專利名稱：掃描驅(qū)動(dòng)方法及其平面顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種掃描驅(qū)動(dòng)方法及其平面顯示器，特別是涉及一種像素多任務(wù)的掃描驅(qū)動(dòng)方法及其平面顯示器。
背景技術(shù)：
以往的平面顯示器中，各像素分別地耦接至一數(shù)據(jù)線與一掃描線，且由驅(qū)動(dòng)電路來提供對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓與掃描電壓。由于目前市場(chǎng)的需求，平面顯示器的尺寸越來越大，分辨率越來越高，驅(qū)動(dòng)電路的成本也隨之增加，使得平面顯示器的成本也越來越高。因此，為了有效降低顯示器成本來提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，像素多任務(wù)平面顯示器的設(shè)計(jì)便因應(yīng)而生。
請(qǐng)參考圖1，其為已知像素多任務(wù)平面顯示器的像素陣列的示意圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖2，其為圖1所示平面顯示器的掃描電壓與數(shù)據(jù)電壓的時(shí)序圖。像素陣列100采用像素多任務(wù)驅(qū)動(dòng)方法，藉由同一條數(shù)據(jù)線提供相鄰兩像素適當(dāng)?shù)臄?shù)據(jù)電壓。以下是以耦接數(shù)據(jù)線Dm及掃描線Gn的第N像素列Ln的相鄰兩像素A與B為例說明像素多任務(wù)驅(qū)動(dòng)方法。首先，于t0至t1的時(shí)序期間，利用第N級(jí)掃描線Gn提供掃描電壓Vn至第n像素列Ln，以導(dǎo)通對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管M2，并利用第N+1級(jí)掃描線Gn+1提供掃描電壓Vn+1經(jīng)由導(dǎo)通的薄膜晶體管M2輸出至對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管M1，以導(dǎo)通薄膜晶體管M1并將對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線Dm的數(shù)據(jù)電壓D1輸出至對(duì)應(yīng)的像素A。此外，第N級(jí)掃描線Gn輸出的掃描電壓Vn導(dǎo)通對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管M3，并將對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線Dm的數(shù)據(jù)電壓D1輸出至像素B。其中，掃描電壓Vn實(shí)質(zhì)上等于掃描電壓Vn+1。
然而，根據(jù)薄膜晶體管的特性，當(dāng)薄膜晶體管M2導(dǎo)通時(shí)，由薄膜晶體管M2所輸出至晶體管M1的柵極電壓并非等于掃描線Gn+1所提供的掃描電壓Vn+1，而是比掃描電壓Vn+1低一個(gè)晶體管的臨界電壓值(ThresholdVoltage)(例如是5V)，亦即晶體管M1的柵極電壓＝20V-5V＝15V。另外，晶體管M3的柵極電壓等于掃描線Gn的掃描電壓Vn＝20V。也就是說，于t0至t1的時(shí)序期間，像素A與B接收數(shù)據(jù)電壓D1以進(jìn)行充電時(shí)，由于薄膜晶體管M1的柵極電壓(＝15V)實(shí)質(zhì)上小于薄膜晶體管M3的柵極電壓(＝20V)，使得像素A的充電能力比像素B的充電能力差。且由于兩像素A與B間充電能力的不平均，還會(huì)造成平面顯示器的畫面閃爍的現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的是提供一種像素驅(qū)動(dòng)方法及其平面顯示器。可有效解決由于平面顯示器采用像素多任務(wù)的驅(qū)動(dòng)方式而造成像素之間電壓不平衡的問題，使得畫面閃爍的現(xiàn)象有顯著的改善。
根據(jù)本發(fā)明的目的，提出一種掃描驅(qū)動(dòng)方法，使用于平面顯示器。首先，于第一時(shí)序期間內(nèi)，利用第N級(jí)掃描線提供第一掃描電壓至像素列，以導(dǎo)通對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管，并利用第N+1級(jí)提供第二掃描電壓經(jīng)由導(dǎo)通的薄膜晶體管輸出至對(duì)應(yīng)的第一開關(guān)，以導(dǎo)通第一開關(guān)并將對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線的第一數(shù)據(jù)電壓輸出至對(duì)應(yīng)的第一像素電極。其中，第一掃描電壓與第二掃描電壓的絕對(duì)差值不小于薄膜晶體管的臨界電壓值。接著，于第二時(shí)序期間內(nèi)，第N級(jí)掃描線提供第三掃描電壓至像素列以導(dǎo)通對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管以及第二開關(guān)，第N+1級(jí)掃描線輸出第四掃描電壓經(jīng)由導(dǎo)通的薄膜晶體管輸出至對(duì)應(yīng)的第一開關(guān)以關(guān)閉第一開關(guān)，同時(shí)導(dǎo)通的第二開關(guān)將對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線的第二數(shù)據(jù)電壓輸出至對(duì)應(yīng)的第二像素電極。
根據(jù)本發(fā)明的目的，提出一種平面顯示器，其包括一基板與多個(gè)像素。此些像素皆包括第一子像素與第二子像素。第一子像素包括第一像素電極、第一開關(guān)與薄膜晶體管。第二子像素包括第二像素電極與第二開關(guān)。其中，于第一時(shí)序期間內(nèi)，第N級(jí)掃描線輸出第一掃描電壓至此些像素其中的一像素列以導(dǎo)通對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管，而第N+1級(jí)掃描線輸出第二掃描電壓經(jīng)由導(dǎo)通的薄膜晶體管輸出至對(duì)應(yīng)的第一開關(guān)，以導(dǎo)通第一開關(guān)并將對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線輸出的第一數(shù)據(jù)電壓輸出至對(duì)應(yīng)的第一像素電極，且第一掃描電壓與第二掃描電壓的絕對(duì)差值不小于薄膜晶體管的臨界電壓值。于第二時(shí)序期間內(nèi)，第N級(jí)掃描線提供第三掃描電壓至像素列以導(dǎo)通對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管以及第二開關(guān)，第N+1級(jí)掃描線輸出第四掃描電壓經(jīng)由導(dǎo)通的薄膜晶體管輸出至對(duì)應(yīng)的第一開關(guān)以關(guān)閉第一開關(guān)，同時(shí)導(dǎo)通的第二開關(guān)將對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線的第二數(shù)據(jù)電壓輸出至對(duì)應(yīng)的第二像素電極。
為使本發(fā)明的上述目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并結(jié)合附圖詳細(xì)說明如下。


圖1示出了已知像素多任務(wù)平面顯示器的像素?cái)?shù)組的示意圖。
圖2示出了圖1所示平面顯示器的掃描電壓與數(shù)據(jù)電壓的時(shí)序圖。
圖3示出了依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的像素多任務(wù)平面顯示器的示意圖。
圖4示出了依照?qǐng)D3的顯示區(qū)310中像素的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5示出了依照?qǐng)D4中掃描線與數(shù)據(jù)線的時(shí)序圖。
圖6示出了依照電路軟件仿真本發(fā)明實(shí)施例所得的掃描線與數(shù)據(jù)線的時(shí)序圖。
圖7示出了依照本發(fā)明較佳實(shí)施例的掃描線與數(shù)據(jù)線時(shí)序圖的另一實(shí)施例。
圖8示出了依照本發(fā)明實(shí)施例的另一種像素的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
圖9示出了依照?qǐng)D8中數(shù)據(jù)線與掃描線的時(shí)序圖。
附圖符號(hào)說明10第一像素電極20第一開關(guān)30薄膜晶體管40第二像素電極50第二開關(guān)100、800像素陣列300平面顯示器310顯示區(qū)312基板320掃描驅(qū)動(dòng)電路330數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參考圖3，其示出了依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的像素多任務(wù)平面顯示器的示意圖。平面顯示器300，例如是一種液晶顯示器，其包括基板312、掃描驅(qū)動(dòng)電路320與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路330?；?12設(shè)置有多條掃描線G、多條數(shù)據(jù)線D以及顯示區(qū)(Display Area)310。顯示區(qū)310用以顯示一畫面，且顯示區(qū)310包括多列像素(未示出了于圖中)。掃描驅(qū)動(dòng)電路320以及數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路330分別經(jīng)由掃描線G以及數(shù)據(jù)線D耦接至顯示區(qū)310。于正常驅(qū)動(dòng)模式中，掃描驅(qū)動(dòng)電路320通過掃描線G輸出掃描電壓至基板312，以致能對(duì)應(yīng)的像素。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路330經(jīng)由數(shù)據(jù)線D輸出的數(shù)據(jù)電壓，以顯示像素顯像。
請(qǐng)參考圖4，其示出了圖3的顯示區(qū)310中像素的電路結(jié)構(gòu)示意圖。于顯示區(qū)310中，所有的像素P均包括第一子像素P1與第二子像素P2，接下來便以第N列像素Ln中耦接數(shù)據(jù)線Dm及掃描線Gn的像素P為例作說明。第一子像素P1包括第一像素電極10、第一開關(guān)20與薄膜晶體管30。第二子像素P2包括第二像素電極40與第二開關(guān)50。第一開關(guān)20、薄膜晶體管30與第二開關(guān)50例如皆為一N型金屬氧化物半導(dǎo)體(N-type Metal OxideSemiconductor，NMOS)場(chǎng)效晶體管。于第一子像素P1中，第一開關(guān)20耦接至第一像素電極10與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線Dm，而薄膜晶體管30耦接至對(duì)應(yīng)的第N級(jí)掃描線Gn、第N+1級(jí)掃描線Gn+1與第一開關(guān)20。于第二子像素P2中，第二開關(guān)50耦接至第二像素電極40、數(shù)據(jù)線Dm與第N級(jí)掃描線Gn。接下來將詳細(xì)說明本發(fā)明實(shí)施例如何解決像素多任務(wù)驅(qū)動(dòng)方式所造成顯示器的畫面閃爍的問題。
請(qǐng)參考圖5，其示出了圖4中數(shù)據(jù)線Dm與掃描線Gn、Gn+1的時(shí)序圖。于t0至t1的時(shí)序期間內(nèi)，第N級(jí)掃描線Gn輸出第一掃描電壓V1至第N像素列Ln以導(dǎo)通對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管30。同時(shí)第N+1級(jí)掃描線Gn+1輸出第二掃描電壓V2經(jīng)由導(dǎo)通的薄膜晶體管30輸出至對(duì)應(yīng)的第一開關(guān)20，以導(dǎo)通第一開關(guān)20并將對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線Dm輸出的第一數(shù)據(jù)電壓D1輸出至對(duì)應(yīng)的第一像素電極10，并據(jù)以顯示對(duì)應(yīng)的像素影像。此外，第N級(jí)掃描線Gn輸出的第一掃描電壓V1導(dǎo)通對(duì)應(yīng)的第二開關(guān)50，并將對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線Dm的第一數(shù)據(jù)電壓D1輸出至第二像素電極40。值得注意的是，第一掃描電壓V1的值大于第二掃描電壓V2(例如是20V)至少一個(gè)薄膜晶體管30的臨界電壓值Vh(例如5V)。亦即V1≥V2+Vh。
接著，于t1至t2的時(shí)序期間內(nèi)，第N級(jí)掃描線Gn提供第三掃描電壓V3至第N像素列Ln以導(dǎo)通對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管30以及第二開關(guān)50，其中第三掃描電壓V3實(shí)質(zhì)上等于第二掃描電壓V2。同時(shí)第N+1級(jí)掃描線Gn+1輸出第四掃描電壓V4(例如是0V)經(jīng)由導(dǎo)通的薄膜晶體管30輸出至對(duì)應(yīng)的第一開關(guān)20以關(guān)閉第一開關(guān)20，同時(shí)導(dǎo)通的第二開關(guān)50將對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線Dm的第二數(shù)據(jù)電壓D2輸出至對(duì)應(yīng)的第二像素電極40，并據(jù)以顯示對(duì)應(yīng)的像素影像。
如上所述，為了克服已知像素多任務(wù)平面顯示器中相鄰兩像素的充電能力不均所導(dǎo)致的畫面閃爍問題，于本實(shí)施例中，第一掃描電壓V1高出第二掃描電壓V2至少一個(gè)臨界電壓Vh，使得在t0至t1的時(shí)序期間內(nèi)第一掃描電壓V1可完全導(dǎo)通薄膜晶體管30，而由薄膜晶體管30輸出第二掃描電壓V2(＝20V)以開啟第一開關(guān)20將數(shù)據(jù)電壓D1輸入至第一像素電極10。而于t1至t2的時(shí)序期間內(nèi)，第三掃描電壓V3(＝20V)導(dǎo)通第二開關(guān)50而將數(shù)據(jù)電壓D2輸入至第二像素電極40。因此，第一開關(guān)(晶體管)20的柵極電壓實(shí)質(zhì)上等于第二開關(guān)(晶體管)50的柵極電壓，使得第一子像素P1與第二子像素P2的充電能力相等，有效避免了已知的畫面閃爍問題。
接著，于t2至t3的時(shí)序期間內(nèi)，繼續(xù)掃描第(N+1)像素列的像素P，而由第(N+1)級(jí)掃描線Gn+1輸出第一掃描電壓V1驅(qū)動(dòng)各像素P。此時(shí)，第N級(jí)掃描線Gn輸出第五掃描電壓V5(例如是0V)以關(guān)閉對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管30與第二開關(guān)50。
請(qǐng)參考圖6，其為以電路仿真軟件來仿真本發(fā)明實(shí)施例所得的掃描線與數(shù)據(jù)線的時(shí)序圖。根據(jù)軟件仿真得出的數(shù)據(jù)顯示，當(dāng)?shù)谝粧呙桦妷篤1設(shè)定為25V，且第二掃描電壓V2及第三掃描電壓V3皆為20V時(shí)，第一開關(guān)(晶體管)20的柵極電壓值及第二開關(guān)(晶體管)50的柵極電壓值皆為20V左右，以提供第一子像素P1及第二子像素P2相同的充電能力。
于實(shí)際的應(yīng)用上，本發(fā)明的像素多任務(wù)驅(qū)動(dòng)方法并不局限于上述的實(shí)施例，可依實(shí)際的需求調(diào)整數(shù)據(jù)電壓與數(shù)據(jù)電壓的時(shí)序。請(qǐng)參考圖7，其為本發(fā)明較佳實(shí)施例的掃描線Gn、Gn+1及數(shù)據(jù)線Dm時(shí)序圖的另一實(shí)例。相較于圖5，于時(shí)間t0當(dāng)掃描線Gn及Gn+1分別輸出掃描電壓V1及V2時(shí)，數(shù)據(jù)線Dm系延遲了一段時(shí)間Δt1才輸出數(shù)據(jù)電壓D1，而于時(shí)間t2當(dāng)掃描線Gn輸出掃描電壓V5且掃描線Gn+1輸出掃描電壓V1時(shí)數(shù)據(jù)線Dm延遲了一段時(shí)間Δt2才回復(fù)低電壓電平(例如0V)。只要時(shí)間Δt1及Δt2是在一可容忍的范圍之內(nèi)不致于影響正常的像素影像顯示，亦可達(dá)到上述避免畫面閃爍的問題。
如上所述，本發(fā)明的掃描驅(qū)動(dòng)方式雖以第一掃描電壓V1及第二掃描電壓V2皆為高電平電壓，且第一掃描電壓V1大于第二掃描電壓V2至少一個(gè)臨界電壓值為例作說明，然本發(fā)明的薄膜晶體管30、第一開關(guān)20及第二開關(guān)50也可以是PMOS晶體管，第一掃描電壓V1及第二掃描電壓V2是低電平電壓，甚至第二掃描電壓V2與第三掃描電壓V3也可以不相等，只要第一掃描電壓V1與第二掃描電壓V2的絕對(duì)差值不小于像素晶體管的臨界電壓值，且第二掃描電壓V2及第三掃描電壓V3皆足以完全導(dǎo)通第一開關(guān)20及第二開關(guān)50，即可達(dá)到提供第一子像素P1及第二子像素P2相同充電能力進(jìn)而避免畫面閃爍的目的，因此皆不脫離本發(fā)明的技術(shù)范圍。
較佳地，本發(fā)明的像素多任務(wù)驅(qū)動(dòng)方式還可用于二個(gè)以上的像素共享同一條數(shù)據(jù)線的結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參考圖8，其示出了本發(fā)明實(shí)施例的另一種像素的電路結(jié)構(gòu)示意圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖9，其示出了圖8中數(shù)據(jù)線Dm與掃描線Gn、Gn+1、Gn+2、Gn+3、Gn+4與Gn+5的時(shí)序圖。于像素陣列800的第N列像素Ln中，像素X、像素Y與像素Z分別地通過薄膜晶體管M81～M85耦接至掃描線Gn+1～Gn+3，且像素X、像素Y與像素Z共享數(shù)據(jù)線Dm。于t0至t1的時(shí)序期間，掃描線Gn+1與Gn+3分別提供掃描電壓V1與V2，使得數(shù)據(jù)線Dm的數(shù)據(jù)電壓輸出至對(duì)應(yīng)的像素X。于t1至t2的時(shí)序期間，掃描線Gn+1與掃描線Gn+2分別提供掃描電壓V3與V4，使得數(shù)據(jù)線Dm的數(shù)據(jù)電壓輸出至對(duì)應(yīng)的像素Y。于t2至t3的時(shí)序期間，僅掃描線Gn+1輸出掃描電壓V5，使得數(shù)據(jù)線Dm的數(shù)據(jù)電壓輸出至對(duì)應(yīng)的像素Z。其中，掃描電壓V2、V4與V5實(shí)質(zhì)上相等，而掃描電壓V1及V3至少大于掃描電壓V2(例如是20V)至少一臨界電壓值Vh(例如5V)，即V1≥V2+Vh。臨界電壓值Vh為薄膜晶體管的柵極電壓值，用以讓掃描電壓V1及V3可以完全導(dǎo)通薄膜晶體管M82及M85，使得像素X、像素Y與像素Z的充電能力相等，有效地避免以往畫面閃爍的問題。
本發(fā)明上述實(shí)施例所揭露的掃描驅(qū)動(dòng)方式及其平面顯示器采用像素多任務(wù)驅(qū)動(dòng)方式，藉由調(diào)整驅(qū)動(dòng)同一像素的相鄰兩級(jí)掃描級(jí)的掃描電壓，使得前一級(jí)掃描電壓與后一級(jí)掃描電壓的絕對(duì)差值不小于像素晶體管的臨界電壓值，可使同一像素的相鄰兩子像素達(dá)到相同的充電能力，進(jìn)而改善已知平面顯示器的畫面閃爍的問題。
綜上所述，雖然本發(fā)明已以一較佳實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的前提下可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍以本發(fā)明的權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種掃描驅(qū)動(dòng)方法，使用于一平面顯示器，該平面顯示器包括多個(gè)像素、多級(jí)掃描線與多條數(shù)據(jù)線，所述像素包括一第一子像素與一第二子像素，所述第一子像素包括一第一像素電極、一第一開關(guān)與一薄膜晶體管，所述第二子像素包括一第二像素電極與一第二開關(guān)，所述像素的該第一開關(guān)耦接該第一像素電極及對(duì)應(yīng)的該數(shù)據(jù)線，所述像素的該薄膜晶體管系耦接對(duì)應(yīng)的該級(jí)掃描線、下一級(jí)掃描線及該第一開關(guān)，所述像素的該第二開關(guān)系耦接該第二像素電極、對(duì)應(yīng)的該級(jí)掃描線及該數(shù)據(jù)線，該掃描驅(qū)動(dòng)方法包括于一第一時(shí)序期間內(nèi)，利用該級(jí)掃描線提供一第一掃描電壓至所述像素其中的一像素列，以導(dǎo)通對(duì)應(yīng)的所述薄膜晶體管，并利用下一級(jí)掃描線提供一第二掃描電壓經(jīng)由導(dǎo)通的所述薄膜晶體管輸出至對(duì)應(yīng)的所述第一開關(guān)，以導(dǎo)通所述第一開關(guān)并將對(duì)應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線的多個(gè)第一數(shù)據(jù)電壓輸出至對(duì)應(yīng)的所述第一像素電極，其中該第一掃描電壓與該第二掃描電壓的絕對(duì)差值不小于所述薄膜晶體管的一臨界電壓值；以及于一第二時(shí)序期間內(nèi)，利用該級(jí)掃描線提供一第三掃描電壓至該像素列，以導(dǎo)通對(duì)應(yīng)的所述薄膜晶體管以及所述第二開關(guān)，并利用下一級(jí)掃描線提供一第四掃描電壓經(jīng)由導(dǎo)通的所述薄膜晶體管輸出至對(duì)應(yīng)的所述第一開關(guān)以關(guān)閉所述第一開關(guān)，同時(shí)利用導(dǎo)通的所述第二開關(guān)將對(duì)應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線的多個(gè)第二數(shù)據(jù)電壓輸出至對(duì)應(yīng)的所述第二像素電極。
2.如權(quán)利要求1所述的掃描驅(qū)動(dòng)方法，還包括于該第一時(shí)序期間內(nèi)，利用該級(jí)掃描線所提供的該第一掃描電壓導(dǎo)通對(duì)應(yīng)的所述第二開關(guān)，并將對(duì)應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線的所述第一數(shù)據(jù)電壓輸出至所述第二像素電極。
3.如權(quán)利要求1所述的掃描驅(qū)動(dòng)方法，還包括于一第三時(shí)序期間內(nèi)，利用該級(jí)掃描線提供一第五掃描電壓至該像素列，以關(guān)閉對(duì)應(yīng)的所述薄膜晶體管與所述第二開關(guān)。
4.如權(quán)利要求3所述的掃描驅(qū)動(dòng)方法，其中該第一掃描電壓及該第二掃描電壓皆為一高電平電壓，且該第一掃描電壓與該第二掃描電壓的差值等于該臨界電壓值。
5.如權(quán)利要求4所述的掃描驅(qū)動(dòng)方法，其中該第四掃描電壓及該第五掃描電壓皆為一低電平電壓，且該第四掃描電壓等于該第五電壓。
6.如權(quán)利要求5所述的掃描驅(qū)動(dòng)方法，其中該第三掃描電壓等于該第二掃描電壓。
7.如權(quán)利要求1所述的掃描驅(qū)動(dòng)方法，其中所述像素的該薄膜晶體管、該第一開關(guān)以及該第二開關(guān)皆為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管。
8.一種平面顯示器，包括一基板，包括多級(jí)掃描線以及多條數(shù)據(jù)線；一顯示區(qū)，包括多個(gè)像素，設(shè)置于該基板上，并對(duì)應(yīng)地耦接至所述級(jí)掃描線以及所述數(shù)據(jù)線，所述像素包括一第一子像素，包括一第一像素電極；一第一開關(guān)，耦接至該第一像素電極及對(duì)應(yīng)的該數(shù)據(jù)線；以及一薄膜晶體管，耦接至對(duì)應(yīng)的該級(jí)掃描線、下一級(jí)掃描線及該第一開關(guān)；一第二子像素，包括一第二像素電極；以及一第二開關(guān)，耦接至該第二像素電極、對(duì)應(yīng)的該數(shù)據(jù)線及該級(jí)掃描線；其中，于一第一時(shí)序期間內(nèi)，該級(jí)掃描線輸出一第一掃描電壓至所述像素其中的一像素列以導(dǎo)通對(duì)應(yīng)的所述薄膜晶體管，下一級(jí)掃描線輸出一第二掃描電壓經(jīng)由導(dǎo)通的所述薄膜晶體管輸出至對(duì)應(yīng)的所述第一開關(guān)，以導(dǎo)通所述第一開關(guān)并將對(duì)應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線輸出的多個(gè)第一數(shù)據(jù)電壓輸出至對(duì)應(yīng)的所述第一像素電極，且該第一掃描電壓與該第二掃描電壓的絕對(duì)差值不小于所述薄膜晶體管的一臨界電壓值；其中，于一第二時(shí)序期間內(nèi)，該級(jí)掃描線提供一第三掃描電壓至該像素列以導(dǎo)通對(duì)應(yīng)的所述薄膜晶體管以及所述第二開關(guān)，下一級(jí)掃描線輸出一第四掃描電壓經(jīng)由導(dǎo)通的所述薄膜晶體管輸出至對(duì)應(yīng)的所述第一開關(guān)以關(guān)閉所述第一開關(guān)，同時(shí)導(dǎo)通的所述第二開關(guān)將對(duì)應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線的多個(gè)第二數(shù)據(jù)電壓輸出至對(duì)應(yīng)的所述第二像素電極。
9.如權(quán)利要求8所述的平面顯示器，其中于該第一時(shí)序期間內(nèi)，該級(jí)掃描線輸出的該第一掃描電壓導(dǎo)通對(duì)應(yīng)該像素列的所述第二開關(guān)，并將對(duì)應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線的所述第一數(shù)據(jù)電壓輸出至所述第二像素電極。
10.如權(quán)利要求8所述的平面顯示器，其中于一第三時(shí)序期間內(nèi)，該級(jí)掃描線系輸出一第五掃描電壓至該像素列，以關(guān)閉對(duì)應(yīng)的所述薄膜晶體管以及所述第二開關(guān)。
11.如權(quán)利要求10所述的平面顯示器，其中該第一掃描電壓與該第二掃描電壓的差值等于該臨界電壓值。
12.如權(quán)利要求11所述的裝置，其中該第四掃描電壓等于該第五掃描電壓。
13.如權(quán)利要求12所述的平面顯示器，其中該第三掃描電壓等于該第二掃描電壓。
14.如權(quán)利要求8所述的平面顯示器，其中所述像素的該薄膜晶體管、該第一開關(guān)以及該第二開關(guān)皆為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管。
15.如權(quán)利要求8所述的平面顯示器，為一液晶顯示器。
全文摘要
一種掃描驅(qū)動(dòng)方法，使用于一平面顯示器。此掃描驅(qū)動(dòng)方法于第一時(shí)序期間內(nèi)，利用第N級(jí)掃描線提供一第一掃描電壓至像素列，以導(dǎo)通對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管，并利用第N+1級(jí)提供一第二掃描電壓經(jīng)由導(dǎo)通的薄膜晶體管輸出至對(duì)應(yīng)的第一開關(guān)，以導(dǎo)通第一開關(guān)并將對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線的第一數(shù)據(jù)電壓輸出至對(duì)應(yīng)的第一像素電極。其中，第一掃描電壓與第二掃描電壓的絕對(duì)差值不小于薄膜晶體管的臨界電壓值。
文檔編號(hào)G09G3/20GK1831914SQ20061007700
公開日2006年9月13日 申請(qǐng)日期2006年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月25日
發(fā)明者陳世烽, 曾貴圣, 張立勛, 陳文彬 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司