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Pdp能量回收電路的制作方法

文檔序號(hào):2605689閱讀:222來源:國知局
專利名稱:Pdp能量回收電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及等離子電視PDP驅(qū)動(dòng)電路能量回收電路,更具體地說,涉及一種電壓自舉PDP能量回收電路。
背景技術(shù)
PDP顯示屏的電極之間存在電容,為一個(gè)容性負(fù)載。在電極之間施加維持脈沖時(shí),實(shí)際是給電容進(jìn)行充放電的過程,即脈沖上升時(shí),對(duì)PDP顯示屏電極電容充電;在脈沖下降時(shí),PDP顯示屏電極電容放電。雖然在對(duì)電容的充放電過程中電容本身并不消耗能量,但由對(duì)其進(jìn)行充放電引起的電流將導(dǎo)致在回路電阻上消耗能量,回路電阻包括電源的內(nèi)阻,MOS管的導(dǎo)通電阻和PCB的走線電阻等。
如圖1所示,Cp表示PDP顯示屏電極電容,通過MOS管M1和M2的交替導(dǎo)通,可對(duì)Cp進(jìn)行充電或放電,當(dāng)M1接通M2斷開時(shí)維持電源Us對(duì)電容充電,充電結(jié)束時(shí)電容中存儲(chǔ)的能量為Wc=CUs2/2,而電源輸出的能量為Wp=CUs2,所以充電過程中,在充電回路電阻上消耗的能量為Wr=Wp-Wc=CUs2/2;當(dāng)M2接通M1斷開時(shí)電容放電,存儲(chǔ)在電容中的能量Wc全部以熱能的形式消耗在放電回路的電阻上,所以在電容的一個(gè)充放電過程中,損耗的總能量為Wr+Wc=CUs2,正好等于對(duì)電容充電過程中電源輸出的能量Wp,可以看出,整個(gè)過程中能量的損耗和回路的電阻無關(guān),因此不可能通過降低回路電阻值來降低能量損耗。
電源對(duì)電容充電時(shí),電容端電壓從0V上升到Us,電容端電壓大幅度的改變是造成能量損耗過大的原因;同理,放電時(shí),電容端電壓由Us降低到0V,電容儲(chǔ)存的能量全部消耗。
為了降低在對(duì)電容充電過程中電源能量的損耗,人們提出了各種能量回收電路,圖2給出了Weber和Wood早期提出的一種能量回收電路,電路是在圖1基礎(chǔ)上添加了虛線內(nèi)的電路形成的,電路引入了儲(chǔ)能電容Cs、電感L以及兩個(gè)開關(guān)和兩個(gè)二極管,要求儲(chǔ)能電容Cs大于Cp幾十倍,確保電路穩(wěn)定后儲(chǔ)能電容Cs端電壓等于Us/2,工作原理簡述如下對(duì)Cp充電時(shí),首先僅接通M3,“Cs→M3→D1→L→Cp→地→Cs”形成單向串聯(lián)振蕩電路,效果是Cs放電而Cp充電;當(dāng)Cp電壓接近Us時(shí),斷開M3僅接通M1,電源繼續(xù)對(duì)Cp充電到Us,此次充電Cp端電壓改變的幅度很小,電源能量損耗大大減少。
Cp放電時(shí),首先僅接通M4,“Cp→L→D2→M4→Cs→地→Cp”形成單向串聯(lián)振蕩電路,效果是Cp放電而Cs充電,能量得到回收并儲(chǔ)存在Cs中,彌補(bǔ)了前一次的Cs放電損耗的能量,當(dāng)Cp放電到接近0V時(shí),斷開M4僅接通M2,Cp進(jìn)一步放電到0V,此次放電Cp端電壓改變的幅度小,能量損耗大大減少。在一個(gè)周期內(nèi),儲(chǔ)能電容Cs進(jìn)行一次充電和一次放電,確保Cs端電壓保持在Us/2。Cp電容X電極的維持脈沖波形如圖3所示。
可見,能量回收電路是通過引入電感,讓電感與PDP顯示屏電極電容形成LC振蕩電路,電路振蕩時(shí)并不從電源吸取能量,而電源對(duì)PDP顯示屏電極電容充電時(shí),或PDP顯示屏電極電容放電時(shí)其端電壓改變的幅度都很小,能量損耗大大減少。
PDP顯示屏有兩種維持電極,稱為X電極和Y電極,X電極和Y電極對(duì)地分別形成兩種電極電容,PDP工作時(shí)需要兩套圖2所示的能量回收電路,分別驅(qū)動(dòng)PDP顯示屏的X電極和Y電極。
常規(guī)的能量回收電路具有下列缺點(diǎn)1、沒有電壓自舉功能,Us就是PDP的維持電壓,約為180V,對(duì)MOS管耐壓要求較高。
2、PDP功耗主要取決于維持放電時(shí)電源的能量損耗,其值與Us2f成正比,f是維持脈沖頻率,由于沒有電壓自舉功能,Us較高,電源能量損耗大。
3、電路采用了導(dǎo)通電阻較大的P型MOS管,充電回路電阻較大,能量回收效果欠佳。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題在于,針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述能量損耗大、MOS管耐壓要求較高的缺陷,提供一種具有電壓自舉的PDP能量回收電路。
本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種PDP能量回收電路,含有PDP顯示屏電極電容Cp和諧振電感L,PDP顯示屏電極電容Cp一端接地,第二端連接諧振電感L的第一端,其特征在于,所述PDP能量回收電路還包括第一開關(guān)MOS管M1,其漏級(jí)連接所述PDP顯示屏電極電容Cp的第二端,其柵極和開關(guān)控制電路相連;第二開關(guān)MOS管M2,其源級(jí)連接所述PDP顯示屏電極電容Cp的第二端,其柵極和開關(guān)控制電路相連,其漏級(jí)通過自舉電容C1和所述第一開關(guān)MOS管M1的源級(jí)相連;第三開關(guān)MOS管M3,其源級(jí)接地,其柵極和開關(guān)控制電路相連,其漏級(jí)和所述第二開關(guān)MOS管M2的漏級(jí)相連;第四開關(guān)MOS管M4,其漏級(jí)連接電源1/2Us,其柵極和開關(guān)控制電路相連,其源級(jí)和所述第二開關(guān)MOS管M2的漏級(jí)相連;第五開關(guān)MOS管M5,其源級(jí)接地,其漏級(jí)連接第一二極管D10的負(fù)端,其柵極和開關(guān)控制電路相連,所述第一二極管D10的正端和所述諧振電感L的第二端連接;第六開關(guān)MOS管M6,其漏級(jí)接地,其源級(jí)連接第二二極管D11的正端,其柵極和開關(guān)控制電路相連,所述第二二極管D11的負(fù)端和所述諧振電感L的第二端連接;第三二極管D9,其負(fù)端接地,正端連接第一開關(guān)MOS管M1的源級(jí)。
在本實(shí)用新型所述的PDP能量回收電路中,還包括第一快恢復(fù)二極管D7,其正端和第一開關(guān)MOS管M1源級(jí)相連,其負(fù)端和諧振電感L的第二端相連。
在本實(shí)用新型所述的PDP能量回收電路中,還包括第二快恢復(fù)二極管D8,其正端和諧振電感L的第二端相連,其負(fù)端和第二開關(guān)MOS管M2漏級(jí)相連。
在本實(shí)用新型所述的PDP能量回收電路中,所述第一開關(guān)MOS管M1、第二開關(guān)MOS管M2、第三開關(guān)MOS管M3、第四開關(guān)MOS管M4、第五開關(guān)MOS管M5和第六開關(guān)MOS管M6為N溝道MOS管。
在本實(shí)用新型所述的PDP能量回收電路中,所述自舉電容C1為電解電容,其正端和所述第四開關(guān)MOS管M4源級(jí)相連。
本實(shí)用新型電壓自舉PDP能量回收電路中引入電壓自舉功能,使維持電源電壓降低到常規(guī)的一半,降低了對(duì)功率MOS管耐壓的要求,維持電源的能量損耗也降低了近一半。


下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明,附圖中圖1是無能量回收能力的PDP驅(qū)動(dòng)電路圖;圖2是常規(guī)能量回收電路圖;圖3是常規(guī)能量回收電路X電極的維持脈沖波形圖;
圖4是電壓自舉PDP能量回收電路圖;圖5是電壓自舉PDP能量回收電路X電極的維持脈沖波形圖;圖6是常規(guī)能量回收電路X、Y電極的維持脈沖波形圖;圖7是電壓自舉PDP能量回收電路X、Y電極的維持脈沖波形圖。
具體實(shí)施方式
如圖4所示,為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選實(shí)施例的電壓自舉PDP能量回收電路的示意圖,該電路引入電壓自舉功能。
為本實(shí)用新型的PDP能量回收電路含有PDP顯示屏電極電容Cp和諧振電感L,PDP顯示屏電極電容Cp一端接地,另一端X連接諧振電感L一端A。
PDP能量回收電路還包括第一開關(guān)MOS管M1,其具有源級(jí)、漏級(jí)和柵極,其漏級(jí)連接PDP顯示屏電極電容Cp一端X,其柵極和開關(guān)控制電路相連。
第二開關(guān)MOS管M2,其具有源級(jí)、漏級(jí)和柵極,其源級(jí)連接所述PDP顯示屏電極電容Cp一端X,其柵極和開關(guān)控制電路相連,其漏級(jí)通過自舉電容C1和第一開關(guān)MOS管M1的源級(jí)相連。
第三開關(guān)MOS管M3,其具有源級(jí)、漏級(jí)和柵極,其源級(jí)接地,其柵極和開關(guān)控制電路相連,其漏級(jí)和第二開關(guān)MOS管M2的漏級(jí)相連。
第四開關(guān)MOS管M4,其具有源級(jí)、漏級(jí)和柵極,其漏級(jí)連接電源1/2Us,其柵極和開關(guān)控制電路相連,其源級(jí)和第二開關(guān)MOS管M2的漏級(jí)相連。
第五開關(guān)MOS管M5,其具有源級(jí)、漏級(jí)和柵極,其源級(jí)接地,其漏級(jí)連接第一二極管D10的負(fù)端,其柵極和開關(guān)控制電路相連,第一二極管D10的正端和諧振電感L一端B連接。
第六開關(guān)MOS管M6,其具有源級(jí)、漏級(jí)和柵極,其漏級(jí)接地,其源級(jí)連接第二二極管D11的正端,其柵極和開關(guān)控制電路相連,第二二極管D11的負(fù)端和所述諧振電感L一端B連接。
第三二極管D9,其負(fù)端接地,正端連接第一開關(guān)MOS管M1的源級(jí)。
以下說明該電路的工作過程,設(shè)Cp的X電極電位Ux=+Us/2,首先僅接通M5,則“Cp→L→D10→M5→地→Cp”形成單向并聯(lián)振蕩電路,使Cp充電到Ux接近-Us/2,然后斷開M5僅接通M1和M3,自舉電解電容C1繼續(xù)對(duì)Cp充電到Ux=-Us/2,此次充電Cp端電壓改變的幅度較小,損耗的能量大大降低。
接著,僅接通M6,則“Cp→地→M6→D11→L→Cp”形成單向并聯(lián)振蕩電路,使Cp充電到Ux接近+Us/2,然后斷開M6僅接通M2和M4,繼續(xù)對(duì)Cp充電到Ux=+Us/2,同理,此次充電Cp端電壓改變的幅度較小,電源損耗的能量大大降低,至此,完成一個(gè)周期。
Cp電容X電極的維持脈沖波形如圖5所示。與常規(guī)波形圖3相比,波形相同,但基準(zhǔn)不同,維持脈沖波形幅度是常規(guī)波形的二分之一,脈沖頻率是常規(guī)波形的2倍。
在MOS管M5和M6同時(shí)斷開時(shí),由于MOS管存在寄生電容,電感L與這些寄生電容及Cp形成振蕩回路,造成一定的能量損耗,為了進(jìn)一步回收這些能量,加入了第一快恢復(fù)二極管D7和第二快恢復(fù)二極管D8,第一快恢復(fù)二極管D7,其正端和第一開關(guān)MOS管M1源級(jí)相連,其負(fù)端和諧振電感L一端B相連。第二快恢復(fù)二極管D8,其正端和諧振電感L一端B相連,其負(fù)端和第二開關(guān)MOS管M2漏級(jí)相連。
形成如下兩個(gè)回路
A→D2→C1→D7→B→L→AB→D8→C1→D1→A→L→B這些回路將余能回收到電容C1,進(jìn)一步減少了能量損耗。
PDP顯示屏有兩種維持電極X電極和Y電極,X電極和Y電極對(duì)地分別形成兩種電極電容,需要兩套能量回收電路,分別驅(qū)動(dòng)PDP顯示屏的X電極和Y電極,產(chǎn)生相位相反的X電極和Y電極維持脈沖波形,圖6給出了常規(guī)能量回收電路的Ux、Uy和Ux-Uy波形,圖7給出了本實(shí)用新型能量回收電路的Ux、Uy和Ux-Uy波形??梢钥闯觯琔x-Uy的波形和基準(zhǔn)都相同,而PDP中的氣體放電過程與Ux-Uy直接相關(guān),而不是Ux或Uy,因此,本實(shí)用新型電路維持電源電壓是常規(guī)的一半,即Us/2,就可使PDP產(chǎn)生維持放電。
本實(shí)用新型能量回收電路維持電源電壓是常規(guī)的一半,降低了對(duì)MOS管耐壓的要求;維持電源的能量損耗與Us2f成正比,本實(shí)用新型維持電源電壓是常規(guī)的一半,維持脈沖頻率是常規(guī)的二倍,因此,理論上維持電源的能量損耗是常規(guī)的一半。
第一開關(guān)MOS管M1、第二開關(guān)MOS管M2、第三開關(guān)MOS管M3、第四開關(guān)MOS管M4、第五開關(guān)MOS管M5和第六開關(guān)MOS管M6為N溝道MOS管。自舉電容C1為電解電容,其正端和所述第四開關(guān)MOS管M4源級(jí)相連。N型MOS管具有較小的內(nèi)阻,能量回收效果好。
二極管D1、D2、D3、D4、D5和D6分別為MOS管M1、M2、M3、M4、M5和M6內(nèi)部寄生二極管。
權(quán)利要求1.一種PDP能量回收電路,含有PDP顯示屏電極電容(Cp)和諧振電感(L),PDP顯示屏電極電容(Cp)第一端接地,第二端連接諧振電感(L)的第一端,其特征在于,所述PDP能量回收電路還包括第一開關(guān)MOS管(M1),其漏級(jí)連接所述PDP顯示屏電極電容(Cp)的第二端,其柵極和開關(guān)控制電路相連;第二開關(guān)MOS管(M2),其源級(jí)連接所述PDP顯示屏電極電容(Cp)的第二端,其柵極和開關(guān)控制電路相連,其漏級(jí)通過自舉電容(C1)和所述第一開關(guān)MOS管(M1)的源級(jí)相連;第三開關(guān)MOS管(M3),其源級(jí)接地,其柵極和開關(guān)控制電路相連,其漏級(jí)和所述第二開關(guān)MOS管(M2)的漏級(jí)相連;第四開關(guān)MOS管(M4),其漏級(jí)連接電源(1/2Us),其柵極和開關(guān)控制電路相連,其源級(jí)和所述第二開關(guān)MOS管(M2)的漏級(jí)相連;第五開關(guān)MOS管(M5),其源級(jí)接地,其漏級(jí)連接第一二極管(D10)的負(fù)端,其柵極和開關(guān)控制電路相連,所述第一二極管(D10)的正端和所述諧振電感(L)的第二端連接;第六開關(guān)MOS管(M6),其漏級(jí)接地,其源級(jí)連接第二二極管(D11)的正端,其柵極和開關(guān)控制電路相連,所述第二二極管(D11)的負(fù)端和所述諧振電感(L)的第二端連接;第三二極管(D9),其負(fù)端接地,正端連接第一開關(guān)MOS管(M1)的源級(jí)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PDP能量回收電路,其特征在于,還包括第一快恢復(fù)二極管(D7),其正端和第一開關(guān)MOS管(M1)源級(jí)相連,其負(fù)端和諧振電感(L)的第二端相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的PDP能量回收電路,其特征在于,還包括第二快恢復(fù)二極管(D8),其正端和諧振電感(L)的第二端相連,其負(fù)端和第二開關(guān)MOS管(M2)漏級(jí)相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任何一項(xiàng)所述的PDP能量回收電路,其特征在于所述第一開關(guān)MOS管(M1)、第二開關(guān)MOS管(M2)、第三開關(guān)MOS管(M3)、第四開關(guān)MOS管(M4)、第五開關(guān)MOS管(M5)和第六開關(guān)MOS管(M6)為N溝道MOS管。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的PDP能量回收電路,其特征在于,所述自舉電容(C1)為電解電容,其正端和所述第四開關(guān)MOS管(M4)源級(jí)相連。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種PDP能量回收電路,含有PDP顯示屏電極電容、諧振電感、第一開關(guān)MOS管、第二開關(guān)MOS管、第三開關(guān)MOS管、第四開關(guān)MOS管、第五開關(guān)MOS管、第六開關(guān)MOS管和自舉電容,第三開關(guān)MOS管的漏級(jí)、第四開關(guān)MOS管的源級(jí)和第二開關(guān)MOS管的漏級(jí)都與自舉電容的正端相連,第一開關(guān)MOS管的源級(jí)和自舉電容的負(fù)端相連,第一開關(guān)MOS管的漏級(jí)和第二開關(guān)MOS管的源級(jí)都和PDP顯示屏電極電容相連。本實(shí)用新型的PDP能量回收電路中引入電壓自舉功能,使維持電源電壓降低到常規(guī)的一半,降低了對(duì)功率MOS管耐壓的要求,維持電源的能量損耗也降低了一半。
文檔編號(hào)G09G3/28GK2710094SQ20042007100
公開日2005年7月13日 申請日期2004年6月25日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月25日
發(fā)明者梁寧 申請人:康佳集團(tuán)股份有限公司
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