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使用水平偏移寄存器產(chǎn)生重復輸出信號以顯示影像的系統(tǒng)的制作方法

文檔序號:2593337閱讀:215來源:國知局
專利名稱:使用水平偏移寄存器產(chǎn)生重復輸出信號以顯示影像的系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示影像,特別是涉及通過使用水平偏移寄存器產(chǎn)生重復輸 出信號以顯示影像的系統(tǒng)。
背景技術(shù)
通常而言,液晶顯示器(liquid crystal display, LCD)使用電性區(qū)域 (electric field)以控制液晶材料的光傳輸特性。因此,LCD包含一液晶顯 示面板以及驅(qū)動電路,其中液晶顯示面板包含排列成矩陣圖案的液晶顯示單 元 (liquid crystal cell)。柵極線以及數(shù)據(jù)線位于液晶顯示器中且彼此交叉,且液晶單元位于柵極 線和數(shù)據(jù)線的交叉處。而且,液晶顯示面板包含像素電極以及共同電極,以提供電性區(qū)域給每一液晶單元。每一像素電極通過一開關(guān)元件的源極或漏極 以連接至相對應的數(shù)據(jù)線,此開關(guān)元件可為薄膜晶體管等(thin film transistor, TFT)。每一薄膜晶體管的柵極端連接至相對應的柵極線。驅(qū)動電路包含一柵極驅(qū)動器以及一數(shù)據(jù)驅(qū)動器。柵極驅(qū)動器通過連續(xù)的 提供掃描信號至柵極線以連續(xù)驅(qū)動液晶顯示面板上的液晶單元。當掃描信號 被提供至柵極線時,數(shù)據(jù)驅(qū)動器提供一視頻信號至相關(guān)的數(shù)據(jù)線上。通過在 LCD面板中的每一液晶單元的像素電極和共同電極間施加電性區(qū)域,使得影 像得以被顯示。而且,此電性區(qū)域根據(jù)被輸入的影像信號而被施加。一般而言,偏移寄存器最常被用以產(chǎn)生掃描信號。美國專利6157228的 專利披露了包含一偏移寄存器的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路。此專利中的偏移寄存器和 傳統(tǒng)的偏移寄存器比較起來使用了較少的反相器,因此擁有較少的延遲時間 以及較佳的LCD顯示質(zhì)量。然而,此專利中的偏移寄存器使用CMOS結(jié)構(gòu), 而CMOS的制造程序往往需要比較多的光罩,因此其生產(chǎn)率較低。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的實施例提供了 一種顯示影像的系統(tǒng)。此較佳實施例包含一動態(tài)偏移寄存器,此動態(tài)偏移寄存器具有一第一開關(guān)電路、 一電平調(diào)整電路、一 第二開關(guān)電路、 一第三開關(guān)電路、 一第四開關(guān)電路以及一第五開關(guān)電路。第 一開關(guān)電路,耦接至動態(tài)偏移寄存器的一第一輸入端、動態(tài)偏移寄存器的一 第一輸出端、 一第一供應電壓以及一第一節(jié)點,用以根據(jù)第一輸入端所接收 的 一第 一輸入信號以及輸出端所輸出的 一輸出信號以控制第 一供應電壓是 否被傳輸至第一節(jié)點。電平調(diào)整電路耦接于第一節(jié)點以及一第二供應電壓之 間。當?shù)谝婚_關(guān)電路關(guān)閉時,電平調(diào)整電路可將第一節(jié)點的一電壓電平調(diào)整 至第二供應電壓。第二開關(guān)電路,耦接至第一節(jié)點、第一供應電壓以及一第 二節(jié)點,并根據(jù)第一節(jié)點的電壓電平控制第一供應電壓是否被傳輸至第二節(jié) 點。第三開關(guān)電路,耦接至第一輸入信號以及第二節(jié)點,并根據(jù)第一輸入信 號控制第一輸入信號是否被傳輸至第二節(jié)點。第四開關(guān)電路,耦接至第一節(jié) 點、第一供應電壓以及輸出端,并根據(jù)該第一節(jié)點的電壓電平控制第一供應 電壓是否被傳輸至輸出端。第五開關(guān)電路,耦接至動態(tài)偏移寄存器的一第二 輸入端、第二節(jié)點以及輸出端,并根據(jù)第二節(jié)點的一電壓電平控制第二輸入 端所接收的第二輸入信號是否被傳輸至輸出端。因此,本發(fā)明所披露的動態(tài)偏移寄存器使用單一型式的金屬氧化物半導 體以實現(xiàn)此電路,也就是說,都使用N型金屬氧化物半導體或P型金屬氧化 物半導體其中一種型態(tài)。因此,動態(tài)偏移寄存器的制造過程會變得較容易并可增加產(chǎn)量。而且,與具有CMOS結(jié)構(gòu)的偏移寄存器比較起來,本發(fā)明的動 態(tài)偏移寄存器可具有較少的晶體管,故大幅的降低了產(chǎn)品成本。而使用上述 動態(tài)偏移寄存器所實施的水平偏移寄存器電路也可具有上述的優(yōu)點。


圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的動態(tài)偏移寄存器。圖2示出了圖1所示的動態(tài)偏移寄存器的輸入信號和輸出信號的波形。圖3為根據(jù)本發(fā)明的水平偏移寄存器。圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的水平偏移寄存器的輸入信號Sth以及時鐘信號 CK1、 CK2、 CK3的波形。圖5示出了圖3所示的水平偏移寄存器的輸出信號的波形。圖6示出了可用以顯示根據(jù)本發(fā)明較佳實施例的可顯示影像的系統(tǒng)。附圖符號說明600動態(tài)偏移寄存器601、 602、 603、 604、 605、 607、 608、 609 、 610、 611、 612、 613、 614、 615 P型金屬氧化物半導體 606開關(guān)門電路 620第一開關(guān)電路 630電平調(diào)整電路 640第二開關(guān)電路 650第三開關(guān)電路 660第四開關(guān)電路 670第五開關(guān)電路 800水平偏移寄存器810、 820、 830、 840、 850、 860動態(tài)偏移寄存器900電子裝置902水平偏移寄存器904顯示面斗反具體實施方式
在說明書及權(quán)利要求中使用了某些詞匯來指稱特定的元件。本領(lǐng)域技術(shù) 人員應可理解,硬件制造商可能會用不同的名詞來稱呼同一個元件。本說明 書及權(quán)利要求并不以名稱的差異來作為區(qū)分元件的方式,而是以元件在功能 上的差異來作為區(qū)分的準則。在通篇說明書及權(quán)利要求當中所提及的"包含" 為一開放式的用語,故應解釋成"包含但不限定于"。以外,"耦接" 一詞 在此包含任何直接及間接的電氣連接手段。因此,若文中描述一第一裝置耦 接于一第二裝置,則代表該第一裝置可直接電氣連接于該第二裝置,或通過 其它裝置或連接手段間接地電氣連接至該第二裝置。請參考圖1,圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的動態(tài)偏移寄存器。 動態(tài)偏移寄存器600在輸入端Inl接收一輸入信號Sl,輸入端Inl耦接至P 型金屬氧化物半導體601,而P型金屬氧化物半導體601形成了第一開關(guān)電 路620的一部分。輸入信號Sl用以控制P型金屬氧化物半導體601,如圖2 所示。請參考圖1和圖2,當輸入信號Sl在時間點tl從高電平(也就是路630包含兩P型金屬氧化物半 導體602和603,其彼此串聯(lián)且都由相對低電壓VG所控制。當?shù)谝婚_關(guān)電路 620關(guān)閉時,P型金屬氧化物半導體602和603通常會造成節(jié)點Nl的低電壓。 換句話說,在輸入信號Sl在時間點tl從高電平轉(zhuǎn)變成低電平之前,節(jié)點Nl 的電壓電平等于VG。而且,P型金屬氧化物半導體601的方位比(aspect ratio)會被設(shè)計成大于P型金屬氧化物半導體602和603的方位比。因此, P型金屬氧化物半導體601的驅(qū)動電流會大于P型金屬氧化物半導體602和 603的驅(qū)動電流。因此,當P型金屬氧化物半導體601在時間點tl導通時, 第一開關(guān)電路620導通,使得在節(jié)點Nl的電壓電平被拉高至高于VG的電壓 電平VD。如圖1所示,第三開關(guān)電路650包含兩P型金屬氧化物半導體604和 605,其彼此串聯(lián)且由輸入信號Sl所控制。因此,在輸入信號S1從高電平 切換成低電平后,第三開關(guān)電路650被導通,使得輸入信號Sl通過兩P型 金屬氧化物半導體604和605而被傳遞至節(jié)點N2,使得節(jié)點似的電壓電平 與輸入信號Sl的電壓電平相同。然后節(jié)點N2的電壓電平通過通常導通的開 關(guān)門電路606,此開關(guān)門電路606由兩P型金屬氧化物半導體607和608所 構(gòu)成,而P型金屬氧化物半導體607和608的柵極耦接至低電壓VG。在通過 通常導通的開關(guān)門電路606后,節(jié)點N2的電壓電平被一第五開關(guān)電路670 所接收,第五開關(guān)電路670具有兩P型金屬氧化物半導體609和610,此兩 P型金屬氧化物半導體彼此串聯(lián)且位于一輸出端OUT和一第二輸入端In2之 間。根據(jù)節(jié)點N2的電壓電平,第五開關(guān)電路670被導通。第二輸入端In2 接收一第二輸入信號S2,其波形如圖2所示。當輸入信號Sl的電壓電平為 低時,P型金屬氧化物半導體6Q4和605都導通,使得輸入信號Sl通過兩P 型金屬氧化物半導體604和605以及通常導通的開關(guān)門電路606而傳送至P 型金屬氧化物半導體609和610。換句話說,當?shù)谝惠斎胄盘朣l為低電壓電 平時,此兩P型金屬氧化物半導體609和610導通,使得第二輸入信號S2 被傳送至輸出端OUT。請參考圖2,當在時間點tl到t2,第一輸入信號Sl 為低電壓電平時,在第二輸入端In2被接收的第二輸入信號S2直接被傳輸 至輸出端OUT,使得輸出信號So相等于第二輸入信號S2。請參考圖1,輸出端0UT還被耦接至P型金屬氧化物半導體611的柵極, 其形成了第一開關(guān)電路620的另一部分。P型金屬氧化物半導體611與P型 金屬氧化物半導體601平行連接,且P型金屬氧化物半導體611的源極耦接 至電壓電平VD,漏極耦接至節(jié)點N1。 P型金屬氧化物半導體611由輸出信號 So所控制,因此只要輸出信號So在低電壓電平,P型金屬氧化物半導體611 將導通。那就是,P型金屬氧化物半導體611形成輸出信號So的回饋路徑。 若沒有P型金屬氧化物半導體611,節(jié)點Nl的電壓在P型金屬氧化物半導體 601關(guān)閉后將變低,也就是,在第一輸入信號Sl的電壓電平在時間點t3由 低變成高之后,節(jié)點Nl的電壓電平將被拉低至電壓VG。然而,因為P型金 屬氧化物半導體611的存在,當P型金屬氧化物半導體611因輸出信號So 而保持導通時,節(jié)點Nl的電壓電平在時間點t3后仍將維持在高電平。請參 考圖2的時間點t3,雖然第一輸入信號S1從一低電平變成一高電平,第二 輸入信號S2仍然維持在一低電平。之后,P型金屬氧化物半導體601關(guān)閉, 然而P型金屬氧化物半導體611仍然導通。節(jié)點Nl的電壓仍然保持高電平 使得形成第二開關(guān)電路640的P型金屬氧化物半導體612和613被節(jié)點Nl 的電壓電平控制而保持關(guān)閉的狀態(tài)。相反的,當?shù)谝惠斎胄盘朣l的電壓電 平在時間點t3由低變成高之后,兩個P型金屬氧化物半導體關(guān)閉。所以, 因為浮節(jié)點N2的電壓電平并未決定為任何電壓電平,節(jié)點N2的電壓電平仍 然保持在低電平,也就是跟時間點t3之前一樣的狀態(tài)。結(jié)果,P型金屬氧化 物半導體609和610仍然導通,使得第二輸入信號S2得以通過輸出端0UT。當?shù)诙斎胄盘朣2的電壓電平由低變高時,動態(tài)偏移寄存器600的狀 態(tài)也隨著改變。在時間點t4時,第二輸入信號S2的電壓電平由低變高,使 得P型金屬氧化物半導體611關(guān)閉。因此,因為P型金屬氧化物半導體601 和611都關(guān)閉,第一開關(guān)電路620關(guān)閉,且通過P型金屬氧化物半導體602 和603,節(jié)點Nl的電壓電平被拉低。在節(jié)點Nl的電壓從高變低后,P型金 屬氧化物半導體612、 613、 614和615都導通,其中P型金屬氧化物半導體 612、 613、 614和615都由節(jié)點Nl的電壓所控制。在此實施例中,兩P型金 屬氧化物半導體614和615形成一第一開關(guān)電路。因此,在節(jié)點N2的電壓 電平被拉高至高電壓VD。節(jié)點N2的電壓電平使P型金屬氧化物半導體609 和610關(guān)閉;同時,節(jié)點Nl的電壓電平使P型金屬氧化物半導體614和615 導通,使得電壓電平VD被傳輸至輸出端OUT。結(jié)果,若第一輸入信號S1沒有任何的電平變化,在時間點H之后,輸出信號SO的電壓電平仍然保持在 高。易而言之,在第一輸入信號Sl由高變低之前,因為導通的第四開關(guān)電 路660和關(guān)閉的第五開關(guān)電路670,輸出信號So的電壓電平保持在高電平。 然而,若第一輸入信號SI由高變低,則因關(guān)閉的第四開關(guān)電路660和導通 的第五開關(guān)電路670,輸出信號So的電壓電平會因第二輸入信號S2而改變。 如圖2所示,第二輸入信號S2的電平由高變低,使得輸出信號So的電壓電 平由高變低。之后,輸出信號So的電壓電平會隨著第二輸入信號S2的電壓 電平而改變,且即使第一輸入信號S1由低變高,輸出信號So的電壓電平仍 維持在低。當?shù)诙斎胄盘朣2的電平由低變高,輸出信號So的電壓電平變 高,然后導通的第四開關(guān)電路660以及關(guān)閉的第五開關(guān)電路670使輸出信號 So的電壓電平保持在高。通常導通的開關(guān)門電路606包含兩個串聯(lián)的P型金屬氧化物半導體607 和608。 P型金屬氧化物半導體607的源極端耦接至節(jié)點N2,而P型金屬氧 化物半導體608的漏極端耦接至P型金屬氧化物半導體609和610的柵極。 P型金屬氧化物半導體607和608的柵極耦接至低電壓電平VG,使得P型金 屬氧化物半導體607和608為通常導通的狀態(tài)。通常導通的開關(guān)門電路606 的主要功能是為了防止當?shù)诙斎胄盘朣2的電壓電平由高變低之后,節(jié)點 N2的電壓電平被更為拉低。通常而言,第二輸入信號S2的高電壓電平約為 12V,且第二輸入信號S2的低電壓電平約為-6V。因此,當?shù)谝惠斎胄盘朣2 的電壓電平由高變成低之后,會有約18V的激烈電壓變動。若沒有通常導通 的開關(guān)門電路606,則節(jié)點N2的電壓電平將會被這18V的電壓電平所影響, 其會造成晶體管的非預期電壓壓力,使得電路失控。因此,通常導通的開關(guān) 門電路606在動態(tài)偏移寄存器600的電路中扮演了重要的角色。前述實施例中的半導體都為P型金屬氧化物半導體。然而,動態(tài)偏移寄 存器600的電路也可使用N型金屬氧化物半導體。當使用N型金屬氧化物半 導體時,輸入信號以及供應電壓也需要跟著調(diào)整。舉例來說,輸入信號S1、 S2的波形反相。由于這些調(diào)整為本領(lǐng)域技術(shù)人員所知悉,故在此不再贅述。 然而,不論是使用N型或P型金屬氧化物半導體,都可簡化生產(chǎn)過程并增加 生產(chǎn)量。而且,與已知的偏移寄存器如美國專利6157228專利中所述的偏移 寄存器比較起來,動態(tài)偏移寄存器600包含較少的晶體管,而大幅降低了生產(chǎn)成本。本發(fā)明的另一目的為提供一種水平偏移寄存器(horizontal shift register, HSR),用以產(chǎn)生重疊的輸出信號??衫脠D1中所示的動態(tài)偏移 寄存器600以實施水平偏移寄存器。請參考圖3,圖3顯示了根據(jù)本發(fā)明的 水平偏移寄存器,此水平偏移寄存器包含串聯(lián)的動態(tài)偏移寄存器。水平偏移 寄存器800包含動態(tài)偏移寄存器810、 820、 830、 840、 850以及860。此六 個動態(tài)偏移寄存器810、 820、 830、 840、 850以及860僅用以說明,而非用 以限制本發(fā)明的范圍。換句話說,實施在水平偏移寄存器的動態(tài)偏移寄存器 的數(shù)量可依設(shè)計需求而有所不同。初始動態(tài)偏移寄存器,也就是動態(tài)偏移寄 存器810,具有一第一輸入端Inl以接收一輸入信號Sth,其中輸入信號Sth 作為水平偏移寄存器的開始信號。對其他動態(tài)偏移寄存器820、 830、 840、 850以及860而言,都具有耦接至先前動態(tài)偏移寄存器的輸出端的第一輸入 端Inl。動態(tài)偏移寄存器810、 820、 830、 840、 850以及860的每一個都具 有一第二輸入端In2以接收一時鐘信號。如圖3所示,動態(tài)偏移寄存器810 以及840接收時鐘信號CK1,動態(tài)偏移寄存器82Q以及850接收時鐘信號CK2, 動態(tài)偏移寄存器830以及860接收時鐘信號CK3。輸入信號Sth以及時鐘信 號CK1、 CK2、 CK3的波形如圖4所示。根據(jù)前述對每一動態(tài)偏移寄存器的分 析,動態(tài)偏移寄存器810、 820、 830、 840、 850以及860中的每一個都會產(chǎn) 生輸出信號,分別稱為G1至G6,且動態(tài)偏移寄存器810、 820、 830、 840、 850以及860的輸出信號G1至G6在開始信號(也就是輸入信號Sth)的電 壓電平從高變低后可以允許改變;否則,輸出信號G1至G6會保持高電平。 六個輸出信號Gl至G6的波形如圖5所示。結(jié)果,所須重疊輸出信號根據(jù)圖 3中所述的電^^而產(chǎn)生。請參考圖6,圖6示出了可用以顯示根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的影像的 系統(tǒng)。在此實施例中,此系統(tǒng)以一電子裝置900而實現(xiàn)。如圖6所示,電子 裝置900包含一水平偏移寄存器902以及一顯示面板904 (例如一 LCD面 板),其中水平偏移寄存器902為驅(qū)動顯示面板904顯示影像的控制器的一 部分。須注意的是,水平偏移寄存器902的電路結(jié)構(gòu)已在圖3中詳述,故在 此不再贅述。電子裝置900可為一移動電話、 一數(shù)字相機、 一個人數(shù)字助理 (personal data assistant, PDA)、 一筆記型計算機、 一電視、 一車用顯 示器、或可移動的DVD播放器。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例,凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變 化與修飾,皆應屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種用以顯示影像的系統(tǒng),包含一動態(tài)偏移寄存器,包含一第一開關(guān)電路,耦接至該動態(tài)偏移寄存器的一第一輸入端、該動態(tài)偏移寄存器的一第一輸出端、一第一供應電壓以及一第一節(jié)點,用以根據(jù)該第一輸入端所接收的一第一輸入信號以及該輸出端所輸出的一輸出信號以控制該第一供應電壓是否被傳輸至該第一節(jié)點;一電平調(diào)整電路,耦接于該第一節(jié)點以及一第二供應電壓之間,其中當該第一開關(guān)電路關(guān)閉時,該電平調(diào)整電路可將該第一節(jié)點的一電壓電平調(diào)整至該第二供應電壓;一第二開關(guān)電路,耦接至該第一節(jié)點、該第一供應電壓以及一第二節(jié)點,并根據(jù)該第一節(jié)點的該電壓電平控制該第一供應電壓是否被傳輸至該第二節(jié)點;一第三開關(guān)電路,耦接至該第一輸入信號以及該第二節(jié)點,并根據(jù)該第一輸入信號控制該第一輸入信號是否被傳輸至該第二節(jié)點;一第四開關(guān)電路,耦接至該第一節(jié)點、該第一供應電壓以及該輸出端,并根據(jù)該第一節(jié)點的該電壓電平控制該第一供應電壓是否被傳輸至該輸出端;以及一第五開關(guān)電路,耦接至該動態(tài)偏移寄存器的一第二輸入端、該第二節(jié)點以及該輸出端,并根據(jù)該第二節(jié)點的一電壓電平控制該第二輸入端所接收的該第二輸入信號是否被傳輸至該輸出端。
2. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中該動態(tài)偏移寄存器還包含 一開關(guān)門電路,耦接于該第二節(jié)點和該第五開關(guān)電路之間,用以當該第二輸入信號具有一電平變動時,防止該第二節(jié)點的該電壓電平被影響。
3. 如權(quán)利要求2所述的系統(tǒng),其中該開關(guān)門電路包含至少一金屬氧化物 半導體,所述金屬氧化物半導體的第一端耦接至該第二節(jié)點,第二端耦接至 該第五開關(guān)電路,而柵極耦接至該第二供應電壓。
4. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中該第一開關(guān)電路包含彼此平行連接的 一第一開關(guān)單元和一第二開關(guān)單元,該第一開關(guān)單元由該第一輸入信號所控 制,而該第二開關(guān)單元由該輸出信號所控制,當該第一輸入信號或該輸出信號為一第一邏輯電平時,該第一開關(guān)電路開啟,且當該第一輸入信號及該輸 出信號為一第二邏輯電平時,該第一開關(guān)電路關(guān)閉。
5. 如權(quán)利要求4所述的系統(tǒng),其中該第一及第二開關(guān)單元都包含一金屬 氧化物半導體,該第一開關(guān)單元的該金屬氧化物半導體的第一端耦接至該第 一供應電壓,第二端耦接至該第一節(jié)點,而柵極耦接至該第一輸入端,該第 二開關(guān)單元的該金屬氧化物半導體的第一端耦接至該第一供應電壓,第二端 耦接至該第一節(jié)點,而柵極耦接至該輸入端。
6. 如權(quán)利要求5所述的系統(tǒng),其中該電平調(diào)整電路包含至少一金屬氧化物半導體,所述金屬氧化物半導體的第一端耦接至該第一節(jié)點,第二端耦接 至該第二供應電壓,而^[冊極耦接至該第二供應電壓。
7. 如權(quán)利要求6所述的系統(tǒng),其中該第一和第二開關(guān)元件的方位比大于 該電平調(diào)整電路的方位比,使得該第一開關(guān)電路所提供的驅(qū)動電流大于該電 平調(diào)整電路所提供的驅(qū)動電流。
8. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),還包含一顯示面板,其中該動態(tài)寄存器耦 4妄至該顯示面才反并用以驅(qū)動該顯示面氺反。
9. 如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng),還包含一電子裝置,其中該電子裝置包含 該顯示面板以及該動態(tài)寄存器。
10. 如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng),其中該電子裝置為一移動電話、 一數(shù)字 相機、 一個人數(shù)字助理、 一筆記型計算機、 一電視、 一車用顯示器、或可 移動的DVD播放器。
全文摘要
一種使用水平偏移寄存器產(chǎn)生重復輸出信號以顯示影像的系統(tǒng)。此系統(tǒng)的一較佳實施例具有一動態(tài)偏移寄存器。此動態(tài)偏移寄存器包含一第一、第二、第三、第四以及第五開關(guān)電路以及一電平調(diào)整電路。第一開關(guān)電路控制第一開關(guān)電壓是否被傳輸?shù)揭坏谝还?jié)點。當?shù)谝婚_關(guān)電路關(guān)閉時,電平調(diào)整電路將第一節(jié)點的電壓電平調(diào)整至第二供應電壓。第二開關(guān)電路控制第一開關(guān)電壓是否被傳輸?shù)揭坏诙?jié)點。第三開關(guān)電路控制第一開關(guān)電壓是否被傳輸?shù)降诙?jié)點。第四開關(guān)電路控制第一開關(guān)電壓是否被傳輸?shù)捷敵龆?。第五開關(guān)電路控制第二輸入信號是否被傳輸?shù)捷敵龆恕?br> 文檔編號G09G3/36GK101221732SQ20071030219
公開日2008年7月16日 申請日期2007年12月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月5日
發(fā)明者李進弘 申請人:統(tǒng)寶光電股份有限公司
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