專(zhuān)利名稱(chēng)：有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其有機(jī)發(fā)光二極管像素電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是一種有關(guān)于有機(jī)發(fā)光二極管的顯示技術(shù)，且特別是有關(guān)于一種有機(jī)發(fā)光 二極管顯示裝置及其有機(jī)發(fā)光二極管像素電路。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，0LED)面板是以有機(jī)發(fā)光二極 管來(lái)作為發(fā)光元件。而有機(jī)發(fā)光二極管乃是一種由電流來(lái)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的元件，其發(fā)光亮度會(huì) 隨著通過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管的電流而改變。因此，如何精準(zhǔn)地控制通過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管的電 流遂成為有機(jī)電激發(fā)光面板發(fā)展中的重要課題。請(qǐng)參照?qǐng)D1，其為現(xiàn)有的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的示意圖。此有機(jī)發(fā)光二極管 顯示裝置100包括有掃描驅(qū)動(dòng)電路110、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路120、電源電壓供應(yīng)電路130與顯示 面板140。而顯示面板140又包括有多條掃描線(如標(biāo)示142所示)、多條數(shù)據(jù)線(如標(biāo)示 144所示)、導(dǎo)線146與多個(gè)像素(如標(biāo)示148所示)。每一像素148是由晶體管148-1、晶 體管148-2、電容148-3與有機(jī)發(fā)光二極管148-4所組成。其中，晶體管148-1與148-2皆 以N型晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)，例如是皆以N型薄膜晶體管(N-type Thin-Film Transistor,N-type TFT)來(lái)實(shí)現(xiàn)。而圖中所示的OVSS為參考用的電源電壓，例如是接地電位。一般來(lái)說(shuō)，晶體 管148-1在這樣的像素電路架構(gòu)是稱(chēng)為開(kāi)關(guān)晶體管，而晶體管148-2在這樣的像素電路架 構(gòu)則是稱(chēng)為驅(qū)動(dòng)晶體管。在圖1所示的架構(gòu)中，每一像素148中的晶體管148-2皆透過(guò)導(dǎo)線146接收電源 電壓供應(yīng)電路130所提供的電源電壓0VDD，且每一像素148中的有機(jī)發(fā)光二極管148-4的 陰極皆耦接參考用的電源電壓0VSS。而數(shù)據(jù)線144所傳送的顯示數(shù)據(jù)的電壓將會(huì)與電源電 壓0VDD與0VSS的電位差共同影響通過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管148-4的電流大小，藉此控制有機(jī) 發(fā)光二極管148-4的亮度。然而，由于上述這些像素148中的晶體管皆會(huì)因?yàn)橹圃旃に嚿系牟町惗胁煌?臨界電壓(Threshold Voltage)變異，也會(huì)因?yàn)殚L(zhǎng)時(shí)間操作導(dǎo)致臨界電壓飄移而造成不同 的臨界電壓變異，使得通過(guò)各有機(jī)發(fā)光二極管148-4的電流大小不一致而造成這些像素 148的亮度不一致，進(jìn)而導(dǎo)致顯示畫(huà)面的亮度出現(xiàn)不均勻的現(xiàn)象。此外，隨著有機(jī)發(fā)光二極管148-4的老化，使得有機(jī)發(fā)光二極管148-4的內(nèi)阻上 升，進(jìn)一步使得有機(jī)發(fā)光二極管148-4的跨壓上升。而有機(jī)發(fā)光二極管148-4的跨壓的上 升，將迫使晶體管148-2 (即驅(qū)動(dòng)晶體管)的漏極-源極電壓(即VDS)變小。而由于通過(guò)晶 體管148-2的電流大小是與晶體管148-2的VDS電壓成正比，因此在晶體管148-2的VDS電壓 變小的情況下，通過(guò)晶體管148-2的電流也會(huì)變小，進(jìn)一步使得有機(jī)發(fā)光二極管148-4的亮 度變低。如此一來(lái)，由于有機(jī)發(fā)光二極管148-4的老化現(xiàn)象會(huì)降低有機(jī)發(fā)光二極管148-4的 亮度，導(dǎo)致顯示畫(huà)面出現(xiàn)了亮度不均勻的現(xiàn)象。這些亮度不均勻現(xiàn)像即所謂的烙痕(Image Sticking)現(xiàn)象。通過(guò)上述可知，像素148所示的這種有機(jī)發(fā)光二極管像素電路會(huì)因?yàn)榫w管的臨界電壓變異而導(dǎo)致顯示畫(huà)面出現(xiàn)亮度不均勻的現(xiàn)象，也會(huì)因?yàn)橛袡C(jī)發(fā)光二極管的老化而導(dǎo) 致顯示畫(huà)面出現(xiàn)亮度不均勻的現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是在提供一種有機(jī)發(fā)光二極管像素電路，其可改善因晶體管的臨 界電壓變異與有機(jī)發(fā)光二極管的老化而導(dǎo)致顯示畫(huà)面的亮度不均勻現(xiàn)象。本發(fā)明的另一目的就是在提供一種采用上述有機(jī)發(fā)光二極管像素電路的有機(jī)發(fā) 光二極管顯示裝置。本發(fā)明提出一種有機(jī)發(fā)光二極管像素電路，其包括有第一晶體管、第二晶體管、第 三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、電容與有機(jī)發(fā)光二極管。所述的第一晶體管具有第一 柵極、第一源/漏極與第二源/漏極，且第一源/漏極適用于接收顯示數(shù)據(jù)。所述的電容具 有第一端與第二端，且第一端耦接第二源/漏極。所述的第二晶體管具有第二柵極、第三源 /漏極與第四源/漏極，且第二柵極耦接電容的第二端。所述的第三晶體管具有第三柵極、 第五源/漏極與第六源/漏極，且第五源/漏極耦接第二柵極，而第六源/漏極耦接第三源 /漏極。所述的第四晶體管具有第四柵極、第七源/漏極與第八源/漏極，且第七源/漏極 耦接第二源/漏極，而第八源/漏極耦接第三源/漏極。所述的第五晶體管具有第五柵極、 第九源/漏極與第十源/漏極，且第九源/漏極耦接第一電源電壓，而第十源/漏極耦接第 三源/漏極。所述的有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極與陰極分別耦接第四源/漏極與第二電源電壓。 其中，第二電源電壓小于第一電源電壓。依照上述有機(jī)發(fā)光二極管像素電路的一較佳實(shí)施例所述，在預(yù)充電期間中，第一 晶體管、第三晶體管與第五晶體管各自依據(jù)其柵極信號(hào)而呈現(xiàn)導(dǎo)通，而第四晶體管則依據(jù) 其柵極信號(hào)而呈現(xiàn)關(guān)閉；在寫(xiě)入期間中，第一晶體管與第三晶體管各自依據(jù)其柵極信號(hào)而 呈現(xiàn)導(dǎo)通，而第四晶體管與第五晶體管則各自依據(jù)其柵極信號(hào)而呈現(xiàn)關(guān)閉；在發(fā)光期間中， 第一晶體管與第三晶體管各自依據(jù)其柵極信號(hào)而呈現(xiàn)關(guān)閉，而第四晶體管與第五晶體管則 各自依據(jù)其柵極信號(hào)而呈現(xiàn)導(dǎo)通。其中，寫(xiě)入期間在預(yù)充電期間之后，而發(fā)光期間在寫(xiě)入期 間之后。本發(fā)明還提出一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其包括有顯示面板、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路 與掃描驅(qū)動(dòng)電路。所述的顯示面板具有一種像素電路，而此像素電路又包括有第一晶體管、 第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、電容與有機(jī)發(fā)光二極管。所述的第一晶 體管具有第一柵極、第一源/漏極與第二源/漏極，且第一源/漏極適用于接收顯示數(shù)據(jù)。 所述的電容具有第一端與第二端，且第一端耦接第二源/漏極。所述的第二晶體管具有第 二柵極、第三源/漏極與第四源/漏極，且第二柵極耦接電容的第二端。所述的第三晶體管 具有第三柵極、第五源/漏極與第六源/漏極，且第五源/漏極耦接第二柵極，而第六源/漏 極耦接第三源/漏極。所述的第四晶體管具有第四柵極、第七源/漏極與第八源/漏極，且 第七源/漏極耦接第二源/漏極，而第八源/漏極耦接第三源/漏極。所述的第五晶體管具 有第五柵極、第九源/漏極與第十源/漏極，且第九源/漏極耦接第一電源電壓，而第十源 /漏極耦接第三源/漏極。所述的有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極與陰極分別耦接第四源/漏極與 第二電源電壓。其中，第二電源電壓小于第一電源電壓。所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路用以提供顯 示數(shù)據(jù)。至于所述的掃描驅(qū)動(dòng)電路，其耦接第一柵極、第三柵極、第四柵極與第五柵極，用以在預(yù)充電期間中控制第一晶體管、第三晶體管與第五晶體管導(dǎo)通，并控制第四晶體管關(guān)閉， 且用以在寫(xiě)入期間中控制第一晶體管與第三晶體管導(dǎo)通，并控制第四晶體管與第五晶體管 關(guān)閉，亦用以在發(fā)光期間中控制第一晶體管與第三晶體管關(guān)閉，并控制第四晶體管與第五 晶體管導(dǎo)通。其中，寫(xiě)入期間在預(yù)充電期間之后，而發(fā)光期間在寫(xiě)入期間之后。本發(fā)明乃是采用五個(gè)晶體管、一個(gè)電容與一個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管來(lái)制作有機(jī)發(fā)光二 極管像素電路。透過(guò)上述這些構(gòu)件的特殊耦接關(guān)系以及各晶體管的特定導(dǎo)通時(shí)序所產(chǎn)生的 電路特性，會(huì)使得通過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管的電流大小與驅(qū)動(dòng)晶體管的臨界電壓無(wú)關(guān)，且通過(guò) 有機(jī)發(fā)光二極管的電流大小會(huì)與有機(jī)發(fā)光二極管本身的跨壓成正比。因此，有機(jī)發(fā)光二極 管的亮度與驅(qū)動(dòng)晶體管的臨界電壓無(wú)關(guān)，因而能使得各像素的亮度一致。此外，即便有機(jī)發(fā) 光二極管老化而使得有機(jī)發(fā)光二極管的跨壓上升，通過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管的電流大小也會(huì)隨 著跨壓的上升程度而提高。換句話說(shuō)，通過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管的電流大小會(huì)隨著有機(jī)發(fā)光二 極管的老化程度而提高。因此，每個(gè)像素因有機(jī)發(fā)光二極管老化而出現(xiàn)亮度降低的現(xiàn)象便 可以通過(guò)上述電流大小的提高而得到補(bǔ)償，進(jìn)而能改善因有機(jī)發(fā)光二極管老化所造成的烙 痕現(xiàn)象。為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例， 并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1為現(xiàn)有的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的示意圖。圖2繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路。圖3繪示圖2的顯示數(shù)據(jù)、致能信號(hào)、掃描信號(hào)及其反相信號(hào)的信號(hào)時(shí)序。圖4繪示圖2的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路于預(yù)充電期間時(shí)的電路狀態(tài)。圖5繪示圖2的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路于寫(xiě)入期間時(shí)的電路狀態(tài)。圖6繪示圖2的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路于發(fā)光期間時(shí)的電路狀態(tài)。圖7繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路。圖8繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路。圖9為依照本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的示意圖。附圖標(biāo)號(hào)100,900 有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置110、910 掃描驅(qū)動(dòng)電路120、920 數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路130、930 電源電壓供應(yīng)電路140、940 顯示面板142、942-2 掃描線144、944:數(shù)據(jù)線146,946 導(dǎo)線148,948 像素148-1、148_2 晶體管148-3 電容
148-4 有機(jī)發(fā)光二極管200,700,800 有機(jī)發(fā)光二極管像素電路202、204、208、210、214 晶體管206 電容212 有機(jī)發(fā)光二極管942-1 :EM 信號(hào)線942-3 反相信號(hào)線E 發(fā)光期間EM 致能信號(hào)Gn:掃描信號(hào)0VDD:電源電壓0VSS 參考用的電源電壓P:預(yù)充電期間VDATA 顯示數(shù)據(jù)W:寫(xiě)入期間XGn 掃描信號(hào)Gn的反相信號(hào)
具體實(shí)施例方式第一實(shí)施例請(qǐng)參照?qǐng)D2，其繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路。此有機(jī)發(fā)光 二極管像素電路200是由晶體管202、晶體管204、電容206、晶體管208、晶體管210 (即驅(qū) 動(dòng)晶體管)、有機(jī)發(fā)光二極管212與晶體管214所組成。在此例中，上述的五個(gè)晶體管皆以 一 N型晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)，例如是皆以一個(gè)N型薄膜晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)。圖2所示的0VDD為電源電壓供應(yīng)電路(未繪示)所提供的電源電壓。而圖中所 示的0VSS，其為參考用的電源電壓，例如是接地電位。理所當(dāng)然地，電源電壓0VDD大于電源 電壓0VSS。此外，晶體管202的其中一源/漏極適用于接收顯示數(shù)據(jù)VDATA。而晶體管202 與204的柵極皆用以接收掃描信號(hào)Gn，其中n為自然數(shù)，而Gn表示第n條掃描線所傳送的 掃描信號(hào)。晶體管208的柵極用以接收致能信號(hào)EM。至于晶體管214的柵極則用以接收掃 描信號(hào)Gn的反相信號(hào)XGn。圖3繪示圖2的顯示數(shù)據(jù)VDATA、致能信號(hào)EM、掃描信號(hào)Gn及其反相信號(hào)XGn的信 號(hào)時(shí)序。請(qǐng)依照說(shuō)明的需要而參照?qǐng)D3與圖2。在預(yù)充電期間P中，掃描信號(hào)6 為高準(zhǔn)位 (High)，掃描信號(hào)Gn的反相信號(hào)XGn為低準(zhǔn)位(Low)，而致能信號(hào)EM為高準(zhǔn)位。由于掃描 信號(hào)Gn與致能信號(hào)EM皆為高準(zhǔn)位，因此晶體管202、204與208皆為導(dǎo)通(Turn on)。而由 于掃描信號(hào)Gn的反相信號(hào)低準(zhǔn)位，因此晶體管214為關(guān)閉(Turn off)。此時(shí)的電路 狀態(tài)可由圖4來(lái)表示。圖4繪示圖2的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路于預(yù)充電期間P時(shí)的電路 狀態(tài)。請(qǐng)參照?qǐng)D4，此時(shí)接點(diǎn)G的電壓大小與電容206的跨壓大小可分別由下列式(1)與式 (2)來(lái)表示VG = 0VDD ......(1)CST = 0VDD-Vdata ......(2)
其中，V。表示為接點(diǎn)G的電壓大小，也就是晶體管210的柵極電壓大小，而CST則表 示為電容206的跨壓大小。請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D3。接著，在寫(xiě)入期間W中，掃描信號(hào)Gn仍保持在高準(zhǔn)位，掃描信號(hào)Gn 的反相信號(hào)XGn也保持在低準(zhǔn)位，而致能信號(hào)EM則轉(zhuǎn)變?yōu)榈蜏?zhǔn)位。因此，有機(jī)發(fā)光二極管像 素電路200會(huì)由圖4所示的電路狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閳D5所示的電路狀態(tài)。圖5繪示圖2的有機(jī)發(fā) 光二極管像素電路于寫(xiě)入期間W時(shí)的電路狀態(tài)。請(qǐng)依照說(shuō)明的需要而參照?qǐng)D5與圖3。此 時(shí)，由于掃描信號(hào)Gn為高準(zhǔn)位，因此晶體管202與204皆為導(dǎo)通。而由于致能信號(hào)EM與掃 描信號(hào)Gn的反相信號(hào)XGn皆為低準(zhǔn)位，因此晶體管208與214皆為關(guān)閉。此時(shí)接點(diǎn)G的電 壓大小與電容206的跨壓大小可分別由下列式(3)與式(4)來(lái)表示VG = Vso+Vth ……(3)CST = VS0+Vth-VDATA ……(4)其中，VS(I表示為接點(diǎn)S于此時(shí)的電壓大小，也就是晶體管210的源極于此時(shí)的電 壓大小，而Vth則表示為晶體管210的臨界電壓。請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D3。接下來(lái)，在發(fā)光期間E中，掃描信號(hào)Gn轉(zhuǎn)變?yōu)榈蜏?zhǔn)位，掃描信號(hào)Gn 的反相信號(hào)XGn轉(zhuǎn)變?yōu)楦邷?zhǔn)位，而致能信號(hào)EM亦轉(zhuǎn)變?yōu)楦邷?zhǔn)位。因此，有機(jī)發(fā)光二極管像 素電路200會(huì)由圖5所示的電路狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閳D6所示的電路狀態(tài)。圖6繪示圖2的有機(jī)發(fā) 光二極管像素電路于發(fā)光期間E時(shí)的電路狀態(tài)。請(qǐng)依照說(shuō)明的需要而參照?qǐng)D6與圖3。此 時(shí)，由于掃描信號(hào)Gn為低準(zhǔn)位，因此晶體管202與204皆為關(guān)閉。而由于致能信號(hào)EM與掃 描信號(hào)Gn的反相信號(hào)XGn皆為高準(zhǔn)位，因此晶體管208與214皆為導(dǎo)通。此時(shí)晶體管210 的柵極_源極電壓(即Ves電壓)大小可由下列式(5)來(lái)表示VGS = OVDD+Vso+Vth-VMTA-Vs ……(5)其中，Vs表示為接點(diǎn)S于此時(shí)的電壓大小，也就是晶體管210的源極于此時(shí)的電壓 大小。Vth則表示為晶體管210的臨界電壓。而將上列式(5)再進(jìn)一步整理，便可得到下列 式(6)VGS = 0VDD+Vth-VMTA- AVS ......(6)其中，AVS= Vs-Vso。由于通過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管212的電流大小可由下列式(7)來(lái)表示
—1 21oled = (vgs ~kh) ......(7)其中，I0LED表示為通過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管212的電流大小，K表示為一常數(shù)，VGS表示 為晶體管210的柵極-源極電壓，而Vth表示為晶體管210的臨界電壓。因此，將上列式(6) 代入上列式(7)中，便可得到下列式(8)而將上列式(8)再進(jìn)一步整理，便可得到下列式(9)ioled =^k(ovdd-vdata ~avs)2 ……(9)由式(9)可知，的大小與晶體管210的臨界電壓Vth無(wú)關(guān)。換句話說(shuō)，的大小并不受晶體管210的臨界電壓變異的影響。因此，各像素的亮度得以一致。此外，由上 列式(6)的說(shuō)明可知A Vs = Vs-Vso,而其中VS(1 = 0VSS+Vth—_，Vth—_為有機(jī)發(fā)光二極管212 的臨界電壓。因此，根據(jù)這二個(gè)等式再將上列式(9)再進(jìn)一步整理，便可得到下列式(10) 由式(10)可知，的大小乃是與Vth_的大小成正比。換句話說(shuō)，無(wú)論有機(jī)發(fā) 光二極管212的老化使得有機(jī)發(fā)光二極管212的跨壓上升了多少，通過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管212 的電流大小都會(huì)隨著跨壓的上升程度而提高。因此，每個(gè)像素因有機(jī)發(fā)光二極管老化而出 現(xiàn)亮度降低的現(xiàn)象便可以通過(guò)上述電流大小的提高而得到補(bǔ)償，進(jìn)而改善因有機(jī)發(fā)光二極 管老化所造成的烙痕現(xiàn)象。第二實(shí)施例通過(guò)第一實(shí)施例的教示，本領(lǐng)域具有通常知識(shí)者應(yīng)當(dāng)知道，即使有機(jī)發(fā)光二極管 像素電路200中的晶體管214改成以一 P型晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)，例如是以一個(gè)P型薄膜晶體管 來(lái)實(shí)現(xiàn)，亦可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明，一如圖7所示。圖7繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路。在圖7所示的有機(jī) 發(fā)光二極管像素電路700中，晶體管214已改成以一 P型晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)，且晶體管214的柵 極亦耦接掃描信號(hào)Gn。而在圖7的其余標(biāo)示中，與圖2中的標(biāo)示相同者表示為相同的構(gòu)件 或信號(hào)。將晶體管214改成以一 P型晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)的好處，是有機(jī)發(fā)光二極管像素電路700 不需要使用到掃描信號(hào)Gn的反相信號(hào)XGn，使得反相信號(hào)XGn可予以省略，且有機(jī)發(fā)光二極 管像素電路700仍可依照?qǐng)D3所示的掃描信號(hào)Gn、致能信號(hào)EM與顯示數(shù)據(jù)的信號(hào)時(shí)序 來(lái)進(jìn)行操作。第三實(shí)施例通過(guò)第一實(shí)施例的教示，本領(lǐng)域具有通常知識(shí)者應(yīng)當(dāng)知道，即使有機(jī)發(fā)光二極管 像素電路200中的晶體管202與204皆改成以一 P型晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)，例如是皆以一個(gè)P型 薄膜晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)，亦可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明，一如圖8所示。圖8繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路。在圖8所示的有機(jī) 發(fā)光二極管像素電路800中，晶體管202與204皆已改成以一 P型晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)，且晶體管 202與204的柵極亦皆耦接掃描信號(hào)Gn的反相信號(hào)XGn。而在圖8的其余標(biāo)示中，與圖2中 的標(biāo)示相同者表示為相同的構(gòu)件或信號(hào)。將晶體管202與204皆改成以一 P型晶體管來(lái)實(shí) 現(xiàn)的好處，是有機(jī)發(fā)光二極管像素電路800不需要使用到掃描信號(hào)Gn，使得掃描信號(hào)Gn可予 以省略，且有機(jī)發(fā)光二極管像素電路800仍可依照?qǐng)D3所示的掃描信號(hào)Gn的反相信號(hào)XGn、 致能信號(hào)EM與顯示數(shù)據(jù)的信號(hào)時(shí)序來(lái)進(jìn)行操作。以另一觀點(diǎn)來(lái)看，有機(jī)發(fā)光二極管像 素電路800中的晶體管202、204與214就是將所述的反相信號(hào)XGn當(dāng)作一般的掃描信號(hào)來(lái) 使用。通過(guò)第一實(shí)施例至第三實(shí)施例的教示，可以歸納出這些實(shí)施例中的晶體管202、 204,208與214的導(dǎo)通時(shí)序的規(guī)則。也就是說(shuō)，無(wú)論晶體管202、204、208與214是以N型晶 體管還是以P型晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)，這四個(gè)晶體管的導(dǎo)通時(shí)序都必須符合這樣的規(guī)則。此規(guī)則 說(shuō)明如下在預(yù)充電期間P中，晶體管202、204與208各自依據(jù)其柵極信號(hào)而呈現(xiàn)導(dǎo)通，而 晶體管214則依據(jù)其柵極信號(hào)而呈現(xiàn)關(guān)閉；在寫(xiě)入期間W中，晶體管202與204各自依據(jù)其柵極信號(hào)而呈現(xiàn)導(dǎo)通，而晶體管208與212則各自依據(jù)其柵極信號(hào)而呈現(xiàn)關(guān)閉；在發(fā)光期間 E中，晶體管202與204各自依據(jù)其柵極信號(hào)而呈現(xiàn)關(guān)閉，而晶體管208與214則各自依據(jù) 其柵極信號(hào)而呈現(xiàn)導(dǎo)通。其中，寫(xiě)入期間W在預(yù)充電期間P之后，而發(fā)光期間E在寫(xiě)入期間 W之后。第四實(shí)施例通過(guò)第一實(shí)施例至第三實(shí)施例的教示，本發(fā)明還提出一種采用上述有機(jī)發(fā)光二極 管像素電路的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，一如圖9所示。圖9為依照本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī) 發(fā)光二極管顯示裝置的示意圖。此有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置900包括有掃描驅(qū)動(dòng)電路910、 數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路920、電源電壓供應(yīng)電路930與顯示面板940。而顯示面板940又包括有多條 EM信號(hào)線(如標(biāo)示942-1所示)、多條掃描線(如標(biāo)示942-2所示)、多條反相信號(hào)線(如 標(biāo)示942-3所示)、多條數(shù)據(jù)線(如標(biāo)示944所示)、導(dǎo)線946與多個(gè)像素(如標(biāo)示948所 示)°在此例中，每一像素948皆采用圖2的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路200所示的電路 架構(gòu)，因此在每一像素948中，與圖2中的標(biāo)示相同者表示為相同的構(gòu)件或信號(hào)。值得注意 的是，在此例中，參考用的電源電壓0VSS為接地電位。而如圖9所示，每一像素948中的晶 體管皆是以N型晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)，例如是皆以N型薄膜晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)。此外，關(guān)于掃描驅(qū)動(dòng)電 路910的部份，標(biāo)示EMn表示為第n列像素948所需的致能信號(hào)。而Gn表示為第n列像素 948所需的掃描信號(hào)。至于XGn，其表示為第n列像素948所需的掃描信號(hào)Gn的反相信號(hào)。 其中，n為自然數(shù)。以上所述構(gòu)件的詳細(xì)連接關(guān)系已在圖9中展示，在此便不再贅述。上述的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路920用以提供各像素948所需的顯示數(shù)據(jù)。至于上述的掃描 驅(qū)動(dòng)電路910，其可依照?qǐng)D3所示的信號(hào)時(shí)序來(lái)驅(qū)動(dòng)每一列像素948。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D9與圖 3，以顯示面板940中所描繪的第n列像素948為例，掃描驅(qū)動(dòng)電路910在預(yù)充電期間P中， 會(huì)使掃描信號(hào)Gn與致能信號(hào)EMn皆為高準(zhǔn)位，并使掃描信號(hào)Gn的反相信號(hào)XGn為低準(zhǔn)位。 而掃描驅(qū)動(dòng)電路910在寫(xiě)入期間W中，會(huì)使掃描信號(hào)Gn為高準(zhǔn)位，并使掃描信號(hào)Gn的反相 信號(hào)XGn與致能信號(hào)EMn皆為低準(zhǔn)位。此外，掃描驅(qū)動(dòng)電路910在發(fā)光期間E中，會(huì)使掃描 信號(hào)Gn為低準(zhǔn)位，并使掃描信號(hào)Gn的反相信號(hào)XGn與致能信號(hào)EMn皆為高準(zhǔn)位。由于顯示面板940采用圖2的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路200所示的電路架構(gòu)，因 此各像素948的亮度得以一致，且每個(gè)像素948因有機(jī)發(fā)光二極管老化而出現(xiàn)亮度降低的 現(xiàn)象可以得到補(bǔ)償，進(jìn)而改善因有機(jī)發(fā)光二極管老化所造成的烙痕現(xiàn)象。第五實(shí)施例通過(guò)第四實(shí)施例的教示，本領(lǐng)域具有通常知識(shí)者應(yīng)當(dāng)知道前述顯示面板940中的 每一像素948皆可改為采用圖7的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路700所示的電路架構(gòu)。如此一 來(lái)，有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置900便可省略所有的反相信號(hào)線(如標(biāo)示942-3所示)，且掃 描驅(qū)動(dòng)電路910也不需要具備可輸出掃描信號(hào)的反相信號(hào)的功能。第六實(shí)施例通過(guò)第四實(shí)施例的教示，本領(lǐng)域具有通常知識(shí)者應(yīng)當(dāng)知道前述顯示面板940中的 每一像素948皆可改為采用圖8的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路800所示的電路架構(gòu)。如此一 來(lái)，有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置900便可省略所有的掃描線(如標(biāo)示942-2所示)，且掃描驅(qū) 動(dòng)電路910也不需要具備可輸出掃描信號(hào)的功能。
通過(guò)第四實(shí)施例至第六實(shí)施例的教示，可以歸納出這些實(shí)施例中的掃描驅(qū)動(dòng)電路 910導(dǎo)通各像素948的晶體管202、204、208與214的規(guī)則。也就是說(shuō)，無(wú)論晶體管202、204、 208與214是以N型晶體管還是以P型晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)，這四個(gè)晶體管的導(dǎo)通時(shí)序都必須符合 這樣的規(guī)則。以顯示面板940中所描繪的第n列像素948為例掃描驅(qū)動(dòng)電路910用以在 預(yù)充電期間P中控制此列每一像素948的晶體管202、204與208導(dǎo)通，并控制此列每一像素 948的晶體管214關(guān)閉。掃描驅(qū)動(dòng)電路910還用以在寫(xiě)入期間W中控制此列每一像素948 的晶體管202與204導(dǎo)通，并控制此列每一像素948的晶體管208與214關(guān)閉。此外，掃描 驅(qū)動(dòng)電路910亦用以在發(fā)光期間E中控制此列每一像素948的晶體管202與204關(guān)閉，并 控制此列每一像素948的晶體管208與214導(dǎo)通。其中，寫(xiě)入期間W在預(yù)充電期間P之后， 而發(fā)光期間E在寫(xiě)入期間W之后。綜上所述，本發(fā)明乃是采用五個(gè)晶體管、一個(gè)電容與一個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管來(lái)制作 有機(jī)發(fā)光二極管像素電路。透過(guò)上述這些構(gòu)件的特殊耦接關(guān)系以及各晶體管的特定導(dǎo)通時(shí) 序所產(chǎn)生的電路特性，會(huì)使得通過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管的電流大小與驅(qū)動(dòng)晶體管的臨界電壓無(wú) 關(guān)，且通過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管的電流大小會(huì)與有機(jī)發(fā)光二極管本身的跨壓成正比。因此，有機(jī) 發(fā)光二極管的亮度與驅(qū)動(dòng)晶體管的臨界電壓無(wú)關(guān)，因而能使得各像素的亮度一致。此外，即 便有機(jī)發(fā)光二極管老化而使得有機(jī)發(fā)光二極管的跨壓上升，通過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管的電流大 小也會(huì)隨著跨壓的上升程度而提高。換句話說(shuō)，通過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管的電流大小會(huì)隨著有 機(jī)發(fā)光二極管的老化程度而提高。因此，每個(gè)像素因有機(jī)發(fā)光二極管老化而出現(xiàn)亮度降低 的現(xiàn)象便可以通過(guò)上述電流大小的提高而得到補(bǔ)償，進(jìn)而能改善因有機(jī)發(fā)光二極管老化所 造成的烙痕現(xiàn)象。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技 術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍 當(dāng)視權(quán)利要求范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種有機(jī)發(fā)光二極管像素電路，其特征在于，所述的像素電路包括一第一晶體管，具有一第一柵極、一第一源/漏極與一第二源/漏極，所述的第一源/漏極適用于接收一顯示數(shù)據(jù)；一電容，具有一第一端與一第二端，所述的第一端耦接所述的第二源/漏極；一第二晶體管，具有一第二柵極、一第三源/漏極與一第四源/漏極，所述的第二柵極耦接所述的電容的所述的第二端；一第三晶體管，具有一第三柵極、一第五源/漏極與一第六源/漏極，所述的第五源/漏極耦接所述的第二柵極，所述的第六源/漏極耦接所述的第三源/漏極；一第四晶體管，具有一第四柵極、一第七源/漏極與一第八源/漏極，所述的第七源/漏極耦接所述的第二源/漏極，所述的第八源/漏極耦接所述的第三源/漏極；一第五晶體管，具有一第五柵極、一第九源/漏極與一第十源/漏極，所述的第九源/漏極耦接一第一電源電壓，所述的第十源/漏極耦接所述的第三源/漏極；以及一有機(jī)發(fā)光二極管，其陽(yáng)極與陰極分別耦接所述的第四源/漏極與一第二電源電壓，所述的第二電源電壓小于所述的第一電源電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路，其特征在于，其中在一預(yù)充電期間 中，所述的第一晶體管、所述的第三晶體管與所述的第五晶體管各自依據(jù)其柵極信號(hào)而呈 現(xiàn)導(dǎo)通，而所述的第四晶體管則依據(jù)其柵極信號(hào)而呈現(xiàn)關(guān)閉，在一寫(xiě)入期間中，所述的第一 晶體管與所述的第三晶體管各自依據(jù)其柵極信號(hào)而呈現(xiàn)導(dǎo)通，而所述的第四晶體管與所述 的第五晶體管則各自依據(jù)其柵極信號(hào)而呈現(xiàn)關(guān)閉，在一發(fā)光期間中，所述的第一晶體管與 所述的第三晶體管各自依據(jù)其柵極信號(hào)而呈現(xiàn)關(guān)閉，而所述的第四晶體管與所述的第五晶 體管則各自依據(jù)其柵極信號(hào)而呈現(xiàn)導(dǎo)通，其中所述的寫(xiě)入期間在所述的預(yù)充電期間之后， 而所述的發(fā)光期間在所述的寫(xiě)入期間之后。
3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路，其特征在于，其中所述的第一晶體 管、所述的第二晶體管、所述的第三晶體管、所述的第四晶體管與所述的第五晶體管皆以一 N型晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)，且所述的第一柵極與所述的第三柵極皆耦接一掃描信號(hào)，所述的第四柵 極耦接所述的掃描信號(hào)的反相信號(hào)，而所述的第五柵極耦接一致能信號(hào)，其中在所述的預(yù) 充電期間中，所述的掃描信號(hào)與所述的致能信號(hào)皆為高準(zhǔn)位，而所述的掃描信號(hào)的反相信 號(hào)為低準(zhǔn)位，在所述的寫(xiě)入期間中，所述的掃描信號(hào)為高準(zhǔn)位，而所述的掃描信號(hào)的反相信 號(hào)與所述的致能信號(hào)皆為低準(zhǔn)位，在所述的發(fā)光期間中，所述的掃描信號(hào)為低準(zhǔn)位，而所述 的掃描信號(hào)的反相信號(hào)與所述的致能信號(hào)皆為高準(zhǔn)位。
4.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路，其特征在于，其中所述的第一晶體 管、所述的第二晶體管、所述的第三晶體管與所述的第五晶體管皆以一 N型晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)， 而所述的第四晶體管則以一 P型晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)，且所述的第一柵極、所述的第三柵極與所 述的第四柵極皆耦接一掃描信號(hào)，而所述的第五柵極耦接一致能信號(hào)，其中在所述的預(yù)充 電期間中，所述的掃描信號(hào)與所述的致能信號(hào)皆為高準(zhǔn)位，在所述的寫(xiě)入期間中，所述的掃 描信號(hào)為高準(zhǔn)位，而所述的致能信號(hào)為低準(zhǔn)位，在所述的發(fā)光期間中，所述的掃描信號(hào)為低 準(zhǔn)位，而所述的致能信號(hào)為高準(zhǔn)位。
5.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路，其特征在于，其中所述的第二晶體 管、所述的第四晶體管與所述的第五晶體管皆以一 N型晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)，而所述的第一晶體管與所述的第三晶體管則皆以一 P型晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)，且所述的第一柵極、所述的第三柵極 與所述的第四柵極皆耦接一掃描信號(hào)，而所述的第五柵極耦接一致能信號(hào)，其中在所述的 預(yù)充電期間中，所述的掃描信號(hào)為低準(zhǔn)位，而所述的致能信號(hào)為高準(zhǔn)位，在所述的寫(xiě)入期間 中，所述的掃描信號(hào)與所述的致能信號(hào)皆為低準(zhǔn)位，在所述的發(fā)光期間中，所述的掃描信號(hào) 與所述的致能信號(hào)皆為高準(zhǔn)位。
6.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路，其特征在于，其中所述的第一晶體 管、所述的第二晶體管、所述的第三晶體管、所述的第四晶體管與所述的第五晶體管皆以一 薄膜晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)。
7.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，所述的顯示裝置包括 一顯示面板，具有一像素電路，所述的像素電路包括一第一晶體管，具有一第一柵極、一第一源/漏極與一第二源/漏極，所述的第一源/ 漏極適用于接收一顯示數(shù)據(jù)；一電容，具有一第一端與一第二端，所述的第一端耦接所述的第二源/漏極； 一第二晶體管，具有一第二柵極、一第三源/漏極與一第四源/漏極，所述的第二柵極 耦接所述的電容的所述的第二端；一第三晶體管，具有一第三柵極、一第五源/漏極與一第六源/漏極，所述的第五源/ 漏極耦接所述的第二柵極，所述的第六源/漏極耦接所述的第三源/漏極；一第四晶體管，具有一第四柵極、一第七源/漏極與一第八源/漏極，所述的第七源/ 漏極耦接所述的第二源/漏極，所述的第八源/漏極耦接所述的第三源/漏極；一第五晶體管，具有一第五柵極、一第九源/漏極與一第十源/漏極，所述的第九源/ 漏極耦接一第一電源電壓，所述的第十源/漏極耦接所述的第三源/漏極；以及一有機(jī)發(fā)光二極管，其陽(yáng)極與陰極分別耦接所述的第四源/漏極與一第二電源電壓， 所述的第二電源電壓小于所述的第一電源電壓；一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，用以提供所述的顯示數(shù)據(jù)；以及一掃描驅(qū)動(dòng)電路，耦接所述的第一柵極、所述的第三柵極、所述的第四柵極與所述的第 五柵極，用以在一預(yù)充電期間中控制所述的第一晶體管、所述的第三晶體管與所述的第五 晶體管導(dǎo)通，并控制所述的第四晶體管關(guān)閉，且用以在一寫(xiě)入期間中控制所述的第一晶體 管與所述的第三晶體管導(dǎo)通，并控制所述的第四晶體管與所述的第五晶體管關(guān)閉，亦用以 在一發(fā)光期間中控制所述的第一晶體管與所述的第三晶體管關(guān)閉，并控制所述的第四晶體 管與所述的第五晶體管導(dǎo)通，其中所述的寫(xiě)入期間在所述的預(yù)充電期間之后，而所述的發(fā) 光期間在所述的寫(xiě)入期間之后。
8.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，其中所述的第一晶體 管、所述的第二晶體管、所述的第三晶體管、所述的第四晶體管與所述的第五晶體管皆以一 N型晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)，且所述的掃描驅(qū)動(dòng)電路提供一掃描信號(hào)至所述的第一柵極與所述的第 三柵極，并分別提供所述的掃描信號(hào)的反相信號(hào)與一致能信號(hào)至所述的第四柵極與所述的 第五柵極，其中在所述的預(yù)充電期間中，所述的掃描信號(hào)與所述的致能信號(hào)皆為高準(zhǔn)位，而 所述的掃描信號(hào)的反相信號(hào)為低準(zhǔn)位，在所述的寫(xiě)入期間中，所述的掃描信號(hào)為高準(zhǔn)位，而 所述的掃描信號(hào)的反相信號(hào)與所述的致能信號(hào)皆為低準(zhǔn)位，在所述的發(fā)光期間中，所述的 掃描信號(hào)為低準(zhǔn)位，而所述的掃描信號(hào)的反相信號(hào)與所述的致能信號(hào)皆為高準(zhǔn)位。
9.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，其中所述的第一晶體 管、所述的第二晶體管、所述的第三晶體管與所述的第五晶體管皆以一 N型晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)， 而所述的第四晶體管則以一 P型晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)，且所述的掃描驅(qū)動(dòng)電路提供一掃描信號(hào)至 所述的第一柵極、所述的第三柵極與所述的第四柵極，并提供一致能信號(hào)至所述的第五柵 極，其中在所述的預(yù)充電期間中，所述的掃描信號(hào)與所述的致能信號(hào)皆為高準(zhǔn)位，在所述的 寫(xiě)入期間中，所述的掃描信號(hào)為高準(zhǔn)位，而所述的致能信號(hào)為低準(zhǔn)位，在所述的發(fā)光期間 中，所述的掃描信號(hào)為低準(zhǔn)位，而所述的致能信號(hào)為高準(zhǔn)位。
10.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，其中所述的第二晶體 管、所述的第四晶體管與所述的第五晶體管皆以一 N型晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)，而所述的第一晶體 管與所述的第三晶體管則皆以一 P型晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)，且所述的掃描驅(qū)動(dòng)電路提供一掃描信 號(hào)至所述的第一柵極、所述的第三柵極與所述的第四柵極，并提供一致能信號(hào)至所述的第 五柵極，其中在所述的預(yù)充電期間中，所述的掃描信號(hào)為低準(zhǔn)位，而所述的致能信號(hào)為高準(zhǔn) 位，在所述的寫(xiě)入期間中，所述的掃描信號(hào)與所述的致能信號(hào)皆為低準(zhǔn)位，在所述的發(fā)光期 間中，所述的掃描信號(hào)與所述的致能信號(hào)皆為高準(zhǔn)位。
11.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，其中所述的第一晶體 管、所述的第二晶體管、所述的第三晶體管、所述的第四晶體管與所述的第五晶體管皆以一 薄膜晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其有機(jī)發(fā)光二極管像素電路。此像素電路包括第一至第五晶體管、電容與有機(jī)發(fā)光二極管。第一晶體管的其中一源/漏極適用于接收顯示數(shù)據(jù)，另一源/漏極耦接第四晶體管的其中一源/漏極，并透過(guò)電容耦接第二晶體管的柵極與第三晶體管的其中一源/漏極。第二晶體管的其中一源/漏極耦接第三晶體管與第四晶體管的另一源/漏極，并耦接第五晶體管的其中一源/漏極。第五晶體管的另一源/漏極耦接第一電源電壓。有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極與陰極分別耦接第二晶體管的另一源/漏極與第二電源電壓。第二電源電壓小于第一電源電壓。
文檔編號(hào)G09F9/33GK101859542SQ201010177790
公開(kāi)日2010年10月13日 申請(qǐng)日期2010年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月11日
發(fā)明者吳元均, 蔡軒名 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司