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掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路和具備它的顯示裝置的制作方法

文檔序號(hào):2582384閱讀:251來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路和具備它的顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及有源矩陣型顯示裝置的掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路,更詳細(xì)而言,涉及設(shè)置在掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的移位寄存器的布置。
背景技術(shù)
歷來(lái),已知有將多個(gè)柵極總線(掃描信號(hào)線)和多個(gè)源極總線(視頻信號(hào)線)配置成格子狀,并和這些多個(gè)柵極總線與多個(gè)源極總線的交叉點(diǎn)分別對(duì)應(yīng)地將多個(gè)像素形成部配置成矩陣狀的有源矩陣型的顯示裝置。各像素形成部包括作為開(kāi)關(guān)元件的TFTCThin Film Transistor 薄膜晶體管)、用于保持像素值的像素電容等,其中,該薄膜晶體管的柵極端子與通過(guò)對(duì)應(yīng)的交叉點(diǎn)的柵極總線連接,并且源極端子與通過(guò)該交叉點(diǎn)的源極總線連接。在有源矩陣型的顯示裝置中,設(shè)置有驅(qū)動(dòng)上述多個(gè)柵極總線的柵極驅(qū)動(dòng)器(掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路)和驅(qū)動(dòng)上述多個(gè)源極總線的源極驅(qū)動(dòng)器(視頻信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路)。表示像素值的視頻信號(hào)通過(guò)源極總線傳輸,各源極總線不能在一個(gè)時(shí)刻(同時(shí)) 傳輸表示多行的像素值的視頻信號(hào)。因此,對(duì)上述配置成矩陣狀的像素形成部?jī)?nèi)的像素電容寫(xiě)入視頻信號(hào),是逐行依次進(jìn)行的。因此,柵極驅(qū)動(dòng)器包括包含多個(gè)級(jí)的移位寄存器,使得多個(gè)柵極總線逐個(gè)規(guī)定期間依次被選擇。歷來(lái),柵極驅(qū)動(dòng)器多作為L(zhǎng)SI (大規(guī)模集成電路Large Scale Integration)裝載在構(gòu)成顯示裝置的面板的基板的周邊部,但是近年來(lái)在基板上直接形成柵極驅(qū)動(dòng)器的方式在被采用。這樣的柵極驅(qū)動(dòng)器被稱為“單片柵極驅(qū)動(dòng)器”等,此外,具備單片柵極驅(qū)動(dòng)器的面板被稱為“柵極驅(qū)動(dòng)器單片面板”等。利用這樣的柵極驅(qū)動(dòng)器單片面板,能夠與現(xiàn)有的面板相比削減部件個(gè)數(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)小型化和低電力消耗。另外,與本件發(fā)明相關(guān)地,在日本特開(kāi)平4-51216號(hào)公報(bào)中公開(kāi)有涉及在面板的一部分設(shè)置有標(biāo)記的液晶面板的發(fā)明。根據(jù)該發(fā)明,例如在端子區(qū)域的適當(dāng)?shù)牟课恍纬捎袠?biāo)記。而且,在出現(xiàn)制造上的工序變更、材料變更、制造機(jī)械的變更等情況下,標(biāo)記的部位、 大小、形狀被改變。由此,即使液晶面板已經(jīng)完成,也能夠把握制造條件的內(nèi)容?,F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)平4-51216號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的問(wèn)題但是,在柵極驅(qū)動(dòng)器單片面板的制造階段,存在在移位寄存器內(nèi)發(fā)生斷線和/或漏電等不良的情況。如果移位寄存器包含多個(gè)級(jí)時(shí)在某個(gè)級(jí)發(fā)生這樣的不良,則不能對(duì)發(fā)生該不良的級(jí)之后的級(jí)正常地傳輸信號(hào)。其結(jié)果是,發(fā)生面板的動(dòng)作異常。此外,在柵極驅(qū)動(dòng)器單片面板,在形成移位寄存器的部分的圖案密度(基板上的區(qū)域中形成有配線圖案的區(qū)域和/或設(shè)置有電路元件的區(qū)域的比例),比形成像素電路的部分大。這是因?yàn)?,在形成像素電路的部分,為了提高開(kāi)口率,使配線圖案和/電路元件的占用面積盡可能小,與此相對(duì),在形成移位寄存器的部分,為了實(shí)現(xiàn)邊框的窄小化而在盡可能窄的區(qū)域形成配線圖案和/或電路元件。這樣,在柵極驅(qū)動(dòng)器單片面板形成移位寄存器的部分的圖案密度大,因此比較容易發(fā)生上述那樣的移位寄存器內(nèi)的不良。進(jìn)一步,在柵極驅(qū)動(dòng)器單片面板,移位寄存器內(nèi)的電路元件和配線圖案的配置復(fù)雜,因此在發(fā)生不良時(shí)難以確定該不良的原因。如上所述,在柵極驅(qū)動(dòng)器單片面板,由于比較容易發(fā)生移位寄存器內(nèi)的不良且難以確定該不良的原因,因此成品率變得比較低。因此,本發(fā)明的目的在于實(shí)現(xiàn)為了提高面板的成品率而具備能夠容易地檢查的移位寄存器的柵極驅(qū)動(dòng)器。用于解決問(wèn)題的方式本發(fā)明的第一方面是一種掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于上述掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路是對(duì)配置在顯示部的多個(gè)掃描信號(hào)線進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的、顯示裝置的掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路,上述掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路包括用于驅(qū)動(dòng)上述多個(gè)掃描信號(hào)線的移位寄存器,該移位寄存器包含多個(gè)級(jí),根據(jù)被供給至各級(jí)的多個(gè)時(shí)鐘信號(hào),使被供給至初級(jí)的脈沖從初級(jí)向最終級(jí)依次移動(dòng),上述移位寄存器按每連續(xù)的k級(jí)形成為組,在上述移位寄存器的各組所包括的k個(gè)級(jí),分別設(shè)置有不同種類(lèi)的記號(hào),上述記號(hào)按上述移位寄存器的每k級(jí)為相同種類(lèi)。本發(fā)明的第二方面的特征在于在本發(fā)明的第一方面中,還包括時(shí)鐘信號(hào)用主干配線,該時(shí)鐘信號(hào)用主干配線包括作為上述多個(gè)時(shí)鐘信號(hào)傳輸k個(gè)時(shí)鐘信號(hào)的多個(gè)信號(hào)線,上述移位寄存器的各級(jí)根據(jù)上述k個(gè)時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行動(dòng)作。本發(fā)明的第三方面的特征在于在本發(fā)明的第二方面中,上述移位寄存器的各級(jí)包括級(jí)間連接配線,其用于從與該各級(jí)不同的級(jí)接收從上述時(shí)鐘信號(hào)用主干配線接收的時(shí)鐘信號(hào)以外的時(shí)鐘信號(hào);和接觸部件,其將在該各級(jí)形成的配線與上述級(jí)間連接配線電連接,在上述移位寄存器的各級(jí),上述記號(hào)設(shè)置在上述級(jí)間連接配線的附近。本發(fā)明的第四方面的特征在于在本發(fā)明的第二方面中,上述移位寄存器的各級(jí)包括級(jí)間連接配線,其用于從與該各級(jí)不同的級(jí)接收從上述時(shí)鐘信號(hào)用主干配線接收的時(shí)鐘信號(hào)以外的時(shí)鐘信號(hào);和接觸部件,其將在該各級(jí)形成的配線與上述級(jí)間連接配線電連接,在上述移位寄存器的各級(jí),上述記號(hào)設(shè)置在上述接觸部件的附近。本發(fā)明的第五方面的特征在于
在本發(fā)明的第四方面中,以上述接觸部件為基準(zhǔn)時(shí)的上述記號(hào)的位置在上述移位寄存器的各組所包括的k 個(gè)級(jí)各自不同。本發(fā)明的第六方面的特征在于在本發(fā)明的第一方面中,上述記號(hào)的形狀在上述移位寄存器的各組所包括的k個(gè)級(jí)各自不同。本發(fā)明的第七方面的特征在于在本發(fā)明的第一方面中,在上述移位寄存器的各組所包括的k個(gè)級(jí),作為上述記號(hào)設(shè)置有各自不同的數(shù)量的規(guī)定的構(gòu)造物,上述構(gòu)造物按上述移位寄存器的每k級(jí)為相等的數(shù)量。本發(fā)明的第八方面的特征在于在本發(fā)明的第一方面中,上述k為2或4。本發(fā)明的第九方面的特征在于在本發(fā)明的第一方面中,上述移位寄存器的各級(jí)包括薄膜晶體管,上述記號(hào)包含與構(gòu)成上述薄膜晶體管的柵極電極的金屬相同的金屬或與構(gòu)成上述薄膜晶體管的源極電極和漏極電極的金屬相同的金屬。本發(fā)明的第十方面的特征在于在本發(fā)明的第一方面中,上述掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路與上述顯示部形成在同一基板上。本發(fā)明的第十一方面是顯示裝置,其特征在于包括上述顯示部,并具備本發(fā)明的第一方面至第十方面的任一方面的掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明的第一方面,移位寄存器按每連續(xù)的k級(jí)形成為組,以每k級(jí)出現(xiàn)相同的種類(lèi)的方式,在各組所含的k級(jí)的電路形成各自不同的種類(lèi)的記號(hào)。因此,能夠?qū)?gòu)成移位寄存器的多個(gè)級(jí)各自區(qū)別開(kāi)。由此,與現(xiàn)有技術(shù)相比,移位寄存器的檢查變得容易,即使在面板的制造階段在移位寄存器發(fā)生不良也比較容易進(jìn)行該不良的修復(fù),從而面板的成品
率升高。根據(jù)本發(fā)明的第二方面,移位寄存器按每與時(shí)鐘信號(hào)的數(shù)量相等的數(shù)量的級(jí)形成為組,對(duì)多個(gè)時(shí)鐘信號(hào)以相同的方式被供給的(多個(gè))級(jí),形成相同種類(lèi)的記號(hào)。因此,當(dāng)在面板的制造階段在移位寄存器發(fā)生某些不良時(shí),能夠根據(jù)記號(hào)容易地把握時(shí)鐘信號(hào)是被如何供給至發(fā)生該不良的級(jí)的電路的。由此,與現(xiàn)有技術(shù)相比,移位寄存器的檢查變得格外容易,即使在面板的制造階段在移位寄存器發(fā)生不良也容易進(jìn)行該不良的修復(fù),從而面板的成品率升高。根據(jù)本發(fā)明的第三方面,在不細(xì)密地填充配置電路元件、未有效地使用的區(qū)域即接觸部件的形成區(qū)域的附近形成記號(hào)。由此,基板上的區(qū)域作為記號(hào)用區(qū)域有效地使用,能夠不增大邊框地在移位寄存器的各級(jí)形成記號(hào)。根據(jù)本發(fā)明的第四方面,在不細(xì)密地填充配置電路元件、未有效地使用的區(qū)域即級(jí)間連接配線的形成區(qū)域的附近形成記號(hào)。由此,基板上的區(qū)域作為記號(hào)用區(qū)域有效地使用,能夠不增大邊框地在移位寄存器的各級(jí)形成記號(hào)。根據(jù)本發(fā)明的第五方面,在進(jìn)行移位寄存器的檢查時(shí)等,能夠根據(jù)記號(hào)的位置,把握時(shí)鐘信號(hào)被如何供給至附加有該記號(hào)的級(jí)的電路。根據(jù)本發(fā)明的第六方面,在進(jìn)行移位寄存器的檢查時(shí)等,能夠根據(jù)記號(hào)的形狀,將構(gòu)成移位寄存器的多個(gè)級(jí)各自區(qū)別開(kāi)。根據(jù)本發(fā)明的第七方面,能夠在進(jìn)行移位寄存器的檢查時(shí)等,根據(jù)構(gòu)成記號(hào)的構(gòu)造物的數(shù)量,將構(gòu)成移位寄存器的多個(gè)級(jí)各自區(qū)別開(kāi)。根據(jù)本發(fā)明的第八方面,在移位寄存器的第奇數(shù)級(jí)和第偶數(shù)級(jí)設(shè)置不同種類(lèi)的記號(hào)。由此,能夠?qū)崿F(xiàn)具備移位寄存器的掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路,該移位寄存器能夠以簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)進(jìn)行第奇數(shù)級(jí)和第偶數(shù)級(jí)的區(qū)別。根據(jù)本發(fā)明的第九方面,當(dāng)在構(gòu)成顯示裝置的面板的基板上形成薄膜晶體管的電極時(shí),能夠在該基板上也形成記號(hào)。由此,不增加不必要的制造工序,就能夠?qū)崿F(xiàn)具備掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的顯示裝置,該掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路能夠得到與本發(fā)明的第一方面同樣的效果。根據(jù)本發(fā)明的第十方面,在比較容易在移位寄存器內(nèi)發(fā)生不良的、被單片化的掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路,在移位寄存器的各級(jí)設(shè)置記號(hào)。由此,與現(xiàn)有技術(shù)相比,移位寄存器的檢查變得容易,即使在面板的制造階段在移位寄存器發(fā)生不良,也比較容易進(jìn)行該不良的修復(fù),大幅提高面板的成品率。根據(jù)本發(fā)明的第十一方面,能夠?qū)崿F(xiàn)一種顯示裝置,該顯示裝置具備能夠得到與本發(fā)明的第一方面至第十方面同樣的效果的掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路。


圖1是用于對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的有源矩陣型液晶顯示裝置的柵極驅(qū)動(dòng)器內(nèi)的移位寄存器的標(biāo)記的布置進(jìn)行說(shuō)明的圖。圖2是表示上述實(shí)施方式中液晶顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)的框圖。圖3是用于說(shuō)明上述實(shí)施方式中柵極驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu)的框圖。圖4是表示上述實(shí)施方式中柵極驅(qū)動(dòng)器內(nèi)的移位寄存器的結(jié)構(gòu)的框圖。圖5是表示上述實(shí)施方式中移位寄存器所包括的雙穩(wěn)電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。圖6是用于對(duì)上述實(shí)施方式中柵極驅(qū)動(dòng)器的布置進(jìn)行說(shuō)明的圖。圖7是用于說(shuō)明上述實(shí)施方式中柵極驅(qū)動(dòng)器的動(dòng)作的時(shí)序圖。圖8是用于說(shuō)明上述實(shí)施方式中柵極驅(qū)動(dòng)器的動(dòng)作的時(shí)序圖。圖9是用于說(shuō)明上述實(shí)施方式中雙穩(wěn)電路的動(dòng)作的時(shí)序圖。圖10A-F是用于對(duì)上述實(shí)施方式中使用構(gòu)成柵極電極的金屬形成的標(biāo)記的制造方法進(jìn)行說(shuō)明的圖。圖IlA-G是用于對(duì)上述實(shí)施方式中使用構(gòu)成源極電極、漏極電極的金屬形成的標(biāo)記的制造方法進(jìn)行說(shuō)明的圖。
圖12是用于對(duì)上述實(shí)施方式的第一變形例進(jìn)行說(shuō)明的圖。圖13是用于對(duì)接觸部件的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明的圖。圖14是用于對(duì)上述實(shí)施方式的第二變形例的標(biāo)記的布置進(jìn)行說(shuō)明的圖。圖15是用于對(duì)上述實(shí)施方式的第三變形例的標(biāo)記的布置進(jìn)行說(shuō)明的圖。圖16是用于對(duì)上述實(shí)施方式的第四變形例的標(biāo)記的布置進(jìn)行說(shuō)明的圖。圖17是用于對(duì)上述實(shí)施方式的第五變形例的標(biāo)記的布置進(jìn)行說(shuō)明的圖。圖18是用于對(duì)上述實(shí)施方式的第六變形例的標(biāo)記的布置進(jìn)行說(shuō)明的圖。圖19是表示移位寄存器內(nèi)的各雙穩(wěn)電路從主干配線接收所有時(shí)鐘信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu)的框圖。圖20是表示在顯示部的兩側(cè)配置有柵極驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu)的框圖。圖21是表示包括用于生成置位信號(hào)和復(fù)位信號(hào)的薄膜晶體管的雙穩(wěn)電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。圖22是表示圖19所示的柵極驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu)的變形例的結(jié)構(gòu)的框圖。圖23是表示圖20所示的柵極驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu)的變形例的結(jié)構(gòu)的框圖。
具體實(shí)施例方式以下,參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。<1.整體結(jié)構(gòu)和動(dòng)作>圖2是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的有源矩陣型液晶顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)的框圖。如圖2所示,該液晶顯示裝置包括電源100、DC/DC轉(zhuǎn)換器110、顯示控制電路200、源極驅(qū)動(dòng)器(視頻信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路)300、柵極驅(qū)動(dòng)器(掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路)400、共用電極驅(qū)動(dòng)電路500和顯示部600。另外,在本實(shí)施方式中,柵極驅(qū)動(dòng)器400和顯示部600形成在同一基板上。即,本實(shí)施方式的柵極驅(qū)動(dòng)器400為“單片柵極驅(qū)動(dòng)器”。在顯示部600包括多個(gè)(j個(gè))源極總線(視頻信號(hào)線)SLl SLj ;多個(gè)(i個(gè)) 柵極總線(掃描信號(hào)線)GLl GLi ;以及和這些源極總線SLl SLj與柵極總線GLl GLi 的交叉點(diǎn)分別對(duì)應(yīng)地設(shè)置的多個(gè)(iX j)個(gè)像素形成部。另外,以下,i =加。上述多個(gè)像素形成部呈矩陣狀配置而構(gòu)成像素陣列。各像素形成部包括作為開(kāi)關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT) 60,該薄膜晶體管60的柵極端子與通過(guò)對(duì)應(yīng)的交叉點(diǎn)的柵極總線連接,并且源極端子與通過(guò)該交叉點(diǎn)的源極總線連接;與該薄膜晶體管60的漏極端子連接的像素電極;在上述多個(gè)像素形成部共用地設(shè)置的作為對(duì)置電極的共用電極Ec ;在上述多個(gè)像素形成部共用地設(shè)置、被夾持在像素電極與共用電極Ec之間的液晶層。而且,利用由像素電極和共用電極Ec形成的液晶電容構(gòu)成像素電極電容Cp。另外,通常,為了在像素電極Cp可靠地保持電壓而與液晶電容并聯(lián)地設(shè)置輔助電容,但是因?yàn)檩o助電容與本發(fā)明沒(méi)有直接關(guān)系,所以省略其說(shuō)明和圖示。電源100對(duì)DC/DC轉(zhuǎn)換器110、顯示控制電路200和共用電極驅(qū)動(dòng)電路500供給規(guī)定的電源電壓。DC/DC轉(zhuǎn)換器110根據(jù)電源電壓生成用于使源極驅(qū)動(dòng)器300和柵極驅(qū)動(dòng)器 400動(dòng)作的規(guī)定的直流電壓,將其供給到源極驅(qū)動(dòng)器300和柵極驅(qū)動(dòng)器400。共用電極驅(qū)動(dòng)電路500對(duì)共用電極Ec供給規(guī)定的電位Vcom。顯示控制電路200接收從外部發(fā)送來(lái)的圖像信號(hào)DAT以及水平同步信號(hào)和/或垂直同步信號(hào)等定時(shí)信號(hào)組TG,輸出數(shù)字視頻信號(hào)DV和用于控制顯示部600的圖像顯示的源極開(kāi)始脈沖信號(hào)SSP、源極時(shí)鐘信號(hào)SCK、鎖存選通信號(hào)LS、第一柵極開(kāi)始脈沖信號(hào)GSP_ 0、第二柵極開(kāi)始脈沖信號(hào)GSP_E、第一柵極結(jié)束脈沖信號(hào)GEP_0、第二柵極結(jié)束脈沖信號(hào) GEP_E和柵極時(shí)鐘信號(hào)GCK。另外,在本實(shí)施方式中,柵極時(shí)鐘信號(hào)GCK包括四相的時(shí)鐘信號(hào)CKl (以下稱為“第一柵極時(shí)鐘信號(hào)” )、CKlB (以下稱為“第二柵極時(shí)鐘信號(hào)”)、CK2 (以下稱為“第三柵極時(shí)鐘信號(hào)”)和CK2B(以下稱為“第四柵極時(shí)鐘信號(hào)”)。柵極驅(qū)動(dòng)器300接收從顯示控制電路200輸出的數(shù)字視頻信號(hào)DV、源極開(kāi)始脈沖信號(hào)SSP、源極時(shí)鐘信號(hào)SCK和鎖存選通信號(hào)LS,對(duì)源極總線SLl SLj施加驅(qū)動(dòng)用視頻信號(hào) S(I) -S(J)0柵極驅(qū)動(dòng)器400根據(jù)從顯示控制電路200輸出的第一柵極開(kāi)始脈沖信號(hào)GSP_0、 第二柵極開(kāi)始脈沖信號(hào)GSP_E、第一柵極結(jié)束脈沖信號(hào)GEP_0、第二柵極結(jié)束脈沖信號(hào)GEP_ E和柵極時(shí)鐘信號(hào)GCK,以一個(gè)垂直掃描期間為周期,重復(fù)地將有效(有源)的掃描信號(hào) Gout(I) Gout(i)依次施加到柵極總線GLl GLi。另外,對(duì)該柵極驅(qū)動(dòng)器400的詳細(xì)說(shuō)明在之后進(jìn)行。這樣,通過(guò)對(duì)各源極總線SLl SLj施加驅(qū)動(dòng)用視頻信號(hào)S(I) S(j),對(duì)各柵極總線GLl GLi施加掃描信號(hào)Gout (1) Gout (i),由此在顯示部600顯示基于從外部發(fā)送來(lái)的圖像信號(hào)DAT的圖像。<2.柵極驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu)〉<2. 1柵極驅(qū)動(dòng)器的概略結(jié)構(gòu)>接著,對(duì)本實(shí)施方式的柵極驅(qū)動(dòng)器400的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。如圖3所示,柵極驅(qū)動(dòng)器 400包括多個(gè)級(jí)的移位寄存器410。在顯示部600中形成有i行Xj列的像素矩陣時(shí),以與這些像素矩陣的各行1對(duì)1地對(duì)應(yīng)的方式設(shè)置有移位寄存器410的各級(jí)。此外,移位寄存器410的各級(jí)為雙穩(wěn)電路,該雙穩(wěn)電路在各時(shí)刻為兩個(gè)狀態(tài)(第一狀態(tài)和第二狀態(tài))中的任一個(gè)狀態(tài),輸出表示該狀態(tài)的信號(hào)(以下稱為“狀態(tài)信號(hào)”)。這樣,移位寄存器410包括 i ( = 2a)個(gè)雙穩(wěn)電路。圖4是表示柵極驅(qū)動(dòng)器400內(nèi)的移位寄存器410的結(jié)構(gòu)的框圖。如上所述,該移位寄存器410包括加個(gè)雙穩(wěn)電路。在各雙穩(wěn)電路設(shè)置有用于接收四相的時(shí)鐘信號(hào)CKA(以下稱為“第一時(shí)鐘”)、CKB (以下稱為“第二時(shí)鐘”)、CKC (以下稱為“第三時(shí)鐘”)和CKD (以下稱為“第四時(shí)鐘”)的輸入端子、用于接收置位信號(hào)S的輸入端子、用于接收復(fù)位信號(hào)R的輸入端子、用于接收清除信號(hào)CLR的輸入端子、用于接收低電位的直流電壓VSS的輸入端子和用于輸出狀態(tài)信號(hào)Q的輸出端子。在圖4,在形成有加個(gè)雙穩(wěn)電路的區(qū)域的左方形成有柵極時(shí)鐘信號(hào)GCK(第一柵極時(shí)鐘信號(hào)CK1、第二柵極時(shí)鐘信號(hào)CK1B、第三柵極時(shí)鐘信號(hào)CK2和第四柵極時(shí)鐘信號(hào)CK2B) 用的主干配線、低電位的直流電壓VSS用的主干配線和清除信號(hào)CLR用的主干配線。即,這些主干配線配置在以移位寄存器410為基準(zhǔn)與顯示部600相反的一側(cè)的區(qū)域。<2. 2雙穩(wěn)電路的結(jié)構(gòu)〉圖5是表示移位寄存器410所包括的雙穩(wěn)電路的結(jié)構(gòu)(移位寄存器410的一個(gè)級(jí)的結(jié)構(gòu))的電路圖。如圖5所示,該雙穩(wěn)電路包括10個(gè)薄膜晶體管MA、MB、MI、MF、MJ、MK、 ME、ML、麗和MD以及電容器CAPl。此外,該雙穩(wěn)電路包括接收第一時(shí)鐘CKA的輸入端子、接收第二時(shí)鐘CKB的輸入端子、接收第三時(shí)鐘CKC的輸入端子、接收第四時(shí)鐘CKD的輸入端子、接收置位信號(hào)S的輸入端子、接收復(fù)位信號(hào)R的輸入端子、接收清除信號(hào)CLR的輸入端子和輸出狀態(tài)信號(hào)Qn的輸出端子。薄膜晶體管MB的源極端子、薄膜晶體管MA的漏極端子、薄膜晶體管MJ的柵極端子、薄膜晶體管ME的漏極端子、薄膜晶體管ML的漏極端子、薄膜晶體管MI的柵極端子和電容器CAPl的一端相互連接。另外,為了便于說(shuō)明,將這些相互連接的區(qū)域(配線)稱為“第一節(jié)點(diǎn)”,標(biāo)注附圖記號(hào)附。薄膜晶體管MJ的漏極端子、薄膜晶體管MK的漏極端子、薄膜晶體管MF的源極端子和薄膜晶體管ME的柵極端子相互連接。另外,為了便于說(shuō)明,將這些相互連接的區(qū)域(配線)稱為“第二節(jié)點(diǎn)”,標(biāo)注附圖記號(hào)N2。接著,對(duì)各構(gòu)成要素的該雙穩(wěn)電路的功能進(jìn)行說(shuō)明。薄膜晶體管MA在清除信號(hào)為高電平時(shí)使第一節(jié)點(diǎn)W的電位為低電平。薄膜晶體管MB在置位信號(hào)S為高電平時(shí)使第一節(jié)點(diǎn)m的電位為高電平。薄膜晶體管MI在第一節(jié)點(diǎn)m的電位為高電平時(shí)將第一時(shí)鐘CKA 的電位供給到輸出端子。薄膜晶體管MF在第三時(shí)鐘CKC為高電平時(shí)使第二節(jié)點(diǎn)N2的電位為高電平。薄膜晶體管MJ在第一節(jié)點(diǎn)m的電位為高電平時(shí)使第二節(jié)點(diǎn)N2的電位為低電平。 在與該雙穩(wěn)電路的輸出端子連接的柵極總線被選擇的期間(以下稱為“選擇期間”)中如果第二節(jié)點(diǎn)N2成為高電平、薄膜晶體管ME成為導(dǎo)通狀態(tài),則第一節(jié)點(diǎn)m的電位下降,薄膜晶體管MI成為斷開(kāi)狀態(tài)。為了防止這樣的現(xiàn)象而設(shè)置有薄膜晶體管MJ。薄膜晶體管MK在第四時(shí)鐘CKD為高電平時(shí)使第二節(jié)點(diǎn)N2的電位為低電平。假如未設(shè)置薄膜晶體管MK,則在選擇期間以外的期間中,第二節(jié)點(diǎn)N2的電位總為高電平,在薄膜晶體管ME,被持續(xù)施加偏壓電壓。如果這樣,則薄膜晶體管ME的閾值電壓上升,薄膜晶體管ME變得不能作為開(kāi)關(guān)充分地發(fā)揮作用。為了防止該現(xiàn)象而設(shè)置有薄膜晶體管MK。薄膜晶體管ME在第二節(jié)點(diǎn)N2的電位為高電平時(shí)使第一節(jié)點(diǎn)m的電位為低電平。 薄膜晶體管ML在復(fù)位信號(hào)R為高電平時(shí)使第一節(jié)點(diǎn)m的電位為低電平。薄膜晶體管麗在復(fù)位信號(hào)R為高電平時(shí)使輸出端子的電位為低電平。薄膜晶體管MD在第二時(shí)鐘CKB為高電平時(shí)使輸出端子的電位為低電平。電容器CAPl作為用于在與該雙穩(wěn)電路的輸出端子連接的柵極總線被選擇的期間中將第一節(jié)點(diǎn)W的電位維持為高電平的補(bǔ)償電容發(fā)揮作用。<2. 3柵極驅(qū)動(dòng)器的布置>圖6是用于對(duì)本實(shí)施方式的柵極驅(qū)動(dòng)器400的布置進(jìn)行說(shuō)明的圖。在圖6,當(dāng)著眼于第2η級(jí)(η為正整數(shù))的雙穩(wěn)電路時(shí),被供給至該雙穩(wěn)電路的四個(gè)時(shí)鐘信號(hào)中的第一時(shí)鐘CKA和第二時(shí)鐘CKB從時(shí)鐘信號(hào)用主干配線供給,應(yīng)該被供給至薄膜晶體管MF的第三時(shí)鐘CKC從第2η+1級(jí)雙穩(wěn)電路供給,應(yīng)該被供給至薄膜晶體管MK的第四時(shí)鐘CKD從第2η_1 級(jí)供給。為了實(shí)現(xiàn)這樣的方式,用于對(duì)第2η級(jí)雙穩(wěn)電路內(nèi)的薄膜晶體管MF供給第三時(shí)鐘 CKC的配線411,經(jīng)由第2η+1級(jí)雙穩(wěn)電路內(nèi)的接觸部件CT,與用于從主干配線對(duì)第2η+1級(jí)雙穩(wěn)電路供給第二時(shí)鐘CKB的配線412連接。此外,用于對(duì)第2η級(jí)雙穩(wěn)電路內(nèi)的薄膜晶體管MK供給第四時(shí)鐘CKD的配線413,經(jīng)由第2η-1級(jí)雙穩(wěn)電路內(nèi)的接觸部件CT,與用于從主干配線對(duì)第2η-1級(jí)雙穩(wěn)電路供給第二時(shí)鐘CKB的配線414連接。進(jìn)一步,經(jīng)由第2η級(jí)雙穩(wěn)電路內(nèi)的接觸部件CT,配線415、配線416和配線417相互連接,其中,該配線415用于從主干配線對(duì)第2η級(jí)雙穩(wěn)電路供給第二時(shí)鐘CKB,該配線 416用于將第2η級(jí)雙穩(wěn)電路的第二時(shí)鐘CKB作為第2η_1級(jí)雙穩(wěn)電路的第三時(shí)鐘CKC供給至第2η-1級(jí)雙穩(wěn)電路內(nèi)的薄膜晶體管MF,該配線417用于將第2η級(jí)雙穩(wěn)電路的第二時(shí)鐘 CKB作為第2η+1級(jí)雙穩(wěn)電路的第四時(shí)鐘CKD供給至第2η+1級(jí)雙穩(wěn)電路內(nèi)的薄膜晶體管ΜΚ。 另外,在以下,將如圖6中的配線411、413、416和417那樣連接移位寄存器410的不同的級(jí) (雙穩(wěn)電路)彼此的配線稱為“級(jí)間連接配線”。如上所述,在本實(shí)施方式中,被供給至各雙穩(wěn)電路的四個(gè)時(shí)鐘信號(hào)中,僅第一時(shí)鐘 CKA和第二時(shí)鐘CKB從主干配線供給,第三時(shí)鐘CKC和第四時(shí)鐘CKD從后一級(jí)或前一級(jí)經(jīng)由級(jí)間連接配線供給。不過(guò),如圖4所示,在本實(shí)施方式中,在第一級(jí)雙穩(wěn)電路,第四時(shí)鐘CKD 也從主干配線供給,在第i ( = 2a)級(jí)雙穩(wěn)電路,第三時(shí)鐘CKC也從主干配線供給。<3.柵極驅(qū)動(dòng)器和雙穩(wěn)電路的動(dòng)作>參照?qǐng)D4、圖7和圖8對(duì)本實(shí)施方式的柵極驅(qū)動(dòng)器400的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。在該移位寄存器410,被供給四相的時(shí)鐘信號(hào)(第一柵極時(shí)鐘信號(hào)CK1、第二柵極時(shí)鐘信號(hào)CK1B、第三柵極時(shí)鐘信號(hào)CK2和第四柵極時(shí)鐘信號(hào)CK2B)、第一柵極開(kāi)始脈沖信號(hào)GSP_0、第二柵極開(kāi)始脈沖信號(hào)GSP_E、第一柵極結(jié)束脈沖信號(hào)GEP_0和第二柵極結(jié)束脈沖信號(hào)GEP_E、低電位直流電壓VSS和清除信號(hào)CLR。如圖7所示,第一柵極時(shí)鐘信號(hào)CKl與第二柵極時(shí)鐘信號(hào)CKlB相位偏離180度 (相當(dāng)于一個(gè)水平掃描期間的期間),第三柵極時(shí)鐘信號(hào)CK2與第四柵極時(shí)鐘信號(hào)CK2B相位偏離180度。此外,第三柵極時(shí)鐘信號(hào)CK2,與第一柵極時(shí)鐘信號(hào)CKl相比,相位遲90度。 這些第一柵極時(shí)鐘信號(hào) 第四柵極時(shí)鐘信號(hào)CK1、CKB1、CK2和CK2B均為每隔一個(gè)水平掃描期間成為高電平(H電平)的狀態(tài)。被供給到移位寄存器410的各級(jí)(雙穩(wěn)電路)的輸入端子的信號(hào)如下所示那樣變化。低電位的直流電壓VSS和清除信號(hào)CLR被共同供給至所有的級(jí)。在第一級(jí),供給第一柵極時(shí)鐘信號(hào)CKl作為第一時(shí)鐘CKA,供給第二柵極時(shí)鐘信號(hào)CKlB作為第二時(shí)鐘CKB,供給從第二級(jí)輸出的第二時(shí)鐘CKB作為第三時(shí)鐘CKC,供給第三柵極時(shí)鐘信號(hào)CK2作為第四時(shí)鐘 CKD0在第二級(jí),供給第三柵極時(shí)鐘信號(hào)CK2作為第一時(shí)鐘CKA,供給第四柵極時(shí)鐘信號(hào)CK2B 作為第二時(shí)鐘CKB,供給從第三級(jí)輸出的第二時(shí)鐘CKB作為第三時(shí)鐘CKC,供給從第一級(jí)輸出的第二時(shí)鐘信號(hào)CKB作為第四時(shí)鐘CKD。在第三級(jí),供給第二柵極時(shí)鐘信號(hào)CKlB作為第一時(shí)鐘CKA,供給第一柵極時(shí)鐘信號(hào)CKl作為第二時(shí)鐘CKB,供給從第四級(jí)輸出的第二時(shí)鐘信號(hào)CKB作為第三時(shí)鐘CKC,供給從第二級(jí)輸出的第二時(shí)鐘信號(hào)CKB作為第四時(shí)鐘CKD。在第四級(jí),供給第四柵極時(shí)鐘信號(hào)CK2B作為第一時(shí)鐘CKA,供給第三柵極時(shí)鐘信號(hào)CK2作為第二時(shí)鐘CKB,供給從第五級(jí)輸出的第二時(shí)鐘CKB作為第三時(shí)鐘CKC,供給從第三級(jí)輸出的第二時(shí)鐘信號(hào)CKB作為第四時(shí)鐘CKD。在第五級(jí),供給第一柵極時(shí)鐘信號(hào)CKl作為第一時(shí)鐘 CKA,供給第二柵極時(shí)鐘信號(hào)CKlB作為第二時(shí)鐘CKB,供給從第六級(jí)輸出的第二時(shí)鐘CKB作為第三時(shí)鐘CKC,供給從第四級(jí)輸出的第二時(shí)鐘信號(hào)CKB作為第四時(shí)鐘CKD。在從第六級(jí)至第Qa-I)級(jí),與從上述第二級(jí)至第五級(jí)的結(jié)構(gòu)同樣的結(jié)構(gòu)被按每四級(jí)重復(fù)進(jìn)行。在第加級(jí),供給第三柵極時(shí)鐘信號(hào)CK2作為第一時(shí)鐘CKA,供給第四柵極時(shí)鐘信號(hào)CK2B作為第二時(shí)鐘CKB,供給第一柵極時(shí)鐘信號(hào)CKl作為第三時(shí)鐘CKC,供給從第Qa-I)級(jí)輸出的第二時(shí)鐘 CKB作為第四時(shí)鐘CKD。
此外,在第一級(jí),供給第一柵極開(kāi)始脈沖信號(hào)GSP_0作為置位信號(hào)S,供給從第三級(jí)輸出的狀態(tài)信號(hào)Q作為復(fù)位信號(hào)R。在第二級(jí),供給第二柵極開(kāi)始脈沖信號(hào)GSP_E作為置位信號(hào)S,供給從第四級(jí)輸出的狀態(tài)信號(hào)Q作為復(fù)位信號(hào)R。在第三 第Oa-2)級(jí),供給從前二級(jí)輸出的狀態(tài)信號(hào)Q作為置位信號(hào)S,供給從后二級(jí)輸出的狀態(tài)信號(hào)Q作為復(fù)位信號(hào)R。在第Oa-I)級(jí),供給從第級(jí)輸出的狀態(tài)信號(hào)Q作為置位信號(hào)S,供給第一柵極開(kāi)始脈沖信號(hào)GEP_0作為復(fù)位信號(hào)R。在第加級(jí),供給從第OaD級(jí)輸出的狀態(tài)信號(hào)Q 作為置位信號(hào)S,供給第二柵極開(kāi)始脈沖信號(hào)GEP_E作為復(fù)位信號(hào)R。在該移位寄存器410的第一級(jí)供給作為時(shí)鐘信號(hào)S的第一柵極開(kāi)始脈沖信號(hào)GSP_ 0,在第二級(jí)供給作為置位信號(hào)S的第二柵極開(kāi)始脈沖信號(hào)GSP_E,根據(jù)上述第一 第四柵極時(shí)鐘信號(hào)CKl、CKBl、CK2和CK2B,第一柵極開(kāi)始脈沖信號(hào)GSP_0或第二柵極開(kāi)始脈沖信號(hào)GSP_E所包含的脈沖(該脈沖被包含在從各級(jí)輸出的狀態(tài)信號(hào)Q)從第一級(jí)起向第加級(jí)依次被轉(zhuǎn)送。然后,與該脈沖的轉(zhuǎn)送相應(yīng)地,從各級(jí)輸出的狀態(tài)信號(hào)Q依次成為高電平。然后,這些從各級(jí)輸出的狀態(tài)信號(hào)Q作為掃描信號(hào)Gout(I) Gout (i)被供給至各柵極總線 GLl GLi。由此,如圖8所示,每一個(gè)水平掃描期間依次成為高電平的掃描信號(hào)被供給至顯示部600內(nèi)的柵極總線。參照?qǐng)D5和圖9對(duì)本實(shí)施方式的雙穩(wěn)電路的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。該液晶顯示裝置的動(dòng)作中,在雙穩(wěn)電路,被供給圖9所示那樣的波形的第一 第四時(shí)鐘CKA CKD。當(dāng)?shù)竭_(dá)時(shí)刻 tO時(shí),置位信號(hào)S的脈沖被供給至雙穩(wěn)電路。因?yàn)楸∧ぞw管MB成為二極管連接,所以根據(jù)該置位信號(hào)S的脈沖,to ti期間中,第一節(jié)點(diǎn)m被預(yù)充電。該期間中,因?yàn)楸∧ぞw管MJ成為導(dǎo)通狀態(tài),所以第二節(jié)點(diǎn)N2的電位成為低電平。此外,該期間中,復(fù)位信號(hào)R成為低電平。由此,薄膜晶體管ME和薄膜晶體管ML成為斷開(kāi)狀態(tài),通過(guò)預(yù)充電而上升的第一節(jié)點(diǎn)m的電位在to tl期間中不下降。當(dāng)?shù)竭_(dá)時(shí)刻tl時(shí),第一時(shí)鐘CKA從低電平變化為高電平。另外,第一時(shí)鐘CKA從主干配線被供給至雙穩(wěn)電路。此處,在薄膜晶體管MI的源極端子,被供給第一時(shí)鐘CKA,此夕卜,在薄膜晶體管MI的柵極-源極間存在寄生電容(未圖示)。因此,隨著薄膜晶體管MI 的源極電位的上升,第一節(jié)點(diǎn)W的電位也上升(第一節(jié)點(diǎn)W被引導(dǎo)(bootstrap))。其結(jié)果是,薄膜晶體管MI成為導(dǎo)通狀態(tài)。因?yàn)榈谝粫r(shí)鐘CKA為高電平的狀態(tài)被維持至?xí)r刻t2 為止,所以tl t2期間中,狀態(tài)信號(hào)Qn成為高電平。由此,與輸出該高電平的狀態(tài)信號(hào)Qn 的雙穩(wěn)電路連接的柵極總線成為選擇狀態(tài),在與該柵極總線對(duì)應(yīng)的行的像素形成部,對(duì)像素電容Cp進(jìn)行視頻信號(hào)的寫(xiě)入。另外,tl t2期間中,與tO tl期間同樣,薄膜晶體管 ME和薄膜晶體管ML成為斷開(kāi)狀態(tài)。因此,tl t2期間中,第一節(jié)點(diǎn)附的電位不下降。當(dāng)?shù)竭_(dá)時(shí)刻t2時(shí),第一時(shí)鐘CKA從高電平變化為低電平。此外,第二時(shí)鐘CKB從低電平變化為高電平。另外,第一時(shí)鐘CKA和第二時(shí)鐘CKB從主干配線被供給至雙穩(wěn)電路。 進(jìn)一步,復(fù)位信號(hào)R從低電平變化為高電平。由此,薄膜晶體管MD、ML和MN成為導(dǎo)通狀態(tài)。 由于薄膜晶體管MD和薄膜晶體管麗成為導(dǎo)通狀態(tài),狀態(tài)信號(hào)Qn的電位下降至低電平。此夕卜,由于薄膜晶體管ML成為導(dǎo)通狀態(tài),第一節(jié)點(diǎn)m的電位下降至低電平。<4.關(guān)于雙穩(wěn)電路的標(biāo)記(記號(hào))>在本實(shí)施方式中,在構(gòu)成移位寄存器410的各雙穩(wěn)電路設(shè)置有標(biāo)記(記號(hào))。參照?qǐng)D1對(duì)此進(jìn)行說(shuō)明。如上所述,本實(shí)施方式的移位寄存器410根據(jù)四相的時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行動(dòng)作。此外,作為第一時(shí)鐘CKA被供給至移位寄存器410的各級(jí)(各雙穩(wěn)電路)的柵極時(shí)鐘信號(hào)GCK,在第一級(jí)為第一柵極時(shí)鐘信號(hào)CK1,在第二級(jí)為第三柵極時(shí)鐘信號(hào)CK2,在第三級(jí)為第二柵極時(shí)鐘信號(hào)CK1B,在第四級(jí)為第四柵極時(shí)鐘信號(hào)CK2B。在第五級(jí)之后,從與從第一級(jí)至第四級(jí)同樣的時(shí)鐘信號(hào)按每四級(jí)被供給至各級(jí)。這樣,在相當(dāng)于柵極時(shí)鐘信號(hào)GCK 的一個(gè)周期的期間中,與連續(xù)四級(jí)的雙穩(wěn)電路的輸出端子分別連接的四個(gè)柵極總線被逐個(gè)依次選擇。因此,在本實(shí)施方式中,將在移位寄存器410中連續(xù)地配置的四個(gè)雙穩(wěn)電路作為一個(gè)組對(duì)待。當(dāng)著眼于由圖1中以附圖記號(hào)Ql Q4表示的四個(gè)雙穩(wěn)電路構(gòu)成的組時(shí),在雙穩(wěn)電路Ql形成有由一個(gè)俯視時(shí)為圓形的構(gòu)造物構(gòu)成的標(biāo)記421,在雙穩(wěn)電路Q2形成有由兩個(gè)俯視時(shí)為圓形的構(gòu)造物構(gòu)成的標(biāo)記422,在雙穩(wěn)電路Q3形成有由三個(gè)俯視時(shí)為圓形的構(gòu)造物構(gòu)成的標(biāo)記423,在雙穩(wěn)電路Q4形成有由四個(gè)俯視時(shí)為圓形的構(gòu)造物構(gòu)成的標(biāo)記424。 另外,這些標(biāo)記421 4M在各雙穩(wěn)電路Ql Q4的接觸部件CT的附近形成。在雙穩(wěn)電路Ql的前一級(jí)之前的雙穩(wěn)電路和雙穩(wěn)電路Q4的后一級(jí)之后的雙穩(wěn)電路,也對(duì)各雙穩(wěn)電路施加同樣的標(biāo)記。即,在各組內(nèi)的第一級(jí)形成有由一個(gè)俯視時(shí)為圓形的構(gòu)造物構(gòu)成的標(biāo)記 421,在各組內(nèi)的第二級(jí)形成有由兩個(gè)俯視時(shí)為圓形的構(gòu)造物構(gòu)成的標(biāo)記422,在各組中的第三級(jí)形成有由三個(gè)俯視時(shí)為圓形的構(gòu)造物構(gòu)成的標(biāo)記423,在各組中的第四級(jí)形成有由四個(gè)俯視時(shí)為圓形的構(gòu)造物構(gòu)成的標(biāo)記424。接著,對(duì)上述標(biāo)記的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。在本實(shí)施方式中,標(biāo)記由構(gòu)成薄膜晶體管的柵極電極的金屬或構(gòu)成源極電極、漏極電極的金屬實(shí)現(xiàn)。因此,以下對(duì)假定在玻璃基板上形成包括三個(gè)構(gòu)造物的標(biāo)記時(shí)的順序進(jìn)行說(shuō)明。首先,對(duì)利用構(gòu)成柵極電極的金屬形成標(biāo)記的情況下的順序進(jìn)行說(shuō)明。首先,利用濺射法,如圖10(A)所示那樣在玻璃基板710上形成以鉻(Cr)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、 鋁(Al)等為材料的金屬膜720。接著,如圖10(B)所示,在金屬膜720上涂敷以紫外線感光的抗蝕劑730。然后,以高溫烤灼抗蝕劑730,使其固化。接著,如圖10(C)所示,通過(guò)描繪有相當(dāng)于標(biāo)記的圖案的掩模740,對(duì)玻璃基板710照射紫外線。由此,與未描繪圖案的位置對(duì)應(yīng)的部分的抗蝕劑730變軟。然后,通過(guò)顯影,如圖10(D)所示,除去變軟的抗蝕劑730。 接著,再次以高溫烤灼抗蝕劑730,使其固化。然后,通過(guò)進(jìn)行濕蝕刻或干蝕刻,如圖10(E) 所示那樣除去金屬膜720的不需要的部分。然后,如圖10(F)所示,使用剝離液剝離抗蝕劑 730。如上所述,在玻璃基板710上形成包含構(gòu)成柵極電極的金屬的標(biāo)記。接著,對(duì)利用構(gòu)成源極電極、漏極電極的金屬形成標(biāo)記的情況下的順序進(jìn)行說(shuō)明。 另外,此處,如圖Il(A)所示,在玻璃基板810上已經(jīng)疊層有柵極電極820、柵極絕緣膜830 和半導(dǎo)體層840。得到圖11㈧所示的狀態(tài)的基板之后,利用與圖10⑶ 圖10(F)所示的方法同樣的方法(光刻法)除去半導(dǎo)體層840中的包括應(yīng)該形成標(biāo)記的區(qū)域的規(guī)定部分。 由此得到圖Il(B)所示的狀態(tài)的基板。然后,利用濺射法,如圖Il(C)所示那樣在柵極絕緣膜830上和半導(dǎo)體層840上以鉻(Cr)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鋁(Al)等為材料形成金屬膜850。接著,如圖Il(D)所示,在金屬膜850上涂敷以紫外線感光的抗蝕劑860。然后,以高溫烤灼抗蝕劑860,使其固化。接著,如圖Il(E)所示,通過(guò)描繪有相當(dāng)于源極電極、漏極電極的圖案和相當(dāng)于標(biāo)記的圖案的掩模870,對(duì)玻璃基板810照射紫外線。由此,與未描繪圖案的部位對(duì)應(yīng)的部分的抗蝕劑860變軟。然后,通過(guò)顯影,如圖Il(F)所示,除去變軟的抗蝕劑860。接著,再次以高溫烤灼抗蝕劑860,使其固化。然后,通過(guò)進(jìn)行濕蝕刻或干蝕刻除去金屬膜850的不需要的部分。其后,使用剝離液剝離抗蝕劑860。由此,如圖Il(G)所示,在玻璃基板810上,形成包含構(gòu)成源極電極、漏極電極的金屬的標(biāo)記。另外,在圖11(G), 標(biāo)記由附圖記號(hào)850a表示,源極電極、漏極電極由附圖記號(hào)850b表示。<5.效果〉根據(jù)本實(shí)施方式,對(duì)構(gòu)成柵極驅(qū)動(dòng)器400內(nèi)的移位寄存器410的各雙穩(wěn)電路施加標(biāo)記421 424。詳細(xì)而言,在本實(shí)施方式的移位寄存器410根據(jù)四相的時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行動(dòng)作時(shí),移位寄存器410內(nèi)的雙穩(wěn)電路以每四級(jí)形成為組、每四級(jí)出現(xiàn)相同種類(lèi)的標(biāo)記的方式, 在各組所包括的四級(jí)雙穩(wěn)電路分別形成有包括各自不同數(shù)量的俯視時(shí)為圓形的構(gòu)造物的標(biāo)記。因此,當(dāng)在面板的制造階段在移位寄存器410發(fā)生某些不良時(shí),例如能夠容易地把握四個(gè)時(shí)鐘信號(hào)被如何供給至發(fā)生該不良的雙穩(wěn)電路等。由此,與現(xiàn)有技術(shù)相比,移位寄存器的檢查變得容易。其結(jié)果是,即使在面板的制造階段在移位寄存器410發(fā)生不良也容易進(jìn)行該不良的修復(fù),從而面板的成品率升高。然而,在將用于從主干配線對(duì)雙穩(wěn)電路供給時(shí)鐘信號(hào)的配線與級(jí)間連接配線電連接的接觸部件CT的附近,不細(xì)密地填充配置電路元件、未有效地使用基板上的區(qū)域的情況很多。關(guān)于這一點(diǎn),根據(jù)本實(shí)施方式,如圖1所示,在各雙穩(wěn)電路的接觸部件CT的附近形成有標(biāo)記421 424。由此,通過(guò)構(gòu)成標(biāo)記421 424的俯視時(shí)為圓形的構(gòu)造物,基板上的區(qū)域被有效地使用,能夠不增大邊框地在移位寄存器410的各級(jí)形成記號(hào)。<6.變形例〉以下,對(duì)上述實(shí)施方式的各種變形例進(jìn)行說(shuō)明。<6.1關(guān)于標(biāo)記的形狀〉<6. 1.1 第一變形例〉在上述實(shí)施方式中,對(duì)構(gòu)成標(biāo)記的構(gòu)造物的形狀采用圓形,但是本發(fā)明并不僅限于此。也可以利用成為俯視時(shí)如圖12所例示那樣的形狀的構(gòu)造物構(gòu)成標(biāo)記。S卩,標(biāo)記的形狀沒(méi)有任何限定。<6. 2關(guān)于接觸部件的結(jié)構(gòu)〉在上述實(shí)施方式中,當(dāng)著眼于圖6的第2η級(jí)的雙穩(wěn)電路時(shí),為如下情形由一個(gè)接觸部件CT實(shí)現(xiàn)用于連接用于從主干配線對(duì)第2η級(jí)雙穩(wěn)電路供給第二時(shí)鐘CKB的配線415 與用于將第2η級(jí)雙穩(wěn)電路的第二時(shí)鐘CKB作為第三時(shí)鐘CKC供給至第2η_1級(jí)雙穩(wěn)電路的配線416的接觸部件;和用于連接用于從主干配線對(duì)第2η級(jí)雙穩(wěn)電路供給第二時(shí)鐘CKB的配線415與用于將第2η級(jí)雙穩(wěn)電路的第二時(shí)鐘CKB作為第四時(shí)鐘CKD供給至第2η+1級(jí)雙穩(wěn)電路的配線417的接觸部件。但是,也可以為如下結(jié)構(gòu),即,如圖13所示,用于連接配線 415與配線416的接觸部件CTl與用于連接配線415與配線417的接觸部件CT2為不同的接觸部件,這些接觸部件CTl、CT2以相互電連接的方式相鄰配置。在由包括這樣的結(jié)構(gòu)的接觸部件CTl、CT2的多個(gè)雙穩(wěn)電路構(gòu)成的移位寄存器410,例如也可以如圖14或圖15所示那樣構(gòu)成上述標(biāo)記。另外,在圖14、圖15省略級(jí)間連接配線。<6. 2.1 第二變形例〉圖14是用于對(duì)上述實(shí)施方式的第二變形例的標(biāo)記的布置進(jìn)行說(shuō)明的圖。在本變形例中,在各組所包括的四個(gè)級(jí)的雙穩(wěn)電路,分別由不同形狀的構(gòu)造物構(gòu)成標(biāo)記。具體而言,在各組內(nèi)的第一級(jí)形成由俯視時(shí)為長(zhǎng)方形狀的構(gòu)造物構(gòu)成的標(biāo)記431,在各組內(nèi)的第二級(jí)形成由俯視時(shí)為圓形的構(gòu)造物構(gòu)成的標(biāo)記432,在各組內(nèi)的第三級(jí)形成由俯視時(shí)為菱形的構(gòu)造物構(gòu)成的標(biāo)記433,在各組中的第四級(jí)形成由俯視時(shí)為三角形的構(gòu)造物構(gòu)成的標(biāo)記 434。另外,這些各構(gòu)造物的形狀,能夠采用圖12所示的形狀等各種形狀。<6. 2. 2第三變形例〉圖15是用于對(duì)上述實(shí)施方式的第三變形例的標(biāo)記的布置進(jìn)行說(shuō)明的圖。在本變形例中,通過(guò)以接觸部件CT1、CT2為基準(zhǔn)時(shí)的俯視時(shí)為長(zhǎng)方形狀的構(gòu)造物的配置位置和設(shè)置在接觸部件CT1、CT2附近的俯視時(shí)為長(zhǎng)方形狀的構(gòu)造物的數(shù)量來(lái)實(shí)現(xiàn)標(biāo)記。具體而言, 在各組內(nèi)的第一級(jí),通過(guò)設(shè)置在俯視時(shí)的接觸部件CTl的上方的一個(gè)俯視時(shí)為長(zhǎng)方形狀的構(gòu)造物來(lái)實(shí)現(xiàn)標(biāo)記441,在各組內(nèi)的第二級(jí),通過(guò)設(shè)置在俯視時(shí)的接觸部件CTl的下方的一個(gè)俯視時(shí)為長(zhǎng)方形狀的構(gòu)造物來(lái)實(shí)現(xiàn)標(biāo)記442,在各組內(nèi)的第三級(jí),通過(guò)設(shè)置在俯視時(shí)的接觸部件CT1、C2的上方的兩個(gè)俯視時(shí)為長(zhǎng)方形狀的構(gòu)造物來(lái)實(shí)現(xiàn)標(biāo)記443。但是,在各組中的第四級(jí)未設(shè)置俯視時(shí)為長(zhǎng)方形狀的構(gòu)造物。即,在各組內(nèi)的第四級(jí),在接觸部件CT1、CT2 的附近俯視時(shí)為長(zhǎng)方形狀的構(gòu)造物一個(gè)也沒(méi)有設(shè)置即為標(biāo)記444。<6. 3關(guān)于級(jí)間連接配線的結(jié)構(gòu)〉在上述實(shí)施方式中,級(jí)間連接配線將彼此相鄰的級(jí)(雙穩(wěn)電路)彼此連接。但是, 也可以為如下結(jié)構(gòu)彼此相鄰的奇數(shù)級(jí)彼此或彼此相鄰的偶數(shù)級(jí)彼此由級(jí)間連接配線連接。在這樣的結(jié)構(gòu)的移位寄存器410,例如也可以如圖16 圖18所示那樣構(gòu)成上述標(biāo)記。<6. 3.1第四變形例〉圖16是用于對(duì)上述實(shí)施方式的第四變形例的標(biāo)記的布置進(jìn)行說(shuō)明的圖。在本變形例中,與上述實(shí)施方式同樣,在各組所包括的四個(gè)級(jí)的雙穩(wěn)電路,分別形成由不同數(shù)量的俯視時(shí)為圓形的構(gòu)造物構(gòu)成的標(biāo)記。具體而言,在各組內(nèi)的第一級(jí)形成由一個(gè)俯視時(shí)為圓形的構(gòu)造物構(gòu)成的標(biāo)記451,在各組內(nèi)的第二級(jí)形成由兩個(gè)俯視時(shí)為圓形的構(gòu)造物構(gòu)成的標(biāo)記452,在各組內(nèi)的第三級(jí)形成由三個(gè)俯視時(shí)為圓形的構(gòu)造物構(gòu)成的標(biāo)記453,在各組內(nèi)的第四級(jí)形成由四個(gè)俯視時(shí)為圓形的構(gòu)造物構(gòu)成的標(biāo)記454。構(gòu)成這些標(biāo)記451 454的俯視時(shí)為圓形的構(gòu)造物均設(shè)置在俯視時(shí)的接觸部件CT的下方。<6. 3. 2第五變形例〉圖17是用于對(duì)上述實(shí)施方式的第五變形例的標(biāo)記的布置進(jìn)行說(shuō)明的圖。在本變形例中,通過(guò)在相鄰的兩個(gè)級(jí)間連接配線之間的區(qū)域形成的俯視時(shí)為圓形的構(gòu)造物來(lái)實(shí)現(xiàn)標(biāo)記。具體而言,在各組中的第一級(jí),通過(guò)設(shè)置在連接第一級(jí)與其前二級(jí)的級(jí)間連接配線 490和連接第一級(jí)的前一級(jí)與第二級(jí)的級(jí)間連接配線491之間的區(qū)域的一個(gè)俯視時(shí)為長(zhǎng)方形狀的構(gòu)造物來(lái)實(shí)現(xiàn)標(biāo)記461。在各組中的第二級(jí),通過(guò)設(shè)置在連接第二級(jí)與其前二級(jí)的級(jí)間連接配線491和連接第一級(jí)與第三級(jí)的級(jí)間連接配線492之間的區(qū)域的兩個(gè)俯視時(shí)為長(zhǎng)方形狀的構(gòu)造物來(lái)實(shí)現(xiàn)標(biāo)記462。在各組中的第三級(jí),通過(guò)設(shè)置在連接第一級(jí)與第三級(jí)的級(jí)間連接配線492和連接第二級(jí)與第四級(jí)的級(jí)間連接配線493之間的區(qū)域的三個(gè)俯視時(shí)為長(zhǎng)方形狀的構(gòu)造物來(lái)實(shí)現(xiàn)標(biāo)記463。在各組中的第四級(jí),通過(guò)設(shè)置在連接第二級(jí)與第四級(jí)的級(jí)間連接配線493和連接第三級(jí)與第四級(jí)的級(jí)間連接配線494之間的區(qū)域的四個(gè)俯視時(shí)為長(zhǎng)方形狀的構(gòu)造物來(lái)實(shí)現(xiàn)標(biāo)記464。然而,在形成級(jí)間連接配線的區(qū)域的附近,不細(xì)密地填充配置電路元件、未有效地使用基板上的區(qū)域的情況很多。因此,通過(guò)如本實(shí)施例那樣在相鄰的兩個(gè)級(jí)間連接配線之間的區(qū)域設(shè)置俯視時(shí)為圓形等的構(gòu)造物,能夠不增大邊框地在移位寄存器410的各級(jí)形成記號(hào)。<6. 3. 3第六變形例〉圖18是用于對(duì)上述實(shí)施方式的第六變形例的標(biāo)記的布置進(jìn)行說(shuō)明的圖。在本變形例中,僅在移位寄存器410的第偶數(shù)級(jí)設(shè)置有一個(gè)俯視時(shí)為圓形的構(gòu)造物。即,在本實(shí)施例中,通過(guò)俯視時(shí)為圓形的構(gòu)造物的有無(wú)來(lái)進(jìn)行第奇數(shù)級(jí)和第偶數(shù)級(jí)的區(qū)別。這樣,根據(jù)本變形例,能夠?qū)崿F(xiàn)具備能夠以簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)進(jìn)行第奇數(shù)級(jí)和第偶數(shù)級(jí)的區(qū)別的移位寄存器 410的柵極驅(qū)動(dòng)器400。<7.其它〉在上述實(shí)施方式中,以移位寄存器410根據(jù)四相的時(shí)鐘信號(hào)動(dòng)作為例進(jìn)行了說(shuō)明,但是本發(fā)明并不僅限于此。在根據(jù)k相(k為正整數(shù))的時(shí)鐘信號(hào)動(dòng)作的移位寄存器 410,以k級(jí)為一個(gè)組,對(duì)各組所包括的k個(gè)雙穩(wěn)電路分別施加不同種類(lèi)的標(biāo)記,且按每k級(jí)出現(xiàn)相同種類(lèi)的標(biāo)記即可。此外,在上述實(shí)施方式中,標(biāo)記利用構(gòu)成薄膜晶體管的柵極電極的金屬或構(gòu)成源極電極、漏極電極的金屬來(lái)實(shí)現(xiàn),但是本發(fā)明并不僅限于此。例如也可以通過(guò)利用墨液對(duì)電路基板進(jìn)行著色來(lái)實(shí)現(xiàn)標(biāo)記。進(jìn)一步,在圖19所示那樣移位寄存器內(nèi)的雙穩(wěn)電路從主干配線接收所有時(shí)鐘信號(hào)的結(jié)構(gòu)或圖20所示那樣在顯示部600的兩側(cè)配置有柵極驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu)中,也能夠與上述實(shí)施方式同樣地應(yīng)用本發(fā)明。此外,在上述實(shí)施方式中,從各雙穩(wěn)電路輸出的狀態(tài)信號(hào)Q成為其他雙穩(wěn)電路的置位信號(hào)S和復(fù)位信號(hào)R,但是本發(fā)明并不僅限于此。例如,也可以如圖21所示那樣,在雙穩(wěn)電路內(nèi)具備用于生成置位信號(hào)S和復(fù)位信號(hào)R的薄膜晶體管MG。在圖21所示的結(jié)構(gòu)中, 來(lái)自與某個(gè)雙穩(wěn)電路內(nèi)的薄膜晶體管MG的源極端子連接的輸出端子的輸出信號(hào)Z成為其他雙穩(wěn)電路的時(shí)鐘信號(hào)S和復(fù)位信號(hào)R。本結(jié)構(gòu)在像素電路部的負(fù)荷變大的大型面板中采用時(shí)效果好。其理由如下。在大型面板中,由于像素電路部的負(fù)荷大,導(dǎo)致在狀態(tài)信號(hào)Q產(chǎn)生波形變鈍。因此,當(dāng)狀態(tài)信號(hào)Q作為置位信號(hào)S或復(fù)位信號(hào)R使用時(shí),能夠產(chǎn)生移位寄存器的動(dòng)作異常。關(guān)于這一點(diǎn),根據(jù)圖21所示的結(jié)構(gòu),能夠通過(guò)未與像素電路部連接的配線, 將從某個(gè)雙穩(wěn)電路輸出的輸出信號(hào)Z作為置位信號(hào)S和復(fù)位信號(hào)R供給至其他雙穩(wěn)電路。 因此,在大型面板中,也不會(huì)產(chǎn)生由波形變鈍引起的移位寄存器的動(dòng)作異常。另外,在采用本結(jié)構(gòu)的情況下,例如,圖19所示的柵極驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu)成為圖22所示那樣的結(jié)構(gòu),圖20所示的柵極驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu)成為圖23所示那樣的結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步,在上述實(shí)施方式中,以液晶顯示裝置為例進(jìn)行了說(shuō)明,但是本發(fā)明并不僅限于此。在有機(jī)EUElectro Luminescence 電致發(fā)光)等其它顯示裝置中也能夠應(yīng)用本發(fā)明。附圖記號(hào)的說(shuō)明200 顯示控制電路300源極驅(qū)動(dòng)器(視頻信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路)400柵極驅(qū)動(dòng)器(掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路)
410移位寄存器411、413、416、417、491 494 級(jí)間連接配線421 424、431 434、441 444、451 454、461 464、標(biāo)記(記號(hào))600 顯示部CT、CT1、CT2 接觸部件
權(quán)利要求
1.一種掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于所述掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路是對(duì)配置在顯示部的多個(gè)掃描信號(hào)線進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的、顯示裝置的掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路,所述掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路包括用于驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)掃描信號(hào)線的移位寄存器,該移位寄存器包含多個(gè)級(jí),根據(jù)被供給至各級(jí)的多個(gè)時(shí)鐘信號(hào),使被供給至初級(jí)的脈沖從初級(jí)向最終級(jí)依次移動(dòng),所述移位寄存器按每連續(xù)的k級(jí)形成為組,在所述移位寄存器的各組所包括的k個(gè)級(jí),分別設(shè)置有不同種類(lèi)的記號(hào), 所述記號(hào)按所述移位寄存器的每k級(jí)為相同種類(lèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于還包括時(shí)鐘信號(hào)用主干配線,該時(shí)鐘信號(hào)用主干配線包括作為所述多個(gè)時(shí)鐘信號(hào)傳輸 k個(gè)時(shí)鐘信號(hào)的多個(gè)信號(hào)線,所述移位寄存器的各級(jí)根據(jù)所述k個(gè)時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行動(dòng)作。
3.如權(quán)利要求2所述的掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于 所述移位寄存器的各級(jí)包括級(jí)間連接配線,其用于從與該各級(jí)不同的級(jí)接收從所述時(shí)鐘信號(hào)用主干配線接收的時(shí)鐘信號(hào)以外的時(shí)鐘信號(hào);和接觸部件,其將在該各級(jí)形成的配線與所述級(jí)間連接配線電連接, 在所述移位寄存器的各級(jí),所述記號(hào)設(shè)置在所述級(jí)間連接配線的附近。
4.如權(quán)利要求2所述的掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于 所述移位寄存器的各級(jí)包括級(jí)間連接配線,其用于從與該各級(jí)不同的級(jí)接收從所述時(shí)鐘信號(hào)用主干配線接收的時(shí)鐘信號(hào)以外的時(shí)鐘信號(hào);和接觸部件,其將在該各級(jí)形成的配線與所述級(jí)間連接配線電連接, 在所述移位寄存器的各級(jí),所述記號(hào)設(shè)置在所述接觸部件的附近。
5.如權(quán)利要求4所述的掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于以所述接觸部件為基準(zhǔn)時(shí)的所述記號(hào)的位置在所述移位寄存器的各組所包括的k個(gè)級(jí)各自不同。
6.如權(quán)利要求1所述的掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于所述記號(hào)的形狀在所述移位寄存器的各組所包括的k個(gè)級(jí)各自不同。
7.如權(quán)利要求1所述的掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于在所述移位寄存器的各組所包括的k個(gè)級(jí),作為所述記號(hào)設(shè)置有各自不同的數(shù)量的規(guī)定的構(gòu)造物,所述構(gòu)造物按所述移位寄存器的每k級(jí)為相等的數(shù)量。
8.如權(quán)利要求1所述的掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于 所述k為2或4。
9.如權(quán)利要求1所述的掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于 所述移位寄存器的各級(jí)包括薄膜晶體管,所述記號(hào)包含與構(gòu)成所述薄膜晶體管的柵極電極的金屬相同的金屬或與構(gòu)成所述薄膜晶體管的源極電極和漏極電極的金屬相同的金屬。
10.如權(quán)利要求1所述的掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于 所述掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路與所述顯示部形成在同一基板上。
11.一種顯示裝置,其特征在于包括所述顯示部,并具備權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的掃描信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路。
全文摘要
實(shí)現(xiàn)為了提高面板的成品率而具備能夠容易地檢查的移位寄存器的柵極驅(qū)動(dòng)器。在包括根據(jù)四相的時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行動(dòng)作的移位寄存器(410)的單片柵極驅(qū)動(dòng)器,在該移位寄存器(410)的各級(jí)設(shè)置有用于從與該各級(jí)不同的級(jí)接收從時(shí)鐘信號(hào)用的主干配線接收的時(shí)鐘信號(hào)以外的時(shí)鐘信號(hào)的級(jí)間連接配線;和連接在該各級(jí)形成的配線與級(jí)間連接配線的接觸部件。移位寄存器(410),以按每連續(xù)的四級(jí)形成為組、按每四級(jí)出現(xiàn)相同種類(lèi)的標(biāo)記的方式,在各組所包括的四級(jí)雙穩(wěn)電路分別形成由不同的數(shù)量的俯視時(shí)為圓形的構(gòu)造物構(gòu)成的標(biāo)記(421~424)。
文檔編號(hào)G09F9/00GK102473365SQ20108003694
公開(kāi)日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2010年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月31日
發(fā)明者中溝正彥, 坂本真由子, 石井健一, 米丸政司 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社
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