專利名稱：具有顯示裝置的電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到OLED平板，其中制作在襯底上的有機發(fā)光器件(OLED)被包圍在襯底與覆蓋元件之間。本發(fā)明還涉及到OLED模塊，其中IC被安裝在OLED平板上。注意，在本說明書中，OLED平板和OLED模塊通常被稱為發(fā)光器件。本發(fā)明還涉及到采用此發(fā)光器件的電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
OLED自身發(fā)光，因而具有高清晰度。OLED不需要液晶顯示器(LCD)所必須的后照光，適合于減小發(fā)光器件的厚度。OLED還沒有視角限制。因此，作為一種代替CRT或LCD的顯示器，采用OLED的發(fā)光器件近來受到了注意。
OLED包括含有有機化合物的層(有機發(fā)光材料)(以下稱為有機發(fā)光層)、陽極層和陰極層，在含有有機化合物的層中獲得了借助于施加電場而產(chǎn)生的發(fā)光(電致發(fā)光)。從單重激發(fā)態(tài)返回基態(tài)過程中的光發(fā)射(熒光)和從三重激發(fā)態(tài)返回基態(tài)過程中的光發(fā)射(磷光)，在有機化合物中以發(fā)光的形式存在。本發(fā)明的發(fā)光器件可以采用上述發(fā)光中的一種或二者。
注意，在本說明書中，提供在OLED的陽極與陰極之間的所有的層，被定義為有機發(fā)光層。此有機發(fā)光層具體包括發(fā)光層、空穴注入層、電子注入層、空穴輸運層、電子輸運層、等等。OLED基本上具有陽極/發(fā)光層/陰極依次層疊的結(jié)構(gòu)。除了這種結(jié)構(gòu)之外，OLED可以具有陽極/空穴注入層/發(fā)光層/陰極依次層疊的結(jié)構(gòu)或陽極/空穴注入層/發(fā)光層/電子輸運層/陰極依次層疊的結(jié)構(gòu)。
在發(fā)光器件的實際使用中，目前一個嚴(yán)重的問題是，伴隨著包含在有機發(fā)光層中的有機發(fā)光材料的退化，OLED的亮度下降。
有機發(fā)光層中的有機發(fā)光材料容易受到潮氣、氧、光和熱的影響，這些因素促進(jìn)了有機發(fā)光材料的退化。具體地說，有機發(fā)光層的退化速度受到用來驅(qū)動發(fā)光器件的器件結(jié)構(gòu)、構(gòu)成有機發(fā)光層的有機發(fā)光材料的特性、電極材料、制造工藝條件、驅(qū)動發(fā)光器件的方法等等的影響。
即使當(dāng)恒定的電壓從成對的電極被施加到有機發(fā)光層時，OLED的亮度也由于有機發(fā)光層的退化而降低。若OLED的亮度降低，則顯示在發(fā)光器件上的圖象變得不清楚。注意，在本說明書中，從一對電極施加到有機發(fā)光層的電壓被定義為OLED驅(qū)動電壓(Ve1)。
而且，在使用對應(yīng)于R(紅)、G(綠)、B(藍(lán))的三種OLED的彩色顯示模式中，構(gòu)成有機發(fā)光層的有機發(fā)光材料依賴于對應(yīng)的OLED顏色而不同。若OLED的有機發(fā)光層依照相應(yīng)的顏色而以不同的速度退化，則OLED的亮度依賴于顏色而隨時間不同。于是，無法在發(fā)光器件上顯示所需的顏色。
而且，OLED的亮度具有很強的溫度依賴性，于是在恒壓驅(qū)動中存在著顯示亮度和色調(diào)隨溫度變化的問題。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到上述情況，提出了本發(fā)明，因此，本發(fā)明的目的是提供一種發(fā)光器件，其中OLED的亮度變化被抑制，且即使當(dāng)有機發(fā)光層稍許退化或當(dāng)環(huán)境溫度變化時，也能夠穩(wěn)定地執(zhí)行所需的彩色顯示。
在具有恒定OLED驅(qū)動電壓的光發(fā)射與具有恒定電流流過OLED的光發(fā)射之間，本發(fā)明人將注意力放在退化造成的OLED亮度下降在后者中較小的事實上。注意，在本說明書中，流過OLED的電流被稱為OLED驅(qū)動電流(Ie1)。
圖2示出了OLED驅(qū)動電壓恒定的情況與OLED驅(qū)動電流恒定的情況之間的OLED亮度的變化。如圖2所示，在恒定OLED驅(qū)動電流的OLED中，退化造成的亮度變化較小。這是因為不僅直線L-I的傾斜變小，而且曲線I-V本身在OLED退化時向下側(cè)移動(見圖18A和圖18B)。
于是，本發(fā)明人發(fā)明了一種具有簡單結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件，其中OLED驅(qū)動電壓能夠被修正成即使OLED驅(qū)動電流由于退化等而變化，也使OLED驅(qū)動電流總是保持恒定。
具體地說，在本發(fā)明中，除了用來顯示圖象的象素部分外，還在發(fā)光器件中提供了用來測量OLED驅(qū)動電流的象素部分。監(jiān)視器象素部分最好能夠顯示某些圖象，以便有效地用作顯示部分。但監(jiān)視器象素部分能夠執(zhí)行圖象顯示不是主要的。以下在本說明書中，為了清楚地區(qū)分上述二個象素部分，以圖象顯示為目的的象素部分被稱為顯示器象素部分(第一象素部分)，而以測量OLED驅(qū)動電流為目的的象素部分被稱為監(jiān)視器象素部分(第二象素部分)。
顯示器象素部分和監(jiān)視器象素部分的各個象素的結(jié)構(gòu)相同，并能夠用相同的電路圖加以描述。關(guān)于顯示器象素部分的象素(以下稱為第一象素或顯示器象素)和監(jiān)視器象素部分的象素(以下稱為第二象素或監(jiān)視器象素)的OLED，亮度最大時的OLED驅(qū)動電壓受可變電源的控制，且二種電壓最好保持相等的數(shù)值。
注意，在本說明書中，可變電源指的是饋送到電路或元件的電壓不是恒定的而是可變的一種電源。
而且，本發(fā)明的發(fā)光器件包括用來測量監(jiān)視器象素部分的OLED(以下稱為監(jiān)視器OLED或第二OLED)的OLED驅(qū)動電流的第一裝置、用來根據(jù)測得的數(shù)值而計算施加到OLED的電壓的第二裝置、以及用來實際控制電壓數(shù)值的第三裝置。
注意，第二裝置可以是用來比較測得的當(dāng)前數(shù)值與參考數(shù)值的裝置，而第三裝置可以是用來控制可變電源以縮小測得數(shù)值與參考數(shù)值之間的差值，并在存在差異的情況下修正顯示器象素的OLED(以下稱為顯示器OLED或第一OLED)的OLED驅(qū)動電壓和監(jiān)視器OLED的裝置。
與輸入到顯示器象素部分的視頻信號系統(tǒng)不同系統(tǒng)的視頻信號，被輸入到監(jiān)視器象素部分。但在信號各包括灰度信息這一點上，二種視頻信號相同，只是二種信號之間所顯示的圖象的系統(tǒng)是不同的。以下，待要輸入到顯示器象素部分的視頻信號被稱為顯示視頻信號，而待要輸入到監(jiān)視器象素部分的視頻信號被稱為監(jiān)視器視頻信號。
當(dāng)監(jiān)視器OLED的OLED驅(qū)動電流被測量時，監(jiān)視器的圖象(以下稱為監(jiān)視器圖象)根據(jù)監(jiān)視器視頻信號而被顯示在監(jiān)視器象素部分上。監(jiān)視器圖象可以是靜態(tài)圖象或動態(tài)圖象。而且，可以在所有象素上顯示相同的灰度。而且，其中顯示器OLED與監(jiān)視器OLED的OLED驅(qū)動電流之間的時間平均值基本上相同的監(jiān)視器圖象最好這樣被顯示，致使顯示器OLED與監(jiān)視器OLED之間的退化程度變得相同。
注意，電流的參考數(shù)值不必總是固定在同一個數(shù)值。預(yù)備了多個具有不同參考電流數(shù)值的監(jiān)視器圖象，并可以對每個監(jiān)視器選擇監(jiān)視器圖象。當(dāng)然，也可以預(yù)備具有同一個參考電流數(shù)值的幾種監(jiān)視器圖象。
在本發(fā)明的發(fā)光器件中，利用上述結(jié)構(gòu)，即使有機發(fā)光層有退化，也能夠抑制OLED亮度的下降。結(jié)果，能夠顯示清晰的圖象。
而且，在使用對應(yīng)于R(紅)、G(綠)、B(藍(lán))的三種OLED的彩色顯示模式中，可以提供對應(yīng)于各個顏色的監(jiān)視器象素部分，并可以對各個顏色的每個OLED測量OLED驅(qū)動電流，從而修正OLED驅(qū)動電壓。利用這種結(jié)構(gòu)，防止了失去各個顏色中的亮度平衡，且即使OLED的各個有機發(fā)光層依照對應(yīng)的顏色以不同的速度退化，也能夠顯示所需的顏色。
而且，有機發(fā)光層的溫度受到外部溫度、OLED平板本身產(chǎn)生的熱等等的影響。通常，當(dāng)OLED以恒定的電壓被驅(qū)動時，流動的電流的數(shù)值隨溫度而變化。圖3示出了有機發(fā)光層的溫度被改變時的OLED電壓-電流特性。當(dāng)電壓恒定時，若有機發(fā)光層的溫度升高，則OLED驅(qū)動電流升高。由于OLED驅(qū)動電流與OLED亮度之間的關(guān)系基本上是正比關(guān)系，故OLED亮度隨OLED驅(qū)動電流升高而升高。在圖2中，恒壓亮度示出了大約24小時的垂直周期。這是因為反映了白天和黑夜之間的溫差。但在本發(fā)明的發(fā)光器件中，借助于修正OLED驅(qū)動電壓，即使有機發(fā)光層的溫度被改變時，OLED驅(qū)動電流也能夠總是保持恒定。因此能夠獲得恒定的亮度，而不受溫度變化的影響，且還能夠防止伴隨著溫度升高的功耗增大。
而且，在溫度改變時，OLED驅(qū)動電流的變化程度通常依賴于有機發(fā)光材料的種類而不同。于是，在彩色顯示中可能根據(jù)溫度而分別改變各個顏色的OLED的亮度。但在本發(fā)明的發(fā)光器件中，能夠得到恒定的亮度而不受溫度變化的影響。于是，防止了失去各個顏色中亮度的平衡，從而能夠顯示所需的顏色。
順便說一下，本發(fā)明對數(shù)字時間灰度驅(qū)動的有源矩陣發(fā)光器件特別有用，還可用于模擬灰度驅(qū)動的有源矩陣發(fā)光器件。而且，本發(fā)明能夠適用于無源發(fā)光器件。
而且，監(jiān)視器象素部分可以有效地被用來顯示圖標(biāo)、標(biāo)識、圖形、標(biāo)志等，這可以免去浪費。此外，監(jiān)視器取與象素相同的類型，從而能夠以更高的分辨率趕上象素OLED的退化。這樣能提供容易和精確的亮度修正。


在附圖中圖1是本發(fā)明的發(fā)光器件的方框圖；圖2示出了恒流驅(qū)動或恒壓驅(qū)動中退化造成的亮度變化；圖3示出了電流隨有機發(fā)光層溫度的變化；圖4是本發(fā)明的發(fā)光器件的象素電路圖；圖5示出了電壓根據(jù)修正的變化；圖6是修正電路的方框圖；圖7示出了偏離電流與修正電壓之間的關(guān)系；
圖8是本發(fā)明的發(fā)光器件的象素電路圖；圖9示出了本發(fā)明的發(fā)光器件的驅(qū)動方法；圖10A和10B是驅(qū)動電路的方框圖；圖11A-11C示出了本發(fā)明的發(fā)光器件的外貌；圖12示出了本發(fā)明的發(fā)光器件的外貌；圖13A-13D示出了本發(fā)明的發(fā)光器件的制造方法；圖14A-14C示出了本發(fā)明的發(fā)光器件的制造方法；圖15A-15B示出了本發(fā)明的發(fā)光器件的制造方法；圖16A-16B示出了本發(fā)明的發(fā)光器件的制造方法；圖17A-17H示出了采用本發(fā)明的發(fā)光器件的電子設(shè)備；而圖18A-18B示出了退化造成的OLED的電壓-電流特性和電流-亮度特性的變化。
具體實施例方式
以下將描述本發(fā)明的結(jié)構(gòu)。
圖1是本發(fā)明的OLED平板的結(jié)構(gòu)方框圖。參考號101表示顯示器象素部分，其中多個顯示器象素102被制作在矩陣中。參考號103表示監(jiān)視器象素部分，其中多個監(jiān)視器象素104被制作在矩陣中。參考號105和106分別表示源線驅(qū)動電路和柵線驅(qū)動電路。
顯示器象素部分101和監(jiān)視器象素部分103可以制作在同一個襯底上或制作在不同的襯底上。注意，雖然在圖1中，源線驅(qū)動電路105和柵線驅(qū)動電路106被制作在其上制作顯示器象素部分101和監(jiān)視器象素部分103的襯底上，但本發(fā)明不局限于這種結(jié)構(gòu)。源線驅(qū)動電路105和柵線驅(qū)動電路106也可以被制作在與其上制作象素部分101或監(jiān)視器象素部分103的襯底不同的襯底上，并可以通過諸如FPC之類的連接件被連接到象素部分101或監(jiān)視器象素部分105。而且，在圖1中，提供了一個源線驅(qū)動電路105和一個柵線驅(qū)動電路106，但本發(fā)明不局限于這種結(jié)構(gòu)。源線驅(qū)動電路105和柵線驅(qū)動電路106的數(shù)目可以由設(shè)計者任意設(shè)定。
而且，在圖1中，源線S1-Sx、電源線V1-Vx、和柵線G1-Gy，被提供在顯示象素部分101中。源線S(x+1)、電源線V(x+1)、和柵線G1-Gy，則被提供在監(jiān)視象素部分103中。源線的數(shù)目和電源線的數(shù)目不總是相同的。而且，除了這些線之外，可以提供不同的線。圖1還示出了一個例子，其中僅僅在監(jiān)視象素部分103中提供了具有源線S(x+1)的一行象素。但本發(fā)明的發(fā)光器件不局限于這種結(jié)構(gòu)。具有多個源線的多行象素可以被提供在監(jiān)視象素部分103中。提供在監(jiān)視象素部分103中的象素的數(shù)目可以由設(shè)計者適當(dāng)?shù)剡x擇。
各個顯示OLED 107被提供在各個顯示象素102中。而且，各個監(jiān)視OLED 108被提供在各個顯示象素104中。顯示OLED 107和監(jiān)視OLED 108各具有陽極和陰極。在本說明書中，在陽極被用作象素電極(第一電極)的情況下，陰極被稱為反電極(第二電極)，而在陰極被用作象素電極的情況下，陽極被稱為反電極。
各個顯示OLED 107的象素電極，通過一個TFT或多個TFT，被連接到電源線V1-Vx之一。電源線V1-Vx都被連接到顯示可變電源109。各顯示OLED 107的反電極都被連接到顯示可變電源109。注意，各個顯示0LED 107的反電極可以通過一個元件或多個元件被連接到顯示可變電源109。
另一方面，各個監(jiān)視OLED 108的象素電極通過一個TFT或多個TFT被連接到電源線V(x+1)。電源線V(x+1)通過電流表111被連接到監(jiān)視可變電源110。各個監(jiān)視OLED 108的反電極都被連接到監(jiān)視可變電源110。注意，各個監(jiān)視OLED 108的反電極可以通過一個元件或多個元件被連接到監(jiān)視可變電源110。
注意，在圖1中，顯示可變電源109和監(jiān)視可變電源110被連接成使電源線側(cè)保持在高電位(Vdd)而反電極側(cè)保持在低電位(Vss)。但本發(fā)明不局限于這種結(jié)構(gòu)，顯示可變電源109和監(jiān)視可變電源110也可以被連接成使流過顯示OLED 107和監(jiān)視OLED 108的電流具有正向偏壓。
而且，提供電流表111的位置不一定位于監(jiān)視可變電源110與電源線之間。此位置可以位于監(jiān)視可變電源110與反電極之間。
參考號112表示修正電路，它根據(jù)電流表111測得的電流數(shù)值(測量值)來控制顯示可變電源109和監(jiān)視可變電源110。具體地說，修正電路112控制著從顯示可變電源109饋送到各顯示OLED 107的反電極和電源線V1-Vx的電壓以及從監(jiān)視可變電源110饋送到各監(jiān)視OLED 108的反電極和電源線V(x+1)的電壓。
順便說一下，電流表111、顯示可變電源109、監(jiān)視可變電源110、修正電路112，可以被制作在與其上制作顯示象素部分101和監(jiān)視象素部分103的襯底不同的襯底上，并可以通過連接件之類被連接到顯示象素部分101和監(jiān)視象素部分103。若有可能，上述的各個元件可以如顯示象素部分101和監(jiān)視象素部分103那樣被制作在相同的襯底上。
而且，在彩色顯示模式中，可以為每個顏色提供顯示可變電源、監(jiān)視可變電源、修正電路、和電流表，并可以在各個顏色的OLED中修正OLED驅(qū)動電壓。注意，此時可以為各個顏色提供修正電路，或可以為多個顏色的OLED提供公共的修正電路。
圖4示出了顯示象素104的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。注意，顯示象素102具有與顯示象素104相同的器件連接結(jié)構(gòu)。
在圖4中，顯示象素104具有源線S(x+1)、柵線Gj(j＝1-y)、電源線V(x+1)、開關(guān)TFT 120、驅(qū)動TFT 121、電容器122、以及監(jiān)視OLED 108。圖4所示的象素結(jié)構(gòu)僅僅是一個例子，象素的行和元件數(shù)目、其種類、以及連接，不局限于圖4所示結(jié)構(gòu)中的那些。只要各個象素的OLED的OLED驅(qū)動電壓能夠被可變電源控制，本發(fā)明的發(fā)光器件就可以具有任何結(jié)構(gòu)。
在圖4中，開關(guān)TFT 120的柵電極被連接到柵線Gj。開關(guān)TFT 120的源區(qū)和漏區(qū)之一被連接到源線S(x+1)，而另一個被連接到驅(qū)動TFT 121的柵電極。驅(qū)動TFT 121的源區(qū)和漏區(qū)之一則被連接到電源線V(x+1)，而另一個被連接到監(jiān)視OLED 108的象素電極。電容器122被制作在驅(qū)動TFT 121的柵電極與電源線V(x+1)之間。
在圖4所示的顯示象素104中，柵線Gj的電位受柵線驅(qū)動電路106控制，而源線S(x+1)被源線驅(qū)動電路105輸入監(jiān)視視頻信號。當(dāng)開關(guān)TFT 120被開通時，輸入到源線S(x+1)的監(jiān)視視頻信號，通過開關(guān)TFT 120被輸入到驅(qū)動TFT 121的柵電極。然后，當(dāng)驅(qū)動TFT 121根據(jù)此監(jiān)視視頻信號被開通時，OLED驅(qū)動電壓被監(jiān)視可變電源110施加于監(jiān)視0LED 108的象素電極與反電極之間。監(jiān)視OLED 108于是發(fā)光。
當(dāng)監(jiān)視OLED 108發(fā)光時，用電流表111測量電流。測得的數(shù)值作為數(shù)據(jù)被送到修正電路112。測量電流的周期根據(jù)電流表111的性能而不同，此周期的長度必須等于或大于測量得以執(zhí)行的周期。而且，用電流表111使測量周期內(nèi)流動的電流的平均值或最大值被讀出。
在修正電路112中，測得的電流值與設(shè)定的電流值(參考值)被比較。在測得的數(shù)值與參考值之間存在著某些差異的情況下，修正電路112則控制監(jiān)視可變電源110和顯示可變電源109，并修正電源線V(x+1)與監(jiān)視OLED 108的反電極之間的電壓以及電源線V1-Vx與顯示OLED 107的反電極之間的電壓。于是，顯示OLED 107和監(jiān)視OLED 108中的OLED驅(qū)動電壓被修正，OLED驅(qū)動電流從而以所需的大小流動。
注意，借助于控制電源線側(cè)處的電位，可以修正OLED驅(qū)動電壓，或可以借助于控制反電極側(cè)處的電位來修正。而且，可以借助于控制電源線側(cè)的電位和反電極側(cè)的電位二者，來修正OLED驅(qū)動電壓。
圖5示出了在彩色發(fā)光器件中，電源線側(cè)的電位被控制的情況下，各個顏色的OLED的OLED驅(qū)動電壓的變化。在圖5中，Vr表示紅色顯示OLED(R)中修正之前的OLED驅(qū)動電壓，而Vr0表示修正之后的OLED驅(qū)動電壓。同樣，Vg表示綠色顯示OLED(G)中修正之前的OLED驅(qū)動電壓，而Vg0表示修正之后的OLED驅(qū)動電壓。Vb表示藍(lán)色顯示OLED(B)中修正之前的OLED驅(qū)動電壓，而Vb0表示修正之后的OLED驅(qū)動電壓。
在圖5的情況下，反電極的電位(反電位)在所有的顯示OLED中被固定在同一個水平。對各個顏色的每個顯示OLED測量OLED驅(qū)動電流，且電源線的電位(電源電位)被顯示可變電源控制，從而修正OLED驅(qū)動電壓。
順便說一下，在圖1中使用了二種可變電源，亦即對應(yīng)于顯示象素部分的顯示可變電源以及對應(yīng)于監(jiān)視象素部分的監(jiān)視可變電源，但本發(fā)明不局限于這種結(jié)構(gòu)。一種可變電源可以代替顯示可變電源和監(jiān)視可變電源。
在本發(fā)明的發(fā)光器件中，利用上述結(jié)構(gòu)，能夠獲得如圖2中OLED驅(qū)動電流保持恒定時那樣得到的相同的亮度變化。
根據(jù)本發(fā)明，利用上述的結(jié)構(gòu)，即使有機發(fā)光層退化，也能夠抑制OLED的亮度下降。結(jié)果，能夠顯示清晰的圖象。而且，在采用對應(yīng)于各個顏色的OLED的彩色顯示發(fā)光器件的情況下，防止了失去各個顏色中的亮度平衡，從而即使當(dāng)OLED的有機發(fā)光層依照顏色而以不同的速度退化時，也能夠顯示所需的顏色。
而且，即使有機發(fā)光層的溫度受到外界溫度、OLED平板本身產(chǎn)生的熱等的影響，也能夠抑制OLED的亮度變化。還能夠防止伴隨著溫度升高的功耗上升。而且，在具有彩色顯示的發(fā)光器件的情況下，能夠抑制各個顏色的OLED的亮度變化而不受溫度變化的影響。于是，防止了失去各個顏色中的亮度平衡，從而能夠顯示所需的顏色。
以下描述本發(fā)明的各個實施方案。
在此實施方案中，描述本發(fā)明的發(fā)光器件的修正電路的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。
圖6是此實施方案中的修正電路的結(jié)構(gòu)方框圖。修正電路203包括A/D轉(zhuǎn)換器204、實測值的存儲器205、計算電路206、參考值的存儲器207、和控制器208。
電流表201測得的電流值(實測值)，被輸入到修正電路203的A/D轉(zhuǎn)換器204。在A/D轉(zhuǎn)換器204中，模擬實測值被轉(zhuǎn)換成數(shù)字值。被轉(zhuǎn)換的實測值的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)被輸入到實測值的存儲器205進(jìn)行保持。
另一方面，OLED驅(qū)動電流的參考值的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，被保持在參考值的存儲器207中。在計算電路206中，保持在實測值存儲器205中的實測值的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)以及保持在參考值的存儲器207中的參考值的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，被讀出進(jìn)行比較。
然后，根據(jù)實測值的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)與參考值的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)之間的比較，監(jiān)視可變電源202和顯示可變電源209被控制，以便使實際流經(jīng)電流表201的電流值靠近參考值。更具體地說，監(jiān)視可變電源202和顯示可變電源209被控制，從而修正電源線V1-Vx與各顯示OLED反電極之間的電壓和電源線V(x+1)與監(jiān)視OLED反電極之間的電壓。結(jié)果，顯示OLED和監(jiān)視OLED中的OLED驅(qū)動電壓被修正，從而流動所需大小的OLED驅(qū)動電流。
當(dāng)假設(shè)實測值與參考值之間的電流差值是偏離電流，且根據(jù)電源線V1-Vx與反電極之間的修正而改變的電壓量是修正電壓時，偏離電流與修正電壓之間的關(guān)系被示于例如圖7中。在圖7中，當(dāng)偏離電流以恒定的寬度變化時，修正電壓每次變化恒定的大小。
注意，偏離電流與修正電壓之間的關(guān)系可以不一定與圖7所示的曲線相符。偏離電流與修正電壓只需具有這樣一種關(guān)系，使實際流經(jīng)電流表的電流值變得靠近參考值即可。例如，偏離電流與修正電壓之間的關(guān)系可以具有線性。偏離電流也可以正比于修正電壓的二次方。
注意，此實施方案中所示的修正電路的結(jié)構(gòu)僅僅是一個例子，本發(fā)明不局限于這種結(jié)構(gòu)。只要用于本發(fā)明的修正電路具有用來比較實測值與參考值的裝置以及用來根據(jù)電流表的實測值而執(zhí)行某些計算處理并修正OLED驅(qū)動電壓的裝置即可。監(jiān)視可變電源的電壓值與顯示可變電源的電壓值可以不一定具有相同的結(jié)構(gòu)?？赡軆H僅需要規(guī)定偏離電流變成等于或大于某個固定數(shù)值時的計算處理方法，而不是用存儲在存儲器中的電流參考值來執(zhí)行修正。
在此實施方案中，描述本發(fā)明的發(fā)光器件中與圖4不同的顯示象素的結(jié)構(gòu)。
圖8示出了此實施方案中的顯示象素的結(jié)構(gòu)。在此實施方案的發(fā)光器件的監(jiān)視象素部分中，顯示象素300被提供在矩陣中。顯示象素300具有源線301、第一柵線302、第二柵線303、電源線304、開關(guān)TFT 305、驅(qū)動TFT 306、擦除TFT 309、以及監(jiān)視OLED 307。
開關(guān)TFT 305的柵電極被連接到第一柵線302。開關(guān)TFT 305的源區(qū)和漏區(qū)之一被連接到源線301，而另一個被連接到驅(qū)動TFT 306的柵電極。
擦除TFT 309的柵電極被連接到第二柵線303。擦除TFT 309的源區(qū)和漏區(qū)之一被連接到電源線304，而另一個被連接到驅(qū)動TFT 306的柵電極。
驅(qū)動TFT 306的源區(qū)被連接到電源線304，而驅(qū)動TFT 306的漏區(qū)被連接到監(jiān)視OLED 307的象素電極。電容器308被制作在驅(qū)動TFT306的柵電極與電源線304之間。
電源線304通過電流表310被連接到監(jiān)視可變電源311。而且，監(jiān)視OLED 307的反電極都被連接到監(jiān)視可變電源311。注意，在圖8中，監(jiān)視可變電源311被連接成使電源線側(cè)保持在高電位(Vdd)而反電極側(cè)保持在低電位(Vss)。但本發(fā)明不局限于這種結(jié)構(gòu)。只要監(jiān)視可變電源311被連接成使流過監(jiān)視OLED 307的電流具有正向偏壓即可。
電流表310不一定要提供在監(jiān)視可變電源311與電源線304之間，可以提供在監(jiān)視可變電源311與反電極之間。
參考號312表示修正電路，它根據(jù)電流表310測得的電流值(實測值)而控制從監(jiān)視可變電源311饋送到反電極和電源線304的電壓。
注意，電流表310、監(jiān)視可變電源311、和修正電路312，可以被制作在與其上制作監(jiān)視象素部分的襯底不同的襯底上，并可以通過連接件等被連接到監(jiān)視象素部分。如果可能，上述的各個部件可以被制作在與監(jiān)視象素部分所在的相同的襯底上。
而且，在彩色顯示模式中，可以為每個顏色提供監(jiān)視可變電源、電流表、和修正電路，并可以在每個顏色的OLED中修正OLED驅(qū)動電壓。注意，此時可以為每個顏色提供修正電路，或可以為多個顏色的各個OLED提供公共的修正電路。
在圖8所示的象素中，第一柵線302和第二柵線303的電位受不同的柵線驅(qū)動電路控制。源線301被源線驅(qū)動電路輸入監(jiān)視視頻信號。
當(dāng)開關(guān)TFT 305被開通時，輸入到源線301的監(jiān)視視頻信號，通過開關(guān)TFT 301被輸入到驅(qū)動TFT 306的柵電極。然后，當(dāng)驅(qū)動TFT 306根據(jù)此監(jiān)視視頻信號被開通時，OLED驅(qū)動電壓被監(jiān)視可變電源311施加到監(jiān)視OLED 307的象素電極與反電極之間。監(jiān)視OLED 307于是發(fā)光。
然后，當(dāng)擦除TFT 309被開通時，驅(qū)動TFT 306的源區(qū)與柵電極之間的電位差變得靠近0，驅(qū)動TFT 306被關(guān)斷。監(jiān)視OLED 307于是不發(fā)光。
在本發(fā)明中，當(dāng)監(jiān)視OLED 307發(fā)光時，電流在電流表310中被測量。測得的數(shù)值作為數(shù)據(jù)被送到修正電路312。
在修正電路312中，測得的電流值與固定的電流值(參考值)被比較。在測得的數(shù)值與參考值之間存在著某些差異的情況下，監(jiān)視可變電源311則被控制以修正電源線304與反電極之間的電壓。于是，顯示象素300的監(jiān)視OLED 307中的OLED驅(qū)動電壓被修正，OLED驅(qū)動電流從而以所需的大小流動。
注意，借助于控制電源線側(cè)的電位，可以修正OLED驅(qū)動電壓，或可以借助于控制反電極側(cè)的電位來修正。而且，可以借助于控制電源線側(cè)的電位和反電極側(cè)的電位二者，來修正OLED驅(qū)動電壓。
而且，用于監(jiān)視的圖象最好是這樣一種圖象，其中象素部分中的盡可能多的象素的監(jiān)視OLED發(fā)光。即使電流表測得的電流值有誤差，測得的電流值對整個測得的數(shù)值的比率也由于測得的值與參考值二者都變大而變小。在監(jiān)視圖象中，為了改進(jìn)退化均勻性而使灰度與象素的平均水平相同。
注意，雖然此實施方案描述了顯示象素的結(jié)構(gòu)，但顯示象素也具有相同的結(jié)構(gòu)。然而，在顯示象素的情況下，電源線不被連接到電流表，顯示OLED的反電極不被連接到監(jiān)視可變電源而是顯示可變電源。
此實施方案所示的象素結(jié)構(gòu)僅僅是一個例子，本發(fā)明不局限于這種結(jié)構(gòu)。注意，借助于與實施方案1進(jìn)行自由組合，能夠?qū)崿F(xiàn)此實施方案。
在此實施方案中，描述本發(fā)明的發(fā)光器件執(zhí)行電流修正過程中顯示在監(jiān)視象素部分上的監(jiān)視圖象。
在本發(fā)明中，可以經(jīng)常進(jìn)行電流修正，或可以在預(yù)先設(shè)定的預(yù)定時間進(jìn)行電流修正。用戶也可以任意進(jìn)行電流修正。
顯示象素部分和監(jiān)視象素部分被分別提供在本發(fā)明的發(fā)光器件中。顯示于是不受限制。
在顯示監(jiān)視圖象時，參考電流值被存儲在修正電路中。于是能夠執(zhí)行修正而不干擾和影響屏幕上的圖象顯示。
而且，可以使用參考電流值不同的監(jiān)視圖象。在此情況下，視頻信號也被輸入到修正電路，并在修正電路等中計算參考值。在不使用監(jiān)視圖象的情況下，沒有必要使用監(jiān)視視頻信號，當(dāng)然，待要顯示的圖象不違背用戶意愿而改變。
監(jiān)視電流過程中的監(jiān)視圖象要滿足下列條件。
(公式1)在公式1中，符號n表示視頻信號的灰度總數(shù)。符號k表示灰度數(shù)目，取值0-n。符號mk表示監(jiān)視象素部分中灰度數(shù)目為k的象素的數(shù)目。注意，在具有彩色顯示的發(fā)光器件的情況下，公式1被用于對應(yīng)于各個顏色的每個象素。
借助于與實施方案1或2進(jìn)行自由組合，能夠?qū)崿F(xiàn)此實施方案。
在此實施方案中，參照圖9來描述圖1和圖4中的本發(fā)明的發(fā)光器件的驅(qū)動方法。注意，在圖9中，水平軸表示時間，垂直軸表示連接到柵線的顯示象素的位置。在此實施方案中，描述了顯示象素部分的驅(qū)動方法。但利用相同的驅(qū)動方法，也能夠執(zhí)行監(jiān)視象素部分的顯示。
首先，當(dāng)寫入周期Ta開始時，電源線V1-Vx的電源電位被保持在與顯示OLED 107的反電極電位相同的水平上。然后，連接到柵線G1的所有顯示象素(第一行的顯示象素)各自的開關(guān)TFT 120根據(jù)柵線驅(qū)動電路106輸出的選擇信號被開通。
然后，被源線驅(qū)動電路105輸入到各個源線(S1-Sx)的第一位數(shù)字視頻信號(以下稱為數(shù)字視頻信號)，通過開關(guān)TFT 120被輸入到驅(qū)動TFT 121的柵電極。
接著，第一行各個顯示象素的開關(guān)TFT 120被關(guān)斷。與第一行顯示象素相似，連接到柵線G2的第二行各個顯示象素的開關(guān)TFT 120被選擇信號開通。接著，來自各個電源線(S1-Sx)的第一位的數(shù)字視頻信號，通過第二行各個顯示象素的開關(guān)TFT 120，被輸入到驅(qū)動TFT121的柵電極。
然后，第一位的數(shù)字視頻信號被順序輸入到所有行的顯示象素。第一位的數(shù)字視頻信號被輸入到所有行的顯示象素的周期，是寫入周期Ta1。注意，在此實施方案中，數(shù)字視頻信號被輸入到象素，意味著數(shù)字視頻信號通過開關(guān)TFT 120被輸入到驅(qū)動TFT 121的柵電極。
寫入周期Ta1完成，然后開始顯示周期Tr1。在顯示周期Tr1中，電源線的電源電位變成與反電極具有電位差的電位，此電位差的大小使當(dāng)電源電位施加到OLED的象素電極時，OLED發(fā)光。
在此實施方案中，在數(shù)字視頻信號具有“0”信息的情況下，驅(qū)動TFT 121處于關(guān)斷狀態(tài)。于是，電源電位不被提供給顯示OLED 107的象素電極。結(jié)果，輸入了具有“0”信息的數(shù)字視頻信號的顯示象素的顯示OLED 107不發(fā)光。
相反，在數(shù)字視頻信號具有“1”信息的情況下，驅(qū)動TFT 121處于開通狀態(tài)。于是，電源電位被提供給顯示OLED 107的象素電極。結(jié)果，輸入了具有“1”信息的數(shù)字視頻信號的顯示象素的顯示OLED107發(fā)光。
如上所述，在顯示周期Tr1中，顯示OLED 107處于發(fā)射狀態(tài)或不發(fā)射狀態(tài)，且所有的顯示象素執(zhí)行顯示。顯示象素執(zhí)行顯示的周期被稱為顯示周期Tr。確切地說，借助于將第一位數(shù)字視頻信號輸入到顯示象素而開始的顯示周期，被稱為顯示周期Tr1。
顯示周期Tr1完成，則開始寫入周期Ta2。電源線的電源電位再次成為OLED反電極的電位。與寫入周期Ta1的情況相似，所有的柵線被順序選擇，且第二位數(shù)字視頻信號被輸入到所有的顯示象素。將第二位數(shù)字視頻信號輸入到所有行的顯示象素的周期，被稱為寫入周期Ta2。
寫入周期Ta2完成，然后開始顯示周期Tr2。電源線的電源電位變成與反電極具有電位差的電位，此電位差的大小使當(dāng)電源電位施加到OLED的象素電極時，OLED發(fā)光。然后，所有的顯示象素執(zhí)行顯示。
上述的操作被重復(fù)執(zhí)行，直至第n位數(shù)字視頻信號被輸入到各個顯示象素并交替地出現(xiàn)寫入周期Ta和顯示周期Tr。當(dāng)所有的顯示周期(Tr1-Trn)完成時，就能夠顯示一個圖象。在本說明書中，顯示一個圖象的周期被稱為一幀周期(F)。一幀周期完成，則開始下一幀周期。然后再出現(xiàn)寫入周期Ta1，并重復(fù)上述操作。
在通常的發(fā)光器件中，每秒最好提供60個或更多個幀周期。若每秒顯示的圖象的數(shù)目少于60，則圖象的閃爍可能變得顯而易見。
在此實施方案中，所有寫入周期的長度之和必須小于一幀周期，且顯示各個顯示周期長度的比率為Tr1∶Tr2∶Tr3∶...∶Tr(n-1)∶Trn＝20∶21∶22∶...∶2(n-2)∶2(n-1)。上述顯示周期的組合使得能夠顯示2n灰度中所需的灰度。
顯示OLED在一幀周期中發(fā)光時的各個顯示周期長度的總和被找到，從而確定顯示象素在涉及到的幀周期中顯示的灰度。例如，在n＝8的情況下，假設(shè)在所有顯示周期中顯示象素發(fā)光的情況下的亮度為100％。當(dāng)顯示象素在Tr1和Tr2中發(fā)光時，能夠表現(xiàn)1％的亮度。當(dāng)選擇Tr3、Tr5和Tr8時，能夠表現(xiàn)60％的亮度。
而且，顯示周期Tr1-Tm可以按任何順序出現(xiàn)。例如，在一幀周期中，顯示周期可以按Tr1、Tr3、Tr5、Tr2、...的順序出現(xiàn)。
注意，雖然電源線的電源電位的高度在寫入周期與顯示周期之間變化，但本發(fā)明不局限于此。電源電位與反電極電位二者可以總是具有電位差，其范圍使當(dāng)電源電位被施加到顯示OLED的象素電極時，此顯示OLED發(fā)光。在這種情況下，能夠使顯示OLED在寫入周期中也發(fā)光。于是，根據(jù)顯示OLED在一幀周期中發(fā)光過程中的寫入周期與顯示周期長度的總和而確定涉及到的一幀周期內(nèi)顯示象素顯示的灰度。注意，在此情況下，對應(yīng)于各個位數(shù)字視頻信號的寫入周期和顯示周期長度的總和的比率，必須是(Ta1+Tr1)∶(Ta2+Tr2)∶(Ta3+Tr3)∶...∶(Ta(n-1)+(Tr(n-1))∶(Tan+Trn)＝20∶21∶22∶...∶2(n-2)∶2(n-1)。
注意，此實施方案所示的驅(qū)動方法僅僅是一個例子，圖1和圖4中的本發(fā)明的發(fā)光器件的驅(qū)動方法不局限于此實施方案中的驅(qū)動方法。圖1和圖4所示的本發(fā)明的發(fā)光器件能夠以模擬視頻信號執(zhí)行顯示。
注意，借助于與實施方案1-3進(jìn)行自由組合，能夠?qū)崿F(xiàn)此實施方案。
在此實施方案中，解釋用來驅(qū)動本發(fā)明發(fā)光器件的象素部分的源線驅(qū)動電路和柵線驅(qū)動電路的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。
圖10A和10B示出了從此實施方案的發(fā)光器件的方框圖。圖10A示出了源信號線驅(qū)動電路601，它具有移位寄存器602、鎖存器(A)603和鎖存器(B)604。
時鐘信號CLK和開始脈沖SP被輸入到源信號線驅(qū)動電路601中的移位寄存器602。移位寄存器602根據(jù)時鐘信號CLK和開始脈沖SP而順序產(chǎn)生時間信號，此時間信號通過緩沖器(未示出)等被一個接一個地饋送到下游各級電路。
注意，從移位寄存器602輸出的時間信號可以被緩沖器等緩沖放大。由于許多電路和元件被連接到布線，故時間信號所饋送到的布線的負(fù)載電容(寄生電容)很大。為了防止大的負(fù)載電容產(chǎn)生的時間信號上升與下降遲鈍，制作了緩沖器。此外，不總是必須提供緩沖器。
被緩沖放大的時間信號，被饋送到鎖存器(A)603。鎖存器(A)603具有多個用來處理數(shù)字視頻信號的鎖存級。鎖存器(A)603寫入并保持由源信號線驅(qū)動電路601外部在輸入時間信號時輸入的數(shù)字視頻信號。
注意，在數(shù)字視頻信號被寫入到鎖存器(A)603的過程中，此數(shù)字視頻信號也可以被依次輸入到鎖存器(A)603的多個鎖存級。但本發(fā)明不局限于這種結(jié)構(gòu)?？梢詫㈡i存器(A)603的多個鎖存級分割成一定數(shù)目的組，數(shù)字視頻信號則可以被同時并行輸入到各個組，執(zhí)行分割驅(qū)動。例如，當(dāng)鎖存器被分成每4級一組時，則稱為4分支分割驅(qū)動。
將數(shù)字視頻信號完全寫入到鎖存器(A)603的所有鎖存級中所需的時間，被稱為行周期。實際上，存在著行周期包括上述行周期之外的水平回掃周期的情況。
在完成一行周期之后，鎖存信號被饋送到鎖存器(B)604。此時，被寫入并保持在鎖存器(A)603中的數(shù)字視頻信號，被一起饋送以寫入并保持在鎖存器(B)604的所有鎖存級中。
在完成將數(shù)字視頻信號送到鎖存器(B)604之后，根據(jù)來自移位寄存器602的時間信號，執(zhí)行數(shù)字視頻信號到鎖存器(A)603的寫入。
在此第二次一行周期中，寫入并保持在鎖存器(B)604中的數(shù)字視頻信號，被輸入到源信號線。
圖10B是方框圖，示出了柵信號線驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)。
此柵線驅(qū)動電路605具有移位寄存器606和緩沖器607。根據(jù)情況，提供電平移位器。
在地址柵線驅(qū)動電路605中，時間信號從移位寄存器606被輸入到緩沖器607，然后被饋送到相應(yīng)的柵線。一行象素的TFT的柵電極被連接到各個柵線。一行象素的所有TFT必須被同時置于開通狀態(tài)，因而，能夠處置大電流的電路被用于緩沖器。
而且，能夠用顯示象素部分和監(jiān)視象素部分來特別提供源信號驅(qū)動電路。
此實施方案所示的驅(qū)動電路僅僅是一個例子，注意，在與實施方案1-4的組合中，能夠?qū)崿F(xiàn)實施方案5。
在此實施方案中，參照圖11A-11C來描述本發(fā)明的發(fā)光器件的外貌。
圖11A是發(fā)光器件的俯視圖，圖11B是沿圖11A中A-A’線的剖面圖，而圖11C是沿圖11A中B-B’線的剖面圖。
密封元件4009被提供來包圍制作在襯底4001上的顯示象素部分4002、監(jiān)視象素部分4070、源線驅(qū)動電路4003、以及柵線驅(qū)動電路4004。而且，密封元件4008被提供在顯示象素部分4002、監(jiān)視象素部分4070、源線驅(qū)動電路4003、以及柵線驅(qū)動電路4004上。這樣，顯示象素部分4002、監(jiān)視象素部分4070、源線驅(qū)動電路4003、以及柵線驅(qū)動電路4004，就被襯底4001、密封元件4009、和密封元件4008與填充材料4210一起密封起來。
而且，提供在襯底4001上的顯示象素部分4002、監(jiān)視象素部分4070、源線驅(qū)動電路4003、以及柵線驅(qū)動電路4004，具有多個TFT。在圖11B中，典型地示出了包括在制作于基底膜4010上的源線驅(qū)動電路4003中的驅(qū)動器電路TFT(此處圖中示出了一個n溝道TFT和一個p溝道TFT)4201以及包括在制作于基底膜4010上的顯示象素部分4002中的驅(qū)動TFT(用來控制到OLED的電流的TFT)4202。
在此實施方案中，用已知方法制造的p溝道TFT或n溝道TFT，被用作驅(qū)動電路TFT 4201，且用已知方法制造的p溝道TFT，被用作驅(qū)動TFT 4202。而且，顯示象素部分4002配備有連接到驅(qū)動TFT 4202柵電極的存儲電容器(未示出)。
層間絕緣膜(勻平膜)4301被制作在驅(qū)動電路TFT 4201和驅(qū)動TFT 4202上，并在其上制作電連接到驅(qū)動TFT 4202的漏的象素電極(陽極)4203。功函數(shù)大的透明導(dǎo)電膜被用于象素電極4203。氧化銦和氧化錫的化合物、氧化銦和氧化鋅的化合物、氧化鋅、氧化錫、或氧化銦，可以被用于透明導(dǎo)電膜。也可以采用加入了鎵的上述透明導(dǎo)電膜。
然后在象素電極4203上制作絕緣膜4302，并在象素電極4203上制作具有窗口部分的絕緣膜4302。在此窗口部分中，在象素電極4203上制作有機發(fā)光層4204。已知的有機發(fā)光材料或無機發(fā)光材料可以被用于有機發(fā)光層4204。而且，作為有機發(fā)光材料，存在著低分子量(單體)材料和高分子量(聚合物)材料，二種材料都可以使用。
已知的蒸發(fā)技術(shù)或涂敷技術(shù)可以被用作形成有機發(fā)光層4204的方法。而且，借助于自由組合空穴注入層、空穴輸運層、發(fā)光層、電子輸運層和電子注入層，有機發(fā)光層的結(jié)構(gòu)可以有疊層結(jié)構(gòu)或單層結(jié)構(gòu)。
由具有遮光性質(zhì)的導(dǎo)電膜制成的陰極4205(典型是含有鋁、銅、或銀作為其主要組分的導(dǎo)電膜，或由上述導(dǎo)電膜和另一種導(dǎo)電膜組成的疊層膜)，被制作在有機發(fā)光層4204上。而且，希望盡可能多地清除存在于陰極4205與有機發(fā)光層4204之間的界面上的潮氣和氧。因此，這種器件的有機發(fā)光層4204必須在氮氣或稀有氣體氣氛中制作，然后制作陰極4205而不暴露于氧和潮氣。在此實施方案中，利用多工作室型(集團工具型)薄膜制作裝置，能夠獲得上述的薄膜淀積。此外，預(yù)定的電壓被施加到陰極4205。
如上所述，就形成了由象素電極(陽極)4203、有機發(fā)光層4204、和陰極4205構(gòu)成的顯示OLED 4303。而且，在絕緣膜4302上制作保護(hù)膜4209，以便覆蓋顯示OLED 4303。在防止氧和潮氣等滲入顯示OLED 4303方面，此保護(hù)膜4209是有效的。
參考號4005a表示待要連接到電源線的布線牽引，此布線4005a被電連接到驅(qū)動TFT 4202的源區(qū)。此牽引布線4005a通過密封元件4009與襯底4001之間，并通過各向異性導(dǎo)電膜4300被電連接到FPC4006的FPC布線4301。
玻璃材料、金屬材料(典型是不銹鋼材料)、陶瓷材料、或塑料材料(包括塑料膜)，能夠被用于密封材料4008。FRP(玻璃纖維加固的塑料)板、PVF(聚氟乙烯)膜、Mylar膜、聚酯膜、或丙烯酸樹脂膜，可以被用作此塑料材料。而且，也可以使用具有鋁箔被PVF膜或Mylar膜夾在中間的結(jié)構(gòu)的薄片。
然而，在光從顯示OLED向著覆蓋元件側(cè)發(fā)射的情況下，覆蓋元件必須是透明的。在此情況下，采用諸如玻璃板、塑料板、聚酯膜、或丙烯酸膜之類的透明物質(zhì)。
而且，除了諸如氮氣或氬氣之類的惰性氣體外，可以使用紫外固化樹脂或熱塑樹脂作為填充材料4210，致使能夠使用PVC(聚氯乙烯)、丙烯酸、聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、硅酮樹脂、PVB(聚丁縮醛乙烯)、或EVA(乙烯乙酸乙烯)。在此實施方案中，氮氣被用于填充材料。
而且，在襯底4001側(cè)上的密封材料4008的表面上提供凹陷部分4007，并在其中安置吸濕物質(zhì)或能夠吸收氧的物質(zhì)4207，以便使填充材料4210暴露于吸濕物質(zhì)(最好是氧化鋇)或能夠吸收氧的物質(zhì)。然后用凹陷部分的蓋子4208將吸濕物質(zhì)或能夠吸收氧的物質(zhì)4207保持在凹陷部分4007中，致使吸濕物質(zhì)或能夠吸收氧的物質(zhì)4207不分散。注意，凹陷部分蓋子4208具有精細(xì)的網(wǎng)狀形式，且其結(jié)構(gòu)滲透空氣和潮氣，而不滲透吸濕物質(zhì)或能夠吸收氧的物質(zhì)4207。借助于提供吸濕物質(zhì)或能夠吸收氧的物質(zhì)4207，能夠抑制顯示OLED 4303的退化。
如圖11C所示，制作象素電極4203，并同時制作導(dǎo)電膜4203a，以便與牽引布線4005a接觸。
而且，各向異性導(dǎo)電膜4300具有導(dǎo)電填充材料4300a。借助于對襯底4001和FPC 4006進(jìn)行熱壓，襯底4001上的導(dǎo)電膜4203a和FPC4006上的FPC布線4301，被導(dǎo)電填充材料4300a彼此電連接。
順便說一下，從監(jiān)視象素部分發(fā)射的光，可以或可以不滲透襯底4001或覆蓋元件4208。在光滲透襯底4001或覆蓋元件4208的情況下，能夠有效地利用顯示在監(jiān)視象素部分中的圖象來顯示一些情況。
本發(fā)明的發(fā)光器件的電流表、可變電源、以及修正電路，被制作在不同于襯底4001的襯底(未示出)上，并通過FPC 4006被電連接到制作在襯底4001上的電源線和陰極4205。
注意，借助于與實施方案1-5進(jìn)行自由組合，能夠?qū)崿F(xiàn)此實施方案。
在此實施方案中，描述一個例子，其中本發(fā)明的發(fā)光器件的電流表、可變電源、和修正電路，被制作在與其上制作顯示象素部分的襯底不同的襯底上，并被連接到其上利用諸如線鍵合方法或COG(玻璃上芯片)方法之類的方法制作顯示象素部分的襯底上的布線。
圖12是此實施方案的發(fā)光器件的外貌。密封元件5009被提供來包圍制作在襯底5001上的顯示象素部分5002、監(jiān)視象素部分5070、源線驅(qū)動電路5003、以及柵線驅(qū)動電路5004。而且，密封元件5008被提供在顯示象素部分5002、監(jiān)視象素部分5070、源線驅(qū)動電路5003、以及柵線驅(qū)動電路5004上。這樣，顯示象素部分5002、監(jiān)視象素部分5070、源線驅(qū)動電路5003、以及柵線驅(qū)動電路5004，就被襯底5001、密封元件5009和密封元件5008與填充材料(未示出)一起密封起來。
在襯底5001側(cè)的密封材料5008的表面上，提供凹陷部分5007，并在其中安置吸濕物質(zhì)或能夠吸收氧的物質(zhì)。
在襯底5001上牽引的布線(牽引布線)通過密封元件5009與襯底5001之間，并通過FPC 5006被連接到發(fā)光器件的外部電路或元件。
本發(fā)明的發(fā)光器件的電流表、可變電源、以及修正電路，被制作在不同于襯底5001的襯底(以下稱為芯片)5020上。用COG(玻璃上芯片)方法之類的方法，將芯片5020固定到襯底5001上，并被電連接到制作在襯底5001上的電源線和陰極(未示出)。
在此實施方案中，用布線鍵合方法、COG方法等，將其上制作電流表、可變電源、以及修正電路的芯片5020固定到襯底5001上。于是發(fā)光器件能夠基于一個襯底而被構(gòu)建，因此，器件本身被做得緊湊，還改進(jìn)了機械強度。
注意，已知的方法可以被用作將芯片連接到襯底上的方法。而且，電流表、可變電源、以及修正電路之外的電路和元件可以被固定到襯底5001上。
借助于與實施方案1-6進(jìn)行自由組合，能夠?qū)崿F(xiàn)此實施方案。
在本發(fā)明中，利用其來自三重激發(fā)態(tài)的磷光能夠被用來發(fā)光的有機材料，能夠明顯地改進(jìn)發(fā)光外量子效率。結(jié)果，OLED的功耗能夠降低，OLED的壽命能夠延長，且OLED的重量能夠減輕。
以下是利用三重激發(fā)態(tài)改善發(fā)光外量子效率的報道(T.Tsutsui，C.Adachi，S.Saito，Photochemical Processes in Organized MolecularSystems，ed.K.Honda，(Elsevier Sci.Pub.，Tokyo，1991)p.437)。
上述論文報道的有機發(fā)光材料(香豆素顏料)的分子式表示如下(化學(xué)式1) (M.A.Baldo，D.F.O’Brien，Y.You，A.Shoustikov，S.Sibley，M.E.Thompson，S.R.Forrest，Nature 395(1998)p.151)上述論文報道的有機發(fā)光材料(Pt絡(luò)合物)的分子式表示如下(化學(xué)式2) (M.A.Baldo，S.Lamansky，P.E.Burrows，M.E.Thompson，S.R.Forrest，Appl.Phys.Lett.，75(1999)p4)(T.Tsutsui，M.-J.Yang，M.Yahiro，K.Nakamura，T.Watanabe，T.Tsuji，Y.Fukuda，T.Wakimoto，S.Mayaguchi，Jpn.Appl.Phys.，38(12B)(1999)L1502)上述論文報道的有機發(fā)光材料(Ir絡(luò)合物)的分子式表示如下(化學(xué)式3) 如上所述，若能夠?qū)嶋H利用來自三重激發(fā)態(tài)的磷光，則原理上能夠?qū)崿F(xiàn)比來自單重激發(fā)態(tài)的熒光高3-4倍的發(fā)光外量子效率。
根據(jù)此實施方案的結(jié)構(gòu)能夠與實施方案1-7的任何一種結(jié)構(gòu)進(jìn)行自由組合。
下面參照圖13-16描述的是本發(fā)明的發(fā)光器件的制造方法。此處，根據(jù)各個步驟，詳細(xì)描述了在同一個襯底上同時制作象素部分的開關(guān)TFT和驅(qū)動TFT以及提供在象素部分周圍的驅(qū)動部分的TFT的方法。
此實施方案使用由鋇硼硅酸鹽玻璃或鋁硼硅酸鹽玻璃制成的襯底900，以Corning公司的#7059玻璃和#1737玻璃為代表。對襯底900沒有限制，只要有透光性即可，并可以使用石英襯底。還可以使用具有能夠承受住此實施方案處理溫度的抗熱性的塑料襯底。
接著參照圖13(A)，包含諸如氧化硅膜、氮化硅膜、或氮氧化硅膜之類的絕緣膜的基底膜901，被制作在襯底900上。在此實施方案中，基底膜901具有二層結(jié)構(gòu)，但也可以使用在絕緣膜上疊層單層或二層或更多層的結(jié)構(gòu)?；啄?01的第一層是用等離子體CVD方法，用SiH4、NH3和N2O作為反應(yīng)氣體制作的氮氧化硅膜901a，其厚度保持為10-200nm(最好是50-100nm)。在此實施方案中，氮氧化硅膜901a(組分比為Si＝32％，O＝27％，N＝24％，H＝17％)的厚度被制作為保持50nm?；啄?01的第二層是用等離子體CVD方法，用SiH4和N2O作為反應(yīng)氣體制作的氮氧化硅膜901b，其厚度為50-200nm(最好是100-150nm)。在此實施方案中，氮氧化硅膜901b(組分比為Si＝32％，O＝59％，N＝7％，H＝2％)的厚度被制作為保持100nm。
然后，在基底膜901上，制作半導(dǎo)體層902-905。借助于用已知的方法(濺射方法、LPCVD方法、或等離子體CVD方法)形成具有非晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜，隨之以用已知的晶化處理(激光晶化、熱晶化、或使用鎳或其它催化劑的熱晶化)，并將這樣得到的結(jié)晶半導(dǎo)體膜圖形化成所希望的形狀，來制作半導(dǎo)體層902-905。半導(dǎo)體層902-905被制作成的厚度為25-80nm(最好是30-60nm)。雖然對結(jié)晶半導(dǎo)體膜的材料沒有限制，但最好是硅、硅鍺(SixGe1-x(x＝0.0001-0.02))合金。在此實施方案中，用等離子體CVD方法來制作厚度保持為55nm的非晶硅膜，然后將含有鎳的溶液置于非晶硅膜上。非晶硅膜被脫水(500℃下1小時)，并被熱晶化(550℃下4小時)，再進(jìn)一步承受激光退火以改善結(jié)晶性，從而形成結(jié)晶硅膜。用光刻方法對此結(jié)晶硅膜進(jìn)行圖形化，以形成半導(dǎo)體層902-905。
已經(jīng)制作的半導(dǎo)體層902-905，可以用少量雜質(zhì)元素(硼或磷)進(jìn)一步進(jìn)行摻雜，以便控制TFT的閾值。
在用激光晶化方法制作結(jié)晶半導(dǎo)體膜的過程中，可以使用脈沖振蕩型或連續(xù)發(fā)光型準(zhǔn)分子激光器、YAG激光器、或YVO4激光器。當(dāng)使用這些激光器時，通過光學(xué)系統(tǒng)將激光振蕩器發(fā)射的激光束聚焦成線以便落在半導(dǎo)體膜上是可取的。晶化條件由工藝操作人員適當(dāng)?shù)剡x擇。當(dāng)使用準(zhǔn)分子激光器時，脈沖振蕩頻率被設(shè)定為300Hz，而激光能量密度被設(shè)定為100-400mJ/cm2(典型為200-300mJ/cm2)。當(dāng)使用YAG激光器時，利用其二次諧波，脈沖振蕩頻率被設(shè)定為30-300kHz，而激光能量密度被設(shè)定為300-600mJ/cm2(典型為350-500mJ/cm2)。襯底整個表面被聚焦成寬度為100-1000μm，例如400μm的線的激光束輻照，此時，線性束的重疊比被設(shè)定為50-90％。
然后，制作柵絕緣膜906，以便覆蓋半導(dǎo)體層902-905。此柵絕緣膜906是用等離子體CVD或濺射方法制作的厚度保持為40-150nm的含硅的絕緣膜。在此實施方案中，用等離子體CVD方法制作厚度保持為110nm的氮氧化硅膜(組分比為Si＝32％，O＝59％，N＝7％，H＝2％)的柵絕緣膜。此柵絕緣膜不局限于氮氧化硅膜，也可以具有其上層疊含硅絕緣膜組成的單層或多層的結(jié)構(gòu)。
當(dāng)要制作氧化硅膜時，采用等離子體CVD方法混合TEOS(原硅酸四乙酯)與O2，并在反應(yīng)壓力為40Pa，襯底溫度為300-400℃，頻率為13.56MHz，放電功率密度為0.5-0.8W/cm2下，進(jìn)行反應(yīng)。這樣制作的氧化硅膜然后在400-500℃下被熱退火，從而得到性能良好的柵絕緣膜。
然后在柵絕緣膜906上，制作厚度保持為200-400nm(最好是250-350nm)的抗熱導(dǎo)電層907，以便形成柵電極。此抗熱導(dǎo)電層907可以被制作成單層或可以按需要被制作成由多個層例如二層或三層組成的疊層結(jié)構(gòu)。抗熱導(dǎo)電層包含選自Ta、Ti、W的元素，或包含以上述元素的合金，或上述元素組合的合金。用濺射方法或CVD方法來制作抗熱導(dǎo)電層，為了降低電阻，應(yīng)該含有濃度減少了的雜質(zhì)，且特別應(yīng)該含有濃度不高于30ppm的氧。在此實施方案中，制作了厚度保持為300nm的W膜。借助于用W作為靶的濺射方法，可以制作W膜，或可以利用六氟化鎢(WF6)的熱CVD方法來制作W膜。不管怎么說，W膜的電阻必須降低，以便能夠用作柵電極。因此，W膜的電阻率最好不高于20μΩcm。借助于增大晶粒尺寸，能夠降低W膜的電阻率。當(dāng)W含有太多的氧之類的雜質(zhì)時，則晶化受阻，電阻增大。因此，當(dāng)利用濺射方法時，使用純度為99.9999％的W靶來制作W膜，并在制作此膜的過程中要充分注意不使雜質(zhì)從氣相混入，以便實現(xiàn)9-20μΩcm的電阻率。
另一方面，用作抗熱導(dǎo)電層907的Ta膜，同樣能夠用濺射方法制作。用Ar作為濺射氣體來制作Ta膜。而且，在濺射過程中將適當(dāng)數(shù)量的Xe或Kr加入到氣體中，可以減弱被形成的膜的內(nèi)應(yīng)力，從而防止膜剝離。α相Ta膜的電阻率約為20μΩcm，因而可用作柵電極，但β相Ta膜的電阻率約為180μΩcm，因而不適合于用作柵電極。TaN膜的晶格結(jié)構(gòu)接近α相。因此，若在Ta膜下方制作TaN膜，則容易形成α相Ta膜。而且，雖然圖中未示出，但在抗熱導(dǎo)電層907下方制作厚度保持約為2-20nm的摻磷(P)的硅膜，在制造器件過程中是有效的。這有助于改善制作在其上的導(dǎo)電膜的粘附性，防止氧化，并防止抗熱導(dǎo)電層907中所含痕量堿金屬元素擴散進(jìn)入第一形狀柵絕緣膜906。在任何一種情況下，抗熱導(dǎo)電層907的電阻率為10-50μΩcm是可取的。
接著，用光刻技術(shù)用抗蝕劑制作掩模908。然后執(zhí)行第一腐蝕。此實施方案使用ICP腐蝕器件，用Cl2和CF4作為腐蝕氣體，并在1Pa的壓力下形成RF(13.56MHz)功率為3.2W/cm2的等離子體。224mW/cm2的RF(13.56MHz)功率也被饋送到襯底側(cè)(樣品臺)，從而施加基本上負(fù)的自偏壓。在這些條件下，W膜的腐蝕速率約為100nm/min。根據(jù)這一腐蝕速率，來估計腐蝕W膜所需的時間，從而進(jìn)行第一腐蝕處理，并將腐蝕時間延長估計時間的20％。
用第一腐蝕處理，形成第一錐形導(dǎo)電層909-912。導(dǎo)電層909-912的錐形部分的角度為15-30度。為了執(zhí)行腐蝕而不留下殘留物，借助于延長腐蝕時間大約10-20％而進(jìn)行過度腐蝕。氮氧化硅膜(柵絕緣膜906)對W膜的選擇比是2-4(典型為3)，因此，氮氧化硅膜被暴露的表面被腐蝕掉大約20-50nm(圖13(B))。
然后，進(jìn)行第一摻雜處理，以便用一種第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)元素加入到半導(dǎo)體層。此處執(zhí)行一個步驟來加入提供n型的雜質(zhì)元素。形成第一形狀導(dǎo)電層的掩模908被保留，并用離子摻雜方法，以自對準(zhǔn)方式，用具有第一錐形的導(dǎo)電層909-912作為掩模，來加入n型雜質(zhì)元素。劑量被設(shè)定為1×1013-5×1014原子/cm2，以便提供n型的雜質(zhì)元素滲透通過錐形部分和柵絕緣膜906，到達(dá)柵電極末端處的下方半導(dǎo)體層，而加速電壓被選擇為80-160keV。用作提供n型的雜質(zhì)元素的是15族的元素，典型的是磷(P)或砷(As)。此處采用磷(P)。由于這一離子摻雜，提供n型的雜質(zhì)元素被加入到第一雜質(zhì)區(qū)914-917，其濃度超過1×1020-1×1021原子/cm3(圖13(C))。
在這一步驟中，依賴于摻雜條件，雜質(zhì)可以到達(dá)第一形狀導(dǎo)電層909-912下方，常常發(fā)生第一雜質(zhì)區(qū)914-917重疊在第一形狀導(dǎo)電層909-912上。
接著，如圖13(D)所示，進(jìn)行第二腐蝕處理。此腐蝕處理也使用ICP腐蝕器件，用CF4和Cl2組成的混合氣體作為腐蝕氣體，在1.0Pa的壓力下，以3.2W/cm2的RF功率(13.56MHz)，45mW/cm2的偏置功率(13.56MHz)，進(jìn)行腐蝕。在這一條件下，形成第二形狀導(dǎo)電層918-921。其端部為錐形，厚度從末端到內(nèi)部逐漸增加。比之第一腐蝕處理，各向同性腐蝕速率隨著施加到襯底側(cè)的偏置電壓的降低而增加，且錐形部分的角度變?yōu)?0-60度。掩模908在邊沿處被腐蝕研磨成為掩模922。在圖13(D)的步驟中，柵絕緣膜906的表面被腐蝕大約40nm。
然后，用提供n型的雜質(zhì)元素，借助于將劑量降低為小于第一摻雜處理的劑量，在提高了的加速電壓的條件下進(jìn)行摻雜。例如，加速電壓被設(shè)定為70-120keV，而劑量被設(shè)定為1×1013原子/cm2，從而形成雜質(zhì)濃度提高了的第一雜質(zhì)層924-927以及與第一雜質(zhì)層924-927接觸的第二雜質(zhì)區(qū)928-931。在這一步驟中，雜質(zhì)可以到達(dá)第二形狀導(dǎo)電層918-921下方，第二雜質(zhì)區(qū)928-931可以重疊在第二形狀導(dǎo)電層918-921上。第二雜質(zhì)區(qū)中的雜質(zhì)濃度為1×1016-1×1018原子/cm3(圖14(A))。
參照圖14(B)，在形成p溝道TFT的半導(dǎo)體層902和905中，制作導(dǎo)電類型與一種導(dǎo)電類型相反的雜質(zhì)區(qū)933(933a和933b)以及934(934a和934b)。在這種情況下，也用第二形狀導(dǎo)電層918和921作為掩模，加入提供p型的雜質(zhì)元素，以便以自對準(zhǔn)的方式形成雜質(zhì)區(qū)。此時，形成n溝道TFT的半導(dǎo)體層903和904的表面，借助于形成抗蝕劑掩模932而被完全覆蓋。此處，利用離子摻雜方法，用雙硼烷(B2H6)來形成雜質(zhì)區(qū)933和934。濃度為2×1020-2×1021原子/cm3的提供p型的雜質(zhì)元素，被加入到雜質(zhì)區(qū)933和934。
但當(dāng)更仔細(xì)地考慮時，雜質(zhì)區(qū)933和934可以被分成含有提供n型的雜質(zhì)元素的二個區(qū)域。第三雜質(zhì)區(qū)933a和934a包含濃度為1×1020-1×1021原子/cm3的提供n型的雜質(zhì)元素。而第四雜質(zhì)區(qū)933b和934b包含濃度為1×1017-1×1020原子/cm3的提供n型的雜質(zhì)元素。然而，在雜質(zhì)區(qū)933b和934b中，提供p型的雜質(zhì)元素的濃度不小于1×1019原子/cm3，而在第三雜質(zhì)區(qū)933a和934a中，提供p型的雜質(zhì)元素的濃度比提供n型的雜質(zhì)元素的濃度高1.5-3倍。因此，第三雜質(zhì)區(qū)作為p溝道TFT的源區(qū)和漏區(qū)不成問題。
下面參照圖14(C)，在第二形狀導(dǎo)電層918-921以及柵絕緣膜906上，制作第一層間絕緣膜937。第一層間絕緣膜937可以是氧化硅膜、氮氧化硅膜、氮化硅膜、或這些膜組合的疊層。在每一種情況下，第一層間絕緣膜937都由無機絕緣材料制成。第一層間絕緣膜937的厚度為100-200nm。當(dāng)氧化硅膜被用作第一層間絕緣膜937時，采用等離子體CVD，將TEOS與O2混合在一起，并在40Pa的壓力下，于300-400℃的襯底溫度的條件下一起反應(yīng)，同時以0.5-0.8W/cm2的高頻(13.56MHz)功率密度放電。當(dāng)?shù)趸枘け挥米鞯谝粚娱g絕緣膜937時，用等離子體CVD方法，可以由SiH4、N2O和NH3來制作此氮氧化硅膜，或用等離子體CVD方法由SiH4、N2O來制作此氮氧化硅膜。此時的制作條件是反應(yīng)壓力為20-200Pa，襯底溫度為300-400℃，而高頻(60MHz)功率密度為0.1-1.0W/cm2。由SiH4、N2O和H2形成的含水氮氧化硅膜還被用作第一層間絕緣膜937。同樣，可以用等離子體CVD方法，由SiH4和NH3來制作氮化硅膜。
然后，進(jìn)行激活步驟，以便激活以各自濃度加入的提供n型和p型的雜質(zhì)元素。利用熱退火方法，用退火爐來執(zhí)行激活步驟。還可以使用激光退火方法或快速熱退火方法(RTA方法)。熱退火方法是在含氧的氮氣氛中進(jìn)行的，其氧濃度不超過1ppm，最好是不超過0.1ppm，溫度為400-700℃，典型為500-600℃。在此實施方案中，在550℃的溫度下進(jìn)行熱處理4個小時。當(dāng)使用抗熱溫度低的塑料襯底作為襯底501時，則采用激光退火是可取的。
激活步驟之后，氣氛被改變，并在包含3-100％的氫氣中，在300-450℃下進(jìn)行熱處理1-12小時，以便使半導(dǎo)體層氫化。這一步驟是為了用熱激發(fā)的氫來終止半導(dǎo)體層中所含的濃度為1016-1018原子/cm3的懸掛鍵?？梢詧?zhí)行另一種氫化方法，亦即等離子體氫化。無論在哪種情況下，半導(dǎo)體層902-905中的缺陷密度都被抑制到不超過1016原子/cm3。為此目的，可以加入數(shù)量為0.01-0.1原子百分比的氫。
然后，制作保持平均厚度為1.0-2.0μm的有機絕緣材料的第二層間絕緣膜939。可以用聚酰亞胺、丙烯酸酯、聚酰胺、聚酰亞胺酰胺、BCB(苯并環(huán)丁烯)作為有機樹脂材料。例如，當(dāng)采用涂敷到襯底之后被熱聚合這種類型的聚酰亞胺時，則利用在300℃潔凈爐子中燃燒的方法來形成第二層間絕緣膜。當(dāng)采用丙烯酸酯時，則選擇雙容器型。亦即，主要成分與固化劑被混合到一起，用甩涂機涂敷到襯底的整個表面上，用80℃的熱板預(yù)熱60秒鐘，并在潔凈爐子中于250℃下燃燒60分鐘，從而形成第二層間絕緣膜。
于是，用特性良好且表面平坦的有機絕緣材料就形成了第二層間絕緣膜939。而且，有機樹脂材料通常具有低的介電常數(shù)，故減小了寄生電容。然而，有機樹脂材料是吸濕的，因而不適合于作為保護(hù)膜。因此，最好是將第二層間絕緣膜與制作成第一層間絕緣膜937的氧化硅膜、氮氧化硅膜、或氮化硅膜組合起來使用。
然后，制作預(yù)定圖形的抗蝕劑掩模，并在半導(dǎo)體層中制作達(dá)及作為源區(qū)與漏區(qū)的雜質(zhì)區(qū)的各個接觸孔。這些接觸孔是用干法腐蝕方法形成的。在這種情況下，首先用CF4、O2和He的混合氣體作為腐蝕氣體，來腐蝕有機樹脂材料的第二層間絕緣膜939。然后，CF4和O2被用作腐蝕氣體，來腐蝕第一層間絕緣膜937。為了進(jìn)一步提高相對于半導(dǎo)體層的選擇比，CHF3被用作腐蝕氣體，來腐蝕第三形狀的柵絕緣膜570，從而形成接觸孔。
利用濺射和真空蒸發(fā)方法，制作導(dǎo)電金屬膜，并利用掩模對其進(jìn)行圖形化，然后腐蝕，以形成源布線940-943以及漏布線944-946。而且，雖然此實施方案的圖中未示出，但布線是由厚度為50nm的Ti膜與厚度為500nm的合金膜(Al和Ti的合金膜)的疊層組成。
然后，在其上制作厚度保持為80-120nm的透明導(dǎo)電膜，并進(jìn)行圖形化以形成象素電極947(圖15(A))。因此，利用氧化銦錫(ITO)膜形成象素電極947作為透明電極，或借助于混合2-20％的氧化鋅(ZnO)到氧化銦中而得到透明導(dǎo)電膜。
而且，象素電極947被制作成與漏布線946接觸并重疊。漏布線946被電連接到驅(qū)動TFT的漏區(qū)。
接著，如圖15(B)所示，制作在與象素電極947重合的位置處有窗口的第三層間絕緣膜949。第三層間絕緣膜949能夠絕緣，用作堤壩來彼此分隔開相鄰象素的有機發(fā)光層。在此實施方案中，抗蝕劑被用來制作第三層間絕緣膜949。
在此實施方案中，第三層間絕緣膜949的厚度約為1μm，窗口被成形為具有所謂的反錐形形狀，其中向著象素電極947，寬度變大。這是借助于用掩模覆蓋待要制作窗口的部分之外的抗蝕劑膜，通過紫外線輻照以暴光膜，然后用顯影液清除被暴光的部分而得到的。
當(dāng)在下面步驟中制作有機發(fā)光層時，如本實施方案那樣反錐形的第三絕緣膜949，將相鄰象素的有機發(fā)光層彼此分隔開。因此，即使有機發(fā)光層與第三層間絕緣膜949具有不同的熱膨脹系數(shù)，也能夠防止有機發(fā)光層破裂和剝脫。
雖然在此實施方案中抗蝕劑膜被用作第三層間絕緣膜，但在某些情況下，也可以使用聚酰亞胺、聚酰胺、丙烯酸酯、BCB(苯并環(huán)丁烯)、或氧化硅膜。第三層間絕緣膜949可以是有機或無機材料，只要能夠絕緣即可。
利用蒸發(fā)方法制作有機發(fā)光層950。還用蒸發(fā)方法制作陰極(MgAg電極)951和保護(hù)電極952。在制作有機發(fā)光層950和陰極951之前，最好對象素電極947進(jìn)行熱處理，以便從電極完全清除潮氣。在此實施方案中，雖然OLED的陰極是MgAg電極，但其它已知的材料也可以使用。
有機發(fā)光層950可以由已知的材料制成。在此實施方案中，有機發(fā)光層具有由空穴輸運層和發(fā)光層組成的雙層結(jié)構(gòu)。有機發(fā)光層還可以附加具有空穴注入層、電子注入層、或電子輸運層。已經(jīng)報道這些層的各種各樣的組合，其中的任何一種都可以被使用。
在此實施方案中，空穴輸運層是用蒸發(fā)方法淀積的聚苯乙烯。借助于蒸發(fā)具有30-40％分子彌散的PBD即1，3，4-噁二唑衍生物的聚乙烯咔唑，并用大約1％的作為綠色發(fā)光中心的香豆素6對得到的膜進(jìn)行摻雜，來獲得發(fā)光層。
保護(hù)電極952能夠單獨保護(hù)有機發(fā)光層950免受潮氣和氧的影響，但增加保護(hù)膜953更可取。在此實施方案中，保護(hù)膜953是厚度為300nm的氮化硅膜。保護(hù)電極952和保護(hù)膜可以連續(xù)地制作而不使襯底暴露于空氣。
保護(hù)電極952還防止了陰極951的退化。典型地說，含有鋁作為其主要成分的金屬膜被用于保護(hù)電極。當(dāng)然可以使用其它的材料。有機發(fā)光層950和陰極951的防潮性很差。因此，希望連續(xù)地制作有機發(fā)光層950和陰極951以及保護(hù)電極952而不使襯底暴露于空氣，以便保護(hù)它們免受外界空氣的影響。
有機發(fā)光層950的厚度為10-400nm(典型為60-150nm)。陰極951的厚度為80-200nm(典型為100-150nm)。
這樣完成的是如圖15B所示結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件。象素電極947、有機發(fā)光層950、陰極951重疊的部分954對應(yīng)于OLED。
p溝道TFT 960和n溝道TFT 961是驅(qū)動電路的TFT，并構(gòu)成一個CMOS。開關(guān)TFT 962和驅(qū)動TFT 963是象素部分的TFT。驅(qū)動電路的各個TFT與象素部分的各個TFT可以被制作在同一個襯底上。
在采用OLED的發(fā)光器件的情況下，其驅(qū)動電路可以用電壓為5-6V，最高為10V的電源來工作。因此，熱電子造成的TFT退化不是嚴(yán)重問題。由于驅(qū)動電路需要高速工作，故較小的柵電容對TFT較好。因此，在如本實施方案那樣采用OLED的發(fā)光器件的驅(qū)動電路中，TFT的半導(dǎo)體層的第二雜質(zhì)區(qū)929和第四雜質(zhì)區(qū)933b最好分別不重疊柵電極918和柵電極919。
本發(fā)明的發(fā)光器件的制造方法不局限于此實施方案所述的方法?？梢杂靡阎姆椒▉碇圃毂景l(fā)明的發(fā)光器件。
此實施方案可以與實施方案1-8自由組合。
在此實施方案中，描述不同于實施方案9的制造發(fā)光器件的方法。
直到制作第二層間絕緣膜939的各個步驟，與實施方案5相同。如圖16A所示，在制作第二層間絕緣膜939之后，制作鈍化膜981，使之接觸第二層間絕緣膜939。
在防止包含在第二層間絕緣膜939中的潮氣通過象素電極947或第三層間絕緣膜982滲漏到有機發(fā)光層950方面，鈍化膜981是有效的。在第二層間絕緣膜939包括有機樹脂材料的情況下，由于材料包含大量潮氣，故提供鈍化膜981特別有效。
在此實施方案中，氮化硅膜被用作鈍化膜981。
然后，制作具有預(yù)定圖形的抗蝕劑掩模，并在各個半導(dǎo)體層中制作達(dá)及作為源區(qū)或漏區(qū)的雜質(zhì)區(qū)的各個接觸孔。這些接觸孔是用于法腐蝕方法形成的。在這種情況下，首先用CF4、O2和He的混合氣體作為腐蝕氣體，來腐蝕由有機樹脂材料組成的第二層間絕緣膜939。然后，用CF4和O2作為腐蝕氣體，來腐蝕第一層間絕緣膜937。而且，為了提高對半導(dǎo)體層的選擇比，腐蝕氣體被改變成CHF3，以便腐蝕第三形狀柵絕緣膜906，從而能夠形成接觸孔。
然后，利用濺射或真空蒸發(fā)方法，制作導(dǎo)電金屬膜，利用掩模執(zhí)行圖形化，然后執(zhí)行腐蝕。于是形成源布線940-943以及漏布線944-946。雖然未示出，但此實施方案中的布線是由厚度為50nm的Ti膜與厚度為500nm的合金膜(Al和Ti的合金膜)的疊層組成的。
隨后，在其上制作厚度為80-120nm的透明導(dǎo)電膜，并借助于圖形化而形成象素電極947(圖16A)。注意，此實施方案使用氧化銦錫(ITO)膜或氧化銦與2-20％的氧化鋅(ZnO)混合的透明導(dǎo)電膜作為透明電極。
而且，制作象素電極947，使之與漏布線946接觸和重疊。于是形成象素電極947與驅(qū)動TFT的漏區(qū)之間的電連接。
接著，如圖16B所示，制作在與象素電極947對應(yīng)的位置處有窗口部分的第三層間絕緣膜982。在此實施方案中，在形成窗口部分時，用濕法腐蝕方法來形成具有錐形形狀的側(cè)壁。與實施方案5所示的情況不同，形成在第三層間絕緣膜982上的有機發(fā)光層不分隔開。于是，若窗口部分的側(cè)壁不夠平緩，則需要注意臺階引起的有機發(fā)光層的退化成為嚴(yán)重的問題。
注意，雖然在此實施方案中，氧化硅膜被用作第三層間絕緣膜982，但視情況而定，也可以使用諸如聚酰亞胺、聚酰胺、丙烯酸酯、或BCB(苯并環(huán)丁烯)之類的有機樹脂膜。
然后，在第三層間絕緣膜982上制作有機發(fā)光層950之前，最好對第三層間絕緣膜982的表面執(zhí)行使用氬的等離子體處理，以便使第三層間絕緣膜982的表面致密。利用上述結(jié)構(gòu)，有可能防止潮氣從第三層間絕緣膜982滲漏到有機發(fā)光層950中。
接著，利用蒸發(fā)方法制作有機發(fā)光層950。還用蒸發(fā)方法制作陰極(MgAg電極)951和保護(hù)電極952。此時，在制作有機發(fā)光層950和陰極951之前，最好對象素電極947進(jìn)行熱處理，以便完全清除潮氣。注意，在此實施方案中，MgAg電極被用作OLED的陰極，但其它已知的材料也可以使用。
注意，已知的材料可以被用于有機發(fā)光層950。在此實施方案中，有機發(fā)光層具有由空穴輸運層和發(fā)光層組成的雙層結(jié)構(gòu)。但可以有這樣的情況，其中空穴注入層、電子注入層、和電子輸運層中的任何一個被包括在有機發(fā)光層中。如上所述，已經(jīng)報道了各種各樣組合的例子，其中的任何一種結(jié)構(gòu)都可以被使用。
在此實施方案中，為了制作空穴輸運層，用蒸發(fā)方法形成聚苯乙烯。而且，為了制作發(fā)光層，用蒸發(fā)方法形成具有30-40％分子彌散的1，3，4-噁二唑衍生物PBD的聚乙烯咔唑，并將大約1％的香豆素6加入其中作為綠色發(fā)光中心。
而且，保護(hù)電極952能夠保護(hù)有機發(fā)光層950免受潮氣和氧的影響，但提供保護(hù)膜953可能更可取。在此實施方案中，厚度為300nm的氮化硅膜被提供為保護(hù)膜953。此保護(hù)膜可以在制作保護(hù)電極952之后連續(xù)地制作而不暴露于大氣。
而且，保護(hù)電極952被提供來防止陰極951的退化，且典型地說是含有鋁作為其主要成分的金屬膜。當(dāng)然也可以使用其它的材料。而且，由于有機發(fā)光層950和陰極951極容易受潮氣影響，故希望連續(xù)地執(zhí)行直至制作保護(hù)電極952的過程而不暴露于大氣，從而保護(hù)有機發(fā)光層免受外界氣氛的影響。
注意，有機發(fā)光層950的厚度可以是10-400nm(典型為60-150nm)。陰極951的厚度可以是80-200nm(典型為100-150nm)。
這樣，就完成了具有圖16B所示結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件。注意，象素電極947、有機發(fā)光層950、和陰極951彼此重疊的部分954，對應(yīng)于OLED。
p溝道TFT 960和n溝道TFT 961是驅(qū)動電路的TFT，并構(gòu)成一個CMOS。開關(guān)TFT 962和驅(qū)動TFT 963是象素部分的TFT。驅(qū)動電路的各個TFT與象素部分的各個TFT可以被制作在同一個襯底上。
本發(fā)明的發(fā)光器件的制造方法不局限于此實施方案所述的方法?？梢杂靡阎姆椒▉碇圃毂景l(fā)明的發(fā)光器件。
注意，借助于與實施方案1-9自由組合，能夠顯示此實施方案。
此發(fā)光器件是自發(fā)光型，故比之液晶顯示器件，被顯示的圖象在明亮處表現(xiàn)更優(yōu)異的可識別性。而且，此發(fā)光器件具有更寬廣的視角。因此，此發(fā)光器件能夠被用于各種各樣電器的顯示部分。
采用本發(fā)明的發(fā)光器件的這種電器包括攝象機、數(shù)碼相機、風(fēng)鏡式顯示器(頭戴顯示器)、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音重放裝置(汽車音響設(shè)備和音響)、筆記本個人計算機、游戲機、便攜信息終端(移動計算機、便攜式電話、便攜游戲機、電子記事本等)、包括記錄媒質(zhì)的放象設(shè)備(更具體地說是諸如數(shù)碼碟盤機(DVD)之類的能夠重放記錄媒質(zhì)的裝置等，并包括用來顯示重放圖象的顯示器)等。特別是在便攜信息終端的情況下，由于便攜式信息終端常常從傾斜方向被觀察，常常要求寬廣的視角，故采用此發(fā)光器件較好。圖17A-17H分別示出了這些電器的各種具體例子。
圖17A示出了一種有機發(fā)光顯示器件，它包括機殼2001、支座2002、顯示部分2003、揚聲器部分2004、視頻輸入端子2005等。本發(fā)明可以用于顯示部分2003。此發(fā)光器件是自發(fā)光型的，故無需后照光。其顯示部分的厚度因而能夠比液晶顯示器更薄。此有機發(fā)光顯示器件包括用來顯示信息的所有顯示器件，諸如個人計算機、電視廣播接收機以及廣告顯示器。
圖17B示出了一種數(shù)碼靜物攝影機，它包括主體2101、顯示部分2102、圖象接收部分2103、操作開關(guān)2104、外部連接端口2105、快門2106等。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件可以用作顯示部分2102。
圖17C示出了一種膝上計算機，它包括主體2201、機殼2202、顯示部分2203、鍵盤2204、外部連接端口2205、鼠標(biāo)2206等。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件可以用作顯示部分2203。
圖17D示出了一種移動計算機，它包括主體2301、顯示部分2302、開關(guān)2303、操作鍵2304、紅外端口2305等。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件可用作顯示部分2302。
圖17E示出了一種包括記錄媒質(zhì)的放象機(更具體地說是DVD放象機)，它包括主體2401、機殼2402、顯示部分A 2403、另一個顯示部分B 2404、記錄媒質(zhì)(DVD等)讀出部分2405、操作鍵2406、揚聲器部分2407等。顯示部分A 2403主要用來顯示圖象信息，而顯示部分B 2404主要用來顯示字符信息。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件可以用作顯示部分A 2403和B 2404。包括記錄媒質(zhì)的放象機還包括游戲機等。
圖17F示出了一種風(fēng)鏡式顯示器(頭戴顯示器)，它包括主體2501、顯示部分2502、鏡臂部分2503。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件可以用作顯示部分2502。
圖17G示出了一種錄象機，它包括主體2601、顯示部分2602、機殼2603、外部連接端口2604、遙控接收部分2605、圖象接收部分2606、電池2607、聲音輸入部分2608、操作鍵2609等。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件可以用作顯示部分2602。
圖17H示出了一種移動電話，它包括主體2701、機殼2702、顯示部分2703、聲音輸入部分2704、聲音輸出部分2705、操作鍵2706、外部連接端口2707、天線2708等。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件可以用作顯示部分2703。注意，借助于在黑色背景上顯示白色字符，能夠降低便攜式電話的功耗。
倘若從有機發(fā)光材料發(fā)射的光的亮度將來能夠更明亮，則根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件將能夠被用于正面或背面投影儀，其中包括輸出圖象信息的光被棱鏡等放大以投影。
上述電子設(shè)備更多地被用來顯示通過諸如互連網(wǎng)和CATV(有線電視系統(tǒng))之類的通信線路傳送的信息，特別是顯示動畫信息。由于有機發(fā)光材料能夠表現(xiàn)高的響應(yīng)速度，故此發(fā)光器件適合于顯示動畫。
發(fā)光器件發(fā)射光的那部分消耗功率，因此，最好以其中發(fā)光部分變得盡可能小的方式來顯示信息。因此，當(dāng)發(fā)光器件被用于主要顯示字符信息的顯示部分，例如便攜式信息終端，更確切地說是便攜式電話或聲音重放裝置的顯示部分時，最好將發(fā)光器件驅(qū)動成字符信息由發(fā)光部分形成，而不發(fā)光部分對應(yīng)于背景。
如上所述，本發(fā)明能夠廣泛地應(yīng)用于所有領(lǐng)域的各種各樣電器。利用其構(gòu)造由實施方案1-10的結(jié)構(gòu)自由組合的發(fā)光器件，能夠獲得此實施方案的電器。
根據(jù)本發(fā)明，利用容易實際使用的結(jié)構(gòu)，即使有機發(fā)光層退化，OLED亮度下降也被抑制，其結(jié)果是能夠顯示清晰的圖象。而且，在使用具有對應(yīng)于各個顏色的OLED的彩色顯示的發(fā)光器件的情況下，防止了失去各個顏色中的平衡，且即使OLED的有機發(fā)光層根據(jù)對應(yīng)的顏色以不同的速度退化，也能夠繼續(xù)顯示所需的顏色。
而且，即使有機發(fā)光層的溫度受到外界溫度、OLED平板本身產(chǎn)生的熱等的影響，也能夠抑制OLED的亮度變化。還能夠防止功耗隨溫度上升而增大。而且，在具有彩色顯示的發(fā)光器件的情況下，能夠抑制各個顏色的OLED的亮度變化而不受溫度變化的影響。這樣就防止了失去各個顏色中的亮度平衡，從而能夠顯示所需的顏色。
權(quán)利要求
1.一種具有顯示裝置的電子設(shè)備，該顯示裝置包括第一OLED；第二OLED；可變電源；用來測量第二OLED中流動的電流的電流表；以及一個修正電路，用來對測得的電流值與參考電流值進(jìn)行比較，并修正施加到第一和第二OLED上的電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，所述第一OLED和第二OLED發(fā)光的時間周期由一個數(shù)字視頻信號進(jìn)行控制，以顯示灰度。
3.如權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，所述電子設(shè)備選自由錄象機、數(shù)碼相機、風(fēng)鏡式顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音重放裝置、筆記本個人計算機、游戲機、便攜式信息終端、以及包括記錄媒質(zhì)的圖像重放裝置構(gòu)成的組。
4.一種具有顯示裝置的電子設(shè)備，該顯示裝置包括具有第一OLED的第一象素部分；具有第二OLED的第二象素部分；用來測量第二OLED中流動的電流的第一裝置；用來對測得的電流值與參考電流值進(jìn)行比較的第二裝置；以及用來根據(jù)測得的電流值與參考電流值之間的差來修正施加到第一和第二OLED上的電壓的第三裝置；其中向所述第一象素部分輸入顯示視頻信號，以及其中向所述第二象素部分輸入監(jiān)視視頻信號，所述監(jiān)視視頻信號不同于所述顯示視頻信號。
5.如權(quán)利要求4所述的電子設(shè)備，其中，所述第一OLED和第二OLED發(fā)光的時間周期由一個數(shù)字視頻信號進(jìn)行控制，以顯示灰度。
6.如權(quán)利要求4所述的電子設(shè)備，其中，所述電子設(shè)備選自由錄象機、數(shù)碼相機、風(fēng)鏡式顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音重放裝置、筆記本個人計算機、游戲機、便攜式信息終端、以及包括記錄媒質(zhì)的圖像重放裝置構(gòu)成的組。
7.一種具有顯示裝置的電子設(shè)備，該顯示裝置包括具有第一OLED的顯示象素部分；具有第二OLED的監(jiān)視象素部分；可變電源；用來測量第二OLED中流動的電流的電流表；一個修正電路，用來對測得的電流值與參考電流值進(jìn)行比較，并通過控制所述可變電源來修正施加到第二OLED上的電壓，以使第二OLED中流動的電流的值接近參考電流值，其中向所述顯示象素部分輸入顯示視頻信號，其中向所述監(jiān)視象素部分輸入監(jiān)視視頻信號，所述監(jiān)視視頻信號不同于所述顯示視頻信號，以及其中施加到第一OLED上的電壓保持在與施加到第二OLED上的電壓相同的電平上。
8.如權(quán)利要求7所述的電子設(shè)備，其中，所述第一OLED和第二OLED發(fā)光的時間周期由一個數(shù)字視頻信號進(jìn)行控制，以顯示灰度。
9.如權(quán)利要求7所述的電子設(shè)備，其中，所述電子設(shè)備選自由錄象機、數(shù)碼相機、風(fēng)鏡式顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音重放裝置、筆記本個人計算機、游戲機、便攜式信息終端、以及包括記錄媒質(zhì)的圖像重放裝置構(gòu)成的組。
10.如權(quán)利要求7所述的電子設(shè)備，其中，其上制作了修正電路和電流表的一個第二襯底通過COG方法固定到其上制作了第一和第二OLED的第一襯底上。
11.如權(quán)利要求7所述的電子設(shè)備，其中，其上制作了修正電路和電流表的一個第二襯底通過引線鍵合方法固定到其上制作了第一和第二OLED的第一襯底上。
12.一種具有顯示裝置的電子設(shè)備，該顯示裝置包括具有多個第一OLED的顯示象素部分；具有多個第二OLED的監(jiān)視象素部分；用來測量所有多個第二OLED中流動的總電流的電流表；以及一個修正電路，用來對測得的電流值與參考電流值進(jìn)行比較，并通過控制一個可變電源來修正施加到所有多個第二OLED上的電壓，以使所有多個第二OLED中流動的總電流的值接近參考電流值，其中向所述顯示象素部分輸入顯示視頻信號，其中向所述監(jiān)視象素部分輸入監(jiān)視視頻信號，所述監(jiān)視視頻信號不同于所述顯示視頻信號，以及其中施加到所述多個第一OLED上的電壓保持在與施加到所述多個第二OLED上的電壓相同的電平上。
13.如權(quán)利要求12所述的電子設(shè)備，其中，所述第一OLED和第二OLED發(fā)光的時間周期由一個數(shù)字視頻信號進(jìn)行控制，以顯示灰度。
14.如權(quán)利要求12所述的電子設(shè)備，其中，所述電子設(shè)備選自由錄象機、數(shù)碼相機、風(fēng)鏡式顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音重放裝置、筆記本個人計算機、游戲機、便攜式信息終端、以及包括記錄媒質(zhì)的圖像重放裝置構(gòu)成的組。
15.如權(quán)利要求12所述的電子設(shè)備，其中，其上制作了修正電路和電流表的一個第二襯底被固定到其上制作了第一和第二OLED的第一襯底上。
16.如權(quán)利要求12所述的電子設(shè)備，其中，其上制作了修正電路和電流表的一個第二襯底通過COG方法固定到其上制作了第一和第二OLED的第一襯底上。
17.如權(quán)利要求12所述的電子設(shè)備，其中，其上制作了修正電路和電流表的一個第二襯底通過引線鍵合方法固定到其上制作了第一和第二OLED的第一襯底上。
18.一種具有顯示裝置的電子設(shè)備，該顯示裝置包括多個第一OLED；多個第二OLED；用來測量所有多個第二OLED中流動的總電流的電流表；以及一個修正電路，用來對測得的電流值與參考電流值進(jìn)行比較，并通過控制一個可變電源來修正施加到所有多個第二OLED上的電壓，以使所有多個第二OLED中流動的總電流的值接近參考電流值，其中施加到所述多個第一OLED上的電壓保持在與施加到所述多個第二OLED上的電壓相同的電平上，以及其中當(dāng)測得的電流值與參考電流值之間的差以恒定的寬度改變時，要修正的電壓每次以恒定的大小被改變。
19.如權(quán)利要求18所述的電子設(shè)備，其中，所述第一OLED和第二OLED發(fā)光的時間周期由一個數(shù)字視頻信號進(jìn)行控制，以顯示灰度。
20.如權(quán)利要求18所述的電子設(shè)備，其中，所述電子設(shè)備選自由錄象機、數(shù)碼相機、風(fēng)鏡式顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音重放裝置、筆記本個人計算機、游戲機、便攜式信息終端、以及包括記錄媒質(zhì)的圖像重放裝置構(gòu)成的組。
21.如權(quán)利要求18所述的電子設(shè)備，其中，其上制作了修正電路和電流表的一個第二襯底被固定到其上制作了第一和第二OLED的第一襯底上。
22.如權(quán)利要求18所述的電子設(shè)備，其中，其上制作了修正電路和電流表的一個第二襯底通過COG方法固定到其上制作了第一和第二OLED的第一襯底上。
23.如權(quán)利要求18所述的電子設(shè)備，其中，其上制作了修正電路和電流表的一個第二襯底通過引線鍵合方法固定到其上制作了第一和第二OLED的第一襯底上。
24.一種具有顯示裝置的電子設(shè)備，該顯示裝置包括具有多個第一OLED的第一象素部分；具有多個第二OLED的第二象素部分；用來測量所有多個第二OLED中流動的總電流的電流表；以及一個修正電路，用來對測得的電流值與參考電流值進(jìn)行比較，并通過控制一個可變電源來修正施加到所有多個第二OLED上的電壓，以使所有多個第二OLED中流動的總電流的值接近參考電流值，其中施加到所述多個第一OLED上的電壓保持在與施加到所述多個第二OLED上的電壓相同的電平上，以及其中在測量所有多個第二OLED中流動的總電流時，在所述第二象素部分上顯示一個特定圖像。
25.如權(quán)利要求24所述的電子設(shè)備，其中，所述第一OLED和第二OLED發(fā)光的時間周期由一個數(shù)字視頻信號進(jìn)行控制，以顯示灰度。
26.如權(quán)利要求24所述的電子設(shè)備，其中，所述電子設(shè)備選自由錄象機、數(shù)碼相機、風(fēng)鏡式顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音重放裝置、筆記本個人計算機、游戲機、便攜式信息終端、以及包括記錄媒質(zhì)的圖像重放裝置構(gòu)成的組。
27.如權(quán)利要求24所述的電子設(shè)備，其中，其上制作了修正電路和電流表的一個第二襯底被固定到其上制作了第一和第二OLED的第一襯底上。
28.如權(quán)利要求24所述的電子設(shè)備，其中，其上制作了修正電路和電流表的一個第二襯底通過COG方法固定到其上制作了第一和第二OLED的第一襯底上。
29.如權(quán)利要求24所述的電子設(shè)備，其中，其上制作了修正電路和電流表的一個第二襯底通過引線鍵合方法固定到其上制作了第一和第二OLED的第一襯底上。
30.一種具有顯示裝置的電子設(shè)備，該顯示裝置包括具有多個第一OLED的第一象素部分；具有多個第二OLED的第二象素部分；用來測量所有多個第二OLED中流動的總電流的電流表；以及一個修正電路，用來對測得的電流值與參考電流值進(jìn)行比較，并通過控制一個可變電源來修正施加到所有多個第二OLED上的電壓，以使所有多個第二OLED中流動的總電流的值接近參考電流值，其中施加到所述多個第一OLED上的電壓保持在與施加到所述多個第二OLED上的電壓相同的電平上，以及其中在測量所有多個第二OLED中流動的總電流時，所述參考電流值根據(jù)在所述第二象素部分上顯示的圖像而不同。
31.如權(quán)利要求30所述的電子設(shè)備，其中，所述第一OLED和第二OLED發(fā)光的時間周期由一個數(shù)字視頻信號進(jìn)行控制，以顯示灰度。
32.如權(quán)利要求30所述的電子設(shè)備，其中，所述電子設(shè)備選自由錄象機、數(shù)碼相機、風(fēng)鏡式顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音重放裝置、筆記本個人計算機、游戲機、便攜式信息終端、以及包括記錄媒質(zhì)的圖像重放裝置構(gòu)成的組。
33.如權(quán)利要求30所述的電子設(shè)備，其中，其上制作了修正電路和電流表的一個第二襯底被固定到其上制作了第一和第二OLED的第一襯底上。
34.如權(quán)利要求30所述的電子設(shè)備，其中，其上制作了修正電路和電流表的一個第二襯底通過COG方法固定到其上制作了第一和第二OLED的第一襯底上。
35.如權(quán)利要求30所述的電子設(shè)備，其中，其上制作了修正電路和電流表的一個第二襯底通過引線鍵合方法固定到其上制作了第一和第二OLED的第一襯底上。
全文摘要
提供了一種發(fā)光器件，其中抑制了OLED亮度的變化，且即使有機發(fā)光層稍許退化或環(huán)境溫度被改變，也能夠穩(wěn)定地執(zhí)行所需顏色的顯示。在發(fā)光器件中，提供了與顯示圖象的象素部分分隔開的用來測量OLED驅(qū)動電流的象素部分。驅(qū)動電流在象素部分中被測量以測量OLED的驅(qū)動電流，且從可變電源施加到上述二種象素部分的電壓的數(shù)值被修正成使測得的驅(qū)動電流取參考值。利用上述結(jié)構(gòu)，能夠抑制伴隨有機發(fā)光層退化的亮度下降。結(jié)果，能夠顯示清晰的圖象。
文檔編號G09G3/20GK1606056SQ2004100905
公開日2005年4月13日 申請日期2002年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2001年1月29日
發(fā)明者犬飼和隆, 巖渕友幸 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所