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行驅(qū)動(dòng)電路、其驅(qū)動(dòng)方法和液晶顯示裝置的制作方法

文檔序號(hào):2567360閱讀:301來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:行驅(qū)動(dòng)電路、其驅(qū)動(dòng)方法和液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及平板顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種行驅(qū)動(dòng)電路、其驅(qū)動(dòng)方法以及包含 該行驅(qū)動(dòng)電路的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)
液晶顯示(IXD)裝置包括液晶像素陣列、行驅(qū)動(dòng)電路和列驅(qū)動(dòng)電路。液晶像素陣 列中的每一個(gè)像素單元包括上、下電極以及填充于上下電極之間的液晶分子。其中,像素單 元的上電極一般為透明的公共電極(Common),常用作公共電極的材料包括氧化銦錫(ITO) 或者摻雜氧化鋁。下電極又稱為像素電極,其通過(guò)一開(kāi)關(guān)元件與列驅(qū)動(dòng)電路連接。行驅(qū)動(dòng) 電路與所述的開(kāi)關(guān)元件連接,控制所述的開(kāi)關(guān)元件的斷開(kāi)和導(dǎo)通。行驅(qū)動(dòng)電路可向液晶像素陣列施加行選通信號(hào),導(dǎo)通該行的開(kāi)關(guān)元件,可使得列 驅(qū)動(dòng)電路提供的攜帶數(shù)據(jù)信號(hào)的像素電壓施加至相應(yīng)的像素電極上。像素電極上的像素電 壓和與其對(duì)應(yīng)的公共電極上的電壓形成電壓差,使夾持于其間的液晶分子發(fā)生偏轉(zhuǎn),不同 的液晶分子偏轉(zhuǎn)程度具有不同的二向性光程差,通過(guò)與背光源、偏光片等裝置的配合可產(chǎn) 生不同的光強(qiáng),通過(guò)逐行或隔行選通所述液晶像素陣列中的像素單元的開(kāi)關(guān)元件,可以使 得不同的像素單元透過(guò)不同的光強(qiáng)。逐行或隔行掃描選通后,整個(gè)液晶像素陣列透過(guò)的光 強(qiáng)即為一幀圖像。在每一像素單元中,像素電極和與之對(duì)應(yīng)的公共電極之間是電容關(guān)系。在像素單 元中往往還設(shè)置有存儲(chǔ)電極,在存儲(chǔ)電極和像素電極之間形成存儲(chǔ)電容,以減小開(kāi)關(guān)元件 (例如薄膜晶體管TFT)的漏電流給像素電壓保持和正常顯示帶來(lái)的影響。因而,存儲(chǔ)電極 一般與公共電極是保持同一電位的。在現(xiàn)在小尺寸的TFT-IXD產(chǎn)品中,為節(jié)省功耗,一般采用行反轉(zhuǎn)模式,通過(guò)不斷反 轉(zhuǎn)公共電極上的電位以及同時(shí)向像素電極輸入與公共電極上反相的數(shù)據(jù)電壓信號(hào),可以用 比較低的輸出電壓(即數(shù)據(jù)電壓信號(hào))實(shí)現(xiàn)高的極板間電壓差。所述行反轉(zhuǎn)模式功耗低、 對(duì)IC輸出電壓要求不高。但是因?yàn)楣搽姌O上的電信號(hào)是在不斷反轉(zhuǎn)的,容易產(chǎn)生電磁干 擾(EMI)和噪聲(be印noise)等問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種行驅(qū)動(dòng)電路、其驅(qū)動(dòng)方法和液晶顯示裝置,本發(fā)明可避免在行反 轉(zhuǎn)模式下產(chǎn)生電磁干擾和噪聲的問(wèn)題。本發(fā)明提供的一種行驅(qū)動(dòng)電路,包括柵極驅(qū)動(dòng)電路;其中,所述柵極驅(qū)動(dòng)電路包括 復(fù)數(shù)級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元;所述行驅(qū)動(dòng)電路還包括存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生電路;所述存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生電路包括復(fù)數(shù)級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元,每一級(jí) 存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元對(duì)應(yīng)一級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元,用于對(duì)該級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元對(duì)應(yīng)的液晶 像素陣列的行中的存儲(chǔ)電容的存儲(chǔ)電極提供參考電壓信號(hào),以在相應(yīng)行的像素電容充電后抬升與該存儲(chǔ)電極對(duì)應(yīng)的像素電極的電壓,并在相應(yīng)行的像素電容放電后降低與該存儲(chǔ)電 極對(duì)應(yīng)的像素電極的電壓;每一級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元至少包括第一節(jié)點(diǎn)、第二節(jié)點(diǎn)、選擇單元、控制 單元和輸出節(jié)點(diǎn);所述第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)用于提供參考信號(hào);所述選擇單元用于選擇性輸出所述第一節(jié)點(diǎn)或第二節(jié)點(diǎn)的參考信號(hào)作為所述的 參考電壓信號(hào);所述控制單元用于控制所述選擇單元選擇輸出所述第一節(jié)點(diǎn)或第二節(jié)點(diǎn)的參考
信號(hào);所述輸出節(jié)點(diǎn)用于輸出所述參考電壓信號(hào);除第一級(jí)、第二級(jí)和第三級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元外,其它級(jí)的存儲(chǔ)電容參 考信號(hào)產(chǎn)生單元中的第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)分別與該級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元之前的、 在一幀時(shí)間內(nèi)輸出正負(fù)極性相反的參考電壓信號(hào)的任意兩級(jí)的輸出節(jié)點(diǎn)連接;每一級(jí)存儲(chǔ) 電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元中的用于驅(qū)動(dòng)所述控制單元對(duì)所述選擇單元進(jìn)行控制的驅(qū)動(dòng)信號(hào) 為當(dāng)前級(jí)之外的柵極驅(qū)動(dòng)單元的掃描脈沖信號(hào);所述掃描脈沖信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述控制單元控制 所述選擇單元在一幀的第一時(shí)間和第二時(shí)間分別選擇第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)的參考信號(hào)作 為當(dāng)前級(jí)的參考電壓信號(hào);其中,所述第一時(shí)間和第二時(shí)間之和為一幀的持續(xù)時(shí)間??蛇x的,所述控制單元包括第一控制子單元、第二控制子單元和互鎖單元;其中,所述第一控制子單元用于控制所述選擇單元選擇輸出所述第一節(jié)點(diǎn)的參考 信號(hào);所述第二控制子單元用于控制所述選擇單元選擇輸出所述第二節(jié)點(diǎn)的參考信 號(hào);所述互鎖單元用于在選擇輸出所述第一節(jié)點(diǎn)的參考信號(hào)時(shí)禁止輸出第二節(jié)點(diǎn)的 信號(hào),并在輸出第二節(jié)點(diǎn)的參考信號(hào)時(shí)禁止輸出第一節(jié)點(diǎn)的信號(hào)??蛇x的,除第一級(jí)和第二級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元外,存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn) 生單元的第一節(jié)點(diǎn)與該級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元之前第三級(jí)的輸出節(jié)點(diǎn)連接;存儲(chǔ)電 容參考信號(hào)產(chǎn)生單元的第二節(jié)點(diǎn)與該級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元之前第二級(jí)的輸出節(jié) 點(diǎn)連接;用于驅(qū)動(dòng)所述第一控制單元對(duì)所述選擇單元進(jìn)行控制的驅(qū)動(dòng)信號(hào)為該級(jí)柵極驅(qū) 動(dòng)單元之前一級(jí)的掃描脈沖信號(hào);用于驅(qū)動(dòng)所述第二控制單元對(duì)所述選擇單元進(jìn)行控制的 驅(qū)動(dòng)信號(hào)為該級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元之后一級(jí)的掃描脈沖信號(hào)??蛇x的,所述選擇單元包括第一選擇子單元和第二選擇子單元;所述第一控制子單元通過(guò)互鎖單元與所述第一選擇子單元連接,以控制所述第一 選擇子單元使所述第一節(jié)點(diǎn)與所述輸出節(jié)點(diǎn)連接或斷開(kāi);所述第二控制子單元通過(guò)互鎖單元與所述第二選擇子單元連接,以控制所述第二 選擇子單元用于使所述第二節(jié)點(diǎn)與所述輸出節(jié)點(diǎn)連接或斷開(kāi)。可選的,所述第一控制子單元、第二控制子單元、第一選擇子單元和第二選擇子單 元為脈沖控制的開(kāi)關(guān)元件??蛇x的,所述開(kāi)關(guān)元件為金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。
可選的,每一級(jí)的存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元中,所述第一選擇子單元包括第一薄膜晶體管,所述第二選擇子單元包括第二薄膜晶 體管;所述第一控制子單元包括第五薄膜晶體管,所述第二控制子單元包括第七薄膜晶 體管;所述互鎖單元包括第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第六薄膜晶體管;所述第一薄膜晶體管的源極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接,漏極與當(dāng)前級(jí)的輸出節(jié)點(diǎn)連接,柵極與第五薄膜晶體管的漏極連接;所述第二薄膜晶體管的源極與當(dāng)前級(jí)的輸出節(jié)點(diǎn)連接,柵極與第四澳門(mén)晶體管的 源極連接;所述第五薄膜晶體管的源極與高電平節(jié)點(diǎn)連接,漏極與第六薄膜晶體管、第七薄 膜晶體管的源極、第四薄膜晶體管的柵極連接,柵極用于輸入驅(qū)動(dòng)該第一控制子單元的驅(qū) 動(dòng)信號(hào);所述第七薄膜晶體管的漏極與低電平節(jié)點(diǎn)連接,柵極用于輸入驅(qū)動(dòng)該第二控制子 單元的驅(qū)動(dòng)信號(hào);所述第六薄膜晶體管的漏極與所述的低電平節(jié)點(diǎn)連接,柵極與所述第四薄膜晶體 管的源極連接;所述第三薄膜晶體管的源極與柵極連接,并同時(shí)與所述高電平節(jié)點(diǎn)連接,漏極與 所述第四薄膜晶體管的源極連接;所述第四薄膜晶體管的漏極與所述低電平節(jié)點(diǎn)連接。本發(fā)明還提供一種液晶顯示裝置,包括上述任一技術(shù)方案所述的行驅(qū)動(dòng)電路。本發(fā)明還提供一種上述任一行驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法,包括按行向液晶像素陣列施加?xùn)艠O掃描脈沖信號(hào),以對(duì)液晶像素陣列進(jìn)行行掃描,使 相應(yīng)行的像素電容進(jìn)行充電或放電;在相應(yīng)行的像素電容充電或者放電后,按行向該行液晶像素陣列的存儲(chǔ)電容的存 儲(chǔ)電極施加參考電壓信號(hào),以使該行的像素電容充電后抬升像素電極的電壓,或在該行的 像素電容放電后降低像素電極的電壓;相鄰兩行的參考電壓信號(hào)正負(fù)極性相反,且位相具 有一定時(shí)間的延遲,延遲的時(shí)間為柵極掃描脈沖的脈寬;其中,除第一、第二和第三行之外,以施加到當(dāng)前行之外的其他行的脈沖掃描信號(hào) 作為驅(qū)動(dòng)信號(hào),驅(qū)動(dòng)選擇單元在當(dāng)前幀的第一時(shí)間和第二時(shí)間分別選擇施加到當(dāng)前行之前 任兩行的、正負(fù)極性相反參考電壓信號(hào)作為當(dāng)前行的參考電壓信號(hào),其中,所述第一時(shí)間和 第二時(shí)間之和為一幀的持續(xù)時(shí)間??蛇x的,所述當(dāng)前行之外的其它脈沖信號(hào)分別為施加到當(dāng)前行之后一行和前一行 的掃描脈沖信號(hào);施加到當(dāng)前行之后一行的掃描脈沖信號(hào)作為驅(qū)動(dòng)信號(hào),用于驅(qū)動(dòng)選擇單元在當(dāng) 前幀的第一時(shí)間選擇施加到當(dāng)前行之前第二行的參考電壓信號(hào)作為當(dāng)前行的參考電壓信 號(hào);施加到當(dāng)前行之前一行的掃描脈沖信號(hào)作為驅(qū)動(dòng)信號(hào),用于驅(qū)動(dòng)選擇單元在當(dāng)前 幀的第二時(shí)間選擇施加到當(dāng)前行之前第三行的參考電壓信號(hào)作為當(dāng)前行的參考電壓信號(hào)。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,上述技術(shù)方案的其中一個(gè)至少具有以下優(yōu)點(diǎn)通過(guò)利用柵極驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生的掃描脈沖信號(hào)作為存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生子單元 驅(qū)動(dòng)信號(hào),利用當(dāng)前級(jí)之前級(jí)的存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生子單元的參考電壓信號(hào)作為后級(jí)存 儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生子單元的參考信號(hào),產(chǎn)生當(dāng)前級(jí)的參考電壓信號(hào),該參考電壓信號(hào)施 加于液晶像素陣列,可以在無(wú)需公共電極電壓反轉(zhuǎn)的情況下靠存儲(chǔ)電容的存儲(chǔ)電極上電壓 信號(hào)的反轉(zhuǎn),實(shí)現(xiàn)依靠較低的輸出電壓和很少的功率損耗即獲得較高的像素電極與公共電 極電壓差的目的,并可避免利用公共電極上的電信號(hào)反轉(zhuǎn)的方法產(chǎn)生的電磁干擾和噪聲。此外,采用上述的實(shí)施例的行驅(qū)動(dòng)電路,可節(jié)省空間,降低外圍電路尺寸,降低設(shè) 計(jì)風(fēng)險(xiǎn)。有利于采用本實(shí)施例的液晶顯示裝置的小型化,邊框減窄的效果明顯。


圖1為本發(fā)明的行驅(qū)動(dòng)電路的其中一個(gè)實(shí)施例的示意圖;圖2為可應(yīng)用于本發(fā)明的行驅(qū)動(dòng)電路的柵極驅(qū)動(dòng)單元的電路結(jié)構(gòu)示意圖;圖3為本發(fā)明的行驅(qū)動(dòng)電路的實(shí)施例中其中一種存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元的 電路示意圖。圖4為圖3所示的電路工作時(shí)的時(shí)序圖;圖5為圖1所示的行驅(qū)動(dòng)電路的第1級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元以及第1級(jí)存儲(chǔ)電容參考信 號(hào)產(chǎn)生單元的輸出的電壓時(shí)序模擬圖;圖6為液晶像素陣列的其中一個(gè)像素結(jié)構(gòu)的電路示意圖;圖7為圖6所示的像素在工作時(shí)各個(gè)節(jié)點(diǎn)的電位時(shí)序圖;圖8相鄰兩行的兩個(gè)像素內(nèi)部及之間的電路結(jié)構(gòu)示意圖;圖9為圖7所示的兩個(gè)像素在工作時(shí)的各節(jié)點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電位時(shí)序圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以 很多不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況 下做類(lèi)似推廣,因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施的限制。其次,本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述,在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí),為便于說(shuō)明,表 示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大,而且所述示意圖只是實(shí)例,其在此不應(yīng) 限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外,在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。液晶顯示裝置至少包括液晶像素陣列、列驅(qū)動(dòng)電路以及行驅(qū)動(dòng)電路;行驅(qū)動(dòng)電路 通過(guò)復(fù)數(shù)條柵極線與每一行像素連接,通過(guò)復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與每一列的像素連接。行驅(qū)動(dòng)電 路通過(guò)所述柵極線提供行掃描信號(hào),對(duì)像素陣列進(jìn)行掃描,按行選通像素中的開(kāi)關(guān)元件,使 得列驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)數(shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)信號(hào)充入像素中,從而使像素電極的電壓和與其對(duì)應(yīng) 的公共電極上的電壓形成電壓差,該電壓差影響夾持于像素電極和公共電極之間的液晶分 子發(fā)生偏轉(zhuǎn),使得透過(guò)液晶分子的光信號(hào)強(qiáng)度發(fā)生變化。待行驅(qū)動(dòng)電路完成整個(gè)像素陣列的掃描,整個(gè)像素陣列中的不同像素的液晶分子 的偏轉(zhuǎn)程度不同,透過(guò)不同的光強(qiáng),從而形成一幀圖像,連續(xù)掃描像素陣列,可形成連續(xù)變化的多幀圖像。在像素中加入紅綠藍(lán)等濾光片,還可以形成彩色圖像。
本發(fā)明提供一種行驅(qū)動(dòng)電路,應(yīng)用于液晶顯示裝置。本發(fā)明的行驅(qū)動(dòng)電路包括柵 極驅(qū)動(dòng)電路和存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生電路。其中,所述柵極驅(qū)動(dòng)電路包括復(fù)數(shù)級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元,每一級(jí)驅(qū)動(dòng)單元對(duì)應(yīng)液晶像 素陣列的一行,用于提供控制該行液晶像素陣列中像素單元的開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通和斷開(kāi)的掃描 脈沖信號(hào)。所述存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生電路包括復(fù)數(shù)級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元,每一級(jí) 存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元對(duì)應(yīng)一級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元,用于對(duì)該級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元對(duì)應(yīng)的液晶 像素陣列的行中的存儲(chǔ)電容的存儲(chǔ)電極提供參考電壓信號(hào),以在相應(yīng)行的像素電容充電后 抬升與該存儲(chǔ)電極對(duì)應(yīng)的像素電極的電壓,并在相應(yīng)行的像素電容放電后降低與該存儲(chǔ)電 極對(duì)應(yīng)的像素電極的電壓;每一級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元至少包括第一節(jié)點(diǎn)、第二節(jié)點(diǎn)、選擇單元、控制 單元和輸出節(jié)點(diǎn);所述第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)用于提供參考信號(hào);所述選擇單元用于選擇性 輸出所述第一節(jié)點(diǎn)或第二節(jié)點(diǎn)的參考信號(hào)作為所述的參考電壓信號(hào);所述控制單元用于控 制所述選擇單元選擇輸出所述第一節(jié)點(diǎn)或第二節(jié)點(diǎn)的參考信號(hào);所述輸出節(jié)點(diǎn)用于輸出所 述參考電壓信號(hào)。除第一級(jí)、第二級(jí)和第三級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元外,其它級(jí)的存儲(chǔ)電容參 考信號(hào)產(chǎn)生單元中的第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)分別與該級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元之前的、 在一幀時(shí)間內(nèi)輸出極性相反的參考電壓信號(hào)的任意兩級(jí)的輸出節(jié)點(diǎn)連接,由所述選擇單元 選擇的輸出節(jié)點(diǎn)的參考電壓信號(hào)作為參考信號(hào)。每一級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元中的用于驅(qū)動(dòng)所述控制單元對(duì)所述選擇單元 進(jìn)行控制的驅(qū)動(dòng)信號(hào)為當(dāng)前級(jí)之外的柵極驅(qū)動(dòng)單元的掃描脈沖信號(hào),所述掃描脈沖信號(hào)驅(qū) 動(dòng)所述控制單元控制所述選擇單元在一幀的第一時(shí)間和第二時(shí)間分別選擇第一節(jié)點(diǎn)和第 二節(jié)點(diǎn)的參考信號(hào)作為當(dāng)前級(jí)的參考電壓信號(hào)。其中,所述第一時(shí)間和第二時(shí)間之和為一 幀的持續(xù)時(shí)間。例如,對(duì)于液晶像素陣列而言,若一幀掃描的時(shí)間為T(mén),第一時(shí)間可以為在一幀開(kāi) 始掃描時(shí)至該幀掃描至液晶像素陣列中間某一行時(shí)的持續(xù)時(shí)間Tl,而第二時(shí)間為該幀掃描 的剩余時(shí)間T2,其中Tl和T2之和為T(mén)。所述的掃描脈沖信號(hào)可以驅(qū)動(dòng)控制單元控制選擇 單元在第一時(shí)間選擇第一節(jié)點(diǎn)的參考信號(hào)作為當(dāng)前級(jí)的參考電壓信號(hào),在第二時(shí)間選擇第 二節(jié)點(diǎn)時(shí)的參考信號(hào)作為當(dāng)前級(jí)的參考電壓信號(hào),以使在整個(gè)幀的掃描時(shí)間T內(nèi),參考電 壓信號(hào)極性持續(xù)為正或持續(xù)為負(fù),且相鄰行的參考電壓信號(hào)正負(fù)極性相反。本發(fā)明的行驅(qū)動(dòng)電路中,通過(guò)復(fù)數(shù)級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元,向相應(yīng)行的液 晶像素陣列的存儲(chǔ)電容施加參考電壓信號(hào),在相應(yīng)行的像素電容充電后抬升與該存儲(chǔ)電極 對(duì)應(yīng)的像素電極的電壓,并在相應(yīng)行的像素電容放電后降低與該存儲(chǔ)電極對(duì)應(yīng)的像素電極 的電壓。通過(guò)施加于液晶像素陣列的存儲(chǔ)電容的參考電壓信號(hào),可使得實(shí)際像素電容的兩 極板電壓差增大,從而可達(dá)到降低列驅(qū)動(dòng)電路輸出的電壓,增大對(duì)像素電容的電壓調(diào)節(jié)幅 度的目的。有利于提高畫(huà)質(zhì)、減小功耗。在本發(fā)明的行驅(qū)動(dòng)電路中,利用周期性的柵極驅(qū)動(dòng) 電路產(chǎn)生的掃描脈沖信號(hào)作為存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生子單元驅(qū)動(dòng)信號(hào),利用當(dāng)前級(jí)之前級(jí) 的存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生子單元的參考電壓信號(hào)作為后級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生子單元的參考信號(hào),產(chǎn)生當(dāng)前級(jí)的參考電壓信號(hào),避免利用公共電極上的電信號(hào)反轉(zhuǎn)的方法產(chǎn)生 的電磁干擾和噪聲。下面結(jié)合具體的實(shí)施例進(jìn)行對(duì)本發(fā)明的行驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行詳細(xì)描述。在本發(fā)明的實(shí) 施例中,需要結(jié)合像素陣列中的像素進(jìn)行說(shuō)明。但是,應(yīng)當(dāng)意識(shí)到,下面的實(shí)施例中對(duì)一些 細(xì)節(jié)的描述僅僅是示意性的,其不應(yīng)當(dāng)不當(dāng)?shù)南拗茩?quán)利要求的保護(hù)范圍,本領(lǐng)域技術(shù)人員 在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下可以做出相應(yīng)的修改、刪除和替換。圖1為本發(fā)明的行驅(qū)動(dòng)電路的其中一個(gè)實(shí)施例的示意圖。如圖1所示,本實(shí)施例的行驅(qū)動(dòng)電路包括柵極驅(qū)動(dòng)電路和存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生 電路。其中,所述柵極驅(qū)動(dòng)電路包括復(fù)數(shù)級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元Out(I)、Out (2)、
Out (3)......Out (η),其中η為液晶像素陣列的行數(shù)。每一級(jí)的柵極驅(qū)動(dòng)單元對(duì)應(yīng)于液晶
像素陣列的一行,與一行的所有像素的開(kāi)關(guān)元件(例如,薄膜晶體管)連接,控制該行的開(kāi) 關(guān)元件的斷開(kāi)和導(dǎo)通。其中,每一級(jí)的柵極驅(qū)動(dòng)單元至少包括兩個(gè)反饋輸入端、一輸出端以及一個(gè)時(shí)鐘 信號(hào)輸入端。由所述輸出端輸出控制該行液晶像素中像素的開(kāi)關(guān)元件的斷開(kāi)和導(dǎo)通的掃描 脈沖信號(hào)。兩個(gè)反饋輸入端分別輸入由相鄰級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元提供的掃描脈沖信號(hào)。時(shí)鐘信 號(hào)輸入端可以連接外部時(shí)鐘信號(hào)。為實(shí)現(xiàn)掃描效果,每一級(jí)輸出的掃描脈沖信號(hào)相對(duì)于前 一級(jí)的掃描脈沖信號(hào)都有一定的延遲,該延遲一般等于一個(gè)掃描脈沖信號(hào)的持續(xù)時(shí)間。所述的柵極驅(qū)動(dòng)電路可以是移位寄存器。圖2為柵極驅(qū)動(dòng)單元的一種電路結(jié)構(gòu)示 意圖。請(qǐng)參考圖2,柵極驅(qū)動(dòng)單元包括薄膜晶體管32、33、34、35、36、37和38,優(yōu)選地,所 述薄膜晶體管32-38為NMOS晶體管。其中,薄膜晶體管32的源極與時(shí)鐘信號(hào)輸入端41連 接。薄膜晶體管32的漏極與薄膜晶體管33的源極連接,并同時(shí)與輸出端44連接。薄膜晶 體管32的柵極與薄膜晶體管36的漏極連接。輸出端44輸出該柵極驅(qū)動(dòng)單元的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)。所述薄膜晶體管33的漏極與節(jié)點(diǎn)40連接,該節(jié)點(diǎn)40用于提供低電平信號(hào)Vss。 薄膜晶體管33的柵極與薄膜晶體管35的源極連接。所述薄膜晶體管36的源極與節(jié)點(diǎn)39連接,該節(jié)點(diǎn)39用于提供高電平信號(hào)Vdd。 薄膜晶體管36的漏極與薄膜晶體管37和38的源極以及薄膜晶體管35的柵極同時(shí)連接; 薄膜晶體管36的柵極與節(jié)點(diǎn)42連接。薄膜晶體管37、38以及35的漏極連接在一起同時(shí)與節(jié)點(diǎn)40相連接。薄膜晶體管38的柵極與節(jié)點(diǎn)43連接。薄膜晶體管34的漏極與薄膜晶體管35的源極、薄膜晶體管37的柵極同時(shí)連接。 薄膜晶體管34的柵極與其源極連接,并同時(shí)與節(jié)點(diǎn)39連接。其中,節(jié)點(diǎn)42和43為該柵極 驅(qū)動(dòng)單元的兩個(gè)反饋輸入端。下面以圖2所述的柵極驅(qū) 動(dòng)單元的第N級(jí)(其中N為大于等于1且小于等于η的 自然數(shù))為例,說(shuō)明節(jié)點(diǎn)42和43的信號(hào)輸入。在η>Ν>2(其中,η為液晶像素陣列的行 數(shù))時(shí),節(jié)點(diǎn)42連接第N-I級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端,節(jié)點(diǎn)43連接第Ν+1級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元 的輸出端。也即,節(jié)點(diǎn)42輸入第N-I級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端輸出的柵極掃描脈沖信號(hào);節(jié)點(diǎn)43輸入第N+1級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端輸出的柵極掃描脈沖信號(hào)。當(dāng)N = 1時(shí),節(jié)點(diǎn) 42與該行驅(qū)動(dòng)電路外的信號(hào)源連接,由外部提供對(duì)薄膜晶體管36的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。當(dāng)N = n 時(shí),節(jié)點(diǎn)43與該行驅(qū)動(dòng)電路外的信號(hào)源連接,由外部提供對(duì)薄膜晶體管38的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。下面以圖2所示柵極驅(qū)動(dòng)單元的結(jié)構(gòu)中的薄膜晶體管是NM0S晶體管為例說(shuō)明其 工作過(guò)程。在節(jié)點(diǎn)43為高電平時(shí),薄膜晶體管38導(dǎo)通,使得該薄膜晶體管38的源極的電 位為低電平Vss,從而使得薄膜晶體管35斷開(kāi)。其中,薄膜晶體管34因其柵極與高電平相 接,因此始終處于導(dǎo)通狀態(tài),所述薄膜晶體管35的源極的電位根據(jù)導(dǎo)通的薄膜晶體管34而 定,即該薄膜晶體管35的源極的電位為高電平Vdd,使得薄膜晶體管33導(dǎo)通,從而使得輸出 端44與節(jié)點(diǎn)40的電位相同,即輸出端44輸出低電平Vss。而在節(jié)點(diǎn)42為高電平時(shí),可使 得薄膜晶體管32導(dǎo)通,而薄膜晶體管33斷開(kāi),輸出端44與節(jié)點(diǎn)41的電位相同,輸出端44 輸出節(jié)點(diǎn)41的電位。本發(fā)明的柵極驅(qū)動(dòng)單元通過(guò)在第1級(jí)的柵極驅(qū)動(dòng)單元的節(jié)點(diǎn)42輸入脈沖信號(hào),可 實(shí)現(xiàn)在輸出端44輸出該第1級(jí)的掃描脈沖信號(hào)。本發(fā)明的柵極驅(qū)動(dòng)單元根據(jù)不同級(jí)的柵 極驅(qū)動(dòng)單元之間的連接關(guān)系,可實(shí)現(xiàn)在后續(xù)不同級(jí)的輸出端依次輸出掃描脈沖信號(hào)。各級(jí) 掃描脈沖信號(hào)依次施加于液晶像素陣列的行,即實(shí)現(xiàn)對(duì)液晶像素陣列的行掃描。當(dāng)然,圖2所示的柵極驅(qū)動(dòng)單元中的薄膜晶體管也可以是PM0S晶體管,但其電路 連接需要做相應(yīng)的調(diào)整,這里不再詳細(xì)描述。此外,本實(shí)施例的柵極驅(qū)動(dòng)單元并不限于圖2 所示的電路結(jié)構(gòu),其也可以有其它結(jié)構(gòu),這里不再一一列舉。而且,柵極驅(qū)動(dòng)電路的各個(gè)柵 極驅(qū)動(dòng)單元之間也不限于上述的連接關(guān)系,其還可以有其它方式,例如,其可以有兩個(gè)柵極 驅(qū)動(dòng)電路,分別對(duì)偶數(shù)行的像素以及奇數(shù)行的像素分別進(jìn)行隔行掃描。這里不再贅述。本實(shí)施例中,行驅(qū)動(dòng)電路還包括存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生電路。請(qǐng)繼續(xù)參考圖1, 所述的存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生電路包括復(fù)數(shù)級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元Vest (1)、
Vest (2)、Vest (3)......Vest (n),其中n仍為液晶像素陣列的行數(shù)。每一級(jí)存儲(chǔ)電容參考
信號(hào)產(chǎn)生單元對(duì)應(yīng)一級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元,用于對(duì)該級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元對(duì)應(yīng)的液晶像素陣列的行 中存儲(chǔ)電容的存儲(chǔ)電極提供參考電壓信號(hào),以在相應(yīng)行的像素電容充電后抬升與該存儲(chǔ)電 極對(duì)應(yīng)的像素電極的電壓,并在相應(yīng)行的像素電容放電后降低與該存儲(chǔ)電極對(duì)應(yīng)的像素電 極的電壓。其中,每一級(jí)的存儲(chǔ)電容信號(hào)產(chǎn)生單元至少具有第一節(jié)點(diǎn)、第二節(jié)點(diǎn)、輸出節(jié)點(diǎn)和 驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入節(jié)點(diǎn)。所述輸出節(jié)點(diǎn)用于輸出參考電壓信號(hào)。所述第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)用于 提供參考信號(hào),該參考信號(hào)可以是該當(dāng)前級(jí)存儲(chǔ)電容信號(hào)產(chǎn)生單元之前的、在一幀時(shí)間內(nèi) 輸出正負(fù)極性相反任意兩級(jí)存儲(chǔ)電容信號(hào)產(chǎn)生單元的輸出節(jié)點(diǎn)輸出的參考電壓信號(hào)。例 如,對(duì)于第N級(jí)的存儲(chǔ)電容信號(hào)產(chǎn)生單元,第一節(jié)點(diǎn)可以與第N-3、N-5、N-7級(jí)的存儲(chǔ)電容信 號(hào)產(chǎn)生單元的輸出節(jié)點(diǎn)連接,第二節(jié)點(diǎn)可以與第N-2、N-4、N-6級(jí)的存儲(chǔ)電容信號(hào)產(chǎn)生單元 的輸出節(jié)點(diǎn)連接。所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入節(jié)點(diǎn)用于輸入驅(qū)動(dòng)信號(hào),該驅(qū)動(dòng)信號(hào)可以是柵極驅(qū)動(dòng) 單元輸出的脈沖掃描信號(hào),以使該存儲(chǔ)電容信號(hào)產(chǎn)生單元能夠輸出參考電壓信號(hào)。請(qǐng)參考圖1-3,在本實(shí)施例中,對(duì)于第N級(jí)存儲(chǔ)信號(hào)產(chǎn)生單元,節(jié)點(diǎn)58為第N級(jí)存 儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元的輸出節(jié)點(diǎn)。當(dāng)n > N > 4時(shí),第一節(jié)點(diǎn)54與第N-3級(jí)的存儲(chǔ)電 容參考信號(hào)產(chǎn)生單元的輸出節(jié)點(diǎn)連接,第二節(jié)點(diǎn)55與第N-2級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元 的輸出節(jié)點(diǎn)連接。驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入節(jié)點(diǎn)56和57分別與第N-1、第N+1級(jí)的柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端連接。
當(dāng)N = 1、2和3時(shí),第一節(jié)點(diǎn)54和第二節(jié)點(diǎn)55的參考信號(hào)可以分別由外部電路提 供,例如,節(jié)點(diǎn)59為第1級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元第一節(jié)點(diǎn)54提供Vcst(N-3)的信號(hào) (相當(dāng)于相對(duì)于第N級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元的前第N-3級(jí)的產(chǎn)生單元輸出節(jié)點(diǎn)的信 號(hào))。節(jié)點(diǎn)60為第1級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元的第二節(jié)點(diǎn)提供Vcst(N-2)的信號(hào),同 時(shí)節(jié)點(diǎn)60提供的信號(hào)也是第2級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元的第一節(jié)點(diǎn)54的Vcst(N-3) 的信號(hào);節(jié)點(diǎn)61為第2級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元的第二節(jié)點(diǎn)55提供Vcst(N-2)的 信號(hào),同時(shí)節(jié)點(diǎn)61提供的信號(hào)也是第3級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元的第一節(jié)點(diǎn)54的 Vcst(N-3)的信號(hào)。此后各級(jí)電路所需的參考信號(hào)皆可由該級(jí)電路之前級(jí)的存儲(chǔ)電容參考 信號(hào)提供,這里不再一一說(shuō)明。此外,在圖1中,節(jié)點(diǎn)62為第1級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元和第1級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單 元提供Out(N-I)信號(hào)(即驅(qū)動(dòng)信號(hào)),同時(shí)在一個(gè)幀掃描周期中,節(jié)點(diǎn)62也為最后一級(jí)柵 極驅(qū)動(dòng)單元Out (η)和最后一級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元Vest (η)提供所需的Out (N_l) 信號(hào)。節(jié)點(diǎn)63和64分別提供一組相位相反的時(shí)鐘信號(hào),為柵極驅(qū)動(dòng)單元提供所需的外界時(shí) 鐘信號(hào)(節(jié)點(diǎn)63和64分別連接奇數(shù)級(jí)和偶數(shù)級(jí)的柵極驅(qū)動(dòng)單元的節(jié)點(diǎn)41,如圖2所示)。 節(jié)點(diǎn)65外接低電壓源Vss,為各級(jí)的柵極驅(qū)動(dòng)單元和各級(jí)的存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元提 供低電平,節(jié)點(diǎn)66外接高電壓源Vdd,為各級(jí)的柵極驅(qū)動(dòng)單元和各級(jí)的存儲(chǔ)電容參考信號(hào) 產(chǎn)生單元提供高電平。每一級(jí)的存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元除包括第一節(jié)點(diǎn)、第二節(jié)點(diǎn)、輸出節(jié)點(diǎn)和驅(qū) 動(dòng)信號(hào)輸入節(jié)點(diǎn)之外,還包括選擇單元和控制單元。其中,所述選擇單元用于選擇性輸出所述第一節(jié)點(diǎn)或第二節(jié)點(diǎn)的參考信號(hào)作為所 述的參考電壓信號(hào);而該參考電壓信號(hào)需要在相應(yīng)行的像素電容充電后抬升與該存儲(chǔ)電極 對(duì)應(yīng)的像素電極的電壓,并在相應(yīng)行的像素電容放電后降低與該存儲(chǔ)電極對(duì)應(yīng)的像素電極 的電壓。一行像素的像素電容充電或放電后的狀態(tài)需要保持一幀的時(shí)間,在下一幀到來(lái)時(shí) 該像素電容兩端的電壓才能發(fā)生變化,因而,參考電壓信號(hào)施加于存儲(chǔ)電極后也需要持續(xù) 一幀的時(shí)間。所述選擇單元可以選擇第一節(jié)點(diǎn)或第二節(jié)點(diǎn)的參考信號(hào)作為參考電壓信號(hào), 若在第一節(jié)點(diǎn)的參考信號(hào)持續(xù)時(shí)間不足一幀的時(shí)間時(shí),可轉(zhuǎn)換由第二節(jié)點(diǎn)的參考信號(hào)作為 參考電壓信號(hào),反之亦然。所述控制單元可以包括第一控制子單元、第二控制子單元和互鎖單元。所述第一 控制子單元用于控制所述選擇單元選擇輸出所述第一節(jié)點(diǎn)的參考信號(hào);所述第二控制子單 元用于控制所述選擇單元選擇輸出所述第二節(jié)點(diǎn)的參考信號(hào);所述互鎖單元用于在所述選 擇輸出所述第一節(jié)點(diǎn)的參考信號(hào)時(shí)禁止輸出第二節(jié)點(diǎn)的信號(hào),并在輸出第二節(jié)點(diǎn)的參考信 號(hào)時(shí)禁止輸出第一節(jié)點(diǎn)的信號(hào)。所述選擇單元可以包括第一選擇子單元和第二選擇子單元;所述第一控制子單元 通過(guò)互鎖單元與所述第一選擇子單元連接,以控制所述第一選擇子單元使所述第一節(jié)點(diǎn)與 所述輸出節(jié)點(diǎn)連接或斷開(kāi);所述第二控制子單元通過(guò)互鎖單元與所述第二選擇子單元連 接,以控制所述第二選擇子單元用于使所述第二節(jié)點(diǎn)與所述輸出節(jié)點(diǎn)連接或斷開(kāi)。其中,所述第一控制子單元、第二控制子單元、第一選擇子單元和第二選擇子單元 可以是脈沖控制的開(kāi)關(guān)元件。所述開(kāi)關(guān)元件可以是N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管,具體的,可以為薄膜晶體管。下面以所述第一控制子單元、第二控制子單元、第一選擇子單元和第二 選擇子單元為NM0S晶體管為例來(lái)說(shuō)明存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元的電路示意圖以及工作 原理。圖3為本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元的電路示意圖。請(qǐng)參考圖3,存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元包括N型薄膜晶體管45、46、47、48、49、50 和51。薄膜晶體管45和46分別為第一選擇子單元和第二選擇子單元。薄膜晶體管45 的源極與第一節(jié)點(diǎn)54連接。薄膜晶體管45的漏極與輸出節(jié)點(diǎn)58連接;薄膜晶體管45的 柵極與節(jié)點(diǎn)S連接。薄膜晶體管46的漏極與第二節(jié)點(diǎn)55連接,薄膜晶體管46的源極與所述的輸出節(jié) 點(diǎn)58連接,薄膜晶體管46的柵極與節(jié)點(diǎn)P連接。薄膜晶體管49和51分別為第一控制子單元和第二控制子單元。薄膜晶體管47、 48和50組成互鎖單元。薄膜晶體管49的源極與節(jié)點(diǎn)52連接,該節(jié)點(diǎn)52用于提供高電平信號(hào)Vdd ;薄膜 晶體管49的漏極與節(jié)點(diǎn)S連接;薄膜晶體管49的柵極與驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入節(jié)點(diǎn)56連接。薄膜晶體管51的源極與節(jié)點(diǎn)S連接,薄膜晶體管51的漏極與節(jié)點(diǎn)53連接,該節(jié) 點(diǎn)53用于提供低電平Vss ;薄膜晶體管51的柵極與驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入節(jié)點(diǎn)57連接。薄膜晶體管50的源極與節(jié)點(diǎn)S連接。薄膜晶體管50的漏極與節(jié)點(diǎn)53連接。薄 膜晶體管50的柵極與節(jié)點(diǎn)P連接。薄膜晶體管48的源極與節(jié)點(diǎn)P連接。薄膜晶體管48的漏極與節(jié)點(diǎn)53連接。薄 膜晶體管48的柵極與節(jié)點(diǎn)S連接。薄膜晶體管47的源極與其柵極連接,并同時(shí)與節(jié)點(diǎn)52連接。薄膜晶體管47的漏 極與節(jié)點(diǎn)P連接。若圖3所示的存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元為第N級(jí)(N為自然數(shù)),在n>N彡4(其 中,n為液晶像素陣列的行數(shù))時(shí),第一節(jié)點(diǎn)54與第N-3級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元的 輸出節(jié)點(diǎn)連接,第二節(jié)點(diǎn)與第N-2級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元的輸出節(jié)點(diǎn)連接。除第1級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元之外,驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入節(jié)點(diǎn)56與第N-1級(jí)的柵 極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端連接;除第n級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元之外,驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入節(jié)點(diǎn) 57與第N+1級(jí)的柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端連接。而在第1級(jí)和第n級(jí)時(shí),柵極驅(qū)動(dòng)單元相應(yīng) 的節(jié)點(diǎn)56和57由外電路提供驅(qū)動(dòng)信號(hào),這里不再贅述。圖4為圖3所示的電路工作時(shí)的時(shí)序圖。對(duì)于圖3所示的第N級(jí)存儲(chǔ)電容參考信 號(hào)產(chǎn)生單元的電路而言,當(dāng)N > 1時(shí),圖4中的時(shí)序圖67、68和69分別為第N_1、N、N+1級(jí) 的柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出信號(hào)的時(shí)序圖,時(shí)序圖70、71、72和73分別為第N-3、N-2、N-1和第 N級(jí)的存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元的參考電壓信號(hào)的時(shí)序圖。當(dāng)N = 1時(shí),時(shí)序圖67為圖 1中節(jié)點(diǎn)62的外部輸入信號(hào),時(shí)序圖70為圖1所示的節(jié)點(diǎn)59的外部輸入信號(hào),時(shí)序圖71 為節(jié)點(diǎn)60的外部輸入信號(hào),時(shí)序圖72為節(jié)點(diǎn)61上的外部輸入信號(hào)。由圖4可以看出,相鄰的存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元輸出的參考電壓信號(hào)彼此相 反,且后一級(jí)比相鄰前一級(jí)有一定的延遲(該延遲的時(shí)間為柵極驅(qū)動(dòng)單元的脈沖的持續(xù) 時(shí)間),這是由柵極驅(qū)動(dòng)電路的掃描信號(hào)決定的,也就是說(shuō),本實(shí)施例中以柵極驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生的掃描信號(hào)為存儲(chǔ)電容參考電路的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。參考電壓信號(hào)的持續(xù)時(shí)間76為柵極驅(qū) 動(dòng)電路掃描一幀的時(shí)間,幅值77為柵極驅(qū)動(dòng)單元的脈沖掃描信號(hào)應(yīng)有的脈沖高度,一般 為-10V-15V,幅值78為存儲(chǔ)電容參考電路產(chǎn)生的參考電壓信號(hào)的幅寬,該幅值應(yīng)當(dāng)小于 像素電極在正常顯示時(shí)需要的工作電壓的幅寬。當(dāng)然,存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元的選擇單元和驅(qū)動(dòng)單元并不限于上述的N型薄 膜晶體管,也可以是其它開(kāi)關(guān)元件,第一節(jié)點(diǎn)54和第二節(jié)點(diǎn)55也并不限于與第N-3和第 N-2級(jí)的參考電壓信號(hào)輸出端連接,驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入節(jié)點(diǎn)56和57也并不限于與第N-1級(jí)和 第N+1級(jí)的柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端連接,其還可以有其它連接方式,只要輸出節(jié)點(diǎn)58輸出 的參考電壓信號(hào)可滿足在相應(yīng)行的像素電容充電后抬升與該存儲(chǔ)電極對(duì)應(yīng)的像素電極的 電壓,并在相應(yīng)行的像素電容放電后降低與該存儲(chǔ)電極對(duì)應(yīng)的像素電極的電壓的情況均包 括在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi),這里不再一一進(jìn)行列舉,本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠根據(jù)上述的教 導(dǎo)做出相應(yīng)的變更和替換。此外,選擇單元以及驅(qū)動(dòng)單元以及其連接方式也并不限于上述 的描述。圖5為應(yīng)用上述的行驅(qū)動(dòng)電路的第1級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元以及第1級(jí)存儲(chǔ)電容參考信 號(hào)產(chǎn)生單元的輸出的電壓時(shí)序模擬圖。其中,橫軸表示時(shí)間,縱軸表示電壓幅值,a為第1級(jí) 柵極驅(qū)動(dòng)單元的掃描脈沖信號(hào),b為第1級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元的參考電壓信號(hào)。下面結(jié)合具體的液晶像素陣列的像素工作原理對(duì)上述的行驅(qū)動(dòng)電路的工作原理 進(jìn)行說(shuō)明。圖6為液晶像素陣列的其中一個(gè)像素結(jié)構(gòu)的電路示意圖。請(qǐng)參考圖6,液晶像素陣列的單個(gè)像素包括薄膜晶體管3、由像素電極4和公共電 極5以及其間夾持的液晶分子層形成的像素電容(Clc)6,由存儲(chǔ)電極7和所述像素電極4 形成的存儲(chǔ)電容(Cst)8。柵極線(Gate line) 1 (也稱為行掃描線)與所述薄膜晶體管3的柵極連接,并與 該像素的行對(duì)應(yīng)的柵極驅(qū)動(dòng)單元連接,由柵極驅(qū)動(dòng)單元產(chǎn)生的掃描脈沖信號(hào)通過(guò)柵極線1 施加于該像素,以控制所述薄膜晶體管3的導(dǎo)通和斷開(kāi)。數(shù)據(jù)線(Data Line) 2與所述薄膜晶體管3的源極連接;所述薄膜晶體管3的漏極 與所述像素電極4連接。存儲(chǔ)電容線7’與所述的存儲(chǔ)電極7連接。在液晶像素陣列中,所述存儲(chǔ)電容線V基本與所述柵極線1平行,將同一行所有 像素的存儲(chǔ)電容的存儲(chǔ)電極彼此連接在一起;該存儲(chǔ)電容線7’同時(shí)與該行相對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ) 電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元連接,存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元產(chǎn)生的參考電壓信號(hào)通過(guò)存儲(chǔ)電 容線V施加于存儲(chǔ)電極上,改變存儲(chǔ)電極的電位,從而改變與該存儲(chǔ)電極相對(duì)的像素電極 的電壓。圖7為圖6所示的像素在工作時(shí)各個(gè)節(jié)點(diǎn)的電位時(shí)序圖。請(qǐng)參考圖7,時(shí)序圖9表示存儲(chǔ)電極7的電位時(shí)序,時(shí)序圖10表示數(shù)據(jù)線2的電位 時(shí)序,時(shí)序圖11表示柵極線1的電位時(shí)序,時(shí)序圖12表示像素電極4的電位時(shí)序。請(qǐng)參考圖6和圖7,柵極線1的初始電位可以為-10v。對(duì)于本示例所舉的正幀而 言,存儲(chǔ)電極7的初始值為一負(fù)電壓值。當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)單元發(fā)出的關(guān)于該像素所在行的脈沖 掃描信號(hào)(15v)來(lái)臨時(shí),薄膜晶體管3導(dǎo)通,數(shù)據(jù)線2根據(jù)時(shí)序圖10的正相信號(hào)對(duì)像素電 極4充電,使得像素電極4的電位變得與時(shí)序圖10—致。
當(dāng)柵極線1上的脈沖結(jié)束時(shí),薄膜晶體管3斷開(kāi),時(shí)序圖10的信號(hào)不再對(duì)像素電 極4產(chǎn)生影響,在存儲(chǔ)電極7的電位不變的情況下像素電極4的電位將保持不變。
當(dāng)柵極線1上的脈沖結(jié)束后,存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元根據(jù)相鄰柵極驅(qū)動(dòng)單元 的驅(qū)動(dòng)信號(hào),發(fā)出參考電壓信號(hào),該參考電壓信號(hào)通過(guò)存儲(chǔ)電容線7’施加到存儲(chǔ)電極7上, 例如,參考電壓信號(hào)為電位抬升13 ( Δ Vest),根據(jù)圖6的電路關(guān)系,像素電極4上也將有一 個(gè)電壓抬升Δνρ,且有AVp = AVcst*Cst/(Cst+Clc)。圖7中的幅值16即為像素電極4 上在該正幀內(nèi)的Δνρ。圖7中,幅度14為存儲(chǔ)電級(jí)7上的電壓信號(hào)變化幅度,亦即是幅度13的值;幅度 15為信號(hào)線上的電壓信號(hào)變化的幅度,幅度18為像素電極4上的電壓變化幅度。根據(jù)如前 的描述,幅度18將為一大于幅度15的值。于是在公共電極5的電壓不變的情況下,可實(shí)現(xiàn) 通過(guò)幅度較低的數(shù)據(jù)電壓信號(hào)得到較高的極板間電壓差,且此電壓差在一個(gè)幀周期里維持 不變。當(dāng)負(fù)幀來(lái)臨時(shí),數(shù)據(jù)線2上的負(fù)相信號(hào)對(duì)像素電極4充電,然后通過(guò)存儲(chǔ)電容線7’ 的反轉(zhuǎn)電壓信號(hào),使得在像素電極4電壓下降的情況下產(chǎn)生一個(gè)圖7中幅度17所示反相的 AVp,在像素電極4和公共電極5間形成一個(gè)極性相反、但仍為正常工作所需的電壓差。如 此逐幀循環(huán),即可在公共電極上的電壓信號(hào)不反轉(zhuǎn)的情況下,通過(guò)存儲(chǔ)電容線V上的行電 壓反轉(zhuǎn)來(lái)可實(shí)現(xiàn)與現(xiàn)有的在公共電極上電壓信號(hào)反轉(zhuǎn)相同的目的。圖8為相鄰兩行的兩個(gè)像素內(nèi)部及之間的電路結(jié)構(gòu)示意圖,圖9為圖8所示的兩 個(gè)像素在工作時(shí)的各節(jié)點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電位時(shí)序圖。如圖8和圖9所示,以掃描線自上而下掃描的方式為例,當(dāng)N > 1時(shí),第N-I行的 某個(gè)像素包括存儲(chǔ)電容線19、像素電極20和行掃描線21。與所述第N-I行的所述的像素 相鄰的第N行的像素包括存儲(chǔ)電容線22、像素電極23和行掃描線24。數(shù)據(jù)線25為所述相 鄰兩像素所在列的數(shù)據(jù)線。時(shí)序圖26為存儲(chǔ)電容線19上的電壓信號(hào)時(shí)序圖(即由第N-I級(jí)存儲(chǔ)電容參考信 號(hào)產(chǎn)生單元發(fā)出的參考電壓信號(hào)時(shí)序圖),時(shí)序圖27為行掃描線21上的電壓信號(hào)時(shí)序圖 (即由第N-I級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元發(fā)出的掃描脈沖信號(hào)時(shí)序圖),時(shí)序圖28為存儲(chǔ)電容線22上 的電壓信號(hào)時(shí)序圖(即由第N級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元發(fā)出的參考電壓信號(hào)時(shí)序圖), 時(shí)序圖29為行掃描線24上的電壓信號(hào)時(shí)序圖(即由第N級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元發(fā)出的掃描脈沖 信號(hào)時(shí)序圖),時(shí)序圖30為數(shù)據(jù)線25上的電壓信號(hào)時(shí)序圖,時(shí)序圖31為像素電極23上的 電壓信號(hào)時(shí)序圖。若行掃描脈沖信號(hào)是逐行掃描,則存儲(chǔ)電極上的參考電壓信號(hào)也是逐行做出反轉(zhuǎn) 動(dòng)作,并且任意相鄰兩行的數(shù)據(jù)電壓和存儲(chǔ)電極電壓均相互反相。在本例中,當(dāng)?shù)贜-I行的 當(dāng)前幀為正幀時(shí),第N行的當(dāng)前幀即為負(fù)幀。同樣的,當(dāng)?shù)贜-I行的當(dāng)前幀為負(fù)幀時(shí),第N 行的當(dāng)前幀即為正幀??梢?jiàn),依照上述實(shí)施例的行驅(qū)動(dòng)電路,可以在無(wú)需公共電極電壓反轉(zhuǎn)的情況下靠 存儲(chǔ)電容的存儲(chǔ)電極上電壓信號(hào)的主動(dòng)逐行反轉(zhuǎn),實(shí)現(xiàn)依靠較低的輸出電壓和很少的功率 損耗即獲得較高的像素電極與公共電極電壓差的目的。此外,采用上述的實(shí)施例的行驅(qū)動(dòng) 電路,可節(jié)省空間,降低外圍電路尺寸,降低設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)。有利于采用本實(shí)施例的液晶顯示裝 置的小型化,邊框減窄的效果明顯。
此外,本發(fā)明還提供一種應(yīng)用本發(fā)明的行驅(qū)動(dòng)電路的液晶顯示裝置,這里不再贅 述。此外,本發(fā)明還提供一種本發(fā)明的行驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法,包括按行向液晶像素陣列的施加?xùn)艠O掃描脈沖信號(hào),以對(duì)液晶像素陣列進(jìn)行行掃描, 使相應(yīng)行 的像素電容進(jìn)行充電或放電;在相應(yīng)行的像素電容充電或者放電后,按行向該行液晶像素陣列的存儲(chǔ)電容的存 儲(chǔ)電極施加參考電壓信號(hào),以使該行的像素電容充電后抬升像素電極的電壓,或在該行的 像素電容放電后降低像素電極的電壓;相鄰兩行的參考電壓信號(hào)正負(fù)極性相反,且相鄰兩 行的參考電壓信號(hào)位相具有一定時(shí)間的延遲,延遲的時(shí)間為柵極掃描脈沖的脈寬;其中,除第一、第二和第三行之外,以施加到當(dāng)前行之外的其他行的脈沖掃描信號(hào) 作為驅(qū)動(dòng)信號(hào),驅(qū)動(dòng)選擇單元在當(dāng)前幀的第一時(shí)間和第二時(shí)間分別選擇施加到當(dāng)前行之前 任兩行的、正負(fù)極性相反參考電壓信號(hào)作為當(dāng)前行的參考電壓信號(hào),其中,所述第一時(shí)間和 第二時(shí)間之和為一幀的持續(xù)時(shí)間。具體的,所述當(dāng)前行之外的其它脈沖信號(hào)可以分別為當(dāng)前行之后一行和前一行的 掃描脈沖信號(hào);施加到當(dāng)前行之后一行的掃描脈沖信號(hào)作為驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí),用于驅(qū)動(dòng)選擇單元在當(dāng) 前幀的第一時(shí)間選擇施加到當(dāng)前行之前第二行的參考電壓信號(hào)作為當(dāng)前行的參考電壓信 號(hào);施加到當(dāng)前行之前一行的掃描脈沖信號(hào)作為驅(qū)動(dòng)信號(hào),用于驅(qū)動(dòng)選擇單元在當(dāng)前 幀的第二時(shí)間選擇施加到當(dāng)前行之前第三行的參考電壓信號(hào)作為當(dāng)前行的參考電壓信號(hào)。本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上,但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明,任何本領(lǐng)域技 術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),都可以做出可能的變動(dòng)和修改,因此本發(fā)明的保 護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種行驅(qū)動(dòng)電路,包括柵極驅(qū)動(dòng)電路;其中,所述柵極驅(qū)動(dòng)電路包括復(fù)數(shù)級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元;其特征在于所述行驅(qū)動(dòng)電路還包括存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生電路;所述存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生電路包括復(fù)數(shù)級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元,每一級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元對(duì)應(yīng)一級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元,用于對(duì)該級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元對(duì)應(yīng)的液晶像素陣列的行中的存儲(chǔ)電容的存儲(chǔ)電極提供參考電壓信號(hào),以在相應(yīng)行的像素電容充電后抬升與該存儲(chǔ)電極對(duì)應(yīng)的像素電極的電壓,并在相應(yīng)行的像素電容放電后降低與該存儲(chǔ)電極對(duì)應(yīng)的像素電極的電壓;每一級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元至少包括第一節(jié)點(diǎn)、第二節(jié)點(diǎn)、選擇單元、控制單元和輸出節(jié)點(diǎn);所述第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)用于提供參考信號(hào);所述選擇單元用于選擇性輸出所述第一節(jié)點(diǎn)或第二節(jié)點(diǎn)的參考信號(hào)作為所述的參考電壓信號(hào);所述控制單元用于控制所述選擇單元選擇輸出所述第一節(jié)點(diǎn)或第二節(jié)點(diǎn)的參考信號(hào);所述輸出節(jié)點(diǎn)用于輸出所述參考電壓信號(hào);除第一級(jí)、第二級(jí)和第三級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元外,其它級(jí)的存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元中的第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)分別與該級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元之前的、在一幀時(shí)間內(nèi)輸出正負(fù)極性相反的參考電壓信號(hào)的任意兩級(jí)的輸出節(jié)點(diǎn)連接;每一級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元中的用于驅(qū)動(dòng)所述控制單元對(duì)所述選擇單元進(jìn)行控制的驅(qū)動(dòng)信號(hào)為當(dāng)前級(jí)之外的柵極驅(qū)動(dòng)單元的掃描脈沖信號(hào);所述掃描脈沖信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述控制單元控制所述選擇單元在一幀的第一時(shí)間和第二時(shí)間分別選擇第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)的參考信號(hào)作為當(dāng)前級(jí)的參考電壓信號(hào);其中,所述第一時(shí)間和第二時(shí)間之和為一幀的持續(xù)時(shí)間。
2.如權(quán)利要求1所述的行驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于所述控制單元包括第一控制子單元、 第二控制子單元和互鎖單元;其中,所述第一控制子單元用于控制所述選擇單元選擇輸出所述第一節(jié)點(diǎn)的參考信號(hào);所述第二控制子單元用于控制所述選擇單元選擇輸出所述第二節(jié)點(diǎn)的參考信號(hào);所述互鎖單元用于在選擇輸出所述第一節(jié)點(diǎn)的參考信號(hào)時(shí)禁止輸出第二節(jié)點(diǎn)的信號(hào), 并在輸出第二節(jié)點(diǎn)的參考信號(hào)時(shí)禁止輸出第一節(jié)點(diǎn)的信號(hào)。
3.如權(quán)利要求2所述的行驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于除第一級(jí)和第二級(jí)存儲(chǔ)電容參考信 號(hào)產(chǎn)生單元外,存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元的第一節(jié)點(diǎn)與該級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元 之前第三級(jí)的輸出節(jié)點(diǎn)連接;存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元的第二節(jié)點(diǎn)與該級(jí)存儲(chǔ)電容參考 信號(hào)產(chǎn)生單元之前第二級(jí)的輸出節(jié)點(diǎn)連接;用于驅(qū)動(dòng)所述第一控制單元對(duì)所述選擇單元進(jìn)行控制的驅(qū)動(dòng)信號(hào)為該級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單 元之前一級(jí)的掃描脈沖信號(hào);用于驅(qū)動(dòng)所述第二控制單元對(duì)所述選擇單元進(jìn)行控制的驅(qū)動(dòng) 信號(hào)為該級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元之后一級(jí)的掃描脈沖信號(hào)。
4.如權(quán)利要求2所述的行驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于所述選擇單元包括第一選擇子單元 和第二選擇子單元;所述第一控制子單元通過(guò)互鎖單元與所述第一選擇子單元連接,以控制所述第一選擇 子單元使所述第一節(jié)點(diǎn)與所述輸出節(jié)點(diǎn)連接或斷開(kāi);所述第二控制子單元通過(guò)互鎖單元與所述第二選擇子單元連接,以控制所述第二選擇 子單元用于使所述第二節(jié)點(diǎn)與所述輸出節(jié)點(diǎn)連接或斷開(kāi)。
5.如權(quán)利要求4所述的行驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于所述第一控制子單元、第二控制子單 元、第一選擇子單元和第二選擇子單元為脈沖控制的開(kāi)關(guān)元件。
6.如權(quán)利要求5所述的行驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于所述開(kāi)關(guān)元件為金屬氧化物半導(dǎo)體 晶體管。
7.如權(quán)利要求4所述的行驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于每一級(jí)的存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單 元中,所述第一選擇子單元包括第一薄膜晶體管,所述第二選擇子單元包括第二薄膜晶體管;所述第一控制子單元包括第五薄膜晶體管,所述第二控制子單元包括第七薄膜晶體管;所述互鎖單元包括第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第六薄膜晶體管; 所述第一薄膜晶體管的源極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接,漏極與當(dāng)前級(jí)的輸出節(jié)點(diǎn)連接,柵 極與第五薄膜晶體管的漏極連接;所述第二薄膜晶體管的源極與當(dāng)前級(jí)的輸出節(jié)點(diǎn)連接,柵極與第四澳門(mén)晶體管的源極 連接;所述第五薄膜晶體管的源極與高電平節(jié)點(diǎn)連接,漏極與第六薄膜晶體管、第七薄膜晶 體管的源極、第四薄膜晶體管的柵極連接,柵極用于輸入驅(qū)動(dòng)該第一控制子單元的驅(qū)動(dòng)信 號(hào);所述第七薄膜晶體管的漏極與低電平節(jié)點(diǎn)連接,柵極用于輸入驅(qū)動(dòng)該第二控制子單元 的驅(qū)動(dòng)信號(hào);所述第六薄膜晶體管的漏極與所述的低電平節(jié)點(diǎn)連接,柵極與所述第四薄膜晶體管的 源極連接;所述第三薄膜晶體管的源極與柵極連接,并同時(shí)與所述高電平節(jié)點(diǎn)連接,漏極與所述 第四薄膜晶體管的源極連接;所述第四薄膜晶體管的漏極與所述低電平節(jié)點(diǎn)連接。
8.一種液晶顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求1至7任一權(quán)利要求所述的行驅(qū)動(dòng) 電路。
9.一種如權(quán)利要求1-7任一權(quán)利要求所述的行驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法,包括按行向液晶像素陣列施加?xùn)艠O掃描脈沖信號(hào),以對(duì)液晶像素陣列進(jìn)行行掃描,使相應(yīng) 行的像素電容進(jìn)行充電或放電;在相應(yīng)行的像素電容充電或者放電后,按行向該行液晶像素陣列的存儲(chǔ)電容的存儲(chǔ)電 極施加參考電壓信號(hào),以使該行的像素電容充電后抬升像素電極的電壓,或在該行的像素 電容放電后降低像素電極的電壓;相鄰兩行的參考電壓信號(hào)正負(fù)極性相反,且相鄰兩行的 參考電壓信號(hào)位相具有一定時(shí)間的延遲,延遲的時(shí)間為柵極掃描脈沖的脈寬;其中,除第一、第二和第三行之外,以施加到當(dāng)前行之外的其他行的脈沖掃描信號(hào)作為驅(qū)動(dòng)信號(hào),驅(qū)動(dòng)選擇單元在當(dāng)前幀的第一時(shí)間和第二時(shí)間分別選擇施加到當(dāng)前行之前任兩 行的、正負(fù)極性相反參考電壓信號(hào)作為當(dāng)前行的參考電壓信號(hào),其中,所述第一時(shí)間和第二 時(shí)間之和為一幀的持續(xù)時(shí)間。
10.如權(quán)利要求9所述的驅(qū)動(dòng)方法,其特征在于所述當(dāng)前行之外的其它脈沖信號(hào)分別 為施加到當(dāng)前行之后一行和前一行的掃描脈沖信號(hào);施加到當(dāng)前行之后一行的掃描脈沖信號(hào)作為驅(qū)動(dòng)信號(hào),用于驅(qū)動(dòng)選擇單元在當(dāng)前幀的 第一時(shí)間選擇施加到當(dāng)前行之前第二行的參考電壓信號(hào)作為當(dāng)前行的參考電壓信號(hào); 施加到當(dāng)前行之前一行的掃描脈沖信號(hào)作為驅(qū)動(dòng)信號(hào),用于驅(qū)動(dòng)選擇單元在當(dāng)前幀的 第二時(shí)間選擇施加到當(dāng)前行之前第三行的參考電壓信號(hào)作為當(dāng)前行的參考電壓信號(hào)。
全文摘要
一種行驅(qū)動(dòng)電路,包括柵極驅(qū)動(dòng)電路和存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生電路;所述存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生電路包括復(fù)數(shù)級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元,每一級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元至少包括第一節(jié)點(diǎn)、第二節(jié)點(diǎn)、選擇單元、控制單元和輸出節(jié)點(diǎn);除第一、第二和第三級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元外,其它級(jí)的第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)分別與該級(jí)之前的、在一幀時(shí)間內(nèi)輸出正負(fù)極性相反的參考電壓信號(hào)的任意兩級(jí)的輸出節(jié)點(diǎn)連接;每一級(jí)存儲(chǔ)電容參考信號(hào)產(chǎn)生單元中的驅(qū)動(dòng)信號(hào)為當(dāng)前級(jí)之外的柵極驅(qū)動(dòng)單元的掃描脈沖信號(hào)。本發(fā)明還提供所述的行驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法和液晶顯示裝置。本發(fā)明可避免在行反轉(zhuǎn)模式下產(chǎn)生電磁干擾和噪聲的問(wèn)題,且節(jié)省功耗。
文檔編號(hào)G09G3/20GK101847375SQ20091004848
公開(kāi)日2010年9月29日 申請(qǐng)日期2009年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月25日
發(fā)明者凌志華, 劉倩, 羅熙曦, 鄧威廉, 馬駿 申請(qǐng)人:上海天馬微電子有限公司
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