專利名稱：等離子體顯示器及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明實施例涉及一種等離子體顯示裝置及其驅(qū)動方法,背景技術(shù)等離子體顯示面板(PDP)是一種使用通過氣體放電產(chǎn)生的等離子體來 顯示字符或圖像的平板顯示器。PDP包括多個放電電極對和與該多個放電電 極對交叉的多個尋址電極。等離子體顯示裝置將一幀分為多個子場，其中每個子場具有一個亮度加 權(quán)值，并通過組合多個子場中產(chǎn)生顯示操作的子場的加權(quán)值來顯示灰度級。r雙見禾頭際地亞示圖像。 只有當兩個電極之間的電壓差設(shè)置得高于預(yù)定電壓時才發(fā)生維持放電。 目前，在尋址周期和維持周期中用于每個電極的電壓電位是不同的。從而， 為了提供各種電壓需要單獨的電源，從而增加了電源數(shù)量。
背景技術(shù)：
部分公開的上述信息只是為了增強對本發(fā)明背景的理解，因此 其可以包括沒有形成現(xiàn)有技術(shù)但是對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說在本國已 經(jīng)是公知的信息。發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的實施例教導(dǎo)了一種等離子體顯示器及其驅(qū)動方法，其基 本上克服了相關(guān)技術(shù)中的 一個或多個不足。因此，本發(fā)明實施例的一個特征是提供一種具有縮減了的電源數(shù)量的等 離子體顯示器及其驅(qū)動方法。本發(fā)明實施例的另一個特征是提供一種即使放電特性發(fā)生變化也能提 供穩(wěn)定操作的等離子體顯示裝置及其驅(qū)動方法。至少一個上述和其他特征和優(yōu)點可以通過提供下面的等離子體顯示裝 置來實現(xiàn)，其包括電極、第一晶體管、第一柵極驅(qū)動器、第二晶體管和第一二極管。第一晶體管連接在電極和電源之間，用于提供第一電壓，具有對應(yīng) 于電極的電壓的第一端的電壓和對應(yīng)于第一電壓的第二端的電壓。第一柵極 驅(qū)動器提供第一控制信號到第一晶體管的控制柵極。第二晶體管連接在第一 晶體管的控制端和電源之間，并且第二柵極驅(qū)動器提供第二控制信號到第二 晶體管的控制端。第一二極管連接在第二柵極驅(qū)動器的輸出端和第一晶體管 的控制端之間。至少一個上述和其他特征和優(yōu)點可以通過提供下面的等離子體顯示裝 置來實現(xiàn)，其包括電極、第一晶體管、第一驅(qū)動器、第二晶體管、柵極驅(qū)動 器和電流通路。第一晶體管連接在電極和電源之間，用于提供第一電壓，具 有對應(yīng)于電極的電壓的第一端的電壓和對應(yīng)于第一電壓的第二端的電壓。第 一驅(qū)動器通過控制第一晶體管的驅(qū)動來改變電極電壓。第二晶體管在導(dǎo)通時 截止第 一晶體管，并且柵極驅(qū)動器輸出具有第 一電位的控制信號到第二晶體 管的控制端來截止第二晶體管。電流通路傳送第一電位的控制信號到第二晶 體管的控制端。此時，根據(jù)第一電位的控制信號導(dǎo)通第一晶體管。至少一個上述和其他特征和優(yōu)點可以通過提供下面的驅(qū)動包括電極的 等離子體顯示裝置的方法來實現(xiàn)。根據(jù)該方法，在復(fù)位周期的第一階段期間， 利用第一控制信號控制連接在電極和電源之間的第一晶體管提供第一電壓，將電極電壓逐漸下降到低于第一電壓的第二電壓；以及在復(fù)位周期的第二階 段期間，利用第二控制信號重復(fù)導(dǎo)通/截止連接在第一晶體管的控制端和電源 之間的第二晶體管，以使電極電壓從第二電壓逐漸下降到第三電壓。根據(jù)示范性實施例，因為利用單個電源可以提供具有不同電位的電壓， 所以可以減少等離子體顯示裝置的電源數(shù)量。此外，因為在復(fù)位周期中電壓 Vnf的電位和Y電極的電壓斜率可以改變，所以即使放電特性發(fā)生了變化， 該等離子體顯示裝置仍然可以執(zhí)行穩(wěn)定的操作。


對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，通過參考附圖詳細描述本發(fā)明的示范 性實施例，本發(fā)明的上述和其他特征和優(yōu)點將變得更加明顯，附圖中 圖1示出了根據(jù)本發(fā)明示范性實施例的等離子體顯示裝置； 圖2示出了根據(jù)本發(fā)明示范性實施例的等離子體顯示裝置的驅(qū)動波形； 圖3示出了根據(jù)本發(fā)明第一示范性實施例的掃描電極驅(qū)動電路；圖4示出了圖3所示的掃描電極驅(qū)動電路的時序圖； 圖5A和圖5B分別示出了掃描電極驅(qū)動電路產(chǎn)生的Vnf電壓和Vnf電 壓的斜率；和圖6示出了根據(jù)本發(fā)明第二示范性實施例的掃描電極驅(qū)動電路。
具體實施方式
通過引用的方式，將2007年10月4日在韓國專利局申請的、題為"Plasma Display, and Driving Method Thereof (等離子體顯示器及其驅(qū)動方法)"韓國 專利申請No. 10-2007-0099796的全部內(nèi)容并入此處?，F(xiàn)在將參考附圖更加全面地描述本發(fā)明的實施例；然而，其可以以不同 的形式具體實施并且不應(yīng)該被解釋為局限于下面所闡述的實施例。反而，提 供這些實施例以使得本說明書更加完整和全面，并且向本領(lǐng)域的普通技術(shù)人 員充分傳達本發(fā)明的范圍。如此處所使用的，詞語"至少一個"、"一個或多個"、以及"和/或"是 一種開放式的表達，它們在操作中既是結(jié)合性的也是分離性的。例如，表達"A、 B和C中的至少一個"、"A、 B或C中的至少一個'，、"A、 B和C中 的一個或多個"、"A、 B或C中的至少一個"、以及"A、 B、和/或C"中的 每一個均包括以下含義單獨的A;單獨的B;單獨的C; A和B二者一起； A和C二者一起；B和C二者一起；以及A、 B、和C三者全部一起。此外， 除非清楚將它們的組合指明為術(shù)語"由……組成"，否則上述表達是開放式 的。例如，表達"A、 B和C中的至少一個"還可以包括第n個元件，其中 n大于3，反之，表達"從由A、 B和C組成的組中選擇的至少一個"則不 包括其他元件。如此處所使用的，詞語"或"不是"排他性的或"，除非其與術(shù)語"任 一" 一起使用。例如，表達"A、 B或C"包括單獨的A;單獨的B;單 獨的C; A和B二者一起；A和C二者一起；B和C二者一起；以及A、 B 和C三者全部一起，反之表達"A、 B或C中的任一個"則僅指單獨的A; 單獨的B;和單獨的C，而不包括A和B二者一起；A和C 二者一起；B 和C二者一起；以及A、 B和C三者全部一起的情況。貫穿本說明書，如果某物被描述為"包括組成元件"，那么其還可以包 括其他元件，除非將其表述為不包括其他元件。貫穿本說明書以及后面的權(quán)利要求，當描述一個元件被"耦接"到其他元件時，該元件可以直接耦接到 其他元件或者通過第三元件"耦接"到其他元件。在本發(fā)明中，壁電荷是在靠近單元的壁上的每個電極所形成的電荷，所 述單元例如介電層。雖然壁電荷實際上不接觸電極，但是將壁電荷描述為"形 成，，或"積聚，，在電極上。而且，壁電壓是通過壁電荷在單元的壁上形成的放電?，F(xiàn)在將根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例詳細描述本發(fā)明的等離子體顯示裝 置及其驅(qū)動方法。圖1示出了一種根據(jù)本發(fā)明示范性實施例的等離子體顯示裝置。如圖1 所示，根據(jù)本發(fā)明示范性實施例的等離子體顯示可以包括等離子體顯示面板(PDP) 100、控制器200、尋址電極驅(qū)動器300、維持電極驅(qū)動器400、和 掃描電極驅(qū)動器500。PDP 100可以包括多個沿列方向延伸的尋址電極Al到Am、和多個沿行 方向延伸的、成對的維持電極X1到Xn和掃描電極Yl到Y(jié)n。通常，維持 電極X1到Xn分別形成以與掃描電極Yl到Y(jié)n相應(yīng)。維持電極和掃描電極 可以在維持周期中執(zhí)行顯示圖像的顯示操作。掃描電極Y1到Y(jié)n和維持電極Xl到Xn可以與尋址電極Al到Am交 叉。尋址電極A1到Am與維持電極Xl到Xn和掃描電極Yl到Y(jié)n的交叉 區(qū)域中的放電空間形成放電單元110。應(yīng)當注意的是，PDP的上述結(jié)構(gòu)僅是一個例子，并且可以將具有不同結(jié) 構(gòu)的、稍后將描述的驅(qū)動波形可以被應(yīng)用于其的面板應(yīng)用于本發(fā)明?？刂破?00可以接收外部視頻信號，并且可以輸出尋址電極驅(qū)動控制信 號、維持電極驅(qū)動控制信號、和掃描電極驅(qū)動控制信號。尋址電極驅(qū)動器300 可以根據(jù)來自于控制器200的驅(qū)動控制信號將驅(qū)動電壓施加到多個A電極 Al到Am。掃描電極驅(qū)動器500可以根據(jù)來自于控制器200的驅(qū)動控制信號 將驅(qū)動電壓施加到多個Y電極Yl到Y(jié)n。維持電極驅(qū)動器400可以才艮據(jù)來 自于控制器200的驅(qū)動控制信號將驅(qū)動電壓施加到多個X電極X1到Xn。接下來，將參考圖2詳細描述在每個子場中施加到A電極A1到Am、 X電極XI到Xn和Y電極Yl到Y(jié)n的驅(qū)動波形。圖2示出了根據(jù)本發(fā)明示范性實施例的等離子體顯示裝置的驅(qū)動波形。在圖2中，將參考由A電極、X電極和Y電極形成的單元描述驅(qū)動波形。如圖2所示，在復(fù)位周期的上升階段，尋址電極驅(qū)動器300和維持電極 驅(qū)動器400分別將A電極和X電極施加偏壓為參考電壓(圖2中的OV)，-VscL )并且接下來將Y電極的電壓從電壓(VscH - VscL)逐漸上升到電 壓Vset。在圖2中，Y電極的電壓表示為以斜坡形式上升。在Y電極的電壓上升的同時，在Y和X電極之間以及Y和A電極之間 發(fā)生弱放電，在Y電極上形成負(-)的壁電荷并且在X和A電極中形成 正(+ )的壁電荷。為了在所有單元中都引起》文電，電壓Vset可以高于X 電才及和Y電纟及之間的^t電點火電壓。隨后，在復(fù)位周期的下降階段，維持電極驅(qū)動器400將X電極施加偏壓Vnf,并且尋址電極驅(qū)動器300將尋址電極A保持在參考電壓。在圖2中， Y電極的電壓表示為以斜坡形式下降。在Y電極的電壓下降的同時，在Y和X電才及之間以及Y和A電才及之間 發(fā)生弱放電，擦除在Y電極上形成的負(-)的壁電荷以及在X和A電極 上形成的正(+ )的壁電荷。通常，為了防止非發(fā)光單元中的誤點火放電， 可以將電壓Ve和電壓Vnf設(shè)置為使Y電極和X電極之間的壁電壓接近于 0V。也就是說，電壓(Ve - Vnf)可以接近于Y電極和X電極之間的放電點 火電壓。在尋址周期中，為了選擇放電單元，維持電極驅(qū)動器400將X電極的電 壓維持在電壓Ve,并且掃描電極驅(qū)動器500和尋址電極驅(qū)動器300將具有 電壓VscL的掃描脈沖和具有電壓Va的尋址脈沖分別施加到Y(jié)電極和A電 極。而且，掃描電極驅(qū)動器500將高于電壓VscL的電壓VscH施加到未選 擇的Y電極并且尋址電極驅(qū)動器300將參考電壓施加到非發(fā)光單元的A電 極。電壓VscL可以等于或低于電壓Vnf。具體說來，在尋址周期中，掃描電極驅(qū)動器500和尋址電極驅(qū)動器300 施加掃描脈沖到第一行的Y電極(圖1中的Yl),與此同時，施加尋址脈沖 到第一行中的發(fā)光單元處的A電極。接下來，在第一行的Y電極(圖1中的Yl )和已經(jīng)施加了尋址脈沖的 A電極之間發(fā)生尋址放電，在Y電極(圖1中的Yl )中形成正(+ )的壁電荷并且在A和X電極中形成負(-)壁電荷。隨后，在掃描電極驅(qū)動器500 施加掃描脈沖到第二行的Y電極(圖1中的Y2)的同時，尋址電極驅(qū)動器 300施加尋址脈沖到第二行的發(fā)光單元處的A電極。然后，在由已經(jīng)施加了 尋址脈沖的A電極與第二行的Y電極(圖1中的Y2)形成的單元處發(fā)生尋 址放電，在該單元中形成壁電荷。同樣地，在掃描電極驅(qū)動器500順序施加 掃描脈沖到剩余行的Y電極的同時，尋址電極驅(qū)動器300施加尋址脈沖到位 于發(fā)光單元處的A電極，以便形成壁電荷。通常，當在復(fù)位周期中施加電壓Vnf時，由A和Y電極之間的放電點 火電壓確定A和Y電才及之間的壁電壓以及A和Y電才及之間的外部電壓。當 將OV電壓施加到A電極并且將電壓VscL ( = Vnf ).施加到Y(jié)電極時，在A 和Y電極之間形成A和Y電極之間的放電點火電壓并且可以發(fā)生放電，但 是在這種情況下，因為放電延遲時間比掃描脈沖和尋址脈沖的寬度長，所以 不會發(fā)生放電。與此同時，當電壓Va施加到A電才及并且電壓VscL ( = Vnf)施加到Y(jié) 電極上時，可能在A和Y電極之間形成高于A和Y電極之間的放電點火電 壓的電壓，放電延遲時間縮短為小于掃描脈沖的寬度，從而可以發(fā)生放電。 此時，如果將電壓VscL設(shè)置為低于電壓Vnf, Y電極和A電極之間的電壓 差(VscL-Va)將增大，從而使不希望的尋址放電發(fā)生?？商鎿Q地或另外地， 電壓Va可以下降到電壓差VscL - Vnf那么多。因而，通常地，在尋址周期期間，電壓VscL可以等于或低于電壓Vnf， 并且電壓Va可以高于參考電壓。在維持周期中，掃描電極驅(qū)動器500將交替地具有高電位電壓(圖2中 的Vs)和低電位電壓(圖2中的OV)的維持脈沖施加到Y(jié)電極，施加次數(shù) 對應(yīng)于相應(yīng)子場的加權(quán)值。此外，維持電極驅(qū)動器400將維持脈沖施加到X電極，該維持脈沖的相 位與施加到Y(jié)電極的維持脈沖的相位相反。也就是說，當將Vs電壓施加到 Y電極時將OV電壓施加到X電極，并且當將OV電壓施加到Y(jié)電極時則將 Vs電壓施加到X電極。在這種情況下，Y電極和X電極之間的電壓差交替 地為Vs電壓或-Vs電壓。因此，維持放電以預(yù)定次數(shù)重復(fù)發(fā)生在發(fā)光單元 處?？商鎿Q地，在維持周期期間，可以將交替地具有電壓Vs和-Vs的維持放電脈沖作為Y電極和X電極的電壓差施加到Y(jié)電極或X電極。例如，當 將X電極施加偏壓為地電壓時，可以將具有電壓Vs和電壓-Vs的維持放電 脈沖施加到Y(jié)電極。而且，圖2示出了通過在復(fù)位周期期間擦除單元中的壁電荷將單元初始 化為非發(fā)光單元之后，通過在尋址周期期間的尋址放電將上述單元設(shè)置為發(fā) 光單元。可替換地，在通過在復(fù)位周期中寫入壁電荷將單元設(shè)置為發(fā)光單元 之后或者在先前子場的維持周期之后，可以通過在尋址周期期間的尋址放電 將上述單元設(shè)置為非發(fā)光單元?，F(xiàn)在將參考圖3詳細描述利用單個電源施加不同電位的電壓(例如Vnf 和VscL)的驅(qū)動電路。圖3示出了根據(jù)示范性實施例的掃描電極驅(qū)動電路 510。圖3中示出的掃描電極驅(qū)動電路510可以連接到多個Y電極Y1到Y(jié)n, 并且可以形成在圖1中的掃描電極驅(qū)動器500中。維持電極驅(qū)動電路410可 以連接到多個X電極X1到Xn，并且可以形成在圖1的維持電極驅(qū)動器400 中。為了更容易理解和描述方便，圖3僅示出了一個Y電極。將由單個Y 電極和單個X電極形成的電容元件表示為平板電容器Cp。如圖3所示，掃描電極驅(qū)動電路510可以包括上升復(fù)位驅(qū)動器511、維 持驅(qū)動器512、下降復(fù)位/掃描驅(qū)動器513、掃描電路514、電容Csc和二極 管Dsc。掃描電路514可以包括高壓側(cè)(high side )輸入端IN1和低壓側(cè)(low side ) 輸入端IN2、以及與Y電極連接的輸出端OUT。掃描電路514可以選擇性 地將高壓側(cè)輸入端INI的電壓和低壓側(cè)輸入端IN2的電壓施加到相應(yīng)的Y 電極。雖然圖3示出了與Y電極連接的單個掃描電路514，但是掃描電路514 實際上可以與多個Y電極(圖1中的Yl到Y(jié)n)連接?？商鎿Q地， 一定數(shù) 量的掃描電路514可以形成為一個掃描集成電路，并且掃描集成電路的多個 輸出端可以與一定數(shù)量的Y電極(即，Yl-Yk,其中K是小于n的整數(shù))連 接。掃描電路514可以包括晶體管Sch和Scl。晶體管Sch的源極和晶體管 Scl的漏極可以與Y電極連接。晶體管Sch的漏極可以與掃描電路514的高 壓側(cè)輸入端INI連接。晶體管Scl的源極可以與掃描電路514的低壓側(cè)輸入端IN2連接。提供電壓VscH的電源VscH可以與掃描電路514的高壓側(cè)輸入端IN1 連接。二極管Dsc的陽極可以與電源VscH連接并且二極管Dsc的陰極可以 與掃描電路514的高壓側(cè)輸入端IN1連接。電容Csc可以并行連接在掃描電路514的高壓側(cè)輸入端IN1和掃描電路 514的低壓側(cè)輸入端IN2之間。電容Csc可以被充以電壓VscH - VscL。下降復(fù)位/掃描驅(qū)動器513可以連接到節(jié)點N。節(jié)點N可以與掃描電路 514的低壓側(cè)輸入端IN2連接。下降復(fù)位/掃描驅(qū)動器513可以包括晶體管 Ml、 二極管D2、以及驅(qū)動器513a和513b。驅(qū)動器513a可以包括電容Cl 、 電阻器R1、和柵極驅(qū)動器GD1。驅(qū)動器513b可以包括晶體管Ql、電阻器 R2、 R3和R4、以及4冊極驅(qū)動器GD2。晶體管Ml示為n-溝道場效應(yīng)晶體管， 尤其是n-溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS )晶體管，并且晶體管Ql示為pnp 晶體管。然而，也可以將執(zhí)行相似功能的其他晶體管用作晶體管M1和Q1。晶體管Ml可以具有與節(jié)點N連接的漏極和與提供電壓VscL的電源連 接的源極。電容C1可以具有與晶體管Ml的漏極連接的第一端和與晶體管 Ml的柵極也就是控制端連接的第二端。電阻器R1可以具有連接到電容C1 的第二端的第一端和與柵極驅(qū)動器GDI連接的第二端。驅(qū)動器513a驅(qū)動晶 體管M1，以便以斜坡形式降低Y電極的電壓。兩個電阻器R2和R3可以串行連接在晶體管Ml的漏極和電源VscL之 間。兩個電阻器R2和R3的接觸點可以連接到基極，即，晶體管Q1的控制 端。兩個電阻器R2和R3可以作為分壓器513b-l工作，以在節(jié)點N的電壓 和電壓VscL之間分出電壓差。晶體管Q1的集電極可以連接到電源VscL。 晶體管Ql的發(fā)射極可以與晶體管Ml的柵極連接。二極管Dl的陰極可以 與晶體管Ql的基極連接。二極管Dl的陽極可以連接到柵極驅(qū)動器GD2的 輸出端。電阻器R1可以連接在柵極驅(qū)動器GD1和二極管D2的陰極之間。 電阻器R4可以連4妄在柵極驅(qū)動器GD2的輸出端和二極管D2的陽極之間。 當Y電極的電壓到達某一電位(如，Vnf)時，驅(qū)動器513b可以導(dǎo)通晶體管 Ql，以便切斷晶體管Ml和電源VscL之間的通路。電阻器Rl可以具有高阻抗，如1KQ,并且可以以斜坡形式降低柵極驅(qū) 動器GD1中的Y電極的電壓。電阻器R4可以具有低于電阻器R1的阻抗，如10Q，并且可以立即導(dǎo)通/截止晶體管Ql。二極管D2的陽極可以與柵極驅(qū)動器GD2的輸出端連接。二極管D2的 陰極可以與晶體管Ml的柵極連接。因此，晶體管M1可以通過控制信號控 制來導(dǎo)通/截止晶體管Ql。維持驅(qū)動器512可以與節(jié)點N連接并且可以在維持周期期間通過掃描電 路514的低壓側(cè)輸入端IN2將維持脈沖施加到Y(jié)電極。上升復(fù)位驅(qū)動器511 可以與節(jié)點N連接并且可以在復(fù)位周期的上升階段通過掃描電路514的低壓 側(cè)輸入端IN2升高Y電極的電壓。下面將參考圖4、圖5A和圖5B詳細描述下降復(fù)位/掃描驅(qū)動器513的 操作。圖4示出了圖3中所示的掃描電極驅(qū)動電路的時序圖。圖5A和圖5B 分別示出了掃描電極驅(qū)動電路510產(chǎn)生的Vnf電壓和Vnf電壓的斜率。因為在復(fù)位周期期間通過掃描電路514的低壓側(cè)輸入端IN2將電壓施加 到Y(jié)電極，所以Y電極的電壓等于節(jié)點N的電壓。^f艮定在復(fù)位周期的下降 階段下降斜坡電壓被施加到Y(jié)電極之前，參考電壓(如OV )被施加到Y(jié)電 極。如圖4所示，在復(fù)位周期的下降階段，柵極驅(qū)動器GDI輸出高電位信 號H到晶體管Ml的柵極，并且柵極驅(qū)動器GD2輸出低電位信號L到晶體 管Q1的基極。然后，晶體管M1導(dǎo)通，并且，因為由兩個電阻器R2和R3 分壓的電壓高于低電位信號L的電壓，所以晶體管Q1截止。因而，Y電極 的電壓逐漸下降。具體說來，當柵極驅(qū)動器GDI輸出高電位信號H時，晶體管Ml的柵 極電壓可以通過由電容C1和晶體管Ml的寄生電容形成的電容元件、和由 電阻器Rl形成的通^Ui升。然后，晶體管Ml導(dǎo)通同時柵電壓上升，從而 Y電極的電壓通過面板電容Cp、晶體管M1、和電源VscL的通路下降。隨 著Y電極電壓的下降，晶體管M1的柵極電壓由于電容C1而下降。因而， 晶體管Ml截止。再次，晶體管Ml的柵極電壓可以通過從柵極驅(qū)動器GDI輸出的高電 位信號H逐漸上升，從而晶體管M1導(dǎo)通，并且Y電才及的電壓下降。以這 種方式，隨著重復(fù)導(dǎo)通和截止晶體管M1， Y電極的電壓逐漸下降。隨后，當Y電極的電壓下降到某個電壓Vx時，由電阻器R2和R3將電 壓Vx分壓，并且晶體管Ql的基極-集電極電壓Vbc可以表示由等式1所示:此外，當基極-集電極電壓Vbc變得小于如等式2所表示的閾值電壓 Vth時，晶體管Q1導(dǎo)通。版=(化L)4糊 (2 )當晶體管Q1導(dǎo)通時，因為晶體管M1的柵-源極電壓變?yōu)?V,所以晶 體管Ml截止。也就是說，當晶體管Ql的基極-集電極電壓Vbc基本上等 于閾值電壓IVthl時，將發(fā)生的電壓Vx確定為電壓Vnf,并且Y電極保持在 電壓Vnf保持預(yù)定時間段。在尋址周期中，柵極驅(qū)動器GD2輸出高電位信號H到晶體管Ql的基 極。然后，晶體管Q1截止，并且通過重復(fù)導(dǎo)通和截止晶體管M1使Y電極 的電壓逐漸下降到電壓VscL。此時，當掃描電路514的晶體管Scl導(dǎo)通時， 電壓VscL可以4皮施力口到Y(jié)電極。通常，當電壓Vnf和電壓VscL之間的差增大時，將發(fā)生更加穩(wěn)定的尋 址放電。然而，因為等離子體顯示裝置的放電特性可能根據(jù)溫度或其他環(huán)境 因素變化，所以電壓Vnf和電壓VscL之間的差也應(yīng)該因此而變化以保證穩(wěn) 定的尋址放電。在沒有二極管D2的條件下，電壓Vnf是由電阻器R2和R3的阻抗值確 定的單個電壓電位。然后，當?shù)入x子體顯示裝置的放電特性變化時，Y電極 和A電極之間的放電特性可能是不穩(wěn)定的。然而，當包括二極管D2時，如 圖3所示，因為可以根據(jù)從柵極驅(qū)動器GD2輸出的控制信號來控制晶體管 Ml和Ql的導(dǎo)通/截止狀態(tài)，所以電壓Vnf會根據(jù)等離子體顯示裝置的放電 特性而改變，如屈5A所示。也就是說，柵極驅(qū)動器GD2可以在復(fù)位周期的部分下降階段交替輸出 高電位信號H和低電位信號L，在部分下降階段中Y電極的電壓低于電壓 Vnf。然后，高電位信號H和低電位信號L可以通過由電阻器R4、 二極管 D2、以及晶體管Ml的柵極形成的電流通路傳送到晶體管Ml的柵極。從而， 晶體管Ml可以被重復(fù)導(dǎo)通和截止，并且Y電極的電壓可以下降到低于電壓 Vnf的電壓Vnf 。此外，在復(fù)位周期的下降階段期間Y電極的電壓下降的時間段中，通過使用從柵極驅(qū)動器GD2輸出的控制信號來控制晶體管Ml和Ql的導(dǎo)通/截 止狀態(tài)時，Y電極的電壓斜率也可以受到控制。也就是說，因為電阻器Rl 的阻抗大于電阻器R4的阻抗，所以/人4冊極驅(qū)動器GD2輸出的控制信號而非 從柵極驅(qū)動器GD1輸出的控制信號，可以立即導(dǎo)通/截止晶體管Ml。從而， 在Y電極電壓下降的時間段中，Y電極的電壓斜率可以根據(jù)從柵極驅(qū)動器 GD2輸出的、用以導(dǎo)通晶體管M1的控制信號的數(shù)量而不同。也就是說，電 壓斜率可以根據(jù)圖5B所示的控制信號輸出量的增加而沿Dl—D2—D3的方 向快速改變。放電受到電壓斜率的影響，并且當電壓斜率根據(jù)放電特性控制 放電時，可以發(fā)生穩(wěn)定的放電?？刂芛電極的電壓斜率的驅(qū)動電路在圖6中示出。圖6示出了根據(jù)本發(fā) 明第二示范性實施例的掃描電極驅(qū)動電路510。如圖6所示，根據(jù)本發(fā)明第二示范性實施例的掃描電極驅(qū)動電路510' 除了驅(qū)動器513，以外的其他部分可以與根據(jù)本發(fā)明第一實施例的掃描電極 驅(qū)動電路510相同。除了驅(qū)動器513中的元件，驅(qū)動器513'還包括可變電 阻器R5?？勺冸娮杵鱎5可以串聯(lián)連接在晶體管Ml的柵極和柵極驅(qū)動器 GD2之間。當可變電阻器R5的阻抗受到控制時，Y電極的電壓斜率可以在 復(fù)位周期的下降階段受到控制。也就是說，當可變電阻器R5的阻抗增大時， 電壓斜率較緩，并且當可變電阻器R5的阻抗減小時，電壓斜率較陡。此處已經(jīng)公開了本發(fā)明的示范性實施例，并且，雖然采用了特定術(shù)語， 但是僅以一般性和描述性意義來使用和解釋上述術(shù)語而非為了限制的目的。 因此，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當理解，在不脫離如后附權(quán)利要求所闡述的 本發(fā)明的精神和范圍的條件下，可以進行形式和細節(jié)上的各種變化。
權(quán)利要求
1、一種等離子體顯示器，包括電極；第一晶體管，連接在所述電極和電源之間，該第一晶體管被配置為提供第一電壓，第一晶體管的第一端的電壓對應(yīng)于所述電極的電壓并且第一晶體管的第二端的電壓對應(yīng)于第一電壓；第一柵極驅(qū)動器，被配置為提供第一控制信號到第一晶體管的控制端；第二晶體管，連接在第一晶體管的控制端和電源之間；第二柵極驅(qū)動器，被配置為提供第二控制信號到第二晶體管的控制端；和第一二極管，連接在第二柵極驅(qū)動器的輸出端和第一晶體管的控制端之間。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，還包括第一電阻器，連接在第一柵極驅(qū)動器的輸出端和第一二級管的陰極之 間；和第二電阻器，連接在第二柵極驅(qū)動器的輸出端和第一二極管的陽極之間，其中第一電阻器的阻抗大于第二電阻器的阻抗。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體顯示器，還包括第三電阻器，連接在第二柵極驅(qū)動器的輸出端和第一晶體管的控制端之 間、并串聯(lián)連接到第一二極管。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體顯示器，其中，第三電阻器是可變 電阻器。
5、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體顯示器，還包括第二二極管，連接在第二柵極驅(qū)動器的輸出端和第二晶體管的控制端之間。
6、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體顯示器，還包括 第三電阻器和第四電阻器，串聯(lián)連接在第一晶體管的第一端和電源之間、具有連接到第二晶體管的控制端的接觸點。
7、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體顯示器，其中，第一晶體管的溝道類型與第二晶體管的溝道類型相反。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其中，在復(fù)位周期的第一 階段期間，第一槺極驅(qū)動器被配置為將第一控制信號設(shè)置為高電位，以使電 極電壓逐漸下降到高于第一電壓的第二電壓，并且在尋址周期期間，第二柵 極驅(qū)動器被配置為將第一控制信號和第二控制信號設(shè)置為高電位，以使第二 晶體管截止。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體顯示器，其中，在復(fù)位周期的第二 階段期間，第二柵極驅(qū)動器^L配置為將第二控制信號i殳置為交替具有高電位 和低電位，以使電極電壓下降到低于第二電壓的第三電壓。
10、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體顯示器，其中，第二柵極驅(qū)動器被 配置為在部分第一階段期間輸出高電位的第二控制信號。
11、 一種等離子體顯示器，包括 電極；第一晶體管，連接在電極和電源之間，并被配置為提供第一電壓，第一 端的電壓對應(yīng)于所述電極的電壓并且第二端上的電壓對應(yīng)于第一電壓；第一驅(qū)動器，被配置為通過控制第一晶體管的驅(qū)動來改變所述電極的電壓；第二晶體管，被配置為當其被導(dǎo)通時截止第一晶體管； 柵極驅(qū)動器，被配置為輸出第 一電位的控制信號到第二晶體管的控制端 來截止第二晶體管；和電流通路，用于傳送第一電位的控制信號到第二晶體管的控制端， 其中，才艮據(jù)第一電位的控制信號來導(dǎo)通第一晶體管。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子體顯示器，其中，所述電流通路包 括連接在所述柵極驅(qū)動器和第 一晶體管的控制端之間的二極管。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的等離子體顯示器，還包括與所述二極管串 聯(lián)連接的可變電阻器。
14、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子體顯示器，還包括分壓器，被配置為對第一晶體管的第一端的電壓和第一電壓進行分壓、 并將分壓后的電壓傳送到第二晶體管的控制端，其中，當控制信號為第二電位并且分壓后的電壓低于比第一電壓高的第 二電壓時，第二晶體管導(dǎo)通。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體顯示器，其中 所述柵極驅(qū)動器被配置為在復(fù)位周期的第 一階段期間，輸出第 一 電位的控制信號到第二晶體管的控制端，以使所述電極的電壓逐漸下降到第二電 壓，以及所述柵極驅(qū)動器被配置為在復(fù)位周期的第二階段期間，交替地輸出第二 電位的控制信號以導(dǎo)通第二晶體管以及第一電位的控制信號以使電極電壓 下降到低于第二電壓的第三電壓。
16、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體顯示器，其中所述柵極驅(qū)動器被配置為在復(fù)位周期的第 一 階段期間，輸出第 一 電位的 控制信號到第二晶體管的控制端，以使所述電極的電壓逐漸下降到第二電 壓，以及所述柵極驅(qū)動器被配置為在復(fù)位周期的第二階段期間，輸出第二電位的 控制信號以導(dǎo)通第二晶體管。
17、 一種驅(qū)動包括電極的等離子體顯示裝置的方法，該方法包括 在復(fù)位周期的第一階段期間，控制連接在所述電極和電源之間的第一晶體管根據(jù)第一控制信號提供第一電壓，以將所述電極的電壓逐漸下降到高于 第一電壓的第二電壓；以及在復(fù)位周期的第二階段期間，根據(jù)第二控制信號重復(fù)導(dǎo)通/截止連接在第 一晶體管的控制端和所述電源之間的第二晶體管，以使電極電壓從第二電壓 逐漸下降到第三電壓。
18、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述第二控制信號具有高電 《立和j氐電^立，該方法還包4舌在第一階段期間將第二控制信號設(shè)置為高電位，以截止第二晶體管；以及將第二控制信號交替地設(shè)置為高電位和低電位，以導(dǎo)通/截止第二晶體管。
19、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，該方法還包括 將第一控制信號和第二控制信號設(shè)置為高電位以截止第二晶體管，并且在尋址周期期間導(dǎo)通第二晶體管，以將第一電壓施加到所述電極。
20、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，還包括在復(fù)位周期的下降階段期 間改變所述電極的電壓的斜率。
全文摘要
提供了一種等離子體顯示器及其驅(qū)動方法。在等離子體顯示器中，第一晶體管連接在電極和電源之間，用于提供第一電壓，并且第二晶體管連接到第一晶體管的控制端。第一柵極驅(qū)動器提供第一控制信號到第一晶體管的控制端，并連接到第一晶體管的控制端。第二柵極驅(qū)動器提供第二控制信號到第二晶體管的控制端，并連接到第二晶體管的控制端。此外，二極管連接在第二柵極驅(qū)動器的輸出端和第一晶體管的控制端之間。
文檔編號G09G3/288GK101404137SQ20081017855
公開日2009年4月8日 申請日期2008年10月6日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月4日
發(fā)明者李相九 申請人:三星Sdi株式會社