專利名稱：等離子體顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示設(shè)備，其中使用等離子體顯示面板。
背景技術(shù)：
為驅(qū)動(dòng)等離子體顯示面板(PDP)，一個(gè)單場(one-field)顯示周期包括多個(gè)子場(subfield)，每個(gè)子場包括一個(gè)尋址周期和一個(gè)維持周期，從而在多個(gè)層次水平(gradation level)顯示圖像。在層次顯示方法中，當(dāng)為更高的清晰度而增加顯示行數(shù)量時(shí)或當(dāng)為更多數(shù)量的層次水平而增加子場數(shù)量時(shí)，尋址周期在單場顯示周期中的比例相對(duì)增加。如果只是簡單地將掃描脈沖的寬度變窄以限制尋址周期的增加，由于延遲的放電等，選擇性放電變得不確定。為解決該問題，采用了這樣一種驅(qū)動(dòng)方法將PDP的列電極分為兩組，即面板的上方區(qū)域和下方區(qū)域，并且允許在面板的上方區(qū)域和下方區(qū)域中同時(shí)進(jìn)行地址掃描，從而將尋址周期降低到一半?？紤]到諸如NTSC標(biāo)準(zhǔn)視頻信號(hào)這樣的隔行掃描視頻信號(hào)，這里使用場，其對(duì)應(yīng)于非隔行掃描視頻信號(hào)中的一個(gè)幀。


圖1示出了應(yīng)用傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)方法的等離子體顯示設(shè)備的配置。該等離子體顯示設(shè)備包括PDP 100；驅(qū)動(dòng)控制電路101；X行電極驅(qū)動(dòng)電路102；Y行電極驅(qū)動(dòng)電路103；上方列電極驅(qū)動(dòng)電路104；下方列電極驅(qū)動(dòng)電路105。PDP 100包括作為地址電極的列電極Du1-Dum和Dd1-Ddm；以及與這些列電極交叉排列的行電極X1-Xn和行電極Y1-Yn。列電極Du1-Dum是面板上方區(qū)域中的列電極，與行電極X1-Xn/2和行電極Y1-Yn/2交叉。列電極Dd1-Ddm是面板下方區(qū)域中的列電極，與行電極Xn/2+1-Xn和行電極Yn/2+1-Yn交叉。行電極(X1，Y1)、(X2，Y2)、(X3，Y3)……(Xn，Yn)分別作為PDP 100上的第一顯示行至第n顯示線。在每條顯示線與列電極Du1-Dum和列電極Dd1-Ddm中每一個(gè)電極的交叉點(diǎn)處，形成一個(gè)顯示單元CS，作為一個(gè)像素。
根據(jù)上述子場方法，響應(yīng)于輸入視頻信號(hào)，驅(qū)動(dòng)控制電路101向相應(yīng)的X行電極驅(qū)動(dòng)電路102、Y行電極驅(qū)動(dòng)電路103、上方列電極驅(qū)動(dòng)電路104和下方列電極驅(qū)動(dòng)電路105產(chǎn)生控制信號(hào)。
圖2示出了根據(jù)該子場方法的發(fā)光驅(qū)動(dòng)序列。在該發(fā)光驅(qū)動(dòng)序列中，在輸入視頻信號(hào)的每個(gè)場(幀)的顯示周期中，即，在顯示一屏圖像所用的一個(gè)單位顯示周期中，執(zhí)行N個(gè)子場SF1-SFN。子場SF1-SFN中的每個(gè)子場都包括一個(gè)尋址階段W、一個(gè)維持階段I和一個(gè)擦除階段E。只有第一個(gè)子場SF1包括一個(gè)復(fù)位階段R。在每個(gè)場中，以遞增的順序?qū)@些子場SF1-SFN進(jìn)行亮度加權(quán)。具體而言，第一個(gè)子場SF1具有最小的亮度加權(quán)系數(shù)，而最后一個(gè)子場SFN具有最大的亮度加權(quán)系數(shù)。首先將尋址階段W中的掃描脈沖施加到面板上方區(qū)域中的行電極Y1上，然后按照Y2、Y3、……Yn/2的次序順序地將其施加到行電極Y2、Y3、……Yn/2上。在該施加的同時(shí)，將該掃描脈沖施加到面板下方區(qū)域的行電極Yn上，然后按照Yn-1、Yn-2、……Yn/2+1的次序順序地將其施加到行電極Yn-1、Yn-2、……Yn/2+1上。
響應(yīng)于驅(qū)動(dòng)控制電路101提供的控制信號(hào)，X行電極驅(qū)動(dòng)電路102將多種驅(qū)動(dòng)脈沖施加到PDP 100的各行電極X1-Xn上。響應(yīng)于驅(qū)動(dòng)控制電路101提供的控制信號(hào)，Y行電極驅(qū)動(dòng)電路103將多種驅(qū)動(dòng)脈沖施加到PDP 100的各行電極Y1-Yn上。響應(yīng)于驅(qū)動(dòng)控制電路101提供的控制信號(hào)，上方列電極驅(qū)動(dòng)電路104將像素?cái)?shù)據(jù)脈沖施加到PDP 100的列電極Du1-Dum上。響應(yīng)于驅(qū)動(dòng)控制電路101提供的控制信號(hào)，下方列電極驅(qū)動(dòng)電路105將像素?cái)?shù)據(jù)脈沖施加到PDP 100的列電極Dd1-Ddm上。
圖3是示出了將多種驅(qū)動(dòng)脈沖施加到從子場SF1-SFN中提取的子場SF1中的列電極D、行電極X1-Xn和Y上的時(shí)序的圖。
首先，在只有第一個(gè)子場SF1執(zhí)行的復(fù)位階段R中，X行電極驅(qū)動(dòng)電路102將圖3所示的負(fù)極性的復(fù)位脈沖RPX同時(shí)施加到行電極X1-Xn上。此外，在施加復(fù)位脈沖RPX的同時(shí)，Y行電極驅(qū)動(dòng)電路103將具有脈沖波形的正極性的第一復(fù)位脈沖RPY1同時(shí)施加到行電極Y1-Yn上，所述第一復(fù)位脈沖RPY1的電壓值隨時(shí)間慢慢增加直至峰值電壓值，如圖3所示。通過同時(shí)施加復(fù)位脈沖RPY1和負(fù)極性的復(fù)位脈沖RPX，在所有顯示單元中的每一個(gè)顯示單元中的X行電極和Y行電極之間產(chǎn)生第一復(fù)位放電。在第一復(fù)位放電結(jié)束之后，在每個(gè)顯示單元的放電空間中形成預(yù)定量的壁電荷(wall charge)。隨后，Y行電極驅(qū)動(dòng)電路103產(chǎn)生負(fù)極性的第二復(fù)位脈沖RPY2，其電壓在下降沿緩慢變化，并將第二復(fù)位脈沖RPY2同時(shí)施加到所有行電極Y1-Yn上。響應(yīng)于施加第二復(fù)位脈沖RPY2，在所有顯示單元中每一個(gè)顯示單元中的X行電極和Y行電極之間產(chǎn)生第二復(fù)位放電。第二復(fù)位放電使在所有顯示單元中的每一個(gè)顯示單元中形成的壁電荷消失。
然后，在每個(gè)子場的尋址階段W中，上方列電極驅(qū)動(dòng)電路104和下方列電極驅(qū)動(dòng)電路105各產(chǎn)生像素?cái)?shù)據(jù)脈沖，用于設(shè)置是否應(yīng)該根據(jù)輸入視頻信號(hào)驅(qū)動(dòng)各放電單元以在該子場中發(fā)光。上方列電極驅(qū)動(dòng)電路104順序地將一個(gè)顯示線的像素?cái)?shù)據(jù)脈沖(m)作為一組像素?cái)?shù)據(jù)脈沖DP1、DP2、……DPn/2，施加到列電極Du1-Dum上。下方列電極驅(qū)動(dòng)電路105順序地將一個(gè)顯示線的像素?cái)?shù)據(jù)脈沖作為一組像素?cái)?shù)據(jù)脈沖DPn、DPn-1、……DPn/2+1，施加到列電極Dd1-Ddm上。與此同時(shí)，與像素?cái)?shù)據(jù)脈沖DP1-DPn/2中的每一個(gè)的時(shí)序同步，Y行電極驅(qū)動(dòng)電路103順序地將負(fù)極性掃描脈沖施加到行電極Y1-Yn/2上，并且，與像素?cái)?shù)據(jù)脈沖DPn-DPn/2+1中的每一個(gè)的時(shí)序同步，順序地將該負(fù)極性掃描脈沖SP施加到行電極Yn-Yn/2+1上。在這種情況下，只在那些施加了該掃描脈沖SP并且還施加了高壓的像素?cái)?shù)據(jù)脈沖的顯示單元中產(chǎn)生放電(選擇性放電)，導(dǎo)致在這些顯示單元中的每一個(gè)顯示單元的放電空間中形成預(yù)定量的壁電荷。通過執(zhí)行尋址階段W，將各放電單元設(shè)置到照亮單元狀態(tài)和未照亮單元狀態(tài)中之一，其中在照亮單元狀態(tài)下，存在預(yù)定量的壁電荷，而在未照亮狀態(tài)下，不存在壁電荷。
接下來，在每個(gè)子場的維持階段I中，X行電極驅(qū)動(dòng)電路102和Y行電極驅(qū)動(dòng)電路103各將正極性的維持脈沖IPX、IPY施加到行電極X1-Xn、Y1-Yn上很多次，其次數(shù)(持續(xù)時(shí)間)對(duì)應(yīng)于該子場的亮度加權(quán)。在各子場SF1-SFN的維持階段I中，在每次施加維持脈沖IPX或IPY時(shí)，只有那些處于上述照亮單元狀態(tài)下的放電單元為維持該光而放電。
然后，在每個(gè)子場的擦除階段E中，Y行電極驅(qū)動(dòng)電路103順序地將圖3所示的負(fù)極性擦除脈沖EP施加到行電極Y1-Yn上。響應(yīng)于施加擦除脈沖EP，那些在先前的維持階段I中產(chǎn)生維持放電的放電單元中產(chǎn)生擦除放電。擦除放電使在這些顯示單元中形成的壁電荷消失，從而使放電單元轉(zhuǎn)換到未照亮單元狀態(tài)。
但是，在傳統(tǒng)的等離子體顯示設(shè)備中，從面板上端的一條顯示線和下端的一條顯示線，向著鄰接分開列電極的邊界的那條顯示線順序地執(zhí)行地址掃描。在這種地址掃描技術(shù)中，被分為上方部分和下方部分的每個(gè)列電極組都需要一個(gè)列電極驅(qū)動(dòng)電路，從而導(dǎo)致較高的成本。此外，地址放電的穩(wěn)定性的問題仍未改變，這是因?yàn)榕c首先掃描的顯示線相比，在以后掃描的顯示線中更難發(fā)生地址放電。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種等離子體顯示設(shè)備和驅(qū)動(dòng)方法，其能夠加快地址掃描，而不會(huì)損害地址掃描的穩(wěn)定性。
根據(jù)本發(fā)明的一種等離子體顯示設(shè)備，包括一個(gè)等離子體顯示面板，包括構(gòu)成顯示線的多個(gè)行電極對(duì)、與所述多個(gè)行電極對(duì)相交的多個(gè)列電極以及在所述行電極對(duì)與所述列電極的每個(gè)交叉點(diǎn)處形成的各顯示單元，每個(gè)所述顯示單元具有氧化鎂層，其包括受電子束激勵(lì)而發(fā)出陰極發(fā)射光的氧化鎂晶體，其中所述陰極發(fā)射光在200至300nm波長范圍內(nèi)有一個(gè)峰值；一個(gè)行電極驅(qū)動(dòng)電路，用于驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)行電極對(duì)中的每一對(duì)；以及一個(gè)列電極驅(qū)動(dòng)電路，用于驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)列電極中的每一個(gè)電極，從而在一個(gè)單場顯示周期中顯示一個(gè)中間色圖像，該單場顯示周期被分為多個(gè)子場，每個(gè)子場包括一個(gè)尋址周期和一個(gè)維持周期，其中，在所述尋址周期中，所述行電極驅(qū)動(dòng)電路將一個(gè)掃描脈沖依次施加在所述行電極對(duì)的一行電極上，而所述列電極驅(qū)動(dòng)電路將與所述掃描脈沖所施加到的顯示線相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)脈沖施加在所述列電極上。
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示面板的方法，該等離子體顯示面板包括構(gòu)成顯示線的多個(gè)行電極對(duì)、與所述多個(gè)行電極對(duì)相交的多個(gè)列電極以及在所述行電極對(duì)與所述列電極的每個(gè)交叉點(diǎn)處形成的各顯示單元，每個(gè)所述顯示單元具有氧化鎂層，其包括受電子束激勵(lì)而發(fā)出陰極發(fā)射光的氧化鎂晶體，所述陰極發(fā)射光在200至300nm波長范圍內(nèi)有一個(gè)峰值，從而在一個(gè)單場顯示周期中顯示一個(gè)中間色圖像，該單場顯示周期被分為多個(gè)子場，每個(gè)子場包括一個(gè)尋址周期和一個(gè)維持周期；所述方法包括以下步驟在所述尋址周期中，將一個(gè)掃描脈沖依次施加在所述行電極對(duì)的一行電極上，將與所述掃描脈沖所施加到的顯示線相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)脈沖施加在所述列電極上。
附圖簡述圖1是概括示出傳統(tǒng)等離子體顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是示出圖1所示等離子體顯示設(shè)備中使用的典型的發(fā)光驅(qū)動(dòng)序列的示意圖；圖3是示出在PDP上施加根據(jù)圖2所示發(fā)光驅(qū)動(dòng)序列施加的多種驅(qū)動(dòng)脈沖以及施加這些脈沖的時(shí)序的示意圖；圖4是概括示出根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是示意地示出當(dāng)從圖4中的設(shè)備顯示屏一側(cè)觀看時(shí)該P(yáng)DP的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的前視圖；圖6是沿著圖5所示V3-V3線截取的剖面圖；圖7是沿著圖5所示W(wǎng)2-W2線截取的剖面圖；圖8是示出具有立方多晶體結(jié)構(gòu)的氧化鎂單晶體的示意圖；圖9是示出具有立方多晶體結(jié)構(gòu)的氧化鎂單晶體的示意圖；圖10是示出氧化鎂單晶體粉末如何粘附到介質(zhì)層和凸起的介質(zhì)層的表面從而形成氧化鎂層的示意圖；圖11是示出圖4所示等離子體顯示設(shè)備中使用的典型的發(fā)光驅(qū)動(dòng)序列的示意圖；圖12是示出在PDP上根據(jù)該光發(fā)射驅(qū)動(dòng)序列施加的多種驅(qū)動(dòng)脈沖以及施加脈沖的時(shí)序的示意圖；圖13是示出氧化鎂單晶體粉末的晶粒直徑和CL發(fā)光波長之間的關(guān)系的曲線圖；圖14是示出氧化鎂單晶體粉末的晶粒直徑和235nm的CL發(fā)光強(qiáng)度之間的關(guān)系的曲線圖；圖15是示出當(dāng)在顯示單元PC中沒有形成氧化鎂層時(shí)的放電概率、當(dāng)根據(jù)傳統(tǒng)氣相沉積方法形成氧化鎂層時(shí)的放電概率以及當(dāng)在多個(gè)晶體結(jié)構(gòu)中形成氧化鎂層時(shí)的放電概率的曲線圖；圖16是示出峰值為235nm的CL發(fā)光強(qiáng)度和放電延遲時(shí)間的對(duì)應(yīng)關(guān)系的曲線圖；以及圖17是概括示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)的示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面參考附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施例。
圖4是概括示出根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)的示意圖。
如圖4所示，該等離子體顯示設(shè)備包括PDP 50，作為等離子體顯示面板；X行電極驅(qū)動(dòng)電路51；Y行電極驅(qū)動(dòng)電路53；列電極驅(qū)動(dòng)電路55；以及驅(qū)動(dòng)控制電路56。
PDP 50是用分別在二維顯示屏的垂直方向上延伸的列電極D1-Dm以及分別在該二維顯示屏的水平方向上延伸的行電極X1-Xn和行電極Y1-Yn形成的。在這種情況下，相互成對(duì)毗鄰的行電極對(duì)(Y1，X1)、(Y2，X2)、(Y3，X3)、……(Yn，Xn)在PDP 50上形成第一顯示線至第n顯示線。在各顯示線與各列電極D1-Dm的交叉點(diǎn)處(圖4中單點(diǎn)鏈線包圍的區(qū)域)，形成一個(gè)顯示單元PC，作為一個(gè)像素。換言之，在PDP 50上，屬于第一顯示線的顯示單元PC1，1-PC1，m、屬于第二顯示線的顯示單元PC2，1-PC2，m、……屬于第n顯示線的顯示單元PCn，1-PCn，m以矩陣形式排列。
列電極D1-Dm、行電極X1-Xn和行電極Y1-Yn中的每一個(gè)電極都是用端子t形成的，從而列電極D1-Dm中每一個(gè)電極都通過其端子t連接到列電極驅(qū)動(dòng)電路55；行電極X1-Xn中每一個(gè)電極都通過其端子t連接到X行電極驅(qū)動(dòng)電路51；以及行電極Y1-Yn中每一個(gè)電極都通過其端子t連接到Y(jié)行電極驅(qū)動(dòng)電路53。
圖5是示意地示出當(dāng)從顯示器表面?zhèn)扔^看時(shí)PDP 50的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的前視圖。在圖5中，提取出列電極D1-D3中每一個(gè)電極與第一顯示線(Y1，X1)和第二顯示線(Y2，X2)的交叉點(diǎn)進(jìn)行說明。圖6是沿著圖5中V3-V3線截取的PDP 50的剖面圖，圖7是沿著圖5中W2-W2線截取的PDP 50的剖面圖。
如圖5所示，每個(gè)行電極X包括總線電極Xb，在二維顯示屏的水平方向上延伸；以及T形透明電極Xa，設(shè)置成與對(duì)應(yīng)于總線電極Xb上各顯示單元PC的位置接觸。每個(gè)行電極Y包括總線電極Yb，在二維顯示屏的水平方向上延伸；T形透明電極Ya，設(shè)置成與對(duì)應(yīng)于總線電極Yb上各顯示單元PC的位置接觸。透明電極Xa、Ya是用導(dǎo)電的透明薄膜制成的，如ITO等，而總線電極Xb、Yb是用例如金屬薄膜制成的。包括透明電極Xa和總線電極Xb的行電極X以及包括透明電極Ya和總線電極Yb的行電極Y形成于正面透明襯底的背面一側(cè)，其前面一側(cè)是PDP 50的顯示屏，如圖6所示。在這種結(jié)構(gòu)中，各行電極對(duì)(X，Y)中的透明電極Xa、Ya向行電極延伸，并與其形成一對(duì)，它們較寬部分的峰側(cè)通過預(yù)定寬度的放電空隙g1彼此相對(duì)。此外，在正面透明襯底10的背面一側(cè)，形成黑色或暗色的光吸收層(光屏蔽層)11，從而在行電極對(duì)(X1，Y1)與毗鄰于該行電極對(duì)的行電極對(duì)(X2，Y2)之間的二維顯示屏的水平方向上延伸。此外，在正面透明襯底10的背面一側(cè)，形成介質(zhì)層12，從而覆蓋行電極對(duì)(X，Y)。在介質(zhì)層12的背面一側(cè)(與和該行電極對(duì)接觸的表面相對(duì)的表面)，在對(duì)應(yīng)于用光吸收層11和與這一光吸收層11相鄰的總線電極Xb、Yb形成的區(qū)域的部分中，形成一個(gè)凸起的介質(zhì)層12A。在介質(zhì)層12和凸起介質(zhì)層12A的表面上形成氧化鎂層13，其包括氣相方法氧化鎂晶體(MgO)的單晶體粉末。
在與正面透明襯底10平行排列的背面襯底14上，形成各列電極D，其在垂直于行電極對(duì)(X，Y)的方向上延伸，所處位置與各行電極對(duì)(X，Y)中的透明電極Xa、Ya相對(duì)。在背面襯底14上，還形成白色的列電極保護(hù)層15，用于覆蓋列電極D。在列電極保護(hù)層15上形成隔離物16。隔離物16為梯形，其水平壁16A在二維顯示屏的水平方向上延伸，所處的位置對(duì)應(yīng)于各行電極對(duì)(X，Y)的各總線電極Xb、Yb，其垂直壁16B在二維顯示屏的垂直方向上延伸，處于彼此相鄰的列電極D之間的每個(gè)中間位置。對(duì)于每條顯示線，隔離物16形成為圖5所示的梯形，在彼此相鄰的隔離物16之間存在圖5所示的間隙SL。此外，梯形隔離物16定義顯示單元PC，顯示單元PC各包括一個(gè)獨(dú)立的放電空間S和透明電極Xa、Ya。放電空間中充滿了包括氙氣在內(nèi)的放電氣體。在各顯示單元PC中的水平壁16A的側(cè)表面、垂直壁16B的側(cè)表面、列電極保護(hù)層15的表面上，形成熒光材料層17，以覆蓋這些表面，如圖6所示。實(shí)際上，熒光材料層17包括三種類型的材料，用于產(chǎn)生紅光、綠光和藍(lán)光。在每個(gè)顯示單元PC的放電空間S和間隙SL的中間，水平壁16A和氧化鎂層13相互鄰接，如圖6所示。另一方面，如圖7所示，氧化鎂層13與垂直壁16B不相鄰接，從而它們中間存在空隙r1。換言之，在二維顯示屏上的水平方向上相互鄰近的顯示單元PC的放電空間S通過空隙r1相互連通。
在這里，形成氧化鎂層13的氧化鎂晶體，包括通過加熱鎂從而產(chǎn)生鎂蒸汽并且在氣相下氧化鎂蒸汽，例如，氣相方法鎂晶體，而產(chǎn)生的氧化鎂晶體，其中所述氣相方法鎂晶體受照射到其上的電子束激勵(lì)，從而執(zhí)行陰極發(fā)射光發(fā)射，該陰極發(fā)射光在波長范圍200至300nm(特別是，在230-250nm中的235nm附近)的范圍內(nèi)有一個(gè)峰值。氣相方法氧化鎂晶體包括鎂單晶體，其直徑為2000?；蚋螅哂衅渲泄虘B(tài)晶體相互配合的多晶體結(jié)構(gòu)，例如，如圖8的SEM照片所示，或者，具有如圖9的SEM照片所示的固態(tài)單晶體結(jié)構(gòu)。與其他方法產(chǎn)生的氧化鎂相比，該鎂單晶體具有純度高、顆粒更精細(xì)、晶粒聚集度較低等優(yōu)點(diǎn)，有利于改善放電特征，例如放電延時(shí)，后面還將對(duì)此進(jìn)行說明。在該實(shí)施例中，這里使用的氣相氧化鎂單晶體的平均晶粒直徑為500埃或更大，最好是2000埃或更大，如BET方法測量的那樣。然后，如圖10所示，通過噴射方法、靜電涂覆方法等將氧化鎂單晶體作用在介質(zhì)層12的表面上，以形成氧化鎂層13?；蛘?，也可以通過氣相沉積或?yàn)R射方法，在介質(zhì)層12的表面上形成薄膜氧化鎂層，可以將氣相方法氧化鎂單晶體作用到該薄膜氧化鎂層上，從而形成氧化鎂層13。
驅(qū)動(dòng)控制電路56根據(jù)使用如圖11所示的子場方法(子幀方法)的發(fā)光驅(qū)動(dòng)序列，向X行電極驅(qū)動(dòng)電路51、Y行電極驅(qū)動(dòng)電路53和列電極驅(qū)動(dòng)電路55中的每一個(gè)提供多種控制信號(hào)，用于驅(qū)動(dòng)具有前述結(jié)構(gòu)的PDP 50。X行電極驅(qū)動(dòng)電路51、Y行電極驅(qū)動(dòng)電路53和列電極驅(qū)動(dòng)電路55根據(jù)如圖11所示的發(fā)光驅(qū)動(dòng)序列，產(chǎn)生多種用于驅(qū)動(dòng)PDP 50的驅(qū)動(dòng)脈沖(后面說明)，并將產(chǎn)生的脈沖提供給PDP 50。
在圖11所示的發(fā)光驅(qū)動(dòng)序列中，在一個(gè)場的顯示周期中的子場SF1-SFN中的每一個(gè)子場中執(zhí)行一個(gè)尋址階段W和維持階段I。此外，只有在第一子場SF1中在尋址階段之前執(zhí)行一個(gè)復(fù)位階段R。
圖12是示出在從子場SF1-SFN中提取的子場SF1中將多個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖施加到PDP 50的列電極D和行電極X、Y的時(shí)序的示意圖。
只有在第一子場SF1中在尋址階段W之前執(zhí)行一個(gè)復(fù)位階段R，在復(fù)位階段R中，X行電極驅(qū)動(dòng)電路51向行電極X1-Xn同時(shí)施加負(fù)極性的復(fù)位脈沖PRX，如圖12所示。此外，在施加復(fù)位脈沖PRX的同時(shí)，Y行電極驅(qū)動(dòng)電路53向行電極Y1-Yn同時(shí)施加具有脈沖波形的正極性的第一復(fù)位脈沖PRY1，其電壓隨著時(shí)間緩慢上升并達(dá)到峰值電壓值，如圖12所示。第一復(fù)位脈沖PRY1的峰值電壓值大于維持脈沖IPX、IPY的峰值電壓值。在施加復(fù)位脈沖PRY1和負(fù)極性的復(fù)位脈沖PRX的同時(shí)，在所有顯示單元PC1，1-PCn，m中的每一個(gè)顯示單元中的行電極X、Y之間產(chǎn)生第一復(fù)位放電。在第一復(fù)位放電結(jié)束之后，在各顯示單元PC的放電空間S中的氧化鎂層13的表面上形成預(yù)定量的壁電荷。具體而言，形成所謂的壁電荷，其中，在氧化鎂層13的表面上的行電極X附近形成正電荷，而在行電極Y附近形成負(fù)電荷。然后，Y行電極驅(qū)動(dòng)電路53產(chǎn)生負(fù)極性的第二復(fù)位脈沖RPY2，其電壓在上升沿慢慢改變，并同時(shí)將該脈沖施加在所有行電極Y1-Yn上。第二復(fù)位脈沖RPY2的峰值電壓值所設(shè)置的電壓范圍為從行電極Y上在尋址階段W中未施加掃描脈沖SP時(shí)的電壓值，到掃描脈沖SP的峰值電壓值。響應(yīng)于施加第二復(fù)位脈沖RPY2，在所有顯示單元PC1，1-PCn，m中的每一個(gè)顯示單元中的行電極X、Y之間產(chǎn)生第二復(fù)位放電。第二復(fù)位放電使在所有顯示單元PC1，1-PCn，m中的每一個(gè)顯示單元中形成的壁電荷消失。換言之，采用復(fù)位階段R，將所有顯示單元PC1，1-PCn，m初始化為不存在壁電荷的未照亮單元狀態(tài)。在第一和第二復(fù)位放電中，在每個(gè)顯示單元PC中產(chǎn)生放電，并且由于在顯示單元PC中形成氧化鎂層13，該復(fù)位放電提供的主要效果會(huì)持續(xù)較長的時(shí)間，從而實(shí)現(xiàn)較快的尋址。
在復(fù)位階段R中，在行電極Y上施加了第一復(fù)位脈沖RPY1，其電壓在上升沿緩慢改變，從而在T形透明電極Ya、Xa之間產(chǎn)生微弱的第一復(fù)位放電，打算提高對(duì)比度。
由于在設(shè)有作為保護(hù)層的氣相方法氧化鎂層13的面板中，放電概率相當(dāng)高，所以穩(wěn)定地產(chǎn)生微弱的第一復(fù)位放電。具體而言，具有較寬前端的T形電極與凸起電極的組合將第一復(fù)位放電局部化在放電空隙附近，從而進(jìn)一步限制穿過整個(gè)行電極的強(qiáng)烈、零星的第一復(fù)位放電的概率。因此，在列電極和行電極之間幾乎不發(fā)生強(qiáng)烈的放電，由此使得可以在很短的持續(xù)時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生穩(wěn)定的微弱的第一復(fù)位放電。
接著，在每個(gè)子場的尋址階段W中，列電極驅(qū)動(dòng)電路55產(chǎn)生像素?cái)?shù)據(jù)脈沖，用于設(shè)置是否基于視頻信號(hào)驅(qū)動(dòng)各顯示單元PC從而在該子場中發(fā)光。例如，列電極驅(qū)動(dòng)電路55產(chǎn)生該像素?cái)?shù)據(jù)脈沖，當(dāng)驅(qū)動(dòng)顯示單元PC發(fā)光時(shí)，該脈沖處于高壓，當(dāng)不驅(qū)動(dòng)各顯示單元PC發(fā)光時(shí)，該脈沖處于低壓。然后，列電極驅(qū)動(dòng)電路55將各顯示線的像素?cái)?shù)據(jù)脈沖(m個(gè)脈沖)作為像素?cái)?shù)據(jù)脈沖DP1、DP2、……DPn，順序地施加到列電極D1-Dm上。與此同時(shí)，與各像素?cái)?shù)據(jù)脈沖組DP1-DPn的時(shí)序同步，Y行電極驅(qū)動(dòng)電路53將負(fù)極性的掃描脈沖SP順序地施加到行電極Y1-Yn上。在這種情況下，只在施加了該掃描脈沖SP和高壓的像素?cái)?shù)據(jù)脈沖的顯示單元PC中產(chǎn)生放電(選擇性放電)，導(dǎo)致在該顯示單元PC的放電空間S中的氧化鎂層13和熒光材料層17上形成預(yù)定量的壁電荷。在施加了該掃描脈沖SP和低壓的像素?cái)?shù)據(jù)脈沖的顯示單元PC中，不產(chǎn)生如上所述的選擇性放電，因此，在施加這些脈沖之前立即形成壁電荷。
換言之，通過執(zhí)行尋址階段W，根據(jù)輸入視頻信號(hào)，將每個(gè)顯示單元PC設(shè)置為照亮單元狀態(tài)和未照亮單元狀態(tài)中之一，其中，在照亮單元狀態(tài)下，存在預(yù)定量的壁電荷，在未照亮狀態(tài)下，不存在預(yù)定量的壁電荷。
接著，在各子場的維持階段I中，X行電極驅(qū)動(dòng)電路51和Y行電極驅(qū)動(dòng)電路53中的每一個(gè)交替重復(fù)地將正極性的維持脈沖IPX、IPY分別施加到X1-Xn、Y1-Yn上。施加維持脈沖IPX、IPY的次數(shù)取決于各個(gè)子場中的亮度加權(quán)。在這種情況下，每次施加這些維持脈沖IPX、IPY時(shí)，只在照亮單元狀態(tài)下的顯示單元中產(chǎn)生維持放電，每次維持放電都是用預(yù)定量的壁電荷形成的，并且與該放電相關(guān)聯(lián)，熒光層17發(fā)光，從而在面板表面上形成圖像。
如上所述，在各顯示單元PC中形成的氧化鎂層13中所包含的氣相氧化鎂單晶體受照射到其上的電子束激勵(lì)而發(fā)出CL光，該CL光在200-300nm(尤其是，230-250nm中的235nm附近)的波長范圍內(nèi)具有一個(gè)峰值，如圖13所示。在這種情況下，如圖14所示，由于氣相基氧化鎂單晶體具有較大的晶粒直徑，所以發(fā)出的在235nm處具有峰值的CL光表現(xiàn)出較高的峰值強(qiáng)度。具體地說，當(dāng)產(chǎn)生氣相氧化鎂單晶體時(shí)，由于加熱鎂的溫度比通常要高，如圖8或9所示的具有2000?；蚋蟮妮^大晶粒直徑的單晶體與平均晶粒直徑為500埃的氣相氧化鎂單晶體一起形成。在這種情況下，由于加熱鎂的溫度比通常要高，所以與鎂和氧進(jìn)行反應(yīng)相關(guān)的火焰也變得更長。因此，在火焰和周圍環(huán)境之間產(chǎn)生更大的溫度差異，所以估計(jì)具有較大直徑的氧化鎂單晶體包括更多的表現(xiàn)出與200-300nm(尤其是235nm)相對(duì)應(yīng)的高能量水平的單晶體。
圖15是示出當(dāng)顯示單元PC中沒有形成氧化鎂層時(shí)的放電概率、當(dāng)根據(jù)傳統(tǒng)氣相沉積方法在顯示單元PC中形成氧化鎂層時(shí)的放電概率以及當(dāng)在顯示單元PC中形成包括氧化鎂單晶體的氧化鎂層時(shí)的放電概率，其中所述氧化鎂單晶體伴隨電子束照射發(fā)出CL光，其在200-300nm(尤其是，230-250nm中的235nm附近)范圍內(nèi)有一個(gè)峰值。在圖15中，水平軸表示放電間隔，即從產(chǎn)生一次放電到產(chǎn)生下一次放電的時(shí)間間隔。
如圖所示，當(dāng)每個(gè)顯示單元PC在放電空間S中包含用包括氧化鎂單晶體的氧化鎂層時(shí)，其中所述氧化鎂單晶體伴隨電子束照射發(fā)出CL光，其在200-300nm(尤其是，230-250nm中的235nm附近)范圍內(nèi)有一個(gè)峰值，與具有通過傳統(tǒng)氣相沉積方法形成的氧化鎂層的顯示單元PC相比，其放電概率增加。如圖16所示，氣相氧化鎂單晶體可以降低在放電空間S中產(chǎn)生的放電的延時(shí)，這是因?yàn)樗l(fā)出的CL光具有更高的強(qiáng)度，尤其是，當(dāng)用電子束照射時(shí)，發(fā)出的CL光在235nm具有峰值。
因此，即使產(chǎn)生施加到行電極Y上的第一復(fù)位脈沖RPY1從而其電壓如圖11所示緩慢改變以產(chǎn)生微弱的第一復(fù)位放電而打算限制與復(fù)位放電相關(guān)的發(fā)光以改善對(duì)比度，在顯示圖像中不涉及所述復(fù)位放電，也可以在很短的持續(xù)時(shí)間內(nèi)穩(wěn)定地產(chǎn)生微弱的第一復(fù)位放電。具體地講，由于各顯示單元PC采用的結(jié)構(gòu)使得放電局部地產(chǎn)生于T形透明電極Xa、Ya之間的放電空隙附近，所以該結(jié)構(gòu)有利于防止零星的第一復(fù)位放電強(qiáng)烈到穿過整個(gè)行電極而產(chǎn)生放電，也防止在行電極和列電極之間的強(qiáng)烈的錯(cuò)誤放電。
此外，由于較高的放電概率(較短的放電延時(shí))允許復(fù)位階段R中的復(fù)位放電的主要影響持續(xù)更長的時(shí)間，所以在尋址階段W中產(chǎn)生的地址放電和在維持階段I中產(chǎn)生的維持放電變得更快。這可以降低圖12所示的像素脈沖DP和掃描脈沖SP中的每一個(gè)的脈沖寬度，像素脈沖DP和掃描脈沖SP分別施加在列電極D和行電極Y上，以產(chǎn)生地址放電，由此允許尋址階段W所使用的處理時(shí)間相應(yīng)地降低。此外，較快的地址放電和維持放電可以降低圖12所示的維持脈沖IPY的脈沖寬度，維持脈沖IPY施加到行電極上，以產(chǎn)生維持放電，由此允許維持階段I所使用的處理時(shí)間相應(yīng)地降低。
然后，通過降低尋址階段W和維持階段I所使用的處理時(shí)間，可以在單場(單幀)顯示周期中提供更多數(shù)量的子場，從而增加層次水平的數(shù)量。
盡管前述實(shí)施例中的PDP 50采用這樣的結(jié)構(gòu)顯示單元PC形成于成對(duì)的行電極X和行電極Y之間，例如，行電極對(duì)(X1，Y1)、(X2，Y2)、(X3，Y3)、……(Xn，Yn)，但是PDP 50也可以采用顯示單元PC形成于所有彼此相鄰的行電極之間的結(jié)構(gòu)。具體而言，在這種可能的結(jié)構(gòu)中，顯示單元PC可以分別形成于行電極X1、Y1之間，行電極Y1、X2之間，行電極X2、Y2之間，……行電極Yn-1、Xn之間以及行電極Xn、Yn之間。
此外，盡管前述實(shí)施例中的PDP 50采用這樣的結(jié)構(gòu)中行電極X、Y形成于正面透明襯底10上，而列電極D和熒光層17形成于背面襯底14上，但是PDP 50也可以采用列電極D和行電極X、Y形成于正面透明襯底10上，而熒光層17形成于背面襯底14上的結(jié)構(gòu)。
在每個(gè)子場的擦除階段E中，Y行電極驅(qū)動(dòng)電路53將圖12所示的負(fù)極性擦除脈沖EP施加在行電極Y1-Yn上。響應(yīng)于施加擦除脈沖EP，在前面維持階段I中產(chǎn)生維持放電的顯示單元中產(chǎn)生擦除放電。該擦除放電使在這些顯示單元中形成的壁電荷消失，使這些單元轉(zhuǎn)換到未照亮單元狀態(tài)。
上面結(jié)合所謂的選擇寫地址方法對(duì)前述實(shí)施例進(jìn)行了說明，該方法通過將顯示單元初始化使得所有顯示單元中剩余的壁電荷降低到低于預(yù)定值(復(fù)位階段R)并且基于輸入視頻信號(hào)在每個(gè)顯示單元中有選擇性地形成等于或大于預(yù)定值的壁電荷(尋址階段W)，從而驅(qū)動(dòng)PDP 50顯示中間色圖像。然而，也可以采用所謂的選擇性擦除地址方法，通過在所有顯示單元中的每一個(gè)中形成等于或大于預(yù)定值的壁電荷(復(fù)位階段R)并且根據(jù)像素?cái)?shù)據(jù)有選擇性地將在每個(gè)顯示單元中形成的壁電荷降低到低于預(yù)定值(尋址階段W)，從而驅(qū)動(dòng)PDP50顯示中間色圖像。采用該選擇性擦除地址方法，也可以在復(fù)位階段R中穩(wěn)定地產(chǎn)生低放電強(qiáng)度的第一復(fù)位放電，這與采用選擇性寫地址方法的情況是一樣的。
此外，前述實(shí)施例示出了一個(gè)例子，其中，在將第一復(fù)位脈沖RPY1施加到行電極Y上的同時(shí)，也將復(fù)位脈沖RPX施加到行電極X上。然而，也可以將行電極X設(shè)置為地電位而省略復(fù)位脈沖RPX。此外，可以向行電極Y施加這樣的第一復(fù)位脈沖RPY1在其第一部分中，第一復(fù)位脈沖RPY1突然升高到低于放電起始電壓的預(yù)定電壓值；在隨后的部分中，第一復(fù)位脈沖RPY1的電壓值隨時(shí)間緩慢變化直到峰值電壓值。本質(zhì)上，這里使用的第一復(fù)位脈沖RPY1只需在產(chǎn)生復(fù)位放電的部分中換慢改變電壓即可。
此外，在前述實(shí)施例中，列電極伸出端子t位于面板50(背面襯底)的上方，但為了防止熱消散，可以將列電極伸出端子t設(shè)置在面板50(背面襯底)的下方，從而使列電極D1-Dm中的每一個(gè)通過端子t連接到列電極驅(qū)動(dòng)電路55。在后一種情況下，由于列電極驅(qū)動(dòng)電路55位于面板50的下方，可以防止形成列電極驅(qū)動(dòng)電路一部分的地址驅(qū)動(dòng)器IC被來自面板的熱加熱，這對(duì)于防止熱消散是很有利的。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，這里使用的等離子體顯示面板的每個(gè)顯示單元都有氧化鎂層，其包括受電子束激勵(lì)而產(chǎn)生陰極發(fā)射光的氧化鎂晶體，其中所述陰極發(fā)射光在200nm至300nm的波長范圍內(nèi)具有一個(gè)峰值，掃描脈沖依次施加在構(gòu)成尋址周期中的所有顯示線的行電極對(duì)中的一行電極上，列電極驅(qū)動(dòng)電路將與該掃描脈沖所施加到的顯示線相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)脈沖施加在列電極上。由此，可以加快地址掃描，而不會(huì)破壞地址掃描的穩(wěn)定性。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示設(shè)備，包括等離子體顯示面板，包括構(gòu)成顯示線的多個(gè)行電極對(duì)、與所述多個(gè)行電極對(duì)相交的多個(gè)列電極、以及在所述行電極對(duì)與所述列電極的每個(gè)交叉點(diǎn)處形成的各顯示單元，每個(gè)所述顯示單元具有氧化鎂層，其包括受電子束激勵(lì)而發(fā)出陰極發(fā)射光的氧化鎂晶體，所述陰極發(fā)射光在200至300nm的波長范圍內(nèi)具有一個(gè)峰值；行電極驅(qū)動(dòng)電路，用于驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)行電極對(duì)中的每一對(duì)；以及列電極驅(qū)動(dòng)電路，用于驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)列電極中的每一個(gè)電極，從而在一個(gè)單場顯示周期中顯示中間色圖像，該單場顯示周期被分為多個(gè)子場，每個(gè)子場包括一個(gè)尋址周期和一個(gè)維持周期，其中，在所述尋址周期中，所述行電極驅(qū)動(dòng)電路將掃描脈沖依次施加在所述行電極對(duì)的一行電極上，而所述列電極驅(qū)動(dòng)電路將與所述掃描脈沖所施加到的顯示線相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)脈沖施加在所述列電極上。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述行電極對(duì)的每個(gè)行電極包括在行方向上延伸的主體，以及在列方向上從所述主體突出的以便通過放電空隙彼此相對(duì)的凸起。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述行電極的所述凸起包括靠近所述放電空隙的較寬部分和用于將所述較寬部分連接到所述主體的較窄部分。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述氧化鎂層包括鎂單晶體，所述鎂單晶體是通過加熱鎂從而產(chǎn)生鎂蒸汽并在氣相下將所述鎂蒸汽氧化而產(chǎn)生的。
5.如權(quán)利要求4所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述氧化鎂層包括氧化鎂單晶體，其直徑為2000?；蚋?。
6.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述氧化鎂單晶體發(fā)出陰極發(fā)射光，所述陰極發(fā)射光在230至250nm的波長范圍內(nèi)具有一個(gè)峰值。
7.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，在覆蓋所述行電極對(duì)的介質(zhì)層上形成所述氧化鎂層。
8.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述面板形成有僅在列方向上的一端與每一個(gè)列電極相關(guān)聯(lián)的抽出電極端子，所述列電極驅(qū)動(dòng)電路通過所述端子將所述數(shù)據(jù)脈沖施加在所述列電極上。
9.如權(quán)利要求8所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述端子形成于所述面板的下端。
10.一種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示面板的方法，該面板包括構(gòu)成顯示線的多個(gè)行電極對(duì)、與所述多個(gè)行電極相交的多個(gè)列電極、以及在所述行電極對(duì)與所述列電極的每個(gè)交叉點(diǎn)處形成的各顯示單元，每個(gè)所述顯示單元具有氧化鎂層，其包括受電子束激勵(lì)而發(fā)出陰極發(fā)射光的氧化鎂晶體，所述陰極發(fā)射光在200至300nm的波長范圍內(nèi)具有一個(gè)峰值，從而在單場顯示周期中顯示中間色圖像，該單場顯示周期被分為多個(gè)子場，每個(gè)子場包括一個(gè)尋址周期和一個(gè)維持周期，所述方法包括以下步驟在所述尋址周期中，將掃描脈沖依次施加在所述行電極對(duì)的一行電極上，并且將與所述掃描脈沖所施加到的顯示線相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)脈沖施加在所述列電極上。
11.如權(quán)利要求10所述的驅(qū)動(dòng)等離子體顯示設(shè)備的方法，其中，所述氧化鎂層包括鎂單晶體，所述鎂單晶體是通過加熱鎂從而產(chǎn)生鎂蒸汽并在氣相下將所述鎂蒸汽氧化而產(chǎn)生的。
12.如權(quán)利要求10所述的驅(qū)動(dòng)等離子體顯示設(shè)備的方法，其中，所述氧化鎂層包括氧化鎂單晶體，其直徑為2000?；蚋蟆?br> 全文摘要
一種具有等離子體顯示面板的等離子體顯示設(shè)備，其中，每個(gè)顯示單元包含氧化鎂層，其包括氧化鎂晶體，所述氧化鎂晶體受電子束激勵(lì)而發(fā)出陰極發(fā)射光，該陰極發(fā)射光在200至300nm的波長范圍內(nèi)具有一個(gè)峰值。在尋址周期中，行電極驅(qū)動(dòng)電路將掃描脈沖依次施加在行電極對(duì)的一行電極上，而列電極驅(qū)動(dòng)電路將與所述掃描脈沖所施加到的一行電極相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)脈沖施加在列電極上。
文檔編號(hào)G09G3/28GK1702716SQ2005100739
公開日2005年11月30日 申請(qǐng)日期2005年5月25日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月25日
發(fā)明者德永勉, 西村賢, 坂田一朗, 廣田敦士, 林海 申請(qǐng)人:先鋒株式會(huì)社