專利名稱：一種提高尋址速度的雙準(zhǔn)備期斜波驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于氣體放電技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種提高尋址速度的驅(qū)動方法，特別適用于所有VGA型等離子驅(qū)動電路尤其是XGA型具有高XE氣體含量的等離子驅(qū)動電路。
背景技術(shù)：
等離子顯示器具有大尺寸、寬視角以及結(jié)構(gòu)簡單等優(yōu)點，然而它也存在著諸如低發(fā)光效率和低亮度等缺點。造成這些缺點的一個原因就是存在較長的尋址時間。因為等離子顯示器AC-PDP是通過子場的方法實現(xiàn)灰度等級的，而每一子場都有準(zhǔn)備期、尋址期以及維持顯示期，對于高分辨率的等離子顯示器來說，其尋址的時間必然很長，從而造成低發(fā)光效率和低亮度。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決等離子顯示器由于存在較長的尋址時間從而造成低發(fā)光效率和低亮度的缺點，本發(fā)明的目的是提供一種提高尋址速度的雙準(zhǔn)備期斜波驅(qū)動方法。
本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是，一種提高尋址速度的雙準(zhǔn)備期斜波驅(qū)動方法，將每一子場的準(zhǔn)備期和尋址期分別分為第一準(zhǔn)備期和第二準(zhǔn)備期、第一尋址期和第二尋址期，首先進(jìn)入第一準(zhǔn)備期，第一準(zhǔn)備期結(jié)束后進(jìn)入第一尋址期進(jìn)行逐行尋址，尋址到中間一行時開始第二準(zhǔn)備期，第二準(zhǔn)備期結(jié)束后再進(jìn)入第二尋址期進(jìn)行逐行尋址，直至尋址整個顯示屏，尋址結(jié)束后進(jìn)入維持期，進(jìn)行維持發(fā)光。
控制第一準(zhǔn)備期結(jié)束時的電壓降至負(fù)70V，控制第二準(zhǔn)備期結(jié)束時的電壓降至負(fù)100V。
本發(fā)明的提高尋址速度的驅(qū)動方法是采用了雙準(zhǔn)備期的斜波驅(qū)動方法，其準(zhǔn)備期分為兩個部分第一個準(zhǔn)備期應(yīng)用在開始部分，用來提供初始化壁電荷，使得壁電荷處于統(tǒng)一的狀態(tài)，也就是所謂的粒子效應(yīng)；第二個準(zhǔn)備期應(yīng)用在尋址行的中間一行上，用來提供附加的粒子效應(yīng)。采用這種雙準(zhǔn)備期斜波驅(qū)動方法，由于粒子效應(yīng)的存在，可以大大地減少尋址脈寬到1.0us，從而在尋址期減小了尋址放電延遲時間，減小了尋址時間，提高了亮度和對比度等。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的斜波驅(qū)動方法示意圖；圖2是本發(fā)明的高速尋址雙準(zhǔn)備期斜波驅(qū)動方法示意圖；圖3是現(xiàn)有技術(shù)斜波驅(qū)動方法中尋址行與放電延遲之間關(guān)系圖；圖4是本發(fā)明雙準(zhǔn)備期斜波驅(qū)動方法中尋址行與放電延遲之間關(guān)系圖。
具體實施例方式
下面結(jié)合附圖和具體實施方式

對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)的斜波驅(qū)動方法，該驅(qū)動波形由準(zhǔn)備期Reset、尋址期Address、維持期Sustain和擦除期Erase組成。在準(zhǔn)備期，放電單元中的壁電荷獲得一致的狀態(tài)；在尋址期，通過尋址電極Y上的尋址電壓和掃描電極A上的電壓用來尋址圖像的數(shù)據(jù)，尋址電極Y和掃描電極A上產(chǎn)生尋址放電，選擇要發(fā)光的單元和不發(fā)光的單元，使得要發(fā)光的單元處于選中的狀態(tài)，并積累了壁電荷，而不發(fā)光的單元處于熄滅狀態(tài)，在維持期不發(fā)光；在維持期，通過交替的在維持電極X和尋址電極Y之間施加電壓，維持電極X和尋址電極Y之間發(fā)生維持放電，對于那些選中的要發(fā)光的單元則會維持發(fā)光，而那些沒選中的單元則不發(fā)光。
該驅(qū)動方法簡單地分為四個時期在準(zhǔn)備期采用兩種不同斜率的斜波電壓減少光的發(fā)射一種為上升的斜率而另一種則為下降的斜率。在上升斜波階段，尋址電極Y為正電壓并積累了負(fù)電荷，而維持電極X和掃描電極A電極為0電壓則積累了正電荷；在下降的斜波階段，尋址電極Y為負(fù)電壓維持電極X為正電壓，那么維持電極X電極上電荷為負(fù)的電荷，同時尋址電極Y電極上的負(fù)電荷減少了。在電荷轉(zhuǎn)變極性的過程中產(chǎn)生的光在準(zhǔn)備期起著大部分的作用，而掃描電極A電極上的電荷因為尋址電極Y和掃描電極A之間僅僅上斜波下降結(jié)束的時候才發(fā)生放電因此改變的很少。這些壁電荷的積累減少了尋址放電和維持放電的電壓值。在尋址期間，尋址電極Y為負(fù)電壓，維持電極X為正電壓掃描電極A為正的電壓。在維持期間，通過交替地在維持電極X、尋址電極Y電極上施加電壓，便可以實現(xiàn)在尋址期選中的單元發(fā)光。
本發(fā)明所采用的驅(qū)動方法，將每一子場的準(zhǔn)備期和尋址期分別分為第一準(zhǔn)備期和第二準(zhǔn)備期、第一尋址期和第二尋址期，首先進(jìn)入第一準(zhǔn)備期，用來提供初始化壁電荷，使得壁電荷處于統(tǒng)一的狀態(tài)，也就是為上半屏提供粒子效應(yīng)，第一準(zhǔn)備期結(jié)束時控制電壓降至負(fù)Vsc1為70V，進(jìn)入第一尋址期進(jìn)行逐行尋址，尋址到中間一行時開始第二準(zhǔn)備期，為下半屏提供附加的粒子效應(yīng)，第二準(zhǔn)備期結(jié)束時控制電壓降至負(fù)Vsc2為100V，再進(jìn)入第二尋址期進(jìn)行逐行尋址，直至尋址整個顯示屏，尋址結(jié)束后進(jìn)入維持期，進(jìn)行維持發(fā)光。
參見圖2，在本發(fā)明的驅(qū)動方法中，準(zhǔn)備期分為兩個部分第一準(zhǔn)備期和第二準(zhǔn)備期，同樣的尋址期也被分為兩個部分第一尋址期和第二尋址期。在第一準(zhǔn)備期結(jié)束后(大約180us)，第一尋址期間，逐行尋址。尋址到中間一行時開始第二準(zhǔn)備期(大約20us)，開始第二尋址期，進(jìn)行逐行尋址，直至尋址整個顯示屏，尋址期結(jié)束后開始維持期，進(jìn)行維持發(fā)光。在該驅(qū)動方法中，在第一準(zhǔn)備期第一段下降斜率降至負(fù)Vsc1為70V，主要是為從第一行到第n行的第一尋址期提供粒子效應(yīng)；第二段下降斜率從負(fù)70V降至負(fù)Vsc2為100V，主要是為從第n+1行到2n行的第二尋址期提供粒子效應(yīng)?？梢酝ㄟ^調(diào)整第一尋址期和第二尋址期間電壓Vb1和Vb2來降低誤放電現(xiàn)象。由于第一尋址期存在較多的粒子效應(yīng)，與傳統(tǒng)的尋址電壓負(fù)100V相比，第一尋址期的尋址電壓較低，負(fù)70V。第二尋址電壓應(yīng)當(dāng)比第一尋址電壓低一些，負(fù)100V，以便為第二尋址期提供附加的粒子效應(yīng)。
本發(fā)明的驅(qū)動方法由于粒子效應(yīng)的存在，可以大大地減少尋址脈寬到1.0us，從而可以大大減少尋址時間。
圖3顯示的是現(xiàn)有技術(shù)斜波驅(qū)動方法中尋址行與放電延遲之間的關(guān)系。尋址脈寬為1.5us時，尋址第一行、中間一行以及最后一行放電延遲之間關(guān)系可以看出，尋址放電延遲時間將會隨著時間的推移而變長，如果采用尋址脈寬為1.0us時，在第二準(zhǔn)備期間將不會產(chǎn)生尋址放電，那么在維持期間將不會發(fā)光。
圖4顯示了本發(fā)明雙準(zhǔn)備期斜波驅(qū)動方法中尋址行與放電延遲之間關(guān)系。尋址脈寬為1us時，尋址第一行、中間一行以及最后一行放電延遲之間關(guān)系可以看出，采用本發(fā)明的雙準(zhǔn)備期斜波驅(qū)動方法，尋址放電延遲時間與圖3相比縮短了很多，尋址放電強度得到提高。
權(quán)利要求
1.一種提高尋址速度的雙準(zhǔn)備期斜波驅(qū)動方法，其特征在于，將每一子場的準(zhǔn)備期和尋址期分別分為第一準(zhǔn)備期和第二準(zhǔn)備期、第一尋址期和第二尋址期，首先進(jìn)入第一準(zhǔn)備期，第一準(zhǔn)備期結(jié)束后進(jìn)入第一尋址期進(jìn)行逐行尋址，尋址到中間一行時開始第二準(zhǔn)備期，第二準(zhǔn)備期結(jié)束后再進(jìn)入第二尋址期進(jìn)行逐行尋址，直至尋址整個顯示屏，尋址結(jié)束后進(jìn)入維持期，進(jìn)行維持發(fā)光。
2.按照權(quán)利要求1所述的驅(qū)動方法，其特征在于，控制第一準(zhǔn)備期結(jié)束時的電壓降至負(fù)70V，控制第二準(zhǔn)備期結(jié)束時的電壓降至負(fù)100V。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種提高尋址速度的雙準(zhǔn)備期斜波驅(qū)動方法，將每一子場的準(zhǔn)備期和尋址期分別分為第一準(zhǔn)備期和第二準(zhǔn)備期、第一尋址期和第二尋址期，首先進(jìn)入第一準(zhǔn)備期，第一準(zhǔn)備期結(jié)束后進(jìn)入第一尋址期進(jìn)行逐行尋址，尋址到中間一行時開始第二準(zhǔn)備期，第二準(zhǔn)備期結(jié)束后再進(jìn)入第二尋址期進(jìn)行逐行尋址，直至尋址整個顯示屏，尋址結(jié)束后進(jìn)入維持期，進(jìn)行維持發(fā)光。采用這種雙準(zhǔn)備期斜波驅(qū)動方法，由于粒子效應(yīng)的存在，可以大大地減少尋址脈寬到1.0us，從而在尋址期減小了尋址放電延遲時間，減小了尋址時間，提高了亮度和對比度等。
文檔編號G09F9/313GK1801283SQ200610041639
公開日2006年7月12日 申請日期2006年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月11日
發(fā)明者王志霞 申請人:彩虹集團(tuán)電子股份有限公司