專利名稱：一種顯示控制電路的制作方法
技術領域：
一種顯示控制電路
本實用新型涉及一種顯示控制電路，具體地說，是涉及一種用于控制近晶態(tài)液 晶顯示屏顯示的電路。
肖縣*
近晶態(tài)液晶在零下20度到60度之間為粘稠的漿糊狀，若使其排列狀態(tài)發(fā)生改 變，需要使用正負雙極性高壓信號進行驅(qū)動。目前，STN屏幕和TFT液晶的TN屏 幕使用的是雙極性交流電壓信號驅(qū)動，但該電壓幅值非常低，在3V到5V之間，無 法滿足近晶態(tài)液晶的驅(qū)動需要。而等離子芯片驅(qū)動電壓比較高，峰值一般大于60V 以上，但該信號都是單極性脈沖方式，不是驅(qū)動近晶態(tài)液晶所需要的雙極性脈沖信 號。由此可見，由于近晶態(tài)液晶材料制作的顯示屏的特殊性，其顯示驅(qū)動需要一種 雙極性髙壓脈沖信號。因此，設計出一種產(chǎn)生雙極性高壓脈沖信號的電路是急需解 決的問題。
本實用新型的目的在于提供一種顯示控制電路，該電路可產(chǎn)生雙極性高壓脈沖 信號，以驅(qū)動近晶態(tài)液晶顯示屏的顯示。
為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用了以下技術方案
一種顯示控制電路，該顯示控制電路用于控制近晶態(tài)液晶顯示屏的顯示，該近 晶態(tài)液晶顯示屏包括第一基體層和第二基體層，在第一基體層與第二基體層之間設 有一由近晶態(tài)液晶和添加物混合而成的混合層，該近晶態(tài)液晶為A類近晶態(tài)液晶有 機化合物，該添加物為帶導電特性的化合物，在第一基體層朝向混合層的一側設有 第一導電電極層，在第二基體層朝向混合層的一側設有第二導電電極層，第一導電 電極層由M個平行排列的條狀電極組成，第二導電電極層由N個平行排列的條狀電 極組成，第一導電電極層的M個條狀電極與第二導電電極層的N個條狀電極相垂直， 該第一與第二導電電極層形成一 MXN的像素點陣列，其特征在于該顯示控制電 路包括控制模塊、M個R波生成模塊和N個D波生成模塊，控制模塊與所有R波生 成模塊和D波生成模塊連接，R波生成模塊和D波生成模塊與近晶態(tài)液晶顯示屏連 接，其中
R波生成模塊包括第一正電平變換單元、第一負電平變換單元、第一正向信號 生成單元、第一負向信號生成單元和第一信號合成單元，該第一正向信號生成單元 經(jīng)第一正電平變換單元與控制模塊連接，該第一負向信號生成單元經(jīng)第一負電平變 換單元與控制模塊連接，該第一正向信號生成單元和第一負向信號生成單元與第一信號合成單元連接，該第一信號合成單元與所述第一導電電極層的一個條狀電極連
接；
D波生成模塊包括第二正電平變換單元、第二負電平變換單元、第二正向信號 生成單元、第二負向信號生成單元、正幅值控制單元、負幅值控制單元和第二信號 合成單元，該第二正向信號生成單元經(jīng)第二正電平變換單元與控制模塊連接，該第 二負向信號生成單元經(jīng)第二負電平變換單元與控制模塊連接，正、負幅值控制單元 分別與第二正向信號生成單元、第二負向信號生成單元連接，該第二正向信號生成 單元和第二負向信號生成單元與第二信號合成單元連接，該第二信號合成單元與所 述第二導電電極層的一個條狀電極連接。
當顯示時，顯示控制電路按照設定的顯示方案，以逐行驅(qū)動的方式進行R波和 D波輸出，R波和D波施加在兩導電電極層的條狀電極上，使兩導電電極層間形成 一定大小、頻率的電壓信號，改變混合層中近晶態(tài)液晶的排列形態(tài)，使像素點呈現(xiàn) 出全透明或霧狀狀態(tài)，從而使顯示屏顯示出所需的文字或圖案。
本實用新型的優(yōu)點是由于近晶態(tài)液晶需要高壓雙極性電壓驅(qū)動，故本實用新 型顯示控制電路將正、負向低壓脈沖進行升壓，并將正負單極性脈沖合成為雙極性 高壓脈沖，以利用該雙極性高壓脈沖來驅(qū)動近晶態(tài)液晶的排列狀態(tài)發(fā)生改變，從而 使顯示屏顯示各種圖案。另外，本實用新型顯示控制電路中控制輸出的R波和D波 都是雙極性歸零的，使用這樣的波形驅(qū)動近晶態(tài)液晶，可以有效地延長液晶的壽命， 避免表面的電化學反應。


圖1是近晶態(tài)液晶顯示屏的組成示意圖
圖2是排列成橫豎點陣列狀的第一和第二導電電極層示意圖
圖3是本實用新型顯示控制電路組成框圖
圖4是R波生成模塊的電路原理圖5是D波生成模塊的電路原理圖6是R波和D波的波形疊加示意圖7是低頻電壓作用于第一、第二導電電極層時的近晶態(tài)液晶排列形態(tài)示意圖； 圖8是高頻電壓作用于第一、第二導電電極層時的近晶態(tài)液晶排列形態(tài)示意圖 圖9是說明近晶態(tài)液晶顯示屏的驅(qū)動方式的一實例圖。
以下結合附圖對本實用新型作進一步的詳細描述。
如圖1至圖2所示，本實用新型顯示控制電路是用于控制近晶態(tài)液晶顯示屏顯 示的。該近晶態(tài)液晶顯示屏1包括第一基體層11和第二基體層12,第一基體層11 和第二基體層12的材料可選為玻璃或塑料。在第一基體層11與第二基體層12之間 設有一由近晶態(tài)液晶和添加物混合而成的混合層13,即由圖7中所示的近晶態(tài)液晶分子131與添加物分子132混合。該近晶態(tài)液晶為A類近晶態(tài)液晶(Smectic-A)有機 化合物，如帶硅基的化合物、四氣基四辛基聯(lián)苯、四乙酸癸酯四慨基聯(lián)苯等。添加 物為帶導電特性的化合物，如十六垸基三乙基溴化銨等含有導電離子的化合物。在 第一基體層11朝向混合層13的一側鍍有第一導電電極層14，在第二基體層12朝向 混合層13的一側鍍有第二導電電極層15,如圖2所示，第一導電電極層14由M個 平行排列的條狀電極141組成，第二導電電極層15由N個平行排列的條狀電極151 組成，第一導電電極層14的M個條狀電極141與第二導電電極層15的N個條狀電 極151相垂直，該第一導電電極層14與第二導電電極層15形成一MXN的像素點 陣列結構， 一個條狀電極141與一個條狀電極151形成一像素點，例如圖2所示的 像素點3。該兩個導電電極層14和15與中間的混合層13形成了一個面積很大的電 容結構。第一導電電極層14和第二導電電極層15是透明的，其可以是ITO(氧化銦 錫)等，且可根據(jù)需要使用輔助的金屬電極，如鋁、銅、銀等。
如圖3所示，本實用新型顯示控制電路2包括控制模塊21、 M個R波生成模塊 22和N個D波生成模塊23，控制模塊21與所有R波生成模塊22和D波生成模塊 23連接，R波生成模塊22和D波生成模塊23與近晶態(tài)液晶顯示屏1連接。
R波生成模塊22包括第一正電平變換單元221、第一負電平變換單元222、第 一正向信號生成單元223、第一負向信號生成單元224和第一信號合成單元225。該 第一正向信號生成單元223經(jīng)第一正電平變換單元221與控制模塊21連接，該第一 負向信號生成單元224經(jīng)第一負電平變換單元222與控制模塊21連接，該第一正向 信號生成單元223和第一負向信號生成單元224與第一信號合成單元225連接，該 第一信號合成單元225與第一導電電極層14的一個條狀電極141連接。
D波生成模塊23包括第二正電平變換單元231、第二負電平變換單元232、第 二正向信號生成單元233、第二負向信號生成單元234、正幅值控制單元235、負幅 值控制單元236和第二信號合成單元237。該第二正向信號生成單元233經(jīng)第二正電 平變換單元231與控制模塊21連接，該第二負向信號生成單元234經(jīng)第二負電平變 換單元232與控制模塊21連接，正幅值控制單元235與第二正向信號生成單元233 連接，負幅值控制單元236與第二負向信號生成單元234連接，該第二正向信號生 成單元233和第二負向信號生成單元234與第二信號合成單元237連接，該第二信 號合成單元237與第二導電電極層15的一個條狀電極151連接。
圖4和圖5分別為R波生成模塊、D波生成模塊的具體電路圖。如圖4和圖5 所示，所有CMOS反相器均由增強型PMOS管和增強型NMOS管互補構成，PMOS 管與NMOS管的柵極相連作為CMOS反相器的輸入端，PMOS管與NMOS管的漏 極相連作為CMOS反相器的輸出端。
如圖4所示，第一正電平變換單元221包括一CMOS反相器CMOSl， PMOS管 VT1與NMOS管VT2的柵極相連作為反相器CM0S1的輸入端InR+, PMOS管VT1與NMOS管VT2的漏極相連作為反相器CM0S1的輸出端OutR+ (下述反相器的構 成類似于反相器CMOS1,不再贅述)。該反相器CM0S1的輸入端InR+經(jīng)一電容 Cl與控制模塊21上與其相對應的信號輸出端Outl相連,第一正向信號生成單元223 包括一高壓NMOS晶體管VT5,該高壓NMOS晶體管VT5的柵極與第一正電平變 換單元221的反相器CM0S1的輸出端OutR+相連，該高壓NMOS晶體管VT5的漏 極經(jīng)一電容C3與第一信號合成單元225的一輸入端drvR+相連。類似地，第一負電 平變換單元222包括一CMOS反相器CMOS2,該反相器CMOS2的輸入端InR-經(jīng)一 電容C2與控制模塊21上與其相對應的信號輸出端Out2相連，第一負向信號生成單 元224包括一髙壓PMOS晶體管VT6,該高壓PMOS晶體管VT6的柵極與第一負電 平變換單元222的反相器CMOS2的輸出端OutR-相連，該髙壓PMOS晶體管VT6 的漏極經(jīng)一電容C4與第一信號合成單元225的另一輸入端drvR-相連，第一信號合 成單元225的輸出端Out_R與第一導電電極層14的一個條狀電極141相連，
如圖5所示，第二正電平變換單元231包括一CMOS反相器CMOS3,該反相器 CMOS3的輸入端InD+經(jīng)一電容C5與控制模塊21上與其相對應的信號輸出端Out3 相連，第二正向信號生成單元233包括一髙壓NMOS晶體管VT11,該髙壓NMOS 晶體管VT11的柵極與第二正電平變換單元231的反相器CMOS3的輸出端OutD+相 連，該高壓NMOS晶體管VTll的漏極分成兩路， 一路經(jīng)一電阻R4與正幅值控制單 元235的輸入端相連，另一路經(jīng)一電容07與第二信號合成單元237的一輸入端(11^0+ 相連。類似地，第二負電平變換單元232包括一CMOS反相器CMOS4，該反相器 CMOS4的輸入端InD-經(jīng)一電容C6與控制模塊21上與其相對應的信號輸出端Out4 相連，第二負向信號生成單元234包括一高壓PMOS晶體管VT12,該髙壓PMOS 晶體管VT12的柵極與第二負電平變換單元232的反相器CMOS4的輸出端OutD-相 連，該高壓PMOS晶體管VT12的漏極分成兩路，一路經(jīng)一電阻R5與負幅值控制單 元236的輸入端相連，另一路經(jīng)一電容C8與第二信號合成單元237的另一輸入端 drvD-相連，第二信號合成單元237的輸出端Out一D與第二導電電極層15的一個條 狀電極151相連。
在圖4和圖5中，控制模塊21可為單片機或FPGA，正、負幅值控制單元235 和236可為變壓器，第一、第二信號合成單元225和237可由多個二極管構成，正 負脈沖分別通過一個二極管后，兩者合成為一個雙向脈沖。控制模塊21用于控制各 R波生成模塊22的R波輸出和各D波生成模塊23的D波輸出。一個R波生成模塊 22與控制模塊21的兩個信號輸出端相連，輸出一個R波，該R波作用在一個條狀 電極141上.相似地，一個D波生成模塊23與控制模塊21的兩個信號輸出端相連， 輸出一個D波，該D波作用在一個條狀電極151上?？刂颇K21共需要2M+2N個 信號輸出端來完成對R波和D波的輸出控制，兩個信號輸出端共同控制一個波形(R 波或D波)的輸出。下面描述一下本實用新型顯示控制電路的工作原理。
根據(jù)驅(qū)動要求，一般，+VH為12V，-VH為-12V，而+Vpp為IOOV，-Vpp為-100V。 當需要輸出R波時，控制模塊21的信號輸出端Outl和Out2輸出幅值為5V的正脈 沖，該幅值為5V的正脈沖通過反相器CM0S1進行電平變換，由反相器CMOSl的 輸出端OutR+輸出幅值為12V的正脈沖，然后該幅值為12V的正脈沖再經(jīng)過高壓 NMOS晶體管VT5,由晶體管VT5的漏極輸出幅值為100V的高壓正脈沖。類似地, 該幅值為5V的正脈沖通過反相器CMOS2進行電平變換，由反相器CMOS2的輸出 端OutR-輸出幅值為-12V的負脈沖，然后該幅值為-12V的負脈沖再經(jīng)過高壓PMOS 晶體管VT6，由晶體管VT6的漏極輸出幅值為-100V的高壓負脈沖。然后，幅值為 士100V的高壓正負脈沖分別通過輸入端drvR+和drvR-進入第一信號合成單元225 進行脈沖合成，由第一信號合成單元225的輸出端Out一R輸出幅值為士100V的雙向 脈沖，該雙向脈沖即為R波。
當需要輸出D波時，控制模塊21的信號輸出端Out3和Out4輸出幅值為5V的 正脈沖，該幅值為5V的正脈沖通過反相器CMOS3進行電平變換，由反相器CMOS3 的輸出端OutD+輸出幅值為12V的正脈沖，然后該幅值為12V的正脈沖再經(jīng)過高壓 NMOS晶體管VT11,因為正幅值控制單元235將V卯變?yōu)?0V而向晶體管VT11 的漏極供電，所以由晶體管VT11的漏極輸出幅值為50V的高壓正脈沖，類似地， 該幅值為5V的正脈沖通過反相器CMOS4進行電平變換，由反相器CMOS4的輸出 端OutD-輸出幅值為-12V的負脈沖，然后該幅值為-12V的負脈沖再經(jīng)過高壓PMOS 晶體管VT12,因為負幅值控制單元236將-Vpp變?yōu)?50V而向晶體管VT12的漏極 供電，所以由晶體管VT12的漏極輸出幅值為-50V的髙壓負脈沖。然后，幅值為± 50V的髙壓正負脈沖分別通過輸入端drvD+和drvD-進入第二信號合成單元237進行 脈沖合成，由第二信號合成單元237的輸出端Out一D輸出幅值為土50V的雙向脈沖， 該雙向脈沖即為D波。
實際應用中，控制輸出的R波幅值大于等于100V，相應地，D波幅值大于等于 50V。在電路中，合理選擇電源、電阻阻值，使輸出波形滿足公式(R波幅值一D波 幅值) <閾值電壓幅值< (R波幅值+D波幅值)即可。閾值電壓是根據(jù)混合層13的 組成和厚度來確定的， 一般為50V以上。
近晶態(tài)液晶顯示屏1的顯示是通過控制施加在兩個導電電極層14和15上的電 壓大小、頻率和作用時間，來改變混合層13中的近晶態(tài)液晶的排列形態(tài)，從而使光 線在透射與散射之間進行轉(zhuǎn)換來實現(xiàn)的，宏觀上表現(xiàn)為全透明與霧狀間的轉(zhuǎn)換.第 一導電電極層14與第二導電電極層15形成了一個MXN的像素點陣列結構，相垂 直的兩條狀電極141、 151形成一像素點3,所以在該兩個條狀電極141、 151間產(chǎn)生 的電壓幅值和頻率共同控制其形成的像素點的狀態(tài)。條狀電極141上輸出的是R波， 條狀電極151上輸出的是D波，兩條狀電極間的電壓即為R波與D波的疊加。如圖6所示，若R波與D波頻率相同、相位相同，疊加后形成的脈沖幅值小于 閾值電壓的幅值，那么像素點不會發(fā)生變化。若R波與D波頻率相同，但相位相差 半個周期，即圖中所示的D'波形和R波形，疊加后形成的脈沖幅值大于閑值電壓幅 值，那么像素點便會發(fā)生變化，表現(xiàn)為由全透明變?yōu)殪F狀，或是由霧狀變?yōu)槿该鳌?若疊加后的波形幅值大于閾值電壓幅值，且頻率在50Hz左右，則像素點由全透明變 霧狀。若疊加后的波形幅值大于閾值電壓幅值，且頻率在1000Hz左右，則像素點由 霧狀變?nèi)该鳌Ｏ旅孢M行詳述。如圖7所示，當R波與D波疊加后施加在兩導電電極層14和15間的電壓幅值 大于閾值電壓幅值，且頻率控制在50Hz至200Hz，如施加土100v、 50Hz左右的雙 向脈沖，那么，當電壓作用時間不到1秒鐘時，混合層13中的近晶態(tài)液晶分子131 便發(fā)生扭轉(zhuǎn)，形成圖3所示的亂序排列形態(tài)。因為近晶態(tài)液晶分子131的各向相異 性(即由于入射光線通過各液晶的長光軸不同，各液晶的光折射角度不同，因而各 液晶的折射率不同)，使得入射各近晶態(tài)液晶分子131的光線的折射存在著很大的 差異，即在該微薄厚度的混合層13內(nèi)，光折射率產(chǎn)生著劇烈的變化，因而光線發(fā)生 了強烈的散射，從宏觀上看，該散光效應呈現(xiàn)一種如磨砂毛玻璃般的霧狀狀態(tài)，像 素點表現(xiàn)為由全透明變?yōu)殪F狀。如圖8所示，當R波與D波疊加后施加在兩導電電極層14和15間的電壓幅值 大于閾值電壓幅值，且頻率控制在1000Hz以上，如施加士100v、 1000Hz左右的雙 向脈沖，那么，當電壓作用時間不到1秒鐘時，混合層13中的近晶態(tài)液晶分子131 便變?yōu)橐?guī)則排列形態(tài)，此時，近晶態(tài)液晶分子131的長光軸垂直于導電電極層平面， 入射各近晶態(tài)液晶分子131的光線的折射不產(chǎn)生劇烈變化，光線可以自由透過混合 層13，因此，從宏觀上看，呈現(xiàn)出一種全透明狀態(tài)，光線完全透射過顯示屏，像素 點表現(xiàn)為由霧狀變?yōu)槿该?。在實際實施時，可通過控制模塊21調(diào)整輸出頻率，通過選擇電路中的電阻阻值 改變輸出波形的幅值，進而改變施加在兩導電電極層14和15上的電壓大小和頻率， 而使近晶態(tài)液晶分子131的排列形態(tài)發(fā)生部分扭曲，產(chǎn)生不同程度的散光效應，在 宏觀上表現(xiàn)為霧狀與全透明兩個狀態(tài)間的不同灰度階的多種漸進狀態(tài)，如半透明狀 態(tài)等。以上是顯示控制電路2對某一像素點驅(qū)動的描述，對于整個近晶態(tài)液晶顯示屏 1,其顯示方式是通過控制模塊21中設定的驅(qū)動規(guī)則來進行的。下面以圖9所示的 像素點陣列為例，來說明顯示控制電路2對近晶態(tài)液晶顯示屏1的顯示控制。如圖9，.該像素點陣列為3X3的陣列，R1 R3為控制信號源，每一控制信號源 由控制模塊21控制輸出相應R波形，每一控制信號源向一第一導電電極層14的一 條狀電極141輸出一固定波形R波，D1 D3為數(shù)據(jù)信號源，每一數(shù)據(jù)信號源由控制 模塊21控制輸出相應D波形，每一數(shù)據(jù)信號源向一第二導電電極層15的一條狀電極151輸出一控制波形D波。Tll、 T12、 T13、 T21、 T22、 T23、 T31、 T32、 T33 為兩條狀電極形成的像素點，例如，Tll為第一導電電極層14上的第一行條狀電極 與第二導電電極層15上的第一列條狀電極形成的像素點，該像素點由Rl和Dl輸 出的波形共同控制，以驅(qū)動該像素點。驅(qū)動時，控制模塊21按顯示要求控制R波和D波的波形輸出，過程為首先， 令R1 R3和D1 D3為關閉，即R1 R3和D1 D3輸出為0,然后Rl輸出固定的 R波，R2和R3關閉，不輸出R波，D1 D3串行輸入所需的數(shù)據(jù)信號(圖6所示的 與R波相位相同的D波，或與R波相位相差半個周期的D'波)，經(jīng)寄存器寄存并同 時打開，向各列同時輸入信號，這時，第一行的所有像素點被驅(qū)動顯示為需要的狀 態(tài)，其它像素點不變化。然后，R1和R3關閉，R2打開，輸出R波，D1 D3串行 輸入新的數(shù)據(jù)信號，經(jīng)寄存器寄存并同時打開，向各列同時輸入信號，這時，第二 行的所有像素點被驅(qū)動顯示為需要的狀態(tài)，其它像素點不變化。同理，以下各行被 依次驅(qū)動，使各像素點變?yōu)樗锠顟B(tài)，直至整個顯示屏逐行掃描完，使顯示屏顯示 出需要的文字或圖案。本實用新型的優(yōu)點是由于近晶態(tài)液晶需要高壓雙極性電壓驅(qū)動，故本實用新 型顯示控制電路將正、負向低壓脈沖進行升壓，并將正負單極性脈沖合成為雙極性 高壓脈沖，以利用該雙極性高壓脈沖來驅(qū)動近晶態(tài)液晶的排列狀態(tài)發(fā)生改變，從而 使顯示屏顯示各種圖案。另外，本實用新型顯示控制電路中控制輸出的R波和D波 都是雙極性歸零的，使用這樣的波形驅(qū)動近晶態(tài)液晶，可以有效地延長液晶的壽命， 避免表面的電化學反應。
權利要求1、一種顯示控制電路，該顯示控制電路用于控制近晶態(tài)液晶顯示屏的顯示，該近晶態(tài)液晶顯示屏包括第一基體層和第二基體層，在第一基體層與第二基體層之間設有一由近晶態(tài)液晶和添加物混合而成的混合層，該近晶態(tài)液晶為A類近晶態(tài)液晶有機化合物，該添加物為帶導電特性的化合物，在第一基體層朝向混合層的一側設有第一導電電極層，在第二基體層朝向混合層的一側設有第二導電電極層，第一導電電極層由M個平行排列的條狀電極組成，第二導電電極層由N個平行排列的條狀電極組成，第一導電電極層的M個條狀電極與第二導電電極層的N個條狀電極相垂直，該第一與第二導電電極層形成一M×N的像素點陣列，其特征在于該顯示控制電路包括控制模塊、M個R波生成模塊和N個D波生成模塊，控制模塊與所有R波生成模塊和D波生成模塊連接，R波生成模塊和D波生成模塊與近晶態(tài)液晶顯示屏連接，其中R波生成模塊包括第一正電平變換單元、第一負電平變換單元、第一正向信號生成單元、第一負向信號生成單元和第一信號合成單元，該第一正向信號生成單元經(jīng)第一正電平變換單元與控制模塊連接，該第一負向信號生成單元經(jīng)第一負電平變換單元與控制模塊連接，該第一正向信號生成單元和第一負向信號生成單元與第一信號合成單元連接，該第一信號合成單元與所述第一導電電極層的一個條狀電極連接；D波生成模塊包括第二正電平變換單元、第二負電平變換單元、第二正向信號生成單元、第二負向信號生成單元、正幅值控制單元、負幅值控制單元和第二信號合成單元，該第二正向信號生成單元經(jīng)第二正電平變換單元與控制模塊連接，該第二負向信號生成單元經(jīng)第二負電平變換單元與控制模塊連接，正、負幅值控制單元分別與第二正向信號生成單元、第二負向信號生成單元連接，該第二正向信號生成單元和第二負向信號生成單元與第二信號合成單元連接，該第二信號合成單元與所述第二導電電極層的一個條狀電極連接。
2、 根據(jù)權利要求l所述的顯示控制電路，其特征在于所述第一正電平變換單元包括一CMOS反相器，該CMOS反相器的輸入端經(jīng)一 電容與所述控制模塊上與其相對應的信號輸出端相連，所述第一正向信號生成單元 包括一高壓NMOS晶體管，該髙壓NMOS晶體管的柵極與所述第一正電平變換單元 的CMOS反相器的輸出端相連，該髙壓NMOS晶體管的漏極經(jīng)一電容與所述第一信 號合成單元的一輸入端相連；所述第一負電平變換單元包括一 CMOS反相器，該CMOS反相器的輸入端經(jīng)一 電容與所述控制模塊上與其相對應的信號輸出端相連，所述第一負向信號生成單元 包括一高壓PMOS晶體管，該高壓PMOS晶體管的柵極與所述第一負電平變換單元的CMOS反相器的輸出端相連，該高壓PMOS晶體管的漏極經(jīng)一電容與所述第一信 號合成單元的另一輸入端相連。
3. 根據(jù)權利要求2所述的顯示控制電路，其特征在于 所述第一信號合成單元由多個二極管構成。
4. 根據(jù)權利要求l所述的顯示控制電路，其特征在于所述第二正電平變換單元包括一 CMOS反相器，該CMOS反相器的輸入端經(jīng)一 電容與所述控制模塊上與其相對應的信號輸出端相連，所述第二正向信號生成單元 包括一高壓NMOS晶體管，該高壓NMOS晶體管的柵極與所述第二正電平變換單元 的CMOS反相器的輸出端相連，該髙壓NMOS晶體管的漏極分成兩路，一路經(jīng)一電 阻與所述正幅值控制單元相連，另一路經(jīng)一電容與所述第二信號合成單元的一輸入 端相連；所述第二負電平變換單元包括一 CMOS反相器，該CMOS反相器的輸入端經(jīng)一 電容與所述控制模塊上與其相對應的信號輸出端相連，所述第二負向信號生成單元 包括一高壓PMOS晶體管，該高壓PMOS晶體管的柵極與所述第二負電平變換單元 的CMOS反相器的輸出端相連，該髙壓PMOS晶體管的漏極分成兩路， 一路經(jīng)一電 阻與所述負幅值控制單元相連，另一路經(jīng)一電容與所述第二信號合成單元的另一輸 入端相連。
5. 根據(jù)權利要求4所述的顯示控制電路，其特征在于 所述第二信號合成單元由多個二極管構成。
6.根據(jù)權利要求4所述的顯示控制電路，其特征在于 所述正幅值控制單元和負幅值控制單元為變壓器。
7. 根據(jù)權利要求1至6中的任一項所述的顯示控制電路，其特征在于 所述控制模塊為單片機或FPGA。
專利摘要本實用新型公開了一種顯示控制電路，該顯示控制電路用于控制近晶態(tài)液晶顯示屏的顯示，該顯示控制電路包括控制模塊、M個R波生成模塊和N個D波生成模塊，控制模塊與所有R波生成模塊和D波生成模塊連接，R波生成模塊和D波生成模塊與近晶態(tài)液晶顯示屏連接。本實用新型顯示控制電路可產(chǎn)生雙極性高壓脈沖，該雙極性高壓脈沖用于驅(qū)動液晶的排列狀態(tài)發(fā)生改變，從而使顯示屏顯示各種圖案。
文檔編號G09G3/36GK201134234SQ20072019095
公開日2008年10月15日 申請日期2007年12月27日 優(yōu)先權日2007年12月27日
發(fā)明者剛 孫 申請人:漢朗科技(北京)有限責任公司