專利名稱：D/a變換電路、有機(jī)el驅(qū)動(dòng)電路及有機(jī)el顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及D/A變換電路、有機(jī)EL驅(qū)動(dòng)電路及有機(jī)EL顯示裝置， 詳細(xì)而言，涉及一種能夠?qū)崿F(xiàn)低電壓驅(qū)動(dòng)、具有高的變換精度且在IC化 時(shí)可抑制專有面積的、利用了電流反射鏡電路的D/A變換電路。并且，涉 及一種通過(guò)利用了電流反射鏡電路的D/A變換電路來(lái)生成與顯示數(shù)據(jù)對(duì) 應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流，并將其輸出到有機(jī)EL面板的端子管腳來(lái)驅(qū)動(dòng)列線(column lines)(有機(jī)EL元件的陽(yáng)極側(cè)驅(qū)動(dòng)線，以下相同)或數(shù)據(jù)線的電流驅(qū)動(dòng) 電路、和可抑制顯示裝置的每個(gè)產(chǎn)品的亮度偏差及顯示裝置的亮度不均并 容易實(shí)現(xiàn)顯示亮度的Y修正的有機(jī)EL驅(qū)動(dòng)電路。
背景技術(shù)：
在移動(dòng)電話機(jī)、PHS、 DVD播放器、PDA (便攜終端裝置)等中搭載 的有機(jī)EL顯示裝置的有機(jī)EL顯示面板中，提出了一種列線(column lines) 具有396 (132X3)個(gè)端子管腳、行線(row lines)具有162個(gè)端子管腳 的顯示面板，列線、行線的端子管腳具有比上述個(gè)數(shù)增加的傾向。作為這樣的有機(jī)EL顯示面板的驅(qū)動(dòng)電路，本申請(qǐng)的申請(qǐng)人在特開 2003—234655號(hào)申請(qǐng)中提出了對(duì)應(yīng)列線管腳來(lái)設(shè)置D/A變換電路(下面 稱為D/A)的發(fā)明(專利文獻(xiàn)l)。該發(fā)明通過(guò)列管腳對(duì)應(yīng)的D/A接收顯 示數(shù)據(jù)和基準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電流，根據(jù)基準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電流對(duì)顯示數(shù)據(jù)進(jìn)行D/A變換，對(duì) 應(yīng)列管腳生成列方向的驅(qū)動(dòng)電流或成為該驅(qū)動(dòng)電流的根源的電流。專利文獻(xiàn)1:特開2003 — 234655號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)1所記載的有機(jī)EL驅(qū)動(dòng)電路為了降低消耗電力，將上述D/A 的電源電壓例如抑制為DC3V左右，將最終段的輸出段電流源的電源電壓 例如設(shè)為DC15V 20V，與各列管腳(或者驅(qū)動(dòng)器IC的各輸出端子)對(duì) 應(yīng)設(shè)置的各D/A接收對(duì)應(yīng)各列管腳(或者驅(qū)動(dòng)器IC的各輸出端子)而分 配的基準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電流，生成成為有機(jī)EL元件(以下為OEL元件)的驅(qū)動(dòng)電流根源的電流，來(lái)驅(qū)動(dòng)輸出段電流源。由此，將電流驅(qū)動(dòng)電路整體的消耗 電力抑制使之降低。然而，由于上述D/A在IC化時(shí)需要對(duì)應(yīng)管腳設(shè)置，所以，為了抑制其占有面積，目前成為4比特 6比特左右的變換比特?cái)?shù)。如專利文獻(xiàn)1所記載的有機(jī)EL驅(qū)動(dòng)電路那樣，若使用變換比特?cái)?shù)為 4比特 6比特左右的D/A驅(qū)動(dòng)輸出段電流源，從而對(duì)OEL元件進(jìn)行電流 驅(qū)動(dòng)，則由于D/A的電流變換精度差，所以，有機(jī)EL驅(qū)動(dòng)電路在列管腳 對(duì)應(yīng)的或各輸出端子對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流中將產(chǎn)生偏差。該偏差會(huì)表現(xiàn)為顯示 裝置的每個(gè)產(chǎn)品的亮度偏差或顯示裝置的亮度不均。其中，有機(jī)EL顯示面板的各OEL元件與陰極射線管(CRTtube)的 情況同樣，其亮度相對(duì)根據(jù)顯示數(shù)據(jù)的值而產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)電流不是直線的關(guān) 系，其亮度成為與作為R、 G、 B使用的有機(jī)EL元件的材料的發(fā)光特性對(duì) 應(yīng)的曲線。而且，有機(jī)EL顯示面板越成為高分辨率，其顯示畫面的畫質(zhì) 變化越顯著。因此，需要進(jìn)行顯示亮度的Y修正。通常，在進(jìn)行顯示亮度的Y修正時(shí)，可以考慮通過(guò)驅(qū)動(dòng)器等內(nèi)部中的 軟件處理，來(lái)修正對(duì)D/A變換電路設(shè)定的顯示數(shù)據(jù)，但在4比特 6比特 左右的D/A中，由于變換比特?cái)?shù)少，所以存在著無(wú)法進(jìn)行Y修正的問(wèn)題。 因此，需要對(duì)應(yīng)管腳設(shè)置Y修正電路，但Y修正電路的增加將導(dǎo)致電流驅(qū) 動(dòng)電路的占有面積增大的問(wèn)題。鑒于此，申請(qǐng)人為了解決上述問(wèn)題而在國(guó)際申請(qǐng)JP2005 — 5673號(hào)中 申請(qǐng)了一種"D/A變換電路、有機(jī)EL驅(qū)動(dòng)電路及有機(jī)EL顯示裝置"。 不限定于Y修正，從高精度的要求出發(fā)，要求D/A的變換比特?cái)?shù)為6比特 以上的位數(shù)，但若設(shè)為7比特或7比特以上，則因?yàn)镈/A的占有面積增加， 導(dǎo)致可對(duì)一個(gè)IC分配的管腳數(shù)受限，必須對(duì)應(yīng)一條掃描線的列管腳數(shù)的 增加來(lái)增加驅(qū)動(dòng)IC的數(shù)量。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于解決這樣的現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題點(diǎn)，提供一種能夠?qū)崿F(xiàn) 低電壓驅(qū)動(dòng)、具有高變換精度且IC化時(shí)可抑制專有面積的D/A。本發(fā)明的另一個(gè)目的在于，提供一種可抑制顯示裝置的亮度偏差與亮度不均、適合高精度顯示的有機(jī)EL驅(qū)動(dòng)電路及有機(jī)EL顯示裝置。本發(fā)明的又一個(gè)目的在于，提供一種容易進(jìn)行顯示亮度的Y修正的有機(jī)EL驅(qū)動(dòng)電路及有機(jī)EL顯示裝置。為了實(shí)現(xiàn)該目的的第一發(fā)明的D/A、有機(jī)EL驅(qū)動(dòng)電路及有機(jī)EL顯 示裝置的結(jié)構(gòu)為，在由對(duì)被變換數(shù)據(jù)進(jìn)行D/A變換的電流反射鏡電路構(gòu)成 的D/A轉(zhuǎn)換器中，所述電流反射鏡電路具有對(duì)n比特的被變換數(shù)據(jù)的高位(n—m)位 (n為4或4以上的整數(shù)，m為2或2以上的整數(shù)，(n—m)為2或2以 上的整數(shù))進(jìn)行D/A變換的第一電流反射鏡電路、和進(jìn)行低位m數(shù)位的D/A 變換的加權(quán)電流電路模塊，加權(quán)電流電路模塊具備至少m個(gè)分流電路，其與第一電流反射鏡電 路中的、與用于進(jìn)行D/A變換的輸出側(cè)晶體管不同的一個(gè)輸出側(cè)晶體管的 上游或下游從屬連接、且將不同的輸出側(cè)晶體管中流動(dòng)的電流作為與所述 低位m數(shù)位的各位權(quán)的電流值對(duì)應(yīng)的分流電流而流動(dòng)；和選擇電路，其將 該m個(gè)分流電路各自中流動(dòng)的各分流電流選擇性地輸出給第一電流反射鏡 電路的模擬變換電流的輸出端子。第二發(fā)明的結(jié)構(gòu)為，將所述電流反射鏡電路設(shè)為第一電流反射鏡電 路，將所述加權(quán)電流電路模塊設(shè)為未呈二極管連接輸入側(cè)晶體管的第二電 流反射鏡電路。第一電流反射鏡電路具有與n比特的被變換數(shù)據(jù)的高位(n—m)位 (m為2或2以上的整數(shù)，(n—m)為2或2以上的整數(shù))的各數(shù)位所在 位置分別對(duì)應(yīng)的多個(gè)輸出側(cè)晶體管和與這些多個(gè)輸出側(cè)晶體管并列設(shè)置 的不同的輸出側(cè)晶體管；并且，多個(gè)輸出側(cè)晶體管分別產(chǎn)生與(n—m)位 的各位權(quán)的電流值對(duì)應(yīng)的各電流。第二電流反射鏡電路從屬連接在不同的輸出側(cè)晶體管的上游側(cè)或下 游側(cè)，且講輸入側(cè)晶體管和其多個(gè)輸出側(cè)晶體管公共連接的基極被設(shè)定為 規(guī)定的恒壓，通過(guò)將在不同的輸出側(cè)晶體管中流過(guò)的電流或流向其中的電 流，分配給第二電流反射鏡電路的輸入側(cè)晶體管和其多個(gè)輸出側(cè)晶體管， 使得該第二電流反射鏡電路的所述多個(gè)輸出側(cè)晶體管分別產(chǎn)生與m數(shù)位的各位權(quán)的電流值對(duì)應(yīng)的各電流。發(fā)明效果本發(fā)明涉及一種由電流反射鏡電路構(gòu)成的D/A (電流開關(guān)型D/A)， 設(shè)置有對(duì)n比特的被變換數(shù)據(jù)的高位(n—m)位進(jìn)行D/A變換的第一電 流反射鏡電路、和進(jìn)行低位m數(shù)位的D/A變換的加權(quán)電流電路模塊或第二 電流反射鏡電路，并且，通過(guò)將加權(quán)電流電路模塊或第二電流反射鏡電路 與第一電流反射鏡電路的和進(jìn)行D/A變換的輸出側(cè)晶體管不同的輸出側(cè)晶 體管的上游或下游從屬連接，對(duì)應(yīng)低位m數(shù)位的位權(quán)使不同的輸出側(cè)晶體 管中流動(dòng)的電流作為分流電流流向加權(quán)電流電路模塊或第二電流反射鏡 電路，將該分流電流作為低位m數(shù)位的模擬變換電流輸出給D/A變換電路。在電流反射鏡電路型的D/A變換電路中，從1的位所在數(shù)位到最大數(shù) 位所在位置的權(quán)值為l、 2、 4、 8、 16…，相對(duì)前一位以2的乘方增加。因 此，對(duì)應(yīng)位權(quán)生成模擬變換電流的輸出側(cè)晶體管的數(shù)量也增加，但如果如 上所述，設(shè)置將與進(jìn)行D/A變換的電流反射鏡電路的輸出側(cè)晶體管不同的 輸出側(cè)晶體管中流動(dòng)的電流，對(duì)應(yīng)低位m數(shù)位的位權(quán)進(jìn)行分流的電流的電 路，則電流反射鏡電路型D/A變換電路的第一電流反射鏡電路的變換位數(shù) 成為高位(n—m)位，相應(yīng)地可減少晶體管的數(shù)量。而且，構(gòu)成進(jìn)行低位 m數(shù)位D/A變換的加權(quán)電流電路模塊或第二電流反射鏡電路的晶體管數(shù)只 要與m數(shù)位對(duì)應(yīng)即可。若具體說(shuō)明，則在將特性相等的晶體管并聯(lián)連接來(lái)構(gòu)成電流反射鏡電 路型D/A的情況下，整體的晶體管單元數(shù)原本為i:2的n次方(n=l n)。 但是，在如上所述以上游、下游的關(guān)系分割為高位數(shù)位和低位數(shù)位，例如 將m設(shè)為比1的位更低位的數(shù)位時(shí)，整體的晶體管單元數(shù)量為i:2的(n _m)次方(n = l (n—m))十E2的m次方(m=l m) +2。由此，可大幅度減少單元晶體管數(shù)量。其中，上述公式的最后一項(xiàng)"+2"在將加權(quán)電流電路模塊設(shè)為未呈 二極管連接輸入側(cè)晶體管的電流反射鏡電路時(shí)的第二發(fā)明中，是設(shè)置于第 一電流反射鏡電路的不同的輸出側(cè)晶體管和第二電流反射鏡電路的輸入 晶體管之和的個(gè)數(shù)。例如，在8位的情況下，晶體管單元數(shù)以往為i:2的n次方(n = l n) 二255個(gè)，但在本發(fā)明中，在設(shè)m二4的情況下，由于高位數(shù)位為32個(gè)、低位數(shù)位為16個(gè)左右，所以，總共為48個(gè)之多即可。在將m分配為比1的位更上位的數(shù)位時(shí)，晶體管單元的個(gè)數(shù)與以往相 比可以減少。比"1"的位更下位的位權(quán)為1/2 (=0.5) 、 1/4 (=0.25)、 1/8 (=0.125)、…，在將m分配到比l的位更加低的數(shù)位所在位置、例 如1/4 (=0.25)的數(shù)位所在位置、或比其更低位的數(shù)位所在位置時(shí)，也 同樣可以減少晶體管單元的個(gè)數(shù)。以上的情況下，本發(fā)明的D/A將加權(quán)電流電路模塊或其他的電流反射 鏡電路的D/A變換模塊從屬連接在一個(gè)電流反射鏡電路的D/A變換模塊的 輸出側(cè)晶體管上。而且，進(jìn)而在后者的電路中設(shè)置選擇電路或多個(gè)切換開 關(guān)電路等即可。因此，即使增高D/A的電源電壓，也能夠?qū)崿F(xiàn)D/A變換， 成為適合低電壓驅(qū)動(dòng)的電路。結(jié)果，本發(fā)明可提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)低電壓驅(qū)動(dòng)、具有高的變換精度且 在IC化時(shí)可抑制專有面積的D/A。并且，通過(guò)利用該D/A構(gòu)成生成與顯示 數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流的電流驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)對(duì)有機(jī)EL面板的端子管腳進(jìn) 行輸出的列線或數(shù)據(jù)線，可以抑制利用有機(jī)EL面板的顯示裝置的亮度偏 差與亮度不均。而且，作為此時(shí)的D/A，通過(guò)將變換比特?cái)?shù)例如設(shè)為8比 特或8比特以上，本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)將顯示數(shù)據(jù)設(shè)為執(zhí)行過(guò)Y修正后的數(shù)據(jù)。 由此，可實(shí)現(xiàn)對(duì)應(yīng)各輸出端子容易進(jìn)行Y修正的電流驅(qū)動(dòng)電路，且可抑制 電流驅(qū)動(dòng)電路的占有面積的增加。


圖1是應(yīng)用了本發(fā)明的D/A的一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)EL驅(qū)動(dòng)電路的框圖。圖2是其他實(shí)施例的框圖。圖3是有源矩陣型有機(jī)EL驅(qū)動(dòng)電路的框圖。圖中l(wèi)一輸出段電流源，2 —端子管腳，3、 4a—OEL元件，4一像素 電路，5 —寫入控制電路，6—MPU、 7 —行側(cè)掃描電路，IO —列驅(qū)動(dòng)器，II、 21—D/A變換電路(D/A) ， 12—恒流源，13 —恒壓偏置電路，14一 峰值電流生成電路，15 —控制電路，15a—反相器，16、 17 —寄存器，110、III、 llla、 lllb —電流反射鏡電路，112 —穩(wěn)壓電源，113 —電源線，114 —輸出線，Tna TNg、QN1 QN5、Trb Trg—N溝道MOS晶體管，SWla、SWlb、 SW2a、 SW2b、 SW3a、 SW3b —開關(guān)電路。
具體實(shí)施方式
圖1是應(yīng)用了本發(fā)明的D/A的一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)EL驅(qū)動(dòng)電路的框圖， 圖2是圖1的D/A的其他具體例的電路圖，圖3是有源矩陣型有機(jī)EL驅(qū) 動(dòng)電路的框圖。圖1中，IO是有機(jī)EL驅(qū)動(dòng)電路的列驅(qū)動(dòng)器，11是其D/A， 12是產(chǎn) 生基準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電流Ip的恒流源，13是恒壓偏置電路，14是峰值電流生成電 路，15是控制電路，16是存儲(chǔ)顯示數(shù)據(jù)的寄存器。D/A11由電流反射鏡電路110、和輸入側(cè)晶體管未被二極管連接的電 流反射鏡電路111構(gòu)成。恒壓偏置電路13對(duì)構(gòu)成電流反射鏡電路111的 晶體管的公共柵極進(jìn)行恒壓偏置。由此，電流反射鏡電路lll成為輸入側(cè) 晶體管和多個(gè)輸出側(cè)晶體管形成電流分流路徑的電流分流電路模塊。電流反射鏡電路110是由N溝道MOS輸入側(cè)晶體管TNa、 TNp和N 溝道MOS輸出側(cè)晶體管TNb TNg構(gòu)成的電流反射鏡電路。輸入側(cè)晶體 管TNp與輸入側(cè)晶體管TNa并列設(shè)置。各輸出側(cè)晶體管TNc TNg與8比特顯示數(shù)據(jù)中的高位5比特(D3 D7)的各數(shù)位所在位置分別對(duì)應(yīng)地設(shè)置，各自的漏極產(chǎn)生與各數(shù)位所在位 置對(duì)應(yīng)的模擬變換電流，各漏極中流動(dòng)的電流的總計(jì)值成為高位5比特的 模擬變換電流。在各輸出側(cè)晶體管TNc TNg的漏極與輸出線114之間分別設(shè)置有N 溝道MOSFET晶體管Trc Trg作為開關(guān)電路。而且，晶體管Trc Trg的 柵極分別與高位5比特的顯示數(shù)據(jù)的各輸入端子D3 D7連接。這里，各晶體管Trc Trg分別成為開關(guān)電路，根據(jù)由寄存器17輸出 的顯示數(shù)據(jù)D3 D7來(lái)決定這些晶體管的ON/OFF。顯示數(shù)據(jù)D3 D7與 從該顯示數(shù)據(jù)的第一數(shù)位到第五數(shù)位的高位5位對(duì)應(yīng)，位權(quán)分別為l、 2、 4、 8、 16。另一方面，低位數(shù)位3比特的顯示數(shù)據(jù)D0 D2被提供給電流 反射鏡電路lll的開關(guān)電路SWla SW3a、 SWlb SW3b。另外，8比特的顯示數(shù)據(jù)D0 D7根據(jù)控制電路15的鎖存脈沖LP被 從MPU等設(shè)定到寄存器16中。電流反射鏡電路111由N溝道MOS的輸入側(cè)晶體管QN1和N溝道 MOS的輸出側(cè)晶體管QN2 QN4構(gòu)成，這些晶體管QN1 QN4的源極經(jīng) 由晶體管Trb的漏極一源極與輸出側(cè)晶體管TNb的漏極連接。由此，晶體 管QN1 QN4位于輸出側(cè)晶體管TNb的上游。另外，該輸出側(cè)晶體管TNb 是本發(fā)明輸出側(cè)晶體管的另 一具體例。晶體管Trb是與設(shè)置在輸出側(cè)晶體管TNc TNg的上游側(cè)的各晶體管 Trc Trg對(duì)應(yīng)的一個(gè)開關(guān)電路，其柵極與規(guī)定的偏壓Va連接，總是被設(shè) 為ON狀態(tài)。因此，也可以不設(shè)置晶體管Trb，而直接將電流反射鏡電路 111與輸出側(cè)晶體管TNb的上游連接，但設(shè)置晶體管Trb的情況下，D/A 的電路平衡更佳。另夕卜，各N溝道輸入側(cè)晶體管TNa、 TNp、輸出側(cè)晶體管TNb TNg、 Trc Trg的背柵極與地面GND連接。在電流反射鏡電路110中，其輸入側(cè)晶體管TNa的源極與地面GND 連接，輸入側(cè)晶體管TNp的源極經(jīng)由開關(guān)電路SW與地面GND連接。而 且，各晶體管TNa、 TNp、 TNb TNg的柵極被公共連接，并且，晶體管 TNa、 TNp的各自柵極和漏極與D/A11的輸入端子lla連接。由此，晶體 管TNa、 TNp被二極管連接，這兩個(gè)晶體管成為該電流反射鏡電路的輸入 側(cè)晶體管。另外，開關(guān)電路SW從控制電路15經(jīng)由反相器15a接收控制脈沖 CONT而被ON/OFF。這里，由于輸出側(cè)晶體管TNb和設(shè)置于其上游的電流反射鏡電路111 在電源電壓線與地線(ground line)之間從屬連接，所以，電流反射鏡電 路111的各晶體管QN1 QN4中流動(dòng)的電流的合計(jì)電流流向輸出側(cè)晶體 管TN。電流反射鏡電路111的輸入側(cè)晶體管QN1未被二極管連接，輸入側(cè) 晶體管N1與其多個(gè)輸出側(cè)晶體管QN2 QN4的基極公共連接，該公共連 接的基極被恒壓偏置電路13偏置為規(guī)定的恒壓，將下游的輸出側(cè)晶體管 TNb中流動(dòng)的電流分流給晶體管QNl QN4。由此，該電路代替電阻電路 網(wǎng)的二進(jìn)制加權(quán)的加權(quán)電流電路，成為由相同值的晶體管單元的內(nèi)部阻抗 形成的二進(jìn)制加權(quán)的加權(quán)電流電路模塊。輸出側(cè)晶體管QN2 QN4的漏極分別與下列端子連接，即由與晶 體管Trc Trb同樣的N溝道MOS晶體管構(gòu)成的一對(duì)開關(guān)電路SW1和 SWlb的一端被公共連接的端子、 一對(duì)開關(guān)電路SW2a和SW2b的一端被 公共連接的端子、以及一對(duì)開關(guān)電路SW3a和SW3b的一端被公共連接的一山7頓子。開關(guān)電路SWla、開關(guān)電路SW2a、開關(guān)電路SW3a的另一方端子與輸 出線114連接。該輸出線114與D/A11的輸出端子lib連接。開關(guān)電路 SWlb、開關(guān)電路SW2b、開關(guān)電路SW3b的另一方端子與電源線113連接。 該輸出線113與穩(wěn)壓電源(regulator power source )112連接。因此，根據(jù)穩(wěn)壓電源112的被穩(wěn)定化的恒定電源，各晶體管單元流動(dòng) 相同的電流。由此，與所選擇的單元晶體管的數(shù)量對(duì)應(yīng)的電流值的電流從 穩(wěn)壓電源112經(jīng)由電源線113被提供給電流反射鏡電路111。另外，電流 反射鏡電路111從輸出端子llb匯集(sink)與所選擇的單元晶體管的數(shù) 量對(duì)應(yīng)的電流值的電流，將其輸出到輸出端子llb。晶體管QN2 QN4的旁邊表示的X1、 X2、 X4…的數(shù)字表示了并聯(lián)連接的晶體管單元的單元數(shù)(以下稱為單元數(shù))。晶體管QN1 QN通過(guò)由公共基極從偏置電路13接收規(guī)定的恒壓偏壓， 將構(gòu)成各晶體管QN1 QN4的各晶體管單元設(shè)定為實(shí)質(zhì)相同的規(guī)定阻抗(電 阻值)。因此，電流反射鏡電路111能夠根據(jù)構(gòu)成各晶體管QN1 QN4的 晶體管單元數(shù)，以規(guī)定的比率分配在下游輸出側(cè)晶體管TNb中流動(dòng)的電流。 其原因在于，各晶體管單元實(shí)質(zhì)上作為特性相等的元件而形成IC。這里，電流反射鏡電路111通過(guò)由公共基極從偏置電路13接收規(guī)定 恒壓的偏壓，從而由輸出側(cè)晶體管QN2 QN4形成分流電路，該分流電路 具有對(duì)應(yīng)低位m數(shù)位的位權(quán)且并聯(lián)連接內(nèi)部阻抗為相同值的晶體管的m個(gè) 分流電路(其中，與最低位數(shù)位的位權(quán)對(duì)應(yīng)的分流電路未并聯(lián))，并且， 與最低位數(shù)位的位權(quán)對(duì)應(yīng)的分流電路由輸入側(cè)晶體管QN1形成，追加1個(gè) 該分流電路便構(gòu)成加權(quán)電流電路模塊(電流分流電路模塊)。各輸出側(cè)晶體管QN2 QN4分別對(duì)應(yīng)于顯示數(shù)據(jù)(被變換數(shù)據(jù))的低 位m數(shù)位的各數(shù)位所在位置。輸入側(cè)晶體管QN1的漏極經(jīng)由開關(guān)電路SWb與電源線113側(cè)連接，開關(guān)電路SWb總是被設(shè)定成ON狀態(tài)。而且，輸入側(cè)晶體管QN1的漏極經(jīng)由 開關(guān)電路SWa與輸出線114連接，開關(guān)電路SWa總是處于OFF狀態(tài)。結(jié)果， 輸入側(cè)晶體管QN1的漏極經(jīng)由輸出線113與穩(wěn)壓電源112連接，其中流動(dòng) 的電流總是流向下游的輸出側(cè)晶體管TNb。開關(guān)電路SWla、 SWlb、開關(guān)電路SW2a和開關(guān)電路SW2b、 SW3a、 SW3b 分別接收顯示數(shù)據(jù)D0 D2而被0N/0FF。顯示數(shù)據(jù)D0 D2是與處于1位以 下的低位3位、即1/8、 1/4、 1/2的位權(quán)對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)。開關(guān)電路SWla和SWlb、開關(guān)電路SW2a和SW2b、開關(guān)電路SW3a和SW3b 由與晶體管Tix Trg同樣的晶體管構(gòu)成， 一對(duì)開關(guān)電路的一方晶體管的 柵極分別經(jīng)由反相器17a、 17b、 17c接收顯示數(shù)據(jù)D0 D2。由此，各開關(guān) 電路SWla和SWlb、 SW2a和SW2b、 SW3a和SW3b的0N/0FF操作被相輔執(zhí) 行，輸出側(cè)晶體管QN2 QN4的漏極選擇與穩(wěn)壓電源112或者D/A11的輸 出端子llb連接。因此，這些開關(guān)電路SWla SW3a、開關(guān)電路SWlb SW3b 成為對(duì)來(lái)自穩(wěn)壓電源112的電流和從D/A11的輸出端子llb匯集的電流進(jìn) 行切換的切換電路。D/A11的輸出端子lib與輸出段電流源1的輸入連接，D/A11對(duì)輸出 段電流源1進(jìn)行電流驅(qū)動(dòng)。輸出段電流源1通常由電流反射鏡電路構(gòu)成。 其輸入側(cè)晶體管被D/A11驅(qū)動(dòng)，在輸出側(cè)晶體管中產(chǎn)生的電流，經(jīng)由無(wú)源 矩陣型的有機(jī)EL面板的端子管腳2被提供到OEL元件3的陽(yáng)極，對(duì)其進(jìn) 行電流驅(qū)動(dòng)。另外，0EL元件3的陰極通常經(jīng)由低側(cè)驅(qū)動(dòng)電路接地，但由 于低側(cè)驅(qū)動(dòng)電路與本發(fā)明無(wú)關(guān)，所以，這里如圖所示，將其設(shè)定為接地的 情況。各晶體管TNa、 TNp、 TNb TNg的附近所示的Xl、 X2、 X4…的數(shù)字 也表示了并聯(lián)連接的晶體管單元的單元數(shù)。在X1的情況下，不并聯(lián)連接。 對(duì)應(yīng)該單元數(shù)，輸出側(cè)晶體管TNc TNg、輸出側(cè)晶體管QN2 QN4產(chǎn)生各 自的輸出電流與顯示數(shù)據(jù)D0 D7的位權(quán)對(duì)應(yīng)的模擬變換電流。當(dāng)輸出側(cè) 晶體管TNb、 TNc成為Xl時(shí)，它們中流動(dòng)的動(dòng)作電流相等。由于輸出側(cè)晶體管TNb、 TNc為Xl，所以，流動(dòng)與輸入側(cè)晶體管TNa 相同電流值工p的電流。因此，晶體管頂b的電流值Ip的電流被分流給電 流反射鏡電路111的輸入側(cè)晶體管QN1和輸出側(cè)晶體管QN2 QN4。艮P，來(lái)自穩(wěn)壓電源112的電流經(jīng)由電源線113而在輸出側(cè)晶體管TNb 中流動(dòng)的電流值為Ip的電流產(chǎn)生分流，流入到輸入側(cè)晶體管QN1和輸出 側(cè)晶體管QN2 QN4中。此時(shí)，電流值Ip根據(jù)這些晶體管的工作電流比而 被分流。輸入側(cè)晶體管QN1為X1，輸出側(cè)晶體管QN2 QN4分別為X4、 X2、 XI。由于單元數(shù)的總數(shù)為X8，所以，晶體管QN1中流動(dòng)電流值Ip/8， 晶體管QN2中流動(dòng)電流值Ip/2，晶體管QN3中流動(dòng)電流值Ip/4，晶體管 QN4中流動(dòng)電流值Ip/8的分流電流。這些電流值與1以下的低位模擬變換 電流值對(duì)應(yīng)。這里，由于追加的分流電路的晶體管QN1中總是從穩(wěn)壓電源112流入 電流值Ip/8，所以，在下游的輸出側(cè)晶體管TNb中流動(dòng)的電流作為各分流 電流的合計(jì)值而流動(dòng)電流值Ip的電流。結(jié)果，由于輸出側(cè)晶體管TNb中 流動(dòng)的電流的電流值成為與輸入側(cè)晶體管TNa相同的電流值Ip，所以，可 以提高D/A變換精度。另夕卜，此時(shí)的各晶體管QN1 QN4的動(dòng)作電流比為QN1: QN2: QN3: QN4=1: 4: 2: 1。其中，若考慮各晶體管QN1 QN4中的以X4、 X2、 Xl并聯(lián)連接的單 元數(shù)，則各單元晶體管的內(nèi)部阻抗相等，分別流動(dòng)相同的電流值Ip/8。結(jié) 果，該電流反射鏡電路111成為以電流值Ip/8為分辨率的由二進(jìn)制加權(quán) 的加權(quán)電流電路形成的D/A變換電路。穩(wěn)壓電源112從電源線+VDD接收電力供給，產(chǎn)生1. 5V 2. OV左右的 穩(wěn)定化的電壓。當(dāng)在圖1所示的電源電壓與地面GND之間堆積了 4段左右 的MOS晶體管時(shí)，如果電源電壓為1.5V 2.0V，則D/A11能夠作為D/A 變換電路進(jìn)行充分的動(dòng)作。在開關(guān)電路SWlb、開關(guān)電路SW2b、開關(guān)電路SW3b全都接通時(shí)，電流 反射鏡電路111中的各分流電流從穩(wěn)壓電源112經(jīng)由輸入側(cè)晶體管QN1和 輸出側(cè)晶體管QN2 QN4，被提供給位于下游的電流反射鏡電路110的晶體 管TNb。此時(shí)，開關(guān)電路SWlb、開關(guān)電路SW2b、開關(guān)電路SW3b接收到"OOO" 的顯示數(shù)據(jù)D0 D2，分別接通，開關(guān)電路SWla、開關(guān)電路SW2a、開關(guān)電 路SW3a則相反處于斷開狀態(tài)。這里，在顯示數(shù)據(jù)D0 D2中成為"l"的數(shù)位所在位置，開關(guān)電路SWla、開關(guān)電路SW2a、開關(guān)電路SW3a所對(duì)應(yīng)開關(guān)電路接通，輸出側(cè)晶體管QN2 QN4中與成為"1"的數(shù)位所在位置對(duì)應(yīng)的晶體管和輸出端子llb連接。相 反，與成為"1"的數(shù)位所在位置對(duì)應(yīng)的開關(guān)電路SWlb、開關(guān)電路SW2b、 開關(guān)電路SW3b斷開，輸出側(cè)晶體管QN2 QN4中與成為"1"的數(shù)位所在 位置對(duì)應(yīng)的晶體管被從穩(wěn)壓電源112分離。例如，若將顯示數(shù)據(jù)D0 D2為"001"且被接通的開關(guān)電路設(shè)為開關(guān) 電路SWla，則開關(guān)電路SWla將輸出側(cè)晶體管QN2的漏極與輸出端子lib 連接。由此，可以從輸出端子llb匯集電流值Ip/2 (=4XIp/8)。艮口，根據(jù)顯示數(shù)據(jù)D0 D2，可以選擇QN2二Ip/2、 QN2 = Ip/4、 QN4=Ip/8中任意一個(gè)或多個(gè)電流值作為模擬變換電流，輸出給輸出端子llb。因此， 一對(duì)開關(guān)電路SWla和SWlb、 一對(duì)開關(guān)電路SW2a和SW2b、 一 對(duì)開關(guān)電路SW3a和SW3b成為選擇分流電流的選擇電路。這里，第四數(shù)位(D3)處于"1"的位的數(shù)位所在位置。如果將顯示 數(shù)據(jù)設(shè)為8比特，則只要使"1"的位數(shù)位的位置相當(dāng)于將8比特劃分為 高位和低位兩部分時(shí)實(shí)質(zhì)上處于正中間的數(shù)位所在位置(若將顯示數(shù)據(jù)設(shè) 為m比特，則當(dāng)m為偶數(shù)時(shí)相當(dāng)于m/2的數(shù)位所在位置，當(dāng)m為奇數(shù)時(shí)相 當(dāng)于正中的數(shù)位所在位置)即可。因此，第四數(shù)位(D3)處于"1"的位 的數(shù)位所在位置。通過(guò)將該實(shí)質(zhì)上相當(dāng)于正中間的位置設(shè)為"1"的位， 可以在更低位的數(shù)位所在位置對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置輸出側(cè)晶體管TNb，將該輸 出側(cè)晶體管TNb分配為將自身的電流(其電流值是與"1"的位的位置的 電流值相同的Ip)分流給電流反射鏡電路111的晶體管。由此，可以將8比特的最高位數(shù)位的位權(quán)128向下側(cè)移動(dòng)比"1"的 位更低位的3個(gè)數(shù)位，最高位的位權(quán)變成16。通常，8比特的最高數(shù)位所 在位置的權(quán)值128，次高位置的權(quán)值為64，每增加1位就增加到2倍的值， 若如本實(shí)施例的數(shù)位所在位置D0 D2那樣，通過(guò)在上游設(shè)置電流反射鏡 電路，由此將輸出側(cè)晶體管TNb的電流分流給電流反射鏡電路lll，禾U用 電流反射鏡電路111生成多個(gè)位權(quán)的電流值的電流，其位權(quán)處于比"1" 的位更低位，則電路反射鏡電路111的最高數(shù)位的單元晶體管數(shù)為16個(gè)， 電流反射鏡電路111的單元晶體管數(shù)也只要16個(gè)左右。艮P，如果上游的電流反射鏡電路的各輸出側(cè)晶體管分別生成比"1"的位更低位的位權(quán)的電流值，則可抑制輸出側(cè)晶體管數(shù)量的增加。另夕卜， 也可以將輸出側(cè)晶體管TNb的單元數(shù)設(shè)為X2，將其電流設(shè)為與第五數(shù)位(D4)電流值2Ip相同。該情況下，晶體管QN1中流動(dòng)電流值為Ip/4的 分流電流，晶體管QN2中流動(dòng)電流值為Ip的分流電流，晶體管QN3中流 動(dòng)電流值為Ip/2的分流電流，晶體管QN4中流動(dòng)電流值為Ip/4的分流電 流。因此，晶體管QN2產(chǎn)生1位數(shù)位的分流電流，整體為7比特。電流反 射鏡電路110的1位的數(shù)位成為不必要，高位數(shù)位成為4比特。這樣，通過(guò)以上游側(cè)設(shè)置的電流反射鏡電路的輸入側(cè)晶體管與輸出側(cè) 晶體管的溝道寬度比(或者柵極寬度比)，將下游的輸出側(cè)晶體管中流動(dòng) 的電流分配給這些晶體管，從而可容易地生成低位的位權(quán)。并且，上游的 電流反射鏡電路111分配給其輸出側(cè)晶體管的2次方電流或2次方分之一 的電流，被輸入到D/A11的輸出端子llb。在上述的實(shí)施例中，由于從輸出端子lib匯集的電流的位權(quán)為1/8、 1/4、 1/2，所以，與它們的位權(quán)對(duì)應(yīng)的電流產(chǎn)生于"1"的位以下的各個(gè) 數(shù)位所在位置。此時(shí)，下游的晶體管TNb中流動(dòng)的電流是將由電流反射鏡 電路111分配的電流進(jìn)行合流后的電流、即是電流反射鏡電路的整體的動(dòng) 作電流。該動(dòng)作電流是與第四數(shù)位(D3)的晶體管TNe中流動(dòng)的電流相同 的電流值工P。為了實(shí)現(xiàn)這種情況，需要追加一個(gè)由晶體管QN1構(gòu)成的分流 電路。在這種由上游、下游的疊加關(guān)系的電流反射鏡電路構(gòu)成的D/A中，可 以使晶體管TNb TNd的漏極一源極間的電壓，比以一個(gè)電流反射鏡電路 的結(jié)構(gòu)直接分流"1"的位以下的數(shù)位的電流而得到的D/A低。并且，由 于晶體管TNb的電流成為與晶體管TNa和晶體管TNp中流動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電流對(duì) 應(yīng)的值，所以，D/A變換而得到的模擬電流值的精度高。在上述實(shí)施例中，晶體管TNb nTNc中流動(dòng)的電流成為與輸入側(cè)晶體 管TNa相同的電流值Ip，由于實(shí)質(zhì)上相等，所以，從第四數(shù)位(D3)開始 其下側(cè)的低位的變換電流精度提高。而且，由于最高位的并聯(lián)連接單元數(shù) 保留很少的數(shù)目即16個(gè)，所以，相應(yīng)地提高了變換電流精度。對(duì)于該實(shí)施例的D/A11而言，由輸出側(cè)晶體管產(chǎn)生的模擬變換電流值 減小了向低數(shù)位所在位置側(cè)移動(dòng)的量。但是，如果相應(yīng)地增大輸入側(cè)晶體管的驅(qū)動(dòng)電流，則可以在移動(dòng)后的低數(shù)位所在位置得到移動(dòng)之前的數(shù)位所 在位置的模擬變換電流。產(chǎn)生該輸入側(cè)晶體管的驅(qū)動(dòng)電流的部件是恒流源 12。恒流源12例如與+ 3V左右的低電源線+VDD連接，經(jīng)由輸入端子lla 向其下游設(shè)置的晶體管TNa和晶體管TNp輸送驅(qū)動(dòng)電流Ip。該恒流源12與基準(zhǔn)電流分配電路的輸出電流源對(duì)應(yīng)?；鶞?zhǔn)電流分配 電路通過(guò)由電流反射鏡電路構(gòu)成的輸入側(cè)晶體管接收基準(zhǔn)電流，作為反射 鏡電流向?qū)?yīng)輸出端子管腳而并列設(shè)置的多個(gè)輸出側(cè)晶體管分配基準(zhǔn)電 流。此時(shí)分配的基準(zhǔn)電流或基準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電流(基準(zhǔn)電流被放大后的電流)在 0EL元件3的驅(qū)動(dòng)初期使0EL元件3的驅(qū)動(dòng)電流產(chǎn)生峰值電流。與產(chǎn)生該 峰值電流的電流值對(duì)應(yīng)的電流值為驅(qū)動(dòng)電流值Ip。其從設(shè)置于基準(zhǔn)電流分 配電路的電流反射鏡電路的各輸出側(cè)晶體管被輸出到各D/A11的輸入側(cè)晶 體管TNa中。另外，電流源12通常被設(shè)為一個(gè)P溝道M0S晶體管，其源 極與電源線+VDD連接，其漏極與輸入端子lla連接。如圖1所示，在與輸入側(cè)晶體管TNa并聯(lián)設(shè)置的輸入側(cè)晶體管TNp的 下游具有開關(guān)電路SW。該開關(guān)電路SW經(jīng)由反相器15a接收控制脈沖CONT 的翻轉(zhuǎn)信號(hào)?？刂齐娐?5在OEL元件3的驅(qū)動(dòng)初期產(chǎn)生一定期間為HIGH 電平("H")的控制脈沖CONT。由此，開關(guān)電路SW在驅(qū)動(dòng)初期斷開，D/A11中產(chǎn)生了用于生成所述峰值電流的模擬變換電流。然后，通過(guò)停止控制脈 沖CONT將其變?yōu)長(zhǎng)OW電平("L")，使得開關(guān)電路SW接收其翻轉(zhuǎn)信號(hào) "H"而接通。由此，驅(qū)動(dòng)電流值Ip被分流給晶體管TNp，在晶體管TNa 和晶體管TNp中流動(dòng)，輸入側(cè)的驅(qū)動(dòng)電流成為Ip/10， OEL元件3的驅(qū)動(dòng) 電流從驅(qū)動(dòng)初期的峰值電流降至恒流。綜上所述，D/A11可以使變換比特?cái)?shù)為8比特，并且最高數(shù)位的權(quán)重 為X16。由此，還能夠抑制超過(guò)第四數(shù)位(D3)的高位數(shù)位的輸出電流的 偏差。圖2是其他實(shí)施例的D/A21的電路，是將兩段電流反射鏡電路111連 接而成的D/A實(shí)施例。其中，替換了圖1的電流反射鏡電路lll，在電流 反射鏡電路110的上游設(shè)置有電流反射鏡電路llla、 lllb。另外，圖2中，將圖1的由晶體管構(gòu)成的各開關(guān)電路僅變更為開關(guān)來(lái)描述，簡(jiǎn)化了 D/A電路21。而且，將恒壓偏置電路13設(shè)為恒壓偏置電路 13a、 13b，將穩(wěn)壓電源112等簡(jiǎn)化為簡(jiǎn)單的電源。穩(wěn)壓電源112的電壓在 本實(shí)施例中優(yōu)選為2.0V 2. 5V左右。'為了便于說(shuō)明，圖2的電流反射鏡電路llla、 lllb將圖1中位于最 右側(cè)的晶體管QN1移動(dòng)到最左側(cè)。電流反射鏡電路llla的晶體管QN1省 略了開關(guān)電路SWa、 SWb，直接與電流反射鏡電路lllb的晶體管QN1連接。D/A21在晶體管TNb的上游設(shè)置有電流反射鏡電路llla。而且，在電 流反射鏡電路llla的輸出側(cè)晶體管QN1的上游設(shè)置有電流反射鏡電路 lllb。電流反射鏡電路lllb是與電流反射鏡電路111同樣的電路，與位于 電流反射鏡電路llla的下游的晶體管TNb相當(dāng)?shù)木w管，成為電流反射 鏡電路11 la的輸出側(cè)晶體管QN1 。由此，由于位于電流反射鏡電路lllb的下游的輸出側(cè)晶體管QN1的 電流值為Ip/8，所以，電流反射鏡電路lllb的各晶體管QN1 QN4的分配 電流成為QNl二Ip/ (8X8) ， QN2 = Ip/ (2X8) ， QN3二Ip/ (4X8) ， QN4 二工p/ (8X8)。結(jié)果，電流反射鏡電路lllb的晶體管QN2、 QN3、 QN4的 位權(quán)成為1/16、 1/32、 1/64，具有與它們對(duì)應(yīng)的位權(quán)的模擬變換電流值由 電流反射鏡電路lllb產(chǎn)生。另外，在該實(shí)施例中，進(jìn)而D/A21還將變換比特?cái)?shù)在低位數(shù)位側(cè)增加 3比特。成為變換對(duì)象的顯示數(shù)據(jù)整體成為11比特，為D0 D10。顯示數(shù) 據(jù)D0 D10中的顯示數(shù)據(jù)D0 D2這三比特被施加給電流反射鏡電路lllb， 顯示數(shù)據(jù)D3 D5這三比特被施加給電流反射鏡電路llla，顯示數(shù)據(jù)D6 D10這五比特被施加給電流反射鏡電路110。圖中，省略了針對(duì)這一點(diǎn)的 圖示。圖3是表示由于D/A11的輸出端子llb成為電流匯集的輸出，所以， 刪除輸出段電流源1，將D/A的輸出端子lib直接與有源矩陣型有機(jī)EL 面板的端子管腳2連接的實(shí)施例。D/All經(jīng)由端子管腳2將輸出端子lla 與有機(jī)EL面板101的像素電路4的數(shù)據(jù)線X (Xl Xn)連接，對(duì)有源矩陣 型的有機(jī)EL面板進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。100是與輸出端子管腳2對(duì)應(yīng)設(shè)置D/All的電流驅(qū)動(dòng)電路，由MPU6控制?？刂齐娐?5被MPU6控制，向?qū)懭肟刂齐娐?傳輸定時(shí)控制信號(hào)Tl、 T2。如圖3所示，像素電路(顯示單元)4對(duì)應(yīng)X、 Y的矩陣布線(數(shù)據(jù)線 XI、…Xn、掃描線Y1、 Y2、…)的交點(diǎn)而設(shè)置。在該像素電路4內(nèi)，配置 有N溝道M0S晶體管Trl，該N溝道M0S晶體管Trl的源極側(cè)與柵極與各 數(shù)據(jù)線與各掃描線Yl的各交點(diǎn)處連接。0EL元件4a被設(shè)置于像素電路4 的P溝道M0S驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2驅(qū)動(dòng)。在晶體管Tr2的源極一柵極間連接著 電容器C。晶體管Tr2的源極例如與+ 7V左右的+Vcc電源線連接，其漏 極側(cè)與0EL元件4a的陽(yáng)極連接。0EL元件4a的陰極與低側(cè)掃描電路7的 開關(guān)電路7a連接，經(jīng)由該開關(guān)電路7a與地面GND連接。像素電路4中，在晶體管Trl與晶體管Tr2之間設(shè)置有P溝道M0S晶 體管Tr3和N溝道M0S晶體管Tr4。晶體管Tr3成為將晶體管Tr2作為輸 出側(cè)晶體管構(gòu)成電流反射鏡電路4b的輸入側(cè)晶體管。在晶體管Tr3的下 游，晶體管Trl的漏極與其漏極連接。晶體管Tr4經(jīng)由其源極和漏極，連 接在晶體管Tr3和晶體管Trl的連接點(diǎn)與電流反射鏡電路4b的公共柵極 (晶體管Tr2的柵極)之間。晶體管Trl的柵極經(jīng)由掃描線Y1 (寫入線)與寫入控制電路5連接， 晶體管Tr4的柵極經(jīng)由掃描線Y2 (擦除線)與寫入控制電路5連接。寫入 控制電路5根據(jù)控制信號(hào)Tl、 T2，對(duì)掃描線Yl (寫入線)和掃描線Y2 (擦 除線)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)掃描，通過(guò)使這些掃描線處于"H"狀態(tài)，使得晶體管Trl 和晶體管Tr4都導(dǎo)通。由此，不僅能夠以規(guī)定的驅(qū)動(dòng)電流驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2， 還可以向電容器C充電，在電容器C中保持規(guī)定的驅(qū)動(dòng)電壓。結(jié)果，在電容器C中寫入驅(qū)動(dòng)電流值。此時(shí)，電容器C將其作為電壓 值進(jìn)行存儲(chǔ)。另夕卜，對(duì)應(yīng)來(lái)自控制電路15的控制脈沖C0NT，在充電初期 該電容器C中流動(dòng)峰值電流。MOS晶體管Tr2根據(jù)該存儲(chǔ)的電容器C的電壓而被電流驅(qū)動(dòng)。此時(shí)存 儲(chǔ)于電容器C的電壓成為與寫入時(shí)的驅(qū)動(dòng)電流對(duì)應(yīng)的電壓值，0EL元件4a 被以與寫入時(shí)的驅(qū)動(dòng)電流對(duì)應(yīng)的電流值電流驅(qū)動(dòng)。當(dāng)晶體管Tr2與晶體管 Tr3的溝道寬度相等時(shí)，可以產(chǎn)生與寫入電流相同的驅(qū)動(dòng)電流。在各實(shí)施例中，電流反射鏡電路111相對(duì)構(gòu)成D/A的電流反射鏡電路的輸出側(cè)晶體管TNb TNg，將構(gòu)成開關(guān)電路的晶體管Trb Trd設(shè)置在這 些輸出側(cè)晶體管的上游，但晶體管Trb Trd也可以設(shè)置在各輸出側(cè)晶體 管的下游。而且，實(shí)施例的D/A舉出了 8比特和11比特的例子。但本發(fā)明當(dāng)然 也能夠應(yīng)用于具有9比特、10比特或超過(guò)11比特的比特?cái)?shù)的變換位數(shù)的 D/A中。另夕卜，雖然電流反射鏡電路110和電流反射鏡電路111分別與各自的 輸出側(cè)晶體管串聯(lián)地設(shè)置有開關(guān)電路，但這些開關(guān)電路也可以設(shè)置在各輸 出側(cè)晶體管的下游側(cè)。工業(yè)上的可利用性綜上所述，實(shí)施例可通過(guò)未呈二極管連接輸入側(cè)晶體管的電流反射鏡 電路來(lái)形成二進(jìn)制加權(quán)的加權(quán)電流電路模塊，但本發(fā)明的二進(jìn)制加權(quán)的加 權(quán)電流電路模塊不限定于由電流反射鏡電路形成。而且，實(shí)施例的D/A以N溝道M0S晶體管為主體，但該D/A當(dāng)然也可 以是P溝道MOS晶體管或?qū)⑵渑cN溝道MOS晶體管組合的電路。并且，這 些晶體管當(dāng)然也可以是雙極性晶體管。此外，該情況下，柵極對(duì)應(yīng)基極、 源極對(duì)應(yīng)發(fā)射極、漏極對(duì)應(yīng)集電極，晶體管的溝道寬度(柵極寬度)之比 成為發(fā)射極面積比。
權(quán)利要求
1、一種D/A變換電路，由對(duì)被變換數(shù)據(jù)進(jìn)行D/A變換的電流反射鏡電路構(gòu)成，所述電流反射鏡電路具有對(duì)n比特的所述被變換數(shù)據(jù)的高位即n-m數(shù)位進(jìn)行D/A變換的所述第一電流反射鏡電路、和進(jìn)行低位m數(shù)位的D/A變換的加權(quán)電流電路模塊，其中n為4或4以上的整數(shù)，m為2或2以上的整數(shù)，n-m為2或2以上的整數(shù)，所述加權(quán)電流電路模塊，包括至少m個(gè)分流電路，其從屬連接在所述第一電流反射鏡電路的、與用于進(jìn)行D/A變換的輸出側(cè)晶體管不同的一個(gè)輸出側(cè)晶體管的上游或下游、且將所述不同的輸出側(cè)晶體管中流動(dòng)的電流作為與所述低位m數(shù)位的各個(gè)位權(quán)的電流值對(duì)應(yīng)的分流電流而流動(dòng)；和選擇電路，其將該m個(gè)分流電路各自中流動(dòng)的各所述分流電流選擇性地輸出給所述第一電流反射鏡電路的所述模擬變換電流的輸出端子。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的D/A變換電路，其特征在于， 所述選擇電路具有用于根據(jù)所述低位m數(shù)位的數(shù)據(jù)值來(lái)選擇各所述分流電流的多個(gè)開關(guān)電路，多個(gè)開關(guān)電路分別對(duì)應(yīng)所述m個(gè)分流電路而設(shè)置。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的D/A變換電路，其特征在于， 所述選擇電路為了將所述不同的輸出側(cè)晶體管中流過(guò)的電流或向其流動(dòng)的電流保持恒定值，還具有不同的分流電路，其接收來(lái)自規(guī)定的電流 源的電流并將電流提供給所述不同的輸出側(cè)晶體管，所述多個(gè)開關(guān)電路是分別切換來(lái)自所述規(guī)定的電流源的電流和向所 述輸出端子輸出的分流電流，并使其在所述m個(gè)分流電路中流動(dòng)的多個(gè)切 換電路。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的D/A變換電路，其特征在于， 所述加權(quán)電流電路模塊由基極公共連接且輸入側(cè)晶體管未呈二極管連接的第二電流反射鏡電路構(gòu)成，公共連接的所述基極被設(shè)定為規(guī)定的恒 壓，所述第二電流反射鏡電路的輸出側(cè)晶體管被設(shè)為所述m個(gè)分流電路， 所述第二電流反射鏡電路的輸入側(cè)晶體管被設(shè)為所述不同的分流電路。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的D/A變換電路，其特征在于， 所述第一電流反射鏡電路分別具有與所述多個(gè)輸出側(cè)晶體管串聯(lián)連接的開關(guān)電路，這些開關(guān)電路根據(jù)所述高位即n—m數(shù)位的數(shù)據(jù)而被接通/ 斷開，所述多個(gè)切換電路分別與所述第二電流反射鏡電路的各個(gè)所述輸出 側(cè)晶體管串聯(lián)連接，根據(jù)所述低位m數(shù)位的數(shù)據(jù)進(jìn)行切換動(dòng)作，所述低位 m數(shù)位與比1的位更低位的位權(quán)對(duì)應(yīng)。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1 5中任意一項(xiàng)所述的D/A變換電路，其特征在于， 所述m個(gè)分流電路分別由與所述低位m數(shù)位的各位權(quán)對(duì)應(yīng)的個(gè)數(shù)的晶體管單元構(gòu)成，所述晶體管單元的內(nèi)部阻抗被設(shè)為相同的值。
7、 一種D/A變換電路，具備電流反射鏡電路，該電流反射鏡電路具 有與n比特的被變換數(shù)據(jù)的各數(shù)位所在位置對(duì)應(yīng)分別設(shè)置的多個(gè)輸出側(cè)晶 體管，其中n為4或4以上的整數(shù)，所述D/A變換電路通過(guò)根據(jù)所述被變 換數(shù)據(jù)使所述多個(gè)輸出側(cè)晶體管的至少一個(gè)得到與所述被變換數(shù)據(jù)的數(shù) 位所在位置對(duì)應(yīng)的位權(quán)相應(yīng)的電流，從而生成變換電流，所述電流反射鏡電路由第一電流反射鏡電路、和未呈二極管連接輸入 側(cè)晶體管的第二電流反射鏡電路構(gòu)成，所述第一電流反射鏡電路具有與所述被變換數(shù)據(jù)的高位即n—m數(shù) 位的各數(shù)位所在位置分別對(duì)應(yīng)的所述多個(gè)輸出側(cè)晶體管、和與這些多個(gè)輸 出側(cè)晶體管并列設(shè)置的不同的輸出側(cè)晶體管，其中m為2或2以上的整數(shù)， n—m為2或2以上的整數(shù)；并且，所述多個(gè)輸出側(cè)晶體管分別產(chǎn)生與n— m數(shù)位的各位權(quán)的電流值對(duì)應(yīng)的各電流，所述第二電流反射鏡電路從屬連接在所述不同的輸出側(cè)晶體管的上 游側(cè)或下游側(cè)，且將所述輸入側(cè)晶體管和其多個(gè)輸出側(cè)晶體管公共連接的 基極被設(shè)定為規(guī)定的恒壓，通過(guò)將在所述不同的輸出側(cè)晶體管中流過(guò)的電 流或流向其中的電流，分配給第二電流反射鏡電路的所述輸入側(cè)晶體管和 其所述多個(gè)輸出側(cè)晶體管，使得該第二電流反射鏡電路的所述多個(gè)輸出側(cè) 晶體管分別產(chǎn)生與m數(shù)位的各位權(quán)的電流值對(duì)應(yīng)的各電流，將其輸出到所述模擬變換電流的輸出端子。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的D/A變換電路，其特征在于， 還具有多個(gè)切換開關(guān)電路，其與所述第二電流反射鏡電路的各所述多個(gè)輸出側(cè)晶體管對(duì)應(yīng)設(shè)置，用于將對(duì)所述第二電流反射鏡電路的各所述多 個(gè)輸出側(cè)晶體管分別分配的各分流電流，分別向所述模擬變換電流的輸出 端子輸出，為了將所述不同的輸出側(cè)晶體管中流過(guò)的電流或向其流動(dòng)的電流設(shè) 為一定值，所述第二電流反射鏡電路的輸入側(cè)晶體管將從規(guī)定的電力供給線電 力供給的電流流向所述不同的輸出側(cè)晶體管，并且，所述切換開關(guān)電路從 所述規(guī)定的電力供給線接收規(guī)定的電流，對(duì)該電流與向所述輸出端子輸出 的分流電流分別進(jìn)行切換，以向所述第二電流反射鏡電路的輸入側(cè)晶體管 和多個(gè)輸出側(cè)晶體管流動(dòng)。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的D/A變換電路，其特征在于， 所述第一電流反射鏡電路分別具有與其所述多個(gè)輸出側(cè)晶體管串聯(lián)連接的開關(guān)電路，這些開關(guān)電路根據(jù)所述高位即n—m數(shù)位的數(shù)據(jù)而被接 通/斷開，所述多個(gè)切換開關(guān)電路分別與所述第二電流反射鏡電路的各所 述輸出側(cè)晶體管串聯(lián)連接，根據(jù)所述低位m數(shù)位的數(shù)據(jù)進(jìn)行切換動(dòng)作，所 述低位m數(shù)位與比1的位更低位的位權(quán)對(duì)應(yīng)。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的D/A變換電路，其特征在于， 所述多個(gè)切換開關(guān)電路分別具有第一開關(guān)電路和第二開關(guān)電路，所述第一開關(guān)電路設(shè)置在所述第二電流反射鏡電路的所述多個(gè)輸出側(cè)晶體管 中的一個(gè)與所述輸出端子之間，所述第二開關(guān)電路設(shè)置在所述第二電流反 射鏡電路的所述多個(gè)輸出側(cè)晶體管中的一個(gè)與所述規(guī)定電力供給線之間。
11、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的D/A變換電路，其特征在于，當(dāng)所述n為偶數(shù)時(shí)，將n/2設(shè)為所述1的位所在數(shù)位，當(dāng)n為奇數(shù)時(shí)， 將正中間的位設(shè)為所述"1"的位所在數(shù)位。
12、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的D/A變換電路，其特征在于， 所述第一及第二電流反射鏡電路的所述輸入側(cè)晶體管、所述輸出側(cè)晶體管和所述不同的輸出側(cè)晶體管分別是MOS晶體管，所述第二電流反射鏡 電路的所述輸入側(cè)晶體管與所述多個(gè)輸出側(cè)晶體管，從規(guī)定的電源通過(guò)所 述規(guī)定的電力供給線被供給電力，相對(duì)在所述不同的輸出側(cè)晶體管中流動(dòng) 的電流，將該電流的2次方的值作為1的除數(shù)所得的電流值的電流分別分流給所述第二電流反射鏡電路的輸入側(cè)晶體管和多個(gè)輸出側(cè)晶體管。
13、 根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的D/A變換電路，其特征在于， 所述n為8比特或8比特以上。
14、 根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的D/A變換電路，其特征在于， 所述被變換數(shù)據(jù)的數(shù)位數(shù)是8比特或8比特以上，且所述被變換數(shù)據(jù)是被Y修正的顯示數(shù)據(jù)。
15、 根據(jù)權(quán)利要求7 14中任意一項(xiàng)所述的D/A變換電路，其特征在于，所述m個(gè)分流電路分別由與所述低位m數(shù)位的各位權(quán)對(duì)應(yīng)的個(gè)數(shù)的晶 體管單元構(gòu)成，所述晶體管單元的內(nèi)部阻抗被設(shè)定為相同的值。
16、 一種有機(jī)EL驅(qū)動(dòng)電路，由權(quán)利要求1 14中任意一項(xiàng)的所述D/A 變換電路的輸出電流對(duì)有機(jī)EL元件進(jìn)行電流驅(qū)動(dòng)。
17、 一種有機(jī)EL驅(qū)動(dòng)電路，具有權(quán)利要求1 14中任意一項(xiàng)的所 述D/A變換電路、和接收該D/A變換電路的輸出電流以被驅(qū)動(dòng)和對(duì)有機(jī)EL 元件進(jìn)行電流驅(qū)動(dòng)的電流源。
18、 一種有機(jī)EL顯示裝置，具有權(quán)利要求15或16所述的有機(jī)EL驅(qū) 動(dòng)電路。
全文摘要
在由電流反射鏡電路構(gòu)成的D/A變換電路(電流開關(guān)型D/A變換電路)中，設(shè)置有對(duì)n比特的被變換數(shù)據(jù)的高位即n-m位進(jìn)行D/A變換的第一電流反射鏡電路(110)、和進(jìn)行低位m數(shù)位的D/A變換的加權(quán)電流電路模塊或第二電流反射鏡電路(111)，并且，通過(guò)將加權(quán)電流電路模塊或第二電流反射鏡電路(111)與第一電流反射鏡電路(110)的和進(jìn)行D/A變換的輸出側(cè)晶體管不同的輸出側(cè)晶體管(T_Nb)的上游或下游級(jí)聯(lián)連接，對(duì)應(yīng)低位m數(shù)位的位權(quán)使不同的輸出側(cè)晶體管(TNb)中流動(dòng)的電流作為分流電流流向加權(quán)電流電路模塊或第二電流反射鏡電路(111)，將該分流電流作為低位m數(shù)位的模擬變換電流輸出給D/A變換電路。
文檔編號(hào)G09G3/20GK101273397SQ20068003536
公開日2008年9月24日 申請(qǐng)日期2006年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月27日
發(fā)明者島田雄二, 松本浩一, 阿部真一 申請(qǐng)人:羅姆股份有限公司