專利名稱：電光裝置、其制造方法以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明，涉及用于個(gè)人計(jì)算機(jī)、便攜電話機(jī)等中的電光裝置，該電光 裝置的制造方法以及采用了該電光裝置的電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有，作為個(gè)人計(jì)算機(jī)、便攜電話機(jī)等的電子設(shè)備的顯示裝置而有液 晶裝置等的電光裝置，在該液晶裝置等例如通過倒裝芯片的安裝方式而安
裝半導(dǎo)體ic芯片，
另一方面，近年來個(gè)人計(jì)算機(jī)、便攜電話機(jī)等的電子設(shè)備也要求更小 型化、高性能化，要求使包括基板上的端子的布線的相互間距離更小，即 窄間距化。
于是，提出下述電光裝置具備沿側(cè)緣部排列有多個(gè)輸入端子及多個(gè) 輸出端子的液晶顯示元件基板，和在一面排列有多個(gè)輸入凸起及多個(gè)輸出 凸起的驅(qū)動(dòng)器集成電路；將相對(duì)應(yīng)的多個(gè)輸入端子及多個(gè)輸出端子和多個(gè) 輸入凸起及多個(gè)輸出凸起通過各向異性導(dǎo)電膜進(jìn)行粘接，將驅(qū)動(dòng)器集成電 路倒裝芯片安裝于液晶顯示元件a上；多個(gè)輸出凸起，在排列寬較長方 向上為細(xì)長的三角形狀、五邊形形狀、梯形形狀的任一形狀，每隔一個(gè)構(gòu) 成輸出第1凸起列或輸出第2凸起列地配置為交錯(cuò)狀，并且輸出第2凸起 列的各輸出第2凸起的至少一部分^/v輸出第1凸起列的各輸出第1凸起 間地配置；多個(gè)端子，至少一部分構(gòu)成為相似于相對(duì)應(yīng)的各多個(gè)凸起的形 狀的形狀(例如，參照專利文獻(xiàn)1。)。
專利文獻(xiàn)1特開2000—347206號(hào)公報(bào)(段落"0020",圖1)。
通過上述的專利文獻(xiàn)1的提案而使驅(qū)動(dòng)器集成電路(半導(dǎo)體IC芯片) 的尺寸某種程度小型化，并可以防止相鄰的輸出凸起間隔的電短路的發(fā)生。 但是，在作為顯示用半導(dǎo)體元件采用薄膜晶體管的情況下，由于其結(jié)構(gòu)上 的原因而使設(shè)置于^側(cè)的連接用端子在柵電極側(cè)和源電極側(cè)，會(huì)在距基 板的高度方面產(chǎn)生差異，由于該差異而存在尤其不能改善柵電極側(cè)的連接 用端子和輸出凸起的電可靠性的問題。
另外，例如也可考慮為了改善電可靠性而通過從來自柵電極的布線 換接于與源電極同層且相同的金屬之上而使連接用端子的高度在源電極側(cè) 和柵電極側(cè)為相同，來消除上述的問題。但是，若采用如此的換接，則盡 管需要進(jìn)一步要求布線、連接用端子的窄間距化，使整體的電阻小，但是 仍產(chǎn)生使電阻增加的問題。并且，若設(shè)置該換接則還產(chǎn)生在排列寬較長方 向上變大而不能謀求驅(qū)動(dòng)器集成電路(半導(dǎo)體IC芯片)的小型化的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明，鑒于上述問題所作出，目的在于提供能夠謀求布線、連接用 端子的窄間距化并使各連接用端子的電可靠性提高的電光裝置，該電光裝 置的制造方法以及采用了該電光裝置的電子設(shè)備。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的主要的觀點(diǎn)中的電光裝置，特征在于， 具備M;具有形成于前述基板的顯示用區(qū)域的第1電極，形成于該第 1電極的與前述基仗側(cè)相反側(cè)的第1絕緣層，形成于前述第1絕緣層的與 前述141側(cè)相反側(cè)的第2電極，和形成于前述第2電極的與前^H41側(cè)相 反側(cè)的第2絕緣層的多個(gè)顯示用薄膜晶體管；和配置于從前述141的前述 顯示用區(qū)域伸出的伸出部，具有與前述第1電極同層由相同的金屬構(gòu)成的 第1金屬層，與前述第2電極同層由相同的金屬構(gòu)成、與前述第l金屬層 至少一部分平面相重疊的第2金屬層，和至少還形成于前述第1金屬層和 第2金屬層之間的前述第1絕緣層的多個(gè)連接用端子；前述第1金屬層電 連接于前述第l電極，或者，前述第2金屬層電連接于前述第2電極。在 此，所謂例如是玻璃基板等；所謂"顯示用薄膜晶體管"，例如為 oc-SiTFT (非晶硅Thin Film Transistor,薄膜晶體管)，但是并不限于此，
也可以例如為Poly-SiTFT等。并且，所謂"半導(dǎo)體IC (Integrated Circuit, 集成電路)芯片"，例如指液晶驅(qū)動(dòng)用驅(qū)動(dòng)器等。
本發(fā)明，因?yàn)閷⒍鄠€(gè)連接用端子形成為分別與多個(gè)顯示用薄膜晶體 管的第1及第2電極同層的由相同的金屬構(gòu)成的第1及第2金屬層，至少 一部分平面相重疊，所以在該重疊部分距基板的高度變得相同，能夠提高 向半導(dǎo)體IC芯片的凸起的電連接的可靠性。
例如現(xiàn)有，電連接于TFT的柵電極的輸出用連接用端子比電連接于源 電極的輸出用連接用端子距141的高度低，會(huì)產(chǎn)生向半導(dǎo)體IC芯片的凸 起的電連接未必充分的問題。但是，因?yàn)槿绫景l(fā)明地第l及第2金屬層平
面相重疊，所以能夠在與半導(dǎo)體ic芯片的凸起的連接面使距a的高度
在柵電極和源電極為相同。
并且，因?yàn)樵谶B接用端子自身重疊第l及第2金屬層，所以不必另外 設(shè)置如現(xiàn)有的換接，包括布線而能夠低電阻化，并且進(jìn)一步謀求半導(dǎo)體IC 芯片的小型化。
若依照于本發(fā)明的一個(gè)方式，則特征在于前述多個(gè)連接用端子，在 前述第2金屬層的與前述基板側(cè)相反側(cè)具有透明電極；前述透明電極，至 少與前述第1及第2金屬層的任一個(gè)電連接。由此，下層的第1金屬層也 可以容易地與成為最外層的透明電極進(jìn)行電連接，例如不管是柵電極用的 連接用端子還是源電極用的連接用端子通iiif巨14l的高度變得相同的透明 電極而都能夠進(jìn)行向半導(dǎo)體IC芯片的凸起的電連接。因此，能確保多個(gè) 連接用端子的電可靠性。
并且，還可以對(duì)成為最外層的透明電極僅將第2金屬層進(jìn)行電連接， 在該情況下將第1金屬層完全以第1絕緣層覆蓋即可，因?yàn)橐矡o需在第1 絕緣層設(shè)置開口區(qū)域等，所以能夠筒化制造工序而降低成本。
若依照于本發(fā)明的一個(gè)方式，則特征在于前述多個(gè)連接用端子，具 有將從前述第1絕緣層露出的前述第1金屬層和前述第2金屬層以前述透 明電極進(jìn)行電連接的接觸部。由此，因?yàn)榭扇菀椎仉娺B接成為最外層的透 明電極和第l金屬層，所以能夠容易地使例如電連接于柵電極的連接用端
子的最外層和電連接于源電極的連接用端子的最外層的距基板的高度為相 同。由此可以確保多個(gè)連接用端子的電可靠性。
若依照于本發(fā)明的一個(gè)方式，則特征在于前述接觸部，具有開口部， 該開口部具有露出前述第l金屬層的第一開口區(qū)域，和露出形成于前述第
1金屬層及前述第1絕緣層之上的前述第2金屬層的第2開口區(qū)域；前述 透明電極，覆蓋前述開口部地形成。由此，利用透明電極通過第1及第2 開口區(qū)域能夠高效地電連接第1金屬層和第2金屬層。
并且，例如通過重疊第1及第2開口區(qū)域能夠?qū)⒌?金屬層和第2金 屬層通過透明電極以最短距離進(jìn)行電連接，可以謀求低電阻化。
若依照于本發(fā)明的一個(gè)方式，則特征在于前述接觸部，形成于前述 連接用端子的較長方向的至少一方的端部。由此，通過將接觸部設(shè)置于比 較有配置余裕的連接用端子的較長方向端部，例如能夠使多個(gè)連接用端子 的排列方向?qū)挾茸冃?，可以進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)連接用端子的窄間距化。
并且，通過在較長方向的兩端部設(shè)置接觸部可以使第l金屬層和透明 電極的接觸面積增加，能夠進(jìn)一步提高連接可靠性。
進(jìn)而，通過在兩端部設(shè)置接觸部，即使一方的電連接不良，也可以通 過剩余的端部實(shí)現(xiàn)電連接，能進(jìn)一步提高連接可靠性。
若依照于本發(fā)明的一個(gè)方式，則特征在于前述端部，是前述笫l及 第2金屬層的任一個(gè)的引出方向側(cè)的端部。由此，能夠以笫l金屬的最接 近于引出側(cè)之處與第2金屬、透明電極進(jìn)行電連接，例如可以使向半導(dǎo)體 IC芯片的多個(gè)凸起的電連接中的整體性電阻變小，能夠進(jìn)一步提高電可靠 性。
若依照于本發(fā)明的一個(gè)方式，則特征在于還具備安裝于前述伸出部， 在其安裝面具有多個(gè)輸出用凸起的半導(dǎo)體IC芯片；前述輸出用凸起的前 述透明電極側(cè)的面的至少一部分，接觸于前述第l金屬層與前述第2金屬 層平面相重疊的前述透明電極的區(qū)域。由此，能夠使接觸于多個(gè)凸起的連 接用端子側(cè)的距基板的高度一致于比較高的第2金屬層側(cè)，能夠提高與輸 出用凸起之間的電可靠性。并且，不必如現(xiàn)有地設(shè)置從柵電極用布線的換
接，能夠?qū)?yīng)于連接用端子、布線的窄間距化并謀求電光裝置的更小型化。
若依照于本發(fā)明的一個(gè)方式，則特征在于前述第l金屬層和前述第 2金屬層平面相重疊的面積，比前述接觸部的平行于前述平面的面積大。 由此，使第1金屬層和第2金屬層平面相重疊的區(qū)域增加而使電連接的可 靠性進(jìn)一步提高，且能夠使連接用端子整體的大小更加小型化。
若依照于本發(fā)明的一個(gè)方式，則特征在于前述重疊的面積，為前述 凸起的前述透明電極側(cè)的面的面積的一半以上。由此，能夠在第l金屬層 和第2金屬層平面相重疊的部分盡量地配置半導(dǎo)體IC芯片的凸起，可靠 地確保電連接的可靠性，并能夠使連接用端子整體的大小更加小型化。
本發(fā)明的其他的觀點(diǎn)中的電光裝置的制造方法，特征在于，在具備基 板的電光裝置的制造方法中，包括形成多個(gè)顯示用薄膜晶體管和多個(gè)連 接用端子的形成工序，該晶體管具有形成于前述基板的顯示用區(qū)域的第 1電極、形成于該第1電極的與前iU4l側(cè)相反側(cè)的第1絕緣層、形成于 前述第1絕緣層的與前述基敗側(cè)相反側(cè)的第2電極和形成于前述第2電極 的與前述M側(cè)相反側(cè)的第2絕緣層，該連接用端子配置于從前述141的 前述顯示用區(qū)域伸出的伸出部，具有與前述第1電極同層由相同的金屬 構(gòu)成的笫1金屬層、與前述第2電極同層由相同的金屬構(gòu)成的與前述第1 金屬層至少一部分平面相重疊的第2金屬層和至少還形成于前述第1金屬 層和第2金屬層之間的前述第1絕緣層；和在前述伸出部，安裝具有與前 述多個(gè)連接用端子進(jìn)行電連接的多個(gè)輸出用凸起的半導(dǎo)體IC芯片的安裝 工序。
本發(fā)明，因?yàn)閷⒍鄠€(gè)連接用端子形成為分別與多個(gè)顯示用薄膜晶體 管的第l及第2電極同層由相同的金屬構(gòu)成的第l及第2金屬層，至少一 部分平面相重疊，所以在該重疊部分距基板的高度變得相同，能夠容易地 制造能夠提高向半導(dǎo)體IC芯片的凸起的電連接的可靠性的電光裝置。
并且，因?yàn)樵谶B接用端子自身重疊第l及第2金屬層，所以不必另外 設(shè)置如現(xiàn)有的換接，包括布線而能夠低電阻化，并且能夠制造進(jìn)一步謀求 半導(dǎo)體IC芯片的小型化的電光裝置。
若依照于本發(fā)明的一個(gè)方式，則特征在于前述形成工序，通過將形 成有圖形的前述第2金屬層用作曝光掩模對(duì)前述第1絕緣層與前述第2絕 緣層同時(shí)進(jìn)行曝光、顯影及蝕刻而形成前述連接用端子。由此，能夠使制 造工序變少而能夠降低制造成本。例如通過在第2金屬層預(yù)先構(gòu)圖形成開 口，當(dāng)對(duì)疊層于其上的第2絕緣層進(jìn)行曝光顯影等時(shí)，能夠同時(shí)在第l絕 緣層也形成重疊于第2金屬層的笫2開口區(qū)域的第1開口區(qū)域。此時(shí)，還 能夠?qū)⒌?金屬層作為掩模進(jìn)行利用，不用說可以進(jìn)行正確的曝光顯影等， 還能夠謀求成本的進(jìn)一步降低。
本發(fā)明的其他的觀點(diǎn)中的電子設(shè)備，特征在于具備上述的電光裝置。 本發(fā)明，因?yàn)榫邆淠軌蛑\求布線、連接用端子的窄間距化并使各連接 用端子的電可靠性提高的電光裝置，所以能確保電子設(shè)備整體的可靠性并 能夠低成本地實(shí)現(xiàn)電子設(shè)備的更小型化。


圖1是第1實(shí)施方式中的液晶裝置的概略立體圖。
圖2是圖1中的A—A線剖面圖(驅(qū)動(dòng)器IC未剖切)。
圖3是第1實(shí)施方式中的TFT的概略剖面圖。
圖4是第1實(shí)施方式中的a的伸出部的局部平面圖。
圖5是第1實(shí)施方式中的柵輸出用連接端子的平面圖。
圖6是圖5的D—D線剖面圖。
圖7是圖5的E—E線剖面圖。
圖8是第1實(shí)施方式中的源輸出用連接端子的平面圖。 圖9是圖8的J—J線剖面圖。
圖IO是第1實(shí)施方式中的液晶裝置的制造方法的流程圖。
圖11是直到形成輸出用連接端子的第2金屬的工序的說明圖。
圖12是圖11之后直到安裝驅(qū)動(dòng)器IC的工序的說明圖。
圖13是透明電極未連接于第l金屬層的情況的說明圖。
圖14是第2實(shí)施方式中的液晶裝置的柵輸出用連接端子的平面圖。
圖15是圖14的K一K線剖面圖。
圖16是第2實(shí)施方式中的源輸出用連接端子的平面圖。 圖17是圖16的L一L線剖面圖。
圖18是第3實(shí)施方式中的液晶裝置的柵輸出用連接端子的平面圖。 圖19是圖18的M—M線剖面圖。
圖20是第4實(shí)施方式中的液晶裝置的柵輸出用連接端子的平面圖。
圖21是圖20的N—N線剖面圖。
圖22是第5實(shí)施方式中的便攜電話機(jī)的外觀概略圖。
圖23是第5實(shí)施方式中的個(gè)人計(jì)算機(jī)的外觀概略圖。
符號(hào)說明
1液晶裝置，2液晶面板，3柔性a, 4密封材料，5第1 14^， 6 第2^4SL， 7 液晶，8、 9 偏#41， 10 TFT, 11 柵布線， 12 第1絕緣層，13 源布線，14 第2絕緣層，15像素電極，16輸 出用連接端子，16a、 116a、 216a、 316a柵輸出用連接端子，16b、 116b 源 輸出用連接端子，17輸入用連接端子，18輸入用布線，19驅(qū)動(dòng)器IC， 20 柵電極，21 半導(dǎo)體層，22 接觸層，23 源電極，24 漏電極，25、 39取向膜，26伸出部，27 第1金屬層，28 第2金屬層，29透明 電極，30接觸部，31 第1開口區(qū)域，32 開口， 33a 第2開口區(qū)域， 33b、 133、 233、 333 露出部，34 外部用端子，35 凸起，36 導(dǎo)電微 粒，37、 42各向異性導(dǎo)電膜，38共用電極，40基體基材，41 布線 圖形，43 間隙材料，44 開口部，129、 229、 329 凹陷，131、 231、 331 第3開口區(qū)域，151、 251 —端部，152、 252、 352 端邊，351 端部， 500便攜電話機(jī)，571 操作^^， 572 受話口，573 送話口，600個(gè) 人計(jì)算機(jī)，681 鍵盤，682 主體部，683 液晶顯示單元，B顯示區(qū)域， C安裝區(qū)域，F(xiàn)厚度，G重疊的區(qū)域，H區(qū)域
具體實(shí)施例方式
以下，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式基于附圖進(jìn)行說明。還有，當(dāng)對(duì)以下實(shí)施 方式進(jìn)行說明時(shí)，雖然作為電光裝置的例關(guān)于TFT(Thin Film Transistor, 薄膜晶體管)有源矩陣型的液晶裝置或采用了該液晶裝置的電子設(shè)備而進(jìn)
行說明，但是并不限于此。并且，為了在以下的附圖中使各構(gòu)成容易理解， 實(shí)際的結(jié)構(gòu)和各結(jié)構(gòu)中的比例尺、數(shù)量等不相同。 第1實(shí)施方式
圖l是本發(fā)明的第1實(shí)施方式中的液晶裝置的概略立體圖，圖2是圖 1中的A—A線剖面圖(液晶驅(qū)動(dòng)用驅(qū)動(dòng)器未剖切。)，圖3是TFT的概略 剖面圖，圖4;l^板的伸出部的局部平面圖，圖5是柵輸出用連接端子的 平面圖，圖6是圖5的D—D線剖面圖，圖7是圖5的E—E線剖面圖， 圖8是源輸出用連接端子的平面圖及圖9是圖8的J—J線剖面圖。 (液晶裝置的構(gòu)成)
液晶裝置1,例如如示于圖1中地具有液晶面板2、電連接于該液晶面 板2的柔性皿3等。在此，在液晶裝置l，除了柔性1413之外，還按 照需要設(shè)置背光源等的照明裝置、其他的附屬機(jī)構(gòu)(未進(jìn)行圖示)。
液晶面板2，如示于圖2中地具有通過密封材料4相貼合了的第l基 板5及第2基板6及封入于兩基板的間隙的TN ( Twisted Nematic，扭曲 向列)型的液晶7等。
第l及第2^5、 6，分別具有例如由具有玻璃的透光性的板狀構(gòu)件 構(gòu)成的第l及第2基體材料5a、 6a，并如示于圖2中地在第1及第2基體 材料5a、 6a的外側(cè)(與液晶相反側(cè))，分別粘貼用于使入射光進(jìn)行偏振的 偏4MO、 9。
并且，第l基板5例如如示于圖1、圖2及圖3中地具有多個(gè)作為顯 示用薄膜晶體管的TFTIO，多條柵布線11，第1絕緣層12，多條源布線 13，第2絕緣層14，多個(gè)像素電極15，多個(gè)作為連接用端子的輸出用連接 端子16及輸入用連接端子17，輸入用布線18及液晶驅(qū)動(dòng)用的驅(qū)動(dòng)器IC19等。
具體地，TFT10如示于圖1中地設(shè)置于柵布線11和源布線13的交叉 附近，如示于圖3中地具有作為第1電極的柵電極20,第1絕緣層12，半 導(dǎo)體層21，接觸層22，作為第2電極的源電極23，漏電極24及第2絕緣 層14。
例如TFTIO，具有形成于第l!4!5的顯示區(qū)域B (示于圖2中的
B)的內(nèi)側(cè)(液晶側(cè))的柵電極20，和覆蓋該柵電極20地形成于該柵電極 20的與第1基體材料5a相反側(cè)(液晶側(cè))的第1絕緣層12。
并且，TFT10具有夾持該第1絕緣層12而形成于柵電極20的上方位 置的半導(dǎo)體層21。進(jìn)而在第1絕緣層12的與第1基體材料側(cè)相反側(cè)，在 該半導(dǎo)體層21的一方側(cè)通過接觸層22而具有源電極23。
進(jìn)而TFTIO，在該半導(dǎo)體層21的另一方側(cè)通過接觸層22而具有漏電 極24，并覆蓋該漏電極24、源電極23地在這些的與第l基體材料側(cè)相反 側(cè)具有第2絕緣層14。
接著，柵布線ll如示于圖1、圖2及圖3中地多條并行于X軸方向上 而形成于第1基體材料5a的內(nèi)側(cè)(液晶側(cè))，各柵布線11的一端分別電連 接于TFT10的柵電極20，而另一端則延伸于將要后述的伸出部而分別電 連接于輸出用連接端子16。
并且，第1絕緣層12如上述地覆蓋柵電極20，進(jìn)而形成于除了將要 后述的第l開口區(qū)域之外的第l基體材料5a的大致整面。
源布線13如示于圖1中地與柵布線相交叉地多條并行于Y軸方向上 而形成于第1絕緣層12的內(nèi)側(cè)(液晶側(cè))，各源布線13的一端分別電連接 于TFT10的源電極23，而另一端則延伸于將要后述的伸出部而分別電連 接于輸出用連接端子16。
第2絕緣層14，如上述地覆蓋源電極23、漏電極24，進(jìn)而形成于除 了將要后述的第l及第2開口區(qū)域、露出部等之外的第lg的大致整面。
并且，像素電極15例如如示于圖3中地構(gòu)成為在通過在笫2絕緣層 14的內(nèi)側(cè)(液晶側(cè))互相交叉的柵布線11和源布線13所劃分的矩形區(qū)域 (像素區(qū)域)之中，覆蓋除了對(duì)應(yīng)于TFT10的部分以外的區(qū)域，例如通過 ITO (氧化銦錫)等的透明電極所形成。進(jìn)而該像素電極15，例如如示于 圖3中地電連接于漏電極24.
由此，柵電極20及源電極23當(dāng)在柵電極20施加了電壓時(shí)從源電極 23到像素電極15，或反向地流過電流。在此，源電極23對(duì)像素電極15 施加數(shù)據(jù)信號(hào)，并且像素電極15與將要后述的共用電極對(duì)夾持于其間的液 晶7施力口電壓。
進(jìn)而，在像素電極15的內(nèi)側(cè)(液晶側(cè))，形成取向膜25。
還有，柵布線11和柵電極20例如通過鉻、鉭等所形成，第l絕緣層 12例如通過氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)等所形成。并且，源布線13 和源電極23及漏電極24，例如通過鈦、鉬、鋁等所形成。
其次，輸出用連接端子16、輸入用連接端子17、輸入用布線18及液 晶驅(qū)動(dòng)用的驅(qū)動(dòng)器IC19等，例如如示于圖1及圖2中地設(shè)置于從第2基 體材料6a的外周緣伸出來的伸出部26。
在此，輸出用連接端子16及輸入用連接端子17例如如示于圖4中地 分別并排設(shè)置于對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)器IC的安裝面的區(qū)域內(nèi)(安裝區(qū)域C )。并且， 輸入用連接端子17電連接于輸入用布線18，輸出用連接端子16具有電連 接于柵布線11的柵輸出用連接端子16a和電連接于源布線13的源輸出用 連接端子16b。
例如如示于圖4中地柵輸出用連接端子16a和源輸出用連接端子16b, 沿長方形的安裝區(qū)域C的顯示區(qū)域側(cè)長邊地交替地成為一列地所并排設(shè) 置。當(dāng)然，柵輸出用連接端子16a及源輸出用連接端子16b的排列的方式 并不限于圖4，例如既可以交錯(cuò)排列柵輸出用連接端子16a和源輸出用連 接端子16b，而且還可以不僅沿長方形的安裝區(qū)域C的長邊而且沿短邊的 邊緣而并排設(shè)置于圖中縱向方向(圖4中的Y軸方向)。并且，也可以不 交錯(cuò)地配置柵輸出用連接端子16a和源輸出用連接端子16b，而劃分為各 自的區(qū)域而進(jìn)行配置。
柵輸出用連接端子及源輸出用連接端子16a、 16b，例如如示于圖5至 圖9中地具有與柵電極20同層且由相同的金屬構(gòu)成的第l金屬層27( 27a、 27b )，和與源電極23同層且由相同的金屬構(gòu)成的第2金屬層28( 28a、28b )。
進(jìn)而柵輸出用連接端子及源輸出用連接端子16a、 16b，具有 一部分 形成于第l金屬層27和第2金屬層28之間的第1絕緣層12，覆蓋第2金 屬層28的一部分的第2絕緣層14及對(duì)第1及第2金屬層27、28進(jìn)行電連 接的透明電極29。并且，該柵輸出用連接端子及源輸出用連接端子16a、 16b，具有將從第1絕緣層12露出來的第l金屬層27和第2金屬層28通 過透明電極29進(jìn)行電連接的接觸部30。
具體地柵輸出用連接端子16a，第1金屬層27a例如如示于圖5、圖6 及圖7中地，在安裝區(qū)域C的第1基體材料5a上形成為大致矩形，至此 所布線的柵布線11連接于該柵布線11側(cè)的矩形的邊(圖5中的上邊)。還 有，因?yàn)樵趫D7中柵布線11 (柵電極20)和第l金屬層27a由相同的金屬 一體地形成，所以并不特別區(qū)分。
并且，柵輸出用連接端子16a在第1金屬層27a之上疊層第1絕緣層 12，該第1絕緣層12，如示于圖6及圖7中地，在第1金屬層27a的例如 中央，具有比該第l金屬層27a的大小小的大致矩形的第l開口區(qū)域31。 由此，第l金屬層27a從該第1開口區(qū)域31露出來。
進(jìn)而柵輸出用連接端子16a，例如如示于圖6及圖7中地，平面重疊 于第1金屬層27a地具有大致矩形的外周的第2金屬層28a疊層于第1絕 緣層12之上，具有大致與第1開口區(qū)域31平面重疊的開口 32。由此，第 2金屬層28a形成為大致框緣狀。
由此，如示于圖5、圖6及圖7中地，第2金屬層28a以其全部的平 面的區(qū)域使第1金屬層27a及第1絕緣層12處于其和第1基體材料5a之 間，開口 32的周緣也大致一致于第l開口區(qū)域31的周緣。
并且柵輸出用連接端子16a，例如如示于圖6及圖7中地，覆蓋第2 金屬層28a的外側(cè)周緣地使第2絕緣層14疊層于第1絕緣層12上，該第 2絕緣層14具有第2金屬層28a露出其開口 32的第2開口區(qū)域33a。并且， 第2金屬層28a具有從該第2絕緣層14露出來的露出部33b。
在此，第2開口區(qū)域33a，例如如示于圖6及圖7中地，為大致重疊 于第1開口區(qū)域31的區(qū)域，以其與該第1開口區(qū)域31而形成開口部44。
進(jìn)而柵輸出用連接端子16a，覆蓋開口部44地疊層透明電極29。具體 地，覆蓋通過第l及第2開口區(qū)域31、 33a而露出來的第l金屬層27a、 第2金屬層28a的開口周緣和露出部33b及該露出部33b的周緣附近的第 2絕緣層14上地疊層。
由此，將從第1絕緣層12露出來的第1金屬層27a和第2金屬層28a 通過透明電極29進(jìn)行電連接的接觸部30，包括在柵輸出用連接端子16a 的大致中央具有第l及第2開口區(qū)域31、 33a的開口部44而形成。
并且，如示于圖6中地，后述的驅(qū)動(dòng)器IC19的凸起35的輸出用凸起 35a例如通過導(dǎo)電微粒36所連接的透明電極29表面的、距第1基體材料 5a表面的高度，變成第l金屬層27a、第1絕緣層12、第2金屬層28a及 透明電極29的厚度的合計(jì)F (圖6中的F)。
進(jìn)而柵輸出用連接端子16a，形成為例如所安裝的驅(qū)動(dòng)器IC19的輸 出用凸起35a的透明電極29側(cè)的面的一部分，重疊于第1金屬層27a和第 2金屬層28a平面相重疊的區(qū)域G (圖6及圖7中的G)。
例如如示于圖6及圖7中地，透明電極29，在第2金屬層28a的露出 部33b上凹陷而覆蓋該露出部33b,該透明電極29的凹陷29a的底面的一 部分進(jìn)一步凹陷而形成凹陷29b，并且該凹陷29b成為接觸部30。
并且，如示于圖6及圖7中地，形成為矩形狀的第l金屬層27a和形 成為框緣狀的第2金屬層28a，彼此的外周大致相一致地通過第1絕緣層 12所疊層，第2金屬層28a除了開口 32，該第1金屬層27a和笫2金屬層 28a在區(qū)域G平面重疊。
在此，輸出用凸起35a， ii/v該凹陷29a地通過各向異性導(dǎo)電膜的導(dǎo) 電賴t^立36所連接。但是，因?yàn)槔缛缡居趫D6中地，在凹陷29b的內(nèi)側(cè) 不進(jìn)行接觸，所以輸出用凸起35a的透明電極29側(cè)的面的一部分，重疊于 第1金屬層27a和第2金屬層28a平面相重疊的區(qū)域G(圖6及圖7中的 G)地形成。
并且，第1金屬層27a和第2金屬層28a平面(圖6的XY軸平面) 相重疊的區(qū)域G的面積，形成為比例如也為通過第1及第2開口區(qū)域 31、 33a所形成的凹陷29b的接觸部30的平行于該平面(圖6的XY軸平 面)的面積H (圖6及圖7中的H)大。即，與還為第l金屬層27a和第 2金屬層28a平面(圖6的XY軸平面)不相重疊的區(qū)域的區(qū)域(面積)H 相比，重疊的區(qū)域G的一方大。
進(jìn)而柵輸出用連接端子16a，形成為該區(qū)域G與輸出用凸起35a的 透明電極29側(cè)的面的一半以上平面重疊。
還有雖然將第l及第2開口區(qū)域31、 33a，在上述的說明中作為大致 矩形而進(jìn)行了說明，但是并不限于此，例如既可以為圓形，而且其個(gè)數(shù)也
并非限于一個(gè)。并且，第2金屬層28的露出部33b也并不限于框緣狀， 例如也可以是圉狀(環(huán)狀)。
另一方面，源輸出用連接端子16b,雖然為大致與柵輸出用連接端子 16a同樣的構(gòu)成，但是柵輸出用連接端子16a連接于柵布線11，而其連接 于源布線13之點(diǎn)不相同，所以將該點(diǎn)作為中心而進(jìn)行說明。
具體地，源輸出用連接端子16b，例如如示于圖8及圖9中地，第1 金屬層27b在安裝區(qū)域C的第1基體材料5a上形成為大致矩形，不連接 于柵布線11。
并且，第1絕緣層12覆蓋第1金屬層27b地疊層于第1基體材料5a 上，該第1絕緣層12，如示于圖8及圖9中地，在第l金屬層27b的例如 中央具有比該第l金屬層27b的大小小的大致矩形的第l開口區(qū)域31。由 此，第l金屬層27b從該第1開口區(qū)域31露出來。
進(jìn)而第2金屬層28b，平面重疊于第1金屬層27b地具有大致矩形的 外周，例如如示于圖8中地，在該矩形的上邊連接源布線13，在圖9中第 2金屬層28b和源布線13 (源電極23 )由相同的金屬一體地所形成而不特 別區(qū)分。并且，第2金屬層28b，在其中央具有大致與第1開口區(qū)域31平 面重疊的開口 32。
由此，如示于圖8及圖9中地，第2金屬層28b以其平面區(qū)域使第1 金屬層27b及第1絕緣層12處于其與第1基體材料5a之間，開口 32的 周緣也大致一致于第1開口區(qū)域31的周緣。
進(jìn)而第2絕緣層14，例如如示于圖8及圖9中地，覆蓋第2金屬層28b 的外側(cè)周緣地疊層于第1絕緣層12上，具有從該第2絕緣層14露出第2 金屬層28b的第2開口區(qū)域33a。并且，第2金屬層28b具有從該第2絕 緣層14露出來的露出部33b。
并且，源輸出用連接端子16b，覆蓋開口部44地疊層透明電極29。 具體地，覆蓋從第l及第2開口區(qū)域31、 33a而露出來的第l金屬層27b、 第2金屬層28b的開口周緣和露出部33b及該露出部33b的周緣附近地疊 層。
由此，將從第1絕緣層12露出來的第1金屬層27b和第2金屬層28b
通過透明電極29進(jìn)行電連接的接觸部30，包括在源輸出用連接端子16b 的大致中央具有第l及第2開口區(qū)域31、 33a的開口部44而形成。
并且，如示于圖9中地將要后述的驅(qū)動(dòng)器IC19的凸起例如通過導(dǎo)電 微粒所連接的透明電極29表面的、距第1基體材料5a的高度，變成第1 金屬層27b、笫1絕緣層12、第2金屬層28b及透明電極29的厚度的合 計(jì)F (圖9中的F)，變得與柵輸出用連接端子16a的凸起通過導(dǎo)電孩M立所 連接的透明電極29的表面的、距第l基體材料5a的高度F相同。由此， 在柵輸出用連接端子及源輸出用連接端子16a、 16b中，距第1基體材料 5a的高度變得相等，能夠提高與凸起的電連接的可靠性。
還有雖然將第l及第2開口區(qū)域31、 33a在上述的說明中作為大致矩 形而進(jìn)行了說明，但是并不限于此，例如既可以為圓形，而且其個(gè)數(shù)也并 非限于一個(gè)。并且，第2金屬層28的露出部33b也并不限于框緣狀，例 如也可以是團(tuán)狀(環(huán)狀)。
接著，輸入用布線18例如如示于圖2中地電連接于外部用端子34。
并且，驅(qū)動(dòng)器IC19，例如如示于圖2中地，在安裝于伸出部26的安 裝面具有排列了多個(gè)的、電連接于多個(gè)輸出用連接端子16及輸入用連接端 子17的凸起35。該電連接，例如在輸出用連接端子16及輸入用連接端子 17和凸起35之間通過具有導(dǎo)電微粒36并且也是粘接材料的各向異性導(dǎo)電 膜(ACF， Anisotropic Conductive Film) 37所進(jìn)行。
另一方面，第2基板6例如如示于圖2中地，在第2基體材料6a的內(nèi) 側(cè)(液晶側(cè))表面形成共用電極38，在該共用電極38的液晶側(cè)形成取向 膜39。
還有，例如在第2^J仗6的液晶側(cè)，雖然未進(jìn)行圖示但是按照需要而 形成著色層及光遮擋層等。
接著，柔性基板3例如如示于圖1及圖2中地，在基體基材40上形成 由銅(Cu)等所形成了的布線圖形41等，而進(jìn)行安裝。
在此，基體基材40為具有撓性的膜狀的構(gòu)件。并且，布線圖形41， 電連接于形成于基體基材40的伸出部側(cè)的端部的未進(jìn)行圖示的連接用端 子，該連接用端子，例如通過各向異性導(dǎo)電膜42電連接于液晶面板2的外
部用端子34。
(液晶裝置的制造方法)
其次，關(guān)于如以上地所構(gòu)成的液晶裝置(電光裝置)的制造方法以伸 出部的輸出用連接端子為中心而進(jìn)行說明。
圖IO是液晶裝置的制造方法的流程圖，圖ll是直至形成輸出用連接 端子的第2金屬層的工序的說明圖及圖12是圖ll之后直至安裝驅(qū)動(dòng)器IC 的工序的說明圖。
首先，在第l基體材料5a上，例如通過濺射而使為柵電極20的材料 的鉻、鉭等如示于圖11 U)中地以同樣的厚度進(jìn)行成膜(ST101);通過 光刻法圖形化而如示于圖11 (b)中地形成柵布線ll、與其一體的柵電極、 第l金屬層27 (ST102)。在此，如示于圖5中地柵輸出用連接端子16a， 使得第1金屬層27a電連接于柵布線11地形成，源輸出用連接端子16b 則使得第1金屬層27b不電連接于柵布線11地形成為例如大致矩形狀。
接下來，在所形成了的柵布線ll、與其一體的柵電極、第l金屬層27 之上例如通過等離子體CVD ( Chemical Vapor Deposition,化學(xué)氣相沉積) 法使由氮化硅構(gòu)成的第1絕緣層12如示于圖ll( c )中地進(jìn)行成膜(ST103). 然后，例如將半導(dǎo)體層21和a-Si層和成為接觸層22的n +型a-Si層以該 順序連續(xù)地形成，并進(jìn)而進(jìn)行所形成了的n +型a-Si層及a-Si層的圖形化 而形成半導(dǎo)體層21及接觸層22 ( ST104 )
進(jìn)而在接觸層22、第1絕緣層12之上通過濺射而如示于圖11 ( d)中 地形成鈦、鉬、鋁等(ST105)，進(jìn)行圖形化而如示于圖11 (e)中地形成 源電極23、漏電極24、源布線13及第2金屬層28 (ST106)。在此，如示 于圖8中地源輸出用連接端子16b，使得第2金屬層28b電連接于源布線 13地形成，柵輸出用連接端子16a則使得第2金屬層28a不電連接于源布 線13地形成。并且，第2金屬層28a、 28b全都在中央形成開口 32，例如 變成框緣狀。
在其后在源電極23、漏電極24、源布線13及第2金屬層28之上例如 如示于圖12 ( a )中地使第2絕緣層14進(jìn)行成膜(ST107 )。
然后，例如如示于圖12 (b)中地第2絕緣層14，以光刻法去除一部
分，使得輸出用連接端子16的第2金屬層28，形成按將要后述地驅(qū)動(dòng)器 IC19的凸起35 it^的程度地顯露出來的露出部33b及第2開口區(qū)域33a。
此時(shí)，因?yàn)榈?金屬層28已經(jīng)在中央形成開口 32，所以從該開口32 露出來的第1絕緣層12也可同時(shí)去除。即，通過將圖形化所形成了的第2 金屬層28用作啄光掩模，對(duì)第1絕緣層12與第2絕緣層14同時(shí)地進(jìn)行曝 光、顯影及蝕刻，重疊于該第2開口區(qū)域33a而以大致同樣的形狀形成第 1開口區(qū)域31 (ST108)。
進(jìn)而在第2絕緣層14、露出部33b及從第2開口區(qū)域33a露出來的第 2金屬層28及從第1開口區(qū)域31露出來的第l金屬層27上通過'減射而粘 覆ITO等，并通過光刻法而圖形化，例如如示于圖12(c)中地形成像素 電極15及輸出用連接端子16的透明電極29(ST109)。由此，第1金屬層 27和第2金屬層28通過透明電極29所電連接，形成接觸部30。即，接觸 部30，具有設(shè)置于第1絕緣層12的第1開口區(qū)域31和重疊于該第l開 口區(qū)域31地設(shè)置于第2絕緣層14的第2開口區(qū)域33a。還有，也可以當(dāng) 形成柵電極20、源電極23等時(shí)也同時(shí)形成輸入用連接端子17及外部用端 子34等。
并且，例如在第2基體材料6a的液晶側(cè)根據(jù)需要分別形成基底層、反 射膜、著色層等，并在該液晶側(cè)形成共用電極38，并進(jìn)而形成取向膜39 實(shí)施摩擦處理等而制造第2 ( ST110).
接著，例如在第l基板上通過干法散布等散布間隙材料43，并通過密 封材料4使第l基仗5和第2基&6貼合。其后，從貼合了的基仗的密封 材料4的未進(jìn)行圖示的注入口注入液晶7，并將密封材料4的注入口通過 紫外線固化性樹脂等的封固材料進(jìn)行封固而封入該液晶7 (STlll)。
進(jìn)而將驅(qū)動(dòng)器IC19由未進(jìn)行圖示的壓接頭通過各向異性導(dǎo)電膜37以 預(yù)定的壓力按壓于伸出部26的安裝區(qū)域C，并在約300X:進(jìn)行加熱而壓接， 并例如如示于圖12 (d)中地，安裝于第l基敗5 (ST112)。此時(shí)，驅(qū)動(dòng) 器IC19的各輸出用凸起35a分別以相同的高度觸接于柵輸出用連接端子 及源輸出用連接端子16a、 16b。
并且，例如在基體基材40形成、安裝需要的布線圖形41、連接用端
子等而制造柔性基板3。然后，將電連接于該柔性基板3的布線圖形41的 連接用端子，通過各向異性導(dǎo)電膜42電連接于液晶面板2的外部用端子 34。
接著，將偏癡仗8、 9等粘貼于第l及第2基體材料5a、 6a的各外表 面，并按照需要安裝背光源等的照明裝置等而形成液晶裝置1 (ST113)。 由以上而結(jié)束液晶裝置1的制造方法的說明。
若如此地依照本實(shí)施方式，將多個(gè)輸出用連接端子16形成為使得分 別與多個(gè)作為顯示用薄膜晶體管的TFT10的柵電極20及源電極23同層由 相同的金屬構(gòu)成的第l及第2金屬層27、 28，至少一部分平面相重疊。所 以在該重疊部分，距第l基體材料5a的高度變得相同，能夠提高向作為半 導(dǎo)體IC芯片的驅(qū)動(dòng)器IC19的凸起35的電連接的可靠性。
并且，因?yàn)樵谳敵鲇眠B接端子16自身重疊第l及第2金屬層27、 28， 所以不必另外設(shè)置如現(xiàn)有的換接，包括布線而能夠低電阻化，并且能進(jìn)一 步謀求驅(qū)動(dòng)器IC19的小型化。
圖13是透明電極不連接于第l金屬層的情況下的說明圖。源輸出用連 接端子16b，例如也可以如示于圖13中地，使得成為最外層的透明電極 29并不連接于第1金屬層27b而僅電連接于第2金屬層28b，該情況下將 第1金屬層27b完全以第1絕緣層12覆蓋即可，因?yàn)橐矡o需在第1絕緣 層12設(shè)置開口區(qū)域等，所以能夠簡化制造工序而降低成本。但是，在謀求 更高的電可靠性方面則優(yōu)選第1金屬層27b也通過透明電極29謀求了與 第2金屬層28b電連接。
并且，接觸部30，具有開口部44，該開口部44具有設(shè)置于第l絕緣 層12的第1開口區(qū)域31和重疊于該第1開口區(qū)域31地設(shè)置于第2絕緣層 14的第2開口區(qū)域33a;透明電極29，覆蓋從第1及第2開口區(qū)域31、 33a 露出來的第l金屬層27和第2金屬層28地所形成。從而，通過透明電極 29能夠高效地電連接第1金屬層27和第2金屬層28.
進(jìn)而通過重疊笫l及第2開口區(qū)域31、33a能夠?qū)⒌趌金屬層27和第 2金屬層28通過透明電極29以最短距離進(jìn)行電連接，可以謀求低電阻化。
并且，多個(gè)輸出用連接端子的形成工序，通過將圖形化所形成了的第
2金屬層28用作曝光掩模，將第1絕緣層12與第2絕緣層14同時(shí)進(jìn)行曝 光、顯影及蝕刻而形成輸出用連接端子16。從而，能夠使制造工序變少而 能夠降低制造成本。
例如在第2金屬層28形成開口 32的情況下，對(duì)疊層于其上的第2絕 緣層14進(jìn)行啄光顯影等，在第2金屬層28的開口 32附近形成第2開口區(qū) 域33a。然后能夠直接地在第1絕緣層12也形成重疊于該第2開口區(qū)域33a 的第1開口區(qū)域31。此時(shí)，能夠?qū)⒌?金屬層28作為掩模進(jìn)行利用，不 用說可以進(jìn)行正確的啄光顯影等，而且能夠謀求成本的進(jìn)一步降低。
第2實(shí)施方式
其次關(guān)于本發(fā)明中的液晶裝置的第2實(shí)施方式而進(jìn)行說明。在本實(shí)施 方式中，因?yàn)榻佑|部不在輸出用連接端子的第l金屬層的中央，而設(shè)置于 與引出方向相反側(cè)端部之點(diǎn)，與第l實(shí)施方式不相同，所以將該點(diǎn)作為中 心而進(jìn)行說明。還有，在以下的說明中關(guān)于與第1實(shí)施方式的構(gòu)成要件相 同的構(gòu)成要件，附加與第1實(shí)施方式的構(gòu)成要件相同的符號(hào)而將其說明進(jìn) 行省略或簡化。并且，因?yàn)橐壕аb置的制造方法與第1實(shí)施方式大致相同， 所以將其說明進(jìn)行省略。
圖14是本發(fā)明的第2實(shí)施方式中的液晶裝置的柵輸出用連接端子的平 面圖，圖15是圖14的K—K線剖面圖，圖16是源輸出用連接端子的平 面圖及圖17是圖16的L—L線剖面圖。 (液晶裝置的構(gòu)成)
柵輸出用連接端子116a，第l金屬層27a例如如示于圖14及圖15中 地，在安裝區(qū)域C的第1基體材料5a上形成為大致矩形，至此所布線的 柵布線11連接于該矩形柵布線11側(cè)的邊(圖14中的上邊)。還有，因?yàn)?在圖15中柵布線11和第1金屬層27a由相同的金屬一體地形成，所以并 不特別區(qū)分。
并且，柵輸出用連接端子116a在第l金屬層27a之上疊層第1絕緣層 12，該第1絕緣層12如示于圖14中地，在第1金屬層27a的較長方向(圖 14中的Y軸方向)的一端部151具有比該第1金屬層27a的大小小的大致
矩形的第3開口區(qū)域131。在此， 一端部151如示于圖14中地，成為與為 柵布線11的第1金屬層27a的引出方向相反側(cè)。
進(jìn)而柵輸出用連接端子116a，例如如示于圖14及圖15中地，以在第 1金屬層27a的內(nèi)側(cè)平面重疊的方式，具有大致矩形的外周的笫2金屬層 28a疊層于第1絕緣層12之上。
并且，該第2金屬層28a,形成為與第1金屬層27a的引出側(cè)相反 側(cè)的端邊152如示于圖14中地大致重疊于第3開口區(qū)域131的第l金屬層 27a的引出側(cè)。
由此，如示于圖14及圖15中地，第2金屬層28a以其全部的平面的 區(qū)域使第1金屬層27a及第1絕緣層12處于其與第1基體材料5a之間， 其端邊152也大致一致于第3開口區(qū)域131的周緣。
并且，柵輸出用連接端子U6a例如如示于圖14中地，覆蓋第2金屬 層28a的柵布線側(cè)周緣地使第2絕緣層14疊層于第1絕緣層12上，具有 從該第2絕緣層14露出第2金屬層28a的露出部133。
進(jìn)而柵輸出用連接端子116a，使得透明電極29覆蓋通過第3開口區(qū) 域131而露出來的第1金屬層27a、第2金屬層28a的端邊152和露出部 133及該第3開口區(qū)域131的周緣附近的第2絕緣層14上等地疊層。
由此，將從第1絕緣層12露出來的第1金屬層27a和第2金屬層28a 以透明電極29進(jìn)行電連接的接觸部30，形成于柵輸出用連接端子116a的 較長方向的一端部151。
并且，如示于圖15中地驅(qū)動(dòng)器IC19的凸起35的輸出用凸起35a例 如通過導(dǎo)電微粒36所連接的透明電極29表面的、距第1基體材料5a表面 的高度，變成第l金屬層27a、第1絕緣層12、第2金屬層28a及透明電 極29的厚度的合計(jì)F (圖15中的F)。
進(jìn)而柵輸出用連接端子116a，形成為例如所安裝的驅(qū)動(dòng)器IC19的 輸出用凸起35a的透明電極29側(cè)的面，重疊于第l金屬層27a和第2金屬 層28a平面相重疊的區(qū)域G (圖14及圖15中的G )。
例如如示于圖14及圖15中地，透明電極29，重疊于第3開口區(qū)域131 的內(nèi)側(cè)地形成凹陷129，并且該凹陷129成為接觸部30。
在此，輸出用凸起35a，在露出部133上通過各向異性導(dǎo)電膜的導(dǎo)電 微粒36連接于透明電極29。但是，因?yàn)槔缛缡居趫D15中地，能夠配置 為凹陷129變成輸出用凸起35a的外側(cè)，所以輸出用凸起35a的透明電極 29側(cè)的面的大致整面I(圖15中的I)，變得重疊于第l金屬層27a和第2 金屬層28a平面相重疊的區(qū)域G (圖14及圖15中的G )。
還有，雖然將第3開口區(qū)域131在上述的說明中作為大致矩形而進(jìn)行 了說明但是并不限于此，例如既可以為圓形，而且其個(gè)數(shù)也并不限于一個(gè)。
另一方面，源輸出用連接端子116b，雖然為大致與柵輸出用連接端子 116a同樣的構(gòu)成，但是柵輸出用連接端子116a連接于柵布線11，而其連 接于源布線13之點(diǎn)不相同，所以將該點(diǎn)作為中心而進(jìn)行說明。
具體地，源輸出用連接端子116b，例如如示于圖16及圖17中地第1 金屬層27b在安裝區(qū)域C的第1基體材料5a上形成為大致矩形，不連接 于柵布線11。
并且，第1絕緣層12覆蓋第1金屬層27b地疊層于第1基體材料5a 上，該第1絕緣層12，如示于圖16及圖17中地，在第l金屬層27b的較 長方向(圖16中的Y軸方向)的一端部151具有比該第1金屬層27b的 大小小的大致矩形的第3開口區(qū)域131。
進(jìn)而源輸出用連接端子116b，例如如示于圖16及圖17中地，第2金 屬層28b在第l金屬層27b的內(nèi)側(cè)平面重疊地具有大致矩形的外周，疊層 于第1絕緣層12之上。在此，第2金屬層28b，在該矩形的上邊連接源布 線13，在圖16中第2金屬層28b和源布線13 (源電極23)由相同的金屬 一體地所形成，而不特別區(qū)分。
并且，該第2金屬層28b，形成為與作為該源布線的引出側(cè)相反側(cè) 的端邊152如示于圖16中地，大致重疊于笫3開口區(qū)域131的該引出側(cè)。
由此，如示于圖16及圖17中地第2金屬層28b以其全部的平面區(qū)域 使第1金屬層27b及第1絕緣層12處于其與第1基體材料5a之間，其端 邊152也變得大致一致于第3開口區(qū)域131的周緣。
并且源輸出用連接端子116b例如如示于圖17中地，覆蓋第2金屬層 28b的源布線側(cè)周緣地使第2絕緣層14疊層于第1絕緣層12上等，具有
從該第2絕緣層14露出第2金屬層28b的端邊152及露出部133。
進(jìn)而源輸出用連接端子116b，使透明電極29覆蓋通過第3開口區(qū)域 131而露出來的第l金屬層27b、第2金屬層28b的端邊152和露出部133 及該第3開口區(qū)域131的周緣附近的第2絕緣層14上地疊層。
由此，將從第1絕緣層12露出來的第1金屬層27b和第2金屬層28b 以透明電極29進(jìn)行電連接的接觸部30，形成于源輸出用連接端子116b的 較長方向的一端部151。
并且，如示于圖17中地，驅(qū)動(dòng)器IC19的凸起35的輸出用凸起35a 例如通過導(dǎo)電微粒36所連接的透明電極29表面的、距第1基體材料5a 表面的高度，變成第l金屬層27b、第1絕緣層12、第2金屬層28b及透 明電極29的厚度的合計(jì)F(圖17中的F)。由此，在柵輸出用連接端子及 源輸出用連接端子116a、 116b，距基體材料5a的高度變得相等，能夠提 高與凸起的電連接的可靠性。
進(jìn)而源輸出用連接端子116b，形成為例如所安裝的驅(qū)動(dòng)器IC19的 輸出用凸起35a的透明電極29側(cè)的面，重疊于第l金屬層27b和第2金 屬層28b平面相重疊的區(qū)域G (圖16及圖17中的G)。
例如如示于圖16及圖17中地透明電極29，重疊于第3開口區(qū)域131 的內(nèi)側(cè)地形成凹陷129，并且該凹陷129成為接觸部30。
在此，輸出用凸起35a，雖然在露出部133上通過各向異性導(dǎo)電膜的 導(dǎo)電微粒36連接于透明電極29,但是因?yàn)槔缛缡居趫D17中地能夠配置 為凹陷129成為輸出用凸起35a的外側(cè)，所以輸出用凸起35a的透明電極 29側(cè)的面的大致整面I (圖17中的1)，重疊于第l金屬層27b和第2金 屬層28b平面相重疊的區(qū)域G (圖16及圖17中的G )。
若如此地依照于本實(shí)施方式，則因?yàn)榻佑|部30，處于輸出用連接用端 子116 (116a、 116b)的較長方向的與引出方向相反側(cè)的端部，所以例如 能夠使多個(gè)輸出用連接用端子116的排列方向?qū)挾刃。梢赃M(jìn)一步謀求輸 出用連接用端子116的窄間距化。
并且，通過在較長方向的端部設(shè)置接觸部30而能夠在第1金屬層27 (27a、 27b)和第2金屬層28 (28a、 28b)平面重疊的區(qū)域G使輸出用 凸起35a的第1基體材料5a側(cè)表面大致全部相接觸，使電阻更小而能夠提 高電可靠性。
進(jìn)而因?yàn)榈?絕緣層12,具有使第1金屬層27露出來的笫3開口區(qū) 域131，第2金屬層28，不與通過該第3開口區(qū)域131而從第1絕緣層12 露出來的第l金屬層27平面相重疊地形成，所以可以使第l金屬層27和 第2金屬層28的電連接為有效的電連接，并且能夠在第3開口區(qū)域131 的通過膝光等進(jìn)行的形成中，將第2金屬層28的端邊151作為掩模進(jìn)行利 用。
第3實(shí)施方式
其次關(guān)于本發(fā)明中的液晶裝置的第3實(shí)施方式而進(jìn)行說明。在本實(shí)施 方式中，因?yàn)榻佑|部不在輸出用連接端子的第l金屬層的中央、而設(shè)置于 引出方向側(cè)端部之點(diǎn)，與第l實(shí)施方式不相同，所以將該點(diǎn)作為中心而進(jìn) 行說明。
圖18是本發(fā)明的第3實(shí)施方式中的液晶裝置的柵輸出用連接端子的平 面圖及圖19是圖18的M—M線剖面圖. (液晶裝置的構(gòu)成)
柵輸出用連接端子216a，第l金屬層27a例如如示于圖18及圖19中 地，在安裝區(qū)域C的第1基體材料5a上形成為大致矩形，至此所布線了 的柵布線11連接于該矩形柵布線11側(cè)的邊(圖18中的上邊)。還有，因 為在圖19中柵布線11和第1金屬層27a由相同的金屬一體地所形成，所 以并不特別區(qū)分。
并且，柵輸出用連接端子216a，在第l金屬層27a之上疊層第1絕緣 層12,該第1絕緣層12如示于圖18中地，在第1金屬層27a的較長方向 (圖18中的Y軸方向)的一端部251具有比該第1金屬層27a的大小小 的大致矩形的第3開口區(qū)域231。在此， 一端部251如示于圖18中地，成 為作為柵布線11的第l金屬層27a的引出方向側(cè)。
進(jìn)而柵輸出用連接端子216a，例如如示于圖18及圖19中地，以在第 1金屬層27a的內(nèi)側(cè)平面重疊的方式，具有大致矩形的外周的第2金屬層 28a疊層于第1絕緣層12之上。
并且，該第2金屬層28a，形成為成為第1金屬層27a的引出側(cè)的 端邊252如示于圖19中地大致重疊于第3開口區(qū)域231的引出側(cè)。
由此，如示于圖18及圖19中地，第2金屬層28b以其全部的平面的 區(qū)域使第1金屬層27a及第1絕緣層12處于其與第1基體材料5a之間， 其端邊252也大致一致于第3開口區(qū)域231的周緣。
并且，柵輸出用連接端子216a例如如示于圖19中地，覆蓋第2金屬 層28a的與柵布線側(cè)相反側(cè)周緣地使第2絕緣層14疊層于第1絕緣層12 上等，具有從該第2絕緣層14露出第2金屬層28a的端邊252及露出部 233。
進(jìn)而柵輸出用連接端子216a,使透明電極29覆蓋通過第3開口區(qū)域 231而露出來的第l金屬層27a、第2金屬層28a的端邊252和露出部233 及該第3開口區(qū)域231的周緣附近的第2絕緣層14上地疊層。
由此，將從第1絕緣層12露出來的第1金屬層27a和第2金屬層28a 以透明電極29進(jìn)行電連接的接觸部30，形成于柵輸出用連接端子216a的 較長方向的一端部251。
并且，如示于圖19中地驅(qū)動(dòng)器IC19的凸起35的輸出用凸起35a例 如通過導(dǎo)電微粒36所連接的透明電極29表面的、距第1基體材料5a表面 的高度，變成第l金屬層27a、第1絕緣層12、第2金屬層28a及透明電 極29的厚度的合計(jì)F (圖19中的F)。
進(jìn)而柵輸出用連接端子216a，形成為例如所安裝的驅(qū)動(dòng)器IC19的 輸出用凸起35a的透明電極29側(cè)的面(圖19中的1)，重疊于第1金屬層 27a和第2金屬層28a平面相重疊的區(qū)域G (圖18及圖19中的G )。
例如如示于圖18及圖19中地，透明電極29，重疊于第3開口區(qū)域231 的內(nèi)側(cè)地形成凹陷229，并且該凹陷229成為接觸部30。
在此，輸出用凸起35a，在露出部233上通過各向異性導(dǎo)電膜的導(dǎo)電 微粒36連接于透明電極29。但是，因?yàn)槔缛缡居趫D19中地能夠配置為， 凹陷229成為輸出用凸起35a的外側(cè)，所以輸出用凸起35a的透明電極29 側(cè)的面的大致整面，變得重疊于第l金屬層27a和第2金屬層28a平面相 重疊的區(qū)域G (圖18及圖19中的G)。
還有，雖然將第3開口區(qū)域231在上述的說明中作為大致矩形而進(jìn)行 了說明，但是并不限于此，例如既可以為圓形，而且其個(gè)數(shù)也并不限于一 個(gè)。
若如此地依照于本實(shí)施方式，則因?yàn)橐欢瞬?51，是第l金屬層27a 的引出方向側(cè)的端部，所以能夠以第l金屬層27a的最接近于引出側(cè)的部 位與第2金屬層28a、透明電極29進(jìn)行電連接，例如可以使向驅(qū)動(dòng)器IC19 的多個(gè)輸出用凸起35a的電連接中的整體電阻變小，能夠進(jìn)一步提高電可 靠性。
第4實(shí)施方式
其次關(guān)于本發(fā)明中的液晶裝置的第4實(shí)施方式而進(jìn)行說明。在本實(shí)施 方式中，因?yàn)榻佑|部不在輸出用連接端子的第l金屬層的中央，而設(shè)置于 引出方向側(cè)端部和其相反側(cè)端部之點(diǎn)，與第l實(shí)施方式不相同，所以將該 點(diǎn)作為中心而進(jìn)行說明。
圖20是本發(fā)明的第4實(shí)施方式中的液晶裝置的柵輸出用連接端子的平 面圖及圖21是圖20的N—N線剖面圖。 (液晶裝置的構(gòu)成)
柵輸出用連接端子316a，第l金屬層27a例如如示于圖20及圖21中 地在安裝區(qū)域C的第1基體材料5a上形成為大致矩形，至此所布線的柵 布線ll連接于該矩形柵布線ll側(cè)的邊(圖20中的上邊)。還有，因?yàn)樵?圖21中柵布線11和第1金屬層27a由相同的金屬一體地所形成，所以并 不特別區(qū)分。
并且，柵輸出用連接端子316a在第l金屬層27a之上疊層笫1絕緣層 12，該第1絕緣層12如示于圖20中地，在第l金屬層27a的較長方向(圖 20中的Y軸方向)的兩方的端部351a、 351b具有比該第1金屬層27a的 大小小的大致矩形的第3開口區(qū)域331a、 331b。在此，端部351a如示于 圖20中地成為作為柵布線11的第l金屬層27a的引出方向側(cè)，而端部351b 則成為該引出方向相反側(cè)。
進(jìn)而柵輸出用連接端子316a，例如如示于圖20及圖21中地，以在第 1金屬層27a的內(nèi)側(cè)平面重疊的方式，具有大致矩形的外周的第2金屬層 28a疊層于第1絕緣層12之上。
并且，該第2金屬層28a，形成為成為第1金屬層27a的引出側(cè)的 端邊352a如示于圖21中地大致重疊于第3開口區(qū)域331a的與引出側(cè)相反 側(cè)的邊。進(jìn)一步形成為成為第1金屬層27a的引出側(cè)的相反側(cè)的端邊352b 如示于圖21中地大致重疊于第3開口區(qū)域331b的引出側(cè)的邊。
由此，如示于圖20及圖21中地，第2金屬層28a以其全部的平面的 區(qū)域使第1金屬層27a及第1絕緣層12處于其與第1基體材料5a之間， 其端邊352a、 352b也大致一致于第3開口區(qū)域331a、 331b的各周緣。
并且，柵輸出用連接端子316a例如如示于圖21中地，第2絕緣層14 疊層于第1絕緣層12上等，具有從該第2絕緣層14露出第2金屬層28a 的端邊352a、 352b及露出部333。從而，該露出部333如示于圖20及圖 21中地，形成于柵布線側(cè)的第3開口區(qū)域331a和其相反側(cè)的第3開口區(qū) 域331b之間。
進(jìn)而柵輸出用連接端子316a，使得透明電極29覆蓋通過第3開口區(qū) 域331a、 331b而露出來的第l金屬層27a、第2金屬層28a的端邊352a、 352b和露出部333及該第3開口區(qū)域331a、 331b的周緣附近的第2絕緣 層14上地疊層。
由此，將從第1絕緣層12露出來的第1金屬層27a和第2金屬層28a 以透明電極29進(jìn)行電連接的接觸部30，形成于柵輸出用連接端子316a的 較長方向的端部351a、 351b的兩側(cè)，
并且，如示于圖21中地，驅(qū)動(dòng)器IC19的凸起35的輸出用凸起35a 例如通過導(dǎo)電微粒36所連接的透明電極29表面的、距第1基體材料5a 表面的高度，變成第l金屬層27a、第1絕緣層12、第2金屬層28a及透 明電極29的厚度的合計(jì)F (圖21中的F)。
進(jìn)而柵輸出用連接端子316a，形成為例如所安裝的驅(qū)動(dòng)器IC19的 輸出用凸起35a的透明電極29側(cè)的面(圖21中的I)，重疊于第l金屬層 27a和笫2金屬層28a平面相重疊的區(qū)域G (圖20及圖21中的G),
例如如示于圖20及圖21中地，透明電極29，重疊于第3開口區(qū)域331a、 331b的內(nèi)側(cè)地形成凹陷329a、 329b，并且該凹陷329a、 329b分別成為
接觸部30。
在此，輸出用凸起35a,在露出部333上通過各向異性導(dǎo)電膜的導(dǎo)電 微粒36連接于透明電極29。但是，因?yàn)槔缛缡居趫D21中地，能夠配置 為凹陷329a、 329b成為輸出用凸起35a的外側(cè)，所以輸出用凸起35a的 透明電極29側(cè)的面的大致整面I (圖21中的1)，重疊于第l金屬層27a 和第2金屬層28a平面相重疊的區(qū)域G (圖20及圖21中的G)。
還有，雖然將第3開口區(qū)域331a、 331b在上述的說明中作為大致矩 形而進(jìn)行了說明，但是并不限于此，例如既可以為圓形，而且其個(gè)數(shù)也并 不限于一個(gè)。
并且，雖然在上述的說明中，作為輸出用凸起35a的第l基體材料5a 側(cè)的面全部觸接于露出部333上的透明電極29的情況而進(jìn)行了說明，但是 當(dāng)然并不限于此，至少第1基體材料5a側(cè)的面即使以一部分觸接于第1 金屬層27a和第2金屬層28a平面相重疊的透明電極29的區(qū)域G即可。 但是全部接觸的一方與一部分接觸相比，能夠使電阻變小。
若如此地依照于本實(shí)施方式，則通過將接觸部30設(shè)置于比較有配置余 裕的柵輸出用連接端子316a的較長方向端部351a、 351b，例如能夠使多 個(gè)柵輸出用連接端子316a的排列方向?qū)挾茸冃?，可以?shí)現(xiàn)柵輸出用連接端 子的進(jìn)一步的窄間距化。
并且，通過在較長方向的兩端部351a、 351b設(shè)置接觸部30，可以使 第1金屬層27a和透明電極29的接觸面積增加，能夠進(jìn)一步提高連接可靠 性。
進(jìn)而通過在兩端部351a、 351b設(shè)置接觸部30，即使一方的電連接變 得不好，也可以用余下的端部謀求電連接，能夠進(jìn)一步提高連接可靠性。 第5實(shí)施方式 電子i殳備
其次，關(guān)于具備上述的液晶裝置1的本發(fā)明的第5實(shí)施方式中的電子 設(shè)備而進(jìn)行說明。
圖22是本發(fā)明的第5實(shí)施方式中的便攜電話機(jī)的外觀概略圖及圖23 為個(gè)人計(jì)算機(jī)的外觀概略圖。
例如，便攜電話機(jī)500，如示于圖22中地在多個(gè)操作按鍵571之外，
在具有受話口 572、送話口 573的外框例如，具備液晶裝置l。
并且，個(gè)人計(jì)算機(jī)600 ，如示于圖23中地由具##:盤681的主體部682 ， 和液晶顯示單元683所構(gòu)成，液晶顯示單元683在外框例如具備液晶裝置 1。
這些電子設(shè)備，除液晶裝置l之外未進(jìn)行圖示，包括顯示信息輸出源、 顯示信息處理電路等的各種各樣的電路及由向這些電路供給電力的電源電 路等構(gòu)成的顯示信號(hào)生成部等所構(gòu)成。
進(jìn)而在液晶裝置l中例如，當(dāng)為個(gè)人計(jì)算機(jī)600的情況下，供給基于 從鍵盤681所輸入的信息通過顯示信號(hào)生成部所生成的顯示信號(hào)，由此將 顯示圖像顯示于液晶裝置1。
若依照于本實(shí)施方式，則因?yàn)榫邆淠軌蛑\求布線、連接用端子的窄間 距化并4吏各連接用端子的電可靠性提高的液晶裝置1，所以能夠低成本地 提供更小型化而電可靠性高的電子i殳備。
尤其是當(dāng)為如上述的可以便攜的電子設(shè)備時(shí)，為了在室外使用所以要 求更加小型，故本發(fā)明的意義可以^說非常大。
還有，作為電子設(shè)備，另外可舉出搭栽有液晶裝置的觸摸面板，投 影機(jī)，液晶電視機(jī)，取景器型、監(jiān)視器直視型的磁帶錄^^，汽車導(dǎo)航器， 尋呼機(jī)，電子筆記本，電子計(jì)算器等。而且，作為這些各種電子設(shè)備的顯 示部，不用說當(dāng)然可以應(yīng)用上述的例如液晶裝置l。
并且，本發(fā)明并不限定于上述的任何實(shí)施方式，在本發(fā)明的技術(shù)思想 的范圍內(nèi)能夠適當(dāng)改變而實(shí)施。并且，在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)， 能使上述的各實(shí)施方式進(jìn)行組合。
例如在上述的實(shí)施方式中，雖然使驅(qū)動(dòng)器IC19為COG (Chip On Glass,玻璃上芯片)而進(jìn)行了說明，但是并不限于此，例如也可以為安裝 于柔性基仗的COF (Chip On Film,薄膜上芯片)的情況。由此，關(guān)于各 種各樣的液晶裝置，都能夠謀求布線、連接用端子的窄間距化并且使各連 接用端子的電可靠性提高。
并且，雖然作為電光裝置的例而對(duì)液晶裝置進(jìn)行了說明，但是并不限 于此，例如也可以是無機(jī)或者有機(jī)電致發(fā)光裝置等的各種電光裝置。
權(quán)利要求
1.一種電光裝置，其特征在于，具備基板；多個(gè)顯示用薄膜晶體管，其具有形成于前述基板的顯示用區(qū)域的第1電極，形成于該第1電極的與前述基板側(cè)相反側(cè)的第1絕緣層，形成于前述第1絕緣層的與前述基板側(cè)相反側(cè)的第2電極，和形成于前述第2電極的與前述基板側(cè)相反側(cè)的第2絕緣層；和多個(gè)連接用端子，其配置于從前述基板的前述顯示用區(qū)域伸出的伸出部，具有與前述第1電極同層由相同的金屬構(gòu)成的第1金屬層，與前述第2電極同層由相同的金屬構(gòu)成的、與前述第1金屬層至少一部分平面重疊的第2金屬層，和至少還形成于前述第1金屬層和第2金屬層之間的前述第1絕緣層；前述第1金屬層電連接于前述第1電極，或者，前述第2金屬層電連接于前述第2電極。
2. 按照權(quán)利要求l所述的電光裝置，其特征在于 前述多個(gè)連接用端子，在前述第2金屬層的與前^J41側(cè)相反側(cè)具有透明電極；前述透明電極，至少與前述第l及第2金屬層的任一個(gè)電連接。
3. 按照權(quán)利要求2所述的電光裝置，其特征在于 前述多個(gè)連接用端子，具有接觸部，該接觸部以前述透明電極電連接從前述第1絕緣層露出的前述第1金屬層和前述第2金屬層。
4. 按照權(quán)利要求3所述的電光裝置，其特征在于 前述接觸部，具有開口部，該開口部具有露出前述第l金屬層的第1開口區(qū)域，和露出形成于前述第1金屬層及前述第1絕緣層之上的前述 第2金屬層的第2開口區(qū)域；前述透明電極，覆蓋前述開口部地形成。
5. 按照權(quán)利要求3所述的電光裝置，其特征在于前述接觸部，形成于前述連接用端子的較長方向的至少一方的端部。
6. 按照權(quán)利要求5所述的電光裝置，其特征在于前述端部，是前述第1及第2金屬層的任一個(gè)的引出方向側(cè)的端部。
7. 按照權(quán)利要求2 6之中的任何一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于 還具備半導(dǎo)體IC芯片，該半導(dǎo)體IC芯片安裝于前述伸出部，在其安裝面具有多個(gè)輸出用凸起；前述輸出用凸起的前述透明電極側(cè)的面的至少一部分，接觸于前述第 1金屬層與前述第2金屬層平面重疊的前述透明電極的區(qū)域。
8. 按照權(quán)利要求3 7之中的任何一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于 前述第1金屬層和前述第2金屬層平面相重疊的面積，比前述接觸部的平行于前述平面的面積大。
9. 按照權(quán)利要求8所述的電光裝置，其特征在于 前述重疊的面積，為前述凸起的前述透明電極側(cè)的面的面積的一半以上。
10. —種具備Ul的電光裝置的制造方法，其特征在于，包括 形成工序，其形成多個(gè)顯示用薄膜晶體管和多個(gè)連接用端子，該多個(gè)顯示用薄膜晶體管具有形成于前#板的顯示用區(qū)域的第1電極、形成 于該第1電極的與前i^J4l側(cè)相反側(cè)的第1絕緣層、形成于前述第1絕緣 層的與前述基板側(cè)相反側(cè)的第2電極、和形成于前述第2電極的與前id^ 板側(cè)相反側(cè)的第2絕緣層；該多個(gè)連接用端子配置于從前ili^L的前述顯 示用區(qū)域伸出的伸出部，具有與前述第1電極同層由相同的金屬構(gòu)成的 第1金屬層，與前述第2電極同層由相同的金屬構(gòu)成的、與前述第l金屬 層至少一部分平面重疊的第2金屬層，和至少還形成于前述第1金屬層和 第2金屬層之間的前述第1絕緣層；和安裝工序，其在前述伸出部，安裝半導(dǎo)體IC芯片，該半導(dǎo)體IC芯片 具有與前述多個(gè)連接用端子進(jìn)行電連接的多個(gè)輸出用凸起。
11. 按照權(quán)利要求10所述的電光裝置的制造方法，其特征在于 前述形成工序，通過將形成有圖形的前述第2金屬層用作曝光^H莫、 對(duì)前述第l絕緣層與前述第2絕緣層同時(shí)進(jìn)行曝光、顯影及蝕刻，而形成 前述連接用端子。
12. —種電子設(shè)備，其特征在于具備權(quán)利要求1 9之中的任何一項(xiàng)所述的電光裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供能夠謀求布線、連接用端子的窄間距化并使各連接用端子的電可靠性提高的電光裝置，該電光裝置的制造方法以及采用了該電光裝置的電子設(shè)備。將多個(gè)輸出用連接端子(16)形成為分別與作為多個(gè)顯示用薄膜晶體管的TFT(10)的柵電極(20)及源電極(23)同層且由相同的金屬構(gòu)成的第1及第2金屬層(27、28)，至少一部分平面相重疊。從而，在該重疊部分，距第1基體材料(5a)的高度變得相同，能夠提高向作為半導(dǎo)體IC芯片的驅(qū)動(dòng)器IC(19)的凸起(35)的電連接的可靠性。
文檔編號(hào)G09F9/00GK101101420SQ20071012698
公開日2008年1月9日 申請(qǐng)日期2007年7月4日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月6日
發(fā)明者堀口正寬, 金子英樹 申請(qǐng)人:愛普生映像元器件有限公司