專(zhuān)利名稱(chēng)：等離子顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于等離子顯示器，尤其是關(guān)于大型化和高解析度板的尋址電極通過(guò)單個(gè)掃描驅(qū)動(dòng)方式工作的一種等離子顯示器。
背景技術(shù)：
等離子顯示器(Plasma Display Panel以下稱(chēng)″PDP″)是通過(guò)氣體放電產(chǎn)生的紫外線接觸熒光體時(shí)，對(duì)從熒光體發(fā)出可視光線加以利用的顯示裝置。PDP和傳統(tǒng)顯示手段的陰極射線管(Cathode Ray TubeCRT)相比，具有薄而輕，可實(shí)現(xiàn)大型畫(huà)面功能的優(yōu)點(diǎn)。PDP由以矩陣形態(tài)排列的多數(shù)放電單元構(gòu)成，單個(gè)放電單元形成畫(huà)面的一個(gè)像素。
傳統(tǒng)的3電極交流面放電形PDP的放電單元包含設(shè)置在上部基板上的支持電極組的掃描電極和維持電極的上板；包含在下部基板上形成的支持電極組和交叉設(shè)置的尋址電極的下板；上板和下板之間形成放電空間的間隔壁。
這種構(gòu)造的PDP通過(guò)尋址電極和維持電極間的放電，經(jīng)相對(duì)選擇后，通過(guò)維持電極組間的面板持續(xù)放電。利用持續(xù)放電時(shí)產(chǎn)生的紫外線通過(guò)熒光體發(fā)光，可視光從單元外部被釋放。結(jié)果是，放電單元組調(diào)節(jié)持續(xù)放電的時(shí)間，徹底實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)灰度，放電單元組從而顯示以矩陣形態(tài)排列的PDP圖像。
驅(qū)動(dòng)這種PDP的尋址電極，將引發(fā)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器直接電路放電，導(dǎo)致對(duì)尋址電極供給高電壓，將產(chǎn)生電力消耗增大，費(fèi)用增多的缺點(diǎn)。更為詳細(xì)的說(shuō)，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器直接電路的電力消耗是與尋址電極的長(zhǎng)度和尋址電極線數(shù)及面板寄生電容器成比例增。即，為實(shí)現(xiàn)高清晰度，增大顯示范圍，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器直接電路的電力消耗也將增大。
為解決此類(lèi)問(wèn)題，如圖1所示，驅(qū)動(dòng)方法是通過(guò)雙重掃描尋址電極(X)驅(qū)動(dòng)的方式進(jìn)行。
圖1所示的PDP包括以下組成通過(guò)雙重掃描驅(qū)動(dòng)尋址電極(X)進(jìn)行工作的2個(gè)尋址驅(qū)動(dòng)部6，10；驅(qū)動(dòng)掃描電極(X)的掃描驅(qū)動(dòng)部2；驅(qū)動(dòng)維持電極(Z)的維持驅(qū)動(dòng)部4。在這里，第1尋址驅(qū)動(dòng)部6順次驅(qū)動(dòng)位于顯示板8上部的第1尋址電極組(X11至X1m)，第2尋址驅(qū)動(dòng)部10順次驅(qū)動(dòng)位于顯示板8下部的第2尋址電極組(X21至X2m)這種情況下，第1和第2尋址驅(qū)動(dòng)部6、10如圖2所示，通過(guò)同時(shí)順次掃描第1和第2尋址電極組(X11至X1m，X21至X2m)，可將尋址時(shí)間減少1/2。但是，雙重掃描驅(qū)動(dòng)方式多數(shù)需要包含各個(gè)驅(qū)動(dòng)部6、10的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器直接電路，這將升高制造的單價(jià)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了解決上述問(wèn)題，提供一種關(guān)于大型化和高清晰度板的尋址電極通過(guò)單個(gè)掃描驅(qū)動(dòng)方式工作的等離子顯示器。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示器構(gòu)造組成如下上部基板上設(shè)置的上部電極；與上部基板相對(duì)的下部基板上設(shè)置有與上述上部電極交叉的下部電極；形成于上部基板和下部基板之間，劃分出放電空間的間隔壁；為覆蓋下部電極而形成的下部導(dǎo)電體層。位于各個(gè)上述鄰近的放電空間的尋址電極組之間的間距在上述放電空間幅度以下，同時(shí)是上述下部導(dǎo)電體層厚度的8-12倍。
上述尋址電極組間的間隔距離為180-190μm。
上述下部導(dǎo)電體層厚度為17-21μm。
上述下部電極組順次被尋址脈沖識(shí)別。
除此之外，將參照附圖對(duì)本發(fā)明的其他目的和特點(diǎn)進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
本發(fā)明的效果與上述相同，在本發(fā)明的等離子顯示器中，位于各個(gè)上述鄰近的放電空間的尋址電極組之間的間距在上述放電空間的幅度以下，同時(shí)是上述上部導(dǎo)電體層厚度的8-11倍。這種情況下，尋址電極間的寄生電容的容量值和傳統(tǒng)相比減少。和減少的寄生電容器的容量成正比，尋址電流變小，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器直接電路的電力消耗就隨之變小。此外，根據(jù)本發(fā)明，PDP顯示畫(huà)面的時(shí)候，可以防止水平方向不穩(wěn)定的抖動(dòng)產(chǎn)生的偏差。此外，本發(fā)明是通過(guò)單個(gè)掃描(singleScan)等離子顯示器的方式工作。
為進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明的上述目的、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和效果，以下將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的描述。


圖1是通過(guò)傳統(tǒng)的雙掃描驅(qū)動(dòng)方式工作的等離子顯示器。
圖2是圖1所示識(shí)別尋址電極的尋址脈沖波形圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示器平面圖。
圖4是圖3所示等離子顯示器的斷面圖。
圖5是如圖3所示，驅(qū)動(dòng)電極的驅(qū)動(dòng)部分。
圖6是如圖5所示，識(shí)別尋址電極的尋址脈沖波形圖。
附圖主要部分符號(hào)說(shuō)明1，42基板48，52導(dǎo)電體層50保護(hù)膜 54間隔壁56熒光體層 X尋址電極Y掃描電極Z維持電極具體實(shí)施方式

以下，參照?qǐng)D3至圖6對(duì)本發(fā)明的等離子顯示器的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示器平面圖，圖4是如圖3所示等離子顯示器的斷面圖。
參照?qǐng)D3和圖4，根據(jù)本發(fā)明的PDP具備上部基板40上形成的掃描電極(Y)和維持電極(Z)，下部基板42上形成的尋址電極(X)。
掃描電極(Y)和維持電極(Z)分別是透明電極44Y、44Z和在透明電極44Y、44Z一側(cè)上端形成的，線幅比透明電極44Y、44Z的線幅小的總線電極46Y、46Z。透明電極44Y、44Z通常采用銦錫氧化物(Indium Tin OxideITO)在上部基板40上形成?？偩€電極46Y、46Z由在透明電極44Y、44Z上的導(dǎo)電率高的金屬形成，通過(guò)電阻高的透明電極44Y、44Z起到減少電壓下降的作用。
掃描電極(Y)和維持電極(Z)并排形成的上部基板40中，上部導(dǎo)電體層48和保護(hù)膜50相疊加。上部導(dǎo)電體48中積累等離子放電時(shí)產(chǎn)生的壁電荷。保護(hù)膜50防止等離子放電時(shí)產(chǎn)生的激射對(duì)上部導(dǎo)電體層48造成損害，同時(shí)提高第2次電子釋放的效率。保護(hù)膜50通常利用氧化鎂(MgO)生產(chǎn)。
形成有尋址電極(X)的下部基板42上，形成有下部導(dǎo)電體層52和間隔壁54，在下部導(dǎo)電體層52和間隔壁54表面涂抹熒光體。尋址電極(X)是在掃描電極(Y)和維持電極(Z)交叉的方向形成。間隔壁54通過(guò)形成的關(guān)閉型間隔壁，防止紫外線和可視光從鄰近的放電單元中漏出。熒光體56等離子放電時(shí)產(chǎn)生的紫外線產(chǎn)生紅色，綠色和藍(lán)色中任意一種可視光線。上/下基板40、42和間隔壁54之間形成的放電空間中，為氣體放電注入惰性氣體。
一方面，根據(jù)本發(fā)明的鄰近放電單元的尋址電極(X)間的間隔距離(d)是放電單元單位范圍以下，是以下部導(dǎo)電體層52厚度(Wb)為基準(zhǔn)的約8-11倍。尋址電極(X)的幅度(Wa)約為80-100μm，為達(dá)到防止下部導(dǎo)電體層52的絕緣影響的厚度(Wb)，約為17-21μm的厚度(Wb)，鄰近的放電組中的尋址電極組(X)有180-190μm的間隔距離。
與上述條件相同的情況下，與數(shù)學(xué)式1類(lèi)似，與照尋址電極(X)間的電容器(C)的用電值成正比的下部導(dǎo)電體層52的厚度(Wb)比傳統(tǒng)的要低。并且，與尋址電極(X)間的寄生電容器(C)的用電值成反比的尋址電極(X)間的距離(d)比傳統(tǒng)的要遠(yuǎn)，尋址電極(X)間寄生電容器(C)的用電值與傳統(tǒng)相比將降低。
數(shù)學(xué)式1C=δWbd]]>與傳統(tǒng)相比，與減少的寄生的用電值成正比，尋址電流度變小，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器直接電路的電力消耗也隨之減少。此外，根據(jù)本發(fā)明的PDP顯示畫(huà)面時(shí)，可以防止水平方向不穩(wěn)定的抖動(dòng)產(chǎn)生的偏差。
一方面，R，G，B(紅、綠、藍(lán))放電單元其他幅度不同的情況下，電極(X)間的間距也隨著放電單元的變化而改變。舉例說(shuō)明，第1尋址電極(X1)形成的第i號(hào)放電單元和第2尋址電極(X2)形成的第i+1號(hào)放電單元的幅度不同的的情況下，第i號(hào)放電單元的整體幅度和第i+1號(hào)放電單元的整體幅度之和的平均值中，第1和第2尋址電極組(X1，X2)間的間距(d)是以下部導(dǎo)電體層52的厚度(Wb)為基準(zhǔn)的約8-11倍。
與此相同，以下部導(dǎo)電體層52的厚度為基準(zhǔn)，在比放電單元幅度小的范圍內(nèi)，裝備具有約8-11倍間距(d)尋址電極組的(X)PDP可減少尋址電流，利用如圖5所示的驅(qū)動(dòng)裝置通過(guò)單個(gè)掃描(single Scan)的方式工作。
如圖5所示，驅(qū)動(dòng)裝置具有以下組成結(jié)構(gòu)為使面板108的掃描電極(Y1至Yn)工作的驅(qū)動(dòng)部102；為使面板108的維持電極(Z)工作的維持驅(qū)動(dòng)部104；為使面板108的尋址電極(X)工作的尋址驅(qū)動(dòng)部106。
掃描驅(qū)動(dòng)部102在定時(shí)控制器(未在圖中標(biāo)出)的控制下，在初始化時(shí)間期間，將上升斜波和下降斜波提供給掃描電極組(Y1至Yn)，初始化全畫(huà)面。同時(shí)，掃描驅(qū)動(dòng)部102在尋址時(shí)間期間，將負(fù)極的掃描脈沖順次提供給掃描電極組(Y1至Yn)，選擇掃描線。連接尋址時(shí)間的維持時(shí)間期間內(nèi)，掃描部102向掃描電極提供與電路加權(quán)值相對(duì)應(yīng)的維持脈沖。
維持驅(qū)動(dòng)部104在定時(shí)控制器的控制下，在初始化期間建立的時(shí)間和尋址的時(shí)間內(nèi)，向維持電極組(Z)提供持續(xù)維持電壓的直流電壓。同時(shí)，維持時(shí)間期間內(nèi)，維持驅(qū)動(dòng)部104與掃描驅(qū)動(dòng)部106輪換工作，提供給維持電極組(Z)維持脈沖。
尋址驅(qū)動(dòng)部106如圖6所示，尋址時(shí)間內(nèi)，為驅(qū)動(dòng)負(fù)極性掃描脈沖，對(duì)尋址電極組(X1至Xm)中正極性的尋址脈沖順次識(shí)別。
本技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，以上的實(shí)施例僅是用來(lái)說(shuō)明本發(fā)明，而并非用作為對(duì)本發(fā)明的限定，只要在本發(fā)明的實(shí)質(zhì)精神范圍內(nèi)，對(duì)以上所述實(shí)施例的變化、變型都將落在本發(fā)明權(quán)利要求書(shū)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示器，其特征在于包括上部基板上形成的上部電極；與上述上部基板相對(duì)的下部基板上設(shè)置的與上述上部電極交叉的下部電極組；形成于上述上部基板和下部基板之間，劃分出放電空間的間隔壁；為覆蓋上述下部電極組而形成的下部導(dǎo)電體層；位于各個(gè)上述鄰近的放電空間的各個(gè)尋址電極組間的間距在上述放電空間的幅度以下，同時(shí)是上述下部導(dǎo)電體層厚度的8-12倍。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器，其特征在于上述尋址電極組間的間距為180-190μm。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子顯示器，其特征在于上述下部導(dǎo)電體層厚度為17-21μm。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器，其特征在于上述下部電極組中尋址脈沖順次被識(shí)別。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于等離子顯示器，是尋址電極通過(guò)單個(gè)掃描驅(qū)動(dòng)方式工作的大型化和高清晰度板的等離子顯示器。本發(fā)明等離子顯示器構(gòu)造組成如下上部基板上設(shè)置的上部電極；與上部基板相對(duì)的下部基板上設(shè)置有與上述上部電極組交叉的下部電極；形成于上部基板和下部基板之間，劃分出放電空間的間隔壁；為覆蓋下部電極組而形成的下部導(dǎo)電體層；位于各個(gè)上述鄰近的放電空間的尋址電極組之間的間距在上述放電空間的幅度以下，同時(shí)是上述下部導(dǎo)電體層厚度的8－12倍。本發(fā)明可以防止等離子顯示器水平方向不穩(wěn)定的抖動(dòng)產(chǎn)生的偏差。
文檔編號(hào)G09F9/313GK1971666SQ200510110800
公開(kāi)日2007年5月30日 申請(qǐng)日期2005年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月25日
發(fā)明者李基凡, 金軫榮, 金允基, 金元泰 申請(qǐng)人:樂(lè)金電子(南京)等離子有限公司