專利名稱：有機el顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在各像素(pixel)配置有機EL元件的有機EL顯示面板，特別涉及各像素具有使特定波長的光增強的微小共振器(微腔，microcavity)的有機EL顯示面板。
背景技術(shù)：
近年來，薄型且可實現(xiàn)小型化的平面顯示器(FPD)受到注目，在該FPD中代表性的液晶顯示裝置已被應用到各種機器上。關(guān)于目前采用自發(fā)光型的電場發(fā)光(エレクトロルミネツヤンス)(以下稱EL)元件的發(fā)光裝置(顯示裝置或光源)、特別是利用所采用的有機化合物材料產(chǎn)生多種發(fā)光顏色進行高輝度發(fā)光的有機EL顯示裝置(有機EL顯示面板)，其研究正在廣泛的展開。
該有機EL顯示裝置與液晶顯示裝置的來自背光的光的穿透率由配置在其前面作為光閥的液晶面板來控制的方式不同，而是如上所述由于是自發(fā)光型，因此本質(zhì)上光的利用效率高、也就是光導出至外部的導出效率高，因此可進行高輝度發(fā)光。
然而，有機EL元件會因使用而使有機層劣化，特別是為了提高發(fā)光輝度而增大注入有機層的注入電流時，存在有機層提早劣化的問題。
因此，在下述專利文獻1及非專利文獻1等中，公開了一種采用微小共振器(微腔)作為有機EL顯示裝置，以增加特定波長的光強度的方法。
專利文獻1日本特開平6-275381號公報非專利文獻1中山隆博、角田敦“導入光共振機構(gòu)造的元件”(“光共振機構(gòu)造を?qū)毳欷克刈印?應用物理學會有機分子·生物電子工學分科會1993年第3次講習會p135-p143。

發(fā)明內(nèi)容
然而，利用該微腔時，會有顯示顏色的視角依存性(視野依存性)變大的問題。這是由于微腔的光學長度從垂直方向看和從傾斜方向看不同，造成被增強的光的波長不同。
因此，利用微腔時，希望降低視角依存性。
本發(fā)明涉及一種在各個按矩陣配置的像素配置有機EL元件的有機EL顯示面板，其特征在于，各像素的有機EL元件具備具有發(fā)光元件層的積層構(gòu)造，而該發(fā)光元件層形成在反射膜與相對一側(cè)的半穿透膜之間并且至少具有發(fā)光功能，具有以增強預定波長的光的方式設定微腔長度的微腔，該微腔長度相當于前述反射膜與前述半穿透膜的層間距離，而在1個像素中具有設置有前述半穿透膜的區(qū)域、及未設置前述半穿透膜的區(qū)域。
而且，各像素具有R發(fā)光、G發(fā)光或B發(fā)光中的任一種的有機EL元件，優(yōu)選的是，根據(jù)該像素為R發(fā)光、G發(fā)光或B發(fā)光的哪一種，來變更設置有前述半穿透膜的區(qū)域、與未設置前述半穿透膜的區(qū)域的面積。
本發(fā)明涉及一種在各個按矩陣配置的像素配置有機EL元件的有機EL顯示面板，其特征在于，各像素的有機EL元件具備具有發(fā)光元件層的積層構(gòu)造，而該發(fā)光元件層形成在反射膜與相對的一側(cè)半穿透膜之間并且至少具有發(fā)光功能，而且具有以增強預定波長的光的方式設定微腔長度的微腔，該微腔長度相當于前述反射膜與前述半穿透膜的層間距離，而在1個像素中具有前述半穿透膜厚度較厚的區(qū)域、及前述半穿透膜厚度較薄的區(qū)域。
而且，各像素具有R發(fā)光、G發(fā)光或B發(fā)光的任一種的有機EL元件，優(yōu)選的是，根據(jù)該像素為R發(fā)光、G發(fā)光或B發(fā)光的哪一種，來變更前述半穿透膜厚度較厚的區(qū)域、與前述半穿透膜厚度較薄的區(qū)域的面積比率。
再且，本發(fā)明涉及一種在各個按矩陣配置的像素配置有R發(fā)光、G發(fā)光或B發(fā)光的任一種的有機EL元件的有機EL顯示面板，其特征在于，各像素的有機EL元件具備具有發(fā)光元件層的積層構(gòu)造，而該發(fā)光元件層形成在反射膜與相對一側(cè)的半穿透膜之間并且至少具有發(fā)光功能，具有以增強預定波長的光的方式設定微腔長度的微腔，該微腔長度相當于前述反射膜與前述半穿透膜的層間距離，而且在1個像素中具有設置有前述微腔長度較長的區(qū)域、及前述微腔長度較短的區(qū)域。根據(jù)該像素為R發(fā)光、G發(fā)光或B發(fā)光的中的哪一種，來變更前述1像素中的上述微腔較長的區(qū)域、與前述微腔的長度較短的區(qū)域的面積比率。
如以上的說明，根據(jù)本發(fā)明，在1像素內(nèi)設置無微腔的區(qū)域，或設置半穿透膜厚度不同的部分，由此可改善視角依存性。再者，微腔長度因顏色(共振波長)而不同，微腔長度越長，視角依存性越大。也就是說，視角依存性因顏色而不同。
因此，依據(jù)像素的發(fā)光顏色來調(diào)整因微腔所產(chǎn)生的特定波長的光強度增強效果，可有效地改善視角依存性。


圖1是第1實施例所涉及的像素主要部分構(gòu)造的示意圖。
圖2是分別在RGB模式的下部反射膜配置模式圖。
圖3使第2實施例所涉及的像素主要部分構(gòu)造的示意圖。
圖4是視角依存性的示意圖。
圖5是光的波長與視角60°時的峰值波長位移大小的關(guān)系圖。
圖6是分別在RGB模式的厚度較厚的區(qū)域的配置模式圖。
圖7是第3實施例所涉及的像素主要部分構(gòu)造的示意圖。
圖8是其它實施例所涉及的像素主要部分構(gòu)造的示意圖。
圖9是其它實施例所涉及的像素主要部分構(gòu)造的示意圖。
圖10是其它實施例所涉及的像素主要部分構(gòu)造的示意圖。
具體實施例方式
以下，根據(jù)

本發(fā)明的實施方式。
第1實施例圖1是第1實施例所涉及面板的一個像素的微腔部分構(gòu)造的示意圖。
在玻璃基板10的預定部位形成有半導體層12，該半導體層12構(gòu)成TFT、電極或配線。在圖示之例中，半導體層12構(gòu)成驅(qū)動TFT14的源極(ソ一ス)、溝道(チャソネル)、漏極(ドレイン)區(qū)域。該驅(qū)動TFT14的半導體層12由柵極氧化膜16所覆蓋，而在該柵極氧化膜16上、即半導體層12的溝道區(qū)域上方形成有柵極電極18。全面形成層間絕緣膜20，并覆蓋該閘極電極18與柵極氧化膜16。
在驅(qū)動TFT14的源極區(qū)域，貫穿層間絕緣膜，連接源極電極22，形成平面化膜24并覆蓋源極電極22及層間絕緣膜20。
在平面化膜24上形成有對應像素顯示區(qū)域大小的透明電極26，該透明電極26通過連接孔連接在驅(qū)動TFT14的漏極區(qū)域。
而且，該透明電極26的周邊部由第2平面化膜28覆蓋，在透明電極26上方配置有機EL元件30。
有機EL元件30是在透明電極26與正對電極32之間具備有機化合物，特別是具備至少包含有機發(fā)光材料的有機層(發(fā)光元件層)34的積層構(gòu)造，將空穴從陽極注入有機層34，將電子從陰極注入有機層34，在有機層中注入的空穴及電子會再次結(jié)合，利用所得的再結(jié)合能量激發(fā)有機發(fā)光材料，在回復到基底(基底)狀態(tài)時產(chǎn)生發(fā)光。
在此，透明電極26由例如ITO(氧化銦錫，indium tin oxide)或IZO(銦鋅氧化物，indium zinc oxide)等導電性金屬氧化物材料構(gòu)成，正對電極32由起上部反射膜作用的Al或其合金制成。在透明電極26的下層局部設置有用以在其與上部反射膜(正對電極32)之間構(gòu)成微小共振器(微腔)構(gòu)造的下部反射膜36。也就是說，下部反射膜36并非設置在整個發(fā)光區(qū)域，而是設置在一部分上，未設置下部反射膜36的區(qū)域中來自有機層34的光會直接射向下方。
此例，涉及一種底發(fā)射(ボトムエミツシヨン)型顯示裝置，其使由有機層34所得的光從透明電極26穿透基板10并射出至外部，下部反射膜36可使一部分來自有機層34的光穿透、即具有半穿透性。該下部反射膜36可使用Ag、Au、Pt、Al的任一種或這些金屬的合金膜，但可以是可穿透光的薄膜，也可以是網(wǎng)目狀、格子狀等具備開口部的圖案。也可以是由交互積層折射率不同的2種類以上的電介質(zhì)的電介質(zhì)多層膜構(gòu)成。另外，各層電介質(zhì)膜的光學膜厚優(yōu)選的是，例如目的反射波長的1/4或其整數(shù)倍。
有機層34具備包含至少有機發(fā)光分子的發(fā)光層，依材料也有由單層、2層、3層或4層以上的多層積層構(gòu)造構(gòu)成的情況。在圖1的例子中，利用真空蒸鍍法的連續(xù)成膜等，從作為起陽極作用的透明電極26側(cè)，依次積層空穴注入層122、空穴輸送層124、發(fā)光層126、電子輸送層128、電子注入層130，并利用與有機層34同樣的真空蒸鍍法，在電子注入層130上形成在此具有起陰極作用的正對電極32。并且，也可將電子注入層130作為對向電極32的一部分考慮。
本實施例涉及的微腔構(gòu)造形成在該透明電極26與正對電極32挾持著有機層34而正對著的區(qū)域，即透明電極26的下層的下部反射膜36與正對電極32所兼用的上部反射膜之間的層間。在此，該微腔的光學長度(光學距離)L以式(1)表示L＝∑nidi…，(1)，即以形成在下部反射膜36與正對電極32(上部反射膜)的層間的各層厚度d、與該層的折射率n的積的和(i為積層數(shù)且為不小于1的整數(shù))表示。再者，該光學長度L相對于發(fā)光波長λ具有后式(3)所示的關(guān)系，按照所示關(guān)系進行設定，可以選擇性增強波長λ并將其射出至外部。
在此，利用微腔構(gòu)造增強特定的波長時，如上所述視角依存性會變高。因此，在本實施例中，在1個像素內(nèi)具有不存在下部反射膜36的區(qū)域，在該區(qū)域中，來自有機層34的光直接射出。因此，來自不存在該下部反射膜36的區(qū)域的射出光并未因微腔構(gòu)造而增強特定波長，而是具有較廣范圍的峰值的光，且視角依存性較小。因此，來自1像素的射出光可以增強特定波長，同時減低視角依存性。
在此，全彩有機EL顯示面板中，通常具有純R、純G、純B的像素，相對于R、G、B的波長λ(λr、λg、λb)，預定的光學長度L(Lr、Lg、Lb)由R、G、B的各像素決定。在此，下部反射膜36及正對電極32采用金屬材料，在這些膜反射時的相位偏離在后式(3)中以(表示。
而且，在本實施例中，依據(jù)像素的發(fā)光色(按RGB分)，變更存在有該下部反射膜36區(qū)域、未存在該下部反射膜36區(qū)域的面積比率。也就是說，如圖2所示，存在有下部反射膜36區(qū)域的面積比率在R像素中最小，在G像素中為中等，在B像素中最大。
再者，因視角所造成的共振波長變化，即波長越長視角依存性越大。圖5說明共振波長與視角依存性的關(guān)系。橫軸是在正面的共振波長，縱軸是視角60°時共振波長與正面共振波長的差。如圖所示，視角依存性最高者為R。因此，如本實施例，存在有下部反射膜36區(qū)域的面積比率在R像素中最小，在G像素中為中等，在B像素中最大，而在RGB各色中，可同樣地進行特定波長的增強及視角依存性的改善。
在圖2中，將存在有下部反射膜36的區(qū)域設為像素(發(fā)光區(qū)域)的中心部分，可以如圖1所示配置在單側(cè)，也可以形成若干個離散的區(qū)域等，可以在任意位置配置下部反射膜36。
第2實施例圖3是第2實施例的構(gòu)造圖，下部反射膜36覆蓋整個發(fā)光區(qū)域的。另一方面，有機層34在發(fā)光區(qū)域的一部分較厚。在本例中，空穴輸送層124在發(fā)光區(qū)域、圖中左區(qū)域較厚，在右區(qū)域較薄。
微腔構(gòu)造的特性由上部反射膜與下部反射膜36間的距離(微腔長度)來決定。因此，在本實施例中，在發(fā)光層2個區(qū)域中微腔的長度因有機層34的厚度而不同，由微腔構(gòu)造所增強的光的波長因位置而不同。
圖4關(guān)于微腔的腔體長度D，在(1)2720埃(angstrom，以下稱A)(MC＝2720)，(2)3800A(MC＝3800)，(3)無微腔(reference)，(4)2720A及3800A(MC＝2720+MC＝3800，面積比為1∶1)時，表示各個發(fā)出綠光的有EL元件的視角依存性。而且，圖4是CIE色品圖(表色系)的色度圖(色度図)(Y×y)。在此，微腔長度D是用于為了使預定波長的光共振而要求的上述光學長度L的反射膜與半穿透膜間的實際膜厚(膜厚合計)，以D＝∑di…(2)表示。
MC＝2720以圖中x表示，在視角0°時具有570nm的共振波長，為右下(x＝0.39，Y＝0.58)所示的色度，隨著視角變大共振波長會向短波長側(cè)位移(朝圖中的左上方移動)。在視角60°時，具有520nm的共振波長，可獲得色純度高的綠色，如圖中左上(x＝0.21，y＝0.71)所示。
另一方面，MC＝3800以黑三角表示，在視角0°(即相對于微腔為正面)時具有510nm的共振波長，為圖中左上(x＝0.19，Y＝0.69)的色純度高的綠色，隨著視角變大，共振波長會向短波長側(cè)位移，即朝圖中右下方移動，在視角60°時，到達圖中右下(x＝0.37，y＝0.55)的位置。再者，起因于使用在該元件上的有機發(fā)光材料的發(fā)光光譜，由于在綠色時具有峰值，且藍色成分較少，所以即使共振波長隨著視角變大而位移，原來的發(fā)光光譜中的該共振波長成分較小，因此元件的發(fā)光強度會降低，成為綠色的半穿透光。無微腔(Reference)以◇表示，其移動范圍為x＝0.30至0.33，y＝0.60至0.63左右，視角依存性相對較小。而且，在本實施例中MC＝2720+MC＝3800，其視角依存性比單一微腔條件時更小。也就是，在視角為0°、MC3800A時，在視角為60°、MC2700A時可以呈現(xiàn)出高的色純度，因此不論在哪一個視角，都可以經(jīng)常維持高的色純度。因此，在組合若干個微腔長度不同的區(qū)域的元件中，色度的移動范圍是在x＝0.27至0.29，y＝0.63至0.65左右，在色度圖上相比無微腔更位于左上方，并且位移較少，色純度會提升。
如此，根據(jù)本實施例的結(jié)構(gòu)，在1像素內(nèi)分別構(gòu)成2720A、3800A的2種厚度(1100A左右的等級差別)的微腔，因而大幅改善(減少)針對綠色的光的視角依存性。
在此，共振條件與共振波長的視角依存性由下式表示。
θ’＝sinθ-1{(sinθ)/n}λ’＝λ+(cosθ-1)λ再者，在式中的L代表上述光學長度D(D＝∑nidi…)，代表在金屬反射所造成的相位位移的常數(shù)，θ代表角度(視角)。
圖5表示在橫軸為視角0°時峰值波長，縱軸為視角60°時峰值波長朝短波長側(cè)位移的位移量。微腔長度D設為4500A至5500A。如此，在視角0°時峰值波長為450nm左右，視角60°時波長的位移量在28nm左右。而且，在視角0°、峰值波長450nm左右的條件下，視角60°時波長的位移量在60nm左右。
如此，在視角0°且峰值波長為600nm的波形在視角60°的方向上觀察，其峰值波長向短方向位移60nm成為峰值波長為540nm的波形。因此，為了在綠光550nm的情況下進行內(nèi)插，與600nm至700nm左右的微腔長度D(共振波長在600nm至700nm的微腔長度D)加以組合。由上式可知，在m＝1時，等級差別大致為1000A(100nm)至1300A(130nm)。
再者，MC＝2720及MC＝3800分別相對于視角0°的光的共振波長為570nm(m＝1)、510nm(m＝2)。也就是說，在上述例中，視角依存性較小，為作成對綠光的微腔，在視角為0°時，在1個像素內(nèi)組合將510nm、570nm作為共振峰值的微腔長度D。
而且，對紅光630nm，優(yōu)選的是，組合700nm至800nm左右的微腔長度D，在m＝1時，等級差別大致為1600A左右。對藍光450nm，優(yōu)選的是，組合480nm至580nm左右的微腔長度D，在m＝1時，等級差別大致為1000A左右。
再者，等級差別因m選值不同而不同，但考慮等級差別被覆性(被覆性)時，優(yōu)選的是，將等級差別控制在2000A以下。也就是在將1個像素中的微腔長度互不相同的區(qū)域定義為第1區(qū)域(例如上述MC3800A)與第2區(qū)域(例如上述MC2700A)時，第1區(qū)域的微腔長度D與第2區(qū)域的微腔長度D，優(yōu)選的是，考慮其分別與目的共振波長、原來的發(fā)光光譜、彩色濾光片組合時的濾光特性等，分別確定，優(yōu)選的是，將微腔長度的差(等級差別)控制在200nm(2000A)以內(nèi)。由于設定在上述范圍內(nèi)，如上所述即使在變更透明電極的厚度而形成第1及第2區(qū)域時，憑借形成在透明電極上的等級差別，可以防止電極上層的斷線等。例如，電子輸送層的厚度變厚時，可能導致驅(qū)動電壓上升，由于并不希望電壓上升，因此大多設定為未滿3000A的厚度，從該電子輸送層因利用等級差別防止斷線的觀點來看，優(yōu)選的是，將等級差別控制在200nm以下。
如上所述，可知在某顏色的1個像素區(qū)域中，因設定若干個微腔長度D，可改善視角依存性并使色純度提升，但在此所選擇的若干個微腔長度D，例如在第1區(qū)域的1個微腔長度D在視角0°時設定為原本目的的共振波長為峰值波長的厚度，在第2區(qū)域的與第1區(qū)域不同的用于補償微腔長度D在其它視角(例如60°)時，設定為目的的共振波長為峰值波長的厚度。再者，所選擇的若干個微腔長度D都比較長也可以。在以上的說明中，在1個像素內(nèi)形成2種微腔長度不同的區(qū)域，但是并不限于2種，也可以依需要形成3種或3種以上。
而且，在本實施例中，用于補償?shù)奈⑶坏挠袡C層的厚度較薄時，依據(jù)像素的發(fā)光顏色(RGB的差別)，變更有機層34厚度較厚的區(qū)域、與用于補償?shù)奈⑶缓穸容^薄區(qū)域的面積比率。即，如圖6所示之模式，有機層34較厚區(qū)域的面積比率在R像素中最小，在G像素中為中等，而在B像素中為最大。
這是由于如上所述調(diào)查微腔構(gòu)造特定波長的視角(因視角而產(chǎn)生變化)特性時，波長越長其視角依存性越高的緣故。
這樣，根據(jù)有機層34較厚區(qū)域的面積比率在R像素中最小，在G像素中為中等，在B像素中為最大，而在RGB各色中，同樣進行特定波長的增強及視角依存性的改善。
而且，不但可適當變更有機層34的厚度，也可變更透明電極26的厚度。
第3實施例圖7是第3實施例的構(gòu)造圖。下部反射膜36覆蓋整個發(fā)光區(qū)域。而且，該下部反射膜36由上述電介質(zhì)多層膜構(gòu)成，并且使其厚度在1個像素(1個發(fā)光區(qū)域)內(nèi)不同。即，在厚度較厚的區(qū)域中，電介質(zhì)積層數(shù)會變大。在該例中，下部反射膜36的厚度在發(fā)光區(qū)域圖中的左區(qū)域較厚，在右區(qū)域較薄。
微腔構(gòu)造由上部反射膜與下部反射膜36間的距離(微腔長度)來決定特性。因此，在本實施例中，變更下部反射膜36的厚度時，其厚度越厚，微腔構(gòu)造的特定波長的光的增強效果也越大。因此，在本實施例中，在1個像素中，形成對于特定波長的光的增強效果較大的區(qū)域及對于特定波長的光的增強效果較小的區(qū)域。由此，可增強特定波長的光，同時可降低視角依存性。
而且，在本實施例中，與上述實施例同樣依據(jù)像素的發(fā)光顏色(RGB的差別)，變更該下部反射膜36厚度較厚的區(qū)域、與該下部反射膜36厚度較薄的區(qū)域的面積比率。即，如圖7所示之模式，下部反射膜36較厚區(qū)域的面積比率在R像素中最小，在G像素中為中等，在B像素中為最大。
由此，在RGB各色中，同樣進行特定波長的增強及視角依存性的改善。
其它實施例圖8至圖10表示其它實施例，且為使光朝與玻璃基板10相反方向射出的頂射極型(トツプエミツシヨンタイプ)。因此，配置在起陽極作用的透明電極26與平面化膜24之間的下部反射膜36并非半穿透膜，而是反射膜。因此，來自有機層34的光并未穿透玻璃基板10。
另一方面，正對電極32由ITO或IZO等透明導電膜制成，在該正對電極上設置半穿透膜40。因此，在下部反射膜36與半穿透膜40之間形成有微腔構(gòu)造。
在圖8中，在正對電極32上的發(fā)光區(qū)域局部設置有半穿透膜40。因此設置有半穿透膜40的部分，形成有微腔構(gòu)造且使特定波長的光增強，而在未存在半穿透膜40的區(qū)域，光直接射出至上方。因此，與圖1的情形相同，可一面增強特定波長的光，一面改善視角依存性。
在圖9中，在整個正對電極32上設置半穿透膜40，但與圖3的情形相同，空穴輸送層124厚度不均勻。因此，光的射出方向不同，但仍然可以獲得與圖3所示構(gòu)造同樣的效果。而且，微腔長度不同，可以變更有機層34中任一層或若干層的厚度，也可以變更透明電極26或正對電極32的厚度。
在圖10中，在整個正對電極32上設置半穿透膜40，但與圖8的情形相同，半穿透膜40的厚度不均勻。因此，光的射出方向不同，但仍然可以獲得與圖7所示構(gòu)造同樣的效果。
而且，在該圖8至圖10的例子，通過在RGB各色中變更(1)設置有半穿透膜40的區(qū)域與未設置半穿透膜40的區(qū)域的面積比率、(2)有機層34等厚度不同的區(qū)域的面積比率、(3)半穿透膜的厚度較厚區(qū)域與半穿透膜的厚度較薄區(qū)域的面積比率，可以減小各色微腔的影響差，并可以達到有效改善視角依存性的目的。該面積比率的變更方式與圖2及圖6所示相同，可以任意選擇其位置、大小、個數(shù)等。
權(quán)利要求
1.一種在各個按矩陣配置的像素配置有機EL元件的有機EL顯示面板，其特征在于，各像素的有機EL元件具備具有發(fā)光元件層的積層構(gòu)造，而該發(fā)光元件層形成在反射膜與相對一側(cè)的半穿透膜之間并且至少具有發(fā)光功能，具有以增強預定波長的光的方式設定微腔長度的微腔，該微腔長度相當于前述反射膜與前述半穿透膜的層間距離，而在1個像素中具有設置有前述半穿透膜的區(qū)域、及未設置前述半穿透膜的區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機EL顯示面板，其特征在于，各像素具有為R發(fā)光、G發(fā)光或B發(fā)光中的任意一種的有機EL元件，根據(jù)該像素為R發(fā)光、G發(fā)光或B發(fā)光的哪一種，來變更設置有前述半穿透膜的區(qū)域、與未設置前述半穿透膜的區(qū)域的面積比率。
3.一種在各個按矩陣配置的像素配置有機EL元件的有機EL顯示面板，其特征在于，各像素的有機EL元件具備具有發(fā)光元件層的積層構(gòu)造，而該發(fā)光元件層形成在反射膜與相對一側(cè)的半穿透膜之間并且至少具有發(fā)光功能，而且具有以增強預定波長的光的方式設定微腔長度的微腔，該微腔長度相當于前述反射膜與前述半穿透膜的層間距離，而在1個像素中具有前述半穿透膜厚度較厚的區(qū)域及前述半穿透膜厚度較薄的區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機EL顯示面板，其特征在于，各像素具有為R發(fā)光、G發(fā)光或B發(fā)光中任意一種的有機EL元件，根據(jù)該像素為R發(fā)光、G發(fā)光或B發(fā)光的哪一種，來變更設置有前述半穿透膜的區(qū)域、與未設置前述半穿透膜的區(qū)域的面積比率。
5.一種各個按矩陣配置的像素配置有為R發(fā)光、G發(fā)光或B發(fā)光中任意一種的有機EL元件的有機EL顯示面板，其特征在于，各像素的有機EL元件具備具有發(fā)光元件層的積層構(gòu)造，而該發(fā)光元件層形成在反射膜與相對一側(cè)半穿透膜之間并且至少具有發(fā)光功能，而且具有以增強預定波長的光的方式設定微腔長度的微腔，該微腔長度相當于前述反射膜與前述半穿透膜的層間距離，而且在1個像素中具有設置有前述微腔長度較長的區(qū)域、及前述微腔長度較短的區(qū)域。根據(jù)該像素為R發(fā)光、G發(fā)光或B發(fā)光的中的哪一種，來變更前述1像素中的上述微腔較長的區(qū)域、與前述微腔的長度較短的區(qū)域的面積比率。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種有機EL顯示面板，其利用微腔同時有效地改善視角依存性。本發(fā)明涉及的有機EL顯示面板，在1個像素內(nèi)設置有不存在下部反射膜36的部分，在1個像素內(nèi)設置在正對電極32與下部反射膜36層之間形成有微腔構(gòu)造的部分、及未形成該微腔構(gòu)造的部分。微腔長度不同的區(qū)域可以增強的峰值波長也不同，可以改善視角依存性。而且，在RGB的各色像素中，通過變更形成微腔構(gòu)造的區(qū)域的面積比率，可以對各色微腔構(gòu)造參差不齊的影響程度進行調(diào)整。
文檔編號G09F9/30GK1832195SQ2006100580
公開日2006年9月13日 申請日期2006年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月28日
發(fā)明者西川龍司, 小村哲司, 中井正也 申請人:三洋電機株式會社