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驅(qū)動等離子體顯示屏的方法

文檔序號:2603277閱讀:185來源:國知局
專利名稱:驅(qū)動等離子體顯示屏的方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種驅(qū)動等離子體顯示屏(PDP)的方法,尤其涉及一種驅(qū)動包括在一對襯底之間互相正交布置的許多用于產(chǎn)生表面放電的顯示電極與許多用于選擇的尋址電極(信號電極)的等離子體顯示屏的方法。
背景技術(shù)
在上述PDP中,顯示電極沿屏幕的行方法延伸并互相平行布置使互相之間有相等的間隔。能產(chǎn)生表面放電的顯示行在相鄰的顯示電極之間被確定。尋址電極沿屏幕的縱列方向延伸并向顯示電極正交布置,從而在顯示行與尋址電極的交叉點(diǎn)確定單元(單位光發(fā)射區(qū)域)。
在表面放電型的普通PDP中,兩個顯示電極組成一對以產(chǎn)生表面放電。因此,兩個相鄰顯示行之間的單個顯示電極充當(dāng)兩個顯示行的掃描電極。即是說,在產(chǎn)生用于選擇一個待發(fā)光單元的尋址放電時,單個掃描電極既用于一個奇數(shù)號顯示行又用于一個偶數(shù)號顯示行。因此。顯示操作通常以隔行方式進(jìn)行。在本說明的下文中,將把備有顯示電極布置成互相之間相等間隔的結(jié)構(gòu)的PDP稱為ALiS(表面交替發(fā)光型)PDP。
同其中每個顯示行給定一對顯示電極的PDP相比,ALiS型PDP有利于單元的大規(guī)模集成,因?yàn)樗WC單元數(shù)目等于上述PDP中的單元數(shù)目而顯示電極數(shù)目減少。然而,隔行方式在顯示質(zhì)量方面次于順序掃描顯示行的所謂的逐行(progressive)方式。因此,提出了以逐行方式驅(qū)動ALiS型PDP的各種方法。
在ALiS型PDP中,如上述,一個掃描脈沖施加于每個用作掃描電極的其它顯示電極以便選擇一個待發(fā)光的單元。由于單個掃描電極用于兩個顯示行,需要一個在兩個顯示行之間選擇的技術(shù)。
這個技術(shù)即日本未審查專利公開No.2000-181402中描述的技術(shù),其中在掃描脈沖施加于顯示電極之前發(fā)生輔助放電,結(jié)果依據(jù)輔助放電的存在選擇兩個顯示行之一。然而,此技術(shù)由于要求在掃描脈沖之前施加一個輔助脈沖而占用許多用于尋址的時間,因此不實(shí)用。而且,驅(qū)動電路復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上問題,本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了提供一種驅(qū)動等離子體顯示屏的方法。此方法包括步驟控制使用相同掃描電極的兩個顯示行之一的電荷狀態(tài),使得不產(chǎn)生尋址放電,控制另一顯示行的電荷狀態(tài)使得能產(chǎn)生尋址放電,然后產(chǎn)生尋址放電,從而使能在ALiS型PDP中實(shí)現(xiàn)逐行方式顯示。
本發(fā)明提供一種驅(qū)動等離子體顯示屏的方法,該等離子體顯示屏具有布置在形成放電空間的一對襯底之間的、互相正交的許多顯示電極與許多尋址電極,顯示行通過表面放電在相鄰的顯示電極之間確定,單元確定在顯示行與尋址電極的交叉位置處,兩個相鄰的第一與第二顯示行之間的單個顯示電極在產(chǎn)生尋址放電時用作掃描電極以選擇一個待發(fā)光單元,此方法包括在第一顯示行側(cè)的掃描電極的一部分和鄰近第一顯示行的顯示電極之間形成一種電荷狀態(tài),使得在尋址期間不產(chǎn)生放電,而在第二顯示行側(cè)的掃描電極的一部分和鄰近第二顯示行的顯示電極之間形成一種電荷狀態(tài),使得能夠產(chǎn)生尋址放電,從而在第二顯示行中產(chǎn)生尋址放電;在第二顯示行側(cè)的掃描電極的一部分和鄰近第二顯示行的顯示電極之間形成一種電荷狀態(tài),使得在尋址期間不產(chǎn)生放電,而在第一顯示行側(cè)的掃描電極的一部分和鄰近第一顯示行的顯示電極之間形成一種電荷狀態(tài),使得能夠產(chǎn)生尋址放電,從而在第一顯示行中產(chǎn)生尋址放電;以及在第一與第二顯示行內(nèi)同時產(chǎn)生表面放電,從而得到逐行顯示。
本發(fā)明提供一種驅(qū)動等離子體顯示屏的方法,該等離子體顯示屏具有布置在形成放電空間的一對襯底之間的、互相正交的許多顯示電極與許多尋址電極,顯示行通過表面放電在相鄰的顯示電極之間確定,單元確定在顯示行與尋址電極的交叉位置處,兩個相鄰顯示行之間的單個顯示電極在產(chǎn)生尋址放電時用作掃描電極以選擇一個待發(fā)光單元,此方法包括以許多子幀組成一個單幀,在每個子幀中,確定一個用于在尋址電極與用作掃描電極的每隔一個顯示電極之間產(chǎn)生尋址放電的尋址周期與一個用于在顯示電極之間產(chǎn)生表面放電的顯示周期;把不用作掃描電極的顯示電極依據(jù)它們是奇數(shù)號或偶數(shù)號劃分為一個第一組與一個第二組;在尋址周期的第一一半內(nèi),在使用第一和第二組顯示電極中的一組的顯示行側(cè)的掃描電極的一部分與所述顯示電極之間形成一種電荷狀態(tài),使得不產(chǎn)生尋址放電,而在使用另一組的顯示電極的顯示行中形成一種電荷狀態(tài),使得能夠產(chǎn)生尋址放電,從而在使用另一組的顯示電極的顯示行中順序地產(chǎn)生尋址放電;在尋址周期的隨后第二一半內(nèi),在使用另一組顯示電極的顯示行側(cè)的掃描電極的一部分與所述顯示電極之間形成一種電荷狀態(tài),使得不產(chǎn)生尋址放電,而在使用所述第一和第二組顯示電極中的一組的顯示行中形成一種電荷狀態(tài),使得能夠產(chǎn)生尋址放電,從而在使用所述第一和第二組中的一組的顯示電極的顯示行中順序地產(chǎn)生尋址放電;以及在顯示周期內(nèi)同時在全部顯示行內(nèi)產(chǎn)生表面放電,從而得到逐行顯示。
本發(fā)明提供一種驅(qū)動等離子體顯示屏的方法,該等離子體顯示屏具有布置在形成放電空間的一對襯底之間的、互相交叉的許多顯示電極與許多尋址電極,顯示行通過表面放電在相鄰的顯示電極之間確定,單元確定在顯示行與尋址電極的交叉位置處,兩個相鄰顯示行之間的單個顯示電極在產(chǎn)生尋址放電時用作掃描電極以選擇一個待發(fā)光單元,此方法包括以許多子幀組成一個單幀,在每個子幀中,確定一個用于在尋址電極與用作掃描電極的每隔一個顯示電極之間產(chǎn)生尋址放電的尋址周期與一個用于在顯示電極之間產(chǎn)生表面放電的顯示周期;把不用作掃描電極的顯示電極依據(jù)它們是奇數(shù)號或偶數(shù)號劃分為一個第一組與一個第二組;將尋址周期劃分為一個奇數(shù)尋址周期和一個偶數(shù)尋址周期,奇數(shù)尋址周期用于對奇數(shù)顯示行進(jìn)行尋址,奇數(shù)顯示行確定在每一掃描電極和相鄰于每一掃描電極的一側(cè)的第一組顯示電極之間,偶數(shù)尋址周期用于對偶數(shù)顯示行進(jìn)行尋址,偶數(shù)顯示行確定在每一掃描電極和相鄰于每一掃描電極的另一側(cè)的第二組顯示電極之間;在掃描電極的順序掃描之前,施加用于控制在每一尋址周期中形成在奇數(shù)顯示行的電極和偶數(shù)顯示行的電極之間的電荷狀態(tài)的電壓,使得電荷狀態(tài)彼此處于不同的水平;以及在完成奇數(shù)和偶數(shù)尋址周期之后,在顯示周期中在全部顯示行中產(chǎn)生表面放電,從而獲得子幀的顯示。
根據(jù)本發(fā)明的上述方法,其中,在每一子幀的第一一半中,在奇數(shù)和偶數(shù)尋址周期中的掃描之前,電荷狀態(tài)的控制是通過調(diào)節(jié)在前面子幀的顯示周期內(nèi)被發(fā)光的單元內(nèi)的壁電荷使得能在掃描電極與尋址電極之間產(chǎn)生尋址放電而在顯示電極之間不產(chǎn)生表面放電而進(jìn)行的。
根據(jù)本發(fā)明的上述方法,其中,在每一子幀的第二一半中,在奇數(shù)和偶數(shù)尋址周期中的掃描之前,電荷狀態(tài)的控制是通過變換掃描電極上壁電荷的極性而進(jìn)行的。
根據(jù)本發(fā)明的上述方法,其中,在每一子幀的第一一半或第二一半中,在奇數(shù)和偶數(shù)尋址周期中的掃描之前,在尋址電極與掃描電極之間施加一個與用于產(chǎn)生尋址放電的電壓脈沖有相同極性的電壓脈沖,從而控制全部顯示行的電荷狀態(tài)使得不產(chǎn)生尋址放電。
根據(jù)本發(fā)明的上述方法,其中,一個在尋址周期的第一一半內(nèi)在使用第一組顯示電極的奇數(shù)顯示行上產(chǎn)生尋址放電然后在尋址周期的第二一半內(nèi)在使用第二組顯示電極的偶數(shù)顯示行上產(chǎn)生尋址放電的子幀,與一個在尋址周期的第一一半內(nèi)在使用第二組顯示電極的偶數(shù)顯示行上產(chǎn)生尋址放電然后在尋址周期的第二一半內(nèi)在使用第一組顯示電極的奇數(shù)顯示行上產(chǎn)生尋址放電的子幀,在一幀的一個周期內(nèi)交替重復(fù)。
根據(jù)本發(fā)明的上述方法,其中,一個用于只在前面子幀中進(jìn)行顯示放電的單元內(nèi)產(chǎn)生尋址放電的子幀包括在一幀的一個周期內(nèi)。
根據(jù)本發(fā)明的上述方法,其中,產(chǎn)生形成電荷的尋址放電的一個子幀與產(chǎn)生清除電荷的尋址放電的一個子幀共存于一幀的一個周期內(nèi)。
根據(jù)本發(fā)明的上述方法,其中,一個為產(chǎn)生形成電荷的尋址放電而施加的電壓與一個為產(chǎn)生清除電荷的尋址放電而施加的電壓是不同的。
本發(fā)明提供一種驅(qū)動等離子體顯示屏的方法,在該等離子體顯示屏中,許多掃描電極與顯示電極在它們的表面覆蓋一電介質(zhì)層,掃描電極與顯示電極沿行方向延伸并且交替布置,許多尋址電極沿列方向延伸以便與掃描電極和顯示電極交叉,從而在它們的交叉位置處提供單元,奇數(shù)顯示行確定在每一掃描電極和相鄰于掃描電極的一側(cè)的第一組顯示電極之間,偶數(shù)顯示行確定在每一掃描電極和相鄰于每一掃描電極的另一側(cè)的第二組顯示電極之間,該方法包括一個復(fù)位步驟,用于在每一掃描電極和第二組顯示電極之間施加一個電壓,以便在奇數(shù)顯示行的尋址之前,調(diào)節(jié)在偶數(shù)顯示行側(cè)的電介質(zhì)層的一部分的表面上形成的壁電荷,以便該壁電荷的電荷狀態(tài)與形成在奇數(shù)顯示行側(cè)的電介質(zhì)層的一部分的表面上的壁電荷不同,執(zhí)行該復(fù)位步驟以便阻止在尋址時通過施加在掃描電極和尋址電極之間的尋址電壓而進(jìn)行的在偶數(shù)顯示行側(cè)的尋址放電;以及一個復(fù)位步驟,用于在每一掃描電極和第一組顯示電極之間施加一個電壓,以便在偶數(shù)顯示行的尋址之前,調(diào)節(jié)在奇數(shù)顯示行側(cè)的電介質(zhì)層的一部分的表面上形成的壁電荷,以便該壁電荷的電荷狀態(tài)與形成在偶數(shù)顯示行側(cè)的電介質(zhì)層的一部分的表面上的壁電荷不同,執(zhí)行該復(fù)位步驟以便阻止在尋址時通過施加在掃描電極和尋址電極之間的尋址電壓而進(jìn)行的在奇數(shù)顯示行側(cè)的尋址放電,其中,當(dāng)奇數(shù)和偶數(shù)顯示行的所述尋址之一在尋址周期的第一一半中執(zhí)行時,在尋址周期的第二一半之前在復(fù)位步驟中施加的電壓具有不引起早先在尋址周期的第一一半中在奇數(shù)或偶數(shù)顯示行側(cè)的電介質(zhì)層的所述部分上形成的電荷狀態(tài)消失的極性;以及在尋址周期的第一一半和第二一半中的尋址被分別地執(zhí)行之后,在奇數(shù)和偶數(shù)顯示行中同時產(chǎn)生表面放電,從而獲得顯示。
本發(fā)明提供一種驅(qū)動等離子體顯示屏的方法,在該等離子體顯示屏中,許多掃描電極與顯示電極在它們的表面覆蓋一電介質(zhì)層,掃描電極與顯示電極沿行方向延伸并且交替布置,許多尋址電極沿列方向延伸以便與掃描電極和顯示電極交叉,從而在它們的交叉位置處提供單元,奇數(shù)顯示行確定在每一掃描電極和相鄰于掃描電極的一側(cè)的第一組顯示電極之間,偶數(shù)顯示行確定在每一掃描電極和相鄰于每一掃描電極的另一側(cè)的第二組顯示電極之間,該方法包括一個復(fù)位步驟,用于施加一個電壓,以便在奇數(shù)顯示行的尋址之前,調(diào)節(jié)在奇數(shù)顯示行側(cè)的電介質(zhì)層的一部分的表面上形成的壁電荷,以便該壁電荷的電荷狀態(tài)與形成在偶數(shù)顯示行側(cè)的電介質(zhì)層的一部分的表面上的壁電荷不同,執(zhí)行該復(fù)位步驟以便在奇數(shù)顯示行側(cè)形成的壁電荷被加到在尋址時施加在掃描電極和尋址電極之間的尋址電壓上,以產(chǎn)生奇數(shù)顯示行中的尋址放電;以及一個復(fù)位步驟,用于施加一個電壓,以便在偶數(shù)顯示行的尋址之前,調(diào)節(jié)在偶數(shù)顯示行側(cè)的電介質(zhì)層的一部分的表面上形成的壁電荷,以便該壁電荷的電荷狀態(tài)與形成在奇數(shù)顯示行側(cè)的電介質(zhì)層的一部分的表面上的壁電荷不同,執(zhí)行該復(fù)位步驟以便在偶數(shù)顯示行側(cè)形成的壁電荷被加到在尋址時施加在掃描電極和尋址電極之間的尋址電壓上,以產(chǎn)生偶數(shù)顯示行中的尋址放電,其中,當(dāng)奇數(shù)和偶數(shù)顯示行的所述尋址之一在尋址周期的第一一半中執(zhí)行時,在尋址周期的第二一半之前在復(fù)位步驟中施加的電壓具有不引起早先在尋址周期的第一一半中在奇數(shù)或偶數(shù)顯示行側(cè)的電介質(zhì)層的所述部分上形成的電荷狀態(tài)消失的極性;以及在尋址周期的第一一半和第二一半中的尋址被分別地執(zhí)行之后,在奇數(shù)和偶數(shù)顯示行中同時產(chǎn)生表面放電,從而獲得顯示。
這樣,本發(fā)明提供一種驅(qū)動一個有互相正交布置在一對襯底之間形成放電空間的許多顯示電極與許多尋址電極、顯示行借助表面放電確定在相鄰的顯示電極之間、單元確定在顯示行與尋址電極的交點(diǎn)位置處、兩個相鄰顯示行之間的單個顯示電極在產(chǎn)生尋址放電時用作一個掃描電極以選擇一個待發(fā)光單元的等離子體顯示屏的方法,此方法包括控制使用相同掃描電極的兩個相鄰顯示行之一的第一顯示行的電荷狀態(tài),使得不產(chǎn)生尋址放電,并控制兩個相鄰顯示行之另一的第二顯示行的電荷狀態(tài)使得能產(chǎn)生尋址放電,然后在第二顯示行內(nèi)產(chǎn)生尋址放電;控制第二顯示行的電荷狀態(tài)使得不產(chǎn)生尋址放電,并控制第一顯示行的電荷狀態(tài)使得能產(chǎn)生尋址放電,于是在第一顯示行內(nèi)產(chǎn)生尋址放電;及在第一與第二顯示行內(nèi)同時產(chǎn)生表面放電,從而得到逐行顯示。
根據(jù)本發(fā)明,依據(jù)有或沒有電荷進(jìn)行在使用相同掃描電極的兩個顯示行之間的選擇。即是說,使使用相同掃描電極的兩個顯示行之一變?yōu)椴豢蓪ぶ范硪蛔優(yōu)榭蓪ぶ?,然后進(jìn)行尋址。由于不可尋址狀態(tài)與可尋址狀態(tài)容易產(chǎn)生,因而使能逐行顯示同時保證充分的驅(qū)動裕度。
根據(jù)下文中給出的詳細(xì)描述,本申請的這些或其它目的將變?yōu)楦用靼滓锥?。然而,?yīng)懂得只是通過說明的方法給出指明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)描述與專門例子,因?yàn)楦鶕?jù)此詳細(xì)描述對于本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員來說在本發(fā)明的精神與范圍之內(nèi)的各種變化與修改將變?yōu)轱@而易見。


圖1是一個從傾斜方面觀察的局部說明一個應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動方法的ALiS型PDP結(jié)構(gòu)的圖;圖2是一個說明本發(fā)明一個實(shí)施例中的ALiS型PDP的平面圖;圖3是一個說明本發(fā)明一個實(shí)施例中的ALiS型PDP詳細(xì)結(jié)構(gòu)的局部放大圖;圖4(a)與4(b)是說明本發(fā)明的一個實(shí)施例中用于給出彩色顯示的灰度等級的驅(qū)動方式的圖;圖5是一個說明根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的施加電壓波形的圖;圖6是一個說明根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的詳細(xì)時序的圖;圖7是一個說明根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施列的詳細(xì)驅(qū)動波形的圖;圖8是一個說明根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的電壓施加的框圖;圖9是一個說明根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的施加電壓波形的圖;圖10是一個說明根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的詳細(xì)時序的圖;
圖11是一個說明根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的詳細(xì)驅(qū)動波形的圖;圖12是一個說明本發(fā)明的第三實(shí)施例的圖;圖13是一個說明根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的施加電壓波形的圖;圖14是一個說明根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的施加電壓波形的圖;與圖15是一個說明本發(fā)明的第六實(shí)施例的圖。
具體實(shí)施例方式
在本發(fā)明中,襯底對可由玻璃、石英、陶瓷或類似材料、或在其上面形成例如電極、絕緣膜、電介質(zhì)層、保護(hù)膜以及諸如此類的要求元件的襯底構(gòu)成。
顯示電極可由透明材料例如ITO、SnO2或類似材料、或金屬材料例如Ag、Au、Al、Cu、Cr或類似材料構(gòu)成。例如,每個顯示電極可由一個由ITO或SnO2制成的大寬度的透明電極與一個用于減少電阻的由Ag、Au、Al、Cu、Cr或它們的多層(例如Cr/Cu/Cr層)制成的小寬度的金屬母線電極的組合構(gòu)成。顯示電極可通過印刷方法形成如果使用Ag或Au的話,或通過蒸發(fā)沉積或?yàn)R射與刻蝕的組合形式如果使用其它材料的話。這樣,形成要求數(shù)目的顯示電極使其有要求的厚度、寬度與互相之間的間隔。
尋址電極不特別受限只要正交于顯示電極布置大量的尋址電極即可。通常,顯示電極平行于屏幕的行方向布置而尋址電極平行于屏幕的縱列方向布置。尋址電極在同用于掃描的顯示電極的交叉位置處產(chǎn)生尋址放電并可由金屬材料例如Ag、Au、Al、Cu、Cr或類似材料制成。由于尋址電極形成在后襯底上,它們可不必是透明的。例如,可使用Ag、Au、Al、Cu、Cr或它們的多層(例如Cr/Cu/Cr層)作為尋址電極的材料。尋址電極也可通過印刷形成如果使用Ag或Au的話,或通過蒸發(fā)沉積或?yàn)R射與刻蝕的組合形成如果使用其它材料的話。這樣,形成要求數(shù)目的尋址電極使其有要求的厚度、寬度與相互之間的間隔。
在本發(fā)明的PDP中,顯示行由相鄰的顯示電極之間的表面放電確定,而單元確定在顯示行與尋址電極的交叉位置處。然后,兩個顯示行之間的單個顯示電極在產(chǎn)生尋址放電時用作掃描電極以選擇一個待發(fā)光的單元。
下面,將參照附圖中表示的各實(shí)施例說明本發(fā)明。然而,本發(fā)明不受此限制而容許作各種變更。
圖1是一個從傾斜方向觀察的局部表示一個由根據(jù)本發(fā)明的方法驅(qū)動的ALiS型PDP的圖。此PDP是一個用于彩色顯示的表面放電三電極AC-PDP。通常,許多顯示電極與許多尋址電極互相正交地布置在一對襯底之間。
PDP10由一個包括前襯底11的前板裝配與一個包括后襯底21的后板裝配構(gòu)成。前襯底11與后襯底21由玻璃制成。
在前襯底11的內(nèi)表面上互相平行地布置許多沿屏幕的行方向延伸的顯示電極X與Y,彼此之間有相等的間隙,使得在相鄰的顯示電極之間產(chǎn)生表面放電。彼此相鄰的顯示電極X與Y(可稱作X電極與Y電極)產(chǎn)生用于顯示的它們之間的表面放電。此表面放電由于它用于顯示因而通常稱作顯示放電,而由于它保持單元內(nèi)的發(fā)光因而又稱作保持放電。在這個意義上,顯示電極可稱作保持電極。
每個顯示電極X與Y由一個由ITO、SnO2或類似材料制成的大寬度透明電極12與一個用于減小電極電阻由Ag、Au、Al、Cu、Cr或它們的多層(例如Cr/Cu/Cr層)制成的小寬度金屬母線電極11構(gòu)成。顯示電極X與Y通過印刷法形成如果使用Ag或Au的話,或通過蒸發(fā)沉積或?yàn)R射與刻蝕的組合形式如果使用其它材料的話。這樣,形成要求數(shù)目的顯示電極X與Y使其有要求的厚度、寬度與互相之間的間隙。為了尋址,顯示電極Y用作掃描電極。
透明電極12可以是帶形、或形成為對應(yīng)于放電單元有寬的部分,或以一對一關(guān)系同放電單元分離并通過母線電極而共同連接。
在前襯底11上通過涂敷用網(wǎng)印在低熔點(diǎn)玻璃粉中加入粘結(jié)劑與溶劑制備的玻璃漿然后焙燒此漿而形成一個電介質(zhì)層17。
在電介質(zhì)層17上,形成一個保護(hù)膜18以保護(hù)電介質(zhì)層17免受由顯示放電期間產(chǎn)生的離子碰撞引起的損害。保護(hù)膜18可由Mgo、Cao、Sro、BaO或類似材料形成。
在后襯底21的內(nèi)表面上,互相平行地布置許多沿屏幕的縱列方向延伸的尋址電極A(可稱作A電極),使它們同顯示電極X與Y交叉。尋址電極A在同用作掃描電極的顯示電極的交叉結(jié)構(gòu)處產(chǎn)生尋址放電,并可由Ag、Au、Al、Cu、Cr或它們的多層(例如Cr/Cu/Cr層)形成。尋址電極A也可通過印刷法形式如果使用Ag或Au的話,或通過蒸發(fā)沉積或?yàn)R射與刻蝕的組合形式如果使用其它材料的話。這樣,形成要求數(shù)目的尋址電極A使其有要求的厚度、寬度與互相之間的間隙。
在尋址電極A上以與電介質(zhì)層17相同的材料通過相同的方法形成一層電介質(zhì)層24。
在電介質(zhì)層24上的相鄰尋址電極A之間的位置處,通過噴砂、印刷、光刻或類似方法形成隔肋29。例如,隔肋29可通過在電介質(zhì)層24上涂敷由低熔點(diǎn)玻璃粉、粘結(jié)劑、溶劑以及諸如此類材料制成的玻璃漿,干燥該漿,通過噴砂修整它,再加以焙燒而形成。也可使用光敏樹脂作為粘結(jié)劑以便通過曝光、顯影與焙燒形成隔肋。
在隔肋29之間的槽部分上,通過網(wǎng)印或使用撒布器順序地施加每個包括粘結(jié)劑與不同顏色熒光粉的熒光膏然后加以焙燒以分別形成熒光層28R、28G與28B。另一方法,熒光層28R、28G與28B可使用包括熒光粉與粘結(jié)劑的熒光片材料(通常所說的綠片)通過光刻法形成。在此情況下,襯底上的整個顯示區(qū)域施加一種要求顏色的片,然后曝光與顯影。通過使用不同顏色的片重復(fù)此操作以形成隔肋之間每種顏色的熒光層。
上述的前襯底裝配與后襯底裝配互相面對使得顯示電極X、Y同尋址電極A互相正交。它們的四周被密封并在被隔肋包圍的空間內(nèi)充以放電氣體例如氖和氙的混合物。這樣,完成PDP10。在此PDP10中,在顯示電極X、Y同尋址電極A的交叉位置處的放電空間分別構(gòu)成一個單元(單位光發(fā)射區(qū)域)。
圖2是一個上述ALiS型PDP的平面圖。
根據(jù)此PDP,沿屏幕的行方向延伸的顯示電極Xn、Yn互相平行布置而沿屏幕的縱列方向延伸的尋址電極A正交于顯示電極布置。隔肋29沿平行于尋址電極A的方向形成在相鄰的尋址電極A之間。顯示電極的數(shù)目比沿行方向的放電單元的數(shù)目多一個,即比顯示行L的數(shù)目多一個。尋址電極A的數(shù)目等于沿縱列方向的放電單元的數(shù)目。
在顯示行L中,第一顯示行L1位于顯示電極X1與Y1之間,第二顯示行L2位于顯示電極Y1與X2之間,第三顯示行L3位于顯示電極X2與Y2之間。即是說,第(2n-1)顯示行L2n-1位于顯示電極Xn與Yn之間,而第2n顯示行L2n位于顯示電極Xn與Yn+1之間。
圖3是一個說明ALiS型PDP詳細(xì)結(jié)構(gòu)的局部放大圖。如圖3中表示,顯示放電發(fā)生在夾在隔肋29之間的區(qū)域內(nèi)的顯示電極之間。因此,夾在隔肋29之間的顯示電極X、Y之間的一個區(qū)域構(gòu)成一個放電單元C。
圖4(a)與4(b)是說明用于給出彩色顯示的灰度等級的驅(qū)動方式的圖。彩色顯示PDP通常由下述灰度等級驅(qū)動方式驅(qū)動。
顯示動畫一幀的一個周期(通常為1/60秒)由許多每個有加權(quán)亮度的子幀組成。為了產(chǎn)生256級的灰度級,一幀由8個子幀SF1至SF8組成且各子幀分別顯示延續(xù)一個比率為1∶2∶4∶8∶16∶32∶64∶128的周期,即單元按此比率中的次數(shù)放電。
每個子幀由一個用于平衡放電區(qū)域內(nèi)全部單元中的壁電荷的復(fù)位周期TR、一個用于選擇一個待發(fā)光單元的尋址周期TA與一個用于以按照亮度的次數(shù)放電(發(fā)光)被選擇的單元的顯示(保持)周期TS組成。當(dāng)顯示各子幀時,按照亮度發(fā)光各單元以便顯示8個子幀,從而構(gòu)成一幀。圖4(b)說明一個亮度的相對比率為32的子幀。
用于顯示的尋址以一個寫入尋址方式與一個清除尋址方式進(jìn)行。在寫入尋址方式下,在復(fù)位周期TR內(nèi)擦除全部單元內(nèi)的壁電荷,在尋址周期TA內(nèi)選擇在一個待發(fā)光單元中形成壁電荷然后在顯示周期TS內(nèi)發(fā)生顯示放電。在清除尋址方式下,在復(fù)位周期TR內(nèi)在全部單元中形成壁電荷使得各單元為尋址作好準(zhǔn)備,在尋址周期TA內(nèi)選擇擦除不發(fā)光的單元中的壁電荷然后在顯示周期TS內(nèi)產(chǎn)生顯示放電。
上述ALiS型PDP基本上以這樣一個灰度等級驅(qū)動方式驅(qū)動。在此ALiS型PDP中,一個相應(yīng)地在一個奇數(shù)號顯示行L1,3,5...與一個偶數(shù)號顯示行L2,4,6...之間的Y電極被用作掃描電極以施加用于選擇一個待發(fā)光單元的掃描脈沖。因此,奇數(shù)號顯示行與偶數(shù)號顯示行之間的選擇以下述方式進(jìn)行。
圖5說明根據(jù)第一實(shí)施例的驅(qū)動PDP方法的施加電壓的波形。
在此ALiS型PDP中,交替布置用作掃描電極的Y電極與不施加掃描脈沖的X電極。Y電極由于施加掃描脈沖因而可獨(dú)立控制。在X電極中,把奇數(shù)號X電極分類為第一組(Xodd電極)而把偶數(shù)號X電極分類為第二級(Xeven電極)。Xodd電極與Xeven電極通常各自連接。
在尋址周期的第一一半內(nèi),尋址Xodd電極與Y電極之間的顯示行。在尋址周期的第二一半內(nèi)尋址Xeven電極與Y電極之間的顯示行。此后,在所有顯示行內(nèi)同時發(fā)生放電。
具體地說,復(fù)位周期TR劃分為一個第一復(fù)位周期TR1與一個第二復(fù)位周期TR2。第一復(fù)位周期TR1由一個第一階段TR1a與一個第二階段TR1b組成而第二復(fù)位周期TR2由一個第一階段TR2a與一個第二階段TR2b組成。
尋址周期TR也劃分為一個第一尋址周期TA1與一個第二尋址周期TA2。用于顯示的尋址在寫入尋址方式下工作。對應(yīng)于顯示周期TS,所有顯示行以逐行方式放電。
在第一復(fù)位周期的第一階段TR1a內(nèi),分別對A電極與Y電極施加有圖5中表示的波形的電壓。從A電極向Y電極放電,從而形成Y電極上的壁電荷。這樣,控制Xodd電極與Y電極之間和Xeven電極與Y電極之間的所有顯示行的電荷狀態(tài),使得除非產(chǎn)生用于初始化的放電,在隨后的尋址周期內(nèi)不發(fā)生放電(下文中把此稱為不可尋址狀態(tài))。
接著,在第一復(fù)位周期的第二階段TR1b內(nèi)在Xodd電極與Y電極之間產(chǎn)生放電,以便只初始化Xodd電極與Y電極之間的放電行,于是,這些顯示行變?yōu)榭蓪ぶ贰?br> 然后,在第一尋址周期TA1內(nèi),在Xodd電極與Y電極之間產(chǎn)生放電使得Xodd電極與Y電極之間的放電行被尋址。
在第二復(fù)位周期的第一階段TR2a內(nèi)以與在第一復(fù)位周期的第一階段TR1a內(nèi)相同的方式產(chǎn)生從A電極至Y電極的放電以形成Y電極上的壁電荷。這樣,控制Xodd電極與Y電極之間和Xeven電極與Y電極之間的放電行的電荷狀態(tài)使得除非產(chǎn)生用于初始化的放電在隨后的尋址周期內(nèi)不發(fā)生放電(不可尋址狀態(tài))。
然后,在第二復(fù)位周期的第二階段TR2b內(nèi),在Xeven電極與Y電極之間產(chǎn)生放電以只初始Xeven電極與Y電極之間的放電行,從而把這些放電行引入可尋址狀態(tài)。
然后在第二尋址周期TA2內(nèi)Xeven電極與Y電極之間產(chǎn)生放電以尋址Xeven電極與Y電極之間的放電行。
在從Y電極至Xodd電極與Xeven電極施加電壓以產(chǎn)生顯示放電之后,然后從Xodd與Xeven電極至Y電極施加電壓以產(chǎn)生顯示放電。重復(fù)此過程以同時放電全部顯示行。
在第二復(fù)位周期的第一階段TR2a內(nèi),必須滿足下列條件(1)在第一一半(第一尋址周期TA1)內(nèi)其中發(fā)生尋址放電的單元內(nèi)的電荷被保持而不清除以便把它們用于顯示放電;(2)控制在第一一半內(nèi)其中不發(fā)生尋址放電的單元內(nèi)的電荷狀態(tài)使得在第二一半(第二尋址周期TA2)內(nèi)不發(fā)生放電;與(3)在第一一半內(nèi)其中不發(fā)生尋址放電的單元內(nèi)不積聚足以使能在顯示放電期間放電的電荷。
通過施加一個同尋址的第一一半與第二一半開始時在A電極與Y電極之間的尋址電壓有相同的極性與幅值的有和緩(傾斜)波形的電壓使?jié)M足這些條件。其理由如下。
由于在第二復(fù)位周期的第一階段TR2a內(nèi)施加的電壓在第二一半內(nèi)有與在第一一半尋址內(nèi)施加的尋址電壓相同的極性,因而容易地滿足條件(1)。
而且,由于此電壓有與尋址電壓相同的幅值,因而在后來的尋址周期內(nèi)不發(fā)生反應(yīng)。因此滿足條件(2)。
通過在A電極與Y電極之間只施加和緩波形的電壓,不積聚使能發(fā)生顯示放電的電荷,因此也滿足條件(3)。
只要滿足條件(1)至(3),在第二復(fù)位周期的第一階段TR2a內(nèi)施加于Y電極的電壓可不必有和緩的波形。例如,可在A電極與Y電極之間施加窄寬度的脈沖。
在本實(shí)施例中,Xodd電極與Y電極之間的顯示行先于Xeven電極與Y電極之間的顯示行被尋址。然而,也可以相反的順序進(jìn)行尋址。同樣在第一復(fù)位周期的第一階段TR1a內(nèi)施加與第二復(fù)位周期的第一階段TR2a施加的電壓有相同波形的電壓。然而,由驅(qū)動的可能性看來,此電壓并非必要,因?yàn)榧词乖诘谝粚ぶ分芷赥A1內(nèi)Xeven電極與Y電極之間產(chǎn)生錯誤放電,在第二復(fù)位周期的第一階段TR2a與第二階段TR2b內(nèi)進(jìn)行初始化,然后在第二尋址周期TA2內(nèi)再次進(jìn)行尋址。然而,在第一尋址周期TA1內(nèi)在Xeven與Y電極之間的錯誤放電引起一個增強(qiáng)背景發(fā)光的問題。因此在第一復(fù)位周期的第一階段TR1a內(nèi)插入具有上述波形的電壓是合乎需要的。
第一實(shí)施例的全部情況如上所述。下文中將詳述根據(jù)第一實(shí)施例的時序與驅(qū)動波形,盡管此描述可能同上面內(nèi)容有重復(fù)。
根據(jù)第一實(shí)施例的詳細(xì)時序表示在圖6中。如上述,根據(jù)第一實(shí)施例的時序主要由第一復(fù)位周期TR1、第一尋址周期TA1、第二復(fù)位周期TR2、第二尋址周期TA2與保持周期TS組成。
在第一實(shí)施例的上面說明中,第一復(fù)位周期TR1劃分為第一階段TR1a與第二階段TR1b兩個序列。更具體地說,第二階段TR1b進(jìn)一步劃分為寫入與電荷調(diào)節(jié)兩個序列。因此,第一復(fù)位周期TR1由第一階段TR1a、第二階段TR1b與第三階段TR1c三個時序組成。
在第一實(shí)施例中同樣把第二復(fù)位周期TR2描述為包括第一階段TR2a與第二階段TR2b兩個時序。第二階段TR2b也詳細(xì)地劃分為寫入與電荷調(diào)節(jié)兩個時序。因此,第二復(fù)位周期TR2由第一階段TR2a、第二階段TR2b與第三階段TR2c組成。
在全部操作中,X電極以與上面相同的方式劃分為Xodd電極與Xeven電極。在第一尋址周期內(nèi)尋址使用Xodd電極的顯示行,而在第二尋址周期內(nèi)尋址使用Xeven電極的顯示行。然后在保持周期內(nèi)放電所有顯示行以得到逐行顯示。
第一復(fù)位周期TR1是一個用于在隨后的第一尋址周期TA1內(nèi)正常地產(chǎn)生尋址放電的準(zhǔn)備周期。在第一尋址周期TA1內(nèi)尋址使用Xodd電極的顯示行。因此,在第一復(fù)位周期TR1內(nèi)使用Xodd電極的顯示行處于可尋址狀態(tài)而使用Xeven電極的顯示行處于不可尋址狀態(tài)。
在第一復(fù)位周期的第一階段TR1a內(nèi),控制所有顯示行的電荷狀態(tài)使得不發(fā)生尋址放電(不可尋址狀態(tài))。然后,只對使用Xodd電極的顯示行在第二階段TR1b內(nèi)進(jìn)行寫入而在第三階段TR1c內(nèi)進(jìn)行電荷調(diào)節(jié),從而把這些顯示行引入可尋址狀態(tài)。使用Xeven電極的顯示行在第二階段TR1b與第三階段TR1c內(nèi)不起反應(yīng)而保持處于不可尋址狀態(tài)。
然后,在第一尋址周期TA1內(nèi)自上而下逐個地對Y電極施加掃描脈沖并對A電極施加尋址脈沖,從而進(jìn)行尋址。在第一尋址周期TA1內(nèi),只有使用Xodd電極的顯示行處于可尋址狀態(tài),使得Y電極與Xodd電極之間的顯示行被選擇地尋址。顯示電極被兩個兩個地尋址,即尋址第1、第4、第5、第8、第9......顯示電極。因此,施加于A電極的尋址脈沖也以相同的順序施加。
第二復(fù)位周期TR2是一個用于在后來的第二尋址周期TA2內(nèi)正常地產(chǎn)生尋址放電的準(zhǔn)備周期。同第一尋址周期TA1相反,在第二尋址周期TA2內(nèi)只尋址使用Xeven電極的顯示行。因此,在第二復(fù)位周期TR2內(nèi),使用Xodd電極的顯示行與使用Xeven電極的顯示行以同第一復(fù)位周期TR1內(nèi)相反的順序操作。
在第二尋址周期TA2的時序中,自上而下地對Y電極施加掃描脈沖并以與第一尋址周期TA1內(nèi)相同的方式對A電極施加尋址脈沖,從而進(jìn)行尋址。在第二尋址周期TA2內(nèi)只有Xeven電極與Y電極之間的顯示行處于可尋址狀態(tài)。因此,兩個兩個地尋址顯示行,即尋址第2、第3、第6、第7......顯示行。
這樣尋址所有的顯示行。之后,在顯示周期TS內(nèi)產(chǎn)生保持放電以得到逐行顯示。
圖7表示詳細(xì)地驅(qū)動波形。驅(qū)動波形由下列電壓脈沖組成
—一個施加于X電極的最高電壓為Vq的和緩脈沖Prx1,—一個施加于X電極的電壓為Vx的矩形脈沖Prx2,—一個施加于X電極的電壓為Vs的矩形脈沖Prx3,—一個施加于Y電極的最高電壓為Vy的和緩脈沖Prx1,—一個施加于Y電極的最高電壓為Vs的矩形脈沖Prx2,—一個施加于Y電極的最低電壓為Vy與幅值為Vsc的掃描脈沖Py,—一個施加于A電極的電壓為Va的矩形脈沖Pra,—一個施加于A電極的電壓為Va的尋址脈沖Pa,—一個施加于X與Y電極的電壓為Vs的保持脈沖Ps。
電壓脈沖的典型例子如下。Vq=-140V,Vx=90V,Vs=170v,Vy=-170V,Vsc=120V,Va=70V。
在第一復(fù)位周期TR1的第一階段TR1a、第二階段TR1b與第三階段TR1c內(nèi)的脈沖施加進(jìn)行如下。
在第一階段TR1a(不可尋址狀態(tài))內(nèi),施加脈沖Pra與Pry1。Xodd與Xeven電極上的電壓電平都為OV(地電平)。當(dāng)施加Pra與Pry1時,電壓電平與尋址時在A電極與Y電極之間的電壓電平相同。因此,在第一階段TR1a之后電荷被引至不發(fā)生尋址放電的狀態(tài)。脈沖寬度約為100μs。
在第二階段TR1b(只寫入使用Xodd電極的顯示行)內(nèi),脈沖Prx1施加于Xodd電極,脈沖Prx3施加于Xeven電極,脈沖Pry2施加于Y電極,而OV施加于A電極。在此情況下,Xodd電極有同Y電極相反的極性而Xeven電極有與Y電極相同的極性。因此,只在使用Xodd電極的顯示行內(nèi)進(jìn)行寫入。脈沖寬度約為100μs。
在第三階段TR1c(電荷調(diào)節(jié))內(nèi),脈沖Prx2施加于Xodd電極,OV施加于Xeven電極,脈沖Pry1施加于Y電極,而OV施加于A電極。通過Prx2與Pry1調(diào)節(jié)在第二階段TR1b內(nèi)貯存在使用Xodd電極的顯示行上的電荷,使得把這些顯示行引至適于尋址的狀態(tài)。使用Xeven電極的顯示行因?yàn)樵诘诙A段TR1b內(nèi)不貯存電荷而不起反應(yīng)。脈沖寬度約為120μs。
在第一尋址周期TA1內(nèi),脈沖Prx2施加于Xodd電極,OV施加于Xeven電極,脈沖Py施加于Y電極而脈沖Pa施加于A電極,從而尋址使用Xodd電極的顯示行。每個掃描脈沖的寬度在1.2至1.7μs范圍內(nèi)。
在第二復(fù)位周期TR2內(nèi),把在第一復(fù)位周期TR1內(nèi)施加于Xodd電極與Xeven電極的脈沖互相更換。因此,只有Xeven電極成為可尋址。
在第二尋址周期TA2內(nèi),脈沖Prx2施加于Xeven電極,OV施加于Xodd電極,脈沖Py施加于Y電極而脈沖Pa施加于A電極。因此,尋址使用Xeven電極的顯示行。每個掃描脈沖的寬度在1.2至1.7μs范圍內(nèi)。
在保持周期TS內(nèi),脈沖Ps交替施加于X與Y電極,從而產(chǎn)生保持放電。
圖8與9表示根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動PDP方法的第二實(shí)施例。圖8是一個表示電壓施加方式的框圖,而圖9表示施加電壓的波形。此實(shí)施例是第一實(shí)施例的一個簡化方案。
在第一實(shí)施例中的第一一半內(nèi)進(jìn)行的在第一復(fù)位周期的第一階段TR1a與第二TR1b內(nèi)的電壓施加,即第一一半內(nèi)的初始化,在第二實(shí)施例中不必進(jìn)行,因?yàn)樵谇懊孀訋牡诙话胫袑ぶ返娘@示行中,其中在前面子幀期間不發(fā)生顯示放電(即不產(chǎn)生尋址放電)的單元仍是可尋址的,這消除了初始化的需要。
在前面子幀中其中產(chǎn)生顯示放電的單元通過經(jīng)顯示放電調(diào)節(jié)積聚的電荷而變?yōu)榭蓪ぶ?。即是說,在此電荷調(diào)節(jié)中,在A與Y電極之間產(chǎn)生的壁電荷調(diào)節(jié)至不小于通過從放電開始時施加于A與Y之間的電壓降低尋址時施加于A與Y電極之間的電壓而得到的值。而且,X與Y電極之間產(chǎn)生的壁電荷調(diào)節(jié)至不大于通過從放電開始時施加于X與Y電極之間的電壓降低在顯示放電時施加于X與Y電極之間的電壓而得到的值。
由于上述電荷調(diào)節(jié),在前面子幀中其中產(chǎn)生顯示放電的單元變?yōu)榭蓪ぶ贰R虼?,?dāng)前面子幀的第二一半內(nèi)被尋址的顯示行在后面子幀的第一一半內(nèi)被尋址時,電荷調(diào)節(jié)取代第一一半內(nèi)的初始化,因而只在第二一半內(nèi)進(jìn)行初始化。
因此,在此實(shí)施例中,在第一一半內(nèi)被尋址的顯示行(第一尋址行)與在第二一半內(nèi)被尋址的顯示行(第二尋址行)在每個子幀中被更換。
換句話說,在一個奇數(shù)號子幀中,Xodd電極與Y電極之間的顯示行在第一一半內(nèi)被尋址而Xeven電極與Y電極之間的顯示行在第二一半內(nèi)被尋址。然后在一個偶數(shù)號子幀中,Xeven電極與Y電極之間的顯示行在第一一半內(nèi)被尋址而Xodd電極與Y電極之間的顯示行在第二一半內(nèi)被尋址。
偶數(shù)號子幀中的操作如下面描述。由于Xodd電極在前面子幀(即奇數(shù)號子幀)中顯示放電時結(jié)束于正狀態(tài),在前面子幀中被發(fā)光的在Xodd電極與Y電極之間的單元被引至在第一復(fù)位周期TR21內(nèi)單元對尋址不起反應(yīng)的電荷狀態(tài)。
另一方面,在前面子幀中未被發(fā)光的單元在前面子幀中的第二復(fù)位周期的第一階段TR12a內(nèi)變?yōu)椴话l(fā)生尋址的電荷狀態(tài),且此狀態(tài)被繼續(xù)下來。因此,Xodd電極與Y電極之間的顯示行總是處于不被尋址的狀態(tài)。
由于Xeven電極在前面子幀中顯示放電時結(jié)束于負(fù)狀態(tài),在前面子幀中被發(fā)光的Xeven電極與Y電極之間的單元被引至在第一復(fù)位周期TR21內(nèi)單位對尋址起反應(yīng)的狀態(tài)。然而,在此狀態(tài)下,積聚如此大量的電荷以致即使在第一尋址周期TA21內(nèi)未產(chǎn)生尋址放電也能產(chǎn)生顯示放電。因此,需要通過以如本實(shí)施例中的和緩波形的脈沖使減少電荷以調(diào)節(jié)電荷。
另一方面,在前面子幀中沒有被發(fā)光的單元在前面子幀中的第二復(fù)位周期的第二階段TR12b內(nèi)變?yōu)榭蓪ぶ非掖藸顟B(tài)被繼續(xù)下來。因此,Xodd電極與Y電極之間的顯示行總是可尋址。
在第一尋址周期TA21之后,以與第一實(shí)施中相同的方式繼續(xù)工作。
本實(shí)施例在下列方面是有利的(1)在一個單一子幀中進(jìn)行初始化的次數(shù)同第一實(shí)施例相比減少了一半,因此背景發(fā)光也降低了一半;與(2)簡化第一一半內(nèi)的初始化,因此縮短了一個單一子幀需要的時間。
第二實(shí)施例的全部情況如上所述。下文中將詳述根據(jù)第二實(shí)施例的時序與驅(qū)動波形,盡管此描述可能同上面內(nèi)容有重復(fù)。
第二實(shí)施例的詳細(xì)時序表示在圖10中。如上述,在第二實(shí)施例的時序中奇數(shù)號子幀與偶數(shù)號子幀交替重復(fù)。
在第二實(shí)施例的上面說明中,奇數(shù)號子幀的第二復(fù)位周期TR12被描述為有第一階段TR12a和第二階段TR12b兩個時序。第二階段TR12b更詳細(xì)地劃分為寫入與電荷調(diào)節(jié)兩個時序。因此,下文中奇數(shù)號子幀的第二復(fù)位周期TR12由第一階段TR12a、第二階段TR12b與第三階段TR12c組成。
偶數(shù)號子幀的第二復(fù)位周期TR22也被描述為有第一階段TR22a與第二階段TR22b兩個時序,而第二階段TR22b更詳細(xì)地劃分為寫入與電荷調(diào)節(jié)兩個時序,因此,下文中偶數(shù)號子幀的第二復(fù)位周期TR22由第一階段TR22a、第二階段TR22b與第三階段TR22c組成。
每個子幀除省略第一復(fù)位周期TR1的第一階段TR1a與第二階段TR1b之外有與第一實(shí)施例相同的時序。在奇數(shù)號子幀中的第一尋址周期TA11內(nèi)尋址使用Xodd電極的顯示行而在第二尋址周期TR12內(nèi)尋址使用Xeven電極的顯示行。而在偶數(shù)號子幀中,分別在第一尋址周期TR21與第二尋址周期TR22內(nèi)尋址使用Xeven電極的顯示行與使用Xodd電極的顯示行。這是奇數(shù)號子幀與偶數(shù)號子幀之間的區(qū)別。
在這樣的時序下,在第二尋址周期內(nèi)被尋址的顯示行將在后面的子幀中的第一尋址周期內(nèi)被尋址。這時,可省略在第一復(fù)位周期TR11與TR12內(nèi)產(chǎn)生不可尋址狀態(tài)與寫入的操作。其理由描述于下。
偶數(shù)號子幀的第一復(fù)位周期TR21為什么只包括電荷調(diào)節(jié)的理由說明于下。
使用Xodd電極的顯示行在偶數(shù)號子幀的第一尋址周期TA21內(nèi)需要處于不可尋址狀態(tài)。這里,如果在奇數(shù)號子幀的第一尋址周期TA11內(nèi)不產(chǎn)生尋址放電,這些顯示行在第二復(fù)位周期TR12的第一階段TR12a內(nèi)變?yōu)樘幱诓豢蓪ぶ窢顟B(tài)從而以后不起反應(yīng)。因此在后來的偶數(shù)號子幀中第一復(fù)位周期是不必要的。而且,在奇數(shù)號子幀的第二尋址周期TA12內(nèi)產(chǎn)生尋址放電的地方,在保持周期TS1內(nèi)發(fā)生放電。然而,通過使保持周期內(nèi)的放電終結(jié)于不可尋址狀態(tài)(X極結(jié)束于正狀態(tài)),可省略第一復(fù)位周期。
而且,使用Xeven電極的顯示行在偶數(shù)號子幀的第一尋址周期TA21內(nèi)需要為可尋址。這里,如果在奇數(shù)號子幀中的第二尋址周期TA12內(nèi)不產(chǎn)生尋址放電(因此在保持周期內(nèi)不發(fā)生放電),則保持可尋址狀態(tài)因而后來的偶數(shù)號子幀中的第一復(fù)位周期是不必要的。此外,在奇數(shù)號子幀的第二尋址周期TA12內(nèi)產(chǎn)生尋址放電(因此在保持周期內(nèi)發(fā)生放電)的地方,通過只調(diào)節(jié)由保持放電產(chǎn)生的電荷使這些顯示行變?yōu)榭蓪ぶ窢顟B(tài)。
從上述可見,在偶數(shù)號子幀的第一復(fù)位周期TR21內(nèi),只進(jìn)行電荷調(diào)節(jié)。相同的結(jié)論適用于奇數(shù)號子幀的第一復(fù)位周期TR11。因此,在偶數(shù)號子幀與奇數(shù)號子幀的第一復(fù)位周期中省略用于產(chǎn)生不可尋址狀態(tài)與寫入的時序。
圖11表示詳細(xì)的驅(qū)動波形。與第一實(shí)施例不同,在奇數(shù)號子幀與偶數(shù)號子幀之間轉(zhuǎn)換第一與第二尋址周期并在第一復(fù)位周期TR11與TR21內(nèi)只進(jìn)行電荷調(diào)節(jié)(第一實(shí)施例中的TR1c)。
在奇數(shù)號子幀的第一復(fù)位周期TR11內(nèi),脈沖Prx2施加于Xodd電極,OV施加于Xeven電極,脈沖Pry1施加于Y電極而OV施加于A電極。在使用Xodd電極的顯示行內(nèi),通過脈沖Prx2與Pry1調(diào)節(jié)前面子幀中保持放電期間產(chǎn)生的電荷,從而變?yōu)榭蓪ぶ?。使用Xeven電極的顯示行不起反應(yīng)。
第一尋址周期TA11與第一實(shí)施例中的第一復(fù)位周期TA1相同并且其中使用Xodd電極的顯示行被尋址。
第二復(fù)位周期TR12與第一實(shí)施例中的第二復(fù)位周期TR2相同并且其中只有Xeven電極變?yōu)榭蓪ぶ贰?br> 第二尋址周期TA12與第一實(shí)施例中的第二尋址周期TA2相同并且其中使用Xeven電極的顯示行被尋址。
在保持周期TS1內(nèi),脈沖Ps交替施加于X電極與Y電極以便產(chǎn)生保持放電。在保持周期結(jié)束時,Xodd電極結(jié)束于正狀態(tài)因此使用Xodd電極的顯示行在后來子幀的第一尋址周期TA21內(nèi)不被尋址。
在偶數(shù)號子幀中,轉(zhuǎn)換在奇數(shù)號子幀中對于Xodd與Xeven電極進(jìn)行的操作。
圖12(a)至12(d)說明根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動PDP方法的第三實(shí)施例。圖12(a)至12(c)是表示分別在子幀A至C中電壓施加的框圖。在子幀A至C中施加電壓的波形與第二實(shí)施例中相同。圖12(d)表示一幀內(nèi)包括的子幀。第三實(shí)施例是第一與第二實(shí)施例的一個結(jié)合。
通常,控制AC-PDP以顯示作為圖象顯示最小單位的一幀。一幀由多個子幀組成。如上述規(guī)定用于形成一幀的周期。在許多情況下此周期為16.7ms(1/60s)。然而為控制電功率必須改變用于顯示放電的脈沖數(shù)目因而一幀的周期不確定。
因此,一幀中除各子幀外還有一個空白周期。由于根據(jù)第二實(shí)施例的驅(qū)動方法利用前面子幀中積聚的電荷,如果在子幀之間出現(xiàn)錯誤,操作將不能正確進(jìn)行。因此,如果空白周期位于子幀之間,由于電荷消除或類似情況可能引起錯誤工作。
考慮到這一點(diǎn),第三實(shí)施例應(yīng)用3種類型子幀。圖12(a)中表示的子幀A顯示與第一實(shí)施例相同的電壓波形。圖12(b)與12(c)中表示的子幀B與C分別顯示與第二實(shí)施例相同的電壓波形。
如圖12(d)中表示,一個單一幀中首先出現(xiàn)子幀A。不管前面子幀中的電荷狀態(tài)如何,子幀A總是有規(guī)律地起作用。子幀B與C交替地跟隨子幀A。幀中的空白周期位于幀的未尾。即使在空白周期內(nèi)發(fā)生錯誤放電,由于子幀A跟隨空白周期,因而不會有問題。
在本實(shí)施例中,由于即使在幀中的空白周期內(nèi)出現(xiàn)錯誤仍能有規(guī)律地進(jìn)行工作因而實(shí)現(xiàn)高度可靠的驅(qū)動。在第二實(shí)施例中,如果每幀的波形相同,規(guī)定一幀中的子幀數(shù)為偶數(shù)。即是說,在一幀中的子幀數(shù)為奇數(shù)的場合下,意味著一幀中子幀B或C被重復(fù)從而引起出錯。然而,第三實(shí)施例沒有這個問題。
圖13說明根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動PDP方法的第四實(shí)施例的施加電壓的波形。
第四實(shí)施例是第二實(shí)施例的一個變型。在第二實(shí)施例中簡化第一一半內(nèi)的初始化,而在第四實(shí)施例中還簡化第二一半內(nèi)的初始化。如果簡化第二一半內(nèi)的初始化,不驅(qū)動在前面子幀中不放電的單元但可驅(qū)動在前面的子幀中放電的單元。
第四實(shí)施例的第一一半與第二實(shí)施例相同。在第二一半內(nèi),在第二復(fù)位周期的第二階段TR2b內(nèi)只進(jìn)行電荷調(diào)節(jié)。即是說,根據(jù)電荷調(diào)節(jié),把A電極與Y電極之間產(chǎn)生的壁電壓調(diào)節(jié)至不小于通過從在A與Y電極之間放電開始時的電壓降低在尋址時施加在A與Y電極之間的電壓所得到的值。而且,把X與Y電極之間產(chǎn)生的壁電壓調(diào)節(jié)至不大于通過從在X與Y電極之間放電開始時的電壓降低在顯示放電時施加在X與Y電極之間的電壓所得到的值。
根據(jù)電荷調(diào)節(jié),只有在前面子幀中被發(fā)光的單元變?yōu)榭蓪ぶ?。由于在前面子幀中不放電的單元不起反?yīng),因而不出現(xiàn)背景發(fā)光,且同第二實(shí)施例相比周期縮短。
圖14表示根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動PDP方法的第五實(shí)施例中施加電壓的波形。
第五實(shí)施例是第四實(shí)施例的一個變型。第四實(shí)施例應(yīng)用寫入驅(qū)動方式,而第五實(shí)施例以清除驅(qū)動方式與第四實(shí)施例相關(guān)聯(lián)。在清除驅(qū)動方式下,以反向脈沖取代第四實(shí)施例的第二一半內(nèi)的第二復(fù)位周期內(nèi)的脈沖。
第五實(shí)施例的第一一半與第四實(shí)施例基本相同。然而,由于進(jìn)行清除驅(qū)動因而掃描電壓規(guī)定為較低。在第二一半內(nèi)省略第四實(shí)施例中第二復(fù)位周期的第一階段TR2a與第二階段TR2b并在圖14中表示的第二復(fù)位周期TR2內(nèi)施加反向脈沖。
在第二復(fù)位周期TR2內(nèi),Xodd與Y電極之間極性相反,因此在第一一半內(nèi)可尋址的單元在第二一半內(nèi)變?yōu)椴豢蓪ぶ?,而在第一一半?nèi)不可尋址的單元在第二一半內(nèi)變?yōu)榭蓪ぶ贰?br> 與第四實(shí)施例相似,第五實(shí)施例也使只能尋址在前面的子幀中放電的單元。而且,即使它工作在清除驅(qū)動方式下,在不產(chǎn)生背景光與同第四實(shí)施例相比周期縮短這兩方面是有利的。
圖15(a)至15(f)說明根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動PDP方法的第六實(shí)施例。圖15(a)至15(e)是每個表示在子幀A至E中電壓施加方式的框圖,而圖15(f)表示各子幀的詳細(xì)情況。
第六實(shí)施例是第三、第四與第五實(shí)施例的一個結(jié)合。子幀A至C的電壓施加方式與第三實(shí)施例中表示的方式相同。子幀D與E的電壓施加方式分別與第四和第五實(shí)施例中表示的方法相同。
上述實(shí)施例適用于下列情況。如前述,AC-PDP的灰度等級驅(qū)動通常通過以帶有加權(quán)的亮度的各子幀組成一幀來進(jìn)行。例如,如果亮度以2的冪次(1,2,4,8......)加權(quán),可用8個子幀實(shí)現(xiàn)256級的灰度等級。
然而,在這樣簡單的子幀布置下會出現(xiàn)一個虛假外形(dummyoutline)的問題。為處理此問題,增加子幀數(shù)目以劃分亮度加權(quán)。這里,可逐個布置具有相同加權(quán)的亮度的子幀。在這種情況下,由于有一個只有當(dāng)該單元在前面子幀中被發(fā)光時才使此單元發(fā)光的子幀,因而采用第四或第五實(shí)施例中的電壓施加方式。
例如,如果如圖15(f)中所示的布置帶有加權(quán)的亮度的子幀(SF1至SF12),子幀D或E的電壓施加方式可施加于子幀7與8(SF7與SF8)。
此電壓施加方式也可施加于子幀6。然而,考慮到虛假外形問題,優(yōu)選子幀6可獨(dú)立發(fā)光。因此,在此實(shí)施例中,子幀6采用子幀B的電壓施加方式。在子幀D或E的電壓施加方式用于子幀7與8之后,子幀A的電壓施加方式施加于子幀9(SF9),因?yàn)樽訋?要求獨(dú)立驅(qū)動而不受前面子幀的任何影響。
這樣,使用相同掃描電極的兩個顯示行之一變?yōu)榭蓪ぶ范硪蛔優(yōu)椴豢蓪ぶ罚缓筮M(jìn)行尋址,從而使能從逐行方式驅(qū)動Alis型PDP同時保證充分的驅(qū)動裕度。而且,以低的背景發(fā)光實(shí)現(xiàn)具有高得多的質(zhì)量的顯示。
根據(jù)本發(fā)明,在其中兩個顯示行使用單一一個掃描電極的PDP中實(shí)現(xiàn)逐行顯示。
權(quán)利要求
1.一種驅(qū)動等離子體顯示屏的方法,該等離子體顯示屏具有布置在形成放電空間的一對襯底之間的、互相正交的許多顯示電極與許多尋址電極,顯示行通過表面放電在相鄰的顯示電極之間確定,單元確定在顯示行與尋址電極的交叉位置處,兩個相鄰的第一與第二顯示行之間的單個顯示電極在產(chǎn)生尋址放電時用作掃描電極以選擇一個待發(fā)光單元,此方法包括在第一顯示行側(cè)的掃描電極的一部分和鄰近第一顯示行的顯示電極之間形成一種電荷狀態(tài),使得在尋址期間不產(chǎn)生放電,而在第二顯示行側(cè)的掃描電極的一部分和鄰近第二顯示行的顯示電極之間形成一種電荷狀態(tài),使得能夠產(chǎn)生尋址放電,從而在第二顯示行中產(chǎn)生尋址放電;在第二顯示行側(cè)的掃描電極的一部分和鄰近第二顯示行的顯示電極之間形成一種電荷狀態(tài),使得在尋址期間不產(chǎn)生放電,而在第一顯示行側(cè)的掃描電極的一部分和鄰近第一顯示行的顯示電極之間形成一種電荷狀態(tài),使得能夠產(chǎn)生尋址放電,從而在第一顯示行中產(chǎn)生尋址放電;以及在第一與第二顯示行內(nèi)同時產(chǎn)生表面放電,從而得到逐行顯示。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中,在尋址周期的第一一半或第二一半開始時,在尋址電極與掃描電極之間施加一個與尋址放電有相同極性的電壓脈沖,從而控制全部顯示行的電荷狀態(tài)使得不產(chǎn)生尋址放電。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中,一個在尋址周期的第一一半內(nèi)在使用第一組顯示電極的顯示行上產(chǎn)生尋址放電然后在尋址周期的第二一半內(nèi)在使用第二組顯示電極的顯示行上產(chǎn)生尋址放電的子幀,與一個在尋址周期的第一一半內(nèi)在使用第二組顯示電極的顯示行上產(chǎn)生尋址放電然后在尋址周期的第二一半內(nèi)在使用第一組顯示電極的顯示行上產(chǎn)生尋址放電的子幀,在單個幀的一個周期內(nèi)交替重復(fù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中,一個用于只在前面子幀中進(jìn)行顯示放電的單元內(nèi)產(chǎn)生尋址放電的子幀被包含在單個幀的一個周期內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中,產(chǎn)生形成電荷的尋址放電的一個子幀與產(chǎn)生清除電荷的尋址放電的一個子幀共存于單個幀的一個周期內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的方法,其中,一個為產(chǎn)生形成電荷的尋址放電而施加的電壓與一個為產(chǎn)生清除電荷的尋址放電而施加的電壓是不同的。
全文摘要
一種驅(qū)動一個等離子體顯示屏的方法,包括控制使用相同掃描電極的兩個相鄰顯示行之一的第一顯示行的電荷狀態(tài)使得不產(chǎn)生尋址放電并控制兩個相鄰顯示行之另一的第二顯示行的電荷狀態(tài)使得能產(chǎn)生尋址放電,然后在第二顯示行內(nèi)產(chǎn)生尋址放電,控制第二顯示行的電荷狀態(tài)使得不產(chǎn)生尋址放電并控制第一顯示行的電荷狀態(tài)使得能產(chǎn)生尋址放電,然后在第一顯示行內(nèi)產(chǎn)生尋址放電,以及在第一和第二顯示行內(nèi)同時產(chǎn)生表面放電,從而得到逐行顯示。
文檔編號G09G3/298GK1604159SQ2004100768
公開日2005年4月6日 申請日期2001年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2001年6月19日
發(fā)明者椎崎貴史, 平川仁 申請人:富士通日立等離子顯示器股份有限公司
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