專利名稱：半導(dǎo)體器件、顯示設(shè)備以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
0001本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件和一種顯示設(shè)備，該半導(dǎo)體
器件具有利用晶體管來控制提供給負(fù)栽的電流的功能，而該顯示設(shè)備 包括利用其亮度根據(jù)信號(hào)而改變的電流驅(qū)動(dòng)顯示元件形成的像素以 及驅(qū)動(dòng)像素的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器電路和掃描線驅(qū)動(dòng)器電路。本發(fā)明也涉及 一種這樣的半導(dǎo)體器件和顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法。此外，本發(fā)明涉及一 種在顯示部分中具有該顯示設(shè)備的電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
在公開于參考文獻(xiàn)2和3中的每種操作方法中，在每幀 周期中通過改變Vca的電位若干次來執(zhí)行初始化、閾值電壓寫入和發(fā) 光。在這些像素中，被提供有電位Vca的發(fā)光元件的一個(gè)電極，即， 對(duì)置電極被完全地形成在像素區(qū)上。所以，如果存在除了初始化和閾 值電壓寫入之外還執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入操作的甚至單個(gè)像素，那么發(fā)光元件 不發(fā)光。因此，發(fā)光周期相對(duì)一幀周期的比(即，占空比)降低，如 圖48所示。本發(fā)明的一方面提供了一種半導(dǎo)體器件，其包括晶體管、 存儲(chǔ)電容器、第一開關(guān)、第二開關(guān)和第三開關(guān)。晶體管的源電極和漏 電極中的一個(gè)被電連接到像素電極并且也通過第三開關(guān)被電連接到 第三布線；晶體管的源電極和漏電極中的另一個(gè)被電連接到第一布 線；以及晶體管的柵電極通過第二開關(guān)被電連接到第二布線并且也通 過第一開關(guān)被電連接第四布線。晶體管的源電極和漏電極中的一個(gè)通 過存儲(chǔ)電容器被電連接到晶體管的柵電極。第三布線可以是從分別控制前一行或下一行的第一至第 三開關(guān)的三條布線中選擇的布線。本發(fā)明的一方面提供了一種半導(dǎo)體器件，其包括晶體管，其源電極和漏電極中的一個(gè)被電連接到第一布線，其源電極和漏 電極中的另一個(gè)被電連接到第三布線，而其柵電極被電連接到第二布 線和第四布線；存儲(chǔ)電容器，其保持晶體管的柵-源電壓；用于通過向存儲(chǔ)電容器施加提供給第二布線的第一電位和提供給第三布線的第二電位而在存儲(chǔ)電容器中保持第一電壓的裝置；用于將存儲(chǔ)電容器的 電壓放電降至第二電壓的裝置；用于通過向存儲(chǔ)電容器施加作為第一 電位和第三電壓的總和的電位而在存儲(chǔ)電容器中保持作為第二電壓 和笫四電壓的總和的第五電壓的裝置；以及用于根據(jù)第五電壓向負(fù)栽 提供為晶體管設(shè)置的電流的裝置。
晶體管可以是n溝道晶體管。此外，晶體管的半導(dǎo)體層可 以由非晶態(tài)半導(dǎo)體膜形成。此外，晶體管的半導(dǎo)體層可以由非晶硅形 成。
在本說明書中， 一個(gè)像素意味著一個(gè)色彩單元。所以， 在包括R (紅)、G (綠)和B (藍(lán))色彩單元的全彩色顯示設(shè)備的情 況下， 一個(gè)像素意味著R、 G和B色彩單元中的任何一種。
此外，可以將在本實(shí)施方式中示出的像素應(yīng)用到圖9的顯 示設(shè)備。在該顯示設(shè)備中，在可以確保

圖12至15中示出的像素的操作 和在各行中數(shù)據(jù)寫入周期不重疊的范圍中，可以在各行中自由地設(shè)置 初始化周期的開始定時(shí)。此外，由于每個(gè)像素除了在其尋址周期之外 可以發(fā)光，所以可以顯著增加發(fā)光周期相對(duì)一幀周期的比(即，占空 比)，并且其可以是大約100%。所以，可以提供較少亮度變化和高 占空比的顯示設(shè)備。
0144此外，由于閾值寫入周期可以被設(shè)置為較長(zhǎng)，所以可以 將控制流入發(fā)光元件的電流值的晶體管的閾值電壓準(zhǔn)確地寫入電容 器。所以，提高了顯示設(shè)備的可靠性。應(yīng)該注意，沒必要要求第四開關(guān)114連接在結(jié)點(diǎn)130和晶 體管110的柵電極之間。其可以;故連接在結(jié)點(diǎn)130和結(jié)點(diǎn)131之間或者 在晶體管110的第一電極和結(jié)點(diǎn)132之間。此外，晶體管110的第二電 極可以通過第四開關(guān)114被連接到電源線124 。
0146本實(shí)施方式可以被自由地與在其它實(shí)施方式中示出的像 素配置組合。
0147(實(shí)施方式5)
在本實(shí)施方式中，參考圖29來描述具有與實(shí)施方式1中的像素不 同配置的像素。應(yīng)該注意，實(shí)施方式l和本實(shí)施方式相同的部分由相 同的附圖標(biāo)記來表示，并且因此省略了相同部分和具有類似功能的部分的詳細(xì)描述。圖29中示出的像素包括晶體管2910、第一開關(guān)lll、第二 開關(guān)112、第三開關(guān)113、第四開關(guān)114、電容器115和發(fā)光元件116。 該像素被連接到信號(hào)線117、第一掃描線118、第二掃描線119、第三 掃描線120、第四掃描線121、第一電位供應(yīng)線122、第二電位供應(yīng)線 123和電源線124。
0149在本實(shí)施方式中的晶體管2910是多柵晶體管，其中兩個(gè) 晶體管被串聯(lián)并且被提供在與實(shí)施方式l中晶體管110相同的部分中。 應(yīng)該注意，不具體限制串聯(lián)晶體管的數(shù)量。
0150通過以類似于圖1中像素的方式使圖29中示出的像素操 作，可以抑制由晶體管2910的閾值電壓的變化引起的電流值的變化。 因此，可以將根據(jù)亮度數(shù)據(jù)的電流提供給發(fā)光元件116，并且可以抑 制亮度的變化。此外，因?yàn)槔霉潭ㄔ诤愣娢坏膶?duì)置電極來進(jìn)行操 作，所以可以降低功耗。應(yīng)該注意，盡管不具體限制晶體管2910的操 作區(qū)，但是當(dāng)使晶體管2910在飽和區(qū)操作時(shí)，可以較容易地荻得本發(fā) 明的有益效果。
01511此外，當(dāng)使晶體管2910在飽和區(qū)操作時(shí)，也可以抑制由 發(fā)光元件116的衰退引起的流入晶體管2910的電流值的變化。應(yīng)該注意，沒必要要求笫四開關(guān)114連接在結(jié)點(diǎn)130和晶 體管110的柵電極之間。其可以被連接在結(jié)點(diǎn)130和結(jié)點(diǎn)131之間或者 在晶體管110的第一電極和結(jié)點(diǎn)132之間。此外，晶體管110的第二電 極可以通過第四開關(guān)114被連接到電源線124。此外，電容器3115被連接在結(jié)點(diǎn)3133和結(jié)點(diǎn)3130之間。 也就是說，電容器3115的第一電極通過第四開關(guān)3114被連接到第一晶 體管3101和第二晶體管3102的柵電極，而電容器3115的第二電極通過 第五開關(guān)3103被連接到第一晶體管3101的第一電極，并且電容器3115 的第二電極通過第六開關(guān)3104被電連接到第二晶體管3102的第一電 極。電容器3115可以通過將絕緣膜夾在布線、半導(dǎo)體層和電極之間而 形成，或者電容器3115可以通過利用第一晶體管3101和第二晶體管 3102的柵電容而省略。應(yīng)該注意，電容器3115的第一電極、第一開關(guān) 3111和結(jié)點(diǎn)3130的連接點(diǎn)由結(jié)點(diǎn)3131表示，而結(jié)點(diǎn)3133、連接到電容 器3115的第二電極的布線和發(fā)光元件3116的像素電極的連接點(diǎn)由結(jié) 點(diǎn)3132表示。此外，在圖32的(E)中示出的下一幀周期的初始化周期 中，第五開關(guān)3103被斷開，而第二開關(guān)3112、第三開關(guān)3113、第四開 關(guān)3114和第六開關(guān)3104被接通。此時(shí)，第二晶體管3102的第一電極用 作源電極，并且其電位是等于第二電位供應(yīng)線3123的電位的 Vl-Vth-a。另一方面，第二晶體管3102的柵電極的電位是V1。因此， 第二晶體管3102的柵-源電壓Vgs是Vth+a，因此笫二晶體管3102被導(dǎo) 通。然后，Vth+a被保持在電容器3115中，該電容器3115被提供在柵 電極和第二晶體管的第一電極之間。盡管在此示出的第四晶體管3114 處于接通狀態(tài)，但是其可以是斷開狀態(tài)。
0176接著，在圖32的(F)中示出的閾值寫入周期中，第三開 關(guān)3113被斷開。所以，第二晶體管3102的第一電極，即，源電極的電 位逐漸上升，并且當(dāng)其達(dá)到V1-Vth2時(shí)，換句話講，當(dāng)?shù)诙w管3102 的柵-源電壓Vgs達(dá)到閾值電壓(Vth2)時(shí)，第二晶體管3102被截止。 因此，在電容器3115中保持的電壓是Vth2。
0177〗在圖32的(G)中的下一數(shù)據(jù)寫入周期中，第二開關(guān)3112 和第四開關(guān)3114被斷開，然后第一開關(guān)3111被接通，從而使根據(jù)亮度 數(shù)據(jù)的電位(Vl+Vdata)從信號(hào)線3117輸入。應(yīng)該注意，可以通過斷 開第四開關(guān)3114而將第二晶體管3102保持在截止?fàn)顟B(tài)。所以，可以抑制電容器3115的第二電極的電位波動(dòng)，該電位波動(dòng)由在數(shù)據(jù)寫入時(shí)從 電源線3124提供的電流產(chǎn)生。此時(shí)，保持在電容器3115中的電壓Vcs 可以由Vth2+Vdata表示。此外，只要第一晶體管3101和第二晶體管3102具有控 制提供給發(fā)光元件3116的電流值的功能，那么就可接受，并且不具 體限制晶體管的種類。所以，可以利用使用晶態(tài)半導(dǎo)體膜的薄膜晶體 管(TFT)、使用通過非晶硅膜或多晶硅膜表示的非單晶態(tài)半導(dǎo)體膜 的薄膜晶體管、使用半導(dǎo)體襯底或SOI襯底形成的晶體管、MOS晶 體管、結(jié)型晶體管、雙極晶體管、使用有機(jī)半導(dǎo)體或碳納米管的晶體 管或者其它晶體管。圖31和37示出了其中并行布置的元件數(shù)量為二的示例， 其中使用晶體管和開關(guān)作為一個(gè)組，即，使用第一晶體管3101和第 五開關(guān)3103作為一組，而第二晶體管3102和第六開關(guān)3104作為一 組。然而，不具體限制并行布置的元件數(shù)量。
0192應(yīng)該注意，沒有必要要求將第四開關(guān)14提供在結(jié)點(diǎn)3130 和第一晶體管3101和第二晶體管3102的柵電極之間。其可以被連接 在結(jié)點(diǎn)3130和結(jié)點(diǎn)3131之間或者在結(jié)點(diǎn)3133和結(jié)點(diǎn)3132之間。此外，可以將本實(shí)施例中示出的^^素應(yīng)用到圖9的顯示設(shè) 備。在那種情況下，類似于實(shí)施方式l，除非在各行中的數(shù)據(jù)寫入周 期重疊，可以在各行中自由地設(shè)置初始化周期的開始定時(shí)。此外，由 于每個(gè)像素除了在其寫入周期可以發(fā)光，所以可以顯著增加發(fā)光周期
相對(duì)一幀周期的比(即，占空比)，并且其可以是大約100%。所以， 可以提供較少亮度變化和高占空比的顯示設(shè)備。
0196此外，由于閾值寫入周期可以被設(shè)置為較長(zhǎng)，所以控制 流入發(fā)光元件的電流值的晶體管的閾值電壓可以準(zhǔn)確地被寫入電容 器。所以，提高了顯示設(shè)備的可靠性。應(yīng)該注意，類似于實(shí)施方式4，可以將另一行的布線用作 第二電位供應(yīng)線3123。此外，第一晶體管3101和第二晶體管3102中的 每個(gè)可以是多柵晶體管，其中兩個(gè)晶體管被串聯(lián)或者可以具有并聯(lián)晶 體管的配置。本實(shí)施方式不僅可以應(yīng)用于這樣的情況，而且可以應(yīng)用 于在實(shí)施方式1至5所示的像素配置。晶體管3910的第一電極(源電極和漏電極中的一個(gè))被 連接到發(fā)光元件3916的像素電極；其第二電極(源電極和漏電極中的 另一個(gè))被連接到電源線3924;以及其柵電極通過第四開關(guān)3914和第 二開關(guān)3912被連接到第一電位供應(yīng)線3922。應(yīng)該注意，第四開關(guān)3914 被連接在晶體管3910的柵電極和第二開關(guān)3912之間。當(dāng)?shù)谒拈_關(guān)3914 和第二開關(guān)3912的連接點(diǎn)由結(jié)點(diǎn)3930表示，結(jié)點(diǎn)3930通過第一開關(guān) 3911被連接到信號(hào)線3917。此外，晶體管3910的第一電極也通過第三 開關(guān)3913被連接到第二電位供應(yīng)線3923 。電位V1被輸入到發(fā)光元件3916的對(duì)置電極3925和第一電位供應(yīng)線3922，而電位V1+I Vth|+a (a:任意正數(shù))被輸入第二電 位供應(yīng)線3923。此外，電位V2被輸入到電源線3924。接著，在圖40的(D)和圖41D中所示的發(fā)光周期中，第 一開關(guān)3911被斷開，而第四開關(guān)3914被接通。此時(shí)，晶體管3910的柵 -源電壓Vgs等于-Vdata-1 Vth I ,因此，晶體管3901被接通。然后， 根據(jù)亮度數(shù)據(jù)的電流流入晶體管3910和發(fā)光元件3916,從而發(fā)光元件 3916發(fā)光。不論晶體管3910的操作區(qū)(即，飽和區(qū)或線性區(qū))如何， 根據(jù)公式(8)和(10),流入發(fā)光元件3916的電流不取決于晶體管 3910的閾值電壓(Vth)。所以，可以抑制由晶體管3910的閾值電壓 的變化引起的電流變化，并且可以將根據(jù)亮度數(shù)據(jù)的電流值提供給發(fā) 光元件3916。此外，當(dāng)使晶體管3910在飽和區(qū)操作時(shí)，也可以抑制由 發(fā)光元件3916的衰退引起的亮度變化。當(dāng)發(fā)光元件3916表退時(shí)，發(fā)光 元件3916的Vel増加，并且第一電極的電位，即，晶體管3910的源電 極的電位減少。此時(shí)，晶體管3910的源電極被連接到電容器3915的第 二電極；晶體管3910的柵電極被連接到電容器3915的第一電極；而柵 電極側(cè)處于浮置狀態(tài)。所以，根據(jù)源電位的減少，晶體管3910的柵電 位也減少相同的量。因此，晶體管3910的Vgs不改變。所以，即使發(fā) 光元件衰退，也不影響流入晶體管3910和發(fā)光元件3916的電流。應(yīng)該 注意，在公式(8)中也可以了解，流入發(fā)光元件的電流I不取決于源 電位或漏電位。此外，由于可以將閾值寫入周期設(shè)置為較長(zhǎng)，所以可以 將控制流入發(fā)光元件的電流值的晶體管的閾值電壓更準(zhǔn)確地寫入電 容器。所以，提高了顯示設(shè)備的可靠性。應(yīng)該注意，可以自由地將本實(shí)施方式與在其它實(shí)施方式 中示出的像素配置組合。例如，可以將第四開關(guān)3914連接在結(jié)點(diǎn)3930 和結(jié)點(diǎn)3931之間或者在晶體管3910的第一電極和結(jié)點(diǎn)3932之間。此 外，可以通過第四開關(guān)3914將晶體管3910的第二電極連接到電源線 3924?？晒┻x擇地，可省略第四開關(guān)，如實(shí)施方式2所示。不將本實(shí) 施方式限于前述的說明，并且也可以將本實(shí)施方式應(yīng)用到任何一種在 其它實(shí)施方式中示出的像素配置。接著，使用作為柵電極1716的掩?；蛐纬蔀橄Ｍ螤畹?抗蝕劑來將賦予n型或p型導(dǎo)電性的雜質(zhì)選擇性地加入半導(dǎo)體層1714。 以這種方式，使溝道形成區(qū)和雜質(zhì)區(qū)(包括源區(qū)、漏區(qū)、GOLD區(qū)和 LDD區(qū))形成在半導(dǎo)體層1714中。取決于加入半導(dǎo)體層1714的雜質(zhì)元 素的導(dǎo)電類型可以將晶體管1713形成為n溝道晶體管或p溝道晶體管。如圖18A所示，發(fā)光層1813以及空穴注入層1811、空穴傳 輸層1812、電子傳輸層1814和電子注入層1815等被提供在像素電極 1801和對(duì)置電極1802之間。堆疊這些層，使得在施加用于設(shè)置像素電 極1801的電位為高于對(duì)置電極1802的電位的電壓時(shí)，從像素電極1801 側(cè)注入空穴，而從對(duì)置電極1802側(cè)注入電子。4H-吡喃 (4-dicyanomethylene- 2畫isopropy1—6—[2—(hlJJ-
tetramethyljulolidine-^yl) ethenyl-4H-pyran)(簡(jiǎn)寫式DCJTI)、 4畫 二氰亞甲基-2-甲基-6-[2-(1， 1， 7， 7-四甲基久洛尼定-9-基)乙烯基
-4H- p比 喃 (4-dicyanomethylene誦 2國(guó)methyl誦6-[2-(l，l，7，7-tetramethyljulolidine-9畫yl)ethenyl-4H-pyran)(簡(jiǎn)寫式DCJT)、 4畫二 氰亞甲基-2-叔丁基-6-2-(1， 1， 7， 7-四甲基久洛尼定-9-基)乙烯基] -4H- 他 喃 (4-dicyanomethylene國(guó) 2國(guó)tert畫butyl國(guó)6國(guó)[2-(l，l，7，7-tetramethyljulolidine誦9誦yl)ethenyl-4H畫pyran )(簡(jiǎn)寫式DCJTB)、periflanthene、或者2， 5曙二氰誦1， 4-二[2- (10-甲氧基-l， 1,7， 7-四甲 基久洛尼定-9-基)乙烯基]苯 (2，5-dicyano畫 l，4-bis2-(10-methoxy-l，l，7，7- tetramethyljulolidine-9-yl)ethenyl
benzene)。
為了發(fā)出綠光，可以使用在500至550nm呈現(xiàn)具有發(fā)射光鐠峰值 的光的物質(zhì)，諸如，AyV，-二甲基喹吖啶酮(iV，7V，-dimethylquinacridon ) (簡(jiǎn)寫式DMQd)、香豆素6、香豆素545T、三(8-羥基喹啉)鋁 (tris(8誦qumolinolato)aluminum )(簡(jiǎn)寫式:Alq )、或者AyV，-聯(lián)苯 二羥基喹啉并吖啶(TV，iV，-diphenylquinacridoii) ( DPQd )。為了發(fā) 出藍(lán)光，可以使用在420至500nm呈現(xiàn)具有發(fā)射光譜峰值的光的物質(zhì)， 諸如， 9， 10- 二(2- 萘基)-叔 丁基蒽 (9，10畫di(2-naphthyl)-tert誦butylanthracene )(筒寫式t-BuDNA )、 9， 9,畫聯(lián)蒽(9， 9,國(guó)bianthryl) 、 9畫10畫聯(lián)苯蒽(9，10-diphenylanthracene ) (簡(jiǎn)寫DPA )、 9， lO-二( 2-萘基)蒽(9， 10-bis(2畫naphthyl)anthracene ) (簡(jiǎn)寫式DNA) 、 二(2-曱基-8-羥基喹啉)-4-苯基苯酚-鎵 (bis(2-methyl-8-quinolinolato)-4國(guó)phenylphenolate-gallium )(簡(jiǎn)寫式 BGaq )、或者二 (2-曱基-8-羥基喹啉)4-苯基苯酴-鋁 (bis(2-methyl-8-quinolinolato)-4-phenylphenolate-aluminum )(簡(jiǎn) 寫式BAlq)。 zinc)(簡(jiǎn)寫式Zn(BTZ)2) 等。此外，形成電子傳輸層1814可以利用2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基 )-l， 3， 4- 噁 二 唑
(2-(4國(guó)biphenylyl)國(guó)5-(4-tert-butylphenyl)-l，3，4-oxadiazole )(筒寫式: PBD ) ; 1， 3-二5- ( p-叔丁基苯基)-1， 3， 4-噁二唑-2-基)苯(1，3畫bis5-(p-tert-butylphenyl) -l，3，4-oxadiazole-2-ylbenzene)(簡(jiǎn)寫式 OXD國(guó)7) ; 3-(4-叔丁基苯基畫4-苯基畫5畫(4-聯(lián)苯基)-l， 2， 4畫三唑 (3-(4—tert-butylphenyl) 一4隱phenyl-5畫(4-biphenylyl) 一l，2，4-triazole ) (簡(jiǎn)寫式:TAZ); 3-(4-叔丁基苯基-4-(4-乙基苯基)-5-(4-聯(lián)苯基)-1， 2， 4-三峻(3-(4國(guó)tert國(guó)butylphenyl) -4-(4-ethylphenyl)-5- (4-biphenylyl) 誦l，2，4畫triazole )(簡(jiǎn)寫式p-EtTAZ );紅菲繞啉(bathophenanthroline ) (簡(jiǎn)寫式BPhen);或者浴銅靈(bathocuproin)(簡(jiǎn)寫式BCP ) 等。利用具有比上述的空穴遷移率更高的電子遷移率的物質(zhì)來優(yōu)選地 形成電子傳輸層1814。此外，利用具有l(wèi)xlO m"Vs或更高的空穴遷 移率的物質(zhì)來優(yōu)選地形成電子傳輸層1814。應(yīng)該注意，電子傳輸層 1814可以是具有多層結(jié)構(gòu)的層，通過將由前述的物質(zhì)形成的兩層或更 多層進(jìn)行組合而形成該多層結(jié)構(gòu)。此外，可以將電子注入層1815提供在對(duì)置電極1802和電 子傳輸層1814之間，如圖18A所示。在此，電子注入層是具有從用作 陰極的電極向電子傳輸層1814引發(fā)電子注入的層。當(dāng)不具體提供電子 傳輸層時(shí)，可以通過在用作陰極的電極和發(fā)光層之間提供電子注入層 而有助于向發(fā)光層的電子注入。
02671不具體限制電子注入層1815的材料，并且可以利用諸如 氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)或氟化鈣(CaF2)之類的堿金屬或 堿土金屬的化合物來形成電子注入層1815?？晒┻x擇地，可以利用諸 如Alq或4，4-二(5-甲基苯并惡哇-2-基)均二苯代乙烯(BzOs)之類的具 有優(yōu)質(zhì)電子傳輸特性的物質(zhì)和諸如鎂或鋰之類的堿金屬或堿土金屬 的混合物來形成電子注入層1815。當(dāng)僅僅對(duì)置電極1727由發(fā)光物質(zhì)形成時(shí)，通過對(duì)置電極 1727從襯底的反側(cè)引出發(fā)出的光，如圖19A所示。當(dāng)僅僅像素電極1724 由發(fā)光物質(zhì)形成時(shí)，通過像素電極1724從襯底側(cè)引出發(fā)出的光，如圖 19B所示。當(dāng)像素電極1724和對(duì)置電極1727都由發(fā)光物質(zhì)形成時(shí)，通 過像素電極1724和對(duì)置電極1727從襯底側(cè)和其反側(cè)引出發(fā)出的光，如 圖19C所示。包含發(fā)光物質(zhì)的層2027和對(duì)置電極2028被形成在夾層絕 緣膜2026和位于夾層絕緣膜2026的開口中的像素電極2013上，并且發(fā)
2013和對(duì)置電極2028之間的區(qū)域中。類似地，圖22B中示出的具有溝道保護(hù)結(jié)構(gòu)的晶體管2201 不同于圖21B中示出的具有溝道蝕刻結(jié)構(gòu)的晶體管2129在于將用于 蝕刻掩模的絕緣體2202提供在其中形成溝道的半導(dǎo)體層2116的區(qū)域 上。不將晶體管和電容器的結(jié)構(gòu)限于上述的那些，并且可以 使用具有各種結(jié)構(gòu)的晶體管和電容器。
0297此外，由多晶硅(p-Si:H)等構(gòu)成的晶態(tài)半導(dǎo)體膜以及由 諸如非晶硅(a-Si:H)之類的非晶形半導(dǎo)體、半非晶形半導(dǎo)體或微晶 半導(dǎo)體構(gòu)成的非晶態(tài)半導(dǎo)體膜可以被用于晶體管的半導(dǎo)體層。然后，利用熱結(jié)晶方法、激光結(jié)晶方法或使用諸如鎳等 之類的催化元素的熱結(jié)晶方法等來晶化沉積的非晶硅膜。因此，獲得 晶態(tài)半導(dǎo)體膜。也可以通過組合這些結(jié)晶方法來執(zhí)行晶化。使開口2415形成在第一夾層絕緣膜2412中。形成第二夾 層絕緣膜2416以覆蓋晶體管2422、電容器2423和開口2415，并且使像 素電極2417形成在第二夾層絕緣膜2416上，從而通過接觸孔連接到布 線2413。此外，形成絕緣體2418以覆蓋像素電極2417的端部。然后， 使包含發(fā)光物質(zhì)的層2419和對(duì)置電極2420形成在像素電極2417上。因 此，發(fā)光單元2421被形成在其中包含發(fā)光物質(zhì)的層2419被夾在像素電極2417和對(duì)置電極2420之間的區(qū)域中。應(yīng)該注意，開口2415位于發(fā)光 元件2421之下。即，由于第一夾層絕緣膜2412具有開口2415,所以當(dāng) 使來自發(fā)光元件2421的發(fā)出光從襯底側(cè)引出時(shí)，可以增加透射率。應(yīng)該注意，不將利用用于半導(dǎo)體層的晶態(tài)半導(dǎo)體膜的晶 體管的結(jié)構(gòu)限于上述結(jié)構(gòu)，因此晶體管具有各種結(jié)構(gòu)。對(duì)于電容器來 講，可以是同樣的情況。在本實(shí)施方式中，可以適當(dāng)?shù)厥褂糜糜趫D17 中的材料，除非另有說明。在本實(shí)施方式中示出的晶體管可以被用作包括在實(shí)施方 式1至7的任何一個(gè)中描述的像素中的晶體管，其控制提供給發(fā)光元件 的電流值。所以，通過類似于實(shí)施方式1至7來使像素操作，可以抑制 由晶體管的閾值電壓的變化引起的電流變化。所以，可以將根據(jù)亮度 數(shù)據(jù)的電流提供給發(fā)光元件，并且因此可以抑制亮度的變化。此外， 因?yàn)槔霉潭ㄔ诤愣娢坏膶?duì)置電極來進(jìn)行操作，所以可以降低功 耗。
0321此外，當(dāng)將這樣的像素應(yīng)用到圖6的顯示設(shè)備時(shí)，每個(gè)像 素除了在其尋址周期之外都可以發(fā)光。所以，可以顯著地增加發(fā)光周 期相對(duì)一幀周期的比(即，占空比)，并且其可以是大約100%。因 此，可以提供沒有多少亮度變化且高占空比的顯示設(shè)備。也就是說，只將需要高速操作的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器電路形成 在使用CMOS等的IC芯片上來降低功耗。此外，通過將由硅圓晶等構(gòu) 成的半導(dǎo)體芯片用作IC芯片可以實(shí)現(xiàn)更高速的操作和更低的功耗。
通過使用用于像素部分2602的在實(shí)施方式1至7中描述的 任何像素，可以抑制隨時(shí)間像素亮度的變化或像素亮度的波動(dòng)。因此， 可以獲得更高占空比和更高品質(zhì)的顯示設(shè)備。此外，由于利用固定在 恒定電位的對(duì)置電極來執(zhí)行本發(fā)明的操作，所以可以降低功耗。此夕卜， 通過在FPC2605和襯底2600的連接部分上安裝被提供有功能電路(存 儲(chǔ)器或緩沖器)的IC芯片可以有效地利用襯底區(qū)。
此外，在像素的行方向上和列方向上沒有必要要求提供 第一掃描線驅(qū)動(dòng)器電路、第二掃描線驅(qū)動(dòng)器電路和信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器電 路。例如，如27A所示的形成在IC芯片上的外圍驅(qū)動(dòng)器電路2701可以 合并圖26B中所示的第一掃描線驅(qū)動(dòng)器電路2613、第二掃描線驅(qū)動(dòng)器 電路2614和信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器電路2611的功能。應(yīng)該注意，圖27A的襯底 2700、像素部分2702、 FPC2704、 IC芯片2705、 IC芯片2706、密封襯 底2707和密封劑2708分別對(duì)應(yīng)于圖25A的襯底2510、像素部分2502、 FPC 2509、 IC芯片2518、 IC芯片2519、密封襯底2504和密封劑2505。
FPC 2713和FPC 2714從外部向外圍驅(qū)動(dòng)器電路2711輸入 信號(hào)和電源電位。然后，使外圍驅(qū)動(dòng)器電路2711的輸出輸入到在行方 向上和列方向上的被連接到包括在像素部分2712中的像素的布線。[0345在使用白光發(fā)光單元作為發(fā)光單元的情況下，可以通過 提供具有濾色片的密封襯底來實(shí)現(xiàn)全彩色顯示。本發(fā)明也可以#皮應(yīng)用 到這樣的顯示設(shè)備。圖28示出了像素部分的部分截面視圖的示例。[0346如圖28所示，基礎(chǔ)膜2802被形成在襯底2800上；控制提 供給發(fā)光元件的電流值的晶體管2801被形成在基礎(chǔ)膜2802上；并且與晶體管2801的第一電極接觸地形成像素電極2803。在像素電極2803上 形成包含發(fā)光物質(zhì)的層2804和對(duì)置電極2805。可以適當(dāng)?shù)貙⒈緦?shí)施方式的顯示設(shè)備與實(shí)施方式8所示 的結(jié)構(gòu)以及實(shí)施方式1至7中所示的結(jié)構(gòu)組合。此外，本發(fā)明的顯示設(shè) 備的結(jié)構(gòu)不限于前述的結(jié)構(gòu)，并且因此本發(fā)明的顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)可以 被應(yīng)用到具有不同結(jié)構(gòu)的顯示設(shè)備。盡管近年來對(duì)大尺寸顯示器的需求增加，但是顯示器尺寸的增加使得成本增加成了問題。所以，基本任務(wù)是減少成本和盡可 能低地抑制高品質(zhì)產(chǎn)品的價(jià)格。
0353由于可以利用具有單極性的晶體管來制造本發(fā)明的像 素，所以可以減少制造步驟的數(shù)目并且可以降低制造成本。此外，通 過使用用于包括在像素中的每個(gè)晶體管的半導(dǎo)體層的諸如非晶硅 (a-Si:H)膜的非晶態(tài)半導(dǎo)體膜，可以簡(jiǎn)化工藝并且可以進(jìn)一步降低 成本。在那種情況下，將像素部分的外圍驅(qū)動(dòng)器電路形成在IC芯片上 并且通過COG(玻璃上芯片)等將IC芯片安裝在顯示面板上是優(yōu)選的。 應(yīng)該注意，可以在IC芯片上形成高速操作的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器電路，并且 利用包括具有單極性晶體管的電路，可以在與像素部分相同的襯底上 形成相對(duì)低速操作的掃描線驅(qū)動(dòng)器電路。應(yīng)該注意，在實(shí)施方式1至7的任何模式中示出的#>素可 以被用于顯示部分3312。根據(jù)本發(fā)明，可以抑制隨時(shí)間像素亮度的變 化或像素亮度的波動(dòng)。所以，可以獲得具有更高占空比和更高品質(zhì)的 顯示部分的相機(jī)。此外，由于利用固定在恒定電位的對(duì)置電極來執(zhí)行 本發(fā)明的操作，所以可以降低功耗。
0356〗近年來，性能的提高驗(yàn)證了數(shù)碼相機(jī)等的制造竟?fàn)帯Ｋ?以，有必要盡可能低地抑制高性能產(chǎn)品的價(jià)格。通過FPC 3411使顯示面板3410連接到印刷電路板3401。 印刷電路板3401被提供有揚(yáng)聲器3402、麥克風(fēng)3403、發(fā)送/接收電路 3404和包括CPU和控制器等的信號(hào)處理電路3405。將這樣的模塊、輸 入裝置3406和電池3407組合以及并入機(jī)架3409和機(jī)架3412中。應(yīng)該注 意，布置顯示部分3410的像素部分，使得可以從機(jī)架3412中形成的窗 口看到它。[0368在顯示面板3410中，可以利用晶體管在相同的襯底上形 成像素部分和一部分外圍驅(qū)動(dòng)器電路(在多個(gè)驅(qū)動(dòng)器電路中具有低操 作頻率的驅(qū)動(dòng)器電路)，并且可以將另一部分外圍驅(qū)動(dòng)器電路(在多 個(gè)驅(qū)動(dòng)器電路中具有高操作頻率的驅(qū)動(dòng)器電路)形成在IC芯片上。然 后，可以通過COG (玻璃上芯片)將IC芯片安裝在顯示面板3410上。 可供選擇地，可以利用TAB (巻帶自動(dòng)結(jié)合)或印刷電路板將IC芯片 連接到玻璃襯底上。此外，可以將所有外圍驅(qū)動(dòng)器電路形成在IC芯片， 并且可以通過COG等將IC芯片安裝在顯示面板上。[0369應(yīng)該注意，在實(shí)施方式1至7的任何模式中示出的像素可 以被用于像素部分。根據(jù)本發(fā)明，可以抑制隨時(shí)間像素亮度的變化或 像素亮度的波動(dòng)。因此，可以獲得具有更高占空比和更高品質(zhì)的顯示 部分的顯示面板3410。此外，由于利用固定在恒定電位的對(duì)置電極來 執(zhí)行本發(fā)明的操作，所以可以降低功耗。此外，可以通過將具有單極 性的晶體管用作包括在像素部分中的晶體管并且利用用于晶體管的 半導(dǎo)體層的非晶態(tài)半導(dǎo)體膜來降低成本。[0370在本實(shí)施方式中示出的移動(dòng)電話的結(jié)構(gòu)僅為示例性的，0371(實(shí)施方式12)在本實(shí)施方式中，參考圖35和36來描述通過組合顯示面板和電路 板而獲得的EL模塊。[0372參考圖35，顯示面板MOl包括像素部分3503、掃描線驅(qū) 動(dòng)器電路3504和信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器電路3505。例如在電路板3502上形成控 制電路3506和信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路3507等。應(yīng)該注意，顯示面板3501和電路 板3502通過連接布線3508被相互連接。就連接布線3508而言，可以使 用FPC等。[0373在顯示面板3501中，可以在相同的襯底上利用晶體管來 形成像素部分和一部分外圍驅(qū)動(dòng)器電路(在多個(gè)驅(qū)動(dòng)器電路中具有低 操作頻率的驅(qū)動(dòng)器電路)，并且可以將另一部分外圍驅(qū)動(dòng)器電路(在 多個(gè)驅(qū)動(dòng)器電路中具有高操作頻率的驅(qū)動(dòng)器電路)形成在IC芯片上。 然后，可以通過COG (玻璃上芯片)將IC芯片安裝在顯示面板3501 上。可供選擇地，可以利用TAB (巻帶自動(dòng)結(jié)合)或印刷電路板將IC 芯片連接到玻璃襯底上。此外，可以將所有的外圍驅(qū)動(dòng)器電路形成在 IC芯片上，并且可以通過COG等將IC芯片安裝在顯示面板上。[0374應(yīng)該注意，在實(shí)施方式1至7的任何模式中示出的像素可 以被用于該像素部分。根據(jù)本發(fā)明，可以抑制隨時(shí)間像素亮度的變化 或像素亮度的波動(dòng)。因此，可以獲得具有更高占空比和更高品質(zhì)的顯 示部分的顯示面板3410。此外，由于利用固定在恒定電位的對(duì)置電極 來執(zhí)行本發(fā)明的操作，所以可以降低功耗。此外，可以通過將具有單 極性的晶體管用作包括在像素部分中的晶體管并且利用用于晶體管 的半導(dǎo)體層的非晶態(tài)半導(dǎo)體膜來降低成本。0375可以利用這樣的EL模塊來實(shí)現(xiàn)EL TV接收器。圖36是示 出ELTV接收器的主要配置的方框圖。調(diào)諧器3601接收視頻信號(hào)和音 頻信號(hào)。通過視頻信號(hào)放大器電路3602、視頻信號(hào)處理電路3603和控 制電路3506來處理視頻信號(hào)，該視頻信號(hào)處理電路3603將從視頻信號(hào)放大器電路3602輸出的信號(hào)轉(zhuǎn)換成對(duì)應(yīng)于紅、綠和藍(lán)的每種顏色的彩 色信號(hào)，而該控制電路3506將視頻信號(hào)轉(zhuǎn)換成滿足驅(qū)動(dòng)器電路的輸入 規(guī)約的信號(hào)。控制電路3506向掃描線側(cè)和信號(hào)線側(cè)的每一個(gè)輸出信 號(hào)。在執(zhí)行數(shù)字驅(qū)動(dòng)的情況下，可以采用其中信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路3507被提 供在信號(hào)線側(cè)的結(jié)構(gòu)，使得輸入數(shù)字信號(hào)在被提供給像素部分之前被 劃分成m段。[0376在通過調(diào)諧器3601接收的信號(hào)中，音頻信號(hào)被發(fā)送到音 頻信號(hào)放大器電路3604，并且其輸出通過音頻信號(hào)處理電路3605被提 供給揚(yáng)聲器3606?？刂齐娐?607接收有關(guān)接收臺(tái)(接收頻率)的控制 數(shù)據(jù)或來自輸入部分3608的音量，并且向調(diào)諧器3601和音頻信號(hào)處理 電路3605發(fā)送信號(hào)。0377通過將圖35中的EL模塊并入被描述在實(shí)施方式9中的圖 33A的機(jī)架3301中，可以實(shí)現(xiàn)TV接收器。[0378不必說，本發(fā)明不限于TV接收器，并且可以具體地被應(yīng) 用于作為大尺寸顯示媒介的各種用途，諸如在火車站或機(jī)場(chǎng)等處的信 息顯示板或者在街上的廣告顯示板以及個(gè)人計(jì)算機(jī)的監(jiān)視器。[0379本申請(qǐng)基于2005年12月2日在日本專利局提交的日本專 利申請(qǐng)No. 2005-349780。通過引用將其全部?jī)?nèi)容合并于此。
權(quán)利要求
1. 一種半導(dǎo)體器件，包括晶體管，用于控制提供給像素電極的電流；存儲(chǔ)電容器，用于保持所述晶體管的柵-源電壓；第一電路，用于控制從第四布線向所述晶體管的柵電極的信號(hào)輸入；第二電路，用于控制從第二布線向所述晶體管的所述柵電極的第 一電位輸入；以及第三電路，用于控制從第三布線向所述晶體管的源電極的第二電 位輸入，其中，所述晶體管的漏電極被電連接到第一布線，而所述晶體管 的所述源電極被電連接到所述像素電極。
2. —種半導(dǎo)體器件，包括晶體管、存儲(chǔ)電容器、第一開關(guān)、第二開關(guān)和第三開關(guān)，其中，所述晶體管的源電極和漏電極中的一個(gè)被電連接到像素電 極和所述第三開關(guān)的笫一端，而所述第三開關(guān)的第二端被連接到第三布線；其中，所述晶體管的所述源電極和所述漏電極中的另一個(gè)被電連 接到第一布線；其中，所述晶體管的柵電極被電連接到所述第二開關(guān)的第一端和 所述第一開關(guān)的第一端，所述第二開關(guān)的第二端被電連接到第二布 線，而所述第一開關(guān)的第二端被電連接到第四布線；并且其中，所述晶體管的所述源電極和所述漏電極中的所述一個(gè)被電 連接到所述存儲(chǔ)電容器的第一端，而所述晶體管的所述柵電極被電連 接到所述存儲(chǔ)電容器的第二端。
3. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第三布線是從分 別控制前一行或下一行的所述第一至第三開關(guān)的三條布線中選擇的 布線。
4. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一開關(guān)至所述 第三開關(guān)是晶體管。
5. —種半導(dǎo)體器件，包括晶體管、存儲(chǔ)電容器、第一開關(guān)、第 二開關(guān)、第三開關(guān)和第四開關(guān)，其中，所述晶體管的源電極和漏電極中的一個(gè)被電連接到像素電 極和所述第三開關(guān)的第一端，而所述第三開關(guān)的第二端被連接到第三布線；其中，所述晶體管的所述源電極和所述漏電極中的另一個(gè)被電連接到第一布線；其中，所述晶體管的柵電極被電連接到所述第四開關(guān)的第一端； 其中，所述第四開關(guān)的第二端被電連接到所述第二開關(guān)的第一端和所述第一開關(guān)的第一端，所述第二開關(guān)的第二端被電連接到第二布線，而所述第一開關(guān)的第二端被電連接到第四布線；并且其中，所述晶體管的所述源電極和所述漏電極中的所述一個(gè)被電連接到所述存儲(chǔ)電容器的第一端，而所迷第四開關(guān)的所迷第二端被電連接到所述存儲(chǔ)電容器的第二端。
6. —種半導(dǎo)體器件，包括晶體管、存儲(chǔ)電容器、第一開關(guān)、第 二開關(guān)、第三開關(guān)和第四開關(guān)，其中，所述晶體管的源電極和漏電極中的一個(gè)被電連接到像素電 極和所述第三開關(guān)的第一端，而所述第三開關(guān)的第二端被連接到第三 布線；其中，所述晶體管的所述源電極和所述漏電極中的另 一個(gè)被電連 接到第一布線；其中，所述晶體管的柵電極被電連接到所述第二開關(guān)的第一端和 所述第四開關(guān)的第一端，所述第二開關(guān)的第二端被電連接到第二布 線，所述第四開關(guān)的第二端被電連接到所述第一開關(guān)的第一端，而所 述第一開關(guān)的第二端被電連接到笫四布線；并且其中，所述晶體管的所述源電極和所述漏電極中的所述一個(gè)被電 連接到所述存儲(chǔ)電容器的第一端，而所述第四開關(guān)的所述第二端被電連接到所述存儲(chǔ)電容器的第二端。
7. —種半導(dǎo)體器件，包括晶體管、存儲(chǔ)電容器、第一開關(guān)、第 二開關(guān)、第三開關(guān)和第四開關(guān)，其中，所述晶體管的源電極和漏電極中的一個(gè)被電連接到像素電 極和所述第三開關(guān)的第一端，而所述第三開關(guān)的第二端被連接到第三布線；其中，所述晶體管的所述源電極和所述漏電極中的另 一個(gè)被電連 接到所述第四開關(guān)的第一端，而所述第四開關(guān)的第二端被電連接到第一布線；其中，所述晶體管的柵電極被電連接到所述第二開關(guān)的第一端和 所述第一開關(guān)的第一端，所述第二開關(guān)的第二端被電連接到第二布 線，而所述第一開關(guān)的第二端被電連接到第四布線；并且其中，所述晶體管的所述源電極和所述漏電極中的所述一個(gè)被電 連接到所述存儲(chǔ)電容器的第一端，而所述晶體管的所述柵電極被電連 接到所述存儲(chǔ)電容器的第二端。
8. —種半導(dǎo)體器件，包括晶體管、存儲(chǔ)電容器、第一開關(guān)、第 二開關(guān)、第三開關(guān)和第四開關(guān)，其中，所述晶體管的源電極和漏電極中的一個(gè)被電連接到所述第 四開關(guān)的第一端，所述第四開關(guān)的第二端被連接到像素電極和所述第 三開關(guān)的第一端，而所述第三開關(guān)的第二端被電連接到第三布線；其中，所述晶體管的所述源電極和所述漏電極中的另 一個(gè)被電速 接到第一布線；其中，所述晶體管的柵電極被電連接到所述第二開關(guān)的第一端和 所述第一開關(guān)的第一端，所述第二開關(guān)的第二端被電連接到第二布 線，而所述第一開關(guān)的第二端被電連接到第四布線；并且其中，所述第四開關(guān)的所述第二端被電連接到所述存儲(chǔ)電容器的 第一端，而所述晶體管的所述柵電極被電連接到所述存儲(chǔ)電容器的第。
9. 如權(quán)利要求2、 5、 6、 7和8中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第三布線與控制所述第三開關(guān)的布線相同。
10. 如權(quán)利要求5、 6、 7和8中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中， 所述第三布線是從分別控制前一行或下一行的所述第一至第四開關(guān) 的四條布線中選擇的布線。
11. 如權(quán)利要求l、 2、 5、 6、 7和8中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件， 其中，所述晶體管是薄膜晶體管。
12. 如權(quán)利要求l、 2、 5、 6、 7和8中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件， 其中，所述晶體管是ii溝道晶體管。
13. 如權(quán)利要求l、 2、 5、 6、 7和8中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件， 其中，所述晶體管的半導(dǎo)體層由非晶態(tài)半導(dǎo)體膜形成。
14. 如權(quán)利要求l、 2、 5、 6、 7和8中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件， 其中，所述晶體管的半導(dǎo)體層由非晶硅形成。
15. 如權(quán)利要求l、 2、 5、 6、 7和8中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件， 其中，所述晶體管的半導(dǎo)體層由晶態(tài)半導(dǎo)體膜形成。
16. 如權(quán)利要求l、 2、 5、 6、 7和8中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件， 其中，向所述第二布線提供的電位高于向所述第三布線提供的電位， 并且這兩個(gè)電位之間的差大于所述晶體管的閾值電壓的絕對(duì)值。
17. 如權(quán)利要求l、 2、 5、 6、 7和8中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件， 其中，所述晶體管是p溝道晶體管。
18. 如權(quán)利要求l、 2、 5、 6、 7和8中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件， 其中，向所述第二布線提供的電位低于向所述第三布線提供的電位， 并且這兩個(gè)電位之間的差大于所述晶體管的閾值電壓的絕對(duì)值。
19. 如權(quán)利要求5、 6、 7和8中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中， 所述第一開關(guān)至所述第四開關(guān)是晶體管。
20. 如權(quán)利要求l、 2、 5、 6、 7和8中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件， 其中，所述存儲(chǔ)電容器是電容器元件。
21. —種顯示設(shè)備，包括根據(jù)權(quán)利要求l、 2、 5、 6、 7和8中任何 一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件。
22. —種電子設(shè)備，包括根據(jù)權(quán)利要求21的所述顯示設(shè)備作為顯示部分。
23. —種半導(dǎo)體器件，包括晶體管，其源電極和漏電極中的一個(gè)被連接到第一布線，其源電 極和漏電極中的另一個(gè)被電連接到第三布線，而其柵電極被電連接到 第二布線和第四布線；存儲(chǔ)電容器，其保持所述晶體管的柵-源電壓；用于通過向所述存儲(chǔ)電容器施加提供給所述第二布線的第一電 位和提供給所述第三布線的第二電位來在所述存儲(chǔ)電容器中保持第 一電壓的裝置；用于將所述存儲(chǔ)電容器的電壓放電降至第二電壓的裝置；用于通過將作為所述第一電位和第三電壓的總和的電位施加到 所述存儲(chǔ)電容器來在所述存儲(chǔ)電容器中保持作為所述第二電壓和第 四電壓的總和的第五電壓的裝置；以及用于根據(jù)所述第五電壓向負(fù)載提供為所述晶體管設(shè)置的電流的裝置。
24. —種半導(dǎo)體器件，包括晶體管，其源電極和漏電極中的一個(gè)被連接到第一布線，其源電 極和漏電極中的另一個(gè)被電連接到第三布線，而其柵電極被電連接到 第二布線和第四布線；存儲(chǔ)電容器，其保持所述晶體管的柵-源電壓；用于通過向所述存儲(chǔ)電容器施加提供給所述第二布線的第一電 位和提供給所述第三布線的第二電位來在所述存儲(chǔ)電容器中保持第 一電壓的裝置；用于將所述存儲(chǔ)電容器的電壓放電降至所述晶體管的閾值電壓 的裝置；用于通過將作為所述第一電位和第二電壓的總和的電位施加到 所述存儲(chǔ)電容器來在所述存儲(chǔ)電容器中保持作為所述晶體管的所述 閾值電壓和第三電壓的總和的第四電壓的裝置；以及用于根據(jù)所述第四電壓向負(fù)栽提供為所述晶體管設(shè)置的電流。
25. 如權(quán)利要求23或24所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述晶體管是 薄膜晶體管。
26. 如權(quán)利要求23或24所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述晶體管是 n溝道晶體管。
27. 如權(quán)利要求23或24所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述晶體管的 半導(dǎo)體層由非晶態(tài)半導(dǎo)體膜形成。
28. 如權(quán)利要求23或24所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述晶體管的 半導(dǎo)體層由非晶硅形成。
29. 如權(quán)利要求23或24所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述晶體管的 半導(dǎo)體層由晶態(tài)半導(dǎo)體膜形成。
30. 如權(quán)利要求23或24所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一電位 高于所述第二電位，并且所述第一電位和所述第二電位之間的差大于 所述晶體管的所述閾值電壓的絕對(duì)值。
31. 如權(quán)利要求23或24所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述晶體管是 p溝道晶體管。
32. 如權(quán)利要求23或24所迷的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一電位 低于所述第二電位，并且所述第一電位和所述第二電位之間的差大于 所述晶體管的所述閾值電壓的絕對(duì)值。
33. 如權(quán)利要求23或24所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述負(fù)載是發(fā) 光元件。
34. 如權(quán)利要求23或24所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述存儲(chǔ)電容 器是電容器元件。
35. —種顯示設(shè)備，包括根據(jù)權(quán)利要求23或24所述的半導(dǎo)體器件。
36. —種電子設(shè)備，包括根據(jù)權(quán)利要求35的所述顯示設(shè)備作為顯 示部分。
全文摘要
一種顯示設(shè)備，其包括負(fù)載、用于控制提供給該負(fù)載的電流值的晶體管、電容器、第一布線、第二布線以及第一至第四開關(guān)。通過以下步驟可以抑制由晶體管的閾值電壓變化引起的電流值變化(1)在存儲(chǔ)電容器中保持晶體管的閾值電壓，(2)輸入根據(jù)視頻信號(hào)的電位，以及(3)在存儲(chǔ)電容器中保持作為閾值電壓和根據(jù)視頻信號(hào)的電位的總和的電壓。因此，可以將期望的電流提供給諸如發(fā)光元件之類的負(fù)載。
文檔編號(hào)G09G3/20GK101313348SQ20068004353
公開日2008年11月26日 申請(qǐng)日期2006年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月2日
發(fā)明者木村肇 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所