寬度為小于W27的W28 ；在長度L38時，寬度為大于W28的W29 ；在 長度L39時，寬度線性地從W29減小到W3tl ；在長度L4tl時，寬度為W3tl ；在長度L41時，寬度為大 于W30的W31 ；在長度L42時，寬度線性地從W31減小到W32 ；在長度L43時，寬度為W32 ；在長度 L44時，寬度為大于W32的W33，直到漏極區(qū)16側(cè)的一端。具體地說，在半導(dǎo)體薄膜14中大體 上與柵電極1 交疊的溝道部分14a中，源極區(qū)15側(cè)上的寬度線性地從Wffl減小到W3tl，其 他部分具有恒定的寬度化…同樣地，在半導(dǎo)體薄膜14中大體上與柵電極12b交疊的溝道部 分14b中，源極區(qū)15側(cè)上的寬度線性地從W31減小到W32，其他部分具有恒定的寬度W32。根 據(jù)薄膜晶體管T所需的性能要求，適當(dāng)?shù)卦O(shè)計寬度W27到W33和長度L36到L44。例如，當(dāng)W3tl 和W32為0. 5到3. 5 μ m時，W29和W31選擇為是3. 5到10. 5 μ m。一個典型實例為，當(dāng)W30和 W32為2. 0 μ m時，Wf29和Wf31為6. 0 μ m。寬度W3tl和W32可彼此不同。寬度W29和W^1也可彼此 不同。此夕卜，例如，W27選擇為是3.0到1.511111;^8選擇為是0. 5到10. 0 μ m ；—個典型實例 為，W27 = 8. 0 μ m ；W28 = 2. 0 μ m。除了以上所述之外，本液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)與第一實施例中液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu) 相同。此外，該液晶顯示裝置的制造方法也與第一實施例中液晶顯示裝置的制造方法相 同。根據(jù)第五實施例所述，可取得與第一實施例相同的優(yōu)勢。
6.第六實施例液晶顯示裝置在第六實施例中，薄膜晶體管T的柵電極12a、12b在溝道長度方向上的寬度彼此 不同，并且薄膜晶體管14的圖案與第一實施例中的圖案不同。也就是說，如圖8所示，在這 種情況下，柵電極12b在溝道長度方向上的寬度大于柵電極1 在溝道長度方向上的寬度。 半導(dǎo)體薄膜14的寬度以如下方式從源極區(qū)15側(cè)的一端開始變化S卩，在長度L45時，寬度為 W34 ；在長度L46時，寬度為小于W34的W35 ；在長度L47時，寬度線性地從W35增加到W36 ；在長度 L48時，寬度為W36 ；在長度L49時，寬度線性地從W^5減小到W37 ；在長度L5tl時，寬度為W37 ；在長 度L51時，寬度為大于W37的W38，直到漏極區(qū)16側(cè)的一端。具體地說，在半導(dǎo)體薄膜14中大 體上與柵電極1 交疊的溝道部分14a中，在源極區(qū)15側(cè)上的部分具有恒定的寬度W35，其 他部分的寬度線性地從Wm增加到W36。此外，在半導(dǎo)體薄膜14中大體上與柵電極12b交疊 的溝道部分14b中，在源極區(qū)15側(cè)上的部分具有恒定的寬度W36，其相鄰部分的寬度線性地 從W36減小到W37，其他部分具有恒定寬度W37。根據(jù)薄膜晶體管T所需的性能要求，適當(dāng)?shù)卦O(shè) 計寬度W34到W38和長度L45到L51。例如，當(dāng)W35和W37為0. 5到3. 5 μ m時，W36選擇為是3. 5 到10. 5 μ m。一個典型實例為，當(dāng)W35和W37為2. 0 μ m時，W^5為6. 0 μ m。寬度W35和W37可 彼此不同。此外，例如，W34選擇為是從3. 0到15. 0 μ m之間；W35選擇為是0. 5到10. 0 μ m ； 一個典型實例為，W34 = 8. 0 μ m ；W35 = 2. 0 μ m。除了以上所述之外，本液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)與第一實施例中液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu) 相同。此外，該液晶顯示裝置的制造方法也與第一實施例中液晶顯示裝置的制造方法相 同。根據(jù)第六實施例所述，可取得與第一實施例相同的優(yōu)勢。7.第七實施例液晶顯示裝置在該第七實施例中，薄膜晶體管T包括三個互相電串聯(lián)的薄膜晶體管，薄膜晶體 管T的柵電極1 和12c在溝道長度方向的寬度不同于柵電極12b的寬度，并且半導(dǎo)體薄 膜14的圖案與第一實施例中的圖案不同。也就是說，如圖9所示，在這種情況下，柵電極 12b在溝道長度方向上的寬度大于柵電極1 和12c在溝道長度方向上的寬度。半導(dǎo)體薄 膜14設(shè)置成在三個柵電極12a、12b和12c上延伸。附圖標記14d表示與雜質(zhì)摻雜區(qū)Hc 相似的雜質(zhì)摻雜區(qū)。半導(dǎo)體薄膜14的寬度以如下方式從源極區(qū)15側(cè)的一端開始變化即， 在長度L52時，寬度為W39 ；在長度L53時，寬度為小于W39的W40 ；在L54時，寬度為大于W40的 W41 ；在長度L55時，寬度線性地從W41減小到W42 ；在長度L56時，寬度為W42 ；在長度L57時，寬 度為大于W42的W43 ；在長度L58時，寬度線性地從W43減小到W44 ；在長度L59時，寬度為W44 ；在 長度L6tl時，寬度為大于W44的W45 ；在長度L61時，寬度線性地從W45減小到W46 ；在長度L62時， 寬度為W46 ；在長度L63時，寬度為大于W46的W47。特別地，在半導(dǎo)體薄膜14中的大體上與柵 電極1 交疊的溝道部分14a中，在源極區(qū)15側(cè)上的部分線性地從W41減小到W42，其他部 分具有恒定的寬度W42。此外，在半導(dǎo)體薄膜14中大體上與柵電極12b交疊的溝道部分14b 中，在源極區(qū)15側(cè)上的部分線性地從W43減小到W44，其他部分具有恒定的寬度W44。在半導(dǎo) 體薄膜14中大體上與柵電極12c交疊的溝道部分14e中，在源極區(qū)15側(cè)上的部分的寬度線性地從W45減小到W46，其他部分具有恒定的寬度W46。根據(jù)薄膜晶體管T所需的性能要求， 適當(dāng)?shù)卦O(shè)計寬度W39到W47和長度L52到L630例如，當(dāng)W42、W44和W46為0. 5到3. 5 μ m時，W41、 W43和Wf45選擇為是3. 5到10. 5 μ m。一個典型實例為，當(dāng)W42、W44和W46為2. O μ m時，W41、W43 和W45為6.0 μ m。寬度W42、W44和Wf46可彼此不同。此外，寬度W41、W43和W45也可彼此不同。 此夕卜，例如，W39選擇為是3. O到15. O μ m,ff40選擇為是0. 5到10. O μ m ；—個典型實例為，W39 =8. 0 μ m ；W40 = 2. 0 μ m。除了以上所述之外，本液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)與第一實施例中液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu) 相同。此外，該液晶顯示裝置的制造方法也與第一實施例中液晶顯示裝置的制造方法相 同。根據(jù)第七實施例所述，可取得與第一實施例相同的優(yōu)勢。8.第八實施例液晶顯示裝置第八實施例與第一實施例的不同之處在于薄膜晶體管T包括一個薄膜晶體管。 也就是說，如圖10所示，半導(dǎo)體薄膜14設(shè)置成在一個柵電極1 上延伸。半導(dǎo)體薄膜14 的寬度以如下方式從源極區(qū)15側(cè)的一端開始變化即，在長度L64時，寬度為W48 ；在長度L65 時，寬度為小于W48的W49 ；在長度L66時，寬度為大于W49的W50 ；在長度L67時，寬度線性地從 W5tl減小到W51 ；在長度L68時，寬度為W51 ；在長度L69時，寬度為大于W51 Wff520具體地說，在 半導(dǎo)體薄膜14中大體上與柵電極1 交疊的溝道部分14a中，在源極區(qū)15側(cè)上的部分的 寬度線性地從W5tl減小到W51，其他部分具有恒定的寬度W51。根據(jù)薄膜晶體管T所需的性能 要求，適當(dāng)?shù)卦O(shè)計寬度W48到W52和長度L64到L690例如，當(dāng)W51為0. 5到3. 5 μ m時，W50選擇 為是從3. 5到10. 5 μ m。一個典型實例為，當(dāng)W51為2. Ομπι時，W5tl為6. Ομπι。此外，例如， W48選擇為是3. 5到15. 0 μ m,ff49選擇為是0. 5到10. 0 μ m。一個典型實例為，W48 = 8. 0 μ m， W49 = 2· 0 μ m。除了以上所述之外，本液晶顯示裝置的其他結(jié)構(gòu)與第一實施例中液晶顯示裝置的 結(jié)構(gòu)相同。此外，該液晶顯示裝置的制造方法也與第一實施例中液晶顯示裝置的制造方法相 同。根據(jù)第八實施例所述，可取得與第一實施例相同的優(yōu)勢。9.第九實施例液晶顯示裝置第九實施例與第一實施例的不同之處在于薄膜晶體管T包括一個薄膜晶體管。 也就是說，如圖11所示，半導(dǎo)體薄膜14設(shè)置成在一個柵電極1 上延伸。半導(dǎo)體薄膜14 的寬度以如下方式從源極區(qū)15側(cè)的一端開始變化即，在長度L7tl時，寬度為W53 ；在長度L71 時，寬度為小于W53的W54 ；在長度L72時，寬度為大于W54的W55 ；在長度L73時，寬度線性地從 W55減小到W56 ；在長度L74時，寬度為W56 ；在長度L75時，寬度為大于W56的W570具體地說，在 半導(dǎo)體薄膜14中大體上與柵電極1 交疊的溝道部分14a中，在源極區(qū)15側(cè)上的部分的 寬度線性地從W55減小到W56。根據(jù)薄膜晶體管T所需的性能要求，適當(dāng)?shù)卦O(shè)計寬度W53到W57 和長度L7tl到L75。例如，當(dāng)W56為0. 5到3. 5 μ m時，W55選擇為是3. 5到10. 5 μ m。一個典型
15實例為，當(dāng)Wai為2. 0 μ m時，W55為6. 0 μ m。此夕卜，例如，Wra選擇為是3. 5到15. Oym, W54選 擇為是 0. 5 到 10. 0 μ m。一個典型實例為，W53 = 8. 0 μ m, W54 = 2. 0 μ m。除了以上所述之外，本液晶顯示裝置的其他結(jié)構(gòu)與第一實施例中液晶顯示裝置的 結(jié)構(gòu)相同。此外，該液晶顯示裝置的制造方法也與第一實施例中液晶顯示裝置的制造方法相 同。根據(jù)第九實施例所述，可取得與第一實施例相同的優(yōu)勢。10.第十實施例液晶顯示裝置第十實施例與第一實施例的不同之處在于薄膜晶體管T包括一個薄膜晶體管。 也就是說，如圖12所示，半導(dǎo)體薄膜14設(shè)置成在一個柵電極1 上延伸。半導(dǎo)體薄膜14 的寬度以如下方式從源極區(qū)15側(cè)的一端開始變化即，在長度L76時，寬度為W58 ；在長度L77 時，寬度為小于W58的W59 ；在長度L78時，寬度為大于W59的W6tl ；在長度L79時，寬度線性地從 W6tl減小到W61 ；在長度L8tl時，寬度為W61 ；在長度L81時，寬度為大于W61 Wff620具體地說，在 半導(dǎo)體薄膜14中大體上與柵電極1 交疊的溝道部分14a中，在源極區(qū)15側(cè)上的部分的 寬度線性地從W6tl減小到W61，其他部分具有恒定的寬度W61。此外，在這種情況下，在半導(dǎo)體 薄膜14中，長度L77+L78+L79+L8(i的多個部分中的每個部分的一側(cè)平行于溝道長度方向。根 據(jù)薄膜晶體管T所需的性能要求，適當(dāng)?shù)卦O(shè)計寬度W58到W62和長度L76到L81。例如，當(dāng)W61 為0. 5到3. 5 μ m時，W6tl選擇為是3. 5到10. 5 μ m。一個典型實例為，當(dāng)W61為2. 0 μ m時， W60為6. 0 μ m。此外，例如，W58選擇為是3. 5到15. Oym, W59選擇為是0. 5到10. 0 μ m。一 個典型實例為，W58 = 8. 0 μ m, W59 = 2. 0 μ m。除了以上所述之外，本液晶顯示裝置的其他結(jié)構(gòu)與第一實施例中液晶顯示裝置的 結(jié)構(gòu)相同。此外，該液晶顯示裝置的制造方法也與第一實施例中液晶顯示裝置的制造方法相 同。根據(jù)第十實施例所述，可取得與第一實施例相同的優(yōu)勢。11.第—^一實施例液晶顯示裝置第十一實施例與第一實施例的不同之處在于薄膜晶體管T包括一個薄膜晶體 管。也就是說，如圖13所示，半導(dǎo)體薄膜14設(shè)置成在一個柵電極1 上延伸。半導(dǎo)體薄膜 14的寬度以如下方式從源極區(qū)15側(cè)的一端開始變化即，在長度L82時，寬度為W63 ；在長度 L83時，寬度為小于W63的W64 ；在長度L84時，寬度為大于W64的W65 ；在長度L85時，寬度線性地 從W65減小到W66 ；在長度L86時，寬度為W66 ；在長度L87時，寬度為大于W66的W67 0具體地說， 在半導(dǎo)體薄膜14中大體上與柵電極1 交疊的溝道部分1 中，在源極區(qū)15側(cè)上的部分的 寬度線性地從W65減小到Wfif^此外，在這種情況下，在半導(dǎo)體薄膜14中，長度L83+L84+L85+L86 的多個部分中的每個部分的一側(cè)平行于溝道長度方向。根據(jù)薄膜晶體管T所需的性能要 求，適當(dāng)?shù)卦O(shè)計寬度W63到W67和長度L82到L870例如，當(dāng)W66為0. 5到3. 5 μ m時，W65選擇為 是3. 5到10. 5 μ m。一個典型實例為，當(dāng)W ；為2. Ομπι時，W65為6. Ομπι。此夕卜，例如，W63選 擇為是3. 0到15. 0 μ m,ff64選擇為是可0. 5到10. 0 μ m。一個典型實例為，W63 = 8. 0 μ m,ff64
16=2. 0 μ m。除了以上所述之外，本液晶顯示裝置的其他結(jié)構(gòu)與第一實施例中液晶顯示裝置的 結(jié)構(gòu)相同。此外，該液晶顯示裝置的制造方法也與第一實施例中液晶顯示裝置的制造方法相 同。根據(jù)第十一實施例所述，可取得與第一實施例相同的優(yōu)勢。12.第十二實施例液晶顯示裝置第十二實施例與第一實施例的不同之處在于薄膜晶體管T包括一個薄膜晶體 管。也就是說，如圖14所示，半導(dǎo)體薄膜14設(shè)置成在一個柵電極1 上延伸。半導(dǎo)體薄膜 14的寬度以如下方式從源極區(qū)15側(cè)的一端開始變化即，在長度L88時，寬度為W68 ；在長度 L89時，寬度為小于W68的W69 ；在長度L9tl時，寬度線性地從W69增加到W7tl ；在長度L91時，寬度 為W70 ；在長度L92時，寬度線性地從W70減小到W71 ；在長度L93時，寬度為W71 ；在長度L94時， 寬度為大于W71的W72。特別地，在半導(dǎo)體薄膜14中大體上與柵電極1 交疊的溝道部分Ha 中，源極區(qū)15側(cè)上的部分具有恒定寬度W69 ；其相鄰部分的寬度線性地從W69增加到W7tl ；中 央部分具有恒定寬度W7tl ；其鄰近部分的寬度從W7tl減小到W71 ；漏極區(qū)16側(cè)上的部分具有恒 定的寬度W71。根據(jù)薄膜晶體管T所需的性能要求，適當(dāng)?shù)卦O(shè)計寬度W68到W72和長度L88到 L94。例如，當(dāng)W69和W71為0. 5到3. 5 μ m時，W7tl選擇為是從3. 5到10. 5 μ m。一個典型實例 為，當(dāng)W69和W71為2. 0 μ m時，W7tl為6. 0 μ m。此外，例如，W68選擇為是3. 0到15. Oym, W69 選擇為是0. 5到10. 0 μ m。一個典型實例為，W68 = 8. 0 μ m, W69 = 2. 0 μ m。除了以上所述之外，本液晶顯示裝置的其他結(jié)構(gòu)與第一實施例中液晶顯示裝置的 結(jié)構(gòu)相同。此外，該液晶顯示裝置的制造方法也與第一實施例中液晶顯示裝置的制造方法相 同。根據(jù)第十二實施例所述，可取得與第一實施例相同的優(yōu)勢。13.第十三實施例液晶顯示裝置圖15和圖16顯示了第十三實施例的液晶顯示裝置。該液晶顯示裝置是IPS模式 或FFS模式的有源矩陣驅(qū)動液晶顯示裝置。在此，圖15為該液晶顯示裝置的剖視圖，圖16 為該液晶顯示裝置的平面圖。如圖15和16所示，在此液晶顯示裝置中，薄膜晶體管基板10和相對基板30被設(shè) 置成通過位于其間的液晶(并未顯示)彼此相對，并且兩者間的距離由設(shè)置在相對基板30 上的墊片40調(diào)整。在薄膜晶體管10中，鈍化膜觀設(shè)置在一個透明基板11上，如透明玻璃基板，該鈍 化膜觀例如包括氮化硅薄膜28a和二氧化硅薄膜^b。具有特定形狀的半導(dǎo)體薄膜14設(shè) 置在該鈍化膜觀上。雖然該半導(dǎo)體薄膜14典型地為硅薄膜，例如，多晶硅薄膜或非晶硅薄 膜，但是對此并無限制。柵極絕緣膜13設(shè)置在該半導(dǎo)體薄膜14上。柵極絕緣膜13包括兩 層下部絕緣膜13a和上部絕緣膜13b。例如，氮化硅薄膜用作上部絕緣膜13a，并且。例如， 二氧化硅薄膜用作下部絕緣膜13b。但是，對此并無限制。柵極線路12和柵電極12a、12b
17和12c設(shè)置在柵極絕緣膜13上。雖然柵極線路12和柵電極12a、12b和12c由諸如鉻、鋁、 鉬、鉭、鎢或鈦的金屬制成，但是對此并無限制。半導(dǎo)體薄膜14除了柵電極12a、12b和12c 下的溝道部分14a、14b和He之外均摻雜有雜質(zhì)。在半導(dǎo)體薄膜14 一端側(cè)上的雜質(zhì)摻雜區(qū) 形成源極區(qū)15，而在另一端側(cè)上的雜質(zhì)摻雜區(qū)形成漏極區(qū)16。附圖標記Hc和14d表示雜 質(zhì)摻雜區(qū)。低雜質(zhì)集中區(qū)14f形成于位于柵電極12a、12b和12c的側(cè)壁下方的源極區(qū)15、 雜質(zhì)摻雜區(qū)14c和14d以及漏極區(qū)16。用于驅(qū)動像素的開關(guān)電路的薄膜晶體管T具有一種 結(jié)構(gòu)，其中，三個薄膜晶體管互相電串聯(lián)。該薄膜晶體管包括柵電極12a、12b和12c、柵極 絕緣膜13和半導(dǎo)體薄膜14，其中形成了源極區(qū)15、漏極區(qū)16和溝道部分14a、14b和14c。 該薄膜晶體管T具有與第三實施例中的液晶顯示裝置的薄膜晶體管T相同的結(jié)構(gòu)，并具有 大體上如圖5所示的平面形狀。該薄膜晶體管T具有一種頂部柵極結(jié)構(gòu)，其中，柵電極12a、 12b和12c設(shè)置在半導(dǎo)體薄膜14的上側(cè)。此外，該薄膜晶體管T具有一種LDD (輕摻雜漏 極)結(jié)構(gòu)，其中，低雜質(zhì)集中區(qū)14f形成于柵電極12a、12b和12c的側(cè)壁下方的源極區(qū)15、 雜質(zhì)摻雜區(qū)14c和14d以及漏極區(qū)16。當(dāng)薄膜晶體管T為η溝道型時，一種η型雜質(zhì)，例 如，磷或砷，用作源極區(qū)15和漏極區(qū)16的雜質(zhì)。通常，砷用作η型雜質(zhì)，以形成源極區(qū)15、 雜質(zhì)摻雜區(qū)14c和14d以及漏極區(qū)16 ；磷用作η型雜質(zhì)以形成低雜質(zhì)集中區(qū)14f。此外，當(dāng) 薄膜晶體管T為ρ溝道型時，ρ型雜質(zhì)(如硼)用作源極區(qū)15和漏極區(qū)16的雜質(zhì)。層間絕緣膜17、18被設(shè)置成覆蓋柵極線路12和柵電極12a、12b和12c。例如，氮 化硅薄膜用作層間絕緣膜17，并且例如，二氧化硅薄膜用作層間絕緣膜18。但是，對此并無 限制。接觸孔19設(shè)置在柵極絕緣膜和層間絕緣膜17、18在源極區(qū)15上方的部分中。此外， 接觸孔20設(shè)置在柵極絕緣膜13和層間絕緣膜17、18在漏極區(qū)16上方的部分。數(shù)據(jù)線21 通過接觸孔19與源極區(qū)15接觸。另外，引線電極22通過接觸孔20與漏極區(qū)16接觸。除了以上所述之外，本液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)與第一實施例中液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu) 相同。下面將描述該液晶顯示裝置的制造方法。首先，如圖15和16所示，例如通過等離子體化學(xué)蒸汽沉積法而順序地形成例如氮 化硅薄膜28a和二氧化硅薄膜^b，以使鈍化膜28形成在透明基板11上，如透明玻璃基板。 然后，通過例如等離子體化學(xué)蒸汽沉積法，在鈍化膜觀上形成非晶硅薄膜。接著，通過使用 準分子激光器或半導(dǎo)體激光器的激光退火或通過燈加熱退火來使非晶硅薄膜結(jié)晶。通過這 種方法，形成由多晶硅薄膜制成的半導(dǎo)體薄膜14。然后，通過光刻法和蝕刻法使半導(dǎo)體薄膜 14被圖案化成圖5所示的形狀。然后，通過例如等離子體化學(xué)蒸汽沉積法在整個表面上順 序地形成絕緣膜13b (如二氧化硅薄膜)和絕緣膜13a (如氮化硅薄膜)以形成柵極絕緣膜 13，從而覆蓋半導(dǎo)體薄膜14。接著，通過例如濺射法，在整個表面順序地形成由諸如鉻、鋁、 鉬、鉭、鎢或鈦的金屬制成的金屬膜。然后，通過例如光刻法和蝕刻法使金屬膜被圖案化成 特定形狀，并且形成柵極線路12和柵電極12a、12b和12c。然后，與所公知的LDD結(jié)構(gòu)的晶 體管的制造方法相似的是，通過離子注入或類似方法在半導(dǎo)體薄膜14中形成源極區(qū)15、雜 質(zhì)摻雜區(qū)14c、14d、漏極區(qū)16以及低雜質(zhì)集中區(qū)14g。接著，通過例如等離子體化學(xué)蒸汽沉積法在整個表面順序地形成層間絕緣膜17、 18以覆蓋柵極線路12和柵電極12a、12b和12c。然后，通過光刻法和蝕刻法來蝕刻和去 除柵極絕緣膜13和層間絕緣膜17、18的特定部分以形成接觸孔19、20。接著，通過例如濺
18射法，在整個表面順序地形成由諸如鉻、鋁、鉬、鉭、鎢或鈦的金屬制成的金屬膜和阻擋金屬 膜。接著，通過光刻法和蝕刻法來圖案化金屬膜和阻擋金屬膜，然后形成數(shù)據(jù)線21和引線 電極22，該數(shù)據(jù)線21和引線電極22在最上部分具有阻擋金屬層23。其后，與第一實施例中的液晶顯示裝置的制造方法相似地，本方法繼續(xù)進行，并且 制造出目標液晶顯示裝置。根據(jù)第十三實施例，可取得與第一實施例相同的優(yōu)勢。盡管已具體地描述了實施例，但本申請并不限于上述實施例，可在本申請的技術(shù) 構(gòu)思基礎(chǔ)上做各種修改。例如，上述實施例的數(shù)值、結(jié)構(gòu)、基板、過程等僅作實例。根據(jù)需要可以使用不同于 它們的數(shù)值、結(jié)構(gòu)、基板、過程等。此外，例如，如需要，第一實施例至第十三實施例中的兩個或更多個實施例可結(jié)
口 O應(yīng)理解，上述優(yōu)選的實施例的各種更改和修改對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說非常明 顯。在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，可以進行這樣的更改和修改，且不會減少其預(yù)期 優(yōu)勢。因此，這些更改和修改均由所附權(quán)利要求所覆蓋。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管，包括半導(dǎo)體層，包括源極區(qū)、漏極區(qū)和溝道區(qū)，其中，所述溝道區(qū)設(shè)置在所述源極區(qū)和所述 漏極區(qū)之間；以及柵電極，與所述溝道區(qū)交疊，其中，所述溝道區(qū)包括被配置為在長度方向上連續(xù)減小和 連續(xù)增大中的至少一種的至少一部分溝道寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述溝道寬度的至少第一部分被配置為 在所述長度方向上連續(xù)增大，所述溝道寬度的至少第二部分被配置為在所述長度方向上連 續(xù)減小。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述至少一部分溝道寬度被配置為在所 述長度方向上線性增大和線性減小中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述溝道區(qū)包括多個溝道區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管，其中，所述多個溝道區(qū)包括具有第一溝道寬度 的第一溝道區(qū)和具有第二溝道寬度的第二溝道區(qū)，并且其中，所述第一溝道寬度和所述第 二溝道寬度被配置為在所述長度方向上連續(xù)減小和連續(xù)增大中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其中，所述多個溝道區(qū)包括第三溝道區(qū)，所述第 三溝道區(qū)具有在所述長度方向上尺寸均勻的第三溝道寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管，其中，所述第三溝道區(qū)設(shè)置在所述第一溝道區(qū) 和所述第二溝道區(qū)之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管，其中，所述多個溝道區(qū)中的至少兩個具有不同 的溝道長度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述溝道寬度包括指向所述源極區(qū)的源 極溝道寬度部分以及指向所述漏極區(qū)的漏極溝道寬度部分，并且其中，所述源極溝道寬度 部分的尺寸大于所述漏極溝道寬度部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述溝道寬度包括指向所述源極區(qū)的源 極溝道寬度部分以及指向所述漏極區(qū)的漏極溝道寬度部分，并且其中，所述源極溝道寬度 部分的尺寸小于所述漏極溝道寬度部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述溝道寬度包括指向所述源極區(qū)的源 極溝道寬度部分以及指向所述漏極區(qū)的漏極溝道寬度部分，并且其中，所述源極溝道寬度 部分與所述漏極溝道寬度部分的尺寸相等。
12.—種開關(guān)電路，包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層，包括源極區(qū)、漏極區(qū)和溝道區(qū)，其中，所述溝道區(qū)設(shè)置在所述源極區(qū)和所述 漏極區(qū)之間；柵電極，其與所述溝道區(qū)交疊，其中，所述溝道區(qū)包括被配置為在長度方向上連續(xù)減小 和連續(xù)增大中的至少一種的至少一部分溝道寬度。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的開關(guān)電路，其中，所述溝道寬度的至少第一部分被配置為 在所述長度方向上連續(xù)增大，所述溝道寬度的至少第二部分被配置為在所述長度方向上連 續(xù)減小。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的開關(guān)電路，其中，所述至少一部分溝道寬度被配置為在所 述長度方向上線性增大和線性減小中的至少一種。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的開關(guān)電路，其中，所述溝道區(qū)包括多個溝道區(qū)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的開關(guān)電路，其中，所述多個溝道區(qū)包括具有第一溝道寬度 的第一溝道區(qū)以及具有第二溝道寬度的第二溝道區(qū)，并且其中，所述第一溝道寬度和所述 第二溝道寬度被配置為在所述長度方向上連續(xù)減小和連續(xù)增大中的至少一種。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的開關(guān)電路，其中，所述多個溝道區(qū)包括第三溝道區(qū)，所述第 三溝道區(qū)具有在所述長度方向上尺寸均勻的第三溝道寬度。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的開關(guān)電路，其中，所述第三溝道區(qū)設(shè)置在所述第一溝道區(qū) 和所述第二溝道區(qū)之間。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的開關(guān)電路，其中，所述多個溝道區(qū)中的至少兩個具有不同 的溝道長度。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的開關(guān)電路，其中，所述溝道寬度包括指向所述源極區(qū)的源 極溝道寬度部分以及指向所述漏極區(qū)的漏極溝道寬度部分，并且其中，所述源極溝道寬度 部分的尺寸大于所述漏極溝道寬度部分。
21.根據(jù)權(quán)利要求12所述的開關(guān)電路，其中，所述溝道寬度包括指向所述源極區(qū)的源 極溝道寬度部分以及指向所述漏極區(qū)的漏極溝道寬度部分，并且其中，所述源極溝道寬度 部分的尺寸小于所述漏極溝道寬度部分。
22.根據(jù)權(quán)利要求12所述的開關(guān)電路，其中，所述溝道寬度包括指向所述源極區(qū)的源 極溝道寬度部分以及指向所述漏極區(qū)的漏極溝道寬度部分，并且其中，所述源極溝道寬度 部分與所述漏極溝道寬度部分的尺寸相等。
23.根據(jù)權(quán)利要求12所述的開關(guān)電路，其中，所述溝道區(qū)被配置為與數(shù)據(jù)線和像素電 極電連接。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的開關(guān)電路，其中，所述開關(guān)電路被配置為增強ON電流特性 和抑制OFF電流特性。
25.—種顯示裝置，包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層，包括源極區(qū)、漏極區(qū)和溝道區(qū)，其中，所述溝道區(qū)設(shè)置在所述源極區(qū)和所述 漏極區(qū)之間；以及柵電極，與所述溝道區(qū)交疊，其中，所述溝道區(qū)包括被配置為在長度方向上連續(xù)減小和 連續(xù)增大中的至少一種的溝道寬度。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的顯示裝置，其中，所述顯示裝置包括具有薄膜晶體管的開 關(guān)電路，并且其中，所述溝道區(qū)與數(shù)據(jù)線和像素電極電連接。
27.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的顯示裝置，其中，所述顯示裝置配置為增強ON電流特性和 抑制OFF電流特性。
28.一種薄膜晶體管制造方法，所述方法包括形成具有源極區(qū)、漏極區(qū)和溝道區(qū)的半 導(dǎo)體層，其中，所述溝道區(qū)設(shè)置在所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)之間；以及形成與所述溝道區(qū)交 疊的柵電極，其中，所述溝道區(qū)包括被配置為在長度方向上連續(xù)減小和連續(xù)增大中的至少 一種的溝道寬度。
全文摘要
本發(fā)明提供了薄膜晶體管、開關(guān)電路以及場效應(yīng)晶體管。該薄膜晶體管包括一個具有源極區(qū)、漏極區(qū)和溝道區(qū)的半導(dǎo)體層，其中，溝道區(qū)設(shè)置在源極區(qū)和漏極區(qū)之間；一個柵電極與溝道區(qū)交疊；該溝道區(qū)包括一個溝道寬度，其配置為至少一個在長度方向上連續(xù)減小和連續(xù)增大的部分。
文檔編號G09G3/36GK102130156SQ20111000205
公開日2011年7月20日 申請日期2011年1月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月12日
發(fā)明者尾關(guān)芳孝, 桑原康人, 池田裕幸, 鳥山重隆 申請人:索尼公司