專利名稱：像素電路板、像素電路板測(cè)試方法以及測(cè)試設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及可用于有源矩陣顯示面板的像素電路板、像素電路板的測(cè)試方法、布置在像素電路板上的像素電路、像素電路的測(cè)試方法以及測(cè)試設(shè)備。
背景技術(shù)：
可以將有機(jī)電致發(fā)光顯示面板粗略地劃分為無(wú)源驅(qū)動(dòng)型和有源矩陣驅(qū)動(dòng)型。由于高的對(duì)比度和高的分辨率，有源矩陣驅(qū)動(dòng)型的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板比無(wú)源驅(qū)動(dòng)型更為優(yōu)良。在例如日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_(kāi)平(Jpn.Pat.Appln.KOKAI)公開(kāi)No.8-330600中所描述的有源矩陣驅(qū)動(dòng)型的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板中，對(duì)每一像素布置有機(jī)電致發(fā)光元件(下文中稱之為有機(jī)EL元件)、當(dāng)向柵極施加具有與圖像數(shù)據(jù)相應(yīng)的電壓值的電壓信號(hào)時(shí)向有機(jī)EL元件供給電流的驅(qū)動(dòng)晶體管、以及執(zhí)行開(kāi)關(guān)以向驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極供給與圖像數(shù)據(jù)相應(yīng)的電壓信號(hào)的開(kāi)關(guān)晶體管。在該有機(jī)電致發(fā)光顯示面板中，當(dāng)選擇掃描線時(shí)，開(kāi)啟連接于掃描線的開(kāi)關(guān)晶體管。此時(shí)，將表示亮度的電平電壓通過(guò)信號(hào)線施加到驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極。連接該信號(hào)線的驅(qū)動(dòng)晶體管開(kāi)啟。將具有與柵極電壓的電平相應(yīng)量級(jí)的驅(qū)動(dòng)電流從電源通過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管供給到有機(jī)EL元件。有機(jī)EL元件發(fā)射出與電流量級(jí)相應(yīng)亮度的光。在從掃描線選擇結(jié)束到下一個(gè)掃描線選擇的周期內(nèi)，即使在開(kāi)關(guān)晶體管關(guān)閉之后，驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓電平被連續(xù)保持。因此，有機(jī)EL元件發(fā)射出的光的亮度與相應(yīng)于該電壓的驅(qū)動(dòng)電流的量級(jí)相對(duì)應(yīng)。
驅(qū)動(dòng)晶體管和開(kāi)關(guān)晶體管的制造工藝包括溫度超出有機(jī)EL元件的耐熱溫度的步驟。由于此原因，在制造有機(jī)電致發(fā)光顯示面板期間，在有機(jī)EL元件之前制造驅(qū)動(dòng)晶體管和開(kāi)關(guān)晶體管。優(yōu)選地，首先，在襯底上構(gòu)圖形成驅(qū)動(dòng)晶體管和開(kāi)關(guān)晶體管以制備晶體管陣列板。然后，在晶體管陣列板上構(gòu)圖形成有機(jī)EL元件。
在上述晶體管陣列板中，在有機(jī)EL元件制造之后，很難測(cè)試確定晶體管或有機(jī)EL元件是否產(chǎn)生故障。在制造有機(jī)EL元件之前測(cè)試，晶體管沒(méi)有連接于有機(jī)EL元件。對(duì)于各像素，應(yīng)該連接于有機(jī)EL元件的晶體管的電極(源極和漏極中的一個(gè))電獨(dú)立且處于浮置狀態(tài)。在測(cè)試晶體管陣列板上的晶體管期間，可以對(duì)于各像素探測(cè)應(yīng)該連接于有機(jī)EL元件的晶體管的電極。在這種情況下，該測(cè)試只能通過(guò)對(duì)于各像素低效地執(zhí)行探測(cè)來(lái)完成。應(yīng)該連接于有機(jī)EL元件的晶體管的另一個(gè)電極(源極和漏極中的另一個(gè))被連接于電源線。由于此原因，可以從電源線通過(guò)讀取訪問(wèn)(read-access)晶體管。在這種情況下，應(yīng)該連接于有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)晶體管的電極必須連接于恒壓線。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到上述問(wèn)題作出本發(fā)明，且本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是提供能夠有效測(cè)試晶體管特性的像素電路板，提供像素電路板的測(cè)試方法、像素電路、像素電路的測(cè)試方法以及測(cè)試設(shè)備。
為了解決上述問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)方案，像素電路板包括至少一個(gè)像素電路；和至少一個(gè)信號(hào)線，其連接于像素電路，并且具有與測(cè)試電壓相應(yīng)的電流值的電流從像素電路流向該信號(hào)線，而不干涉顯示元件。
根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)方案，像素電路板的測(cè)試方法包括選擇像素電路的選擇步驟；和使具有與測(cè)試電壓相應(yīng)的電流值的電流從像素電路中流出而不干涉顯示元件的測(cè)試電流步驟。
根據(jù)本發(fā)明的第三個(gè)方案，像素電路測(cè)試方法，包括從像素電路中供給具有與測(cè)試電壓相應(yīng)的電流值的電流而不干涉顯示元件的測(cè)試電流步驟。
根據(jù)本發(fā)明的第四個(gè)方案，測(cè)試設(shè)備包括
電表，其測(cè)量具有與測(cè)試電壓相應(yīng)的電流值的電流，該電流從像素電路流出而不干涉顯示元件。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)從像素電路供給的不干涉顯示元件的測(cè)試電流，可以確定像素電路是否正常。
附圖的簡(jiǎn)要描述

圖1是示出作為測(cè)試目標(biāo)的晶體管陣列板的電路布置的等效電路圖；圖2是示出像素電路的電路布置的等效電路圖；圖3是示出當(dāng)測(cè)試之后在晶體管陣列板上提供有機(jī)EL元件時(shí)的電路布置的等效電路圖；圖4是像素電路的平面圖；圖5是示出測(cè)試設(shè)備與晶體管陣列板的方框圖；圖6是示出在由測(cè)試設(shè)備進(jìn)行的測(cè)試期間的波形的時(shí)序圖；圖7是示出當(dāng)像素電路正常時(shí)在從可變電壓源供給的電壓與通過(guò)電表測(cè)量的電流之間的關(guān)系的圖表；圖8是用于闡述利用晶體管陣列板來(lái)操作電致發(fā)光顯示面板的時(shí)序圖；圖9是示出另一個(gè)像素電路的電路布置的等效電路圖；圖10是示出在由測(cè)試設(shè)備進(jìn)行的測(cè)試中的另一波形的時(shí)序圖。
執(zhí)行本發(fā)明的最佳方式下面將參考附圖來(lái)描述執(zhí)行本發(fā)明的最佳方式。在執(zhí)行本發(fā)明期間技術(shù)上優(yōu)選的各種限制加入到下述實(shí)施例中。然而，本發(fā)明的精神和范圍不受限于下述實(shí)施例和所示出的實(shí)例。
在應(yīng)用了本發(fā)明的測(cè)試方法中的測(cè)試目標(biāo)為具有如圖1中所示的電路的用作像素電路板的晶體管陣列板1。這是用于有源矩陣電致發(fā)光顯示面板的晶體管陣列板1。通過(guò)例如在透明玻璃襯底2上通過(guò)適當(dāng)?shù)貓?zhí)行諸如CVD、PVD、或?yàn)R射的膜形成處理、諸如光刻或金屬掩蔽的掩蔽處理以及諸如蝕刻的構(gòu)圖以構(gòu)圖多個(gè)晶體管，來(lái)制造晶體管陣列板1。在測(cè)試(稍后將詳細(xì)描述)之后，將每個(gè)都包括具有高功函的陽(yáng)極、具有低功函的陰極以及形成在陽(yáng)極與陰極之間的有機(jī)化合物磷光體的有機(jī)電致發(fā)光元件按照二維陣列形成在常規(guī)的晶體管陣列板1上。采用該工藝，制造電致發(fā)光顯示面板。在制造電致發(fā)光顯示面板期間，對(duì)每一個(gè)像素提供有機(jī)電致發(fā)光元件。可以將一個(gè)陽(yáng)極或陰極共同電連接于所有像素，而不是將陽(yáng)極和陰極中的一個(gè)提供給每個(gè)像素。還可以為每個(gè)像素獨(dú)立地構(gòu)圖形成有機(jī)化合物磷光體。或者，可以連續(xù)地形成用于多個(gè)像素的包含空穴傳輸層、電子傳輸層和發(fā)光層的有機(jī)化合物磷光體的一些或全部電荷傳輸層。
如稍后所述，在該實(shí)施例的測(cè)試方法中，對(duì)于所制造的晶體管陣列板1，不需要執(zhí)行復(fù)雜的操作/工藝。可以僅通過(guò)在測(cè)試設(shè)備101(圖5)中設(shè)置晶體管陣列板1來(lái)大體上測(cè)試晶體管陣列板1。
將詳細(xì)描述晶體管陣列板1的布置。
如圖1中所示，晶體管陣列板1包括例如由玻璃構(gòu)成的片或板型耐熱透明襯底2、相互平行地排列于襯底2上的n個(gè)信號(hào)線Y1至Yn、相互平行地布置于襯底2上且從上側(cè)觀看襯底2時(shí)候其垂直于信號(hào)線Y1至Yn的m個(gè)掃描線X1至Xm、在襯底2上的相鄰掃描線之間布置以平行于掃描線X1至Xm的m個(gè)供給線Z1至Zm、以及沿著信號(hào)線Y1至Yn和掃描線X1至Xm在襯底2上二維布置的(mXn)個(gè)像素電路D1，1至Dm，n。
在下述描述中，將信號(hào)線Y1至Yn延伸的方向定義為垂直方向(列方向)，而將掃描線X1至Xm延伸的方向定義為水平方向(行方向)。此外，m和n為自然數(shù)(m≥2，n≥2)。添加到掃描線X的下標(biāo)表示圖1中自上開(kāi)始的順序。添加到供給線Z的下標(biāo)表示圖1中自上開(kāi)始的順序。添加到信號(hào)線Y的下標(biāo)表示圖1中自左開(kāi)始的順序。添加到像素電路D的第一個(gè)下標(biāo)表示自上開(kāi)始的順序，而第二下標(biāo)表示自左開(kāi)始的順序。例如，掃描線Xi為自上的第i行掃描線。供給線Zi為自上的第i行供給線。信號(hào)線Yj為自左的第j列信號(hào)線。像素電路Di，j為自上第i行且自左第j列的像素電路。在所制造的電致發(fā)光顯示面板中，在一個(gè)像素中布置一個(gè)像素電路D。
信號(hào)線Y1至Yn從位于圖1中的晶體管陣列板1的第一行的上側(cè)上的有效上邊11延伸至位于第m行、即最后一行的下側(cè)的有效下邊12。在晶體管陣列板1的有效上邊11處，信號(hào)線Y1至Yn的端子TY1至TYn從覆蓋信號(hào)線Y1至Yn的絕緣膜中露出。掃描線X1至Xm和供給線Z1至Zm從位于晶體管陣列基板1的第一列的左側(cè)的有效左邊13延伸到位于第n列、即最后一列的右側(cè)的有效右邊14。在晶體管陣列板1的有效左邊13處，掃描線X1至Xm的端子TX1至TXm從覆蓋掃描線X1至Xm的絕緣膜中露出。在晶體管陣列板1的有效右邊14處，供給線Z1至Zm的端子TZ1至TZm從覆蓋供給線Z1至Zm的絕緣膜中露出。信號(hào)線Y1至Yn僅需要延伸至有效上邊11和有效下邊12中的至少一個(gè)處。掃描線X1至Xm僅需要延伸至有效左邊13和有效右邊14中的至少一個(gè)處。供給線Z1至Zm僅需要延伸至有效左邊13和有效右邊中的至少另一個(gè)處。
所有像素電路D1，1至Dm，n具有相同的電路布置。將在圖2中代表性地描述像素電路D1，1至Dm，n中的像素電路Di，j。圖2是像素電路Di，j的等效電路圖。圖3是示出當(dāng)顯示元件和例如有機(jī)電致發(fā)光元件E1，1至Em，n設(shè)置在晶體管陣列板1上時(shí)在像素電路Di，j與有機(jī)電致發(fā)光元件Ei，j之間的連接的等效電路圖，其中通過(guò)對(duì)像素電路D1，1至Dm，n的電特性測(cè)試確定該晶體管陣列板1無(wú)缺陷。圖4是主要示出像素電路Di，j的結(jié)構(gòu)的示意性平面圖。
像素電路Di，j包括三個(gè)薄膜晶體管(下文中簡(jiǎn)稱為晶體管)21、22和23和一個(gè)電容器24。第一晶體管21用作開(kāi)關(guān)元件，其在測(cè)試時(shí)和測(cè)試后的操作中的選擇周期內(nèi)向第三晶體管23的柵極施加預(yù)定電壓以在晶體管23的漏極與源極之間供給電流，并在操作中的發(fā)光周期內(nèi)保持在測(cè)試后的操作中的選擇周期內(nèi)向晶體管23所施加的電壓。晶體管21被稱之為寫(xiě)晶體管21。晶體管22用作開(kāi)關(guān)元件，其在測(cè)試時(shí)和測(cè)試后的操作中的選擇周期內(nèi)將晶體管23的源極和漏極的其中之一電連接于信號(hào)線Yj以提供來(lái)自晶體管23的漏-至-源路徑的電流，并在測(cè)試后的操作中的發(fā)光周期內(nèi)將晶體管23的源極和漏極的其中之一與信號(hào)線Yj斷開(kāi)。晶體管22被稱之為保持晶體管22。晶體管23用作驅(qū)動(dòng)晶體管，其在測(cè)試后連接于有機(jī)電致發(fā)光元件Ei，j(稍后將描述)以向有機(jī)電致發(fā)光元件Ei，j供給相應(yīng)于音調(diào)(tone)的電流。晶體管23被稱為驅(qū)動(dòng)晶體管23。如果對(duì)像素電路Di，j的測(cè)試僅測(cè)試晶體管21至23的電特性，則在測(cè)試之前不需要形成電容器24。在這種情況下，在測(cè)試結(jié)束之后，僅在被認(rèn)為無(wú)缺陷的晶體管陣列板1上形成電容器24。
第一至第三晶體管21、22和23中的每一個(gè)為n溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，該場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括柵極、覆蓋柵極的柵絕緣膜、隔著柵絕緣膜與柵極相對(duì)的半導(dǎo)體層、形成于半導(dǎo)體層的兩端上的摻雜半導(dǎo)體層、形成在一個(gè)摻雜半導(dǎo)體層上的漏極和形成于另一摻雜半導(dǎo)體層上的源極。晶體管特別為具有由非晶硅構(gòu)成的半導(dǎo)體層(溝道區(qū))的非晶(a-Si)晶體管。晶體管可以為多晶硅(p-Si)晶體管且半導(dǎo)體層可以由多晶硅構(gòu)成。晶體管21、22和23可以具有反向交錯(cuò)結(jié)構(gòu)或共平面結(jié)構(gòu)。
晶體管陣列板1可以為底部發(fā)光電路板或頂部發(fā)光電路板。在底部發(fā)光類型中，來(lái)自有機(jī)電致發(fā)光元件Ei，j的輻射光從有機(jī)電致發(fā)光元件Ei，j的下側(cè)發(fā)出。在頂部發(fā)射類型中，來(lái)自有機(jī)電致發(fā)光元件Ei，j的輻射光從有機(jī)電致發(fā)光元件Ei，j的上側(cè)發(fā)出。
寫(xiě)晶體管21的柵極21g連接于掃描線Xi。源極21s連接于信號(hào)線Yj。漏極21d連接于驅(qū)動(dòng)晶體管23的源極23s。保持晶體管22的柵極22g連接于掃描線Xi。漏極22d連接于驅(qū)動(dòng)晶體管23的漏極23d且還通過(guò)形成在漏極22d與供給線Zi之間的絕緣膜中的接觸孔26(參見(jiàn)圖4)連接于供給線Zi。保持晶體管22的源極22s通過(guò)設(shè)置在源極22s與驅(qū)動(dòng)晶體管23的柵極23g之間的絕緣膜中的接觸孔25連接于驅(qū)動(dòng)晶體管23的柵極23g。驅(qū)動(dòng)晶體管23的漏極23d通過(guò)接觸孔26連接于供給線Zi。參考圖4，半導(dǎo)體層21c為寫(xiě)晶體管21的半導(dǎo)體層。半導(dǎo)體層22c為保持晶體管22的半導(dǎo)體層。半導(dǎo)體層23c為驅(qū)動(dòng)晶體管23的半導(dǎo)體層。
當(dāng)從上面觀察時(shí)，像素電極27形成于像素電路Di，j的中央處。像素電極27電連接驅(qū)動(dòng)晶體管23的源極23s、寫(xiě)晶體管21的漏極21d和電容器24的一個(gè)電極24B。在測(cè)試時(shí)不需要總是設(shè)置像素電極27。在圖3中示出的電路布置中，像素電極27用作在測(cè)試后形成的有機(jī)電致發(fā)光元件Ei，j的陽(yáng)極。在電流從有機(jī)電致發(fā)光元件Ei，j流向驅(qū)動(dòng)晶體管23的布置中，像素電極27可以用作陰極電極。
電容器24包括連接于驅(qū)動(dòng)晶體管23的柵極23g的另一電極24A、所述的連接于晶體管23的源極23s的一個(gè)電極24B和插入在這兩電極之間的柵絕緣膜(未示出的電介質(zhì)膜)。電容器24具有在驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極23g與源極2s之間存儲(chǔ)電荷的功能。
在同一步驟中同時(shí)構(gòu)圖晶體管21、22和23。晶體管21、22和23具有相同構(gòu)成，即，柵極、柵絕緣膜、半導(dǎo)體層、摻雜半導(dǎo)體層、漏極和源極。根據(jù)晶體管21、22和23的功能和需要的特性，晶體管21、22和23具有不同的形狀、大小、尺度、溝道寬度和溝道長(zhǎng)度。
通過(guò)蝕刻構(gòu)圖作為預(yù)期的柵極21g、22g和23g以及電極24A的導(dǎo)電薄膜(包括由鉻、金、鈦、鋁、或銅的金屬層和其合金層中的至少一種)，將掃描線X1至Xm和供給線Z1至Zm與柵電極21g、22g和23g以及電極24A同時(shí)形成。由固態(tài)柵絕緣膜覆蓋掃描線X1至Xm和供給線Z1至Zm與柵電極21g、22g和23g。在柵絕緣膜中形成接觸孔25和26(參見(jiàn)圖4)。通過(guò)蝕刻構(gòu)圖作為預(yù)期的源極21s、22s和23s、漏極21d、22d和23d、以及電極24B的導(dǎo)電薄膜(包括由鉻、金、鈦、鋁、或銅的金屬層和其合金層中的至少一種)，將信號(hào)線Y1至Yn與源極21s、22s和23s、漏極21d、22d和23d以及電極24B同時(shí)形成。
當(dāng)從圖4中的上側(cè)觀察時(shí)，保護(hù)膜44A設(shè)置于信號(hào)線Y1至Yn與掃描線X1至Xm之間，位于信號(hào)線Y1至Yn與掃描線X1至Xm交叉的點(diǎn)處，和信號(hào)線Y1至Yn與供給線Z1至Zm之間，位于信號(hào)線Y1至Yn與供給線Z1至Zm交叉的點(diǎn)處。通過(guò)構(gòu)圖作為預(yù)期半導(dǎo)體層21c、22c和23c的半導(dǎo)體膜，將保護(hù)膜44A與半導(dǎo)體層21c、22c和23c同時(shí)形成。
僅在通過(guò)對(duì)像素電路D1，1至Dm，n的電特性測(cè)試被確定為無(wú)缺陷的晶體管陣列板1上，制造有機(jī)電致發(fā)光元件E1，1至Em，n，其中每個(gè)每個(gè)有機(jī)電致發(fā)光元件都包括像素電極27、像素電極27上的有機(jī)EL層以及有機(jī)EL層上的用作陰極電極的對(duì)電極。這樣，完成了有源矩陣電致發(fā)光顯示面板。如上所述，預(yù)先在測(cè)試之前制造像素電極27，但是也可以在測(cè)試之后形成。該對(duì)電極可以為所有像素共用的一個(gè)電極。取而代之地，對(duì)于排列在垂直方向上的多個(gè)像素列中的每一個(gè)，可以將反電極劃分成個(gè)n電極，或者對(duì)于排列在水平方向上的多個(gè)像素行中的每一個(gè)，可以將反電極劃分成m個(gè)電極。將參考電壓Vss施加于該對(duì)電極。
下面將參考圖5來(lái)描述測(cè)試晶體管陣列板1的測(cè)試設(shè)備101。為了方便說(shuō)明，在圖5中僅示出與晶體管陣列板1的第i行和第j列相關(guān)的一個(gè)電路。
晶體管陣列板1與測(cè)試設(shè)備101可分離。測(cè)試設(shè)備101包括系統(tǒng)控制器102、多路轉(zhuǎn)換器103、移位寄存器(掃描驅(qū)動(dòng)器)104、互連107、探針108和確定電路109。
探針108為公共探針以將可變電壓源105電連接于所有供給線Z1至Zm。探針108為由布置在供給線Z1至Zm的端子TZ1至TZm上的低電阻導(dǎo)電物質(zhì)構(gòu)成的板。探針108被公共連接于供給線Z1至Zm的端子TZ1至TZm。由于該原因，不需要排列電獨(dú)立的單獨(dú)探針并連接于各個(gè)供給線Z1至Zm。
移位寄存器104的輸出端子的數(shù)量等于掃描線X1至Xm的端子TX1至TXm數(shù)量。當(dāng)將晶體管陣列板1安裝到測(cè)試設(shè)備101中時(shí)，將移位寄存器104的輸出端子一對(duì)一地連接于掃描線X1至Xm的端子TX1至TXm。將移位寄存器104設(shè)計(jì)成在各輸出端子時(shí)，順序地從這些輸出端子輸出ON-電平掃描信號(hào)，如圖6中的時(shí)序圖中所示。即，移位寄存器104按照該次序(掃描線X1直至掃描線Xm)順序地向掃描線X1至Xm輸出ON-電平掃描信號(hào)，由此順序地選擇掃描線X1至Xm。下文中將移位寄存器104輸出ON-電平掃描信號(hào)時(shí)的周期稱為選擇周期。掃描線X1至Xm的選擇周期的每一個(gè)不與其它選擇周期重疊。
如圖5中所示，系統(tǒng)控制器102包括可變電壓源105和電表106。當(dāng)將晶體管陣列板1安裝到測(cè)試設(shè)備101中時(shí)，可變電壓源105通過(guò)互連107電連接于探針108。探針108電連接于所有供給線Z1至Zm。
可變電壓源105在每一行的選擇周期期間向供給線Z1至Zm施加測(cè)試電壓。更為具體地，如圖6中所示，在掃描線Xi的選擇周期期間，可變電壓源105通過(guò)供給線Zi反復(fù)地向像素電路施加線性測(cè)試電壓。線性測(cè)試電壓被劃分成像素電路Di，1至Di，n的數(shù)量并逐漸上升。由于該原因，同步地向像素電路Di，1至Di，n重復(fù)施加n次線性測(cè)試電壓。通過(guò)移位寄存器104從第一行的掃描線X1的選擇周期開(kāi)始到第m行的掃描線Xm的選擇周期結(jié)束，施加測(cè)試電壓(mXn)次?？勺冸妷涸?05可以相應(yīng)于像素電路Di，1至Di，n的數(shù)量重復(fù)地向像素電路Di，1至Di，n重復(fù)施加首先高于0V且然后逐漸降低的測(cè)試電壓。
多路轉(zhuǎn)換器103具有在數(shù)量上與信號(hào)線Y1至Yn的端子TY1至TYn相等的輸入端子和一個(gè)連接于電表106的輸出端子。當(dāng)將晶體管陣列板1安裝到測(cè)試設(shè)備101時(shí)，多路轉(zhuǎn)換器103的輸入端子與信號(hào)線Y1至Yn的端子TY1至TYn一對(duì)一連接。將多路轉(zhuǎn)換器103設(shè)計(jì)成在開(kāi)啟所述輸入端子時(shí)，將輸入到輸入端子的信號(hào)順序地從輸出端子傳送到電表106。即，多路轉(zhuǎn)換器103按照該順序(信號(hào)線Y1接著至信號(hào)線Yn)順次地將流向信號(hào)線Y1至Yn的電流輸出到電表106。在掃描線Xi的選擇周期期間，可變電壓源105向供給線Zj輸出測(cè)試電壓，該電壓被調(diào)制并劃分成像素電路Di，1至Di，n的數(shù)量。多路轉(zhuǎn)換器103，按照像素電路Di，1、Di，2、Di，3、…、Di，n-1、Di，n的順序通過(guò)信號(hào)線Y1、Y2、Y3、…、Yn-1和Yn來(lái)接收根據(jù)測(cè)試電壓流向像素電路Di，1至Di，n的電流，并向電表106輸出電流。在多路轉(zhuǎn)換器103向電表106輸出信號(hào)線Y1的電流之后直到多路轉(zhuǎn)換器103向電表106輸出信號(hào)線Yn的電流的周期等于選擇周期?？勺冸妷涸?05為在掃描線X1至Xm的每一個(gè)的選擇周期期間執(zhí)行該操作n次的電路，使得通過(guò)信號(hào)線Y1至Yn按照D1，1、D1，2、D1，3、……Dm，n-1、Dm，n的順序來(lái)接收根據(jù)所調(diào)制的輸出到供給線Z1至Zm的測(cè)試電壓而流向像素電路D1，1至Dm，n的電流，并將其輸出到電表106。
電表106測(cè)量流向像素電路D1，1至Dm，n并從多路轉(zhuǎn)換器103的輸出端子輸出的每一個(gè)電流的量值。
確定或判斷電路109存儲(chǔ)圖7中示出常規(guī)像素電路Di，j的驅(qū)動(dòng)晶體管23的源極23s與漏極23d之間的電壓/電流特性數(shù)據(jù)。確定電路109具有根據(jù)該特性數(shù)據(jù)和來(lái)自電表106的電流的波形來(lái)對(duì)于多個(gè)音調(diào)確定作為測(cè)試目標(biāo)的像素電路Di，j是否流過(guò)具有標(biāo)準(zhǔn)電流值的測(cè)試電流的功能，所述來(lái)自電表106的電流是相應(yīng)于來(lái)自圖6中示出的可變電壓源105的多音調(diào)測(cè)試電壓從多路轉(zhuǎn)換器103接收的。圖7中的實(shí)線表示驅(qū)動(dòng)晶體管的理想電壓/電流特性。虛線表示對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的電壓/電流特性的可允許范圍的邊界。當(dāng)測(cè)試電流的電流值非常小時(shí)，可以將測(cè)試電流放大并輸出到確定電路109。
下面將描述測(cè)試設(shè)備101的操作和通過(guò)利用測(cè)試設(shè)備101來(lái)測(cè)試晶體管陣列板1和像素電路D1，1至Dm，n的方法。
如圖5中所示，如此布置晶體管陣列板1使得將移位寄存器104的端子連接于掃描線X1至Xm。此外，如此布置晶體管陣列板1以便于多路轉(zhuǎn)換器103的端子連接于信號(hào)線Y1至Yn。將探針108連接于所有的供給線Z1至Zm。
然后，如圖6中所示，移位寄存器104按照從第一行的掃描線X1到第m行的掃描線Xm(第一行的掃描線X1鄰接第m行的掃描線Xm)的順序輸出ON電平(高電平)掃描信號(hào)以順序地選擇掃描線X1至Xm。
在掃描線X1至Xm的每一個(gè)的選擇周期期間，可變電壓源105供給要施加到供給線Z1至Zm的測(cè)試電壓n次。在掃描線X1至Xm的每一個(gè)的選擇周期期間，多路轉(zhuǎn)換器103通過(guò)信號(hào)線Y1至Yn將測(cè)試電流從像素電路Dk，1至Dk，n(1≤k≤m)順序地傳送到電表106。通過(guò)電表106實(shí)時(shí)地測(cè)量從多路轉(zhuǎn)換器103輸出的測(cè)試電流的量值。
將詳細(xì)描述在第一行的掃描線X1的選擇周期期間的操作。在第一行的掃描線X1的選擇周期期間，已經(jīng)將ON電平掃描信號(hào)輸出到掃描線X1。因此，第一行的所有像素電路D1，1至Dm，n中的寫(xiě)晶體管21和保持晶體管22開(kāi)啟。
當(dāng)可變電壓源105在第一行的選擇周期期間供給測(cè)試電壓時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管23的漏極23d與源極23s之間的電壓和驅(qū)動(dòng)晶體管23的柵極23g與源極23s之間的電勢(shì)在像素電路D1，1至Dm，n中隨著第一行的供給線Z1的測(cè)試電壓的上升而上升。當(dāng)電勢(shì)的增加超出驅(qū)動(dòng)晶體管23的閾值時(shí)，測(cè)試電流開(kāi)始流向驅(qū)動(dòng)晶體管23的漏極23d與源極23s之間的路徑并到達(dá)多路轉(zhuǎn)換器103，如圖5中箭頭所示。當(dāng)測(cè)試電壓進(jìn)一步上升超出閾值，在晶體管23的漏極23d與源極23s之間流動(dòng)的測(cè)試電流的電流值還被調(diào)制并增加。多路轉(zhuǎn)換器103通過(guò)信號(hào)線Y1接收來(lái)自像素電路D1，1的測(cè)試電流，并向電表106輸出該測(cè)試電流。接著，多路轉(zhuǎn)換器103通過(guò)信號(hào)線Y2接收來(lái)自像素電路D1，2的測(cè)試電流，并向電表106輸出該測(cè)試電流。多路轉(zhuǎn)換器103重復(fù)該操作直到通過(guò)信號(hào)線Yn接收來(lái)自像素電路D1，n的測(cè)試電流，并將其輸出到電表106。確定電路109確定通過(guò)可變電壓源105施加的測(cè)試電壓和按照像素電路D1，1、D1，2、D1，3、……D1，n-1、D1，n的順序接收并順序地從電表106中輸出的每一個(gè)測(cè)試電流是否具有圖7中示出的圖表中所示出的關(guān)系，并存儲(chǔ)像素電路D1，1至D1，n中的每一個(gè)是否正常。即，為了確定對(duì)于多音調(diào)從像素電路D1，j輸出的測(cè)試電流的電流值是否正常，調(diào)制測(cè)試電壓的電壓值。換句話說(shuō)，如果在多個(gè)音調(diào)的被調(diào)制的測(cè)試電壓的情況下的流向像素電路D1，j的被調(diào)制的測(cè)試電流的電流值偏離圖7中示出的可允許范圍，則確定該像素電路有缺陷。
更為具體地，在通過(guò)確定電路109來(lái)確定測(cè)試電流期間，如果寫(xiě)晶體管21、保持晶體管22、驅(qū)動(dòng)晶體管23、以及連接于晶體管的掃描線X1、信號(hào)線Yj和供給線Z1中的至少一個(gè)不具有正常功能，即使當(dāng)正常地從供給線Z1輸出測(cè)試電壓，并且從掃描線X1輸出ON電平掃描信號(hào)，晶體管21、22和23也不正常操作。由于該原因，流向像素電路D1，j的測(cè)試電流的電流值落入與供給線Z1的電壓相應(yīng)的圖7中示出的電流值的可允許范圍外。確定電路109確定像素電路D1，j為有缺陷。當(dāng)流向像素電路D1，j的測(cè)試電流的電流值落入與供給線Z1的電壓相應(yīng)的圖7中示出的電流值的可允許范圍內(nèi)時(shí)，確定電路109確定像素電路D1，j無(wú)缺陷。
具有小電流值的測(cè)試電流流向多路轉(zhuǎn)換器103需要較長(zhǎng)的時(shí)間，因?yàn)樾盘?hào)線Y1至Yn的互連電容是被充電的。在測(cè)試時(shí)通過(guò)移位寄存器104進(jìn)行的每一個(gè)選擇周期要比在電致發(fā)光顯示面板上顯示期間的掃描線X1至Xm的每一個(gè)的選擇周期長(zhǎng)，在該電致發(fā)光顯示面板中，有機(jī)電致發(fā)光元件E1，1至Em，n設(shè)置在晶體管陣列板1上。由于該原因，在測(cè)試時(shí)的每一個(gè)選擇周期內(nèi)，可以將達(dá)到可測(cè)試電流值的測(cè)試電流供給到信號(hào)線Y1至Yn的每一個(gè)。
當(dāng)移位寄存器104順序地選擇掃描線X1至Xm時(shí)，確定電路109確定由電表106按照對(duì)于每一行從信號(hào)線Y1到信號(hào)線Yn的順序形成電流波形。采用該操作，像素電路D1，1至Dm，n被順序地測(cè)試，并將晶體管陣列板1作為整體測(cè)試。
當(dāng)確定電路109確定同一列的像素電路D1，j、D2，j、D3，j、…、Dm，j為有缺陷時(shí)，認(rèn)為信號(hào)線Yj存在問(wèn)題。當(dāng)確定同一行的像素電路Di，1、Di，2、Di，3、…、Di，n為異常時(shí)，則認(rèn)為掃描線Xi和/或供給線Zi存在問(wèn)題。
如上所述，根據(jù)該實(shí)施例，在制造晶體管陣列板1之后，對(duì)于晶體管陣列板1不需要執(zhí)行特別復(fù)雜的工作/工藝?？梢詢H通過(guò)在測(cè)試設(shè)備101中設(shè)置晶體管陣列板1來(lái)主要地測(cè)試晶體管陣列板1。這是因?yàn)榭梢栽跊](méi)有形成用于晶體管陣列板1上的每一像素電路的有機(jī)電致發(fā)光元件的情況下操作晶體管陣列板1。更為具體地，在供給線Zi與信號(hào)線Yj之間將驅(qū)動(dòng)晶體管23串聯(lián)于寫(xiě)晶體管21。由于該原因，當(dāng)像在選擇周期內(nèi)一樣開(kāi)啟寫(xiě)晶體管21和保持晶體管22時(shí)，可以根據(jù)從供給線Zi輸出的測(cè)試電壓來(lái)通過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管23和寫(xiě)晶體管21來(lái)供給流向信號(hào)線Yj的測(cè)試電流。因此，在制造后可以測(cè)試晶體管陣列板1而不用任何特殊的復(fù)雜工作/工藝。
當(dāng)像素電路D1，1至Dm，n的有缺陷的像素電路的數(shù)量落入預(yù)定范圍內(nèi)時(shí)，將晶體管陣列板1認(rèn)作為無(wú)缺陷產(chǎn)品。在該晶體管陣列板1的顯示區(qū)中制造有機(jī)電致發(fā)光元件E1，1至Em，n。當(dāng)有缺陷的像素電路的數(shù)量落在預(yù)定范圍之外，該晶體管陣列板1被認(rèn)作為有缺陷的產(chǎn)品。不在該晶體管陣列板1的顯示區(qū)中制造有機(jī)電致發(fā)光元件E1，1至Em，n這樣，可以提高產(chǎn)量。
當(dāng)通過(guò)按照矩陣形式在晶體管陣列板1上排列有機(jī)電致發(fā)光元件來(lái)制造電致發(fā)光顯示面板時(shí)，可以通過(guò)有源矩陣方法來(lái)按照下述方式驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示面板。如圖8中所示，當(dāng)掃描側(cè)驅(qū)動(dòng)器向第i行的掃描線Xi輸出ON電平(高電平)掃描信號(hào)以選擇掃描線Xi時(shí)，另一個(gè)掃描側(cè)驅(qū)動(dòng)器將來(lái)自有機(jī)電致發(fā)光元件Ei，j的對(duì)電極的電壓Vss的低電平供給電壓輸出到第i行的供給線Zi。開(kāi)啟寫(xiě)晶體管21和保持晶體管22。此時(shí)，通過(guò)連接于信號(hào)線Y1至Yn的數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)器將具有與所述音調(diào)相應(yīng)的電流值的拔出(pull-out)電流通過(guò)供給線Zi、像素電路Di，l至Di，n的驅(qū)動(dòng)晶體管23和像素電路Di，l至Di，n的寫(xiě)晶體管21來(lái)提供給信號(hào)線Y1至Yn。通過(guò)數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)器將拔出電流的電流值控制到與該音調(diào)相應(yīng)的量值。此時(shí)，將具有與驅(qū)動(dòng)晶體管23的柵極23g與源極23s之間的電壓電平相應(yīng)的量值的電荷存儲(chǔ)到電容器24中。將該拔出電流的電流值轉(zhuǎn)換成驅(qū)動(dòng)晶體管23的柵極23g與源極23s之間的電壓電平。在其后的發(fā)光周期期間，通過(guò)掃描側(cè)驅(qū)動(dòng)器將掃描線Xi設(shè)置為低電平，從而關(guān)閉寫(xiě)晶體管21和保持晶體管22。然而，電荷被通過(guò)處于OFF狀態(tài)下的保持晶體管22限制在電容器24中，從而保持驅(qū)動(dòng)晶體管23的柵極23g與源極23s之間的電勢(shì)差。當(dāng)供給線Zi改變?yōu)楦唠娖?比有機(jī)電致發(fā)光元件Ei，j的陰極高的電平)時(shí)，驅(qū)動(dòng)電流從供給線Zi穿過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管23流向有機(jī)電致發(fā)光元件Ei，j，從而有機(jī)電致發(fā)光元件Ei，j發(fā)光。驅(qū)動(dòng)電流的電流值取決于驅(qū)動(dòng)晶體管23的柵極23g與源極23s之間的電壓。由于該原因，在發(fā)光周期期間的驅(qū)動(dòng)電流的電流值與在選擇周期期間的拔出電流的電流值相應(yīng)。
如上所述，在驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示面板和測(cè)試晶體管陣列板1期間，在第i行的選擇周期期間，電流從掃描線Xi穿過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管23和寫(xiě)晶體管21流向信號(hào)線Yj。由于該原因，如在該實(shí)施例中那樣，當(dāng)測(cè)量在每一個(gè)選擇周期期間流向信號(hào)線Y1至Yn的電流時(shí)，可以測(cè)試像素電路D1，1至Dm，n。由于在形成有機(jī)電致發(fā)光元件E1，1至Em，n之前可以從制造有機(jī)發(fā)光元件的生產(chǎn)線上除去有缺陷的晶體管陣列板1，所以可以抑制生產(chǎn)成本。
本發(fā)明不限于上述實(shí)施例，且在不脫離本發(fā)明的精神和范圍下可以作出該設(shè)計(jì)的各種改變和變形。
在上述實(shí)施例中，由于布置多路轉(zhuǎn)換器103，所以通過(guò)一個(gè)公共的電表106來(lái)順序地測(cè)量流向多個(gè)信號(hào)線Y1至Yn的測(cè)試電流。取代利用多路轉(zhuǎn)換器103，通過(guò)將電表連接于信號(hào)線Y1至Yn的每一個(gè)，來(lái)同時(shí)測(cè)量流向信號(hào)線Y1至Yn的測(cè)試電流。更為具體地，在上述實(shí)施例中，通過(guò)多路轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)器103電表106順序地接收流向信號(hào)線Y1至Yn的電流。然而，通過(guò)將多個(gè)電表分別連接于信號(hào)線Y1至Yn，可以同時(shí)接收來(lái)自信號(hào)線Y1至Yn的電流。在這種情況下，在每一行的選擇周期期間，僅需要供給一次測(cè)試電壓。
在上述實(shí)施例中，在不在晶體管陣列板1上形成有機(jī)電致發(fā)光元件E1，1至Em，n的情況下進(jìn)行測(cè)試。然而，也可以在將有機(jī)電致發(fā)光元件E1，1至Em，n形成于晶體管陣列板1之后進(jìn)行測(cè)試。在這種情況下，由于在測(cè)試之前不知道有缺陷的電路是否包含于像素電路D1，1至Dm，n中，所以不能通過(guò)從像素電路D1，1至Dm，n中除去有缺陷的電路來(lái)提高產(chǎn)量。然而，當(dāng)進(jìn)行與圖8中示出的顯示操作不同的如圖6中所示的測(cè)試時(shí)，可以選擇地測(cè)試像素電路D1，1至Dm，n。
在上述實(shí)施例中，將保持晶體管22的漏極連接于供給線Zi。然而，如圖9中所示，該漏極可以連接于掃描線Xi而不是供給線Zi。
在上述實(shí)施例中，所有的像素電路Di，j的晶體管為n溝道類型。然而，所有的晶體管可以為p溝道類型。在這種情況下，顛倒各種信號(hào)的高、低電平。反向連接每一晶體管的源極和漏極。
在上述實(shí)施例中，可變電壓源105的最低電壓為0V。如圖7中所示，可以將閾值電壓Vth(在該閾值電壓Vth情況中，電流開(kāi)始在驅(qū)動(dòng)晶體管23的源極23s與漏極23d之間流動(dòng))或接近于該閾值電壓的電壓設(shè)定為最低電壓。
在測(cè)試之后將驅(qū)動(dòng)晶體管23連接于有源矩陣電致發(fā)光顯示面板中的有機(jī)電致發(fā)光元件Ei，j的像素電極27。驅(qū)動(dòng)晶體管23可以不連接于有機(jī)電致發(fā)光元件Ei，j的陽(yáng)極而連接于陰極。
在上述實(shí)施例中，不在測(cè)試之前而是在測(cè)試之后設(shè)置有機(jī)電致發(fā)光元件。除有機(jī)電致發(fā)光元件之外的任何其它電流-音調(diào)-控制發(fā)光元件也可以在測(cè)試之后而不是在測(cè)試之前設(shè)置。
在上述實(shí)施例中，將從覆蓋信號(hào)線Y1至Yn的絕緣膜中暴露出的端子TY1至TYn布置于晶體管陣列板1的有效上邊11處。可以將該端子不布置于有效上邊11處而是布置于有效下邊12處或者在有效上邊11和有效下邊12處都布置。
當(dāng)信號(hào)線Y1至Yn的每一個(gè)的兩個(gè)端子在有效上邊11和有效下邊12處從絕緣膜中暴露出來(lái)時(shí)，一個(gè)端子可以連接于用于顯示驅(qū)動(dòng)的電流驅(qū)動(dòng)器，而另一個(gè)端子可以連接于用于測(cè)試的多路轉(zhuǎn)換器103。相似地，掃描線X1至Xm的端子TX1至TXm可以在晶體管陣列板1的有效右邊14處從覆蓋掃描線X1至Xm的絕緣膜中暴露出來(lái)。供給線Z1至Zm的端子TZ1至TZm可以在晶體管陣列板1的有效左邊13處從覆蓋供給線Z1至Zm的絕緣膜中暴露出來(lái)。
在上述實(shí)施例中，將信號(hào)線Y1至Yn垂直于掃描線X1至Xm和供給線Z1至Zm布置。然而，本發(fā)明不限于此。信號(hào)線Y1至Yn可以布置為平行于掃描線X1至Xm或供給線Z1至Zm。相似地，掃描線X1至Xm不需要總是平行于供給線Z1至Zm布置。
在上述實(shí)施例中，從可變電壓源105輸出的被調(diào)制的電壓對(duì)于每一個(gè)像素電路為線性的。相反，該電壓可以為非線性的。或者，該電勢(shì)可以逐步上升或下降，如圖10中所示。
在上述實(shí)施例中，可變電壓源105輸出多個(gè)音調(diào)電勢(shì)，且像素電路D1，1至Dm，n流過(guò)具有與多個(gè)音調(diào)電勢(shì)相應(yīng)的電流值的電流，從而確定像素電路D1，1至Dm，n是否對(duì)于多個(gè)音調(diào)正常流過(guò)音調(diào)電流。相反，可變電壓源105可以僅輸出一個(gè)音調(diào)電勢(shì)，且像素電路D1，1至Dm，n流過(guò)具有與該音調(diào)電勢(shì)相應(yīng)的電流值的電流，從而確定像素電路D1，1至Dm，n對(duì)于該單個(gè)音調(diào)是否正常流過(guò)單個(gè)音調(diào)電流。
權(quán)利要求
1.一種像素電路板(1)，包括至少一個(gè)像素電路(Di，j)；和至少一個(gè)信號(hào)線(Yj)，其連接于該像素電路，并且具有與測(cè)試電壓相應(yīng)的電流值的電流從該像素電路流向該至少一個(gè)信號(hào)線而不影響顯示元件(Ei，j)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的像素電路板，其中該像素電路包括驅(qū)動(dòng)晶體管(23)，寫(xiě)晶體管(21)，其將該驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極的其中之一連接于該信號(hào)線以向該信號(hào)線供給來(lái)自該驅(qū)動(dòng)晶體管的源極至漏極路徑的電流，和保持晶體管(22)，其向該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極施加預(yù)定電壓以設(shè)定一種狀態(tài)，在該狀態(tài)中電流可以流向該驅(qū)動(dòng)晶體管的該漏極至源極路徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的像素電路板，其還包括至少一個(gè)掃描線(Xi)和至少一個(gè)供給線(Zi)，且其中所述像素電路包括寫(xiě)晶體管(21)，其具有連接于所述掃描線的柵極以及漏極和源極，該漏極和源極其中之一連接于該信號(hào)線，保持晶體管(22)，其具有連接于所述掃描線的柵極以及漏極和源極，該漏極和源極其中之一連接于該供給線和掃描線的其中之一，和驅(qū)動(dòng)晶體管(23)，其具有連接于所述保持晶體管的漏極和源極中的另一個(gè)的柵極，該驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極和源極的其中之一連接于所述供給線，而該漏極和源極中的另一個(gè)連接于所述寫(xiě)晶體管的漏極和源極中的另一個(gè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的像素電路板，其中所述保持晶體管將預(yù)定電壓施加到所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極以設(shè)定所述狀態(tài)，在該狀態(tài)中，在測(cè)試之后的操作中的選擇周期期間所述電流流向所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述漏極至源極路徑，并在操作中的發(fā)光周期期間保持在測(cè)試之后的操作中的選擇周期期間施加到所述驅(qū)動(dòng)晶體管柵極的電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求2的像素電路板，其中，所述寫(xiě)晶體管將所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極的其中之一電連接于所述信號(hào)線，從而在測(cè)試之后的操作中的選擇周期期間將來(lái)自所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極至漏極路徑的電流供給到所述信號(hào)線，并在測(cè)試后的操作中的發(fā)光周期期間將所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述源極和漏極的其中之一與所述信號(hào)線斷開(kāi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2的像素電路板，其中，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極的其中之一電連接于像素電極(27)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6的任意一項(xiàng)的像素電路板，其中，在所述測(cè)試時(shí)不設(shè)置所述顯示元件。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6的任意一項(xiàng)的像素電路板，其中，在所述測(cè)試時(shí)，所述像素電路連接于所述顯示元件。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8的任意一項(xiàng)的像素電路板，其中，所述顯示元件為根據(jù)流向所述像素電路的電流來(lái)發(fā)射光的元件。
10.一種像素電路板(1)的測(cè)試方法，包括選擇像素電路(Di，j)的選擇步驟；和測(cè)試電流步驟，使具有與測(cè)試電壓相應(yīng)的電流值的電流從所述像素電路中流出而不影響顯示元件(Ei，j)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的像素電路板測(cè)試方法，其中在所述選擇步驟中，導(dǎo)通保持晶體管(22)和寫(xiě)晶體管(21)，該保持晶體管(22)向驅(qū)動(dòng)晶體管(23)的柵極施加預(yù)定電壓以設(shè)定電流流向所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極至源極路徑的狀態(tài)，該寫(xiě)晶體管(21)將所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極的其中之一電連接于信號(hào)線(Yj)以設(shè)定可以將來(lái)自該驅(qū)動(dòng)晶體管的源極至漏極路徑的電流供給到所述信號(hào)線的狀態(tài)，和在所述測(cè)試電流步驟中，將預(yù)定電壓施加到所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極至源極路徑以接收流向該驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極至源極路徑的的電流。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的像素電路板測(cè)試方法，其中根據(jù)流向所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極至源極路徑的的電流來(lái)確定該驅(qū)動(dòng)晶體管、該寫(xiě)晶體管和該保持晶體管是否正常。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的像素電路板測(cè)試方法，其中在所述選擇步驟中，從連接于所述寫(xiě)晶體管和所述保持晶體管的掃描線(Xi)輸入用來(lái)導(dǎo)通該寫(xiě)晶體管和該保持晶體管的信號(hào)，和在所述測(cè)試電流步驟中，向連接于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極的另一個(gè)的供給線(Zi)施加預(yù)定電壓以接收流經(jīng)該供給線、該驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極至源極路徑、該寫(xiě)晶體管和該信號(hào)線的電流。
14.根據(jù)權(quán)利要求11至13中的任意一項(xiàng)的像素電路板測(cè)試方法，其中提供多個(gè)信號(hào)線；提供多個(gè)像素電路，每個(gè)像素電路具有所述驅(qū)動(dòng)晶體管、寫(xiě)晶體管和保持晶體管，該像素電路連接于該信號(hào)線，并且在所述測(cè)試電流步驟中，順序地接收該多個(gè)信號(hào)線的電流。
15.一種像素電路(Di，j)，其流過(guò)具有與測(cè)試電壓相應(yīng)的電流值的電流，而不影響顯示元件(Ei，j)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的像素電路，還包括寫(xiě)晶體管，該寫(xiě)晶體管的漏極和源極其中之一連接于信號(hào)線、并且其柵極連接于掃描線，保持晶體管，其具有連接于所述掃描線的柵極以及源極和漏極，該源極和漏極其中之一連接于供給線，和驅(qū)動(dòng)晶體管，其具有連接于所述保持晶體管的漏極和源極中的另一個(gè)的柵極，以及漏極和源極，該漏極和源極其中之一連接于所述供給線，該漏極和源極中的另一個(gè)連接于所述寫(xiě)晶體管的漏極和源極中的另一個(gè)。
17.像素電路(Di，j)的測(cè)試方法，包括測(cè)試電流步驟，從該像素電路供給與測(cè)試電壓相應(yīng)的電流值的測(cè)試電流而不影響顯示元件(Ei，j)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的像素電路測(cè)試方法，其中，在所述測(cè)試電流步驟中，將電壓施加到掃描線(Xi)來(lái)導(dǎo)通寫(xiě)晶體管(21)和保持晶體管(22)，以向驅(qū)動(dòng)晶體管(23)的漏極至源極路徑供給電流，該寫(xiě)晶體管(21)的漏極和源極中之一連接于信號(hào)線(Yj)，該保持晶體管(22)的漏極和源極中之一連接于供給線(Zi)，其中該驅(qū)動(dòng)晶體管具有連接于該保持晶體管的漏極和源極中的另一個(gè)的柵極，以及漏極和源極，該漏極和源極其中之一連接于該寫(xiě)晶體管的漏極和源極中的另一個(gè)。
19.一種測(cè)試設(shè)備，包括電表(106)，其測(cè)量具有與測(cè)試電壓相應(yīng)的電流值的電流，該電流從像素電路(Di，j)中流出而不影響顯示元件(Ei，j)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的測(cè)試設(shè)備，還包括電路(104)，其導(dǎo)通寫(xiě)晶體管(21)和保持晶體管(22)，該寫(xiě)晶體管(21)將驅(qū)動(dòng)晶體管(23)的源極和漏極的其中之一電連接于信號(hào)線(Yj)以在測(cè)試中將來(lái)該自驅(qū)動(dòng)晶體管的源極至漏極路徑的電流供給到該信號(hào)線，該保持晶體管(22)向該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極施加預(yù)定電壓以設(shè)定在測(cè)試期間電流可以流向所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極至源極路徑的狀態(tài)。
全文摘要
一種像素電路，流過(guò)具有與測(cè)試電壓相應(yīng)的電流值的電流，而不影響任何顯示元件。
文檔編號(hào)G09G3/32GK1774734SQ200580000329
公開(kāi)日2006年5月17日 申請(qǐng)日期2005年3月24日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月30日
發(fā)明者白崎友之, 武居學(xué) 申請(qǐng)人:卡西歐計(jì)算機(jī)株式會(huì)社