專利名稱：金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板測(cè)試用多功能驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板，尤其是一種金屬 網(wǎng)板型等離子體顯示平板掃描電極、數(shù)據(jù)電極驅(qū)動(dòng)電路，具體地說是一種 金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板測(cè)試用多功能驅(qū)動(dòng)電路。
背景技術(shù)：
20世紀(jì)90年代初興起的等離子體平板顯示器(PDP)，具有數(shù)字化，大 屏幕，高分辨率，高清晰度，寬視角以及厚度薄，重量輕等優(yōu)點(diǎn)，在大屏 幕顯示領(lǐng)域具有廣闊的發(fā)展前景。
目前正在開發(fā)的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板是一種對(duì)向放電型交流
等離子體顯示平板，它與傳統(tǒng)表面放電型交流等離子體顯示平板相比，具
有制造工藝簡(jiǎn)單、更容易實(shí)現(xiàn)高分辨率、以及制造成本和驅(qū)動(dòng)成本低等優(yōu)
點(diǎn)，具有更強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。正是由于這種金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板 在結(jié)構(gòu)上與傳統(tǒng)表面放電型交流等離子體顯示平板相比具有較大差別，因
而急需對(duì)多種不同結(jié)構(gòu)的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板進(jìn)行各種特性測(cè) 試，測(cè)試工作量巨大，因此設(shè)計(jì)一種多功能驅(qū)動(dòng)電路裝置，對(duì)與大屏具有 相同結(jié)構(gòu)的小屏進(jìn)行特性測(cè)試，以滿足對(duì)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板各 種特性快速測(cè)試要求，幫助金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板進(jìn)行技術(shù)改進(jìn)， 提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力具有十分重要的意義。 發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是針對(duì)現(xiàn)有的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板存在的 大量特性測(cè)試問題，設(shè)計(jì)一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、功能全面的金屬網(wǎng)板型等離子體 顯示平板測(cè)試用多功能驅(qū)動(dòng)電路。
本實(shí)用新型的技術(shù)方案是
一種金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板測(cè)試用多功能驅(qū)動(dòng)電路，其特
征是它主要由邏輯控制電路a、高壓波形產(chǎn)生電路b組成，邏輯控制電路a 的兩個(gè)輸出端分別接到高壓波形產(chǎn)生電路b的兩個(gè)輸入端，高壓波形產(chǎn)生 電路b的兩個(gè)輸出端分別接金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的行掃描電極和 列數(shù)據(jù)電極；所述的邏輯控制電路a由可編程邏輯芯片組成，它的兩個(gè)輸 出端經(jīng)過驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)后分別輸出兩組數(shù)字開關(guān)信號(hào)R1、 Gl、 Bl、 R2、 G2、 B2、 C0H、 C0L、 CCLK、 CSTB、 CP0C、 CBLK和XEPH、 XEPL、 XSPH、 XSPL、 XPRH、 XPRH1、 XPRH2、 XENH、 XENL、 XSNH、 XSNL、 XSWP、 XSWN、 XVG2、 XVG21、 XVG22、 XVG23、 XVG1、 XAD1、 XAD2、 XSTB、 XBLK、 XCLK、 XSI、 XHIZ，這兩組數(shù)字 開關(guān)信號(hào)控制高壓波形產(chǎn)生電路b分別產(chǎn)生合適的列數(shù)據(jù)波形和行掃描波 形來驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板進(jìn)行圖像顯示；所述的高壓波形產(chǎn) 生電路(b)由正電壓能量恢復(fù)模塊l、正電壓維持模塊2、正向復(fù)位模塊3、 負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊4、負(fù)電壓維持模塊5、隔離續(xù)流模塊6、負(fù)向復(fù)位模 塊7、尋址模塊8、行芯片模塊9、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊IO、電源模塊ll所組成， 它們所需的輸入控制信號(hào)XEPH、 XEPL、 XSPH、 XSPL、 XPRH、 XPRH1、 XPRH2、 XENH、 XENL、 XSNH、 XSNL、 XSWP、 XSWN、 XVG2、 XVG21、 XVG22、 XVG23、 XVG1、 XAD1、 XAD2、 XSTB、 XBLK、 XCLK、 XSI、 XHIZ、 COH、 C0L、 CCLK、 CS丁B、 CPOC 及CBLK由邏輯控制電路a提供，其中正電壓維持模塊2、正向復(fù)位模塊3、 負(fù)電壓維持模塊5、負(fù)向復(fù)位模塊7、尋址模塊8、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊10所需的 高壓信號(hào)VPS、 VPP、 VNS、 VNP、 VNA、 VER、 VA由直流高壓電源模塊11提 供，正向復(fù)位模塊3的輸出端、正電壓維持模塊2的輸出端、正電壓能量 恢復(fù)模塊1的輸出端一起與隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸入端相連，負(fù)電壓能 量恢復(fù)模塊4的輸出端、負(fù)電壓維持模塊5的輸出端一起與隔離續(xù)流模塊6 的另一個(gè)輸入端相連，隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸出端與尋址模塊8的一個(gè) 輸出端一起與行芯片模塊9的一個(gè)輸入端相連，隔離續(xù)流模塊6的另一個(gè) 輸出端、尋址模塊8的另一個(gè)輸出端及負(fù)向復(fù)位模塊7輸出端一起與行芯 片模塊9的另一個(gè)輸入端相連，行芯片模塊9的輸出端與金屬網(wǎng)板型等離 子體顯示平板對(duì)應(yīng)的行掃描電極相連，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊10的輸出端與金屬網(wǎng) 板型等離子體顯示平板對(duì)應(yīng)的列數(shù)據(jù)電極相連。
所述的數(shù)字開關(guān)信號(hào)Rl、 Gl、 Bl、 R2、 G2、 B2、 C0H、 C0L、 CCLK、 CSTB、 CPOC、 CBLK是數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊10的輸入控制信號(hào)，XEPH、 XEPL是正電壓能 量恢復(fù)模塊1的輸入控制信號(hào)，XSPH、 XSPL是正電壓維持模塊2的輸入控 制信號(hào)，XPRH、 XPRH1、 XPRH2是正向復(fù)位模塊3的輸入控制信號(hào)，XENH、 XENL是負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊4的輸入控制信號(hào)，XSNH、 XSNL是負(fù)電壓維持 模塊5的輸入控制信號(hào)，XSWP、 XS麗是隔離續(xù)流模塊6的輸入控制信號(hào)， XVG2、 XVG21、 XVG22、 XVG23是負(fù)向復(fù)位模塊7的輸入控制信號(hào)，XVG1、 XAD1、 XAD2是尋址模塊8的輸入控制信號(hào)，XSTB、 XBLK、 XCLK、 XSI、 XHIZ是行 芯片模塊9的輸入控制信號(hào)。
所述的正電壓能量恢復(fù)模塊l由電容C1、場(chǎng)效應(yīng)管Q1、場(chǎng)效應(yīng)管Q2、 二極管Dl、 二極管D2和電感Ll所組成，正電壓能量恢復(fù)模塊1的輸入從 場(chǎng)效應(yīng)管Ql、 Q2對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路a的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端 XEPH和XEPL，正電壓能量恢復(fù)模塊1的輸出通過電感Ll的一端引出與正 向復(fù)位模塊3的輸出端、正電壓維持模塊2的輸出端一起與隔離續(xù)流模塊6
的一個(gè)輸入端相連。
所述的正電壓維持模塊2由二極管D3、場(chǎng)效應(yīng)管Q3、 Q4組成，正電壓 維持模塊2的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q3、 Q4對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路a的 數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XSPH、 XSPL，正電壓維持模塊2的輸出從場(chǎng)效應(yīng)管Q3 的源極、Q4的漏極的連接點(diǎn)引出與正向復(fù)位模塊3的輸出端、正電壓能量 恢復(fù)模塊1的輸出端即電感L1的一端一起與隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸入端 相連。正電壓維持模塊2的高壓信號(hào)VPS的輸入端從二極管D3的陽極引出 接直流高壓電源模塊11對(duì)應(yīng)輸出端。
所述的正向復(fù)位模塊3由場(chǎng)效應(yīng)管Q5、 Q6、 Q7和可變電阻VR1、 VR2、 VR3組成，正向復(fù)位模塊3的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q5、 Q6、 Q7對(duì)應(yīng)的柵極引出 接邏輯控制電路a的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XPRH、 XPRH1、 XPRH2，正向復(fù)位 模塊3的輸出從場(chǎng)效應(yīng)管Q6的源極、Q7的源極、可變電阻VR1的一端的連 接點(diǎn)引出與正電壓能量恢復(fù)模塊1的輸出端即Ll的一端、正電壓維持模塊 2的輸出端一起與隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸入端相連，正向復(fù)位模塊3的高
壓信號(hào)VPP的輸入端從場(chǎng)效應(yīng)管Q5的漏極引出接直流高壓電源模塊11的 對(duì)應(yīng)輸出端。
所述的負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊4由電容C2、場(chǎng)效應(yīng)管Q8、 Q9、 二極管D4、 D5和電感L2組成，它的輸入通過場(chǎng)效應(yīng)管Q8、 Q9對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯 控制電路a的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XENH、 XENL，它的輸出通過電感L2的一 端引出并且與負(fù)電壓維持模塊5的輸出端、隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸入端 連在一起。
所述的負(fù)電壓維持模塊5由場(chǎng)效應(yīng)管QIO、 Qll和二極管D6組成，它 的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管QIO、 Qll對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路a的數(shù)字開關(guān) 信號(hào)端XSNH、 XSNL,它的輸出從場(chǎng)效應(yīng)管Q10的源極、Qll的漏極的連接 點(diǎn)引出并且與負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊4的輸出端即電感L2的一端、隔離續(xù)流 模塊6的一個(gè)輸入端連在一起。負(fù)電壓維持模塊5的高壓信號(hào)VNS的輸入 端從二極管D6的陰極引出接直流高壓電源模塊11的對(duì)應(yīng)輸出端。3、根據(jù) 權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板多功能驅(qū)動(dòng)電路裝置，其 特征是所述的隔離續(xù)流模塊6由場(chǎng)效應(yīng)管Q12、 Q13， 二極管D7、 D8組成， 它的控制輸入分別從場(chǎng)效應(yīng)管Q12、 Q13對(duì)應(yīng)的柵極引出接對(duì)應(yīng)的邏輯控制 電路a的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XSWP、 XS麗，它的另外兩路輸入端分別從場(chǎng) 效應(yīng)管Q12的漏極和場(chǎng)效應(yīng)管Q13的源極引出并且分別接正電壓能量恢復(fù) 模塊1的輸出即Ll的一端和負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊4的輸出即L2的一端， 它的另兩個(gè)輸出端從場(chǎng)效應(yīng)管Q12的源極和場(chǎng)效應(yīng)管Q13的漏極引出分別 接尋址模塊8和負(fù)向復(fù)位模塊7。
所述的負(fù)向復(fù)位電路7由場(chǎng)效應(yīng)管Q14、 Q15、 Q16、 Q17、 二極管D12 和可變電阻VR4、 VR5、 VR6、 VR7組成。它的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q14、 Q15、 Q16、 Q17對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路a的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XVG2、XVG21、 XVG22、 XVG23，其輸出從二極管D12的陽極引出與隔離續(xù)流模塊6的一個(gè) 輸出端、行芯片模塊9的一個(gè)輸入端、尋址模塊8的一個(gè)輸出端相連。負(fù) 向復(fù)位電路7的高壓信號(hào)VNP從場(chǎng)效應(yīng)管Q15、 Q16、 Q17的源極連接點(diǎn)引 出接直流高壓電源模塊11的對(duì)應(yīng)輸出端。
所述的尋址模塊8由場(chǎng)效應(yīng)管Q18、 Q19、 Q20和二極管D9、 DIO、 Dll 組成，它的輸入端從場(chǎng)效應(yīng)管Q18、 Q19、 Q20對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制 電路a的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XADl、 XAD2、 XVG1，它的一個(gè)輸出從二極管 D9的陰極、D10的陽極的連接點(diǎn)引出與隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸出端、負(fù) 向復(fù)位電路7的輸出端、行芯片模塊9的一個(gè)輸入端相連，它的另一個(gè)輸 出端從Dll的陽極引出與隔離續(xù)流模塊6的另一個(gè)輸出端、行芯片模塊9 的一個(gè)輸入端連在一起。尋址模塊8的高壓信號(hào)輸入端VNA、 VER分別從場(chǎng) 效應(yīng)管Q18、 Q19的源極的連接點(diǎn)以及場(chǎng)效應(yīng)管Q20的源極引出接直流高壓 電源模塊ll的對(duì)應(yīng)輸出端。
所述的行芯片模塊9由行芯片IC1組成，它的一個(gè)輸入端與隔離續(xù)流 模塊6的一個(gè)輸出端、尋址模塊8的一個(gè)輸出端連在一起，另外一個(gè)輸入 端與隔離續(xù)流模塊6的另一個(gè)輸出端、負(fù)向復(fù)位電路7的輸出端、尋址模 塊8的另一個(gè)輸出端連在一起；行芯片模塊9的控制信號(hào)由邏輯控制電路a 的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XSTB、 XBLK、 XCLK、 XSI、 XHIZ提供；行芯片模塊9 的輸出端接金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的行掃描電極。
所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊10由場(chǎng)效應(yīng)管Q21、 Q22、 二極管D13、列芯片IC2 組成，它的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q21、 Q22對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路a的 數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端C0H、 C0L，它的輸出端接金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平 板的列數(shù)據(jù)電極；列芯片IC2的輸入控制信號(hào)接邏輯控制電路a的數(shù)字開 關(guān)信號(hào)輸出端CCLK、 CSTB、 CPOC及CBLK。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊10的高壓信號(hào)VA 的輸入端從二極管D13的正極引出接直流高壓電源模塊11對(duì)應(yīng)輸出端。
本實(shí)用新型的有益效果-
(1) 通過選擇合適的電路結(jié)構(gòu)和元器件，使該多功能驅(qū)動(dòng)電路裝置的 工作耐壓達(dá)到800V，這里的工作耐壓指圖2或圖6中所示的最高電壓與最 低電壓的差值。同時(shí)，該電路裝置具有較大的帶負(fù)載能力，可以驅(qū)動(dòng)金屬 網(wǎng)板型等離子體顯示平板4寸、6寸、8寸屏。
(2) 與現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)電路相比，通過改變正向復(fù)位模塊3、負(fù)向復(fù)位電路 7的電路組成，使得驅(qū)動(dòng)波形在正向復(fù)位期可實(shí)現(xiàn)一段、二段、三段斜率變
化，在負(fù)向復(fù)位實(shí)現(xiàn)一段、二段、三段、四段斜率變化，適合對(duì)金屬網(wǎng)板 等離子體顯示平板進(jìn)行波形優(yōu)化，尋找適合金屬網(wǎng)板等離子體顯示平板進(jìn) 行高速尋址的復(fù)位波形，提高金屬網(wǎng)板等離子體顯示平板的有效發(fā)光時(shí)間， 降低金屬網(wǎng)板等離子體顯示平板的驅(qū)動(dòng)成本。
(3)與現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)電路相比，通過對(duì)邏輯控制電路的程序控制和電源的 不同連接，可以實(shí)現(xiàn)如圖2所示尋址期T2的整體移動(dòng)，圖6所示的最低脈 沖寬度為100ns的窄脈寬選擇性擦除尋址波形(該波形在正向復(fù)位期可實(shí) 現(xiàn)一段、二段、三段斜率變化，在負(fù)向復(fù)位實(shí)現(xiàn)一段、二段、三段、四段 斜率變化)，就是將尋址期T2上移的結(jié)果。


圖1是本實(shí)用新型的金屬網(wǎng)板等離子體顯示平板多功能驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)圖。
圖2是本實(shí)用新型所能產(chǎn)生的基本驅(qū)動(dòng)波形示意圖。
圖3是本實(shí)用新型的邏輯控制電路原理框圖。
圖4是本實(shí)用新型的高壓波形產(chǎn)生電路原理框圖。
圖5是與圖4所示的框圖相配的一個(gè)電路原理圖。
圖6是利用本實(shí)用新型的電路裝置產(chǎn)生選擇性擦除尋址波形示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明。
如圖1-6所示。
一種金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板測(cè)試用多功能驅(qū)動(dòng)電路，它主要由 邏輯控制電路a、高壓波形產(chǎn)生電路b組成。邏輯控制電路a的兩個(gè)輸出端 分別接到高壓波形產(chǎn)生電路b的兩個(gè)輸入端，高壓波形產(chǎn)生電路b的兩個(gè) 輸出端分別接金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的行掃描電極和列數(shù)據(jù)電極。 邏輯控制電路a由可編程邏輯芯片(EP2C8T144C8)組成，它的兩個(gè)輸出端 經(jīng)過驅(qū)動(dòng)芯片74HC541驅(qū)動(dòng)后分別輸出兩組數(shù)字開關(guān)信號(hào)R1、 Gl、 Bl、 R2、 G2、 B2、 C0H、 C0L、 CCLK、 CSTB、 CP0C、 CBLK和XEPH、 XEPL、 XSPH、 XSPL、 XPRH、 XPRH1、 XPRH2、 XENH、 XENL、 XSNH、 XSNL、 XSWP、 XS麗、XVG2、 XVG21、
XVG22、 XVG23、 XVG1、 XAD1、 XAD2、 XSTB、 XBLK、 XCLK、 XSI、 XHIZ，這兩 組數(shù)字開關(guān)信號(hào)控制高壓波形產(chǎn)生電路b分別產(chǎn)生合適的列數(shù)據(jù)波形和行 掃描波形來驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板進(jìn)行圖像顯示。高壓波形產(chǎn) 生電路b由正電壓能量恢復(fù)模塊1、正電壓維持模塊2、正向復(fù)位模塊3、 負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊4、負(fù)電壓維持模塊5、隔離續(xù)流模塊6、負(fù)向復(fù)位模 塊7、尋址模塊8、行芯片模塊9、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊IO、電源模塊ll所組成， 它們所需的輸入控制信號(hào)XEPH、 XEPL、 XSPH、 XSPL、 XPRH、 XPRH1、 XPRH2、 XENH、 XENL、 XSNH、 XSNL、 XSWP、 XS麗、XVG2、 XVG21、 XVG22、 XVG23、 XVG1、 XAD1、 XAD2、 XSTB、 XBLK、 XCLK、 XSI、 XHIZ、 C0H、 COL、 CCLK、 CSTB、 CPOC 及CBLK由邏輯控制電路a提供，其中正電壓維持模塊2、正向復(fù)位模塊3、 負(fù)電壓維持模塊5、負(fù)向復(fù)位模塊7、尋址模塊8、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊10所需的 高壓信號(hào)VPS、 VPP、 VNS、 VNP、 VNA、 VER、 VA由直流高壓電源模塊11提 供，正向復(fù)位模塊3的輸出端、正電壓維持模塊2的輸出端、正電壓能量 恢復(fù)模塊1的輸出端一起與隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸入端相連，負(fù)電壓能 量恢復(fù)模塊4的輸出端、負(fù)電壓維持模塊5的輸出端一起與隔離續(xù)流模塊6 的另一個(gè)輸入端相連，隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸出端與尋址模塊8的一個(gè) 輸出端一起與行芯片模塊9的一個(gè)輸入端相連，隔離續(xù)流模塊6的另一個(gè) 輸出端、尋址模塊8的另一個(gè)輸出端及負(fù)向復(fù)位模塊7輸出端一起與行芯 片模塊9的另一個(gè)輸入端相連，行芯片模塊9的輸出端與金屬網(wǎng)板型等離 子體顯示平板對(duì)應(yīng)的行掃描電極相連，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊10的輸出端與金屬網(wǎng) 板型等離子體顯示平板對(duì)應(yīng)的列數(shù)據(jù)電極相連。
具體實(shí)施時(shí)的邏輯控制電路a如圖1、 3所示。其中數(shù)字開關(guān)信號(hào)Rl、 Gl、 Bl、 R2、 G2、 B2、 C0H、 C0L、 CCLK、 CSTB、 CP0C、 CBLK是數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模 塊10的輸入控制信號(hào)，XEPH、 XEPL是正電壓能量恢復(fù)模塊1的輸入控制信 號(hào)，XSPH、 XSPL是正電壓維持模塊2的輸入控制信號(hào)，XPRH、 XPRH1、 XPRH2 是正向復(fù)位模塊3的輸入控制信號(hào)，XENH、 XENL是負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊4 的輸入控制信號(hào)，XSNH、 XSNL是負(fù)電壓維持模塊5的輸入控制信號(hào)，XSWP、 XSWN是隔離續(xù)流模塊6的輸入控制信號(hào)，XVG2、 XVG21、 XVG22、 XVG23是
負(fù)向復(fù)位模塊7的輸入控制信號(hào)，XVG1、 XAD1、 XAD2是尋址模塊8的輸入 控制信號(hào)，XSTB、 XBLK、 XCLK、 XSI、 XHIZ是行芯片模塊9的輸入控制信號(hào)。 具體實(shí)施時(shí)的高壓波形產(chǎn)生電路b如圖5所示。其中正電壓能量恢 復(fù)模塊1由電容C1、場(chǎng)效應(yīng)管Q1、場(chǎng)效應(yīng)管Q2、 二極管D1、 二極管D2和 電感Ll所組成，正電壓能量恢復(fù)模塊1的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Ql、 Q2對(duì)應(yīng)的 柵極引出接邏輯控制電路a的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XEPH和XEPL，正電壓能 量恢復(fù)模塊1的輸出通過電感Ll的一端引出與正向復(fù)位模塊3的輸出端、 正電壓維持模塊2的輸出端一起與隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸入端相連。正 電壓維持模塊2由二極管D3、場(chǎng)效應(yīng)管Q3、 Q4組成，正電壓維持模塊2的 輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q3、 Q4對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路a的數(shù)字開關(guān)信號(hào) 輸出端XSPH、 XSPL，正電壓維持模塊2的輸出從場(chǎng)效應(yīng)管Q3的源極、Q4 的漏極的連接點(diǎn)引出與正向復(fù)位模塊3的輸出端、正電壓能量恢復(fù)模塊1 的輸出端即電感L1的一端一起與隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸入端相連。正電 壓維持模塊2的高壓信號(hào)VPS的輸入端從二極管D3的陽極引出接直流高壓 電源模塊11對(duì)應(yīng)輸出端。正向復(fù)位模塊3由場(chǎng)效應(yīng)管Q5、 Q6、 Q7和可變 電阻VR1、 VR2、 VR3組成，正向復(fù)位模塊3的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q5、 Q6、 Q7 對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路a的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XPRH、 XPRH1、 XPRH2，正向復(fù)位模塊3的輸出從場(chǎng)效應(yīng)管Q6的源極、Q7的源極、可變電 阻VR1的一端的連接點(diǎn)引出與正電壓能量恢復(fù)模塊l的輸出端即電感L1的 一端、正電壓維持模塊2的輸出端一起與隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸入端相 連。正向復(fù)位模塊3的高壓信號(hào)VPP的輸入端從場(chǎng)效應(yīng)管Q5的漏極引出接 直流高壓電源模塊11的對(duì)應(yīng)輸出端。負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊4由電容C2、場(chǎng) 效應(yīng)管Q8、 Q9、 二極管D4、 D5和電感L2組成，它的輸入通過場(chǎng)效應(yīng)管Q8、 Q9對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路a的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XENH、 XENL， 它的輸出通過電感L2的一端引出并且與負(fù)電壓維持模塊5的輸出端、隔離 續(xù)流模塊6的一個(gè)輸入端連在一起。負(fù)電壓維持模塊5由場(chǎng)效應(yīng)管Q10、Q11 和二極管D6組成，它的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管QIO、 Qll對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯 控制電路a的數(shù)字開關(guān)信號(hào)端XSNH、 XSNL，它的輸出從場(chǎng)效應(yīng)管Q10的源 極、Qll的漏極的連接點(diǎn)引出并且與負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊4的輸出端(即電 感L2的一端、隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸入端連在一起；負(fù)電壓維持模塊5
的高壓信號(hào)VNS的輸入端從二極管D6的陰極引出接直流高壓電源模塊11 的對(duì)應(yīng)輸出端。隔離續(xù)流模塊6由場(chǎng)效應(yīng)管Q12、 Q13， 二極管D7、 D8組成， 它的控制輸入分別從場(chǎng)效應(yīng)管Q12、 Q13對(duì)應(yīng)的柵極引出接對(duì)應(yīng)的邏輯控制 電路a的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XSWP、 XSWN，它的另外兩路輸入端分別從場(chǎng) 效應(yīng)管Q12的漏極和場(chǎng)效應(yīng)管Q13的源極引出并且分別接正電壓能量恢復(fù) 模塊1的輸出即Ll的一端和負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊4的輸出即L2的一端， 它的另兩個(gè)輸出端從場(chǎng)效應(yīng)管Q12的源極和場(chǎng)效應(yīng)管Q13的漏極引出分別 接尋址模塊8和負(fù)向復(fù)位模塊7。負(fù)向復(fù)位電路7由場(chǎng)效應(yīng)管Q14、 Q15、 Q16、 Q17、 二極管D12和可變電阻VR4、 VR5、 VR6、 VR7組成。它的輸入從 場(chǎng)效應(yīng)管Q14、 Q15、 Q16、 Q17對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路a的數(shù)字開 關(guān)信號(hào)輸出端XVG2、 XVG21、 XVG22、 XVG23，其輸出從二極管D12的陽極引 出與隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸出端、行芯片模塊9的一個(gè)輸入端、尋址模 塊8的一個(gè)輸出端相連，負(fù)向復(fù)位電路7的高壓信號(hào)VNP從場(chǎng)效應(yīng)管Q15、 Q16、 Q17的源極連接點(diǎn)引出接直流高壓電源模塊11的對(duì)應(yīng)輸出端。尋址模 塊8由場(chǎng)效應(yīng)管Q18、 Q19、 Q20和二極管D9、 DIO、 Dll組成，它的輸入端 從場(chǎng)效應(yīng)管Q18、 Q19、 Q20對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路a的數(shù)字開關(guān) 信號(hào)輸出端XAD1、 XAD2、 XVG1，它的一個(gè)輸出從二極管D9的陰極、D10的 陽極的連接點(diǎn)引出與隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸出端、負(fù)向復(fù)位電路7的輸 出端、行芯片模塊9的一個(gè)輸入端相連，它的另一個(gè)輸出端從Dll的陽極 引出與隔離續(xù)流模塊6的另一個(gè)輸出端、行芯片模塊9的一個(gè)輸入端連在 一起；尋址模塊8的高壓信號(hào)輸入端VNA、 VER分別從場(chǎng)效應(yīng)管Q18、 Q19 的源極的連接點(diǎn)以及場(chǎng)效應(yīng)管Q20的源極引出接直流高壓電源模塊11的對(duì) 應(yīng)輸出端。行芯片模塊9由行芯片IC1組成，它的一個(gè)輸入端與隔離續(xù)流 模塊6的一個(gè)輸出端、尋址模塊8的一個(gè)輸出端連在一起，另外一個(gè)輸入 端與隔離續(xù)流模塊6的另一個(gè)輸出端、負(fù)向復(fù)位電路7的輸出端、尋址模 塊8的另一個(gè)輸出端連在一起；行芯片模塊9的控制信號(hào)由邏輯控制電路a
的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XSTB、 XBLK、 XCLK、 XSI、 XHIZ提供；行芯片模塊9 的輸出端接金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的行掃描電極。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊io 由場(chǎng)效應(yīng)管Q21、 Q22、 二極管D13、列芯片IC2組成，它的輸入從場(chǎng)效應(yīng) 管Q21、 Q22對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路a的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端COH、 COL，它的輸出端接金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的列數(shù)據(jù)電極；列芯片IC2 的控制信號(hào)接邏輯控制電路a的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端CCLK、 CSTB、 CPOC及 CBLK。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊10的高壓信號(hào)VA的輸入端從二極管D13的正極引出 接直流高壓電源模塊11對(duì)應(yīng)輸出端。
詳述如下
本實(shí)用新型的驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的多功能驅(qū)動(dòng)電路裝 置框圖如圖l、圖3、圖4所示，金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板上引出了一
系列金屬電極，根據(jù)功能不同分成兩類列數(shù)據(jù)電極與行掃描電極，兩類
電極的數(shù)目與金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的解析度相關(guān)。在對(duì)金屬網(wǎng)板
型等離子體顯示平板實(shí)施驅(qū)動(dòng)時(shí)，需要將數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊10的輸出端、行芯 片模塊9的輸出端分別與小屏相應(yīng)的列數(shù)據(jù)電極和行掃描電極相連，金屬 網(wǎng)板型等離子體顯示平板多功能驅(qū)動(dòng)電路裝置通過給小屏數(shù)據(jù)電極和掃描 電極施加驅(qū)動(dòng)波形，達(dá)到驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板進(jìn)行圖形圖像 顯示的目的。
金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板多功能驅(qū)動(dòng)電路裝置產(chǎn)生如圖2所示驅(qū) 動(dòng)波形，驅(qū)動(dòng)波形主要由圖2所示的四部分(Tl、 T2、 T3、 T4)進(jìn)行合理 組合而形成，根據(jù)波形相應(yīng)特征和功能，Tl波形被稱為復(fù)位波形，其時(shí)長(zhǎng) 可為300us—500us， T2波形被稱為尋址波形，其時(shí)長(zhǎng)為100us—250us， T3 波形被稱為維持波形，其時(shí)長(zhǎng)可為10us—2ms， T4波形被稱為預(yù)復(fù)位波形， 其時(shí)長(zhǎng)可為50us—150us。本實(shí)用新型可以提供較大的負(fù)載電流，滿足驅(qū)動(dòng) 4寸、6寸、8寸金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的能力。驅(qū)動(dòng)電路原理圖如 圖5所示，是圖4框圖的具體實(shí)施方案，驅(qū)動(dòng)電路方案中主要由一系列金 屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET、快恢復(fù)二極管、電容和電感組成，其中 IC1表示掃描驅(qū)動(dòng)芯片(比如ST公司的STV7693芯片)，IC2表示數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)
芯片(比如ST公司的STV7630芯片)。實(shí)際金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板 可以看成一個(gè)容性負(fù)載，這里用Cp加以表示(即圖5中的Cp)。
如圖1所示，將邏輯控制電路a的兩個(gè)輸出端與高壓波形產(chǎn)生電路b 的兩個(gè)輸入端相連接，高壓波形產(chǎn)生電路b的兩個(gè)輸出端分別接金屬網(wǎng)板 型等離子體顯示平板的行掃描電極與列數(shù)據(jù)電極。圖2所示的是金屬網(wǎng)板 型等離子體顯示平板多功能驅(qū)動(dòng)電路裝置產(chǎn)生的基本驅(qū)動(dòng)波形，上述的基 本驅(qū)動(dòng)波形輸出到金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的行掃描電極和列數(shù)據(jù)電 極，輸出到列數(shù)據(jù)電極的波形可以直接由數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)生，不需要驅(qū)動(dòng) 電路，也可以由數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊的內(nèi)部驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生，輸出到行掃描電極的 波形由掃描驅(qū)動(dòng)芯片輸出端輸出，圖2中的標(biāo)示VPS、 VNS、 VPP、 VNP、 VNA、 VER、 VA都是與圖4、圖5、圖6中所提供的直流高壓電源相互一一對(duì)應(yīng)的 電壓標(biāo)示，具體電壓幅值由金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板驅(qū)動(dòng)要求決定， 其中最高電壓與最低電壓的差值小于800V，為該電路裝置的最高工作電壓 范圍。
圖3是多功能驅(qū)動(dòng)電路裝置低壓邏輯控制電路a的原理框圖，該電路 由可編程邏輯芯片(EP2C8T144C8)與驅(qū)動(dòng)芯片74HC541組成，它的兩個(gè)輸 出端輸出兩組數(shù)字開關(guān)信號(hào)Rl、 Gl、 Bl、 R2、 G2、 B2、 COH、 C0L、 CCLK、 CSTB、 CP0C、 CBLK禾口 XEPH、 XEPL、 XSPH、 XSPL、 XPRH、 XPRH1、 XPRH2、 XENH、 XENL、 XSNH、 XSNL、 XSWP、 XSWN、 XVG2、 XVG21、 XVG22、 XVG23、 XVG1、 XAD1、 XAD2、 XSTB、 XBLK、 XCLK、 XSI、 XHIZ，這兩組數(shù)字開關(guān)信號(hào)控制高壓波形 產(chǎn)生電路b產(chǎn)生合適的波形來驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板顯示圖像。
圖4是金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板多功能驅(qū)動(dòng)電路裝置的的高壓波 形產(chǎn)生電路b的電路框圖，該電路方案按功能劃分可以分為正電壓能量恢 復(fù)模塊l、正電壓維持模塊2、正向復(fù)位模塊3、負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊4、 負(fù)電壓維持模塊5、隔離續(xù)流模塊6、負(fù)向復(fù)位模塊7、尋址模塊8、行芯 片模塊9、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊IO、電源模塊ll。正電壓能量恢復(fù)模塊與正電壓 維持模塊協(xié)調(diào)工作，在功能上產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)顯示平板所需要的正電壓維持脈沖 (圖2中T3的正電平脈沖)，并提供較大的負(fù)載電流，降低無效電流在電 路上的損耗；同樣負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊與負(fù)電壓維持模塊協(xié)調(diào)工作，產(chǎn)生 驅(qū)動(dòng)顯示平板所需要的負(fù)電壓維持脈沖(圖2中T3的負(fù)電平脈沖)；正向
復(fù)位模塊與負(fù)向復(fù)位模塊單獨(dú)或協(xié)同工作，產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)顯示屏所需要復(fù)位波
形(圖2中Tl)和預(yù)復(fù)位波形(圖2中T4);尋址模塊產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)顯示屏所 需要的尋址波形(圖2中的T2);隔離續(xù)流模塊主要起到隔離正負(fù)電壓電路 和銜接電路模塊的作用；行芯片模塊將以上模塊產(chǎn)生的組合波形移位輸出 到金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的行掃描電極上；數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊將列數(shù)據(jù) 波形輸出到金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的列數(shù)據(jù)電極上；電源模塊為高 壓波形產(chǎn)生電路提供直流高壓電源VPS、 VNS、 VPP、 VNP、 VNA、 VER、 VA。 結(jié)合圖5具體驅(qū)動(dòng)電路原理圖，正電壓能量恢復(fù)模塊由Cl、 Ql、 Q2、 Dl、 D2和L1所組成，正電壓維持模塊由D3、 Q3和Q4組成，正向復(fù)位模塊 由Q5、 Q6、 Q7和VR1、 VR2、 VR3組成，負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊由C2、 Q8、 Q9、 D4、 D5和L2組成，負(fù)電壓維持模塊由D6、 QIO、 Qll組成，隔離續(xù)流模塊 由Q12、 Q13、 D7和D8組成，負(fù)向復(fù)位電路由Q14、 Q15、 Q16、 Q17、 VR4、 VR5、 VR6、 VR7和D12組成，尋址模塊由Q18、 Q19、 Q20、 D9、 DIO、 Dll組 成，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊由D13、 Q21、 Q22、 IC2組成，行芯片模塊由IC1組成； 上述正電壓能量恢復(fù)模塊通過電感Ll的一端輸出與正電壓維持模塊輸出端 (即MOSFET Q3的源極與MOSFET Q4漏極連接點(diǎn))、正向復(fù)位模塊輸出端(即 MOSFET Q6的源極與MOSFET Q7源極連接點(diǎn))以及隔離續(xù)流模塊的一個(gè)輸入 端(即Q12漏極與D8陰極連接點(diǎn))相連，負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊通過電感L2 的一端輸出與負(fù)電壓維持模塊輸出(即Q10的源極與Qll的漏極連接點(diǎn)) 以及隔離續(xù)流模塊一個(gè)輸入端(即Q13源極與D7的陽極連接點(diǎn))相連，負(fù) 向復(fù)位模塊輸出端(即D12的陽極)與隔離續(xù)流模塊的一輸出端(即Q13 漏極與D8陽極連接點(diǎn))、尋址模塊電路的一個(gè)輸出端(即D9陰極與D10陽 極連接點(diǎn))相互連接與行芯片模塊的一個(gè)輸入端相連，尋址模塊電路的另 一輸出端(即Dll陽極)與隔離續(xù)流模塊的一個(gè)輸出端(即Q12源極與D7 陰極連接點(diǎn))與行芯片模塊的另一輸入端相連；數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊的輸出為列 芯片IC2的輸出或者Q21源極與Q22漏極的連接點(diǎn)。
圖5中上述所提及的模塊的控制輸入端是圖1中所標(biāo)注的Rl、 Gl、 Bl、 R2、 G2、 B2、 C0H、 C0L、 CCLK、 CSTB、 CP0C、 CBLK禾卩XEPH、 XEPL、 XSPH、 XSPL、 XPRH、 XPRH1、 XPRH2、 XENH、 XENL、 XSNH、 XSNL、 XSWP、 XSWN、 XVG2、 XVG21、 XVG22、 XVG23、 XVG1、 XAD1、 XAD2、 XSTB、 XBLK、 XCLK、 XSI、 XHIZ 這37個(gè)控制信號(hào)，這些控制信號(hào)都是由邏輯控制電路a產(chǎn)生，直流高壓電 源模塊11提供圖2、圖6中所標(biāo)注的VPS、 VPP、 VNS、 VNP、 VNA、 VER、 VA 這7組高壓。
通過執(zhí)行用戶程序，圖3所示的邏輯控制電路a控制圖5所示的高壓 波形產(chǎn)生電路b，可以產(chǎn)生圖2所示的驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板所 需要的基本驅(qū)動(dòng)波形，也可以產(chǎn)生圖6所示的選擇性擦除尋址波形。下面 將按照驅(qū)動(dòng)波形的四個(gè)階段(Tl、 T2、 T3、 T4)分別詳細(xì)描述通過有效控 制高壓波形產(chǎn)生電路b產(chǎn)生圖2所示的驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板 所需要的四個(gè)波形階段。
發(fā)生基本驅(qū)動(dòng)波形T3的控制流程如下在T3之前，M0SFET中的Q4、 QIO、 Q12、 Q13處于打開導(dǎo)通狀態(tài)，其余所有MOSFET都處于關(guān)閉截至狀態(tài)， 這時(shí)行驅(qū)動(dòng)芯片地端、電源端保持系統(tǒng)接地GND，所有掃描驅(qū)動(dòng)芯片輸出為 GND;進(jìn)入T3之前100ns，首先關(guān)閉Q4、 Q13，進(jìn)入T3時(shí)打開Q1，電容Cl 上存儲(chǔ)的能量通過電流流向路徑Cl-Ql-D1-L1-Q12-IC1-Cp給Cp進(jìn)行充電， 充電過程(該過程時(shí)間長(zhǎng)度由Ll和Cp的大小所決定)，稱為正向能量恢復(fù) 上升時(shí)間)結(jié)束時(shí)，掃描芯片輸出端電壓可以很接近VPS,此時(shí)關(guān)閉Ql， 打開Q3， VPS通過VPS-D3-Q3-Q12-ICl-Cp給Cp提供VPS電源，用以提供 金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板內(nèi)部單元放電所需的能量，Q3打開的時(shí)間長(zhǎng) 度(稱為正向維持時(shí)間)可以根據(jù)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的具體情 況以及維持頻率要求靈活選擇；正向維持時(shí)間結(jié)束時(shí)關(guān)閉Q3，然后打開Q2， Cp上由原先充電所得的能量反過來通過電流流向路徑 Cp-ICl-D8-LI-D2-Q2-C1進(jìn)行放電，將能量回收到Cl中，放電結(jié)束的時(shí)候， 掃描芯片輸出端電壓可以很接近GND，該放電時(shí)間長(zhǎng)度(正向能量恢復(fù)下降
時(shí)間)主要由Ll和Cp的大小所決定， 一般大小取與正向能量恢復(fù)上升時(shí) 間基本相等，正向能量恢復(fù)下降時(shí)間結(jié)束后，關(guān)閉Q2，然后打開Q4， Q13， 使掃描芯片IC1輸出到Cp上的電壓鉗位在GND，此時(shí)只有Q4、 QIO、 Q12、 Q13四個(gè)MOSFET處于打開狀態(tài)，其余MOSFET都處于關(guān)閉狀態(tài)，以上整個(gè)過 程構(gòu)成T3期的一個(gè)正向維持脈沖；200ns之后，首先關(guān)閉Q12、 QIO，然后 打開Q9， Cp通過電流流向路徑Cp-IC1-Q13-L2-D5-Q9-C2對(duì)C2進(jìn)行充電， 將能量回收到C2中，該過程(稱為負(fù)向能量恢復(fù)下降時(shí)間，主要由L2和 Cp的大小所決定)結(jié)束的時(shí)候，掃描芯片輸出端電壓可以很接近VNS，此 時(shí)關(guān)閉Q9，打開Qll，電源VNS通過VNS-D6-Qll-Q13-IC1-Cp給Cp提供VNS 電源，用以提供金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板內(nèi)部單元放電所需的能量， Qll打開的時(shí)間長(zhǎng)度(稱為負(fù)向維持時(shí)間)可以根據(jù)金屬網(wǎng)板型等離子體顯 示平板的具體情況以及維持頻率要求靈活選擇，這里考慮驅(qū)動(dòng)波形的對(duì)稱 性一般取負(fù)向維持時(shí)間等于正向維持時(shí)間，負(fù)向維持時(shí)間結(jié)束時(shí)首先關(guān)閉 Qll，然后打開Q8，電容C2上存儲(chǔ)的能量通過電流流向路徑 C2-Q8-D4-L2-D7-ICl-Cp給Cp進(jìn)行充電，該過程(稱為負(fù)向能量恢復(fù)上升 時(shí)間)時(shí)間長(zhǎng)度主要由L2和Cp的大小所決定，考慮波形的對(duì)稱性，取L1二L2， 這樣正向能量恢復(fù)上升時(shí)間、正向能量恢復(fù)下降時(shí)間、負(fù)向能量恢復(fù)下降 時(shí)間、負(fù)向能量恢復(fù)上升時(shí)間基本相等；負(fù)向能量恢復(fù)上升時(shí)間結(jié)束時(shí)， 關(guān)閉Q8，然后打開QIO、 Q12，使掃描芯片IC1輸出到Cp上的電壓鉗位在 GND，此時(shí)只有Q4、 QIO、 Q12、 Q13四個(gè)MOSFET處于打開狀態(tài)，其余MOSFET 都處于關(guān)閉狀態(tài)，以上整個(gè)過程構(gòu)成T3期的一個(gè)負(fù)向維持脈沖；需要說明 的是，由于IC1的電源和地之間的寄生二極管的存在，使得在整個(gè)T3時(shí)期， IC1的電源和地電壓基本相等，T3過程對(duì)Cp的充、放電電流都是從IC1內(nèi) 部寄生二極管流過的。 一個(gè)正向維持脈沖和一個(gè)負(fù)向維持脈沖組成一個(gè)維 持脈沖組，多個(gè)維持脈沖組組成一個(gè)維持期，即T3。
發(fā)生基本驅(qū)動(dòng)波形T1的控制流程如下進(jìn)入T1之前，只有Q4、 QIO、 Q12、 Q13四個(gè)MOSFET處于打開狀態(tài)，其余MOSFET都處于關(guān)閉狀態(tài)，使得 行驅(qū)動(dòng)芯片地端、電源端保持系統(tǒng)接地GND，所有掃描驅(qū)動(dòng)芯片輸出為GND，首先關(guān)閉Q4、 Q13，然后打開Q6、 Q7，完成復(fù)位斜波上升的準(zhǔn)備工作，然
后打開Q5，此時(shí)進(jìn)入T1的第一段上升斜波，由于電阻VR1、 VR2、 VR3并聯(lián) 電阻很小，第一段上升斜波的斜率很陡，第一段上升斜波結(jié)束時(shí)，關(guān)閉Q7， 進(jìn)入T1的第二段上升斜波，由于電阻VR1、 VR2的并聯(lián)電阻比VR1、 VR2、 VR3的并聯(lián)電阻大，第二段上升斜波斜率比第一段上升斜波的斜率小，第二 段上升斜波結(jié)束時(shí)，關(guān)閉Q5，進(jìn)入T1的第三段上升斜波，由于電阻VR1比 VR1、 VR2的并聯(lián)電阻大，第三段上升斜波斜率比第二段上升斜波的斜率更 小，三段斜波上升結(jié)束后，掃描芯片輸出端電壓可以很接近VPP，以上過程 構(gòu)成T1期的斜波上升期；之后，關(guān)閉Q5、 Q12，然后打開Q4、 Q15、 Q16， Q17迸行T3期斜波下降的準(zhǔn)備工作，然后打開Q14，進(jìn)入第一段下降斜波， 由于電阻VR4、 VR5、 VR6、 VR7并聯(lián)電阻很小，第一段下降斜波的斜率很陡， 第一段下降斜波結(jié)束時(shí)，關(guān)閉Q17，進(jìn)入第二段下降斜波，由于電阻VR4、 VR5、 VR6并聯(lián)電阻比VR4、 VR5、 VR6、 VR7并聯(lián)電阻小，第二段下降斜波斜 率比第一段下降斜波斜率小，第二段下降斜波結(jié)束時(shí)，關(guān)閉Q16，進(jìn)入第三 段下降斜波斜，由于電阻VR4、 VR5比VR4、 VR5、 VR6并聯(lián)電阻小，第三段 下降斜波斜率比第二段下降斜波斜率更小，第三段下降斜波結(jié)束時(shí)，關(guān)閉 Q15,進(jìn)入第四段下降斜波斜，由于電阻VR4比VR4、 VR5并聯(lián)電阻小，第 四段下降斜波斜率比第三段下降斜波斜率更小，以上過程構(gòu)成T1期的斜波 下降期；斜波上升期和斜波下降期組成整個(gè)Tl復(fù)位期。在T1結(jié)束時(shí)，掃 描芯片輸出端電壓達(dá)到VNP時(shí)，關(guān)閉Q14。
發(fā)生基本驅(qū)動(dòng)波形T2的控制流程如下首先由發(fā)生基本驅(qū)動(dòng)波形Tl 結(jié)束狀態(tài)時(shí)可知驅(qū)動(dòng)波形處于VNP電位，只有Q4、Q11打開。打開Q18、 Q19、 Q20，這時(shí)候行芯片IC1的電源端接VNA電位，地端接VNP電位，VNA-VNP 的電壓差構(gòu)成行芯片的工作電壓，該電壓由芯片的耐電壓特性所決定，實(shí) 際驅(qū)動(dòng)中，VNA大于VNP，這樣在VNP確定下來的時(shí)候可以選擇合適的VNA， 行芯片施加工作電壓后，在行芯片控制信號(hào)XSTB、 XBLK、 XCLK、 XSI、 XHIZ 控制下，行芯片移位輸出尋址脈沖到行掃描電極上，相應(yīng)列數(shù)據(jù)電極的輸 出電壓幅度為VA的數(shù)據(jù)，這樣可以完成金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板上相
應(yīng)像素點(diǎn)的尋址點(diǎn)火，尋址點(diǎn)火的脈寬寬度主要由金屬網(wǎng)板型等離子體顯
示平板的特性所決定。尋址結(jié)束的時(shí)候，先關(guān)閉Q10、 Q20，再打開Q13， 使得行芯片電源、地端都連接電壓VNA，接著關(guān)閉Q18、 Q19，然后打開QIO、 Q12，使得掃描電極輸出鉗位到GND。
發(fā)生基本驅(qū)動(dòng)波形T4的控制流程如下T4之前，只有Q4、 Q10、 Q12、 Q13四個(gè)M0SFET處于打開狀態(tài)，先關(guān)閉Q12、 Q13,打開Q15，進(jìn)行T4開始 的準(zhǔn)備工作，然后打開Q14，進(jìn)入斜波下降階段，斜波下降一段時(shí)間后，關(guān) 閉Q14，該下降時(shí)間必須通過實(shí)驗(yàn)精確給出，使得電壓正好下降到VNS附近 是關(guān)閉Q14，形成沒有完全下降到VNP的下降斜波。當(dāng)電壓下降到VNS后關(guān) 閉Q14，再關(guān)閉Q15，然后打開Q12、 Q13,使得掃描電極輸出鉗位到GND。
圖2中驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板所需的基本波形T1、 T2、 T3、 T4都可以通過有效控制高壓波形產(chǎn)生電路b而產(chǎn)生，構(gòu)成本實(shí)用新型的實(shí) 施例1 。
圖6所示的驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板選擇性擦除尋址波形也 可以通過改變電源連接和控制驅(qū)動(dòng)電路，使得圖2中尋址期上移而產(chǎn)生， 此時(shí)需要將VNP、 VNA接到GND，這構(gòu)成本實(shí)用新型的實(shí)施例2。
對(duì)于圖5所示的電源VNP可以等于系統(tǒng)的最低電壓(小于VNS)，也可 以等于VNS，還可以等于GND，不同的電源接法可以產(chǎn)生不同波形，但控制 流程有所差別，在實(shí)施例1中選擇VNP等于系統(tǒng)的最低電壓(小于VNS)， 在實(shí)施例2中選擇VNP等于GND，當(dāng)VNP等于VNS時(shí)，構(gòu)成本實(shí)用新型的實(shí) 施例3。
在以上實(shí)施例中，VNA電壓是變化的，只要滿足VNA-VER的電壓差不變， 該電壓差就是行芯片的工作電壓。
權(quán)利要求1、一種金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板測(cè)試用多功能驅(qū)動(dòng)電路，其特征是它主要由邏輯控制電路(a)、高壓波形產(chǎn)生電路(b)組成，邏輯控制電路(a)的兩個(gè)輸出端分別接到高壓波形產(chǎn)生電路(b)的兩個(gè)輸入端，高壓波形產(chǎn)生電路(b)的兩個(gè)輸出端分別接金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的行掃描電極和列數(shù)據(jù)電極；所述的邏輯控制電路(a)由可編程邏輯芯片組成，它的兩個(gè)輸出端經(jīng)過驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)后分別輸出兩組數(shù)字開關(guān)信號(hào)R1、G1、B1、R2、G2、B2、COH、COL、CCLK、CSTB、CPOC、CBLK和XEPH、XEPL、XSPH、XSPL、XPRH、XPRH1、XPRH2、XENH、XENL、XSNH、XSNL、XSWP、XSWN、XVG2、XVG21、XVG22、XVG23、XVG1、XAD1、XAD2、XSTB、XBLK、XCLK、XSI、XHIZ，這兩組數(shù)字開關(guān)信號(hào)控制高壓波形產(chǎn)生電路(b)分別產(chǎn)生合適的列數(shù)據(jù)波形和行掃描波形來驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板進(jìn)行圖像顯示；所述的高壓波形產(chǎn)生電路(b)由正電壓能量恢復(fù)模塊(1)、正電壓維持模塊(2)、正向復(fù)位模塊(3)、負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊(4)、負(fù)電壓維持模塊(5)、隔離續(xù)流模塊(6)、負(fù)向復(fù)位模塊(7)、尋址模塊(8)、行芯片模塊(9)、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊(10)、電源模塊(11)所組成，它們所需的輸入控制信號(hào)XEPH、XEPL、XSPH、XSPL、XPRH、XPRH1、XPRH2、XENH、XENL、XSNH、XSNL、XSWP、XSWN、XVG2、XVG21、XVG22、XVG23、XVG1、XAD1、XAD2、XSTB、XBLK、XCLK、XSI、XHIZ、COH、COL、CCLK、CSTB、CPOC及CBLK由邏輯控制電路(a)提供，其中正電壓維持模塊(2)、正向復(fù)位模塊(3)、負(fù)電壓維持模塊(5)、負(fù)向復(fù)位模塊(7)、尋址模塊(8)、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊(10)所需的高壓信號(hào)VPS、VPP、VNS、VNP、VNA、VER、VA由直流高壓電源模塊(11)提供，正向復(fù)位模塊(3)的輸出端、正電壓維持模塊(2)的輸出端、正電壓能量恢復(fù)模塊(1)的輸出端一起與隔離續(xù)流模塊(6)的一個(gè)輸入端相連，負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊(4)的輸出端、負(fù)電壓維持模塊(5)的輸出端一起與隔離續(xù)流模塊(6)的另一個(gè)輸入端相連，隔離續(xù)流模塊(6)的一個(gè)輸出端與尋址模塊(8)的一個(gè)輸出端一起與行芯片模塊(9)的一個(gè)輸入端相連，隔離續(xù)流模塊(6)的另一個(gè)輸出端、尋址模塊(8)的另一個(gè)輸出端及負(fù)向復(fù)位模塊(7)輸出端一起與行芯片模塊(9)的另一個(gè)輸入端相連，行芯片模塊(9)的輸出端與金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板對(duì)應(yīng)的行掃描電極相連，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊(10)的輸出端與金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板對(duì)應(yīng)的列數(shù)據(jù)電極相連。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板測(cè)試用多功能驅(qū)動(dòng) 電路，其特征是所述的數(shù)字開關(guān)信號(hào)R1、 Gl、 Bl、 R2、 G2、 B2、 C0H、 C0L、 CCLK、 CSTB、 CP0C、 CBLK是數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊(10)的輸入控制信號(hào)，XEPH、 XEPL是正電壓能量恢復(fù)模塊(1)的輸入控制信號(hào)，XSPH、 XSPL是正電壓 維持模塊(2)的輸入控制信號(hào)，XPRH、 XPRH1、 XPRH2是正向復(fù)位模塊(3) 的輸入控制信號(hào)，XENH、 XENL是負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊(4)的輸入控制信號(hào)， XSNH、 XSNL是負(fù)電壓維持模塊(5)的輸入控制信號(hào)，XSWP、 XSWN是隔離 續(xù)流模塊(6)的輸入控制信號(hào)，XVG2、 XVG21、 XVG22、 XVG23是負(fù)向復(fù)位 模塊(7)的輸入控制信號(hào)，XVG1、 XAD1、 XAD2是尋址模塊(8)的輸入控 制信號(hào)，XSTB、 XBLK、 XCLK、 XSI、 XHIZ是行芯片模塊(9)的輸入控制信 號(hào)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板測(cè)試用多功能驅(qū)動(dòng) 電路，其特征是所述的正電壓能量恢復(fù)模塊(1)由電容C1、場(chǎng)效應(yīng)管Q1、 場(chǎng)效應(yīng)管Q2、 二極管D1、 二極管D2和電感L1所組成，正電壓能量恢復(fù)模 塊(1)的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q1、 Q2對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路(a)的 數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XEPH和XEPL，正電壓能量恢復(fù)模塊(1)的輸出通過 電感L1的一端引出與正向復(fù)位模塊(3)的輸出端、正電壓維持模塊(2) 的輸出端一起與隔離續(xù)流模塊(6)的一個(gè)輸入端相連。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板測(cè)試用多功能驅(qū)動(dòng) 電路，其特征是所述的正電壓維持模塊(2)由二極管D3、場(chǎng)效應(yīng)管Q3、 Q4組成，正電壓維持模塊(2)的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q3、 Q4對(duì)應(yīng)的柵極引出 接邏輯控制電路(a)的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XSPH、 XSPL，正電壓維持模塊(2)的輸出從場(chǎng)效應(yīng)管Q3的源極、Q4的漏極的連接點(diǎn)引出與正向復(fù)位模塊(3)的輸出端、正電壓能量恢復(fù)模塊(1)的輸出端即電感L1的一端一起與隔離續(xù)流模塊(6)的一個(gè)輸入端相連，正電壓維持模塊(2)的高壓 信號(hào)VPS的輸入端從二極管D3的陽極引出接直流高壓電源模塊(11)對(duì)應(yīng) 輸出端；所述的正向復(fù)位模塊(3)由場(chǎng)效應(yīng)管Q5、 Q6、 Q7和可變電阻VR1、 VR2、 VR3組成，正向復(fù)位模塊(3)的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q5、 Q6、 Q7對(duì)應(yīng)的 柵極引出接邏輯控制電路(a)的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XPRH、 XPRH1、 XPRH2， 正向復(fù)位模塊(3)的輸出從場(chǎng)效應(yīng)管Q6的源極、Q7的源極、可變電阻VR1 的一端的連接點(diǎn)引出與正電壓能量恢復(fù)模塊(1)的輸出端即Ll的一端、 正電壓維持模塊(2)的輸出端一起與隔離續(xù)流模塊(6)的一個(gè)輸入端相 連，正向復(fù)位模塊(3)的高壓信號(hào)VPP的輸入端從場(chǎng)效應(yīng)管Q5的漏極引 出接直流高壓電源模塊(11)的對(duì)應(yīng)輸出端。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板測(cè)試用多功能驅(qū)動(dòng) 電路，其特征是所述的負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊(4)由電容C2、場(chǎng)效應(yīng)管Q8、 Q9、 二極管D4、 D5和電感L2組成，它的輸入通過場(chǎng)效應(yīng)管Q8、 Q9對(duì)應(yīng)的 柵極引出接邏輯控制電路(a)的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XENH、 XENL，它的輸 出通過電感L2的一端引出并且與負(fù)電壓維持模塊(5)的輸出端、隔離續(xù) 流模塊(6)的一個(gè)輸入端連在一起；所述的負(fù)電壓維持模塊(5)由場(chǎng)效 應(yīng)管QIO、 Q11和二極管D6組成，它的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管QIO、 Qll對(duì)應(yīng)的柵 極引出接邏輯控制電路(a)的數(shù)字開關(guān)信號(hào)端XSNH、 XSNL，它的輸出從場(chǎng) 效應(yīng)管Q10的源極、Q11的漏極的連接點(diǎn)引出并且與負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊(4) 的輸出端即電感L2的一端、隔離續(xù)流模塊(6)的一個(gè)輸入端連在一起； 負(fù)電壓維持模塊(5)的高壓信號(hào)VNS的輸入端從二極管D6的陰極引出接 直流高壓電源模塊(11)的對(duì)應(yīng)輸出端。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板多功能驅(qū)動(dòng)電路裝 置，其特征是所述的隔離續(xù)流模塊(6)由場(chǎng)效應(yīng)管Q12、 Q13， 二極管D7、 D8組成，它的控制輸入分別從場(chǎng)效應(yīng)管Q12、 Q13對(duì)應(yīng)的柵極引出接對(duì)應(yīng)的 邏輯控制電路(a)的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XSWP、 XS麗，它的另外兩路輸入 端分別從場(chǎng)效應(yīng)管Q12的漏極和場(chǎng)效應(yīng)管Q13的源極引出并且分別接正電壓能量恢復(fù)模塊(1)的輸出(即L1的一端)和負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊(4)的輸出(即L2的一端)，它的另兩個(gè)輸出端從場(chǎng)效應(yīng)管Q12的源極和場(chǎng)效 應(yīng)管Q13的漏極引出分別接尋址模塊(8)和負(fù)向復(fù)位模塊(7)。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板測(cè)試用多功能驅(qū)動(dòng) 電路，其特征是所述的負(fù)向復(fù)位電路(7)由場(chǎng)效應(yīng)管Q14、 Q15、 Q16、 Q17、 二極管D12和可變電阻VR4、 VR5、 VR6、 VR7組成；它的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q14、 Q15、 Q16、 Q17對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路(a)的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出 端XVG2、 XVG21、 XVG22、 XVG23,其輸出從二極管D12的陽極引出與隔離續(xù) 流模塊(6)的一個(gè)輸出端、行芯片模塊(9)的一個(gè)輸入端、尋址模塊(8) 的一個(gè)輸出端相連；負(fù)向復(fù)位電路(7)的高壓信號(hào)VNP從場(chǎng)效應(yīng)管Q15、 Q16、 Q17的源極連接點(diǎn)引出接直流高壓電源模塊(11)的對(duì)應(yīng)輸出端。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板測(cè)試用多功能驅(qū)動(dòng) 電路，其特征是所述的尋址模塊(8)由場(chǎng)效應(yīng)管Q18、 Q19、 Q20和二極管 D9、 DIO、 Dll組成，它的輸入端從場(chǎng)效應(yīng)管Q18、， Q19、 Q20對(duì)應(yīng)的柵極引 出接邏輯控制電路(a)的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XAD1、 XAD2、 XVG1，它的一 個(gè)輸出從二極管D9的陰極、D10的陽極的連接點(diǎn)引出與隔離續(xù)流模塊(6) 的一個(gè)輸出端、負(fù)向復(fù)位電路(7)的輸出端、行芯片模塊(9)的一個(gè)輸 入端相連，它的另一個(gè)輸出端從Dll的陽極引出與隔離續(xù)流模塊(6)的另 一個(gè)輸出端、行芯片模塊(9)的一個(gè)輸入端連在一起；尋址模塊(8)的 高壓信號(hào)輸入端VNA、 VER分別從場(chǎng)效應(yīng)管Q18、 Q19的源極的連接點(diǎn)以及 場(chǎng)效應(yīng)管Q20的源極引出接直流高壓電源模塊(11)的對(duì)應(yīng)輸出端。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板測(cè)試用多功能驅(qū)動(dòng) 電路，其特征是所述的行芯片模塊(9)由行芯片IC1組成，它的一個(gè)輸入 端與隔離續(xù)流模塊(6)的一個(gè)輸出端、尋址模塊(8)的一個(gè)輸出端連在 一起，另外一個(gè)輸入端與隔離續(xù)流模塊(6)的另一個(gè)輸出端、負(fù)向復(fù)位電 路(7)的輸出端、尋址模塊(8)的另一個(gè)輸出端連在一起；行芯片模塊(9)的控制信號(hào)由邏輯控制電路(a)的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XSTB、 XBLK、 XCLK、 XSI、 XHIZ提供；行芯片模塊(9)的輸出端接金屬網(wǎng)板型等離子體 顯示平板的行掃描電極。
10、根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板測(cè)試用多功能驅(qū)動(dòng)電路，其特征是所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊(10)由場(chǎng)效應(yīng)管Q21、 Q22、 二極 管D13、列芯片IC2組成，它的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q21、 Q22對(duì)應(yīng)的柵極引出 接邏輯控制電路(a)的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端COH、 C0L，它的輸出端接金屬 網(wǎng)板型等離子體顯示平板的列數(shù)據(jù)電極；列芯片IC2的輸入控制信號(hào)接邏 輯控制電路(a)的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端CCLK、 CSTB、 CP0C及CBLK;數(shù)據(jù) 驅(qū)動(dòng)模塊(10)的高壓信號(hào)VA的輸入端從二極管D13的正極引出接直流高 壓電源模塊(11)對(duì)應(yīng)輸出端。
專利摘要一種金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板檢測(cè)測(cè)試用多功能驅(qū)動(dòng)電路，屬于顯示器技術(shù)領(lǐng)域，它由邏輯控制電路(a)、高壓波形產(chǎn)生電路(b)組成，邏輯控制電路(a)由可編程邏輯芯片和驅(qū)動(dòng)芯片74HC541組成，高壓波形產(chǎn)生電路(b)由正電壓能量恢復(fù)模塊(1)、正電壓維持模塊(2)、正向復(fù)位模塊(3)、負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊(4)、負(fù)電壓維持模塊(5)、隔離續(xù)流模塊(6)、負(fù)向復(fù)位模塊(7)、尋址模塊(8)、行芯片模塊(9)、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊(10)、電源模塊(11)所組成。該電路裝置通過產(chǎn)生合適的列數(shù)據(jù)波形和行掃描波形來驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板進(jìn)行圖像顯示。
文檔編號(hào)G09G3/288GK201072644SQ20072003855
公開日2008年6月11日 申請(qǐng)日期2007年7月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月13日
發(fā)明者忠 吳, 夏興隆, 雄 張, 朱立鋒, 湯勇明, 王保平 申請(qǐng)人:南京華顯高科有限公司