專利名稱：半導體裝置的驅動方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體裝置、顯示裝置或發(fā)光裝置、或者它們的驅動方法。
背景技術：
近年來，液晶顯示器(IXD)等平面顯示器逐漸廣泛地普遍。然而，IXD有小視角、小 色度范圍及低響應速度等各種缺點。因此，作為克服這些缺點的顯示器，正在對有機EL(也 稱為電致發(fā)光、有機發(fā)光二極管、OLED等)顯示器積極進行研究開發(fā)(專利文獻1)。然而，有機EL顯示器具有用來控制流過有機EL元件的電流的晶體管的電流特性 根據(jù)每個像素而不均勻的問題。若流過有機EL元件的電流(S卩，流過晶體管的電流)不均 勻，則有機EL元件的亮度也不均勻，這導致顯示畫面不均勻。因此，正在研討校正晶體管的 閾值電壓不均勻的方法(專利文獻2至6)。但是，即使校正晶體管的閾值電壓不均勻，在晶體管的遷移率不均勻時流過有機 EL元件的電流也不均勻，從而發(fā)生圖像不均勻。因此，正在研討除了校正晶體管的閾值電壓 不均勻以外還校正遷移率不均勻的方法(專利文獻7至8)。專利文獻1 日本特開2003-216110號公報專利文獻2 日本特開2003-202833號公報專利文獻3 日本特開2005-31630號公報專利文獻4 日本特開2005-345722號公報專利文獻5 日本特開2007-148129號公報專利文獻6 國際公開第2006/060902號公報專利文獻7 日本特開2007-148128號公報(第98段落)專利文獻8 日本特開2007-310311號公報(第26段落)在專利文獻7至8所公開的技術中，一邊將影像信號(視頻信號)輸入像素中，一 邊校正晶體管的遷移率不均勻。因此，產(chǎn)生問題。例如，由于一邊輸入影像信號，一邊校正遷移率不均勻，所以在這期間內(nèi)不能將影 像信號輸入其他像素中。通常，如果決定了像素數(shù)、幀頻率或畫面尺寸等，則將影像信號輸 入各像素中的期間(所謂的一個柵極(gate)選擇期間或一個水平期間)的最大值也被決 定。因此，通過在一個柵極選擇期間內(nèi)增加校正遷移率不均勻的期間，從而減少其他處理 (輸入影像信號或者獲得閾值電壓等)的期間。因而，在像素中，需要在一個柵極選擇期間 內(nèi)進行各種處理。其結果，處理期間不足，不能進行準確的處理，或者，由于不能充分確保校 正遷移率不均勻的期間所以不能充分校正遷移率。再者，若像素數(shù)或幀頻率變高，或者畫面尺寸變大，則每個像素的一個柵極選擇期 間進一步縮短。因此，不能充分確保用來對像素輸入影像信號的時間、用來對遷移率不均勻 進行校正的時間等?；蛘撸谝贿呡斎胗跋裥盘?，一邊校正遷移率不均勻的情況下，在校正遷移率不均 勻時容易受到影像信號的波形失真的影響。因此，校正遷移率的程度根據(jù)影像信號的波形失真的大小而不均勻，不能進行準確的校正?；蛘?，在一邊將影像信號輸入像素中，一邊校正遷移率不均勻的情況下，在很多情 況下難以進行點順序驅動。在點順序驅動中，當將影像信號輸入某一行像素中時，將影像信 號依次輸入每個像素中，而不是將影像信號同時輸入該行的所有像素中。因此，輸入影像信 號的期間的長短根據(jù)每個像素而不同。從而，在一邊輸入影像信號，一邊校正遷移率不均勻 的情況下，校正遷移率不均勻的期間根據(jù)每個像素而不同，所以校正量也根據(jù)每個像素而 不同，這導致不能正常校正。因此，在一邊輸入影像信號，一邊校正遷移率不均勻的情況下， 需要進行將信號同時輸入其行的所有像素中的線順序驅動，而不是進行點順序驅動。再者，與進行點順序驅動的情況相比，在進行線順序驅動的情況下，源極信號線驅 動電路(也稱為視頻信號線驅動電路、源極驅動器或數(shù)據(jù)驅動器)的結構復雜。例如，在 很多情況下，當進行線順序驅動時的源極信號線驅動電路需要DA轉換器、模擬緩沖器、鎖 存器電路等電路。但是，模擬緩沖器在很多情況下由運算放大器、源極跟隨電路等構成，并 且容易受到晶體管的電流特性不均勻的影響。從而，在使用TFT(薄膜晶體管)構成電路 的情況下，需要有對晶體管的電流特性不均勻進行校正的電路，導致電路規(guī)模變大，或者功 耗變大。因此，在使用TFT作為像素部分的晶體管的情況下，有可能難以在同一個襯底上 形成像素部分和信號線驅動電路。因而，需要使用與像素部分不同的方法形成信號線驅 動電路，所以有可能導致成本增高。再者，需要使用COG (chip on glass 玻璃上芯片)或 TAB(tapeautomated bonding 帶式自動接合)等來連接像素部分和信號線驅動電路，導致 發(fā)生接觸不良等，或降低可靠性。

發(fā)明內(nèi)容
于是，本發(fā)明的一個方式的目的在于減少晶體管的閾值電壓不均勻的影響?；蛘?， 本發(fā)明的一個方式的目的在于減少晶體管的遷移率不均勻的影響?；蛘?，本發(fā)明的一個方 式的目的在于減少晶體管的電流特性不均勻的影響?；蛘撸景l(fā)明的一個方式的目的在于 確保長的影像信號輸入期間?；蛘撸景l(fā)明的一個方式的目的在于確保長的用來減少閾值 電壓不均勻的影響的校正期間。或者，本發(fā)明的一個方式的目的在于確保長的用來減少遷 移率不均勻的影響的校正期間?；蛘?，本發(fā)明的一個方式的目的在于不容易受到影像信號 的波形失真的影響?；蛘?，本發(fā)明的一個方式的目的在于除了可以使用線順序驅動以外，還 可以使用點順序驅動?；蛘撸景l(fā)明的一個方式的目的在于將像素和驅動電路形成在同一 個襯底上。或者，本發(fā)明的一個方式的目的在于降低功耗?；蛘?，本發(fā)明的一個方式的目的 在于降低制造成本?；蛘?，本發(fā)明的一個方式的目的在于降低引起布線的連接部分的接觸 不良的可能性。此外，這些目的的記載不妨礙其他目的的存在。此外，本發(fā)明的一個方式不 需要解決所有的上述目的。本發(fā)明的一個方式是半導體裝置的驅動方法，該半導體裝置包括具有η溝道型 的導電性的晶體管；用來控制晶體管的柵極和晶體管的第一端子之間的導通狀態(tài)的開關； 電連接到晶體管的柵極和晶體管的第二端子之間的電容元件；以及顯示元件，其中，所述驅 動方法包括將與晶體管的閾值電壓相應的電壓及影像信號電壓之和保持在電容元件中的 第一期間；通過使開關成為導通狀態(tài)，使相應于影像信號電壓及閾值電壓之和而保持在電 容元件中的電荷經(jīng)過晶體管放電的第二期間；以及在第二期間后經(jīng)過晶體管將電流供應到顯示元件的第三期間。本發(fā)明的一個方式是半導體裝置的驅動方法，該半導體裝置包括具有η溝道型 的導電性的晶體管；用來控制晶體管的柵極和晶體管的第一端子之間的導通狀態(tài)的開關； 電連接到晶體管的柵極和晶體管的第二端子之間的電容元件；以及顯示元件，其中，所述驅 動方法包括將與晶體管的閾值電壓相應的電壓保持在電容元件中的第一期間；將與晶體 管的閾值電壓相應的電壓及影像信號電壓之和保持在電容元件中的第二期間；通過使開關 成為導通狀態(tài)，使相應于影像信號電壓及閾值電壓之和而保持在電容元件中的電荷經(jīng)過晶 體管放電的 第三期間；以及在第三期間后經(jīng)過晶體管將電流供應到顯示元件的第四期間。本發(fā)明的一個方式是半導體裝置的驅動方法，該半導體裝置包括具有η溝道型 的導電性的晶體管；用來控制晶體管的柵極和晶體管的第一端子之間的導電狀態(tài)的開關； 電連接到晶體管的柵極和晶體管的第二端子之間的電容元件；以及顯示元件，其中，所述驅 動方法包括用來使保持在電容元件中的電壓初始化的第一期間；將與晶體管的閾值電壓 相應的電壓保持在電容元件中的第二期間；將與晶體管的閾值電壓相應的電壓及影像信號 電壓之和保持在電容元件中的第三期間；通過使開關成為導通狀態(tài)，使相應于影像信號電 壓及閾值電壓之和而保持在電容元件中的電荷經(jīng)過晶體管放電的第四期間；以及在第四期 間后經(jīng)過晶體管將電流供應到顯示元件的第五期間。另外，可以使用各種方式的開關，例如有電開關或機械開關等。換言之，開關只要 可以控制電流的流動就可以，而不局限于特定的開關。例如，作為開關，可以使用晶體管 (例如，雙極晶體管、MOS晶體管等)、二極管(例如，PN 二極管、PIN 二極管、肖特基二極 管、MIM(Metal Insulator Metal 金屬-絕緣體-金屬)二極管、MIS (Metal Insulator Semiconductor 金屬-絕緣體-半導體)二極管、二極管連接的晶體管等)等。或者，可以 使用組合了它們的邏輯電路作為開關。作為機械開關的例子，有如數(shù)字微鏡裝置(DMD)的利用MEMS(微電子機械系統(tǒng)) 技術的開關。該開關具有以機械方式可動的電極，并且通過使該電極移動來控制導通和不 導通從而工作。另外，也可以通過使用N溝道型晶體管和P溝道型晶體管雙方來形成CMOS型開 關，并且將該CMOS型開關用作開關。此外，明確地記載“A和B連接”的情況包括如下情況A和B電連接；A和B以功 能方式連接；以及A和B直接連接。在此，以A和B為對象物(例如，裝置、元件、電路、布 線、電極、端子、導電膜、層等)。因此，還包括附圖或文章所示的連接關系以外的連接關系， 而不局限于預定的連接關系例如附圖或文章所示的連接關系。例如，在A和B電連接的情況下，也可以在A和B之間連接有一個以上的能夠電連 接A和B的元件(例如開關、晶體管、電容元件、電感器、電阻元件、二極管等)。或者，在A 和B以功能方式連接的情況下，也可以在A和B之間連接有一個以上的能夠以功能方式連 接A和B的電路(例如，邏輯電路(反相器、NAND電路、NOR電路等)、信號轉換電路(DA轉 換電路、AD轉換電路、伽馬校正電路等)、電位電平轉換電路(potential level converter circuit)(電源電路(升壓電路、降壓電路等)、改變信號的電位電平的電平轉移電路 等)、 電壓源、電流源、切換電路、放大電路(能夠增大信號振幅或電流量等的電路、運算放大器、 差動放大電路、源極跟隨電路、緩沖電路等)、信號產(chǎn)生電路、存儲電路、控制電路等)。例如，在從A中輸出的信號被傳達到B的情況下，即使在A和B之間夾有別的電路，也可以說 A和B以功能方式連接。此外，當明確地記載“A和B電連接”時，包括如下情況A和B電連接(就是說，A 和B連接并在之間夾有其它元件或其它電路)；A和B以功能方式連接(就是說，A和B以 功能方式連接并在之間夾有其它電路)；以及A和B直接連接(就是說，A和B連接而之間 不夾有其它元件或其它電路)。就是說，明確地記載“電連接”的情況與只明確地記載“連 接”的情況相同。此外，顯示元件、作為具有顯示元件的裝置的顯示裝置、發(fā)光元件、以及作為具有發(fā)光元件的裝置的發(fā)光裝置可以采用各種方式、各種元件。例如，顯示元件、顯示裝置、發(fā)光 元件或發(fā)光裝置可以使用對比度、亮度、反射率、透過率等因電磁作用而變化的顯示介質如 EL(電致發(fā)光)元件(包含有機物及無機物的EL元件、有機EL元件、無機EL元件)、LED(白 色LED、紅色LED、綠色LED、藍色LED等)、晶體管(根據(jù)電流而發(fā)光的晶體管)、電子發(fā)射元 件、液晶元件、電子墨水、電泳元件、光柵閥(GLV)、等離子體顯示器面板(PDP)、數(shù)字微鏡裝 置(DMD)、壓電陶瓷顯示器、碳納米管等。此外，作為使用EL元件的顯示裝置，可以舉出EL 顯示器，作為使用電子發(fā)射元件的顯示裝置，可以舉出場致發(fā)光顯示器(FED)或SED方式 平面型顯示器(SED :Surface-conductionElectron-emitter Display (表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射 顯示器))等，作為使用液晶元件的顯示裝置，可以舉出液晶顯示器(透過型液晶顯示器、半 透過型液晶顯示器、反射型液晶顯示器、直觀型(direct-view)液晶顯示器、投射型液晶顯 示器)，并且作為使用電子墨水或電泳元件的顯示裝置，可以舉出電子紙。另外，液晶元件是由一對電極及液晶構成并且利用液晶的光學調制作用來控制 光的透過或不透過的元件。另外，液晶的光學調制作用由施加到液晶的電場(包括橫向 電場、縱向電場或傾斜方向電場)控制。另外，作為液晶元件，可以舉出向列液晶、膽甾 相(cholesteric)液晶、近晶相液晶、盤狀液晶、熱致液晶、溶致液晶、低分子液晶、高分 子液晶、高分子分散型液晶(PDLC)、鐵電液晶、反鐵電液晶、主鏈型液晶、側鏈型高分子 液晶、等離子體尋址液晶(PALC)、香蕉型液晶等。另外，作為液晶的驅動方式，可以使用 TN(TwistedNematic 扭轉向列)模式、STN(Super Twisted Nematic 超扭轉向列)模式、 IPS (In-Plane-Switching 平面內(nèi)切換)模式、FFS (FringeField Switching 邊緣場切換) 模式、MVA(Multi-domain VerticalAlignment 多象限垂直配向)模式、PVA(Patterned VerticalAlignment 垂直取向構型)模式、ASV(Advanced Super View 流動超視覺)模 式、ASM(Axially Symmetric aligned Micro-cell 軸對稱排列微胞)模式、OCB(Optically Compensated Birefringence 光學補償彎曲)模式、ECB(Electrically Controlled Birefringence 電控雙折射)模式、FLC(Ferroelectric Liquid Crystal ；鐵電性液晶) 模式、AFLC (AntiFerroelectric Liquid Crystal 反鐵電性液晶)模式、PDLC (Polymer Dispersed Liquid Crystal 聚合物分散液晶)模式、賓主模式(guest-host mode)、藍相 (Blue Phase)模式等。但是，不局限于此，作為液晶元件及其驅動方式，可以使用各種液晶 元件及其驅動方式。此外，作為晶體管，可以使用各種方式的晶體管。因此，對所使用的晶體管的種類 沒有限制。例如，可以使用具有以非晶硅、多晶硅、微晶(也稱為微晶體(microcrystal)、納 米晶體、半非晶)硅等為代表的非單晶半導體膜的薄膜晶體管(TFT)等。
此外，當制造多晶硅時，通過使用催化劑(鎳等)，進一步提高結晶性，而可以制造 電特性良好的晶體管。另外，當制造微晶硅時，通過使用催化劑(鎳等)，進一步提高結晶 性，而可以制造電特性良好的晶體管。但是，可以不使用催化劑(鎳等)而制造多晶硅或微
晶娃。另外，優(yōu)選在整個面板中將硅的結晶性提高到多晶或微晶等，但不局限于此。也可 以在面板的一部分區(qū)域中提高硅的結晶性?；蛘?，可以通過使用半導體襯底、SOI襯底等來形成晶體管。或者，可以使用具有ZnO、a-InGaZnO、SiGe, GaAs, IZO、ITO、SnO, TiO、 AlZnSnO(AZTO)等的化合物半導體或氧化物半導體的晶體管、進一步對這些化合物半導體 或氧化物半導體進行了薄膜化的薄膜晶體管等。此外，這些化合物半導體或氧化物半導體 不僅可以用于晶體管的溝道部分，而且還可以用于其它用途。例如，這些化合物半導體或氧 化物半導體可以用作電阻元件、像素電極、具有透光性的電極。再者，它們可以與晶體管同 時成膜或形成，從而可以降低成本?；蛘?，可以使用通過噴墨法或印刷法來形成的晶體管等。或者，也可以使用具有有機半導體或碳納米管的晶體管等。由此，可以在能夠彎曲 的襯底上形成晶體管。使用了這種襯底的半導體裝置對沖擊的耐受性高。再者，可以采用各種結構的晶體管。例如，可以使用MOS型晶體管、結型晶體管、雙 極晶體管等作為晶體管。此外，也可以在一個襯底上形成MOS型晶體管、雙極晶體管等。此外，可以使用各種晶體管。此外，晶體管可以通過使用各種襯底來形成。襯底的種類不局限于特定的襯底。 作為該襯底，例如可以使用單晶襯底(例如，硅襯底)、SOI襯底、玻璃襯底、石英襯底、塑料 襯底、金屬襯底、不銹鋼·鋼襯底、具有不銹鋼·鋼·箔的襯底、鎢襯底、具有鎢·箔的襯底、 撓性襯底等。作為玻璃襯底的一個例子，有鋇硼硅酸鹽玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃等。作為撓性 襯底的一個例子，有以聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜 (PES)為代表的塑料或丙烯酸樹脂等的具有撓性的合成樹脂等。此外，還有襯紙薄膜(聚 丙烯、聚酯、乙烯基、聚氟化乙烯、氯乙烯等)、包含纖維狀材料的紙、基材薄膜(聚酯、聚酰 胺、聚酰亞胺、無機蒸鍍薄膜、紙類等)?；蛘?，也可以通過使用某個襯底來形成晶體管，然 后將晶體管轉置到另外的襯底，在另外的襯底上配置晶體管。作為晶體管被轉置的襯底，可 以使用單晶襯底、SOI襯底、玻璃襯底、石英襯底、塑料襯底、紙襯底、玻璃紙襯底、石材襯底 (stone substrate)、木材襯底(wood substrate)、布襯底(cloth substrate)(包括天然 纖維(絲、棉、麻)、合成纖維(尼龍、聚氨酯、聚酯)或者再生纖維(醋酸鹽(acetate)、銅 銨(cupra)、人造絲(rayon)、再生聚酯)等)、皮革襯底、橡皮襯底、不銹鋼 鋼襯底、具有不 銹鋼 鋼·箔的襯底等?；蛘撸部梢允褂萌说葎游锏钠つw(表皮、真皮)或者皮下組織作 為襯底。或者，也可以通過使用某種襯底來形成晶體管，并且對該襯底進行拋光，以使其變 薄。作為受到拋光的襯底，可以使用單晶襯底、SOI襯底、玻璃襯底、石英襯底、塑料襯底、不 銹鋼·鋼襯底、具有不銹鋼·鋼·箔的襯底等。通過使用這些襯底，可以謀求實現(xiàn)特性良好 的晶體管的形成、功耗低的晶體管的形成、不容易變壞的裝置的制造、耐熱性的給予、輕量 化、或者薄型化。
此外，作為晶體管的結構，可以采用各種方式，而不局限于特定的結構。例如，可以 應用具有兩個以上的柵電極的多柵極結構。作為另外的例子，可以應用在溝道上下配置有柵電極的結構。此外，通過采用在溝 道上下配置有柵電極的結構，實現(xiàn)像多個晶體管并聯(lián)地連接那樣的結構。也可以應用柵電極配置在溝道區(qū)之上的結構、柵電極配置在溝道區(qū)之下的結構、 正交錯結構、反交錯結構、將溝道區(qū)分割成多個區(qū)域的結構、溝道區(qū)并聯(lián)地連接的結構、或 者溝道區(qū)串聯(lián)地連接的結構。另外，還可以應用溝道區(qū)(或其一部分)與源電極或漏電極 重疊的結構。此外，作為晶體管，可以采用各種各樣的類型，并可以使用各種襯底形成。因此， 也可以將實現(xiàn)預定功能所需的所有電路形成在同一襯底上。例如，也可以通過使用各種襯 底如玻璃襯底、塑料襯底、單晶襯底或SOI襯底等，來形成實現(xiàn)預定功能所需的所有電路。 或者，也可以在某各個襯底上形成有實現(xiàn)預定功能所需的電路的一部分，并且在另外的襯 底上形成有實現(xiàn)預定功能所需的電路的另一部分。就是說，也可以不是使用同一個襯底來 形成實現(xiàn)預定功能所需的所有電路。例如，也可以將實現(xiàn)預定功能所需的電路的一部分利 用晶體管而形成在玻璃襯底上，并將實現(xiàn)預定功能所需的電路的另一部分形成在單晶襯底 上，并且通過COG (chip on glass:玻璃上芯片)將由利用單晶襯底來形成的晶體管構成 的IC芯片連接到玻璃襯底，從而將該IC芯片配置在玻璃襯底上?；蛘?，也可以通過使用 TAB(TapeAutomated Bonding ；帶式自動接合)或印刷電路板將該IC芯片連接到玻璃襯底。此外，晶體管是指包含柵極、漏極以及源極的至少具有三個端子的元件，它在漏區(qū) 和源區(qū)之間具有溝道區(qū)，并且可以使電流通過漏區(qū)、溝道區(qū)以及源區(qū)流動。這里，源極和漏 極根據(jù)晶體管的結構或工作條件等而改變，因此不容易說哪個是源極或漏極。因此，有時將 用作源極及漏極的區(qū)域不稱為源極或漏極。在此情況下，作為一個例子，有時將它們分別記 為第一端子和第二端子。或者，有時將它們分別記為第一電極和第二電極?；蛘?，有時將它 們分別記為第一區(qū)域和第二區(qū)域。此外，晶體管也可以是包含基極、發(fā)射極和集電極的至少具有三個端子的元件。在 此情況下，也同樣地有時將發(fā)射極和集電極分別記為第一端子、第二端子等。此外，明確地記載“B形成在A之上”或“B形成在A上”的情況不局限于B直接接 觸地形成在A之上的情況。還包括不直接接觸的情況，即包括在A和B之間夾有另外的對 象物的情況。這里，A和B為對象物(如裝置、元件、電路、布線、電極、端子、導電膜、層等)。因此，例如，明確地記載“層B形成在層A之上(或層A上)”的情況包括如下兩種 情況層B直接接觸地形成在層A之上的情況；以及其他層(例如層C或層D等)直接接觸 地形成在層A之上，并在其上直接接觸地形成層B。此外，其他層(例如層C或層D等)可 以是單層或疊層。再者，明確地記載“B形成在A的上方”的情況也是同樣的，不局限于B直接接觸地形成在A之上的情況，還包括在A和B之間夾有另外的對象物的情況。因此，例如，“層B形 成在層A的上方”包括如下兩種情況層B直接接觸地形成在層A之上；以及其他層(例如 層C或層D等)直接接觸地形成在層A之上，并在其上直接接觸地形成層B。此外，其他層 (例如層C或層D等)可以是單層或疊層。另外，在明確地記載“B形成在A之上、B形成在A上、或者B形成在A的上方”的情況下，還包括B形成在傾斜上/上方的情況。此外，“B形成在A之下、或者B形成在A的下方”的情況也是同樣的。此外，明確地記載為單數(shù)的優(yōu)選為單數(shù)。但是，不局限于此，也可以為復數(shù)。與此 同樣，明確地記載為復數(shù)的優(yōu)選為復數(shù)。但是，不局限于此，也可以為單數(shù)。
此外，在附圖中，有時為了清楚起見而夸大尺寸、層的厚度或區(qū)域。因此，并不一定 局限于該尺度(scale)。再者，附圖是以示意的方式示出了理想的例子，并不局限于附圖所示的形狀或數(shù) 值等。例如，可以包括制造技術所致的形狀不均勻；誤差所致的形狀不均勻；噪音所致的 信號、電壓或電流的不均勻；或者定時偏差(difference in timing)所致的信號、電壓或電 流的不均勻等。此外，專業(yè)用語在很多情況下被用來描述特定的實施方式、或者實施例等。但是， 發(fā)明的一個方式不應該以受到專業(yè)用語的限定的方式被解釋。此外，沒有定義的用語(包括專業(yè)用語、學術用語等科技用語)可以表示與本領域 技術人員所理解的一般意思相同的意思。由詞典等定義的用語優(yōu)選被解釋為不與有關技術 的背景產(chǎn)生矛盾的意思。此外，第一、第二、第三等的詞句用來與其它東西區(qū)別地描述各種因素、構件、區(qū) 域、層、地區(qū)。因此，第一、第二、第三等的詞句不限定因素、構件、區(qū)域、層、地區(qū)等個數(shù)。再 者，例如，可以使用“第二”或“第三”等來置換“第一”。此外，“上”、“上方”、“下”、“下方”、“橫”、“右”、“左”、“斜”、“里邊”、“前邊”、“內(nèi)”、
“外”或者“中”等表示空間配置的詞句在很多情況下用于根據(jù)附圖簡單地示出某個因素或 特征和其它因素或特征的關聯(lián)。但是，不局限于此，這些表示空間配置的詞句除了附圖所描 述的方向以外還可以包括其他方向。例如，明確地記載“在A之上B”的情況不局限于B存 在于A之上的情況。附圖中的裝置可以反轉或者轉動180°，所以還可以包括B存在于A之 下的情況。如此，“上”這詞句除了“上”這方向以外還可以包括“下”這方向。但是，不局限 于此，附圖中的裝置可以向各種方向轉動，所以“上”這詞句除了“上”及“下”這些方向以外 還可以包括“橫”、“右”、“左”、“斜”、“里邊”、“前邊”、“內(nèi)”、“外”或者“中”等其它方向。就 是說，可以根據(jù)狀況而適當?shù)剡M行解釋。本發(fā)明的一個方式可以減少晶體管的閾值電壓不均勻的影響?；蛘?，本發(fā)明的一 個方式可以減少晶體管的遷移率不均勻的影響。或者，本發(fā)明的一個方式可以減少晶體管 的電流特性不均勻的影響?；蛘?，本發(fā)明的一個方式可以確保長的影像信號輸入期間。或 者，本發(fā)明的一個方式可以確保長的用來減少閾值電壓不均勻的影響的校正期間?；蛘撸?發(fā)明的一個方式可以確保長的用來減少遷移率不均勻的影響的校正期間?；蛘撸景l(fā)明的 一個方式可以不容易受到影像信號的波形失真的影響?；蛘撸景l(fā)明的一個方式除了可以 使用線順序驅動以外，還可以使用點順序驅動?；蛘撸景l(fā)明的一個方式可以將像素和驅動 電路形成在同一個襯底上?；蛘?，本發(fā)明的一個方式可以降低功耗?；蛘?，本發(fā)明的一個方 式可以降低成本。或者，本發(fā)明的一個方式可以減少布線的連接部分的接觸不良。


圖IA至IF是說明實施方式所示的電路或者驅動方法的圖2A至2D是說明實施方式所示的電路或者驅動方法的圖；圖3A和3B是說明實施方式所示的工作的圖；圖4A至4F是說明實施方式所示的電路或者驅動方法的圖；圖5A至5D是說明實施方式所示的電路或者驅動方法的圖；圖6A至6E是說明實施方式所示的電路或者驅動方法的圖；圖7A至7D是說明實施方式所示的電路或者驅動方法的圖；圖8A至8E是說明實施方式所示的電路或者驅動方法的圖；圖9A至9E是說明實施方式所示的電路或者驅動方法的圖；圖IOA至IOE是說明實施方式所示的電路或者驅動方法的圖；圖IlA至IlD是說明實施方式所示的電路或者驅動方法的圖；圖12A至12E是說明實施方式所示的電路或者驅動方法的圖；圖13A至13D是說明實施方式所示的電路或者驅動方法的圖；圖14A至14E是說明實施方式所示的電路或者驅動方法的圖；圖15A至15D是說明實施方式所示的電路或者驅動方法的圖；圖16A至16E是說明實施方式所示的電路或者驅動方法的圖；圖17A至17D是說明實施方式所示的電路或者驅動方法的圖；圖18A至18E是說明實施方式所示的電路或者驅動方法的圖；圖19是說明實施方式所示的電路或者驅動方法的圖；圖20A至20C是說明實施方式所示的驅動方法的截面圖；圖21A和21B是說明實施方式所示的方框圖的截面圖；圖22k至22E是說明實施方式所示的方框圖的截面圖；圖23A至23E是說明實施方式所示的晶體管的截面圖；圖24A至24C是說明實施方式所示的晶體管的截面圖；圖25A至25F是說明實施方式所示的電路或者驅動方法的圖；圖26A至26H是說明實施方式所示的電子設備的圖；圖27A至27H是說明實施方式所示的電子設備的圖。附圖標記說明101 晶體管；102 電容元件；103 布線；104 布線；105 顯示元件；106 布線；107 電路元件；108 布線；201 開關；202 開關；203 開關；204 開關；205 開關；206 布 線；207 開關；208 布線；301 開關；303 開關；305 開關；306 布線；307 開關；308 布 線；401 開關；403 開關；405 開關；406 布線；407 開關；408 布線；501 開關；503 開 關；505 開關；506 布線；507 開關；508 布線；601 開關；603 開關；605 開關；606 布 線；607 開關；608 布線；IOlA 晶體管；IOlB 晶體管；IOlM 晶體管；102A 電容元件； 102B:電容元件；102M:電容元件；103M:布線；104M 布線；105M 發(fā)光元件；106M 布線； 106N 布線；106P 布線；106Q 布線；201M 晶體管；202M 晶體管；203M 晶體管；204M 晶 體管；9630 框體；9631 顯示部；9632 顯示部；9633 揚聲器；9634 =LED燈；9635 操作 鍵；9636 連接端子；9637 傳感器；9638 麥克風；9670 開關；9671 紅外端口 ；9672 記錄 媒體讀取部；9673 支撐部；9674 耳機；9675 天線；9676 快門按鈕；9677 圖像接收部； 9678 充電器；9679 支撐臺；9680 外部連接端口 ；9681 定位裝置；9682 讀取/寫入器；9730 框體；9731 顯示部；9732 遙控裝置；9733 揚聲器；9741 顯示面板；9742 浴室； 9761 顯示面板；9762 車體；9781 天花板；9782 顯示面板；9783 鉸鏈部；1200M 像素； 1200N 像素；1200P 像素；1200Q 像素；1201M 布線；1202M 布線；1203M 布線；1204M 布線；5121 圖像；5122 圖像；5123 圖像；5124 區(qū)域；5125 區(qū)域；5126 區(qū)域；5127 向 量；5128 圖像生成用向量；5129 區(qū)域；5130 物體；5131 區(qū)域；5260 襯底；5261 絕緣 層；5262 半導體層；5263 絕緣層；5264 導電層；5265 絕緣層；5266 導電層；5267 絕緣 層；5268 導電層；5269 絕緣層；5270 發(fā)光層；5271 導電層；5300 襯底；5301 導電層； 5302 絕緣層；5304 導電層；5305 絕緣層；5306 導電層；5307 液晶層；5308 導電層； 5350 區(qū)域；5351 區(qū)域；5352 半導體襯底；5353 區(qū)域；5354 絕緣層；5355 區(qū)域；5356 絕緣層；5357 導電層；5358 絕緣層；5359 導電層；5360 影像信號；5361 電路；5362 電路；5363 電路；5364 像素部；5365 電路；5366 照明裝置；5367 像素；5371 布線； 5372 布線；5373 布線；5380 襯底；5381 輸入端子；5420 襯底；5421 導電層；5422 導 電層；5423 絕緣層；5424 接觸孔；5425 氧化物半導體層；5429 導電層；5430 導電層； 5431 導電層；5432 絕緣層；5433 導電層；5434 導電層；5435 絕緣層；5436 氧化物半 導體層；5437 :導電層；5438 導電層；5439 :導電層；5440 導電層；5441 晶體管；5442 電容元件；5121a 圖像；5121b 圖像；5122a 圖像；5122b 圖像；5123a 圖像；5123b 圖 像；5262a 區(qū)域；5262b 區(qū)域；5262c 區(qū)域；5262d 區(qū)域；5262e 區(qū)域；5303a 半導體層； 5303b 半導體層；5361a 電路；5361b 電路；5362a 電路；5362b 電路；2501 電容元件； 2502 電容元件。
具體實施例方式下面，參照

本發(fā)明的實施方式。但是，實施方式可以通過多種不同的方式來實施，本領域技術人員可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內(nèi)容可以不脫離本 發(fā)明的宗旨及其范圍地被變換為各種各樣的形式。因此，本發(fā)明不應該被解釋為僅限定在 本實施方式所記載的內(nèi)容中。另外，在以下所說明的結構中，在不同的附圖之間使用同一附 圖標記來表示同一部分，而省略同一部分或具有同樣功能的部分的詳細說明。此外，在某一個實施方式中所描述的內(nèi)容(也可以是其一部分的內(nèi)容)對在該實 施方式中所描述的其它內(nèi)容(也可以是其一部分的內(nèi)容)及/或在一個或多個其它實施方 式中所描述的內(nèi)容(也可以是其一部分的內(nèi)容)可以進行應用、組合或者置換等。此外，在實施方式中所描述的內(nèi)容是指在各種實施方式中利用各種附圖而描述的 內(nèi)容、或者利用說明書所記載的文章而說明的內(nèi)容。此外，通過組合在某一個實施方式中所描述的附圖(也可以是其一部分)和該附 圖的其它部分、在該實施方式中所描述的其它附圖(也可以是其一部分)及/或在一個或 多個其它實施方式中所描述的附圖(也可以是其一部分)，可以構成更多的附圖。此外，可以在某一個實施方式中所描述的附圖或者文章中，取出其一部分而構成 發(fā)明的一個方式。從而，在記載有說明某一部分的附圖或者文章的情況下，取出其一部分的 附圖或者文章的內(nèi)容也是作為發(fā)明的一個方式而公開的內(nèi)容，能夠構成發(fā)明的一個方式。 因此，例如，可以在記載有一個或多個有源元件(晶體管、二極管等)、布線、無源元件(電 容元件、電阻元件等)、導電層、絕緣層、半導體層、有機材料、無機材料、部件、襯底、模塊、裝置、固體、液體、氣體、工作方法、制造方法等的附圖(截面圖、平面圖、電路圖、方框圖、流程圖、工序圖、立體圖、立面圖、布置圖、時序圖、結構圖、示意圖、曲線圖(graph)、表、光路圖、 向量圖、狀態(tài)圖、波形圖、照片、化學式等)或者文章中，取出其一部分而構成發(fā)明的一個方 式。作為一個例子，可以從通過具有N個(N是整數(shù))電路元件(晶體管、電容元件等)來 構成的電路圖取出M個(M是整數(shù)，M<N)電路元件(晶體管、電容元件等)，而構成發(fā)明的 一個方式。作為另一個例子，可以從通過具有N個(N是整數(shù))層來構成的截面圖取出M個 (M是整數(shù)，M<N)層，而構成發(fā)明的一個方式。作為另一個例子，可以從通過具有N個(N 是整數(shù))因素來構成的流程圖取出M個(M是整數(shù)，M<N)因素，而構成發(fā)明的一個方式。實施方式1圖IA至IF示出在對晶體管的遷移率等電流特性不均勻進行校正的情況下的驅動 方法、驅動定時(drive timing)以及此時的電路結構的一個例子。此外，在本實施方式中， 對晶體管的導電型為η溝道型的例子進行說明。圖IA示出對晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正的期間的電路結構。 此外，圖IA所示的電路結構是用來將晶體管的柵極所保持的電荷進行放電，以校正晶體管 101的遷移率等電流特性不均勻的電路結構，實際上，通過控制被設置在布線之間的多個開 關的接通或斷開，來實現(xiàn)該電路結構的連接關系。此外，在附圖中，實線表示元件之間的導 通狀態(tài)，而虛線表示元件之間的非導通狀態(tài)。在圖IA中，晶體管101的源極和漏極中的一方(以下，稱為第一端子)與電容元 件102的第一端子(或者，也稱為第一電極)及晶體管101的柵極處于導通狀態(tài)。晶體管 101的源極和漏極中的另一方(以下，稱為第二端子)與電容元件102的第二端子(或者， 也稱為第二電極)及晶體管101的柵極處于導通狀態(tài)。電容元件102的第一端子(或者第 一電極)與晶體管101的柵極及晶體管101的第一端子處于導通狀態(tài)。顯示元件105的第一端子(或者第一電極)與晶體管101的第二端子及電容元件 102的第二端子處于非導通狀態(tài)。優(yōu)選的是，晶體管101的第二端子及電容元件102的第二 端子以外的端子、布線或者電極與顯示元件105的第一端子(或者第一電極)處于非導通 狀態(tài)。優(yōu)選的是，顯示元件105的第二端子(或者第二電極)與布線106處于導通狀態(tài)。此外，也可以實現(xiàn)如下狀態(tài)顯示元件105的第一端子與晶體管101的第二端子不 成為非導通狀態(tài)，取而代之，布線106的電位變高且顯示元件105成為反偏壓狀態(tài)，由此，電 流幾乎不流過顯示元件105。布線104與晶體管101的第一端子處于非導通狀態(tài)。再者，布線104與電容元件 102的第一端子(或者第一電極)處于非導通狀態(tài)。此外，優(yōu)選的是，如圖IA所示，布線104 與晶體管101的第一端子和電容元件102的第一端子(或者第一電極)以外的端子、布線 或者電極也處于非導通狀態(tài)。此外，有時通過布線104對晶體管101或者電容元件102供應影像信號或者預定 電壓等。因此，布線104有時被稱為源極信號線、影像信號線或者視頻信號線等。此外，優(yōu)選的是，在成為圖IA所示的連接結構之前，即在校正晶體管101的遷移率 等電流特性不均勻之前，電容元件102保持與晶體管101的閾值電壓相應的電壓。并且，優(yōu) 選的是，將影像信號(視頻信號)通過布線104輸入到電容元件102中。因此，電容元件102 優(yōu)選保持與晶體管101的閾值電壓相應的電壓及影像信號電壓之和的電壓。因此，優(yōu)選的是，在圖IA之前的狀態(tài)下，即在校正晶體管101的遷移率等電流特性不均勻之前，布線104與晶體管101的漏極、源極、柵極、電容元件102的第一端子、第二端子等中的至少一個處于 導通狀態(tài)，而已進行影像信號的輸入工作。另外，優(yōu)選的是，利用電容元件102保持與晶體管101的閾值電壓相應的電壓及影 像信號電壓之和的電壓。電容元件102也可以只保持影像信號電壓而不保持與晶體管101 的閾值電壓相應的電壓。另外，在利用電容元件102保持了電壓的情況下，有因開關噪音等而導致電壓稍 微變動的可能性。但是，只要是不影響到實際工作的范圍，就可以容許或多或少的偏差。因 此，例如有如下情況當將與晶體管101的閾值電壓相應的電壓及影像信號電壓之和的電 壓輸入電容元件102中時，實際上電容元件102所保持的電壓和該輸入了的電壓不完全一 致，即因噪音等影響而導致稍微不同。但是，只要是不影響到實際工作的范圍，就可以容許 或多或少的偏差。下面，圖IB示出通過晶體管101對顯示元件105供應電流的期間的電路結構。此 夕卜，圖IB所示的電路結構是用來從晶體管101對顯示元件105供應電流的電路結構，實際 上，通過控制被設置在布線之間的多個開關的接通或斷開，來實現(xiàn)該電路結構的連接關系。晶體管101的第一端子與布線103處于導通狀態(tài)。晶體管101的第二端子與顯示 元件105的第一端子及電容元件102的第二端子處于導通狀態(tài)。晶體管101的第一端子與 晶體管101的柵極處于非導通狀態(tài)。電容元件102的第一端子與晶體管101的柵極處于導 通狀態(tài)。電容元件102的第二端子與晶體管101的第二端子及顯示元件105的第一端子處 于導通狀態(tài)。顯示元件105的第二端子與布線106處于導通狀態(tài)。布線104與晶體管101的第一端子處于非導通狀態(tài)。再者，布線104與電容元件 102的第一端子處于非導通狀態(tài)。此外，優(yōu)選的是，如圖IB所示，布線104與晶體管101的 第一端子及電容元件102的第一端子以外的端子、布線或者電極也處于非導通狀態(tài)。就是說，在對晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正的期間(圖1A)轉 移到通過晶體管101對顯示元件105供應電流的期間(圖1B)時，至少晶體管101的第一 端子與晶體管101的柵極的導通狀態(tài)及晶體管101的第二端子與顯示元件105的第一端子 的導通狀態(tài)發(fā)生變化，但是不局限于此，也可以是其他部分的導通狀態(tài)發(fā)生變化。并且，優(yōu) 選的是，以如上所述能夠控制導通狀態(tài)的方式配置開關、晶體管或者二極管等元件。并且， 使用該元件來控制導通狀態(tài)，可以實現(xiàn)像實現(xiàn)圖IA和圖IB所示的連接狀況那樣的電路結 構。因此，只要可以實現(xiàn)圖IA和圖IB所示的連接狀況，就可以自由地配置開關、晶體管或 者二極管等元件，對其個數(shù)或者連接結構也沒有限制。作為一個例子，如圖2A所示，將開關201的第一端子電連接到晶體管101的柵極 及電容元件102的第一端子，將開關201的第二端子電連接到晶體管101的第一端子。而 且，將開關202的第一端子電連接到晶體管101的第二端子及電容元件102的第二端子，將 開關202的第二端子電連接到顯示元件105的第一端子。而且，將開關203的第一端子電 連接到布線103，將開關203的第二端子電連接到開關201的第二端子及晶體管101的第一 端子。而且，將開關204的第一端子電連接到開關201的第一端子、晶體管101的柵極及電 容元件102的第一端子，將開關204的第二端子電連接到布線104。像這樣，通過配置四個 開關，可以實現(xiàn)像實現(xiàn)圖IA和圖IB所示的連接狀況那樣的電路結構。
圖2B、圖2C及圖2D示出與圖2A不同的例子。圖2B示出如下結構對圖2A還設 置開關205，控制與布線206的連接，以控制晶體管101的第二端子的電位。圖2C示出如下 結構對圖2A還設置開關207，控制與布線208的連接，以控制晶體管101的柵極的電位。 圖2D示出如下結構對圖2B還設置開關207，控制與布線208的連接，以控制晶體管101的 柵極電位及晶體管101的第二端子的電位。并且，例如通過改變布線206或者布線208的 電位，可以實現(xiàn)與圖IA或圖IB同樣的工作。并且，在還需要開關、晶體管等的情況下，適當 地進行配置。此外，雖然記載有“A與B處于導通狀態(tài)”，但是在此情況下，可以在A和B之間連 接有各種各樣的元件。例如，可以在A和B之間以串聯(lián)連接方式或并聯(lián)連接方式連接有電 阻元件、電容元件、晶體管、二極管等。與此同樣，雖然記載有“A與B處于非導通狀態(tài)”，但 是在此情況下，可以在A和B之間連接有各種各樣的元件。只要A與B成為非導通就可以， 所以，在其他部分中可以連接有各種各樣的元件。例如，可以以串聯(lián)連接方式或并聯(lián)連接方 式連接有電阻元件、電容元件、晶體管、二極管等元件。下面，說明工作方法。這里，雖然參照圖2A所示的電路進行說明，但是也可以將同 樣的工作方法使用于除此以外的電路。首先，如圖6A所示，進行初始化。這是將晶體管101的柵極 或漏極(或源極)的 電位設定為預定的電位的工作。由此，可以得到晶體管101導通的狀態(tài)?；蛘?，對電容元件 102供應預定的電壓。因此，電容元件102保持電荷。開關201、開關202、開關203處于導 通狀態(tài)，成為接通(ON)。優(yōu)選的是，開關204處于非導通狀態(tài)，成為斷開(OFF)。但是，不局 限于此。此外，優(yōu)選不使電流流過顯示元件105，因此優(yōu)選處于能夠實現(xiàn)此的狀態(tài)。因此，優(yōu) 選的是，開關201、開關202和開關203中的至少一個處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。此外，在圖6A至6E中，虛線箭頭是為了容易得知電荷活動而可見化來表示的。但 是，不局限于此，只要是像進行預定驅動那樣的電位關系等，就沒有問題。接著，如圖6B所示，獲得晶體管101的閾值電壓。開關201、開關203處于導通狀 態(tài)，而成為接通(ON)。開關202、開關204優(yōu)選處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。此時， 電容元件102具有在圖6A的期間儲存的電荷，因此該電荷被放電。因此，晶體管101的柵 極的電位從由在圖6A的期間所儲存的電荷所致的電位接近該電位加上晶體管101的閾值 電壓(正值)而得到的電位。就是說，晶體管101的柵極的電位接近高出與晶體管101的 閾值電壓的絕對值相應的量的電位。此時，晶體管101的柵極和源極之間的電壓接近晶體 管101的閾值電壓。通過這些工作，可以在電容元件102的兩端的電極之間獲得閾值電壓。此外，在這期間中對電容元件102的電荷進行放電的情況下，即使該期間有差異 也不會有大問題。這是因為如下緣故在經(jīng)過一定程度的時間后，幾乎完全地放電，因此即 使期間的長短不同，對工作的影響也小。因此，這種工作可以利用點順序方式來驅動，而不 利用線順序方式。因此，可以以簡單的結構實現(xiàn)驅動電路的結構。因此，在將圖2A所示的 電路設為一個像素時，該像素被配置為矩陣狀的像素部和對像素部供應信號的驅動電路部 雙方可以由同一種類的晶體管構成，或者可以形成在同一襯底上。但是不局限于此，也可以 采用線順序驅動或者將像素部和驅動電路部形成在不同的襯底上。接著，如圖6C所示，進行影像信號的輸入。開關202、開關204處于導通狀態(tài)，而 成為接通(0N)。開關201、開關203優(yōu)選處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。并且，從布線104供應影像信號。此時，電容元件102具有在圖6B的期間儲存的電荷，因此對該電荷還進行儲存。因此，晶體管101的柵極的電位從由布線104所供應的影像信號的電位接近 該電位加上晶體管101的閾值電壓(正值)而得到的電位。就是說，晶體管101的柵極的 電位接近比從布線104所供應的影像信號高出與晶體管101的閾值電壓的絕對值相應的量 的電位。根據(jù)圖6B和6C所示的工作，可以進行影像信號的輸入和閾值電壓的獲得。此外，如圖25A和25B所示，也可以采用將電容元件2501配置為與顯示元件105 電并聯(lián)的結構。就是說，如圖25A和25B所示，將電容元件2501的第一端子連接到顯示元 件105的第一端子，將電容元件2501的第二端子連接到顯示元件105的第二端子。此外， 圖25A是與圖IA同樣地表示在對晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正的期間 中的各布線及各元件之間的導通狀態(tài)、非導通狀態(tài)的圖，圖25B是與圖IB同樣地表示在通 過晶體管101對顯示元件105供應電流的期間中的各布線及各元件之間的導通狀態(tài)、非導 通狀態(tài)的圖。通過采用圖25A和25B所示的電路結構，可以接近將閾值電壓與影像信號電 壓相加而得到的電壓。接著，如圖6D所示，對晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正。這相當 于圖IA等的期間。并且，開關201處于導通狀態(tài)，而成為接通(ON)。開關202、開關203、開 關204優(yōu)選處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。通過得到這種狀態(tài)，電容元件102所儲存 的電荷通過晶體管101被放電。這樣，通過晶體管101稍微放電，從而可以減少晶體管101 的電流不均勻的影響。接著，如圖6E所示，通過晶體管101對顯示元件105供應電流。這相當于圖IB等 的期間。并且，開關202、開關203處于導通狀態(tài)，而成為接通(ON)。開關201、開關204優(yōu) 選處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。此時，晶體管101的柵極和源極之間的電壓是從和 閾值電壓相應的電壓與影像信號電壓之和的電壓減去和晶體管101的電流特性相應的電 壓而得到的電壓。因此，可以減少晶體管101的電流特性不均勻的影響，可以對顯示元件 105供應大小適當?shù)碾娏?。如圖6A至6E所示，在對晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正的期間 (圖1A)，減少晶體管101的遷移率等電流特性不均勻，所以在對顯示元件105供應電流的 期間(圖1B)，對顯示元件105供應的電流的不均勻也減少。其結果，顯示元件105的顯示 狀態(tài)的不均勻也減少，可以進行顯示質量高的顯示。另外，優(yōu)選在對晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正的期間(圖1A) 結束之后立即出現(xiàn)對顯示元件105供應電流的期間(圖1B)。這是因為如下緣故利用在 對顯示元件105供應電流的期間(圖1B)獲得的晶體管101的柵極電位(電容元件102所 保持的電荷)，在對顯示元件105供應電流的期間(圖1B)進行處理。但是，不局限于在對 晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正的期間(圖1A)結束之后立即出現(xiàn)對顯示 元件105供應電流的期間(圖1B)。在對晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正 的期間(圖1A)，電容元件102的電荷量發(fā)生變化，并且在期間結束時決定的電容元件102 的電荷量在對顯示元件105供應電流的期間(圖1B)變化不大的情況等下，也可以在對晶 體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正的期間(圖1A)和對顯示元件105供應電流 的期間(圖1B)之間設置進行另外的處理的期間。因此，優(yōu)選的是，在對晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正的期間結束的時刻保持在電容元件102中的電荷量、與在對顯示元件105供應電流的期間開始的時 刻保持在電容元件102中的電荷量大致相同。但是，有時雙方的電荷量因噪音等影響而稍 微不同。具體地說，雙方的電荷量的差優(yōu)選為10%以內(nèi)，更優(yōu)選為3%以內(nèi)。在電荷量的差 為3%以內(nèi)的情況下，當用人眼來看反映出該差的顯示元件時視覺上無法看出該差，因此是 更優(yōu)選的。于是，圖3A示出在對晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正的期間(圖1A)的電壓電流特性的變化狀態(tài)。在對晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正的 期間(圖1A)，保持在電容元件102中的電荷經(jīng)由晶體管101的源極和漏極之間進行放電。 其結果，保持在電容元件102中的電荷量減少，保持在電容元件102中的電壓也減少。因 此，晶體管101的柵極和源極之間的電壓的絕對值也減少。由于保存在電容元件102中的 電荷經(jīng)由晶體管101進行放電，所以電荷的放電量取決于晶體管101的電流特性。就是說， 晶體管101的遷移率越高，越多的電荷被放電?；蛘撸w管101的溝道寬度W和溝道長度 L的比(W/L)越大，越多的電荷被放電?；蛘撸w管101的柵極和源極之間的電壓的絕對 值越大(即，保持在電容元件102中的電壓的絕對值越大)，越多的電荷被放電?；蛘撸?體管101的源區(qū)、漏區(qū)中的寄生電阻越小，越多的電荷被放電。或者，晶體管101的LDD區(qū) 域中的電阻越小，越多的電荷被放電?；蛘撸c晶體管101電連接的接觸孔中的接觸電阻越 小，越多的電荷被放電。因此，在放電之前即進入對晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正的期 間(圖1A)之前的期間中的電壓電流特性的曲線圖中，在對晶體管101的遷移率等電流特 性不均勻進行校正的期間(圖1A)使保持在電容元件102中的電荷的一部分被放電的結 果，變化為傾斜小的曲線的曲線圖。并且，例如，晶體管101的遷移率越大，放電前和放電后 的電壓電流特性的曲線圖的差異越大。因此，在晶體管101的遷移率高的情況(即，曲線圖 的傾斜大的情況)下，在放電后傾斜的變化量變大，在晶體管101的遷移率低的情況(即， 曲線圖的傾斜小的情況)下，在放電后傾斜的變化量變小。其結果，在放電后，晶體管101 的遷移率高的情況和晶體管101的遷移率低的情況之間的電壓電流特性的曲線圖的差異 變小，可以減少遷移率不均勻的影響。再者，晶體管101的柵極和源極之間的電壓的絕對值 越大(即，保持在電容元件102中的電壓的絕對值越大)，越多的電荷被放電，晶體管101的 柵極和源極之間的電壓的絕對值越小(即，保持在電容元件102中的電壓的絕對值越小)， 被放電的電荷越少，因此可以更適當?shù)亟档瓦w移率的不均勻性。此外，圖3A的曲線圖是在已減少了閾值電壓不均勻的影響后的情況下的曲線圖。 因此，如圖3B所示，在進入對晶體管101的遷移率不均勻進行校正的期間(圖1A)之前，減 少閾值電壓不均勻的影響。為了減少閾值電壓的不均勻性，使電壓電流特性的曲線圖平行 移動與閾值電壓相應的量。就是說，作為晶體管的柵極和源極之間的電壓，供應影像信號電 壓加閾值電壓的總和電壓。其結果，減少閾值電壓不均勻的影響。在減少閾值電壓的不均勻 性之后，如圖3A的曲線圖所示，通過減少遷移率的不均勻性，可以大幅度地減少晶體管101 的電流特性的不均勻性。此外，作為能夠校正不均勻性的晶體管101的電流特性，除了晶體管101的遷移率 以外，還可以舉出閾值電壓、源極部分或者漏極部分中的寄生電阻、LDD區(qū)域中的電阻、電連 接到晶體管101的接觸孔中的接觸電阻等。關于這些電流特性，由于也可以經(jīng)由晶體管101使電荷被放電，因此與遷移率的情況同樣地，可以降低不均勻性。 因此，在放電之前即進入對晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正的期 間(圖1A)之前的期間中，電容元件102的電荷量比對晶體管101的遷移率等電流特性不 均勻進行校正的期間(圖1A)的結束時刻的電容元件102的電荷量多。這是因為如下緣 故在對晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正的期間(圖1A)，電容元件102的 電荷被放電，因此保持在電容元件102中的電荷減少。此外，優(yōu)選的是，在保持在電容元件102中的電荷的一部分被放電之后立即停止 放電。若使完全放電即放電到電流不流過為止，則導致幾乎沒有影像信號的信息。因此，優(yōu) 選在完全放電之前停止放電。就是說，優(yōu)選在電流流過晶體管101的期間停止放電。因此，優(yōu)選的是，當將一個柵極選擇期間(或者一個水平期間、一個幀期間除以像 素的行數(shù)而得到的數(shù)值等)和對晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正的期間 (圖1A)的長短進行比較時，一個柵極選擇期間(或者一個水平期間、一個幀期間除以像素 的行數(shù)而得到的數(shù)值等)更長。這是因為若放電期間比一個柵極選擇期間長，則有可能導 致過分放電的緣故。但是，不局限于此。或者，優(yōu)選的是，當將影像信號輸入像素中的期間和對晶體管101的遷移率等電 流特性不均勻進行校正的期間(圖1A)的長短進行比較時，將影像信號輸入像素中的期間 更長。這是因為若放電期間比將影像信號輸入像素中的期間長，則有可能導致過分放電的 緣故。但是，不局限于此?；蛘?，優(yōu)選的是，當將獲得晶體管的閾值電壓的期間和對晶體管101的遷移率等 電流特性不均勻進行校正的期間(圖1A)的長短進行比較時，獲得晶體管的閾值電壓的期 間更長。這是因為若放電期間比獲得晶體管的閾值電壓的期間長則有可能導致過分放電的 緣故。但是，不局限于此。另外，優(yōu)選的是，在對晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正的期間(圖 1A)，將保持在電容元件102中的電荷進行放電的期間的長短例如根據(jù)晶體管101的遷移率 的不均勻量、電容元件102的大小、晶體管101的W/L等而決定。例如，考慮具有多個圖IA至IF和圖2A至2D所示的電路的情況。作為一個例子， 具有用來顯示第一顏色的第一像素和用來顯示第二顏色的第二像素，關于各像素，作為相 當于晶體管101的晶體管，第一像素具有晶體管101A，而第二像素具有晶體管101B。與此 同樣，作為相當于電容元件102的電容元件，第一像素具有電容元件102A，而第二像素具有 電容元件102B。并且，在晶體管IOlA的W/L大于晶體管IOlB的W/L的情況下，電容元件102A的 電容值優(yōu)選比電容元件102B的電容值大。這是因為如下緣故與晶體管IOlB相比，晶體管 IOlA放出更多的電荷，因此電容元件102A的電壓變化也更大，于是為了調整這種情況，電 容元件102A的電容值優(yōu)選更大?；蛘?，在晶體管IOlA的溝道寬度W大于晶體管IOlB的溝 道寬度W的情況下，電容元件102A的電容值優(yōu)選比電容元件102B的電容值大?；蛘撸诰?體管IOlA的溝道長度L小于晶體管IOlB的溝道長度L的情況下，電容元件102A的電容值 優(yōu)選比電容元件102B的電容值大。但是，不局限于此。此外，可以另外還配置電容元件，以控制保持在電容元件102中的電荷的放電量。 例如，如圖25A和25B所說明，也可以采用追加與顯示元件105電并聯(lián)連接的電容元件2501的結構?；蛘?，也可以采用在晶體管101的第一端子和第二端子之間電氣上并聯(lián)地追加電容元件2502的結構。圖25C和25D示出在晶體管101的第一端子和第二端子之間電氣上 并聯(lián)地追加電容元件2502的電路結構。此外，圖25C是與圖IA同樣地表示在對晶體管101 的遷移率等電流特性不均勻進行校正的期間中的各布線及各元件之間的導通狀態(tài)、非導通 狀態(tài)的圖，并且圖25D是與圖IB同樣地表示在通過晶體管101對顯示元件105供應電流的 期間中的各布線及各元件之間的導通狀態(tài)、非導通狀態(tài)的圖。此外，圖25A至25D中的追加 了的電容元件的電容值的大小也可以根據(jù)每個像素而不同。此外，電路的連接結構不局限于圖IA和1B。作為一個例子，在圖IA中，晶體管101 的第一端子及電容元件102的第一端子與布線103為非導通狀態(tài)，并且晶體管101的第二 端子與顯示元件105的第一端子為非導通狀態(tài)，但是不局限于此。此外，作為一個例子，在 圖IB中，只要具有供應一定電位的功能的布線103與晶體管101的第一端子為導通狀態(tài)， 并且晶體管101的第二端子與顯示元件的第一端子為導通狀態(tài)即可。于是，作為其它電路 的連接結構，例如圖IC和ID示出晶體管101的第一端子與布線103連接的情況的例子。 此外，圖IE和IF示出在對晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正的期間中晶體 管101的第一端子通過電路元件107連接到布線103的情況的例子。此外，圖4A和4B示 出在對晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正的期間及對顯示元件105供應電流 的期間中晶體管101的第一端子通過電路元件107連接到布線103的情況的例子。此外， 圖4C和4D示出在對晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正的期間中具有供應一 定電位的功能的布線108以實現(xiàn)導通的方式連接到晶體管101的第二端子的情況的例子。 此外，圖4E和4F示出在對晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正的期間及對顯 示元件105供應電流的期間中晶體管101的第二端子通過電路元件109連接到布線108的 情況的例子。此外，圖5A和5B示出在對晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正 的期間中晶體管101的第二端子通過顯示元件105連接到布線106的情況的例子。此外， 圖5C和5D示出在對晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正的期間中晶體管101 的第一端子連接到布線103，并且晶體管101的第二端子通過顯示元件105連接到布線106 的情況的例子。此外，在圖IC至IF中也可以與圖2A至2D同樣地配置開關。此外，作為電路元件107和電路元件109，可以使用能夠通過組合電容元件、電阻 元件、二極管元件、開關等電氣元件來得到所希望的電連接狀態(tài)的元件。此外，具體地說，圖IC和ID的工作可以與圖6A至6E同樣地經(jīng)過初始化等工作來 實現(xiàn)。此外，圖9A至9E示出圖IC和ID的工作。具體的工作可以與圖6A至6E同樣地 經(jīng)過初始化等工作來實現(xiàn)。此外，圖4C和4D所示的結構可以由上述圖2B所示的電路結構實現(xiàn)。此外，在圖IA至1F、圖2A至2D、圖4A至4F等中，將電容元件102單獨表示而進 行說明。此外，可以利用串聯(lián)方式或者并聯(lián)方式來配置多個電容元件。此外，在圖IA至5D等中描述晶體管101是η溝道型的情況。另外，可以使用ρ溝 道型。圖25Ε和25F示出晶體管101是ρ溝道型的情況作為一個例子。此外，圖25Ε是與 圖IA同樣地表示在對晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正的期間中的各布線及各元件之間的導通狀態(tài)、非導通狀態(tài)的圖，并且圖25F是與圖IB同樣地表示在經(jīng)由晶體 管101對顯示元件105供應電流的期間中的各布線及各元件之間的導通狀態(tài)、非導通狀態(tài) 的圖。如圖25E和25F所示，當使用ρ溝道型晶體管作為晶體管101時，優(yōu)選以與使用EL 元件作為顯示元件105的情況、使用η溝道型晶體管的情況相反的順序進行連接。此外，晶體管101在很多情況下具有控制流過顯示元件105的電流的大小并驅動 顯示元件105的能力。此外，布線103在很多情況下具有對顯示元件105供應電力的能力?；蛘撸季€ 103在很多情況下具有供應流過晶體管101中的電流的能力。此外，與晶體管101的閾值電壓相應的電壓指的是其大小與晶體管101的閾值電 壓相同的電壓或其大小接近晶體管101的閾值電壓的電壓。例如，在晶體管101的閾值電 壓大的情況下，與閾值電壓相應的電壓也大，而在晶體管101的閾值電壓小的情況下，與閾 值電壓相應的電壓也小。像這樣，其大小取決于閾值電壓的電壓被稱為與閾值電壓相應的 電壓。因此，也可以將因噪音等影響而稍微不同的電壓稱為與閾值電壓相應的電壓。此外，顯示元件105指的是具有改變亮度、明亮程度、反射率 、透過率等的功能的 元件。因此，作為顯示元件105的例子，可以使用液晶元件、發(fā)光元件、有機EL元件、電泳元 件等。此外，在本實施方式中的說明及隨帶的附圖中，設想有機EL元件等發(fā)光元件而進行 說明。此外，在本實施方式中，各附圖所述的內(nèi)容可以對另外的實施方式所述的內(nèi)容適 當?shù)刈杂蛇M行組合或者置換等。實施方式2接著，在本實施方式中，示出實施方式1所述的電路及驅動方法的應用例子。圖7Α示出圖IA和IB的具體例子。將開關201的第一端子電連接到晶體管101 的柵極及電容元件102的第一端子，將開關201的第二端子電連接到晶體管101的第一端 子。而且，將開關202的第一端子電連接到晶體管101的第二端子及電容元件102的第二 端子，將開關202的第二端子電連接到顯示元件105的第一端子。而且，將開關203的第一 端子電連接到布線103，將開關203的第二端子電連接到開關201的第一端子、晶體管101 的柵極、以及電容元件102的第一端子。而且，將開關204的第一端子電連接到開關201的 第一端子、開關203的第二端子、晶體管101的柵極及電容元件102的第一端子，將開關204 的第二端子電連接到布線104。像這樣，可以實現(xiàn)通過配置四個開關而得到圖IA和IB (或 者，圖4C和4D)所示的連接狀況的電路結構。圖7Β、圖7C及圖7D示出與圖7Α不同的例子。圖7Β示出如下結構對圖7Α還設 置開關205，控制與布線206的連接，以控制晶體管101的第二端子的電位。圖7C示出如下 結構對圖7Α還設置開關207，控制與布線208的連接，以控制晶體管101的柵極的電位。 圖7D示出如下結構對圖7Β還設置開關207，控制與布線208的連接，以控制晶體管101的 柵極電位及晶體管101的第二端子的電位。并且，例如通過改變布線206或者布線208的 電位，可以實現(xiàn)與圖IA或IB(或者，圖4C或4D)同樣的工作。并且，在還需要開關、晶體管 等的情況下，適當?shù)剡M行配置。此外，雖然在圖7Α至7D中示出實施方式1所述的結構的例子的一部分，但是除此 以外的例子也可以同樣地構成。
下面，說明工作方法。這里，雖然參照圖7A所示的電路進行說明，但是也可以將同 樣的工作方法適用于除此以外的電路。首先，如圖8A所示，進行初始化。這是將晶體管101的柵極或漏極(或源極)的 電位設定為預定的電位的工作。由于該工作，而可以得到晶體管101導通的狀態(tài)。或者， 對電容元件102供應預定的電壓。因此，電容元件102保持電荷。開關201、開關202及開 關203處于導通狀態(tài)，而成為接通(ON)。優(yōu)選的是，開關204處于非導通狀態(tài)，而成為斷開 (OFF)。但是，不局限于此。此外，優(yōu)選不使電流流過顯示元件105，因此優(yōu)選處于能夠實現(xiàn) 此的狀態(tài)。因此，優(yōu)選的是，開關201、開關202和開關203中的至少一個處于非導通狀態(tài)， 而成為斷開(OFF)。此外，在圖8A至8E中，虛線箭頭是為了容易得知電荷活動而可見化來表示的。但 是，不局限于此，而只要是像進行預定驅動那樣的電位關系等，就沒有問題。接著，如圖8B所示，獲得晶體管101的閾值電壓。開關201、開關203處于導通狀 態(tài)，而成為接通(ON)。開關202、開關204優(yōu)選處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。此時， 電容元件102具有在圖8A的期間中儲存的電荷，因此該電荷被放電。因此，晶體管101的 柵極的電位從由在圖8A的期間所儲存的電荷所致的電位接近該電位加上晶體管101的閾 值電壓(正值)而得到的電位。就是說，晶體管101的柵極的電位接近高出與晶體管101 的閾值電壓的絕對值相應的量的電位。此時，晶體管101的柵極和源極之間的電壓接近晶 體管101的閾值電壓。通過這些工作，可以在電容元件102的兩端的電極之間獲得閾值電 壓。此外，在這期間對電容元件102的電荷進行放電的情況下，即使該期間有差異也 不會有大問題。這是因為如下緣故在經(jīng)過一定程度的時間后，幾乎完全地放電，因此即使 期間的長短不同，對工作的影響也小。因此，這種工作可以利用點順序方式來驅動，而不利 用線順序方式。因此，可以以簡單結構實現(xiàn)驅動電路的結構。因此，在將圖7A所示的電路 設為一個像素時，該像素被配置為矩陣狀的像素部和對像素部供應信號的驅動電路部雙方 可以由同一種類的晶體管構成，或者，雙方可以形成在同一襯底上。但是不局限于此，而也 可以采用線順序驅動或者將像素部和驅動電路部形成在不同的襯底上。接著，如圖8C所示，進行影像信號的輸入。開關202、開關204處于導通狀態(tài)，而 成為接通(0N)。開關201、開關203優(yōu)選處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。并且，從布 線104供應影像信號。此時，電容元件102具有在圖8B的期間儲存的電荷，因此對該電荷 還進行儲存。因此，晶體管101的柵極的電位從由布線104所供應的影像信號的電位接近 該電位加上晶體管101的閾值電壓(正值)而得到的電位。就是說，晶體管101的柵極的 電位接近比從布線104所供應的影像信號高出與晶體管101的閾值電壓的絕對值相應的量 的電位。根據(jù)圖8B和8C所示的工作，可以進行影像信號的輸入和閾值電壓的獲得。接著，如圖8D所示，對晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正。這相當于圖1A、圖4C等的期間。開關201處于導通狀態(tài)，而成為接通(0N)。開關202、開關203、 開關204優(yōu)選處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。通過得到這種狀態(tài)，電容元件102所儲 存的電荷經(jīng)由晶體管101被放電。像這樣，通過晶體管101稍微放電，可以減少晶體管101 的電流不均勻的影響。接著，如圖8E所示，通過晶體管101對顯示元件105供應電流。這相當于圖1B、圖4D等的期間。并且，開關202、開關203處于導通狀態(tài)，而成為接通(ON)。開關201、開關 204優(yōu)選處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。此時，晶體管101的柵極和源極之間的電壓 是從和閾值電壓相應的電壓與影像信號電壓之和的電壓減去與晶體管101的電流特性影 像的電壓而得到的電壓。因此，可以減少晶體管101的電流特性不均勻的影響，可以對顯示 元件105供應其大小適當?shù)碾娏?。如圖8A至8E所示，在對晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正的期間 (圖1A)，減少晶體管101的遷移率等電流特性不均勻，所以在對顯示元件105供應電流的 期間(圖1B、圖4D)，對顯示元件105供應的電流的不均勻也減少。其結果，顯示元件105 的顯示狀態(tài)的不均勻也減少，可以進行顯示質量高的顯示。此外，在采用圖7B所示的電路結構的情況下，可以在圖8A所示的初始化的期間， 控制晶體管101的第二端子的電位。并且，開關201、開關203及開關205優(yōu)選處于導通狀 態(tài)，而成為接通(ON)。開關202及開關204優(yōu)選處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。此外， 圖8B以后同樣地進行工作即可。此外，在采用圖7C所示的電路結構的情況下，可以在圖8A所示的初始化的期間， 控制晶體管101的柵極的電位。并且，優(yōu)選的是，開關201、開關202及開關207處于導通 狀態(tài)，而成為接通(ON)。開關203及開關204優(yōu)選處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。此 夕卜，圖8B以后同樣地進行工作即可。此外，在采用圖7D所示的電路結構的情況下，可以在圖8A所示的初始化的期間， 控制晶體管101的柵極及/或第二端子的電位。并且，優(yōu)選的是，開關201、開關205及開 關207處于導通狀態(tài)，而成為接通(0N)。開關202、開關203及開關204優(yōu)選處于非導通狀 態(tài)，而成為斷開(OFF)。此外，圖8B以后同樣地進行工作即可。此外，在圖8A至8E中，當轉變?yōu)楦鞴ぷ鲿r，也可以在該工作之間設置有另外的工 作或者另外的期間。例如，也可以在圖8A和8B之間設置如圖8C所示的狀態(tài)。即使設置這 種期間，也沒有障礙，所以沒有問題。此外，圖10A至10E示出圖IC和ID的工作。具體的工作可以與圖8A至8E同樣 地經(jīng)過初始化等工作來實現(xiàn)。此外，在本實施方式中，各附圖所述的內(nèi)容可以對另外的實施方式所述的內(nèi)容適 當?shù)刈杂蛇M行組合或者置換等。實施方式3接著，在本實施方式中，示出實施方式1所述的電路及驅動方法的應用例子。圖IlA示出圖IC和ID的具體例子。將開關301的第一端子電連接到布線103，將開關301的第二端子電連接到晶體管101的柵極及電容元件102的第一端子。而且，將開 關202的第一端子電連接到晶體管101的第二端子及電容元件102的第二端子，將開關202 的第二端子電連接到顯示元件105的第一端子。而且，將開關303的第一端子電連接到布 線103，將開關303的第二端子電連接到晶體管101的第一端子。而且，將開關204的第一 端子電連接到開關301的第二端子、晶體管101的柵極及電容元件102的第一端子，將開關 204的第二端子電連接到布線104。像這樣，可以實現(xiàn)通過配置四個開關而得到圖IC和ID 所示的連接狀況的電路結構。圖11B、圖IlC及圖IlD示出與圖IlA不同的例子。圖IlB示出如下結構對圖IlA還設置開關305，控制與布線306的連接，以控制晶體管101的第二端子的電位。圖IlC示出如下結構對圖IlA還設置開關307，控制與布線308的連接，以控制晶體管101的柵極 的電位。圖IlD示出如下結構對圖IlB還設置開關307，控制與布線308的連接，以控制 晶體管101的柵極電位及晶體管101的第二端子的電位。并且，例如通過改變布線306或 者布線308的電位，可以實現(xiàn)與圖IC或ID同樣的工作。并且，在還需要開關、晶體管等的 情況下，適當?shù)剡M行配置。此外，雖然在圖IlA至IlD中示出實施方式1所述的結構的例子的一部分，但是除 此以外的例子也可以同樣地構成。下面，說明工作方法。這里，雖然參照圖IlA所示的電路進行說明，但是也可以將 同樣的工作方法適用于除此以外的電路。首先，如圖12A所示，進行初始化。這是將晶體管101的柵極或漏極(或源極)的 電位設定為預定的電位的工作。由此，可以得到晶體管101導通的狀態(tài)?；蛘?，對電容元 件102供應預定的電壓。因此，電容元件102保持電荷。開關301、開關202、開關303處于 導通狀態(tài)，而成為接通(ON)。優(yōu)選的是，開關204處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。但 是，不局限于此。其中，優(yōu)選不使電流流過顯示元件105，因此優(yōu)選處于能夠實現(xiàn)此的狀態(tài)。 因此，優(yōu)選的是，開關301、開關202和開關303中的至少一個處于非導通狀態(tài)，而成為斷開 (OFF)ο此外，在圖12A至12E中，虛線箭頭是為了容易得知電荷活動而可見化來表示的。 但是，不局限于此，只要是像進行預定驅動那樣的電位關系等，就沒有問題。接著，如圖12B所示，獲得晶體管101的閾值電壓。開關301、開關303處于導通狀 態(tài)，而成為接通(ON)。開關202、開關204優(yōu)選處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。此時， 電容元件102具有在圖12A的期間儲存的電荷，因此該電荷被放電。因此，晶體管101的柵 極的電位從由在圖12A的期間所儲存的電荷所致的電位接近該電位加上晶體管101的閾值 電壓(正值)而得到的電位。就是說，晶體管101的柵極的電位接近高出與晶體管101的 閾值電壓的絕對值相應的量的電位。此時，晶體管101的柵極和源極之間的電壓接近晶體 管101的閾值電壓。通過這些工作，可以在電容元件102的兩端的電極之間獲得閾值電壓。此外，在這期間中對電容元件102的電荷進行放電的情況下，即使該期間有差異 也不會有大問題。這是因為如下緣故在經(jīng)過一定程度的時間后，幾乎完全地放電，因此即 使期間的長短不同，對工作的影響也小。因此，這種工作可以利用點順序方式來驅動，而不 利用線順序方式。因此，可以以簡單的結構實現(xiàn)驅動電路的結構。因此，在將圖IlA所示的 電路設為一個像素時，該像素被配置為矩陣狀的像素部和對像素部供應信號的驅動電路部 雙方可以由同一種類的晶體管構成，或者，雙方可以形成在同一襯底上。但是不局限于此， 而也可以采用線順序驅動或者將像素部和驅動電路部形成在不同的襯底上。接著，如圖12C所示，進行影像信號的輸入。開關202、開關204處于導通狀態(tài)，而 成為接通(0N)。開關301、開關303優(yōu)選處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。并且，從布線 104供應影像信號。此時，電容元件102具有在圖12B的期間儲存的電荷，因此對該電荷還 進行儲存。因此，晶體管101的柵極的電位從由布線104所供應的影像信號的電位接近該 電位加上晶體管101的閾值電壓(正值)而得到的電位。就是說，晶體管101的柵極的電 位接近比從布線104所供應的影像信號高出與晶體管101的閾值電壓的絕對值相應的量的電位。根據(jù)圖12B和12C所示的工作，可以進行影像信號的輸入和閾值電壓的獲得。接著，如圖12D所示，對晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正。這相當 于圖IC等的期間。開關301、開關303處于導通狀態(tài)，而成為接通(ON)。開關202、開關204 優(yōu)選處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。通過得到這種狀態(tài)，電容元件102所儲存的電荷 經(jīng)由晶體管101而被放電。像這樣，經(jīng)由晶體管101稍微放電，可以減少晶體管101的電流 不均勻的影響。接著，如圖12E所示，通過晶體管101對顯示元件105供應電流。這相當于圖ID 等的期間。并且，開關202、開關303處于導通狀態(tài)，而成為接通(ON)。開關301、開關204 優(yōu)選處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。此時，晶體管101的柵極和源極之間的電壓是從 相應于閾值電壓的電壓與信號電壓之和的電壓減去與晶體管101的電流特性相應的電壓 而得到的電壓。因此，可以減少晶體管101的電流特性不均勻的影響，可以對顯示元件105 供應其大小適當?shù)碾娏鳌Ｈ鐖D12A至12E所示，在對晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正的期 間(圖ic)，減少晶體管101的遷移率等電流特性不均勻，所以在對顯示元件105供應電流 的期間(圖1D)，對顯示元件105供應的電流的不均勻也減少。其結果，顯示元件105的顯 示狀態(tài)的不均勻也減少，可以進行顯示質量高的顯示。
此外，在采用圖IlB所示的電路結構的情況下，可以在圖12A所示的初始化的期 間，控制晶體管101的第二端子的電位。并且，開關301、開關303及開關305優(yōu)選處于導通 狀態(tài)，而成為接通(ON)。開關202及開關204優(yōu)選處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。此 夕卜，圖12B以后同樣地進行工作即可。此外，在采用圖IlC所示的電路結構的情況下，可以在圖12A所示的初始化的期 間，控制晶體管101的柵極的電位。并且，優(yōu)選的是，開關202、開關303及開關307處于導 通狀態(tài)，而成為接通(ON)。開關301及開關204優(yōu)選處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。 此外，圖12B以后同樣地進行工作即可。此外，在采用圖IlD所示的電路結構的情況下，可以在圖12A所示的初始化的期 間，控制晶體管101的柵極及/或第二端子的電位。并且，優(yōu)選的是，開關303、開關305及 開關307處于導通狀態(tài)，而成為接通(0N)。開關202、開關203及開關204優(yōu)選處于非導通 狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。此外，圖12B以后同樣地進行工作即可。此外，在圖12A至12E中，當轉變?yōu)楦鞴ぷ鲿r，也可以在該工作之間設置有另外的 工作或者另外的期間。例如，也可以在圖12A和12B之間設置如圖12C所示的狀態(tài)。即使 設置這種期間，也沒有障礙，所以沒有問題。此外，在本實施方式中，各附圖所述的內(nèi)容可以對另外的實施方式中所述的內(nèi)容 適當?shù)刈杂蛇M行組合或者置換等。實施方式4接著，在本實施方式中，示出實施方式1所述的電路及驅動方法的應用例子。圖13A示出圖5A和5B的具體例子。將開關401的第一端子電連接到晶體管101 的柵極及電容元件102的第一端子，將開關401的第二端子電連接到晶體管101的第一端 子及開關403的第二端子。而且，將開關403的第一端子電連接到布線103，將開關403的 第二端子電連接到晶體管101的第一端子及開關401的第二端子。而且，將開關204的第一端子電連接到開關401的第一端子、晶體管101的柵極及電容元件102的第一端子，將開 關204的第二端子電連接到布線104。像這樣，可以實現(xiàn)通過配置四個開關而得到圖5A和 5B所示的連接狀況的電路結構。圖13B、圖13C及圖13D示出與圖13A不同的例子。圖13B示出如下結構對圖13A 還設置開關405，控制與布線406的連接，以控制晶體管101的第二端子的電位。圖13C示 出如下結構對圖13A還設置開關407，控制與布線408的連接，以控制晶體管101的柵極 的電位。圖13D示出如下結構對圖13B還設置開關407，控制與布線408的連接，以控制 晶體管101的柵極電位及晶體管101的第二端子的電位。并且，例如通過改變布線406或 者布線408的電位，可以實現(xiàn)與圖5A或5B同樣的工作。并且，在還需要開關、晶體管等的 情況下，適當?shù)剡M行配置。此外，雖然在圖13A至13D中示出實施方式1所述的結構的例子的一部分，但是除 此以外的例子也可以同樣地構成。下面，說明工作方法。這里，雖然參照圖13A所示的電路進行說明，但是也可以將 同樣的工作方法適用于除此以外的電路。首先，如圖14A所示，進行初始化。這是將晶體管101的柵極或漏極(或源極)的 電位設定為預定的電位的工作。由此，可以得到晶體管101導通的狀態(tài)。或者，對電容元件 102供應預定的電壓。因此，電容元件102保持電荷。開關401、開關403處于導通狀態(tài)，而 成為接通(ON)。優(yōu)選的是，開關204處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。此外，優(yōu)選的是， 在圖14A的初始化的期間，使布線103的電位低于其它布線的電位。但是，不局限于此。其 中，優(yōu)選不使電流流過顯示元件105，因此優(yōu)選處于能夠實現(xiàn)此的狀態(tài)。因此，優(yōu)選的是，施 加到發(fā)光元件的電壓至少為反偏壓。此外，在圖14A至14E中，虛線箭頭是為了容易得知電荷活動而可見化來表示的。 但是，不局限于此，而只要是像進行預定驅動那樣的電位關系等，就沒有問題。接著，如圖14B所示，獲得晶體管101的閾值電壓。開關401、開關403處于導通 狀態(tài)，而成為接通(ON)。開關204優(yōu)選處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。此外，優(yōu)選在 圖14B所示的獲得晶體管101的閾值電壓的期間，使布線103的電位高于初始化期間的電 位。此時，電容元件102具有在圖14A的期間所儲存的電荷，因此該電荷被放電。因此，晶 體管101的柵極的電位從由在圖14A的期間所儲存的電荷所致的電位接近該電位加上晶體 管101的閾值電壓(正值)而得到的電位。就是說，晶體管101的柵極的電位接近高出與 晶體管101的閾值電壓的絕對值相應的量的電位。此時，晶體管101的柵極和源極之間的 電壓接近晶體管101的閾值電壓。通過這些工作，可以在電容元件102的兩端的電極之間 獲得閾值電壓。
此外，在這期間對電容元件102的電荷進行放電的情況下，即使該期間有差異也 不會有大問題。這是因為如下緣故在經(jīng)過一定程度的時間后，幾乎完全地放電，因此即使 期間的長短不同，對工作的影響也小。因此，這種工作可以利用點順序方式來驅動，而不利 用線順序方式。因此，可以以簡單的結構實現(xiàn)驅動電路的結構。因此，在將圖13A所示的電 路設為一個像素時，該像素被配置為矩陣狀的像素部和對像素部供應信號的驅動電路部雙 方可以由同一種類的晶體管構成，或者，雙方可以形成在同一襯底上。但是不局限于此，而 也可以采用線順序驅動或者將像素部和驅動電路部形成在不同的襯底上。
接著，如圖14C所示，進行影像信號的輸入。開關204處于導通狀態(tài)，而成為接通 (ON)。開關401、開關403優(yōu)選處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。此外，優(yōu)選在圖14C所 示的影像信號輸入的期間，使布線103的電位高于輸入到其它布線的電位。并且，從布線 104供應影像信號。此時，電容元件102具有在圖14B的期間所儲存的電荷，因此對該電荷 還進行儲存。因此，晶體管101的柵極的電位從由布線104所供應的影像信號的電位接近 該電位加上晶體管101的閾值電壓(正值)而得到的電位。就是說，晶體管101的柵極的 電位接近比從布線104所供應的影像信號高出與晶體管101的閾值電壓的絕對值相應的量 的電位。通過圖14B和14C所示的工作，可以進行影像信號的輸入、以及閾值電壓的獲得。接著，如圖14D所示，對晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正。這相當 于圖5A等的期間。并且，開關401、開關403處于導通狀態(tài)，而成為接通(ON)。開關204優(yōu) 選處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。此外，優(yōu)選的是，在圖14D的對晶體管101的遷移率 等電流特性不均勻進行校正的期間，使布線103的電位高于輸入到其它布線的電位。通過 得到這種狀態(tài)，儲存在電容元件102中的電荷通過晶體管101被放電。像這樣，通過晶體管 101稍微放電，可以減少晶體管101的電流不均勻的影響。接著，如圖14E所示，通過晶體管101對顯示元件105供應電流。這相當于圖5B等 的期間。并且，開關403處于導通狀態(tài)，而成為接通(ON)。開關401、開關204優(yōu)選處于非導 通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。此外，優(yōu)選的是，在圖14E的通過晶體管101對顯示元件105供 應電流的期間，使布線103的電位高于輸入到其它布線的電位。此時，晶體管101的柵極和 源極之間的電壓是從相應于閾值電壓的電壓與影像信號電壓之和的電壓減去與晶體管101 的電流特性相應的電壓而得到的電壓。因此，可以減少晶體管101的電流特性不均勻的影 響，可以對顯示元件105供應其大小適當?shù)碾娏?。如圖14A至14E所示，在對晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正的期 間(圖5A)，晶體管101的遷移率等電流特性不均勻減少，所以在對顯示元件105供應電流 的期間(圖5B)，對顯示元件105供應的電流的不均勻也減少。其結果，顯示元件105的顯 示狀態(tài)的不均勻也減少，可以進行顯示質量高的顯示。此外，在采用圖13B所示的電路結構的情況下，可以在圖14A所示的初始化的期 間，控制晶體管101的第二端子的電位。并且，開關401、開關403及開關405優(yōu)選處于導通 狀態(tài)，而成為接通(0N)。開關204優(yōu)選處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。此外，圖14B 以后同樣地進行工作即可。此外，在采用圖13C所示的電路結構的情況下，可以在圖14A所示的初始化的期 間，控制晶體管101的柵極的電位。并且，優(yōu)選的是，開關403及開關407處于導通狀態(tài)，而 成為接通(0N)。開關401及開關204優(yōu)選處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。此外，圖 14B以后同樣地進行工作即可。此外，在采用圖13D所示的電路結構的情況下，可以在圖14A所示的初始化的期 間，控制晶體管101的柵極及/或第二端子的電位。并且，優(yōu)選的是，開關403、開關405及 開關407處于導通狀態(tài)，而成為接通(ON)。開關401及開關204優(yōu)選處于非導通狀態(tài)，而成 為斷開(OFF)。此外，圖14B以后同樣地進行工作即可。此外，在圖14A至14E中，當轉變?yōu)楦鞴ぷ鲿r，也可以在該工作之間設置有另外的 工作或者另外的期間。例如，也可以在圖14A和14B之間設置如圖14C所示的狀態(tài)。即使設置這種期間，也沒有障礙，所以沒有問題。此外，在本實施方式中，各附圖所述的內(nèi)容可以對另外的實施方式中所述的內(nèi)容 適當?shù)刈杂蛇M行組合或者置換等。實施方式5接著，在本實施方式中，示出實施方式1所述的電路及驅動方法的應用例子。圖15A示出與實施方式4不同的圖5A和5B的具體例子。將開關501的第一端子 電連接到晶體管101的柵極、電容元件102的第一端子及開關503的第二端子，將開關501 的第二端子電連接到晶體管101的第一端子。而且，將開關503的第一端子電連接到布線 103，將開關503的第二端子電連接到晶體管101的柵極、電容元件102的第一端子及開關 501的第一端子。而且，將開關204的第一端子電連接到開關501的第一端子、晶體管101 的柵極及電容元件102的第一端子，將開關204的第二端子電連接到布線104。像這樣，可 以實現(xiàn)通過配置四個開關而得到圖5A和5B所示的連接狀況的電路結構。圖15B、圖15C及圖15D示出與圖15A不同的例子。圖15B示出如下結構對圖15A 還設置開關505，控制與布線506的連接，以控制晶體管101的第二端子的電位。圖15C示 出如下結構對圖15A還設置開關507，控制與布線508的連接，以控制晶體管101的柵極 的電位。圖15D示出如下結構對圖15B還設置開關507，控制與布線508的連接，以控制 晶體管101的柵極電位及晶體管101的第二端子的電位。并且，例如通過改變布線506或 者布線508的電位，可以實現(xiàn)與圖5A或5B同樣的工作。并且，在還需要開關、晶體管等的 情況下，適當?shù)剡M行配置。此外，雖然在圖15A至15D中示出實施方式1所述的結構的例子的一部分，但是除 此以外的例子也可以同樣地構成。下面，說明工作方法。這里，雖然參照圖15A所示的電路進行說明，但是也可以將 同樣的工作方法適用于除此以外的電路。首先，如圖16A所示，進行初始化。這是將晶體管101的柵極或漏極(或源極)的 電位設定為預定的電位的工作。由此，可以得到晶體管101導通的狀態(tài)。或者，對電容元件 102供應預定的電壓。因此，電容元件102保持電荷。開關501、開關503處于導通狀態(tài)，而 成為接通(ON)。優(yōu)選的是，開關204處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。此外，優(yōu)選的是， 在圖16A的初始化的期間，使布線103的電位低于其它布線的電位。但是，不局限于此。其 中，優(yōu)選不使電流流過顯示元件105，因此優(yōu)選處于能夠實現(xiàn)此的狀態(tài)。因此，優(yōu)選的是，施 加到發(fā)光元件的電壓至少為反偏壓。此外，在圖16A至16E中，虛線箭頭是為了容易得知電荷活動而可見化來表示的。 但是，不局限于此，只要是像進行預定驅動那樣的電位關系等，就沒有問題。接著，如圖16B所示，獲得晶體管101的閾值電壓。開關501、開關503處于導通 狀態(tài)，而成為接通(ON)。開關204優(yōu)選處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。此外，優(yōu)選在 圖16B所示的獲得晶體管101的閾值電壓的期間，使布線103的電位高于初始化期間的電 位。此時，電容元件102具有在圖16A的期間所儲存的電荷，因此該電荷被放電。因此，晶 體管101的柵極的電位從由在圖16A的期間所儲存的電荷所致的電位接近該電位加上晶體 管101的閾值電壓(正值)而得到的電位。就是說，晶體管101的柵極的電位接近高出與 晶體管101的閾值電壓的絕對值相應的量的電位。此時，晶體管101的柵極和源極之間的電壓接近晶體管101的閾值電壓。通過這些工作，可以在電容元件102的兩端的電極之間 獲得閾值電壓。此外，在這期間對電容元件102的電荷進行放電的情況下，即使該期間有差異也 不會有大問題。這是因為如下緣故在經(jīng)過一定程度的時間后，幾乎完全地放電，因此即使 期間的長短不同，對工作的影響也小。因此，這種工作可以利用點順序方式來驅動，而不利 用線順序方式。因此，可以以簡單的結構實現(xiàn)驅動電路的結構。因此，在將圖15A所示的電 路設為一個像素時，該像素被配置為矩陣狀的像素部和對像素部供應信號的驅動電路部雙 方可以由同一種類的晶體管構成，或者，雙方可以形成在同一襯底上。但是不局限于此，而 也可以采用線順序驅動或者將像素部和驅動電路部形成在不同的襯底上。
接著，如圖16C所示，進行影像信號的輸入。開關204處于導通狀態(tài)，而成為接通 (ON)。開關501、開關503優(yōu)選處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。此外，優(yōu)選在圖16C所 示的影像信號輸入的期間，使布線103的電位高于輸入到其它布線的電位。并且，從布線 104供應影像信號。此時，電容元件102具有在圖16B的期間儲存的電荷，因此對該電荷還 進行儲存。因此，晶體管101的柵極的電位從由布線104所供應的影像信號的電位接近該 電位加上晶體管101的閾值電壓(正值)而得到的電位。就是說，晶體管101的柵極的電 位接近比從布線104所供應的影像信號高出與晶體管101的閾值電壓的絕對值相應的量的 電位。通過圖16B和16C所示的工作，可以進行影像信號的輸入、以及閾值電壓的獲得。接著，如圖16D所示，對晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正。這相當 于圖5A等的期間。并且，開關501、開關503處于導通狀態(tài)，而成為接通(ON)。開關204優(yōu) 選處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。此外，優(yōu)選的是，在圖16D的對晶體管101的遷移率 等電流特性不均勻進行校正的期間，使布線103的電位高于輸入到其它布線的電位。通過 得到這種狀態(tài)，儲存在電容元件102中的電荷通過晶體管101被放電。像這樣，通過晶體管 101稍微放電，可以減少晶體管101的電流不均勻的影響。接著，如圖16E所示，通過晶體管101對顯示元件105供應電流。這相當于圖5B 等的期間。開關501、開關503處于導通狀態(tài)，而成為接通(ON)。開關204優(yōu)選處于非導通 狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。此外，優(yōu)選的是，在圖16E的通過晶體管101對顯示元件105供 應電流的期間，使布線103的電位高于輸入到其它布線的電位。此時，晶體管101的柵極和 源極之間的電壓是從相應于閾值電壓的電壓與影像信號電壓之和的電壓減去與晶體管101 的電流特性相應的電壓而得到的電壓。因此，可以減少晶體管101的電流特性不均勻的影 響，可以對顯示元件105供應其大小適當?shù)碾娏?。如圖16A至16E所示，在對晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正的期 間(圖5A)，晶體管101的遷移率等電流特性不均勻減少，所以在對顯示元件105供應電流 的期間(圖5B)，對顯示元件105供應的電流的不均勻也減少。其結果，顯示元件105的顯 示狀態(tài)的不均勻也減少，可以進行顯示質量高的顯示。此外，在采用圖15B所示的電路結構的情況下，可以在圖16A所示的初始化的期 間，控制晶體管101的第二端子的電位。并且，開關501、開關503及開關505優(yōu)選處于導通 狀態(tài)，而成為接通(0N)。開關204優(yōu)選處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。此外，圖16B 以后同樣地進行工作即可。此外，在采用圖15C所示的電路結構的情況下，可以在圖16A所示的初始化的期間，控制晶體管101的柵極的電位。并且，優(yōu)選的是，開關501、開關503及開關507優(yōu)選處于導通狀態(tài)，而成為接通(ON)。開關204優(yōu)選處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。此外， 圖16B以后同樣地進行工作即可。此外，在采用圖15D所示的電路結構的情況下，可以在圖16A所示的初始化的期 間，控制晶體管101的柵極及/或第二端子的電位。并且，優(yōu)選的是，開關501、開關503、開 關505及開關407優(yōu)選處于導通狀態(tài)，而成為接通(ON)。開關204優(yōu)選處于非導通狀態(tài)，而 成為斷開(OFF)。此外，圖16B以后同樣地進行工作即可。此外，在圖16A至16E中，當轉變?yōu)楦鞴ぷ鲿r，也可以在該工作之間設置有另外的 工作或者另外的期間。例如，也可以在圖16A和16B之間設置如圖16C所示的狀態(tài)。即使 設置這種期間，也沒有障礙，所以沒有問題。此外，在本實施方式中，各附圖所述的內(nèi)容可以對另外的實施方式中所述的內(nèi)容 適當?shù)刈杂蛇M行組合或者置換等。實施方式6接著，在本實施方式中，示出實施方式1所述的電路及驅動方法的應用例子。圖17A示出圖5C和5D的具體例子。將開關601的第一端子電連接到布線103，并 且將開關601的第二端子電連接到晶體管101的柵極及電容元件102的第一端子。而且， 將開關603的第一端子電連接到布線103，將開關603的第二端子電連接到晶體管101的第 一端子。而且，將開關204的第一端子電連接到開關601的第一端子、晶體管101的柵極及 電容元件102的第一端子，將開關204的第二端子電連接到布線104。像這樣，可以實現(xiàn)通 過配置四個開關而得到圖5C和5D所示的連接狀況的電路結構。圖17B、圖17C及圖17D示出與圖17A不同的例子。圖17B示出如下結構對圖17A 還設置開關605，控制與布線606的連接，以控制晶體管101的第二端子的電位。圖17C示 出如下結構對圖17A還設置開關607，控制與布線608的連接，以控制晶體管101的柵極 的電位。圖17D示出如下結構對圖17B還設置開關607，控制與布線608的連接，以控制 晶體管101的柵極電位及晶體管101的第二端子的電位。并且，例如通過改變布線606或 者布線608的電位，可以實現(xiàn)與圖5C或5D同樣的工作。并且，在還需要開關、晶體管等的 情況下，適當?shù)剡M行配置。此外，雖然在圖17A至17D中示出實施方式1所述的結構的例子的一部分，但是除 此以外的例子也可以同樣地構成。下面，說明工作方法。這里，雖然參照圖17A所示的電路進行說明，但是也可以將 同樣的工作方法適用于除此以外的電路。首先，如圖18A所示，進行初始化。這是將晶體管101的柵極或漏極(或源極)的 電位設定為預定的電位的工作。由此，可以得到晶體管101導通的狀態(tài)。或者，對電容元件 102供應預定的電壓。因此，電容元件102保持電荷。開關601及開關603處于導通狀態(tài)， 而成為接通(ON)。優(yōu)選的是，開關204處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。此外，優(yōu)選的 是，在圖18A的初始化的期間，使布線103的電位低于其它布線的電位。但是，不局限于此。 其中，優(yōu)選不使電流流過顯示元件105，因此優(yōu)選處于能夠實現(xiàn)此的狀態(tài)。因此，優(yōu)選的是， 施加到發(fā)光元件的電壓至少為反偏壓。此外，在圖18A至18E中，虛線箭頭是為了容易得知電荷活動而可見化來表示的。但是，不局限于此，只要是像進行預定驅動那樣的電位關系等，就沒有問題。接著，如圖18B所示，獲得晶體管101的閾值電壓。開關601、開關603處于導通狀態(tài)，而成為接通(ON)。開關204優(yōu)選處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。此外，優(yōu)選在 圖18B所示的獲得晶體管101的閾值電壓的期間，使布線103的電位高于初始化期間的電 位。此時，電容元件102具有在圖18A的期間所儲存的電荷，因此該電荷被放電。因此，晶 體管101的柵極的電位從由在圖18A的期間所儲存的電荷所致的電位接近該電位加上晶體 管101的閾值電壓(正值)而得到的電位。就是說，晶體管101的柵極的電位接近高出與 晶體管101的閾值電壓的絕對值相應的量的電位。此時，晶體管101的柵極和源極之間的 電壓接近晶體管101的閾值電壓。通過這些工作，可以在電容元件102的兩端的電極之間 獲得閾值電壓。此外，在這期間對電容元件102的電荷進行放電的情況下，即使該期間有差異也 會有大問題。這是因為如下緣故在經(jīng)過一定程度的時間后，幾乎完全地放電，因此即使期 間的長短不同，對工作的影響也小。因此，這種工作可以利用點順序方式來驅動，而不利用 線順序方式。因此，可以以簡單的結構實現(xiàn)驅動電路的結構。因此，在將圖17A所示的電路 設為一個像素時，該像素被配置為矩陣狀的像素部和對像素部供應信號的驅動電路部雙方 可以由同一種類的晶體管構成，或者，雙方可以形成在同一襯底上。但是不局限于此，而也 可以采用線順序驅動或者將像素部和驅動電路部形成在不同的襯底上。接著，如圖18C所示，進行影像信號的輸入。開關204處于導通狀態(tài)，而成為接通 (ON)。開關601、開關603優(yōu)選處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。此外，優(yōu)選在圖18C所 示的影像信號輸入的期間，使布線103的電位高于輸入到其它布線的電位。并且，從布線 104供應影像信號。此時，電容元件102具有在圖18B的期間所儲存的電荷，因此對該電荷 還進行儲存。因此，晶體管101的柵極的電位從由布線104所供應的影像信號的電位接近 該電位加上晶體管101的閾值電壓(正值)而得到的電位。就是說，晶體管101的柵極的 電位接近比從布線104所供應的影像信號高出與晶體管101的閾值電壓的絕對值相應的量 的電位。通過圖18B和18C所示的工作，可以進行影像信號的輸入、以及閾值電壓的獲得。接著，如圖18D所示，對晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正。這相當 于圖5C等的期間。開關601、開關603處于導通狀態(tài)，而成為接通(ON)。開關204優(yōu)選處 于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。此外，優(yōu)選的是，在圖18D的對晶體管101的遷移率等電 流特性不均勻進行校正的期間，使布線103的電位高于輸入到其它布線的電位。通過得到 這種狀態(tài)，儲存在電容元件102中的電荷經(jīng)由晶體管101被放電。像這樣，通過晶體管101 稍微放電，可以減少晶體管101的電流不均勻的影響。接著，如圖18E所示，通過晶體管101對顯示元件105供應電流。這相當于圖5D 等的期間。開關601、開關603處于導通狀態(tài)，而成為接通(0N)。開關204優(yōu)選處于非導通 狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。此外，優(yōu)選的是，在圖18E的通過晶體管101對顯示元件105供 應電流的期間，使布線103的電位高于輸入到其它布線的電位。此時，晶體管101的柵極和 源極之間的電壓是從相應于閾值電壓的電壓與影像信號電壓之和的電壓減去與晶體管101 的電流特性相應的電壓而得到的電壓。因此，可以減少晶體管101的電流特性不均勻的影 響，可以對顯示元件105供應其大小適當?shù)碾娏?。如圖18A至18E所示，在對晶體管101的遷移率等電流特性不均勻進行校正的期間(圖5C)，晶體管101的遷移率等電流特性不均勻減少，所以在對顯示元件105供應電流 的期間(圖5D)，對顯示元件105供應的電流的不均勻也減少。其結果，顯示元件105的顯 示狀態(tài)的不均勻也減少，可以進行顯示質量高的顯示。此外，在采用圖17B所示的電路結構的情況下，可以在圖18A所示的初始化的期 間，控制晶體管101的第二端子的電位。并且，開關601、開關603及開關605優(yōu)選處于導通 狀態(tài)，而成為接通(ON)。開關204優(yōu)選處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。此外，圖18B 以后同樣地進行工作即可。此外，在采用圖17C所示的電路結構的情況下，可以在圖18A所示的初始化的期 間，控制晶體管101的柵極的電位。并且，優(yōu)選的是，開關601、開關603及開關607處于導 通狀態(tài)，而成為接 通(ON)。開關204優(yōu)選處于非導通狀態(tài)，而成為斷開(OFF)。此外，圖18B 以后同樣地進行工作即可。此外，在采用圖17D所示的電路結構的情況下，可以在圖18A所示的初始化的期 間，控制晶體管101的柵極及/或第二端子的電位。并且，優(yōu)選的是，開關601、開關603、開 關605及開關607處于導通狀態(tài)，而成為接通(ON)。開關204優(yōu)選處于非導通狀態(tài)，而成為 斷開(OFF)。此外，圖18B以后同樣地進行工作即可。此外，在圖18A至18E中，當轉變?yōu)楦鞴ぷ鲿r，也可以在該工作之間設置有另外的 工作或者另外的期間。例如，也可以在圖18A和18B之間設置如圖18C所示的狀態(tài)。即使 設置這種期間，也沒有障礙，所以沒有問題。此外，在本實施方式中，各附圖所述的內(nèi)容可以對另外的實施方式中所述的內(nèi)容 適當?shù)刈杂蛇M行組合或者置換等。實施方式7在本實施方式中，示出實施方式1至實施方式6所示的電路的具體例子。例如，圖19示出圖2A所示的電路構成一個像素并且將該像素配置為矩陣狀的情 況。此外，在圖19中，開關是使用η溝道型晶體管來實現(xiàn)的。但是，不局限于此，也可以使 用另一極性的晶體管，或者使用雙方的極性的晶體管，或者使用二極管或二極管連接的晶 體管等。圖2Α所示的電路構成相當于一個像素的像素1200Μ。將其結構與像素1200Μ相同 的像素作為像素1200Ν、像素1200Ρ、像素1200Q配置為矩陣狀。各像素有時根據(jù)上下、左右 的配置而連接于同一布線。下面，示出圖2Α的各因素和像素1200Μ中的各因素的對應關系。布線104對應于 布線104Μ，布線103對應于布線103Μ，開關201對應于晶體管201Μ，開關202對應于晶體管 202Μ,晶體管101對應于晶體管101Μ，開關203對應于晶體管203Μ，開關204對應于晶體管 204Μ，電容元件102對應于電容元件102Μ，顯示元件105對應于發(fā)光元件105Μ，布線106對 應于布線106Μ。晶體管201Μ的柵極連接于布線1204Μ。晶體管202Μ的柵極連接于布線1203Μ。晶 體管203Μ的柵極連接于布線1202Μ。晶體管204Μ的柵極連接于布線1201Μ。另外，連接于各晶體管的柵極的布線可以連接于其它像素的布線或者同一像素的 其它布線。另外，布線106Μ可以連接于布線106Ρ、布線106Ν、布線106Q。
與圖19同樣，可以構成各種電路。此外，本實施方式中的各附圖所描述的內(nèi)容可以對其他實施方式中所述的內(nèi)容自 由地進行適當?shù)慕M合或者置換等。實施方式8
接著，說明顯示裝置的其它結構例及其驅動方法。在本實施方式中，說明如下方 法在顯示裝置的內(nèi)部基于多個輸入圖像而生成對從顯示裝置的外部輸入的圖像(輸入圖 像)的運動進行插值的圖像，并依次顯示該生成的圖像(生成圖像)和輸入圖像。此外，通 過將生成圖像用作對輸入圖像的運動進行插值這樣的圖像，可以使運動圖像的運動平滑， 而且可以改善由于保持驅動所引起的余像等導致的運動圖像的質量降低的問題。在此，下 面說明運動圖像的插值。關于運動圖像的顯示，理想的是，通過實時控制每個像素的亮度來 實現(xiàn)，但是像素的實時單獨控制很難實現(xiàn)，因為有如下問題控制電路的個數(shù)變得龐大的問 題；布線空間的問題；以及輸入圖像的數(shù)據(jù)量變得龐大的問題，等等。因此，通過以一定的 周期依次顯示多個靜止圖像使得顯示看起來像運動圖像，從而進行顯示裝置的運動圖像的 顯示。該周期(在本實施方式中稱為輸入圖像信號周期，表示為Tin)被標準化，例如根據(jù) NTSC標準為1/60秒，根據(jù)PAL標準為1/50秒。采用這種程度的周期也不會在作為脈沖型 顯示裝置的CRT中發(fā)生運動圖像顯示的問題。但是，在保持型顯示裝置中，當原樣地顯示按 照這些標準的運動圖像時，發(fā)生由于保持型所引起的余像等而使顯示不明顯的問題(保持 模糊；hold blur)。保持模糊是由于人眼的追隨所引起的無意識的運動的插值與保持型的 顯示的不一致(discr印ancy)而被觀察的，因此通過使輸入圖像信號周期比現(xiàn)有的標準短 (近似于像素的實時單獨控制)，可以減少保持模糊，但是縮短輸入圖像信號周期會帶來標 準的改變，而且數(shù)據(jù)量也增大，所以是很困難的。然而，基于標準化了的輸入圖像信號，在顯 示裝置內(nèi)部生成對輸入圖像的運動進行插值這樣的圖像，并利用該生成圖像對輸入圖像進 行插值來進行顯示，從而可以減少保持模糊，而不用改變標準或增大數(shù)據(jù)量。這樣，將基于 輸入圖像信號在顯示裝置內(nèi)部生成圖像信號并對輸入圖像的運動進行插值的處理稱為運 動圖像的插值。通過本實施方式中的運動圖像的插值方法，可以減少運動圖像的模糊。本實施 方式中的運動圖像的插值方法可以分為圖像生成方法和圖像顯示方法。再者，關于特定 圖案的運動，通過使用其它的圖像生成方法及/或圖像顯示方法，可以有效地減少運動圖 像的模糊。圖20A及20B是用來說明本實施方式中的運動圖像的插值方法的一例的示意 圖。在圖20A及20B中，橫軸表示時間，并利用橫方向的位置而表示每個圖像被處理的時序 (timing)。記載有“輸入”的部分示出輸入圖像信號被輸入的時序。在此，作為在時間上相 鄰的兩個圖像，關注圖像5121及圖像5122。輸入圖像以周期Tin的間隔被輸入。此外，有 時將一個周期Tin的長度記為一個幀或者一個幀期間。記載有“生成”的部分示出基于輸入 圖像信號新生成圖像的時序。在此，關注基于圖像5121及圖像5122而生成的生成圖像即 圖像5123。記載有“顯示”的部分示出在顯示裝置上顯示圖像的時序。此外，雖然關于關注 的圖像之外的圖像只用虛線記載，但是通過與關注的圖像同樣地處理，可以實現(xiàn)本實施方 式中的運動圖像的插值方法的一例。如圖20A所示，在本實施方式中的運動圖像的插值方法的一例中，通過使基于在 時間上相鄰的兩個輸入圖像而生成的生成圖像在顯示該兩個輸入圖像的時序的間隙進行顯示，可以進行運動圖像的插值。此時，顯示圖像的顯示周期優(yōu)選為輸入圖像的輸入周期的1/2。但是，不局限于此，而可以采用各種顯示周期。例如，通過使顯示周期比輸入周期的1/2 短，可以進一步平滑地顯示運動圖像。或者，通過使顯示周期比輸入周期的1/2長，可以減 少功耗。此外，雖然在此基于在時間上相鄰的兩個輸入圖像而生成圖像，但是作為基礎的輸 入圖像不局限于兩個，而可以使用各種個數(shù)。例如，當基于在時間上相鄰的三個(也可以是 三個以上)輸入圖像而生成圖像時，與基于兩個輸入圖像的情況相比，可以得到精度更高 的生成圖像。另外，將圖像5121的顯示時序設定為與圖像5122的輸入時序相同的時刻，就 是說將相對于輸入時序的顯示時序設定得延遲一個幀，但是本實施方式中的運動圖像的插 值方法中的顯示時序不局限于此，而可以使用各種顯示時序。例如，可以使相對于輸入時序 的顯示時序延遲一個幀以上。通過這樣做，可以使作為生成圖像的圖像5123的顯示時序延 遲，因此可以使生成圖像5123所需的時間有富余，可以減少功耗并降低制造成本。此外，當 將相對于輸入時序的顯示時序設定得過分延遲時，保持輸入圖像的期間延長，并且保持所 需要的存儲器容量增大，因此相對于輸入時序的顯示時序優(yōu)選延遲一個幀至兩個幀程度。在此，說明基于圖像5121及圖像5122而生成的圖像5123的具體的生成方法的一 例。為了對運動圖像進行插值，而需要檢測出輸入圖像的運動，但是在本實施方式中，為了 檢測出輸入圖像的運動，而可以采用稱為塊匹配法的方法。但是，不局限于此，而可以采用 各種方法(取圖像數(shù)據(jù)的差的方法、利用傅立葉變換的方法等)。在塊匹配法中，首先將一 個輸入圖像的圖像數(shù)據(jù)(在此是圖像5121的圖像數(shù)據(jù))存儲在數(shù)據(jù)存儲單元(半導體存 儲器、RAM等的存儲電路等)。并且，將其次的幀中的圖像(在此是圖像5122)分割為多個 區(qū)域。此外，如圖20A那樣，可以將分割了的區(qū)域設定為相同形狀的矩形，但是不局限于此， 而可以采用各種形狀(根據(jù)圖像而改變形狀或大小等)。然后，對分割了的每個區(qū)域，進行 與儲存在數(shù)據(jù)存儲單元中的前一個幀的圖像數(shù)據(jù)(在此是圖像5121的圖像數(shù)據(jù))之間的 數(shù)據(jù)比較，以搜索圖像數(shù)據(jù)相似的區(qū)域。在圖20A的例子中，從圖像5121中搜索其數(shù)據(jù)與 圖像5122中的區(qū)域5124相似的區(qū)域，搜索出區(qū)域5126。此外，當在圖像5121中進行搜索 時，優(yōu)選限定搜索范圍。在圖20A的例子中，作為搜索范圍而設定區(qū)域5125，其大小為區(qū)域 5124的面積的四倍左右。此外，通過使搜索范圍比此更大，可以在運動快的運動圖像中也提 高檢測精度。但是，當過寬地進行搜索時，搜索時間變得極長，而難以實現(xiàn)運動的檢測，因此 區(qū)域5125的大小優(yōu)選為區(qū)域5124的面積的兩倍至六倍左右。然后，作為運動向量5127，求 得被搜索的區(qū)域5126與圖像5122中的區(qū)域5124的位置的差異。運動向量5127是示出區(qū) 域5124中的圖像數(shù)據(jù)的一個幀期間的運動的向量。再者，為了生成表示運動的中間狀態(tài)的 圖像，而制作不改變運動向量的方向而改變其大小的圖像生成用向量5128，并根據(jù)圖像生 成用向量5128而使圖像5121中的區(qū)域5126所包括的圖像數(shù)據(jù)移動，從而形成圖像5123 中的區(qū)域5129內(nèi)的圖像數(shù)據(jù)。通過對圖像5122中的所有的區(qū)域進行上述一系列的處理， 可以生成圖像5123。再者，通過依次顯示輸入圖像5121、生成圖像5123、輸入圖像5122，可 以對運動圖像進行插值。此外，圖像中的物體5130的位置在圖像5121及圖像5123中不同 (也就是說正在運動)，但是所生成的圖像5123成為圖像5121及圖像5122中的物體的中 間點。通過顯示這種圖像，可以使運動圖像的運動平滑，可以改善由于余像等而引起的運動 圖像的不清楚。此外，圖像生成用向量5128的大小可以根據(jù)圖像5123的顯示時序而決定。在圖20A的例子中，圖像5123的顯示時序為圖像5121及圖像5122的顯示時序的中間點(1/2)， 因此圖像生成用向量5128的大小為運動向量5127的1/2，但是除此之外，例如也可以在顯 示時序為1/3的時刻將大小設定為1/3，在顯示時序為2/3的時刻將大小設定為2/3。此外，這樣，在使具有各種運動向量的多個區(qū)域分別移動而形成新的圖像的情況 下，有時發(fā)生其它區(qū)域已經(jīng)移動到作為移動目的地的區(qū)域內(nèi)的部分(重復)；從任何區(qū)域 也沒有移動過來的部分(空白)。關于這些部分，可以校正數(shù)據(jù)。作為重復部分的校正方法， 例如可以采用如下方法等取重復數(shù)據(jù)的平均的方法；以運動向量的方向等決定優(yōu)選級并 且將優(yōu)選級高的數(shù)據(jù)作為生成圖像內(nèi)的數(shù)據(jù)的方法；顏色和明亮度中的一個根據(jù)優(yōu)先級而 配置并且它們的另一個取平均的方法。作為空白部分的校正方法，可以使用如下方法等將 圖像5121或圖像5122的該位置中的圖像數(shù)據(jù)原樣地作為生成圖像內(nèi)的數(shù)據(jù)的方法；取圖 像5121或圖像5122的該位置中的圖像數(shù)據(jù)的平均的方法。再者，通過以按照圖像生成用 向量5128的大小的時序來顯示所生成的圖像5123，可以使運動圖像的運動平滑，并且可以 改善由于保持驅動所致的余像等而導致的運動圖像的質量降低的問題。如圖20B所示，在本實施方式中的運動圖像的插值方法的其它一例中，在使基于 在時間上相鄰的兩個輸入圖像而生成的生成圖像在顯示該兩個輸入圖像的時序的間隙進 行顯示的情況下，使每個顯示圖像進一步分割成多個子圖像并顯示，從而可以進行運動圖 像的插值。在此情況下，除了可以得到由于圖像顯示周期變短而帶來的優(yōu)點之外，還可以得 到由于暗圖像被定期顯示(顯示方法近似于脈沖型)而帶來的優(yōu)點。就是說，與只將圖像 顯示周期設定為圖像輸入周期的1/2的長度的情況相比，可以進一步改善由于余像等而引 起的運動圖像的不清楚。在圖20B的例子中，“輸入”及“生成”可以進行與圖20A的例子同 樣的處理，因此省略說明。在圖20B的例子中的“顯示”中，可以將一個輸入圖像或/及生 成圖像分割成多個子圖像進行顯示。具體而言，如圖20B所示，通過將圖像5121分割為子 圖像5121a及5121b并依次顯示，使人眼感覺顯示了圖像5121，并通過將圖像5123分割為 子圖像5123a及5123b并依次顯示，使人眼感覺顯示了圖像5123，并通過將圖像5122分割 為子圖像5122a及5122b并依次顯示，使人眼感覺顯示了圖像5122。就是說，作為被人眼感 覺的圖像，設為與圖20A的例子同樣的圖像，并且可以使顯示方法近似于脈沖型，因此可以 進一步改善由于余像等而造成的運動圖像的不清楚。此外，雖然在圖20B中子圖像的分割 數(shù)為兩個，但是不局限于此，而可以使用各種分割數(shù)。另外，雖然在圖20B中顯示子圖像的 時序為等間隔(1/2)，但是不局限于此，而可以使用各種顯示時序。例如，通過使暗的子圖 像(5121b、5122b、5123b)的顯示時序變早(具體而言，1/4至1/2的時序)，可以使顯示方 法進一步近似于脈沖型，因此可以進一步改善由于余像等而造成的運動圖像的不清楚?；?者，通過使暗的子圖像的顯示時序延遲(具體而言，1/2至3/4的時序)，可以延長明亮的圖 像的顯示期間，因此可以提高顯示效率并減少功耗。本實施方式中的運動圖像的插值方法的其它例子是檢測出在圖像內(nèi)運動的物體的形狀并根據(jù)運動的物體的形狀而進行不同的處理的例子。圖20C所示的例子與圖 20B的例子同樣地表示顯示的時序，但表示所顯示的內(nèi)容為運動的字符(也稱為滾動文本 (scroll text)、字幕、反射式字幕(telop)等)的情況。此外，關于“輸入”及“生成”，可 以與圖20B同樣，因此未圖示。有時根據(jù)運動的物體的性質，保持驅動中的運動圖像的不清 楚的程度不同。尤其在很多情況下，當字符運動時顯著地被識別。這是因為，當看運動的字符時視線務必要追隨字符，因此容易發(fā)生保持模糊。而且，因為在很多情況下字符的輪廓清 楚，所以有時由于保持模糊而造成的不清楚被進一步強調。就是說，判斷在圖像內(nèi)運動的物 體是否是字符，并且當是字符時還進行特別的處理，這對于減少保持模糊是有效的。具體而 言，當對在圖像內(nèi)運動的物體進行輪廓檢測或/及圖案檢測等而判斷為該物體是字符時， 對從同一個圖像分割出的子圖像之間也進行運動插值，并顯示運動的中間狀態(tài)，從而可以 使運動平滑。當判斷為該物體不是字符時，如圖20B所示，若是從同一個圖像分割出的子圖 像，就可以不改變運動的物體的位置而進行顯示。在圖20C的例子中示出判斷為字符的區(qū) 域5131在上方向上運動的情況，其中，在圖像5121a和圖像5121b中區(qū)域5131的位置不同。 關于圖像5123a和圖像5123b、圖像5122a和圖像5122b也是同樣。通過這樣做，關于特別 容易觀察保持模糊的運動的字符，可以與通常的運動補償倍速驅動(motion compensation frame ratedoubling)相比更平滑地運動，因此可以進一步改善由于余像等而造成的運動 圖像的不清楚。此外，在本實施方式中，各附圖所述的內(nèi)容可以對另外的實施方式中所述的內(nèi)容 適當?shù)刈杂蛇M行組合或者置換等。實施方式9在本實施方式中，說明顯示裝置的一例。首先，參照圖21A而說明液晶顯示裝置的系統(tǒng)框圖的一例。液晶顯示裝置包括電 路5361、電路5362、電路5363_1、電路5363_2、像素部5364、電路5365以及照明裝置5366。 在像素部5364中，多個布線5371從電路5362延伸而配置，且多個布線5372從電路5363_1 及電路5363_2延伸而配置。并且，在多個布線5371與多個布線5372交叉的各區(qū)域中，包 括液晶元件等顯示元件的像素5367被配置為矩陣狀。電路5361具有根據(jù)影像信號5360而對電路5362、電路5363_1、電路53632及電 路5365供應信號、電壓、或者電流等的功能，并且可以用作控制器、控制電路、時序發(fā)生器 (timing generator)、電源電路、或者調節(jié)器等。在本實施方式中，作為一例，電路5361對 電路5362供應信號線驅動電路用啟動信號(SSP)、信號線驅動電路用時鐘信號(SCK)、信號 線驅動電路用反相時鐘信號(SCKB)、視頻信號用數(shù)據(jù)(DATA)、鎖存信號(LAT)?；蛘?，作為 一例，電路5361對電路5363_1及電路5363_2供應掃描線驅動電路用啟動信號(GSP)、掃 描線驅動電路用時鐘信號(GCK)、以及掃描線驅動電路用反相時鐘信號(GCKB)?；蛘?，電路 5361對電路5365供應背光燈控制信號(backlight control signal :BLC)。但是，不局限 于此，電路5361可以對電路5362、電路5363_1、電路5363_2、以及電路5365供應上述以外 的各種信號、各種電壓、或各種電流等。電路5362具有根據(jù)從電路5361供應的信號(例如，SSP、SCK、SCKB、DATA、LAT)而 將視頻信號輸出到多個布線5371的功能，并且可以用作信號線驅動電路。電路5363_1及 電路5363_2具有根據(jù)從電路5361供應的信號(GSP、GCK、GCKB)而將掃描信號輸出到多個 布線5372的功能，并且可以用作掃描線驅動電路。電路5365具有根據(jù)從電路5361供應的 信號(BLC)而控制對照明裝置5366供應的電量、或者時間等、由此對照明裝置5366的亮度 (或者平均亮度)進行控制的功能，并且可以用作電源電路。此外，在對多個布線5371輸入視頻信號的情況下，多個布線5371可以用作信號 線、視頻信號線、或者源極線等。在對多個布線5372輸入掃描信號的情況下，多個布線5372可以用作信號線、掃描線、或者柵極線等。但是，不局限于此。此外，當同一個信號從電路5361輸入到電路5363_1及電路5363_2時，在很多情 況下，電路5363_1對多個布線5372輸出的掃描信號和電路5363_2對多個布線5372輸出 的掃描信號具有大體上相等的時序。從而，可以減小電路5363_1及電路5363_2所驅動的 負載。因此，可以擴大顯示裝置?；蛘撸梢允癸@示裝置成為高精密?；蛘?，因為可以縮小 電路5363_1及電路5363_2所包括的晶體管的溝道寬度，所以可以得到窄邊框的顯示裝置。 但是，不局限于此，電路5361可以對電路5363_1和電路5363_2分別供應不同信號。此外，可以省略電路5363_1和電路5363_2中的一方。此外，可以在像素部5364中新配置電容線、電源線、掃描線等布線。并且，電路 5361可以對這些布線輸出信號或者電壓等。或者，可以新追加與電路5363_1或電路5363_2 同樣的電路，該新追加的電路可以對新追加的布線輸出掃描信號等信號。此外，像素5367可以包括EL元件等的發(fā)光元件作為顯示元件。在此情況下，如圖 21B所示，顯示元件可以發(fā)光，所以可以省略電路5365及照明裝置5366。并且，可以將能夠 用作電源線的多個布線5373配置在像素部5364中，以便對顯示元件供應電力。電路5361 可以對布線5373供應稱為電壓(ANO)的電源電壓。該布線5373既可以根據(jù)顏色要素而連 接到各像素，又可以共同地連接到所有的像素。此外，在圖21B中，作為一例而示出電路5361對電路5363_1和電路5363_2分 別供應不同信號的情況的一例。電路5361對電路5363_1供應掃描線驅動電路用啟動 信號(GSP1)、掃描線驅動電路用時鐘信號(GCKl)、以及掃描線驅動電路用反相時鐘信號 (GCKBl)等信號。并且，電路5361對電路5363_2供應掃描線驅動電路用啟動信號(GSP2)、 掃描線驅動電路用時鐘信號(GCK2)、以及掃描線驅動電路用反相時鐘信號(GCKB2)等信 號。在此情況下，電路5363_1可以只對多個布線5372中的第奇數(shù)行的布線進行掃描，并且 電路5363_2可以只對多個布線5372中的第偶數(shù)行的布線進行掃描。因此，可以降低電路 5363_1及電路5363_2的驅動頻率，所以可以謀求實現(xiàn)功耗的降低?；蛘撸梢栽龃竽軌虿?置一級部分的觸發(fā)器的面積。因此，可以使顯示裝置成為高精密?；蛘?，可以使顯示裝置大 型化。但是，不局限于此，與圖21A同樣，電路5361可以對電路5363_1和電路5363_2供應 相同的信號。此外，與圖21B同樣，在圖21A中，電路5361也可以對電路5363_1和電路5363_2 分別供應不同信號。如上所述，說明了顯示裝置的系統(tǒng)塊的一例。接著，參照圖22A至22E而說明顯示裝置的結構的一例。在圖22A中，在與像素部5364相同的襯底5380上形成具有對像素部5364輸出信 號的功能的電路(例如，電路5362、電路5363_1及電路5363_2等)。并且，電路5361形 成在與像素部5364不同的襯底上。通過這樣做，減少外部部件的個數(shù)，所以可以謀求實現(xiàn) 成本的降低?；蛘?，因為減少對襯底5380輸入的信號或者電壓的個數(shù)，所以可以減少襯底 5380與外部部件的連接數(shù)。因此，可以謀求實現(xiàn)可靠性的提高或者成品率的提高。此外，在電路形成在與像素部5364不同的襯底上的情況下，該襯底可以通 過 TAB(Tape Automated Bonding ；帶式自動接合)方式安裝到 FPC(Flexible Printed Circuit ；柔性印刷電路)。或者，該襯底可以通過COG (Chip on Glass ；玻璃上芯片)方式安裝到與像素部5364相同的襯底5380。此外，在電路形成在與像素部5364不同的襯底上的情況下，可以在該襯底上形成 利用單晶半導體的晶體管。從而，形成在該襯底上的電路可以得到驅動頻率的提高、驅動電 壓的提高、輸出信號不均勻的減少等優(yōu)點。等。在圖22B中，驅動頻率低的電路(例如，電路5363_1、電路5363_2)形成在與像素 部5364相同的襯底5380上。并且，電路5361及電路5362形成在與像素部5364不同的襯 底上。如此，可以利用遷移率低的晶體管，來構成形成在襯底5380上的電路。因此，作為晶 體管的半導體層，可以使用非單晶半導體、微晶半導體、有機半導體、或者氧化物半導體等。 從而，可以謀求實現(xiàn)顯示裝置的大型化、工序個數(shù)的削減、成本的降低、或者成品率的提高等。此外，如圖22C所示，可以在與像素部5364相同的襯底5380上形成電路5362的 一部分(電路5362a)，并且在與像素部5364不同的襯底上形成電路5362的其它部分(電 路5362b)。電路5362a在很多情況下包括可以由遷移率低的晶體管構成的電路(例如，移 位寄存器、選擇器、開關等)。并且，電路5362b在很多情況下包括優(yōu)選由遷移率高且特性不 均勻小的晶體管構成的電路(例如，移位寄存器、鎖存電路、緩沖電路、DA轉換電路、AD轉換 電路等)。通過這樣做，與圖22B同樣，作為晶體管的半導體層，可以使用非單晶半導體、微 晶半導體、有機半導體、或者氧化物半導體等，并且可以謀求實現(xiàn)外部部件的削減。在圖22D中，具有對像素部5364輸出信號的功能的電路(例如，電路5362、電路 5363_1、以及電路5363_2等)以及具有控制這些電路的功能的電路(例如，電路5361)形成 在與像素部5364不同的襯底上。如此，可以將像素部和其外圍電路形成在不同的襯底上， 所以可以謀求實現(xiàn)成品率的提高。此外，與圖22D同樣，在圖22A至22C中，也可以將電路5363_1及電路5363_2形 成在與像素部5364不同的襯底上。在圖22E中，在與像素部5364相同的襯底5380上形成電路5361的一部分(電路 5361a)，并且在與像素部5364不同的襯底上形成電路5361的其它部分(電路5361b)。電 路5361a在很多情況下包括可以由遷移率低的晶體管構成的電路(例如，開關、選擇器、電 平轉移電路等)。并且，電路5361b在很多情況下包括優(yōu)選由遷移率高且特性不均勻小的晶 體管構成的電路(例如，移位寄存器、時序發(fā)生器、振蕩器、調節(jié)器、或者模擬緩沖器等)。此外，在圖22A至22D中，也可以將電路5361a形成在與像素部5364相同的襯底 上，并且將電路5361b形成在與像素部5364不同的襯底上。此外，在本實施方式中，各附圖所述的內(nèi)容可以對另外的實施方式中所述的內(nèi)容 適當?shù)刈杂蛇M行組合或者置換等。實施方式10在本實施方式中，示出晶體管及電容元件的制造工序的一例。特別地，說明當 作為半導體層而使用氧化物半導體時的制造工序。作為氧化物半導體層，可以使用以 InMO3(ZnO)mGii > 0)表示的層。此外，作為M，有從Ga、Fe、Ni、Mn及Co中選擇的一種金屬 元素或者多種金屬元素等。例如，除了有選擇Ga作為M的情況以外，還有選擇Ga和Ni、或者Ga和Fe等選擇Ga以外的上述金屬元素的情況。此外，在氧化物半導體中，有如下氧化 物半導體除了包括作為M的金屬元素以外，還包括作為雜質元素的Fe、Ni等過渡金屬元 素或者該過渡金屬的氧化物?？梢詫⑦@種薄膜表示為In-Ga-Zn-O類非單晶膜。此外，作為 氧化物半導體，可以使用ZnO。此外，氧化物半導體層的可動離子、典型為鈉的濃度優(yōu)選為 5X IO1Vcm3以下，更優(yōu)選為lX1018/cm3以下，因為可以抑制晶體管的電特性的變化。但是， 不局限于此，可以使用其它各種材料的氧化物半導體作為半導體層。或者，作為半導體層， 可以使用單晶半導體、多晶半導體、微晶(微晶體(microcrystal)、或者納米晶體)半導體、 非晶(amorphous)半導體、或者各種非單晶半導體等。參照圖23A至23C而說明晶體管、以及電容元件的制造工序的一例。圖23A至23C 是晶體管5441、以及電容元件5442的制造工序的一例。晶體管5441是反交錯型薄膜晶體 管的一例，是在氧化物半導體層上經(jīng)由源電極或漏電極而設置有布線的晶體管的例子。首先，通過濺射法在襯底5420的整個表面上形成第一導電層。接著，通過利用由 使用第一光掩模的光刻工藝形成的抗蝕劑掩模對第一導電層選擇性地進行蝕刻，形成導電 層5421、以及導電層5422。導電層5421可以用作柵電極，并且導電層5422可以用作電容 元件的一個電極。但是，不局限于此，導電層5421及導電層5422可以具有用作布線、柵電 極、或者電容元件的電極的部分。此后，去掉抗蝕劑掩模。
接著，通過利用等離子體CVD法或者濺射法在整個表面上形成絕緣層5423。絕緣 層5423可以用作柵極絕緣層，形成為覆蓋導電層5421以及導電層5422。此外，在很多情況 下，絕緣層5423的厚度為50nm至250nm。此外，在使用氧化硅層作為絕緣層5423的情況下，可以通過使用了有機硅烷氣體 的CVD法來形成氧化硅層。作為有機硅烷氣體，可以使用四乙氧基硅烷(TE0S:化學式為 Si (OC2H5) 4)、四甲基硅烷(TMS 化學式為Si (CH3)4)、四甲基環(huán)四硅氧烷(TMCTS)、八甲基環(huán) 四硅氧烷(OMCTS)、六甲基二硅氮烷(HMDS)、三乙氧基硅烷(SiH(OC2H5)3)、三(二甲氨基) 硅烷(SiH(N(CH3)2)3)等含有硅的化合物或者氧化釔(Y2O3)。接著，通過利用由使用第二光掩模的光刻工藝形成的抗蝕劑掩模對絕緣層5423 選擇性地進行蝕刻，形成到達導電層5421的接觸孔5424。此后，去掉抗蝕劑掩模。但是， 不局限于此，可以省略接觸孔5424?；蛘?，可以在形成氧化物半導體層后形成接觸孔5424。 到此為止的階段的截面圖相當于圖23A。接著，通過濺射法在整個表面上形成氧化物半導體層。但是，不局限于此，可以通 過濺射法形成氧化物半導體層，并且在該氧化物半導體層上還形成η.層。此外，在很多情 況下，氧化物半導體層的膜厚為5nm至200nm。此外，優(yōu)選在通過濺射法形成氧化物半導體層之前，進行引入氬氣體來產(chǎn)生等 離子體的反濺射。通過該反濺射，可以去掉附著在絕緣層5423的表面及接觸孔5424的 底面的灰塵。反濺射是如下方法不對靶(target) —側施加電壓，而在氬氣氛(argon atmosphere)下對襯底一側使用RF電源來施加電壓從而在襯底上形成等離子體，以進行表 面的改性(modified)。但是，不局限于此，可以使用氮、氦等而替代氬氣氛?；蛘?，可以在對 氬氣氛添加氧、N20等的氣氛中進行?；蛘?，可以在對氬氣氛添加C12、CF4等的氣氛中進行。 此外，當進行反濺射時，絕緣層5423的表面優(yōu)選被削減2nm至IOnm左右。通過在這種等離 子體處理后，以不暴露于大氣的方式形成氧化物半導體層，從而不會使灰塵或水分附著到柵極絕緣層和半導體層的界面，所以是很有用的。接著，利用第三光掩模對氧化物半導體層選擇性地進行蝕刻。此后，去掉抗蝕劑掩 模。接著，通過濺射法在整個表面上形成第二導電層。接著，通過利用由使用第四光掩 模的光刻工藝形成的抗蝕劑掩模對第二導電層選擇性地進行蝕刻，形成導電層5429、導電 層5430、以及導電層5431。導電層5429通過接觸孔5424連接到導電層5421。導電層5429 以及導電層5430可以用作源電極或者漏電極，并且導電層5431可以用作電容元件的另一 個電極。但是，不局限于此，導電層5429、導電層5430以及導電層5431可以包括用作布線、 源電極或漏電極、或者電容元件的電極的部分。此外，此后，在進行熱處理(例如，200°C至600°C )的情況下，優(yōu)選使第二導電層 具有承受該熱處理的耐熱性。因此，作為第二導電層，優(yōu)選采用組合Al和耐熱性導電材料 (例如，Ti、Ta、W、Mo、Cr、Nd、Sc、Zr、Ce等元素；組合這些元素的合金；或者以這些元素為 成分的氮化物；等等)而成的材料。但是，不局限于此，通過使第二導電膜具有疊層結構，可 以使第二導電膜具有耐熱性。例如，可以在Al上下設置Ti或Mo等耐熱性導電材料。此外，優(yōu)選在通過濺射法形成第二導電層之前，進行引入氬氣體來產(chǎn)生等離子體 的反濺射，以去掉附著在絕緣層5423的表面、氧化物半導體層的表面及接觸孔5424的底面 的灰塵。但是，不局限于此，可以使用氮、氦等而替代氬氣氛?；蛘撸梢栽趯鍤夥仗砑友?、 氫、N2O等的氣氛中進行?；蛘撸梢栽趯鍤夥仗砑覥l2、CF4等的氣氛中進行。此外，當對第二導電層進行蝕刻時，還對氧化物半導體層的一部分進行蝕刻，以形 成氧化物半導體層5425。通過該蝕刻，與導電層5421重疊的部分的氧化物半導體層5425、 或者在上方?jīng)]有形成第二導電層的部分的氧化物半導體層5425被削減，所以在很多情況 下變薄。但是，不局限于此，氧化物半導體層可以不受到蝕刻。但是，當在氧化物半導體層 之上形成n+層時，在很多情況下氧化物半導體層受到蝕刻。此后，去掉抗蝕劑掩模。在該 蝕刻結束的階段，晶體管5441和電容元件5442完成。到此為止的階段的截面圖相當于圖 23B。在此，當在通過濺射法形成第二導電層之前進行反濺射時，有時絕緣層5423的露 出部優(yōu)選被削減2nm至IOnm左右。因此，有時在絕緣層5423形成凹部?；蛘?，通過在對第 二導電層進行蝕刻而形成導電層5429、導電層5430、以及導電層5431后進行反濺射，如圖 23B所示，有時導電層5429、導電層5430、以及導電層5431的端部彎曲。接著，在大氣氣氛或氮氣氣氛下進行200°C至600°C的加熱處理。通過該熱處理， 進行In-Ga-Zn-O類非單晶層的在原子級上的重新排列。通過該熱處理，阻礙載流子的移動 的應變被解除，所以在此的熱處理(也包括光退火)是很重要的。此外，對進行該加熱處理 的時序沒有限制，只要在形成氧化物半導體后，就可以以各種時序進行。接著，在整個表面上形成絕緣層5432。絕緣層5432既可以采用單層結構，又可以 采用疊層結構。例如，在使用有機絕緣層作為絕緣層5432的情況下，涂敷作為有機絕緣層 的材料的組成物，并且在大氣氣氛或氮氣氣氛下進行200°C至600°C的熱處理，以形成有機 絕緣層。如此，通過形成與氧化物半導體層接觸的有機絕緣層，可以制造電特性的可靠性高 的薄膜晶體管。此外，在使用有機絕緣層作為絕緣層5432的情況下，可以在有機絕緣層下 設置氮化硅膜、或者氧化硅膜。
此外，在圖23C中示出使用非感光性樹脂而形成絕緣層5432的情況，所以在形成 接觸孔的區(qū)域的截面中絕緣層5432的端部有棱角。然而，當使用感光性樹脂而形成絕緣層 5432時，可以在形成接觸孔的區(qū)域的截面中，使絕緣層5432的端部彎曲。其結果，提高后面 形成的第三導電層或者像素電極的覆蓋率。此外，可以根據(jù)材料而采用浸漬、噴涂、噴墨法、印刷法、刮刀、輥涂機、幕涂機、刮 刀涂布機等而替代涂敷組成物。此外，可以不進行形成氧化物半導體層后的加熱處理而在對作為有機絕緣層的材 料的組成物進行加熱處理的同時對氧化物半導體層進行加熱處理。此外，以200nm至5 μ m，優(yōu)選以300nm至1 μ m的厚度形成絕緣層5432。接著，在整個表面上形成第三導電層。接著，通過利用由使用第五光掩模的光刻 工藝形成的抗蝕劑掩模對第三導電層選擇性地進行蝕刻，形成導電層5433、以及導電層 5434。到此為止的階段的截面圖相當于圖23C。導電層5433以及導電層5434可以用作布 線、像素電極、反射電極、透明電極、或者電容元件的電極。特別地，因為導電層5434連接到 導電層5422，所以它可以用作電容元件5442的電極。但是，不局限于此，可以具有連接第一 導電層和第二導電層的功能。例如，通過連接導電層5433和導電層5434，可以通過第三導 電層(導電層5433以及導電層5434)而連接導電層5422和導電層5430。此外，電容元件5442具有由導電層5422和導電層5434夾住導電層5431的結構， 所以可以增大電容元件5442的電容值。但是，不局限于此，可以省略導電層5422和導電層 5434中的一方。此外，可以在通過濕蝕刻去掉抗蝕劑掩模后，在大氣氣氛或者氮氣氛下進行200。C 至600°C的加熱處理。通過上述工序，可以制造晶體管5441和電容元件5442。此外，如圖23D所示，可以在氧化物半導體層5425之上形成絕緣層5435。絕緣層 5435具有當?shù)诙щ妼颖粯媹D時防止氧化物半導體層被削減的功能，并且用作溝道截斷 膜(channel stop film)。因此，可以使氧化物半導體層的膜厚變薄，所以可以謀求實現(xiàn)晶 體管的驅動電壓的降低、截止電流的降低、漏電流的導通/截止比的提高、或者S值的改善 等。此外，絕緣層5435可以通過如下工序來形成在整個表面上連續(xù)形成氧化物半導體層 和絕緣層，然后利用由使用光掩模的光刻工藝形成的抗蝕劑掩模對該絕緣層選擇性地進行 構圖。此后，在整個表面上形成第二導電層，并且與第二導電層一起對氧化物半導體層進行 構圖。就是說，可以通過使用同一個掩模(中間掩模(reticle))對氧化物半導體層和第二 導電層進行構圖。在此情況下，在第二導電層之下一定形成氧化物半導體層。如此，可以不 增加工序數(shù)而形成絕緣層5435。在這種制造工序中，在很多情況下，在第二導電層之下形成 氧化物半導體層。但是，不局限于此，可以在對氧化物半導體層進行構圖后，在整個表面上 形成絕緣層，并且對該絕緣層進行構圖，以形成絕緣層5435。此外，在圖23D中，電容元件5442具有由導電層5422和導電層5431夾住絕緣層5423和氧化物半導體層5436的結構。但是，可以省略氧化物半導體層5436。并且，導電層 5430和導電層5431經(jīng)由對第三導電層進行構圖而形成的導電層5437彼此連接。作為一 例，這種結構可以用于液晶顯示裝置的像素。例如，晶體管5441可以用作開關晶體管，并且 電容元件5442可以用作存儲電容元件。并且，導電層5421、導電層5422、導電層5429、導電層5437各自可以用作柵極線、電容線、源極線、像素電極。但是，不局限于此。此外，與圖 23D同樣，在圖23C中，也可以使導電層5430和導電層5431經(jīng)由第三導電層彼此連接。此外，如圖23E所示，可以在對第二導電層進行構圖后形成氧化物半導體層5425。 通過這樣做，當?shù)诙щ妼颖粯媹D時，不會形成氧化物半導體層，所以氧化物半導體層不被 削減。因此，可以使氧化物半導體層的膜厚變薄，所以可以謀求實現(xiàn)晶體管的驅動電壓的降 低、截止電流的降低、漏電流的導通/截止比的提高、或者S值的改善等。此外，氧化物半導 體層5425可以通過如下工序來形成在對第二導電層進行構圖后，在整個表面上形成氧化 物半導體層，然后利用由使用光掩模的光刻工藝形成的抗蝕劑掩模對氧化物半導體層選擇 性地進行構圖。此外，在圖23E中，電容元件具有由導電層5422和通過對第三導電層進行構圖而 形成的導電層5439夾住絕緣層5423和絕緣層5432的結構。并且，導電層5422和導電層 5430經(jīng)由對第三導電層進行構圖而形成的導電層5438彼此連接。再者，導電層5439與通 過對第二導電層進行構圖而形成的導電層5440連接。此外，與圖23E同樣，在圖23C及23D 中，也可以使導電層5430和導電層5422經(jīng)由導電層5438彼此連接。
此外，通過使氧化物半導體層(或者溝道層)的膜厚比在晶體管截止時的耗盡層 薄，可以造成完全耗盡狀態(tài)(complete d印letionstate)。如此，可以降低截止電流。為實 現(xiàn)此，氧化物半導體層的膜厚優(yōu)選為20nm以下，更優(yōu)選為IOnm以下，特別優(yōu)選為6nm以下。此外，為了謀求實現(xiàn)晶體管的工作電壓的降低、截止電流的降低、漏電流的導通/ 截止比的提高、或者S值的改善等，而優(yōu)選使氧化物半導體層的膜厚在構成晶體管的層之 中最薄。例如，氧化物半導體層的膜厚優(yōu)選比絕緣層5423薄。氧化物半導體層的膜厚更優(yōu) 選為絕緣層5423的1/2以下。更優(yōu)選的是，氧化物半導體層的膜厚為絕緣層5423的1/5 以下。特別優(yōu)選的是，氧化物半導體層的膜厚為絕緣層5423的1/10以下。但是，不局限于 此，為了提高可靠性，可以使氧化物半導體層的膜厚比絕緣層5423厚。特別地，如圖23C所 示，在氧化物半導體層被削減的情況下，氧化物半導體層的膜厚優(yōu)選為厚，所以氧化物半導 體層的膜厚可以比絕緣層5423厚。此外，為了提高晶體管的耐壓性，絕緣層5423的膜厚優(yōu)選比第一導電層厚。更優(yōu) 選的是，絕緣層5423的膜厚為第一導電層的5/4以上。特別優(yōu)選的是，絕緣層5423的膜 厚為第一導電層的4/3以上。但是，不局限于此，為了提高晶體管的遷移率，可以使絕緣層 5423的膜厚比第一導電層薄。此外，作為本實施方式的襯底、絕緣膜、導電膜、以及半導體層，可以使用與其他實 施方式中所述的材料、或者本說明書中所述的材料同樣的材料。此外，在本實施方式中，各附圖所述的內(nèi)容可以對另外的實施方式中所述的內(nèi)容 適當?shù)刈杂蛇M行組合或者置換等。實施方式11在本實施方式中，參照圖24A、24B及24C而說明晶體管的結構的一例。圖24A是頂柵型晶體管的結構的一例。圖24B是底柵型晶體管的結構的一例。圖 24C是利用半導體襯底制造的晶體管的結構的一例。圖24A示出襯底5260 ；形成在襯底5260之上的絕緣層5261 ；形成在絕緣層5261 之上并且包括區(qū)域5262a、區(qū)域5262b、區(qū)域5262c、區(qū)域5262d、以及區(qū)域5262e的半導體層5262 ；以覆蓋半導體層5262的方式形成的絕緣層5263 ；形成在半導體層5262及絕緣層 5263之上的導電層5264 ；形成在絕緣層5263及導電層5264之上的包括開口部的絕緣層 5265 ；形成于絕緣層5265之上及絕緣層5265的開口部的導電層5266 ；形成在導電層5266 之上及絕緣層5265之上并且包括開口部的絕緣層5267 ；形成于絕緣層5267之上及絕緣層 5267的開口部的導電層5268 ；形成在絕緣層5267之上及導電層5268之上并且包括開口部 的絕緣層5269 ；形成于絕緣層5269之上及絕緣層5269的開口部的發(fā)光層5270 ；以及形成 在絕緣層5269之上及發(fā)光層5270之上的導電層5271。圖24B示出襯底5300 ；形成在襯底5300之上的導電層5301 ；以覆蓋導電層5301 的方式形成的絕緣層5302 ；形成在導電層5301及絕緣層5302之上的半導體層5303a ；形 成在半導體層5303a之上的半導體層5303b ；形成在半導體層5303b之上及絕緣層5302之 上的導電層5304 ；形成在絕緣層5302之上及導電層5304之上并且包括開口部的絕緣層 5305 ；形成于絕緣層5305之上及絕緣層5305的開口部的導電層5306 ；配置在絕緣層5305 之上及導電層5306之上的液晶層5307 ；以及形成在液晶層5307之上的導電層5308。圖24C示出包括區(qū)域5353及區(qū)域5355的半導體襯底5352 ；形成在半導體襯底 5352之上的絕緣層5356 ；形成在半導體襯底5352之上的絕緣層5354 ；形成在絕緣層5356 之上的導電層5357 ；形成在絕緣層5354、絕緣層5356、以及導電層5357之上并且包括開口 部的絕緣層5358 ；以及形成于絕緣層5358之上及絕緣層5358的開口部的導電層5359。如 此，在區(qū)域5350和區(qū)域5351中分別制造晶體管。絕緣層5261可以用作基底膜(base film)。絕緣層5354用作元件間分離層 (element isolation layer)(例如，場氧化膜)。絕緣層5263、絕緣層5302、絕緣層5356可 以用作柵極絕緣膜。導電層5264、導電層5301、導電層5357可以用作柵電極。絕緣層5265、 絕緣層5267、絕緣層5305及絕緣層5358可以用作層間膜或者平坦化膜。導電層5266、導 電層5304、以及導電層5359可以用作布線、晶體管的電極、或者電容元件的電極等。導電 層5268以及導電層5306可以用作像素電極、或者反射電極等。絕緣層5269可以用作分隔 壁。導電層5271及導電層5308可以用作對電極或者公共電極等。作為襯底5260及襯底5300的一例，有玻璃襯底、石英襯底、單晶襯底(例如，硅襯 底)、S0I襯底、塑料襯底、金屬襯底、不銹鋼襯底、具有不銹鋼 鋼 箔的襯底、鎢襯底、具有 鎢 箔的襯底或者撓性襯底等。作為玻璃襯底的一例，有鋇硼硅酸鹽玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃 等。作為撓性襯底的一例，有如下具有撓性的合成樹脂以聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、 聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)為典型的塑料；丙烯酸樹脂；等等。此外，還有 襯紙薄膜(聚丙烯、聚酯、乙烯基、聚氟化乙烯、氯乙烯等)、包括纖維狀材料的紙、基材薄膜 (聚酯、聚酰胺、聚酰亞胺、無機蒸鍍薄膜、紙類等)等。作為一例，半導體襯底5352可以采用具有n型或p型的導電性的單晶Si襯底。但 是，不局限于此，可以采用與襯底5260同樣的襯底。作為一例，區(qū)域5353是對半導體襯底 5352添加有雜質的區(qū)域，并且用作阱(well)。例如，在半導體襯底5352具有p型導電性的 情況下，區(qū)域5353具有n型導電性，并且用作n阱。另一方面，在半導體襯底5352具有n 型導電性的情況下，區(qū)域5353具有p型導電性，并且用作p阱。作為一例，區(qū)域5355是對 半導體襯底5352添加有雜質的區(qū)域，并且用作源區(qū)或漏區(qū)。此外，可以在半導體襯底5352 中形成LDD區(qū)域。
作為絕緣層5261的一例，有氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜、氧氮化硅 (SiOxNy) (x > y)膜、氮氧化硅(SiNxOy) (x > y)膜等具有氧或氮的膜、或者這些的疊層結 構等。作為在絕緣層5261由兩層結構設置的情況下的一例，作為第一層的絕緣層而可以設 置氮化硅膜，并且作為第二層的絕緣層而可以設置氧化硅膜。作為在絕緣層5261由三層結 構設置的情況下的一例，作為第一層的絕緣層而可以設置氧化硅膜，作為第二層的絕緣層 而可以設置氮化硅膜，并且作為第三層的絕緣層而可以設置氧化硅膜。作為半導體層5262、半導體層5303a以及半導體層5303b的一例，有非單晶半導 體(非晶(amorphous)硅、多晶硅、微晶硅等)、單晶半導體、化合物半導體或者氧化物半導 體(ZnO、InGaZnO、SiGe、GaAs、IZ0、I T0、SnO、TiO、AlZnSnO(AZT0))、有機半導體、或者碳納 米管等。此外，例如，區(qū)域5262a處于沒有對半導體層5262添加雜質的本征的狀態(tài)，并且用 作溝道區(qū)域。但是，可以對區(qū)域5262a添加微量的雜質，并且添加到區(qū)域5262a的雜質的濃 度優(yōu)選比添加到區(qū)域5262b、區(qū)域5262c、區(qū)域5262d、或者區(qū)域5262e的雜質的濃度低。區(qū)域 5262b及區(qū)域5262d是以低濃度添加有雜質的區(qū)域，并且用作LDD(Lightly Doped Drain 輕摻雜漏)區(qū)域。但是，可以省略區(qū)域5262b及區(qū)域5262d。區(qū)域5262c及區(qū)域5262e是對 半導體層5262以高濃度添加雜質的區(qū)域，并且用作源區(qū)或漏區(qū)。此外，半導體層5303b是添加有磷等作為雜質元素的半導體層，并且具有n型導電 性。此外，當作為半導體層5303a而使用氧化物半導體、或者化合物半導體時，可以省 略半導體層5303b。作為絕緣層5263、絕緣層5302、以及絕緣層5356的一例，有氧化硅(SiOx)膜、氮 化硅(SiNx)膜、氧氮化硅(SiOxNy) (x > y)膜、氮氧化硅(SiNxOy) (x > y)膜等具有氧或 氮的膜、或者這些的疊層結構等。作為導電層5264、導電層5266、導電層5268、導電層5271、導電層5301、導電層 5304、導電層5306、導電層5308、導電層5357以及導電層5359的一例，有單層結構的導電 膜或者這些的疊層結構等。作為該導電膜的一例，有從由鋁(A1)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、 鎢(W)、釹(Nd)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、錳(Mn)、鈷(Co)、鈮 (Nb)、硅(Si)、鐵(Fe)、鈀(Pd)、碳(C)、鈧(Sc)、鋅(Zn)、磷(P)、硼(B)、砷(As)、鎵(Ga)、 銦(In)、錫(Sn)、氧(0)、鋯(&)、鈰(Ce)構成的組中選擇的一種元素的單質膜、或者包含 從上述組中選擇的一種或多種元素的化合物等。作為該化合物的一例，有包含從上述組中 選擇的一種或多種元素的合金(氧化銦錫(IT0)、氧化銦鋅(IZ0)、包含氧化硅的氧化銦 錫(ITS0)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO)、氧化錫鎘(CT0)、鋁釹(Al_Nd)、鋁鎢(A1-W)、鋁 鋯(A1-&)、鋁鈦(Al-Ti)、鋁鈰(Al-Ce)、鎂銀(Mg_Ag)、鉬鈮(Mo_Nb)、鉬鎢(Mo_W)、鉬鉭 (Mo-Ta)等合金材料)、從上述組中選擇的一種或多種元素和氮的化合物(氮化鈦、氮化鉭、 氮化鉬等氮化膜)、或者從上述組中選擇的一種或多種元素和硅的化合物(硅化鎢、硅化 鈦、硅化鎳、鋁硅、鉬硅等硅化物膜)等。此外，還有碳納米管、有機納米管、無機納米管、或 者金屬納米管等納米管材料。此外，硅(Si)可以包含n型雜質(磷等)或p型雜質(硼等)。通過將雜質包含 在硅中，可以提高導電率，并且該硅可以起到與通常的導體相同的作用。因此，可以容易將該硅用作布線或電極等。另外，作為硅，可以采用單晶、多晶(多晶硅)、微晶(微晶硅)等的具有各種結晶 性的硅、或者非晶(非晶硅)等的沒有結晶性的硅等。通過使用單晶硅或多晶硅作為硅，可 以降低布線、電極、導電層、導電膜、端子等的電阻。通過使用非晶硅或微晶硅作為硅，可以 以簡單的工序形成布線等。此外，在使用硅等半導體材料作為導電層的情況下，可以與晶體管所包括的半導 體層一起形成硅等半導體材料。此外，由于鋁或銀的導電率高，因此可以減少信號延遲。再者，由于對鋁或銀容易 進行蝕刻，因此容易進行構圖，并可以進行精細的加工。此外，由于銅的導電率高，因此可以減少信號延遲。在使用銅作為導電層時，優(yōu)選 采用疊層結構以提高緊密性。此外，鉬或鈦是優(yōu)選的，因為它們具有如下優(yōu)點即使與氧化物半導體(IT0、IZ0 等)或硅接觸，也不會產(chǎn)生不良；容易進行蝕刻；耐熱性高等。因此，作為與氧化物半導體或 硅接觸的導電層，優(yōu)選使用鉬或鈦。此外，鎢具有耐熱性高等的優(yōu)點，所以是優(yōu)選的。此外，因為釹具有耐熱性高等的優(yōu)點，所以是優(yōu)選的。特別是，通過采用釹和鋁的 合金材料作為導電層，鋁不容易產(chǎn)生小丘。但是，不局限于此，通過采用鋁與鉭、鋯、鈦或 鈰的合金材料，鋁也不容易產(chǎn)生小丘。特別是，鋁與鈰的合金材料可以大幅度地減少電弧 (arcing)。此外，ITO、IZO、ITSO、ZnO、Si、SnO、CT0、或者碳納米管等具有透光性，所以可以將 這些材料用于像素電極、對電極、或公共電極等透過光的部分。特別是，優(yōu)選使用IZ0，因為 對IZ0容易進行蝕刻并且容易加工。IZ0不容易引起當蝕刻時留下渣滓的問題。因此，通過 使用IZ0作為像素電極，可以減少給液晶元件或發(fā)光元件帶來的故障(短路、取向無序等)。此外，導電層既可以采用單層結構，又可以采用疊層結構。通過采用單層結構，可 以使布線、電極、導電層、導電膜、端子等的制造工序簡化，并可以減少工序日數(shù)，并且可以 降低成本。另一方面，通過采用疊層結構，可以有效地利用各種材料的優(yōu)點并且減少缺點， 從而可以形成高性能的布線、電極等。例如，通過在多層結構中包括低電阻材料(鋁等)， 可以謀求實現(xiàn)布線的低電阻化。作為另一例子，通過采用低耐熱性材料被夾在高耐熱性材 料之間的疊層結構，可以有效地利用低耐熱性材料的優(yōu)點并且提高布線、電極等的耐熱性。 作為這種疊層結構的一例，優(yōu)選采用包括鋁的層被夾在包括鉬、鈦、釹等的層之間的疊層結 構。此外，在布線、電極等彼此直接接觸的情況下，它們可能彼此受到負面影響。例如， 一個布線或電極等可能進入另一個布線或電極等的材料中而改變其性質，因此不能發(fā)揮本 來的作用。作為另一例子，當形成或制造高電阻部分時，有時發(fā)生問題并且不能正常地制 造。在這種情況下，可以利用不容易與其他材料起反應的材料夾住或覆蓋與其他材料起反 應而改變性質的材料。例如，在連接IT0和鋁的情況下，可以在IT0和鋁之間插入鈦、鉬、釹 合金等。例如，在連接硅和鋁的情況下，可以在硅和鋁之間插入鈦、鉬、釹合金。此外，可以將這些材料用于布線、電極、導電層、導電膜、端子、通路、插頭等。作為絕緣層5265、絕緣層5267、絕緣層5269、絕緣層5305及絕緣層5358的一例，有單層結構的絕緣層或者這些的疊層結構等。作為該絕緣層的一例，有氧化硅(SiOx)膜、 氮化硅(SiNx)膜、氧氮化硅(SiOxNy) (x > y)膜、氮氧化硅(SiNxOy) (x > y)膜等具有氧 或氮的膜；DLC(diamond-like carbon 類金剛石碳)膜等具有碳的膜；硅烷氧樹脂、環(huán)氧、 聚酰亞胺、聚酰胺、聚乙烯基苯酚、苯并環(huán)丁烯、或者丙烯酸樹脂等有機材料等。作為發(fā)光層5270的一例，有有機EL元件或者無機EL元件等。作為有機EL元件 的一例，有由空穴注入材料構成的空穴注入層、由空穴傳輸材料構成的空穴傳輸層、由發(fā)光 材料構成的發(fā)光層、由電子傳輸材料構成的電子傳輸層、由電子注入材料構成的電子注入 層等；混合上述材料中的多種材料而成的層的單層結構；這些層的疊層結構；等等。作為液晶層5307的一例，有向列液晶、膽甾相(cholesteric)液晶、近晶相液晶、 盤狀液晶、熱致液晶、溶致液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶(PDLC)、鐵電 液晶、反鐵電液晶、主鏈型液晶、側鏈型高分子液晶、等離子體尋址液晶(PALC)、香蕉型液 晶等。另外，作為液晶的驅動方式，有TNCTwisted Nematic 扭轉向列)模式、STN(Super Twisted Nematic 超扭轉向列)模式、IPS (In-Plane-Switching 平面內(nèi)切換)模式、 FFS(Fringe FieldSwitching 邊緣場切換)模式、MVA(Multi-domain VerticalAlignment 多象限垂直配向)模式、PVA (Patterned VerticalAlignment 垂直取向構型)模式、 ASV(Advanced Super View 流動超視覺)模式、ASM(Axially Symmetric aligned Micro-cell 軸對稱排列微胞)模式、0CB(Optically Compensated Birefringence 光 學補償彎曲)模式、ECB(Electrically Controlled Birefringence 電控雙折射)模
FLC(Ferroelectric Liquid Crystal)AFLC(AntiFerroelectric
Liquid Crystal 反鐵電性液晶)模式、PDLC (Polymer Dispersed Liquid Crystal 聚合 物分散液晶)模式、賓主模式、藍相(Blue Phase)模式等。此外，在絕緣層5305之上及導電層5306之上可以形成用作取向膜的絕緣層、用作 突起部的絕緣層等。此外，在導電層5308之上可以形成用作濾色片、黑底(blackmatrix)或者突起部 的絕緣層等。在導電層5308之下可以形成用作取向膜的絕緣層。此外，在圖24A的截面結構中，可以省略絕緣層5269、發(fā)光層5270以及導電層 5271并且將圖24B所示的液晶層5307、導電層5308形成在絕緣層5267之上及導電層5268 之上。此外，在圖24B的截面結構中，可以省略液晶層5307、導電層5308并且將圖24A所 示的絕緣層5269、發(fā)光層5270及導電層5271形成在絕緣層5305之上及導電層5306之上。此外，在圖24C的截面結構中，可以將圖24A所示的絕緣層5269、發(fā)光層5270及 導電層5271形成在絕緣層5358及導電層5359之上?；蛘撸梢詫D24B所示的液晶層 5307、導電層5308形成在絕緣層5267之上及導電層5268之上。此外，在本實施方式中，各附圖所述的內(nèi)容可以對另外的實施方式中所述的內(nèi)容 適當?shù)刈杂蛇M行組合或者置換等。實施方式12在本實施方式中，說明電子設備的例子。圖26A至26H、圖27A至27D是示出電子設備的圖。這些電子設備可以包括框體 9630、顯示部9631、揚聲器9633、LED燈9634、操作鍵9635、連接端子9636、傳感器9637 (它包括測定如下因素的功能力、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉動數(shù)、距離、光、液、磁、 溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、射線、流量、濕度、傾斜度、振動、 氣味或紅外線)、麥克風9638等。圖26A示出移動計算機，該移動計算機除了上述以外還可以包括開關9670、紅外 端口 9671等。圖26B示出具備記錄媒體的便攜式圖像再現(xiàn)裝置(例如DVD再現(xiàn)裝置)， 該便攜式圖像再現(xiàn)裝置除了上述以外還可以包括第二顯示部9632、記錄媒體讀取部9672 等。圖26C示出護目鏡型顯示器，該護目鏡型顯示器除了上述以外還可以包括第二顯示部 9632、支撐部9673、耳機9674等。圖26D示出便攜式游戲機，該便攜式游戲機除了上述以 外還可以包括記錄媒體讀取部9672等。圖26E示出具有電視接收功能的數(shù)碼相機，該數(shù)碼 相機除了上述以外還可以包括天線9675、快門按鈕9676、圖像接收部9677等。圖26F示出 便攜式游戲機，該便攜式游戲機除了上述以外還可以包括第二顯示部9632、記錄媒體讀取 部9672等。圖26G示出電視接收機，該電視接收機除了上述以外還可以包括調諧器、圖像 處理部等。圖26H示出便攜式電視接收機，該便攜式電視接收機除了上述以外還可以包括 能夠收發(fā)信號的充電器9678等。圖27A示出顯示器，該顯示器除了上述以外還可以包括支 撐臺9679等。圖27B示出影像拍攝裝置，該影像拍攝裝置除了上述以外還可以包括外部連 接端口 9680、快門按鈕9676、圖像接收部9677等。圖27C示出計算機，該計算機除了上述 以外還可以包括定位裝置9681、外部連接端口 9680、讀取/寫入器9682等。圖27D示出移 動電話機，該移動電話機除了上述以外還可以包括發(fā)送部、接收部、用于移動電話/移動終 端的單波段播放(one-segment broadcasting)部分接收服務用調諧器等。圖26A至26H、圖27A至27D所示的電子設備可以具有各種功能。例如，可以具有 如下功能將各種信息(靜態(tài)圖像、動態(tài)圖像、文本圖像等)顯示在顯示部上的功能；觸控 面板功能；顯示日歷、日期或時刻等的功能；通過利用各種軟件(程序)控制處理的功能； 無線通信功能；通過利用無線通信功能來連接到各種計算機網(wǎng)絡的功能；通過利用無線通 信功能進行各種數(shù)據(jù)的發(fā)送或接收的功能；讀出儲存在記錄媒體中的程序或數(shù)據(jù)并將它顯 示在顯示部上的功能；等等。再者，在具有多個顯示部的電子設備中，可以具有如下功能 一個顯示部主要顯示圖像信息，而另一個顯示部主要顯示文字信息；或者，在多個顯示部上 顯示考慮到視差的圖像來顯示立體圖像；等等。再者，在具有圖像接收部的電子設備中，可 以具有如下功能拍攝靜態(tài)圖像；拍攝動態(tài)圖像；對所拍攝的圖像進行自動或手動校正；將 所拍攝的圖像儲存在記錄媒體(外部或內(nèi)置于影像拍攝裝置)中；將所拍攝的圖像顯示在 顯示部上；等等。此外，圖26A至26H、圖27A至27D所示的電子設備可具有的功能不局限 于上述功能，可以具有各種各樣的功能。本實施方式所述的電子設備的特征在于具有用來顯示某些信息的顯示部。因為電 子設備在其顯示部中降低了晶體管的特性不均勻的影響，所以可以顯示非常均勻的圖像。下面，說明半導體裝置的應用例子。圖27E表示將半導體裝置和建筑物設置為一體的例子。圖27E包括框體9730、顯 示部9731、作為操作部的遙控裝置9732、揚聲器9733等。半導體裝置被結合到建筑物內(nèi)作 為壁掛式，不需要使設置的空間變大就能夠進行設置。圖27F表示在建筑物內(nèi)將半導體裝置和建筑物設置為一體的另一個例子。顯示面 板9741被結合到浴室9742內(nèi)，洗澡的人可以觀看顯示面板9741。
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此外，在本實施方式中，舉出墻、浴室作為建筑物的例子。但是，本實施方式不局限 于此，可以將半導體裝置安裝到各種建筑物。 下面，表示將半導體裝置和移動體設置為一體的例子。圖27G表示將半導體裝置設置到汽車的例子。顯示面板9761被安裝到汽車的車 體9762，并且可以根據(jù)需要而顯示車體的工作或從車體內(nèi)部或外部輸入的信息。另外，也可 以具有導航功能。圖27H表示將半導體裝置和旅客用飛機設置為一體的例子。圖27H表示在將顯示 面板9782設置在旅客用飛機的座位上方的天花板9781上的情況下的使用形狀。顯示面板 9782通過鉸鏈部9783被結合到天花板9781，并且乘客通過鉸鏈部9783的伸縮而可以觀看 顯示面板9782。顯示面板9782具有通過乘客的操作來顯示信息的功能。此外，在本實施方式中，舉出汽車、飛機作為移動體，但是不限于此而可以設置在 各種移動體諸如自動二輪車、自動四輪車(包括汽車、公共汽車等)、電車(包括單軌、鐵路 等)、以及船舶等。此外，在本實施方式中，各附圖所述的內(nèi)容可以對另外的實施方式中所述的內(nèi)容 適當?shù)刈杂蛇M行組合或者置換等。本說明書根據(jù)2009年2月27日在日本專利局受理的日本特愿2009-045574而制 作，所述申請內(nèi)容包括在本說明書中。
權利要求
一種半導體裝置的驅動方法，該半導體裝置包括具有n型導電性的晶體管；用來控制所述晶體管的柵極和所述晶體管的第一端子之間的導電狀態(tài)的開關；電連接到所述晶體管的柵極和所述晶體管的第二端子之間的電容元件；以及顯示元件，其中，所述半導體裝置的驅動方法包括在第一期間，將相應于所述晶體管的閾值電壓的電壓及圖像信號電壓的總和保持在所述電容元件中；在第二期間，通過使所述開關成為導電狀態(tài)，使得相應于所述圖像信號電壓及所述閾值電壓的總和而保持在所述電容元件中的電荷經(jīng)過所述晶體管放電；以及在所述第二期間后的第三期間，經(jīng)過所述晶體管而將電流供應到所述顯示元件。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置的驅動方法，其中，所述晶體管包括包含選自 ZnO、a-InGaZnO、SiGe, GaAs, IZO、ITO、SnO, TiO, AlZnSnO 中的一種材料的氧化物半導體。
3.一種半導體裝置的驅動方法，該半導體裝置包括 具有η型導電性的晶體管；用來控制所述晶體管的柵極和所述晶體管的第一端子之間的導電狀態(tài)的開關； 電連接到所述晶體管的柵極和所述晶體管的第二端子之間的電容元件；以及 顯示元件，其中，所述半導體裝置的驅動方法包括在第一期間，將相應于所述晶體管的閾值電壓的電壓保持在所述電容元件中； 在第二期間，將相應于所述晶體管的閾值電壓的電壓及圖像信號電壓的總和保持在所 述電容元件中；在第三期間，通過使所述開關成為導電狀態(tài)，使得相應于所述圖像信號電壓及所述閾 值電壓的總和而保持在所述電容元件中的電荷經(jīng)過所述晶體管放電；以及在所述第三期間后的第四期間，經(jīng)過所述晶體管而將電流供應到所述顯示元件。
4.根據(jù)權利要求3所述的半導體裝置的驅動方法，其中，所述晶體管包括包含選自 ZnO、a-InGaZnO、SiGe, GaAs, IZO、ITO、SnO, TiO、AlZnSnO 中的一種材料的氧化物半導體。
5.一種半導體裝置的驅動方法，該半導體裝置包括 具有η型導電性的晶體管；用來控制所述晶體管的柵極和所述晶體管的第一端子之間的導電狀態(tài)的開關； 電連接到所述晶體管的柵極和所述晶體管的第二端子之間的電容元件；以及 顯示元件，其中，所述半導體裝置的驅動方法包括 在第一期間，使保持在所述電容元件中的電壓初始化； 在第二期間，將相應于所述晶體管的閾值電壓的電壓保持在所述電容元件中； 在第三期間，將相應于所述晶體管的閾值電壓的電壓及圖像信號電壓的總和保持在所 述電容元件中；在第四期間，通過使所述開關成為導電狀態(tài)，使得相應于所述圖像信號電壓及所述閾 值電壓的總和而保持在所述電容元件中的電荷經(jīng)過所述晶體管放電；以及在所述第四期間后的第五期間，經(jīng)過所述晶體管而將電流供應到所述顯示元件。
6.根據(jù)權利要求5所述的半導體裝置的驅動方法，其中，所述晶體管包括包含選自 ZnO、a-InGaZnO、SiGe、GaAs、IZO、ITO、SnO、TiO、AlZnSnO 中的一種材料的氧化物半導體。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種減少晶體管的閾值電壓不均勻以及遷移率不均勻的影響的半導體裝置的驅動方法。本發(fā)明為一種半導體裝置的驅動方法，該半導體裝置包括n溝道型的具有導電性的晶體管；用來控制晶體管的柵極和第一端子之間的電連接的開關；電連接到晶體管的柵極和第二端子之間的電容元件；以及顯示元件，其中，驅動方法包括將相應于晶體管的閾值電壓的電壓及影像信號電壓之和保持在電容元件中的第一期間；通過使開關成為導通狀態(tài)，使相應于影像信號電壓及閾值電壓之和而保持在電容元件中的電荷經(jīng)過晶體管放電的第二期間；以及在第二期間后經(jīng)過晶體管將電流供應到顯示元件的第三期間。
文檔編號G09G3/30GK101819987SQ20101012627
公開日2010年9月1日 申請日期2010年2月26日 優(yōu)先權日2009年2月27日
發(fā)明者木村肇 申請人:株式會社半導體能源研究所