專利名稱：等離子顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子顯示設(shè)備，更具體地涉及一種使多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)中的至少兩個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)的寬度不同，以便防止在尋址周期中掃描電極和尋址電極之間的尋址放電過(guò)程中產(chǎn)生的誤放電的等離子顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)等離子顯示板是通過(guò)施加預(yù)定電壓到布置在放電空間中的電極產(chǎn)生放電，以及在氣體放電時(shí)間中產(chǎn)生的等離子激發(fā)磷光劑時(shí)，顯示包括字符和圖形的圖像的設(shè)備。
該設(shè)備使大尺寸、輕量以及薄平面構(gòu)形更加容易。該設(shè)備在所有方向上提供寬視角，具有能夠?qū)崿F(xiàn)全色和搞亮度的優(yōu)點(diǎn)。
為了實(shí)現(xiàn)圖像的灰階，該等離子顯示板被時(shí)間分割為具有不同發(fā)光次數(shù)的多個(gè)子場(chǎng)的一個(gè)幀驅(qū)動(dòng)。此外，每個(gè)子場(chǎng)被分為用于初始化整個(gè)屏幕的復(fù)位周期、用于選擇掃描線和在該選擇的掃描線中選擇放電單元的尋址周期以及用于根據(jù)放電次數(shù)實(shí)現(xiàn)灰階的維持周期。
在尋址周期中，掃描信號(hào)被順序地施加到掃描電極，同時(shí)正極性的數(shù)據(jù)信號(hào)被施加到尋址電極，以產(chǎn)生尋址放電。
但是，常規(guī)下，存在在數(shù)據(jù)信號(hào)的上升周期和下降周期中使電位急速地改變，以致驅(qū)動(dòng)單元被損壞，以及在尋址放電時(shí)間中產(chǎn)生誤放電的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
由此，鑒于現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)生的以上問(wèn)題做出本發(fā)明，本發(fā)明的目的是提供一種等離子顯示設(shè)備，其通過(guò)將單位幀時(shí)間分割為多個(gè)子場(chǎng)被驅(qū)動(dòng)以顯示圖像，其中在多個(gè)子場(chǎng)的一個(gè)子場(chǎng)中，多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)中的至少兩個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)具有不同的寬度。
數(shù)據(jù)信號(hào)包括上升時(shí)間、維持時(shí)間以及下降時(shí)間，而上升時(shí)間、維持時(shí)間以及下降時(shí)間的總和形成數(shù)據(jù)信號(hào)的寬度，其中該上升時(shí)間和下降時(shí)間的范圍分別是50ns至300ns。
數(shù)據(jù)信號(hào)的下降時(shí)間比上升時(shí)間長(zhǎng)。
數(shù)據(jù)信號(hào)的維持時(shí)間范圍可以為1μs至5μs。
數(shù)據(jù)信號(hào)的維持時(shí)間范圍可以為1μs至3μs。
在多個(gè)子場(chǎng)的一個(gè)子場(chǎng)中，被施加到多個(gè)掃描電極的掃描信號(hào)由下降時(shí)間、維持時(shí)間以及上升時(shí)間構(gòu)成，其中掃描信號(hào)的上升時(shí)間不同于對(duì)應(yīng)于該掃描信號(hào)的數(shù)據(jù)信號(hào)的下降時(shí)間。
在多個(gè)子場(chǎng)的一個(gè)子場(chǎng)中，第一數(shù)據(jù)信號(hào)的上升時(shí)間不同于第二數(shù)據(jù)信號(hào)的上升時(shí)間，而第二數(shù)據(jù)信號(hào)的施加時(shí)間點(diǎn)遲于第一數(shù)據(jù)信號(hào)的施加時(shí)間點(diǎn)。
在多個(gè)子場(chǎng)的一個(gè)子場(chǎng)中，第一數(shù)據(jù)信號(hào)的維持時(shí)間不同于第二數(shù)據(jù)信號(hào)的維持時(shí)間，而第二數(shù)據(jù)信號(hào)的施加時(shí)間點(diǎn)遲于第一數(shù)據(jù)信號(hào)的施加時(shí)間點(diǎn)。
在多個(gè)子場(chǎng)的一個(gè)子場(chǎng)中，第一數(shù)據(jù)信號(hào)的下降時(shí)間不同于第二數(shù)據(jù)信號(hào)的下降時(shí)間，而第二數(shù)據(jù)信號(hào)的施加時(shí)間點(diǎn)遲于第一數(shù)據(jù)信號(hào)的施加時(shí)間點(diǎn)。
在多個(gè)子場(chǎng)的一個(gè)子場(chǎng)中，掃描信號(hào)的開(kāi)始時(shí)間點(diǎn)不同于對(duì)應(yīng)于該掃描信號(hào)的數(shù)據(jù)信號(hào)的開(kāi)始時(shí)間點(diǎn)。
施加掃描信號(hào)的時(shí)間點(diǎn)和施加數(shù)據(jù)信號(hào)的時(shí)間點(diǎn)之間的差距的范圍為10ns至300ns。
在多個(gè)子場(chǎng)的一個(gè)子場(chǎng)中，掃描信號(hào)的終點(diǎn)不同于對(duì)應(yīng)于該掃描信號(hào)的數(shù)據(jù)信號(hào)的終點(diǎn)。
掃描信號(hào)的終點(diǎn)和數(shù)據(jù)信號(hào)的終點(diǎn)之間的差距的范圍為10ns或200ns。


下面將參考以下附圖詳細(xì)描述本發(fā)明，其中相同的數(shù)字指相同的元件。所包括的附圖提供本發(fā)明的進(jìn)一步理解，被引入并構(gòu)成本說(shuō)明書的一部分，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例以及與說(shuō)明書一起用來(lái)解釋發(fā)明的原理。在圖中圖1是示出等離子顯示設(shè)備的面板結(jié)構(gòu)的實(shí)施例的視圖。
圖2是示出該方法的實(shí)施例的視圖，其中等離子顯示設(shè)備的圖像的一幀被時(shí)間分割為用于驅(qū)動(dòng)的多個(gè)子場(chǎng)。
圖3是示出等離子顯示板的電極布置的實(shí)施例的視圖。
圖4是示出用于驅(qū)動(dòng)等離子顯示板的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的實(shí)施例的視圖。
圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示設(shè)備的數(shù)據(jù)信號(hào)的視圖。
圖6a至圖6h示出根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的實(shí)施例。
圖7a至圖8示出根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示設(shè)備的掃描信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)關(guān)系的實(shí)施例。
圖9a至圖10c示出了多個(gè)子場(chǎng)當(dāng)中的任意子場(chǎng)中的數(shù)據(jù)信號(hào)的實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式
將參考附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
下面，將參考圖1至圖10詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。
圖1是用于說(shuō)明本發(fā)明的面板結(jié)構(gòu)的視圖。前基板10和后基板20被接合，形成一面板。
在前基板10上形成掃描電極11和維持電極12，它們?yōu)榫S持電極對(duì)。在與掃描電極11和維持電極12交叉的方向上形成尋址電極22。
一般，維持電極對(duì)11，12分別包括由銦-錫-氧化物ITO制成的透明電極11a，12a以及匯流電極11b，11b。匯流電極11b，12b可以由包括銀Ag、鉻Cr的金屬、鉻/銅/鉻Cr/Cu/Cr的疊層或鉻/鋁/鉻Cr/Al/Cr的疊層制成。
而且，匯流電極11b，12b形成在透明電極11a，12a上，以減小由于具有高電阻的透明電極11a，12a的電壓降。
而且，在等離子顯示板中，形成黑矩陣，執(zhí)行通過(guò)吸收在前基板10的外側(cè)產(chǎn)生的外部光來(lái)減小反射的光學(xué)截止的功能和提高等離子顯示板的純度和對(duì)比度的功能。
此黑矩陣由第一黑矩陣15和第二黑矩陣11c，12c構(gòu)成，第一黑矩陣15形成在與障壁21重疊的位置中，障壁21形成在后基板10中，第二黑矩陣11c，12c形成在透明電極11a，12a和匯流電極11b，12b之間。以此方式，分別形成為第一黑矩陣15和第二黑矩陣11c，12c的黑矩陣可以被稱為可分開(kāi)的黑矩陣。第二黑矩陣11c，12c由于它們?cè)陔姌O之間形成層，可以被稱為黑色層或黑色電極層。
同時(shí)，與本發(fā)明的實(shí)施例一樣，維持電極對(duì)11，12不僅可以形成其中透明電極11a，12a和匯流電極11b，12b層疊的結(jié)構(gòu)，而且可以形成僅具有匯流電極11b，12b，而沒(méi)有透明電極11a，12a的結(jié)構(gòu)。
由于該結(jié)構(gòu)不使用透明電極11a，12a，它具有降低面板制造成本的優(yōu)點(diǎn)。
除如上所述的材料之外，包括光刻膠材料的各種材料可以用于匯流電極11b，12b。
在形成掃描電極11和維持電極12的前基板10中，層疊上介質(zhì)層13和保護(hù)層14。在上介質(zhì)層13中，通過(guò)放電產(chǎn)生的帶電粒子被累積，以及可以執(zhí)行保護(hù)維持電極對(duì)11，12的功能。
保護(hù)層14保護(hù)上介質(zhì)層13不受氣體放電時(shí)間產(chǎn)生的帶電粒子的濺射影響，增強(qiáng)了二次電子的發(fā)射效率。
此外，至于保護(hù)層14，一般使用氧化鎂MgO，當(dāng)然也可以使用其中添加硅Si的Si-MgO。此時(shí)，被添加到保護(hù)層14的硅Si的含量按重量百分比wt％可以在50PPM至200PPM范圍內(nèi)。
而且，在其中形成尋址電極22的后基板20中，形成下介質(zhì)層24和障壁21。在下介質(zhì)層24和障壁21的表面上涂敷磷光劑23，其中通過(guò)氣體放電時(shí)間產(chǎn)生的紫外線的發(fā)光產(chǎn)生可見(jiàn)光。
障壁21由與尋址電極22并排形成的列障壁21a、在與列障壁21a交叉的方向上形成的行障壁21b構(gòu)成。障壁21物理地分割該放電單元，防止由放電產(chǎn)生的紫外線和可見(jiàn)光泄漏到相鄰的放電單元。
圖1所示的面板結(jié)構(gòu)僅僅是根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示板的結(jié)構(gòu)的一實(shí)施例，因此，本發(fā)明不限于圖1所示的等離子顯示板的結(jié)構(gòu)。例如，維持電極對(duì)11，12分別可以包括2個(gè)或更多的電極線，而且，可以包括其他電極。
此外，圖1所示的等離子顯示板的障壁結(jié)構(gòu)示出了其中放電單元具有包括列障壁21a和行障壁21b的緊湊結(jié)構(gòu)的緊湊類型(close type)。但是，它不限于這種類型。
可以使用列障壁21a和行障壁21b的高度不同的差異型障壁結(jié)構(gòu)、其中在列障壁21a和行障壁21b的至少一個(gè)中形成可被用作通風(fēng)通道的溝道的溝道型障壁結(jié)構(gòu)以及在列障壁21a和行障壁21b的至少一個(gè)中形成中空的中空型障壁結(jié)構(gòu)。
此外，可以使用在列障壁21a上形成具有預(yù)定間隙的突出的魚骨結(jié)構(gòu)。
這里，在差異障壁結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選行障壁21b的高度高于列障壁21a的高度。在溝道型障壁結(jié)構(gòu)或中空型障壁結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選在行障壁21b中形成溝道或中空。
圖2是示出該方法的實(shí)施例的視圖，其中圖像的一幀被時(shí)間分割為用于驅(qū)動(dòng)的多個(gè)子場(chǎng)。
參考圖2，單位幀可以被時(shí)間分割為用于驅(qū)動(dòng)的預(yù)定數(shù)目的子場(chǎng)，例如，8個(gè)子場(chǎng)SF1，...，SF8，以便顯示圖像的灰階。而且，每個(gè)子場(chǎng)SF1，...，SF8被分為復(fù)位時(shí)間(未示出)、尋址周期A1，...，A8以及維持周期S1，...，S8。
在每個(gè)尋址周期A1，...，A8中，數(shù)據(jù)信號(hào)被施加到尋址電極X，而相應(yīng)的掃描信號(hào)被順序地施加到每個(gè)掃描電極Y。在每個(gè)維持周期S1，...，S8中，維持信號(hào)被交替地施加到掃描電極Y和維持電極Z，以便在尋址周期A1，...，A8中選擇的放電單元中產(chǎn)生維持放電。
這里，在多個(gè)子場(chǎng)中的至少一個(gè)子場(chǎng)中可以省略復(fù)位周期。例如，復(fù)位周期可以僅僅存在于第一子場(chǎng)中，或可以僅僅存在于第一子場(chǎng)和總子場(chǎng)中的中間子場(chǎng)中。
等離子顯示板的亮度與單位幀中的維持周期S1，...，S8的維持放電頻率成比例。當(dāng)用8個(gè)子場(chǎng)和256個(gè)灰度級(jí)表示形成一個(gè)圖像的一幀時(shí)，可以以1，2，4，8，16，32，128的比率將不同數(shù)目的維持信號(hào)分配給每個(gè)子場(chǎng)。為了獲得133灰度級(jí)的亮度，在維持放電的子場(chǎng)一周期、子場(chǎng)三周期和子場(chǎng)八周期中執(zhí)行單元尋址。
在此期間，由于自動(dòng)功率控制APC步驟，可以根據(jù)子場(chǎng)的加權(quán)值可變地決定分配給每個(gè)子場(chǎng)的維持放電頻率。亦即，在圖2中，它例示了一幀被分為8個(gè)子場(chǎng)。
但是，本發(fā)明不限于這種情況。形成一幀的子場(chǎng)數(shù)目可以根據(jù)設(shè)計(jì)類型不同地改變。例如，一幀可以被分為低于或超過(guò)8個(gè)子場(chǎng)如12個(gè)子場(chǎng)或16，用于驅(qū)動(dòng)等離子顯示板。
而且，考慮到伽馬參數(shù)或面板特征，可以不同地改變分配給每個(gè)子場(chǎng)的維持放電數(shù)目。例如，分配給子場(chǎng)4的灰階可以從8降低至6，而分配給子場(chǎng)6的灰階可以從32增加到34。
圖3是示出等離子顯示板的電極布置的實(shí)施例的視圖。
參考圖3，在掃描電極Y1至Yn、維持電極Z1至Zn以及尋址電極X1至Xn的交叉點(diǎn)上提供多個(gè)放電單元15。多個(gè)掃描電極Y1至Yn被掃描驅(qū)動(dòng)器40順序地驅(qū)動(dòng)。
多個(gè)維持電極Z1至Zn接收從維持驅(qū)動(dòng)器60提供的維持信號(hào)，用于共同驅(qū)動(dòng)。附加地，多個(gè)尋址電極X1至Xn從尋址驅(qū)動(dòng)器50接收與掃描信號(hào)同步的數(shù)據(jù)信號(hào)。
在此，圖3所示的電極布置和驅(qū)動(dòng)方法僅僅是根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示板的實(shí)施例，因此，本發(fā)明不限于圖3所示的電極布置和驅(qū)動(dòng)方法。
例如，可以使用其中掃描電極Y1至Yn中的兩個(gè)掃描電極被同時(shí)掃描的雙掃描模式。而且，尋址電極X1至Xn可以被分為奇數(shù)尋址電極X1，X3，...，Xn-1和偶數(shù)尋址電極X2，X4，...，Xn，利用奇數(shù)尋址驅(qū)動(dòng)器和偶數(shù)尋址驅(qū)動(dòng)器分別接收該驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
圖4是示出用于驅(qū)動(dòng)等離子顯示板的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的實(shí)施例的視圖。
參考圖4，每個(gè)子場(chǎng)SF被分為初始化放電單元中的電荷的復(fù)位周期、選擇其中顯示圖像的放電單元或選擇其中不顯示圖像的放電單元的尋址周期以及通過(guò)在尋址周期中顯示選擇圖像的放電單元中產(chǎn)生維持放電顯示圖像的維持周期。
復(fù)位周期再被劃分為上設(shè)置周期和下設(shè)置周期。在上設(shè)置周期中，逐漸地上升的上設(shè)置信號(hào)被施加到掃描電極Y，以在所有放電單元中產(chǎn)生上設(shè)置放電，以便累積壁電荷。在下設(shè)置周期中，逐漸地或突然地下降的下設(shè)置信號(hào)被施加到掃描電極Y，以產(chǎn)生弱的擦除放電。
而且，復(fù)位周期之前存在預(yù)復(fù)位周期，以支持足夠地形成壁電荷。當(dāng)其中在復(fù)位周期之前掃描電極Y的電壓值被逐漸地減小的信號(hào)時(shí)，通過(guò)施加正極性電壓到維持電極Z產(chǎn)生預(yù)復(fù)位放電。考慮到驅(qū)動(dòng)余量，優(yōu)選的是預(yù)復(fù)位周期存在于第一子場(chǎng)SF1中。
在尋址周期中，掃描信號(hào)被順序地施加到每個(gè)掃描電極Y，同時(shí)，與施加到掃描電極的掃描信號(hào)同步的正極性的數(shù)據(jù)信號(hào)被施加到尋址電極X。
由于掃描信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓差以及復(fù)位周期中產(chǎn)生的壁電荷，在放電單元中產(chǎn)生尋址放電，以形成維持放電。
在維持周期中，維持信號(hào)被交替地施加到掃描電極Y和維持電極Z。每當(dāng)施加每個(gè)維持信號(hào)時(shí)，在由尋址放電選擇的放電單元中發(fā)生維持放電，亦即，顯示放電。
在此，因?yàn)閳D4所示的波形是根據(jù)本發(fā)明用于驅(qū)動(dòng)等離子顯示板的信號(hào)的實(shí)施例，本發(fā)明不受圖4中所示的波形的限制。
例如，在構(gòu)成一幀的多個(gè)子場(chǎng)當(dāng)中的至少一個(gè)子場(chǎng)中，可以省略復(fù)位周期，且復(fù)位周期可以存在于第一子場(chǎng)中。而且，可省略預(yù)復(fù)位周期，且必要時(shí)，可以改變圖4所示的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的極性和電壓電平。
而且，在維持放電完成之后，用于壁電荷擦除的擦除信號(hào)可以被施加到維持電極Z。維持信號(hào)可以被僅僅施加到掃描電極Y和維持電極Z中的一個(gè)，以執(zhí)行引起維持放電的單個(gè)維持驅(qū)動(dòng)。
而且，在尋址周期中被施加到尋址電極X的數(shù)據(jù)信號(hào)中，至少兩個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)的寬度可以是不同的。下面將參考圖5至圖10所示的實(shí)施例進(jìn)行相關(guān)描述。
參考圖5，示出了在尋址周期中施加到尋址電極X的數(shù)據(jù)信號(hào)。數(shù)據(jù)信號(hào)包括上升至預(yù)定數(shù)據(jù)電壓的上升時(shí)間T1、維持電壓的維持周期T2以及下降周期T3。
此時(shí)，數(shù)據(jù)信號(hào)的寬度被定義為上升時(shí)間T1、維持周期T2以及下降周期T3的總和或T1+T2+T3。
數(shù)據(jù)信號(hào)的上升時(shí)間T1是充分地發(fā)生尋址放電的周期，且優(yōu)選上升時(shí)間T1的范圍為50ns至300ns。
在此情況下，在該有限的尋址周期中，數(shù)據(jù)信號(hào)可以被充分地提供給尋址電極，以及可以防止由于突然的電壓變化造成的誤放電。
此外，優(yōu)選數(shù)據(jù)信號(hào)的下降時(shí)間T3的范圍為50ns至300ns。在此情況下，由于逐漸下降的電壓，位移電流的峰值被減小。
由此，可以防止電路損壞。這里，優(yōu)選數(shù)據(jù)信號(hào)的下降時(shí)間T3比上升時(shí)間T1長(zhǎng)，以便通過(guò)防止單元的不必要放電提高屏幕的亮度性能。
此外，優(yōu)選數(shù)據(jù)信號(hào)的維持周期T2的范圍為1μs至5μs，更優(yōu)選，范圍為1.5μs至3μs，以便放電時(shí)間被充分地維持，以平滑地選擇被掃描的單元。
由此，在多個(gè)子場(chǎng)當(dāng)中的一子場(chǎng)中，在尋址周期中施加到尋址電極的至少兩個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)的寬度可以是不同的。
圖6a至圖6h示出根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的實(shí)施例。
參考圖6a，在一個(gè)子場(chǎng)中施加到尋址電極的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，亦即，多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)當(dāng)中的至少兩個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)具有不同的上升時(shí)間。
例如，第一數(shù)據(jù)信號(hào)A的上升時(shí)間t1和在施加第一數(shù)據(jù)信號(hào)之后施加到尋址電極的第二數(shù)據(jù)信號(hào)B的上升時(shí)間t4是不同的。
此時(shí)，在圖6a中，第二數(shù)據(jù)信號(hào)B的上升時(shí)間t4被設(shè)為更長(zhǎng)，以便具有不同寬度的第一數(shù)據(jù)信號(hào)和第二數(shù)據(jù)信號(hào)被施加到尋址電極X。
這里，可以防止在施加時(shí)間比第一數(shù)據(jù)信號(hào)遲的第二數(shù)據(jù)信號(hào)中可能產(chǎn)生的弱放電或誤放電。
此時(shí)，第一數(shù)據(jù)信號(hào)A和第二數(shù)據(jù)信號(hào)的維持周期t2，t5，下降周期t3，t6是基本上相同的。
此外，為了在一個(gè)子場(chǎng)中施加具有不同寬度的數(shù)據(jù)信號(hào)到尋址電極，可以不同地設(shè)置數(shù)據(jù)信號(hào)的維持周期，如圖6b所示。
亦即，優(yōu)選第一數(shù)據(jù)信號(hào)A的維持周期t2和第三數(shù)據(jù)信號(hào)C的維持周期t5不同，且第一數(shù)據(jù)信號(hào)A的維持周期t2比第三數(shù)據(jù)信號(hào)C的維持周期t5長(zhǎng)。
因此，可以充分地保持可在第三數(shù)據(jù)信號(hào)的施加時(shí)間點(diǎn)產(chǎn)生的弱放電時(shí)間中選擇的單元的尋址放電，而第三數(shù)據(jù)信號(hào)的施加時(shí)間點(diǎn)比第一數(shù)據(jù)信號(hào)A的遲。
此時(shí)，第一數(shù)據(jù)信號(hào)A和第三數(shù)據(jù)信號(hào)的上升周期t1、t4、下降周期t3、t6基本上是相同的。
另一方面，如圖6c所示，第一數(shù)據(jù)信號(hào)A的下降周期t3和第四數(shù)據(jù)信號(hào)D的下降周期t6被設(shè)為不同的。更優(yōu)選，第四數(shù)據(jù)信號(hào)D的下降周期t6被設(shè)為比第一數(shù)據(jù)信號(hào)A的下降周期t3長(zhǎng)。
此時(shí)，第一數(shù)據(jù)信號(hào)A和第四數(shù)據(jù)信號(hào)的上升時(shí)間t1、t4、下降時(shí)間t2、t5基本上是相同的。由此，具有不同寬度的兩個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)可以被施加到尋址電極X。
在此，用圖6a至圖6b說(shuō)明的數(shù)據(jù)信號(hào)僅僅表明上升時(shí)間、維持時(shí)間以及下降時(shí)間是不同的，但是，本發(fā)明不限于這種情況。
例如，如圖6d所示，優(yōu)選第一數(shù)據(jù)信號(hào)A的上升時(shí)間t1、下降時(shí)間t3以及第五數(shù)據(jù)信號(hào)E的上升時(shí)間t4、下降時(shí)間t6被同時(shí)設(shè)為是不同的，同時(shí)第五數(shù)據(jù)信號(hào)E的上升時(shí)間t4、下降時(shí)間t6被設(shè)為不同的。
亦即，任意兩個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)的上升時(shí)間、維持時(shí)間以及下降時(shí)間的至少一個(gè)可以被不同地施加到尋址電極X。
此外，如圖6e至圖6h所示，在一子場(chǎng)的尋址周期中，第一數(shù)據(jù)信號(hào)A、第二數(shù)據(jù)信號(hào)B以及第三數(shù)據(jù)信號(hào)C的組合可以被施加到尋址電極X。
可以使用第一數(shù)據(jù)信號(hào)A、第三數(shù)據(jù)信號(hào)C以及第五數(shù)據(jù)信號(hào)E的組合。亦即，在一個(gè)子場(chǎng)的尋址周期中施加的多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)可以被施加到尋址電極X，具有不同的寬度。
圖7a至圖7c示出根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示設(shè)備的掃描信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)關(guān)系的實(shí)施例。
如圖7a所示，在由下降時(shí)間t4、維持時(shí)間t5以及上升時(shí)間t6構(gòu)成的一個(gè)子場(chǎng)的尋址周期中，掃描信號(hào)被順序地施加到掃描電極Y。
優(yōu)選與掃描信號(hào)同步的數(shù)據(jù)信號(hào)的上升時(shí)間t3和掃描信號(hào)的下降時(shí)間t6不同，且數(shù)據(jù)信號(hào)的上升時(shí)間t3相對(duì)較長(zhǎng)。
在那種情況下，在基本上不產(chǎn)生尋址放電，以減小電流峰值時(shí)的周期期間，在數(shù)據(jù)信號(hào)的下降周期中，平滑地執(zhí)行電位的變化，以便可以防止由于誤放電而導(dǎo)致的電路損壞和尋址電極X的壁電荷損失。
此外，如圖7b所示，數(shù)據(jù)信號(hào)的上升時(shí)間t1和掃描信號(hào)的上升時(shí)間t4可以是不同的。更優(yōu)選，數(shù)據(jù)信號(hào)的上升時(shí)間t1比掃描信號(hào)的上升時(shí)間t4長(zhǎng)。
由此，在一個(gè)子場(chǎng)中，掃描信號(hào)的施加時(shí)間點(diǎn)和終點(diǎn)、數(shù)據(jù)信號(hào)的施加時(shí)間點(diǎn)ta、tb和終點(diǎn)tc被設(shè)為是不同的。
例如，如圖7a至圖7b所示，掃描信號(hào)的終點(diǎn)tc和數(shù)據(jù)信號(hào)的終點(diǎn)td可以是不同的。如圖7c所示，不僅掃描信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)的終點(diǎn)，而且掃描信號(hào)的施加時(shí)間點(diǎn)ta和數(shù)據(jù)信號(hào)的施加時(shí)間點(diǎn)tb可以是不同的。
此時(shí)，掃描信號(hào)的施加時(shí)間點(diǎn)ta和數(shù)據(jù)信號(hào)的施加時(shí)間點(diǎn)tb的差距的范圍為10ns至300ns。對(duì)于掃描電極Y和尋址電極X之間的平滑尋址放電，優(yōu)選差距范圍為10ns至200ns。
此外，優(yōu)選掃描信號(hào)的終點(diǎn)tc和數(shù)據(jù)信號(hào)td的終點(diǎn)的差距范圍為10ns至200ns。
在此，參考圖7a至圖7c說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示設(shè)備的掃描信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)的關(guān)系，但是，由于圖7a至圖7c所示僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，因此上述關(guān)系并不限于這種情況。
例如，掃描信號(hào)的上升時(shí)間、維持時(shí)間以及下降時(shí)間可以被建立為比數(shù)據(jù)信號(hào)的上升時(shí)間、維持時(shí)間以及下降時(shí)間長(zhǎng)。數(shù)據(jù)信號(hào)的施加時(shí)間點(diǎn)可以在掃描信號(hào)的施加時(shí)間點(diǎn)之前，或數(shù)據(jù)信號(hào)的終點(diǎn)可以在掃描信號(hào)的終點(diǎn)之前。
此外，在多個(gè)子場(chǎng)當(dāng)中的任意兩個(gè)子場(chǎng)中，掃描信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)的施加時(shí)間點(diǎn)的差距和終點(diǎn)的差距可以是不同的。
例如，如圖8所示，在任意的第一子場(chǎng)1SF中，掃描信號(hào)的施加時(shí)間點(diǎn)t1和數(shù)據(jù)信號(hào)施加時(shí)間點(diǎn)t2的差距不同于第二子場(chǎng)2SF中的掃描信號(hào)的施加時(shí)間點(diǎn)t5和數(shù)據(jù)信號(hào)的施加時(shí)間點(diǎn)t6的差值。同時(shí)，終點(diǎn)的差距也可以是不同的。
以此方式，在多個(gè)子場(chǎng)當(dāng)中的兩個(gè)子場(chǎng)中，掃描信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)的施加時(shí)間點(diǎn)和終點(diǎn)被設(shè)位是不同的。因此，一個(gè)子場(chǎng)中的數(shù)據(jù)信號(hào)的寬度是不同的。此外，子場(chǎng)之間的數(shù)據(jù)信號(hào)的寬度是不同的。
圖9a至圖9c示出根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示設(shè)備的數(shù)據(jù)信號(hào)的實(shí)施例。
參考圖9a至圖9c，多個(gè)子場(chǎng)的任意第一子場(chǎng)1SF中的數(shù)據(jù)信號(hào)a和其中時(shí)間點(diǎn)相對(duì)遲于第一子場(chǎng)1SF的在第二子場(chǎng)2SF處的數(shù)據(jù)信號(hào)b被施加以不同的寬度，以便防止由于其中時(shí)間點(diǎn)較遲的第二子場(chǎng)2SF中的弱放電而導(dǎo)致的產(chǎn)生誤放電。
亦即，如圖9a所示，在第二子場(chǎng)2SF中被施加到尋址電極X的數(shù)據(jù)信號(hào)b的下降周期t6被設(shè)為比第一子場(chǎng)1SF中被施加到尋址電極X的數(shù)據(jù)信號(hào)的下降周期t3長(zhǎng)，以降低電流峰值，以便可以防止下一個(gè)放電時(shí)間中可能產(chǎn)生的誤放電。
此外，如圖9b所示，第二子場(chǎng)2SF的數(shù)據(jù)信號(hào)c被設(shè)為比第一子場(chǎng)1SF的數(shù)據(jù)信號(hào)更長(zhǎng)，以便可以防止弱放電時(shí)間中產(chǎn)生的誤寫。
此外，如圖9c所示，第二子場(chǎng)2SF的數(shù)據(jù)信號(hào)c的上升時(shí)間t4被設(shè)為比第一子場(chǎng)1SF的數(shù)據(jù)信號(hào)的上升時(shí)間t4更長(zhǎng)，以便可以防止尋址放電中產(chǎn)生的誤放電。
在此期間，在本說(shuō)明書中，說(shuō)明了第一子場(chǎng)1SF和第二子場(chǎng)1SF的每個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)具有不同的上升時(shí)間、維持時(shí)間以及下降時(shí)間，但是，本發(fā)明不限于這種情況。
亦即，上升時(shí)間、維持時(shí)間以及下降時(shí)間的至少一個(gè)被設(shè)為不同的，以便可以改變數(shù)據(jù)信號(hào)的寬度。
此外，如圖10a至圖10c所示，具有不同寬度的數(shù)據(jù)信號(hào)可以被施加到通過(guò)所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員預(yù)設(shè)的子場(chǎng)組。此外，在多個(gè)子場(chǎng)的每個(gè)子場(chǎng)中，數(shù)據(jù)信號(hào)可以是完全不同的。
所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的條件下，可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改進(jìn)和改變。因此，本發(fā)明的意圖是本發(fā)明覆蓋本發(fā)明的改進(jìn)和改變只要這些改進(jìn)和改變?cè)诟郊拥臋?quán)利要求和它們的等效的范圍內(nèi)提供的。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示設(shè)備，其通過(guò)時(shí)間分割單元幀為多個(gè)子場(chǎng)被驅(qū)動(dòng)以顯示圖像，其中在多個(gè)子場(chǎng)的一個(gè)子場(chǎng)中，多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)中的至少兩個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)具有不同的寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述數(shù)據(jù)信號(hào)包括上升時(shí)間、維持時(shí)間和下降時(shí)間，而上升時(shí)間、維持時(shí)間以及下降時(shí)間的總和形成數(shù)據(jù)信號(hào)的寬度，其中上升時(shí)間和下降時(shí)間的范圍分別為50ns至300ns。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述數(shù)據(jù)信號(hào)的下降時(shí)間比上升時(shí)間長(zhǎng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述數(shù)據(jù)信號(hào)的維持時(shí)間范圍為1μs至5μs。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述數(shù)據(jù)信號(hào)的維持時(shí)間范圍為1μs至3μs。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中在多個(gè)子場(chǎng)的一個(gè)子場(chǎng)中，被施加到多個(gè)掃描電極的掃描信號(hào)由下降時(shí)間、維持時(shí)間以及上升時(shí)間構(gòu)成，其中掃描信號(hào)的上升時(shí)間不同于對(duì)應(yīng)于該掃描信號(hào)的數(shù)據(jù)信號(hào)的下降時(shí)間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中在多個(gè)子場(chǎng)的一個(gè)子場(chǎng)中，第一數(shù)據(jù)信號(hào)的上升時(shí)間不同于第二數(shù)據(jù)信號(hào)的上升時(shí)間，而第二數(shù)據(jù)信號(hào)的施加時(shí)間點(diǎn)遲于第一數(shù)據(jù)信號(hào)的施加時(shí)間點(diǎn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中在多個(gè)子場(chǎng)的一個(gè)子場(chǎng)中，第一數(shù)據(jù)信號(hào)的維持時(shí)間不同于第二數(shù)據(jù)信號(hào)的維持時(shí)間，而第二數(shù)據(jù)信號(hào)的施加時(shí)間點(diǎn)遲于第一數(shù)據(jù)信號(hào)的施加時(shí)間點(diǎn)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中在多個(gè)子場(chǎng)的一個(gè)子場(chǎng)中，第一數(shù)據(jù)信號(hào)的下降時(shí)間不同于第二數(shù)據(jù)信號(hào)的下降時(shí)間，而第二數(shù)據(jù)信號(hào)的施加時(shí)間點(diǎn)遲于第一數(shù)據(jù)信號(hào)的施加時(shí)間點(diǎn)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中在多個(gè)子場(chǎng)的一個(gè)子場(chǎng)中，掃描信號(hào)的開(kāi)始時(shí)間點(diǎn)不同于對(duì)應(yīng)于該掃描信號(hào)的數(shù)據(jù)信號(hào)的開(kāi)始時(shí)間點(diǎn)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中施加掃描信號(hào)的時(shí)間點(diǎn)和施加數(shù)據(jù)信號(hào)的時(shí)間點(diǎn)之差的范圍為10ns至300ns。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中在多個(gè)子場(chǎng)的一個(gè)子場(chǎng)中，掃描信號(hào)的終點(diǎn)不同于對(duì)應(yīng)于該掃描信號(hào)的數(shù)據(jù)信號(hào)的終點(diǎn)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中掃描信號(hào)的終點(diǎn)和數(shù)據(jù)信號(hào)的終點(diǎn)之差的范圍為10ns或200ns。
14.一種等離子顯示設(shè)備，其通過(guò)時(shí)間分割單元幀為多個(gè)子場(chǎng)被驅(qū)動(dòng)以顯示圖像，其中多個(gè)子場(chǎng)中的第一子場(chǎng)中的數(shù)據(jù)信號(hào)的寬度不同于第二子場(chǎng)中的數(shù)據(jù)信號(hào)的寬度。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中所述數(shù)據(jù)信號(hào)由上升時(shí)間、維持時(shí)間以及下降時(shí)間構(gòu)成，而上升時(shí)間、維持時(shí)間以及下降時(shí)間的總和形成數(shù)據(jù)信號(hào)的寬度，其中數(shù)據(jù)信號(hào)的下降時(shí)間比上升時(shí)間長(zhǎng)。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的設(shè)備，其中在多個(gè)子場(chǎng)中，在尋址周期中被施加到掃描電極的掃描信號(hào)包括上升時(shí)間、維持時(shí)間以及下降時(shí)間，其中掃描信號(hào)的上升時(shí)間不同于對(duì)應(yīng)于該掃描信號(hào)的數(shù)據(jù)信號(hào)的下降時(shí)間。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的設(shè)備，其中第一子場(chǎng)中的數(shù)據(jù)信號(hào)的上升時(shí)間不同于第二子場(chǎng)中的數(shù)據(jù)信號(hào)的上升時(shí)間。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的設(shè)備，其中第一子場(chǎng)中的數(shù)據(jù)信號(hào)的維持時(shí)間不同于第二子場(chǎng)中的數(shù)據(jù)信號(hào)的上升時(shí)間。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的設(shè)備，其中第一子場(chǎng)中的數(shù)據(jù)信號(hào)的下降時(shí)間不同于第二子場(chǎng)中的數(shù)據(jù)信號(hào)的下降時(shí)間。
20.根據(jù)權(quán)利要求14的設(shè)備，其中，在多個(gè)子場(chǎng)的任意兩個(gè)子場(chǎng)中，在尋址周期中被施加到掃描電極的掃描信號(hào)的開(kāi)始時(shí)間點(diǎn)不同于對(duì)應(yīng)于該掃描信號(hào)的數(shù)據(jù)信號(hào)的開(kāi)始時(shí)間點(diǎn)。
21.根據(jù)權(quán)利要求14所述的設(shè)備，其中，在多個(gè)子場(chǎng)的任意兩個(gè)子場(chǎng)中，在尋址周期中施加到掃描電極的掃描信號(hào)的終點(diǎn)不同于對(duì)應(yīng)于該掃描信號(hào)的數(shù)據(jù)信號(hào)的終點(diǎn)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種等離子顯示設(shè)備，在尋址周期中具有不同寬度的數(shù)據(jù)信號(hào)被施加到尋址電極。特別，數(shù)據(jù)信號(hào)被設(shè)為具有不同的上升時(shí)間、維持時(shí)間以及下降時(shí)間，以便可以提高由于尋址周期中的誤放電引起的圖像質(zhì)量減小和驅(qū)動(dòng)效率降低，以及可以防止電路被峰值電流損壞。
文檔編號(hào)G09G3/291GK1953018SQ20061015283
公開(kāi)日2007年4月25日 申請(qǐng)日期2006年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月21日
發(fā)明者樸記洛, 黃斗勇 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社