專利名稱：合成樹脂卡及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及其中減少了壓制后的卡翹曲且具有優(yōu)異的耐久性的合成樹脂卡，和該卡的制造方法。
背景技術(shù)：
磁記錄介質(zhì)已常規(guī)地廣泛用于現(xiàn)金卡、信用卡、ID卡等領(lǐng)域。在磁記錄介質(zhì)中，可磁記錄簡(jiǎn)單的信息如卡所有者的名字和會(huì)員號(hào)，且在這種信息的基礎(chǔ)上進(jìn)行卡所有者的識(shí)別等。然而，在磁記錄介質(zhì)中，可記錄的信息量有限。而且，由于磁記錄的信息可容易地讀出，因此有關(guān)于安全性的問題。
最近，考慮到防止個(gè)人信息泄漏，已要求加強(qiáng)安全性。包括IC芯片作為記錄介質(zhì)的IC卡為了更高的安全性已受到注意并成為主流。特別地，非接觸IC卡已廣泛用于上船(boarding)系統(tǒng)、安全系統(tǒng)等，且這種IC卡的普遍使用是值得注意的。
這些卡通常通過對(duì)合成樹脂如塑料進(jìn)行熱壓來生產(chǎn)。當(dāng)在由插入在卡內(nèi)部的多個(gè)片構(gòu)成的核心層(core layer)的正面和背面上垂直對(duì)稱地放置并層壓取向的PET基底時(shí)，有時(shí)，在用壓機(jī)層壓后在卡中發(fā)生翹曲，引起問題。
這種卡的翹曲導(dǎo)致各種缺陷。例如，當(dāng)使用初始化程序(initializer)、印刷機(jī)等時(shí)，卡的翹曲可影響移動(dòng)特性?？勺兊脽o法讀出記錄在IC芯片和磁條中的信息且無法在這些記錄介質(zhì)中寫入信息。而且，當(dāng)將卡置于高溫中時(shí)，包含在卡中的IC芯片的形狀等可突出，且結(jié)果，如在上述的卡翹曲的情況中一樣，當(dāng)使用初始化程序、印刷機(jī)等時(shí)，可影響移動(dòng)特性。因此，需要這樣的卡，在該卡中由熱壓引起的卡的翹曲被抑制且卡的表面的降解小，且該卡具有優(yōu)異的耐久性。
因此，本發(fā)明的目的是提供一種合成樹脂卡，在該卡中當(dāng)使用初始化程序、印刷機(jī)等時(shí)，移動(dòng)特性改善，且減少了壓制后的卡翹曲，從而可令人滿意地對(duì)在卡中形成的IC芯片、磁條等進(jìn)行讀取和寫入，且該卡具有優(yōu)異的耐久性，以及提供這種合成樹脂卡的制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的合成樹脂卡包括基本上平的核心層、和分別層壓在該核心層的正面和背面的第一外層及第二外層，其中在第一和第二外層之間的取向角的差Δ為20°或更小。在這種合成樹脂卡中，可減少由配置在核心層的正面和背面上的外層之間的收縮系數(shù)的差異產(chǎn)生的應(yīng)力的不平衡，卡的翹曲基本上不發(fā)生，且卡具有優(yōu)異的移動(dòng)特性。而且，第一和第二外層的厚度相對(duì)于核心層可為對(duì)稱的。厚度的對(duì)稱進(jìn)一步減少應(yīng)力的不平衡，且可進(jìn)一步減少卡的翹曲。
在本發(fā)明的合成樹脂卡中，第一和第二外層可各自具有25-125μm的厚度。在這種厚度范圍內(nèi)，施加到合成樹脂卡上的應(yīng)力的不平衡可減少。因此，可控制卡的翹曲在根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定范圍內(nèi)。而且，在本發(fā)明的合成樹脂卡中，即使雙軸取向膜例如取向PET用于第一和第二外層，卡的翹曲可減少。而且，由于核心層與第一和第二外層可由無鹵材料形成，還進(jìn)行了環(huán)境考慮。
此外，在本發(fā)明的合成樹脂卡中，核心層可包括夾在一對(duì)核心組件之間的電子模件。在具有這種結(jié)構(gòu)的合成樹脂卡中，提供在核心層中的電子模件可向合成樹脂卡賦予各種功能。而且，如果電子模件由IC芯片和連接到IC芯片的IC模件構(gòu)成，合成樹脂卡可為IC卡。
此外，在本發(fā)明的合成樹脂卡中，第一外層和第二外層的至少一個(gè)可配備有記錄層。通過使用可逆熱敏材料形成記錄層，還可形成其中可任意記錄和刪除數(shù)據(jù)的可重寫卡。
此外，在本發(fā)明的合成樹脂卡中，核心層可由對(duì)苯二甲酸、環(huán)己烷二甲醇、和乙二醇的共聚物、和聚碳酸酯構(gòu)成，該共聚物的配混比為70％或更小。在這種核心層中，可容易地進(jìn)行模制，且當(dāng)長(zhǎng)時(shí)間使用時(shí)，該核心層具有優(yōu)異的耐熱性和優(yōu)異的耐久性。例如，即使當(dāng)核心層包含IC芯片和IC模件時(shí)，也可防止其形狀在卡的表面中突出。因此，可提供這樣一種合成樹脂卡，其中即使當(dāng)合成卡用于各種環(huán)境時(shí)，卡的表面也是平的，且可對(duì)合成樹脂卡重復(fù)且可靠地記錄和刪除數(shù)據(jù)。
根據(jù)本發(fā)明的制造合成樹脂卡的方法包括在核心層的正面和背面層壓第一外層和第二外層，其中選擇該第一和第二外層，使得第一和第二外層之間的取向角的差Δ為20°或更小，且層壓該第一和第二外層，使得第一和第二外層的厚度相對(duì)于核心層是對(duì)稱的。在這種制造合成樹脂卡的方法中，可減少由配置在核心層的正面和背面上的外層之間的收縮系數(shù)的差異產(chǎn)生的應(yīng)力的不平衡，且可生產(chǎn)其中卡的翹曲基本上不發(fā)生的合成樹脂卡。


圖1為展示根據(jù)本發(fā)明作為合成樹脂卡的實(shí)例的IC卡的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖。
圖2為示意性展示在原始膜中分子取向的圖，從該原始膜中切割出外層片。
圖3為說明測(cè)量卡的翹曲的方法的圖。
具體實(shí)施例方式
參照?qǐng)D1和2描述根據(jù)本發(fā)明的合成樹脂卡及其制造方法。本發(fā)明的合成樹脂卡涉及，例如，用于磁卡、壓紋卡(embossed card)、接觸型IC卡、非接觸型IC卡、或被賦予這些卡的功能的卡的合成樹脂卡。在該實(shí)施方式中，作為合成樹脂卡的實(shí)例，將描述具有電子模件例如IC模件的IC卡。值得注意的是，本發(fā)明的合成樹脂卡不限于該實(shí)施方式，只要在本發(fā)明的范圍內(nèi)，且可應(yīng)用于任何卡。
圖1為展示根據(jù)該實(shí)施方式的IC卡的實(shí)例的圖和展示IC卡1的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖。圖2為示意性展示在原始膜中分子取向的圖，從該原始膜中切割出外層片3和6。
IC卡1包括用作核心層的卡核心部分7，其中IC芯片4和連接到IC芯片4的IC模件5夾在卡核心片7a和7b之間，外層片3和6分別結(jié)合到卡核心部分7的上表面和下表面，且可逆記錄層2配置在外層片3的上表面上。
外層片3和6為層壓到卡核心部分7的上表面和下表面的外層，且對(duì)稱地結(jié)合到卡核心部分7上。外層片3和6為具有分子取向的片，且通過拉伸(drawing)形成的雙軸取向膜可用于每個(gè)片。雙軸取向膜的實(shí)例包括聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚丙烯(PP)、聚苯硫醚(PPS)、聚苯乙烯、聚酰胺、聚氯乙稀、和聚偏二氯乙烯。特別地，因?yàn)椴缓u素例如氯，優(yōu)選PET、PEN、PP、PPS、聚苯乙烯和聚酰胺作為環(huán)境友好的材料。
此外，設(shè)定在外層片3和6之間的取向角的差為20°或更小。對(duì)于用于該實(shí)施方式中的外層片3和6的雙軸取向膜，在形成雙軸取向膜的過程中，在片的拉伸方向上的收縮系數(shù)和在垂直于片的拉伸方向的方向上的收縮系數(shù)不同。因此，當(dāng)外層片3和6通過熱壓結(jié)合到卡核心部分7時(shí)，應(yīng)力施加到卡核心部分7上。這種應(yīng)力導(dǎo)致在熱壓后IC卡1的翹曲。因此，設(shè)定在外層片3和6之間的取向角的差為20°或更小。通過使用待結(jié)合的其中取向角的差在該范圍內(nèi)的外層片3和6，可抑制從這些外層片3和6施加到卡核心部分7的應(yīng)力的不均勻性。而且，由于外層片3和6對(duì)稱結(jié)合到卡核心部分7上，可抑制從外層片3和6施加到卡核心部分7的應(yīng)力的不平衡，且因此在熱壓后在IC卡1中基本上不發(fā)生卡的翹曲。
以預(yù)定的尺寸從通過拉伸形成的原始膜上切割出外層片3和6。如圖2所示，沿著垂直于原始膜10的拉伸方向的寬度方向，在原始膜11的平面內(nèi)在分子取向11中發(fā)生偏差。相對(duì)于原始膜10的寬度方向，從中心向末端，分子取向11的方向具有變得更接近拉伸方向的趨勢(shì)。因此，作為外層片3和6，通過選擇原始膜10的特定區(qū)域來切割出這些片，使得在片之間的取向角的差為20°或更小。例如，在圖2中，如果將從區(qū)域10a和其相鄰的區(qū)域10b中分別切割出的外層片用作外層片3和6，可設(shè)置在外層片3和6之間的取向角的差為20°或更小。而且，還可從在原始膜10的拉伸方向上彼此相鄰的區(qū)域中堆疊片，即，沿著拉伸方向在相同的線上的片。
卡核心部分7相當(dāng)于IC卡1的核心層，且包括夾持IC芯片4和IC模件5的核心片7a和7b。核心片7a和7b為構(gòu)成IC卡1的核心層的核心組件，且例如由PET-G即對(duì)苯二甲酸、環(huán)己烷二甲醇、和乙二醇的共聚物構(gòu)成。由于當(dāng)加熱時(shí)PET-G變得可流動(dòng)，因此可容易地進(jìn)行模制。此外，考慮到優(yōu)異的耐熱性和耐久性，PET-G被認(rèn)為適合作為構(gòu)成合成樹脂卡例如IC卡的材料。此外，核心片7a和7b可由通過將聚碳酸酯(PC)和PET-G配混制備的材料構(gòu)成。在利用卡的模制中的優(yōu)點(diǎn)的同時(shí)，可形成IC卡1以具有優(yōu)異的耐熱性和耐久性。
此外，可使用聚碳酸酯樹脂和通過在聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯中用環(huán)己烷二甲醇取代10％-70％的乙二醇組分制備的共聚的聚酯樹脂的混合物來形成核心片7a和7b。使用這種材料形成的核心片7a和7b具有優(yōu)異的耐熱性且適用于可暴露于高溫的應(yīng)用。而且，印刷在核心片7a和7b的表面上的圖案等基本上不褪色，且獲得高質(zhì)量。通常，由于配混的PC的量增加，毛刺(burr)減少。如果PET-G的量增加，易于產(chǎn)生毛刺。
可逆記錄層2為其中可任意記錄和刪除數(shù)據(jù)的記錄層，且例如，通過應(yīng)用可逆熱敏材料形成。由可逆熱敏材料構(gòu)成的可逆記錄層2還可為其中各種類型的信息可通過隨著熱的顯色和消色(color extinction)來顯示的可逆顯示層。例如，這種可逆記錄層適用于目前廣泛使用的可重寫卡。而且，IC卡1不限于上述可逆記錄層2，且IC卡1可配備有磁記錄層或任意各種其他記錄層如IC芯片，這將在下面進(jìn)行描述。
實(shí)施例現(xiàn)在參照表1描述根據(jù)該實(shí)施方式對(duì)于IC卡進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)。首先，描述用于實(shí)驗(yàn)實(shí)施例1至17的樣品，然后描述評(píng)價(jià)項(xiàng)目和評(píng)價(jià)結(jié)果，和進(jìn)一步的評(píng)價(jià)結(jié)果。
<樣品>
用于實(shí)驗(yàn)實(shí)施例1至17的樣品基本上具有與上述IC卡1的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)。
對(duì)于用于實(shí)驗(yàn)實(shí)施例1的樣品，每個(gè)核心片(片厚度250μm)通過使用超聲波焊接設(shè)備焊接四個(gè)角來暫時(shí)固定以便垂直對(duì)稱，以形成卡核心部分，且取向PET基底(厚度100μm)暫時(shí)固定在卡核心部分的上表面和下表面上，以便相對(duì)于卡核心部分垂直對(duì)稱，且使得在取向角中沒有差異。此外，使用真空熱熔壓機(jī)(由Kitagawa Seiki Co.，Ltd.制造)，在140℃的溫度和10Kgf/cm2的壓力下進(jìn)行壓力結(jié)合和熱熔，隨后冷卻和凝固。將生成的模制物切割為卡的形狀以生產(chǎn)卡。值得注意的是，在實(shí)驗(yàn)實(shí)施例1中的卡具有不包括IC芯片的結(jié)構(gòu)。此外，構(gòu)成核心片的材料的類型為聚碳酸酯(PC)與環(huán)己烷二甲醇和乙二醇的共聚物(PET-G)的混合物，其中混合有白色填料(TiO2)，PET-G的配混比為50％。
用于實(shí)驗(yàn)實(shí)施例2的樣品具有與用于實(shí)驗(yàn)實(shí)施例1的樣品的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)，但在構(gòu)成卡核心部分的核心片之間插入IC模件。值得注意的是，IC模件相對(duì)于卡的厚度方向垂直對(duì)稱地配置，且使用包括連接至薄膜線圈的IC芯片的非接觸型IC模件。
用于實(shí)驗(yàn)實(shí)施例3的樣品具有與用于實(shí)驗(yàn)實(shí)施例2的樣品的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)，但在一個(gè)取向PET基底的上表面上配置可逆記錄層作為卡的外層。作為可逆記錄層，使用由Mitsubishi Paper Mills Limited制造的Leuco顯色重寫片，其中記錄層由可逆熱敏材料構(gòu)成。Leuco顯色重寫片包括PET基底(厚度25μm)，和記錄層(厚度7μm)以及用于保護(hù)記錄層的保護(hù)層(厚度3μm)，它們以此順序配置在PET基底上。
用于實(shí)驗(yàn)實(shí)施例4至6的樣品具有與用于實(shí)驗(yàn)實(shí)施例3的樣品的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)，但在結(jié)合在卡核心部分的上表面和下表面上的取向PET基底之間的取向角的差分別設(shè)置為4°、10°、和20°。
用于實(shí)驗(yàn)實(shí)施例7和8的樣品具有與用于實(shí)驗(yàn)實(shí)施例3的樣品的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)，但作為外層的取向PET基底的厚度分別變?yōu)?25μm和25μm。
用于實(shí)驗(yàn)實(shí)施例9和10的樣品具有與用于實(shí)驗(yàn)實(shí)施例3的樣品的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)，但對(duì)于用于構(gòu)成卡核心部分的核心片的材料，改變PET-G和PC之間的配混比。具體地說，在用于實(shí)驗(yàn)實(shí)施例9的樣品中，設(shè)置PET-G的配混比為70％，且在用于實(shí)驗(yàn)實(shí)施例10的樣品中，設(shè)置PET-G的配混比為0％。
用于實(shí)驗(yàn)實(shí)施例11的樣品具有與用于實(shí)驗(yàn)實(shí)施例3的樣品的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)，但使用氯乙烯形成卡核心部分。
用于實(shí)驗(yàn)實(shí)施例12和13的樣品具有與用于實(shí)驗(yàn)實(shí)施例3的樣品的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)，但在結(jié)合在卡核心部分的上表面和下表面上的取向PET基底之間的取向角的差Δ分別設(shè)置為25°和90°。
用于實(shí)驗(yàn)實(shí)施例14和15的樣品具有與用于實(shí)驗(yàn)實(shí)施例3的樣品的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)，但取向PET基底的厚度分別設(shè)置為150μm和12μm。
用于實(shí)驗(yàn)實(shí)施例16和17的樣品具有與用于實(shí)驗(yàn)實(shí)施例3的樣品的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)，但，對(duì)于構(gòu)成卡核心部分的PET-G和PC，PET-G的配混比分別設(shè)置為80％和100％。
<評(píng)價(jià)項(xiàng)目和評(píng)價(jià)方法>
下面將描述在該實(shí)施例進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)中的評(píng)價(jià)項(xiàng)目和評(píng)價(jià)方法。
1)取向角的差測(cè)量結(jié)合到每個(gè)實(shí)驗(yàn)實(shí)施例中待評(píng)價(jià)的卡的卡核心部分的上表面和下表面上的取向PET基底的取向角，并計(jì)算差(Δ°)。在測(cè)量取向角中，使用分子取向分析儀(商品名Model MOA-2001A，由Oji Scientific Instruments制造)。
2)卡的總厚度對(duì)于在每個(gè)實(shí)驗(yàn)實(shí)施例中用作樣品的卡，使用測(cè)微計(jì)(商品名μ-mate，由Sony Corporation制造)根據(jù)ISO標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量卡的總厚度。在表1中，卡的總厚度在680-840μm范圍內(nèi)被評(píng)價(jià)為良好(在表1中由○表示)，且卡的總厚度在該范圍之外被評(píng)價(jià)為有缺陷的(在表1中由×表示)。
3)卡的翹曲對(duì)于在每個(gè)實(shí)驗(yàn)實(shí)施例中通過熱壓生產(chǎn)的卡，根據(jù)JISX6305測(cè)量熱壓后卡的翹曲。如圖3所示，在測(cè)量卡的翹曲中，將卡20置于壓板21上，且在容許千分表22緊靠卡的一個(gè)表面的同時(shí)，使基本平的壓力器件23與卡20的相反面接觸。2.2N的載荷F基本均勻地施加到整個(gè)卡20上，且將卡20放置保持一分鐘。然后，測(cè)量卡的翹曲。值得注意的是，卡20的卡翹曲定義為從壓板21的表面到放置在壓板上的卡20的最大高度的長(zhǎng)度，且包括待測(cè)量的卡20的厚度。卡翹曲的標(biāo)準(zhǔn)為1.5mm或更小。
4)移動(dòng)特性當(dāng)讓卡樣品在用于記錄或刪除數(shù)據(jù)的設(shè)備中移動(dòng)時(shí)，評(píng)價(jià)移動(dòng)特性。對(duì)于在每個(gè)實(shí)驗(yàn)實(shí)施例中評(píng)價(jià)的卡，使用熱記錄印刷機(jī)(由PanasonicCommunications Co.，Ltd.制造)進(jìn)行移動(dòng)測(cè)試。當(dāng)卡毫無問題地進(jìn)行移動(dòng)時(shí)，卡被評(píng)價(jià)為良好(在表1中由○表示)。當(dāng)卡不能移動(dòng)時(shí)，卡被評(píng)價(jià)為有缺陷的(在表1中由×表示)。
5)鹵素氣體的產(chǎn)生燃燒在每個(gè)實(shí)驗(yàn)實(shí)施例中使用的卡。不產(chǎn)生鹵素氣體的卡被評(píng)價(jià)為良好(在表1中由○表示)。產(chǎn)生鹵素氣體的卡被評(píng)價(jià)為有缺陷的(在表1中由×表示)。
6)在卡制造過程中的傳輸特性評(píng)價(jià)在每個(gè)實(shí)驗(yàn)實(shí)施例中用于生產(chǎn)卡的基底的傳輸特性。在表1中，具有良好傳輸特性的用○表示，且具有不足的傳輸特性的用×表示。
7)在高溫儲(chǔ)存后在印刷機(jī)中的移動(dòng)特性將在每個(gè)實(shí)驗(yàn)實(shí)施例中評(píng)價(jià)的卡放置保持在控制在70℃的溫度和60％的濕度下的恒溫室中72小時(shí)。對(duì)于這樣放置保持的卡，使用上述熱記錄印刷機(jī)評(píng)價(jià)移動(dòng)特性。在表1中，具有良好移動(dòng)特性的用○表示，且具有不足的移動(dòng)特性的用×表示。
<評(píng)價(jià)結(jié)果>
對(duì)于實(shí)驗(yàn)實(shí)施例1至17的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表1中。
表1

如表1所示，當(dāng)比較實(shí)驗(yàn)實(shí)施例3至6、12、和13時(shí)，在其中作為結(jié)合至卡核心部分的上表面和下表面的外層的取向PET基底之間的取向角的差為20°或更小的實(shí)驗(yàn)實(shí)施例3至6中，卡的翹曲為1.5mm或更小，因此滿足標(biāo)準(zhǔn)，即，1.5mm或更小。從而，已證實(shí)為了抑制卡的翹曲，設(shè)置作為外層的取向PET基底之間的取向角的差為20°或更小是有效的。此外，當(dāng)比較實(shí)驗(yàn)實(shí)施例3、7、8、14、和15時(shí)，對(duì)于卡的移動(dòng)特性和卡的總厚度的評(píng)價(jià)項(xiàng)目，其中作為外層的取向PET基底的厚度在25μm-125μm范圍內(nèi)的情況具有令人滿意的評(píng)價(jià)結(jié)果。從而，對(duì)于實(shí)驗(yàn)實(shí)施例1至17，在卡的總厚度、卡的翹曲、在燃燒過程中鹵素氣體的產(chǎn)生、移動(dòng)特性、傳輸特性、和高溫放置后的移動(dòng)特性所有這些評(píng)價(jià)項(xiàng)目中，用于實(shí)驗(yàn)實(shí)施例1至10的卡具有令人滿意的結(jié)果。即，已證實(shí)通過將相對(duì)于卡核心部分以對(duì)稱的厚度結(jié)合的取向PET基底之間的取向角的差設(shè)置為20°或更小，且通過設(shè)置取向PET基底的厚度為25μm-125μm，可抑制卡的翹曲且減少卡的表面的隆起。此外，在取向角為0-4°時(shí)，卡的翹曲在標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)，且卡的翹曲恒定在0.8mm。因此，為了穩(wěn)定地減少卡的翹曲，0-4°范圍內(nèi)的取向角被認(rèn)為是更期望的。
如上所述，通過設(shè)置相對(duì)于合成樹脂卡的卡核心部分對(duì)稱形成的外層之間的取向角的差，可減少熱壓后合成樹脂卡的卡翹曲。因此，可減少在初始化程序、印刷機(jī)等中移動(dòng)合成樹脂卡的過程中的缺陷，且可平穩(wěn)地進(jìn)行合成樹脂卡的寫入和讀取。此外，通過設(shè)置外層之間的取向角的差為20°或更小且設(shè)置外層的厚度為25μm-125μm，可抑制卡的翹曲至低于JIS中規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)值(1.5mm)的值，且可減少合成樹脂卡的表面的隆起。從而，可提供具有更令人滿意的移動(dòng)特性的合成樹脂卡。
權(quán)利要求書(按照條約第19條的修改)1.一種合成樹脂卡，包括基本上平的核心層；和分別層壓在該核心層的正面和背面的第一外層和第二外層，其中在該第一和第二外層之間的取向角的差Δ為20°或更??；及該第一和第二外層的至少一個(gè)配備有記錄層。
2.權(quán)利要求1的合成樹脂卡，其中相對(duì)于該核心層，該第一和第二外層的厚度對(duì)稱。
3.權(quán)利要求1的合成樹脂卡，其中該第一和第二外層各自具有25-125μm的厚度。
4.權(quán)利要求1的合成樹脂卡，其中該第一和第二外層各自由雙軸取向膜形成。
5.權(quán)利要求4的合成樹脂卡，其中該雙軸取向膜由取向PET材料構(gòu)成。
6.權(quán)利要求1的合成樹脂卡，其中該核心層包括夾在一對(duì)核心組件之間的電子模件。
7.權(quán)利要求6的合成樹脂卡，其中該電子模件包括IC芯片和連接至該IC芯片的IC模件。
8.權(quán)利要求1的合成樹脂卡，其中該記錄層由可逆熱敏材料構(gòu)成。
9.權(quán)利要求1的合成樹脂卡，其中該核心層由對(duì)苯二甲酸、環(huán)己烷二甲醇、和乙二醇的共聚物，和聚碳酸酯構(gòu)成，該共聚物的配混比為70％或更小。
10.權(quán)利要求1的合成樹脂卡，其中該核心層及該第一和第二外層各自由無鹵材料構(gòu)成。
11.一種制造合成樹脂卡的方法，包括在基本上平的核心層的正面和背面上層壓第一外層和第二外層，其中選擇該第一和第二外層，使得在該第一和第二外層之間的取向角的差Δ為20°或更?。粚訅涸摰谝缓偷诙鈱?，使得相對(duì)于該核心層，該第一和第二外層的厚度對(duì)稱；及在該第一外層和第二外層的至少一個(gè)上形成記錄層。
權(quán)利要求
1.一種合成樹脂卡，包括基本上平的核心層；和分別層壓在該核心層的正面和背面的第一外層和第二外層，其中在該第一和第二外層之間的取向角的差Δ為20°或更小。
2.權(quán)利要求1的合成樹脂卡，其中相對(duì)于該核心層，該第一和第二外層的厚度對(duì)稱。
3.權(quán)利要求1的合成樹脂卡，其中該第一和第二外層各自具有25-125μm的厚度。
4.權(quán)利要求1的合成樹脂卡，其中該第一和第二外層各自由雙軸取向膜形成。
5.權(quán)利要求4的合成樹脂卡，其中該雙軸取向膜由取向PET材料構(gòu)成。
6.權(quán)利要求1的合成樹脂卡，其中該核心層包括夾在一對(duì)核心組件之間的電子模件。
7.權(quán)利要求6的合成樹脂卡，其中該電子模件包括IC芯片和連接至該IC芯片的IC模件。
8.權(quán)利要求1的合成樹脂卡，其中該第一外層和第二外層的至少一個(gè)配備有記錄層。
9.權(quán)利要求8的合成樹脂卡，其中該記錄層由可逆熱敏材料構(gòu)成。
10.權(quán)利要求1的合成樹脂卡，其中該核心層由對(duì)苯二甲酸、環(huán)己烷二甲醇、和乙二醇的共聚物，和聚碳酸酯構(gòu)成，該共聚物的配混比為70％或更小。
11.權(quán)利要求1的合成樹脂卡，其中該核心層及該第一和第二外層各自由無鹵材料構(gòu)成。
12.一種制造合成樹脂卡的方法，包括在基本上平的核心層的正面和背面上層壓第一外層和第二外層，其中選擇該第一和第二外層，使得在該第一和第二外層之間的取向角的差Δ為20°或更??；及層壓該第一和第二外層，使得相對(duì)于該核心層，該第一和第二外層的厚度對(duì)稱。
全文摘要
合成樹脂卡及該卡的制造方法，其中可抑制卡的翹曲。使相對(duì)于卡核心部分對(duì)稱層疊的外層的取向角的之間的差(Δ)不大于20°。這可減少由外層的不同收縮比導(dǎo)致的應(yīng)力不平衡，使得能夠減少卡的翹曲。此外，設(shè)定外層的厚度為25μm－125μm，且這可減少合成樹脂卡表面的隆起。可通過減少卡的翹曲和卡表面的隆起來改善當(dāng)卡在設(shè)備中運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的運(yùn)轉(zhuǎn)能力。
文檔編號(hào)B42D15/10GK1812882SQ200480017
公開日2006年8月2日 申請(qǐng)日期2004年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月24日
發(fā)明者須藤美貴, 太田榮治, 松村伸一 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社