專利名稱：用于電致發(fā)光顯示器的像素驅(qū)動電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，更具體地涉及可以減少驅(qū)動晶 體管的應(yīng)力和屏幕上的剩余圖像的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件。
背景技術(shù)：
由于有機(jī)電致發(fā)光顯示器件已經(jīng)被提出使用例如聚苯基乙烯(PPV)的共 軛聚合物，因此已積極地研究了例如共軛聚合物的有機(jī)材料。此外，該有機(jī)材 料能夠適用于各種應(yīng)用，例如薄膜晶體管、傳感器、激光器、光電器件以及有 機(jī)電致發(fā)光顯示器件。
在由熒光體系列制造的無機(jī)電致發(fā)光顯示器件的情形下，由于為了使器 件工作應(yīng)當(dāng)施加高驅(qū)動電壓，因此會增加能耗。此外，由于無機(jī)電致發(fā)光顯示 器《牛用真空蒸鍍工藝制造，所以成本增加并難以制造大尺寸的器件。另外，存 在無機(jī)電致發(fā)光顯示器件不可能發(fā)出藍(lán)光的問題。
與無機(jī)電致發(fā)光顯示器件相比，有機(jī)電發(fā)光顯示器件具有一些優(yōu)點(diǎn)，例 如，高發(fā)光效率、能夠制造大尺寸器件的簡化工序、發(fā)藍(lán)光。另外，可以在有 機(jī)電致發(fā)光顯示器件中制造柔性顯示器件。從而，有機(jī)電致發(fā)光顯示器件作為 下一代平板顯示器件已被積極地研究。特別是，有源矩陣有機(jī)電致發(fā)光顯示器 件已作為平板顯示器件被提出。
根據(jù)驅(qū)動方法，有源矩陣有機(jī)電致發(fā)光顯示器件可分為電壓驅(qū)動型、電 流驅(qū)動型、數(shù)字驅(qū)動型。
在各種驅(qū)動模式中，主要使用電壓驅(qū)動型有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，這是 由于能夠高速地寫入數(shù)據(jù)并且能夠使用與用于液晶顯示器件的商品化驅(qū)動IC 相似的驅(qū)動IC。
圖l為顯示現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的像素l。如圖1所示，用彼
此交叉的柵線GL和數(shù)據(jù)線DL限定有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的像素l，并且電 源線與像素l中的數(shù)據(jù)線DL平行設(shè)置。在像素中，形成兩個(gè)薄膜晶體管(TFT) T1和T2以及發(fā)光單元20。這兩個(gè)TFTT1和T2在像素1中起不同的作用。艮卩， 作為開關(guān)TFT的第二TFTT2轉(zhuǎn)換通過數(shù)據(jù)線提供的掃描信號，而當(dāng)轉(zhuǎn)換開關(guān) TFT時(shí)，作為驅(qū)動薄膜晶體管的第一 TFTT1通過電源線PL向發(fā)光單元提供激 勵(lì)信號。
存儲電容Cstg設(shè)置在驅(qū)動TFT Tl的柵極和源極之間，以存儲驅(qū)動TFT Tl 的驅(qū)動電壓。
此后，將詳細(xì)描述現(xiàn)有技術(shù)有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的工作。 當(dāng)"高"狀態(tài)的柵信號GATE施加到柵線GL時(shí)，開關(guān)TFTT2導(dǎo)通，然 后驅(qū)動TFTT1下沉(sink)來自數(shù)據(jù)線DL的灌電流(sinkcurrent)。此時(shí)，由 于來自數(shù)據(jù)驅(qū)動IC的灌電流相同，相同量的電流被提供到有機(jī)電致發(fā)光顯示 器件的所有像素。
其后，當(dāng)將"低"狀態(tài)的柵信號GATE施加到柵線GL時(shí)，開關(guān)TFT T2 截止。此時(shí)，驅(qū)動TFT將相應(yīng)于在存儲電容器Cstg中充電的電壓供應(yīng)到發(fā)光 單元OLED以發(fā)光。
然而，在現(xiàn)有的電致發(fā)光顯示器件中存在以下問題。
當(dāng)數(shù)據(jù)信號是黑色時(shí)，驅(qū)動TFT Tl截止。即，當(dāng)將OV電壓施加到驅(qū)動 TFTT1的柵極時(shí)，該電壓不會供應(yīng)到發(fā)光單元OLED，從而在有機(jī)電致發(fā)光顯 示器件中顯示黑色。然而，在黑色數(shù)據(jù)信號的情形下，由于周圍環(huán)境和有機(jī)電 致發(fā)光顯示器件的部分錯(cuò)誤，不是OV的而是一定量的電壓被施加到電致發(fā)光 顯示器件。因此，難以在有機(jī)電致發(fā)光顯示器件上顯示黑色。另外，在現(xiàn)有的 有機(jī)電致發(fā)光顯示器件中，驅(qū)動TFTT1的壽命會由于其上的連續(xù)應(yīng)力而減短。
在有機(jī)電致發(fā)光顯示器件中，由于僅有正電壓施加到驅(qū)動TFTT1，該驅(qū) 動TFT Tl的閾值電壓偏移，從而有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的亮度退化，并且有 機(jī)電致發(fā)光顯示器件的壽命減短。另外，存儲電容器僅充有正電壓而不放電。 因此，有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的壽命由于存儲電容器Cstg的退化而減短并且 會產(chǎn)生重像。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其可以降低驅(qū)動TFT 的應(yīng)力并且可以防止重像。
為了達(dá)到該目的，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件包括多條柵線和
數(shù)據(jù)線以限定多個(gè)像素，以及多條電源線以向所述像素施加信號；數(shù)據(jù)驅(qū)動單
元，用于將所述信號提供到數(shù)據(jù)線；在各像素處以發(fā)光的發(fā)光單元；在各像素 處的第一薄膜晶體管，該第一薄膜晶體管由通過柵線輸入的信號導(dǎo)通；在各像 素處的第二薄膜晶體管，當(dāng)?shù)谝槐∧ぞw管導(dǎo)通時(shí)，該第二薄膜晶體管截止以 通過電源線將所述信號施加到所述發(fā)光單元；接地端電壓控制單元，用于控制 第一接地端電壓和第二接地端電壓，以根據(jù)該第一接地端電壓和第二接地端電 壓而分別確定從數(shù)據(jù)驅(qū)動單元輸出的電壓和施加到發(fā)光單元的電壓，其中第二 接地端電壓高于第一接地端電壓，以將低于基準(zhǔn)電壓的電壓施加到第二薄膜晶 體管。


包括以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解并結(jié)合到本發(fā)明組成本發(fā)明說明書的 一部分的附圖，示出了本發(fā)明的實(shí)施方式并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原 理。
在附圖中
圖1是示出現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的 一個(gè)像素的視圖； 圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的視圖； 圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的一個(gè)像素的電路視圖； 圖4是根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的驅(qū)動TFT和發(fā)光單元的截面 視圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在參照附圖中示出的實(shí)施例詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施方式。 參照圖2，有機(jī)電致發(fā)光顯示器件包括具有多個(gè)像素以顯示圖像的面板100 和具有外驅(qū)動電路以將信號施加到面板100中的驅(qū)動器的印刷電路板160。
有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的面板100包括由彼此交叉的多條柵線GL和數(shù)據(jù) 線DL限定的多個(gè)像素，并且諸如開關(guān)TFTT2和驅(qū)動TFTT1的驅(qū)動單元設(shè)置 在各像素處。另外，電源線PL平行于數(shù)據(jù)線DL設(shè)置在面板100中以將信號供 應(yīng)到像素中的驅(qū)動TFTT2。結(jié)合焊盤140、 142和148形成在柵線GL、數(shù)據(jù)線 DL和電源線PL的端部以將柵線GL、數(shù)據(jù)線DL和電源線PL連接到外印刷 電路板160中的外驅(qū)動電路。
存在幾種方法通過焊盤140、 142和148而將柵線GL、數(shù)據(jù)線DL和電源線 PL連接到印刷電路板160。例如，使用TCP (載帶封裝)的帶自動結(jié)合可以適 用于本發(fā)明。
面板100和印刷電路板160通過TCP 150連接。此時(shí)，數(shù)據(jù)驅(qū)動單元154安 裝到TCP150上以通過數(shù)據(jù)焊盤142將信號施加到面板中的數(shù)據(jù)線DL。在該圖 中沒有示出，將信號從外柵驅(qū)動單元通過柵焊盤140而施加到柵線GL。另外， 用于控制數(shù)據(jù)驅(qū)動單元154和柵驅(qū)動單元的控制單元安裝在印刷電路板160上。
圖3是示出圖2的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的一個(gè)像素和數(shù)據(jù)驅(qū)動單元的視 圖。盡管數(shù)據(jù)驅(qū)動單元可與多個(gè)像素連接，但是為了方便在圖中我們僅示出一 個(gè)像素。
如圖3所示，有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的像素可由柵線GL和數(shù)據(jù)線DL限 定。在各像素中形成有用于將驅(qū)動電流提供到發(fā)光單元OLED的驅(qū)動TFT Tl 、 通過柵信號GATE導(dǎo)通以將由數(shù)據(jù)線DL供應(yīng)的驅(qū)動電壓施加到驅(qū)動TFT Tl 的柵極的開關(guān)TFT T2、連接到驅(qū)動TFT Tl的柵極以充電驅(qū)動TFT Tl的驅(qū)動 電壓的存儲電容器Cstg以及用于在驅(qū)動TFT Tl導(dǎo)通時(shí)由通過電源線PL施加 的信號發(fā)光的發(fā)光單元OLED。另外，有機(jī)電致發(fā)光顯示器件包括用于將數(shù)據(jù) 電壓提供到數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)驅(qū)動單元154、以及用于將信號輸出到數(shù)據(jù)驅(qū)動 單元154以分開控制提供到驅(qū)動TFT Tl的接地端電壓Vss一EL和在數(shù)據(jù)驅(qū)動單 元154中用作基準(zhǔn)電壓的接地端電壓Vss—IC的接地端電壓控制單元164。
在本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件中，當(dāng)將"高"柵信號GATE通過柵 線GL施加到開關(guān)TFTT2時(shí)，開關(guān)TFTT2導(dǎo)通。結(jié)果，來自數(shù)據(jù)驅(qū)動單元154 的數(shù)據(jù)信號通過數(shù)據(jù)線DL和開關(guān)TFTT2施加到驅(qū)動TFTT1。同時(shí)，由于施 加到數(shù)據(jù)線DL的電流量一致，施加到所有像素的電流量相同。因此，相應(yīng)于 施加到像素的電流的電壓被充電至存儲電容器Cstg。
以下，當(dāng)將"低"柵信號GATE通過柵線GL施加到開關(guān)TFT T2時(shí)，開 關(guān)TFT T2截止并且然后驅(qū)動TFT T1將對應(yīng)于在存儲電容器Cstg中充電的電荷 的電流提供到發(fā)光單元OLED以從發(fā)光單元OLED發(fā)光。
在接地端電壓控制單元156中確定接地端電壓。根據(jù)在接地端電壓控制單 元156中確定的作為基準(zhǔn)電壓的第一接地端電壓Vss_IC，數(shù)據(jù)驅(qū)動單元154將 數(shù)據(jù)電壓Vdata輸出到數(shù)據(jù)線DL。根據(jù)在接地端電壓控制單元156中確定的第 二接地端電壓Vss一EL，確定供應(yīng)到發(fā)光單元OLED的電壓，并且通過數(shù)據(jù)電 壓Vdata確定亮度。
第二接地端電壓Vss—EL高于第一接地端電壓Vss—IC，即，Vss一EL二 Vss—IC+Va。因此，在驅(qū)動TFT Tl的柵極和源極之間的電壓Vgs，其基本為 施加到驅(qū)動TFTT1的電壓，為Vgs二Vdata—Va。換句話說，本發(fā)明的有機(jī)電 致發(fā)光顯示器件具有電壓Vgs，比現(xiàn)有的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的電壓低Va。
由于本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的電壓Vgs比現(xiàn)有技術(shù)有機(jī)電致發(fā) 光顯示器件低Va，當(dāng)數(shù)據(jù)電壓Vdata低于電壓Va時(shí)，負(fù)電壓施加到驅(qū)動TFT Tl。因此，正電壓和負(fù)電壓施加到本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件中的驅(qū)動 TFT Tl的柵極，而僅正電壓施加到現(xiàn)有的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的驅(qū)動TFT 的柵極。
在現(xiàn)有技術(shù)中，由于第一接地端電壓Vss_IC與第二接地端電壓Vss一EL 相同，當(dāng)將來自數(shù)據(jù)驅(qū)動單元154的黑信號施加到數(shù)據(jù)線DL時(shí)，施加到驅(qū)動 TFTT1的數(shù)據(jù)電壓不是0V。然而，在本發(fā)明中，由于相應(yīng)于灰度O的電壓可能 由于數(shù)據(jù)調(diào)制而低于現(xiàn)有技術(shù)的灰度O對應(yīng)的電壓，將低于基準(zhǔn)電壓的電壓施 加到驅(qū)動TFT Tl,結(jié)果可能獲得將OV電壓施加到驅(qū)動TFT Tl的效果。
在本發(fā)明中，即，施加到驅(qū)動TFT Tl的柵極的電壓不能被精確地控制在 0V。然而，由于接地端電壓控制單元156控制第二接地端電壓Vss—EL以控制 驅(qū)動TFT Tl的柵-源電壓Vgs，有可能得到將0V電壓施加到驅(qū)動TFT Tl的效 果。
如上所述，在本發(fā)明中，可以將負(fù)電壓施加到驅(qū)動TFT Tl的柵極，從而 驅(qū)動TFTT1的應(yīng)力可能減小。另外，由于負(fù)電壓被施加到存儲電容器Cstg， 數(shù)據(jù)電壓在存儲電容器Cstg中被快速放電。
圖4是本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的發(fā)光單元的截面視圖。為了簡便 在圖中只示出了驅(qū)動TFTT1。
如圖4所示，在諸如玻璃的透明基板121上形成半導(dǎo)體層123，并且在半導(dǎo) 體層123的兩側(cè)形成雜質(zhì)半導(dǎo)體125層。在基板121上方，形成柵絕緣層122以覆 蓋半導(dǎo)體層123和雜質(zhì)半導(dǎo)體125。在柵絕緣層122上的半導(dǎo)體層123的區(qū)域中形 成柵極127，并且在基板121的整個(gè)區(qū)域上方形成隔層129。源/漏極130形成在 隔層129上并通過柵絕緣層122和隔層129中的接觸孔而電連接到雜質(zhì)半導(dǎo)體 125。
鈍化層132形成在隔層129上形成，而發(fā)光單元OLED形成在鈍化層132上。 發(fā)光單元OLED通過鈍化層132中的接觸孔而連接到源/漏極130。
發(fā)光單元OLED包括在鈍化層132上與源/漏極130連接的陽極134，在陽極 上以當(dāng)施加電壓時(shí)發(fā)光的發(fā)光層136，以及在發(fā)光層136上以將電壓施加到發(fā)光 層136的陰極。陽極134由諸如銦錫氧化物的具有低功函的金屬制成，而陰極138 由具有高功函的金屬制成。
在該有機(jī)電致發(fā)光顯示器件中，當(dāng)將電壓施加到柵極127以通過源/漏極 130將激勵(lì)信號提供到陽極134和陰極138時(shí)，空穴和電子分別從陽極134和陰極 138注入到發(fā)光層136中以在發(fā)光層136中產(chǎn)生激勵(lì)。激勵(lì)在發(fā)光層136中消滅以 發(fā)出相應(yīng)于最低空余分子軌道和最高空余分子軌道之間的能量差的光。
在本發(fā)明中，由于確定施加到數(shù)據(jù)線和發(fā)光單元的電壓的基準(zhǔn)電壓，艮P， 第一接地端電壓Vss—IC與第二接地端電壓Vss—EL，被設(shè)置為不同的值，可以 控制施加到驅(qū)動TFTT1的柵極的電壓。因此，可以降低驅(qū)動TFT的應(yīng)力并且 可以防止重影。
盡管在該說明書中描述了 N-MOS TFT作為開關(guān)TFT和驅(qū)動TFT，但是本 發(fā)明適于各種TFT，而不限于該TFT。
在不脫離本發(fā)明的精神和范圍下，本發(fā)明可以做各種修改和變化，這對于 本令頁域的普通技術(shù)人員是顯而易見的。因此，本發(fā)明意欲覆蓋本發(fā)明的修改和 變化，只要它們在權(quán)利要求書及其等價(jià)物的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種電致發(fā)光顯示器件，包括限定多個(gè)像素的多條柵線和數(shù)據(jù)線，以及向所述像素施加信號的多條電源線；數(shù)據(jù)驅(qū)動單元，用于將所述信號提供到所述數(shù)據(jù)線；在各像素處用于發(fā)光的發(fā)光單元；在各像素處的第一薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管由通過所述柵線輸入的所述信號導(dǎo)通；在各像素處的第二薄膜晶體管，當(dāng)?shù)谝槐∧ぞw管被導(dǎo)通時(shí)，所述第二薄膜晶體管導(dǎo)通以通過所述電源線將所述信號施加到所述發(fā)光單元；接地端電壓控制單元，用于控制所述第一接地端電壓和第二接地端電壓，以根據(jù)所述第一接地端電壓和所述第二接地端電壓而分別確定從所述數(shù)據(jù)驅(qū)動單元輸出的電壓和施加到所述發(fā)光單元的電壓；其中所述第二接地端電壓高于所述第一接地端電壓，以將低于基準(zhǔn)電壓的所述電壓施加到所述第二薄膜晶體管。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的裝置，其特征在于，用于控制所述第一接地端電 壓和第二接地端電壓的所述接地端電壓控制單元控制所述第二薄膜晶體管的 柵-源電壓。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括 存儲電容器，位于所述像素中的所述第二薄膜晶體管的柵極和漏極之間。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的裝置，其特征在于，所述第一薄膜晶體管和第二 薄膜晶體管的至少其中之一包括N-MOS薄膜晶體管。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述第二薄膜晶體管包括 基板；在所述基板上的半導(dǎo)體； 在所述半導(dǎo)體上的柵絕緣層； 在所述半導(dǎo)體上的柵極； 在所述柵極上的隔層；以及 在所述隔層上的源極和漏極。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述第二薄膜晶體管進(jìn)一步 包括在所述基板上方的鈍化層以覆蓋所述第二薄膜晶體管。
7、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的裝置，其特征在于，所述發(fā)光單元包括在所述鈍化層上的陽極； 在所述陽極上的發(fā)光層；以及 在所述發(fā)光層上的陰極。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述陽極通過在所述鈍化層 中的接觸孔而與所述第二薄膜晶體管的源/漏極連接。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述陽極由銦錫氧化物制成。
10、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述陰極由具有低功函的 金屬制成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其包括多條柵極和數(shù)據(jù)線以限定多個(gè)像素，以及多條電源線以向所述像素施加信號；數(shù)據(jù)驅(qū)動單元，用于將所述信號施加到數(shù)據(jù)線；位于各像素處以發(fā)光的發(fā)光單元；在各像素處的第一薄膜晶體管，該第一薄膜晶體管由通過所述柵線輸入的信號導(dǎo)通；在各像素處的第二薄膜晶體管，當(dāng)?shù)谝槐∧ぞw管導(dǎo)通時(shí)，第二薄膜晶體管導(dǎo)通以通過電源線將所述信號施加到所述發(fā)光單元；接地端電壓控制單元，用于控制第一接地端電壓和第二接地端電壓，以根據(jù)該第一接地端電壓和第二接地端電壓而分別確定從數(shù)據(jù)驅(qū)動單元輸出的電壓和施加到發(fā)光單元的電壓，其中第二接地端電壓高于第一接地端電壓，以將低于基準(zhǔn)電壓的電壓施加到第二薄膜晶體管。
文檔編號G09G3/20GK101097687SQ20071012600
公開日2008年1月2日 申請日期2007年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月30日
發(fā)明者卞勝贊, 白星豪, 金京滿, 金仁煥 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社