專利名稱：集成電路裝置及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種集成電路裝置及電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，隨著電子設(shè)備的普及，搭載在電子設(shè)備上的顯示面板的高分辨率的需要增加。并且，驅(qū)動(dòng)顯示面板的驅(qū)動(dòng)電路要求也高性能化。但是，在搭載高性能的驅(qū)動(dòng)電路中，需要多種電路，與顯示面板的高分辨率成比例地，其電路規(guī)模和電路的復(fù)雜度呈增加的趨勢(shì)。因此，難以維持高性能或伴隨更高性能的搭載的驅(qū)動(dòng)電路的芯片面積的縮小化，妨礙制造成本的降低。
此外，即使在小型電子設(shè)備中，也搭載高分辨率的顯示面板，要求其驅(qū)動(dòng)電路高性能化。但是，在小型電子設(shè)備中，由于其空間的原因，不能將電路規(guī)模擴(kuò)大太多。因此，難以同時(shí)達(dá)到芯片面積的縮小和高性能的搭載，難以降低制造成本或更高性能的搭載。
在特開(kāi)2001-222276號(hào)公報(bào)中，披露了RAM內(nèi)置液晶顯示驅(qū)動(dòng)器，但沒(méi)有提及液晶顯示驅(qū)動(dòng)器的小型化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述的技術(shù)問(wèn)題進(jìn)行的發(fā)明，其目的在于，提供一種靈活地進(jìn)行電路的配置、并可以進(jìn)行效率高的布局的集成電路裝置以及搭載該集成電路的電子設(shè)備。
本發(fā)明涉及一種集成電路裝置，其包括顯示存儲(chǔ)器，所述顯示存儲(chǔ)器儲(chǔ)存在具有多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線的顯示面板上顯示的數(shù)據(jù)，所述顯示存儲(chǔ)器包括多條字線、多條位線、多個(gè)存儲(chǔ)器單元、以及數(shù)據(jù)讀出控制電路，所述數(shù)據(jù)讀出控制電路在水平掃描驅(qū)動(dòng)所述顯示面板的一個(gè)水平掃描期間內(nèi)，將對(duì)應(yīng)于所述多條數(shù)據(jù)線的像素的數(shù)據(jù)從所述顯示存儲(chǔ)器分成N(N為大于等于2的整數(shù))次進(jìn)行讀出控制。
由于可以將儲(chǔ)存在顯示存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)在一個(gè)水平掃描期間分為N次讀出，因而可以獲得顯示存儲(chǔ)器的布局自由度。即，在像現(xiàn)有技術(shù)那樣在一個(gè)水平掃描期間內(nèi)從顯示存儲(chǔ)器只讀出一次的情況下，存在這樣一種限制，即，連接在一條字線上的存儲(chǔ)器單元數(shù)要與對(duì)應(yīng)于顯示面板的全部數(shù)據(jù)線的像素的灰階位數(shù)相同，失去了布局的自由度。在本發(fā)明中，由于在一個(gè)水平掃描期間讀出N次，因而例如可以將連接在一條字線上的存儲(chǔ)器數(shù)成為1/N。因此，根據(jù)讀出次數(shù)N的設(shè)定，可以改變顯示存儲(chǔ)器的縱橫比等。
此外，在本發(fā)明中，所述數(shù)據(jù)讀出控制電路包括字線控制電路，所述字線控制電路在所述一個(gè)水平掃描期間內(nèi)，從所述多條字線中選擇互不相同的N條字線，并且，在垂直掃描驅(qū)動(dòng)所述顯示面板的一個(gè)垂直掃描期間內(nèi)，可以進(jìn)行對(duì)相同的字線不進(jìn)行多次選擇的控制。
在一個(gè)水平掃描期間內(nèi)N次讀出的控制可以有多種，但根據(jù)上述的控制，連接在一條字線上的存儲(chǔ)器單元數(shù)成為1/N。如果在一個(gè)水平掃描期間選擇這樣的N條字線，就可以讀出對(duì)應(yīng)于顯示面板的全部數(shù)據(jù)線的像素的灰階位數(shù)的數(shù)據(jù)。
此外，在本發(fā)明中，所述顯示存儲(chǔ)器包括多個(gè)RAM塊，所述多個(gè)RAM塊的各個(gè)RAM塊包括分別連接在所述多條位線上的多個(gè)讀出放大器單元，所述多個(gè)讀出放大器單元的各個(gè)讀出放大器單元，在所述一個(gè)水平掃描期間內(nèi)選擇所述N條字線的各次中，檢測(cè)出來(lái)自連接在所述多條位線的一條上的互不相同的所述存儲(chǔ)器單元的1位的數(shù)據(jù)并進(jìn)行輸出。
這樣，如果將顯示存儲(chǔ)器分割為多個(gè)RAM塊，那么，連接在各個(gè)RAM塊內(nèi)的各個(gè)字線上的存儲(chǔ)器單元數(shù)，可以根據(jù)分割數(shù)再減少。此外，設(shè)置在各個(gè)RAM塊中的讀出放大器數(shù)與連接在各個(gè)字線上的存儲(chǔ)器單元數(shù)相同。
此外，在本發(fā)明中，分別連接在L(L為大于等于2的整數(shù))個(gè)存儲(chǔ)器單元的位線上的L個(gè)讀出放大器單元，沿著所述多條位線延伸的第二方向(位線方向)配置，所述L(L為大于等于2的整數(shù))個(gè)存儲(chǔ)器單元在所述多條字線延伸的第一方向(字線方向)上相鄰接。
這樣，與沿著字線方向在一列配置全部讀出放大器單元的情況相比，可以使在讀出放大器單元中占有的字線方向的高度減小，可以改變顯示存儲(chǔ)器的縱橫比。
此外，在本發(fā)明中，還包括數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器，其根據(jù)所述顯示存儲(chǔ)器，驅(qū)動(dòng)設(shè)置在所述顯示面板上的所述多條數(shù)據(jù)線。
由此，在一個(gè)水平掃描期間內(nèi)，讀出儲(chǔ)存在共同連接在字線上的存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)，可以向數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器提供讀出的數(shù)據(jù)。
此外，在本發(fā)明中，所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器包括多個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)塊，所述多個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)塊的各個(gè)包括第一～第N分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器，第一～第N鎖存信號(hào)被提供給所述第一～第N分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器，所述第一～第N分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器，根據(jù)所述第一～第N鎖存信號(hào)，鎖存從對(duì)應(yīng)的所述多個(gè)RAM塊的任一個(gè)輸入的數(shù)據(jù)。
由此，可以分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)塊，可以有效地布局?jǐn)?shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)塊。并且，由于第一～第N分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器根據(jù)第一～第N鎖存信號(hào)進(jìn)行數(shù)據(jù)鎖存，因而可以以不會(huì)重復(fù)鎖存來(lái)自RAM塊的數(shù)據(jù)的方式進(jìn)行控制。
此外，在本發(fā)明中，在所述N條字線中，在進(jìn)行第一條字線的選擇的時(shí)候，通過(guò)所述第一鎖存信號(hào)被設(shè)定為激活狀態(tài)，根據(jù)第一條的選擇從RAM塊輸出的數(shù)據(jù)被鎖存在所述第一分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器中，在所述N條字線中，在進(jìn)行第K(1≤K≤N，K為整數(shù))條字線的選擇時(shí)，通過(guò)所述第K鎖存信號(hào)被設(shè)定為激活狀態(tài)，根據(jù)第K條的選擇從RAM塊輸出的數(shù)據(jù)被鎖存在所述第K分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器中。
由此，由于可以根據(jù)字線的選擇控制第一～第N鎖存信號(hào)，因而可以將數(shù)據(jù)線的驅(qū)動(dòng)所需的數(shù)據(jù)鎖存在第一～第N分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器中。
此外，在本發(fā)明中，所述顯示存儲(chǔ)器包括多個(gè)RAM塊，所述多個(gè)RAM塊的各個(gè)RAM塊，在一次字線的選擇時(shí)，輸出M(M為大于等于2的整數(shù))位的數(shù)據(jù)，在將所述顯示面板的所述多條數(shù)據(jù)線的條數(shù)定義為DLN、將對(duì)應(yīng)于所述多條數(shù)據(jù)線的各個(gè)像素的灰階位數(shù)定義為G、將所述多個(gè)RAM塊的塊數(shù)定義為BNK的情況下，通用以下的數(shù)學(xué)式獲得M值。
數(shù)學(xué)式3M=DLN×GBNK×N]]>此外，在本發(fā)明中，所述顯示存儲(chǔ)器包括多個(gè)RAM塊，所述多個(gè)RAM塊的各個(gè)RAM塊，在一次字線的選擇時(shí)，輸出M(M為大于等于2的整數(shù))位的數(shù)據(jù)，在將所述顯示面板的所述多條數(shù)據(jù)線的條數(shù)定義為DLN、將對(duì)應(yīng)于所述多條數(shù)據(jù)線的各個(gè)像素的灰階位數(shù)定義為G、將所述多個(gè)RAM塊的塊數(shù)定義為BNK的情況下，用以下的式獲得排列在所述第一方向上的所述讀出放大器單元的個(gè)數(shù)P。
數(shù)學(xué)式4P=M/L=DLN×GBNK×N×L]]>這樣，由于排列在字線方向上的讀出放大器單元的個(gè)數(shù)P減少為M/L，因而可以壓縮在讀出放大器單元中占有的區(qū)域的字線方向的高度。
此時(shí)，在將所述存儲(chǔ)器單元的所述第一方向的高度作為MCY、將所述讀出放大器單元的所述第一方向的高度作為SACY的時(shí)候，(L-1)×MCY＜SACY≤L×MCY成立。
這樣，由于可以確保一個(gè)讀出放大器單元的字線方向的高度，因而讀出放大器單元的布局自由度增加。
在上述的情況下，多個(gè)RAM塊，在連接在所述多條字線的各條上的所述存儲(chǔ)器單元的數(shù)量為M個(gè)、且將對(duì)應(yīng)于所述多條掃描線的像素?cái)?shù)作為SNC的時(shí)候，連接在所述多條位線的各條上的所述存儲(chǔ)器單元的數(shù)量為(SNC×N)個(gè)。
此外，在本發(fā)明中，所述顯示存儲(chǔ)器包括多個(gè)RAM塊，所述多個(gè)RAM塊的各個(gè)包括具有字線控制電路的所述數(shù)據(jù)讀出電路，所述字線控制電路根據(jù)字線控制信號(hào)進(jìn)行字線的選擇，在所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)所述多條數(shù)據(jù)線的時(shí)候，向所述多個(gè)RAM塊的各個(gè)的所述字線控制電路提供相同的所述字線控制信號(hào)。
由此，由于可以均一地對(duì)多個(gè)RAM塊進(jìn)行讀出控制，因而向作為顯示存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器提供圖像數(shù)據(jù)。
此外，在本發(fā)明中，所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器包括多個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)塊，所述多個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)塊根據(jù)數(shù)據(jù)線控制信號(hào)驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線，在所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)所述多條數(shù)據(jù)線的時(shí)候，向所述多個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)塊的各個(gè)提供相同的所述數(shù)據(jù)線控制信號(hào)。
由此，由于可以均一地控制多個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)塊，因而可以根據(jù)從各個(gè)RAM塊提供的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)顯示面板的數(shù)據(jù)線。
此外，在本發(fā)明中，所述多條字線以與設(shè)置在所述顯示面板上的所述多條數(shù)據(jù)線延伸的方向平行的方式形成。
由此，與字線垂直形成在數(shù)據(jù)線上的情況相比，在本發(fā)明所涉及的集成電路裝置中，不用設(shè)置特殊的電路，就可以縮短字線。例如，在本發(fā)明中，在從主機(jī)側(cè)進(jìn)行寫入控制的時(shí)候，選擇多個(gè)RAM塊的任一個(gè)，可以對(duì)被選擇的RAM塊的字線進(jìn)行控制。被控制的字線的長(zhǎng)度，由于如上所述地可以設(shè)定得短，因而，在本發(fā)明所涉及的集成電路裝置，可以降低從主機(jī)側(cè)進(jìn)行寫入控制時(shí)的電力消耗。
此外，本發(fā)明涉及一種電子設(shè)備，其包括如上所述的集成電路裝置和顯示面板。
此外，在本發(fā)明中，所述集成電路裝置被安裝在形成所述顯示面板的基板上。


圖1(A)和圖1(B)是示出本實(shí)施形式所涉及的集成電路裝置的圖。
圖2(A)是示出本實(shí)施形式所涉及的比較例的一部分的圖，在圖2(B)是示出本實(shí)施形式所涉及的集成電路裝置的一部分的圖。
圖3(A)和圖3(B)是示出本實(shí)施形式所涉及的集成電路裝置的構(gòu)成例的圖。
圖4是本實(shí)施形式所涉及的顯示存儲(chǔ)器的構(gòu)成例。
圖5是本實(shí)施形式所涉及的集成電路裝置的剖面圖。
圖6(A)和圖6(B)是示出數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器的構(gòu)成例的圖。
圖7是本實(shí)施形式所涉及的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元的構(gòu)成例。
圖8是示出本實(shí)施形式所涉及的比較例的圖。
圖9(A)～圖9(D)是用于說(shuō)明本實(shí)施形式的RAM塊的效果的圖。
圖10是示出本實(shí)施形式所涉及的RAM塊的各個(gè)關(guān)系的圖。
圖11(A)和圖11(B)是用于說(shuō)明RAM塊的數(shù)據(jù)讀出的圖。
圖12是用于說(shuō)明本實(shí)施形式所涉及的分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器的數(shù)據(jù)鎖存的圖。
圖13是示出本實(shí)施形式所涉及的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元和讀出放大器單元的關(guān)系的圖。
圖14是本實(shí)施形式所涉及的分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器的其他構(gòu)成例。
圖15(A)和圖15(B)是用于說(shuō)明儲(chǔ)存在RAM塊中的數(shù)據(jù)的排列的圖。
圖16是本實(shí)施形式所涉及的分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器的其他構(gòu)成例。
圖17(A)～圖17(C)是示出本實(shí)施形式所涉及的存儲(chǔ)器單元的構(gòu)成的圖。
圖18是示出圖17(B)的橫式單元和讀出放大器單元之間的關(guān)系的圖。
圖19是示出使用圖17(B)所示的橫式單元的存儲(chǔ)器單元陣列和讀出放大器之間的關(guān)系的圖。
圖20是示出如圖3(A)所示在兩個(gè)RAM鄰接的例子中的存儲(chǔ)器單元陣列和其外圍電路的框圖。
圖21(A)是示出本實(shí)施形式所涉及的讀出放大器單元和縱式存儲(chǔ)器單元的關(guān)系的圖，圖21(B)是示出本實(shí)施形式所涉及的選擇型讀出放大器SSA的圖。
圖22是本實(shí)施形式所涉及的分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器和選擇型讀出放大器的圖。
圖23是本實(shí)施形式所涉及的存儲(chǔ)器單元的排列例。
圖24(A)和圖24(B)是示出本實(shí)施形式所涉及的集成電路裝置的動(dòng)作的時(shí)序圖。
圖25是本實(shí)施形式所涉及的儲(chǔ)存在RAM塊中的數(shù)據(jù)的其他排列例。
圖26(A)和圖26(B)是示出本實(shí)施形式所涉及的集成電路裝置的其他動(dòng)作的時(shí)序圖。
圖27是本實(shí)施形式所涉及的儲(chǔ)存在RAM塊中的數(shù)據(jù)的其他排列例。
圖28是示出本實(shí)施形式所涉及的變形例的圖。
圖29是用于說(shuō)明本實(shí)施形式所涉及的變形例的動(dòng)作的時(shí)序圖。
圖30是本實(shí)施形式所涉及的儲(chǔ)存在變形例的RAM塊中的數(shù)據(jù)的排列例。
圖31是用于說(shuō)明在本實(shí)施形式中使用的被分割為4個(gè)部分且旋轉(zhuǎn)90度、在一個(gè)水平掃描期間讀出2次用的RAM塊的圖。
圖32是示出RAM以及源極驅(qū)動(dòng)器的塊分割的圖。
圖33是根據(jù)圖32被分割為11個(gè)部分的RAM內(nèi)置數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊的概要說(shuō)明圖。
圖34是用于說(shuō)明在存儲(chǔ)器單元陣列中根據(jù)多條位線的排列的數(shù)據(jù)排列順序和來(lái)自存儲(chǔ)器輸出電路的數(shù)據(jù)輸出排列順序不同的狀態(tài)的圖。
圖35是示出RAM內(nèi)置數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊的存儲(chǔ)器輸出電路的圖。
圖36是圖34所示的讀出放大器和緩沖器的電路圖。
圖37是示出圖33所示的排列替換布線區(qū)域的詳細(xì)的圖。
圖38是示出與圖35不同的存儲(chǔ)器輸出電路的圖。
圖39是示出與圖35和圖38不同的存儲(chǔ)器輸出電路的圖。
圖40是用于說(shuō)明圖39所示的第一開(kāi)關(guān)的圖。
圖41是示出數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器、驅(qū)動(dòng)器單元的配置例的圖。
圖42是示出子像素驅(qū)動(dòng)器單元的配置例的圖。
圖43是示出讀出放大器、存儲(chǔ)器單元的配置例的圖。
圖44(A)和圖44(B)是示出包括本實(shí)施形式的集成電路裝置的電子設(shè)備的圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形式進(jìn)行說(shuō)明。在下面說(shuō)明的實(shí)施形式不是對(duì)于記載在權(quán)利要求中的內(nèi)容的不當(dāng)限定。此外，下面說(shuō)明的所有構(gòu)成并不都是本發(fā)明的必要構(gòu)成要件。并且，下面的圖中的相同符號(hào)表示相同的意思。
1.顯示驅(qū)動(dòng)器圖1(A)示出了安裝有顯示驅(qū)動(dòng)器20(廣義上為集成電路裝置)的顯示面板10。在本實(shí)施形式中，可以將顯示驅(qū)動(dòng)器20或安裝有顯示驅(qū)動(dòng)器20的顯示面板10搭載在小型電子設(shè)備(未圖示)中。小型電子設(shè)備例如有手機(jī)、PDA(個(gè)人數(shù)字助理)、以及具有顯示面板的數(shù)字音樂(lè)播放器等。顯示面板10例如在玻璃基板上形成多個(gè)顯示像素。對(duì)應(yīng)于該顯示像素，在顯示面板10上形成在Y方向上延伸的多條數(shù)據(jù)線(未圖示)以及在X方向上延伸的掃描線(未圖示)。形成在本實(shí)施形式的顯示面板10上的顯示像素是液晶元件，但并不限定于此，也可以是EL(Electro-Luminescence)元件等發(fā)光元件。另外，顯示像素可以是伴隨晶體管等的有源型，也可以是不伴隨晶體管等的無(wú)源型。例如，在顯示區(qū)域12中適用有源型的情況下，液晶像素可以是非晶硅TFT，也可以是低溫多晶硅TFT。
顯示面板10具有顯示區(qū)域12，該顯示區(qū)域12例如在X方向上具有PX個(gè)像素、在Y方向上具有PY個(gè)像素。例如，在顯示面板10對(duì)應(yīng)于QVGA顯示的情況下，成為PX＝240、PY＝320，顯示區(qū)域12由240×320像素表示。并且，顯示面板10的X方向的像素?cái)?shù)PX，在黑白顯示的情況下與數(shù)據(jù)線的條數(shù)一致。在此，彩色顯示的情況下，R用子像素、G用子像素、B用子像素共三個(gè)子像素合起來(lái)構(gòu)成一個(gè)像素。從而，在彩色顯示的情況下，數(shù)據(jù)線的條數(shù)成為(3×PX)條。因此，在彩色顯示的情況下，“對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)線的像素?cái)?shù)”指的是“X方向的子像素?cái)?shù)”。各個(gè)子像素根據(jù)灰階來(lái)確定其位數(shù)，例如在將3個(gè)子像素的灰階值分別作為G位時(shí)，一個(gè)像素的灰階值＝3G。在各個(gè)子像素表現(xiàn)出64灰階(6位)的情況下，一個(gè)像素的數(shù)據(jù)量成為6×3＝18位。
并且，像素?cái)?shù)PX和PY，例如可以是PX＞PY，也可以是PX＜PY，也可以是PX＝PY。
顯示驅(qū)動(dòng)器20的尺寸被設(shè)定為，X方向的長(zhǎng)度為CX，Y方向的長(zhǎng)度為CY。并且，長(zhǎng)度為CX的顯示驅(qū)動(dòng)器20的長(zhǎng)邊IL與顯示區(qū)域12的顯示驅(qū)動(dòng)器20側(cè)的一邊PL1平行。即，顯示驅(qū)動(dòng)器20以其長(zhǎng)邊IL與顯示區(qū)域12的一邊PL1平行的方式被安裝在顯示面板10中。
圖1(B)是示出顯示驅(qū)動(dòng)器20的尺寸的圖。長(zhǎng)度為CY的顯示驅(qū)動(dòng)器20的短邊IS和顯示驅(qū)動(dòng)器20的長(zhǎng)邊IL的比例如被設(shè)定為1∶10。即，在顯示驅(qū)動(dòng)器20中，其短邊IS相對(duì)于其長(zhǎng)邊IL被設(shè)定為非常短。通過(guò)這樣形成為細(xì)長(zhǎng)的形狀，可以將顯示驅(qū)動(dòng)器20的Y方向的芯片尺寸縮小至極限。
而且，上述的比1∶10是一個(gè)例子，并不限定于此。例如也可以是1∶11，也可以是1∶9。
并且，在圖1(A)中示出了顯示區(qū)域12的X方向的長(zhǎng)度LX和Y方向的長(zhǎng)度LY，但顯示區(qū)域12的縱橫尺寸比并不限定于圖1(A)。在顯示區(qū)域12中，例如長(zhǎng)度LY也可以被設(shè)定為比長(zhǎng)度LX短。
此外，根據(jù)圖1(A)，顯示區(qū)域12的X方向的長(zhǎng)度LX與顯示驅(qū)動(dòng)器20的X方向的長(zhǎng)度CX相同。并不特別限定于圖1(A)，但優(yōu)選如上所述地設(shè)定為長(zhǎng)度LX與長(zhǎng)度CX相同。作為其原因，示出了圖2(A)。
在圖2(A)中示出的顯示驅(qū)動(dòng)器22，X方向的長(zhǎng)度被設(shè)定為CX2。由于該長(zhǎng)度CX2比顯示區(qū)域12的一邊PL1的長(zhǎng)度LX短，因而如圖2(A)所示，不能將連接顯示驅(qū)動(dòng)器22和顯示區(qū)域12的多條布線在Y方向上平行設(shè)置。因此，必須有裕度地設(shè)置顯示驅(qū)動(dòng)器22和顯示區(qū)域12之間的距離DY2。這使顯示面板10的玻璃基板的尺寸浪費(fèi)，從而妨礙成本的降低。并且，在更小型的電子設(shè)備中搭載顯示面板10的情況下，顯示區(qū)域12之外的部分變大，也妨礙電子設(shè)備的小型化。
與此相對(duì)，如圖2(B)所示，本實(shí)施形式的顯示驅(qū)動(dòng)器20，由于以其長(zhǎng)邊IL的長(zhǎng)度CX與顯示區(qū)域12的一邊PL1的長(zhǎng)度LX一致的方式形成，因而可以將顯示驅(qū)動(dòng)器20和顯示區(qū)域12之間的多條布線在Y方向上平行設(shè)置。由此，可以使顯示驅(qū)動(dòng)器20和顯示區(qū)域12之間的距離DY比圖2(A)的情況短。并且，由于顯示驅(qū)動(dòng)器20的Y方向的長(zhǎng)度IS短，因而顯示面板10的玻璃基板的Y方向的尺寸變小，有利于電子設(shè)備的小型化。
而且，在本實(shí)施形式中，以顯示驅(qū)動(dòng)器20的長(zhǎng)邊IL的長(zhǎng)度CX與顯示區(qū)域12的一邊PL1的長(zhǎng)度LX一致的方式形成，但并不限定于此。
如上所述，通過(guò)將顯示驅(qū)動(dòng)器20的長(zhǎng)邊IL與顯示區(qū)域12的一邊PL1的長(zhǎng)度LX相匹配，并使短邊IS變短，在可以縮小芯片尺寸的同時(shí)，也可以縮短距離DY。因此，可以降低顯示驅(qū)動(dòng)器20的制造成本以及顯示面板10的制造成本。
圖3(A)和圖3(B)是示出本實(shí)施形式的顯示驅(qū)動(dòng)器20的布局構(gòu)成例的圖。如圖3(A)所示，在顯示驅(qū)動(dòng)器20中，沿著X方向配置有數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100(廣義上為數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)塊)；RAM 200(廣義上為集成電路裝置或RAM塊)；掃描線驅(qū)動(dòng)器230；G/A電路240(門陣列電路，廣義上為自動(dòng)布線電路)；灰階電壓生成電路250；以及電源電路260。這些電路以納入在顯示驅(qū)動(dòng)器20的塊寬度ICY中的方式配置。并且，以?shī)A這些電路的方式在顯示驅(qū)動(dòng)器20中設(shè)置輸出PAD 270和輸入輸出PAD 280。輸出PAD 270和輸入輸出PAD 280沿著X方向形成，輸出PAD 270設(shè)置在顯示區(qū)域12側(cè)。并且，在輸入輸出PAD 280中，例如連接有用于提供來(lái)自主機(jī)(例如MPU、BBE(Base-Band-Engine基帶引擎)、MGE、CPU等)的控制信息的信號(hào)線或電源供給線等。
并且，顯示面板10的多個(gè)數(shù)據(jù)線被分割成多個(gè)塊(例如四個(gè))，一個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100驅(qū)動(dòng)相當(dāng)于一個(gè)塊的數(shù)據(jù)線。
通過(guò)如上所述地設(shè)置塊寬度ICY、并以納入在其中的方式配置各個(gè)電路，可以靈活地應(yīng)對(duì)用戶的需要。具體地說(shuō)，如果成為驅(qū)動(dòng)對(duì)象的顯示面板10的X方向的像素?cái)?shù)PX改變，則由于驅(qū)動(dòng)像素的數(shù)據(jù)線的數(shù)量也改變，因而必須與此相匹配地設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100和RAM 200。此外，在低溫多晶硅(LTPS)TFT面板用顯示驅(qū)動(dòng)器中，由于可以將掃描線驅(qū)動(dòng)器230形成在玻璃基板上，因而也有將掃描線驅(qū)動(dòng)器230不內(nèi)置于顯示驅(qū)動(dòng)器20中的情況。
在本實(shí)施形式中，通過(guò)只改變數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100和RAM 200，或只拆卸掃描線驅(qū)動(dòng)器230，就可以設(shè)計(jì)顯示驅(qū)動(dòng)器20。因此，由于可以有效利用原有的布局，并可以節(jié)省從開(kāi)始重新設(shè)計(jì)的工夫，因而可以降低設(shè)計(jì)成本。
此外，在圖3(A)中，以兩個(gè)RAM 200相鄰接的方式配置。由此，可以共用在RAM 200中使用的一部分電路，可以縮小RAM200的面積。對(duì)于詳細(xì)的作用效果，在后面描述。此外，在本實(shí)施形式中，并不限定于圖3(A)的顯示驅(qū)動(dòng)器20。例如，如圖3(B)所示的顯示驅(qū)動(dòng)器24那樣，也可以以數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100和RAM 200鄰接、而兩個(gè)RAM 200不鄰接的方式配置。
此外，在圖3(A)和圖3(B)中，作為一例，分別設(shè)置有四個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100和RAM 200。通過(guò)在顯示驅(qū)動(dòng)器20中設(shè)置四個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100和4個(gè)RAM 200(4BANK)，可以將在一個(gè)水平掃描期間(例如稱為1H期間)被驅(qū)動(dòng)的數(shù)據(jù)線的數(shù)量分割為四份。例如，在像素?cái)?shù)PX為240的情況下，如果考慮到R用子像素、G用子像素、B用子像素，就必須在1H期間驅(qū)動(dòng)例如720條數(shù)據(jù)線。在本實(shí)施形式中，各個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100只要驅(qū)動(dòng)該數(shù)的四分之一即180條數(shù)據(jù)線就可以。也可以通過(guò)增加BANK數(shù)來(lái)減少各個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100驅(qū)動(dòng)的數(shù)據(jù)線的條數(shù)。將BANK數(shù)定義為設(shè)置在顯示驅(qū)動(dòng)器20內(nèi)的RAM 200的數(shù)量。此外，將各個(gè)RAM 200加起來(lái)的總存儲(chǔ)區(qū)域定義為顯示存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)區(qū)域，顯示存儲(chǔ)器至少可以儲(chǔ)存用于顯示相當(dāng)于顯示面板10的一個(gè)畫面的圖像的數(shù)據(jù)。
圖4是對(duì)安裝了顯示驅(qū)動(dòng)器20的顯示面板10的一部分進(jìn)行放大的圖。顯示區(qū)域12通過(guò)多條布線DQL與顯示驅(qū)動(dòng)器20的輸出PAD 270相連接。該布線可以是設(shè)置在玻璃基板上的布線，也可以是形成在柔性基板等上并連接輸出PAD 270和顯示區(qū)域12的布線。
RAM 200的Y方向的長(zhǎng)度被設(shè)定為RY。在本實(shí)施形式中，該長(zhǎng)度RY被設(shè)定為與圖3(A)的塊寬度ICY相同，但并不限定于此。例如，長(zhǎng)度RY也可以被設(shè)定為小于等于塊寬度ICY。
在長(zhǎng)度被設(shè)定為RY的RAM 200中，設(shè)置有多條字線WL和控制該多條字線WL的字線控制電路220。此外，在RAM 200中，設(shè)置有多條位線BL、多個(gè)存儲(chǔ)器單元MC、以及控制它們的控制電路(未圖示)。RAM 200的位線BL以與X方向(也稱為位線方向)平行的方式設(shè)置。即，位線BL以與顯示區(qū)域12的一邊PL1平行的方式設(shè)置。此外，RAM 200的字線WL以與Y方向(也稱為字線方向)平行的方式設(shè)置。即，字線WL以與多條布線DQL平行的方式設(shè)置。
RAM 200的存儲(chǔ)器單元MC根據(jù)字線WL的控制進(jìn)行讀出，該被讀出的數(shù)據(jù)被提供給數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100。即，如果字線WL被選擇，儲(chǔ)存在沿著Y方向排列的多個(gè)存儲(chǔ)器單元MC中的數(shù)據(jù)就被提供給數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100。
圖5是示出圖3(A)的A-A剖面的剖面圖。A-A剖面是排列RAM 200的存儲(chǔ)器單元MC的區(qū)域的剖面。在形成RAM 200的區(qū)域，例如設(shè)置有五層的金屬布線層。在圖5中，例如示出了第一金屬布線層ALA、其上層的第二金屬布線層ALB、再上層的第三金屬布線層ALC、第四金屬布線層ALD、以及第五金屬布線層ALE。在第五金屬布線層ALE上，例如形成有從灰階電壓生成電路250提供灰階電壓的灰階電壓用布線292。此外，在第五金屬布線層ALE上，形成有用于提供從電源電路260提供的電壓或從外部經(jīng)過(guò)輸入輸出PAD 280提供的電壓等的電源用布線294。本實(shí)施形式的RAM200例如可以不使用第五金屬布線層ALE而形成。因此，如上所述，可以在第五金屬布線層ALE上形成各種布線。
此外，在第四金屬布線層ALD上形成有屏蔽層290。由此，即使在RAM 200的存儲(chǔ)器單元MC的上層的第五金屬布線層ALE上形成各種布線，也可以緩和給RAM 200的存儲(chǔ)器單元MC帶來(lái)的影響。并且，在形成有字線控制電路220等的RAM 200的控制電路的區(qū)域的第四金屬布線層ALD上，也可以形成有用于控制這些電路的信號(hào)布線。
形成在第三金屬布線層ALC上的布線296，例如用于位線BL或電壓VSS用布線。此外，形成在第二金屬布線層ALB上的布線298，例如可以用于字線WL或電壓VDD用布線。此外，形成在第一金屬布線層ALA上的布線299，例如可以用于與形成在RAM 200的半導(dǎo)體層上的各個(gè)節(jié)點(diǎn)的連接。
而且，也可以對(duì)上述的構(gòu)成進(jìn)行變更，在第三金屬布線層ALC上形成字線用布線，在第二金屬布線層ALB上形成位線用布線。
由于可以如上所述地在RAM 200的第五金屬布線層ALE上形成各種布線，因而可以如圖3(A)或3(B)所示地沿著X方向排列多種電路塊。
2.數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器2.1.數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器的構(gòu)成圖6(A)是示出數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100的圖。數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100包括輸出電路104、DAC 120、以及鎖存電路130。DAC 120根據(jù)被鎖存在鎖存電路130中的數(shù)據(jù)將灰階電壓提供給輸出電路104。在鎖存電路130中例如儲(chǔ)存有從RAM 200提供的數(shù)據(jù)。例如在色深被設(shè)定為G位的情況下，在各個(gè)鎖存電路130中儲(chǔ)存有G位的數(shù)據(jù)。根據(jù)色深生成多種灰階電壓，并從灰階電壓生成電路250提供給數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100。例如，提供給數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100的多個(gè)灰階電壓被提供給各個(gè)DAC 120。各個(gè)DAC 120根據(jù)被鎖存在鎖存電路130中的G位的數(shù)據(jù)，從灰階電壓生成電路250提供的多種灰階電壓中選擇對(duì)應(yīng)的灰階電壓，并輸出至輸出電路104。
輸出電路104例如由運(yùn)算放大器(廣義上為運(yùn)算放大器)構(gòu)成，但并不限定于此。如圖6(B)所示，也可以取代輸出電路104將輸出電路102設(shè)置在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100中。此時(shí)，在灰階電壓生成電路250中設(shè)置有多個(gè)運(yùn)算放大器。
圖7是示出設(shè)置在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100中的多個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110的圖。各個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100驅(qū)動(dòng)多條數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110驅(qū)動(dòng)多條數(shù)據(jù)線中的一條。例如，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110驅(qū)動(dòng)構(gòu)成一個(gè)像素的R用子像素、G用子像素、以及B用子像素中的任一個(gè)。即，在X方向的像素?cái)?shù)PX為240的情況下，在顯示驅(qū)動(dòng)器20中，設(shè)置有共計(jì)240×3＝720個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110。并且，此時(shí)在各個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100中，例如在4BANK構(gòu)成的情況下，設(shè)置有180個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110。
數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110例如包括輸出電路140、DAC 120、以及鎖存電路130，但并不限定于此。例如，輸出電路140也可以設(shè)置在外部。并且，輸出電路140可以是圖6A的輸出電路104，也可以是圖6B的輸出電路102。
例如，在分別表示R用子像素、G用子像素、以及B用子像素的色深的灰階數(shù)據(jù)被設(shè)定為G位的情況下，從RAM 200向數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110提供G位的數(shù)據(jù)。鎖存電路130鎖存G位的數(shù)據(jù)。DAC 120根據(jù)鎖存電路130的輸出將灰階電壓通過(guò)輸出電路140輸出。由此，可以驅(qū)動(dòng)設(shè)置在顯示面板10上的數(shù)據(jù)線。
2.2.一個(gè)水平掃描期間的多次讀出圖8示出了本實(shí)施形式所涉及的比較例的顯示驅(qū)動(dòng)器24。該顯示驅(qū)動(dòng)器24，以顯示驅(qū)動(dòng)器24的一邊DLL與顯示面板10的顯示區(qū)域12側(cè)的一邊PL1對(duì)置的方式被安裝。在顯示驅(qū)動(dòng)器24中，設(shè)置有RAM 205以及數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器105，它們的X方向的長(zhǎng)度被設(shè)定為比Y方向的長(zhǎng)度長(zhǎng)。RAM 205以及數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器105的X方向的長(zhǎng)度隨著顯示面板10的像素?cái)?shù)PX增加而變長(zhǎng)。在RAM 205中設(shè)置有多條字線WL以及位線BL。RAM 205的字線WL沿著X方向延伸形成，位線BL沿著Y方向延伸形成。即，字線WL被形成為比位線BL長(zhǎng)得多。此外，位線BL由于沿著Y方向延伸形成，因而與顯示面板10的數(shù)據(jù)線平行，并與顯示面板10的一邊PL1垂直相交。
該顯示驅(qū)動(dòng)器24在H期間只選擇一次字線WL。并且，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器105鎖存根據(jù)字線WL的選擇從RAM 205輸出的數(shù)據(jù)，驅(qū)動(dòng)多條數(shù)據(jù)線。在顯示驅(qū)動(dòng)器24中，如圖8所示，由于字線WL比位線BL長(zhǎng)得多，因而數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100以及RAM 205的形狀在X方向上變長(zhǎng)，難以確保在顯示驅(qū)動(dòng)器24中配置其他電路的空間。因此，妨礙顯示驅(qū)動(dòng)器24的芯片面積的縮小。此外，由于也需要浪費(fèi)有關(guān)其確保等的設(shè)計(jì)時(shí)間，因而妨礙設(shè)計(jì)成本的降低。
圖8的RAM 205例如以圖9(A)所示的方式布局。根據(jù)圖9(A)，RAM 205被分割為兩個(gè)部分，其中一個(gè)部分的X方向的長(zhǎng)度例如為“12”，而Y方向的長(zhǎng)度為“2”。因此，可以將RAM 205的面積表示為“48”。這些長(zhǎng)度值是示出了表示RAM 205的大小的基礎(chǔ)上的比率的一例，并不限定實(shí)際的大小。并且，圖9(A)～圖9(D)的符號(hào)241～244表示字線控制電路，符號(hào)206～209表示讀出放大器。
與此相對(duì)，在本實(shí)施形式中，可以在將RAM 205分割為多個(gè)部分并旋轉(zhuǎn)90度的狀態(tài)下布局。例如，如圖9(B)所示，可以在將RAM 205分割為四個(gè)部分并旋轉(zhuǎn)90度的狀態(tài)下布局。作為被分割為4個(gè)部分中的一個(gè)部分的RAM 205-1包括讀出放大器207和字線控制電路242。此外，RAM 205-1的Y方向的長(zhǎng)度為“6”，X方向的長(zhǎng)度為“2”。從而，RAM 205-1的面積成為“12”，四個(gè)塊的總面積成為“48”。但是，由于想要縮短顯示驅(qū)動(dòng)器20的Y方向的長(zhǎng)度CY，因而圖9(B)的狀態(tài)并不理想。
因此，在本實(shí)施形式中，如圖9(C)和圖9(D)所示，通過(guò)在1H期間進(jìn)行多次讀出，可以縮短RAM 200的Y方向的長(zhǎng)度RY。例如，在圖9(C)中，示出了在1H期間進(jìn)行兩次讀出的情況。此時(shí)，由于在1H期間選擇兩次字線WL，因而可以將例如排列在Y方向上的存儲(chǔ)器單元MC的數(shù)量減半。由此，如圖9(C)所示，可以使RAM 200的Y方向的長(zhǎng)度成為“3”。與其相應(yīng)地，RAM 200的X方向的長(zhǎng)度成為“4”。即，RAM 200的總面積成為“48”，排列存儲(chǔ)器單元MC的區(qū)域的面積與圖9(A)的RAM 205相等。于是，由于可以將這些RAM 200以如圖3(A)或圖3(B)所示的方式自由地配置，因而可以非常靈活地布局，可以進(jìn)行有效的布局。
而且，圖9(D)示出了進(jìn)行三次讀出的情況的一例。此時(shí)，可以使圖9(B)的RAM 205-1的Y方向的長(zhǎng)度“6”成為三分之一。即，在想要使顯示驅(qū)動(dòng)器20的Y方向的長(zhǎng)度CY更短的情況下，可以通過(guò)調(diào)整1H期間的讀出次數(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。
在如上所述的本實(shí)施形式中，可以將被塊化的RAM 200設(shè)置在顯示驅(qū)動(dòng)器20中。在本實(shí)施形式中，例如可以將4BANK的RAM200設(shè)置在顯示驅(qū)動(dòng)器20中。此時(shí)，如圖10所示，對(duì)應(yīng)于各個(gè)RAM200的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100-1～100-4驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線DL。
具體地說(shuō)，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100-1驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線組DLS1，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100-2驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線組DLS2，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100-3驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線組DLS3，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100-4驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線組DLS4。并且，各個(gè)數(shù)據(jù)線組DLS1～DLS4，是將設(shè)置在顯示面板10的顯示區(qū)域12上的多條數(shù)據(jù)線DL例如分割為四塊中的一塊。這樣，對(duì)應(yīng)于4BANK的RAM 200，設(shè)置四個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100-1～100-4，并驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)于各個(gè)驅(qū)動(dòng)器的數(shù)據(jù)線，由此可以驅(qū)動(dòng)顯示面板10的多條數(shù)據(jù)線。
2.3數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器的分割結(jié)構(gòu)圖4所示的RAM 200的Y方向的長(zhǎng)度RY，不僅依賴于排列在Y方向上的存儲(chǔ)器單元MC的數(shù)量，而且還有依賴于數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100的Y方向的長(zhǎng)度的情況。
在本實(shí)施形式中，為了縮短圖4的RAM 200的長(zhǎng)度RY，將在一個(gè)水平掃描期間的多次讀出例如二次讀出作為前提，如圖11(A)所示，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100形成為第一數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A(廣義上為第一分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器)和第二數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100B(廣義上為第二分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器)的分割結(jié)構(gòu)。圖11(A)所示的M是根據(jù)一次字線選擇從RAM 200讀出的數(shù)據(jù)的位數(shù)。
并且，在各個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A、100B中，如在圖13、圖14、圖16、圖22以及圖28中后述，設(shè)置有多個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110。具體地說(shuō)，在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A、100B中設(shè)置有(M/G)個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110。此外，在對(duì)應(yīng)于彩色顯示的情況下，在各個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A、100B中設(shè)置有〔M/(3G)〕個(gè)R用數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110、〔M/(3G)〕個(gè)G用數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110、以及〔M/(3G)〕個(gè)B用數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110。
例如，在像素?cái)?shù)PX為240、像素的色深為18位、RAM 200的BANK數(shù)為4BANK的情況下，在1H期間只讀出一次時(shí)，必須從各個(gè)RAM 200輸出240×18÷4＝1080位的數(shù)據(jù)。
但是，為了縮小顯示驅(qū)動(dòng)器100的芯片面積，需要縮短RAM200的長(zhǎng)度RY。從而，如圖11(A)所示，例如假設(shè)在1H期間讀出兩次，在X方向上分割為數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A和100B。由此，可以將M設(shè)定為1080÷2＝540，并可以使RAM 200的長(zhǎng)度RY大致成為一半。
并且，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A驅(qū)動(dòng)顯示面板10的數(shù)據(jù)線中的一部分?jǐn)?shù)據(jù)線(數(shù)據(jù)線組)。此外，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100B驅(qū)動(dòng)顯示面板10的數(shù)據(jù)線中的除了數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A驅(qū)動(dòng)的數(shù)據(jù)線之外的數(shù)據(jù)線的一部分。這樣，各個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A、100B分別驅(qū)動(dòng)顯示面板10的數(shù)據(jù)線。
具體地說(shuō)，如圖11(B)所示，在1H期間例如選擇字線WL1和WL2。即，在1H期間選擇兩次字線。并且，在A1定時(shí)，使鎖存信號(hào)SLA下降。該鎖存信號(hào)SLA例如被提供給數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A。而且，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A根據(jù)鎖存信號(hào)SLA的例如下降沿鎖存從RAM 200提供的M位的數(shù)據(jù)。
此外，在A2定時(shí)，使鎖存信號(hào)SLB下降。該鎖存信號(hào)SLB例如被提供給數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100B。而且，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100B根據(jù)鎖存信號(hào)SLB的例如下降沿鎖存從RAM 200提供的M位的數(shù)據(jù)。
更具體地說(shuō)，如圖12所示，根據(jù)字線WL1的選擇被儲(chǔ)存在M個(gè)存儲(chǔ)器單元組MCS1中的數(shù)據(jù)，通過(guò)讀出放大器電路210被提供給數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A和100B。但是，由于對(duì)應(yīng)于字線WL1的選擇鎖存信號(hào)SLA下降，因而被儲(chǔ)存在M個(gè)存儲(chǔ)器單元組MCS1中的數(shù)據(jù)被鎖存在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A中。
而且，根據(jù)字線WL2的選擇被儲(chǔ)存在M個(gè)存儲(chǔ)器單元組MCS2中的數(shù)據(jù)，通過(guò)讀出放大器電路210被提供給數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A和100B，但對(duì)應(yīng)于字線WL2的選擇，鎖存信號(hào)SLB下降。因此，被儲(chǔ)存在M個(gè)存儲(chǔ)器單元組MCS2中的數(shù)據(jù)被鎖存在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100B中。
這樣，在將M設(shè)定為例如540位的情況下，由于在1H期間進(jìn)行兩次讀出，因而在各個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A、100B中，鎖存M＝540位的數(shù)據(jù)。即，共1080位的數(shù)據(jù)被鎖存在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100中，可以實(shí)現(xiàn)在上述的例中所需的在1H期間的1080位。而且，可以在1H期間內(nèi)鎖存所需的數(shù)據(jù)量，且可以使RAM 200的長(zhǎng)度RY縮短為大致一半。由此，由于可以縮短顯示驅(qū)動(dòng)器20的塊寬度ICY，因而可以降低顯示驅(qū)動(dòng)器20的制造成本。
在圖11(A)和圖11(B)中，作為一例示出了在1H期間進(jìn)行兩次讀出的例子，但并不限定于此。例如，也可以在1H期間進(jìn)行4次讀出，也可以設(shè)定為更多次。例如在進(jìn)行四次讀出的情況下，可以將數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100分割為四個(gè)部分，可以進(jìn)一步縮短RAM200的長(zhǎng)度RY。此時(shí)，如果以上述的內(nèi)容為例，就可以設(shè)定為M＝270，在被分割為四個(gè)部分的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器的各個(gè)部分中鎖存270位的數(shù)據(jù)。即，在使RAM 200的長(zhǎng)度RY成為大致四分之一的同時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)在1H期間所需的1080位的供給。
此外，如圖11(B)的A3和A4所示，可以根據(jù)數(shù)據(jù)線使能信號(hào)等(未圖示)的控制使數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A和100B的輸出上升，也可以在A1和A2所示的定時(shí)在各個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A、100B進(jìn)行鎖存之后直接輸出至數(shù)據(jù)線。此外，也可以在各個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A、100B中再設(shè)置一個(gè)鎖存電路，將根據(jù)在A1和A2鎖存的數(shù)據(jù)的電壓輸出至下次的1H期間。由此，不必?fù)?dān)心畫質(zhì)下降，就可以增加在1H期間進(jìn)行讀出的次數(shù)。
并且，在像素?cái)?shù)PY為320(顯示面板10的掃描線為320條)、且在1秒期間進(jìn)行60幀顯示的情況下，如圖11(B)所示，1H期間大約為52μsec。算法是，1sec÷60幀÷32052μsec。與此相對(duì)，如圖11(B)所示，字線的選擇大約進(jìn)行40nsec。即，由于在比1H期間短得多的期間進(jìn)行多次字線選擇(從RAM 200的數(shù)據(jù)讀出)，因而不會(huì)出現(xiàn)顯示面板10的畫質(zhì)劣化的問(wèn)題。
此外，M值可以用下式獲得。BNK表示BANK數(shù)，N表示在1H期間進(jìn)行的讀出次數(shù)，(像素?cái)?shù)PX×3)表示對(duì)應(yīng)于顯示面板10的多個(gè)數(shù)據(jù)線的像素?cái)?shù)(在本實(shí)施形式中為子像素?cái)?shù))，與數(shù)據(jù)線條數(shù)DLN一致。
數(shù)學(xué)式5M=PX×3×GBNK×N]]>
并且，在本實(shí)施形式中，讀出放大器電路210具有鎖存功能，但并不限定于此。例如，讀出放大器電路210也可以不具有鎖存功能。
2.4.數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器的細(xì)分割圖13是用于在構(gòu)成一個(gè)像素的各個(gè)子像素中作為一例R用子像素的RAM 200和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100的關(guān)系圖。
例如，在各個(gè)子像素的灰階的G位被設(shè)定為64灰階的六位的情況下，從RAM 200向R用子像素的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110A-R和110B-R提供六位數(shù)據(jù)。為了提供六位數(shù)據(jù)，在RAM 200的讀出放大器電路210所包括的多個(gè)讀出放大器單元211中，例如6個(gè)讀出放大器單元211與各個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110相對(duì)應(yīng)。
例如，必須將數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110A-R的Y方向的長(zhǎng)度SCY納入到六個(gè)讀出放大器單元211的Y方向的長(zhǎng)度SAY中。同樣地，必須將各個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110的Y方向的長(zhǎng)度納入到六個(gè)讀出放大器單元211的長(zhǎng)度SAY中。在不能將長(zhǎng)度SCY納入到六個(gè)讀出放大器211的長(zhǎng)度SAY中的情況下，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100的Y方向的長(zhǎng)度變得比RAM 200的長(zhǎng)度RY長(zhǎng)，成為布局效率低的狀態(tài)。
RAM 200在工藝方面向微細(xì)化發(fā)展，讀出放大器單元211的尺寸也小。另一方面，如圖7所示，在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110中設(shè)置有多個(gè)電路。特別是，DAC 120或鎖存電路130的電路尺寸大，難以設(shè)計(jì)為小尺寸。并且，如果增加輸入的位數(shù)，DAC 120或鎖存電路130就會(huì)變大。即，存在難以將長(zhǎng)度SCY納入到六個(gè)讀出放大器單元211的總長(zhǎng)度SAY中的情況。
與此相對(duì)，在本實(shí)施形式中，可以將以1H內(nèi)讀出次數(shù)N分割的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A、100B再分割為S(S為大于等于2的整數(shù))個(gè)，并在X方向上進(jìn)行疊加。圖14示出了以在1H期間進(jìn)行N＝2次讀出的方式設(shè)定的RAM 200中，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A和100B分別被分割為S＝2個(gè)部分而被疊加的構(gòu)成例。并且，圖14是對(duì)于被設(shè)定為兩次讀出的RAM 200的構(gòu)成例，但并不限定于此。例如，在被設(shè)定為N＝4次讀出的情況下，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器在X方向上被分割為N×S＝4×2＝8個(gè)部分。
圖13的各個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A、100B，如圖14所示，分別被分割為數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A1(廣義上為第一細(xì)分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器)和100A2、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100B1(廣義上為第二細(xì)分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器)和100B2(廣義上為第三或第S細(xì)分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器)。并且，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110A1-R等的Y方向的長(zhǎng)度設(shè)定為SCY2。如圖14所示，長(zhǎng)度SCY2被設(shè)定為可納入到排列G×2個(gè)讀出放大器單元211的情況下的Y方向的長(zhǎng)度SAY2中。即，在形成各個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110時(shí)，與圖13相比，在Y方向上所允許的長(zhǎng)度變長(zhǎng)，可以進(jìn)行布局效率高的設(shè)計(jì)。
然后，對(duì)圖14的構(gòu)成的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。例如，如果字線WL1被選擇，共M位的數(shù)據(jù)就通過(guò)各個(gè)讀出放大器塊210-1、210-2、210-3、210-4等被提供給數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A1、100A2、100B1、100B2中的至少任一個(gè)。此時(shí)，例如，從讀出放大器塊210-1輸出的G位的數(shù)據(jù)例如被提供給數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110A1-R和110B1-R(廣義上都是R用數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元)。并且，從讀出放大器塊210-2輸出的G位的數(shù)據(jù)例如被提供給數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110A2-R和110B2-R(廣義上都是R用數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元)。此時(shí)，在各個(gè)細(xì)分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A1、100A2、100B1、100B2等中，設(shè)置有〔M/(G ×S)〕個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110。
此時(shí)，與圖11(B)所示的時(shí)序圖同樣地，對(duì)應(yīng)于字線WL1被選擇的定時(shí)，鎖存信號(hào)SLA(廣義上為第一鎖存信號(hào))下降。并且，該鎖存信號(hào)SLA被提供給包括數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110A1-R的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A1以及包括數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110A2-R的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A2。因此，根據(jù)字線WL1的選擇從讀出放大器塊210-1輸出的G位的數(shù)據(jù)(儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元組MCS 11中的數(shù)據(jù))，被鎖存在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110A1-R中。同樣地，根據(jù)字線WL1的選擇從讀出放大器塊210-2輸出的G位的數(shù)據(jù)(儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元組MCS 12中的數(shù)據(jù))，被鎖存在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110A2-R中。
對(duì)于讀出放大器塊210-3、210-4也與上述相同，在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110A1-G(廣義上為G用數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元)中，鎖存被儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元組MCS 13中的數(shù)據(jù)，在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110A2-G(廣義上為G用數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元)中，鎖存被儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元組MCS14中的數(shù)據(jù)。
此外，在字線WL2被選擇的情況下，對(duì)應(yīng)于字線WL2被選擇，鎖存信號(hào)SLB(廣義上為第N鎖存信號(hào))下降。并且，該鎖存信號(hào)SLB被提供給包括數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110B1-R的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100B1以及包括數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110B2-R的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100B2。因此，根據(jù)字線WL2的選擇從讀出放大器塊210-1輸出的G位的數(shù)據(jù)(儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元組MCS 21中的數(shù)據(jù))，被鎖存在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110B1-R中。同樣地，根據(jù)字線WL2的選擇從讀出放大器塊210-2輸出的G位的數(shù)據(jù)(儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元組MCS 22中的數(shù)據(jù))，被鎖存在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110B2-R中。
在字線WL2被選擇的情況下，對(duì)于讀出放大器塊210-3、210-4也與上述相同，在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110B1-G中，鎖存被儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元組MCS 23中的數(shù)據(jù)，在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110B2-G中，鎖存被儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元組MCS 24中的數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110A1-B是鎖存B用子像素的數(shù)據(jù)的B用數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元。
并且，各個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A1、100A2等沿著Y方向(廣義上為第二方向)排列有R用數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元、G用數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元、以及B用數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元。
在圖15(B)中示出在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A、100B如上所述被分割的情況下，儲(chǔ)存在RAM 200中的數(shù)據(jù)。如圖15(B)所示，在RAM 200中，沿著Y方向以R用子像素?cái)?shù)據(jù)、R用子像素?cái)?shù)據(jù)、G用子像素?cái)?shù)據(jù)、G用子像素?cái)?shù)據(jù)、B用子像素?cái)?shù)據(jù)、B用子像素?cái)?shù)據(jù)...的順序儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。另一方面，在圖13所示的構(gòu)成的情況下，如圖15(A)所示，在RAM 200中，沿著Y方向以R用子像素?cái)?shù)據(jù)、G用子像素?cái)?shù)據(jù)、B用子像素?cái)?shù)據(jù)、R用子像素?cái)?shù)據(jù)...的順序儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。
在圖13中長(zhǎng)度SAY表示在六個(gè)讀出放大器單元211中，但并不限定于此。例如，在色深為8位的情況下，長(zhǎng)度SAY相當(dāng)于八個(gè)讀出放大器單元211的長(zhǎng)度。
此外，在圖14中作為一例示出了將各個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A、100B分別分割為S＝2個(gè)部分的構(gòu)成，但并不限定于此。例如也可以分割為S＝3個(gè)部分，也可以分割為S＝4個(gè)部分。并且，例如在將數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A分割為S＝3個(gè)部分的情況下，向被分割為三個(gè)部分的各個(gè)部分提供相同的鎖存信號(hào)SLA就可以。此外，作為與1H期間內(nèi)讀出次數(shù)N相同的分割數(shù)S的變形例，在分割為S＝3個(gè)部分的情況下，可以將各個(gè)部分作為R用子像素?cái)?shù)據(jù)、G用子像素?cái)?shù)據(jù)、B用子像素?cái)?shù)據(jù)的驅(qū)動(dòng)器。圖16示出了其構(gòu)成。在圖16中，示出了被分割為3個(gè)部分的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器101A1(廣義上為第一細(xì)分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器)、101A2(廣義上為第二細(xì)分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器)、以及101A3。數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器101A1包括數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元111A1(廣義上為第三或第S細(xì)分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器)，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器101A2包括數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元111A2，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器101A3包括數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元111A3。
并且，對(duì)應(yīng)于字線WL1的選擇，鎖存信號(hào)SLA下降。與上述同樣地，鎖存信號(hào)SLA被提供給各個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器101A1、101A2、以及101A3。
這樣，根據(jù)字線WL1的選擇，被儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元組MCS 11中的數(shù)據(jù)例如作為R用子像素?cái)?shù)據(jù)被儲(chǔ)存在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元111A1(廣義上為R用數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元)中。同樣地，被儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元組MCS 12中的數(shù)據(jù)例如作為G用子像素?cái)?shù)據(jù)被儲(chǔ)存在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元111A2(廣義上為G用數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元)中，被儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元組MCS 13中的數(shù)據(jù)例如作為B用子像素?cái)?shù)據(jù)被儲(chǔ)存在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元111A3(廣義上為B用數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元)中。
因此，如圖15(A)所示，可以將寫入到RAM 200中的數(shù)據(jù)在Y方向以R用子像素?cái)?shù)據(jù)、G用子像素?cái)?shù)據(jù)、B用子像素?cái)?shù)據(jù)的順序排列。此時(shí)，也可以將各個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器101A1、101A2、以及101A3再分割為S個(gè)部分。
3.RAM3.1.存儲(chǔ)器單元的構(gòu)成各個(gè)存儲(chǔ)器單元MC例如可以由SRAM(Static-Random-Access-Memory)構(gòu)成。圖17(A)示出了存儲(chǔ)器單元MC的電路的一例。此外，圖17(B)和圖17(C)示出了存儲(chǔ)器單元MC的布局的一例。
圖17(B)是橫式單元的布局例，圖17(C)是縱式單元的布局例。在此，如圖17(B)所示，橫式單元是在各個(gè)存儲(chǔ)器單元MC內(nèi)字線WL的長(zhǎng)度MCY比位線BL、/BL的長(zhǎng)度MCX長(zhǎng)的單元。另一方面，如圖17(C)所示，縱式單元是在各個(gè)存儲(chǔ)器單元MC內(nèi)位線BL、/BL的長(zhǎng)度MCX比字線WL的長(zhǎng)度MCY長(zhǎng)的單元。并且，在圖17(C)中，示出了在多晶硅層上形成的子字線SWL和在金屬層上形成的主字線MWL，但將主字線MWL作為襯里使用。
圖18示出了橫式單元MC和讀出放大器單元211之間的關(guān)系。圖17(B)示出的橫式單元MC，如圖18所示，位線對(duì)BL、/BL沿著X方向排列。從而，橫式單元MC的長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度MCY成為Y方向的長(zhǎng)度。另一方面，讀出放大器單元211在電路布局方面，如圖18所示，也在Y方向需要預(yù)定的長(zhǎng)度SAY3。由此，在橫式單元的情況下，如圖18所示，在一個(gè)讀出放大器單元211上容易配置相當(dāng)于一位的存儲(chǔ)器單元MC(在X方向上PY個(gè))。因此，如在上述式中說(shuō)明，將在1H期間內(nèi)從各個(gè)RAM 200讀出的總位數(shù)作為M的情況下，如圖19所示，在RAM 200的Y方向上排列M個(gè)存儲(chǔ)器單元MC就可以。在圖13～圖16中，RAM 200在Y方向上具有M個(gè)存儲(chǔ)器單元MC和M個(gè)讀出放大器單元211的例子，可以適用于使用橫式單元的情況。而且，在如圖19所示的橫式單元的情況下、并在1H期間兩次選擇不同的字線WL而進(jìn)行讀出的情況下，在RAM 200的X方向上排列的存儲(chǔ)器單元MC的數(shù)量為像素?cái)?shù)PY乘以讀出次數(shù)(兩次)。但是，由于橫式存儲(chǔ)器單元MC的X方向的長(zhǎng)度MCX比較短，因而即使排列在X方向上的存儲(chǔ)器單元MC的個(gè)數(shù)增加，RAM 200的X方向的尺寸也不會(huì)變大。
此外，使用橫式單元的優(yōu)點(diǎn)是增加RAM 200的Y方向的長(zhǎng)度MCY的自由度。在橫式單元的情況下，由于可以調(diào)整Y方向的長(zhǎng)度，因而作為Y方向和X方向的各個(gè)長(zhǎng)度的比率，可以準(zhǔn)備2∶1或1.5∶1等單元布局。此時(shí)，在將排列在Y方向上的橫式單元的個(gè)數(shù)例如作為100個(gè)的情況下，具有可以根據(jù)上述比率對(duì)RAM 200的Y方向的長(zhǎng)度MCY進(jìn)行各種設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)。與此相對(duì)，如果使用圖17(C)所示的縱式單元，RAM 200的Y方向的長(zhǎng)度MCY由讀出放大器211的Y方向的個(gè)數(shù)所控制，自由度小。
3.2.對(duì)應(yīng)多個(gè)縱式單元的讀出放大器的共用如圖21(A)所示，讀出放大器單元211的Y方向的長(zhǎng)度SAY3比縱式存儲(chǔ)器單元MC的長(zhǎng)度MCY長(zhǎng)很多。因此，在選擇字線WL時(shí)，對(duì)于一個(gè)讀出放大器單元211配置相當(dāng)于1位的存儲(chǔ)器單元MC的布局，效率低。
于是，如圖21(B)所示，在選擇字線WL時(shí)，對(duì)于一個(gè)讀出放大器單元211配置相當(dāng)于多位(例如2位)的存儲(chǔ)器單元MC。由此，不用考慮讀出放大器單元211的長(zhǎng)度SAY3和存儲(chǔ)器單元MC的長(zhǎng)度MCY的差，可以有效地將存儲(chǔ)器單元MC排列在RAM200中。
根據(jù)圖21(B)，選擇型讀出放大器SSA包括讀出放大器單元211、開(kāi)關(guān)電路220、以及開(kāi)關(guān)電路230。在選擇型讀出放大器SSA中，連接有例如兩組位線對(duì)BL、/BL。
開(kāi)關(guān)電路220根據(jù)選擇信號(hào)COLA(廣義上為讀出放大器用選擇信號(hào))，將一組位線對(duì)BL、/BL連接在讀出放大器單元211上。同樣地，開(kāi)關(guān)電路230根據(jù)選擇信號(hào)COLB，將另一組位線對(duì)BL、/BL連接在讀出放大器單元211上。并且，選擇信號(hào)COLA、COLB的信號(hào)電平例如被互斥地控制。具體地說(shuō)，在選擇信號(hào)COLA被設(shè)定為使開(kāi)關(guān)電路220設(shè)定為激活狀態(tài)的信號(hào)的情況下，選擇信號(hào)COLB被設(shè)定為使開(kāi)關(guān)電路230設(shè)定為無(wú)源的信號(hào)。即，選擇型讀出放大器SSA在例如由2組位線對(duì)BL、/BL提供的2位(廣義上為N位)的數(shù)據(jù)中選擇任意一位的數(shù)據(jù)，輸出對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)。
圖22示出了設(shè)置有選擇型讀出放大器SSA的RAM 200。在圖22中，作為一例，示出了在1H期間進(jìn)行兩次(廣義上為N次)讀出的情況下，例如色深的G位為六位的情況的構(gòu)成。此時(shí)，在RAM200中，如圖23所示，設(shè)置有M個(gè)選擇型讀出放大器SSA。因此，根據(jù)一次字線WL的選擇，被提供給數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100的數(shù)據(jù)為共M位。與此相對(duì)，在圖23的RAM 200中，在Y方向上排列有M×2個(gè)存儲(chǔ)器單元MC。并且，與圖19的情況不同，在X方向上排列有與像素?cái)?shù)PY相同個(gè)數(shù)的存儲(chǔ)器單元MC。在圖23的RAM 200中，由于在選擇型讀出放大器SSA上連接2組位線對(duì)BL、/BL，因而排列在RAM 200的X方向上的存儲(chǔ)器單元MC的數(shù)量可以是與像素?cái)?shù)PY相同的個(gè)數(shù)。
由此，在存儲(chǔ)器單元MC的長(zhǎng)度MCX比長(zhǎng)度MCY長(zhǎng)的縱式單元的情況下，通過(guò)減少排列在X方向上的存儲(chǔ)器單元MC的個(gè)數(shù)，可以使RAM 200的X方向的尺寸不變大。
3.3.從縱式存儲(chǔ)器單元的讀出動(dòng)作下面，對(duì)圖22所示的排列有縱式存儲(chǔ)器單元的RAM 200的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。對(duì)于該RAM 200的讀出的控制方法例如有兩種，首先利用圖24(A)、24(B)的時(shí)序圖對(duì)其中一種進(jìn)行說(shuō)明。
選擇信號(hào)COLA在圖24(A)的B1所示的定時(shí)被設(shè)定為激活狀態(tài)，字線WL1在B2所示的定時(shí)被選擇。此時(shí)，由于選擇信號(hào)COLA為激活狀態(tài)，因而選擇型讀出放大器SSA檢測(cè)出A側(cè)的存儲(chǔ)器單元MC、即存儲(chǔ)器單元MC-1A的數(shù)據(jù)而進(jìn)行輸出。并且，如果鎖存信號(hào)SLA在B3的定時(shí)下降，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110A-R就鎖存被儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元MC-1A中的數(shù)據(jù)。
此外，選擇信號(hào)COLB在B4的定時(shí)被設(shè)定為激活狀態(tài)，字線WL1在B5所示的定時(shí)被選擇。此時(shí)，由于選擇信號(hào)COLB為激活狀態(tài)，因而選擇型讀出放大器SSA檢測(cè)出B側(cè)的存儲(chǔ)器單元MC、即存儲(chǔ)器單元MC-1B的數(shù)據(jù)而進(jìn)行輸出。并且，如果鎖存信號(hào)SLB在B6的定時(shí)下降，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110B-R就鎖存被儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元MC-1B中的數(shù)據(jù)。并且，在圖24(A)中，2次讀出中，2次都是字線WL1被選擇。
由此，完成根據(jù)1H期間的兩次讀出的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100的數(shù)據(jù)鎖存。
此外，在圖24(B)中，示出了在字線WL2被選擇的情況下的時(shí)序圖。動(dòng)作與上述相同，其結(jié)果，在字線WL2如B7和B8所示地被選擇的情況下，存儲(chǔ)器單元MC-2A的數(shù)據(jù)被鎖存在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110A-R中，存儲(chǔ)器單元MC-2B的數(shù)據(jù)被鎖存在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110B-R中。
由此，完成根據(jù)與圖24(A)的1H期間不同的1H期間的2次讀出的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100的數(shù)據(jù)鎖存。
對(duì)于這種讀出方法，在RAM 200的各個(gè)存儲(chǔ)器單元MC中以圖25所示的方式儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。例如，數(shù)據(jù)RA-1～RA-6是用于提供給數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110A-R的R像素的六位數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)RB-1～RB-6是用于提供給數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110B-R的R像素的六位數(shù)據(jù)。
如圖25所示，例如在對(duì)應(yīng)于字線WL1的存儲(chǔ)器單元MC中，沿著Y方向，以數(shù)據(jù)RA-1(用于數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A鎖存的數(shù)據(jù))、RB-1(用于數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100B鎖存的數(shù)據(jù))、RA-2(用于數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A鎖存的數(shù)據(jù))、RB-2(用于數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100B鎖存的數(shù)據(jù))、RA-3(用于數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A鎖存的數(shù)據(jù))、RB-3(用于數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100B鎖存的數(shù)據(jù))...的順序進(jìn)行儲(chǔ)存。即，在RAM200中，沿著Y方向，輪流儲(chǔ)存(用于數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A鎖存的數(shù)據(jù))和(用于數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100B鎖存的數(shù)據(jù))。
而且，圖24(A)、圖24(B)所示的讀出方法，在1H期間進(jìn)行2次讀出，但在1H期間選擇相同的字線WL。
在上面披露了如下內(nèi)容，即，在選擇一次字線時(shí)被選擇的存儲(chǔ)器單元MC中，各個(gè)選擇型讀出放大器SSA從兩個(gè)存儲(chǔ)器單元MC接受數(shù)據(jù)，但并不限定于此。例如，也可以是如下的構(gòu)成，即，在選擇一次字線時(shí)被選擇的存儲(chǔ)器單元MC中，各個(gè)選擇型讀出放大器SSA從N個(gè)存儲(chǔ)器單元MC接受N位的數(shù)據(jù)。此時(shí)，選擇型讀出放大器SSA，在相同的字線的第一次選擇時(shí)，選擇從第一～第N存儲(chǔ)器單元MC的N個(gè)存儲(chǔ)器單元MC中的第一存儲(chǔ)器單元MC接受的一位的數(shù)據(jù)。此外，選擇型讀出放大器SSA在第K(1≤K≤N)次字線選擇時(shí)，選擇從第K存儲(chǔ)器單元MC接受的1位的數(shù)據(jù)。
作為圖24(A)和圖24(B)的變形例，可以選擇J(J為大于等于2的整數(shù))條在1H期間被選擇N次的相同的字線WL，并將在1H期間從RAM 200讀出數(shù)據(jù)的次數(shù)作為(N×J)次。即，如果假設(shè)N＝2、J＝2，就在同一水平掃描期間1H內(nèi)進(jìn)行圖24(A)和圖24(B)所示的4次字線選擇。即，是這樣一種方法，通過(guò)在1H期間內(nèi)選擇2次字線WL1、選擇兩次字線WL2，進(jìn)行N＝4次讀出。
此時(shí)，各個(gè)RAM塊200在選擇一次字線時(shí)，輸出M(M為大于等于2的整數(shù))位的數(shù)據(jù)，在將顯示面板10的多條數(shù)據(jù)線DL的條數(shù)定義為DLN、將對(duì)應(yīng)于各條數(shù)據(jù)線的各個(gè)像素的灰階位數(shù)定義為G、將RAM塊200的塊數(shù)定義為BNK的情況下，用以下的式獲得M值。
數(shù)學(xué)式6M=DLN×GBNK×N×J]]>下面，利用圖26(A)和圖26(B)，對(duì)另一種控制方法進(jìn)行說(shuō)明。
選擇信號(hào)COLA在圖26(A)的C1所示的定時(shí)被設(shè)定為激活狀態(tài)，字線WL1在C2所示的定時(shí)被選擇。由此，圖22的存儲(chǔ)器單元MC-1A和MC-1B被選擇。此時(shí)，由于選擇信號(hào)COLA為激活狀態(tài)，因而選擇型讀出放大器SSA檢測(cè)出A側(cè)的存儲(chǔ)器單元MC(廣義上為第一存儲(chǔ)器單元)、即存儲(chǔ)器單元MC-1A的數(shù)據(jù)而進(jìn)行輸出。并且，如果鎖存信號(hào)SLA在C3的定時(shí)下降，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110A-R就鎖存被儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元MC-1A中的數(shù)據(jù)。
此外，字線WL2在C4所示的定時(shí)被選擇，存儲(chǔ)器單元MC-2A和MC-2B被選擇。此時(shí)，由于選擇信號(hào)COLA為激活狀態(tài)，因而選擇型讀出放大器SSA檢測(cè)出A側(cè)的存儲(chǔ)器單元MC、即存儲(chǔ)器單元MC-2A的數(shù)據(jù)而進(jìn)行輸出。并且，如果鎖存信號(hào)SLB在C5的定時(shí)下降，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110B-R就鎖存被儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元MC-2A中的數(shù)據(jù)。
由此，完成根據(jù)1H期間的兩次讀出的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100的數(shù)據(jù)鎖存。
此外，利用圖26(B)，對(duì)與圖26(A)所示的1H期間不同的1H期間的讀出進(jìn)行說(shuō)明。選擇信號(hào)COLB在圖26(B)的C6所示的時(shí)序被設(shè)定為激活狀態(tài)，字線WL1在C7所示的時(shí)序被選擇。由此，圖22的存儲(chǔ)器單元MC-1A和MC-1B被選擇。此時(shí)，由于選擇信號(hào)COLB為激活狀態(tài)，因而選擇型讀出放大器SSA檢測(cè)出B側(cè)的存儲(chǔ)器單元MC(廣義上為與第一～第N存儲(chǔ)器單元中的第一存儲(chǔ)器單元不同的存儲(chǔ)器單元)、即存儲(chǔ)器單元MC-1B的數(shù)據(jù)而進(jìn)行輸出。并且，如果鎖存信號(hào)SLA在C8的定時(shí)下降，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110A-R就鎖存被儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元MC-1B中的數(shù)據(jù)。
此外，字線WL2在C9所示的時(shí)序被選擇，存儲(chǔ)器單元MC-2A和MC-2B被選擇。此時(shí)，由于選擇信號(hào)COLB為激活狀態(tài)，因而選擇型讀出放大器SSA檢測(cè)出B側(cè)的存儲(chǔ)器單元MC、即存儲(chǔ)器單元MC-2B的數(shù)據(jù)而進(jìn)行輸出。并且，如果鎖存信號(hào)SLB在內(nèi)C10的時(shí)序下降，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110B-R就鎖存被儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元MC-2B中的數(shù)據(jù)。
由此，完成根據(jù)與圖26(A)的1H期間不同的1H期間的2次讀出的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100的數(shù)據(jù)鎖存。
對(duì)于這種讀出方法，在RAM 200的各個(gè)存儲(chǔ)器單元MC中以圖27所示的方式儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。例如，數(shù)據(jù)RA-1A～RA-6A和數(shù)據(jù)RA-1B～RA-6B是用于提供給數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110A-R的R用子像素的六位數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)RA-1A～RA-6A是圖26(A)所示的1H期間的R用子像素?cái)?shù)據(jù)，數(shù)據(jù)RA-1B～RA-6B是圖26(B)所示的1H期間的R用子像素?cái)?shù)據(jù)。
此外，數(shù)據(jù)RB-1A～RB-6A和數(shù)據(jù)RB-1B～RB-6B是用于提供給數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110B-R的R用子像素的六位數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)RB-1A～RB-6A是圖26(A)所示的1H期間的R用子像素?cái)?shù)據(jù)，數(shù)據(jù)RB-1B～RB-6B是圖26(B)所示的1H期間的R用子像素?cái)?shù)據(jù)。
如圖27所示，在RAM 200中，沿著X方向，以數(shù)據(jù)RA-1A(用于數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A進(jìn)行鎖存的數(shù)據(jù))、RB-1A(用于數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100B進(jìn)行鎖存的數(shù)據(jù))的順序儲(chǔ)存在各個(gè)存儲(chǔ)器單元MC中。
此外，在RAM 200中，沿著Y方向，以數(shù)據(jù)RA-1A(用于數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A在圖26(A)的1H期間鎖存的數(shù)據(jù))、數(shù)據(jù)RA-1B(用于數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A在圖26(A)的1H期間進(jìn)行鎖存的數(shù)據(jù))、數(shù)據(jù)RA-2A(用于數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A在圖26(A)的1H期間進(jìn)行鎖存的數(shù)據(jù))、數(shù)據(jù)RA-2B(用于數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A在圖26(A)的1H期間進(jìn)行鎖存的數(shù)據(jù))...的順序進(jìn)行儲(chǔ)存。即，在RAM 200中，沿著Y方向，輪流儲(chǔ)存在某個(gè)1H期間被數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A鎖存的數(shù)據(jù)、以及在與該1H期間不同的其他1H期間被數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A鎖存的數(shù)據(jù)。
圖26(A)、圖26(B)所示的讀出方法，在1H期間進(jìn)行兩次讀出，但在1H期間選擇不同的字線WL。并且，在一個(gè)垂直期間(即，1幀期間)選擇兩次相同的字線。這是因?yàn)樵谶x擇型讀出放大器SSA上連接兩組位線對(duì)BL、/BL。因此，在選擇型讀出放大器SSA上連接三組或更多的位線BL、/BL的情況下，在一個(gè)垂直期間選擇三次或更多次相同的字線。
此外，在本實(shí)施形式中，上述的字線WL的控制例如可以通過(guò)圖4的字線控制電路220進(jìn)行。
3.4.數(shù)據(jù)讀出控制電路的配置圖20示出了設(shè)置在利用圖17(B)的橫式單元構(gòu)成的兩個(gè)RAM200內(nèi)的兩個(gè)存儲(chǔ)器單元陣列200A、200B以及其外圍電路。
圖20是如圖3(A)所示地兩個(gè)RAM 200鄰接的例子的框圖。在兩個(gè)存儲(chǔ)器單元陣列200A、200B的各個(gè)中作為專用電路設(shè)置行譯碼器(廣義上為字線控制電路)150、輸出電路154、以及CPU寫/讀電路158。此外，在兩個(gè)存儲(chǔ)器單元陣列200A、200B中作為共用電路設(shè)置有CPU/LCD控制電路152和列譯碼器156。
并且，行譯碼器150根據(jù)來(lái)自CPU/LCD控制電路152的信號(hào)，控制RAM 200A和200B的字線WL。由于從兩個(gè)存儲(chǔ)器單元陣列200A、200B的各個(gè)向LCD側(cè)的數(shù)據(jù)讀出控制是通過(guò)行譯碼器150和CPU/LCD控制電路152進(jìn)行的，因而行譯碼器150和CPU/LCD控制電路152成為廣義的數(shù)據(jù)讀出控制電路。CPU/LCD控制電路152例如根據(jù)外部的主機(jī)的控制，對(duì)兩個(gè)行譯碼器150、兩個(gè)輸出電路154、兩個(gè)CPU寫/讀電路158、以及一個(gè)列譯碼器156進(jìn)行控制。
兩個(gè)CPU寫/讀電路158根據(jù)來(lái)自CPU/LCD控制電路152的信號(hào)進(jìn)行如下的控制，即，將來(lái)自主機(jī)側(cè)的數(shù)據(jù)寫入在存儲(chǔ)器單元陣列200A、200B中，或讀出儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元陣列200A、200B中的數(shù)據(jù)而向例如主機(jī)側(cè)輸出。列譯碼器156根據(jù)來(lái)自CPU/LCD控制電路152的信號(hào)，進(jìn)行存儲(chǔ)器單元陣列200A、200B的位線BL、/BL的選擇控制。
并且，輸出電路154包括如上所述地分別輸入一位的數(shù)據(jù)的多個(gè)讀出放大器單元211，通過(guò)在1H期間選擇不同的例如兩條字線WL，將從存儲(chǔ)器單元陣列200A、200B輸出的M位的數(shù)據(jù)輸出至數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100。此外，在如圖3(A)所示地具有四個(gè)RAM 200的情況下，兩個(gè)CPU/LCD控制電路152根據(jù)如圖10所示的相同的字線控制信號(hào)RAC控制4個(gè)列譯碼器156，其結(jié)果在4個(gè)存儲(chǔ)器單元陣列中同時(shí)選擇相同列地址的字線WL。
這樣，由于通過(guò)在1H期間從各個(gè)存儲(chǔ)器單元陣列200A、200B進(jìn)行例如兩次讀出，每一次的讀出位M減少，因而列譯碼器156和CPU寫/讀電路158的尺寸減半。并且，在如圖3(A)所示的兩個(gè)RAM 200鄰接的情況下，由于如圖20所示可以在兩個(gè)存儲(chǔ)器單元陣列200A、200B中共用CPU/LCD控制電路152和列譯碼器156，因而根據(jù)該點(diǎn)也可以減小RAM 200的尺寸。
此外，在如圖17(B)所示的橫式單元的情況下，由于如圖19所示地連接在各個(gè)字線WL1、WL2上的存儲(chǔ)器單元MC的數(shù)量減少為M個(gè)，因而字線的布線電容比較小。因此，也不需要將字線分級(jí)為主字線和子字線。
4.變形例圖28示出了本實(shí)施形式所涉及的變形例。例如，在圖11(A)中，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A和100B被在X方向上分割。并且，在彩色顯示的情況下，在各個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100A、100B中分別設(shè)置有R用子像素的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元、G用子像素的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元、以及B用子像素的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元。
與此相對(duì)，在圖28的變形例中，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100-R(廣義上為第一分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器)、100-G(廣義上為第二分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器)、100-B(廣義上為第三分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器)這三個(gè)被分割在X方向上。并且，在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100-R中，設(shè)置有多個(gè)R用子像素的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110-R1、110-R2(廣義上為R用數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元)，在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100-G中，設(shè)置有多個(gè)G用子像素的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110-G1、110-G2(廣義上為G用數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元)。同樣地，在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100-B中，設(shè)置有多個(gè)B用子像素的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110-B1、110-B2(廣義上為B用數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元)。
并且，在圖28的變形例中，在1H期間進(jìn)行三次(廣義上為N次，N為3的倍數(shù))讀出。例如，如果字線WL1被選擇，據(jù)此，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100-R就鎖存從RAM 200輸出的數(shù)據(jù)。由此，例如儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元組MCS 31中的數(shù)據(jù)被鎖存在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110-R1中。
此外，如果字線WL2被選擇，據(jù)此，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100-G就鎖存從RAM 200輸出的數(shù)據(jù)。由此，例如儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元組MCS32中的數(shù)據(jù)被鎖存在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110-G1中。
此外，如果字線WL3被選擇，據(jù)此，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100-B就鎖存從RAM 200輸出的數(shù)據(jù)。由此，例如儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元組MCS33中的數(shù)據(jù)被鎖存在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110-B1中。
對(duì)于存儲(chǔ)器單元組MCS 34、MCS 35、MCS 36也與上述同樣，如圖28所示地分別被儲(chǔ)存在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)單元110-R2、110-G2、110-B2中的任一個(gè)中。
圖29是示出根據(jù)該3次讀出的動(dòng)作的時(shí)序圖。字線WL1在圖29的D1時(shí)序被選擇，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100-R在D2時(shí)序鎖存來(lái)自RAM200的數(shù)據(jù)。由此，如上所述地根據(jù)字線WL1的選擇被輸出的數(shù)據(jù)被鎖存在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100-R中。
此外，字線WL2在D3時(shí)序被選擇，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100-G在D4時(shí)序鎖存來(lái)自RAM 200的數(shù)據(jù)。由此，如上所述地根據(jù)字線WL2的選擇被輸出的數(shù)據(jù)被鎖存在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100-G中。
此外，字線WL3在D5時(shí)序被選擇，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100-B在D6時(shí)序鎖存來(lái)自RAM 200的數(shù)據(jù)。由此，如上所述地通過(guò)字線WL3的選擇被輸出的數(shù)據(jù)被鎖存在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100-B中。
在如上所述地動(dòng)作的情況下，在RAM 200的存儲(chǔ)器單元MC中，如圖30所示地儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。例如，圖30的數(shù)據(jù)R1-1表示R用子像素為6位的色深(灰階度)的情況下的其1位的數(shù)據(jù)，例如被儲(chǔ)存在一個(gè)存儲(chǔ)器單元MC中。
例如，在圖28的存儲(chǔ)器單元組MCS 31中，儲(chǔ)存數(shù)據(jù)R1-1～R1-6，在存儲(chǔ)器單元組MCS 32中，儲(chǔ)存數(shù)據(jù)G1-1～G1-6，在存儲(chǔ)器單元組MCS 33中，儲(chǔ)存數(shù)據(jù)B1-1～B1-6。同樣地，在存儲(chǔ)器單元組MCS 34～MCS 36中，如圖30所示地儲(chǔ)存數(shù)據(jù)R2-1～R2-6、G2-1～G2-6、以及B2-1～B2-6。
例如，可以將儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元組MCS 31～MCS 33中的數(shù)據(jù)看作1像素的數(shù)據(jù)，該數(shù)據(jù)是用于驅(qū)動(dòng)與對(duì)應(yīng)于儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元組MCS 34～MCS 36中的數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)線不同的數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)。因此，在RAM 200中，可以沿著Y方向按順序?qū)懭朊?像素的數(shù)據(jù)。
此外，設(shè)置在顯示面板10上的多條數(shù)據(jù)線中，例如驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)于R用子像素的數(shù)據(jù)線，接著驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)于G用子像素的數(shù)據(jù)線，然后驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)于B用子像素的數(shù)據(jù)線。由此，即使在1H期間內(nèi)進(jìn)行三次讀出的情況下在各次的讀出中發(fā)生延遲，也由于例如對(duì)應(yīng)于R用子像素的數(shù)據(jù)線全部被驅(qū)動(dòng)，因而減小延遲引起的不能顯示區(qū)域的面積。因此，可以緩和閃爍等顯示劣化。
并且，在變形例中，作為一例示出了被分割為三個(gè)部分的形式，但并不限定于此。在N為3的倍數(shù)的情況下，在N個(gè)分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器中，(1/3)個(gè)分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器相當(dāng)于第一組分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器，另外(1/3)個(gè)分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器相當(dāng)于第二組分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器，剩下的(1/3)個(gè)分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器相當(dāng)于第三組分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器。
5.本實(shí)施形式的效果在如上所述的本實(shí)施形式中，在1H期間對(duì)RAM 200進(jìn)行多次讀出。因此，如上所述，可以減少每一條字線的存儲(chǔ)器單元MC的數(shù)量，并可以對(duì)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100進(jìn)行分割。例如，由于可以通過(guò)調(diào)整1H期間的讀出次數(shù)來(lái)調(diào)整對(duì)應(yīng)于一條字線的存儲(chǔ)器單元MC的排列數(shù)，因而可以適當(dāng)?shù)卣{(diào)整RAM 200的X方向的長(zhǎng)度RX和Y方向的長(zhǎng)度RY。此外，通過(guò)調(diào)整1H期間的讀出次數(shù)，也可以改變數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100的分割數(shù)。
此外，根據(jù)設(shè)置在成為目標(biāo)的顯示面板10的顯示區(qū)域12中的數(shù)據(jù)線的數(shù)量，也可以容易地改變數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100和RAM 200的塊數(shù)，或可以容易地改變各個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100和RAM 200的布局尺寸。因此，可以進(jìn)行對(duì)搭載在顯示驅(qū)動(dòng)器20上的其他電路加以考慮的設(shè)計(jì)，可以降低顯示驅(qū)動(dòng)器20的設(shè)計(jì)成本。例如，成為目標(biāo)的顯示面板10中有改變，僅改變數(shù)據(jù)線的數(shù)量的情況下，有數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100和RAM 200主要成為改變目標(biāo)的情況。此時(shí)，在本實(shí)施形式中，由于可以靈活地設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100和RAM200的布局尺寸，因而其他電路中可以轉(zhuǎn)用現(xiàn)有的程序庫(kù)。因此，在本實(shí)施形式中，可以有效地利用被限定的空間，可以降低顯示驅(qū)動(dòng)器20的設(shè)計(jì)成本。
此外，在本實(shí)施形式中，由于在1H期間進(jìn)行多次讀出，因而對(duì)于如圖21(A)所示地根據(jù)讀出放大器SSA輸出M位的數(shù)據(jù)的RAM 200，可以在Y方向上設(shè)置M×2個(gè)存儲(chǔ)器單元MC。由此，由于可以有效地排列存儲(chǔ)器單元MC，因而可以縮小芯片面積。
此外，在圖8的比較例的顯示驅(qū)動(dòng)器24中，由于字線WL非常長(zhǎng)，因而為了防止從RAM 205的數(shù)據(jù)讀出的延遲引起的偏移，需要一定程度的電力。此外，由于字線WL非常長(zhǎng)，因而連接在每一條字線WL上的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量也增加，寄生在字線WL上的電容增大。對(duì)于該寄生電容的增大，可以通過(guò)將字線WL分割而控制的方法處理，但另外需要用于該處理的電路。
與此相對(duì)，在本實(shí)施形式中，例如圖11(A)所示地沿著Y方向延伸形成字線WL1、WL2等，其各個(gè)長(zhǎng)度與比較例的字線WL相比非常短。因此，一次字線WL1的選擇所需的電力變小。由此，即使在1H期間進(jìn)行多次讀出的情況下，也可以防止消耗電力的增大。
此外，如圖3(A)所示，例如，在設(shè)置4BANK的RAM 200的情況下，在RAM 200中，如圖11(B)所示，進(jìn)行選擇字線的信號(hào)或鎖存信號(hào)SLA、SLB的控制。這些信號(hào)例如可以在4BANK的各個(gè)RAM 200中共用。
具體地說(shuō)，例如，如圖10所示，向數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100-1～100-4提供相同的數(shù)據(jù)線控制信號(hào)SLC(數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器用控制信號(hào))，向RAM 200-1～200-4提供相同的字線控制信號(hào)RAC(RAM用控制信號(hào))。數(shù)據(jù)線控制信號(hào)SLC例如包括圖11(B)所示的鎖存信號(hào)SLA、SLB，RAM用控制信號(hào)RAC例如包括圖11(B)所示的選擇字線的信號(hào)。
由此，在各個(gè)BANK，RAM 200的字線以相同的方式被選擇，提供給數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100的鎖存信號(hào)SLA、SLB等以相同的方式下降。即，在1H期間，在某個(gè)RAM 200的字線被選擇的同時(shí)，其他RAM 200的字線也同時(shí)被選擇。這樣，多個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100可以正常驅(qū)動(dòng)多條數(shù)據(jù)線。
6.源極驅(qū)動(dòng)器和RAM塊的具體例下面，如圖31所示，對(duì)將顯示驅(qū)動(dòng)器20分割為四個(gè)部分且旋轉(zhuǎn)90度、在一個(gè)水平掃描期間讀出2次的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器100和RAM塊200具體進(jìn)行說(shuō)明，該顯示驅(qū)動(dòng)器20用于對(duì)應(yīng)于具有176×220像素的QCIF顯示的彩色液晶顯示面板10。
6.1.RAM內(nèi)置數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊圖32示出了源極驅(qū)動(dòng)器100和RAM塊200的塊，該塊在字線延伸的方向Y上被分割，具有被分割為11個(gè)塊的RAM內(nèi)置數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊300。由于一個(gè)RAM塊200如圖31所示地在Y方向上儲(chǔ)存相當(dāng)于22像素的數(shù)據(jù)，因而被分割為11個(gè)的各個(gè)RAM內(nèi)置數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊300在Y方向上儲(chǔ)存相當(dāng)于2像素的數(shù)據(jù)。
一個(gè)RAM內(nèi)置數(shù)據(jù)(驅(qū)動(dòng)器)塊300，如圖33所示，在X方向上被大致區(qū)分為RAM區(qū)域310和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器區(qū)域350。在RAM區(qū)域310中設(shè)置有存儲(chǔ)器單元陣列312和存儲(chǔ)器輸出電路320。在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器區(qū)域350中，包括鎖存電路352、FRC(幀·比率·控制器)354、電平移位器356、選擇器358、DAC(數(shù)字·模擬·轉(zhuǎn)換器)360、輸出控制電路362、運(yùn)算放大器364、以及輸出電路366。2像素?cái)?shù)據(jù)輸出用的RAM內(nèi)置數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊300，在每個(gè)像素?cái)?shù)據(jù)被分為子塊300A、300B。這些兩個(gè)子塊300A、300B的電路配置隔著邊界線成為鏡像配置。特別是，如圖33所示，在DAC 360的區(qū)域，對(duì)相當(dāng)于1像素的數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)據(jù)模擬轉(zhuǎn)換的1像素轉(zhuǎn)換區(qū)域的P阱和N阱結(jié)構(gòu)，隔著兩個(gè)子塊300A、300B的邊界鏡像配置。該原因是，因?yàn)樵赮方向的一條直線上，可以排列構(gòu)成DAC所需的開(kāi)關(guān)的N型和P型晶體管。這樣，由于可以在兩個(gè)子塊300A、300B中共用N型阱，因而阱分離區(qū)域減少，可以壓縮Y方向的尺寸。即，可以減小圖10所示的尺寸RY。
圖34是示出了圖33所示的RAM內(nèi)置數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊300的RAM區(qū)域310。在RAM區(qū)域310中，在Y方向上排列相當(dāng)于2像素、即相當(dāng)于2(像素)×3(RGB)×6(灰階位數(shù))＝36位的36個(gè)存儲(chǔ)器單元MC。如圖34所示，用于本實(shí)施形式中的存儲(chǔ)器單元MC是具有與X方向(位線方向)平行的長(zhǎng)邊和與Y方向(字線方向)平行的短邊的長(zhǎng)方形。由此，可以降低在Y方向上排列36個(gè)存儲(chǔ)器單元MC時(shí)的Y方向的高度，因此，可以降低圖10所示的RAM塊200的高度。
如在圖33中說(shuō)明，由于RAM內(nèi)置數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊300的兩個(gè)子塊300A、300B鏡像配置，因而向各個(gè)子塊300A、300B的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器區(qū)域350的輸入，如圖34的左端所示，必須滿足隔著子塊300A、300B的邊界對(duì)稱的關(guān)系。
在此，如果假設(shè)構(gòu)成1像素的各個(gè)子像素R、G、B分別為6位，那么1像素共成為18位，將該18位的數(shù)據(jù)標(biāo)記為R0、B0、G0、...R5、B5、G5。如圖34的左端所示，向子塊300A的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器區(qū)域350的輸出排列，從上開(kāi)始為R0、G0、B0、R1、...R5、G5、B5的順序。另一方面，向子塊300B的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器區(qū)域350的輸出排列，因?yàn)樯鲜龅脑颍瑥南麻_(kāi)始為R0、G0、B0、R1、...R5、G5、B5的順序。即，相當(dāng)于2像素的數(shù)據(jù)隔著子塊300A、300B的邊界對(duì)稱。
另一方面，在RAM內(nèi)置數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊300的RAM區(qū)域310的存儲(chǔ)器單元陣列312中，形成圖34所示的RGB儲(chǔ)存排列順序(即數(shù)據(jù)讀出排列順序)，與向數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器區(qū)域350的數(shù)據(jù)輸出排列不一致。因此，如圖34所示，在存儲(chǔ)器輸出電路320的區(qū)域確保排列替換布線區(qū)域410。該排列替換布線區(qū)域410，將從多條位線以數(shù)據(jù)讀出排列順序輸入的位數(shù)據(jù)，用布線排列替換，以存儲(chǔ)器輸出電路320的位輸出排列順序輸出。
對(duì)于排列替換布線區(qū)域410在后面進(jìn)行描述，首先，對(duì)存儲(chǔ)器單元陣列312進(jìn)行說(shuō)明。如圖34所示，在存儲(chǔ)器單元陣列312的右側(cè)具有數(shù)據(jù)讀出/寫入電路400，其在與主機(jī)裝置(未圖示)之間進(jìn)行數(shù)據(jù)的輸入輸出，該主機(jī)裝置對(duì)RAM塊200進(jìn)行數(shù)據(jù)讀出寫入控制。在該數(shù)據(jù)讀出/寫入電路400中，在一次存取中輸入或輸出18位的數(shù)據(jù)。即，要在一個(gè)RAM內(nèi)置數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊300中讀寫相當(dāng)于2像素的36位數(shù)據(jù)，就得進(jìn)行兩次存取。
在此，數(shù)據(jù)讀出/寫入電路400，如圖34所示，具有Y方向的18個(gè)寫入驅(qū)動(dòng)單元402、Y方向的18個(gè)讀出放大器單元404。并且，在將Y方向(字線方向)上鄰接的預(yù)定個(gè)數(shù)(在本實(shí)施形式中為2個(gè))的存儲(chǔ)器單元作為一個(gè)存儲(chǔ)器單元組的情況下，各個(gè)寫入驅(qū)動(dòng)單元402具有與構(gòu)成該一個(gè)存儲(chǔ)器單元組的兩個(gè)存儲(chǔ)器單元MC的Y方向的高度相同的高度。即，在鄰接的兩個(gè)存儲(chǔ)器單元MC中共用一個(gè)寫入驅(qū)動(dòng)單元402。同樣地，各個(gè)讀出放大器單元404也具有與鄰接的兩個(gè)存儲(chǔ)器單元MC的Y方向的高度相同的高度。即，在鄰接的兩個(gè)存儲(chǔ)器單元MC中共用一個(gè)讀出放大器單元404。
例如，對(duì)于主機(jī)裝置將相當(dāng)于1像素的數(shù)據(jù)寫入在存儲(chǔ)器單元陣列312中的情況進(jìn)行說(shuō)明。在圖34中例如字線WL1被選擇的同時(shí)，向排列在Y方向上的36個(gè)存儲(chǔ)器單元MC中的例如偶數(shù)順序的18個(gè)存儲(chǔ)器單元MC，通過(guò)18個(gè)寫入驅(qū)動(dòng)單元402，寫入相當(dāng)于1像素的數(shù)據(jù)R0、B0、G0、...R5、B5、G5。然后，相同的字線WL1被選擇，向排列在Y方向上的36個(gè)存儲(chǔ)器單元MC中的例如奇數(shù)順序的18個(gè)存儲(chǔ)器單元MC，通過(guò)18個(gè)寫入驅(qū)動(dòng)單元402，寫入相當(dāng)于1像素的數(shù)據(jù)R0、B0、G0、...R5、B5、G5。
根據(jù)這樣的驅(qū)動(dòng)，在圖34所示的Y方向向36個(gè)存儲(chǔ)單元MC寫入2像素的數(shù)據(jù)。當(dāng)向主機(jī)讀出數(shù)據(jù)時(shí)，取代寫入驅(qū)動(dòng)單元402，使用讀出放大器單元404，同寫入相同的步驟分兩次讀出。
根據(jù)上述的描述，向圖34所示的在Y方向上鄰接的兩個(gè)存儲(chǔ)器單元MC中，根據(jù)與主機(jī)裝置側(cè)的存取限制，輸入同色且全6位中的灰階位順序相同的兩個(gè)數(shù)據(jù)(例如R0、R0)。因?yàn)樵撓拗?，?chǔ)存在圖34的排列在Y方向上的相當(dāng)于2像素的36個(gè)存儲(chǔ)器單元MC中的數(shù)據(jù)排列順序，與圖34的左端所示的數(shù)據(jù)輸出排列順序不一致。向圖34所示的Y方向的36個(gè)存儲(chǔ)器單元MC進(jìn)行的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存排列，從減少排列替換布線區(qū)域410中的布線交叉次數(shù)、且縮短排列替換布線長(zhǎng)度考慮而被決定。
如上所述，存儲(chǔ)器單元陣列312中的根據(jù)多條位線BL的排列的數(shù)據(jù)讀出排列順序，與從存儲(chǔ)器輸出電路320的數(shù)據(jù)輸出排列順序不同。因此，設(shè)置有圖34所示的排列替換布線區(qū)域410。
6.2.存儲(chǔ)器輸出電路參照?qǐng)D35，對(duì)具有排列替換布線區(qū)域410的存儲(chǔ)器輸出電路320的一例進(jìn)行說(shuō)明。在圖35中，存儲(chǔ)器輸出電路320在X方向上被大致區(qū)分，具有讀出放大器電路322、緩沖電路324、以及控制它們的控制電路326。
讀出放大器電路322在位線方向(X方向)上具有L(L為大于等于2的整數(shù))個(gè)、例如L＝2個(gè)第一讀出放大器單元322A和第二讀出放大器單元322B，將在一個(gè)水平掃描期間內(nèi)同時(shí)讀出的兩個(gè)位數(shù)據(jù)分別輸入至第一、第二讀出放大器單元322A、322B的不同的一個(gè)中。因此，各個(gè)第一、第二讀出放大器單元322A、322B的高度，只要可以納入在X方向上鄰接的L個(gè)(L＝2個(gè))存儲(chǔ)器單元MC的高度范圍內(nèi)就可以，可以確保讀出放大器電路322的電路布局的自由度。
即，如果將一個(gè)存儲(chǔ)器單元MC的Y方向高度作為MCY，將例如L＝2個(gè)第一讀出放大器單元322A和第二讀出放大器單元322B的各個(gè)的Y方向高度作為SACY，并使(L-1)×MCY＜SACY≤L×MCY成立，那么，在將集成電路裝置的Y方向高度確保在預(yù)定值以內(nèi)的同時(shí)，可以確保讀出放大器單元的布局自由度。并且，L并不限定于2，可以是大于等于2的整數(shù)。但是，是滿足L＜M/2的整數(shù)。
緩沖電路324具有第一緩沖單元324A和第二緩沖單元324B，該第一緩沖單元324A對(duì)第一讀出放大器單元322A的輸出進(jìn)行放大，該第二緩沖單元324B對(duì)第二讀出放大器單元322B的輸出進(jìn)行放大。在圖35的例中，根據(jù)字線的選擇從存儲(chǔ)器單元MC1讀出的數(shù)據(jù)，在第一讀出放大器單元322A中被檢測(cè)出，并由第一緩沖單元324A進(jìn)行放大而輸出。根據(jù)相同的字線的選擇從存儲(chǔ)器單元MC2讀出的數(shù)據(jù)，在第二讀出放大器單元322B中被檢測(cè)出，并由第二緩沖單元324B進(jìn)行放大而輸出。圖36示出了第一讀出放大器單元322A和第一緩沖單元324A的電路構(gòu)成的一例，這些由來(lái)自控制電路326的信號(hào)TLT、XPCGL進(jìn)行控制。
6.3.排列替換布線區(qū)域在本實(shí)施形式中，將圖34所示的排列替換布線區(qū)域410如圖37所示地配置在第二緩沖單元324B的區(qū)域中。圖37主要示出了圖33所示的子塊300A，示出了第一緩沖單元324A的輸出數(shù)據(jù)R1～B1、R3～B3、R5～B5、以及第二緩沖單元324B的輸出數(shù)據(jù)R1～B1、R3～B3、R5～B5。
第一緩沖單元324A的輸出數(shù)據(jù)R1～B1、R3～B3、R5～B5的輸出端子在金屬第二層ALB上向X方向被引出，通過(guò)通孔由金屬第三層ALC向Y方向被引出，被布線在子塊300B側(cè)。
第二緩沖單元324B的輸出數(shù)據(jù)R1～B1、R3～B3、R5～B5的輸出端子在金屬第二層ALB上向X方向稍微被引出，通過(guò)通孔由金屬第三層ALC向Y方向被引出，再通過(guò)通孔由金屬第二層ALB向X方向被引出，連接至存儲(chǔ)器輸出電路320的輸出端子。
這樣，排列替換布線區(qū)域410通過(guò)具有形成多個(gè)在位線方向延伸的布線的布線層ALB、形成多個(gè)在字線方向延伸的布線的布線層ALC、以及選擇性地連接在兩個(gè)布線層ALB、ALC之間的多個(gè)通孔，實(shí)現(xiàn)了作為目的的排列替換布線。此外，通過(guò)利用第二緩沖單元324B的區(qū)域進(jìn)行排列替換，可以將來(lái)自第一、第二緩沖單元324A、324B的輸出以最短的方式排列替換，可以降低布線負(fù)荷。
圖38示出了與圖35不同的存儲(chǔ)器輸出電路，在圖38中，在Y方向上以第一讀出放大器322A、第一緩沖單元324A、第二讀出放大器322B、第二緩沖單元324B、以及控制電路326的順序進(jìn)行排列。此時(shí)，可以在存儲(chǔ)器輸出電路的區(qū)域、特別是第二緩沖單元324B的區(qū)域中配置排列替換布線區(qū)域410。
在圖39的例中，讀出放大器322和緩沖器324沒(méi)有根據(jù)一個(gè)水平掃描期間的讀出次數(shù)N進(jìn)行分割。此時(shí)，讀出放大器322的前段設(shè)置第一開(kāi)關(guān)327，在緩沖器324的后段設(shè)置第二開(kāi)關(guān)328。如圖40所示，第一開(kāi)關(guān)327具有列地址信號(hào)COLA、COLB擇一性地選擇的兩個(gè)開(kāi)關(guān)327A、327B。這樣，可以在兩個(gè)存儲(chǔ)器單元MC中共用一個(gè)讀出放大器322和一個(gè)緩沖器324。第二開(kāi)關(guān)328通過(guò)以與第一開(kāi)關(guān)327相同的方式被切換，可以將分時(shí)送來(lái)的來(lái)自兩個(gè)存儲(chǔ)器MC的數(shù)據(jù)分配輸出給兩條輸出線。在圖39的例中，也可以在存儲(chǔ)器輸出電路的區(qū)域配置排列替換布線區(qū)域410。
并且，設(shè)置排列替換布線區(qū)域410的原因，在上述的實(shí)施形式中，是主機(jī)裝置和存儲(chǔ)器單元陣列之間的數(shù)據(jù)存取引起的存儲(chǔ)器單元的布局、以及數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器中的電路構(gòu)造的鏡像配置這兩個(gè)要素，但也可以是其中任一個(gè)要素，當(dāng)然也可以用在這些要素的基礎(chǔ)上添加其他要素、或與這些不同的要素進(jìn)行排列替換。
6.4.數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器、驅(qū)動(dòng)器單元的配置圖41示出了數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器以及數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器所包括的驅(qū)動(dòng)器單元的配置例。如圖41所示，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊包括沿著X方向并排配置的多個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器DRa、DRb(第一～第N分割數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器)。此外，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器DRa、DRb包括多組22個(gè)(廣義上為Q個(gè))驅(qū)動(dòng)器單元DRC1～DRC22。
如果存儲(chǔ)塊的字線WL1a被選擇，且第一次的圖像數(shù)據(jù)從存儲(chǔ)塊被讀出，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器DRa就根據(jù)圖41所示的鎖存信號(hào)LATa，鎖存被讀出的圖像數(shù)據(jù)。然后，進(jìn)行被鎖存的圖像數(shù)據(jù)的D/A轉(zhuǎn)換，將對(duì)應(yīng)于第一次的讀出圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)信號(hào)DATAa輸出至數(shù)據(jù)信號(hào)輸出線。
另一方面，如果存儲(chǔ)塊的字線WL1b被選擇，且第二次的圖像數(shù)據(jù)從存儲(chǔ)塊被讀出，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器DRb就根據(jù)圖41所示的鎖存信號(hào)LATb，鎖存被讀出的圖像數(shù)據(jù)。然后，進(jìn)行被鎖存的圖像數(shù)據(jù)的D/A轉(zhuǎn)換，將對(duì)應(yīng)于第二次的讀出圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)信號(hào)DATAb輸出至數(shù)據(jù)信號(hào)輸出線。
這樣，各個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器DRa、DRb輸出對(duì)應(yīng)于22個(gè)像素的相當(dāng)于22條的數(shù)據(jù)信號(hào)，由此在一個(gè)水平掃描期間總共輸出對(duì)應(yīng)于44個(gè)像素的相當(dāng)于44條的數(shù)據(jù)信號(hào)。
如圖41所示，如果將多個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器DRa、DRb沿著X方向配置(疊加)，就因?yàn)閿?shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的規(guī)模大小而可以防止集成電路裝置的Y方向的寬度W變大的情況。此外，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器根據(jù)顯示面板的類型可以采用多種構(gòu)成。此時(shí)，也可以根據(jù)將多個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器沿著X方向配置的方法，有效地布局多種構(gòu)成的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器。并且，在圖41中示出了X方向的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的配置數(shù)為2的情況，但配置數(shù)可以大于等于3個(gè)。
此外，在圖41中，各個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器DRa、DRb包括沿著Y方向并排配置的22個(gè)(Q個(gè))驅(qū)動(dòng)器單元DRC1～DRC22。在此，各個(gè)驅(qū)動(dòng)器單元DRC1～DRC22接受相當(dāng)于1像素的圖像數(shù)據(jù)。然后，進(jìn)行相當(dāng)于1像素的圖像數(shù)據(jù)的D/A轉(zhuǎn)換，輸出對(duì)應(yīng)于相當(dāng)于1像素的圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)信號(hào)。
并且，在圖41中，將顯示面板的數(shù)據(jù)線條數(shù)作為DLN，將數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊的塊數(shù)(塊分割數(shù))作為BNK，將一個(gè)水平掃描期間的圖像數(shù)據(jù)的讀出次數(shù)作為N。
此時(shí)，如果將顯示面板的水平掃描方向的像素?cái)?shù)作為PX，將重疊數(shù)作為BNK，將一個(gè)水平掃描期間的讀出次數(shù)作為N，就可以用Q＝PX/(BNK×N)表示沿著Y方向排列的驅(qū)動(dòng)器單元DRC1～DRC22的個(gè)數(shù)Q。在圖41的情況下，由于PX＝176、BNK＝4、N＝2，因而成為Q＝176/(4×2)＝22個(gè)。
換句話說(shuō)，在RGB彩色顯示的情況下，如果將在一個(gè)水平掃描期間從顯示存儲(chǔ)器讀出的數(shù)據(jù)的位數(shù)作為M，將被提供給數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)的灰階值作為G位，就可以用Q＝M/3G表示沿著Y方向排列的驅(qū)動(dòng)器單元DRC1～DRC22的個(gè)數(shù)Q。在圖41的情況下，由于M＝396、G＝6，因而成為Q＝396/(3×6)＝22個(gè)。
此外，將顯示面板的數(shù)據(jù)線條數(shù)作為DLN，將每一條數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)的圖像數(shù)據(jù)的位數(shù)作為G，將存儲(chǔ)塊的塊數(shù)作為BNK，將在一個(gè)水平掃描期間從存儲(chǔ)塊讀出的圖形數(shù)據(jù)的讀出次數(shù)作為N。此時(shí)，包括在讀出放大器塊SAB中的讀出放大器(輸出相當(dāng)于1位的圖像數(shù)據(jù)的讀出放大器)的個(gè)數(shù)與在一個(gè)水平掃描期間從存儲(chǔ)器單元讀出的數(shù)據(jù)的位數(shù)M相同，可以表示為M＝(DLN×G)/(BNK×N)。在圖41的情況下，由于DLN＝528、G＝6、BNK＝4、N＝2，因而成為M＝(528×6)/(4×2)＝396個(gè)。并且，個(gè)數(shù)M是對(duì)應(yīng)于有效存儲(chǔ)器單元數(shù)的有效讀出放大器數(shù)，不包括虛擬存儲(chǔ)器單元用的讀出放大器等無(wú)效的讀出放大器的個(gè)數(shù)。此外，如圖35、圖38所示，在位線方向上排列L＝2個(gè)讀出放大器單元的情況下，排列在字線方向上的讀出放大器單元的個(gè)數(shù)P成為P＝M/L＝(DLN×G)/(BNK×N×L)＝198個(gè)。
6.5.數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊的布局圖42示出了數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊的更詳細(xì)的布局例。在圖42中，N＝2個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊DRa、DRb包括輸出對(duì)應(yīng)于相當(dāng)于1子像素的圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)信號(hào)的多個(gè)子像素驅(qū)動(dòng)器單元SDC1～SDC132。并且，在兩個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊的各個(gè)中，沿著X方向(沿著子像素驅(qū)動(dòng)器單元的長(zhǎng)邊的方向)被細(xì)分割為R、G、B，在R、G、B中各個(gè)M/3G＝22個(gè)子像素驅(qū)動(dòng)器單元沿著Y方向配置。即，子像素驅(qū)動(dòng)器單元SDC1～SDC132被矩陣式配置。并且，用于電連接數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊的輸出線和顯示面板的數(shù)據(jù)線的焊盤(焊盤塊)配置在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)塊的Y方向側(cè)。
在圖42中，分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器DRa的子像素驅(qū)動(dòng)器單元SDC1、SDC4、SDC7、...SDC64是屬于第一細(xì)分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器的R用數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元。子像素驅(qū)動(dòng)器單元SDC2、SDC5、SDC8、...SDC65是屬于第二細(xì)分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器的G用數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元。子像素驅(qū)動(dòng)器單元SDC3、SDC6、SDC9、...SDC66是屬于第S或第三細(xì)分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器的B用數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元。
圖42的實(shí)施形式的在一個(gè)水平掃描期間的讀出次數(shù)N＝2，不像圖28的實(shí)施形式那樣N為3的倍數(shù)。但是，如圖42所示，即使不將在一個(gè)水平掃描期間內(nèi)的讀出次數(shù)N作為3的倍數(shù)，只要在各個(gè)分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器DRa、DRb的各個(gè)中區(qū)分R、G、B的每個(gè)色而配置細(xì)分割數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器，就可以區(qū)分R、G、B的每個(gè)色并沿著第二方向排列驅(qū)動(dòng)單元。
例如，圖41的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器DRa的驅(qū)動(dòng)器單元DRC1由圖42的子像素驅(qū)動(dòng)器單元SDC1、SDC2、SDC3構(gòu)成。在此，SDC1、SDC2、SDC3分別是R(紅)用、G(綠)用、B(藍(lán))用的子像素驅(qū)動(dòng)器單元，從存儲(chǔ)塊輸入對(duì)應(yīng)于第一個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)的R、G、B圖像數(shù)據(jù)(R1、G1、B1)。然后，子像素驅(qū)動(dòng)器單元SDC1、SDC2、SDC3進(jìn)行這些圖像數(shù)據(jù)(R1、G1、B1)的D/A轉(zhuǎn)換，將第一個(gè)R、G、B的數(shù)據(jù)信號(hào)(數(shù)據(jù)電壓)輸出至對(duì)應(yīng)于第一條數(shù)據(jù)線的R、G、B用的焊盤。
同樣地，驅(qū)動(dòng)器單元DRC2由R用、G用、B用的子像素驅(qū)動(dòng)器單元SDC4、SDC5、SDC6構(gòu)成，從存儲(chǔ)塊輸入對(duì)應(yīng)于第二個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)的R、G、B圖像數(shù)據(jù)(R2、G2、B2)。然后，子像素驅(qū)動(dòng)器單元SDC4、SDC5、SDC6進(jìn)行這些圖像數(shù)據(jù)(R2、G2、B2)的D/A轉(zhuǎn)換，將第二個(gè)R、G、B的數(shù)據(jù)信號(hào)(數(shù)據(jù)電壓)輸出至對(duì)應(yīng)于第二條數(shù)據(jù)線的R、G、B用的焊盤。其他的子像素驅(qū)動(dòng)器單元也相同。
并且，子像素的數(shù)量并不限定于3個(gè)，也可以是大于等于4個(gè)。此外，子像素驅(qū)動(dòng)器單元的配置也并不限定于圖42，也可以將R用、G用、B用的子像素驅(qū)動(dòng)器單元沿著例如Y方向疊加配置。
6.6.存儲(chǔ)塊的布局圖43示出了存儲(chǔ)塊的布局例。圖43詳細(xì)地示出了對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)塊中的1像素(R、G、B分別為6位，共18位)的部分。并且，為了便于說(shuō)明，將圖43中的讀出放大器塊的RGB排列作為在圖37中說(shuō)明的排列替換后的排列示出。
對(duì)應(yīng)于讀出放大器塊中的1像素的部分，包括R用讀出放大器單元SAR0～SAR5、G用讀出放大器單元SAG0～SAG5、以及B用讀出放大器單元SAB0～SAB5。此外，在圖43中，2個(gè)(廣義上為多個(gè))讀出放大器(以及緩沖器)疊加配置在X方向上。并且，在疊加配置的讀出放大器單元SAR0、SAR1的X方向側(cè)沿著X方向并排的兩行存儲(chǔ)器單元列中，上側(cè)行的存儲(chǔ)器單元列的位線例如連接在SAR0上，下側(cè)行的存儲(chǔ)器單元列的位線例如連接在SAR1上。并且，SAR0、SAR1進(jìn)行從存儲(chǔ)器單元讀出的圖形數(shù)據(jù)的信號(hào)放大，由此從SAR0、SAR1輸出2位的圖像數(shù)據(jù)。其他的讀出放大器和存儲(chǔ)器單元的關(guān)系也是相同的。
在圖43的構(gòu)成的情況下，可以用下述的方式實(shí)現(xiàn)圖11(B)所示的在一個(gè)水平掃描期間中的圖像數(shù)據(jù)的多次讀出。即，在第一水平掃描期間(第一掃描線的選擇期間)中，首先，選擇圖41的字線WL1a而進(jìn)行圖像數(shù)據(jù)的第一次讀出，輸出第一次的數(shù)據(jù)信號(hào)DATAa。此時(shí)，來(lái)自讀出放大器單元SAR0～SAR5、SAG0～SAG5、SAB0～SAB5的R、G、B圖像數(shù)據(jù)，分別輸入至子像素驅(qū)動(dòng)器單元SDC1、SDC2、SDC3。接著，在相同的第一水平掃描期間中，選擇字線WL1b而進(jìn)行圖像數(shù)據(jù)的第二次讀出，輸出第二次的數(shù)據(jù)信號(hào)DATAb。此時(shí)，來(lái)自讀出放大器單元SAR0～SAR5、SAG0～SAG5、SAB0～SAB5的R、G、B圖像數(shù)據(jù)，分別輸入至圖42的子像素驅(qū)動(dòng)器單元SDC67、SDC68、SDC69。此外，在之后的第二水平掃描期間(第二掃描線的選擇期間)中，首先選擇字線WL2a而進(jìn)行圖像數(shù)據(jù)的第一次讀出，輸出第一次的數(shù)據(jù)信號(hào)DATAa。接著，在相同的第二水平掃描期間中，選擇字線WL2b而進(jìn)行圖像數(shù)據(jù)的第二次讀出，輸出第二次的數(shù)據(jù)信號(hào)DATAb。
7.電子設(shè)備圖44(A)(B)示出了包括本實(shí)施形式的集成電路裝置20的電子設(shè)備(電光學(xué)裝置)的例子。并且，電子設(shè)備也可以包括除了在圖44(A)(B)中示出的部件之外的構(gòu)成要素(例如照相機(jī)、操作部、或電源等)。此外，本實(shí)施方式的電子設(shè)備并不限定于手機(jī)，也可以是數(shù)碼相機(jī)、PDA、電子筆記本、電子詞典、放映機(jī)、背投電視、或攜帶型信息終端等。
在圖44(A)(B)中，主機(jī)裝置510例如是MPU(Micro ProcessorUnit微處理器)、基帶引擎(基帶處理器)等。該主機(jī)裝置510進(jìn)行作為顯示驅(qū)動(dòng)器的集成電路裝置20的控制。或也可以進(jìn)行作為應(yīng)用引擎或基帶引擎的處理、或壓縮、延伸、校準(zhǔn)等作為圖形機(jī)的處理。此外，圖44(B)的圖像處理控制器(顯示控制器)520代理主機(jī)裝置510進(jìn)行壓縮、擴(kuò)展、校準(zhǔn)等作為圖形機(jī)的處理。
顯示面板500具有多條數(shù)據(jù)線(源極線)、多條掃描線(柵極線)、以及由數(shù)據(jù)線和掃描線特定的多個(gè)像素。并且，通過(guò)改變各個(gè)像素區(qū)域中的電光學(xué)元件(狹義上為液晶元件)的光學(xué)特性，實(shí)現(xiàn)顯示動(dòng)作。該顯示面板500可以由使用TFT、TFD等開(kāi)關(guān)元件的有源矩陣方式的面板構(gòu)成。并且，顯示面板500也可以是除了有源矩陣方式之外的面板，也可以是除了液晶面板之外的面板。
在圖44(A)的情況下，作為集成電路裝置20可以使用內(nèi)置存儲(chǔ)器的裝置。即，此時(shí)集成電路裝置20將來(lái)自主機(jī)裝置510的圖像數(shù)據(jù)先寫入在內(nèi)置存儲(chǔ)器中，并從內(nèi)置存儲(chǔ)器讀出寫入的圖像數(shù)據(jù)，驅(qū)動(dòng)顯示面板。在圖44(B)的情況下，作為集成電路裝置20可以使用內(nèi)置存儲(chǔ)器的裝置。即，此時(shí)來(lái)自主機(jī)裝置510的圖像數(shù)據(jù)，可以用圖像處理控制器520的內(nèi)置存儲(chǔ)器進(jìn)行圖像處理。經(jīng)過(guò)圖像處理的數(shù)據(jù)被儲(chǔ)存在集成電路裝置20的存儲(chǔ)器中，驅(qū)動(dòng)顯示面板500。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。例如，在說(shuō)明書或附圖中，至少一次用更廣義或同義的不同的用語(yǔ)同時(shí)記載的用語(yǔ)，在說(shuō)明書或附圖的任何地方也可以置換為其不同的用語(yǔ)。
并且，在本實(shí)施形式中，對(duì)于設(shè)置在顯示驅(qū)動(dòng)器20內(nèi)的多個(gè)RAM 200，例如可以儲(chǔ)存相當(dāng)于一個(gè)顯示畫面的圖像數(shù)據(jù)，但并不限定于此。
也可以對(duì)顯示面板10設(shè)置Z(Z為大于等于2的整數(shù))個(gè)顯示驅(qū)動(dòng)器，并在Z個(gè)顯示驅(qū)動(dòng)器的各個(gè)中儲(chǔ)存相當(dāng)于一個(gè)顯示畫面的圖像數(shù)據(jù)(1/Z)。此時(shí)，在將一個(gè)顯示畫面的數(shù)據(jù)線DL的總條數(shù)作為DLN時(shí)，Z個(gè)顯示驅(qū)動(dòng)器的各個(gè)分擔(dān)驅(qū)動(dòng)的數(shù)據(jù)線的條數(shù)為(DLN/Z)條。
符號(hào)說(shuō)明10 顯示面板20 顯示驅(qū)動(dòng)器(集成電路裝置)100 數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)塊
100A、100A1、100A2、100-R、DRa 第一分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100-G 第二分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器100B、100B1、100B2、100-B、DRb 第N分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器200 RAM塊211 讀出放大器220 字線控制電路150、152 數(shù)據(jù)讀出控制電路322A、322B L個(gè)讀出放大器單元BL 位線DL 數(shù)據(jù)線MC 存儲(chǔ)器單元SLA、SL1 第一鎖存信號(hào)SL2 第二鎖存信號(hào)SLB、SLC 第N鎖存信號(hào)SLC 數(shù)據(jù)線控制信號(hào)RAC 字線控制信號(hào)WL 字線
權(quán)利要求
1.一種集成電路裝置，其包括顯示存儲(chǔ)器，所述顯示存儲(chǔ)器儲(chǔ)存在具有多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線的顯示面板上顯示的數(shù)據(jù)，所述集成電路裝置的特征在于所述顯示存儲(chǔ)器包括多條字線、多條位線、多個(gè)存儲(chǔ)器單元、以及數(shù)據(jù)讀出控制電路，所述數(shù)據(jù)讀出控制電路在水平掃描驅(qū)動(dòng)所述顯示面板的一個(gè)水平掃描期間內(nèi)，將對(duì)應(yīng)于所述多條數(shù)據(jù)線的像素的數(shù)據(jù)從所述顯示存儲(chǔ)器分成N次進(jìn)行讀出控制，其中，N為大于等于2的整數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，所述數(shù)據(jù)讀出控制電路包括字線控制電路，所述字線控制電路在所述一個(gè)水平掃描期間內(nèi)，從所述多條字線中選擇互不相同的N條字線，并且，在垂直掃描驅(qū)動(dòng)所述顯示面板的一個(gè)垂直掃描期間內(nèi)，對(duì)相同的字線不進(jìn)行多次選擇。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路裝置，其特征在于，所述顯示存儲(chǔ)器包括多個(gè)RAM塊，所述多個(gè)RAM塊的各個(gè)RAM塊包括分別連接在所述多條位線上的多個(gè)讀出放大器單元，所述多個(gè)讀出放大器單元的各個(gè)讀出放大器單元，在所述一個(gè)水平掃描期間內(nèi)選擇所述N條字線的各次中，檢測(cè)出來(lái)自連接在所述多條位線的一條上的互不相同的所述存儲(chǔ)器單元的1位的數(shù)據(jù)并進(jìn)行輸出。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成電路裝置，其特征在于，分別連接于L個(gè)存儲(chǔ)器單元的位線上的L個(gè)讀出放大器單元，沿著所述多條位線所延伸的第二方向配置，所述L個(gè)存儲(chǔ)器單元在所述多條字線所延伸的第一方向上相鄰接，其中，L為大于等于2的整數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的集成電路裝置，其特征在于，還包括數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器，其根據(jù)在所述一個(gè)水平掃描期間從所述顯示存儲(chǔ)器讀出的數(shù)據(jù)，驅(qū)動(dòng)設(shè)置在所述顯示面板上的所述多條數(shù)據(jù)線。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集成電路裝置，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器包括數(shù)量與所述多個(gè)RAM塊相對(duì)應(yīng)的多個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)塊，所述多個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)塊的各個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)塊包括第一～第N分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器，向所述第一～第N分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器提供第一～第N鎖存信號(hào)，所述第一～第N分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器，根據(jù)所述第一～第N鎖存信號(hào)，鎖存從對(duì)應(yīng)的RAM塊的任一個(gè)RAM塊輸入的數(shù)據(jù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路裝置，其特征在于，在所述N條字線中，在進(jìn)行第K條字線的選擇時(shí)，通過(guò)設(shè)定所述第K鎖存信號(hào)為激活狀態(tài)，根據(jù)第K條的選擇從RAM塊輸出的數(shù)據(jù)被鎖存在所述第K分割數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器中，其中，K為整數(shù)，1≤K≤N。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的集成電路裝置，其特征在于，所述顯示存儲(chǔ)器包括多個(gè)RAM塊，所述多個(gè)RAM塊的各個(gè)RAM塊，在一次字線的選擇中，輸出M位的數(shù)據(jù)，其中，M為大于等于2的整數(shù)，在將所述顯示面板的所述多條數(shù)據(jù)線的條數(shù)定義為DLN、將對(duì)應(yīng)于所述多條數(shù)據(jù)線的各個(gè)像素的灰階位數(shù)定義為G、將所述多個(gè)RAM塊的塊數(shù)定義為BNK的情況下，通過(guò)以下的數(shù)學(xué)式獲得M值。數(shù)學(xué)式1M=DLN×GBNK×N]]>
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路裝置，其特征在于，所述顯示存儲(chǔ)器包括多個(gè)RAM塊，所述多個(gè)RAM塊的各個(gè)RAM塊，在一次字線的選擇中，輸出M位的數(shù)據(jù)，其中，M為大于等于2的整數(shù)，在將所述顯示面板的所述多條數(shù)據(jù)線的條數(shù)定義為DLN、將對(duì)應(yīng)于所述多條數(shù)據(jù)線的各個(gè)像素的灰階位數(shù)定義為G、將所述多個(gè)RAM塊的塊數(shù)定義為BNK的情況下，通過(guò)以下的數(shù)學(xué)式獲得排列在所述第一方向上的所述讀出放大器單元的個(gè)數(shù)P。數(shù)學(xué)式2P=M/L=DLN×GBNK×N×L]]>
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路裝置，其特征在于，在將所述存儲(chǔ)器單元的所述第一方向的高度設(shè)為MCY、將所述讀出放大器單元的所述第一方向的高度設(shè)為SACY的時(shí)候，(L-1)×MCY＜SACY≤L×MCY成立。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，所述多個(gè)RAM塊，當(dāng)連接在所述多條字線的各條字線上的所述存儲(chǔ)器單元的數(shù)量為M個(gè)、且將對(duì)應(yīng)于所述多條掃描線的像素?cái)?shù)為SNC的時(shí)候，連接在所述多條位線的各條位線上的所述存儲(chǔ)器單元的數(shù)量為(SNC×N)個(gè)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的集成電路裝置，其特征在于，所述顯示存儲(chǔ)器包括多個(gè)RAM塊，所述多個(gè)RAM塊的各個(gè)RAM塊包括具有字線控制電路的所述數(shù)據(jù)讀出電路，所述字線控制電路根據(jù)字線控制信號(hào)進(jìn)行字線的選擇，在所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)所述多條數(shù)據(jù)線的時(shí)候，向所述多個(gè)RAM塊的各個(gè)RAM塊的所述字線控制電路提供相同的所述字線控制信號(hào)。
13.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集成電路裝置，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器包括多個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)塊，所述多個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)塊根據(jù)數(shù)據(jù)線控制信號(hào)驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線，在所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)所述多條數(shù)據(jù)線的時(shí)候，向所述多個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)塊的各個(gè)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)塊提供相同的所述數(shù)據(jù)線控制信號(hào)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項(xiàng)所述的集成電路裝置，其特征在于，所述多條字線以與設(shè)置在所述顯示面板上的所述多條數(shù)據(jù)線延伸的方向平行的方式形成。
15.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括根據(jù)權(quán)利要求1至14中任一項(xiàng)所述的集成電路裝置；以及顯示面板。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述集成電路裝置安裝在形成所述顯示面板的基板上。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于，提供一種靈活地進(jìn)行電路的配置、并可以進(jìn)行效率高的布局的集成電路裝置以及搭載其的電子設(shè)備。集成電路裝置包括顯示存儲(chǔ)器，該顯示存儲(chǔ)器對(duì)顯示在具有多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線的顯示面板上的數(shù)據(jù)中的至少相當(dāng)于1像素的數(shù)據(jù)進(jìn)行儲(chǔ)存。顯示存儲(chǔ)器包括多條字線WL、多條位線BL、多個(gè)存儲(chǔ)器單元MC、以及數(shù)據(jù)讀出控制電路(150、152)。數(shù)據(jù)讀出控制電路(150、152)在水平掃描驅(qū)動(dòng)顯示面板的一個(gè)水平掃描期間1H，將對(duì)應(yīng)于多條數(shù)據(jù)線的像素的數(shù)據(jù)分成N(N為大于等于2的整數(shù))次讀出并控制。
文檔編號(hào)G09G3/36GK1892750SQ200610090319
公開(kāi)日2007年1月10日 申請(qǐng)日期2006年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月30日
發(fā)明者小平覺(jué), 井富登, 河口秀次, 熊谷敬, 唐澤純一, 伊藤悟, 森口昌彥, 前川和廣 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社