專(zhuān)利名稱(chēng)：等離子體顯示器及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示器及其驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
等離子體顯示器是一種采用等離子體顯示面板(PDP)的顯示裝置，其 利用由氣體放電所產(chǎn)生的等離子來(lái)顯示字符或圖像。在PDP中，多個(gè)單元以 矩陣的形式布置。等離子體顯示器通過(guò)將圖像的一幀劃分為多個(gè)子場(chǎng)進(jìn)行驅(qū) 動(dòng)來(lái)顯示圖像的一幀。
等離子體顯示器顯示的圖像幀被劃分成多個(gè)子場(chǎng)，每個(gè)子場(chǎng)都具有用于 驅(qū)動(dòng)的權(quán)重值。在每個(gè)子場(chǎng)的尋址周期中，通過(guò)順序地施加掃描脈沖到多個(gè) 掃描電極來(lái)選擇將被接通的單元，并且在維持周期中，在接通的單元(例如， 發(fā)光單元)中執(zhí)行維持放電，以便通過(guò)交替地施加維持放電脈沖的高電平電 壓和低電平電壓到執(zhí)行維持放電的電極來(lái)真實(shí)地顯示圖像。這里， 一個(gè)幀的 某些子場(chǎng)的復(fù)位周期包括用于在所有單元中產(chǎn)生復(fù)位放電的主復(fù)位周期，并 且剩余子場(chǎng)的復(fù)位周期包括輔助復(fù)位周期，用于在已經(jīng)在前一子場(chǎng)中產(chǎn)生過(guò) 維持放電的發(fā)光單元中產(chǎn)生復(fù)位放電。
當(dāng)維持放電在前一子場(chǎng)中被產(chǎn)生時(shí)，在單元中形成許多壁電荷和空間電 荷。在一些等離子體顯示器中，由于具有高二次電子發(fā)射特性的保護(hù)層被形 成在尋址電極上，許多空間電荷可能被形成在單元中。因此，在尋址周期中， 在單元中執(zhí)行完尋址操作之后，尋址電極的壁電荷可能被減少空間電荷那么 多的量。從而，可能不能正確地產(chǎn)生尋址放電和維持放電。
本背景技術(shù)部分所公開(kāi)的上述信息只是為了加強(qiáng)對(duì)本發(fā)明背景的理解，
因此其可能包含并不構(gòu)成本國(guó)內(nèi)對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的現(xiàn)有技術(shù)的信 白

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一些實(shí)施例提供一種在維持周期中具有提高的放電穩(wěn)定性和降低的維持放電延遲以正確地執(zhí)行維持放電的等離子體顯示器及其驅(qū)動(dòng)方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示范性實(shí)施例，在一種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示器的方法中， 該等離子體顯示器包括掃描電極、尋址電極、維持電極和多個(gè)放電單元，將 一幀劃分為多個(gè)子場(chǎng)，在多個(gè)子場(chǎng)中的第一子場(chǎng)的第一復(fù)位周期期間，在第 一電壓被施加到尋址電極的時(shí)候，將多個(gè)掃描電極中的一個(gè)掃描電極的電壓 逐漸地從第二電壓增加到第三電壓，以及在多個(gè)子場(chǎng)中的第二子場(chǎng)的第二復(fù) 位周期期間，在高于第一電壓的第四電壓被施加到尋址電極的時(shí)候，將所述 掃描電極的電壓逐漸地從第五電壓增加到低于第三電壓的第六電壓。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示范性實(shí)施例，在一種等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)方法 中，該等離子體顯示器包括第一電極、第二電極、與第一電極和第二電極交 叉的第三電極、以及由第一、第二和第三電極形成的多個(gè)放電單元，將一幀 劃分為多個(gè)子場(chǎng)，將一個(gè)電壓差逐漸地從第一電壓增加到第二電壓，該電壓 差是通過(guò)從所述第 一 電極中的一個(gè)相應(yīng)電極的電壓中減去所述第三電極中的 一個(gè)相應(yīng)第三電極的電壓所獲得的，并且在所述多個(gè)子場(chǎng)中的第一子場(chǎng)的復(fù)
位周期期間，將所述電壓差逐漸地從第三電壓降低到第四電壓；將所述電壓 差逐漸地從第五電壓增加到低于第二電壓的第六電壓；以及在所述多個(gè)子場(chǎng) 中的第二子場(chǎng)的復(fù)位周期期間，將所述電壓差逐漸地從第七電壓降低到第八 電壓。
另外，根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)示范性實(shí)施例， 一種等離子體顯示器包括 第一電極、第二電極、與所述第一電極和第二電極交叉的第三電極、用于將 一幀劃分成多個(gè)子場(chǎng)的控制器；以及驅(qū)動(dòng)器。該驅(qū)動(dòng)器被配置為在所述多 個(gè)子場(chǎng)中的第 一子場(chǎng)的復(fù)位周期的上升周期期間將一 電壓差逐漸地從第 一 電 壓增加到第二電壓，該電壓差是通過(guò)從所述第一電極的電壓中減去所述第二 電極的電壓所獲得的；在所述第 一子場(chǎng)的所述復(fù)位周期的下降周期期間將所 述電壓差逐漸地從第三電壓降低到第四電壓；在所述多個(gè)子場(chǎng)中的第二子場(chǎng) 的復(fù)位周期的上升周期期間將所述電壓差逐漸地從第五電壓增加到第六電 壓；以及在所述第二子場(chǎng)的所述復(fù)位周期的下降周期期間將所述電壓差逐漸 地從第七電壓降低到第八電壓。此外，所述驅(qū)動(dòng)器在所述第一子場(chǎng)的所述復(fù) 位周期的所述上升周期期間施加第九電壓到所述第三電極，并且在所述第二 子場(chǎng)的所述復(fù)位周期的所述上升周期期間施加高于所述第九電壓的第十電壓 到所述第三電極。


圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示范性實(shí)施例的等離子體顯示器的框圖。
圖2是表示根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)方法的圖。
圖3是表示根據(jù)本發(fā)明的第一示范性實(shí)施例的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)波 形的圖。
圖4是表示根據(jù)本發(fā)明的第二示范性實(shí)施例的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)波
形的圖。
具體實(shí)施例方式
在下面的詳細(xì)描述中，只簡(jiǎn)單地通過(guò)圖示方式示出并描述了本發(fā)明的某 些示范性實(shí)施例。正如本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到的，所描述的各實(shí)施例可被 以各種不同的方式修改，而這些修改均不會(huì)脫離本發(fā)明的精神或范圍。因此， 附圖和本說(shuō)明被認(rèn)為是示例性的而非限制性的。相同的附圖標(biāo)記在本說(shuō)明書(shū) 中通篇指代相同的元件。
綜貫本說(shuō)明書(shū)和所附的權(quán)利要求書(shū)，當(dāng)描述到某元件被"耦合"到另一 個(gè)元件時(shí)，該元件可能是被"直接耦合"到其它的元件或通過(guò)第三元件"電
耦合"到其它元件。另外，除非有相反的明確描述，詞語(yǔ)"包括(comprise)" 及其諸如"包含，，和"含有"的變形將被理解成意味著包含所提到的元件但 不排除任何其它元件。此外，盡管壁電荷指的是形成在電極上的電荷，但本 領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，壁電荷形成在覆蓋電極的壁上(例如，介電層)。
下面將參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的等離子體顯示器及其驅(qū) 動(dòng)方法。
圖1是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的等離子體顯示器的框圖。
如圖l所示，根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的等離子體顯示器包括等離子體
顯示面板(PDP) 100、控制器200、尋址電極驅(qū)動(dòng)器300、掃描電極驅(qū)動(dòng)器
400和維持電才及驅(qū)動(dòng)器500。
PDP 100包括在列方向上延伸的多個(gè)尋址電極Al到Am，以及在行方向
上成對(duì)延伸的多個(gè)維持電極XI到Xn和多個(gè)掃描電極Yl到Y(jié)n。維持電極
XI到Xn分別對(duì)應(yīng)于掃描電極Yl到Y(jié)n而形成。尋址電極Al到Am與維持電極X1到Xn和掃描電極Yl到Y(jié)n的交叉區(qū)域的放電空間形成》丈電單元110 (下文中稱(chēng)為"單元")。需要注意的是，PDP 100的上述構(gòu)造只是個(gè)例子， 本發(fā)明可以應(yīng)用能夠被施加隨后描述的驅(qū)動(dòng)波形的具有不同結(jié)構(gòu)的PDP。
控制器200接收外部視頻信號(hào)并輸出尋址電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)、維持電極 驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)和掃描電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)?？刂破?00根據(jù)輸入的視頻信號(hào)將 一幀劃分成分別具有權(quán)重的多個(gè)子場(chǎng)，并且子場(chǎng)中的每個(gè)子場(chǎng)包括尋址周期 和維持周期。尋址周期用于選擇接通/斷開(kāi)單元(即，將被接通/斷開(kāi)單元)，
多個(gè)子場(chǎng)中的至少一個(gè)子場(chǎng)可能還包括復(fù)位周期。復(fù)位周期用于初始化多個(gè) 單元中的至少一個(gè)單元。
尋址電極驅(qū)動(dòng)器300根據(jù)來(lái)自控制器200的尋址電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)施加 驅(qū)動(dòng)電壓到多個(gè)尋址電極Al到Am。
掃描電極驅(qū)動(dòng)器400根據(jù)來(lái)自控制器200的掃描電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)施加 驅(qū)動(dòng)電壓到多個(gè)掃描電極Yl到Y(jié)n。
維持電極驅(qū)動(dòng)器500根據(jù)來(lái)自控制器200的維持電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)施加 驅(qū)動(dòng)電壓到多個(gè)維持電極X1到Xn。
圖2是表示根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)方法的圖。
如圖2所示， 一幀包括多個(gè)子場(chǎng)，每個(gè)子場(chǎng)具有不同的權(quán)重值。在圖2 中， 一幀包括IO個(gè)子場(chǎng)SF1到SF10,這10個(gè)子場(chǎng)分別具有4又重值1、 2、 3、 5、 7、 15、 20、 40、 62和100，從而顯示從0到255的灰度級(jí)。子場(chǎng)SF1到 SF10中的每一個(gè)子場(chǎng)包括復(fù)位周期、尋址周期和維持周期。這里，多個(gè)子場(chǎng) 中的一些子場(chǎng)的復(fù)位周期是用于初始化所有單元的主復(fù)位周期，而剩余子場(chǎng) 的復(fù)位周期是輔助復(fù)位周期，輔助復(fù)位周期用于初始化已經(jīng)在前一子場(chǎng)中產(chǎn) 生過(guò)維持放電的單元。在圖2中，第一子場(chǎng)SF1的復(fù)位周期是主復(fù)位周期， 而剩余子場(chǎng)SF2到SF10的復(fù)位周期是輔助復(fù)位周期。
圖3是表示根據(jù)本發(fā)明第一示范性實(shí)施例的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)波形 的圖。在圖3中，為了更好地理解和方便描述，只示出了多個(gè)子場(chǎng)中的第一 子場(chǎng)SF1和第十子場(chǎng)SF10的驅(qū)動(dòng)波形，并且對(duì)此將基于對(duì)應(yīng)于一個(gè)掃描電 極Y、 一個(gè)維持電極X和一個(gè)尋址電極A的單元進(jìn)行描述。
如圖3所示，在第一子場(chǎng)SF1的主復(fù)位周期的上升周期中，維持電極X和尋址電極A被維持在參考電壓(圖3中為0V)，而掃描電極Y的電壓逐漸 地從V1增加到Vset電壓。在圖3中，掃描電極Y的電壓以斜坡模式增加。 在掃描電極Y的電壓增加的時(shí)候，在掃描電極Y和維持電極X之間以及在掃 描電極Y和尋址電極A之間產(chǎn)生弱放電，并因此在掃描電極Y上形成負(fù)的壁 電荷(_ ),而在維持電極X和尋址電極A上形成正的壁電荷(+ )。這里， 對(duì)應(yīng)于用在尋址周期中的VscH電壓和VscL電壓之間的差值的電壓 (VscH-VscL)和用在維持周期中的Vs電壓可以;故用作VI電壓。
在主復(fù)位周期的下降周期中，在尋址電極A和維持電極X分別維持在參 考電壓和Ve電壓的時(shí)候，掃描電極Y的電壓逐漸地從參考電壓(圖3中的 OV)降低到Vnf電壓。因而，在掃描電極Y的電壓被降低的時(shí)候，在掃描電 極Y和維持電極X之間以及在掃描電極Y和尋址電極A之間產(chǎn)生弱放電， 并因此消除在掃描電極Y上形成的負(fù)的壁電荷(-)和在維持電極X和尋址 電極A上形成的正的壁電荷(+ )。通常，電壓(Vnf-Ve)被二沒(méi)置成接近于掃 描電極Y和維持電極X之間的放電著火電壓。因此，由于掃描電極Y和維持 電極X之間的壁電壓接近于0V，可以防止在尋址周期中沒(méi)有產(chǎn)生尋址放電的 單元在維持周期中被誤點(diǎn)火。
在圖3中，盡管在下降周期中掃描電極Y的電壓被從參考電壓下降，但 是也可以^使用另一個(gè)電壓(例如，Vs電壓)。
在尋址周期中，為選擇接通單元，在Ve電壓凈皮施加到維持電極X的時(shí) 候，具有VscL電壓的掃描脈沖和具有Va電壓的尋址脈沖分別^皮施加到掃描 電極Y和尋址電極A。這里，沒(méi)有一皮施加掃描脈沖的掃描電極Y被維持在高 于VscL電壓的VscH電壓。VscL電壓可以等于或低于Vnf電壓。另夕卜，低 于Va電壓的0V電壓被施加到在對(duì)應(yīng)于#皮施加了掃描脈沖的掃描電極Y的單 元中的非發(fā)光單元的尋址電極。因此，在對(duì)應(yīng)于被施加了 Va電壓的尋址電極 A和^皮施加了 VscL電壓的掃描電4及Y的單元中產(chǎn)生尋址;改電。
更詳細(xì)地，在尋址周期中，掃描電極驅(qū)動(dòng)器400和尋址電極驅(qū)動(dòng)器300 施加掃描脈沖到第一行的掃描電極Y (圖1中的Y1),并且，與此同時(shí)，施 加尋址脈沖到對(duì)應(yīng)于第一行的發(fā)光單元的尋址電才及A。這里，VscH電壓^皮施 加到剩余行的掃描電極(圖1中的Y2到Y(jié)n)。因此，由于在第一行的掃描電 極Y(圖1中的Y1)和被施加尋址脈沖的尋址電極A之間產(chǎn)生尋址放電，因 而在掃描電極Y(圖1中的Yl)上形成正的壁電荷(+ )，而在尋址電極A和維持電極X (圖1中的X1)上形成負(fù)的壁電荷(-)。結(jié)果，在施加掃描脈
沖到第二行的掃描電極Y (圖2中的Y2)的時(shí)候，尋址電極驅(qū)動(dòng)器300施加 尋址脈沖到對(duì)應(yīng)于第二行的發(fā)光單元的尋址電極A。以相似的方式，VscH電 壓被施加到剩余行的掃描電極(圖1中的Yl到Y(jié)3 )。因此，在由被施加了尋 址脈沖的尋址電極A和第二行的掃描電極Y(圖1中的Y2)所形成的單元中 產(chǎn)生尋址放電，并且在該單元中形成壁電荷。以相似的方式，當(dāng)順序施加掃 描脈沖到剩余行的掃描電極Y時(shí)，尋址電極驅(qū)動(dòng)器300施加尋址脈沖到對(duì)應(yīng) 于發(fā)光單元的尋址電極A以形成壁電荷。
在維持周期中，具有高電平電壓(圖3中的Vs電壓)和低電平電壓(圖 3中的0V電壓)的維持脈沖被交替地施加到掃描電極Y和維持電極X。這里， 施加到掃描電極Y的維持脈沖的相位與施加到維持電極X的維持脈沖的相位 相反。也就是說(shuō)，當(dāng)Vs電壓被施加到掃描電極Y時(shí)，OV電壓被施加到維持 電極X,而當(dāng)0V電壓被施加到掃描電極Y時(shí)，Vs電壓被施加到維持電極X。 因此，掃描電極Y和維持電極X之間的電壓差交替地變成Vs電壓和-Vs電 壓，并因此，在接通的放電單元中產(chǎn)生多次(例如，預(yù)定的次數(shù))維持放電。 這里，多種電壓可以被用作高電平電壓和低電平電壓，只要在高電平電壓和 低電平電壓之間的電壓差在Vs電壓和-Vs電壓之間交替。例如，可以使用 Vs/2電壓作為高電平電壓而使用-Vs/2作為低電平電壓。另外，當(dāng)0V電壓 被施加到掃描電極Y或維持電極X中的一個(gè)時(shí)，Vs電壓和-Vs電壓可被交 替地施加到掃描電極或維持電極中的另 一個(gè)。
接下來(lái)，在子場(chǎng)SF10的輔助復(fù)位周期的上升周期中，因?yàn)楫?dāng)在前一子 場(chǎng)F9的維持周期中Vs電壓被施加到維持電極X時(shí)產(chǎn)生維持放電，所以維持 電極X被保持在參考電壓(圖3中的0V電壓)，并且掃描電極Y的電壓被逐 漸地從參考電壓(圖3中的0V電壓)增加到Vsetl電壓。這里，掃描電極Y 上的電壓以一種坡度逐漸地增加，該坡度比掃描電極Y或維持電極X上的電 壓在維持周期中從OV電壓增加到Vs電壓的坡度更柔和。因此，由于相應(yīng)于 在前一子場(chǎng)SF9中產(chǎn)生維持放電的單元而使正的壁電荷(+ )被形成在掃描 電極Y和尋址電極A上，并且使負(fù)的壁電荷(-)被形成在維持電極X上， 因此在掃描電極Y的電壓增加的時(shí)候，在掃描電極Y和維持電極X之間以及 在掃描電極Y和尋址電極A之間產(chǎn)生弱放電。相應(yīng)地，負(fù)的壁電荷(-)被 形成在掃描電極Y上，而正的壁電荷(+ )被形成在維持電極X上。這里，在輔助復(fù)位周期的上升周期期間，當(dāng)正電壓(圖3中的Va電壓)被施加到尋 址電極A上時(shí)，由于掃描電極Y和尋址電極A之間的電壓差變得小于當(dāng)0V 電壓被施加到尋址電極A上時(shí)的電壓差，因此可以防止大量的正的壁電荷 (+ )被產(chǎn)生在尋址電極A上。
另外，Vsetl電壓可被設(shè)置成低于掃描電極Y和維持電極X之間的放電 點(diǎn)火電壓(即，Ve-Vnf電壓)以致于在前一子場(chǎng)中沒(méi)有產(chǎn)生過(guò)維持放電的 單元不會(huì)在輔助復(fù)位周期的上升周期中被放電。這里，Vsetl電壓可被設(shè)置成 等于Vs電壓，并且提供Vs電壓的電源還可以提供Vsetl電壓以降低等離子 體顯示器中使用的電源數(shù)量。
在輔助復(fù)位周期的下降周期中，以與主復(fù)位周期的下降周期相似的方式， 掃描電極Y的電壓被逐漸降低到Vnf電壓。這里，由于較少正的壁電荷(+ ) 已經(jīng)-波形成在尋址電極A上，所以尋址電極A和掃描電極Y之間沒(méi)有產(chǎn)生顯 著的放電，并且專(zhuān)交少的空間電荷-波形成在該單元中。
接下來(lái)，以與子場(chǎng)SF1相似的方式，在子場(chǎng)SF10中執(zhí)行尋址和維持周 期的操作。這里，由于較少的空間電荷被形成在單元中，因此在尋址周期之 后由于空間電荷導(dǎo)致的形成在尋址電極A上的壁電荷的損失可被阻止或降 低。
另外，由于維持放電所導(dǎo)致的較少的空間電荷已經(jīng)被形成在在前一子場(chǎng) 中輕微地產(chǎn)生過(guò)維持放電的子場(chǎng)的單元中，所以在輔助復(fù)位周期中當(dāng)大量的 空間電荷被形成時(shí)，形成在尋址電極A上的壁電荷的損失可以被防止或降低。 總的來(lái)說(shuō)，由于一幀的子場(chǎng)被以增加權(quán)重值的順序安排，因此在前一子場(chǎng)中 產(chǎn)生的維持放電少于在后續(xù)子場(chǎng)中產(chǎn)生的維持放電。相應(yīng)地，在具有低的權(quán) 重值的子場(chǎng)中，在輔助復(fù)位周期的上升周期期間，正電壓可以不被施加到尋 址電極，對(duì)此將參考圖4進(jìn)行描述。
圖4是表示根據(jù)本發(fā)明第二示范性實(shí)施例的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)波形 的圖。在圖4中，為了更好地理解和方1"更描述，只示出了多個(gè)子場(chǎng)中的第二 子場(chǎng)SF2和第十子場(chǎng)SF10的驅(qū)動(dòng)波形，并且對(duì)此將基于對(duì)應(yīng)于一個(gè)掃描電 極Y、 一個(gè)維持電極X和一個(gè)尋址電極A的單元進(jìn)行描述。
這里，多個(gè)子場(chǎng)SF1-SFIO被分成多個(gè)組，其中第一組具有主復(fù)位周期 (例如，子場(chǎng)SF1 )，第二組具有輔助復(fù)位周期和低的權(quán)重值(例如，子場(chǎng)SF1 到SF5),以及第三組具有輔助復(fù)位周期和高的權(quán)重值(例如，子場(chǎng)SF6到SFIO)。如圖4所示，在第二組的子場(chǎng)SF1到SF5的輔助復(fù)位周期的上升周 期期間，參考電壓(圖4中的0V)可被施加到尋址電極A，并且，在第三組 的子場(chǎng)SF6到SF10的輔助復(fù)位周期的上升周期期間，正電壓(圖4中的Va) 可被施加到尋址電極A。在圖4中，為了更好地理解和方便描述，只示出了 第二組子場(chǎng)中的一個(gè)子場(chǎng)(SF2)和第三組子場(chǎng)中的一個(gè)子場(chǎng)(SFIO)。
另外，由于當(dāng)具有高的二次電子發(fā)射特性的保護(hù)層被用來(lái)覆蓋尋址電極 A時(shí)，大量的空間電荷產(chǎn)生在單元中，因此根據(jù)本發(fā)明第一和第二示范性實(shí) 施例的驅(qū)動(dòng)方法可被施加到那些包括具有二次電子發(fā)射特性的保護(hù)層的等離 子體顯示器。例如，摻雜有Sc、 Al、 Ca和Zr中的至少一種的氧化鎂(MgO) 保護(hù)層可被用作保護(hù)層。
雖然已經(jīng)結(jié)合實(shí)際的示范性實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做了描述，但是可以理解的 是本發(fā)明并不限于所描述的實(shí)施例，相反的是，本發(fā)明意在覆蓋包括在所附 的各權(quán)利要求及其等價(jià)物的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等效配置。
權(quán)利要求
1、一種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示器的方法，其將一幀劃分為多個(gè)子場(chǎng)，所述等離子體顯示器包括掃描電極、尋址電極、維持電極和多個(gè)放電單元，所述方法包括在所述多個(gè)子場(chǎng)中的第一子場(chǎng)的第一復(fù)位周期期間，在第一電壓被施加到所述尋址電極的時(shí)候，將所述掃描電極中的一個(gè)掃描電極的電壓逐漸地從第二電壓增加到第三電壓；以及在所述多個(gè)子場(chǎng)中的第二子場(chǎng)的第二復(fù)位周期期間，在高于所述第一電壓的第四電壓被施加到所述尋址電極的時(shí)候，將所述掃描電極的電壓逐漸地從第五電壓增加到低于第三電壓的第六電壓。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述多個(gè)子場(chǎng)被分為包括第一組、 第二組和第三組的多個(gè)組，所述第一組包括所述第一子場(chǎng)，所述第三組包括 所述第二子場(chǎng)，并且所述第三組的子場(chǎng)的權(quán)重值高于所述第二組的子場(chǎng)的權(quán) 重值。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括在所述第二組的第三子場(chǎng)的第 三復(fù)位周期期間，在所述第一電壓被施加到所述尋址電極的時(shí)候，將所述掃 描電極的電壓逐漸地從第五電壓增加到第六電壓。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述第一復(fù)位周期期間，在所述第一電壓被施加到所述尋址電極的時(shí) 候，將所述掃描電極的電壓逐漸地從第七電壓降低到第八電壓；以及在所述第二復(fù)位周期期間，在所述第一電壓被施加到所述尋址電極的時(shí) 候，將所述掃描電極的電壓逐漸地從第九電壓降低到第十電壓。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述第八電壓與所述第十電壓相同。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在在所述第一復(fù)位周期中將所述 掃描電極的電壓逐漸地從所述第二電壓增加到所述第三電壓的時(shí)候，將所述 第一電壓施加到所述維持電極，以及在在所述第二復(fù)位周期中將所述掃描電極的電壓逐漸地從所述第五電壓 增加到所述第六電壓的時(shí)候，將所述第一電壓施加到所述維持電極。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，在所述第二復(fù)位周期期間，在所述掃描電極的電壓逐漸地從第九電壓降低到第十電壓的時(shí)候，將第十一 電壓 施加到所述維持電極，以及其中，所述第六電壓和所述第一電壓之間的差小于或等于所述第十一電 壓和所述第十電壓之間的差。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述第一和第二子場(chǎng)中 在尋址周期期間選擇發(fā)光單元和非發(fā)光單元；以及在維持周期期間對(duì)所述發(fā)光單元進(jìn)行維持放電。
9、 一種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示器的方法，其將一幀劃分為多個(gè)子場(chǎng)，所述等 離子體顯示器包括第一電極、第二電極、與所述第一電極和第二電極交叉的 第三電極、以及由所述第一、第二和第三電極形成的多個(gè)放電單元，所述方 法包括將一個(gè)電壓差逐漸地從第一電壓增加到第二電壓，該電壓差是通過(guò)從所 述第一電極中的一個(gè)相應(yīng)電極的電壓中減去所述第三電極中的一個(gè)相應(yīng)第三 電極的電壓所獲得的，并且在所述多個(gè)子場(chǎng)中的第一子場(chǎng)的復(fù)位周期期間， 將所述電壓差逐漸地從第三電壓降低到第四電壓；將所述電壓差逐漸地從第五電壓增加到低于所述第二電壓的第六電壓；以及在所述多個(gè)子場(chǎng)中的第二子場(chǎng)的復(fù)位周期期間，將所述電壓差逐漸地乂人 第七電壓降低到第八電壓。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，在所述第一和第二子場(chǎng)的復(fù)位 周期期間，在所述多個(gè)子場(chǎng)中的前一子場(chǎng)中沒(méi)有發(fā)光的多個(gè)單元中的一個(gè)單 元中基本上不產(chǎn)生復(fù)位放電。
11、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括將第二電壓差逐漸地從第九 電壓增加到第十電壓，該第二電壓差是通過(guò)從所述第一電極的電壓中減去所 述第二電極中的一個(gè)相應(yīng)第二電極的電壓所獲得的；以及在所述第一和第二子場(chǎng)的各自復(fù)位周期期間，將所述第二電壓差逐漸地 從第十一電壓降低到第十二電壓，其中所述第十電壓的幅度小于或等于所述 第十二電壓的幅度。
12、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述第三和第四電壓分別與所 述第七和第八電壓相同。
13、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述第二子場(chǎng)的權(quán)重值高于所述第一子場(chǎng)的權(quán)重值。
14、 一種等離子體顯示器，包括 第一電極；第二電極；第三電極，與所述第一電極和第二電極交叉； 控制器，用于將一幀劃分成多個(gè)子場(chǎng)；以及驅(qū)動(dòng)器，該驅(qū)動(dòng)器用于在所述多個(gè)子場(chǎng)中的第一子場(chǎng)的復(fù)位周期的上 升周期期間將一電壓差逐漸地從第一電壓增加到第二電壓，該電壓差是通過(guò) 從所述第一電極的電壓中減去所述第二電極的電壓所獲得的；在所述第一子 場(chǎng)的所述復(fù)位周期的下降周期期間將所述電壓差逐漸地從第三電壓降低到第 四電壓；在所述多個(gè)子場(chǎng)中的第二子場(chǎng)的復(fù)位周期的上升周期期間將所述電 壓差逐漸地從第五電壓增加到第六電壓；以及在所述第二子場(chǎng)的所述復(fù)位周 期的下降周期期間將所述電壓差逐漸地從第七電壓降低到第八電壓，其中，所述驅(qū)動(dòng)器在所述第一子場(chǎng)的所述復(fù)位周期的所述上升周期期間 施加第九電壓到所述第三電極，并且在所述第二子場(chǎng)的所述復(fù)位周期的所述 上升周期期間施加高于所述第九電壓的第十電壓到所述第三電極。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體顯示器，還包括所述第二電極上的 保護(hù)層，該保護(hù)層包含氧化鎂(MgO),其中該保護(hù)層還包含Sc、 Al、 Ca或 Zr中的至少一種。
16、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體顯示器，其中，所述第六電壓的幅 度大于所述第八電壓的幅度。
17、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體顯示器，其中，所述第二電壓大于 所述第六電壓。
18、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體顯示器，其中，所述第二子場(chǎng)的權(quán) 重值高于所述第 一子場(chǎng)的權(quán)重值。
全文摘要
公開(kāi)了等離子體顯示器及其驅(qū)動(dòng)方法。一種用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示器的方法，該等離子體顯示器包括掃描電極、尋址電極、維持電極和多個(gè)放電單元，將一幀劃分為多個(gè)子場(chǎng)。在所述方法中，在所述多個(gè)子場(chǎng)中的第一子場(chǎng)的第一復(fù)位周期期間，在第一電壓被施加到所述尋址電極的時(shí)候，將所述掃描電極中的一個(gè)掃描電極的電壓逐漸地從第二電壓增加到第三電壓；以及在所述多個(gè)子場(chǎng)中的第二子場(chǎng)的第二復(fù)位周期期間，在高于所述第一電壓的第四電壓被施加到所述尋址電極的時(shí)候，將所述掃描電極的電壓逐漸地從第五電壓增加到低于第三電壓的第六電壓。
文檔編號(hào)G09G3/28GK101425255SQ20081018421
公開(kāi)日2009年5月6日 申請(qǐng)日期2008年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月27日
發(fā)明者張水寬, 徐光鐘 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社